KR102106398B1 - Photo-sensitive Composition, Cured Film Prepared Therefrom, and Electronic Device Incorporating the Cured Film - Google Patents

Photo-sensitive Composition, Cured Film Prepared Therefrom, and Electronic Device Incorporating the Cured Film Download PDF

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Abstract

하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 공중합 수지, 감광성 디아조퀴논 화합물 및 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물, 상기 조성물을 경화시켜 얻어지는 경화막, 및 상기 경화막을 포함하는 전자 소자를 제공한다:
[화학식 1]

Figure 112017070350625-pat00019

[화학식 2]
Figure 112017070350625-pat00020

[화학식 3]
Figure 112017070350625-pat00021

상기 화학식 1 내지 화학식 3의 각 치환기에 대한 정의는 명세서에서 정의한 바와 같다. A photosensitive resin composition comprising a copolymer unit, a photosensitive diazoquinone compound and a solvent comprising a structural unit represented by Formula 1, a structural unit represented by Formula 2, and a structural unit represented by Formula 3 below, A cured film obtained by curing and an electronic device comprising the cured film are provided:
[Formula 1]
Figure 112017070350625-pat00019

[Formula 2]
Figure 112017070350625-pat00020

[Formula 3]
Figure 112017070350625-pat00021

Definitions for each substituent in Chemical Formulas 1 to 3 are as defined in the specification.

Description

감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 전자 소자{Photo-sensitive Composition, Cured Film Prepared Therefrom, and Electronic Device Incorporating the Cured Film}Photosensitive composition, cured film prepared therefrom, and electronic device incorporating the cured film

감광성 수지 조성물, 그로부터 형성된 경화막, 및 경화막을 갖는 전자 소자에 관한 것이다. It relates to a photosensitive resin composition, a cured film formed therefrom, and an electronic device having a cured film.

일반적으로 박막 트랜지스터형 액정 표시 소자나 고체 촬상 소자 등의 전자 부품에는 층형으로 배치되는 배선 등을 절연하기 위해 절연막이 설치되어 있다. 절연막을 형성하는 재료로서, 필요한 패턴 형상의 절연막을 얻기 위한 공정수가 적은 포지티브형 감광성 조성물이 폭넓게 사용되고 있다.In general, an electronic component such as a thin film transistor type liquid crystal display element or a solid-state imaging element is provided with an insulating film to insulate wiring or the like arranged in a layer form. As a material for forming the insulating film, a positive photosensitive composition having a small number of steps for obtaining an insulating film having a required pattern shape has been widely used.

포지티브형 감광성 조성물은 절연막을 형성하는 과정에서 넓은 프로세스 마진을 가지는 것이 필요하며, 절연막 형성 후 ITO (Indium Tin Oxide) 투명전극 등의 성막 습식 식각, 배향막 성막 등의 후공정에 있어서의 용제, 산, 알칼리 용액 등의 침지 등에 의해 접촉되는 것 및 열처리되는 일이 있기 때문에, 이들에 대한 내성을 가질 필요가 있다.The positive photosensitive composition needs to have a wide process margin in the process of forming an insulating film, and after forming the insulating film, a solvent, an acid, in a post process such as wet etching of an ITO (Indium Tin Oxide) transparent electrode, or an alignment film, etc. Since it may be contacted by immersion in an alkali solution or the like and heat-treated, it is necessary to have resistance to these.

포지티브형 감광성 재료는 UV 노광을 통해 빛을 받은 부분이 화학 변화를 일으켜 알칼리 용액에 현상된다. 그 후 막을 견고하게 하기 위해 경화를 한다. 이 경우, 경화된 막과 하부 기판의 접착력이 좋지 않을 경우 신뢰성이 떨어지게 된다. 특히, 절연막 제조공정 중 200 이상의 고온공정과 30분 이상의 경화시간은 고온에서의 지속적인 노출로 인해 표시소자에서 절연막 하부기재 및 상부기재와의 접착력 저하를 초래할 수 있다. 종래에는 이러한 접착력 저하 문제를 개선하기 위해 실란 커플링제를 사용하였다. 실란 커플링제 사용으로 기판과의 접착력은 개선할 수 있었지만, 저온에서도 쉽게 가교되어 감광성 소재에서의 주요 특성인 해상도 및 감도가 저하되는 문제가 있었다. 따라서, 해상도 및 감도에 부정적인 영향을 주지 않으면서 접착력을 증대시킬 수 있는 신규한 포지티브형 감광성 재료 개발에 대한 필요성이 높아지고 있다. In the positive photosensitive material, the portion that receives light through UV exposure causes a chemical change and is developed in an alkali solution. It is then cured to harden the membrane. In this case, if the adhesion between the cured film and the lower substrate is poor, reliability is deteriorated. Particularly, a high temperature process of 200 or more and a curing time of 30 minutes or more during the process of manufacturing an insulating film may cause a decrease in adhesive strength between a lower substrate and an upper substrate in the display device due to continuous exposure at a high temperature. In the past, a silane coupling agent was used to improve the problem of lowering adhesion. Although the adhesive strength with the substrate could be improved by using a silane coupling agent, there was a problem in that the resolution and sensitivity, which are the main characteristics in the photosensitive material, were deteriorated by crosslinking easily even at low temperatures. Accordingly, there is an increasing need for developing new positive photosensitive materials that can increase adhesion without negatively affecting resolution and sensitivity.

일 구현예는, 경화 후 패턴 무너짐이 없으며 우수한 연신율을 가지면서도 금속과의 접착력이 우수한 감광성 수지 조성물을 제공한다. One embodiment provides a photosensitive resin composition having excellent elongation while not having a pattern collapse after curing and having excellent elongation.

다른 구현예는 상기 조성물을 경화하여 얻은 경화막를 제공한다.Another embodiment provides a cured film obtained by curing the composition.

또 다른 구현예는 상기 경화막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the cured film.

일 구현예는 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 공중합 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (C) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물을 제공한다.One embodiment (A) a structural unit represented by the formula (1), a structural unit represented by the formula (2), and a copolymer resin comprising a structural unit represented by the formula (3); (B) photosensitive diazoquinone compound; And (C) provides a photosensitive resin composition comprising a solvent.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017070350625-pat00001
Figure 112017070350625-pat00001

화학식 1에서, In Formula 1,

R1은 하이드록시기, 카르복실기, 시아노기, 니트로기, 할로겐, C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이고, R 1 is a hydroxy group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, a halogen, a C1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group , Substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, or a combination thereof,

a는 0 내지 3의 정수이고, a is an integer from 0 to 3,

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017070350625-pat00002
Figure 112017070350625-pat00002

화학식 2에서, In Formula 2,

L1 내지 L6은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,L 1 to L 6 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof,

[화학식 3] [Formula 3]

Figure 112017070350625-pat00003
Figure 112017070350625-pat00003

화학식 3에서, In Formula 3,

Y1 및 Y2 는 각각 독립적으로, -S-, -O-, 또는 -NH- 이고, Y 1 and Y 2 are each independently -S-, -O-, or -NH-,

R2, R3, R10, 및 R11은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,R 2 , R 3 , R 10 , and R 11 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof,

R4 내지 R9는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이고,R 4 to R 9 are each independently, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7 to C30 Arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, substituted Or an unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, or a combination thereof,

b 및 c는 각각 독립적으로, 0 내지 5의 정수이고, b and c are each independently an integer from 0 to 5,

n은 0 내지 350 이다.n is 0 to 350.

상기 화학식 2로 표시되는 구조단위 및 화학식 3으로 표시되는 구조단위는 9.9:0.1 내지 8:2의 중량비로 상기 공중합 수지에 포함될 수 있다.The structural unit represented by Chemical Formula 2 and the structural unit represented by Chemical Formula 3 may be included in the copolymer resin in a weight ratio of 9.9: 0.1 to 8: 2.

상기 화학식 1로 표시되는 구조단위는 상기 공중합 수지 전체의 중량을 기준으로 50 중량% 내지 70 중량% 포함될 수 있다.The structural unit represented by Chemical Formula 1 may include 50% to 70% by weight based on the total weight of the copolymer resin.

상기 공중합 수지의 중량평균분자량은 1,000 g/mol 내지 30,000 g/mol 일 수 있다.The weight average molecular weight of the copolymer resin may be 1,000 g / mol to 30,000 g / mol.

상기 화학식 1의 R1 은 하이드록시기일 수 있다.R 1 of Formula 1 may be a hydroxy group.

상기 화학식 2의 L1 내지 L6은 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다.L 1 to L 6 of Formula 2 may be each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, or a combination thereof.

상기 화학식 2의 L1 및 L2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴렌기이고, L3 내지 L6은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기일 수 있다.Formula 2 of L 1 and L 2 are, each independently, a substituted or unsubstituted C6 to C12 arylene group, L 3 to L 6 may each independently, a date alkylene substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl.

상기 화학식 3의 R2 및 R3은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다. R 2 and R 3 in Chemical Formula 3 may be each independently a substituted or unsubstituted C6 to C12 arylene group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group, or a combination thereof.

상기 화학식 3의 R4 내지 R9는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합일 수 있다. R 4 to R 9 in Chemical Formula 3 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, or a combination thereof You can.

상기 감광성 수지 조성물은 상기 (A) 공중합 수지 100 중량부에 대해, 상기 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부, 및 상기 (C) 용매 200 중량부 내지 2,000 중량부를 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition may include 5 to 100 parts by weight of the (B) photosensitive diazoquinone compound, and 200 to 2,000 parts by weight of the solvent (C) relative to 100 parts by weight of the (A) copolymer resin.

상기 감광성 수지 조성물은 상기 (A) 공중합 수지 100 중량부에 대해, 상기 (D) 가교제 1 내지 30 중량부를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition may further include 1 to 30 parts by weight of the crosslinking agent (D), based on 100 parts by weight of the (A) copolymer resin.

다른 일 구현예는 상기 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막을 제공한다.Another embodiment provides a cured film obtained by curing the photosensitive resin composition.

또 다른 일 구현예는 상기 경화막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.Another embodiment provides an electronic device including the cured film.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 연신율이 우수할 뿐 아니라, 저온 경화가 가능하며, 경화 후에도 패턴이 무너지지 않고, 이에 따라 우수한 해상도 및 금속과의 접착력이 우수한 경화막 및 이를 포함하는 전자 소자를 얻을 수 있다. The photosensitive resin composition according to one embodiment not only has excellent elongation, but also enables low temperature curing, and the pattern does not crumble after curing, thereby obtaining a cured film having excellent resolution and adhesion to metal and an electronic device comprising the same You can.

이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail so that those skilled in the art to which the present invention pertains can easily practice. However, the present invention can be implemented in many different forms and is not limited to the embodiments described herein.

본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 하이드록시기, C1 내지 C30 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아자이드기, 아미디노기, 하이드라지노기, 하이드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.Unless otherwise defined in the present specification, 'substituted' means that a hydrogen atom in a compound is a halogen atom (F, Br, Cl, or I), a hydroxyl group, a C1 to C30 alkoxy group, a nitro group, a cyano group, or an amino group. , Azide group, amidino group, hydrazino group, hydrazono group, carbonyl group, carbamyl group, thiol group, ester group, carboxyl group or salt thereof, sulfonic acid group or salt thereof, phosphoric acid or salt thereof, C1 to C20 alkyl group, C2 To C20 alkenyl group, C2 to C20 alkynyl group, C6 to C30 aryl group, C7 to C30 arylalkyl group, C1 to C20 heteroalkyl group, C3 to C20 heteroarylalkyl group, C3 to C30 cycloalkyl group, C3 to C15 cycloalkenyl group, It means substituted with a substituent selected from C6 to C15 cycloalkynyl group, C3 to C30 heterocycloalkyl group and combinations thereof.

또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 적어도 하나 포함한 것을 의미한다.In addition, unless otherwise defined herein, 'hetero' means that at least one hetero atom selected from N, O, S and P is included.

본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, '조합'이란 혼합 또는 공중합을 의미한다.Unless otherwise specified in this specification, 'combination' means mixing or copolymerization.

또한 본 명세서에서 특별한 언급이 없는 한, "*"는 동일하거나 상이한 원자 또는 화학식과 연결되는 부분을 의미한다.Also, unless otherwise specified in this specification, "*" means a portion connected to the same or different atom or chemical formula.

이하, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물에 대하여 설명한다. Hereinafter, a photosensitive resin composition according to an embodiment will be described.

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 (A) 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 공중합 수지; (B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및 (C) 용매를 포함한다.The photosensitive resin composition according to an embodiment includes (A) a copolymer unit comprising a structural unit represented by Chemical Formula 1, a structural unit represented by Chemical Formula 2, and a structural unit represented by Chemical Formula 3; (B) photosensitive diazoquinone compound; And (C) a solvent.

[화학식 1][Formula 1]

Figure 112017070350625-pat00004
Figure 112017070350625-pat00004

화학식 1에서, In Formula 1,

R1은 하이드록시기, 카르복실기, 시아노기, 니트로기, 할로겐, C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이고, R 1 is a hydroxy group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, a halogen, a C1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group , Substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, or a combination thereof,

a는 0 내지 3의 정수이고, a is an integer from 0 to 3,

[화학식 2][Formula 2]

Figure 112017070350625-pat00005
Figure 112017070350625-pat00005

화학식 2에서, In Formula 2,

L1 내지 L6은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,L 1 to L 6 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof,

[화학식 3][Formula 3]

Figure 112017070350625-pat00006
Figure 112017070350625-pat00006

화학식 3에서, In Formula 3,

Y1 및 Y2 는 각각 독립적으로, -S-, -O-, 또는 -NH- 이고, Y 1 and Y 2 are each independently -S-, -O-, or -NH-,

R2, R3, R10, 및 R11은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,R 2 , R 3 , R 10 , and R 11 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group , A substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof,

R4 내지 R9는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이고,R 4 to R 9 are each independently, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7 to C30 Arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, substituted Or an unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, or a combination thereof,

b 및 c는 각각 독립적으로, 0 내지 5의 정수이고, b and c are each independently an integer from 0 to 5,

n은 0 내지 350 이다.n is 0 to 350.

최근 반도체 제조 프로세스의 처리 능력 향상을 위해서 내열성이 낮은 패키지 재료가 이용되는 경우가 많아지면서, 보호막 또는 층간 절연막 형성 재료에 열경화 온도의 저하가 요구되고 있다. 이에 250℃ 이하 온도에서 경화 후 패턴 특성은 물론 패턴이 무너지는 현상인 리플로우(reflow)가 없고, 신뢰성 테스트에서 중요하게 여겨지는 연신률이 높으며, 금속과의 접착력이 우수한 재료가 필요하게 되었다. In recent years, in order to improve the processing capability of the semiconductor manufacturing process, a package material having low heat resistance is often used, and a reduction in the thermal curing temperature is required for the protective film or the interlayer insulating film forming material. Accordingly, after curing at a temperature of 250 ° C. or less, there is a need for a material having excellent pattern elongation and high elongation, which is considered important in reliability testing, without reflow, which is a phenomenon of pattern collapse as well as pattern characteristics.

일 구현예에 다른 감광성 수지 조성물에 포함된 공중합 수지는, 상기 화학식 1 및 화학식 2로 표시되는 구조단위를 포함함으로써 경화 후 리플로우 현상을 개선할 수 있고, 상기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 더 포함함으로써 연신력 및 금속에 대한 접착성을 향상시킬 수 있다. Copolymers included in the photosensitive resin composition according to one embodiment may improve the reflow phenomenon after curing by including the structural units represented by Chemical Formula 1 and Chemical Formula 2, and further add structural units represented by Chemical Formula 3 By including, it is possible to improve the stretching force and the adhesion to the metal.

이하, 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물의 각 구성 성분에 대해 자세히 설명한다. Hereinafter, each component of the photosensitive resin composition according to an embodiment will be described in detail.

(A) (A) 공중합 수지Copolymer resin

일 실시예에 따른 공중합 수지는 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 및 상기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함한다. The copolymer resin according to an embodiment includes a structural unit represented by Chemical Formula 1, a structural unit represented by Chemical Formula 2, and a structural unit represented by Chemical Formula 3.

일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은, 상기 화학식 3으로 표시되는, 말단이 변형된 폴리디메틸실록산(Polydimethylsiloxane, PDMS)을 링커로서 공중합 수지 내 포함함에 따라, 상기 수지 조성물을 경화시켜 제조되는 막의 연신 특성이 크게 향상된다. 또한, 상기 PDMS 링커의 합성 시, 중합도를 조절하여 PDMS의 분자량을 적절히 조절함으로써 공중합 수지 내에서의 가교 길이를 조절하며, 이에 따라 우수한 연신 물성뿐만 아니라, 250℃ 이하의 저온 경화시에도 금속 재료, 특히 티타늄, 알루미늄, 및 구리와의 접착성이 우수한 경화막을 얻을 수 있다. The photosensitive resin composition according to an embodiment includes the polydimethylsiloxane (Polydimethylsiloxane, PDMS) having a modified terminal as a linker in a copolymerization resin as a linker, and thus stretching properties of the film prepared by curing the resin composition. This is greatly improved. In addition, when synthesizing the PDMS linker, the polymerization degree is adjusted to properly adjust the molecular weight of the PDMS to control the crosslinking length in the copolymer resin, thereby not only excellent stretching properties, but also metal materials during low temperature curing at 250 ° C. or less. In particular, a cured film excellent in adhesion to titanium, aluminum, and copper can be obtained.

한편, 공중합 수지 내 링커로서 상기 화학식 3의 구조단위뿐 아니라, 화학식 2로 표시되는 구조단위, 즉 -O- 기를 포함하는 선형적 (linear) 성질이 큰 구조단위를 포함함으로써 우수한 연신 물성을 나타낸다. 또한, -O- 기가 갖는 비공유 전자쌍에 의해 250 이하의 저온 경화시에도 금속 재료, 특히 티타늄, 알루미늄, 및 구리와의 접착성이 더욱 우수한 경화막을 얻을 수 있다.On the other hand, as a linker in the copolymer resin, not only the structural unit of Chemical Formula 3 but also a structural unit represented by Chemical Formula 2, that is, a structural unit having a large linear property including a -O- group, exhibits excellent stretching properties. In addition, the non-covalent electron pair possessed by the -O- group can provide a cured film that is more excellent in adhesion to metal materials, particularly titanium, aluminum, and copper even at low temperature curing of 250 or less.

일 예에서, 상기 화학식 1에서, R1 은 하이드록실기이고, a는 1 내지 3의 정수일 수 있다. In one example, in Formula 1, R 1 Is a hydroxyl group, a may be an integer of 1 to 3.

일 예에서, 상기 화학식 2의 L1 내지 L6은 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다. In one example, L 1 to L 6 of Formula 2 may be each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, or a combination thereof. .

일 예에서, 상기 화학식 2의 L1 및 L2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴렌기일 수 있다. 예를 들어, 화학식 2의 L1 및 L2는 페닐렌기일 수 있다.In one example, L 1 and L 2 of Formula 2 may be each independently, a substituted or unsubstituted C6 to C12 arylene group. For example, L 1 and L 2 in Formula 2 may be a phenylene group.

일 예에서, 상기 화학식 2의 L3 내지 L6은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기일 수 있다. 예를 들어, 화학식 2의 L3 내지 L6은 각각 독립적으로 메틸렌기, 에틸렌기, 프로필렌기 또는 부틸렌기일 수 있다. In one example, L 3 to L 6 of Formula 2 may be each independently, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group. For example, L 3 to L 6 in Formula 2 may each independently be a methylene group, an ethylene group, a propylene group, or a butylene group.

일 예에서, 상기 화학식 3의 Y1 및 Y2 는 각각 독립적으로, -S-, -O-, 또는 -NH- 이고, 예컨대, -S- 일 수 있다. In one example, Y 1 and Y 2 in Chemical Formula 3 are each independently, -S-, -O-, or -NH-, and may be, for example, -S-.

일 예에서, 상기 화학식 3의 R2 및 R3은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다. 예를 들어, 화학식 3의 R2 및 R3은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다.In one example, R 2 and R 3 of Formula 3 are each independently, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heteroaryl Rengi, or a combination thereof. For example, R 2 and R 3 in Formula 3 may each independently be a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C12 arylene group, or a combination thereof.

일 예에서, 상기 화학식 3의 R4 내지 R9는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 또는 이들의 조합일 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 3의 R4 내지 R9는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기일 수 있고, 예컨대, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 또는 부틸기일 수 있다. In one example, R 4 to R 9 of Formula 3 may be each independently, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, or a combination thereof. For example, R 4 to R 9 in Formula 3 may be each independently a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, for example, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, or a butyl group.

일 예에서, 상기 화학식 3의 R10 및 R11은, 각각 독립적으로, 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 또는 이들의 조합일 수 있다. 예를 들어, 상기 화학식 3의 R10 및 R11 은 각각 독립적으로 단일결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기일 수 있고, 또는 이들의 조합일 수 있고, 예컨대, 단일결합, 메틸렌기, 또는 에틸렌기일 수 있다.In one example, R 10 and R 11 of Formula 3, each independently, a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, or a combination thereof You can. For example, R 10 and R 11 in Formula 3 may be each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group, or a combination thereof, such as a single bond, a methylene group, Or it may be an ethylene group.

일 예에서, 상기 화학식 3의 b 및 c는 각각 독립적으로, 1 내지 5의 정수이고, 예컨대, 1 내지 3의 정수, 예컨대, 2 일 수 있다. In one example, b and c in Chemical Formula 3 are each independently an integer of 1 to 5, for example, an integer of 1 to 3, for example, 2.

일 예에서, 상기 화학식 3의 n은 0 내지 350의 정수일 수 있다. 화학식 3으로 표시되는 구조단위 내 n값이 상기 범위를 만족하는 경우, 이를 포함하는 상기 공중합수지로부터 제조되는 막의 해상도가 우수하고 패턴 무너짐 현상을 개선할 수 있다.In one example, n in Formula 3 may be an integer from 0 to 350. When the n-value in the structural unit represented by Chemical Formula 3 satisfies the above range, the resolution of the film prepared from the copolymer resin containing it is excellent and the pattern collapse phenomenon can be improved.

일 예에서, 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위 및 화학식 3으로 표시되는 구조단위는 몰비로 9.9:0.1 내지 8:2, 예컨대, 9.9:0.1 내지 9:1, 예컨대, 9.7:0.3 내지 9:1, 예컨대, 9.5:0.5, 내지 9:1, 예컨대, 9.3:0.3 내지 9:1의 중량비로 상기 공중합 수지에 포함될 수 있다. 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위 및 상기 화학식 3으로 표시되는 구조단위가 상기 혼합 비율로 공중합 수지에 포함되는 경우 연신율을 크게 개선할 수 있다. In one example, the structural unit represented by Formula 2 and the structural unit represented by Formula 3 are 9.9: 0.1 to 8: 2 in a molar ratio, such as 9.9: 0.1 to 9: 1, such as 9.7: 0.3 to 9: 1 , For example, it may be included in the copolymer resin in a weight ratio of 9.5: 0.5, to 9: 1, for example, 9.3: 0.3 to 9: 1. When the structural unit represented by Chemical Formula 2 and the structural unit represented by Chemical Formula 3 are included in the copolymer resin in the mixing ratio, the elongation can be greatly improved.

상기 화학식 1로 표시되는 구조단위의 함량은 상기 공중합 수지 전체 구조단위에 대해 50 중량% 내지 70 중량%, 예를 들어, 55 중량% 내지 65 중량% 범위로 포함될 수 있다. The content of the structural unit represented by Formula 1 may be included in the range of 50% to 70% by weight, for example, 55% to 65% by weight relative to the total structural unit of the copolymer resin.

상기 공중합 수지의 중량평균분자량은 1,000 g/mol 내지 30,000 g/mol 일 수 있다. 예를 들어, 상기 공중합 수지의 중량평균분자량은 1,000 g/mol 내지 20,000 g/mol, 예를 들어 2,000 g/mol 내지 20,000 g/mol, 예를 들어 3,000 g/mol 내지 20,000 g/mol, 예를 들어 3,000 g/mol 내지 15,000 g/mol, 예를 들어 4,000 g/mol 내지 15,000 g/mol 일 수 있다. 상기 범위의 중량평균분자량을 가질 경우, 우수한 연신 특성을 가지면서도 금속과의 접착력이 우수할 뿐 아니라, 패턴 무너짐 현상이 일어나지 않는 효과를 갖는다. The weight average molecular weight of the copolymer resin may be 1,000 g / mol to 30,000 g / mol. For example, the weight average molecular weight of the copolymer resin is 1,000 g / mol to 20,000 g / mol, for example 2,000 g / mol to 20,000 g / mol, for example 3,000 g / mol to 20,000 g / mol, for example For example 3,000 g / mol to 15,000 g / mol, for example 4,000 g / mol to 15,000 g / mol. When having a weight average molecular weight in the above range, while having excellent stretching properties, as well as excellent adhesion to the metal, it has an effect that does not occur pattern collapse phenomenon.

(B) (B) 감광성 디아조퀴논 화합물Photosensitive diazoquinone compound

일 실시예에 따른 감광성 디아조퀴논 화합물은 1,2-벤조퀴논디아지드 구조 또는 1,2-프토퀴논디아지드 구조를 갖는 화합물일 수 있다. The photosensitive diazoquinone compound according to an embodiment may be a compound having a 1,2-benzoquinonediazide structure or a 1,2-phthoquinonediazide structure.

일 예로, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 하기 화학식 4 내지 7 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the photosensitive diazoquinone compound may be a compound represented by any one of the following Chemical Formulas 4 to 7, but is not limited thereto.

[화학식 4][Formula 4]

Figure 112017070350625-pat00007
Figure 112017070350625-pat00007

상기 화학식 4에서, In Chemical Formula 4,

R31 내지 R33 은 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있으며, 예컨대, CH3일 수 있고, D1 내지 D3는 각각 독립적으로 -OQ일 수 있고, 상기 Q는 수소 원자, 하기 화학식 4-a로 표시되는 작용기, 또는 하기 화학식 4-b로 표시되는 작용기일 수 있으며, 이때 Q는 동시에 수소 원자일 수는 없고, n31 내지 n33은 각각 독립적으로 1 내지 5일 수 있다.R31 to R33 may each independently be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group, for example, may be CH 3 , D1 to D3 may each independently be -OQ, and Q is a hydrogen atom, the following Chemical Formula 4 It may be a functional group represented by -a, or a functional group represented by the following formula 4-b, wherein Q may not be a hydrogen atom at the same time, and n31 to n33 may be independently 1 to 5, respectively.

[화학식 4-a][Formula 4-a]

Figure 112017070350625-pat00008
Figure 112017070350625-pat00008

[화학식 4-b][Formula 4-b]

Figure 112017070350625-pat00009
Figure 112017070350625-pat00009

[화학식 5][Formula 5]

Figure 112017070350625-pat00010
Figure 112017070350625-pat00010

화학식 5에서, In Formula 5,

R34는 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 34 may be a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,

D4 내지 D6은 각각 독립적으로 OQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 4에서 정의된 것과 동일하고,D 4 to D 6 may each independently be OQ, wherein Q is the same as defined in Chemical Formula 4,

n34 내지 n36은 각각 독립적으로 1 내지 5 일 수 있다.Each of n34 to n36 may be 1 to 5 independently.

[화학식 6][Formula 6]

Figure 112017070350625-pat00011
Figure 112017070350625-pat00011

화학식 6에서, In Formula 6,

A3는 CO 또는 CR500R501 일 수 있고, 상기 R500 및 R501은 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,A 3 may be CO or CR 500 R 501 , wherein R 500 and R 501 may each independently be a substituted or unsubstituted alkyl group,

D7 내지 D10은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 알킬기, OQ, 또는 NHQ일 수 있고, 상기 Q는 상기 화학식 4에서 정의된 것과 동일하고,D 7 to D 10 may be each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted alkyl group, OQ, or NHQ, wherein Q is the same as defined in Chemical Formula 4,

n37, n38, n39 및 n40은 각각 독립적으로 1 내지 4 의 정수일 수 있고,n37, n38, n39 and n40 may each independently be an integer from 1 to 4,

n37+n38 및 n39+n40은 각각 독립적으로 5 이하의 정수일 수 있고,n37 + n38 and n39 + n40 may each independently be an integer of 5 or less,

단, 상기 D7 내지 D10 중 적어도 하나는 OQ이며, 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 3개 포함될 수 있고, 다른 하나의 방향족 환에는 OQ가 1개 내지 4개로 포함될 수 있다.However, at least one of D 7 to D 10 is OQ, and one to three OQs may be included in one aromatic ring, and one to four OQs may be included in the other aromatic ring.

[화학식 7][Formula 7]

Figure 112017070350625-pat00012
Figure 112017070350625-pat00012

화학식 7에서, In Formula 7,

R35 내지 R42는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 알킬기일 수 있고,R 35 to R 42 may be each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted alkyl group,

n41 및 n42는 각각 독립적으로 1 내지 5 일 수 있고, 구체적으로는 2 내지 4 일 수 있으며,n41 and n42 may be each independently 1 to 5, specifically 2 to 4,

Q는 상기 화학식 4에서 정의된 것과 동일하다.Q is the same as defined in Formula 4 above.

상기 감광성 디아조퀴논 화합물은 상기 공중합 수지 100 중량부에 대하여 5 중량부 내지 100 중량부, 예를 들어, 10 중량부 내지 50 중량부, 예를 들어, 10 중량부 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. 감광성 디아조퀴논 화합물의 함량이 상기 범위일 때 노광에 의해 잔사없이 패턴 형성이 잘 되며, 현상시 막 두께 손실이 없고, 양호한 패턴을 얻을 수 있다. The photosensitive diazoquinone compound may be included in an amount of 5 parts by weight to 100 parts by weight, for example, 10 parts by weight to 50 parts by weight, for example, 10 parts by weight to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the copolymer resin. When the content of the photosensitive diazoquinone compound is within the above range, the pattern is well formed without residue by exposure, and there is no film thickness loss during development, and a good pattern can be obtained.

(C) (C) 용매menstruum

일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 상기 공중합 수지, 및 감광성 디아조퀴논의 각 성분을 용이하게 용해시킬 수 있는 용매를 포함할 수 있다.The photosensitive resin composition according to an embodiment may include a solvent that can easily dissolve each component of the copolymer resin and the photosensitive diazoquinone.

일 예로, 상기 용매는 유기용매를 사용하며, 구체적으로는 N-메틸-2-피롤리돈, 감마-부티로락톤, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸설폭사이드, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 락트산메틸(메틸락테이트), 락트산에틸(에틸락테이트), 락트산부틸(부틸락테이트), 메틸-1,3-부틸렌글리콜아세테이트, 1,3-부틸렌글리콜-3-모노메틸에테르, 피루브산메틸(메틸피루베이트), 피루브산에틸(에틸피루베이트), 메틸-3-메톡시 프로피오네이트 또는 이들의 조합 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. For example, the solvent uses an organic solvent, specifically N-methyl-2-pyrrolidone, gamma-butyrolactone, N, N-dimethylacetamide, dimethyl sulfoxide, diethylene glycol dimethyl ether, di Ethylene glycol diethyl ether, diethylene glycol dibutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, methyl lactate (methyl lactate), ethyl lactate (ethyl lactate), lactic acid Butyl (butyl lactate), methyl-1,3-butylene glycol acetate, 1,3-butylene glycol-3-monomethyl ether, methyl pyruvate (methylpyruvate), ethyl pyruvate (ethyl pyruvate), methyl- 3-methoxy propionate or a combination thereof may be used, but is not limited thereto.

상기 용매는 스핀 코팅, 슬릿 다이 코팅 등 감광성 수지막을 형성하는 공정에 따라 적절하게 선택하여 사용할 수 있다.The solvent may be appropriately selected and used according to a process of forming a photosensitive resin film such as spin coating or slit die coating.

상기 용매는 알칼리 가용성 수지 100 중량부에 대하여 200 중량부 내지 2,000 중량부로, 예를 들어, 200 중량부 내지 1,000 중량부로 사용될 수 있다. 용매의 함량이 상기 범위일 때는 충분한 두께의 막을 코팅할 수 있으며, 용해도 및 코팅성이 우수하여 좋다.The solvent may be used in 200 parts by weight to 2,000 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin, for example, 200 parts by weight to 1,000 parts by weight. When the content of the solvent is within the above range, a film having a sufficient thickness can be coated, and solubility and coating properties are excellent.

(D) (D) 가교제Crosslinker

일 실시예에 따른 감광성 수지 조성물은 가교제를 더 포함할 수 있다. 일 예로, 상기 가교제는 하기 화학식 8 내지 10 중 어느 하나로 표시되는 화합물일 수 있다.The photosensitive resin composition according to an embodiment may further include a crosslinking agent. For example, the crosslinking agent may be a compound represented by any one of the following Chemical Formulas 8 to 10.

[화학식 8][Formula 8]

Figure 112017070350625-pat00013
Figure 112017070350625-pat00013

[화학식 9][Formula 9]

Figure 112017070350625-pat00014
Figure 112017070350625-pat00014

[화학식 10][Formula 10]

Figure 112017070350625-pat00015
Figure 112017070350625-pat00015

화학식 8 내지 10에서, In Formulas 8 to 10,

R11 내지 R13은 각각 독립적으로 수소 원자, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이고,R 11 to R 13 are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxy group,

R14 및 R15는 각각 독립적으로 수소 원자 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기이고,R 14 and R 15 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group,

R16 내지 R25는 각각 독립적으로 수소 원자, 하이드록시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기, 또는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알콕시기이다.R 16 to R 25 are each independently a hydrogen atom, a hydroxyl group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl group, or a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkoxy group.

상기 가교제는 일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물의 경화 후 테이퍼 각도가 낮아지는 것을 방지하는 역할을 한다. 나아가, 상기 감광성 수지 조성물은, 패턴 형성 후 소성 시 가교제가 상기 공중합 수지와 반응하여 가교 구조를 형성하며, 이 때 전술한 감광성 디아조퀴논 화합물을 함께 포함함으로써, 상기 감광성 디아조퀴논 화합물이 감광제로서, 상기 가교제의 가교 구조 형성을 촉매하게 된다. 따라서, 일 실시예서는 250 이하의 저온에서도 감광성 수지 조성물의 경화가 가능하고, 가교가 더욱 활발하게 일어나며, 경화 후 패턴이 무너지는 리플로우 현상이 없으며, 연신률 및 강도 등의 기계적 물성 역시 증가하게 된다.The crosslinking agent serves to prevent the taper angle from lowering after curing of the photosensitive resin composition according to one embodiment. Further, in the photosensitive resin composition, when firing after pattern formation, a crosslinking agent reacts with the copolymer resin to form a crosslinked structure, and by including the above-described photosensitive diazoquinone compound together, the photosensitive diazoquinone compound is used as a photosensitive agent. , Catalyzing the formation of a crosslinked structure of the crosslinking agent. Therefore, in one embodiment, curing of the photosensitive resin composition is possible even at a low temperature of 250 or less, crosslinking occurs more actively, there is no reflow phenomenon in which the pattern collapses after curing, and mechanical properties such as elongation and strength also increase. .

상기 가교제는 상기 공중합 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 30 중량부로 포함될 수 있다. 예를 들어 상기 가교제는 상기 공중합 수지 100 중량부에 대하여 1 내지 20 중량부, 예를 들어 5 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.The crosslinking agent may be included in 1 to 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the copolymer resin. For example, the crosslinking agent may be included in 1 to 20 parts by weight, for example, 5 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the copolymer resin.

(E) (E) 기타 첨가제Other additives

일 구현예에 따른 감광성 수지 조성물은 기타 첨가제를 더 포함할 수 있다. The photosensitive resin composition according to an embodiment may further include other additives.

상기 감광성 수지 조성물은 코팅 시 얼룩이나 반점 방지, 레벨링 특성, 또는 미현상에 의한 잔사의 생성을 방지하기 위하여, 말론산이나 3-아미노-1,2-프로판디올, 레벨링제, 불소계 계면활성제, 라디칼 중합개시제 또는 이들의 조합의 첨가제 등을 포함할 수 있다.  이들 첨가제의 사용량은 원하는 물성에 따라 용이하게 조절될 수 있다.The photosensitive resin composition is a malonic acid or 3-amino-1,2-propanediol, a leveling agent, a fluorine-based surfactant, a radical to prevent stains or spots when coating, or to prevent generation of residues due to undeveloped properties Polymerization initiators or combinations thereof, and the like. The amount of these additives can be easily adjusted according to the desired physical properties.

또한 상기 감광성 수지 조성물은 기판과의 밀착력 등의 향상을 위해, 접착력 증진제로서 실란 커플링제를 첨가제로 더 사용할 수 있다. 상기 실란 커플링제는 예컨대, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐 트리클로로실란, 비닐트리스(?-메톡시에톡시)실란; 또는 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, p-스티릴 트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디 에톡시실란; 트리메톡시[3-(페닐아미노)프로필]실란 등의 탄소-탄소 불포화 결합 함유 실란 화합물 등을 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.In addition, the photosensitive resin composition may further use a silane coupling agent as an additive as an adhesion promoter to improve adhesion to a substrate. The silane coupling agent is, for example, vinyl trimethoxysilane, vinyl triethoxysilane, vinyl trichlorosilane, vinyl tris (? -Methoxyethoxy) silane; Or 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, p-styryl trimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldi Ethoxysilane; Carbon-carbon unsaturated bond-containing silane compounds such as trimethoxy [3- (phenylamino) propyl] silane may be used, but the present invention is not limited thereto.

상기 감광성 수지 조성물은 포지티브형 감광성 수지 조성물일 수 있다.The photosensitive resin composition may be a positive photosensitive resin composition.

상기 감광성 수지 조성물을 사용하여 패턴을 형성하는 공정은 감광성 수지 조성물을 지지 기판상에 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 프린팅 등으로 도포하는 공정; 상기 도포된 감광성 수지 조성물을 건조하여 막을 형성하는 공정; 상기 막을 노광하는 공정; 상기 노광된 막을 알칼리 수용액으로 현상하여 절연막을 제조하는 공정; 및 상기 절연막을 가열처리하는 공정을 포함한다. 패턴을 형성하는 공정상의 조건 등에 대하여는 당해 분야에서 널리 알려진 사항이므로 본 명세서에서 자세한 설명은 생략하기로 한다.The process of forming a pattern using the photosensitive resin composition may include applying a photosensitive resin composition on a support substrate by spin coating, slit coating, inkjet printing, or the like; Drying the applied photosensitive resin composition to form a film; A step of exposing the film; Developing the exposed film with an aqueous alkali solution to produce an insulating film; And heating the insulating film. The process conditions for forming a pattern are widely known in the art, and thus detailed descriptions thereof will be omitted.

다른 일 구현예에 따르면 상기 감광성 수지 조성물, 예컨대 포지티브형 감광성 수지 조성물을 경화하여 제조된 경화막을 제공한다. According to another embodiment, the photosensitive resin composition, for example, a positive type photosensitive resin composition is cured to provide a cured film prepared.

상기 경화막은 박막 트랜지스터형 액정 표시 소자나 고체 촬상 소자, 유기발광다이오드(OLED) 등의 절연막일 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.The cured film may be a thin film transistor type liquid crystal display device, a solid-state imaging device, an insulating film such as an organic light emitting diode (OLED), but is not limited thereto.

또 다른 일 구현예에 따르면, 상기 경화막을 포함하는 전자 소자를 제공한다. 상기 전자 소자는 액정 디스플레이, 발광다이오드, 플라즈마디스플레이 또는 유기발광장치(예컨대 OLED) 등의 표시 소자일 수 있다. According to another embodiment, an electronic device including the cured film is provided. The electronic device may be a liquid crystal display, a light emitting diode, a plasma display, or a display device such as an organic light emitting device (eg OLED).

상기 감광성 수지 조성물은 전자 소자에서 절연막, 패시베이션층 또는 버퍼 코팅층을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다. 즉, 상기 감광성 수지 조성물은 금속과의 접착력이 우수하여 전극이나 배선층 간 절연막을 형성하는 데 유용하게 사용될 수 있다.The photosensitive resin composition may be useful for forming an insulating film, a passivation layer, or a buffer coating layer in an electronic device. That is, the photosensitive resin composition has excellent adhesion to a metal and can be usefully used to form an insulating film between electrodes or wiring layers.

이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.The embodiments of the present invention described above will be described in more detail through the following examples. However, the following examples are for illustrative purposes only and are not intended to limit the scope of the present invention.

(실시예)(Example)

합성예 1 내지 6: PDMS 링커(linker)의 합성Synthesis Examples 1 to 6: Synthesis of PDMS linker

합성예 1Synthesis Example 1

500 ml의 3구 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트(Propyleneglycol methyl ether acetate, PGMEA)를 넣고, 여기에 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-(methoxymethyl)benzenethiol, 4-MMBT; 분자량 154.23 g/mol)과 DMS-V00(gelest社; 분자량 186 g/mol)를 상기 용매:반응물의 중량비가 3:7이 되도록 투입하여 용해시킨다. 이 때, 상기 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-MMBT)과 DMS-V00는 4-MMBT 100 중량부당 DMS-VOO 60.3 중량부를 혼합한 것이다. 그 후, 광개시제로서 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA)을 상기 반응물의 총 중량을 기준으로 1wt% 추가한다. 상기 반응기를, N2 분위기에서 40℃를 유지하면서 오일배쓰에 장착하고, 365nm의 UV를 0.6 mW/cm2 조건으로 6시간 동안 조사한다. 이후 용매를 제거하여 PDMS 링커 (A-1)를 얻는다.Propyleneglycol methyl ether acetate (PGMEA) was added as a solvent to a 500 ml three-necked flask, and the reactant 4-methoxymethyl benzenethiol, 4-MMBT; molecular weight 154.23 g / mol) and DMS-V00 (gelest; molecular weight 186 g / mol) were dissolved by adding the solvent: reactant in a weight ratio of 3: 7. At this time, the reactants 4-methoxymethyl benzenethiol (4-MMBT) and DMS-V00 is a mixture of 60.3 parts by weight of DMS-VOO per 100 parts by weight of 4-MMBT. Thereafter, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA) as a photoinitiator is added by 1 wt% based on the total weight of the reactants. The reactor was mounted in an oil bath while maintaining 40 ° C. in an N 2 atmosphere, and irradiated with UV at 365 nm for 6 hours under 0.6 mW / cm 2 conditions. The solvent is then removed to obtain PDMS linker (A-1).

합성예 2 Synthesis Example 2

500 ml의 3구 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트(Propyleneglycol methyl ether acetate PGMEA)를 넣고, 여기에 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-(methoxymethyl)benzenethiol, 4-MMBT; 분자량 154.23 g/mol) 및 DMS-V03(gelest社; 분자량 500 g/mol)를 상기 용매:반응물의 중량비가 3:7이 되도록 투입하여 용해시킨다. 이 때, 상기 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-MMBT)과 DMS-V03은 4-MMBT 100 중량부당 DMS-VO3 162.1 중량부를 혼합한 것이다. 그 후, 광개시제로서 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA)을 상기 반응물의 총 중량을 기준으로 1wt% 추가한다. 상기 반응기를, N2 분위기에서 40℃를 유지하면서, 오일배쓰에 장착하고, 365nm의 UV를 0.6 mW/cm2 조건으로 6시간 동안 조사한다. 이후 용매를 제거하여 PDMS 링커 (A-2)를 얻는다.Propyleneglycol methyl ether acetate PGMEA was added as a solvent to a 500 ml three-necked flask, and the reactant 4-methoxymethylbenzenethiol, 4-MMBT; molecular weight 154.23 g / mol) and DMS-V03 (gelest company; molecular weight 500 g / mol) are dissolved by adding the solvent: reactant in a weight ratio of 3: 7. At this time, the reactants 4-methoxymethyl benzenethiol (4-MMBT) and DMS-V03 is a mixture of 162.1 parts by weight of DMS-VO3 per 100 parts by weight of 4-MMBT. Thereafter, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA) as a photoinitiator is added by 1 wt% based on the total weight of the reactants. While maintaining the reactor at 40 ° C. in an N 2 atmosphere, the reactor was mounted in an oil bath and irradiated with 365 nm UV for 6 hours under 0.6 mW / cm 2 conditions. The solvent is then removed to obtain a PDMS linker (A-2).

합성예 3Synthesis Example 3

500 ml의 3구 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트(Propyleneglycol methyl ether acetate PGMEA)를 넣고, 여기에 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-(methoxymethyl)benzenethiol, 4-MMBT; 분자량 154.23 g/mol) 및 DMS-V05(gelest社; 분자량 800 g/mol)을 상기 용매:반응물의 중량비가 3:7이 되도록 투입하여 용해시킨다. 이 때, 상기 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-MMBT)과 DMS-V05는 4-MMBT 100 중량부당 DMS-VO5 259.3 중량부를 혼합한 것이다. 그 후 광개시제로서 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA)을 상기 반응물의 총 중량을 기준으로 1wt% 추가한다. 상기 반응기를 N2 분위기에서 40℃를 유지하면서 오일배쓰에 장착하고, 365nm의 UV를 0.6 mW/cm2 건으로 6시간 조사한다. 이후 용매를 제거하여 PDMS 링커 (A-3)을 얻는다.Propyleneglycol methyl ether acetate PGMEA was added as a solvent to a 500 ml three-necked flask, and the reactant 4-methoxymethylbenzenethiol, 4-MMBT; molecular weight 154.23 g / mol) and DMS-V05 (gelest; molecular weight 800 g / mol) are dissolved by adding the solvent: reactant in a weight ratio of 3: 7. At this time, the reactants 4-methoxymethyl benzenethiol (4-MMBT) and DMS-V05 is a mixture of 259.3 parts by weight of DMS-VO5 per 100 parts by weight of 4-MMBT. Then, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA) is added as a photoinitiator by 1 wt% based on the total weight of the reactants. The reactor was mounted in an oil bath while maintaining 40 ° C. in an N 2 atmosphere, and 365 nm UV was 0.6 mW / cm 2 Investigate for 6 hours by case. The solvent is then removed to obtain PDMS linker (A-3).

합성예 4 Synthesis Example 4

500 ml의 3구 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트(Propyleneglycol methyl ether acetate PGMEA)를 넣고, 여기에 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-(methoxymethyl)benzenethiol, 4-MMBT; 분자량 154.23 g/mol) 및 DMS-V21(gelest社; 분자량 6,000 g/mol)을 상기 용매:반응물의 중량비가 3:7이 되도록 투입하여 용해시킨다. 이 때, 상기 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-MMBT)과 DMS-V21은 4-MMBT 100 중량부당 DMS-V21 1,945 중량부를 혼합한 것이다. 그 후, 광개시제로서 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA)을 상기 반응물의 총 중량을 기준으로 1wt%를 추가하였다. N2 공기 분위기에서 40℃를 유지하게 오일배쓰에 장착하고, 365nm의 UV를 0.6 mW/cm2 건으로 6시간 조사한다. 이 후 용매를 제거하여 PDMS 링커 (A-4)을 얻는다.Propyleneglycol methyl ether acetate PGMEA was added as a solvent to a 500 ml three-necked flask, and the reactant 4-methoxymethylbenzenethiol, 4-MMBT; molecular weight 154.23 g / mol) and DMS-V21 (gelest company; molecular weight 6,000 g / mol) are dissolved by adding the solvent: reactant in a weight ratio of 3: 7. At this time, the reactants 4-methoxymethyl benzenethiol (4-MMBT) and DMS-V21 is a mixture of 1,945 parts by weight of DMS-V21 per 100 parts by weight of 4-MMBT. Then, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA) as a photoinitiator was added 1 wt% based on the total weight of the reactants. It is mounted in an oil bath to maintain 40 ° C in an N 2 air atmosphere, and irradiated with 365 nm UV at 0.6 mW / cm 2 for 6 hours. Thereafter, the solvent is removed to obtain a PDMS linker (A-4).

합성예 5Synthesis Example 5

500 ml의 3구 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트(Propyleneglycol methyl ether acetate PGMEA)를 넣고, 여기에 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-(methoxymethyl)benzenethiol, 4-MMBT; 분자량 154.23 g/mol) 및 DMS-V25(gelest社; 분자량 17,200 g/mol)를 상기 용매:반응물의 중량비가 3:7이 되도록 투입하여 용해시킨다. 이 때, 상기 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-MMBT)과 DMS-V25는 4-MMBT 100 중량부당 DMS-V25 5,576 중량부를 혼합한 것이다. 그 후, 광개시제로서 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA)을 상기 반응물의 총 중량을 기준으로 1wt% 추가하였다. 상기 반응기를 N2 분위기에서 40℃를 유지하면서 오일배쓰에 장착하고, 365nm의 UV를 0.6 mW/cm2 조건으로 6시간 조사한다. 이 후 용매를 제거하여 PMDS 링커 (A-5)을 얻는다.Propyleneglycol methyl ether acetate PGMEA was added as a solvent to a 500 ml three-necked flask, and the reactant 4-methoxymethylbenzenethiol, 4-MMBT; molecular weight 154.23 g / mol) and DMS-V25 (gelest; molecular weight 17,200 g / mol) are dissolved in the solvent: reactant such that the weight ratio is 3: 7. At this time, the reactants 4-methoxymethyl benzenethiol (4-MMBT) and DMS-V25 is a mixture of 5,576 parts by weight of DMS-V25 per 100 parts by weight of 4-MMBT. Then, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA) as a photoinitiator was added 1 wt% based on the total weight of the reactants. The reactor is mounted in an oil bath while maintaining 40 ° C. in an N 2 atmosphere, and irradiated with 365 nm UV for 6 hours under 0.6 mW / cm 2 conditions. Thereafter, the solvent is removed to obtain a PMDS linker (A-5).

합성예 6 Synthesis Example 6

500 ml의 3구 플라스크에 용매로서 프로필렌글리콜 메틸에테르 아세테이트(Propyleneglycol methyl ether acetate PGMEA)를 넣고, 여기에 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-(methoxymethyl)benzenethiol, 4-MMBT; 분자량 154.23 g/mol) 및 DMS-V31(gelest社; 분자량 28,000 g/mol)를 상기 용매:반응물의 중량비가 3:7이 되도록 투입하여 용해시킨다. 이 때, 상기 반응물인 4-메톡시메틸 벤젠싸이올(4-MMBT)과 DMS-V31은 4-MMBT 100 중량부당 DMS-V31 9,077 중량부를 혼합한 것이다. 그 후, 광개시제로서 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논(2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA)을 상기 반응물의 총 중량을 기준으로 1wt% 추가한다. 상기 반응기를 N2 분위기에서 40℃를 유지하면서 오일배쓰에 장착하고, 365nm의 UV를 0.6 mW/cm2 조건으로 6시간 조사한다. 이 후 용매를 제거하여 PDMS 링커 (A-6)을 얻는다.Propyleneglycol methyl ether acetate PGMEA was added as a solvent to a 500 ml three-necked flask, and the reactant 4-methoxymethylbenzenethiol, 4-MMBT; molecular weight 154.23 g / mol) and DMS-V31 (gelest; molecular weight 28,000 g / mol) are dissolved by adding the solvent: reactant in a weight ratio of 3: 7. At this time, the reactants 4-methoxymethyl benzenethiol (4-MMBT) and DMS-V31 is a mixture of 9,077 parts by weight of DMS-V31 per 100 parts by weight of 4-MMBT. Thereafter, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone (2,2-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, DMPA) as a photoinitiator is added by 1 wt% based on the total weight of the reactants. The reactor is mounted in an oil bath while maintaining 40 ° C. in an N 2 atmosphere, and irradiated with 365 nm UV for 6 hours under 0.6 mW / cm 2 conditions. After this, the solvent is removed to obtain a PDMS linker (A-6).

합성예 7 내지 12 및 비교합성예 1: 공중합 수지의 합성Synthesis Examples 7 to 12 and Comparative Synthesis Example 1: Synthesis of copolymer resin

합성예 7Synthesis Example 7

질소 치환된 3구 플라스크에 레조르시놀(Resorcinol)을 넣고, 용매 디에틸렌글리콜디메틸에테르(Diethylene glycol dimethyl ether, DGDME)를 추가하였다. 여기에, 링커로 사용될 4,4-비스메톡시메틸다이페닐에테르(4,4'-BIS(Methoxymethyl)diphenyl ether, OMB)와 상기 합성예 1에서 제조된 링커(linker) (A-1)을 9:1의 중량비로 혼합하여 추가하고, 촉매 파라톨루엔설폰산(ptoluenesulfonic acid)을 제조될 공중합 수지의 총 중량을 기준으로 2 중량%를 넣어서 70℃에서 교반하였다. 상기 레조르시놀과 링커들의 비율은 중량비로 1.5:1의 비율이 되도록 투입하고, 상기 반응물들은 상기 용매 내에 60 중량%의 비율이 되도록 한다. 상기 반응물들이 어느 정도 용해됨을 확인하면, 120℃로 가열한다. 완전히 녹은 것을 확인한 후, 6 시간 더 가열하여 반응시킨다. 반응 종료 후 상온까지 냉각하고, 제조된 공중합 수지를 테트라하이드로퓨란(THF)에 녹이고, 탈이온수와 메탄올의 혼합물(DIW/MeOH)을 천천히 적하하여 침전을 잡는다. 이 과정을 5번 반복하여 촉매 및 미 반응 모노머를 제거한 후, 진공 오븐에서 건조하여 공중합 수지(B-1)(중량평균 분자량 9,000g/mol)를 얻는다.Resorcinol was added to a nitrogen-substituted three-necked flask, and a solvent diethylene glycol dimethyl ether (DGDME) was added. Here, 4,4-bismethoxymethyldiphenyl ether (4,4'-BIS (Methoxymethyl) diphenyl ether, OMB) to be used as a linker and the linker (linker) prepared in Synthesis Example 1 (A-1) The mixture was added at a weight ratio of 9: 1, and the catalyst paratoluenesulfonic acid was added at 2% by weight based on the total weight of the copolymer resin to be prepared and stirred at 70 ° C. The ratio of the resorcinol and the linkers is added in a ratio of 1.5: 1 by weight, and the reactants are in a ratio of 60% by weight in the solvent. When it is confirmed that the reactants are dissolved to some extent, it is heated to 120 ° C. After confirming that it has completely melted, it is reacted by heating for another 6 hours. After the reaction was completed, the mixture was cooled to room temperature, and the prepared copolymer resin was dissolved in tetrahydrofuran (THF), and a mixture of deionized water and methanol (DIW / MeOH) was slowly added dropwise to precipitate. This process was repeated 5 times to remove the catalyst and unreacted monomers, and then dried in a vacuum oven to obtain a copolymer resin (B-1) (weight average molecular weight 9,000 g / mol).

합성예 8Synthesis Example 8

질소 치환된 3구 플라스크에 레조르시놀(Resorcinol)을 넣고, 용매 디에틸렌글리콜디메틸에테르(Diethylene glycol dimethyl ether, DGDME)를 추가하였다. 여기에, 링커로 사용될 4,4-비스메톡시메틸다이페닐에테르(4,4'-BIS(Methoxymethyl)diphenyl ether, OMB)와 상기 합성예 2에서 제조된 링커 (A-2)를 9:1 중량비로 혼합하여 추가하고, 촉매 파라톨루엔설폰산(ptoluenesulfonic acid)을 제조될 공중합 수지의 총 중량을 기준으로 2 중량%를 넣어서 70℃에서 교반하였다. 상기 레조르시놀과 링커들의 비율은 중량비로 1.5:1의 비율이 되도록 투입하고, 상기 반응물들은 상기 용매 내에 60 중량%의 비율이 되도록 한다. 상기 반응물들이 어느 정도 용해됨을 확인하면 120℃로 가열한다. 완전히 녹은 것을 확인한 후, 6시간을 더 가열하여 반응시킨다. 반응 종료 후 상온까지 냉각하고, 제조된 공중합 수지를 테트라하이드로퓨란(THF)에 녹이고, 탈이온수와 메탄올의 혼합물(DIW/MeOH)을 천천히 적하하여 침전을 잡는다. 이 과정을 5번 반복하여 촉매 및 미 반응 모노머를 제거한 후, 진공 오븐에서 건조하여 공중합 수지(B-2) (중량평균 분자량 11,000 g/mol)를 얻는다.Resorcinol was added to a nitrogen-substituted three-necked flask, and a solvent diethylene glycol dimethyl ether (DGDME) was added. Here, 4,4-bismethoxymethyldiphenyl ether (4,4'-BIS (Methoxymethyl) diphenyl ether, OMB) to be used as a linker and the linker (A-2) prepared in Synthesis Example 2 9: 1 The mixture was added in a weight ratio, and the catalyst paratoluenesulfonic acid was added at 2C by weight based on the total weight of the copolymer resin to be prepared and stirred at 70 ° C. The ratio of the resorcinol and the linkers is added in a ratio of 1.5: 1 by weight, and the reactants are in a ratio of 60% by weight in the solvent. When the reactants are confirmed to be somewhat dissolved, they are heated to 120 ° C. After confirming that it is completely melted, it is reacted by heating for another 6 hours. After the reaction was completed, the mixture was cooled to room temperature, and the prepared copolymer resin was dissolved in tetrahydrofuran (THF), and a mixture of deionized water and methanol (DIW / MeOH) was slowly added dropwise to precipitate. This process was repeated 5 times to remove the catalyst and unreacted monomers, and then dried in a vacuum oven to obtain a copolymer resin (B-2) (weight average molecular weight 11,000 g / mol).

합성예 9Synthesis Example 9

질소 치환된 3구 플라스크에 레조르시놀(Resorcinol)을 넣고, 용매 디에틸렌글리콜디메틸에테르(Diethylene glycol dimethyl ether, DGDME)를 추가하였다. 여기에, 링커로 사용될 4,4-비스메톡시메틸다이페닐에테르(4,4'-BIS(Methoxymethyl)diphenyl ether, OMB)와 상기 합성예 3에서 제조된 링커(A-3)를 9:1 중량비로 혼합하여 추가하고, 촉매 파라톨루엔설폰산(ptoluenesulfonic acid)을 제조될 공중합 수지의 총 중량을 기준으로 2 중량%를 넣어서 70℃에서 교반하였다. 상기 레조르시놀과 링커들의 비율은 중량비로 1.5:1의 비율이 되도록 투입하고, 상기 반응물들은 상기 용매 내에 60 중량%의 비율이 되도록 한다. 상기 반응물들이 어느 정도 용해됨을 확인하면 120℃로 가열한다. 완전히 녹은 것을 확인한 후, 6시간을 더 가열하여 반응시킨다. 반응 종료 후 상온까지 냉각하고, 제조된 공중합 수지를 테트라하이드로퓨란(THF)에 녹이고, 탈이온수와 메탄올의 혼합물(DIW/MeOH)을 천천히 적하하여 침전을 잡는다. 이 과정을 5번 반복하여 촉매 및 미 반응 모노머를 제거한 후, 진공 오븐에서 건조하여 공중합 수지 (B-3) (중량평균 분자량 15,000 g/mol)을 얻는다.Resorcinol was added to a nitrogen-substituted three-necked flask, and a solvent diethylene glycol dimethyl ether (DGDME) was added. Here, 4,4-bismethoxymethyldiphenyl ether (4,4'-BIS (Methoxymethyl) diphenyl ether, OMB) to be used as a linker and the linker (A-3) prepared in Synthesis Example 3 are 9: 1. The mixture was added in a weight ratio, and the catalyst paratoluenesulfonic acid was added at 2C by weight based on the total weight of the copolymer resin to be prepared and stirred at 70 ° C. The ratio of the resorcinol and the linkers is added in a ratio of 1.5: 1 by weight, and the reactants are in a ratio of 60% by weight in the solvent. When the reactants are confirmed to be somewhat dissolved, they are heated to 120 ° C. After confirming that it is completely melted, it is reacted by heating for another 6 hours. After the reaction was completed, the mixture was cooled to room temperature, and the prepared copolymer resin was dissolved in tetrahydrofuran (THF), and a mixture of deionized water and methanol (DIW / MeOH) was slowly added dropwise to precipitate. This process is repeated 5 times to remove the catalyst and unreacted monomer, and then dried in a vacuum oven to obtain a copolymer resin (B-3) (weight average molecular weight 15,000 g / mol).

합성예 10Synthesis Example 10

질소 치환된 3구 플라스크에 레조르시놀(Resorcinol)을 넣고, 용매 디에틸렌글리콜디메틸에테르(Diethylene glycol dimethyl ether, DGDME)를 추가하였다. 여기에, 링커로 사용될 4,4-비스메톡시메틸다이페닐에테르(4,4'-BIS(Methoxymethyl)diphenyl ether, OMB)와 상기 합성예 4에서 제조된 링커(A-4)를 9:1 중량비로 혼합하여 추가하고, 촉매 파라톨루엔설폰산(ptoluenesulfonic acid)을 제조될 공중합 수지의 총 중량을 기준으로 2 중량%를 넣어서 70℃에서 교반하였다. 상기 레조르시놀과 링커들의 비율은 중량비로 1.5:1의 비율이 되도록 투입하고, 상기 반응물들은 상기 용매 내에 60 중량%의 비율이 되도록 한다. 상기 반응물들이 어느 정도 용해됨을 확인하면 120℃로 가열한다. 완전히 녹은 것을 확인한 후, 6시간을 더 가열하여 반응시킨다. 반응 종료 후 상온까지 냉각하고, 제조된 공중합 수지를 테트라하이드로퓨란(THF)에 녹이고, 탈이온수와 메탄올의 혼합물(DIW/MeOH)을 천천히 적하하여 침전을 잡는다. 이 과정을 5번 반복하여 촉매 및 미 반응 모노머를 제거한 후, 진공 오븐에서 건조하여 공중합 수지 (B-4) (중량평균 분자량 10,000 g/mol)을 얻는다.Resorcinol was added to a nitrogen-substituted three-necked flask, and a solvent diethylene glycol dimethyl ether (DGDME) was added. Here, 4,4-bismethoxymethyldiphenyl ether (4,4'-BIS (Methoxymethyl) diphenyl ether, OMB) to be used as a linker and the linker (A-4) prepared in Synthesis Example 4 are 9: 1. The mixture was added in a weight ratio, and the catalyst paratoluenesulfonic acid was added at 2C by weight based on the total weight of the copolymer resin to be prepared and stirred at 70 ° C. The ratio of the resorcinol and the linkers is added in a ratio of 1.5: 1 by weight, and the reactants are in a ratio of 60% by weight in the solvent. When the reactants are confirmed to be somewhat dissolved, they are heated to 120 ° C. After confirming that it is completely melted, it is reacted by heating for another 6 hours. After the reaction was completed, the mixture was cooled to room temperature, and the prepared copolymer resin was dissolved in tetrahydrofuran (THF), and a mixture of deionized water and methanol (DIW / MeOH) was slowly added dropwise to precipitate. This process was repeated 5 times to remove the catalyst and unreacted monomers, and then dried in a vacuum oven to obtain a copolymer resin (B-4) (weight average molecular weight 10,000 g / mol).

합성예 11Synthesis Example 11

질소 치환된 3구 플라스크에 레조르시놀(Resorcinol)을 넣고, 용매 디에틸렌글리콜디메틸에테르(Diethylene glycol dimethyl ether, DGDME)를 추가하였다. 여기에, 링커로 사용될 4,4-비스메톡시메틸다이페닐에테르(4,4'-BIS(Methoxymethyl)diphenyl ether, OMB)와 상기 합성예 5에서 제조된 링커(A-5)를 9:1 중량비로 혼합하여 추가하고, 촉매 파라톨루엔설폰산(ptoluenesulfonic acid)을 제조될 공중합 수지의 총 중량을 기준으로 2 중량%를 넣어서 70℃에서 교반하였다. 상기 레조르시놀과 링커들의 비율은 중량비로 1.5:1의 비율이 되도록 투입하고, 상기 반응물들은 상기 용매 내에 60 중량%의 비율이 되도록 한다. 상기 반응물들이 어느 정도 용해됨을 확인하면 120℃로 가열한다. 완전히 녹은 것을 확인한 후, 6시간을 더 가열하여 반응시킨다. 반응 종료 후 상온까지 냉각하고, 제조된 공중합 수지를 테트라하이드로퓨란(THF)에 녹이고, 탈이온수와 메탄올의 혼합물(DIW/MeOH)을 천천히 적하하여 침전을 잡는다. 이 과정을 5번 반복하여 촉매 및 미 반응 모노머를 제거한 후, 진공 오븐에서 건조하여 공중합 수지 (B-5) (중량평균 분자량 12,000 g/mol)을 얻는다.Resorcinol was added to a nitrogen-substituted three-necked flask, and a solvent diethylene glycol dimethyl ether (DGDME) was added. Here, 4,4-bismethoxymethyldiphenyl ether (4,4'-BIS (Methoxymethyl) diphenyl ether, OMB) to be used as a linker and the linker (A-5) prepared in Synthesis Example 5 are 9: 1. The mixture was added in a weight ratio, and the catalyst paratoluenesulfonic acid was added at 2C by weight based on the total weight of the copolymer resin to be prepared and stirred at 70 ° C. The ratio of the resorcinol and the linkers is added in a ratio of 1.5: 1 by weight, and the reactants are in a ratio of 60% by weight in the solvent. When the reactants are confirmed to be somewhat dissolved, they are heated to 120 ° C. After confirming that it is completely melted, it is reacted by heating for another 6 hours. After the reaction was completed, the mixture was cooled to room temperature, and the prepared copolymer resin was dissolved in tetrahydrofuran (THF), and a mixture of deionized water and methanol (DIW / MeOH) was slowly added dropwise to precipitate. This process is repeated 5 times to remove the catalyst and unreacted monomer, and then dried in a vacuum oven to obtain a copolymer resin (B-5) (weight average molecular weight 12,000 g / mol).

합성예 12Synthesis Example 12

질소 치환된 3구 플라스크에 레조르시놀(Resorcinol)을 넣고, 용매 디에틸렌글리콜디메틸에테르(Diethylene glycol dimethyl ether, DGDME)를 추가하였다. 여기에, 링커로 사용될 4,4-비스메톡시메틸다이페닐에테르(4,4'-BIS(Methoxymethyl)diphenyl ether, OMB)와 상기 합성예 6에서 제조된 링커(A-6)를 9:1 중량비로 혼합하여 추가하고, 촉매 파라톨루엔설폰산(ptoluenesulfonic acid)을 제조될 공중합 수지의 총 중량을 기준으로 2 중량%를 넣어서 70℃에서 교반하였다. 상기 레조르시놀과 링커들의 비율은 중량비로 1.5:1의 비율이 되도록 투입하고, 상기 반응물들은 상기 용매 내에 60 중량%의 비율이 되도록 한다. 상기 반응물들이 어느 정도 용해됨을 확인하면 120℃로 가열한다. 완전히 녹은 것을 확인한 후, 6시간을 더 가열하여 반응시킨다. 반응 종료 후 상온까지 냉각하고, 제조된 공중합 수지를 테트라하이드로퓨란(THF)에 녹이고, 탈이온수와 메탄올의 혼합물(DIW/MeOH)을 천천히 적하하여 침전을 잡는다. 이 과정을 5번 반복하여 촉매 및 미 반응 모노머를 제거한 후, 진공 오븐에서 건조하여 공중합 수지(B-6) (중량평균 분자량 11,000 g/mol)을 얻는다.Resorcinol was added to a nitrogen-substituted three-necked flask, and a solvent diethylene glycol dimethyl ether (DGDME) was added. Here, 4,4-bismethoxymethyldiphenyl ether (4,4'-BIS (Methoxymethyl) diphenyl ether, OMB) to be used as a linker and the linker (A-6) prepared in Synthesis Example 6 are 9: 1. The mixture was added in a weight ratio, and the catalyst paratoluenesulfonic acid was added at 2C by weight based on the total weight of the copolymer resin to be prepared and stirred at 70 ° C. The ratio of the resorcinol and the linkers is added in a ratio of 1.5: 1 by weight, and the reactants are in a ratio of 60% by weight in the solvent. When the reactants are confirmed to be somewhat dissolved, they are heated to 120 ° C. After confirming that it is completely melted, it is reacted by heating for another 6 hours. After the reaction was completed, the mixture was cooled to room temperature, and the prepared copolymer resin was dissolved in tetrahydrofuran (THF), and a mixture of deionized water and methanol (DIW / MeOH) was slowly added dropwise to precipitate. This process is repeated 5 times to remove the catalyst and unreacted monomers, and then dried in a vacuum oven to obtain a copolymer resin (B-6) (weight average molecular weight 11,000 g / mol).

비교합성예 1Comparative Synthesis Example 1

질소 치환된 3구 플라스크에 레조르시놀(Resorcinol)을 넣고, 용매 디에틸렌글리콜디메틸에테르(Diethylene glycol dimethyl ether,DGDME)를 추가한다. 여기에, 링커로 사용될 4,4-비스메톡시메틸다이페닐에테르(4,4'-BIS(Methoxymethyl)diphenyl ether, OMB)를 추가하고, 촉매 파라톨루엔설폰산(ptoluenesulfonic acid)을 제조될 공중합 수지의 총 중량을 기준으로 2 중량%를 넣어서 70℃에서 교반하였다. 상기 레조르시놀과 링커의 비율은 중량비로 1.5:1의 비율이 되도록 투입하고, 상기 반응물들은 상기 용매 내에 60 중량%의 비율이 되도록 한다. 상기 반응물들이 어느 정도 용해됨을 확인하면 120℃로 가열한다. 완전히 녹은 것을 확인한 후, 6 시간을 더 가열하여 반응시킨다. 반응 종료 후 상온까지 냉각하고, 제조된 공중합 수지를 테트라하이드로퓨란(THF)에 녹이고, 탈이온수와 메탄올의 혼합물(DIW/MeOH)을 천천히 적하하여 침전을 잡는다. 이 과정을 5번 반복하여 촉매 및 미 반응 모노머를 제거한 후, 진공 오븐에서 건조하여 공중합 수지 (B-0) (중량평균 분자량 13,000 g/mol)을 얻는다.Resorcinol is added to a nitrogen-substituted three-necked flask, and a solvent diethylene glycol dimethyl ether (DGDME) is added. Here, 4,4-bismethoxymethyldiphenyl ether (4,4'-BIS (Methoxymethyl) diphenyl ether, OMB) to be used as a linker is added, and a copolymerization resin to be prepared as a catalyst paratoluenesulfonic acid 2% by weight based on the total weight of and stirred at 70 ℃. The ratio of the resorcinol and the linker is added in a ratio of 1.5: 1 by weight, and the reactants are in a ratio of 60% by weight in the solvent. When the reactants are confirmed to be somewhat dissolved, they are heated to 120 ° C. After confirming that it was completely dissolved, the reaction was further performed by heating for 6 hours. After the reaction was completed, the mixture was cooled to room temperature, and the prepared copolymer resin was dissolved in tetrahydrofuran (THF), and a mixture of deionized water and methanol (DIW / MeOH) was slowly added dropwise to precipitate. This process was repeated 5 times to remove the catalyst and unreacted monomer, and then dried in a vacuum oven to obtain a copolymer resin (B-0) (weight average molecular weight 13,000 g / mol).

실시예 및 비교예: 감광성 수지 조성물의 제조Examples and Comparative Examples: Preparation of photosensitive resin composition

합성예 7 내지 12, 및 비교합성예 1에서 얻어진 각각의 공중합 수지와, 감광성 디아조나프토퀴논 화합물(TPD425, 미원상사), 및 가교제로서 1,3,4,6-테트라키스(메톡시메틸)글리코우릴(산와 케미컬社)을 하기 표 1에 나타난 함량으로 혼합하여, 각각 실시예 1 내지 실시예 5, 및 비교예 1과 비교예 2에 따른 감광성 수지 조성물을 제조한다. Each of the copolymer resins obtained in Synthesis Examples 7 to 12 and Comparative Synthesis Example 1, a photosensitive diazonaptoquinone compound (TPD425, Miwon Corporation), and 1,3,4,6-tetrakis (methoxymethyl) as a crosslinking agent Glycuryl (Sanwa Chemical Co., Ltd.) was mixed at the contents shown in Table 1 below to prepare photosensitive resin compositions according to Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 2, respectively.

또한, 합성예 7 내지 12, 및 비교합성예 1에서 얻어진 공중합 수지 대신, 노볼락 수지 1(MEH-7500, MEIWA社) 또는 노볼락 수지 2(MEH-7851, MEIWA社) 를 하기 표 1에 기재된 조성으로 혼합하여, 비교예 3 및 비교예 4에 따른 감광성 수지 조성물을 제조한다. In addition, in place of the copolymer resins obtained in Synthesis Examples 7 to 12 and Comparative Synthesis Example 1, novolak resin 1 (MEH-7500, MEIWA) or novolak resin 2 (MEH-7851, MEIWA) is listed in Table 1 below. By mixing with the composition, to prepare a photosensitive resin composition according to Comparative Example 3 and Comparative Example 4.

공중합 수지
(PGMEA에 40% 용해)
Copolymer resin
(40% dissolved in PGMEA)
감광성
디아조나프토퀴논
Photosensitivity
Diazonaptoquinone
가교제Crosslinker
실시예1Example 1 B-1B-1 7575 1515 1010 실시예2Example 2 B-2B-2 7575 1515 1010 실시예3Example 3 B-3B-3 7575 1515 1010 실시예4Example 4 B-4B-4 7575 1515 1010 실시예5Example 5 B-5B-5 7575 1515 1010 비교예1Comparative Example 1 B-0B-0 7575 1515 1010 비교예2Comparative Example 2 B-6B-6 7575 1515 1010 비교예3Comparative Example 3 노볼락 1Novolak 1 7575 1515 1010 비교예4Comparative Example 4 노볼락 2Novolak 2 7575 1515 1010

(단위: 중량%)(Unit:% by weight)

경화막의 제조 및Preparation of cured film and 평가evaluation

(1) 현상성 평가(1) Developability evaluation

실시예 1 내지 실시예 5, 및 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 감광성 수지 조성물을 각각 글래스 상에 스핀 코팅한 후, 핫 플레이트 상 120℃에서 120 초간 프리베이크하여, 10um의 막 두께가 되도록 도막을 형성한다. 상기 도막에 I line(365nm)의 노광 파장을 노광량 600mJ/cm2 로 조사하고, 그 후 현상기로 23℃, 2.38% 테트라메틸암모늄 수산화물(TMAH) 수용액 AZ-300을 이용하여 패턴을 형성한 다음, 순수한 탈이온수(DIW)로 린스를 실시한다. 린스 후 광학현미경을 이용하여 형성된 10 um 패턴 상태를 확인한다. After spin-coating the photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 on the glass, prebaking them at 120 ° C. for 120 seconds on a hot plate to obtain a film thickness of 10 μm. A coating film is formed. The exposure wavelength of the I line (365 nm) was irradiated to the coating film at an exposure amount of 600 mJ / cm 2 , and then a pattern was formed using a 23 ° C., 2.38% tetramethylammonium hydroxide (TMAH) aqueous solution AZ-300 as a developer. Rinse with pure deionized water (DIW). After rinsing, check the state of the 10 um pattern formed using an optical microscope.

잔막이 남아 있는 경우를 「불량」, 잔막 없이 깨끗하게 패터닝 된 경우를 「양」이라고 표시하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다.The case where the residual film remains is "defect" and the case patterned cleanly without the residual film is indicated as "amount", and the results are shown in Table 2 below.

(2) 리플로우(Reflow) 현상 평가(2) Reflow phenomenon evaluation

실시예 1 내지 실시예 5, 및 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 감광성 수지 조성물을 글래스 상에 스핀 코팅한 후, 핫 플레이트 상 120℃에서 120 초간 프리베이크 하여, 10 um 막 두께의 도막을 형성한다. 상기 도막에 I line(365nm)의 노광 파장을 노광량 600mJ/cm2 로 조사한다. 그 후, 현상기로 23℃, 2.38% 테트라메틸암모늄 수산화물 수용액 AZ-300을 이용하여 패턴을 형성한 다음, 순수한 탈이온수로 린스 후, 광학현미경을 이용하여 형성된 10 um 패턴의 상태를 확인한다. 그 후, 질소 분위기 하 220℃에서 1 시간 가열하여 경화함으로써 패턴을 얻는다. After spin-coating the photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 on glass, prebaking them at 120 ° C. for 120 seconds on a hot plate to obtain a coating film having a thickness of 10 um. To form. The exposure wavelength of I line (365 nm) was irradiated to the coating film at an exposure amount of 600 mJ / cm 2 . Thereafter, a pattern was formed using a 23 ° C., 2.38% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution AZ-300 with a developer, and then rinsed with pure deionized water to confirm the state of the 10 um pattern formed using an optical microscope. Thereafter, the pattern is obtained by heating and curing at 220 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere.

상기 얻어진 경화 패턴을 광학현미경으로 관찰하여, 10 um 패턴이 형상을 유지하고 있는지 확인한다. 형상 유지 정도에 따라 , △, X 로 표시하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타낸다. The obtained cured pattern was observed with an optical microscope to confirm that the 10 um pattern maintained its shape. According to the degree of shape retention, Δ and X are indicated, and the results are shown in Table 2 below.

(3) 인장신도 평가(3) Evaluation of tensile elongation

실시예 1 내지 실시예 5, 및 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 감광성 수지 조성물을, 경화 후 막 두께가 약 10 um가 되도록, 알루미늄을 증착한 8 인치 웨이퍼 기판에 스핀 코팅한 후, 핫 플레이트 상 120℃에서 120 초간 프리베이크 하여 도막을 형성한다. 상기 도막을 질소 분위기하 220℃에서 1 시간 가열하여 경화함으로써, 7 내지 10 um 두께의 경화막을 얻는다. 얻어진 경화막을 다이아몬드 칼로 1 cm 폭으로 자른 후, 농도 1 질량%의 불산 수용액에 4 내지 5 시간 침지하여 웨이퍼에서 박리함으로써, 5 개의 필름 샘플을 얻었다. 상기 샘플들을 건조오븐에서 10 시간 이상 건조 후, UTM 설비를 사용하여 인장 신도를 측정하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. The photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 to 4 were spin-coated on an 8-inch wafer substrate on which aluminum was deposited so that the film thickness after curing was about 10 um, followed by hot Pre-baked on the plate at 120 ° C for 120 seconds to form a coating film. A cured film having a thickness of 7 to 10 um is obtained by heating and curing the coating film at 220 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. The obtained cured film was cut to a width of 1 cm with a diamond knife, and then immersed in an aqueous hydrofluoric acid solution having a concentration of 1 mass% for 4 to 5 hours to peel off the wafer, thereby obtaining five film samples. After the samples were dried in a drying oven for 10 hours or more, tensile elongation was measured using a UTM facility, and the results are shown in Table 2 below.

초기 시료 길이: 50 mm, 시험 속도: 40 mm/min, 로드셀 정격: 100NInitial sample length: 50 mm, test speed: 40 mm / min, load cell rating: 100 N

(4) 접착력 평가 (4) Adhesion evaluation

우선 실리콘 웨이퍼 상에 구리, 알루미늄, 티타늄을 스퍼터링하여, 각각 200 내지 500 nm 두께로 형성된 금속 재료층을 표면에 가지는 기판(구리 스퍼터링 기판, 알루미늄 스퍼터링 기판, 및 티타늄 스퍼터링 기판)을 준비한다. 이 기판 상에 실시예 1 내지 실시예 5, 및 비교예 1 내지 비교예 4에서 제조된 감광성 수지 조성물을 이용하여 스핀 코팅한 후, 핫 플레이트 상 120℃에서 120 초간 프리베이크하여 도막을 형성한다. First, copper, aluminum, and titanium are sputtered on a silicon wafer to prepare substrates (copper sputtering substrate, aluminum sputtering substrate, and titanium sputtering substrate) each having a metal material layer formed to a thickness of 200 to 500 nm. After spin coating on the substrate using the photosensitive resin compositions prepared in Examples 1 to 5, and Comparative Examples 1 to 4, pre-baking at 120 ° C. for 120 seconds on a hot plate to form a coating film.

상기 도막을 질소 분위기하 220℃에서 1 시간 가열하여 경화함으로써, 7 내지 10 um 두께의 경화막을 얻는다. 각각의 기판에 대해 경화한 후, 다이아몬드 커터를 사용해 2x2cm로 자른 후, 에폭시가 묻어있는 핀을 직각으로 고정시켜 160℃에서 30분 경화시킨다. 경화된 각 샘플을 stud pull 장비를 사용하여 수직으로 힘을 가해, 핀이 떨어질 때의 힘을 측정하여 접착력을 확인하고, 그 결과를 각각 하기 표 2에 나타낸다. A cured film having a thickness of 7 to 10 um is obtained by heating and curing the coating film at 220 ° C. for 1 hour in a nitrogen atmosphere. After curing for each substrate, cut to 2x2 cm using a diamond cutter, and fix the epoxy-embedded pin at a right angle to cure at 160 ° C for 30 minutes. Each cured sample was applied vertically using a stud pull device to measure the force when the pin fell, confirming the adhesion, and the results are shown in Table 2 below.

현상성Developability 리플로우Reflow 인장신도(%)Tensile elongation (%) 접착력(Mpa)Adhesion (Mpa) TiTi AlAl CuCu 실시예1Example 1 amount 88 1919 2121 2525 실시예2Example 2 amount 1111 2121 2525 3131 실시예3Example 3 amount 1818 2626 3131 3434 실시예4Example 4 amount 2222 2525 3636 4545 실시예5Example 5 amount 2828 2929 4141 5050 비교예 1Comparative Example 1 amount 55 1818 1818 2121 비교예 2Comparative Example 2 불량Bad XX 3232 3232 4646 5454 비교예 3Comparative Example 3 amount 33 1717 1616 1818 비교예 4Comparative Example 4 amount 22 1818 2121 2020

상기 표 2를 참고하면, 일 실시예에 따른 화학식 1 내지 화학식 3의 구조단위를 모두 포함하는 실시예 1 내지 실시예 5의 경우, 현상성이 양호하고 패턴 리플로우 현상이 발생하지 않고 패턴 형상이 그대로 유지되었으며, 인장신도와 금속과의 접착력이 모두 우수한 것을 확인할 수 있다. Referring to Table 2, in the case of Examples 1 to 5 including all of the structural units of Chemical Formulas 1 to 3 according to one embodiment, developability is good and pattern reflow does not occur and the pattern shape is It was maintained as it is, and it can be seen that both the tensile elongation and the adhesion to the metal are excellent.

반면, 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하지 않은 비교예 1은 인장신도가 종래 노볼락 수지를 포함하는 비교예 3 및 비교예 4와 큰 유의차가 없었으며, 화학식 1 내지 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 모두 포함하고 있더라도, 화학식 3으로 표시되는 구조단위, 즉 PDMS 링커의 분자량이 27,000 g/mol를 초과하는 비교예 2의 경우, 현상성이 불량할 뿐 아니라 패턴 무너짐 현상이 발생한 것을 확인할 수 있다. On the other hand, Comparative Example 1, which did not include the structural unit represented by Chemical Formula 3, had no significant difference in tensile elongation from Comparative Examples 3 and 4 containing the conventional novolac resin, and the structures represented by Chemical Formulas 1 to 3 Even if all of the units are included, it can be confirmed that the structural unit represented by Chemical Formula 3, that is, Comparative Example 2 in which the molecular weight of the PDMS linker exceeds 27,000 g / mol, has poor developability and a pattern collapse phenomenon. .

이상 본 발명의 바람직한 실시예들에 대해 상세히 설명하였지만, 상기 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 제조될 수 있으며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.The preferred embodiments of the present invention have been described in detail above, but the present invention is not limited to the above embodiments, and may be manufactured in various different forms, and those skilled in the art to which the present invention pertains have technical aspects of the present invention. It will be understood that it may be implemented in other specific forms without changing the idea or essential features. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are illustrative in all respects and not restrictive.

Claims (13)

(A) 하기 화학식 1로 표시되는 구조단위, 하기 화학식 2로 표시되는 구조단위, 및 하기 화학식 3으로 표시되는 구조단위를 포함하는 공중합 수지;
(B) 감광성 디아조퀴논 화합물; 및
(C) 용매를 포함하는 감광성 수지 조성물:
[화학식 1]
Figure 112017070350625-pat00016

화학식 1에서,
R1은 하이드록시기, 카르복실기, 시아노기, 니트로기, 할로겐, C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이고,
a는 0 내지 3의 정수이고,
[화학식 2]
Figure 112017070350625-pat00017

화학식 2에서,
L1 내지 L6은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
[화학식 3]
Figure 112017070350625-pat00018

화학식 3에서,
Y1 및 Y2 는 각각 독립적으로, -S, -O, 또는 -NH 이고,
R2, R3, R10, 및 R11은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴렌기, 또는 이들의 조합이고,
R4 내지 R9는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 알키닐기, 또는 이들의 조합이고,
b 및 c는 각각 독립적으로, 0 내지 5의 정수이고,
n은 0 내지 350 이다.
(A) a copolymer unit comprising a structural unit represented by the following formula (1), a structural unit represented by the following formula (2), and a structural unit represented by the following formula (3);
(B) photosensitive diazoquinone compound; And
(C) Photosensitive resin composition comprising a solvent:
[Formula 1]
Figure 112017070350625-pat00016

In Formula 1,
R 1 is a hydroxy group, a carboxyl group, a cyano group, a nitro group, a halogen, a C1 to C30 alkoxy group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 To C30 aryl group, substituted or unsubstituted C7 to C30 arylalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group , Substituted or unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, or a combination thereof,
a is an integer from 0 to 3,
[Formula 2]
Figure 112017070350625-pat00017

In Formula 2,
L 1 to L 6 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof,
[Formula 3]
Figure 112017070350625-pat00018

In Formula 3,
Y 1 and Y 2 are each independently -S, -O, or -NH,
R 2 , R 3 , R 10 , and R 11 are each independently a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkylene group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkylene group, a substituted or unsubstituted C2 to C30 arylene group , Substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroarylene group, or a combination thereof,
R 4 to R 9 are each independently, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group, a substituted or unsubstituted C7 to C30 Arylalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroalkyl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 heterocycloalkyl group, substituted or unsubstituted C1 to C30 heteroaryl group, substituted or unsubstituted C2 to C30 alkenyl group, substituted Or an unsubstituted C2 to C30 alkynyl group, or a combination thereof,
b and c are each independently an integer from 0 to 5,
n is 0 to 350.
제1항에서, 상기 화학식 2로 표시되는 구조단위 및 화학식 3으로 표시되는 구조단위는 9.9:0.1 내지 8:2의 중량비로 상기 공중합 수지에 포함되는 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition of claim 1, wherein the structural unit represented by Chemical Formula 2 and the structural unit represented by Chemical Formula 3 are included in the copolymer resin in a weight ratio of 9.9: 0.1 to 8: 2. 제1항에서, 상기 화학식 1로 표시되는 구조단위의 함량은 상기 공중합 수지 전체 구조단위에 대해 50 중량% 내지 70 중량% 포함되는 것인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition of claim 1, wherein the content of the structural unit represented by Chemical Formula 1 is included in an amount of 50% to 70% by weight relative to the total structural unit of the copolymer resin. 제1항에서, 상기 공중합 수지의 중량평균분자량은 1,000 g/mol 내지 30,000 g/mol 인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition of claim 1, wherein the weight average molecular weight of the copolymer resin is 1,000 g / mol to 30,000 g / mol. 제1항에서, 상기 화학식 1의 R1 은 하이드록시기인 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition of claim 1, wherein R 1 in Formula 1 is a hydroxy group. 제1항에서, 상기 화학식 2의 L1 내지 L6은 각각 독립적으로, 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C20 알킬렌기, 또는 이들의 조합인 감광성 수지 조성물.In claim 1, L 1 to L 6 of Formula 2 are each independently a single bond, a substituted or unsubstituted C6 to C30 arylene group, a substituted or unsubstituted C1 to C20 alkylene group, or a combination thereof photosensitive Resin composition. 제1항에서, 상기 화학식 2의 L1 및 L2는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴렌기이고, L3 내지 L6은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기인 감광성 수지 조성물.In claim 1, L 1 and L 2 of Formula 2 are each independently, a substituted or unsubstituted C6 to C12 arylene group, L 3 to L 6 are each independently, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkyl. Lengiin photosensitive resin composition. 제1항에서, 상기 화학식 3의 R2 및 R3은 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C12 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬렌기, 또는 이들의 조합인 감광성 수지 조성물.In claim 1, R 2 and R 3 of the formula (3) are each independently, a substituted or unsubstituted C6 to C12 arylene group, a substituted or unsubstituted C1 to C10 alkylene group, or a combination of these photosensitive resin composition. 제1항에서, 상기 화학식 3의 R4 내지 R9는 각각 독립적으로, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 이들의 조합인 감광성 수지 조성물.In claim 1, R 4 to R 9 of Formula 3 are each independently, a substituted or unsubstituted C1 to C30 alkyl group, a substituted or unsubstituted C3 to C30 cycloalkyl group, a substituted or unsubstituted C6 to C30 aryl group. Or a combination of these photosensitive resin composition. 제1항에서, 상기 감광성 수지 조성물은 상기 (A) 공중합 수지 100 중량부에 대해, 상기 (B) 감광성 디아조퀴논 화합물 5 내지 100 중량부, 및 상기 (C) 용매 200 중량부 내지 2,000 중량부를 포함하는 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition of claim 1, wherein the (A) 100 parts by weight of the copolymer resin, (B) 5 to 100 parts by weight of the photosensitive diazoquinone compound, and (C) 200 to 2,000 parts by weight of the solvent Photosensitive resin composition containing. 제1항에서, 상기 감광성 수지 조성물은 (A) 공중합 수지 100 중량부에 대해, (D) 가교제를 1 내지 30 중량부 더 포함하는 감광성 수지 조성물.The photosensitive resin composition of claim 1, wherein the photosensitive resin composition further comprises (D) 1 to 30 parts by weight of a crosslinking agent (A) with respect to 100 parts by weight of the copolymer resin. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항의 감광성 수지 조성물을 경화하여 얻은 경화막.  A cured film obtained by curing the photosensitive resin composition of any one of claims 1 to 11. 제12항에 따른 경화막을 포함하는 전자 소자.An electronic device comprising the cured film according to claim 12.
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