KR102108263B1 - Substrate processing system - Google Patents

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Abstract

기판 처리 시스템은 복수의 기판들을 적재하는 기판 적재부, 상기 기판 적재부로부터 N(N은 2보다 크거나 같은 자연수) 개의 기판들을 동시에 이송하는 기판 이송부, 및 상기 기판 이송부로부터 상기 N개의 기판들을 동시에 제공받아 처리하는 복수의 프로세스 챔버들을 포함하는 기판 처리부를 포함하고, 상기 각각의 프로세스 챔버는, 상기 N개의 기판들이 안착되는 스테이지 및 상기 N개의 기판들 사이에 배치되는 절연층을 포함한다.The substrate processing system includes a substrate loading unit for loading a plurality of substrates, a substrate transfer unit for simultaneously transferring N (N is a natural number greater than or equal to 2) substrates from the substrate loading unit, and the N substrates from the substrate transfer unit simultaneously And a substrate processing unit including a plurality of process chambers provided and processed, and each process chamber includes a stage on which the N substrates are seated and an insulating layer disposed between the N substrates.

Description

기판 처리 시스템{SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}Substrate processing system {SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM}

본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로 더욱 상세하게는 복수의 기판들을 동시에 처리할 수 있는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system, and more particularly, to a substrate processing system capable of simultaneously processing a plurality of substrates.

일반적으로 표시 장치는 복수의 소자들이 배치된 표시 패널을 포함한다. 표시 패널의 제조시 이러한 소자들을 형성하기 위한 금속 박막 및 무기층 등이 기판 상에 형성된다. Generally, a display device includes a display panel in which a plurality of elements are disposed. In manufacturing a display panel, a metal thin film and an inorganic layer for forming these elements are formed on a substrate.

표시 패널의 기판에 금속 박막 및 무기층 등을 형성하기 위해 기판 처리 시스템이 사용된다. 기판 처리 시스템은 기판을 수용하는 카세트, 카세트로부터 기판을 이송하는 이송 장치, 및 이송 장치로부터 기판을 제공받아 금속 박막 및 무기층 을 형성하기 위한 기판 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치를 포함한다.A substrate processing system is used to form a metal thin film and an inorganic layer on the substrate of the display panel. The substrate processing system includes a cassette for receiving a substrate, a transfer device for transferring the substrate from the cassette, and a substrate processing device for receiving the substrate from the transfer device and performing a substrate processing process for forming a metal thin film and an inorganic layer.

기판 처리 장치는 다양한 공정을 수행하여 기판을 처리하는 프로세스 챔버들을 포함한다. 예를 들어, 프로세스 챔버들은 스퍼터링 공정을 수행하는 스퍼터링 챔버 및 화학 기상 증착 공정을 수행하는 화학 기상 증착 챔버 등을 포함할 수 있다.The substrate processing apparatus includes process chambers that perform various processes to process a substrate. For example, the process chambers may include a sputtering chamber performing a sputtering process, a chemical vapor deposition chamber performing a chemical vapor deposition process, and the like.

이송 장치은 카세트로부터 기판을 하나씩 기판 처리 장치에 이송한다. 기판 처리 장치는 하나씩 제공받은 기판을 처리한다. The transfer apparatus transfers the substrates from the cassette one by one to the substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus processes the provided substrates one by one.

본 발명의 목적은 복수의 기판들을 동시에 처리할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공하는데 있다. An object of the present invention is to provide a substrate processing system capable of simultaneously processing a plurality of substrates.

본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템은 복수의 기판들을 적재하는 기판 적재부, 상기 기판 적재부로부터 N(N은 자연수) 개의 기판들을 동시에 이송하는 기판 이송부, 및 상기 기판 이송부로부터 상기 N개의 기판들을 동시에 제공받아 처리하는 복수의 프로세스 챔버들을 포함하는 기판 처리부를 포함하고, 상기 각각의 프로세스 챔버는, 상기 N개의 기판들이 안착되는 스테이지 및 상기 N개의 기판들 사이에 배치되는 절연층을 포함한다.A substrate processing system according to an embodiment of the present invention includes a substrate loading unit for loading a plurality of substrates, a substrate transfer unit for simultaneously transferring N (N is a natural number) substrates from the substrate loading unit, and the N substrates from the substrate transfer unit It includes a substrate processing unit including a plurality of process chambers that are provided and processed at the same time, each of the process chamber includes a stage on which the N substrates are seated and an insulating layer disposed between the N substrates.

상기 기판 적재부는, 상기 복수의 기판들 중 복수의 제1 기판들을 복수의 층들로 적재하는 제1 영역 및 상기 복수의 기판들 중 복수의 제2 기판들을 복수의 층들로 적재하는 제2 영역을 포함하고, 동일층에 한 쌍의 제1 및 제2 기판들이 서로 이격되어 배치된다.The substrate loading unit includes a first region for loading a plurality of first substrates among the plurality of substrates into a plurality of layers and a second region for loading a plurality of second substrates among the plurality of substrates into a plurality of layers. Then, a pair of first and second substrates are spaced apart from each other on the same layer.

상기 기판 이송부는 상기 기판 적재부로부터 상기 한 쌍의 제1 및 제2 기판들을 동시에 이송한다.The substrate transfer unit simultaneously transfers the pair of first and second substrates from the substrate stack.

상기 기판 적재부는, 틀 형상을 갖는 상부 프레임, 제1 방향에서 상기 상부 프레임의 일측에 연결되고, 틀 형상을 가지며, 상기 상부 프레임과 수직하게 배치되는 전면 프레임, 상기 제1 방향에서 상기 상부 프레임의 타측에 연결되고, 틀 형상을 가지며, 상기 상부 프레임과 수직하게 배치되는 후면 프레임, 상기 제1 방향과 교차하는 제2 방향에서 상기 상부 프레임의 일측, 상기 전면 프레임의 일측, 및 상기 후면 프레임의 일측에 연결되는 제1 측벽부, 상기 제2 방향에서 상기 상부 프레임의 타측, 상기 전면 프레임의 타측, 및 상기 후면 프레임의 타측에 연결되는 제2 측벽부, 상기 상부 프레임과 마주보도록 상기 전면 프레임의 하부, 상기 후면 프레임의 하부, 상기 제1 측벽부의 하부, 및 상기 제2 측벽부의 하부에 연결되는 바닥부, 상기 제1 측벽부의 내측면에 배치되어 상기 제2 방향으로 연장되고, 상기 제1 및 제2 방향들과 교차하는 제3 방향에서 소정의 간격을 두고 배치되어 상기 제1 방향으로 배열되는 복수의 제1 지지바들, 상기 제2 측벽부의 내측면에 배치되어 상기 제2 방향으로 연장되고, 상기 제3 방향에서 소정의 간격을 두고 배치되어 상기 제1 방향으로 배열되며, 상기 제1 지지바들과 1:1 대응하도록 배치되는 복수의 제2 지지바들, 및 상기 제1 방향에서 상기 제1 측벽부의 내측면의 중심부 및 상기 제2 측벽부의 내측면의 중심부에 배치되어 상기 제2 방향으로 연장되고, 상기 제3 방향으로 소정의 간격을 두고 배열되는 복수의 구획바들을 포함한다.The substrate loading part, an upper frame having a frame shape, connected to one side of the upper frame in a first direction, has a frame shape, and a front frame vertically disposed with the upper frame, and the upper frame in the first direction A rear frame connected to the other side, having a frame shape, and vertically disposed with the upper frame, one side of the upper frame in a second direction intersecting the first direction, one side of the front frame, and one side of the rear frame A first side wall portion connected to the other side of the upper frame in the second direction, the other side of the front frame, and a second side wall portion connected to the other side of the rear frame, the lower portion of the front frame facing the upper frame , A lower portion of the rear frame, a lower portion of the first side wall portion, and a bottom portion connected to a lower portion of the second side wall portion, within the first side wall portion A plurality of first support bars arranged on a surface and extending in the second direction, and arranged at the first direction at predetermined intervals in a third direction intersecting the first and second directions, the first 2 is disposed on the inner surface of the side wall portion extending in the second direction, arranged at a predetermined distance in the third direction is arranged in the first direction, a plurality of arranged to correspond 1: 1 with the first support bars The second support bars are disposed at the center of the inner surface of the first side wall portion and the center of the inner side surface of the second side wall portion in the first direction, extending in the second direction, and spaced in the third direction. It includes a plurality of partition bars arranged.

상기 제1 방향에서 상기 구획바들은 상기 제1 지지바들 및 상기 제2 지지바들과 오버랩되도록 배치되고, 상기 제2 방향에서 상기 구획바들의 길이는 제1 및 제2 지지바들의 길이보다 짧다.In the first direction, the partition bars are disposed to overlap the first support bars and the second support bars, and the length of the partition bars in the second direction is shorter than the lengths of the first and second support bars.

상기 제1 방향에서 상기 구획바들의 좌측에 배치된 제1 및 제2 지지바들과 상기 제1 방향에서 상기 구획바들의 우측에 배치된 제1 및 제2 지지바들은 균등한 간격을 두고 배열된다.The first and second support bars arranged on the left side of the partition bars in the first direction and the first and second support bars arranged on the right side of the partition bars in the first direction are arranged at equal intervals.

상기 구획바들과 상기 전면 프레임 사이의 영역으로 정의되는 상기 제1 영역에서 상기 제1 기판들은 상기 제1 방향 및 상기 제2 방향에 평행한 평면을 기준으로 동일 평면으로 정의되는 동일층에 배치된 제1 및 제2 지지바들 상에 하나씩 배치되고, 상기 구획바들과 상기 후면 프레임 사이의 영역으로 정의되는 상기 제2 영역에서 상기 제2 기판들은 상기 동일층에 배치된 제1 및 제2 지지바들 상에 하나씩 배치된다.In the first region defined as an area between the partition bars and the front frame, the first substrates are disposed on the same layer defined as the same plane based on a plane parallel to the first direction and the second direction. The second substrates are disposed on the first and second support bars one by one, and in the second area defined as an area between the partition bars and the rear frame, the second substrates are on the first and second support bars arranged on the same layer. Are placed one by one.

상기 기판 이송부는, 이송 바퀴들에 의해 이동하는 제1 지지부, 상기 제1 지지부 상에 배치되어 상기 제3 방향으로 연장되는 제2 지지부, 및 상기 제1 방향에서 상기 제2 지지부의 일측에 배치되어 상기 제1 방향으로 연장되고, 상하로 이동되는 복수의 로봇암들을 포함한다.The substrate transfer part is disposed on one side of the first support portion moved by the transfer wheels, the second support portion disposed on the first support portion and extending in the third direction, and the second support portion in the first direction. It includes a plurality of robot arms extending in the first direction and moved up and down.

상기 로봇 암들은 상기 제1 지지바들 및 상기 제2 지지바들 사이의 간격보다 좁게 배치되고, 상기 제1 방향에서 상기 로봇 암들의 길이는 상기 한 쌍의 제1 및 제2 기판들의 길이를 합한 길이보다 길다.The robot arms are disposed narrower than the distance between the first support bars and the second support bars, and the length of the robot arms in the first direction is greater than the length of the pair of first and second substrates combined. long.

상기 로봇 암들은 상기 전면 프레임의 제1 오픈 영역 또는 상기 후면 프레임의 제2 오픈 영역 중 어느 하나의 오픈 영역으로 삽입되어, 이송시키기 위한 한 쌍의 제1 및 제2 기판들을 안착시켜 동시에 이송한다.The robot arms are inserted into any one of the first open area of the front frame or the second open area of the rear frame, and the pair of first and second substrates for transfer are seated and simultaneously transferred.

상기 기판 처리부는, 상기 기판 이송부로부터 상기 한 쌍의 제1 및 제2 기판들을 제공받는 로딩 챔버 및 상기 로딩 챔버에 연결되고, 반송 로봇이 배치된 트랜스퍼 챔버를 더 포함하고, 상기 프로세스 챔버들은 상기 트랜스퍼 챔버에 연결되고, 상기 반송 로봇은 상기 로딩 챔버로부터 상기 한 쌍의 제1 및 제2 기판들을 상기 프로세스 챔버들에 제공한다.The substrate processing unit further includes a loading chamber receiving the pair of first and second substrates from the substrate transfer unit and a transfer chamber in which a transfer robot is disposed, and the process chambers include the transfer chamber. Connected to a chamber, the transfer robot provides the pair of first and second substrates from the loading chamber to the process chambers.

상기 스테이지는, 고주파 전원을 제공받는 제1 스테이지 및 상기 제1 스테이지 상에 배치되고, 정전 흡착용 직류 전원을 제공받는 제2 스테이지를 더 포함하고, 상기 한 쌍의 제1 및 제2 기판들 및 상기 절연층은 상기 제2 스테이지 상에 배치된다.The stage further includes a first stage receiving a high frequency power supply and a second stage disposed on the first stage and receiving a DC power for electrostatic adsorption, and the pair of first and second substrates and The insulating layer is disposed on the second stage.

상기 스테이지는 상기 제1 스테이지의 내부를 경유하여 배치되고 냉각수가 흐르는 냉각수 공급관을 더 포함한다.The stage further includes a cooling water supply pipe disposed through the interior of the first stage and through which cooling water flows.

상기 제2 스테이지는, 상기 제1 스테이지 상에 배치되는 제1 서브 스테이지 및 평면상에서 상기 제1 서브 스테이지보다 작은 크기를 갖고, 상기 제1 서브 스테이지 상에 배치된 제2 서브 스테이지를 포함하고, 상기 제2 서브 스테이지는 상기 제1 서브 스테이지의 경계의 소정의 영역과 오버랩하지 않도록 배치되고, 상기 한 쌍의 제1 및 제2 기판들 및 상기 절연층은 상기 제2 서브 스테이지 상에 배치된다.The second stage includes a first sub-stage disposed on the first stage and a second sub-stage having a smaller size than the first sub-stage on a plane, and disposed on the first sub-stage, and The second sub-stage is disposed so as not to overlap a predetermined area of the boundary of the first sub-stage, and the pair of first and second substrates and the insulating layer are disposed on the second sub-stage.

상기 스테이지는 상기 제1 서브 스테이지의 경계의 상기 소정의 영역에 배치되고, 상기 제1 서브 스테이지와 상기 제1 스테이지를 결합하는 복수의 결합 핀들을 더 포함한다.The stage is disposed in the predetermined area of the boundary of the first sub-stage, and further includes a plurality of coupling pins coupling the first sub-stage and the first stage.

상기 제2 서브 스테이지는 상기 제2 서브 스테이지의 중심부의 소정의 영역에서, 상기 제2 서브 스테이지의 상면부터 하부로 함몰되어 형성되고, 어느 일 방향으로 연장된 트렌치를 포함하고, 상기 절연층은 상기 트렌치에 배치된다.The second sub-stage is formed by being recessed from the top surface of the second sub-stage to a lower portion in a predetermined region of the center of the second sub-stage, and includes a trench extending in one direction, and the insulating layer is the Is placed in the trench.

본 발명의 실시 예에 따르며, 기판 이송부에 의해 복수의 기판들이 기판 처리부에 이송되고, 기판 처리부의 각 프로세스 챔버에서 복수의 기판들이 스테이지에 안착되어 동시에 처리될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템은 복수의 기판들을 동시에 처리할 수 있어 기판 처리시 공정 효율을 향상시킬 수 있다. According to an embodiment of the present invention, a plurality of substrates are transferred to a substrate processing unit by a substrate transfer unit, and a plurality of substrates are mounted on a stage in each process chamber of the substrate processing unit and can be simultaneously processed. Therefore, the substrate processing system according to the exemplary embodiment of the present invention can simultaneously process a plurality of substrates, thereby improving process efficiency during substrate processing.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템의 블록도를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 2는 도 1에 도시된 기판 적재부의 사시도이다.
도 3은 도 2에 도시된 기판 적재부에 기판이 적재된 상태를 상부에서 바라본 기판 적재부의 상면도이다.
도 4는 도 2에 도시된 기판 적재부에 기판이 적재된 상태를 정면에서 바라본 기판 적재부의 정면도이다.
도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 적재부의 사시도이다.
도 6은 도 1에 도시된 기판 이송부의 측면도이다.
도 7은 도 1에 도시된 기판 이송부의 상면도이다.
도 8a 및 도 8b는 도 2 내지 도 4에 도시된 기판 적재부로부터 기판들이 이송되는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 9a 내지 도 9d는 도 5에 도시된 기판 적재부로부터 기판들이 이송되는 동작을 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 도 1에 도시된 기판 처리부의 구성을 보여주는 도면이다.
도 11은 도 10에 도시된 각 프로세스 챔버에 배치된 스테이지의 개략적인 단면도이다.
도 12는 도 11에 도시된 스테이지의 상부 평면도이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 시스템의 스테이지의 개략적인 단면도이다.
도 14는 도 13에 도시된 스테이지의 상부 평면도이다.1 is a block diagram schematically showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view of the substrate loading unit shown in FIG. 1.
FIG. 3 is a top view of the substrate loading part as viewed from above when the substrate is loaded on the substrate loading part shown in FIG. 2.
FIG. 4 is a front view of the substrate loading unit as viewed from the front, with the substrate loaded on the substrate loading unit illustrated in FIG. 2.
5 is a perspective view of a substrate loading unit according to another embodiment of the present invention.
6 is a side view of the substrate transfer unit illustrated in FIG. 1.
7 is a top view of the substrate transfer unit illustrated in FIG. 1.
8A and 8B are diagrams for explaining operations in which substrates are transferred from the substrate stacking units illustrated in FIGS. 2 to 4.
9A to 9D are diagrams for explaining an operation in which substrates are transferred from the substrate loading unit illustrated in FIG. 5.
10 is a view showing the configuration of the substrate processing unit shown in FIG. 1.
11 is a schematic cross-sectional view of a stage disposed in each process chamber shown in FIG. 10.
12 is a top plan view of the stage shown in FIG. 11.
13 is a schematic cross-sectional view of a stage of a substrate processing system according to another embodiment of the present invention.
14 is a top plan view of the stage shown in FIG. 13.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention, and methods for achieving them will be clarified with reference to embodiments described below in detail together with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various different forms, and only the embodiments allow the disclosure of the present invention to be complete, and have ordinary knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully inform the person of the scope of the invention, and the invention is only defined by the scope of the claims. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.Elements or layers referred to as "on" or "on" of another device or layer are not only directly above the other device or layer, but also when intervening another layer or other device in the middle. All inclusive. On the other hand, when a device is referred to as “directly on” or “directly above”, it indicates that no other device or layer is interposed therebetween. “And / or” includes each and every combination of one or more of the items mentioned.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작 시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. The spatially relative terms “below”, “beneath”, “lower”, “above”, “upper”, etc., are as shown in the figure. It can be used to easily describe the correlation of a device or components with other devices or components. The spatially relative terms should be understood as terms including different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the drawings. The same reference numerals refer to the same components throughout the specification.

비록 제 1, 제 2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제 1 소자, 제 1 구성요소 또는 제 1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제 2 소자, 제 2 구성요소 또는 제 2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, it goes without saying that these elements, components and / or sections are not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Accordingly, it goes without saying that the first element, first component or first section mentioned below may be a second element, second component or second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 기술하는 실시 예들은 본 발명의 이상적인 개략도인 평면도 및 단면도를 참고하여 설명될 것이다. 따라서, 제조 기술 및/또는 허용 오차 등에 의해 예시도의 형태가 변형될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예들은 도시된 특정 형태로 제한되는 것이 아니라 제조 공정에 따라 생성되는 형태의 변화도 포함하는 것이다. 따라서, 도면에서 예시된 영역들은 개략적인 속성을 가지며, 도면에서 예시된 영역들의 모양은 소자의 영역의 특정 형태를 예시하기 위한 것이고, 발명의 범주를 제한하기 위한 것은 아니다. Embodiments described herein will be described with reference to plan and cross-sectional views, which are ideal schematic views of the present invention. Therefore, the shape of the exemplary diagram may be modified by manufacturing technology and / or tolerance. Therefore, the embodiments of the present invention are not limited to the specific shapes shown, but also include changes in shapes generated according to the manufacturing process. Accordingly, the regions illustrated in the figures have schematic properties, and the shapes of the regions illustrated in the figures are intended to illustrate a particular form of region of the device, and are not intended to limit the scope of the invention.

이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 보다 상세하게 설명한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템의 블록도를 개략적으로 도시한 도면이다.1 is a block diagram schematically showing a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 본 발명의 기판 처리 시스템(400)은 기판 적재부(100), 기판 이송부(200), 및 기판 처리부(300)를 포함한다.Referring to FIG. 1, the substrate processing system 400 of the present invention includes a substrate loading unit 100, a substrate transfer unit 200, and a substrate processing unit 300.

기판 적재부(100)에는 복수의 기판들이 적재된다. 기판 이송부(200)는 기판 적재부(100)로부터 소정의 개수 단위로 기판들을 이송한다. 예를 들어 기판 이송부(200)는 기판 적재부(100)에 적재된 기판들 중 N개의 기판들을 동시에 이송할 수 있다. N은 2보다 크거나 같은 자연수이다. A plurality of substrates are loaded on the substrate loading unit 100. The substrate transfer unit 200 transfers the substrates from the substrate loading unit 100 in a predetermined number of units. For example, the substrate transfer unit 200 may simultaneously transfer N substrates among the substrates loaded on the substrate loading unit 100. N is a natural number greater than or equal to 2.

기판 처리부(300)는 기판 이송부(200)로부터 N개의 기판들을 동시에 제공받는다. 기판 처리부(300)는 복수의 프로세스 챔버들을 포함한다. 각 프로세스 챔버는 기판 이송부(200)로부터 제공받은 N개의 기판들을 동시에 처리할 수 있다. 따라서, 본 발명의 기판 처리 시스템(400)은 기판 처리시 공정 효율을 향상시킬 수 있다. The substrate processing unit 300 simultaneously receives N substrates from the substrate transfer unit 200. The substrate processing unit 300 includes a plurality of process chambers. Each process chamber can simultaneously process N substrates provided from the substrate transfer unit 200. Therefore, the substrate processing system 400 of the present invention can improve process efficiency during substrate processing.

도 2는 도 1에 도시된 기판 적재부의 사시도이다. FIG. 2 is a perspective view of the substrate loading unit shown in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 기판 적재부(100)는 상부 프레임(110), 전면 프레임(120), 후면 프레임(130), 제1 측벽부(140), 제2 측벽부(150), 바닥부(160), 복수의 제1 지지바들(10), 복수의 제2 지지바들(20), 및 복수의 구획바들(30)을 포함한다. 기판 적재부(100)는 기판 적재용 카세트로 정의될 수 있다. Referring to FIG. 2, the substrate loading unit 100 includes an upper frame 110, a front frame 120, a rear frame 130, a first sidewall portion 140, a second sidewall portion 150, and a bottom portion ( 160), a plurality of first support bars 10, a plurality of second support bars 20, and a plurality of partition bars 30. The substrate loading unit 100 may be defined as a substrate loading cassette.

상부 프레임(110)은 사각형의 틀 형상을 갖는다. 상부 프레임(110)은 제1 방향(D1) 및 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)과 평행하게 배치된다. The upper frame 110 has a rectangular frame shape. The upper frame 110 is disposed parallel to the first direction D1 and the second direction D2 intersecting the first direction D1.

전면 프레임(120)은 사각형의 틀 형상을 갖고, 제1 방향(D1)에서 상부 프레임(110)의 일측에 연결된다. 전면 프레임(120)은 상부 프레임(100)과 수직하게 배치되어 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)과 교차하는 제3 방향(D3)으로 연장된다.The front frame 120 has a rectangular frame shape and is connected to one side of the upper frame 110 in the first direction D1. The front frame 120 is disposed perpendicular to the upper frame 100 and extends in a third direction D3 intersecting the first direction D1 and the second direction D2.

후면 프레임(130)은 사각형의 틀 형상을 갖고, 제1 방향(D1)에서 상부 프레임(110)의 타측에 연결된다. 후면 프레임(130)은 상부 프레임(100)과 수직하게 배치되어 제3 방향(D3)으로 연장된다. 후면 프레임(130)은 전면 프레임(120)과 마주보도록 배치된다.The rear frame 130 has a rectangular frame shape and is connected to the other side of the upper frame 110 in the first direction D1. The rear frame 130 is disposed perpendicular to the upper frame 100 and extends in the third direction D3. The rear frame 130 is disposed to face the front frame 120.

제1 측벽부(140)는 제1 방향(D1)과 교차하는 제2 방향(D2)에서 상부 프레임(110)의 일측, 전면 프레임(120)의 일측, 및 후면 프레임(130)의 일측에 연결된다. The first side wall part 140 is connected to one side of the upper frame 110, one side of the front frame 120, and one side of the rear frame 130 in the second direction D2 crossing the first direction D1. do.

제2 측벽부(150)는 제2 방향(D2)에서 상부 프레임(110)의 타측, 전면 프레임(120)의 타측, 및 후면 프레임(130)의 타측에 연결된다. 제2 측벽부(150)는 제1 측벽부(140)와 마주보도록 배치된다.The second side wall part 150 is connected to the other side of the upper frame 110, the other side of the front frame 120, and the other side of the rear frame 130 in the second direction D2. The second sidewall portion 150 is disposed to face the first sidewall portion 140.

바닥부(160)는 상부 프레임(110)과 마주보도록 배치된다. 바닥부(160)는 제3 방향(D3)에서 전면 프레임(120)의 하부, 후면 프레임(130)의 하부, 제1 측벽부(140)의 하부, 및 제2 측벽부(150)의 하부에 연결된다.The bottom part 160 is disposed to face the upper frame 110. In the third direction D3, the bottom portion 160 is located at a lower portion of the front frame 120, a lower portion of the rear frame 130, a lower portion of the first side wall portion 140, and a lower portion of the second side wall portion 150. Connected.

제1 지지바들(10)은 제1 측벽부(140)의 내측면에 배치되어 제2 방향(D2)으로 연장된다. 제1 지지바들(10)은 제3 방향(D3)에서 소정의 간격을 두고 배치되어 제1 방향(D1)으로 배열된다. The first support bars 10 are disposed on the inner surface of the first side wall portion 140 and extend in the second direction D2. The first support bars 10 are arranged at a predetermined distance in the third direction D3 and are arranged in the first direction D1.

제2 지지바들(20)은 제2 측벽부(150)의 내측면에 배치되어 제2 방향(D2)으로 연장된다. 제2 지지바들(20)은 제3 방향(D3)에서 소정의 간격을 두고 배치되어 제1 방향(D1)으로 배열된다. 제2 지지바들(20)은 제1 지지바들(10)과 1:1 대응하여 대칭되도록 배치된다. The second support bars 20 are disposed on the inner surface of the second side wall portion 150 and extend in the second direction D2. The second support bars 20 are arranged at a predetermined distance in the third direction D3 and are arranged in the first direction D1. The second support bars 20 are arranged to be symmetric in a 1: 1 correspondence with the first support bars 10.

구획바들(30)은 제1 방향(D1)에서 제1 측벽부(140)의 내측면의 중심부 및 제2 측벽부(150)의 내측면의 중심부에 배치되어 제2 방향(D2)으로 연장된다. 구획바들(30)은 제3 방향(D3)으로 소정의 간격을 두고 배열되며, 하나의 열로 배열될 수 있다.The partition bars 30 are disposed in the central portion of the inner surface of the first side wall portion 140 and the inner side of the second side wall portion 150 in the first direction D1 and extend in the second direction D2. . The partition bars 30 are arranged at predetermined intervals in the third direction D3, and may be arranged in one row.

제1 방향(D1)에서 구획바들(30)은 제1 지지바들(10) 및 제2 지지바들(20)과 오버랩되도록 배치된다. 제2 방향(D2)에서 구획바들(30)의 길이는 제1 및 제2 지지바들(10,20)의 길이보다 짧다.In the first direction D1, the partition bars 30 are arranged to overlap with the first support bars 10 and the second support bars 20. In the second direction D2, the lengths of the partition bars 30 are shorter than the lengths of the first and second support bars 10 and 20.

제1 방향(D1)에서 구획바들(30)의 좌측에 배치된 제1 지지바들(10) 및 구획바들(30)의 우측에 배치된 제1 지지바들(10)은 제1 방향(D1)으로 균등한 간격을 두고 배열될 수 있다. 제1 방향(D1)에서 구획바들(30)의 좌측에 배치된 제2 지지바들(20) 및 구획바들(30)의 우측에 배치된 제2 지지바들(20)은 제1 방향(D1)으로 균등한 간격을 두고 배열될 수 있다.In the first direction D1, the first support bars 10 disposed on the left side of the partition bars 30 and the first support bars 10 disposed on the right side of the partition bars 30 are in the first direction D1. They can be arranged evenly spaced. In the first direction D1, the second support bars 20 disposed on the left side of the partition bars 30 and the second support bars 20 disposed on the right side of the partition bars 30 are in the first direction D1. They can be arranged evenly spaced.

이하, 전면 프레임(120)의 사각틀 형상의 오픈 영역은 제1 오픈부(OP1)라 칭하고, 후면 프레임(130)의 사각틀 형상의 오픈 영역은 제2 오픈부(OP2)라 칭한다. 제1 방향(D1) 및 제2 방향(D2)에 평행한 평면을 기준으로 동일 평면에 배치되는 제1 및 제2 지지바들(10,20)의 영역은 동일층으로 정의된다.Hereinafter, the open area of the square frame shape of the front frame 120 is referred to as the first open portion OP1, and the open area of the square frame shape of the rear frame 130 is referred to as the second open portion OP2. The regions of the first and second support bars 10 and 20 disposed on the same plane with respect to the plane parallel to the first direction D1 and the second direction D2 are defined as the same layer.

도 3은 도 2에 도시된 기판 적재부에 기판이 적재된 상태를 상부에서 바라본 기판 적재부의 상면도이다. 도 4는 도 2에 도시된 기판 적재부에 기판이 적재된 상태를 정면에서 바라본 기판 적재부의 정면도이다.FIG. 3 is a top view of the substrate loading part as viewed from the top when the substrate is loaded on the substrate loading part shown in FIG. 2. FIG. 4 is a front view of the substrate loading unit as viewed from the front, with the substrate loaded on the substrate loading unit illustrated in FIG. 2.

도 3 및 도 4를 참조하면, 복수의 기판들(SUB1,SUB2)이 기판 적재부(100)에 복수의 층으로 적재된다. 이하 기판 적재부(100)에서 구획바들(30)과 전면 프레임(120) 사이의 영역은 제1 영역(A1)으로 정의되고, 구획바들(30)과 후면 프레임(130) 사이의 영역은 제2 영역(A2)으로 정의된다.Referring to FIGS. 3 and 4, a plurality of substrates SUB1 and SUB2 are stacked on the substrate stacking unit 100 in a plurality of layers. Hereinafter, an area between the partition bars 30 and the front frame 120 in the substrate loading unit 100 is defined as a first area A1, and an area between the partition bars 30 and the rear frame 130 is second. It is defined as the area A2.

기판들(SUB1,SUB2)은 기판 적재부(100)의 제1 영역(A1)에 배치되는 복수의 제1 기판들(SUB1) 및 기판 적재부(100)의 제2 영역(A2)에 배치되는 복수의 제2 기판들(SUB2)을 포함한다. 제1 기판들(SUB1)은 제1 영역(A1)에 복수의 층들로 적재되고, 제2 기판들(SUB2)은 제2 영역(A2)에 복수의 층들로 적재된다.The substrates SUB1 and SUB2 are disposed in a plurality of first substrates SUB1 disposed in the first area A1 of the substrate loading part 100 and in a second area A2 of the substrate loading part 100. It includes a plurality of second substrates (SUB2). The first substrates SUB1 are stacked in a plurality of layers in the first region A1, and the second substrates SUB2 are stacked in a plurality of layers in the second region A2.

제1 영역(A1)에서 제1 기판들(SUB1)은 동일층에 배치된 제1 지지바들(10) 및 제2 지지바들(20) 상에 하나씩 배치된다. 예를 들어, 제2 방향(D2)에서 각각의 제1 기판(SUB1)의 일측의 소정의 영역은 동일층에 배치된 제1 지지바들(10) 상에 배치되고, 각각의 제1 기판(SUB1)의 타측의 소정의 영역은 동일층에 배치된 제2 지지바들(20) 상에 배치된다.In the first region A1, the first substrates SUB1 are disposed one on the first support bars 10 and the second support bars 20 disposed on the same layer. For example, a predetermined area on one side of each first substrate SUB1 in the second direction D2 is disposed on the first support bars 10 disposed on the same layer, and each first substrate SUB1 ), A predetermined area on the other side is disposed on the second support bars 20 disposed on the same layer.

제2 영역(A2)에서 제2 기판들(SUB2)은 동일층에 배치된 제1 지지바들(10) 및 제2 지지바들(20) 상에 하나씩 배치된다. 제1 방향(D1)에서 제1 기판들(SUB1) 및 제2 기판들(SUB2)은 구획바들(30)을 사이에 두고 배치된다. 따라서, 동일층에 한 쌍의 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 구획바들(30)을 사이에 두고 배치된다. 제1 및 제2 기판들(SUB1, SUB2)은 제1 오픈부(OP1) 및 제2 오픈부(OP2)에 의해 외부에 노출될 수 있다.In the second region A2, the second substrates SUB2 are disposed one on the first support bars 10 and the second support bars 20 disposed on the same layer. In the first direction D1, the first substrates SUB1 and the second substrates SUB2 are disposed with the partition bars 30 interposed therebetween. Accordingly, a pair of first and second substrates SUB1 and SUB2 are disposed on the same layer with the partition bars 30 interposed therebetween. The first and second substrates SUB1 and SUB2 may be exposed to the outside by the first open portion OP1 and the second open portion OP2.

도 5는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 적재부의 사시도이다.5 is a perspective view of a substrate loading unit according to another embodiment of the present invention.

도 5를 참조하면, 기판 적재부(100_1)는 상부 프레임(110_1), 전면 프레임(120_1), 후면 프레임(130_1), 제1 측벽부(140_1), 제2 측벽부(150_1), 바닥부(160_1), 복수의 제1 지지바들(10_1), 및 복수의 제2 지지바들(20_1)을 포함한다. Referring to FIG. 5, the substrate loading part 100_1 includes an upper frame 110_1, a front frame 120_1, a rear frame 130_1, a first side wall part 140_1, a second side wall part 150_1, and a bottom part ( 160_1), a plurality of first support bars 10_1, and a plurality of second support bars 20_1.

실질적으로, 제1 방향(D1)에서 도 2에 도시된 기판 적재부(100)의 길이가 절반으로 줄어들고, 구획바들(30)이 사용되지 않는 것을 제외하면, 도 5에 도시된 기판 적재부(100_1)는 도 2에 도시된 기판 적재부(100)와 동일한 구성을 갖는다. Substantially, except that the length of the substrate loading portion 100 shown in FIG. 2 is reduced in half in the first direction D1, and the partition bars 30 are not used, the substrate loading portion shown in FIG. 5 ( 100_1) has the same configuration as the substrate loading unit 100 shown in FIG. 2.

즉, 상부 프레임(110_1), 제1 측벽부(140_1), 제2 측벽부(150_1), 및 바닥부(160_1)는 제1 방향(D1)에서 상부 프레임(110), 제1 측벽부(140), 제2 측벽부(150), 및 바닥부(160)의 길이를 절반으로 줄인 구성이다. 따라서, 이하, 도 5에 도시된 기판 적재부(100_1)의 상세한 구성에 대한 설명은 생략한다.That is, the upper frame 110_1, the first side wall part 140_1, the second side wall part 150_1, and the bottom part 160_1 are the upper frame 110 and the first side wall part 140 in the first direction D1. ), The length of the second side wall portion 150 and the bottom portion 160 is halved. Therefore, hereinafter, description of the detailed configuration of the substrate loading unit 100_1 illustrated in FIG. 5 is omitted.

기판들은 복수의 층들로 기판 적재부(100_1)에 배치되고, 동일층에 배치된 제1 및 제2 지지바들(10,20)에 하나의 기판이 배치된다. 기판은 제1 기판(SUB1) 또는 제2 기판(SUB2)일 수 있다. 도 2에 도시된 기판 적재부는 각 층마다 두 개씩의 기판을 적재할 수 있으나, 도 5에 도시된 기판 적재부(100_1)는 각 층마다 하나씩의 기판을 적재할 수 있다.The substrates are disposed on the substrate stacking unit 100_1 in a plurality of layers, and one substrate is disposed on the first and second support bars 10 and 20 disposed on the same layer. The substrate may be the first substrate SUB1 or the second substrate SUB2. The substrate loading unit illustrated in FIG. 2 may load two substrates for each layer, but the substrate loading unit 100_1 illustrated in FIG. 5 may load one substrate for each layer.

도 6은 도 1에 도시된 기판 이송부의 측면도이다. 도 7은 도 1에 도시된 기판 이송부의 상면도이다. 6 is a side view of the substrate transfer unit illustrated in FIG. 1. 7 is a top view of the substrate transfer unit illustrated in FIG. 1.

도 6 및 도 7을 참조하면, 기판 이송부(200)는 제1 지지부(210), 제2 지지부(220), 복수의 로봇 암들(230), 및 이송 바퀴들(50)을 포함한다. 기판 이송부(200)는 기판 이송 로봇으로 정의될 수 있다. 제2 지지부(220)는 제1 지지부(210) 상에 배치되어 제3 방향(D3)에서 상부 방향으로 연장된다. 6 and 7, the substrate transfer part 200 includes a first support part 210, a second support part 220, a plurality of robot arms 230, and transport wheels 50. The substrate transfer unit 200 may be defined as a substrate transfer robot. The second support part 220 is disposed on the first support part 210 and extends from the third direction D3 to the upper direction.

로봇 암들(230)은 제1 방향(D1)에서 제2 지지부(220)의 일측에 배치되어 제2 지지부(220)와 수직하게 제1 방향(D1)으로 연장된다. 로봇 암들(230)은 제2 지지부(220)의 일측에서 상하로 이동될 수 있다. 로봇 암들(230)은 제2 방향(D2)에서 균등한 간격을 두고 배치될 수 있다. 예시적으로 3개의 로봇 암들(231,232,233)이 도 7에 도시되었으나, 로봇 암들의 개수는 이에 한정되지 않는다. The robot arms 230 are disposed on one side of the second support 220 in the first direction D1 and extend in the first direction D1 perpendicular to the second support 220. The robot arms 230 may be moved up and down on one side of the second support 220. The robot arms 230 may be disposed at equal intervals in the second direction D2. Exemplarily, three robot arms 231, 232, and 233 are shown in FIG. 7, but the number of robot arms is not limited thereto.

이송 바퀴들(50)은 제1 지지부(210)의 하부에 배치되어 제1 지지부(210)를 소정의 방향으로 이동시킨다. 따라서, 기판 이송부(200)는 이송 바퀴들(50)에 의해 소정의 방향으로 이동될 수 있다. The transport wheels 50 are disposed under the first support 210 to move the first support 210 in a predetermined direction. Accordingly, the substrate transfer unit 200 may be moved in a predetermined direction by the transfer wheels 50.

도 8a 및 도 8b는 도 2 내지 도 4에 도시된 기판 적재부로부터 기판이 이송되는 동작을 설명하기 위한 도면이다.8A and 8B are diagrams for explaining an operation in which the substrate is transferred from the substrate loading unit illustrated in FIGS. 2 to 4.

설명의 편의를 위해 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)보다 상부에 배치된 제1 및 제2 지지바들(10,20)은 도 8a 및 도 8b에 도시하지 않았다.For convenience of description, the first and second support bars 10 and 20 disposed above the first and second substrates SUB1 and SUB2 are not illustrated in FIGS. 8A and 8B.

도 8a 및 도 8b를 참조하면, 기판 이송부(200)는 기판 적재부(100)로 이동한다. 기판 이송부(200)의 로봇 암들(230)은 상하로 이동하여, 이송시키기 위한 한 쌍의 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)이 배치된 층과 오버랩되도록 배치될 수 있다. 8A and 8B, the substrate transfer part 200 moves to the substrate loading part 100. The robot arms 230 of the substrate transfer unit 200 may be disposed to move up and down, so as to overlap with a layer on which a pair of first and second substrates SUB1 and SUB2 are disposed.

로봇 암들(230)은 이동하여 제1 오픈부(OP1)로 삽입되고, 이송시키기 위한 한 쌍의 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)과 오버랩되도록 배치된다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 로봇 암들(230)은 이동하여 제2 오픈부(OP2)로 삽입되어 이송시키기 위한 한 쌍의 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)과 오버랩되도록 배치될 수 있다. The robot arms 230 are moved to be inserted into the first open portion OP1, and are disposed to overlap with a pair of first and second substrates SUB1 and SUB2 for transfer. However, the present invention is not limited thereto, and the robot arms 230 may be disposed to overlap with a pair of first and second substrates SUB1 and SUB2 for moving and being inserted into and transferred to the second open part OP2. .

제2 방향(D2)에서 로봇 암들(230)은 제1 오픈 영역(OP1)의 폭보다 좁게 배치되고, 제1 지지바들(10) 및 제2 지지바들(20) 사이의 간격보다 좁게 배치된다. 따라서, 로봇 암들(230)이 제1 오픈부(OP1)로 삽입되더라도, 제1 지지바들(10) 및 제2 지지바들(20)에 충돌하지 않는다.In the second direction D2, the robot arms 230 are disposed narrower than the width of the first open area OP1, and are narrower than the gap between the first support bars 10 and the second support bars 20. Therefore, even if the robot arms 230 are inserted into the first open part OP1, they do not collide with the first support bars 10 and the second support bars 20.

로봇 암들(230)은 이송시키기 위한 한 쌍의 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)의 하부에 배치된다. 로봇 암들(230)은 상부 방향으로 소정의 간격만큼 이동되고, 동일층에 배치된 한 쌍의 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)이 로봇 암들(230)에 안착 된다.The robot arms 230 are disposed under the pair of first and second substrates SUB1 and SUB2 for transferring. The robot arms 230 are moved upward by a predetermined distance, and a pair of first and second substrates SUB1 and SUB2 disposed on the same layer are seated on the robot arms 230.

제1 방향(D1)에서 로봇 암들(230)의 길이는 제1 및 제2 기판들(SUB1, SUB2)의 길이를 합한 길이보다 길다. 따라서, 한 쌍의 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)이 한번에 로봇 암들(230)에 안착될 수 있다.The length of the robot arms 230 in the first direction D1 is longer than the sum of the lengths of the first and second substrates SUB1 and SUB2. Accordingly, a pair of first and second substrates SUB1 and SUB2 may be seated on the robot arms 230 at a time.

기판 이송부(200)는 기판 적재부(100)의 밖으로 한 쌍의 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)이 안착된 로봇 암들(230)을 이동시킨다. 기판 이송부(200)는 로봇 암들(230)에 안착된 한 쌍의 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)을 기판 처리부(300)로 함께 이송한다. 따라서, 기판 이송부(200)에 의해 두 개의 기판들이 동시에 이송될 수 있다.The substrate transfer unit 200 moves the robot arms 230 on which a pair of first and second substrates SUB1 and SUB2 are seated outside the substrate loading unit 100. The substrate transfer unit 200 transfers the pair of first and second substrates SUB1 and SUB2 seated on the robot arms 230 to the substrate processing unit 300. Accordingly, two substrates may be simultaneously transferred by the substrate transfer unit 200.

예시적인 실시 예로서 동일층에 두 개의 기판들을 적재하는 기판 적재부(100) 및 두 개의 기판들을 동시에 이송하는 기판 이송부(200)가 설명되었다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 기판 적재부(100)의 동일층에 두 개보다 많은 기판들이 적재되고, 기판 이송부(200)가 두 개보다 많은 기판들을 동시에 이송할 수 있다.As an exemplary embodiment, a substrate loading unit 100 for loading two substrates on the same layer and a substrate transportation unit 200 for simultaneously transferring two substrates have been described. However, the present invention is not limited thereto, and more than two substrates are stacked on the same layer of the substrate stacker 100, and the substrate transfer unit 200 may simultaneously transport more than two substrates.

예를 들어, 도 2에 도시된 기판 적재부(100)가 제1 방향(D1)으로 더 연장될 경우, 두 개보다 많은 기판들이 동일층에 배치될 수 있다. 또한, 도 6 및 도 7에 도시된 로봇 암들(230)이 제1 방향(D1)으로 더 연장될 경우, 로봇 암들(230)에 의해 두 개보다 많은 기판들이 동시에 이동될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에서 N개의 기판들이 동시에 이송될 수 있다. For example, when the substrate loading unit 100 illustrated in FIG. 2 further extends in the first direction D1, more than two substrates may be disposed on the same layer. In addition, when the robot arms 230 illustrated in FIGS. 6 and 7 are further extended in the first direction D1, more than two substrates may be simultaneously moved by the robot arms 230. Therefore, in the embodiment of the present invention, N substrates can be simultaneously transferred.

도 9a 내지 도 9d는 도 5에 도시된 기판 적재부로부터 기판이 이송되는 동작을 설명하기 위한 도면이다.9A to 9D are views for explaining an operation in which the substrate is transferred from the substrate loading unit shown in FIG. 5.

설명의 편의를 위해 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)보다 상부에 배치된 제1 및 제2 지지바들(10,20)은 도 9a 내지 도 9d에 도시하지 않았다.For convenience of description, the first and second support bars 10 and 20 disposed above the first and second substrates SUB1 and SUB2 are not illustrated in FIGS. 9A to 9D.

도 9a 및 도 9b를 참조하면, 기판 이송부(200)의 로봇 암들(230)은 상하로 이동하여, 이송시키기 위한 제1 기판(SUB1)이 배치된 층과 오버랩되도록 배치될 수 있다. 9A and 9B, the robot arms 230 of the substrate transfer unit 200 may be disposed to move up and down and overlap with a layer on which the first substrate SUB1 for transfer is disposed.

로봇 암들(230)은 제1 오픈부(OP1)로 삽입되고 이송시키기 위한 제1 기판(SUB1)의 하부에 배치된다. 제2 지지부(220)에 인접한 로봇 암들(230)의 소정의 영역이 이송시키기 위한 제1 기판(SUB1)과 오버랩되도록 배치된다.The robot arms 230 are inserted into the first open portion OP1 and disposed under the first substrate SUB1 for transfer. A predetermined area of the robot arms 230 adjacent to the second support 220 is disposed to overlap with the first substrate SUB1 for transfer.

로봇 암들(230)은 상부 방향으로 소정의 간격만큼 이동되고, 제1 기판(SUB1)이 제2 지지부(220)에 인접한 로봇 암들(230)의 소정의 영역에 안착 된다. 기판 이송부(200)는 기판 적재부(100)의 밖으로 제1 기판(SUB1)이 안착된 로봇 암들(230)을 이동시킨다.  The robot arms 230 are moved in the upper direction by a predetermined distance, and the first substrate SUB1 is seated in a predetermined area of the robot arms 230 adjacent to the second support 220. The substrate transfer unit 200 moves the robot arms 230 on which the first substrate SUB1 is seated outside the substrate loading unit 100.

도 9c 및 도 9d를 참조하면, 기판 이송부(200)의 로봇 암들(230)은 상하로 이동하여, 이송시키기 위한 제2 기판(SUB2)이 배치된 층과 오버랩되도록 배치될 수 있다. 제2 기판(SUB2)은 제1 기판(SUB1)과 다른 층에 배치된다. 9C and 9D, the robot arms 230 of the substrate transfer unit 200 may be disposed to move up and down, so that the second substrate SUB2 for transferring is overlapped with the layer on which it is disposed. The second substrate SUB2 is disposed on a different layer from the first substrate SUB1.

로봇 암들(230)은 제1 오픈부(OP1)로 삽입되고, 이송시키기 위한 제2 기판(SUB2)의 하부에 배치된다. 로봇 암들(230)의 끝단에 인접합 로봇 암들(230)의 소정의 영역이 이송시키기 위한 제2 기판(SUB1)과 오버랩되도록 배치된다. 제1 기판(SUB1)이 안착된 로봇 암들(230)의 영역은 기판 적재부(200)로 삽입되지 않는다. The robot arms 230 are inserted into the first open portion OP1 and are disposed under the second substrate SUB2 for transferring. A predetermined area of the adjacent robot arms 230 is disposed at the end of the robot arms 230 so as to overlap with the second substrate SUB1 for transferring. The region of the robot arms 230 on which the first substrate SUB1 is seated is not inserted into the substrate loading part 200.

로봇 암들(230)은 상부 방향으로 소정의 간격만큼 이동되고, 제2 기판(SUB2)이 로봇 암들(230)의 끝단에 인접합 로봇 암들(230)의 소정의 영역에 안착 된다. 기판 이송부(200)는 기판 적재부(100)의 밖으로 제2 기판(SUB2)이 안착된 로봇 암들(230)을 이동시킨다. 기판 이송부(200)는 로봇 암들(230)에 안착된 한 쌍의 제1 및 제2 기판들(SUB1,SUB2)을 기판 처리부(300)로 이송한다. The robot arms 230 are moved in the upper direction by a predetermined distance, and the second substrate SUB2 is seated in a predetermined area of the adjacent robot arms 230 at the end of the robot arms 230. The substrate transfer part 200 moves the robot arms 230 on which the second substrate SUB2 is seated outside the substrate loading part 100. The substrate transfer unit 200 transfers a pair of first and second substrates SUB1 and SUB2 seated on the robot arms 230 to the substrate processing unit 300.

기판 이송부(200)는 기판 적재부(100)로 2회 왕복 이동하면서, 로봇 암들(230)에 두 개의 기판들(SUB1,SUB2)을 적재시킬 수 있다. 따라서, 기판 이송부(200)에 의해 두 개의 기판들(SUB1,SUB2)이 기판 처리부(300)로 동시에 이송될 수 있다.The substrate transfer unit 200 may reciprocate twice to the substrate loading unit 100, and load two substrates SUB1 and SUB2 on the robot arms 230. Accordingly, the two substrates SUB1 and SUB2 may be simultaneously transferred to the substrate processing unit 300 by the substrate transfer unit 200.

예시적인 실시 예로서 두 개의 기판들을 동시에 이송하는 기판 이송부(200)가 설명되었다. 그러나, 이에 한정되지 않고, 도 6 및 도 7에 도시된 로봇 암들(230)이 제1 방향(D1)으로 더 연장되고, 기판 이송부(200)가 기판 적재부(100)로 2회보다 많이 왕복 이동할 경우, 기판 이송부(200)는 두 개보다 많은 기판들을 동시에 이송할 수 있다.As an exemplary embodiment, a substrate transfer unit 200 for simultaneously transferring two substrates has been described. However, the present invention is not limited thereto, and the robot arms 230 illustrated in FIGS. 6 and 7 are further extended in the first direction D1, and the substrate transfer unit 200 reciprocates more than twice to the substrate loading unit 100 When moving, the substrate transfer unit 200 may simultaneously transfer more than two substrates.

도 10은 도 1에 도시된 기판 처리부의 구성을 보여주는 도면이다.10 is a view showing the configuration of the substrate processing unit shown in FIG. 1.

도 10을 참조하면, 기판 처리부(300)는 로딩 챔버(310), 트랜스퍼 챔버(320), 복수의 프로세스 챔버들(330~370), 및 반송 로봇(60)를 포함한다. 도 10에 도시된 기판 처리부(300)는 클러스터형 기판 처리 장치로 정의될 수 있다.Referring to FIG. 10, the substrate processing unit 300 includes a loading chamber 310, a transfer chamber 320, a plurality of process chambers 330 to 370, and a transfer robot 60. The substrate processing unit 300 illustrated in FIG. 10 may be defined as a cluster type substrate processing apparatus.

로딩 챔버(310) 및 프로세스 챔버들(330)은 다각형 형상을 갖는 트랜스퍼 챔버(320)의 측면에 연결된다. 예시적으로 트랜스퍼 챔버(320)는 육각형 형상을 가지고, 로딩 챔버(310) 및 5개의 프로세스 챔버들(330)이 트랜스퍼 챔버(320)의 측면에 각각 배치된다.The loading chamber 310 and the process chambers 330 are connected to the side of the transfer chamber 320 having a polygonal shape. For example, the transfer chamber 320 has a hexagonal shape, and the loading chamber 310 and the five process chambers 330 are respectively disposed on the side of the transfer chamber 320.

반송 로봇(60)은 트랜스퍼 챔버(320)에 배치된다. 반송 로봇(60)은 회전 축(61), 제1 로봇 암(62), 제2 로봇 암(63), 제3 로봇 암(64), 및 복수의 제4 로봇 암들(65)을 포함한다. 제1 로봇 암(62)의 일측은 회전축(61)에 연결되고, 제1 로봇 암(62)의 타측은 제2 로봇 암(63)의 일측에 연결된다. 제1 로봇 암(62)은 회전축(61)을 중심축으로 하여 회전될 수 있다.The transfer robot 60 is disposed in the transfer chamber 320. The transfer robot 60 includes a rotating shaft 61, a first robot arm 62, a second robot arm 63, a third robot arm 64, and a plurality of fourth robot arms 65. One side of the first robot arm 62 is connected to the rotating shaft 61, and the other side of the first robot arm 62 is connected to one side of the second robot arm 63. The first robot arm 62 may be rotated with the rotating shaft 61 as a central axis.

제2 로봇 암(63)의 타측은 제3 로봇 암(64)의 일측에 연결되고, 제2 로봇암(63)은 제1 로봇 암(62)의 타측을 중심축으로 하여 회전될 수 있다. 제3 로봇 암(64)의 타측은 제4 로봇 암들(65)의 일측에 연결되고, 제3 로봇 암(64)은 제2 로봇 암(63)의 타측을 중심축으로 하여 회전될 수 있다. 제2 로봇 암(63)은 2 개의 기판들을 안착 시킬 수 있는 길이를 가진다.The other side of the second robot arm 63 is connected to one side of the third robot arm 64, and the second robot arm 63 can be rotated about the other side of the first robot arm 62 as a central axis. The other side of the third robot arm 64 is connected to one side of the fourth robot arms 65, and the third robot arm 64 can be rotated about the other side of the second robot arm 63 as a central axis. The second robot arm 63 has a length capable of seating two substrates.

기판 이송부(200)는 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)을 로딩 챔버(310)에 제공한다. 로딩 챔버(310)가 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)을 제공받은 후, 로딩 챔버(310)의 내부는 진공 상태로 전환된다.The substrate transfer unit 200 provides the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 to the loading chamber 310. After the loading chamber 310 is provided with the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, the interior of the loading chamber 310 is switched to a vacuum state.

반송 로봇(60)은 다양한 각도로 회전하여 로딩 챔버(310)에 인입된 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)을 프로세스 챔버들(330~370)에 제공한다. 프로세스 챔버들(330~370)은 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)을 동시에 처리할 수 있다.The transport robot 60 rotates at various angles to provide the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 introduced into the loading chamber 310 to the process chambers 330 to 370. The process chambers 330 to 370 may simultaneously process the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2.

예를 들어, 로딩 챔버(310)에 인입된 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 반송 로봇(60)의 제4 로봇 암들(65)에 안착될 수 있다. 제4 로봇 암들(65)에 안착된 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 반송 로봇(60)의 이동에 따라 제1 프로세스 챔버(330)에 제공되어 동시에 처리될 수 있다. For example, the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 introduced into the loading chamber 310 may be seated on the fourth robot arms 65 of the transport robot 60. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 seated on the fourth robot arms 65 are provided to the first process chamber 330 according to the movement of the transport robot 60 and can be simultaneously processed.

제1 프로세스 챔버(330)에서 처리된 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 다시 제4 로봇 암들(65)에 안착되고, 반송 로봇(60)의 이동에 따라 제2 프로세스 챔버(340)에 제공되어 동시에 처리될 수 있다. 이러한 동작이 반복되어 제1 내지 제5 프로세스 챔버들(330~370)에서 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 처리될 수 있다. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 processed in the first process chamber 330 are seated on the fourth robot arms 65 again, and according to the movement of the transport robot 60, the second process chamber ( 340) and can be processed simultaneously. This operation is repeated so that the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 may be processed in the first to fifth process chambers 330 to 370.

도시하지 않았으나, 트랜스퍼 챔버(320)와 로딩 챔버(310)의 경계 및 트랜스퍼 챔버(320)와 프로세스 챔버들(330~370)의 경계에 게이트가 배치될 수 있다. 반송 로봇(60)의 이동에 따라 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 이송될 경우, 게이트가 오픈되어 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 각 프로세스 챔버(330~370)에 인입 또는 인출될 수 있다. Although not illustrated, a gate may be disposed at a boundary between the transfer chamber 320 and the loading chamber 310 and a boundary between the transfer chamber 320 and the process chambers 330-370. When the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are transferred according to the movement of the transfer robot 60, the gate is opened so that the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are processed in each process chamber 330 ~ 370).

프로세스 챔버들(330~370)은 다양한 공정을 수행하여 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2) 상에 금속 박막 및 무기층 등이 형성되도록 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)을 동시에 처리할 수 있다. 예를 들어, 프로세스 챔버들(330~370)은 스퍼터링 공정을 수행하는 스퍼터링 챔버 및 화학 기상 증착 공정을 수행하는 화학 기상 증착 챔버 등을 포함할 수 있다.The process chambers 330 to 370 perform various processes to form metal thin films and inorganic layers on the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, such that the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are formed. ) At the same time. For example, the process chambers 330 to 370 may include a sputtering chamber performing a sputtering process, a chemical vapor deposition chamber performing a chemical vapor deposition process, and the like.

도 11은 도 10에 도시된 각 프로세스 챔버에 배치된 스테이지의 개략적인 단면도이다. 도 12는 도 11에 도시된 스테이지의 상부 평면도이다.11 is a schematic cross-sectional view of a stage disposed in each process chamber shown in FIG. 10. 12 is a top plan view of the stage shown in FIG. 11.

도 11 및 도 12를 참조하면, 각 프로세스 챔버(330~370)는 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 안착되는 스테이지(70), 및 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2) 사이에 배치되는 절연층(ISL)을 포함한다. 스테이지(70)에 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 안착된 후 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)에 대한 기판 처리 공정이 수행된다. 11 and 12, each process chamber 330 to 370 includes a stage 70 on which a first substrate SUB1 and a second substrate SUB2 are seated, and a first substrate SUB1 and a second substrate It includes an insulating layer (ISL) disposed between (SUB2). After the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are seated on the stage 70, a substrate processing process for the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 is performed.

스테이지(70)는 제1 스테이지(71), 제1 스테이지(71) 상에 배치된 제2 스테이지(72), 및 제2 스테이지(72)를 제1 스테이지(71)에 고정시키는 복수의 결합 핀들(73)을 포함한다. The stage 70 includes a first stage 71, a second stage 72 disposed on the first stage 71, and a plurality of coupling pins securing the second stage 72 to the first stage 71 (73).

제1 스테이지(71)에는 플라즈마로부터 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)으로 이온을 끌어들이기 위한 고주파 전원(RF)이 제공된다. 고주파 전원(RF)에 의해 제1 스테이지(71)가 가열되어 제1 스테이지(71)의 온도가 높아진다. The first stage 71 is provided with a high-frequency power source (RF) for drawing ions from the plasma to the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2. The first stage 71 is heated by the high-frequency power source RF to increase the temperature of the first stage 71.

제1 스테이지(71)의 하부에 냉각수 공급관(74)이 배치된다. 냉각수 공급관(74)은 제1 스테이지(72)의 내부를 경유하여 배치된다. 냉각수 공급관(74)의 일측을 통해 냉각수 공급관(74)에 냉각수(CL)가 공급된다. 냉각수(CL)는 냉각수 공급관(74)을 통해 제1 스테이지(71)의 내부를 경유한 후 냉각수 공급관(74)의 타측을 통해 배출된다. 제1 스테이지(71)의 내부에 제공된 냉각수(CL)는 고주파 전원(RF)에 의해 가열된 제1 스테이지(71)를 냉각시키는 역할을 한다.A cooling water supply pipe 74 is disposed under the first stage 71. The cooling water supply pipe 74 is disposed via the interior of the first stage 72. Cooling water CL is supplied to the cooling water supply pipe 74 through one side of the cooling water supply pipe 74. The cooling water CL is discharged through the other side of the cooling water supply pipe 74 after passing through the interior of the first stage 71 through the cooling water supply pipe 74. The cooling water CL provided inside the first stage 71 serves to cool the first stage 71 heated by the radio frequency power RF.

제2 스테이지(72)에 정전 흡착용 직류 전원(DC)이 제공되고, 직류 전원(DC)을 제공받은 제2 스테이지(72)의 상면은 정극성(+)으로 대전된다. 제2 스테이지(72)의 상면이 정극성(+)으로 대전되므로, 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)의 상면은 반대 극성인 부극성(-)으로 대전 된다. 정극성(+) 및 부극성(-)의 정전력에 의해 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 제2 스테이지(72) 상에 흡착되어 고정된다. 따라서 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 제2 스테이지(72) 상에 안착 될 수 있다. The second stage 72 is provided with a DC power supply DC for electrostatic adsorption, and the upper surface of the second stage 72 provided with the DC power supply DC is charged with positive polarity (+). Since the upper surfaces of the second stage 72 are charged with a positive polarity (+), the upper surfaces of the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are charged with negative polarities (-) having opposite polarities. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are adsorbed and fixed on the second stage 72 by positive and negative polarities (+) and negative polarities (−). Therefore, the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 may be mounted on the second stage 72.

제1 스테이지(71)의 온도가 높아질 경우, 제2 스테이지(72)의 온도 역시 높아질 수 있다. 그러나, 냉각수(CL)에 의해 제1 스테이지(71)의 온도가 낮아지므로, 제1 스테이지(71) 상에 배치된 제2 스테이지(72)의 온도 역시 낮아질 수 있다.When the temperature of the first stage 71 increases, the temperature of the second stage 72 may also increase. However, since the temperature of the first stage 71 is lowered by the cooling water CL, the temperature of the second stage 72 disposed on the first stage 71 may also be lowered.

제2 스테이지(72)는 제1 스테이지(71) 상에 배치되는 제1 서브 스테이지(72_1) 및 제1 서브 스테이지(72_1) 상에 배치된 제2 서브 스테이지(72_2)를 포함한다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 제2 서브 스테이지(72_2) 상에 안착된다. The second stage 72 includes a first sub-stage 72_1 disposed on the first stage 71 and a second sub-stage 72_2 disposed on the first sub-stage 72_1. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are mounted on the second sub-stage 72_2.

평면상에서 제2 서브 스테이지(72_2)의 크기는 제1 서브 스테이지(72_1)보다 작으며, 제2 서브 스테이지(72_2)는 제1 서브 스테이지(72_1)의 경계의 소정의 영역과 오버랩하지 않도록 배치된다.The size of the second sub-stage 72_2 on the plane is smaller than the first sub-stage 72_1, and the second sub-stage 72_2 is disposed so as not to overlap with a predetermined area of the boundary of the first sub-stage 72_1. .

결합 핀들(73)은 제1 서브 스테이지(72_1)의 경계의 소정의 영역에 배치된다. 결합 핀들(73)은 제1 서브 스테이지(72_1)의 경계의 소정의 영역에서 하부 방향으로 제1 서브 스테이지(72_1)를 관통하여 제1 스테이지(71)의 홈들(G)에 삽입된다. 따라서, 제2 스테이지(72)는 결합 핀들(73)에 의해 제1 스테이지(71)에 결합된다.The coupling pins 73 are disposed in a predetermined area of the boundary of the first sub-stage 72_1. The coupling pins 73 penetrate the first sub-stage 72_1 downward in a predetermined area of the boundary of the first sub-stage 72_1 and are inserted into the grooves G of the first stage 71. Thus, the second stage 72 is coupled to the first stage 71 by coupling pins 73.

제2 서브 스테이지(72_2)는 제2 서브 스테이지(72_2)의 중심부의 소정의 영역에 배치되어 어느 일 방향으로 연장된 트렌치(T)를 포함한다. 트렌치(T)는 제2 서브 스테이지(72_2)의 중심부의 소정의 영역에서, 제2 서브 스테이지(72_2)의 상면부터 하부로 함몰되어 형성된다. 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 트랜치(T)를 사이에 두고 제2 서브 스테이지(72_2) 상에 안착된다.The second sub-stage 72_2 includes a trench T disposed in a predetermined area in the center of the second sub-stage 72_2 and extending in one direction. The trench T is formed by being recessed downward from the top surface of the second sub-stage 72_2 in a predetermined area in the center of the second sub-stage 72_2. The first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are mounted on the second sub-stage 72_2 with the trench T interposed therebetween.

절연층(ISL)은 절연 물질을 포함하고, 트렌치(T)에 배치된다. 따라서, 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 절연층(ISL)을 사이에 두고 제2 서브 스테이지(72_2) 상에 안착된다.The insulating layer ISL includes an insulating material and is disposed in the trench T. Therefore, the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are mounted on the second sub-stage 72_2 with the insulating layer ISL interposed therebetween.

절연층(ISL)이 제2 스테이지(72)에 배치되지 않는다면, 플라즈마가 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2) 사이로 쏠리는 현상이 발생할 수 있다. 이러한 경우, 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 사이에 아크가 발생하여 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2)이 손상될 수 있다. When the insulating layer ISL is not disposed on the second stage 72, a phenomenon in which plasma is focused between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 may occur. In this case, an arc may occur between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2, and the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 may be damaged.

그러나, 본 발명의 실시 예에서, 제2 서브 스테이지(72_2)에 트렌치(T)가 배치되고, 트렌치(T)에 절연층(ISL)이 배치된다. 절연 물질로 형성된 절연층(ISL)에 의해 제1 기판(SUB1)과 제2 기판(SUB2) 사이에 아크가 발생하지 않을 수 있다. 따라서, 아크에 따른 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)의 손상이 방지될 수 있다.However, in the exemplary embodiment of the present invention, the trench T is disposed in the second sub-stage 72_2, and the insulating layer ISL is disposed in the trench T. An arc may not be generated between the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 by the insulating layer ISL formed of an insulating material. Accordingly, damage to the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 due to the arc can be prevented.

이러한 구성에 의해 각 프로세스 챔버(330~370)의 스테이지(70)에 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 안착된 후 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)에 대한 기판 처리 공정이 동시에 수행된다. With this configuration, after the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are seated on the stage 70 of each process chamber 330 to 370, the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are The substrate processing process is performed simultaneously.

예시적으로 두 개의 기판이 안착되는 스테이지(70)의 구성이 설명되었으나, 이에 한정되지 않고, 두 개보다 많은 기판들이 스테이지에 안착될 수 있다. 예를 들어, 도 11 및 도 12에 도시된 스테이지(70)가 좌우로 더 연장되고, 도 11 및 도 12에 도시된 트렌치(T) 및 절연층(ISL)이 복수개 구비되어 연장된 스테이지(70)에 배치될수 있다. 이러한 경우, 각 절연층(ISL)을 사이에 두고 두 개보다 많은 기판들이 스테이지에 안착될 수 있고, 두 개보다 많은 기판들에 대한 기판 처리 공정이 동시에 수행될 수 있다.Exemplarily, the configuration of the stage 70 on which two substrates are mounted has been described, but is not limited thereto, and more than two substrates may be mounted on the stage. For example, the stage 70 illustrated in FIGS. 11 and 12 is further extended left and right, and a plurality of trenches T and insulating layers ISL illustrated in FIGS. 11 and 12 are provided to extend the stage 70 ). In this case, more than two substrates may be placed on the stage with each insulating layer ISL interposed therebetween, and a substrate processing process for more than two substrates may be simultaneously performed.

본 발명의 실시 예에서, 기판 이송부(200)에 의해 2개 이상인 N개의 기판들이 동시에 기판 처리부(300)에 이송되고, 기판 처리부(300)의 각 프로세스 챔버(330~370)에서 N개의 기판들이 스테이지(70)에 안착되어 동시에 처리될 수 있다. 따라서, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 시스템(400)은 N개의 기판들을 동시에 처리할 수 있어 기판 처리시 공정 효율을 향상시킬 수 있다. In an embodiment of the present invention, two or more N substrates are simultaneously transferred to the substrate processing unit 300 by the substrate transfer unit 200, and N substrates are transferred from each process chamber 330 to 370 of the substrate processing unit 300. It can be seated on the stage 70 and processed simultaneously. Therefore, the substrate processing system 400 according to an embodiment of the present invention can simultaneously process N substrates, thereby improving process efficiency during substrate processing.

도 13은 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 시스템의 스테이지의 개략적인 단면도이다. 도 14는 도 13에 도시된 스테이지의 상부 평면도이다.13 is a schematic cross-sectional view of a stage of a substrate processing system according to another embodiment of the present invention. 14 is a top plan view of the stage shown in FIG. 13.

설명의 편의를 위해, 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)은 도 14에 도시하지 않았다. 도 13 및 도 14에 도시된 스테이지(90)는 제2 서브 스테이지(92_2)에 배치된 제1 및 제2 홈들(G1,G2)과 제1 및 제2 돌출부들(P1,P2)을 제외하면, 도 11에 도시된 스테이지(90)와 동일한 구성을 갖는다. 따라서, 이하, 도 11에 도시된 스테이지(90)와 다른 구성이 설명될 것이다.For convenience of description, the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are not illustrated in FIG. 14. The stage 90 illustrated in FIGS. 13 and 14 excludes the first and second grooves G1 and G2 and the first and second protrusions P1 and P2 disposed in the second sub-stage 92_2. , Has the same configuration as the stage 90 shown in FIG. 11. Therefore, hereinafter, a configuration different from the stage 90 shown in FIG. 11 will be described.

도 13 및 도 14를 참조하면, 각 프로세스 챔버(330~370)에 스테이지(90) 및 절연층(ISL)이 배치된다. 스테이지(90)는 제1 스테이지(91), 제2 스테이지(92), 및 복수의 결합 핀들(93)을 포함한다. 제2 스테이지(92)는 제1 서브 스테이지(92_1) 및 제2 서브 스테이지(92_2)를 포함한다. 제2 서브 스테이지(92_2)는 제1 홈(G1), 제2 홈(G1), 제1 돌출부들(P1), 및 복수의 제2 돌출부들(P2)을 포함한다. 13 and 14, a stage 90 and an insulating layer ISL are disposed in each process chamber 330 to 370. The stage 90 includes a first stage 91, a second stage 92, and a plurality of coupling pins 93. The second stage 92 includes a first sub-stage 92_1 and a second sub-stage 92_2. The second sub-stage 92_2 includes a first groove G1, a second groove G1, first protrusions P1, and a plurality of second protrusions P2.

제1 홈(G1)은 트랜치(T)의 좌측의 제2 서브 스테이지(92_2)의 소정의 영역에서 제2 서브 스테이지(92_2)의 상면부터 하부로 함몰되어 형성된다. 제2 홈(G2)은 트랜치(T)의 우측의 제2 서브 스테이지(92_2)의 소정의 영역에서 제2 서브 스테이지(92_2)의 상면부터 하부로 함몰되어 형성된다.The first groove G1 is formed by being recessed downward from the top surface of the second sub-stage 92_2 in a predetermined region of the second sub-stage 92_2 on the left side of the trench T. The second groove G2 is formed by being recessed downward from the top surface of the second sub-stage 92_2 in a predetermined region of the second sub-stage 92_2 on the right side of the trench T.

제1 돌출부들(P1)은 제1 홈(G1)에 배치되어 상부로 돌출된다. 제2 돌출부들(P2)은 제2 홈(G2)에 배치되어 상부로 돌출된다. 제1 및 제2 돌출부들(P1,P2)은 상부 방향으로 볼록한 형상을 갖는다. The first protrusions P1 are disposed in the first groove G1 and protrude upward. The second protrusions P2 are disposed in the second groove G2 and protrude upward. The first and second protrusions P1 and P2 have a convex shape in the upper direction.

제1 기판(SUB1)의 경계의 소정의 영역은 트랜치(T)의 좌측의 제2 서브 스테이지(92_2)에서 제1 홈(G1)에 인접한 제2 서브 스테이지(92_2)의 상면에 접촉되도록 배치된다. 제2 기판(SUB2)의 경계의 소정의 영역은 트랜치(T)의 우측의 제2 서브 스테이지(92_2)에서 제2 홈(G2)에 인접한 제2 서브 스테이지(92_2)의 상면에 접촉되도록 배치된다. A predetermined area of the boundary of the first substrate SUB1 is disposed to contact the upper surface of the second sub-stage 92_2 adjacent to the first groove G1 in the second sub-stage 92_2 on the left side of the trench T. . A predetermined area of the boundary of the second substrate SUB2 is arranged to contact the upper surface of the second sub-stage 92_2 adjacent to the second groove G2 in the second sub-stage 92_2 on the right side of the trench T. .

제1 및 제2 돌출부들(P1,P2)은 제2 서브 스테이지(92_2)의 상면보다 낮게 배치된다. 따라서, 제1 및 제2 돌출부들(P1,P2)은 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)에 접촉되지 않는다.The first and second protrusions P1 and P2 are disposed lower than the upper surface of the second sub-stage 92_2. Therefore, the first and second protrusions P1 and P2 do not contact the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2.

스테이지(90)에 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)이 안착된 후 제1 기판(SUB1) 및 제2 기판(SUB2)에 대한 기판 처리 공정이 동시에 수행된다. 따라서, 본 발명의 다른 실시 예에 따른 기판 처리 시스템은 기판 처리시 공정 효율을 향상시킬 수 있다. After the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 are seated on the stage 90, a substrate processing process for the first substrate SUB1 and the second substrate SUB2 is simultaneously performed. Therefore, the substrate processing system according to another embodiment of the present invention can improve process efficiency during substrate processing.

이상 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 또한 본 발명에 개시된 실시 예는 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니고, 하기의 특허 청구의 범위 및 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.Although described with reference to the above embodiments, those skilled in the art understand that various modifications and changes can be made to the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. Will be able to. In addition, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical spirit of the present invention, and all technical spirit within the scope of the following claims and equivalents thereof should be interpreted as being included in the scope of the present invention. .

100: 기판 처리부 200: 기판 이송부
300: 기판 처리부 400: 기판 처리 시스템
110: 상부 프레임 120: 전면 프레임
130: 후면 프레임 140: 제1 측벽부
150: 제2 측벽부 160: 바닥부
10: 제1 지지바들 20: 제2 지지바들
30: 구획바들 210: 제1 지지부
220: 제2 지지부 230: 로봇 암들
50: 이송 바퀴들 310: 로딩 챔버
320: 트랜스퍼 챔버 330~370: 프로세스 챔버들
60: 반송 로봇 70: 스테이지
71: 제1 스테이지 72: 제2 스테이지
ISL: 절연층 73: 결합 핀들
72_1: 제1 서브 스테이지 72_2: 제2 서브 스테이지100: substrate processing unit 200: substrate transfer unit
300: substrate processing unit 400: substrate processing system
110: upper frame 120: front frame
130: rear frame 140: the first side wall portion
150: second side wall portion 160: bottom portion
10: first support bars 20: second support bars
30: compartment bars 210: first support
220: second support 230: robot arms
50: transport wheels 310: loading chamber
320: transfer chamber 330 ~ 370: process chambers
60: transfer robot 70: stage
71: first stage 72: second stage
ISL: insulating layer 73: coupling pins
72_1: first sub-stage 72_2: second sub-stage

Claims (26)

제1 표시 패널 제조용 기판 및 제2 표시패널 제조용 기판을 동시에 제공받아 처리하는 복수의 프로세스 챔버들을 포함하고,
상기 복수의 프로세스 챔버들 각각은,
상기 제1 표시 패널 제조용 기판 및 상기 제2 표시패널 제조용 기판이 안착되는 하나의 처리 영역을 제공하는 스테이지; 및
상기 제1 표시 패널 제조용 기판과 상기 제2 표시 패널 제조용 기판이 각각 배치되는 제1 영역과 제2 영역으로 상기 하나의 처리 영역을 분할하는 트랜치를 포함하고,
상기 트랜치는 상기 스테이지의 중심부의 소정의 영역에서 제1 방향으로 연장되고,
평면 상에서 상기 트랜치의 상기 제1 방향의 길이는 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향의 너비보다 큰 기판 처리 시스템.It includes a plurality of process chambers for receiving and processing the first display panel manufacturing substrate and the second display panel manufacturing substrate at the same time,
Each of the plurality of process chambers,
A stage for providing a processing region on which the substrate for manufacturing the first display panel and the substrate for manufacturing the second display panel are seated; And
And a trench for dividing the one processing region into first and second regions where the first display panel manufacturing substrate and the second display panel manufacturing substrate are respectively disposed,
The trench extends in a first direction from a predetermined area in the center of the stage,
The length of the first direction of the trench on a plane is greater than the width of the second direction orthogonal to the first direction. 제1 항에 있어서,
상기 스테이지는,
제1 스테이지; 및
상기 제1 스테이지 상에 배치된 제2 스테이지를 포함하고,
상기 트랜치는 상기 제2 스테이지의 상면으로부터 상기 제2 스테이지의 두께 방향으로 형성된 기판 처리 시스템.According to claim 1,
The stage,
A first stage; And
And a second stage disposed on the first stage,
The trench is formed in a thickness direction of the second stage from the top surface of the second stage. 제2 항에 있어서,
상기 제2 스테이지는,
상기 제1 스테이지 상에 배치되는 제1 서브 스테이지; 및
평면상에서 상기 제1 서브 스테이지보다 작은 크기를 갖고, 상기 제1 서브 스테이지 상에 배치된 제2 서브 스테이지를 포함하고,
상기 트랜치는 상기 제2 서브 스테이지의 상면으로부터 상기 제2 서브 스테이지의 두께 방향으로 형성된 기판 처리 시스템.According to claim 2,
The second stage,
A first sub-stage disposed on the first stage; And
A second sub-stage having a size smaller than the first sub-stage in a plane, and disposed on the first sub-stage,
The trench is formed in the thickness direction of the second sub-stage from the top surface of the second sub-stage, the substrate processing system. 제3 항에 있어서,
상기 제1 서브 스테이지와 상기 제2 서브 스테이지는 일체의 형상을 갖는 기판 처리 시스템.According to claim 3,
The first sub-stage and the second sub-stage have a substrate processing system having an integral shape. 제3 항에 있어서,
상기 제2 서브 스테이지는,
상기 제2 서브 스테이지의 상기 상면부터 하부로 함몰되고, 상기 제1 표시 패널 제조용 기판에 대응되는 제1 홈;
상기 제2 서브 스테이지의 상기 상면부터 하부로 함몰되고, 상기 제2 표시 패널 제조용 기판에 대응되는 제2 홈;
상기 제1 홈에 배치되고 볼록한 형상을 갖는 복수의 제1 돌출부들; 및
상기 제2 홈에 배치되고 볼록한 형상을 갖는 복수의 제2 돌출부들을 더 포함하는 기판 처리 시스템.According to claim 3,
The second sub-stage,
A first groove recessed from the upper surface of the second sub-stage to a lower portion and corresponding to the substrate for manufacturing the first display panel;
A second groove recessed from the upper surface of the second sub-stage to a lower portion and corresponding to the substrate for manufacturing the second display panel;
A plurality of first protrusions disposed in the first groove and having a convex shape; And
And a plurality of second protrusions disposed in the second groove and having a convex shape. 제5 항에 있어서,
상기 제1 돌출부들은 상기 제1 표시 패널 제조용 기판에 접촉하지 않고, 상기 제2 돌출부들은 상기 제2 표시 패널 제조용 기판에 접촉하지 않는 기판 처리 시스템.The method of claim 5,
The first protrusions do not contact the substrate for manufacturing the first display panel, and the second protrusions do not contact the substrate for manufacturing the second display panel. 제2 항에 있어서,
상기 제1 스테이지에 배치된 냉각수 공급관을 더 포함하는 기판 처리 시스템.According to claim 2,
And a cooling water supply pipe disposed in the first stage. 제2 항에 있어서,
상기 제2 스테이지는 직류 전원을 수신하는 기판 처리 시스템.According to claim 2,
The second stage is a substrate processing system that receives a DC power. 제8 항에 있어서,
상기 제2 스테이지의 상기 상면은 정극성으로 대전된 기판 처리 시스템.The method of claim 8,
The upper surface of the second stage is a positively charged substrate processing system. 제2 항에 있어서,
상기 제1 스테이지는 고주파 전원을 수신하는 기판 처리 시스템.According to claim 2,
The first stage is a substrate processing system that receives a high-frequency power source. 제2 항에 있어서,
상기 제1 스테이지를 상기 제2 스테이지에 결합하는 결합 핀들을 더 포함하는 기판 처리 시스템.According to claim 2,
And a coupling pin coupling the first stage to the second stage. 제1 항에 있어서,
상기 복수의 프로세스 챔버들은 스퍼터링 챔버를 포함하는 기판 처리 시스템.According to claim 1,
The plurality of process chambers comprises a sputtering chamber substrate processing system. 제1 표시 패널 제조용 기판 및 제2 표시패널 제조용 기판을 동시에 제공받아 처리하는 스퍼터링 챔버를 포함하고,
상기 스퍼터링 챔버는,
제1 스테이지;
상기 제1 스테이지 상에 배치되고, 상기 제1 표시 패널 제조용 기판 및 상기 제2 표시패널 제조용 기판이 안착되는 하나의 처리 영역을 제공하는 제2 스테이지; 및
상기 제1 표시 패널 제조용 기판과 상기 제2 표시 패널 제조용 기판이 각각 배치되는 제1 영역과 제2 영역으로 상기 하나의 처리 영역을 분할하며, 상기 제2 스테이지의 상면으로부터 상기 제2 스테이지의 두께 방향으로 형성된 트랜치를 포함하고,
상기 트랜치는 상기 제2 스테이지의 중심부의 소정의 영역에서 제1 방향으로 연장되고,
평면 상에서 상기 트랜치의 상기 제1 방향의 길이는 상기 제1 방향에 직교하는 제2 방향의 너비보다 큰 기판 처리 시스템.
And a sputtering chamber for receiving and processing the substrate for manufacturing the first display panel and the substrate for manufacturing the second display panel at the same time,
The sputtering chamber,
A first stage;
A second stage disposed on the first stage and providing one processing region in which the first display panel manufacturing substrate and the second display panel manufacturing substrate are seated; And
The one processing region is divided into a first region and a second region in which the substrate for manufacturing the first display panel and the substrate for manufacturing the second display panel are respectively disposed, and a thickness direction of the second stage from an upper surface of the second stage It includes a trench formed of,
The trench extends in a first direction from a predetermined area in the center of the second stage,
The length of the first direction of the trench on a plane is greater than the width of the second direction orthogonal to the first direction.
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