KR102588111B1 - Manufacturing method of supporting glass substrate - Google Patents

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Abstract

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판의 제조 방법에 있어서, 지지 유리 기판을 성형하는 성형 공정과, 성형 후의 지지 유리 기판을 열처리하여 지지 유리 기판의 열팽창계수를 변동시키는 열처리 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.The method for manufacturing a support glass substrate of the present invention is a method of manufacturing a support glass substrate for supporting a processed substrate, comprising a molding process of molding the support glass substrate, and heat treating the molded support glass substrate to change the thermal expansion coefficient of the support glass substrate. It is characterized by having a heat treatment process for changing the heat treatment process.

Description

지지 유리 기판의 제조 방법Manufacturing method of supporting glass substrate

본 발명은 지지 유리 기판의 제조 방법에 관한 것이고, 구체적으로는 반도체 패키지의 제조 공정에서 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method of manufacturing a support glass substrate, and specifically, to a method of manufacturing a support glass substrate for supporting a processed substrate in a semiconductor package manufacturing process.

휴대전화, 노트형 개인용 컴퓨터, PDA(Personal Data Assistance) 등의 휴대형 전자기기에는 소형화 및 경량화가 요구되고 있다. 이에 따라, 이들의 전자기기에 사용되는 반도체칩의 실장 스페이스도 엄격히 제한되고 있고, 반도체칩의 고밀도한 실장이 과제가 되고 있다. 그래서, 최근에서는 삼차원 실장 기술, 즉 반도체칩끼리를 적층하고, 각 반도체칩 사이를 배선 접속함으로써 반도체 패키지의 고밀도 실장을 도모하고 있다.Portable electronic devices such as mobile phones, laptop-type personal computers, and PDAs (Personal Data Assistance) are required to be smaller and lighter. Accordingly, the space for mounting semiconductor chips used in these electronic devices is also strictly limited, and high-density mounting of semiconductor chips has become a problem. Therefore, in recent years, high-density packaging of semiconductor packages has been attempted by using three-dimensional packaging technology, that is, by stacking semiconductor chips and connecting wires between each semiconductor chip.

또한 종래의 웨이퍼 레벨 패키지(WLP)는 범프를 웨이퍼의 상태에서 형성한 후, 다이싱으로 개편화함으로써 제작되고 있다. 그러나, 종래의 WLP는 핀수를 증가시키기 어려운 것에 추가하여, 반도체칩의 이면이 노출된 상태에서 실장되기 때문에 반도체칩의 결함 등이 발생하기 쉽다는 문제가 있었다.Additionally, conventional wafer level packages (WLP) are manufactured by forming bumps on a wafer and then dividing them into individual pieces by dicing. However, in addition to making it difficult to increase the number of pins, the conventional WLP has the problem that defects in the semiconductor chip are prone to occur because it is mounted with the back side of the semiconductor chip exposed.

그래서, 새로운 WLP로서, 팬 아웃(fan out)형 WLP가 제안되고 있다. 팬 아웃형 WLP는 핀수를 증가시키는 것이 가능하고, 또한 반도체칩의 단부를 보호함으로써 반도체칩의 결함 등을 방지할 수 있다.So, as a new WLP, a fan out type WLP is being proposed. The fan-out type WLP can increase the number of pins, and can also prevent defects in the semiconductor chip by protecting the edges of the semiconductor chip.

팬 아웃형 WLP에서는 복수의 반도체칩을 수지의 밀봉재로 몰드하고 가공 기판을 형성한 후에, 가공 기판의 일방의 표면에 배선하는 공정, 땜납 범프를 형성하는 공정 등을 갖는다.In the fan-out type WLP, a plurality of semiconductor chips are molded with a resin sealant to form a processed substrate, followed by a process of wiring on one surface of the processed substrate, a process of forming solder bumps, etc.

이들의 공정은 약 200℃의 열처리를 따르기 때문에, 밀봉재가 변형하여 가공 기판이 치수 변화할 우려가 있다. 가공 기판이 치수 변화하면, 가공 기판의 일방의 표면에 대하여 고밀도로 배선하는 것이 곤란해지고, 또한 땜납 범프를 정확하게 형성하는 것도 곤란해진다.Since these processes involve heat treatment at approximately 200°C, there is a risk that the sealant will deform and the processed substrate may change dimensions. When the processed substrate changes in size, it becomes difficult to wire at a high density on one surface of the processed substrate, and it also becomes difficult to accurately form solder bumps.

이러한 사정으로부터, 가공 기판의 치수 변화를 억제하기 위해서, 가공 기판을 지지하기 위한 유리 기판을 사용하는 것이 검토되고 있다(특허문헌 1 참조).Under these circumstances, in order to suppress dimensional changes in the processed substrate, the use of a glass substrate to support the processed substrate is being considered (see Patent Document 1).

유리 기판은 표면을 평활화하기 쉽고, 또한 강성을 갖는다. 따라서, 지지 기판으로서 유리 기판을 사용하면, 가공 기판을 견고 또한 정확하게 지지하는 것이 가능해진다. 또한, 유리 기판은 자외광, 적외광 등의 광을 투과하기 쉽다. 따라서, 지지 기판으로서 유리 기판을 사용하면, 자외선 경화형 접착제 등에 의해 접착층 등을 설치하면, 가공 기판과 유리 기판을 용이하게 고정할 수 있다. 또한, 적외선을 흡수하는 박리층 등을 설치하면, 가공 기판과 유리 기판을 용이하게 분리할 수도 있다. 다른 방식으로서, 자외선 경화형 테이프 등에 의해 접착층 등을 설치하면, 가공 기판과 유리 기판을 용이하게 고정, 분리할 수 있다.The glass substrate is easy to smooth the surface and also has rigidity. Therefore, if a glass substrate is used as a support substrate, it becomes possible to firmly and accurately support the processed substrate. Additionally, the glass substrate easily transmits light such as ultraviolet light and infrared light. Therefore, when a glass substrate is used as a support substrate, the processed substrate and the glass substrate can be easily fixed by providing an adhesive layer using an ultraviolet curing adhesive or the like. Additionally, by providing a peeling layer that absorbs infrared rays, the processed substrate and the glass substrate can be easily separated. As another method, if an adhesive layer, such as an ultraviolet curable tape, is provided, the processed substrate and the glass substrate can be easily fixed and separated.

일본 특허 공개 2015-78113호 공보Japanese Patent Publication No. 2015-78113

그런데, 가공 기판과 유리 기판의 열팽창계수가 부정합이면, 가공 처리시에 가공 기판의 치수 변화(특히, 휨 변형)이 생기기 쉬워진다. 결과적으로, 가공 기판의 일방의 표면에 대하여 고밀도로 배선하는 것이 곤란해지고, 또한 땜납 범프를 정확하게 형성하는 것도 곤란해진다. 따라서, 가공 기판과 유리 기판의 열팽창계수를 엄밀하게 조정시키는 것이 중요해진다.However, if the thermal expansion coefficients of the processed substrate and the glass substrate are mismatched, dimensional changes (particularly, bending deformation) of the processed substrate are likely to occur during processing. As a result, it becomes difficult to wire at a high density on one surface of the processed substrate, and it also becomes difficult to accurately form solder bumps. Therefore, it becomes important to strictly adjust the thermal expansion coefficient of the processed substrate and the glass substrate.

종래, 유리 기판의 유리 조성을 조정함으로써, 유리 기판의 열팽창계수를 가공 기판의 열팽창계수로 조정시키고 있었다.Conventionally, the thermal expansion coefficient of the glass substrate was adjusted to that of the processed substrate by adjusting the glass composition of the glass substrate.

그러나, 유리 기판의 유리 조성을 조정해도, 유리 기판의 용융 조건이나 성형 조건의 변동에 의해 유리 기판의 열팽창계수가 목표값으로부터 벗어나버리는 경우가 있었다. 이 경우, 유리 기판을 폐기하거나 또는 유리 기판을 재용융하여 유리 기판의 열팽창계수를 변동시킴으로써, 결과적으로 유리 기판의 제조 비용이 앙등해버린다.However, even if the glass composition of the glass substrate is adjusted, the thermal expansion coefficient of the glass substrate sometimes deviates from the target value due to variations in the melting conditions or molding conditions of the glass substrate. In this case, the glass substrate is discarded or the glass substrate is remelted to change the thermal expansion coefficient of the glass substrate, resulting in an increase in the manufacturing cost of the glass substrate.

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것이고, 그 기술적 과제는 간편한 방법에 의해 성형 후의 지지 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 재조정할 수 있는 방법을 창안하는 것이다.The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and its technical task is to create a method that can readjust the thermal expansion coefficient of a supported glass substrate after molding to a target value by a simple method.

본 발명자는 다양한 실험을 반복한 결과, 성형 후의 유리 기판에 대하여 열처리를 행함으로써 상기 기술적 과제를 해결할 수 있는 것을 발견하고, 본 발명으로서 제안하는 것이다. 즉, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판의 제조 방법에 있어서, 지지 유리 기판을 성형하는 성형 공정과, 성형 후의 지지 유리 기판을 열처리하여 지지 유리 기판의 열팽창계수를 변동시키는 열처리 공정을 구비하는 것을 특징으로 한다.As a result of repeating various experiments, the present inventor discovered that the above-described technical problem can be solved by performing heat treatment on the glass substrate after molding, and proposes it as the present invention. That is, the method of manufacturing a support glass substrate of the present invention is a method of manufacturing a support glass substrate for supporting a processed substrate, comprising a molding process of molding the support glass substrate, heat treating the molded support glass substrate, and thermal expansion of the support glass substrate. It is characterized by having a heat treatment process to change the coefficient.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법에서는 지지 유리 기판의 열팽창계수가 목표리로부터 벗어나 있어도, 열처리에 의해 지지 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 변동시키는 것이 가능하다. 이에 따라, 지지 유리 기판의 폐기나 재용융이 불필요하게 되어 지지 유리 기판의 제조 비용을 저렴화할 수 있다.In the manufacturing method of the supporting glass substrate of the present invention, even if the thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate deviates from the target value, it is possible to change the thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate to the target value by heat treatment. Accordingly, discarding or remelting the supporting glass substrate becomes unnecessary, making it possible to reduce the manufacturing cost of the supporting glass substrate.

제 2로, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 성형 공정 후의 지지 유리 기판을 열처리하여 지지 유리 기판의 열팽창계수를 저하시키는 것이 바람직하다.Second, in the method for manufacturing a supporting glass substrate of the present invention, it is preferable to heat-treat the supporting glass substrate after the molding process to reduce the coefficient of thermal expansion of the supporting glass substrate.

제 3으로, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 열처리의 최고 온도를 (지지 유리 기판의 스트레인점-100)℃보다 높게 하는 것이 바람직하다.Thirdly, in the manufacturing method of the supporting glass substrate of the present invention, it is preferable to set the maximum temperature of heat treatment higher than (strain point of the supporting glass substrate - 100)°C.

제 4로, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 열처리의 최고 온도에 도달한 후, 열처리 온도를 5℃/분 이하의 속도로 강온시키는 것이 바람직하다.Fourth, in the method for producing a supporting glass substrate of the present invention, it is preferable to lower the heat treatment temperature at a rate of 5°C/min or less after reaching the maximum temperature of the heat treatment.

제 5로, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 열처리에 의해 지지 유리 기판의 휨량을 40㎛ 이하로 저감시키는 것이 바람직하다. 여기에서, 「휨량」은 지지 결정화 유리 기판 전체에 있어서의 최고위점과 최소 제곱 초점면 사이의 최대 거리의 절대값과, 최저위점과 최소 제곱 초점면의 절대값의 합계를 가리키고, 예를 들면 Kobelco Research Institute, Inc. 제작의 SBW-331ML/d에 의해 측정 가능하다.Fifth, in the manufacturing method of the supporting glass substrate of the present invention, it is preferable to reduce the amount of warpage of the supporting glass substrate to 40 μm or less by heat treatment. Here, the “bending amount” refers to the sum of the absolute value of the maximum distance between the highest point and the least squares focal plane in the entire supporting crystallized glass substrate and the absolute value of the lowest point and the least squares focal plane. For example, Kobelco Research Institute, Inc. It can be measured using the manufactured SBW-331ML/d.

제 6으로, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 지지 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 지지 유리 기판을 적재한 후 열처리 공정에 제공하는 것이 바람직하다.Sixth, in the method of manufacturing a supporting glass substrate of the present invention, it is preferable to prepare a setter for heat treatment larger than the size of the supporting glass substrate, place the supported glass substrate after molding on the setter for heat treatment, and then subject it to a heat treatment process. do.

제 7로, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 판 두께가 400㎛ 이상 또한 2㎜ 미만이 되도록 지지 유리 기판을 성형하는 것이 바람직하다.Seventhly, in the manufacturing method of the supporting glass substrate of the present invention, it is preferable to mold the supporting glass substrate so that the plate thickness is 400 μm or more and less than 2 mm.

제 8로, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 오버플로우 다운드로우법에 의해 지지 유리 기판을 성형하는 것이 바람직하다.Eighth, in the manufacturing method of the supporting glass substrate of the present invention, it is preferable to mold the supporting glass substrate by the overflow downdraw method.

제 9로, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 열처리 공정 후에, 지지 유리 기판의 표면을 연마하여 전체 판 두께 편차를 2.0㎛ 미만으로 저감시키는 연마 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 여기에서, 「전체 판 두께 편차」는 지지 유리 기판 전체의 최대판 두께와 최소판 두께의 차이고, 예를 들면 Kobelco Research Institute, Inc. 제작의 SBW-331ML/d에 의해 측정 가능하다.Ninth, the manufacturing method of the supporting glass substrate of the present invention preferably includes, after the heat treatment process, a polishing process for polishing the surface of the supporting glass substrate to reduce the overall plate thickness deviation to less than 2.0 μm. Here, the “overall plate thickness deviation” is the difference between the maximum and minimum plate thickness of the entire supporting glass substrate, for example, Kobelco Research Institute, Inc. It can be measured using the manufactured SBW-331ML/d.

제 10으로, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 열처리 공정 후에, 지지 유리 기판의 주변부를 절단 제거하는 절단 제거 공정을 구비하는 것이 바람직하다.Tenthly, the method for manufacturing a supporting glass substrate of the present invention preferably includes a cutting and removing process of cutting and removing the peripheral portion of the supporting glass substrate after the heat treatment process.

제 11로, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은 적어도 가공 기판과 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판을 구비하는 적층체를 제작하는 적층 공정과, 적층체의 가공 기판에 대하여, 가공 처리를 행하는 가공 처리 공정을 구비함과 아울러, 지지 유리 기판이 상기 지지 유리 기판의 제조 방법에 의해 제작되어 있는 것이 바람직하다.Eleventhly, the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention includes a lamination process of manufacturing a laminated body including at least a processed substrate and a support glass substrate for supporting the processed substrate, and performing a processing treatment on the processed substrate of the laminated body. In addition to providing a processing step, it is preferable that the supporting glass substrate is produced by the above-mentioned supporting glass substrate manufacturing method.

제 12로, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은 가공 기판이 적어도 밀봉재로 몰드된 반도체칩을 구비하는 것이 바람직하다.Twelfth, in the method of manufacturing a semiconductor package of the present invention, it is preferable that the processed substrate includes at least a semiconductor chip molded with a sealing material.

제 13으로, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은 가공 처리가 가공 기판의 일방의 표면에 배선하는 처리를 포함하는 것이 바람직하다.Thirteenth, in the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, it is preferable that the processing includes wiring on one surface of the processed substrate.

제 14로, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은 가공 처리가 가공 기판의 일방의 표면에 땜납 범프를 형성하는 처리를 포함하는 것이 바람직하다.Fourteenth, in the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, it is preferable that the processing includes forming a solder bump on one surface of the processing substrate.

도 1은 본 발명에 따른 적층체의 일례를 나타내는 개념 사시도이다.
도 2는 팬 아웃형 WLP의 제조 공정을 나타내는 개념 단면도이다.1 is a conceptual perspective view showing an example of a laminate according to the present invention.
Figure 2 is a conceptual cross-sectional view showing the manufacturing process of a fan-out type WLP.

이하에, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법을 상세하게 설명한다.Below, the manufacturing method of the support glass substrate of this invention is explained in detail.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법에서는, 우선 유리 원료를 조합, 혼합하여 유리 배치를 제작하고, 이 유리 배치를 유리 용융로에 투입한 후 얻어진 용융 유리를 청징, 교반한 후에, 성형 장치에 공급하여 판상으로 성형하고 지지 유리 기판을 얻는 것이 바람직하다.In the method for manufacturing a supported glass substrate of the present invention, glass raw materials are first combined and mixed to produce a glass batch, this glass batch is put into a glass melting furnace, the obtained molten glass is clarified and stirred, and then supplied to a molding device. It is desirable to mold it into a plate shape and obtain a supporting glass substrate.

유리 배치는 소망의 열팽창계수가 되도록 조제하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 가공 기판 내에 반도체칩의 비율이 적고, 밀봉재의 비율이 많은 경우에는 고팽창의 유리 조성이 되도록 유리 배치를 조제하고, 반대로, 가공 기판 내에 반도체칩의 비율이 많고, 밀봉재의 비율이 적은 경우에는 저팽창의 유리 조성이 되도록 유리 배치를 조제하는 것이 바람직하다.It is desirable to prepare the glass batch so that it has a desired thermal expansion coefficient. Specifically, when the proportion of semiconductor chips in the processed substrate is small and the proportion of sealing material is large, the glass batch is prepared to have a highly expanded glass composition; conversely, when the proportion of semiconductor chips in the processed substrate is large and the proportion of sealing material is large, the glass batch is prepared to have a high expansion glass composition. In small cases, it is desirable to prepare the glass batch so that it has a low-expansion glass composition.

30~380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선열팽창계수를 0×10-7/℃ 이상 또한 50×10-7/℃ 미만으로 규제하는 경우, 지지 유리 기판이 유리 조성으로서 질량%로 SiO2 55~75%, Al2O3 15~30%, Li2O 0.1~6%, Na2O+K2O(Na2O와 K2O의 합량) 0~8%, MgO+CaO+SrO+BaO(MgO, CaO, SrO 및 BaO의 합량) 0~10%를 함유하도록 유리 배치를 조제하는 것이 바람직하고, SiO2 55~75%, Al2O3 10~30%, Li2O+Na2O+K2O(Li2O, Na2O 및 K2O의 합량) 0~0.3%, MgO+CaO+SrO+BaO 5~20%를 함유하도록 유리 배치를 조제하는 것도 바람직하고, SiO2 55~68%, Al2O3 12~25%, B2O3 0~15%, MgO+CaO+SrO+BaO 5~30%를 함유하도록 유리 배치를 조제하는 것도 바람직하다. 30~380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선열팽창계수를 50×10-7/℃ 이상 또한 70×10-7/℃ 미만으로 규제하는 경우, 지지 유리 기판이 유리 조성으로서 질량%로 SiO2 55~75%, Al2O3 3~15%, B2O3 5~20%, MgO 0~5%, CaO 0~10%, SrO 0~5%, BaO 0~5%, ZnO 0~5%, Na2O 5~15%, K2O 0~10%를 함유하도록 유리 배치를 조제하는 것이 바람직하고, SiO2 64~71%, Al2O3 5~10%, B2O3 8~15%, MgO 0~5%, CaO 0~6%, SrO 0~3%, BaO 0~3%, ZnO 0~3%, Na2O 5~15%, K2O 0~5%를 함유하도록 유리 배치를 조제하는 것이 더욱 바람직하다. 30~380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선열팽창계수를 70×10-7/℃ 이상 또한 85×10-7/℃ 이하로 규제하는 경우, 지지 유리 기판이 유리 조성으로서 질량%로 SiO2 60~75%, Al2O3 5~15%, B2O3 5~20%, MgO 0~5%, CaO 0~10%, SrO 0~5%, BaO 0~5%, ZnO 0~5%, Na2O 7~16%, K2O 0~8%를 함유하도록 유리 배치를 조제하는 것이 바람직하고, SiO2 60~68%, Al2O3 5~15%, B2O3 5~20%, MgO 0~5%, CaO 0~10%, SrO 0~3%, BaO 0~3%, ZnO 0~3%, Na2O 8~16%, K2O 0~3%를 함유하도록 유리 배치를 조제하는 것이 더욱 바람직하다. 30~380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선열팽창계수를 85×10-7/℃초, 또한 120×10-7/℃ 이하로 규제하는 경우, 지지 유리 기판이 유리 조성으로서 질량%로 SiO2 45~70%(55~70%), Al2O3 3~25%(바람직하게는 3~13%), B2O3 0~8%(바람직하게는 2~8%), P2O5 0~20%, MgO 0~5%, CaO 0~10%, SrO 0~5%, BaO 0~5%, ZnO 0~5%, Na2O 10~21%, K2O 0~5%를 함유하도록 유리 배치를 조제하는 것이 바람직하다. 30~380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선열팽창계수를 120×10-7/℃ 초과 또한 165×10-7/℃ 이하로 규제하는 경우, 지지 유리 기판이 유리 조성으로서 질량%로 SiO2 53~65%, Al2O3 3~13%, B2O3 0~5%, MgO 0.1~6%, CaO 0~10%, SrO 0~5%, BaO 0~5%, ZnO 0~5%, Na2O+K2O 20~40%, Na2O 12~21%, K2O 7~21%를 함유하도록 유리 배치를 조제하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 열팽창계수를 목표값으로 조정하기 쉬워짐과 아울러, 내실투성이 향상하기 때문에 전체 판 두께 편차가 작은 지지 유리 기판을 성형하기 쉬워진다. 또한, 「30~380℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선열팽창계수」는 딜라토미터로 측정한 값을 가리킨다.When the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380°C is regulated to be 0×10 -7 /°C or more and less than 50×10 -7 /°C, the supporting glass substrate has SiO 2 55% by mass as the glass composition. ~75%, Al 2 O 3 15~30%, Li 2 O 0.1~6%, Na 2 O+K 2 O (total amount of Na 2 O and K 2 O) 0~8%, MgO+CaO+SrO+ It is preferable to prepare the glass batch to contain 0 to 10% of BaO (total amount of MgO, CaO, SrO and BaO), 55 to 75% of SiO 2 , 10 to 30% of Al 2 O 3 , and Li 2 O+Na 2 It is also preferable to prepare the glass batch to contain 0 to 0.3% of O+K 2 O (total amount of Li 2 O, Na 2 O and K 2 O), 5 to 20% of MgO+CaO+SrO+BaO, and SiO 2 It is also desirable to prepare the glass batch to contain 55-68%, Al 2 O 3 12-25%, B 2 O 3 0-15%, and MgO+CaO+SrO+BaO 5-30%. When the average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380°C is regulated to be 50×10 -7 /°C or more and less than 70×10 -7 /°C, the supporting glass substrate has SiO 2 55% by mass as the glass composition. ~75%, Al 2 O 3 3~15%, B 2 O 3 5~20%, MgO 0~5%, CaO 0~10%, SrO 0~5%, BaO 0~5%, ZnO 0~5 %, Na 2 O 5-15%, K 2 O 0-10%, preferably SiO 2 64-71%, Al 2 O 3 5-10%, B 2 O 3 8 ~15%, MgO 0~5%, CaO 0~6%, SrO 0~3%, BaO 0~3%, ZnO 0~3%, Na 2 O 5~15%, K 2 O 0~5% It is more desirable to prepare the glass batch to contain When the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380°C is regulated to be 70×10 -7 /°C or more and 85×10 -7 /°C or less, the supporting glass substrate is SiO 2 60 in mass% as the glass composition. ~75%, Al 2 O 3 5~15%, B 2 O 3 5~20%, MgO 0~5%, CaO 0~10%, SrO 0~5%, BaO 0~5%, ZnO 0~5 %, Na 2 O 7-16%, K 2 O 0-8%, preferably SiO 2 60-68%, Al 2 O 3 5-15%, B 2 O 3 5 ~20%, MgO 0~5%, CaO 0~10%, SrO 0~3%, BaO 0~3%, ZnO 0~3%, Na 2 O 8~16%, K 2 O 0~3% It is more desirable to prepare the glass batch to contain When the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380°C is regulated to 85×10 -7 /°C second and 120×10 -7 /°C or less, the supporting glass substrate contains SiO 2 in mass% as the glass composition. 45-70% (55-70%), Al 2 O 3 3-25% (preferably 3-13%), B 2 O 3 0-8% (preferably 2-8%), P 2 O 5 0~20%, MgO 0~5%, CaO 0~10%, SrO 0~5%, BaO 0~5%, ZnO 0~5%, Na 2 O 10~21%, K 2 O 0~5 It is desirable to prepare the glass batch to contain %. When the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 °C is regulated to exceed 120 ~65%, Al 2 O 3 3~13%, B 2 O 3 0~5%, MgO 0.1~6%, CaO 0~10%, SrO 0~5%, BaO 0~5%, ZnO 0~5 %, it is preferable to prepare the glass batch to contain 20-40% Na 2 O+K 2 O, 12-21% Na 2 O, and 7-21% K 2 O. In this way, it becomes easier to adjust the thermal expansion coefficient to the target value and improves the devitrification resistance, making it easier to mold a support glass substrate with a small variation in overall plate thickness. In addition, “average linear thermal expansion coefficient in the temperature range of 30 to 380°C” refers to the value measured with a dilatometer.

유리 배치 중에, 청징제로서 As2O3, Sb2O3, CeO2, SnO2, F, Cl, SO3의 군(바람직하게는 SnO2, Cl, SO3의 군)으로부터 선택된 1종 또는 2종 이상을 0.05~2질량% 첨가해도 좋다. SnO2, SO3 및 Cl의 합량은, 바람직하게는 0~1질량%, 100~3000ppm(0.01~0.3질량%), 300~2500ppm, 특히 500~2500ppm이다. 또한, SnO2, SO3 및 Cl의 합량이 100ppm보다 적으면, 청징 효과를 얻기 어려워진다.During glass batching, as a fining agent, one selected from the group of As 2 O 3 , Sb 2 O 3 , CeO 2 , SnO 2 , F, Cl, SO 3 (preferably the group of SnO 2 , Cl, SO 3 ) or You may add 0.05 to 2% by mass of two or more types. The total amount of SnO 2 , SO 3 and Cl is preferably 0 to 1% by mass, 100 to 3000ppm (0.01 to 0.3% by mass), 300 to 2500ppm, especially 500 to 2500ppm. Additionally, if the total amount of SnO 2 , SO 3 and Cl is less than 100 ppm, it becomes difficult to obtain a clarification effect.

환경적 관점에서, As2O3, Sb2O3 및 F의 사용은 극력 삼가하는 것이 바람직하고, 실질적으로 함유하지 않는 것이 바람직하다. 여기에서, 「실질적으로 ~를 함유하지 않음」이란, 구체적으로는 명시의 성분의 함유량이 500ppm(질량) 미만인 것을 가리킨다. 환경적 관점에서, 유리 조성 중에 실질적으로 PbO, Bi2O3을 함유하지 않는 것도 바람직하다.From an environmental viewpoint, it is desirable to refrain from using As 2 O 3 , Sb 2 O 3 and F as much as possible, and it is desirable not to contain them substantially. Here, "substantially does not contain -" specifically refers to the content of the specified component being less than 500 ppm (mass). From an environmental viewpoint, it is also preferable that the glass composition does not contain substantially PbO or Bi 2 O 3 .

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법에 있어서, 지지 유리 기판의 신장 탄성률이 60GPa 이상(바람직하게는 65GPa 이상, 70GPa 이상, 특히 75~130GPa)이 되도록 유리 배치를 조제하는 것이 바람직하다. 가공 기판 내에 반도체칩의 비율이 적고 밀봉재의 비율이 많은 경우, 적층체 전체의 강성이 저하하여 가공 처리 공정에서 가공 기판이 휘어지기 쉬워진다. 그래서, 지지 유리 기판의 영률을 높이면, 가공 기판의 휨 변형을 억제하기 쉬워져, 가공 기판을 견고 또한 정확하게 지지하는 것이 가능하게 된다. 여기에서, 「영률」은 휨 공진법에 의해 측정한 값을 가리킨다.In the method for producing a supporting glass substrate of the present invention, it is preferable to prepare the glass batch so that the stretching modulus of the supporting glass substrate is 60 GPa or more (preferably 65 GPa or more, 70 GPa or more, especially 75 to 130 GPa). When the proportion of semiconductor chips in the processed substrate is small and the proportion of the sealing material is large, the rigidity of the entire laminate decreases, making it easy for the processed substrate to bend during the processing process. Therefore, by increasing the Young's modulus of the supporting glass substrate, it becomes easier to suppress bending deformation of the processed substrate, making it possible to firmly and accurately support the processed substrate. Here, “Young’s modulus” refers to the value measured by the bending resonance method.

지지 유리 기판의 액상 온도가 1150℃ 미만(바람직하게는 1120℃ 이하, 1100℃ 이하, 1080℃ 이하, 1050℃ 이하, 1010℃ 이하, 980℃ 이하, 960℃ 이하, 950℃ 이하, 특히 940℃ 이하)이 되도록 유리 배치를 조제하는 것이 바람직하다. 또한, 지지 유리 기판의 액상 점도가 104. 8dPa·s이상(바람직하게는 105. 0dPa·s 이상, 105.2dPa·s 이상, 105. 4dPa·s 이상, 특히 105. 6dPa·s 이상)이 되도록 유리 배치를 조제하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 다운드로우법, 특히 오버플로우 다운드로우법으로 지지 유리 기판을 성형하기 쉬워지기 때문에, 판 두께가 작은 지지 유리 기판을 제작하기 쉬워짐과 아울러, 표면을 연마하지 않아도 전체 판 두께 편차를 저감시킬 수 있다. 또는, 소량의 연마에 의해 전체 판 두께 편차를 2.0㎛ 미만, 특히 1.0㎛ 미만까지 저감시킬 수 있다. 결과적으로, 지지 유리 기판의 제조 비용을 저렴화할 수도 있다. 또한, 「액상 온도」는 표준체 30메쉬(500㎛)를 통과하고 50메쉬(300㎛)에 남아있는 유리 분말을 백금 보트에 넣은 후, 온도 구배로 중에서 24시간 유지하여 결정이 석출하는 온도를 측정함으로써 산출 가능하다. 「액상 점도」는 백금구 인상법으로 측정 가능하다.The liquidus temperature of the supporting glass substrate is less than 1150°C (preferably 1120°C or less, 1100°C or less, 1080°C or less, 1050°C or less, 1010°C or less, 980°C or less, 960°C or less, 950°C or less, especially 940°C or less. ) It is desirable to prepare the glass batch so that. In addition, the liquid viscosity of the supporting glass substrate is 10 4.8 dPa·s or more ( preferably 10 5.0 dPa·s or more, 10 5.2 dPa·s or more , 10 5.4 dPa ·s or more, especially 10 5.0 dPa·s or more. It is desirable to prepare the glass batch so that the temperature is 6 dPa·s or more. In this way, it becomes easier to form the supporting glass substrate using the down-draw method, especially the overflow down-draw method. This makes it easier to manufacture a supporting glass substrate with a small sheet thickness, and also reduces the overall sheet thickness deviation without polishing the surface. It can be reduced. Alternatively, the overall plate thickness deviation can be reduced to less than 2.0 μm, particularly less than 1.0 μm, by a small amount of polishing. As a result, the manufacturing cost of the supporting glass substrate can be reduced. In addition, the “liquidus temperature” is measured by placing the glass powder remaining in the 50 mesh (300 μm) standard sieve into a platinum boat and maintaining it in a temperature gradient furnace for 24 hours to determine the temperature at which crystals precipitate. It can be calculated by doing “Liquid viscosity” can be measured by the platinum ball lifting method.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법에 있어서, 판 두께가 400㎛ 이상, 또한 2㎜ 미만이 되도록 지지 유리 기판을 성형하는 것이 바람직하다. 지지 유리 기판의 판 두께는 바람직하게는 400㎛ 이상, 500㎛ 이상, 600㎛ 이상, 700㎛ 이상, 800㎛ 이상, 900㎛ 이상, 특히 1000㎛ 이상이다. 지지 유리 기판의 판 두께가 매우 작으면, 기계적 강도가 저하하여 반도체 패키지의 제조 공정에서 지지 유리 기판이 파손되기 쉬워진다. 한편, 지지 유리 기판의 판 두께가 매우 크면, 적층체의 질량이 커지기 때문에 핸들링성이 저하한다. 또한, 반도체 패키지의 제조 공정에서 적층체가 반도체 패키지의 제조 장치 내의 높이 제한을 클리어할 수 없을 우려가 생긴다. 따라서, 지지 유리 기판의 판 두께는, 바람직하게는 2.0㎜ 미만, 1.5㎜ 이하, 1.2㎜ 이하, 특히 1.1㎜ 이하이다.In the method for producing a supporting glass substrate of the present invention, it is preferable to mold the supporting glass substrate so that the plate thickness is 400 μm or more and less than 2 mm. The thickness of the supporting glass substrate is preferably 400 μm or more, 500 μm or more, 600 μm or more, 700 μm or more, 800 μm or more, 900 μm or more, especially 1000 μm or more. If the thickness of the support glass substrate is very small, the mechanical strength decreases and the support glass substrate becomes prone to breakage during the semiconductor package manufacturing process. On the other hand, if the thickness of the supporting glass substrate is very large, the mass of the laminated body increases, and thus handling properties decrease. Additionally, in the semiconductor package manufacturing process, there is a concern that the laminate may not be able to clear the height restrictions within the semiconductor package manufacturing apparatus. Therefore, the plate thickness of the supporting glass substrate is preferably less than 2.0 mm, 1.5 mm or less, 1.2 mm or less, especially 1.1 mm or less.

다운드로우법, 특히 오버플로우 다운드로우법으로 지지 유리 기판을 성형하는 것이 바람직하다. 오버플로우 다운드로우법은 내열성의 홈통상 구조물의 양측으로부터 용융 유리를 넘치게 하고, 넘친 용융 유리를 홈통상 구조물 하측 꼭대기단에 합류시켜, 유리 내부에 성형 합류면을 형성하면서 하방으로 연신 성형하는 방법이다. 오버플로우 다운드로우법으로는 유리 표면이 되어야 할 면은 홈통상 내화물에 접촉하지 않고 자유 표면의 상태에서 성형된다. 이 때문에, 판 두께가 작은 지지 유리 기판을 제작하기 쉬워짐과 아울러, 표면을 연마하지 않아도 전체 판 두께 편차를 저감시킬 수 있다. 또는, 소량의 연마에 의해 전체 판 두께 편차를 2.0㎛ 미만, 특히 1.0㎛ 미만까지 저감시킬 수 있다. 결과적으로, 지지 유리 기판의 제조 비용을 저렴화할 수 있다.It is preferable to mold the supporting glass substrate by a downdraw method, especially an overflow downdraw method. The overflow downdraw method is a method of overflowing molten glass from both sides of a heat-resistant gutter-shaped structure, joining the overflowing molten glass to the top end of the lower part of the gutter-shaped structure, and stretching and forming it downward while forming a molded confluence surface inside the glass. . In the overflow down-draw method, the surface to be the glass surface is formed as a free surface without contacting the refractory material. For this reason, it becomes easier to manufacture a supporting glass substrate with a small plate thickness, and the overall plate thickness variation can be reduced even without polishing the surface. Alternatively, the overall plate thickness deviation can be reduced to less than 2.0 μm, particularly less than 1.0 μm, by a small amount of polishing. As a result, the manufacturing cost of the supporting glass substrate can be reduced.

지지 유리 기판의 성형 방법으로서, 오버플로우 다운드로우법 이외에도, 예를 들면 슬롯다운법, 리드로법, 플로트법 등을 채택할 수도 있다.As a molding method for the supporting glass substrate, in addition to the overflow down-draw method, for example, the slot-down method, re-draw method, float method, etc. may be adopted.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 열처리 공정 전에, 성형 후의 지지 유리 기판의 열팽창계수를 측정하는 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 지지 유리 기판의 열팽창계수의 측정값을 고려한 후에, 열처리 조건(열처리의 최고 온도, 열처리의 강온 속도 등)을 제어함으로써 지지 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 조정하기 쉬워진다.The method for manufacturing a support glass substrate of the present invention preferably includes a step of measuring the thermal expansion coefficient of the support glass substrate after molding before the heat treatment step. In this way, after considering the measured value of the thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate, it becomes easy to adjust the thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate to the target value by controlling the heat treatment conditions (maximum temperature of heat treatment, temperature cooling rate of heat treatment, etc.).

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 열처리 공정 전에, 지지 유리 기판의 세정 공정을 형성해도 좋다. 이에 따라, 지지 유리 기판에 이물이 부착되어도, 부착된 이물이 열처리에 의해 지지 유리 기판의 표면에 눌러붙는 것을 방지할 수 있다.The method for manufacturing a support glass substrate of the present invention may include a cleaning step for the support glass substrate before the heat treatment step. Accordingly, even if foreign matter adheres to the support glass substrate, the attached foreign matter can be prevented from sticking to the surface of the support glass substrate through heat treatment.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 성형 후의 지지 유리 기판을 열처리하여 지지 유리 기판의 열팽창계수를 변동시키는 열처리 공정을 구비하지만, 그 경우, 성형 공정 후의 지지 유리 기판을 열처리하여 지지 유리 기판의 열팽창계수를 저하시키는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 지지 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 제어하기 쉬워진다. 또한, 열처리에 의해 지지 유리 기판의 열팽창계수를 증가시키는 것도 가능하지만, 이 경우, 성형시에 지지 유리 기판을 충분하게 서랭한 후 열처리 공정에 제공하지 않으면 안되고, 지지 유리 기판의 제조 효율이 저하하기 쉬워진다.The method for manufacturing a supported glass substrate of the present invention includes a heat treatment step of heat treating the supported glass substrate after molding to change the thermal expansion coefficient of the supported glass substrate. In this case, the supporting glass substrate after the molding step is heat treated to change the thermal expansion coefficient of the supported glass substrate. It is desirable to lower the coefficient. In this way, it becomes easy to control the thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate to the target value. It is also possible to increase the coefficient of thermal expansion of the supporting glass substrate by heat treatment, but in this case, the supporting glass substrate must be sufficiently slowly cooled during molding before being subjected to the heat treatment process, and the manufacturing efficiency of the supporting glass substrate decreases. It gets easier.

열처리 공정에서, 지지 유리 기판의 온도 범위 30~380℃에 있어서의 평균 선열팽창계수를 0.05×10-7~3×10-7/℃ 저하시키는 것이 바람직하고, 0.1×10-7~3×10-7/℃ 저하시키는 것이 보다 바람직하고, 0.2×10-7~1×10-7/℃ 저하시키는 것이 더욱 바람직하고, 0.3×10-7~0.8×10-7/℃ 저하시키는 것이 특히 바람직하다. 용융 조건, 성형 조건 등의 변동에 의해 지지 유리 기판의 열팽창계수는 변동한다. 그 변동 폭은 그렇게 크지 않지만, 열팽창계수를 엄밀하게 조정할 필요가 있는 지지 유리 기판의 용도에서는 이들의 약간의 변동이 문제가 된다. 그리고, 용융 조건, 성형 조건 등을 관리하여 열팽창계수를 목표값으로 제어하는 것은 곤란하다. 그래서, 열처리 공정에서 열처리 조건(열처리의 최고 온도, 열처리의 강온 속도 등)을 조정하면 용융 조건, 성형 조건 등을 엄밀하게 관리하지 않아도, 지지 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 제어하기 쉬워진다.In the heat treatment process, it is preferable to reduce the average coefficient of linear thermal expansion of the supporting glass substrate by 0.05 It is more preferable to lower it to -7 /℃, more preferably to lower it to 0.2 × 10 -7 to 1 × 10 -7 /℃, and especially preferably to lower it to 0.3 × 10 -7 to 0.8 × 10 -7 /℃. . The thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate varies due to changes in melting conditions, molding conditions, etc. Although the range of variation is not that large, these slight variations become a problem in applications of support glass substrates where the coefficient of thermal expansion needs to be strictly adjusted. Additionally, it is difficult to control the thermal expansion coefficient to a target value by managing melting conditions, molding conditions, etc. Therefore, by adjusting the heat treatment conditions (maximum temperature of heat treatment, cooling rate of heat treatment, etc.) in the heat treatment process, it becomes easy to control the thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate to the target value even without strictly managing melting conditions, molding conditions, etc.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 성형 후의 지지 유리 기판을 열처리하여 지지 유리 기판의 밀도를 변동시키는 열처리 공정을 구비하는 것이 바람직하고, 그 경우, 성형 공정 후의 지지 유리 기판을 열처리하여 지지 유리 기판의 밀도를 상승시키는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 지지 유리 기판의 밀도를 엄밀하게 조정할 필요가 있는 경우에, 지지 유리 기판의 밀도를 목표값으로 제어하기 쉬워진다. 또한, 열처리에 의해 지지 유리 기판의 밀도를 저하시키는 것도 가능하지만, 이 경우, 성형시에 지지 유리 기판을 충분하게 서랭한 후 열처리 공정에 제공하지 않으면 안되고, 지지 유리 기판의 제조 효율이 저하하기 쉬워진다.The method for producing a supported glass substrate of the present invention preferably includes a heat treatment process of heat treating the supported glass substrate after molding to change the density of the supported glass substrate. In that case, heat treating the supported glass substrate after the molding process to form the supported glass substrate. It is desirable to increase the density. In this way, when it is necessary to strictly adjust the density of the support glass substrate, it becomes easy to control the density of the support glass substrate to the target value. It is also possible to reduce the density of the supporting glass substrate by heat treatment, but in this case, the supporting glass substrate must be sufficiently slowly cooled during molding before being subjected to the heat treatment step, and the manufacturing efficiency of the supporting glass substrate is likely to decrease. Lose.

지지 유리 기판의 밀도의 상승 정도는 지지 유리 기판의 열팽창계수의 저하 정도와 상관하고 있다. 따라서, 지지 유리 기판의 밀도의 상승값을 측정하면, 지지 유리 기판의 열팽창계수의 저하값을 간단하게 추측할 수 있다. 열처리 공정에서, 지지 유리 기판의 밀도를 0.001~0.05g/㎤ 상승시키는 것이 바람직하고, 0.004~0.03g/㎤ 상승시키는 것이 더욱 바람직하고, 0.007~0.015g/㎤ 상승시키는 것이 특히 바람직하다. 밀도의 상승값이 상기 범위 이외가 되면, 지지 유리 기판의 열팽창계수의 저하값을 추측하기 어려워진다.The degree of increase in the density of the support glass substrate is correlated with the degree of decrease in the coefficient of thermal expansion of the support glass substrate. Therefore, by measuring the increase in density of the support glass substrate, the decrease in the coefficient of thermal expansion of the support glass substrate can be easily estimated. In the heat treatment process, it is preferable to increase the density of the supporting glass substrate by 0.001 to 0.05 g/cm3, more preferably to 0.004 to 0.03 g/cm3, and especially preferably to increase it to 0.007 to 0.015 g/cm3. If the density increase value is outside the above range, it becomes difficult to estimate the decrease value of the thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate.

열처리의 최고 온도는 바람직하게는 (지지 유리 기판의 스트레인점-100)℃ 초과, (지지 유리 기판의 스트레인점-50)℃ 이상, (지지 유리 기판의 스트레인점-30)℃ 이상, 지지 유리 기판의 변형점 이상, (지지 유리 기판의 스트레인점+10)℃ 이상, (지지 유리 기판의 스트레인점+20)℃ 이상, (지지 유리 기판의 스트레인점+30)℃ 이상, 특히 (지지 유리 기판의 스트레인점+50)℃ 이상이다. 열처리의 최고 온도가 너무 낮으면, 지지 유리 기판의 열팽창계수를 변동시키기 위한 열처리 시간이 부당하게 길어져 열처리 효율이 저하하기 쉬워진다. 또한, 열처리에 의해 지지 유리 기판의 열팽창계수를 저하시키기 어려워진다. 한편, 열처리의 최고 온도가 너무 높으면, 지지 유리 기판이 열 변형하기 쉬워진다. 따라서, 열처리의 최고 온도는 바람직하게는 (지지 유리 기판의 스트레인점+150)℃ 이하, (지지 유리 기판의 스트레인점+120)℃ 이하이다.The maximum temperature of the heat treatment is preferably greater than (strain point of the supporting glass substrate - 100) ℃, (strain point of the supporting glass substrate - 50) ℃ or higher, (strain point of the supporting glass substrate - 30) ℃ or higher, strain point or higher, (strain point of the supporting glass substrate +10)°C or higher, (strain point of the supporting glass substrate+20)°C or higher, (strain point of the supporting glass substrate+30)°C or higher, especially (strain point of the supporting glass substrate+30)°C or higher. Strain point +50)℃ or higher. If the maximum temperature of the heat treatment is too low, the heat treatment time for changing the thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate becomes unreasonably long, and heat treatment efficiency is likely to decrease. Additionally, it becomes difficult to reduce the thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate by heat treatment. On the other hand, if the maximum temperature of the heat treatment is too high, the supporting glass substrate becomes prone to thermal deformation. Therefore, the maximum temperature of the heat treatment is preferably (strain point of the supporting glass substrate +150°C) or lower and (strain point of the supporting glass substrate +120)°C or lower.

열처리 공정에는 열처리로로부터 지지 유리 기판을 안전하게 인출하기 위해서, 열처리의 최고 온도에서 강온할 필요가 있다. 그 강온 속도는 바람직하게는 5℃/분 이하, 4℃/분 이하, 3℃/분 이하, 2℃/분 이하, 1℃/분 이하, 특히 0.8℃/분 이하이다. 강온 속도가 너무 빠르면, 열처리 공정 후에 지지 유리 기판에 열 변형이 잔류하기 쉬워지고, 또한 열처리로로부터 지지 유리 기판을 인출할 때에 지지 유리 기판이 파손될 우려가 있다. 한편, 강온 속도가 너무 느리면, 지지 유리 기판의 열팽창계수를 변동시키기 위한 열처리 시간이 부당하게 길어져 열처리 효율이 저하하기 쉬워진다. 따라서, 강온 속도는 바람직하게는 0.01℃/분 이상, 0.05℃/분 이상, 0.1℃/분 이상, 0.2℃/분 이상, 특히 0.5℃/분 이상이다.In the heat treatment process, it is necessary to lower the temperature from the maximum temperature of the heat treatment in order to safely remove the support glass substrate from the heat treatment furnace. The temperature reduction rate is preferably 5°C/min or less, 4°C/min or less, 3°C/min or less, 2°C/min or less, 1°C/min or less, especially 0.8°C/min or less. If the temperature reduction rate is too fast, thermal strain tends to remain in the support glass substrate after the heat treatment process, and there is a risk that the support glass substrate may be damaged when the support glass substrate is taken out from the heat treatment furnace. On the other hand, if the temperature drop rate is too slow, the heat treatment time for changing the thermal expansion coefficient of the supporting glass substrate becomes unreasonably long, and heat treatment efficiency is likely to decrease. Therefore, the temperature reduction rate is preferably 0.01°C/min or higher, 0.05°C/min or higher, 0.1°C/min or higher, 0.2°C/min or higher, especially 0.5°C/min or higher.

지지 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 지지 유리 기판을 적재한 후, 열처리 공정에 제공하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 열처리시에 지지 유리 기판의 온도 불균일을 저감시킬 수 있다. 또한, 열처리용 세터의 치수가 지지 유리 기판의 치수와 동등 또는 작으면, 지지 유리 기판의 일부가 열처리용 세터로부터 밀려나오기 쉽고, 그 밀려나온 부분에 열 변형이 생기기 쉬워진다.It is preferable to prepare a heat treatment setter larger than the size of the support glass substrate, place the molded support glass substrate on the heat treatment setter, and then subject it to the heat treatment process. In this way, temperature unevenness of the supporting glass substrate can be reduced during heat treatment. Additionally, if the size of the setter for heat treatment is equal to or smaller than the size of the support glass substrate, a part of the support glass substrate is likely to be pushed out from the setter for heat treatment, and thermal deformation is likely to occur in the pushed out portion.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법으로는 열처리에 의해 지지 유리 기판의 휨량을 40㎛ 이하까지 저감시키는 것이 바람직하다. 그리고, 지지 유리 기판의 휨량을 저감시키기 위해서, 지지 유리 기판의 상방으로 내열 기판을 배치하여 열처리용 세터와 내열 기판으로 지지 유리 기판을 협지하면서 열처리를 행하는 것이 바람직하다. 또한, 내열 기판으로서 뮬라이트 기판, 알루미나 기판 등이 사용 가능하다. 또한, 복수장의 지지 유리 기판을 적층시킨 상태에서 열처리를 행하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 적층 하방으로 적층된 지지 유리 기판의 휨량이 상방으로 적층된 지지 유리 기판의 질량에 의해 적정하게 저감된다. 또한, 지지 유리 기판의 열처리 효율을 높일 수 있다.In the manufacturing method of the supporting glass substrate of the present invention, it is preferable to reduce the amount of warpage of the supporting glass substrate to 40 μm or less by heat treatment. In order to reduce the amount of warping of the supporting glass substrate, it is preferable to place a heat-resistant substrate above the supporting glass substrate and perform heat treatment while holding the supporting glass substrate between the heat treatment setter and the heat-resistant substrate. Additionally, mullite substrates, alumina substrates, etc. can be used as heat-resistant substrates. Additionally, it is preferable to perform heat treatment in a state in which a plurality of support glass substrates are laminated. Accordingly, the amount of warping of the support glass substrates laminated downward is appropriately reduced by the mass of the support glass substrates laminated upward. Additionally, the heat treatment efficiency of the supporting glass substrate can be increased.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 열처리 공정 후에, 지지 유리 기판의 표면을 연마하여 전체 판 두께 편차를 2.0㎛ 미만으로 저감시키는 연마 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 연마 처리의 방법으로서는 다양한 방법을 채용할 수 있지만, 지지 유리 기판의 양면을 한 쌍의 연마 패드에 끼워넣고, 지지 유리 기판과 한 쌍의 연마 패드를 함께 회전시키면서 지지 유리 기판을 연마 처리하는 방법이 바람직하다. 또한, 한 쌍의 연마 패드는 외경이 다른 것이 바람직하고, 연마시에 간헐적으로 지지 유리 기판의 일부가 연마 패드로부터 밀려나오도록 연마 처리하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 전체 판 두께 편차를 저감시키기 쉽고, 또한 휨량도 저감시키기 쉬워진다. 또한, 연마 처리에 있어서, 연마 깊이는 특별히 한정되지 않지만, 연마 깊이는 바람직하게는 50㎛ 이하, 30㎛ 이하, 20㎛ 이하, 특히 10㎛ 이하이다. 연마 깊이가 작을수록, 지지 유리 기판의 생산성은 향상한다.The method for manufacturing a supporting glass substrate of the present invention preferably includes a polishing process that polishes the surface of the supporting glass substrate to reduce the total plate thickness variation to less than 2.0 μm after the heat treatment process. Various methods can be used as a polishing method, but the method is to sandwich both sides of the support glass substrate between a pair of polishing pads and polish the support glass substrate while rotating the support glass substrate and the pair of polishing pads together. desirable. Additionally, the pair of polishing pads preferably have different outer diameters, and the polishing process is preferably performed so that a portion of the supporting glass substrate is intermittently pushed out from the polishing pad during polishing. Accordingly, it is easy to reduce the overall plate thickness variation and also to reduce the amount of warpage. In addition, in the polishing treatment, the polishing depth is not particularly limited, but the polishing depth is preferably 50 μm or less, 30 μm or less, 20 μm or less, especially 10 μm or less. The smaller the polishing depth, the better the productivity of the supporting glass substrate.

지지 유리 기판의 전체 판 두께 편차가 2.0㎛ 미만, 1, 특히 0.1~1㎛ 미만이 되도록 지지 유리 기판의 표면을 연마하는 것이 바람직하고, 또한 지지 유리 기판의 표면의 산술 평균 조도(Ra)가 5㎚ 이하, 2㎚ 이하, 1.5㎚ 이하, 1㎚ 이하, 0.8㎚ 이하, 특히 0.5㎚ 이하가 되도록 지지 유리 기판의 표면을 연마하는 것이 바람직하다. 전체 판 두께 편차가 작을수록, 또는 표면 정밀도가 높을수록, 가공 처리의 정밀도를 높이기 쉬워진다. 특히, 배선 정밀도를 높일 수 있기 때문에 고밀도의 배선이 가능하게 된다. 또한, 지지 유리 기판의 강도가 향상하여 지지 유리 기판 및 적층체가 파손되기 어려워진다. 또한, 「산술 평균 조도(Ra)」는 원자간력 현미경(AFM)에 의해 측정 가능하다.It is desirable to polish the surface of the supporting glass substrate so that the overall plate thickness deviation of the supporting glass substrate is less than 2.0㎛, 1, especially less than 0.1 to 1㎛, and the arithmetic mean roughness (Ra) of the surface of the supporting glass substrate is 5. It is desirable to polish the surface of the supporting glass substrate to 0.5 nm or less, especially 0.5 nm or less. The smaller the overall plate thickness deviation or the higher the surface precision, the easier it is to increase the precision of the processing. In particular, since wiring precision can be increased, high-density wiring becomes possible. Additionally, the strength of the supporting glass substrate is improved, making it difficult for the supporting glass substrate and the laminate to be damaged. Additionally, “arithmetic average roughness (Ra)” can be measured using an atomic force microscope (AFM).

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 열처리 공정 후에, 지지 유리 기판의 주변부를 절단 제거하는 절단 제거 공정을 구비하는 것이 바람직하고, 연마 공정 후에, 지지 유리 기판의 주변부를 절단 제거하는 절단 제거 공정을 구비하는 것이 더욱 바람직하다. 열처리 공정에서는 지지 유리 기판의 중앙부와 비교하여, 주변부 쪽이 휨량이 큰 경향이 있다. 그래서, 열처리 공정 후에, 지지 유리 기판의 주변부를 절단 제거하면, 지지 유리 기판의 휨량을 저감시킬 수 있다.The method for manufacturing a supporting glass substrate of the present invention preferably includes a cutting and removing process of cutting and removing the peripheral portion of the supporting glass substrate after the heat treatment process, and a cutting and removing step of cutting and removing the peripheral portion of the supporting glass substrate after the polishing process. It is more desirable to have it. In the heat treatment process, the amount of warpage tends to be greater at the peripheral portion of the supporting glass substrate compared to the central portion. Therefore, if the peripheral portion of the support glass substrate is cut and removed after the heat treatment process, the amount of warpage of the support glass substrate can be reduced.

지지 유리 기판의 주변부를 절단 제거할 때에, 직사각형의 지지 유리 기판으로부터 대략 원판 형상 또는 웨이퍼 형상으로 컷 아웃 가공하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 반도체 패키지의 제조 공정에 적용하기 쉬워진다. 필요에 따라서, 그 이외의 형상, 예를 들면 직사각형 등의 형상으로 가공해도 좋다. 컷 아웃한 지지 유리 기판의 진원도((단, 노치부를 제외)는 1㎜ 이하, 0.1㎜ 이하, 0.05㎜ 이하, 특히 0.03㎜ 이하가 바람직하다. 진원도가 작을수록, 반도체 패키지의 제조 공정에 적용하기 쉬워진다. 또한, 진원도의 정의는 웨이퍼의 외형의 최대값으로부터 최소값을 감한 값이다.When cutting and removing the peripheral portion of the support glass substrate, it is preferable to cut out the rectangular support glass substrate into a substantially disk shape or wafer shape. In this way, it becomes easier to apply it to the semiconductor package manufacturing process. If necessary, it may be processed into other shapes, such as rectangular shapes. The roundness (excluding the notch portion) of the cut-out support glass substrate is preferably 1 mm or less, 0.1 mm or less, 0.05 mm or less, especially 0.03 mm or less. The smaller the roundness, the easier it is to apply it to the manufacturing process of a semiconductor package. Also, the definition of roundness is the value obtained by subtracting the minimum value from the maximum value of the wafer's external shape.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 절단 제거 공정 후에, 지지 유리 기판의 외주의 일부에 노치부(얼라이먼트부)를 형성하는 노치 가공 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 지지 유리 기판의 노치부에 위치 결정핀 등의 위치 결정 부재를 접촉시켜 지지 유리 기판을 위치 고정하기 쉬워진다. 결과적으로, 가공 기판과 지지 유리 기판의 얼라인먼트가 용이해진다. 또한, 가공 기판에도 노치부를 형성하여 위치 결정 부재를 접촉시키면, 가공 기판과 지지 유리 기판의 얼라인먼트가 더욱 용이해진다.The manufacturing method of the support glass substrate of the present invention preferably includes a notch processing step of forming a notch portion (alignment portion) in a portion of the outer periphery of the support glass substrate after the cutting and removal step. This makes it easy to position and fix the support glass substrate by bringing a positioning member such as a positioning pin into contact with the notch portion of the support glass substrate. As a result, alignment of the processing substrate and the supporting glass substrate becomes easy. Additionally, if a notch is formed on the processed substrate to bring the positioning member into contact, alignment of the processed substrate and the support glass substrate becomes easier.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법은 절단 제거 공정 후에, 지지 유리 기판의 끝면(노치부의 끝면을 포함)에 대하여 모따기 가공을 행하는 모따기 공정을 구비하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 끝면으로부터 유리분 등이 발생하는 것을 방지할 수 있다. 모따기 가공에는 홈 부착 숫돌을 사용한 모따기 가공, 불산 등의 산 에칭에 의한 모따기 가공 등을 채택할 수 있다.The method for manufacturing a support glass substrate of the present invention preferably includes a chamfering process for chamfering the end surface (including the end surface of the notch portion) of the support glass substrate after the cutting and removal process. Accordingly, it is possible to prevent glass powder, etc. from being generated from the end surface. Chamfering processing using a grooved grindstone, chamfering processing using acid etching such as hydrofluoric acid, etc. can be adopted.

본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법에 있어서, 지지 유리 기판에 대하여 이온 교환 처리를 행하지 않는 것이 바람직하다. 이온 교환 처리를 행하면, 지지 유리 기판의 제조 비용이 앙등하고, 또한 지지 유리 기판의 전체 판 두께 편차를 저감시키기 어려워진다.In the method for manufacturing a supporting glass substrate of the present invention, it is preferable not to perform ion exchange treatment on the supporting glass substrate. When ion exchange treatment is performed, the manufacturing cost of the supporting glass substrate rises, and it becomes difficult to reduce the variation in the overall plate thickness of the supporting glass substrate.

본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은 적어도 가공 기판과 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판을 구비하는 적층체를 제작하는 적층 공정과, 적층체의 가공 기판에 대하여, 가공 처리를 행하는 가공 처리 공정을 구비함과 아울러, 지지 유리 기판이 상기 지지 유리 기판의 제조 방법에 의해 제작되는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, 본 발명의 지지 유리 기판의 제조 방법의 기술적 특징은 기재되어 있기 때문에 그 부분의 상세한 기재를 생략한다.The method for manufacturing a semiconductor package of the present invention includes at least a lamination process of manufacturing a laminate including a processed substrate and a support glass substrate for supporting the processed substrate, and a processing process of performing processing on the processed substrate of the laminate. In addition, the supporting glass substrate is characterized in that it is manufactured by the above-mentioned supporting glass substrate manufacturing method. In the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, the technical features of the method for manufacturing a support glass substrate of the present invention are described, and therefore detailed description of that part is omitted.

본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, 가공 기판과 지지 유리 기판 사이에, 접착층을 설치하는 것이 바람직하다. 접착층은 수지인 것이 바람직하고, 예를 들면 열경화성 수지, 광경화성 수지(특히, 자외선 경화 수지) 등이 바람직하다. 또한, 반도체 패키지의 제조 공정에 있어서의 열처리에 견디는 내열성을 갖는 것이 바람직하다. 이에 따라, 반도체 패키지의 제조 공정에서 접착층이 융해되기 어려워져 가공 처리의 정밀도를 높일 수 있다. 또한, 가공 기판과 지지 유리 기판을 용이하게 고정하기 위해서, 자외선 경화형 테이프를 접착층으로서 사용할 수도 있다.In the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, it is preferable to provide an adhesive layer between the processing substrate and the supporting glass substrate. The adhesive layer is preferably made of resin, for example, thermosetting resin or photocurable resin (especially ultraviolet curing resin). Additionally, it is desirable to have heat resistance that can withstand heat treatment in the semiconductor package manufacturing process. Accordingly, it becomes difficult for the adhesive layer to melt during the semiconductor package manufacturing process, thereby improving the precision of processing. Additionally, in order to easily fix the processed substrate and the supporting glass substrate, an ultraviolet curing tape can be used as an adhesive layer.

또한, 가공 기판과 지지 유리 기판 사이에, 보다 구체적으로는 가공 기판과 접착층 사이에 박리층을 설치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 하면, 가공 기판에 대하여, 소정의 가공 처리를 행한 후에, 가공 기판을 지지 유리 기판으로부터 박리하기 쉬워진다. 가공 기판의 박리는 생산성의 관점에서, 레이저광 등의 조사 광에 의해 행하는 것이 바람직하다. 레이저 광원으로서, YAG 레이저(파장 1064㎚), 반도체 레이저(파장 780~1300㎚) 등의 적외광 레이저 광원을 사용할 수 있다. 또한, 박리층에는 적외선 레이저를 조사함으로써 분해되는 수지를 사용할 수 있다. 또한, 적외선을 효율 좋게 흡수하고, 열로 변환하는 물질을 수지에 첨가할 수도 있다. 예를 들면, 카본블랙, 그래파이트분, 미립자 금속 분말, 염료, 안료 등을 수지에 첨가할 수도 있다.Additionally, it is preferable to provide a release layer between the processed substrate and the supporting glass substrate, and more specifically, between the processed substrate and the adhesive layer. In this way, it becomes easy to peel the processed substrate from the supporting glass substrate after performing a predetermined processing treatment on the processed substrate. From the viewpoint of productivity, peeling of the processed substrate is preferably performed using irradiated light such as laser light. As a laser light source, an infrared laser light source such as a YAG laser (wavelength 1064 nm) or a semiconductor laser (wavelength 780 to 1300 nm) can be used. Additionally, a resin that is decomposed by irradiating an infrared laser can be used for the peeling layer. Additionally, a substance that efficiently absorbs infrared rays and converts them into heat can be added to the resin. For example, carbon black, graphite powder, fine metal powder, dye, pigment, etc. may be added to the resin.

박리층은 레이저광 등의 조사 광에 의하여 「층내 박리」또는 「계면 박리」가 생기는 재료로 구성된다. 즉, 일정한 강도한 광을 조사하면, 원자 또는 분자에 있어서의 원자간 또는 분자간의 결합력이 소실 또는 감소하여 어블레이션(ablation) 등을 일으켜 박리를 발생시키는 재료로 구성된다. 또한, 조사 광의 조사에 의해, 박리층에 포함되는 성분이 기체가 되어 방출되어 분리에 도달하는 경우와, 박리층이 광을 흡수하여 기체가 되어 그 증기가 방출되어 분리에 도달하는 경우가 있다.The peeling layer is made of a material that causes “intralayer peeling” or “interface peeling” by irradiated light such as a laser light. In other words, it is made of a material that, when irradiated with light of a certain intensity, the bonding force between atoms or molecules is lost or reduced, causing ablation or the like, resulting in peeling. In addition, there are cases where the components contained in the peeling layer become gas and are released by irradiation of the irradiated light, leading to separation, and there are cases where the peeling layer absorbs light and becomes a gas, and the vapor is released, leading to separation.

본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, 가공 기판의 치수를 지지 유리 기판의 치수보다 크게 하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 가공 기판과 지지 유리 기판을 적층할 때에, 양자의 중심 위치가 약간 이간한 경우에도, 지지 유리 기판으로부터 가공 기판의 가장자리부가 밀려나오기 어려워진다.In the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, it is preferable to make the size of the processing substrate larger than the size of the supporting glass substrate. Accordingly, when stacking the processed substrate and the support glass substrate, even if the center positions of the two are slightly spaced apart, it becomes difficult for the edge portion of the processed substrate to be pushed out from the support glass substrate.

본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법은 적층체를 반송하는 반송 공정을 더 구비하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 가공 처리의 처리 효율을 높일 수 있다. 또한, 「반송 공정」과 「가공 처리 공정」이란 반드시 별도로 행할 필요는 없고, 동시이어도 좋다.The method for manufacturing a semiconductor package of the present invention preferably further includes a transport process for transporting the laminate. Accordingly, the processing efficiency of processing can be increased. In addition, the “conveyance process” and “processing process” do not necessarily need to be performed separately, and may be performed simultaneously.

본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에 있어서, 가공 처리는 가공 기판의 일방의 표면에 배선하는 처리, 또는 가공 기판의 일방의 표면에 땜납 범프를 형성하는 처리가 바람직하다. 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는 이들의 처리시에 가공 기판이 치수 변화하기 어렵기 때문에, 이들의 공정을 적정하게 행할 수 있다.In the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, the processing is preferably a process of wiring on one surface of the processed substrate, or a treatment of forming a solder bump on one surface of the processed substrate. In the semiconductor package manufacturing method of the present invention, it is difficult for the processed substrate to change dimensions during these processes, so these processes can be performed appropriately.

가공 처리로서, 상기 이외에도, 가공 기판의 일방의 표면(통상, 지지 유리 기판과는 반대측의 표면)을 기계적으로 연마하는 처리, 가공 기판의 일방의 표면(통상, 지지 유리 기판과는 반대측의 표면)을 드라이 에칭하는 처리, 가공 기판의 일방의 표면(통상, 지지 유리 기판과는 반대측의 표면)을 습식 에칭하는 처리 중 어느 하나이어도 좋다. 또한, 본 발명의 반도체 패키지의 제조 방법에서는 가공 기판에 휨이 발생하기 어려움과 아울러, 적층체의 강성을 유지할 수 있다. 결과적으로, 상기 가공 처리를 적정하게 행할 수 있다.As a processing treatment, in addition to the above, a treatment of mechanically polishing one surface of the processing substrate (usually the surface on the opposite side from the supporting glass substrate), a treatment of mechanically polishing one surface of the processing substrate (usually the surface on the opposite side from the supporting glass substrate) It may be either a dry etching treatment or a wet etching treatment of one surface of the processed substrate (usually the surface on the opposite side to the support glass substrate). In addition, in the method for manufacturing a semiconductor package of the present invention, it is difficult for the processed substrate to bend and the rigidity of the laminate can be maintained. As a result, the above processing can be performed appropriately.

도면을 참작하면서, 본 발명을 더욱 설명한다.The present invention will be further explained with reference to the drawings.

도 1은 본 발명에 따른 적층체(1)의 일례를 나타내는 개념 사시도이다. 도 1에서는 적층체(1)는 지지 유리 기판(10)과 가공 기판(11)을 구비하고 있다. 지지 유리 기판(10)은 가공 기판(11)의 치수 변화를 방지하기 위해서, 가공 기판(11)에 점착되어 있다. 지지 유리 기판(10)과 가공 기판(11) 사이에는 박리층(12)과 접착층(13)이 배치되어 있다. 박리층(12)은 지지 유리 기판(10)과 접촉하고 있고, 접착층(13)은 가공 기판(11)과 접촉하고 있다.1 is a conceptual perspective view showing an example of a laminate 1 according to the present invention. In Fig. 1, the laminate 1 includes a support glass substrate 10 and a processed substrate 11. The support glass substrate 10 is adhered to the processed substrate 11 in order to prevent dimensional changes in the processed substrate 11. A peeling layer 12 and an adhesive layer 13 are disposed between the supporting glass substrate 10 and the processing substrate 11. The release layer 12 is in contact with the supporting glass substrate 10, and the adhesive layer 13 is in contact with the processed substrate 11.

도 1로부터 알 수 있는 바와 같이, 적층체(1)는 지지 유리 기판(10), 박리층(12), 접착층(13), 가공 기판(11)의 순으로 적층 배치되어 있다. 지지 유리 기판(10)의 형상은 가공 기판(11)에 따라 결정되지만, 도 1에서는 지지 유리 기판(10) 및 가공 기판(11)의 형상은 모두 대략 원판 형상이다. 박리층(12)은, 예를 들면 레이저를 조사함으로써 분해되는 수지를 사용할 수 있다. 또한, 레이저광을 효율적으로 흡수하여 열로 변환하는 물질을 수지에 첨가할 수도 있다. 예를 들면, 카본 블랙, 그래파이트분, 미립자 금속 분말, 염료, 안료 등이다. 박리층(12)은 플라즈마 CVD나 졸-겔법에 의한 스핀 코트 등에 의해 형성된다. 접착층(13)은 수지로 구성되어 있고, 예를 들면 각종 인쇄법, 잉크젯법, 스핀코트법, 롤코팅법 등에 의해 도포 형성된다. 또한, 자외선 경화형 테이프도 사용 가능하다. 접착층(13)은 박리층(12)에 의해 가공 기판(11)으로부터 지지 유리 기판(10)이 박리된 후, 용제 등에 의해 용해되고 제거된다. 자외선 경화형 테이프는 자외선을 조사한 후, 박리용 테이프에 의해 제거 가능하다.As can be seen from FIG. 1, the laminate 1 is arranged in a stacked manner in the order of the support glass substrate 10, the peeling layer 12, the adhesive layer 13, and the processed substrate 11. The shape of the supporting glass substrate 10 is determined depending on the processing substrate 11, but in FIG. 1, the shapes of the supporting glass substrate 10 and the processing substrate 11 are both approximately disk-shaped. The peeling layer 12 can be made of a resin that is decomposed by, for example, irradiating a laser. Additionally, a material that efficiently absorbs laser light and converts it into heat can be added to the resin. For example, carbon black, graphite powder, fine metal powder, dye, pigment, etc. The peeling layer 12 is formed by plasma CVD or spin coating using a sol-gel method. The adhesive layer 13 is made of resin, and is formed by applying, for example, various printing methods, inkjet methods, spin coating methods, roll coating methods, etc. Additionally, ultraviolet curable tapes can also be used. The adhesive layer 13 is dissolved and removed with a solvent or the like after the support glass substrate 10 is peeled from the processed substrate 11 by the peeling layer 12. Ultraviolet curing tape can be removed with a peeling tape after irradiating ultraviolet rays.

도 2는 팬 아웃형 WLP의 제조 공정을 나타내는 개념 단면도이다. 도 2(a)는 지지 부재(20)의 일방의 표면 상에 접착층(21)을 형성한 상태를 나타내고 있다. 필요에 따라서, 지지 부재(20)와 접착층(21) 사이에 박리층을 형성해도 좋다. 다음에, 도 2(b)에 나타내는 바와 같이 접착층(21) 상에 복수의 반도체칩(22)을 부착한다. 그 때, 반도체칩(22)의 액티브측의 면을 접착층(21)에 접촉시킨다. 다음에, 도 2(c)에 나타내는 바와 같이 반도체칩(22)을 수지의 밀봉재(23)로 몰드한다. 밀봉재(23)는 압축 성형 후의 치수 변화, 배선을 성형할 때의 치수 변화가 적은 재료가 사용된다. 계속해서, 도 2(d), (e)에 나타내는 바와 같이 지지 부재(20)로부터 반도체칩(22)이 몰드된 가공 기판(24)을 분리한 후, 접착층(25)을 통해서 지지 유리 기판(26)과 접착 고정시킨다. 그 때, 가공 기판(24)의 표면 내, 반도체칩(22)이 매입된 측의 표면과는 반대측의 표면이 지지 유리 기판(26)측에 배치된다. 이와 같이 하여, 적층체(27)를 얻을 수 있다. 또한, 필요에 따라서, 접착층(25)과 지지 유리 기판(26) 사이에 박리층을 형성해도 좋다. 또한, 얻어진 적층체(27)를 반송한 후에, 도 2(f)에 나타내는 바와 같이 가공 기판(24)의 반도체칩(22)이 매입된 측의 표면에 배선(28)을 형성한 후, 복수의 땜납 범프(29)를 형성한다. 최후에, 지지 유리 기판(26)으로부터 가공 기판(24)을 분리한 후에, 가공 기판(24)을 반도체칩(22)마다 절단하고, 후의 패키징 공정에 제공된다. 또한, 지지 유리 기판(26)은 HCl 등에 의한 산 처리를 경과한 후에 재이용에 제공된다(도 2(g)).Figure 2 is a conceptual cross-sectional view showing the manufacturing process of a fan-out type WLP. FIG. 2(a) shows a state in which the adhesive layer 21 is formed on one surface of the support member 20. If necessary, a peeling layer may be formed between the support member 20 and the adhesive layer 21. Next, as shown in FIG. 2(b), a plurality of semiconductor chips 22 are attached to the adhesive layer 21. At that time, the active side surface of the semiconductor chip 22 is brought into contact with the adhesive layer 21. Next, as shown in FIG. 2(c), the semiconductor chip 22 is molded with the resin sealant 23. The sealing material 23 is made of a material that has little dimensional change after compression molding or when forming the wiring. Subsequently, as shown in FIGS. 2(d) and 2(e), after separating the processed substrate 24 on which the semiconductor chip 22 is molded from the support member 20, the support glass substrate ( 26) and fix it by adhesive. At that time, within the surface of the processed substrate 24, the surface on the opposite side to the surface on which the semiconductor chip 22 is embedded is disposed on the support glass substrate 26 side. In this way, the laminate 27 can be obtained. Additionally, if necessary, a peeling layer may be formed between the adhesive layer 25 and the support glass substrate 26. In addition, after transporting the obtained laminate 27, as shown in FIG. 2(f), wiring 28 is formed on the surface of the processed substrate 24 on the side where the semiconductor chip 22 is embedded, and then A solder bump 29 is formed. Finally, after the processed substrate 24 is separated from the support glass substrate 26, the processed substrate 24 is cut into semiconductor chips 22 and provided to the subsequent packaging process. Additionally, the supporting glass substrate 26 is provided for reuse after acid treatment with HCl or the like (FIG. 2(g)).

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의거하여 설명한다. 또한, 이하의 실시예는 단순한 예시이다. 본 발명은 이하의 실시예에 조금도 한정되지 않는다.Hereinafter, the present invention will be explained based on examples. Additionally, the following examples are mere examples. The present invention is not limited in any way to the following examples.

표 1, 2는 본 발명의 실시예(시료 No.1~7, 9~22)와 비교예(시료 No.8)를 나타내고 있다.Tables 1 and 2 show examples (samples No. 1 to 7, 9 to 22) and comparative examples (sample No. 8) of the present invention.

Figure 112018050799519-pct00001
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Figure 112018050799519-pct00002
Figure 112018050799519-pct00002

다음과 같이 하여, 시료 No.1~7을 제작했다. 우선, 유리 조성으로서 질량%로 SiO2 65.6%, Al2O3 8.0%, B2O3 9.1%, Na2O 12.8%, CaO 3.2%, ZnO 0.9%, SnO2 0.3%, Sb2O3 0.1%를 함유하도록 유리 원료를 조합, 혼합하고 유리 배치를 얻은 후, 유리 용융로에 공급하여 1550℃에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융 유리를 청징, 교반한 후에, 오버플로우 다운드로우법의 성형 장치에 공급하여 판 두께가 0.7㎜가 되도록 성형했다. 그 후에, 얻어진 유리 기판을 직사각형 형상으로 절단했다. 또한, 얻어진 유리 기판에 대해서, ASTM C336에 기재된 방법에 의해 스트레인점을 측정한 바, 519℃이었다.Samples No. 1 to 7 were produced as follows. First, the glass composition in mass% is SiO 2 65.6%, Al 2 O 3 8.0%, B 2 O 3 9.1%, Na 2 O 12.8%, CaO 3.2%, ZnO 0.9%, SnO 2 0.3%, Sb 2 O 3 After combining and mixing glass raw materials to contain 0.1% to obtain a glass batch, it is supplied to a glass melting furnace and melted at 1550°C. The obtained molten glass is then clarified and stirred, and then supplied to a molding device using the overflow down-draw method. It was molded so that the plate thickness was 0.7 mm. After that, the obtained glass substrate was cut into a rectangular shape. In addition, the strain point of the obtained glass substrate was measured by the method described in ASTM C336 and was found to be 519°C.

계속해서, 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 유리 기판을 적재하고, 이 유리 기판 상에 내열 기판을 더 적재한 후, 이것을 전기로에 투입했다. 다음에, 표 중에 기재된 최고 온도까지 전기로 내를 승온시키고, 그 최고 온도에 있어서 표 중에 기재된 시간에서 유지한 후, 표 중에 기재된 강온 속도로 전기로 내를 강온했다.Next, a setter for heat treatment larger than the size of the glass substrate was prepared, the molded glass substrate was placed on the setter for heat treatment, and a heat-resistant substrate was further placed on this glass substrate, and then placed into an electric furnace. Next, the temperature inside the electric furnace was raised to the maximum temperature shown in the table, the maximum temperature was maintained for the time shown in the table, and then the inside of the electric furnace was lowered at the temperature reduction rate shown in the table.

열처리 후의 유리 기판에 대해서, 온도 범위 20~220℃에 있어서의 평균 선열팽창계수와 온도 범위 30~380℃에 있어서의 평균 선열팽창계수를 딜라토미터(NETZSCH Japan K.K. 제작 DIL402C)로 측정했다. 또한, 시료 No.8은 상기 열처리를 행하지 않은 성형 후의 유리 기판을 나타내고 있다.For the glass substrate after heat treatment, the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 220 ° C. and the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. were measured with a dilatometer (DIL402C manufactured by NETZSCH Japan K.K.). Additionally, sample No. 8 represents a glass substrate after molding without the above heat treatment.

또한, 열처리 후의 유리 기판에 대해서, 아르키메데스법에 의해 밀도를 측정했다.Additionally, the density of the glass substrate after heat treatment was measured by the Archimedes method.

표 1로부터 명백한 바와 같이, 시료 No.1~7은 소정의 열처리에 의해 열팽창계수의 저하가 확인되었다. 이들의 데이터를 이용하여 열처리 조건을 적당히 조정하면, 성형 후의 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 변동시키는 것이 가능하다. 또한, 시료 No.1~7은 소정의 열처리에 의해 밀도의 상승이 확인되었다. 따라서, 열처리 조건을 적당히 조정하면, 성형 후의 유리 기판의 밀도를 목표값으로 변동시키는 것도 가능하다.As is clear from Table 1, a decrease in the thermal expansion coefficient of Samples No. 1 to 7 was confirmed due to the predetermined heat treatment. By appropriately adjusting the heat treatment conditions using these data, it is possible to change the thermal expansion coefficient of the glass substrate after molding to the target value. In addition, it was confirmed that the density of samples No. 1 to 7 increased due to predetermined heat treatment. Therefore, by appropriately adjusting the heat treatment conditions, it is possible to change the density of the glass substrate after molding to the target value.

다음과 같이 하여, 시료 No.9, 10을 제작했다. 우선, 유리 조성으로서 질량%로 SiO2 61.7%, Al2O3 18.0%, B2O3 0.5%, Na2O 14.5%, K2O 2.0%, MgO 3.0%, SnO2 0.3%를 함유하도록 유리 원료를 조합, 혼합하고 유리 배치를 얻은 후, 유리 용융로에 공급하여 1600℃에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융 유리를 청징, 교반한 후에, 오버플로우 다운드로우법의 성형 장치에 공급하여 판 두께가 1.1㎜가 되도록 성형했다. 그 후에, 얻어진 유리 기판을 직사각형 형상으로 절단했다. 또한, 얻어진 유리 기판에 대해서, ASTM C336에 기재된 방법에 의해 스트레인점을 측정한 바, 567℃이었다.Samples No. 9 and 10 were produced as follows. First, the glass composition contains 61.7% by mass, 18.0% of Al 2 O 3 , 0.5% of B 2 O 3 , 14.5% of Na 2 O, 2.0% of K 2 O , 3.0% of MgO, and 0.3% of SnO 2 After combining and mixing the glass raw materials to obtain a glass batch, it is supplied to a glass melting furnace and melted at 1600°C. The obtained molten glass is then clarified and stirred, and then supplied to a molding device using the overflow down-draw method to obtain a sheet thickness of 1.1. It was molded to be ㎜. After that, the obtained glass substrate was cut into a rectangular shape. Additionally, the strain point of the obtained glass substrate was measured by the method described in ASTM C336 and was found to be 567°C.

계속해서, 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 유리 기판을 적재하고, 이 유리 기판 상에 내열 기판을 더 적재한 후, 이것을 전기로에 투입했다. 다음에, 표 중에 기재된 최고 온도까지 전기로 내를 승온하고, 그 최고 온도에 있어서 표 중에 기재된 시간으로 유지한 후, 표 중에 기재된 강온 속도로 전기로 내를 강온했다.Next, a setter for heat treatment larger than the size of the glass substrate was prepared, the molded glass substrate was placed on the setter for heat treatment, and a heat-resistant substrate was further placed on this glass substrate, and then placed into an electric furnace. Next, the temperature inside the electric furnace was raised to the maximum temperature shown in the table, the maximum temperature was maintained for the time shown in the table, and then the temperature inside the electric furnace was lowered at the temperature reduction rate shown in the table.

열처리 후의 유리 기판에 대해서, 온도 범위 20~220℃에 있어서의 평균 선열팽창계수와 온도 범위 30~380℃에 있어서의 평균 선열팽창계수를 딜라토미터(NETZSCH Japan K.K. 제작 DIL402C)로 측정했다.For the glass substrate after heat treatment, the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 220 ° C. and the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. were measured with a dilatometer (DIL402C manufactured by NETZSCH Japan K.K.).

표 2로부터 명백한 바와 같이, 시료 No.9, 10은 열처리 조건을 적당히 조정하면, 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 변동시키는 것이 가능하다.As is clear from Table 2, it is possible to change the thermal expansion coefficient of the glass substrate to the target value for samples No. 9 and 10 by appropriately adjusting the heat treatment conditions.

다음과 같이 하여, 시료 No.11, 12를 제작했다. 우선, 질량%로 SiO2 56.2%, Al2O3 13.0%, B2O3 2.0%, Na2O 14.5%, K2O 4.9%, MgO 2.0%, CaO 2.0%, ZrO2 4.0% SnO2 0.35%, Sb2O3 0.05%, CeO2 1.0%를 함유하도록 유리 원료를 조합, 혼합하고 유리 배치를 얻은 후, 유리 용융로에 공급하여 1600℃에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융 유리를 청징, 교반한 후에, 오버플로우 다운드로우법의 성형 장치에 공급하여 판 두께가 1.1㎜가 되도록 성형했다. 그 후에, 얻어진 유리 기판을 직사각형 형상으로 절단했다. 또한, 얻어진 유리 기판에 대해서, ASTM C336에 기재된 방법에 의해 스트레인점을 측정한 바, 558℃이었다.Samples No. 11 and 12 were produced as follows. First, in mass%, SiO 2 56.2%, Al 2 O 3 13.0%, B 2 O 3 2.0%, Na 2 O 14.5%, K 2 O 4.9%, MgO 2.0%, CaO 2.0%, ZrO 2 4.0% SnO 2 After combining and mixing glass raw materials to contain 0.35%, Sb 2 O 3 0.05%, and CeO 2 1.0% to obtain a glass batch, it is supplied to a glass melting furnace and melted at 1600°C, and the obtained molten glass is then clarified and stirred. Later, it was supplied to a molding device using the overflow down-draw method and molded so that the plate thickness was 1.1 mm. After that, the obtained glass substrate was cut into a rectangular shape. Additionally, the strain point of the obtained glass substrate was measured by the method described in ASTM C336, and it was found to be 558°C.

계속해서, 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 유리 기판을 적재하고, 이 유리 기판 상에 내열 기판을 더 적재한 후, 이것을 전기로에 투입했다. 다음에, 표 중에 기재된 최고 온도까지 전기로 내를 승온하고, 그 최고 온도에 있어서 표 중에 기재된 시간으로 유지한 후, 표 중에 기재된 강온 속도로 전기로 내를 강온했다.Next, a setter for heat treatment larger than the size of the glass substrate was prepared, the molded glass substrate was placed on the setter for heat treatment, and a heat-resistant substrate was further placed on this glass substrate, and then placed into an electric furnace. Next, the temperature inside the electric furnace was raised to the maximum temperature shown in the table, the maximum temperature was maintained for the time shown in the table, and then the temperature inside the electric furnace was lowered at the temperature reduction rate shown in the table.

열처리 후의 유리 기판에 대해서, 온도 범위 20~220℃에 있어서의 평균 선열팽창계수와 온도 범위 30~380℃에 있어서의 평균 선열팽창계수를 딜라토미터(NETZSCH Japan K.K. 제작 DIL402C)로 측정했다.For the glass substrate after heat treatment, the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 220 ° C. and the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. were measured with a dilatometer (DIL402C manufactured by NETZSCH Japan K.K.).

표 2로부터 명백한 바와 같이, 시료 No.11, 12는 열처리 조건을 적당히 조정하면, 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 변동시키는 것이 가능하다.As is clear from Table 2, it is possible to change the thermal expansion coefficient of the glass substrate to the target value for Samples No. 11 and 12 by appropriately adjusting the heat treatment conditions.

다음과 같이 하여, 시료 No.13, 14를 제작했다. 우선, 질량%로 SiO2 60.4%, Al2O3 10.7%, Na2O 15.5%, K2O 8.8%, MgO 1.7%, CaO 2.6%, Sb2O3 0.3%를 함유하도록 유리 원료를 조합, 혼합하고 유리 배치를 얻은 후, 유리 용융로에 공급하여 1400℃에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융 유리를 청징, 교반한 후에, 오버플로우 다운드로우법의 성형 장치에 공급하여 판 두께가 1.1㎜가 되도록 성형했다. 그 후에, 얻어진 유리 기판을 직사각형 형상으로 절단했다. 또한, 얻어진 유리 기판에 대해서, ASTM C336에 기재된 방법에 의해 스트레인점을 측정한 바, 452℃이었다.Samples No. 13 and 14 were produced as follows. First, in mass%, SiO 2 60.4%, Al 2 O 3 10.7%, Na 2 O 15.5%, K 2 O 8.8%, MgO 1.7%, CaO 2.6%, Sb 2 O 3 After combining and mixing the glass raw materials to contain 0.3% to obtain a glass batch, it is supplied to a glass melting furnace and melted at 1400°C. The obtained molten glass is then clarified and stirred, and then supplied to a molding device using the overflow down-draw method. It was molded so that the plate thickness was 1.1 mm. After that, the obtained glass substrate was cut into a rectangular shape. Additionally, the strain point of the obtained glass substrate was measured by the method described in ASTM C336 and was found to be 452°C.

계속해서, 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 유리 기판을 적재하고, 이 유리 기판 상에 내열 기판을 더 적재한 후, 이것을 전기로에 투입했다. 다음에, 표 중에 기재된 최고 온도까지 전기로 내를 승온하고, 그 최고 온도에 있어서 표 중에 기재된 시간으로 유지한 후 표 중에 기재된 강온 속도로 전기로 내를 강온했다.Next, a setter for heat treatment larger than the size of the glass substrate was prepared, the molded glass substrate was placed on the setter for heat treatment, and a heat-resistant substrate was further placed on this glass substrate, and then placed into an electric furnace. Next, the temperature inside the electric furnace was raised to the maximum temperature shown in the table, the maximum temperature was maintained for the time shown in the table, and then the inside of the electric furnace was lowered at the temperature reduction rate shown in the table.

열처리 후의 유리 기판에 대해서, 온도 범위 20~220℃에 있어서의 평균 선열팽창계수와 온도 범위 30~380℃에 있어서의 평균 선열팽창계수를 딜라토미터(NETZSCH Japan K.K. 제작 DIL402C)로 측정했다.For the glass substrate after heat treatment, the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 220 ° C. and the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. were measured with a dilatometer (DIL402C manufactured by NETZSCH Japan K.K.).

표 2로부터 명백한 바와 같이, 시료 No.13, 14는 열처리 조건을 적당히 조정하면, 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 변동시키는 것이 가능하다.As is clear from Table 2, it is possible to change the thermal expansion coefficient of the glass substrate to the target value for Samples No. 13 and 14 by appropriately adjusting the heat treatment conditions.

다음과 같이 하여, 시료 No.15, 16을 제작했다. 우선, 질량%로 SiO2 60.4%, Al2O3 8.7%, Na2O 13.6%, K2O 12.7%, MgO 1.6%, CaO 2.5%, Sb2O3 0.2%, SnO2 0.3%를 함유하도록 유리 원료를 조합, 혼합하고 유리 배치를 얻은 후, 유리 용융로에 공급하여 1350℃에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융 유리를 청징, 교반한 후에, 오버플로우 다운드로우법의 성형 장치에 공급하여 판 두께가 1.1㎜가 되도록 성형했다. 그 후에, 얻어진 유리 기판을 직사각형 형상으로 절단했다. 또한, 얻어진 유리 기판에 대해서, ASTM C336에 기재된 방법에 의해 스트레인점을 측정한 바, 445℃이었다.Samples No. 15 and 16 were produced as follows. First, it contains 60.4% by mass of SiO 2 , 8.7% of Al 2 O 3 , 13.6% of Na 2 O, 12.7% of K 2 O, 1.6% of MgO, 2.5% of CaO, 0.2% of Sb 2 O 3 , and 0.3% of SnO 2 After combining and mixing the glass raw materials to obtain a glass batch, it is supplied to a glass melting furnace and melted at 1350°C. The obtained molten glass is then clarified and stirred, and then supplied to a molding device using the overflow down-draw method to reduce the sheet thickness. It was molded to 1.1 mm. After that, the obtained glass substrate was cut into a rectangular shape. Additionally, the strain point of the obtained glass substrate was measured by the method described in ASTM C336 and was found to be 445°C.

계속해서, 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 유리 기판을 적재하고, 이 유리 기판 상에 내열 기판을 더 적재한 후, 이것을 전기로에 투입했다. 다음에, 표 중에 기재된 최고 온도까지 전기로 내를 승온하고, 그 최고 온도에 있어서 표 중에 기재된 시간으로 유지한 후, 표 중에 기재된 강온 속도로 전기로 내를 강온했다.Next, a setter for heat treatment larger than the size of the glass substrate was prepared, the molded glass substrate was placed on the setter for heat treatment, and a heat-resistant substrate was further placed on this glass substrate, and then placed into an electric furnace. Next, the temperature inside the electric furnace was raised to the maximum temperature shown in the table, the maximum temperature was maintained for the time shown in the table, and then the temperature inside the electric furnace was lowered at the temperature reduction rate shown in the table.

열처리 후의 유리 기판에 대해서, 온도 범위 20~220℃에 있어서의 평균 선열팽창계수와 온도 범위 30~380℃에 있어서의 평균 선열팽창계수를 딜라토미터(NETZSCH Japan K.K. 제작 DIL402C)로 측정했다.For the glass substrate after heat treatment, the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 220 ° C. and the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. were measured with a dilatometer (DIL402C manufactured by NETZSCH Japan K.K.).

표 2로부터 명백한 바와 같이, 시료 No.15, 16은 열처리 조건을 적당히 조정하면, 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 변동시키는 것이 가능하다.As is clear from Table 2, it is possible to change the thermal expansion coefficient of the glass substrate to the target value for Samples No. 15 and 16 by appropriately adjusting the heat treatment conditions.

다음과 같이 하여, 시료 No.17, 18을 제작했다. 우선, 질량%로 SiO2 66.1%, Al2O3 8.5%, B2O3 12.4%, Na2O 8.4%, CaO 3.3%, ZnO 1.0%, SnO2 0.3%를 함유하도록 유리 원료를 조합, 혼합하고 유리 배치를 얻은 후, 유리 용융로에 공급하여 1500℃에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융 유리를 청징, 교반한 후에, 오버플로우 다운드로우법의 성형 장치에 공급하여 판 두께가 1.1㎜가 되도록 성형했다. 그 후에, 얻어진 유리 기판을 직사각형 형상으로 절단했다. 또한, 얻어진 유리 기판에 대해서, ASTM C336에 기재된 방법에 의해 스트레인점을 측정한 바, 532℃이었다.Samples No. 17 and 18 were produced as follows. First, the glass raw materials were combined to contain 66.1% by mass of SiO 2 , 8.5% of Al 2 O 3 , 12.4% of B 2 O 3 , 8.4% of Na 2 O, 3.3% of CaO, 1.0% of ZnO, and 0.3% of SnO 2 . After mixing and obtaining a glass batch, it was supplied to a glass melting furnace and melted at 1500°C. The obtained molten glass was then clarified and stirred, and then supplied to a molding device using the overflow down-draw method to form the glass so that the sheet thickness was 1.1 mm. . After that, the obtained glass substrate was cut into a rectangular shape. Additionally, the strain point of the obtained glass substrate was measured by the method described in ASTM C336 and was found to be 532°C.

계속해서, 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 유리 기판을 적재하고, 이 유리 기판 상에 내열 기판을 더 적재한 후, 이것을 전기로에 투입했다. 다음에, 표 중에 기재된 최고 온도까지 전기로 내를 승온하고, 그 최고 온도에 있어서 표 중에 기재된 시간으로 유지한 후, 표 중에 기재된 강온 속도로 전기로 내를 강온했다.Next, a setter for heat treatment larger than the size of the glass substrate was prepared, the molded glass substrate was placed on the setter for heat treatment, and a heat-resistant substrate was further placed on this glass substrate, and then placed into an electric furnace. Next, the temperature inside the electric furnace was raised to the maximum temperature shown in the table, the maximum temperature was maintained for the time shown in the table, and then the temperature inside the electric furnace was lowered at the temperature reduction rate shown in the table.

열처리 후의 유리 기판에 대해서, 온도 범위 20~220℃에 있어서의 평균 선열팽창계수와 온도 범위 30~380℃에 있어서의 평균 선열팽창계수를 딜라토미터(NETZSCH Japan K.K. 제작 DIL402C)로 측정했다.For the glass substrate after heat treatment, the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 220 ° C. and the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. were measured with a dilatometer (DIL402C manufactured by NETZSCH Japan K.K.).

표 2로부터 명백한 바와 같이, 시료 No.17, 18은 열처리 조건을 적당히 조정하면, 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 변동시키는 것이 가능하다.As is clear from Table 2, it is possible to change the thermal expansion coefficient of the glass substrate to the target value for Samples No. 17 and 18 by appropriately adjusting the heat treatment conditions.

다음과 같이 하여, 시료 No.19, 20을 제작했다. 우선, 질량%로 SiO2 58.1%, Al2O3 13.0%, Li2O 0.1%, Na2O 14.5%, K2O 5.5%, MgO 2.0%, CaO 2.0%, ZrO2 4.5%, SnO2 0.3%를 함유하도록 유리 원료를 조합, 혼합하고 유리 배치를 얻은 후, 유리 용융로에 공급하여 1500℃에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융 유리를 청징, 교반한 후에, 오버플로우 다운드로우법의 성형 장치에 공급하여 판 두께가 0.7㎜가 되도록 성형했다. 그 후에, 얻어진 유리 기판을 직사각형 형상으로 절단했다. 또한, 얻어진 유리 기판에 대해서, ASTM C336에 기재된 방법에 의해 스트레인점을 측정한 바, 517℃이었다.Samples No. 19 and 20 were produced as follows. First, in mass%, SiO 2 58.1%, Al 2 O 3 13.0%, Li 2 O 0.1%, Na 2 O 14.5%, K 2 O 5.5%, MgO 2.0%, CaO 2.0%, ZrO 2 4.5%, SnO 2 After combining and mixing glass raw materials to contain 0.3% to obtain a glass batch, it is supplied to a glass melting furnace and melted at 1500°C. The obtained molten glass is then clarified and stirred, and then supplied to a molding device using the overflow down-draw method. It was molded so that the plate thickness was 0.7 mm. After that, the obtained glass substrate was cut into a rectangular shape. Additionally, the strain point of the obtained glass substrate was measured by the method described in ASTM C336 and was found to be 517°C.

계속해서, 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 유리 기판을 적재하고, 이 유리 기판 상에 내열 기판을 더 적재한 후, 이것을 전기로에 투입했다. 다음에, 표 중에 기재된 최고 온도까지 전기로 내를 승온하고, 그 최고 온도에 있어서 표 중에 기재된 시간으로 유지한 후, 표 중에 기재된 강온 속도로 전기로 내를 강온했다.Next, a setter for heat treatment larger than the size of the glass substrate was prepared, the molded glass substrate was placed on the setter for heat treatment, and a heat-resistant substrate was further placed on this glass substrate, and then placed into an electric furnace. Next, the temperature inside the electric furnace was raised to the maximum temperature shown in the table, the maximum temperature was maintained for the time shown in the table, and then the temperature inside the electric furnace was lowered at the temperature reduction rate shown in the table.

열처리 후의 유리 기판에 대해서, 온도 범위 20~220℃에 있어서의 평균 선열팽창계수와 온도 범위 30~380℃에 있어서의 평균 선열팽창계수를 딜라토미터(NETZSCH Japan K.K. 제작 DIL402C)로 측정했다.For the glass substrate after heat treatment, the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 220 ° C. and the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. were measured with a dilatometer (DIL402C manufactured by NETZSCH Japan K.K.).

표 2로부터 명백한 바와 같이, 시료 No.19, 20은 열처리 조건을 적당히 조정하면, 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 변동시키는 것이 가능하다.As is clear from Table 2, it is possible to change the thermal expansion coefficient of the glass substrate to the target value for Samples No. 19 and 20 by appropriately adjusting the heat treatment conditions.

다음과 같이 하여, 시료 No.21, 22를 제작했다. 우선, 질량%로 SiO2 47.5%, Al2O3 23.0%, P2O5 13.1%, Na2O 14.7%, MgO 1.5%, SnO2 0.2%를 함유하도록 유리 원료를 조합, 혼합하고 유리 배치를 얻은 후, 유리 용융로에 공급하여 1500℃에서 용융하고, 이어서 얻어진 용융 유리를 청징, 교반한 후에, 오버플로우 다운드로우법의 성형 장치에 공급하여 판 두께가 0.7㎜가 되도록 성형했다. 그 후에, 얻어진 유리 기판을 직사각형 형상으로 절단했다. 또한, 얻어진 유리 기판에 대해서, ASTM C336에 기재된 방법에 의해 스트레인점을 측정한 바, 595℃이었다.Samples No. 21 and 22 were produced as follows. First, the glass raw materials are combined and mixed to contain 47.5% by mass, 23.0% of Al 2 O 3 , 13.1% of P 2 O 5 , 14.7% of Na 2 O , 1.5% of MgO, and 0.2% of SnO 2 , and the glass is placed. After obtaining, it was supplied to a glass melting furnace and melted at 1500°C. The obtained molten glass was then clarified and stirred, and then supplied to a molding device using the overflow down-draw method to form the glass so that the sheet thickness was 0.7 mm. After that, the obtained glass substrate was cut into a rectangular shape. Additionally, the strain point of the obtained glass substrate was measured by the method described in ASTM C336, and it was found to be 595°C.

계속해서, 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 유리 기판을 적재하고, 이 유리 기판 상에 내열 기판을 더 적재한 후, 이것을 전기로에 투입했다. 다음에, 표 중에 기재된 최고 온도까지 전기로 내를 승온하고, 그 최고 온도에 있어서 표 중에 기재된 시간으로 유지한 후 표 중에 기재된 강온 속도로 전기로 내를 강온했다.Next, a setter for heat treatment larger than the size of the glass substrate was prepared, the molded glass substrate was placed on the setter for heat treatment, and a heat-resistant substrate was further placed on this glass substrate, and then placed into an electric furnace. Next, the temperature inside the electric furnace was raised to the maximum temperature shown in the table, the maximum temperature was maintained for the time shown in the table, and then the inside of the electric furnace was lowered at the temperature reduction rate shown in the table.

열처리 후의 유리 기판에 대해서, 온도 범위 20~220℃에 있어서의 평균 선열팽창계수와 온도 범위 30~380℃에 있어서의 평균 선열팽창계수를 딜라토미터(NETZSCH Japan K.K. 제작 DIL402C)로 측정했다.For the glass substrate after heat treatment, the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 20 to 220 ° C. and the average coefficient of linear thermal expansion in the temperature range of 30 to 380 ° C. were measured with a dilatometer (DIL402C manufactured by NETZSCH Japan K.K.).

표 2로부터 명백한 바와 같이, 시료 No.21, 22는 열처리 조건을 적당히 조정하면, 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 변동시키는 것이 가능하다.As is clear from Table 2, it is possible to change the thermal expansion coefficient of the glass substrate to the target value for Samples No. 21 and 22 by appropriately adjusting the heat treatment conditions.

표 1, 2로부터 명백한 바와 같이, 열처리 조건을 적당히 조정하면, 각종 유리 조성을 갖는 유리 기판의 열팽창계수를 목표값으로 변동시키는 것이 가능하다.As is clear from Tables 1 and 2, by appropriately adjusting the heat treatment conditions, it is possible to change the thermal expansion coefficient of glass substrates with various glass compositions to the target value.

또한, 열처리 후의 각종 유리 기판(시료 No.1~7, 9~22: 전체 판 두께 편차 약 4.0㎛)을 φ300㎜으로 도려낸 후, 유리 기판의 양표면을 연마 장치에 의해 연마 처리했다. 구체적으로는, 유리 기판의 양표면을 외경이 상위하는 한 쌍의 연마 패드에 끼워넣고, 유리 기판과 한 쌍의 연마 패드를 함께 회전시키면서 유리 기판의 양표면을 연마 처리했다. 연마 처리시, 때때로 유리 기판의 일부가 연마 패드로부터 밀려나오도록 제어했다. 또한, 연마 패드를 우레탄제, 연마 처리시에 사용한 연마 슬러리의 평균 입경을 2.5㎛, 연마 속도를 15m/분으로 했다. 얻어진 각 연마 완료 유리 기판에 대해서, Kobelco Research Institute, Inc. 제작의 Bow/Warp 측정 장치 SBW-331ML/d에 의해 전체 판 두께 편차와 휨량을 측정했다. 그 결과, 전체 판 두께 편차가 각각 1.0㎛ 미만이고, 휨량이 각각 35㎛ 이하이었다.Additionally, after heat treatment, various glass substrates (samples No. 1 to 7, 9 to 22: total plate thickness deviation of about 4.0 μm) were cut out to ϕ300 mm, and then both surfaces of the glass substrates were polished using a polishing device. Specifically, both surfaces of the glass substrate were sandwiched between a pair of polishing pads with different outer diameters, and both surfaces of the glass substrate were polished while rotating the glass substrate and the pair of polishing pads together. During the polishing process, a portion of the glass substrate was sometimes controlled to be pushed out from the polishing pad. Additionally, the polishing pad was made of urethane, the average particle size of the polishing slurry used during the polishing treatment was 2.5 μm, and the polishing speed was 15 m/min. For each polished glass substrate obtained, Kobelco Research Institute, Inc. The overall plate thickness deviation and warpage were measured using the manufacturing Bow/Warp measuring device SBW-331ML/d. As a result, the total plate thickness deviation was less than 1.0 μm, and the amount of warpage was less than 35 μm.

1, 27 적층체 10, 26 지지 유리 기판
11, 24 가공 기판 12 박리층
13, 21, 25 접착층 20 지지 부재
22 반도체칩 23 밀봉재
28 배선 29 땜납 범프1, 27 Laminate 10, 26 Support glass substrate
11, 24 processed substrate 12 peeling layer
13, 21, 25 Adhesive layer 20 Support member
22 Semiconductor chip 23 Sealing material
28 Wiring 29 Solder Bump

Claims (14)

가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판의 제조 방법에 있어서,
지지 유리 기판을 성형하는 성형 공정과, 성형 후의 지지 유리 기판을 열처리하여 지지 유리 기판의 열팽창계수를 변동시킴과 아울러, 지지 유리 기판의 휨량을 저감하는 열처리 공정을 구비하고,
지지 유리 기판의 치수보다 큰 열처리용 세터를 준비하고, 그 열처리용 세터 상에 성형 후의 지지 유리 기판을 적재함과 아울러, 지지 유리 기판의 상방에 내열 기판을 배치함으로써 열처리 세터와 내열 기판으로 지지 유리 기판을 협지한 후, 열처리 공정에 제공하는 것을 특징으로 하는 지지 유리 기판의 제조 방법.In the method of manufacturing a support glass substrate for supporting a processed substrate,
A molding process for molding the support glass substrate, and a heat treatment step for heat treating the molded support glass substrate to change the coefficient of thermal expansion of the support glass substrate and reducing the amount of warpage of the support glass substrate,
Prepare a heat treatment setter larger than the size of the support glass substrate, place the molded support glass substrate on the heat treatment setter, and place a heat-resistant substrate above the support glass substrate to form a support glass substrate using the heat treatment setter and the heat-resistant substrate. A method of manufacturing a support glass substrate, characterized in that the support glass substrate is subjected to a heat treatment process after clamping. 제 1 항에 있어서,
성형 공정 후의 지지 유리 기판을 열처리하여 지지 유리 기판의 열팽창계수를 저하시키는 것을 특징으로 하는 지지 유리 기판의 제조 방법.According to claim 1,
A method of manufacturing a support glass substrate, characterized in that the support glass substrate after the molding process is heat treated to reduce the coefficient of thermal expansion of the support glass substrate. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
열처리의 최고 온도를 (지지 유리 기판의 스트레인점-100)℃보다 높게 하는 것을 특징으로 하는 지지 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 1 or 2,
A method of manufacturing a supported glass substrate, characterized in that the maximum temperature of the heat treatment is higher than (strain point of the supported glass substrate - 100)°C. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
열처리의 최고 온도에 도달한 후, 열처리 온도를 5℃/분 이하의 속도로 강온시키는 것을 특징으로 하는 지지 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 1 or 2,
A method of manufacturing a supported glass substrate, characterized in that, after reaching the maximum temperature of the heat treatment, the heat treatment temperature is lowered at a rate of 5 ° C./min or less. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
열처리에 의해 지지 유리 기판의 휨량을 40㎛ 이하로 저감시키는 것을 특징으로 하는 지지 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 1 or 2,
A method of manufacturing a supported glass substrate, characterized in that the amount of warpage of the supported glass substrate is reduced to 40 μm or less by heat treatment. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
판 두께가 400㎛ 이상 또한 2㎜ 미만이 되도록 지지 유리 기판을 성형하는 것을 특징으로 하는 지지 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 1 or 2,
A method of manufacturing a support glass substrate, characterized in that the support glass substrate is molded so that the plate thickness is 400 μm or more and less than 2 mm. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
오버플로우 다운드로우법에 의해 지지 유리 기판을 성형하는 것을 특징으로 하는 지지 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 1 or 2,
A method of manufacturing a supported glass substrate, characterized in that the supported glass substrate is formed by an overflow downdraw method. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
열처리 공정 후에, 지지 유리 기판의 표면을 연마하여 전체 판 두께 편차를 2.0㎛ 미만으로 저감시키는 연마 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 지지 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 1 or 2,
A method of manufacturing a supporting glass substrate, comprising a polishing process for polishing the surface of the supporting glass substrate after the heat treatment process to reduce the overall plate thickness deviation to less than 2.0 μm. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
열처리 공정 후에, 지지 유리 기판의 주변부를 절단 제거하는 절단 제거 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 지지 유리 기판의 제조 방법.The method of claim 1 or 2,
A method of manufacturing a supporting glass substrate, comprising a cutting and removing process for cutting and removing the peripheral portion of the supporting glass substrate after the heat treatment process. 적어도 가공 기판과 가공 기판을 지지하기 위한 지지 유리 기판을 구비하는 적층체를 제작하는 적층 공정과,
적층체의 가공 기판에 대하여, 가공 처리를 행하는 가공 처리 공정을 구비함과 아울러,
지지 유리 기판이 제 1 항에 기재된 지지 유리 기판의 제조 방법에 의해 제작되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.A lamination process for producing a laminate including at least a processed substrate and a support glass substrate for supporting the processed substrate;
In addition to providing a processing process for performing processing on the processed substrate of the laminate,
A method for manufacturing a semiconductor package, wherein the supporting glass substrate is manufactured by the method for manufacturing a supporting glass substrate according to claim 1. 제 10 항에 있어서,
가공 기판이 적어도 밀봉재로 몰드된 반도체칩을 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.According to claim 10,
A method of manufacturing a semiconductor package, wherein the processed substrate includes at least a semiconductor chip molded with a sealing material. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
가공 처리가 가공 기판의 일방의 표면에 배선하는 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 10 or 11,
A method of manufacturing a semiconductor package, wherein the processing includes wiring on one surface of a processing substrate. 제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
가공 처리가 가공 기판의 일방의 표면에 땜납 범프를 형성하는 처리를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조 방법.The method of claim 10 or 11,
A method of manufacturing a semiconductor package, wherein the processing includes forming a solder bump on one surface of a processing substrate. 삭제delete
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