KR102500563B1 - Composition for Forming a Substrate Protection Layer - Google Patents

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Abstract

기체 상에 수지 기판을 형성한 후, 상기 수지 기판을 박리하여 수지 기판을 제작할 때, 상기 기체와 수지 기판과의 사이에 개재하고, 상기 기체로부터의 이박리성을 가짐과 아울러, 박리 후의 수지 기판의 보호층으로서 기능하는 기판 보호층 형성용 조성물로서, 폴리아믹산과 유기 용매를 포함하는 기판 보호층 형성용 조성물을 제공한다. After forming the resin substrate on the substrate, when the resin substrate is peeled off to produce the resin substrate, the resin substrate after peeling is interposed between the substrate and the resin substrate and has easy releasability from the substrate. As a composition for forming a protective layer for a substrate that functions as a protective layer of, a composition for forming a protective layer for a substrate containing a polyamic acid and an organic solvent is provided.

Description

기판 보호층 형성용 조성물 Composition for Forming a Substrate Protection Layer

본 발명은 기판 보호층 형성용 조성물에 관한 것이다. The present invention relates to a composition for forming a substrate protective layer.

최근, 전자 디바이스에는 박형화 및 경량화라는 특성에 더해, 구부릴 수 있는 기능을 부여하는 것이 요구되고 있다. 이 점에서, 종래의 무겁고 취약하며 구부릴 수 없는 유리 기판을 대신하여, 경량의 플렉서블 플라스틱 기판을 사용하는 것이 요구된다. BACKGROUND ART [0002] In recent years, electronic devices have been required to have a bendable function in addition to thinning and lightening characteristics. In this regard, it is desired to use a lightweight, flexible plastic substrate in place of the conventional heavy, brittle, and unbendable glass substrate.

특히, 신세대 디스플레이에서는 경량의 플렉서블 플라스틱 기판(이하, 수지 기판이라고 표기한다)을 사용한 액티브 매트릭스형 풀 컬러 TFT 디스플레이 패널의 개발이 요구되고 있다. 이 신세대 디스플레이에 관한 기술은 플렉서블 디스플레이나, 플렉서블 스마트폰, 미러 디스플레이 등의 다양한 분야로의 전용이 기대되고 있다. In particular, in a new generation display, development of an active matrix type full color TFT display panel using a lightweight flexible plastic substrate (hereinafter referred to as a resin substrate) is required. Technology related to this new generation display is expected to be diverted to various fields such as flexible displays, flexible smartphones, and mirror displays.

그래서, 수지 필름을 기판으로 한 전자 디바이스의 제조 방법이 각종 검토되기 시작하여, 신세대 디스플레이에서는 기존의 TFT 디스플레이 패널 제조용의 설비가 전용 가능한 프로세스의 검토가 진행되고 있다. Then, various methods of manufacturing an electronic device using a resin film as a substrate have begun to be examined, and examination of a process in which existing facilities for manufacturing TFT display panels can be diverted is progressing in a new generation display.

예를 들면, 특허문헌 1, 2 및 3에서는 유리 기판 상에 아몰퍼스 실리콘 박막층을 형성하고, 그 박막층 상에 플라스틱 기판을 형성한 후, 유리 기판측으로부터 레이저를 조사하여 아몰퍼스 실리콘을 결정화시키고, 그 결정화에 따라 발생하는 수소 가스에 의해 플라스틱 기판을 유리 기판으로부터 박리하는 방법이 개시되어 있다. For example, in Patent Documents 1, 2 and 3, an amorphous silicon thin film layer is formed on a glass substrate, a plastic substrate is formed on the thin film layer, and then a laser is irradiated from the glass substrate side to crystallize the amorphous silicon, and the crystallization A method of peeling a plastic substrate from a glass substrate by hydrogen gas generated according to the method is disclosed.

또 특허문헌 4에서는 특허문헌 1~3에서 개시된 기술을 사용하여 피박리층(특허문헌 4에 있어서 「피전사층」이라고 기재되어 있다)을 플라스틱 필름에 첩부하여 액정 표시 장치를 완성시키는 방법이 개시되어 있다. In addition, Patent Document 4 discloses a method of completing a liquid crystal display device by attaching a layer to be peeled (referred to as "transferred layer" in Patent Document 4) to a plastic film using the technology disclosed in Patent Documents 1 to 3 has been

그러나, 특허문헌 1~4에서 개시된 방법, 특히 특허문헌 4에서 개시된 방법에서는 레이저광을 투과시키기 위해서 투광성이 높은 기판을 사용하는 것이 필수인 것, 기판을 통과시키고 또한 아몰퍼스 실리콘에 포함되는 수소를 방출시키기에 충분한 비교적 큰 에너지의 레이저광의 조사가 필요하게 되는 것, 레이저광의 조사에 의해 피박리층에 손상을 주어버리는 경우가 있는 것과 같은 문제가 있다. However, in the method disclosed in Patent Literatures 1 to 4, particularly in the method disclosed in Patent Literature 4, it is essential to use a substrate having high light transmission properties in order to transmit laser light, and hydrogen contained in amorphous silicon is released through the substrate. There are problems such as requiring irradiation with a laser beam having a relatively high energy enough to achieve this, and that the layer to be separated may be damaged by irradiation with the laser beam.

게다가 피박리층이 대면적인 경우에는 레이저 처리에 장시간을 요하기 때문에, 디바이스 제작의 생산성을 높이는 것이 어렵다. In addition, when the layer to be separated has a large area, it is difficult to increase the productivity of device fabrication because the laser treatment requires a long time.

이와 같은 문제를 해결하는 수단으로서, 특허문헌 5에서는 현행의 유리 기판을 기체(이하, 유리 기체라고 한다)로서 사용하고, 이 유리 기체 상에 환상 올레핀 코폴리머와 같은 폴리머를 사용하여 박리층을 형성하고, 그 박리층 상에 폴리이미드 필름 등의 내열 수지 필름(수지 기판)을 형성 후, 그 필름 상에 ITO 투명 전극이나 TFT 등을 진공 프로세스로 형성·밀봉 후, 최종적으로 유리 기체를 박리·제거하는 제조 공정이 채용되어 있다. As a means to solve such a problem, in Patent Document 5, a current glass substrate is used as a base (hereinafter referred to as a glass base), and a polymer such as a cyclic olefin copolymer is used on the glass base to form a release layer After forming a heat-resistant resin film (resin substrate) such as a polyimide film on the peeling layer, forming and sealing ITO transparent electrodes, TFTs, etc. on the film by a vacuum process, and finally peeling and removing the glass substrate. manufacturing process is employed.

그런데, 현재, TFT로서는 아몰퍼스 실리콘 TFT와 비교하여 이동도가 2배 빠른 저온 폴리실리콘 TFT가 사용되고 있다. 이 저온 폴리실리콘 TFT는 아몰퍼스 실리콘 증착 후, 400℃ 이상에서 탈수소 어닐을 행하고, 펄스 레이저를 조사하여, 실리콘을 결정화시킬 필요가 있는데(이하, 이들을 TFT 공정이라고 한다), 상기 탈수소 어닐 공정의 온도는 기존의 폴리머의 유리 전이 온도(이하 Tg) 이상이다. By the way, currently, low-temperature polysilicon TFTs are used as TFTs, which are twice as fast in mobility as compared to amorphous silicon TFTs. This low-temperature polysilicon TFT requires dehydrogenation annealing at 400° C. or higher after deposition of amorphous silicon, irradiation with a pulsed laser to crystallize silicon (hereinafter, these are referred to as TFT processes), and the temperature of the dehydrogenation annealing process is It is higher than the glass transition temperature (hereinafter referred to as Tg) of existing polymers.

그러나 기존의 폴리머는 Tg 이상의 온도로 가열된 경우, 밀착성이 높아지는 것이 알려져 있어(예를 들면, 특허문헌 6 참조), 가열 처리 후에 박리층과 기체 및 수지 기판과의 밀착성이 높아져, 수지 기판을 기체로부터 박리하는 것이 곤란하게 되는 일이 있었다. However, conventional polymers are known to have high adhesion when heated to a temperature higher than Tg (for example, see Patent Document 6), and after heat treatment, adhesion between the release layer and the substrate and the resin substrate increases, and the resin substrate is separated from the substrate. There was a case where it became difficult to peel from the .

또 이와 같은 공정에 적용 가능한 내열성 폴리머는 폴리이미드 등의 일부의 고내열성 고분자 화합물에 한정되는데, 일반적인 용제에 용해시킬 수 없다. 이 때문에, 상기 폴리이미드를 박리층에 사용한 경우, 수지 기판을 박리한 후에 유리 기체에 남겨진 박리층을 제거하고, 유리 기체를 재이용하는 것은 어려웠다. In addition, heat-resistant polymers applicable to such a process are limited to some highly heat-resistant polymer compounds such as polyimide, but cannot be dissolved in general solvents. For this reason, when the polyimide was used for the release layer, it was difficult to reuse the glass substrate by removing the release layer remaining in the glass substrate after peeling the resin substrate.

일본 특개 평10-125929호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-125929 일본 특개 평10-125931호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-125931 국제공개 제2005/050754호International Publication No. 2005/050754 일본 특개 평10-125930호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-125930 일본 특개 2010-111853호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2010-111853 일본 특개 2008-188792호 공보Japanese Unexamined Patent Publication No. 2008-188792

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 기체의 재이용을 용이하게 할 수 있음과 아울러, 플렉서블 전자 디바이스의 수지 기판과 함께 기체로부터 박리할 수 있고, 수지 기판에 손상을 주는 일도, 특성을 대폭 변화시키는 일도 없는 기판 보호층 형성용 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention has been made in view of the above circumstances, and in addition to making it easy to reuse the base, it can be separated from the base together with the resin substrate of the flexible electronic device, and even damaging the resin substrate, significantly changing the characteristics It is an object of the present invention to provide a composition for forming a protective layer for a substrate that is not required.

본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 거듭한 결과, 기체 상에 수지 기판을 형성한 후, 상기 수지 기판을 박리하여 수지 기판을 제작할 때, 상기 기체와 수지 기판과의 사이에 개재하고, 상기 기체로부터의 이박리성(易剝離性)을 가짐과 아울러, 박리 후의 수지 기판의 보호층으로서 기능하는 기판 보호층 형성용 조성물로서 폴리아믹산과 유기 용매를 포함하는 조성물을 사용함으로써, 기체와의 적절한 밀착성과 적절한 박리성, 및 플렉서블 전자 디바이스에 사용되는 수지 기판과의 우수한 밀착성을 가지는 기판 보호층을 형성할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성시켰다. As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventors have found that after forming a resin substrate on a substrate, when the resin substrate is peeled off to produce a resin substrate, interposed between the substrate and the resin substrate, By using a composition containing a polyamic acid and an organic solvent as a composition for forming a substrate protective layer that has easy releasability from the substrate and functions as a protective layer of a resin substrate after peeling, It was found that a substrate protective layer having appropriate adhesion, appropriate peelability, and excellent adhesion to a resin substrate used for flexible electronic devices could be formed, and the present invention was completed.

즉, 본 발명은 That is, the present invention

1. 기체 상에 수지 기판을 형성한 후, 상기 수지 기판과 함께 상기 수지 기판을 상기 기체로부터 박리할 때, 상기 기체와 상기 수지 기판과의 사이에 개재하고, 상기 기체로부터의 이박리성을 가짐과 아울러, 박리 후의 상기 수지 기판의 보호층으로서 기능하는 기판 보호층 형성용 조성물로서, 폴리아믹산과 유기 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 보호층 형성용 조성물, 1. After a resin substrate is formed on a substrate, when the resin substrate is separated from the substrate together with the resin substrate, it is interposed between the substrate and the resin substrate, and has easy separation from the substrate. In addition, a composition for forming a protective layer for a substrate that functions as a protective layer for the resin substrate after peeling, comprising a polyamic acid and an organic solvent;

2. 하기 식(1)으로 표시되는 폴리아믹산과 유기 용매를 포함하는 1의 기판 보호층 형성용 조성물, 2. A composition for forming a substrate protective layer of 1 containing a polyamic acid represented by the following formula (1) and an organic solvent,

Figure 112019068687582-pct00001
Figure 112019068687582-pct00001

(식 중, X는 하기 식(2)으로 표시되는 방향족기를 나타내고, Y는 불소 원자를 가지는 2가의 방향족기를 나타내고, n은 자연수를 나타낸다.) (In the formula, X represents an aromatic group represented by the following formula (2), Y represents a divalent aromatic group having a fluorine atom, and n represents a natural number.)

Figure 112019068687582-pct00002
Figure 112019068687582-pct00002

3. 상기 Y가 하기 식(3)으로 표시되는 방향족기인 2의 기판 보호층 형성용 조성물, 3. The composition for forming a substrate protective layer of 2, wherein Y is an aromatic group represented by the following formula (3),

Figure 112019068687582-pct00003
Figure 112019068687582-pct00003

4. 상기 Y가 하기 식(4)으로 표시되는 방향족기인 2 또는 3의 기판 보호층 형성용 조성물, 4. The composition for forming a substrate protective layer of 2 or 3, wherein Y is an aromatic group represented by the following formula (4),

Figure 112019068687582-pct00004
Figure 112019068687582-pct00004

5. 상기 유기 용매가 하기 식(S1)~(S7)으로 표시되는 구조를 가지는 것으로부터 선택되는 적어도 1종인 1 내지 4 중 어느 하나의 기판 보호층 형성용 조성물, 5. The composition for forming a substrate protective layer of any one of 1 to 4, wherein the organic solvent is at least one selected from those having structures represented by the following formulas (S1) to (S7);

Figure 112019068687582-pct00005
Figure 112019068687582-pct00005

(식 중, R1~R8은 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타내고, R9 및 R10은 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~10의 아실기를 나타내고, b 및 n은 자연수를 나타낸다) (Wherein, R 1 to R 8 independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R 10 are independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms) represents an acyl group of, and b and n represent natural numbers)

6. 상기 수지 기판 상에 추가로 전자 디바이스를 제작하고, 상기 수지 기판과 함께 전자 디바이스를 상기 기체로부터 박리할 때, 상기 기체로부터의 이박리성을 가짐과 아울러 박리 후의 수지 기판의 보호층으로서 기능하는 1의 기판 보호층 형성용 조성물, 6. When an electronic device is further produced on the resin substrate and the electronic device is peeled from the substrate together with the resin substrate, it has easy releasability from the substrate and functions as a protective layer of the resin substrate after peeling The composition for forming a substrate protective layer of 1,

7. 1 내지 6 중 어느 하나의 기판 보호층 형성용 조성물로부터 얻어지는 기판 보호층, 7. A substrate protective layer obtained from the composition for forming a substrate protective layer of any one of 1 to 6;

8. 기체 상에 6의 기판 보호층 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 상기 기체로부터의 이박리성을 가지는 기판 보호층을 형성하는 공정과, 8. A step of applying the composition for forming a substrate protective layer of 6 on a substrate and firing it at a maximum temperature of 500° C. or higher to form a substrate protective layer having easy releasability from the substrate;

이 기판 보호층 상에 수지 기판 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 수지 기판을 형성하는 공정과, A step of applying a composition for forming a resin substrate on the substrate protective layer and firing it at a maximum temperature of 500° C. or higher to form a resin substrate;

이 수지 기판 상에 전자 디바이스를 제작하는 공정과, A step of manufacturing an electronic device on the resin substrate;

상기 기체로부터 상기 기판 보호층 및 상기 수지 기판과 함께 상기 전자 디바이스를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법, A method for manufacturing a flexible electronic device comprising a step of peeling the electronic device together with the substrate protective layer and the resin substrate from the substrate;

9. 상기 수지 기판이 폴리이미드 수지 기판인 8의 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법, 9. The manufacturing method of the flexible electronic device of 8, wherein the resin substrate is a polyimide resin substrate;

10. 기체 상에 1 내지 5 중 어느 하나의 기판 보호층 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 기판 보호층을 형성한 후, 이 기판 보호층 상에 수지 기판 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 수지 기판을 형성한 후, 상기 수지 기판을 상기 기판 보호층과 함께 기체로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 보호층 부착 수지 기판의 제조 방법, 10. After applying the composition for forming a substrate protective layer of any one of 1 to 5 on a substrate and firing at a maximum temperature of 500 ° C or higher to form a substrate protective layer, the composition for forming a resin substrate is applied on the substrate protective layer A method for producing a resin substrate with a protective layer, characterized by applying and firing at a maximum temperature of 500° C. or higher to form a resin substrate, and then peeling the resin substrate together with the substrate protective layer from the substrate;

11. 상기 수지 기판이 폴리이미드 수지 기판인 10의 제조 방법 11. Manufacturing method of 10, wherein the resin substrate is a polyimide resin substrate

을 제공한다. provides

본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물을 사용함으로써, 기체와의 적절한 밀착성과 적절한 박리성 및 수지 기판과의 우수한 밀착성을 가지는 기판 보호층을 재현성 좋게 얻을 수 있다. 그 때문에, 본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물을 사용함으로써, 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 기체 상에 형성된 수지 기판이나, 추가로 그 위에 설치되는 회로 등에 손상을 주지 않고, 당해 회로 등과 함께 당해 수지 기판 및 기판 보호층을 당해 기체로부터 분리하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물은 기체의 재이용을 촉진시킬 수 있음과 아울러, 수지 기판을 구비하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스의 간편화나 그 수율 향상 등에 기여할 수 있다. By using the composition for forming a substrate protective layer of the present invention, a substrate protective layer having appropriate adhesion to a substrate, appropriate peelability, and excellent adhesion to a resin substrate can be obtained with good reproducibility. Therefore, in the manufacturing process of a flexible electronic device, by using the composition for forming a substrate protective layer of the present invention, without damaging the resin substrate formed on the substrate or the circuit further installed thereon, etc. together with the circuit etc. It becomes possible to separate the resin substrate and the substrate protective layer from the substrate. Therefore, the composition for forming a protective layer for a substrate of the present invention can promote reuse of a gas, and can contribute to simplifying a manufacturing process of a flexible electronic device having a resin substrate or improving its yield.

이하, 본 발명에 대해서 보다 상세하게 설명한다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail.

본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물은 폴리아믹산과 유기 용매를 포함한다. 여기서, 본 발명에 있어서의 기판 보호층은 소정의 목적으로 유리 기체 바로 위에 설치되는 층이며, 그 전형예로서는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 기체와, 폴리이미드와 같은 수지로 이루어지는 플렉서블 전자 디바이스의 수지 기판과의 사이에 당해 수지 기판을 소정의 프로세스 중에 있어서 고정하기 위해서 설치되는 층을 들 수 있다. 또한 이 기판 보호층은 상기 수지 기판 상에 전자 회로 등을 형성한 후에 있어서, 당해 수지 기판과 함께 당해 기체로부터 박리되는 점에 있어서 종래의 박리층과는 상이한 것이다. The composition for forming a substrate protective layer of the present invention includes polyamic acid and an organic solvent. Here, the substrate protective layer in the present invention is a layer provided directly on the glass substrate for a predetermined purpose, and as a typical example thereof, in the manufacturing process of a flexible electronic device, a substrate and a flexible electronic device made of a resin such as polyimide A layer provided between the resin substrate and the resin substrate in order to fix the resin substrate during a predetermined process is exemplified. In addition, this substrate protective layer is different from the conventional release layer in that it is separated from the substrate together with the resin substrate after the electronic circuit or the like is formed on the resin substrate.

폴리아믹산을 제조할 때 사용하는 디아민 성분 및 산 이무수물 성분으로서는 상기 서술한 제조 프로세스 후 수지 기판과 함께 기체로부터 박리되는 성질, 즉 기체와의 이박리성을 가지고, 또한 수지 기판과의 밀착성을 가지는 폴리이미드막을 부여하는 것이면 특별히 한정되는 것은 아니지만, 상기 기체로부터의 이박리성과 수지 기판에 대한 밀착성이라는 성질을 충분히 발휘시키는 관점에서, 방향족 디아민을 포함하는 디아민 성분과 방향족 테트라카르복실산 이무수물을 포함하는 산 이무수물 성분을 반응시켜 얻어지는 폴리아믹산이 바람직하고, 특히, 하기 식(1)으로 표시되는 바와 같은 비페닐테트라카르복실산 이무수물과, 불소 원자를 가지는 방향족 디아민을 사용하여 얻어지는 폴리아믹산이 적합하다. As the diamine component and the acid dianhydride component used in the production of polyamic acid, they have the property of being separated from the substrate together with the resin substrate after the above-mentioned manufacturing process, that is, they have easy releasability from the substrate and also have adhesion to the resin substrate. It is not particularly limited as long as it is applied with a polyimide film, but from the viewpoint of sufficiently exhibiting the properties of easy release from the substrate and adhesion to a resin substrate, a diamine component containing an aromatic diamine and an aromatic tetracarboxylic dianhydride are contained. A polyamic acid obtained by reacting an acid dianhydride component to be used is preferable, and in particular, a polyamic acid obtained by using a biphenyltetracarboxylic dianhydride represented by the following formula (1) and an aromatic diamine having a fluorine atom. Suitable.

Figure 112019068687582-pct00006
Figure 112019068687582-pct00006

식(1)에 있어서, X는 하기 식(2)으로 표시되는 비페닐테트라카르복실산 유래의 방향족기를 나타내고, Y는 불소 원자를 가지는 방향족 디아민 유래의 2가의 불소 원자 함유 방향족기를 나타낸다. In formula (1), X represents an aromatic group derived from biphenyltetracarboxylic acid represented by the following formula (2), and Y represents a divalent fluorine atom-containing aromatic group derived from an aromatic diamine having a fluorine atom.

n은 자연수를 나타내는데, 2 이상의 정수가 바람직하다. Although n represents a natural number, an integer of 2 or more is preferable.

Figure 112019068687582-pct00007
Figure 112019068687582-pct00007

상기 식(2)으로 표시되는 비페닐테트라카르복실산 유래의 2가의 기를 부여하는 비페닐테트라카르복실산 이무수물로서는 하기 식(C1)~(C3)으로 표시되는 것을 들 수 있는데, 본 발명에서는 특히 식(C1)으로 표시되는 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물이 적합하다. 또한 (C1)~(C3)은 각각 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. Examples of the biphenyltetracarboxylic dianhydride giving a bivalent group derived from biphenyltetracarboxylic acid represented by the above formula (2) include those represented by the following formulas (C1) to (C3), in the present invention In particular, 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride represented by formula (C1) is suitable. Moreover, (C1)-(C3) may be used independently, respectively, and may be used in combination of 2 or more types.

Figure 112019068687582-pct00008
Figure 112019068687582-pct00008

또 본 발명에서는 상기 비페닐테트라카르복실산 이무수물에 더해, 그 밖의 테트라카르복실산 이무수물을 사용할 수도 있다. Moreover, in addition to the said biphenyl tetracarboxylic acid dianhydride, other tetracarboxylic acid dianhydride can also be used in this invention.

그 구체예로서는 피로멜리트산 이무수물, 벤젠-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,2,7,8-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 나프탈렌-1,4,5,8-테트라카르복실산 이무수물, 안트라센-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 안트라센-1,2,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 안트라센-1,2,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 안트라센-1,2,7,8-테트라카르복실산 이무수물, 안트라센-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,3,4-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,7,8-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-1,2,9,10-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-2,3,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-2,3,6,7-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-2,3,9,10-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-3,4,5,6-테트라카르복실산 이무수물, 페난트렌-3,4,9,10-테트라카르복실산 이무수물 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로도, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. Specific examples thereof include pyromellitic dianhydride, benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, and naphthalene-1,2,5 ,6-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,2,7,8-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-2,3, 5,6-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, naphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic dianhydride, anthracene-1,2 ,3,4-tetracarboxylic dianhydride, anthracene-1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, anthracene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, anthracene-1, 2,7,8-tetracarboxylic dianhydride, anthracene-2,3,6,7-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,3,4-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene -1,2,5,6-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,6,7-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-1,2,7,8-tetracarboxylic dianhydride Water, phenanthrene-1,2,9,10-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-2,3,5,6-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-2,3,6,7-tetra Carboxylic dianhydride, phenanthrene-2,3,9,10-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-3,4,5,6-tetracarboxylic dianhydride, phenanthrene-3,4,9 , 10-tetracarboxylic dianhydride etc. are mentioned, These can also be used individually or in combination of 2 or more types.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산에 있어서, 테트라카르복실산 성분 중의 비페닐테트라카르복실산 이무수물의 양은 상기 서술한 기체로부터의 이박리성 및 수지 기판에 대한 밀착성을 양립시키는 것을 고려하면, 70몰% 이상이 바람직하고, 80몰% 이상이 보다 바람직하며, 90몰% 이상이 한층 더 바람직하고, 95몰% 이상이 더욱 바람직하며, 100몰%가 가장 바람직하다. In the polyamic acid used in the present invention, the amount of biphenyltetracarboxylic dianhydride in the tetracarboxylic acid component is 70 mol%, considering that the above-described easy releasability from the substrate and adhesion to the resin substrate are compatible. The above is preferable, 80 mol% or more is more preferable, 90 mol% or more is still more preferable, 95 mol% or more is still more preferable, and 100 mol% is most preferable.

한편, 상기 Y를 부여하는 불소 원자를 가지는 방향족 디아민의 구체예로서는 5-트리플루오로메틸벤젠-1,3-디아민, 5-트리플루오로메틸벤젠-1,2-디아민, 3,5-비스(트리플루오로메틸)벤젠-1,2-디아민, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘), 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐(3,3'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘), 2,2-비스(3-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)-1,1,1,3,3,3-헥사플루오로프로판, 3,3'-비스(트리플루오로메틸)비페닐-4,4'-디아민, 3,3',5,5'-테트라플루오로비페닐-4,4'-디아민, 4,4'-디아미노옥타플루오로비페닐 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상 조합하여 사용해도 된다. On the other hand, as specific examples of the aromatic diamine having a fluorine atom giving Y, 5-trifluoromethylbenzene-1,3-diamine, 5-trifluoromethylbenzene-1,2-diamine, 3,5-bis( Trifluoromethyl) benzene-1,2-diamine, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (2,2'-bis (trifluoromethyl) benzidine) , 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (3,3'-bis (trifluoromethyl) benzidine), 2,2-bis (3-aminophenyl) -1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 2,2-bis(4-aminophenyl)-1,1,1,3,3,3-hexafluoropropane, 3,3 '-bis(trifluoromethyl)biphenyl-4,4'-diamine, 3,3',5,5'-tetrafluorobiphenyl-4,4'-diamine, 4,4'-diaminooctafluoro Robiphenyl etc. are mentioned, These may be used independently or may be used in combination of 2 or more types.

이들 중에서도 상기 서술한 기체로부터의 이박리성 및 수지 기판에 대한 밀착성을 양립시키는 것을 고려하면, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘), 3,3'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐(3,3'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘)이 바람직하고, 2,2'-비스(트리플루오로메틸)-4,4'-디아미노비페닐(2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘)이 한층 더 바람직하다. Among these, in consideration of achieving both the easy releasability from the substrate and the adhesion to the resin substrate described above, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (2,2 '-bis (trifluoromethyl) benzidine), 3,3'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-diaminobiphenyl (3,3'-bis (trifluoromethyl) benzidine) It is preferred, and 2,2'-bis(trifluoromethyl)-4,4'-diaminobiphenyl (2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine) is even more preferred.

따라서, 식(1)에 있어서의 적합한 Y로서는 식(3) 및 (4)으로 표시되는 2가의 방향족기를 들 수 있다. Therefore, suitable examples of Y in formula (1) include divalent aromatic groups represented by formulas (3) and (4).

Figure 112019068687582-pct00009
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Figure 112019068687582-pct00010
Figure 112019068687582-pct00010

또 본 발명에서는 상기 불소 원자를 가지는 방향족 디아민에 더해, 그 밖의 디아민을 사용할 수도 있다. Moreover, in this invention, other diamine can also be used in addition to the said aromatic diamine which has a fluorine atom.

그 구체예로서는 1,4-디아미노벤젠(p-페닐렌디아민), 1,3-디아미노벤젠(m-페닐렌디아민), 1,2-디아미노벤젠(o-페닐렌디아민), 2,4-디아미노톨루엔, 2,5-디아미노톨루엔, 2,6-디아미노톨루엔, 4,6-디메틸-m-페닐렌디아민, 2,5-디메틸-p-페닐렌디아민, 2,6-디메틸-p-페닐렌디아민, 2,4,6-트리메틸-1,3-페닐렌디아민, 2,3,5,6-테트라메틸-p-페닐렌디아민, m-크실릴렌디아민, p-크실릴렌디아민 등의 벤젠 핵이 1개인 디아민; 1,2-나프탈렌디아민, 1,3-나프탈렌디아민, 1,4-나프탈렌디아민, 1,5-나프탈렌디아민, 1,6-나프탈렌디아민, 1,7-나프탈렌디아민, 1,8-나프탈렌디아민, 2,3-나프탈렌디아민, 2,6-나프탈렌디아민, 4,4'-비페닐디아민, 3,3'-디메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3'-디카르복시-4,4'-디아미노디페닐메탄, 3,3',5,5'-테트라메틸-4,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노벤즈아닐리드, 3,3'-디클로로벤지딘, 3,3'-디메틸벤지딘, 2,2'-디메틸벤지딘, 3,3'-디아미노디페닐메탄, 3,4'-디아미노디페닐메탄, 4,4'-디아미노디페닐메탄, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로판, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로판, 3,3'-디아미노디페닐술폭시드, 3,4'-디아미노디페닐술폭시드, 4,4'-디아미노디페닐술폭시드, 2-(3-아미노페닐)-5-아미노벤즈이미다졸, 2-(4-아미노페닐)-5-아미노벤조옥사졸 등의 벤젠 핵이 2개인 디아민; 1,5-디아미노안트라센, 2,6-디아미노안트라센, 9,10-디아미노안트라센, 1,8-디아미노페난트렌, 2,7-디아미노페난트렌, 3,6-디아미노페난트렌, 9,10-디아미노페난트렌, 1,3-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페닐)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술피드)벤젠, 1,3-비스(3-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페닐술폰)벤젠, 1,3-비스〔2-(4-아미노페닐)이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(3-아미노페닐)이소프로필〕벤젠, 1,4-비스〔2-(4-아미노페닐)이소프로필〕벤젠, 4,4''-디아미노-p-터페닐, 4,4''-디아미노-m-터페닐 등의 벤젠 핵이 3개인 디아민 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 조합하여 사용해도 된다. Specific examples thereof include 1,4-diaminobenzene (p-phenylenediamine), 1,3-diaminobenzene (m-phenylenediamine), 1,2-diaminobenzene (o-phenylenediamine), 2, 4-diaminotoluene, 2,5-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, 4,6-dimethyl-m-phenylenediamine, 2,5-dimethyl-p-phenylenediamine, 2,6- Dimethyl-p-phenylenediamine, 2,4,6-trimethyl-1,3-phenylenediamine, 2,3,5,6-tetramethyl-p-phenylenediamine, m-xylylenediamine, p- diamines having one benzene nucleus such as xylylenediamine; 1,2-naphthalenediamine, 1,3-naphthalenediamine, 1,4-naphthalenediamine, 1,5-naphthalenediamine, 1,6-naphthalenediamine, 1,7-naphthalenediamine, 1,8-naphthalenediamine, 2 ,3-naphthalenediamine, 2,6-naphthalenediamine, 4,4'-biphenyldiamine, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3'-dicarboxy-4, 4'-diaminodiphenylmethane, 3,3',5,5'-tetramethyl-4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminobenzanilide, 3,3'-dichlorobenzidine , 3,3'-dimethylbenzidine, 2,2'-dimethylbenzidine, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 2,2-bis(3-aminophenyl)propane, 2,2-bis(4-aminophenyl)propane, 3,3'-diaminodiphenylsulfoxide, 3,4'-diaminodiphenylsulfoxide, Two benzene nuclei, such as 4,4'-diaminodiphenylsulfoxide, 2-(3-aminophenyl)-5-aminobenzimidazole, and 2-(4-aminophenyl)-5-aminobenzoxazole diamine; 1,5-diaminoanthracene, 2,6-diaminoanthracene, 9,10-diaminoanthracene, 1,8-diaminophenanthrene, 2,7-diaminophenanthrene, 3,6-diaminophenanthrene , 9,10-diaminophenanthrene, 1,3-bis (3-aminophenyl) benzene, 1,3-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,4-bis (3-aminophenyl) benzene, 1 ,4-bis(4-aminophenyl)benzene, 1,3-bis(3-aminophenylsulfide)benzene, 1,3-bis(4-aminophenylsulfide)benzene, 1,4-bis(4- Aminophenylsulfide)benzene, 1,3-bis(3-aminophenylsulfone)benzene, 1,3-bis(4-aminophenylsulfone)benzene, 1,4-bis(4-aminophenylsulfone)benzene, 1 ,3-bis[2-(4-aminophenyl)isopropyl]benzene, 1,4-bis[2-(3-aminophenyl)isopropyl]benzene, 1,4-bis[2-(4-aminophenyl) ) isopropyl] benzene, 4,4''-diamino-p-terphenyl, diamine having three benzene nuclei such as 4,4''-diamino-m-terphenyl, etc. You may use it, and you may use it in combination of 2 or more types.

본 발명에서 사용하는 폴리아믹산에 있어서, 디아민 성분 중의 불소 원자를 가지는 방향족 디아민의 양은 상기 서술한 기체로부터의 이박리성 및 수지 기판에 대한 밀착성을 양립시키는 것을 고려하면, 70몰% 이상이 바람직하고, 80몰% 이상이 보다 바람직하며, 90몰% 이상이 한층 더 바람직하고, 95몰% 이상이 더욱 바람직하며, 100몰%가 가장 바람직하다. In the polyamic acid used in the present invention, the amount of aromatic diamine having a fluorine atom in the diamine component is preferably 70 mol% or more, considering that the above-described easy releasability from the gas and adhesion to the resin substrate are compatible. , 80 mol% or more is more preferable, 90 mol% or more is still more preferable, 95 mol% or more is still more preferable, and 100 mol% is most preferable.

이상 설명한 디아민 성분과 테트라카르복실산 이무수물 성분을 유기 용매 중에서 반응시킴으로써, 본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물에 포함되는 폴리아믹산을 얻을 수 있다. The polyamic acid included in the composition for forming a substrate protective layer of the present invention can be obtained by reacting the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component described above in an organic solvent.

이 반응에 사용하는 유기 용매는 반응에 악영향을 끼치지 않는 한 특별히 한정되는 것은 아니며, 그 구체예로서는 m-크레졸, 2-피롤리돈, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-비닐-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, 3-메톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-에톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-프로폭시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-이소프로폭시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-sec-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, 3-tert-부톡시-N,N-디메틸프로필아미드, γ-부티로락톤 등을 들 수 있다. 또한 유기 용매는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The organic solvent used in this reaction is not particularly limited as long as it does not adversely affect the reaction, and specific examples thereof include m-cresol, 2-pyrrolidone, N-methyl-2-pyrrolidone, and N-ethyl-2. -Pyrrolidone, N-vinyl-2-pyrrolidone, N,N-dimethylacetamide, N,N-dimethylformamide, 3-methoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-ethoxy-N ,N-dimethylpropylamide, 3-propoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-isopropoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-butoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-sec -butoxy-N,N-dimethylpropylamide, 3-tert-butoxy-N,N-dimethylpropylamide, γ-butyrolactone, and the like. In addition, an organic solvent can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

디아민 성분과 테트라카르복실산 이무수물 성분의 도입비(몰비)는 목적으로 하는 분자량이나 분자량 분포, 디아민의 종류나 테트라카르복실산 이무수물의 종류 등을 고려하여 적절히 결정되기 때문에 일괄하여 규정할 수 없지만, 테트라카르복실산 이무수물 성분 1에 대하여 디아민 성분 0.7~1.3정도, 바람직하게는 0.8~1.2정도, 더욱 바람직하게는 0.9~1.1정도이다. Since the introduction ratio (molar ratio) of the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component is determined appropriately in consideration of the target molecular weight, molecular weight distribution, type of diamine, type of tetracarboxylic dianhydride, etc., it cannot be defined collectively, The diamine component is about 0.7 to 1.3, preferably about 0.8 to 1.2, more preferably about 0.9 to 1.1, relative to the tetracarboxylic dianhydride component 1.

반응 온도는 사용하는 용매의 융점으로부터 비점까지의 범위에서 적절히 설정하면 되고, 통상 0~100℃정도이지만, 얻어지는 폴리아믹산의 용액 중에서의 이미드화를 막고 폴리아믹산 단위의 고함유량을 유지하기 위해서는 바람직하게는 0~70℃정도이며, 보다 바람직하게는 0~60℃정도이며, 한층 더 바람직하게는 0~50℃정도이다. The reaction temperature may be appropriately set in the range from the melting point to the boiling point of the solvent to be used, and is usually about 0 to 100 ° C. is about 0 to 70°C, more preferably about 0 to 60°C, still more preferably about 0 to 50°C.

반응 시간은 반응 온도나 원료 물질의 반응성에 의존하기 때문에 일괄하여 규정할 수 없지만, 통상 1~100시간정도이다. Since the reaction time depends on the reaction temperature and the reactivity of the raw material, it cannot be defined collectively, but it is usually about 1 to 100 hours.

이와 같이 하여 얻어지는 폴리아믹산의 중량 평균 분자량은 통상 5,000~500,000정도이지만, 얻어지는 막의 기판 보호층으로서의 기능을 향상시키는 관점에서, 바람직하게는 10,000~200,000정도, 보다 바람직하게는 30,000~150,000정도이다. 또한 본 발명에 있어서, 중량 평균 분자량은 겔 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 측정에 의한 폴리스티렌 환산값이다. The weight average molecular weight of the polyamic acid obtained in this way is usually about 5,000 to 500,000, but from the viewpoint of improving the function of the obtained film as a substrate protective layer, it is preferably about 10,000 to 200,000, more preferably about 30,000 to 150,000. In addition, in this invention, a weight average molecular weight is a polystyrene conversion value by gel permeation chromatography (GPC) measurement.

또한 본 발명에서 사용하는 폴리아믹산은 그 중합체쇄 말단의 일방 또는 쌍방을 추가로 앵커기를 가지는 아민 또는 앵커기를 가지는 산 무수물과 반응시켜도 된다. In addition, the polyamic acid used in the present invention may further react with an amine having an anchor group or an acid anhydride having an anchor group at one or both of its polymer chain terminals.

이와 같은 앵커기로서는 카르복실산기, 실릴기(예를 들면, 알킬실릴기, 알콕시실릴기, 비닐실릴기 및 알릴실릴기 등), 비닐기, 말레이미드기, 페놀성 수산기 등을 들 수 있는데, 그 중에서도 카르복실산기, 실릴기(특히 알콕시기, 비닐기 및 알릴기로부터 선택되는 기가 규소 원자에 1개 이상 결합한 실릴기)가 바람직하다. Examples of such an anchor group include a carboxylic acid group, a silyl group (eg, an alkylsilyl group, an alkoxysilyl group, a vinylsilyl group, an allylsilyl group, etc.), a vinyl group, a maleimide group, a phenolic hydroxyl group, and the like, Among them, a carboxylic acid group and a silyl group (particularly, a silyl group in which one or more groups selected from an alkoxy group, a vinyl group and an allyl group are bonded to a silicon atom) are preferable.

또 디아민 성분 및 테트라카르복실산 이무수물 성분으로부터 얻어지는 폴리아믹산과 앵커기와의 사이에는 탄소수 1~10정도의 박리성이나 내열성을 현저하게 저하시키지 않는 탄소수의 알킬기, 아릴기 등의 스페이서기가 존재해도 된다. In addition, between the polyamic acid obtained from the diamine component and the tetracarboxylic dianhydride component and the anchor group, there may be a spacer group such as an alkyl group having about 1 to 10 carbon atoms and a carbon number that does not significantly reduce the peelability or heat resistance, such as an aryl group. .

앵커기를 가지는 아민의 구체예로서는 4-아미노페녹시트리메틸실란, 4-아미노페녹시디메틸비닐실란, 4-아미노페녹시메틸디비닐실란, 4-아미노페녹시트리비닐실란, 4-아미노페녹시디메틸알릴실란, 4-아미노페녹시메틸디알릴실란, 4-아미노페녹시트리알릴실란, 4-아미노페녹시디메틸페닐실란, 4-아미노페녹시메틸디페닐실란, 4-아미노페녹시트리페닐실란, 4-아미노페녹시트리메톡시실란, 4-아미노페녹시디메톡시비닐실란, 4-아미노페녹시메톡시디비닐실란, 4-아미노페녹시트리비닐실란, 4-아미노페녹시디메톡시알릴실란, 4-아미노페녹시메톡시디알릴실란, 4-아미노페녹시디메톡시페닐실란, 4-아미노페녹시메톡시디페닐실란, 4-아미노페녹시트리에톡시실란, 4-아미노페녹시디에톡시비닐실란, 4-아미노페녹시에톡시디비닐실란, 4-아미노페녹시트리비닐실란, 4-아미노페녹시디에톡시알릴실란, 4-아미노페녹시에톡시디알릴실란, 4-아미노페녹시디에톡시페닐실란, 4-아미노페녹시에톡시디페닐실란, 3-아미노페녹시트리메틸실란, 3-아미노페녹시디메틸비닐실란, 3-아미노페녹시메틸디비닐실란, 2-아미노페녹시트리비닐실란, 2-아미노페녹시트리메틸실란, 2-아미노페녹시디메틸비닐실란, 2-아미노페녹시메틸디비닐실란, 2-아미노페녹시트리비닐실란, 3-아미노프로필트리에틸실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 2-아미노프로필트리메톡시실란, 2-아미노프로필트리에톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-(2-아미노에틸)-3-아미노프로필메틸디메톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필트리메톡시실란, N-에톡시카르보닐-3-아미노프로필트리에톡시실란, N-트리에톡시실릴프로필트리에틸렌트리아민, N-트리메톡시실릴프로필트리에틸렌트리아민, 2-아미노페놀, 3-아미노페놀, 4-아미노페놀 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다. Specific examples of the amine having an anchor group include 4-aminophenoxytrimethylsilane, 4-aminophenoxydimethylvinylsilane, 4-aminophenoxymethyldivinylsilane, 4-aminophenoxytrivinylsilane, and 4-aminophenoxydimethylallyl. Silane, 4-aminophenoxymethyldiallylsilane, 4-aminophenoxytriallylsilane, 4-aminophenoxydimethylphenylsilane, 4-aminophenoxymethyldiphenylsilane, 4-aminophenoxytriphenylsilane, 4- Aminophenoxytrimethoxysilane, 4-aminophenoxydimethoxyvinylsilane, 4-aminophenoxymethoxydivinylsilane, 4-aminophenoxytrivinylsilane, 4-aminophenoxydimethoxyallylsilane, 4-amino Phenoxymethoxydiallylsilane, 4-aminophenoxydimethoxyphenylsilane, 4-aminophenoxymethoxydiphenylsilane, 4-aminophenoxytriethoxysilane, 4-aminophenoxydiethoxyvinylsilane, 4-aminophenoxy Ethoxydivinylsilane, 4-aminophenoxytrivinylsilane, 4-aminophenoxydiethoxyallylsilane, 4-aminophenoxyethoxydiallylsilane, 4-aminophenoxydiethoxyphenylsilane, 4-amino Phenoxyethoxydiphenylsilane, 3-aminophenoxytrimethylsilane, 3-aminophenoxydimethylvinylsilane, 3-aminophenoxymethyldivinylsilane, 2-aminophenoxytrivinylsilane, 2-aminophenoxytrimethyl Silane, 2-aminophenoxydimethylvinylsilane, 2-aminophenoxymethyldivinylsilane, 2-aminophenoxytrivinylsilane, 3-aminopropyltriethylsilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-amino Propyltriethoxysilane, 2-aminopropyltrimethoxysilane, 2-aminopropyltriethoxysilane, N-(2-aminoethyl)-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-(2-aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, N-ethoxycarbonyl-3-aminopropyltriethoxysilane, N-triethoxysilylpropyltri Ethylenetriamine, N-trimethoxysilylpropyltriethylenetriamine, 2-aminophenol, 3-aminophenol, 4-aminophenol, etc. are mentioned, but it is not limited to these.

앵커기를 가지는 산 무수물의 구체예로서는 트리멜리트산 무수물, 비닐말레산 무수물, 4-비닐나프탈렌-1,2-디카르복실산 무수물, 무수 말레산, 2,3-디메틸말레산 무수물, 4-히드록시프탈산 무수물, 3-히드록시프탈산 무수물 등을 들 수 있는데, 이들에 한정되지 않는다. Specific examples of the acid anhydride having an anchor group include trimellitic anhydride, vinylmaleic anhydride, 4-vinylnaphthalene-1,2-dicarboxylic acid anhydride, maleic anhydride, 2,3-dimethylmaleic anhydride, and 4-hydroxyl. Although phthalic anhydride and 3-hydroxyphthalic anhydride are mentioned, it is not limited to these.

또한 앵커기를 가지는 아민 및 앵커기를 가지는 산 무수물의 양은 몰비로 테트라카르복실산 이무수물 성분 1에 대하여 앵커기를 가지는 아민 0.01~0.6정도, 바람직하게는 0.05~0.4정도, 더욱 바람직하게는 0.1~0.2정도, 또는 디아민 성분 1에 대하여 앵커기를 가지는 산 무수물 0.01~0.52정도, 바람직하게는 0.05~0.32정도, 더욱 바람직하게는 0.1~0.2정도이다. In addition, the amount of the amine having an anchor group and the acid anhydride having an anchor group is about 0.01 to 0.6, preferably about 0.05 to 0.4, more preferably about 0.1 to 0.2 of the amine having an anchor group relative to the tetracarboxylic dianhydride component 1 in a molar ratio. , or about 0.01 to 0.52, preferably about 0.05 to 0.32, more preferably about 0.1 to 0.2 of the acid anhydride having an anchor group relative to the diamine component 1.

본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물은 상기 서술한 폴리아믹산에 더해 유기 용매를 포함하는 것이다. 이 유기 용매로서는 특별히 한정되는 것은 아니지만, 하기로부터 선택되는 용제가 바람직하다. The composition for forming a substrate protective layer of the present invention contains an organic solvent in addition to the polyamic acid described above. Although it does not specifically limit as this organic solvent, A solvent selected from the following is preferable.

Figure 112019068687582-pct00011
Figure 112019068687582-pct00011

(식 중, R1~R8은 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타내고, R9 및 R10은 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~10의 아실기를 나타내고, b 및 m은 자연수를 나타낸다) (Wherein, R 1 to R 8 independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R 10 are independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms) Represents an acyl group of, b and m represent a natural number)

b 및 m은 자연수를 나타내는데, 바람직하게는 1~3, 보다 바람직하게는 1 또는 2이다. b and m represent natural numbers, but are preferably 1 to 3, more preferably 1 or 2.

탄소수 1~10의 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, s-부틸기, t-부틸기, n-펜틸기, n-헥실기, n-헵틸기, n-옥틸기, n-노닐기, n-데실기 등을 들 수 있다. 이들 중, 탄소수 1~3의 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1 또는 2의 알킬기가 보다 바람직하다. Examples of the alkyl group having 1 to 10 carbon atoms include methyl group, ethyl group, n-propyl group, isopropyl group, n-butyl group, isobutyl group, s-butyl group, t-butyl group, n-pentyl group, n-hexyl group, n - A heptyl group, n-octyl group, n-nonyl group, n-decyl group, etc. are mentioned. Among these, an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms is preferable, and an alkyl group having 1 or 2 carbon atoms is more preferable.

탄소수 1~10의 아실기로서는 탄소수 1~8의 알카노일기(예를 들면, 포르밀기, 아세틸기, 프로피오닐기, 부티릴기, 이소부티릴기, 발레릴기, 피발로일기 등), 탄소수 3~6의 시클로알킬카르보닐기(예를 들면, 시클로프로필카르보닐기, 시클로펜틸카르보닐기, 시클로헥실카르보닐기 등), 벤조일기 등을 들 수 있고, 아세틸기가 바람직하다. Examples of the acyl group having 1 to 10 carbon atoms include an alkanoyl group having 1 to 8 carbon atoms (eg, formyl group, acetyl group, propionyl group, butyryl group, isobutyryl group, valeryl group, pivaloyl group, etc.), and 3 to 8 carbon atoms. Cycloalkylcarbonyl group of 6 (eg, cyclopropylcarbonyl group, cyclopentylcarbonyl group, cyclohexylcarbonyl group, etc.), benzoyl group, etc. are mentioned, and an acetyl group is preferable.

그 중에서도 폴리아믹산을 잘 용해하고, 균일성이 높은 조성물을 조제하기 쉬운 점에서, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, N-에틸-2-피롤리돈, γ-부티로락톤이 바람직하고, N-메틸-2-피롤리돈이 보다 바람직하다. Among them, N,N-dimethylformamide, N,N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, 1,3 from the viewpoint of easily dissolving polyamic acid and preparing a highly uniform composition. -Dimethyl-2-imidazolidinone, N-ethyl-2-pyrrolidone, and γ-butyrolactone are preferred, and N-methyl-2-pyrrolidone is more preferred.

또한 단독으로는 폴리아믹산을 용해시키지 않는 용매여도 폴리아믹산이 석출되지 않는 범위이면 조성물의 조제에 사용할 수 있다. 특히, 에틸셀로솔브, 부틸셀로솔브, 에틸카르비톨, 부틸카르비톨, 에틸카르비톨아세테이트, 에틸렌글리콜, 1-메톡시-2-프로판올, 1-에톡시-2-프로판올, 1-부톡시-2-프로판올, 1-페녹시-2-프로판올, 프로필렌글리콜모노아세테이트, 프로필렌글리콜디아세테이트, 프로필렌글리콜-1-모노메틸에테르-2-아세테이트, 프로필렌글리콜-1-모노에틸에테르-2-아세테이트, 디프로필렌글리콜, 2-(2-에톡시프로폭시)프로판올, 락트산메틸, 락트산에틸, 락트산n-프로필, 락트산n-부틸, 락트산이소아밀 등의 저표면장력을 가지는 용매를 적절히 혼재시킬 수 있다. 이것에 의해, 기판으로의 도포시에 도막 균일성이 향상되는 것이 알려져 있고, 본 발명에 있어서도 적합하게 사용할 수 있다. Moreover, even if it is a solvent which does not dissolve a polyamic acid independently, it can use for preparation of a composition as long as it is a range in which a polyamic acid does not precipitate. In particular, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, ethylene glycol, 1-methoxy-2-propanol, 1-ethoxy-2-propanol, 1-butoxy -2-propanol, 1-phenoxy-2-propanol, propylene glycol monoacetate, propylene glycol diacetate, propylene glycol-1-monomethyl ether-2-acetate, propylene glycol-1-monoethyl ether-2-acetate, A solvent having a low surface tension such as dipropylene glycol, 2-(2-ethoxypropoxy)propanol, methyl lactate, ethyl lactate, n-propyl lactate, n-butyl lactate, isoamyl lactate, etc. can be properly mixed. . It is known that this improves the uniformity of the coating film at the time of application to the substrate, and can be suitably used in the present invention as well.

본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물의 조제 방법은 임의이다. 조제 방법의 바람직한 일례로서는 상기에서 설명한 방법에 의해 얻어진 목적으로 하는 폴리아믹산을 포함하는 반응 용액을 여과하는 방법을 들 수 있다. 이 때, 농도 조정 등을 목적으로 할 필요가 있으면 여과액을 희석 또는 농축해도 된다. 이와 같은 방법을 채용함으로써, 얻어지는 조성물로부터 제조되는 기판 보호층의 밀착성, 박리성 등의 악화의 원인이 될 수 있는 불순물의 혼입을 저감할 수 있을 뿐만아니라, 효율적으로 기판 보호층 형성용 조성물을 얻을 수 있다. 희석에 사용하는 용매로서는 특별히 한정되는 것은 아니며, 그 구체예로서는 상기 반응의 반응 용매의 구체예와 마찬가지의 것을 들 수 있다. 희석에 사용하는 용매는 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The method for preparing the composition for forming a protective layer for a substrate of the present invention is arbitrary. A preferable example of the preparation method is a method of filtering a reaction solution containing the target polyamic acid obtained by the method described above. At this time, if it is necessary to adjust the concentration or the like, the filtrate may be diluted or concentrated. By employing such a method, it is possible to not only reduce the incorporation of impurities that may cause deterioration of adhesion, peelability, etc. of the substrate protective layer produced from the composition obtained, but also to efficiently obtain a composition for forming a substrate protective layer. can The solvent used for dilution is not particularly limited, and specific examples thereof include the same as the specific examples of the reaction solvent in the above reaction. The solvent used for dilution can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물에 있어서의 폴리아믹산의 농도는 제작하는 기판 보호층의 두께, 조성물의 점도 등을 감안하여 적절히 설정하는 것인데, 통상 1~30질량%정도, 바람직하게는 1~20질량%정도이다. 이와 같은 농도로 함으로써, 0.05~5μm정도의 두께의 기판 보호층을 재현성 좋게 얻을 수 있다. 폴리아믹산의 농도는 폴리아믹산의 원료인 디아민과 테트라카르복실산 이무수물의 사용량을 조정하거나, 단리한 폴리아믹산을 용매에 용해시킬 때 그 양을 조정하거나 하여 조정할 수 있다. The concentration of the polyamic acid in the composition for forming a substrate protective layer of the present invention is appropriately set in consideration of the thickness of the substrate protective layer to be produced, the viscosity of the composition, etc. It is about 20% by mass. By setting such a concentration, a substrate protective layer having a thickness of about 0.05 to 5 μm can be obtained with good reproducibility. The concentration of the polyamic acid can be adjusted by adjusting the amounts used of diamine and tetracarboxylic dianhydride, which are raw materials of the polyamic acid, or by adjusting the amounts when the isolated polyamic acid is dissolved in a solvent.

본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물의 점도는 제작하는 기판 보호층의 두께 등을 감안하여 적절히 설정하는 것인데, 특히 0.05~5μm정도의 두께의 막을 재현성 좋게 얻는 것을 목적으로 하는 경우, 통상, 25℃에서 10~10,000mPa·s정도, 바람직하게는 20~5,000mPa·s정도이다. The viscosity of the composition for forming a substrate protective layer of the present invention is appropriately set in consideration of the thickness of the substrate protective layer to be produced. In particular, when the purpose is to obtain a film having a thickness of about 0.05 to 5 μm with good reproducibility, it is usually 25 ° C. is about 10 to 10,000 mPa·s, preferably about 20 to 5,000 mPa·s.

여기서, 점도는 시판되는 액체의 점도 측정용 점도계를 사용하고, 예를 들면 JIS K7117-2에 기재된 순서를 참조하여, 조성물의 온도 25℃의 조건에서 측정할 수 있다. 바람직하게는 점도계로서는 원추평판형(콘 플레이트형) 회전 점도계를 사용하고, 바람직하게는 동형의 점도계로 표준 콘 로터로서 1°34'×R24를 사용하여, 조성물의 온도 25℃의 조건에서 측정할 수 있다. 이와 같은 회전 점도계로서는 예를 들면 도키산교(주)제 TVE-25L을 들 수 있다. Here, the viscosity can be measured using a commercially available viscometer for measuring the viscosity of liquids, for example, by referring to the procedures described in JIS K7117-2, under conditions of a composition temperature of 25°C. Preferably, a conical plate type (cone plate type) rotational viscometer is used as the viscometer, and preferably a viscometer of the same type is used as a standard cone rotor and 1° 34'×R24 is used to measure the composition under the condition of a temperature of 25°C. can As such a rotational viscometer, Toki Sangyo Co., Ltd. TVE-25L is mentioned, for example.

또한 본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물은 폴리아믹산과 유기 용매 외에 예를 들면 막 강도를 향상시키기 위해서 가교제 등을 포함하고 있어도 된다. In addition to the polyamic acid and the organic solvent, the composition for forming a substrate protective layer of the present invention may also contain, for example, a crosslinking agent to improve film strength.

이상 설명한 박리층 형성용 조성물을 기체 상에 도포한 후, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하는 공정을 포함하는 소성법으로 폴리아믹산을 열이미드화함으로써, 기체와의 이박리성 및 수지 기판과의 우수한 밀착성을 가지는 폴리이미드막으로 이루어지는 수지 기판 보호층을 얻을 수 있다. After applying the above-described composition for forming a release layer on a substrate, the polyamic acid is thermally imidized by a firing method including a step of firing at a maximum temperature of 500 ° C. or higher, thereby providing easy release from the substrate and good adhesion to the resin substrate. A resin substrate protective layer made of a polyimide film having excellent adhesion can be obtained.

본 발명에 있어서, 상기 소성시의 최고 온도는 500℃ 이상 또한 폴리이미드의 내열 온도 이하의 범위이면 특별히 한정되는 것은 아니다. 또 그 상한은 통상 550℃정도인데, 바람직하게는 520℃, 보다 바람직하게는 510℃정도이다. 가열 온도를 상기 범위로 함으로써, 얻어지는 막의 취약화를 막으면서, 이미드화 반응을 충분히 진행시키는 것도 가능하게 된다. In the present invention, the maximum temperature during the firing is not particularly limited as long as it is within a range of 500°C or higher and lower than or equal to the heat resistance temperature of polyimide. The upper limit is usually about 550°C, preferably about 520°C, and more preferably about 510°C. By setting the heating temperature within the above range, it is also possible to sufficiently advance the imidation reaction while preventing embrittlement of the obtained film.

가열 시간은 가열 온도에 따라 상이하기 때문에 일괄하여 규정할 수 없지만, 통상 5분~5시간이다. 또 이미드화율은 50~100%의 범위이면 된다. Since the heating time differs depending on the heating temperature, it cannot be defined collectively, but it is usually 5 minutes to 5 hours. In addition, the imidation ratio may be in the range of 50 to 100%.

또 상기 소성시의 온도는 최고 온도가 상기 범위가 되는 한, 그 이하의 온도에서 소성하는 공정을 포함하고 있어도 된다. Further, the temperature at the time of the firing may include a step of firing at a temperature lower than the maximum temperature as long as the maximum temperature is within the above range.

본 발명에 있어서의 가열 태양의 바람직한 일례로서는 50~150℃에서 가열한 후에 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 500℃ 이상에서 가열하는 수법을 들 수 있다. 특히, 가열 태양의 보다 바람직한 일례로서는 50~100℃에서 가열하고, 100℃ 초과~500℃ 미만에서 가열하고, 500℃ 이상에서 가열하는 수법을 들 수 있다. 또한 가열 태양의 보다 바람직한 다른 일례로서는 50~100℃에서 가열한 후에 200~300℃에서 가열하고, 300℃ 초과~500℃ 미만에서 가열하고, 마지막으로 500~510℃에서 가열하는 수법을 들 수 있다. As a preferred example of the heating mode in the present invention, a method of heating at 50 to 150°C, then raising the heating temperature step by step as it is, and finally heating at 500°C or higher is exemplified. In particular, as a more preferable example of the heating mode, a method of heating at 50 to 100°C, heating at more than 100°C to less than 500°C, and heating at 500°C or higher is exemplified. Another more preferable example of the heating mode is a method of heating at 50 to 100 ° C, followed by heating at 200 to 300 ° C, heating at more than 300 ° C to less than 500 ° C, and finally heating at 500 to 510 ° C. .

또 소성 시간을 고려한 경우의 가열 태양의 바람직한 일례로서는 50~150℃에서 1분간~2시간 가열한 후에 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 500℃ 이상에서 30분간~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. 특히, 가열 태양의 보다 바람직한 일례로서는 50~100℃에서 1분간~2시간 가열하고, 100℃ 초과~500℃ 미만에서 5분간~2시간 가열하고, 500℃ 이상에서 30분간~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. 또한 가열 태양의 보다 바람직한 다른 일례로서는 50~100℃에서 1분간~2시간 가열한 후에 200~300℃에서 5분간~2시간, 300℃ 초과~500℃ 미만에서 5분간~2시간, 마지막으로 500~510℃에서 1분간~2시간 가열하는 수법을 들 수 있다. In addition, as a preferable example of the heating mode in the case of considering the firing time, a method of heating at 50 to 150 ° C. for 1 minute to 2 hours, then raising the heating temperature step by step as it is, and finally heating at 500 ° C. or higher for 30 minutes to 4 hours is given. can In particular, as a more preferable example of the heating mode, a method of heating at 50 to 100°C for 1 minute to 2 hours, heating at more than 100°C to less than 500°C for 5 minutes to 2 hours, and heating at 500°C or higher for 30 minutes to 4 hours. can be heard Another more preferable example of the heating mode is heating at 50 to 100 ° C for 1 minute to 2 hours, then at 200 to 300 ° C for 5 minutes to 2 hours, above 300 ° C to less than 500 ° C for 5 minutes to 2 hours, and finally at 500 ° C. A method of heating at ~510°C for 1 minute to 2 hours is exemplified.

이와 같은 본 발명의 기판 보호층을 기체 상에 형성하는 경우, 기판 보호층은 기체의 일부 표면에 형성되어 있어도 되고, 전체면에 형성되어 있어도 된다. 기체의 일부 표면에 기판 보호층을 형성하는 태양으로서는 기체 표면 중 소정의 범위에만 기판 보호층을 형성하는 태양, 기체 표면 전체면에 도트 패턴, 라인 앤드 스페이스 패턴 등의 패턴 형상으로 기판 보호층을 형성하는 태양 등이 있다. 또한 본 발명에 있어서, 기체는 그 표면에 본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물이 칠해지는 것으로서, 플렉서블 전자 디바이스 등의 제조에 사용되는 것을 의미한다. When such a substrate protective layer of the present invention is formed on a substrate, the substrate protective layer may be formed on a part of the surface of the substrate or may be formed on the entire surface of the substrate. As an aspect of forming a substrate protective layer on a part of the surface of the substrate, an aspect of forming the substrate protective layer only in a predetermined range on the surface of the substrate, forming a substrate protective layer in a pattern such as a dot pattern or a line and space pattern on the entire surface of the substrate There are suns that do. Also, in the present invention, the base means that the composition for forming a substrate protective layer of the present invention is painted on its surface, and is used for manufacturing flexible electronic devices and the like.

기체(기재)로서는 예를 들면 유리, 플라스틱(폴리카보네이트, 폴리메타크릴레이트, 폴리스티렌, 폴리에스테르, 폴리올레핀, 에폭시, 멜라민, 트리아세틸셀룰로오스, ABS, AS, 노르보르넨계 수지 등), 금속(실리콘 웨이퍼 등), 목재, 종이, 슬레이트 등을 들 수 있는데, 특히, 본 발명의 기판 보호층이 그것에 대한 충분한 밀착성을 가지는 점에서 유리가 바람직하다. 또한 기체 표면은 단일의 재료로 구성되어 있어도 되고, 2 이상의 재료로 구성되어 있어도 된다. 2 이상의 재료로 기체 표면이 구성되는 태양으로서는 기체 표면 중 어느 범위는 어느 재료로 구성되고, 그 나머지 표면은 그 밖의 재료로 구성되어 있는 태양, 기체 표면 전체에 도트 패턴, 라인 앤드 스페이스 패턴 등의 패턴 형상으로 어느 재료가 그 밖의 재료 중에 존재하는 태양 등이 있다. As the substrate (base material), for example, glass, plastic (polycarbonate, polymethacrylate, polystyrene, polyester, polyolefin, epoxy, melamine, triacetyl cellulose, ABS, AS, norbornene-based resin, etc.), metal (silicon wafer) etc.), wood, paper, slate, etc., but glass is particularly preferable in that the substrate protective layer of the present invention has sufficient adhesion thereto. In addition, the substrate surface may be composed of a single material or may be composed of two or more materials. As an aspect in which the surface of the aircraft is composed of two or more materials, a certain range of the surface of the aircraft is composed of a certain material and the rest of the surface is composed of other materials, a pattern such as a dot pattern and a line and space pattern over the entire surface of the aircraft In terms of shape, there is an aspect in which a certain material exists among other materials.

본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물을 기체에 도포하는 방법은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 캐스트 코트법, 스핀 코트법, 블레이드 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 다이 코트법, 잉크젯법, 인쇄법(철판, 요판, 평판, 스크린 인쇄 등) 등을 들 수 있다. The method of applying the composition for forming a substrate protective layer of the present invention to a substrate is not particularly limited, but examples include a cast coat method, a spin coat method, a blade coat method, a dip coat method, a roll coat method, a bar coat method, and a die coat method. Coating method, inkjet method, printing method (iron plate, intaglio, flat plate, screen printing, etc.), etc. are mentioned.

가열에 사용하는 기구는 예를 들면 핫플레이트, 오븐 등을 들 수 있다. 가열 분위기는 공기하여도 되고 불활성 가스하여도 되며, 또 상압하여도 되고 감압하여도 된다. As for the apparatus used for heating, a hot plate, an oven, etc. are mentioned, for example. The heating atmosphere may be air or an inert gas, and may be normal pressure or reduced pressure.

기판 보호층의 두께는 통상 0.01~50μm정도, 생산성의 관점에서 바람직하게는 0.05~20μm정도이다. 또한 소망하는 두께는 가열 전의 도막의 두께를 조정함으로써 실현된다. The thickness of the substrate protective layer is usually about 0.01 to 50 μm, and preferably about 0.05 to 20 μm from the viewpoint of productivity. Also, a desired thickness is realized by adjusting the thickness of the coating film before heating.

이상 설명한 기판 보호층은 기체 특히 유리의 기체와의 적절한 밀착성과 적절한 박리성 및 수지 기판과의 우수한 밀착성을 가진다. 그 때문에 본 발명의 기판 보호층은 플렉서블 전자 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 당해 디바이스의 수지 기판에 손상을 주지 않고, 당해 수지 기판을 그 수지 기판 상에 형성된 회로 등과 함께 기체로부터 박리시키기 위해서 적합하게 사용할 수 있다. The substrate protective layer described above has appropriate adhesion to a substrate, particularly glass substrate, appropriate peelability, and excellent adhesion to a resin substrate. Therefore, the substrate protective layer of the present invention can be suitably used in the manufacturing process of a flexible electronic device to separate the resin substrate from a substrate together with a circuit or the like formed on the resin substrate without damaging the resin substrate of the device. can

상기 기판 보호층 상에 형성되는 수지 기판은 특별히 한정되는 것은 아니지만, 내열성의 관점에서 열 중량 분석에 있어서의 1% 중량 감소 온도가 500℃ 이상인 것이 적합하다. The resin substrate formed on the substrate protective layer is not particularly limited, but from the viewpoint of heat resistance, it is preferable that the 1% weight reduction temperature in thermogravimetric analysis is 500°C or higher.

이와 같은 수지 기판으로서는 전방향족계 폴리이미드, 폴리벤조옥사졸, 폴리벤조티아졸, 폴리벤조이미다졸과 같은 전방향족계 폴리머를 사용한 수지 기판을 들 수 있다. 또 상기 폴리머에 실리카졸, 티타니아졸 등이 첨가된 하이브리드 필름이어도 된다. As such a resin substrate, a resin substrate using a wholly aromatic polymer such as a wholly aromatic polyimide, polybenzoxazole, polybenzothiazole, or polybenzoimidazole is exemplified. Moreover, a hybrid film in which silica sol, titania sol, or the like is added to the polymer may be used.

이하, 본 발명의 기판 보호층을 사용한 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법의 일례에 대해서 설명한다. Hereinafter, an example of a method for manufacturing a flexible electronic device using the substrate protective layer of the present invention will be described.

본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물을 사용하여, 상기 서술한 방법에 의해, 유리 기체 상에 기판 보호층을 형성한다. 이 기판 보호층 상에 수지 기판을 형성하기 위한 수지 기판 형성용 용액을 도포하고, 이 도막을 소성함으로써, 본 발명의 기판 보호층을 개재시켜 유리 기체에 고정된 수지 기판을 형성한다. A substrate protective layer is formed on a glass substrate by the method described above using the composition for forming a substrate protective layer of the present invention. A resin substrate forming solution for forming a resin substrate is applied onto this substrate protective layer, and the coating film is fired to form a resin substrate fixed to the glass substrate through the substrate protective layer of the present invention.

상기 도막의 소성 온도는 수지의 종류 등에 따라 적절히 설정되는 것인데, 본 발명에서는 이 소성시의 최고 온도를 500℃ 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또 그 상한은 통상 550℃정도이지만, 바람직하게는 520℃, 보다 바람직하게는 510℃정도이다. The firing temperature of the coating film is appropriately set depending on the type of resin and the like, but in the present invention, it is preferable to set the maximum temperature during firing to 500°C or higher. The upper limit is usually about 550°C, but preferably about 520°C and more preferably about 510°C.

수지 기판 제작시의 소성시의 최고 온도를 이 범위로 함으로써, 하지인 보호층과 기체와의 박리성이나, 기판 보호층과 수지 기판과의 적절한 밀착성 및 박리성을 보다 향상시킬 수 있다. By making the maximum temperature during firing during fabrication of the resin substrate within this range, the peelability between the protective layer serving as the substrate and the substrate, and the appropriate adhesiveness and peelability between the substrate protective layer and the resin substrate can be further improved.

이 경우도 최고 온도가 상기 범위가 되는 한, 그 이하의 온도에서 소성하는 공정을 포함하고 있어도 된다. Also in this case, as long as the maximum temperature is within the above range, a step of firing at a temperature lower than that may be included.

수지 기판 제작시의 가열 태양의 바람직한 일례로서는 50~150℃에서 가열한 후에 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 500℃ 이상에서 가열하는 수법을 들 수 있다. 특히, 가열 태양의 보다 바람직한 일례로서는 50~100℃에서 가열하고, 100℃ 초과~500℃ 미만에서 가열하고, 500℃ 이상에서 가열하는 수법을 들 수 있다. 또한 가열 태양의 보다 바람직한 다른 일례로서는 50~100℃에서 가열한 후에 100℃ 초과~200℃에서 가열하고, 200℃ 초과~300℃에서 가열하고, 300℃ 초과~500℃ 미만에서 가열하고, 마지막으로 500~510℃에서 가열하는 수법을 들 수 있다. As a preferred example of the heating mode in the production of the resin substrate, a method of heating at 50 to 150°C, then raising the heating temperature step by step as it is, and finally heating at 500°C or higher is exemplified. In particular, as a more preferable example of the heating mode, a method of heating at 50 to 100°C, heating at more than 100°C to less than 500°C, and heating at 500°C or higher is exemplified. Further, as another more preferable example of the heating mode, after heating at 50 to 100 ° C, heating at more than 100 ° C to 200 ° C, heating at more than 200 ° C to 300 ° C, heating at more than 300 ° C to less than 500 ° C, and finally The method of heating at 500-510 degreeC is mentioned.

또 소성 시간을 고려한 경우의 가열 태양의 바람직한 일례로서는 50~150℃에서 1분간~2시간 가열한 후에 그대로 단계적으로 가열 온도를 상승시켜 최종적으로 500℃ 이상에서 30분간~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. 특히, 가열 태양의 보다 바람직한 일례로서는 50~100℃에서 1분간~2시간 가열하고, 100℃ 초과~500℃ 미만에서 5분간~2시간 가열하고, 500℃ 이상에서 30분간~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. 또한 가열 태양의 보다 바람직한 다른 일례로서는 50~100℃에서 1분간~2시간 가열한 후에 100℃ 초과~200℃에서 5분간~2시간, 200℃ 초과~300℃에서 5분간~2시간, 300℃ 초과~500℃ 미만에서 5분간~2시간, 마지막으로 500~510℃에서 30분간~4시간 가열하는 수법을 들 수 있다. In addition, as a preferable example of the heating mode in the case of considering the firing time, a method of heating at 50 to 150 ° C. for 1 minute to 2 hours, then raising the heating temperature step by step as it is, and finally heating at 500 ° C. or higher for 30 minutes to 4 hours is given. can In particular, as a more preferable example of the heating mode, a method of heating at 50 to 100°C for 1 minute to 2 hours, heating at more than 100°C to less than 500°C for 5 minutes to 2 hours, and heating at 500°C or higher for 30 minutes to 4 hours. can be heard Another more preferable example of the heating mode is heating at 50 to 100 ° C for 1 minute to 2 hours, then over 100 ° C to 200 ° C for 5 minutes to 2 hours, over 200 ° C to 300 ° C for 5 minutes to 2 hours, 300 ° C A method of heating at more than 500°C for 5 minutes to 2 hours and finally at 500 to 510°C for 30 minutes to 4 hours is exemplified.

이어서, 본 발명의 기판 보호층을 개재시켜 기체에 고정된 당해 수지 기판 상에 소망하는 회로를 형성하고, 그 후, 예를 들면 기판 보호층을 따라 수지 기판을 커트하고, 이 회로와 함께 수지 기판 및 기판 보호층을 기체로부터 박리하여, 수지 기판 및 기판 보호층과 기체를 분리한다. 이 때, 기체의 일부를 기판 보호층과 함께 커트해도 된다. Next, a desired circuit is formed on the resin substrate fixed to the substrate through the substrate protective layer of the present invention, and then the resin substrate is cut along the substrate protective layer, for example, and the resin substrate together with the circuit. and separating the substrate protective layer from the substrate to separate the resin substrate and the substrate protective layer from the substrate. At this time, a part of the substrate may be cut together with the substrate protective layer.

또한 일본 특개 2013-147599호 공보에서는 지금까지 고휘도 LED나 삼차원 반도체 패키지 등의 제조에 있어서 사용되어온 레이저 리프트 오프법(LLO법)을 플렉서블 디스플레이의 제조에 적용하는 것이 보고되어 있다. 상기 LLO법은 회로 등이 형성된 면과는 반대의 면으로부터, 특정의 파장의 광선 예를 들면 파장 308nm의 광선을 유리 기체측으로부터 조사하는 것을 특징으로 하는 것이다. 조사된 광선은 유리 기체를 투과하고, 유리 기체 근방의 폴리머(폴리이미드)만이 이 광선을 흡수하여 증발(승화)한다. 그 결과, 디스플레이의 성능을 결정짓게 되는 수지 기판 상에 설치된 회로 등에 영향을 주지 않고, 유리 기체로부터 기판 보호층을 선택적으로 박리하는 것이 가능하게 된다. Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 2013-147599, it is reported that the laser lift-off method (LLO method), which has been used in the manufacture of high-brightness LEDs, three-dimensional semiconductor packages, etc., is applied to the manufacture of flexible displays. The LLO method is characterized in that a light ray of a specific wavelength, for example, a light ray having a wavelength of 308 nm is irradiated from the side of the glass substrate from the surface opposite to the surface on which the circuit or the like is formed. The irradiated light beam passes through the glass substrate, and only the polymer (polyimide) in the vicinity of the glass substrate absorbs this light beam and evaporates (sublimes). As a result, it becomes possible to selectively peel the substrate protective layer from the glass substrate without affecting the circuitry installed on the resin substrate that determines the performance of the display.

본 발명의 기판 보호층 형성용 조성물은 상기 LLO법의 적용이 가능하게 되는 특정 파장(예를 들면 308nm)의 광선을 충분히 흡수한다는 특징을 가지기 때문에, LLO법의 희생층으로서 사용할 수 있다. 그 때문에 본 발명에 조성물을 사용하여 형성한 기판 보호층을 개재시켜 유리 기체에 고정된 수지 기판 상에 소망하는 회로를 형성하고, 그 후, LLO법을 실시하여 308nm의 광선을 조사하면, 이 기판 보호층만이 이 광선을 흡수하여 증발(승화)한다. 이것에 의해, 상기 기판 보호층이 희생이 되어(희생층으로서 작용하여), 유리 기체로부터 수지 기판을 선택적으로 박리하는 것이 가능하게 된다. Since the composition for forming a substrate protective layer of the present invention has a feature of sufficiently absorbing light rays of a specific wavelength (for example, 308 nm) to which the LLO method can be applied, it can be used as a sacrificial layer for the LLO method. For this reason, a desired circuit is formed on a resin substrate fixed to a glass substrate through a substrate protective layer formed using the composition of the present invention, and then the LLO method is performed to irradiate the substrate with a 308 nm light beam. Only the protective layer absorbs this light and evaporates (sublimes). This makes it possible to selectively separate the resin substrate from the glass base by sacrificing the substrate protective layer (acting as a sacrificial layer).

(실시예) (Example)

이하, 실시예를 들어 본 발명을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 발명은 이들 실시예에 한정되는 것은 아니다. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with examples, but the present invention is not limited to these examples.

[1] 화합물의 약어 [1] Abbreviations of compounds

p-PDA : p-페닐렌디아민 p-PDA: p-phenylenediamine

TFMB : 2,2'-비스(트리플루오로메틸)벤지딘 TFMB: 2,2'-bis(trifluoromethyl)benzidine

BPDA : 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물 BPDA: 3,3',4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride

PMDA : 피로멜리트산 이무수물 PMDA: pyromellitic dianhydride

CBDA : 1,2,3,4-시클로부탄테트라카르복실산 이무수물 CBDA: 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride

NMP : N-메틸-2-피롤리돈 NMP: N-methyl-2-pyrrolidone

BCS : 부틸셀로솔브 BCS: butyl cellosolve

PGME : 프로필렌글리콜모노메틸에테르 PGME: Propylene glycol monomethyl ether

[2] 중량 평균 분자량 및 분자량 분포의 측정 방법 [2] Method for measuring weight average molecular weight and molecular weight distribution

폴리머의 중량 평균 분자량(이하 Mw로 줄인다) 및 분자량 분포의 측정은 니혼분코(주)제 GPC 장치(칼럼 : Shodex제 KD801 및 KD805; 용리액 : 디메틸포름아미드/LiBr·H2O(29.6mM)/H3PO4(29.6mM)/THF(0.1wt%); 유량 : 1.0mL/분; 칼럼 온도 : 40℃; Mw : 표준 폴리스티렌 환산값)를 사용하여 행했다. Measurement of the weight average molecular weight (hereinafter abbreviated to Mw) and molecular weight distribution of the polymer was performed using a GPC device manufactured by Nippon Bunko Co., Ltd. (Column: KD801 and KD805 manufactured by Shodex; eluent: dimethylformamide/LiBr H 2 O (29.6 mM)/ H 3 PO 4 (29.6 mM)/THF (0.1 wt%); flow rate: 1.0 mL/min; column temperature: 40°C; Mw: standard polystyrene equivalent).

[3] 폴리머의 합성 [3] Synthesis of polymers

이하의 방법에 의해 폴리아믹산을 합성했다. A polyamic acid was synthesized by the following method.

또한 얻어진 폴리머 함유 반응액으로부터 폴리머를 단리하지 않고, 후술하는 바와 같이 반응액을 희석함으로써, 수지 기판 형성용 조성물 또는 기판 보호층 형성용 조성물을 조제했다. Further, a composition for forming a resin substrate or a composition for forming a substrate protective layer was prepared by diluting the reaction liquid as described later without isolating the polymer from the resulting polymer-containing reaction liquid.

<합성예 S1 폴리아믹산(S1)의 합성> <Synthesis Example S1 Synthesis of polyamic acid (S1)>

p-PDA 3.176g(0.02937몰)을 NMP 88.2g에 용해하고, BPDA 8.624g(0.02931몰)을 첨가한 후, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 107,300, 분자량 분포 4.6이었다. After dissolving 3.176 g (0.02937 mol) of p-PDA in 88.2 g of NMP and adding 8.624 g (0.02931 mol) of BPDA, the mixture was reacted at 23° C. for 24 hours under a nitrogen atmosphere. Mw of the obtained polymer was 107,300 and molecular weight distribution 4.6.

<합성예 L1 폴리아믹산(L1)의 합성> <Synthesis Example L1 Synthesis of polyamic acid (L1)>

TFMB 23.7g(74.2mmol)을 NMP 352g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 BPDA 24.2g(82.5mmol)을 가하고, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 76,400, 분자량 분포 2.2였다. 얻어진 용액은 PGME에 가용이었다. 23.7 g (74.2 mmol) of TFMB was dissolved in 352 g of NMP. BPDA 24.2g (82.5mmol) was added to the obtained solution, and it was made to react at 23 degreeC for 24 hours in nitrogen atmosphere. Mw of the obtained polymer was 76,400 and molecular weight distribution 2.2. The obtained solution was soluble in PGME.

<합성예 L2 폴리아믹산(L2)의 합성> <Synthesis Example L2 Synthesis of polyamic acid (L2)>

TFMB 9.89g(30.9mmol)을 PGME 380g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 BPDA 10.0g(34.3mmol)을 가하고, 질소 분위기하 50℃에서 72시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 76,400, 분자량 분포 2.2였다. 9.89 g (30.9 mmol) of TFMB was dissolved in 380 g of PGME. BPDA 10.0g (34.3mmol) was added to the obtained solution, and it was made to react at 50 degreeC for 72 hours in nitrogen atmosphere. Mw of the obtained polymer was 76,400 and molecular weight distribution 2.2.

<비교 합성예 HL1 폴리아믹산(HL1)의 합성> <Comparative Synthesis Example HL1 Synthesis of polyamic acid (HL1)>

TFMB 2.73g(8.53mmol)을 NMP 38.5g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 PMDA 2.06g(9.47mmol)을 가하고, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 76,400, 분자량 분포 2.2였다. 얻어진 용액은 PGME에 가용이었다. 2.73 g (8.53 mmol) of TFMB was dissolved in 38.5 g of NMP. PMDA 2.06g (9.47mmol) was added to the obtained solution, and it was made to react at 23 degreeC in nitrogen atmosphere for 24 hours. Mw of the obtained polymer was 76,400 and molecular weight distribution 2.2. The obtained solution was soluble in PGME.

<비교 합성예 HL2 폴리아믹산(HL2)의 합성> <Comparative Synthesis Example HL2 Synthesis of polyamic acid (HL2)>

TFMB 2.86g(8.91mmol)을 NMP 35.2g에 용해시켰다. 얻어진 용액에 CBDA 1.94g(9.91mmol)을 가하고, 질소 분위기하 23℃에서 24시간 반응시켰다. 얻어진 폴리머의 Mw는 69,200, 분자량 분포 2.2였다. 얻어진 용액은 PGME에 가용이었다. 2.86 g (8.91 mmol) of TFMB was dissolved in 35.2 g of NMP. CBDA 1.94g (9.91mmol) was added to the obtained solution, and it was made to react at 23 degreeC for 24 hours in nitrogen atmosphere. Mw of the obtained polymer was 69,200 and molecular weight distribution 2.2. The obtained solution was soluble in PGME.

[4] 수지 기판 형성용 조성물의 조제 [4] Preparation of a composition for forming a resin substrate

[조제예 1] [Preparation Example 1]

합성예 S1에서 얻어진 반응액을 그대로 수지 기판 형성용 조성물로서 사용했다. The reaction solution obtained in Synthesis Example S1 was used as it was as a composition for forming a resin substrate.

[5] 기판 보호층 형성용 조성물의 조제 [5] Preparation of a composition for forming a substrate protective layer

[실시예 1-1] [Example 1-1]

합성예 L1에서 얻어진 반응액에 BCS와 NMP를 가하고, 폴리머 농도가 5wt%, BCS가 20질량%가 되도록 희석하여, 기판 보호층 형성용 조성물을 얻었다. BCS and NMP were added to the reaction solution obtained in Synthesis Example L1 and diluted so that the polymer concentration was 5 wt% and the BCS was 20 mass%, thereby obtaining a composition for forming a substrate protective layer.

[실시예 1-2] [Example 1-2]

합성예 L2에서 얻어진 반응 용액을 그대로 기판 보호층 형성용 조성물로 했다. The reaction solution obtained in Synthesis Example L2 was used as a composition for forming a substrate protective layer as it was.

[비교예 1-1] [Comparative Example 1-1]

비교 합성예 HL1에서 얻어진 반응액에 BCS와 NMP를 가하고, 폴리머 농도가 5wt%, BCS가 20질량%가 되도록 희석하여, 기판 보호층 형성용 조성물을 얻었다. BCS and NMP were added to the reaction solution obtained in Comparative Synthesis Example HL1 and diluted so that the polymer concentration was 5 wt% and the BCS was 20 mass%, thereby obtaining a composition for forming a substrate protective layer.

[비교예 1-2] [Comparative Example 1-2]

비교 합성예 HL2에서 얻어진 반응액에 BCS와 NMP를 가하고, 폴리머 농도가 5wt%, BCS가 20질량%가 되도록 희석하여, 기판 보호층 형성용 조성물을 얻었다. BCS and NMP were added to the reaction solution obtained in Comparative Synthesis Example HL2 and diluted so that the polymer concentration was 5 wt% and the BCS was 20 mass%, thereby obtaining a composition for forming a substrate protective layer.

[6] 기판 보호층 및 수지 기판의 제작 [6] Production of substrate protective layer and resin substrate

[실시예 2-1] [Example 2-1]

스핀 코터(조건 : 회전수 3,000rpm으로 약30초)를 사용하여, 실시예 1-1에서 얻어진 기판 보호층 형성용 조성물을 유리 기체로서의 100mm×100mm 유리 기판(이하 동일) 상에 도포했다. The composition for forming a substrate protective layer obtained in Example 1-1 was applied onto a 100 mm x 100 mm glass substrate (the same below) as a glass substrate using a spin coater (condition: rotation speed of 3,000 rpm for about 30 seconds).

그리고 얻어진 도막을 핫플레이트를 사용하여 80℃에서 10분간 가열하고, 그 후, 오븐을 사용하여 300℃에서 30분간, 400℃에서 30분간 가열한 후, 추가로 500℃에서 10분간 가열하여, 유리 기판 상에 두께 약0.1μm의 기판 보호층을 형성하고, 기판 보호층 부착 유리 기판을 얻었다. 또한 각 가열 온도 사이의 승온 속도는 5℃/분으로 하고, 온도를 높이는 동안, 막 부착 기판을 오븐으로부터 꺼내지 않고 오븐 내에서 가열했다. And the obtained coating film was heated at 80 ° C. for 10 minutes using a hot plate, then heated at 300 ° C. for 30 minutes and at 400 ° C. for 30 minutes using an oven, and then further heated at 500 ° C. for 10 minutes, A substrate protective layer having a thickness of about 0.1 μm was formed on the substrate to obtain a glass substrate with a substrate protective layer. In addition, the heating rate between each heating temperature was 5°C/min, and while the temperature was being raised, the film-attached substrate was heated in the oven without taking it out of the oven.

바 코터(갭 : 250μm)를 사용하여, 상기에서 얻어진 유리 기판 상의 기판 보호층(수지 박막) 상에 수지 기판 형성용 조성물을 도포했다. 그리고, 얻어진 도막을 핫플레이트를 사용하여 80℃에서 40분간 가열하고, 그 후, 오븐을 사용하여 140℃, 210℃, 300℃ 및 400℃에서 각각 30분간 가열한 후, 추가로 500℃에서 60분간 가열하여, 기판 보호층 상에 두께 약10μm의 폴리이미드 수지 기판을 형성하고, 수지 기판·기판 보호층 부착 유리 기판을 얻었다. 또한 각 가열 온도 사이의 승온 속도는 2℃/분으로 하고, 온도를 높이는 동안, 막 부착 기판을 오븐으로부터 꺼내지 않고 오븐 내에서 가열했다. The composition for forming a resin substrate was applied onto the substrate protective layer (resin thin film) on the glass substrate obtained above using a bar coater (gap: 250 μm). Then, the obtained coating film was heated at 80°C for 40 minutes using a hot plate, then heated at 140°C, 210°C, 300°C, and 400°C for 30 minutes using an oven, and then further heated at 500°C for 60 minutes. After heating for a minute, a polyimide resin substrate having a thickness of about 10 μm was formed on the substrate protective layer, and a resin substrate/glass substrate with a substrate protective layer was obtained. In addition, the heating rate between each heating temperature was 2°C/min, and while the temperature was being raised, the film-attached substrate was heated in the oven without taking it out of the oven.

[실시예 2-2] [Example 2-2]

실시예 1-1에서 얻어진 기판 보호층 형성용 조성물 대신에 실시예 1-2에서 얻어진 기판 보호층 형성용 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 기판 보호층 및 폴리이미드 수지 기판을 형성하여, 기판 보호층 부착 유리 기판 및 수지 기판·기판 보호층 부착 유리 기판을 얻었다. A substrate protective layer and a polyimide resin substrate were prepared in the same manner as in Example 2-1, except that the composition for forming a protective layer obtained in Example 1-2 was used instead of the composition for forming a protective layer obtained in Example 1-1. was formed to obtain a glass substrate with a substrate protective layer and a glass substrate with a resin substrate/substrate protective layer.

[비교예 2-1~2-2] [Comparative Examples 2-1 to 2-2]

실시예 1-1에서 얻어진 기판 보호층 형성용 조성물 대신에 각각 비교예 1-1~1-2에서 얻어진 기판 보호층 형성용 조성물을 사용한 것 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 기판 보호층 및 폴리이미드 수지 기판을 형성하여, 기판 보호층 부착 유리 기판 및 수지 기판·기판 보호층 부착 유리 기판을 얻었다. Substrate protective layer in the same manner as in Example 2-1, except that the composition for forming a protective layer obtained in Comparative Examples 1-1 to 1-2 was used instead of the composition for forming a protective layer obtained in Example 1-1. And a polyimide resin substrate was formed to obtain a glass substrate with a substrate protective layer and a glass substrate with a resin substrate/substrate protective layer.

[7] 박리성의 평가 [7] Evaluation of peelability

실시예 2-1~2-2 및 비교예 2-1~2-2에서 얻어진 수지 기판·기판 보호층 부착 유리 기판의 수지 기판 및 기판 보호층을 커터를 사용하여 폭 2cm, 길이 5cm의 스트립 형상으로 커트했다. 그리고 커트한 수지 기판의 단부에 점착 테이프를 첩부하고, 이것을 시험편으로 했다. 이 시험편을 (주)아토닉제 푸시 풀 테스터를 사용하여 박리 각도가 170°가 되도록 박리 시험을 행하고, 하기의 기준에 기초하여 박리성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. The resin substrate and the substrate protective layer of the glass substrate with the resin substrate and substrate protective layer obtained in Examples 2-1 to 2-2 and Comparative Examples 2-1 to 2-2 were cut into a strip shape with a width of 2 cm and a length of 5 cm using a cutter. cut with And the adhesive tape was affixed to the edge part of the cut resin substrate, and this was made into the test piece. This test piece was subjected to a peeling test so that the peeling angle was 170° using a push-pull tester manufactured by Atonic Co., Ltd., and the peelability was evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 1.

<유리 기판과 기판 보호층의 박리성 평가 기준> <Criteria for Evaluation of Peelability of Glass Substrate and Substrate Protective Layer>

○ : 기판 보호층이 유리 기체로부터 모두 박리된다. ○: The substrate protective layer is all peeled off from the glass substrate.

△ : 수지 기판을 박리할 수 있지만, 일부 유리 기체 상에 기판 보호층이 남는다. Δ: The resin substrate can be peeled off, but the substrate protective layer remains on a part of the glass substrate.

× : 유리 기체로부터 수지 기판 및 기판 보호층을 박리할 수 없다. x: The resin substrate and the substrate protective layer cannot be separated from the glass substrate.

또 박리된 부위의 유리면의 표면을 커터로 깎아내어, 이하의 기준에 기초하여 잔막성을 평가했다. 결과를 표 1에 나타낸다. In addition, the surface of the glass surface at the peeled site was scraped off with a cutter, and film remaining properties were evaluated based on the following criteria. The results are shown in Table 1.

<유리 기판에 대한 기판 보호층의 잔막성 평가 기준> <Criteria for Evaluation of Residual Film Property of Substrate Protective Layer on Glass Substrate>

○ : 기판 보호층의 잔막이 없다. ○: There is no residual film of the substrate protective layer.

△ : 일부 기판 보호층이 남는다. Δ: A part of the substrate protective layer remains.

× : 기판 보호층이 남는다. x: The substrate protective layer remains.

- : 수지 기판이 박리되지 않기 때문에 평가 불능. -: Evaluation is impossible because the resin substrate is not peeled off.

기판 보호층substrate protective layer 유리 기판과 기판 보호층의 박리성Peelability between glass substrate and substrate protective layer 유리 기판에 대한 기판 보호층의 잔막성Film retention of the substrate protective layer on the glass substrate 실시예2-1Example 2-1 L1L1 실시예2-2Example 2-2 L2L2 비교예2-1Comparative Example 2-1 HL1HL1 ×× -- 비교예2-2Comparative Example 2-2 HL2HL2 ×× --

표 1에 표시되는 바와 같이, 실시예 2-1~2-2의 기판 보호층은 수지 기판과 함께 용이하게 박리되어, 유리 기판에 기판 보호층의 잔막이 없는 것을 확인할 수 있었다. 한편, 비교예 2-1~2-2의 수지 기판은 기판 보호층을 개재시켜 유리 기판에 강고하게 첩부되어, 유리 기체로부터 박리할 수 없었다. As shown in Table 1, it was confirmed that the substrate protective layers of Examples 2-1 to 2-2 were easily peeled off together with the resin substrate, and there was no residual film of the substrate protective layer on the glass substrate. On the other hand, the resin substrates of Comparative Examples 2-1 to 2-2 were firmly adhered to the glass substrate with the substrate protective layer interposed therebetween, and could not be peeled off from the glass substrate.

[9] 수지막의 물성 [9] Properties of resin film

실시예 2-1에서 얻어진 수지 기판의 기계 특성을 측정했다. 또한 비교로서 기판 보호층을 형성하지 않고 수지 기판 형성용 조성물 S1을 기체 상에 직접 도포하고 소성하여 제작한 수지 기판을 사용했다. 그 때, 기체를 유리 기판으로부터 실리콘 기판으로 변경하고, 그 이외에는 실시예 2-1과 마찬가지의 방법으로 수지 기판을 형성했다. 얻어진 수지막을 SF1로 했다. The mechanical properties of the resin substrate obtained in Example 2-1 were measured. Further, as a comparison, a resin substrate prepared by directly applying and firing composition S1 for forming a resin substrate on a substrate without forming a substrate protective layer was used. At that time, the substrate was changed from the glass substrate to the silicon substrate, and a resin substrate was formed in the same manner as in Example 2-1 except for that. The obtained resin film was made into SF1.

<선팽창계수> <Coefficient of linear expansion>

상기에서 얻어진 필름으로부터 20mm×5mm의 스트립 형상의 시험편을 제작하고, TMA-4000SA(브루커·에이엑스에스(주)제)를 사용하여, 50℃로부터 500℃까지의 선팽창계수를 측정했다. 결과를 표 2에 나타낸다. A strip-shaped test piece of 20 mm × 5 mm was prepared from the film obtained above, and the coefficient of linear expansion from 50 ° C. to 500 ° C. was measured using TMA-4000SA (manufactured by Bruker AXS Co., Ltd.). The results are shown in Table 2.

<중량 감소> <weight reduction>

상기에서 얻어진 필름으로부터 20mm×3mm의 스트립 형상의 시험편을 제작하고, TGA-DTA-2000SR(브루커·에이엑스에스(주)제)을 사용하여, 50℃로부터 600℃까지의 중량 감소를 측정하고, 1%의 중량 감소가 확인된 온도를 확인했다. 결과를 표 2에 나타낸다. A strip-shaped test piece of 20 mm × 3 mm was prepared from the film obtained above, and the weight loss from 50 ° C. to 600 ° C. , the temperature at which a weight loss of 1% was found. The results are shown in Table 2.

기판 보호층substrate protective layer 선팽창계수
(ppm/℃)
coefficient of linear expansion
(ppm/℃)
1% 중량 감소
(℃)
1% weight reduction
(℃)
SF1SF1 -- -15-15 550550 실시예2-1Example 2-1 L1L1 -9-9 548548

표 2에 표시되는 바와 같이, 실시예에서 제작한 기판 보호층 부착 수지 기판과, 기판 보호층을 형성하지 않고 제작한 수지 기판에 있어서, 기계 특성에 차가 없는 것을 확인할 수 있었다. 이상의 결과로부터, 기판 보호층이 제작한 수지 기판의 기계 특성에 영향을 주지 않는 것이 확인되었다. As shown in Table 2, it was confirmed that there was no difference in mechanical properties between the resin substrate with a substrate protective layer produced in Examples and the resin substrate produced without forming a substrate protective layer. From the above results, it was confirmed that the substrate protective layer did not affect the mechanical properties of the fabricated resin substrate.

Claims (11)

기체 상에 하기 식(1)로 표시되는 폴리아믹산과 유기 용매를 포함하는 기판 보호층 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 상기 기체로부터의 이박리성을 가지는 기판 보호층을 형성하는 공정과,
이 기판 보호층 상에 수지 기판 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 수지 기판을 형성하는 공정과,
이 수지 기판 상에 전자 디바이스를 제작하는 공정과,
상기 기체로부터 상기 기판 보호층 및 상기 수지 기판과 함께 상기 전자 디바이스를 박리하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법.
Figure 112022079170417-pct00012

(식 중, X는 하기 식(2)으로 표시되는 방향족기를 나타내고, Y는 불소 원자를 가지는 2가의 방향족기를 나타내고, n은 자연수를 나타낸다.)
Figure 112022079170417-pct00013
A composition for forming a substrate protective layer containing a polyamic acid represented by the following formula (1) and an organic solvent is applied onto a substrate, and fired at a maximum temperature of 500° C. or higher to obtain a substrate protective layer having easy releasability from the substrate. forming process,
A step of applying a composition for forming a resin substrate on the substrate protective layer and firing it at a maximum temperature of 500° C. or higher to form a resin substrate;
A step of manufacturing an electronic device on the resin substrate;
and a step of peeling the electronic device together with the substrate protective layer and the resin substrate from the substrate.
Figure 112022079170417-pct00012

(In the formula, X represents an aromatic group represented by the following formula (2), Y represents a divalent aromatic group having a fluorine atom, and n represents a natural number.)
Figure 112022079170417-pct00013
제 1 항에 있어서, 상기 Y가 하기 식(3)으로 표시되는 방향족기인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법.
Figure 112022079170417-pct00014
The method of manufacturing a flexible electronic device according to claim 1, wherein Y is an aromatic group represented by the following formula (3).
Figure 112022079170417-pct00014
제 1 항에 있어서, 상기 Y가 하기 식(4)으로 표시되는 방향족기인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법.
Figure 112022079170417-pct00015
The method of manufacturing a flexible electronic device according to claim 1, wherein Y is an aromatic group represented by the following formula (4).
Figure 112022079170417-pct00015
제 1 항에 있어서, 상기 유기 용매가 하기 식(S1)~(S7)으로 표시되는 구조를 가지는 것으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법.
Figure 112022079170417-pct00016

(식 중, R1~R8은 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타내고, R9 및 R10은 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~10의 아실기를 나타내고, b 및 n은 자연수를 나타낸다)
The method for manufacturing a flexible electronic device according to claim 1, wherein the organic solvent is at least one selected from those having structures represented by the following formulas (S1) to (S7).
Figure 112022079170417-pct00016

(Wherein, R 1 to R 8 independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R 10 are independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms) represents an acyl group of, and b and n represent natural numbers)
제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지 기판이 폴리이미드 수지 기판인 것을 특징으로 하는 플렉서블 전자 디바이스의 제조 방법. The method for manufacturing a flexible electronic device according to any one of claims 1 to 4, wherein the resin substrate is a polyimide resin substrate. 기체 상에 하기 식(1)로 표시되는 폴리아믹산과 유기 용매를 포함하는 기판 보호층 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 기판 보호층을 형성한 후, 이 기판 보호층 상에 수지 기판 형성용 조성물을 도포하고, 최고 온도 500℃ 이상에서 소성하여 수지 기판을 형성한 후, 상기 수지 기판을 상기 기판 보호층과 함께 기체로부터 박리하는 것을 특징으로 하는 보호층 부착 수지 기판의 제조 방법.
Figure 112022079170417-pct00017

(식 중, X는 하기 식(2)으로 표시되는 방향족기를 나타내고, Y는 불소 원자를 가지는 2가의 방향족기를 나타내고, n은 자연수를 나타낸다.)
Figure 112022079170417-pct00018
A composition for forming a substrate protective layer containing a polyamic acid represented by the following formula (1) and an organic solvent is applied onto a substrate, fired at a maximum temperature of 500° C. or higher to form a substrate protective layer, and then the substrate protective layer is formed. A composition for forming a resin substrate is applied to a substrate, fired at a maximum temperature of 500° C. or higher to form a resin substrate, and then the resin substrate together with the substrate protective layer is separated from the substrate. method.
Figure 112022079170417-pct00017

(In the formula, X represents an aromatic group represented by the following formula (2), Y represents a divalent aromatic group having a fluorine atom, and n represents a natural number.)
Figure 112022079170417-pct00018
제 6 항에 있어서, 상기 Y가 하기 식(3)으로 표시되는 방향족기인 것을 특징으로 하는 보호층 부착 수지 기판의 제조 방법.
Figure 112022079170417-pct00019
The method for manufacturing a resin substrate with a protective layer according to claim 6, wherein Y is an aromatic group represented by the following formula (3).
Figure 112022079170417-pct00019
제 6 항에 있어서, 상기 Y가 하기 식(4)으로 표시되는 방향족기인 것을 특징으로 하는 보호층 부착 수지 기판의 제조 방법.
Figure 112022079170417-pct00020
The method for manufacturing a resin substrate with a protective layer according to claim 6, wherein Y is an aromatic group represented by the following formula (4).
Figure 112022079170417-pct00020
제 6 항에 있어서, 상기 유기 용매가 하기 식(S1)~(S7)으로 표시되는 구조를 가지는 것으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 보호층 부착 수지 기판의 제조 방법.
Figure 112022079170417-pct00021

(식 중, R1~R8은 서로 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1~10의 알킬기를 나타내고, R9 및 R10은 서로 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1~10의 알킬기, 또는 탄소수 1~10의 아실기를 나타내고, b 및 n은 자연수를 나타낸다)
The method for manufacturing a resin substrate with a protective layer according to claim 6, wherein the organic solvent is at least one selected from those having structures represented by the following formulas (S1) to (S7).
Figure 112022079170417-pct00021

(Wherein, R 1 to R 8 independently represent a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, and R 9 and R 10 are independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, or an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms) represents an acyl group of, and b and n represent natural numbers)
제 6 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 수지 기판이 폴리이미드 수지 기판인 것을 특징으로 하는 보호층 부착 수지 기판의 제조 방법.The method for manufacturing a resin substrate with a protective layer according to any one of claims 6 to 9, wherein the resin substrate is a polyimide resin substrate. 삭제delete
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