KR102477633B1 - Alkali soluble resin, photosensitive resin composition including the same, photosensitive resin layer and display device - Google Patents

Alkali soluble resin, photosensitive resin composition including the same, photosensitive resin layer and display device Download PDF

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Abstract

가열 전에는 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 가지고, 양 말단에 축합 고리를 가지지 않으나, 가열 후에는 양 말단 중 적어도 어느 하나 이상에 고리형 우레탄 관능기를 가지는 알칼리 가용성 수지, 이를 포함하는 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치가 제공된다.
[화학식 1]

Figure 112020015047384-pat00031

(상기 화학식 1에서, 각 치환기는 명세서에 정의된 바와 같다.)An alkali-soluble resin having a structural unit represented by the following Chemical Formula 1 before heating, having no condensed rings at both ends, but having a cyclic urethane functional group at at least one of both ends after heating, a photosensitive resin composition comprising the same, A photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition and a display device including the photosensitive resin film are provided.
[Formula 1]
Figure 112020015047384-pat00031

(In Formula 1, each substituent is as defined in the specification.)

Figure R1020200017250
Figure R1020200017250

Description

알칼리 가용성 수지, 이를 포함하는 감광성 수지 조성물, 감광성 수지막 및 디스플레이 장치 {ALKALI SOLUBLE RESIN, PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION INCLUDING THE SAME, PHOTOSENSITIVE RESIN LAYER AND DISPLAY DEVICE}Alkali-soluble resin, photosensitive resin composition containing the same, photosensitive resin film, and display device

본 기재는 알칼리 가용성 수지, 이를 포함하는 감광성 수지 조성물, 상기 감광성 수지 조성물을 이용한 감광성 수지막 및 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치에 관한 것이다.The present disclosure relates to an alkali-soluble resin, a photosensitive resin composition including the same, a photosensitive resin film using the photosensitive resin composition, and a display device including the photosensitive resin film.

반도체 소자를 수분이나 기계적 충격 등의 외부 환경으로부터 보호하기 위한 목적으로 에폭시 수지 조성물로 반도체 소자를 밀봉하는 방법이 상업적으로 행해지고 있다. 종래에는 반도체 소자 밀봉 시에 웨이퍼를 절단(Dicing)하여 반도체 칩(chip)을 제조한 후, 반도체 칩 단위로 패키징이 이루어졌으나, 최근에 절단되지 않은 웨이퍼 상태 또는 이보다 큰 패널 상태에서 패키징을 수행한 다음, 반도체 칩으로 절단(dicing)하는 공정이 개발되었다. 일반적으로, 전자의 방법을 칩 스케일 패키징(Chip Scale Package, CSP), 후자의 공정을 웨이퍼 레벨 패키징(Wafer Level Packaging, WLP) 및 패널 레벨 패키징(Panel Level Packaging, PLP)이라고 한다. A method of sealing a semiconductor device with an epoxy resin composition for the purpose of protecting the semiconductor device from an external environment such as moisture or mechanical shock has been commercially performed. Conventionally, when sealing a semiconductor device, semiconductor chips were manufactured by dicing a wafer, and then packaging was performed in units of semiconductor chips. Next, a process of dicing into semiconductor chips was developed. In general, the former method is referred to as chip scale packaging (CSP), and the latter process is referred to as wafer level packaging (WLP) and panel level packaging (PLP).

웨이퍼 레벨 패키징은 칩 스케일 패키징 공정에 비해 공정 수율이 높고, 패키지 두께가 얇아 반도체 실장 공간을 감소시킬 수 있다는 장점이 있다. 그러나 웨이퍼 레벨 패키징이나 패널 레벨 패키징의 경우, 개개의 칩을 밀봉하는 칩 스케일 패키징에 비해 제막 면적이 넓기 때문에 웨이퍼 또는 패널과 봉지재의 열 팽창율 차이로 인한 휨(Warpage)이 크게 발생한다는 문제점이 있다. 휨이 발생할 경우, 후속 공정의 수율 및 웨이퍼 핸들링에 영향을 미치게 된다. 또한, 현재 웨이퍼 레벨 패키징이나 패널 레벨 패키징의 밀봉재로는 주로 액상 타입의 에폭시 수지 또는 실리콘 수지가 사용되고 있으나, 액상 타입의 조성물의 경우 무기 충전물의 함량이 낮고, 수지도 액상의 단분자를 사용하기 때문에 밀봉 후 반도체 패키지의 신뢰성이 취약하다는 문제점이 있다. Wafer-level packaging has advantages over chip-scale packaging processes such as high process yield and reduced semiconductor mounting space due to its thin package thickness. However, in the case of wafer-level packaging or panel-level packaging, warpage due to the difference in thermal expansion rate between the wafer or panel and the encapsulant is large because the film forming area is larger than that of chip-scale packaging that encapsulates individual chips. There is a problem. If warpage occurs, it affects the yield and wafer handling of subsequent processes. In addition, liquid-type epoxy resins or silicone resins are mainly used as sealing materials for wafer-level packaging or panel-level packaging. After sealing, there is a problem that the reliability of the semiconductor package is weak.

따라서, 웨이퍼 레벨 패키징 또는 패널 레벨 패키징 적용 시에도 휨 발생이 적고, 우수한 신뢰성을 구현할 수 있는 재배선층(RDL, Redistriburion layer)용 절연막의 개발이 요구되고 있다.Therefore, there is a demand for the development of an insulating film for a redistriburion layer (RDL) capable of implementing low warpage and excellent reliability even when wafer-level packaging or panel-level packaging is applied.

상기 요구에 부응하기 위해 재배선층용 절연막을 형성할 수 있는 감광성 수지 조성물의 개발이 계속되고 있는데, 일반적으로 폴리이미드 수지 자체에 감광성을 부여한 감광성 폴리이미드 수지 조성물이 주로 이용되어 오고 있다. 감광성 폴리이미드 수지 조성물을 이용함으로써, 패턴 형성 공정을 간략화할 수 있기 때문이다. 그러나, 종래 감광성 폴리이미드 수지 조성물을 이용하여 제조되는 재배선층용 절연막(경화막)의 경우, 내부식성 및 내약품성이 저하되는 문제가 있으며, 특히 재배선층용 절연막용 수지는 저온경화가 요구되는데, 종래 감광성 폴리이미드 수지는 저온경화가 불가하여 고내열성 및 고신뢰성을 달성할 수 없다는 문제가 있다.In order to meet the above needs, development of a photosensitive resin composition capable of forming an insulating film for a redistribution layer continues. In general, a photosensitive polyimide resin composition in which photosensitivity is imparted to a polyimide resin itself has been mainly used. It is because the pattern formation process can be simplified by using the photosensitive polyimide resin composition. However, in the case of an insulating film (cured film) for a redistribution layer prepared using a conventional photosensitive polyimide resin composition, there is a problem in that corrosion resistance and chemical resistance are deteriorated. Conventional photosensitive polyimide resin has a problem in that it cannot achieve high heat resistance and high reliability because it cannot be cured at a low temperature.

일 구현예는 가열 전에는 양 말단에 축합 고리를 가지지 않으나, 가열 후에는 양 말단 중 적어도어느 하나 이상에 고리형 우레탄 관능기를 가지는 알칼리 가용성 수지를 제공하기 위한 것이다.One embodiment is to provide an alkali-soluble resin having no condensed ring at both ends before heating, but having a cyclic urethane functional group at at least one of both ends after heating.

다른 일 구현예는 상기 알칼리 가용성 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin composition containing the alkali-soluble resin.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치를 제공하기 위한 것이다.Another embodiment is to provide a display device including the photosensitive resin film.

일 구현예는 가열 전에는 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 가지고, 동시에 양 말단에는 축합 고리를 가지지 않되, 가열 후에는 상기 양 말단 중 적어도 어느 하나 이상에 하기 화학식 2로 표시되는 구조를 갖는 알칼리 가용성 수지를 제공한다.One embodiment has a structural unit represented by Formula 1 before heating, and at the same time does not have a condensed ring at both ends, but after heating, at least one of the ends has an alkali-soluble structure represented by Formula 2 below. provide resin.

[화학식 1] [Formula 1]

Figure 112020015047384-pat00001
Figure 112020015047384-pat00001

상기 화학식 1에서,In Formula 1,

R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, *-O(C=O)R'(R'은 C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 알콕시기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), *-C(=O)OR''(R''은 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 1 to R 3 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, *-O(C=O)R'(R' is a C1 to C10 alkyl group, a C1 to C10 alkoxy group or a C6 to C20 aryl group), *-C ( =O)OR″ (R″ is a C1 to C10 alkyl group or a C6 to C20 aryl group), a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,

n 은 1 또는 2의 정수이고,n is an integer of 1 or 2;

L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 유기기이다.L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C20 aromatic organic group.

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112020015047384-pat00002
Figure 112020015047384-pat00002

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

A는 C3 내지 C20 사이클로알칸 고리 또는 C6 내지 C20 방향족 고리이고,A is a C3 to C20 cycloalkane ring or a C6 to C20 aromatic ring;

R4는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 4 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group;

L3 및 L4는 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이다.L 3 and L 4 are each independently a single bond or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group.

상기 A는 벤젠고리일 수 있다.The A may be a benzene ring.

상기 R4는 수소 원자이고, 상기 L3 및 L4는 각각 독립적으로 단일결합일 수 있다.The R 4 is a hydrogen atom, and the L 3 and L 4 may each independently form a single bond.

상기 화학식 1로 표시되는 구조단위는 가열 후에 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시될 수 있다.The structural unit represented by Chemical Formula 1 may be represented by Chemical Formula 1-1 or Chemical Formula 1-2 after heating.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112020015047384-pat00003
Figure 112020015047384-pat00003

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112020015047384-pat00004
Figure 112020015047384-pat00004

상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,In Formula 1-1 and Formula 1-2,

R3은 수소 원자, 히드록시기, *-O(C=O)R'(R'은 C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 알콕시기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), *-C(=O)OR''(R''은 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 3 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, *-O(C=O)R'(R' is a C1 to C10 alkyl group, a C1 to C10 alkoxy group, or a C6 to C20 aryl group), *-C(=O)OR'' (R″ is a C1 to C10 alkyl group or a C6 to C20 aryl group), a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group or a substituted Or an unsubstituted C6 to C20 aryl group,

L1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고, L 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group;

L2는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, C1 내지 C20 알콕시기로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 C6 내지 C20 아릴기로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다.L 2 is an unsubstituted C6 to C20 arylene group, a C6 to C20 arylene group substituted with a C1 to C20 alkoxy group, or a C6 to C20 arylene group substituted with a C6 to C20 aryl group.

다른 일 구현예는 (A) 상기 알칼리 가용성 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.Another embodiment is (A) the alkali-soluble resin; (B) a photosensitive diazoquinone compound; And (C) it provides a photosensitive resin composition containing a solvent.

상기 감광성 수지 조성물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 1 중량부 내지 50 중량부 포함하고, 상기 용매를 100 중량부 내지 800 중량부 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may include 1 part by weight to 50 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound and 100 parts by weight to 800 parts by weight of the solvent based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.

상기 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include the compound represented by Chemical Formula 3.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112020015047384-pat00005
Figure 112020015047384-pat00005

상기 화학식 3에서,In Formula 3,

R5는 적어도 2개 이상의 탄소 원자를 가지는 2가 내지 4가의 유기기이고,R 5 is a divalent to tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms;

R6 내지 R8은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 6 to R 8 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group;

p는 2 내지 4의 정수이다.p is an integer from 2 to 4;

상기 R5는 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시될 수 있다.R 5 may be represented by Formula 4-1 or Formula 4-2 below.

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure 112020015047384-pat00006
Figure 112020015047384-pat00006

[화학식 4-2][Formula 4-2]

Figure 112020015047384-pat00007
Figure 112020015047384-pat00007

상기 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서,In Formula 4-1 and Formula 4-2,

L6는 헤테로 원자이고,L 6 is a hetero atom;

L5 및 L7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다.L 5 and L 7 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.

상기 화학식 3에서, R6 내지 R8은 서로 동일할 수 있다.In Formula 3, R 6 to R 8 may be the same as each other.

상기 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 1 중량부 내지 50 중량부로 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition may include 1 to 50 parts by weight of the compound represented by Chemical Formula 3 based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.

상기 감광성 수지 조성물은 알코올 화합물, 다이애시드, 알카놀아민, 레벨링제, 실란커플링제, 계면활성제, 에폭시 화합물, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may further include an additive of an alcohol compound, a diacid, an alkanolamine, a leveling agent, a silane coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, a radical polymerization initiator, or a combination thereof.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.Another embodiment provides a display device including the photosensitive resin film.

기타 본 발명의 측면들의 구체적인 사항은 이하의 상세한 설명에 포함되어 있다.The specific details of other aspects of the present invention are included in the detailed description below.

일 구현예에 따른 알칼리 가용성 수지는 가열 전에는 양 말단에 축합 고리를 가지지 않으나, 가열 후에는 적어도 어느 하나 이상의 말단에 고리형 우레탄 관능기를 가지는 구조를 가짐으로써, 이를 포함하는 감광성 수지 조성물을 이용하면 고온 경화 시 뿐만 아니라, 저온 경화 시에도 높은 내열성과 기계적 특성을 가지며, 내약품성에도 뛰어난 경화막(감광성 수지막)을 제조할 수 있다. Alkali-soluble resin according to one embodiment does not have a condensed ring at both ends before heating, but has a structure having a cyclic urethane functional group at at least one end after heating, so that the photosensitive resin composition containing the same has a high temperature It is possible to manufacture a cured film (photosensitive resin film) having high heat resistance and mechanical properties not only during curing but also during low-temperature curing, and excellent in chemical resistance.

도 1은 일 구현예에 따른 알칼리 가용성 수지(제조예 1)의 가열 전 FT-IR 데이터이다.
도 2는 일 구현예에 따른 알칼리 가용성 수지(제조예 1)의 가열(220℃) 후 FT-IR 데이터이다.
1 is FT-IR data before heating of an alkali-soluble resin (Preparation Example 1) according to one embodiment.
Figure 2 is FT-IR data after heating (220 ℃) of the alkali-soluble resin (Preparation Example 1) according to one embodiment.

이하, 본 발명의 구현예를 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 예시로서 제시되는 것으로, 이에 의해 본 발명이 제한되지는 않으며 본 발명은 후술할 청구범위의 범주에 의해 정의될 뿐이다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail. However, this is presented as an example, and the present invention is not limited thereby, and the present invention is only defined by the scope of the claims to be described later.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "알킬기"란 C1 내지 C20 알킬기를 의미하고, "알케닐기"란 C2 내지 C20 알케닐기를 의미하고, "사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 사이클로알케닐기를 의미하고, "헤테로사이클로알케닐기"란 C3 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기를 의미하고, "아릴기"란 C6 내지 C20 아릴기를 의미하고, "아릴알킬기"란 C7 내지 C20 아릴알킬기를 의미하며, "알킬렌기"란 C1 내지 C20 알킬렌기를 의미하고, "아릴렌기"란 C6 내지 C20 아릴렌기를 의미하고, "알킬아릴렌기"란 C7 내지 C20 알킬아릴렌기를 의미하고, "헤테로아릴렌기"란 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기를 의미하고, "알콕실렌기"란 C1 내지 C20 알콕실렌기를 의미한다.Unless otherwise specified herein, "alkyl group" means a C1 to C20 alkyl group, "alkenyl group" means a C2 to C20 alkenyl group, "cycloalkenyl group" means a C3 to C20 cycloalkenyl group, and , "Heterocycloalkenyl group" means a C3 to C20 heterocycloalkenyl group, "aryl group" means a C6 to C20 aryl group, "arylalkyl group" means a C7 to C20 arylalkyl group, "alkylene group" means a C1 to C20 alkylene group, "arylene group" means a C6 to C20 arylene group, "alkylarylene group" means a C7 to C20 alkylarylene group, and "heteroarylene group" means a C3 to C20 hetero It means an arylene group, and "alkoxyylene group" means a C1 to C20 alkoxyylene group.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "치환"이란 적어도 하나의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Cl, Br, I), 히드록시기, C1 내지 C20 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아민기, 이미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 에테르기, 카르복실기 또는 그것의 염, 술폰산기 또는 그것의 염, 인산이나 그것의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C20 아릴기, C3 내지 C20 사이클로알킬기, C3 내지 C20 사이클로알케닐기, C3 내지 C20 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알케닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알키닐기, C3 내지 C20 헤테로아릴기 또는 이들의 조합의 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise specified herein, "substitution" means that at least one hydrogen atom is a halogen atom (F, Cl, Br, I), a hydroxy group, a C1 to C20 alkoxy group, a nitro group, a cyano group, an amine group, an imino group, Azido group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, ether group, carboxyl group or its salt, sulfonic acid group or its salt, phosphoric acid or its salt, C1 to C20 alkyl group, C2 to C20 alkenyl group, C2 to C20 alkynyl group, C6 to C20 aryl group, C3 to C20 cycloalkyl group, C3 to C20 cycloalkenyl group, C3 to C20 cycloalkynyl group, C2 to C20 heterocycloalkyl group, C2 to C20 heterocycloalkenyl group, C2 to C20 heterocycloalkynyl group, C3 to C20 heteroaryl group, or a substituent of a combination thereof.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "헤테로"란, 화학식 내에 N, O, S 및 P 중 적어도 하나의 헤테로 원자가 적어도 하나 포함된 것을 의미한다.In addition, unless otherwise specified herein, "hetero" means that at least one heteroatom of N, O, S, and P is included in the chemical formula.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "(메타)아크릴레이트"는 "아크릴레이트"와 "메타크릴레이트" 둘 다 가능함을 의미한다. In addition, unless otherwise specified in the present specification, "(meth)acrylate" means that both "acrylate" and "methacrylate" are possible.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 혼합 또는 공중합을 의미한다. 또한 "공중합"이란 블록 공중합, 교대 공중합 또는 랜덤 공중합을 의미하고, "공중합체"란 블록 공중합체, 교대 공중합체 또는 랜덤 공중합체를 의미한다.Unless otherwise defined herein, "combination" means mixing or copolymerization. Further, "copolymerization" means block copolymerization, alternating copolymerization, or random copolymerization, and "copolymer" means block copolymer, alternating copolymer, or random copolymer.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, 불포화 결합은 탄소-탄소원자간의 다중결합 뿐만아니라, 카보닐결합, 아조결합 등과 같이 다른 분자를 포함하는 것도 포함한다.Unless otherwise specified in the present specification, unsaturated bonds include not only multiple bonds between carbon atoms but also those containing other molecules such as carbonyl bonds and azo bonds.

본 명세서 내 화학식에서 별도의 정의가 없는 한, 화학 결합이 그려져야 하는 위치에 화학결합이 그려져 있지 않은 경우는 상기 위치에 수소 원자가 결합되어 있음을 의미한다.Unless otherwise defined in the chemical formula within this specification, if a chemical bond is not drawn at a position where a chemical bond is to be drawn, it means that a hydrogen atom is bonded to the position.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.Unless otherwise defined in this specification, "*" means a moiety connected to the same or different atom or chemical formula.

일 구현예에 따른 알칼리 가용성 수지는 가열 전에는 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 가지고, 동시에 양 말단에는 축합 고리를 가지지 않되, 가열 후에는 양 말단 중 적어도 어느 하나 이상에 하기 화학식 2로 표시되는 구조를 가진다.The alkali-soluble resin according to one embodiment has a structural unit represented by Formula 1 before heating, and at the same time does not have a condensed ring at both ends, but after heating, at least one of both ends has a structure represented by Formula 2 below have

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112020015047384-pat00008
Figure 112020015047384-pat00008

R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, *-O(C=O)R'(R'은 C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 알콕시기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), *-C(=O)OR''(R''은 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 1 to R 3 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, *-O(C=O)R'(R' is a C1 to C10 alkyl group, a C1 to C10 alkoxy group or a C6 to C20 aryl group), *-C ( =O)OR″ (R″ is a C1 to C10 alkyl group or a C6 to C20 aryl group), a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,

n 은 1 또는 2의 정수이고,n is an integer of 1 or 2;

L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C20 aromatic organic group;

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112020015047384-pat00009
Figure 112020015047384-pat00009

상기 화학식 2에서,In Formula 2,

A는 C3 내지 C20 사이클로알칸 고리 또는 C6 내지 C20 방향족 고리이고,A is a C3 to C20 cycloalkane ring or a C6 to C20 aromatic ring;

R4는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,R 4 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group;

L3 및 L4는 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이다.L 3 and L 4 are each independently a single bond or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group.

상기 A는 벤젠고리일 수 있다.The A may be a benzene ring.

상기 R4는 수소 원자이고, 상기 L3 및 L4는 각각 독립적으로 단일결합일 수 있다.The R 4 is a hydrogen atom, and the L 3 and L 4 may each independently form a single bond.

종래, 반도체 소자의 표면 보호막이나 층간 절연막에는 뛰어난 내열성과 전기적 특성 그리고 기계적 특성을 겸비하는 폴리이미드 수지가 이용되고 있다. 그러나,  반도체 소자의 고집적화 및 대형화가 진행되는 중 봉지 수지 패키지의 박형화, 소형화에 대한 요구가 있어, 최근에는 폴리이미드 수지보다는 보다 해상도가 우수한 폴리벤조옥사졸 전구체가 주로 사용되고 있다.Conventionally, a "polyimide" resin that has "excellent" heat resistance, "electrical" characteristics, and "mechanical" characteristics is "used" for the "surface" protective film or "interlayer" insulating film of a semiconductor element. However, there is a demand for "thinning" and "miniaturization" of "heavyweight" bags "resin" packages where "high integration" and "large size" of semiconductor devices are in progress, and recently, "polybenzoxazole precursors" with higher resolution than "polyimide resins" are mainly used.

나아가, 더욱 최근에는, MRAM(Magnet Resistive RAM)과 같이 고온 가열 프로세스에 약한 디바이스나 RDL(Redistribution Layer)에의 적용 등, 저온으로도 경화가 가능한 재료가 요구되고 있다.Furthermore, more recently, materials that can be cured even at low temperatures have been demanded, such as devices that are vulnerable to high-temperature heating processes such as MRAM (Magnet Resistive RAM) and application to RDL (Redistribution Layer).

그러나, 종래 폴리이미드 수지나 폴리벤조옥사졸 전구체는 가열에 의해 폐환 구조를 형성하는데, 상기 가열 온도가 고온이 아닌 저온, 예컨대 250℃ 이하, 예컨대 220℃ 이하인 경우, 충분한 폐환 반응이 진행되지 않아, 저온 경화가 제대로 되지 않는 문제점이 있다. 이에 따라, 유연 구조를 수지 내에 도입하거나 산발생제 등의 첨가제를 추가하는 등으로 인해 폐환 온도를 저하시키려는 등의 시도가 있었으나, 아직까지 고온 경화와 비교하여 만족할만한 물성을 나타내는 조성물이나 알칼리 가용성 수지가 개발되지 못하고 있다.However, conventional polyimide resins or polybenzoxazole precursors form a ring-closing structure by heating, and when the heating temperature is not high temperature but low temperature, such as 250 ° C. or less, such as 220 ° C. or less, sufficient ring-closing reaction does not proceed, There is a problem that low-temperature curing does not work properly. Accordingly, attempts have been made to lower the ring-closing temperature by introducing a flexible structure into the resin or adding additives such as acid generators, but so far, compositions or alkali-soluble resins exhibiting satisfactory physical properties compared to high-temperature curing. is not being developed.

일 구현예에 따른 알칼리 가용성 수지는, 가열 전에는 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 가지고 양 말단에는 축합고리를 가지지 않다가, 가열 후에는 상기 양 말단에 고리형 우레탄 관능기를 가지는데, 이러한 구조는 저온, 예컨대 250℃ 이하, 예컨대 220℃ 이하의 온도에서 충분히 경화가 일어나기에, 고온 경화뿐만 아니라, 저온 경화에도 매우 적합한 감광성 수지 조성물에 사용될 수 있다. 또한, 상기 구조의 알칼리 가용성 수지는 네가티브형 감광성 수지 조성물보다는 포지티브형 감광성 수지 조성물에 적합할 수 있다.The alkali-soluble resin according to one embodiment has the structural unit represented by Formula 1 before heating and does not have a condensed ring at both ends, but has a cyclic urethane functional group at both ends after heating, such a structure Since curing occurs sufficiently at a low temperature, for example, 250° C. or lower, for example, 220° C. or lower, it can be used in a photosensitive resin composition that is very suitable for low-temperature curing as well as high-temperature curing. In addition, the alkali-soluble resin of the above structure may be suitable for a positive-type photosensitive resin composition rather than a negative-type photosensitive resin composition.

예컨대, 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위는 가열 후에 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시될 수 있다.For example, the structural unit represented by Chemical Formula 1 may be represented by Chemical Formula 1-1 or Chemical Formula 1-2 after heating.

[화학식 1-1][Formula 1-1]

Figure 112020015047384-pat00010
Figure 112020015047384-pat00010

[화학식 1-2][Formula 1-2]

Figure 112020015047384-pat00011
Figure 112020015047384-pat00011

상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,In Formula 1-1 and Formula 1-2,

R3은 수소 원자, 히드록시기, *-O(C=O)R'(R'은 C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 알콕시기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), *-C(=O)OR''(R''은 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,R 3 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, *-O(C=O)R'(R' is a C1 to C10 alkyl group, a C1 to C10 alkoxy group, or a C6 to C20 aryl group), *-C(=O)OR'' (R″ is a C1 to C10 alkyl group or a C6 to C20 aryl group), a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group or a substituted Or an unsubstituted C6 to C20 aryl group,

L1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고, L 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group;

L2는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, C1 내지 C20 알콕시기로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 C6 내지 C20 아릴기로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다.L 2 is an unsubstituted C6 to C20 arylene group, a C6 to C20 arylene group substituted with a C1 to C20 alkoxy group, or a C6 to C20 arylene group substituted with a C6 to C20 aryl group.

예컨대, 상기 화학식 1에서, L2는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, C1 내지 C20 알콕시기로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 C6 내지 C20 아릴기로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기일 수 있다.For example, in Formula 1, L 2 may be an unsubstituted C6 to C20 arylene group, a C6 to C20 arylene group substituted with a C1 to C20 alkoxy group, or a C6 to C20 arylene group substituted with a C6 to C20 aryl group.

일 구현예에 따른 알칼리 가용성 수지의 중량평균분자량(Mw)은 3,000g/mol 내지 50,000g/mol, 예컨대, 3,000g/mol 내지 20,000g/mol 인 것이 바람직할 수 있다. 중량평균분자량이 상기 범위인 경우, 저온 경화에도 충분한 물성이 얻어질 수 있으며, 유기 용매에 대한 용해성이 우수하여 취급이 용이하다. The weight average molecular weight (M w ) of the alkali-soluble resin according to one embodiment may be 3,000 g/mol to 50,000 g/mol, for example, 3,000 g/mol to 20,000 g/mol. When the weight average molecular weight is within the above range, sufficient physical properties can be obtained even at low temperature curing, and handling is easy due to excellent solubility in organic solvents.

다른 일 구현예는 상기 알칼리 가용성 수지를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.Another embodiment provides a photosensitive resin composition including the alkali-soluble resin.

예컨대, 상기 감광성 수지 조성물은 감광성 디아조퀴논 화합물 및 용매를 포함할 수 있으며, 추가로 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 더 포함할 수 있다.For example, the photosensitive resin composition may include a photosensitive diazoquinone compound and a solvent, and may further include a compound represented by Chemical Formula 3 below.

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112020015047384-pat00012
Figure 112020015047384-pat00012

상기 화학식 3에서,In Formula 3,

R5는 적어도 2개 이상의 탄소 원자를 가지는 2가 내지 4가의 유기기이고,R 5 is a divalent to tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms;

R6 내지 R8은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 6 to R 8 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group;

p는 2 내지 4의 정수이다.p is an integer from 2 to 4;

상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물의 저온 경화 특성을 보다 향상시킬 수 있다.The compound represented by Chemical Formula 3 may further improve low-temperature curing characteristics of the photosensitive resin composition according to an embodiment.

예컨대, 상기 화학식 3에서, R5는 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시될 수 있다.For example, in Chemical Formula 3, R 5 may be represented by Chemical Formula 4-1 or Chemical Formula 4-2.

[화학식 4-1][Formula 4-1]

Figure 112020015047384-pat00013
Figure 112020015047384-pat00013

[화학식 4-2][Formula 4-2]

Figure 112020015047384-pat00014
Figure 112020015047384-pat00014

상기 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서,In Formula 4-1 and Formula 4-2,

L6는 헤테로 원자이고,L 6 is a hetero atom;

L5 및 L7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다.L 5 and L 7 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.

예컨대, 상기 화학식 3에서, R6 내지 R8은 서로 동일할 수 있다.For example, in Chemical Formula 3, R 6 to R 8 may be identical to each other.

예컨대, 상기 화학식 4-1에서, L5 및 L7는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 페닐렌기이고, L6는 에테르기일 수 있다. For example, in Formula 4-1, L 5 and L 7 may each independently represent a substituted or unsubstituted phenylene group, and L 6 may be an ether group.

또한, 상기 감광성 수지 조성물은 알코올계 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 알코올계 화합물은 일 구현예에 따른 알칼리 가용성 수지의 폐환 반응과 병행하여 수지의 가교 및 알칼리 가용성기를 봉지함으로써 낮은 경화 온도에서도 기계적 특성 및 내약품성을 향상시킬 수 있다. In addition, the photosensitive resin composition may further include an alcohol-based compound. The alcohol-based compound can improve mechanical properties and chemical resistance even at a low curing temperature by sealing the crosslinking and alkali-soluble groups of the resin in parallel with the ring-closing reaction of the alkali-soluble resin according to one embodiment.

보다 구체적으로, 상기 알코올계 화합물은 예컨대 벤질 알코올, p-크실릴렌 글리콜 등일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 벤질 알코올은 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물의 감도 및 해상도를 향상시킬 수 있으며, 상기 p-크실릴렌 글리콜은 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물의 저온 경화 특성을 보다 향상시킬 수 있다.More specifically, the alcohol-based compound may be, for example, benzyl alcohol or p-xylylene glycol, but is not necessarily limited thereto. The benzyl alcohol may improve sensitivity and resolution of the photosensitive resin composition according to an embodiment, and the p-xylylene glycol may further improve low-temperature curing characteristics of the photosensitive resin composition according to an embodiment.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물로는 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-나프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다.As the photosensitive diazoquinone compound, a compound having a 1,2-benzoquinonediazide structure or a 1,2-naphthoquinonediazide structure can be preferably used.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물의 대표적인 예로는 하기 화학식 71 및 하기 화학식 73 내지 화학식 75로 표현되는 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.Representative examples of the photosensitive diazoquinone compound include compounds represented by the following Chemical Formula 71 and Chemical Formulas 73 to 75, but are not limited thereto.

[화학식 71][Formula 71]

Figure 112020015047384-pat00015
Figure 112020015047384-pat00015

상기 화학식 71에서,In Formula 71,

R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 구체적으로는 CH3일 수 있고,R 31 to R 33 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group, specifically CH 3 ;

D1 내지 D3는 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 72a로 표시되는 작용기 또는 하기 화학식 72b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소 원자일 수는 없고,D 1 to D 3 may each independently be OQ, and Q may be a hydrogen atom, a functional group represented by the following formula 72a, or a functional group represented by the following formula 72b, wherein Q cannot be a hydrogen atom at the same time,

n31 내지 n33은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.n31 to n33 may each independently be an integer of 1 to 5.

[화학식 72a][Formula 72a]

Figure 112020015047384-pat00016
Figure 112020015047384-pat00016

[화학식 72b][Formula 72b]

Figure 112020015047384-pat00017
Figure 112020015047384-pat00017

[화학식 73][Formula 73]

Figure 112020015047384-pat00018
Figure 112020015047384-pat00018

상기 화학식 73에서,In Formula 73,

R34는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 34 may be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group;

D4 내지 D6은 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 71에서 정의된 것과 동일하고,D 4 to D 6 may each independently be OQ, wherein Q is the same as defined in Chemical Formula 71;

n34 내지 n36은 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있다.n34 to n36 may each independently be an integer of 1 to 5.

[화학식 74] [Formula 74]

Figure 112020015047384-pat00019
Figure 112020015047384-pat00019

상기 화학식 74에서,In Formula 74,

A3는 CO 또는 CR500R501 일 수 있고, 상기 R500 및 R501은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CR 500 R 501 , wherein R 500 and R 501 may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group;

D7 내지 D10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 71에서 정의된 것과 동일하고,D 7 to D 10 may each independently be a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ or NHQ, wherein Q is the same as defined in Formula 71;

n37, n38, n39 및 n40은 각각 독립적으로 1 내지 4의 정수일 수 있고,n37, n38, n39 and n40 may each independently be an integer from 1 to 4;

n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n37+n38 and n39+n40 may each independently be an integer of 5 or less,

단, 상기 D7 내지 D10 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 4개로 포함될 수 있다.However, at least one of D 7 to D 10 is OQ, one aromatic ring may contain 1 to 3 OQs, and the other aromatic ring may contain 1 to 4 OQs.

[화학식 75][Formula 75]

Figure 112020015047384-pat00020
Figure 112020015047384-pat00020

상기 화학식 75에서,In Formula 75,

R35 내지 R42는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 35 to R 42 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group;

n41 및 n42는 각각 독립적으로 1 내지 5의 정수일 수 있고, 구체적으로는 2 내지 4의 정수일 수 있고,n41 and n42 may each independently be an integer of 1 to 5, specifically an integer of 2 to 4;

Q는 상기 화학식 71에서 정의된 것과 동일하다.Q is the same as defined in Formula 71 above.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 1 중량부 내지 50 중량부, 예컨대 1 중량부 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때 노광에 의해 잔사 없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상 시 막 두께 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다.The photosensitive diazoquinone compound is preferably included in an amount of 1 to 50 parts by weight, for example, 1 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, patterns are well formed without residue by exposure, there is no film thickness loss during development, and good patterns can be obtained.

상기 화학식 3으로 표시되는 화합물은 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해 1 중량부 내지 50 중량부, 예컨대 1 중량부 내지 30 중량부로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물의 함량이 상기 범위일 때 저온 경화 시 수지의 가교화를 유도하여 막의 기계적 특성이 향상될 수 있다.The compound represented by Formula 3 is preferably included in an amount of 1 part by weight to 50 parts by weight, for example, 1 part by weight to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the compound represented by Chemical Formula 3 is within the above range, mechanical properties of the film may be improved by inducing crosslinking of the resin during low-temperature curing.

상기 감광성 수지 조성물은 상기 알칼리 가용성 수지, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물, 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물, 상기 알코올계 화합물 및 후술하는 기타 첨가제 등의 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition may contain a solvent capable of easily dissolving components such as the alkali-soluble resin, the photosensitive diazoquinone compound, the compound represented by Chemical Formula 3, the alcohol-based compound, and other additives described later. there is.

상기 용매는 유기용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸(메틸락테이트), 락트산에틸(에틸락테이트), 락트산부틸(부틸락테이트), 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸(메틸피루베이트), 피루브산에틸(에틸피루베이트), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. The solvent uses an organic solvent, specifically N-methyl-2-pyrrolidone, gamma-butyrolactone, N,N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol di Ethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate (methyl lactate), ethyl lactate (ethyl lactate), butyl lactate (butyl lactate), methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate (methyl pyruvate), ethyl pyruvate (ethyl pyruvate), methyl-3-methyl Toxy propionate or a combination thereof may be used, but is not limited thereto.

상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.The solvent may be appropriately selected and used according to a process of forming a photosensitive resin film such as spin coating or slit die coating.

상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 100 중량부 내지 800 중량부로, 예컨대 100 중량부 내지 500 중량부로 사용되는 것이 좋다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수할 수 있다.The solvent is preferably used in an amount of 100 parts by weight to 800 parts by weight, for example, 100 parts by weight to 500 parts by weight, based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin. When the content of the solvent is within the above range, a film having a sufficient thickness may be coated, and solubility and coating properties may be excellent.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to an embodiment may further include other additives.

상기 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 다이애시드(예컨대 말론산 등), 알카놀아민(예컨대 3-아미노-1,2-프로판디올 등), 레벨링제, 실란커플링제, 계면활성제, 에폭시 화합물, 라디칼 중합개시제, 현상조절제, 경화제 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다. 이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.The photosensitive resin composition is diacid (eg, malonic acid, etc.), alkanolamine (eg, 3-amino-1,2- propanediol, etc.), a leveling agent, a silane coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, a radical polymerization initiator, a development control agent, a curing agent, or additives of combinations thereof. The amount of these additives used can be easily adjusted according to desired physical properties.

예컨대, 상기 실란커플링제는 기판과의 밀착성 등을 개선하기 위해 비닐기, 카르복실기, 메타크릴옥시기, 이소시아네이트기, 에폭시기 등의 반응성 치환기를 가질 수 있다. For example, the silane coupling agent may have a reactive substituent such as a vinyl group, a carboxyl group, a methacryloxy group, an isocyanate group, or an epoxy group in order to improve adhesion to a substrate.

상기 실란커플링제의 예로는, 트리메톡시실릴벤조산, γ-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 비닐트리메톡시실란, γ-이소시아네이트프로필트리에톡시실란, γ-글리시독시프로필트리메톡시실란, β-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트리메톡시실란 등을 들 수 있으며, 이들을 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. Examples of the silane coupling agent include trimethoxysilylbenzoic acid, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, vinyltrimethoxysilane, γ-isocyanatepropyltriethoxysilane, γ-glycyl doxypropyltrimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more.

상기 실란커플링제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 10 중량부로 포함될 수 있다. 상기 실란계 커플링제가 상기 범위 내로 포함될 경우 밀착성, 저장성 등이 우수할 수 있다.The silane coupling agent may be included in an amount of 0.01 part by weight to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the silane-based coupling agent is included within the above range, adhesion, storability, and the like may be excellent.

예컨대, 상기 계면활성제는 막두께의 얼룩을 막거나, 현상성을 향상시키기 위해 첨가하는 것으로, 불소계 계면활성제 및/또는 실리콘계 계면활성제를 포함할 수 있다. For example, the surfactant is added to prevent uneven film thickness or to improve developability, and may include a fluorine-based surfactant and/or a silicon-based surfactant.

상기 불소계 계면활성제로는, BM Chemie社의 BM-1000®, BM-1100® 등; 다이닛폰잉키가가꾸고교(주)社의 메카팩 F 142D®, 동 F 172®, 동 F 173®, 동 F 183®, 동 F 554® 등; 스미토모스리엠(주)社의 프로라드 FC-135®, 동 FC-170C®, 동 FC-430®, 동 FC-431® 등; 아사히그라스(주)社의 사프론 S-112®, 동 S-113®, 동 S-131®, 동 S-141®, 동 S-145® 등; 도레이실리콘(주)社의 SH-28PA®, 동-190®, 동-193®, SZ-6032®, SF-8428® 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.As the fluorine-based surfactant, BM Chemie's BM-1000 ® , BM-1100 ® , etc.; Mecha Pack F 142D ® , F 172 ® , F 173 ® , F 183 ® , F 554 ® , etc. of Dainippon Ink Kagaku Kogyo Co., Ltd.; Prorad FC-135 ® , FC-170C ® , FC-430 ® , FC-431 ® , etc. of Sumitomo SMT Co., Ltd.; Saffron S-112 ® , S-113 ® , S-131 ® , S-141 ® , S-145 ® and the like of Asahi Grass Co., Ltd.; Toray Silicone Co., Ltd.'s SH-28PA ® , Copper-190 ® , Copper-193 ® , SZ-6032 ® , SF-8428 ® , etc. can be used.

상기 실리콘계 계면활성제로는 BYK Chem社의 BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, BYK-325, BYK-378 등의 명칭으로 시판되고 있는 것을 사용할 수 있다.The silicone surfactants include BYK Chem's BYK-307, BYK-333, BYK-361N, BYK-051, BYK-052, BYK-053, BYK-067A, BYK-077, BYK-301, BYK-322, Those commercially available under names such as BYK-325 and BYK-378 can be used.

상기 계면활성제는 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.001 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 계면활성제가 상기 범위 내로 포함될 경우 코팅 균일성이 확보되고, 얼룩이 발생하지 않으며, ITO 기판 또는 유리기판에 대한 습윤성(wetting)이 우수할 수 있다.The surfactant may be used in an amount of 0.001 to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the surfactant is included within the above range, coating uniformity may be secured, stains may not occur, and wettability to an ITO substrate or a glass substrate may be excellent.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 밀착력 등의 향상을 위해 첨가제로서 에폭시 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 에폭시 화합물로는 에폭시 노볼락 아크릴 카르복실레이트 수지, 오르토 크레졸 노볼락 에폭시 수지, 페놀 노볼락 에폭시 수지, 테트라메틸 비페닐 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 지환족 에폭시 수지 또는 이들의 조합을 사용할 수 있다.In addition, the photosensitive resin composition may further include an epoxy compound as an additive to improve adhesion. As the epoxy compound, an epoxy novolac acrylic carboxylate resin, an ortho cresol novolak epoxy resin, a phenol novolak epoxy resin, a tetramethyl biphenyl epoxy resin, a bisphenol A type epoxy resin, an alicyclic epoxy resin, or a combination thereof may be used. can

상기 에폭시 화합물을 더 포함하는 경우 과산화물 개시제 또는 아조비스계 개시제와 같은 라디칼 중합 개시제를 더 포함할 수도 있다.When the epoxy compound is further included, a radical polymerization initiator such as a peroxide initiator or an azobis-based initiator may be further included.

상기 에폭시 화합물은 상기 감광성 수지 조성물 100 중량부에 대하여 0.01 중량부 내지 5 중량부로 사용될 수 있다. 상기 에폭시 화합물이 상기 범위 내로 포함되는 경우 저장성, 밀착력 및 기타 특성을 향상시킬 수 있다.The epoxy compound may be used in an amount of 0.01 part by weight to 5 parts by weight based on 100 parts by weight of the photosensitive resin composition. When the epoxy compound is included within the above range, storage stability, adhesion and other properties may be improved.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 물성을 저해하지 않는 범위 내에서 산화방지제, 안정제 등의 기타 첨가제가 일정량 첨가될 수도 있다. In addition, a certain amount of other additives such as antioxidants and stabilizers may be added to the photosensitive resin composition within a range that does not impair physical properties.

다른 일 구현예는 전술한 감광성 수지 조성물을 노광, 현상 및 경화하여 제조된 감광성 수지막(절연막)을 제공한다. Another embodiment provides a photosensitive resin film (insulating film) prepared by exposing, developing, and curing the photosensitive resin composition described above.

상기 감광성 수지막(절연막) 제조 방법은 다음과 같다.The photosensitive resin film (insulating film) manufacturing method is as follows.

(1) 도포 및 도막 형성 단계(1) coating and film formation step

상기 감광성 수지 조성물을 소정의 전처리를 한 유리 기판 또는 ITO 기판 등의 기판 상에 스핀 또는 슬릿 코트법, 롤 코트법, 스크린 인쇄법, 어플리케이터법 등의 방법을 사용하여 원하는 두께로 도포한 후, 70℃ 내지 150℃에서 1분 내지 10분 동안 가열하여 용제를 제거함으로써 도막을 형성한다.After applying the photosensitive resin composition to a desired thickness using a method such as a spin or slit coating method, a roll coating method, a screen printing method, an applicator method, or the like, on a substrate such as a glass substrate or an ITO substrate subjected to a predetermined pretreatment, A coating film is formed by removing the solvent by heating at a temperature of °C to 150 °C for 1 minute to 10 minutes.

(2) 노광 단계(2) exposure step

상기 얻어진 감광성 수지막에 필요한 패턴 형성을 위해 마스크를 개재한 뒤, 200nm 내지 500nm의 활성선을 조사한다. 조사에 사용되는 광원으로는 저압 수은등, 고압 수은등, 초고압 수은등, 금속 할로겐화물 램프, 아르곤 가스 레이저 등을 사용할 수 있으며, 경우에 따라 X선, 전자선 등도 이용할 수 있다.After passing through a mask for pattern formation necessary for the photosensitive resin film obtained above, actinic rays of 200 nm to 500 nm are irradiated. As a light source used for irradiation, a low pressure mercury lamp, a high pressure mercury lamp, an ultra high pressure mercury lamp, a metal halide lamp, an argon gas laser, etc. may be used, and in some cases, X-rays, electron beams, etc. may be used.

노광량은 조성물 각 성분의 종류, 배합량 및 건조 막 두께에 따라 다르지만, 고압 수은등을 사용하는 경우에는 500mJ/cm2(365nm 센서에 의함) 이하이다.The exposure amount varies depending on the type, compounding amount, and dry film thickness of each component of the composition, but when a high-pressure mercury lamp is used, it is 500 mJ/cm 2 (by a 365 nm sensor) or less.

(3) 현상 단계(3) Development stage

현상 방법으로는 상기 노광 단계에 이어 노광부를 현상액을 이용하여 용해, 제거함으로써 비노광 부분만을 잔존시켜 패턴을 얻는다. In the developing method, following the exposure step, the exposed portion is dissolved and removed using a developing solution to obtain a pattern by leaving only the unexposed portion.

(4) 후처리 단계(4) post-processing step

상기 공정에서 현상에 의해 수득된 화상 패턴을 내열성, 내광성, 밀착성, 내크랙성, 내화학성, 고강도 및 저장 안정성 등의 면에서 우수한 패턴을 얻기 위한 후가열 공정이 있다. 예컨대, 현상 후 250℃의 컨벡션 오븐에서 1시간 동안 가열할 수 있다.In the above process, there is a post-heating process for obtaining a pattern excellent in terms of heat resistance, light resistance, adhesion, crack resistance, chemical resistance, high strength and storage stability of the image pattern obtained by development. For example, after development, it may be heated in a convection oven at 250° C. for 1 hour.

또 다른 일 구현예는 상기 감광성 수지막(절연막)을 포함하는 디스플레이 장치를 제공한다.Another embodiment provides a display device including the photosensitive resin film (insulating film).

이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described. However, the following examples are only preferred embodiments of the present invention, and the present invention is not limited by the following examples.

(실시예)(Example)

(알칼리 가용성 수지의 합성)(Synthesis of alkali-soluble resin)

제조예 1Preparation Example 1

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로오로프로판(6FAP) 67.6g넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 380g을 넣어 용해시켰다. 고체가 완전 용해되면 피리딘을 40.7g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서, 이소프탈로일클로라이드(IPC) 32.0g 및 NMP 160g을 혼합한 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 2시간 동안 5℃에서 반응을 수행하였다. 여기에 에틸클로로포르메이트(ECF) 21.7g을 5℃에서 30분간 투입하고 상온에서 2시간 교반하여 반응을 종료하였다. 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, 67.6 g of 3,-hexafluoropropane (6FAP) was added, and 380 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added and dissolved. When the solid was completely dissolved, 40.7 g of pyridine was added, and a mixture of 32.0 g of isophthaloyl chloride (IPC) and 160 g of NMP was slowly added dropwise over 60 minutes while maintaining the temperature at 0 to 5 °C. After dropping, the reaction was carried out at 5°C for 2 hours. Here, 21.7 g of ethyl chloroformate (ECF) was added at 5° C. for 30 minutes, and the reaction was terminated by stirring at room temperature for 2 hours.

반응액은 수중에 침전/정제를 실시해 말단 및 측쇄 OH의 40%를 봉지한 폴리머(U-1; Mw 6930 g/mol)를 얻었다.The reaction solution was subjected to "precipitation/purification" in "water" to obtain a polymer (U-1; Mw 6930 g/mol) in which 40% of "terminal" and "side chain" OH was encapsulated.

제조예 2Preparation Example 2

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로오로프로판(6FAP) 67.3g넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 380g을 넣어 용해시켰다. 고체가 완전 용해되면 피리딘을 34.9g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서, 이소프탈로일클로라이드(IPC) 33.2g 및 NMP 160g을 혼합한 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 2시간 동안 5℃에서 반응을 수행하였다. 여기에 에틸클로로포르메이트(ECF) 12.4g을 5℃에서 30분간 투입하고 상온에서 2시간 교반하여 반응을 종료하였다. 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, 67.3 g of 3,-hexafluoropropane (6FAP) was added, and 380 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added and dissolved. When the solid was completely dissolved, 34.9 g of pyridine was added, and a mixture of 33.2 g of isophthaloyl chloride (IPC) and 160 g of NMP was slowly added dropwise over 60 minutes while maintaining the temperature at 0 to 5 °C. After dropping, the reaction was carried out at 5°C for 2 hours. Here, 12.4 g of ethyl chloroformate (ECF) was added at 5° C. for 30 minutes, and the reaction was terminated by stirring at room temperature for 2 hours.

반응액은 수중에 침전/정제를 실시해 말단 및 측쇄 OH의 20%를 봉지한 폴리머(U-2; Mw 9520 g/mol)를 얻었다.The reaction solution was subjected to "precipitation/purification" in water to obtain a polymer (U-2; Mw 9520 g/mol) in which 20% of "terminal" and "side chain" OH was encapsulated.

제조예 3Preparation Example 3

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로오로프로판(6FAP) 67.3g넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 380g을 넣어 용해시켰다. 고체가 완전 용해되면 피리딘을 34.91g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서, 이소프탈로일클로라이드(IPC) 33.2g 및 NMP 160g을 혼합한 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 2시간 동안 5℃에서 반응을 수행하였다. 여기에 메틸클로로포르메이트(MECF) 15.83g을 5℃에서 30분간 투입하고 상온에서 2시간 교반하여 반응을 종료하였다. 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, 67.3 g of 3,-hexafluoropropane (6FAP) was added, and 380 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added and dissolved. When the solid was completely dissolved, 34.91 g of pyridine was added, and a mixture of 33.2 g of isophthaloyl chloride (IPC) and 160 g of NMP was slowly added dropwise over 60 minutes while maintaining the temperature at 0 to 5 °C. After dropping, the reaction was carried out at 5°C for 2 hours. Here, 15.83 g of methyl chloroformate (MECF) was added at 5° C. for 30 minutes, and the reaction was terminated by stirring at room temperature for 2 hours.

반응액은 수중에 침전/정제를 실시해 말단 및 측쇄 OH의 20%를 봉지한 폴리머(U-3; Mw 9520 g/mol)를 얻었다.The reaction solution was precipitated/purified in water to obtain a polymer (U-3; Mw 9520 g/mol) in which 20% of terminals and side chains were sealed with OH.

제조예 4Production Example 4

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로오로프로판(6FAP) 67.3g넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 380g을 넣어 용해시켰다. 고체가 완전 용해되면 피리딘을 29.07g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서, 이소프탈로일클로라이드(IPC) 16.6g, 4,4'-옥시비스벤조일 클로라이드(ODBC) 24.13g 및 NMP 160g을 혼합한 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 2시간 동안 5℃에서 반응을 수행하였다. 여기에 메틸클로로포르메이트(MECF) 5.6g을 5℃에서 30분간 투입하고 상온에서 2시간 교반하여 반응을 종료하였다. 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, 67.3 g of 3,-hexafluoropropane (6FAP) was added, and 380 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added and dissolved. When the solid is completely dissolved, 29.07 g of pyridine is added, and 16.6 g of isophthaloyl chloride (IPC), 24.13 g of 4,4'-oxybisbenzoyl chloride (ODBC), and 160 g of NMP are added while maintaining the temperature at 0 to 5 ° C. The mixed solution was slowly dripped over 60 minutes. After dropping, the reaction was carried out at 5°C for 2 hours. Here, 5.6 g of methyl chloroformate (MECF) was added at 5° C. for 30 minutes, and the reaction was terminated by stirring at room temperature for 2 hours.

반응액은 수중에 침전/정제를 실시해 말단 및 측쇄 OH의 20%를 봉지한 폴리머(U-4; Mw 8500 g/mol)를 얻었다.The reaction solution was precipitated/purified in water to obtain a polymer (U-4; Mw 8500 g/mol) in which 20% of terminals and side chains were sealed with OH.

제조예 5Preparation Example 5

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로오로프로판(6FAP) 67.3g넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 380g을 넣어 용해시켰다. 고체가 완전 용해되면 피리딘을 29.07g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서, 4,4'-옥시비스벤조일 클로라이드(ODBC) 47.45g 및 NMP 400g을 혼합한 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 2시간 동안 5℃에서 반응을 수행하였다. 여기에 에틸클로로포르메이트(ECF) 4.99g을 5℃에서 30분간 투입하고 상온에서 2시간 교반하여 반응을 종료하였다. 2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, 67.3 g of 3,-hexafluoropropane (6FAP) was added, and 380 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added and dissolved. When the solid was completely dissolved, 29.07 g of pyridine was added, and a mixture of 47.45 g of 4,4'-oxybisbenzoyl chloride (ODBC) and 400 g of NMP was slowly added dropwise over 60 minutes while maintaining the temperature at 0 to 5 °C. After dropping, the reaction was carried out at 5°C for 2 hours. 4.99 g of ethyl chloroformate (ECF) was added thereto at 5° C. for 30 minutes, and the reaction was terminated by stirring at room temperature for 2 hours.

반응액은 수중에 침전/정제를 실시해 말단 및 측쇄 OH의 0%를 봉지한 폴리머(U-5; Mw 11000 g/mol)를 얻었다.The reaction solution was subjected to "precipitation/purification" in "water" to obtain a polymer (U-5; Mw 11000 g/mol) in which 0% of "terminal" and "side chain" OH was encapsulated.

비교제조예 1Comparative Preparation Example 1

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로오로프로판(6FAP) 67.3g넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 380g을 넣어 용해시켰다. 고체가 완전 용해되면 피리딘을 25.44g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서, 4,4'-옥시비스벤조일 클로라이드(ODBC) 47.45g 및 NMP 400g을 혼합한 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 2시간 동안 5℃에서 반응을 수행하였다. 여기에 노보난디아민(norbornanediamine; NBDA) 7.50g을 5℃에서 30분간 투입하고 상온에서 2시간 교반하여 반응을 종료하여, 폴리머(R-1; Mw 11600 g/mol)를 얻었다.2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, 67.3 g of 3,-hexafluoropropane (6FAP) was added, and 380 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added and dissolved. When the solid was completely dissolved, 25.44 g of pyridine was added, and a mixture of 47.45 g of 4,4'-oxybisbenzoyl chloride (ODBC) and 400 g of NMP was slowly added dropwise over 60 minutes while maintaining the temperature at 0 to 5 °C. After dropping, the reaction was carried out at 5°C for 2 hours. Here, 7.50 g of norbornanediamine (NBDA) was added at 5° C. for 30 minutes, and the reaction was terminated by stirring at room temperature for 2 hours to obtain a polymer (R-1; Mw 11600 g/mol).

비교제조예 2Comparative Preparation Example 2

교반기, 온도조절장치, 질소가스주입 장치 및 냉각기가 장착된 4구 플라스크에 질소를 통과시키면서 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)-1,1,1,3,3,3,-헥사플로오로프로판(6FAP) 67.3g넣고, N-메틸-2-피롤리돈(NMP) 380g을 넣어 용해시켰다. 고체가 완전 용해되면 피리딘을 26.83g 투입하고, 온도를 0 내지 5℃로 유지하면서, 이소프탈로일클로라이드(IPC) 34.44g 및 NMP 86.09g을 혼합한 용액을 60분간 천천히 적하시켰다. 적하 후 2시간 동안 5℃에서 반응을 수행하였다. 여기에 노보난디아민(norbornanediamine; NBDA) 4.64g을 5℃에서 30분간 투입하고 상온에서 2시간 교반하여 반응을 종료하여, 폴리머(R-2; Mw 13000 g/mol)를 얻었다.2,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3,2-bis(3-amino-4-hydroxyphenyl)-1,1,1,3,3, 67.3 g of 3,-hexafluoropropane (6FAP) was added, and 380 g of N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) was added and dissolved. When the solid was completely dissolved, 26.83 g of pyridine was added, and a mixture of 34.44 g of isophthaloyl chloride (IPC) and 86.09 g of NMP was slowly added dropwise over 60 minutes while maintaining the temperature at 0 to 5 °C. After dropping, the reaction was carried out at 5°C for 2 hours. Here, 4.64 g of norbornanediamine (NBDA) was added at 5° C. for 30 minutes and stirred at room temperature for 2 hours to complete the reaction, thereby obtaining a polymer (R-2; Mw 13000 g/mol).

평가 1: 가열 후 고리형 우레탄 구조 확인Evaluation 1: Confirmation of cyclic urethane structure after heating

제조된 각각의 알칼리 가용성 수지(제조예 1 내지 제조예 5, 비교제조예 1 및 비교제조예 2)의 가열 전 및 가열 후 구조 변화를 확인하기 위해, 가열 전후의 FT-IR을 확인하였다. 그 결과, 제조예 1 내지 제조예 5, 비교제조예 1 및 비교제조예 2에 따른 알칼리 가용성 수지 모두 가열 전에 1770cm-1에서 카보네이트 유래 흡수 피크가 확인되었으며, 이를 220℃로 가열 처리한 후에는 제조예 1 내지 제조예 5에 따른 알칼리 가용성 수지에서만 상기 흡수 피크가 1755cm-1로 시프트(shift)되어 있음을 확인하였다. 이로부터, 제조예 1 내지 제조예 5에 따른 알칼리 가용성 수지는 220℃의 저온 경화 후에는 양 말단에 고리형 우레탄 구조가 생성됨을 유추할 수 있다. (도 1 및 도 2 참조)In order to confirm structural changes before and after heating of each of the prepared alkali-soluble resins (Preparation Examples 1 to 5, Comparative Preparation Example 1 and Comparative Preparation Example 2), FT-IR before and after heating was confirmed. As a result, all of the alkali-soluble resins according to Preparation Examples 1 to 5, Comparative Preparation Example 1 and Comparative Preparation Example 2 were found to have an absorption peak derived from carbonate at 1770 cm -1 before heating, and after heat treatment at 220 ° C. It was confirmed that the absorption peak was shifted to 1755 cm -1 only in the alkali-soluble resins according to Examples 1 to 5. From this, it can be inferred that the alkali-soluble resins according to Preparation Examples 1 to 5 have cyclic urethane structures formed at both ends after curing at a low temperature of 220 °C. (See Figures 1 and 2)

(감광성 수지 조성물의 제조)(Preparation of photosensitive resin composition)

실시예 1Example 1

제조예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 10g에 하기 화학식 A의 구조를 가지는 감광성 디아조퀴논 화합물 1.5g 및 하기 화학식 B의 구조를 가지는 화합물 0.8g을 투입하여 3시간 동안 실온에서 교반한 후 0.45㎛의 폴리프로필렌 수지제 필터로 여과하여 포지티브형 감광성 수지 조성물을 얻었다.To 10 g of the alkali-soluble resin according to Preparation Example 1, 1.5 g of a photosensitive diazoquinone compound having a structure of Formula A and 0.8 g of a compound having a structure of Formula B were added, stirred at room temperature for 3 hours, and then 0.45 μm of poly It filtered with a propylene resin filter to obtain a positive photosensitive resin composition.

[화학식 A][Formula A]

Figure 112020015047384-pat00021
Figure 112020015047384-pat00021

(상기 화학식 A에서, Q1, Q2 및 Q3 중에서, 둘은

Figure 112020015047384-pat00022
로 치환되어 있고, 나머지 하나는 수소 원자이다.)(In Formula A above, among Q 1 , Q 2 and Q 3 , two
Figure 112020015047384-pat00022
, and the other is a hydrogen atom.)

[화학식 B][Formula B]

Figure 112020015047384-pat00023
Figure 112020015047384-pat00023

실시예 2Example 2

제조예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 제조예 2에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as Example 1 except that the alkali-soluble resin according to Preparation Example 2 was used instead of the alkali-soluble resin according to Preparation Example 1.

실시예 3Example 3

제조예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 제조예 3에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용하고, 벤질 알코올을 추가로 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 1 except that the alkali-soluble resin according to Preparation Example 3 was used instead of the alkali-soluble resin according to Preparation Example 1 and benzyl alcohol was additionally used.

실시예 4Example 4

제조예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 제조예 4에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 하였다.Except for using the alkali-soluble resin according to Preparation Example 4 instead of the alkali-soluble resin according to Preparation Example 1, Example 3 was the same.

실시예 5Example 5

제조예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 제조예 5에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용하고, p-크실릴렌 글리콜을 추가로 사용한 것을 제외하고는 실시예 3과 동일하게 하였다.It was the same as in Example 3 except that the alkali-soluble resin according to Preparation Example 5 was used instead of the alkali-soluble resin according to Preparation Example 1 and p-xylylene glycol was additionally used.

비교예 1Comparative Example 1

제조예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 비교제조예 1에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용하고, 화학식 B로 표시되는 화합물을 사용하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 하였다.The alkali-soluble resin according to Comparative Preparation Example 1 was used instead of the alkali-soluble resin according to Preparation Example 1, and the same as in Example 1 was performed except that the compound represented by Formula B was not used.

비교예 2Comparative Example 2

제조예 5에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 비교제조예 1에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는 실시예 5와 동일하게 하였다.Except for using the alkali-soluble resin according to Comparative Preparation Example 1 instead of the alkali-soluble resin according to Preparation Example 5, it was the same as in Example 5.

비교예 3Comparative Example 3

비교제조예 1에 따른 알칼리 가용성 수지 대신 비교제조예 2에 따른 알칼리 가용성 수지를 사용한 것을 제외하고는 비교예 2와 동일하게 하였다.It was the same as Comparative Example 2 except that the alkali-soluble resin according to Comparative Preparation Example 2 was used instead of the alkali-soluble resin according to Comparative Preparation Example 1.

(평가 2: 감도 및 해상도 평가)(Evaluation 2: Sensitivity and resolution evaluation)

실시예 1 내지 실시예 5 및 비교예 1 내지 비교예 3에 따른 감광성 수지 조성물을 스핀코터를 이용해 실리콘 웨이퍼에 도포한 후 핫플레이트 상에서 130℃에서 2분간 가열하여 10㎛ 두께의 도막을 형성하였다. 상기 도막에 패턴이 새겨진 마스크를 사용하여 i-line 노광기(UX-1200SM-AKS02, Ushio社)로 노광한 후, 상온에서 2.38%의 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(TMAH) 수용액에 50초간 2 퍼들(puddle)을 통해 노광부를 용해 제거한 후, 순수로 30초간 세척하였다.  정상적으로 형성된 패턴 조건에서 감도 및 해상도를 평가하였고, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The photosensitive resin composition according to Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 was coated on a silicon wafer using a spin coater, and then heated on a hot plate at 130 ° C. for 2 minutes to form a 10 μm thick coating film. After exposure with an i-line exposure machine (UX-1200SM-AKS02, Ushio Co.) using a mask with a pattern engraved on the coating film, 2 puddles in 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution at room temperature for 50 seconds ( After dissolving and removing the exposed area through a puddle, it was washed with pure water for 30 seconds. Sensitivity and resolution were evaluated under the condition of "normally formed" pattern, and the results are shown in Table 1 below.

(평가 3: 내약품성 평가)(Evaluation 3: Chemical resistance evaluation)

실시예 1 내지 실시예 5 및 비교예 1 내지 비교예 3에 따른 감광성 수지 조성물을 스핀코터를 이용해 실리콘 웨이퍼에 도포한 후 핫플레이트 상에서 130℃에서 2분간 가열하여 10㎛ 두께의 도막을 형성하였다. 이후, 노광하지 않고 그대로 오븐를 이용해 질소 조건 하, 각 온도 조건(220℃ 320℃)으로 1시간 동안 경화하여 경화막을 수득하였다. 상기 경화막을 실온으로 NMP에 15분간 침지했을 때의 외관 및 두께 변화를 조사하여, 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The photosensitive resin composition according to Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 was coated on a silicon wafer using a spin coater, and then heated on a hot plate at 130 ° C. for 2 minutes to form a 10 μm thick coating film. Thereafter, without exposure, the cured film was cured for 1 hour using an oven as it is under nitrogen conditions and temperature conditions (220° C. and 320° C.) respectively. The "appearance" and "thickness change" when the cured film was immersed in NMP at room temperature for 15 minutes were investigated, and the results are shown in Table 1 below.

내약품성 평가 기준Criteria for evaluating chemical resistance

O: 두께 변화가 1㎛ 이하O: thickness change is 1 μm or less

X: 두께 변화가 1㎛ 초과X: thickness change exceeds 1 μm

(평가 4: 신율(기계적 물성) 평가)(Evaluation 4: elongation (mechanical property) evaluation)

실시예 1 내지 실시예 5 및 비교예 1 내지 비교예 3에 따른 감광성 수지 조성물을 스핀코터를 이용해 실리콘 웨이퍼에 도포한 후 핫플레이트 상에서 130℃에서 2분간 가열하여 10㎛ 두께의 도막을 형성하였다. 이후, 1 cm폭의 스트라이프 패턴이 새겨진 포토마스크를 이용하고 노광, 현상을 실시하였다. 이후에, 오븐을 이용해 질소 조건 하, 각 온도 조건(220℃ 320℃)으로 1시간 동안 경화하여 경화막을 수득하였다. 상기 경화막을 실리콘 웨이퍼로부터 박리하고, ASTM D-882-88 평가방법에 준거하여 UTM analysis를 이용하여 신율(Elongation)을 측정하였다. 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.The photosensitive resin composition according to Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 3 was coated on a silicon wafer using a spin coater, and then heated on a hot plate at 130 ° C. for 2 minutes to form a 10 μm thick coating film. Thereafter, exposure and development were performed using a photomask on which a 1 cm wide stripe pattern was engraved. After that, curing was performed for 1 hour under "nitrogen" conditions using "oven" at each "temperature" condition (220°C 320°C) to obtain a cured film. The cured film was peeled off from the silicon wafer, and the elongation was measured using UTM analysis in accordance with ASTM D-882-88 evaluation method. The results are shown in Table 1 below.

현상시간(sec)Development time (sec) 감도 (mJ/cm2)Sensitivity (mJ/cm 2 ) 해상도 (㎛)Resolution (μm) 내약품성chemical resistance 신율 (%)Elongation (%) 320℃경화320℃ hardening 220℃경화220℃ hardening 320℃경화320℃ hardening 220℃경화220℃ hardening 실시예 1Example 1 120120 450450 55 OO OO 4040 3636 실시예 2Example 2 110110 450450 55 OO OO 4242 3838 실시예 3Example 3 100100 400400 55 OO OO 4242 3636 실시예 4Example 4 110110 400400 55 OO OO 4040 3737 실시예 5Example 5 100100 450450 55 OO OO 4444 3838 비교예 1Comparative Example 1 100100 450450 55 OO XX 5252 88 비교예 2Comparative Example 2 100100 450450 55 OO XX 4949 1212 비교예 3Comparative Example 3 100100 800800 >10>10 OO XX 4040 1010

상기 표 1로부터, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 감도 및 해상도가 종래 알칼리 가용성수지와 비교하여 동등 수준 이상의 물성을 가지면서, 동시에 고온(320℃) 경화 특성뿐만 아니라, 저온(220℃) 경화 특성도 매우 우수한 것을 확인할 수 있다.From Table 1, the photosensitive resin composition according to one embodiment has physical properties equivalent to or higher than those of conventional alkali-soluble resins in terms of sensitivity and resolution, and at the same time, high temperature (320 ° C.) curing properties as well as low temperature (220 ° C.) curing properties. It can be seen that the characteristics are also very good.

본 발명은 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다.  그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.The present invention is not limited to the above embodiments, but can be manufactured in a variety of different forms, and those skilled in the art to which the present invention pertains may take other specific forms without changing the technical spirit or essential features of the present invention. It will be understood that it can be implemented with Therefore, the embodiments described above should be understood as illustrative in all respects and not limiting.

Claims (12)

가열 전에는 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위를 가지고, 동시에 양 말단에는 축합 고리를 가지지 않되,
가열 후에는 상기 양 말단 중 적어도 어느 하나 이상에 하기 화학식 2로 표시되는 구조를 갖는 알칼리 가용성 수지:
[화학식 1]
Figure 112020015047384-pat00024

R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소 원자, 히드록시기, *-O(C=O)R'(R'은 C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 알콕시기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), *-C(=O)OR''(R''은 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
n 은 1 또는 2의 정수이고,
L1 및 L2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 방향족 유기기이고,
[화학식 2]
Figure 112020015047384-pat00025

상기 화학식 2에서,
A는 C3 내지 C20 사이클로알칸 고리 또는 C6 내지 C20 방향족 고리이고,
R4는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기이고,
L3 및 L4는 각각 독립적으로 단일결합 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기이다.
Before heating, it has a structural unit represented by Formula 1, and at the same time does not have a condensed ring at both ends,
After heating, an alkali-soluble resin having a structure represented by Formula 2 below at least one of the both ends:
[Formula 1]
Figure 112020015047384-pat00024

R 1 to R 3 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, *-O(C=O)R'(R' is a C1 to C10 alkyl group, a C1 to C10 alkoxy group or a C6 to C20 aryl group), *-C ( =O)OR″ (R″ is a C1 to C10 alkyl group or a C6 to C20 aryl group), a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group or a substituted or unsubstituted C6 to C20 aryl group,
n is an integer of 1 or 2;
L 1 and L 2 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C20 aromatic organic group;
[Formula 2]
Figure 112020015047384-pat00025

In Formula 2,
A is a C3 to C20 cycloalkane ring or a C6 to C20 aromatic ring;
R 4 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group;
L 3 and L 4 are each independently a single bond or a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group.
제1항에 있어서,
상기 A는 벤젠고리인 알칼리 가용성 수지.
According to claim 1,
The A is an alkali-soluble resin that is a benzene ring.
제1항에 있어서,
상기 R4는 수소 원자이고, 상기 L3 및 L4는 각각 독립적으로 단일결합인 알칼리 가용성 수지.
According to claim 1,
Wherein R 4 is a hydrogen atom, and L 3 and L 4 are each independently a single bond.
제1항에 있어서,
상기 화학식 1로 표시되는 구조단위는 가열 후에 하기 화학식 1-1 또는 화학식 1-2로 표시되는 알칼리 가용성 수지:
[화학식 1-1]
Figure 112020015047384-pat00026

[화학식 1-2]
Figure 112020015047384-pat00027

상기 화학식 1-1 및 화학식 1-2에서,
R3은 수소 원자, 히드록시기, *-O(C=O)R'(R'은 C1 내지 C10 알킬기, C1 내지 C10 알콕시기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), *-C(=O)OR''(R''은 C1 내지 C10 알킬기 또는 C6 내지 C20 아릴기임), 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 사이클로알킬기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기이고,
L1은 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이고,
L2는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기, C1 내지 C20 알콕시기로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 C6 내지 C20 아릴기로 치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다.
According to claim 1,
The structural unit represented by Formula 1 is an alkali-soluble resin represented by Formula 1-1 or Formula 1-2 below after heating:
[Formula 1-1]
Figure 112020015047384-pat00026

[Formula 1-2]
Figure 112020015047384-pat00027

In Formula 1-1 and Formula 1-2,
R 3 is a hydrogen atom, a hydroxyl group, *-O(C=O)R'(R' is a C1 to C10 alkyl group, a C1 to C10 alkoxy group, or a C6 to C20 aryl group), *-C(=O)OR'' (R″ is a C1 to C10 alkyl group or a C6 to C20 aryl group), a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C3 to C20 cycloalkyl group or a substituted Or an unsubstituted C6 to C20 aryl group,
L 1 is a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group;
L 2 is an unsubstituted C6 to C20 arylene group, a C6 to C20 arylene group substituted with a C1 to C20 alkoxy group, or a C6 to C20 arylene group substituted with a C6 to C20 aryl group.
(A) 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항의 알칼리 가용성 수지;
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및
(C) 용매
를 포함하는 감광성 수지 조성물.
(A) the alkali-soluble resin of any one of claims 1 to 4;
(B) a photosensitive diazoquinone compound; and
(C) Solvent
Photosensitive resin composition comprising a.
제5항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은,
상기 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대해
상기 감광성 디아조퀴논 화합물을 1 중량부 내지 50 중량부 포함하고,
상기 용매를 100 중량부 내지 800 중량부 포함하는 감광성 수지 조성물.
According to claim 5,
The photosensitive resin composition,
Based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin
1 to 50 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound,
A photosensitive resin composition comprising 100 parts by weight to 800 parts by weight of the solvent.
제5항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 하기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 더 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 3]
Figure 112020015047384-pat00028

상기 화학식 3에서,
R5는 적어도 2개 이상의 탄소 원자를 가지는 2가 내지 4가의 유기기이고,
R6 내지 R8은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,
p는 2 내지 4의 정수이다.
According to claim 5,
The photosensitive resin composition further comprises a compound represented by Formula 3 below:
[Formula 3]
Figure 112020015047384-pat00028

In Formula 3,
R 5 is a divalent to tetravalent organic group having at least 2 or more carbon atoms;
R 6 to R 8 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group;
p is an integer from 2 to 4;
제7항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물을 상기 알칼리 가용성 수지 100중량부에 대하여 1 중량부 내지 50 중량부 포함하는 감광성 수지 조성물.
According to claim 7,
The photosensitive resin composition comprises 1 part by weight to 50 parts by weight of the compound represented by Formula 3 based on 100 parts by weight of the alkali-soluble resin.
제7항에 있어서,
상기 R5는 하기 화학식 4-1 또는 화학식 4-2로 표시되는 감광성 수지 조성물:
[화학식 4-1]
Figure 112020015047384-pat00029

[화학식 4-2]
Figure 112020015047384-pat00030

상기 화학식 4-1 및 화학식 4-2에서,
L6는 헤테로 원자이고,
L5 및 L7은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기이다.
According to claim 7,
R 5 is a photosensitive resin composition represented by Formula 4-1 or Formula 4-2:
[Formula 4-1]
Figure 112020015047384-pat00029

[Formula 4-2]
Figure 112020015047384-pat00030

In Formula 4-1 and Formula 4-2,
L 6 is a hetero atom;
L 5 and L 7 are each independently a substituted or unsubstituted C6 to C20 arylene group.
제5항에 있어서,
상기 감광성 수지 조성물은 알코올 화합물, 다이애시드, 알카놀아민, 레벨링제, 실란커플링제, 계면활성제, 에폭시화합물, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제를 더 포함하는 감광성 수지 조성물.
According to claim 5,
The photosensitive resin composition further comprises an additive of an alcohol compound, a diacid, an alkanolamine, a leveling agent, a silane coupling agent, a surfactant, an epoxy compound, a radical polymerization initiator, or a combination thereof.
제5항의 감광성 수지 조성물을 이용하여 제조된 감광성 수지막.
A photosensitive resin film prepared using the photosensitive resin composition of claim 5.
제11항의 감광성 수지막을 포함하는 디스플레이 장치.A display device comprising the photosensitive resin film of claim 11 .
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