KR101929481B1 - Substrate processing apparatus and substrate processing method - Google Patents

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Abstract

본 발명은 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리해 기판에 분사하여 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 일정한 간격으로 삽입 설치되어 기판 상에 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 가지는 가스 분사부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 공간; 상기 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 공간; 및 상기 제 2 가스 분사 공간에 설치되어 상기 제 1 가스 분사 공간으로부터 분사되는 상기 제 1 가스가 상기 제 2 가스 분사 공간으로 흐르는 것을 방지하는 가스 홀 패턴 부재를 포함하여 구성될 수 있다.The present invention relates to a substrate processing apparatus capable of spatially separating a source gas and a reactive gas and spraying the same onto a substrate to increase the deposition uniformity of a thin film deposited on the substrate, and a substrate processing method using the substrate processing apparatus. The apparatus includes a process chamber; A substrate support installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotated in a predetermined direction; A chamber lid that covers the top of the process chamber to face the substrate support; And a plurality of gas injection modules inserted into the chamber lid at regular intervals to inject first and second gases different from each other on the substrate, wherein each of the plurality of gas injection modules includes a first gas A first gas injection space for injecting a gas; A second gas injection space for injecting the second gas; And a gas hole pattern member installed in the second gas injection space to prevent the first gas injected from the first gas injection space from flowing into the second gas injection space.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a substrate processing apparatus,

본 발명은 기판 처리 장치에 관한 것으로, 보다 구체적으로는, 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of increasing the uniformity of deposition of a thin film deposited on a substrate.

일반적으로, 태양전지(Solar Cell), 반도체 소자, 평판 디스플레이 등을 제조하기 위해서는 기판 표면에 소정의 박막층, 박막 회로 패턴, 또는 광학적 패턴을 형성하여야 하며, 이를 위해서는 기판에 특정 물질의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 사용하여 박막을 선택적으로 노출시키는 포토 공정, 선택적으로 노출된 부분의 박막을 제거하여 패턴을 형성하는 식각 공정 등의 반도체 제조 공정을 수행하게 된다.Generally, in order to manufacture a solar cell, a semiconductor device, a flat panel display, etc., a predetermined thin film layer, a thin film circuit pattern, or an optical pattern must be formed on the surface of the substrate. For this purpose, A semiconductor manufacturing process such as a thin film deposition process, a photolithography process for selectively exposing a thin film using a photosensitive material, and an etching process for forming a pattern by selectively removing a thin film of an exposed portion are performed.

이러한 반도체 제조 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경으로 설계된 기판 처리 장치의 내부에서 진행되며, 최근에는 플라즈마를 이용하여 증착 또는 식각 공정을 수행하는 기판 처리 장치가 많이 사용되고 있다.Such a semiconductor manufacturing process is performed inside a substrate processing apparatus designed for an optimum environment for the process, and recently, a substrate processing apparatus for performing a deposition or etching process using plasma is widely used.

플라즈마를 이용한 기판 처리 장치에는 플라즈마를 이용하여 박막을 형성하는 PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) 장치, 박막을 식각하여 패터닝하는 플라즈마 식각장치 등이 있다.Plasma-based substrate processing apparatuses include a plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) apparatus for forming a thin film using plasma, a plasma etching apparatus for patterning a thin film, and the like.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view for explaining a general substrate processing apparatus.

도 1을 참조하면, 일반적인 기판 처리 장치는 챔버(10), 플라즈마 전극(20), 서셉터(30), 및 가스 분사 수단(40)을 구비한다.Referring to FIG. 1, a general substrate processing apparatus includes a chamber 10, a plasma electrode 20, a susceptor 30, and a gas injection means 40.

챔버(10)는 기판 처리 공정을 위한 반응 공간을 제공한다. 이때, 챔버(10)의 일측 바닥면은 반응 공간을 배기시키기 위한 배기구(12)에 연통된다.The chamber 10 provides a reaction space for the substrate processing process. At this time, the bottom surface of one side of the chamber 10 communicates with the exhaust port 12 for exhausting the reaction space.

플라즈마 전극(20)은 반응 공간을 밀폐하도록 챔버(10)의 상부에 설치된다.The plasma electrode 20 is installed on the upper part of the chamber 10 to seal the reaction space.

플라즈마 전극(20)의 일측은 정합 부재(22)를 통해 RF(Radio Frequency) 전원(24)에 전기적으로 접속된다. 이때, RF 전원(24)은 RF 전력을 생성하여 플라즈마 전극(20)에 공급한다.One side of the plasma electrode 20 is electrically connected to an RF (Radio Frequency) power source 24 through a matching member 22. At this time, the RF power supply 24 generates and supplies RF power to the plasma electrode 20.

또한, 플라즈마 전극(20)의 중앙 부분은 기판 처리 공정을 위한 소스 가스를 공급하는 가스 공급관(26)에 연통된다.Further, the central portion of the plasma electrode 20 is communicated with the gas supply pipe 26 that supplies the source gas for the substrate processing process.

정합 부재(22)는 플라즈마 전극(20)과 RF 전원(24) 간에 접속되어 RF 전원(24)으로부터 플라즈마 전극(20)에 공급되는 RF 전력의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다.The matching member 22 is connected between the plasma electrode 20 and the RF power supply 24 to match the load impedance and the source impedance of the RF power supplied from the RF power supply 24 to the plasma electrode 20. [

서셉터(30)는 챔버(10)의 내부에 설치되어 외부로부터 로딩되는 복수의 기판(W)을 지지한다. 이러한 서셉터(30)는 플라즈마 전극(20)에 대향되는 대향 전극으로써, 서셉터(30)를 승강시키는 승강축(32)을 통해 전기적으로 접지된다.The susceptor 30 is installed inside the chamber 10 to support a plurality of substrates W to be loaded from the outside. The susceptor 30 is an opposing electrode facing the plasma electrode 20 and is electrically grounded through an elevation shaft 32 for elevating and lowering the susceptor 30.

승강축(32)은 승강 장치(미도시)에 의해 상하 방향으로 승강된다. 이때, 승강축(32)은 승강축(32)과 챔버(10)의 바닥면을 밀봉하는 벨로우즈(34)에 의해 감싸여진다.The elevating shaft 32 is vertically elevated and lowered by an elevating device (not shown). At this time, the lifting shaft 32 is surrounded by the bellows 34 that seals the lifting shaft 32 and the bottom surface of the chamber 10.

가스 분사 수단(40)은 서셉터(30)에 대향되도록 플라즈마 전극(20)의 하부에 설치된다. 이때, 가스 분사 수단(40)과 플라즈마 전극(20) 사이에는 플라즈마 전극(20)을 관통하는 가스 공급관(26)으로부터 공급되는 소스 가스가 확산되는 가스 확산 공간(42)이 형성된다. 이러한, 가스 분사 수단(40)은 가스 확산 공간(42)에 연통된 복수의 가스 분사구(44)를 통해 소스 가스를 반응 공간의 전 부분에 균일하게 분사한다.The gas injection means 40 is installed below the plasma electrode 20 so as to face the susceptor 30. A gas diffusion space 42 is formed between the gas injection means 40 and the plasma electrode 20 to diffuse the source gas supplied from the gas supply pipe 26 passing through the plasma electrode 20. The gas injection means 40 uniformly injects the source gas to all portions of the reaction space through the plurality of gas injection openings 44 communicated with the gas diffusion space 42.

이와 같은, 일반적인 기판 처리 장치는 기판(W)을 서셉터(30)에 로딩시킨 다음, 챔버(10)의 반응 공간에 소정의 소스 가스를 분사함과 아울러 플라즈마 전극(20)에 RF 전력을 공급해 반응 공간에 전자기장을 형성함으로써 상기 전자기장에 의해 기판(W) 상에 형성되는 플라즈마를 이용해 기판(W) 상의 소정의 박막을 형성하게 된다.Such a general substrate processing apparatus loads a substrate W onto a susceptor 30 and then injects a predetermined source gas into a reaction space of the chamber 10 and supplies RF power to the plasma electrode 20 A predetermined thin film on the substrate W is formed using the plasma formed on the substrate W by the electromagnetic field by forming an electromagnetic field in the reaction space.

그러나, 일반적인 기판 처리 장치는 상기 소스 가스가 분사되는 공간과 상기 플라즈마가 형성되는 공간이 동일하기 때문에 다음과 같은 문제점이 있다.However, the conventional substrate processing apparatus has the following problems because the space where the source gas is injected and the space where the plasma is formed are the same.

첫째, 기판 상에 형성되는 플라즈마의 밀도를 균일하게 하는데 어려움이 있고, 이로 인해 박막 물질의 막질 제어에 어려움이 있다.First, it is difficult to uniformize the density of the plasma formed on the substrate, which makes it difficult to control the film quality of the thin film material.

둘째, 기판 상의 전영역에 소스 가스가 분사되므로 소스 가스의 사용 효율성이 저하된다.Second, since the source gas is injected into the entire region on the substrate, the efficiency of use of the source gas is lowered.

셋째, 박막 물질이 가스 분사 수단의 가스 분사구에 증착되고, 이로 인한 파티클로 인해 공정 불량이 발생할 수 있다.Third, the thin film material is deposited on the gas injection port of the gas injection means, and the process may cause a process failure due to the particles.

본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 소스 가스와 반응 가스를 공간적으로 분리해 기판에 분사하여 기판에 증착되는 박막의 증착 균일도를 증가시킬 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 기술적 과제로 한다.The present invention has been made to solve the above problems and it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of spatially separating a source gas and a reactive gas and spraying the same on a substrate to increase the uniformity of deposition of the thin film, The technical problem is to provide.

또한, 본 발명은 소스 가스의 사용 효율성을 증대시키고, 박막 물질이 가스 분사구에 증착되는 것을 최소화할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 제공하는 것을 다른 기술적 과제로 한다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of increasing the use efficiency of the source gas and minimizing the deposition of the thin film material on the gas injection hole, and a substrate processing method using the substrate processing apparatus.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부; 상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및 상기 챔버 리드에 일정한 간격으로 삽입 설치되어 기판 상에 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 가지는 가스 분사부를 포함하고, 상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 공간; 상기 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 공간; 및 상기 제 2 가스 분사 공간에 설치되어 상기 제 1 가스 분사 공간으로부터 분사되는 상기 제 1 가스가 상기 제 2 가스 분사 공간으로 흐르는 것을 방지하는 가스 홀 패턴 부재를 포함하여 구성될 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus comprising: a processing chamber; A substrate support installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotated in a predetermined direction; A chamber lid that covers the top of the process chamber to face the substrate support; And a plurality of gas injection modules inserted into the chamber lid at regular intervals to inject first and second gases different from each other on the substrate, wherein each of the plurality of gas injection modules includes a first gas A first gas injection space for injecting a gas; A second gas injection space for injecting the second gas; And a gas hole pattern member installed in the second gas injection space to prevent the first gas injected from the first gas injection space from flowing into the second gas injection space.

상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 상기 제 1 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스를 활성화시켜 분사할 수 있다.Each of the plurality of gas injection modules may activate and discharge the first gas supplied to the first gas injection space.

상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 공간적으로 분리된 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간을 가지는 접지 전극 프레임; 및 상기 접지 전극 프레임과 전기적으로 절연되도록 상기 제 1 가스 분사 공간에 삽입 설치되어 상기 제 1 가스 분사 공간에 플라즈마를 발생시켜 상기 제 1 가스를 활성화시키는 플라즈마 전극을 포함하고, 상기 가스 홀 패턴 부재는 상기 제 2 가스 분사 공간의 하면을 덮도록 상기 접지 전극 프레임에 설치되거나 일체화되어 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스를 상기 제 1 가스의 분사 압력보다 높은 압력으로 분사한다.Each of the plurality of gas injection modules includes a ground electrode frame having the first and second gas injection spaces spatially separated from each other; And a plasma electrode inserted in the first gas injection space to be electrically insulated from the ground electrode frame to generate plasma in the first gas injection space to activate the first gas, The second gas injection space is installed in the ground electrode frame so as to cover the lower surface of the second gas injection space and injects the second gas supplied to the second gas injection space at a pressure higher than the injection pressure of the first gas.

상기 기판 처리 장치는 플라즈마를 이용하여 상기 제 2 가스를 활성화시켜 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급하는 가스 활성화 공급 수단을 더 포함하여 구성될 수 있다.The substrate processing apparatus may further include gas activation supply means for activating the second gas using plasma to supply the gas to the second gas injection space.

상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스를 활성화시켜 분사할 수 있다.Each of the plurality of gas injection modules may activate and discharge the second gas supplied to the second gas injection space.

상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 공간적으로 분리된 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간을 가지는 접지 전극 프레임; 상기 접지 전극 프레임과 전기적으로 절연되도록 상기 제 1 가스 분사 공간에 삽입 설치되어 상기 제 1 가스 분사 공간에 플라즈마를 발생시켜 상기 제 1 가스를 활성화시키는 제 1 플라즈마 전극; 및 상기 접지 전극 프레임과 전기적으로 절연되도록 상기 제 2 가스 분사 공간에 삽입 설치되어 상기 제 2 가스 분사 공간에 플라즈마를 발생시켜 상기 제 2 가스를 활성화시키는 제 2 플라즈마 전극을 포함하고, 상기 가스 홀 패턴 부재는 상기 제 2 가스 분사 공간의 하면을 덮도록 상기 접지 전극 프레임에 설치되거나 일체화되어 상기 활성화된 제 2 가스를 분사한다.Each of the plurality of gas injection modules includes a ground electrode frame having the first and second gas injection spaces spatially separated from each other; A first plasma electrode inserted in the first gas injection space to be electrically insulated from the ground electrode frame to generate plasma in the first gas injection space to activate the first gas; And a second plasma electrode inserted in the second gas injection space to be electrically insulated from the ground electrode frame to generate plasma in the second gas injection space to activate the second gas, Member is installed or integrated with the ground electrode frame so as to cover the lower surface of the second gas injection space to inject the activated second gas.

상기 가스 홀 패턴 부재는 상기 제 2 가스 분사 공간에 연통되도록 형성되어 상기 제 2 가스를 상기 제 1 가스의 분사 압력보다 높은 압력으로 분사하는 복수의 가스 분사구를 포함하여 구성될 수 있다.The gas hole pattern member may include a plurality of gas injection openings formed to communicate with the second gas injection space and inject the second gas at a pressure higher than the injection pressure of the first gas.

상기 가스 홀 패턴 부재를 통해 기판 상에 분사되는 상기 제 2 가스의 분사량은 상기 기판 지지부의 중심부에 인접한 상기 각 가스 분사 모듈의 내측에서 상기 기판 지지부의 가장자리에 인접한 상기 각 가스 분사 모듈의 외측으로 갈수록 증가할 수 있다.And the amount of the second gas injected onto the substrate through the gas hole pattern member is increased from the inner side of the gas injection module adjacent to the center of the substrate support portion to the outer side of each gas injection module adjacent to the edge of the substrate support portion .

상기 제 2 가스의 분사량은 상기 제 1 가스의 분사량보다 적은 것을 특징으로 한다.And the injection amount of the second gas is smaller than the injection amount of the first gas.

상기 가스 홀 패턴 부재는 극성이 없는 절연판으로 형성될 수 있다. 상기 가스 홀 패턴 부재는 가스 홀 패턴의 직경에 의해 상기 제 2 가스의 분사량을 조절하는 가스 분사구를 가질 수 있다.The gas hole pattern member may be formed of an insulating plate having no polarity. The gas hole pattern member may have a gas injection hole for adjusting the injection amount of the second gas by the diameter of the gas hole pattern.

전술한 기술적 과제를 달성하기 위한 본 발명에 따른 기판 처리 방법은 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 복수의 기판을 일정한 간격으로 안착시키는 단계; 상기 복수의 기판이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계; 및 상기 기판 지지부의 상부에 일정한 간격으로 배치된 복수의 가스 분사 모듈 각각에 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 및 제 2 가스 분사 공간 각각을 통해 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 기판 상에 분사하는 단계를 포함하고, 상기 제 1 및 제 2 가스를 기판 상에 분사하는 단계에서 상기 제 2 가스는 상기 제 2 가스 분사 공간에 설치된 가스 홀 패턴 부재에 의해 상기 제 1 가스가 상기 제 2 가스 분사 공간으로 흐르는 것이 방지되도록 기판 상에 분사될 수 있다.According to an aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method including: mounting a plurality of substrates at a predetermined interval on a substrate supporting unit installed in a process chamber; Rotating the substrate support on which the plurality of substrates are mounted; And spraying first and second gases different from each other through the first and second gas injection spaces spatially separated from the plurality of gas injection modules arranged at a predetermined interval on the substrate supporting part on the substrate, Wherein the second gas is injected into the second gas injection space by the gas hole pattern member provided in the second gas injection space in the step of injecting the first and second gases onto the substrate And may be sprayed onto the substrate to prevent flow.

상기 제 1 가스는 상기 제 1 가스 분사 공간에 발생되는 플라즈마에 의해 활성화되어 기판 상에 분사될 수 있다.The first gas may be activated by the plasma generated in the first gas injection space and sprayed onto the substrate.

상기 제 1 및 제 2 가스를 기판 상에 분사하는 단계는 플라즈마를 이용하여 상기 제 2 가스를 활성화시키고, 활성화된 제 2 가스를 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다.The step of injecting the first and second gases onto the substrate may include activating the second gas using a plasma and supplying an activated second gas to the second gas injection space.

상기 제 2 가스는 상기 제 2 가스 분사 공간에 발생되는 플라즈마에 의해 활성화되어 기판 상에 분사될 수 있다.The second gas may be activated by the plasma generated in the second gas injection space and sprayed onto the substrate.

상기 제 2 가스는 상기 제 2 가스 분사 공간에 연통되도록 상기 가스 홀 패턴 부재에 형성된 복수의 가스 분사구에 의해 상기 제 1 가스의 분사 압력보다 높은 압력을 가지도록 기판 상에 분사될 수 있다.The second gas may be injected onto the substrate to have a pressure higher than the injection pressure of the first gas by a plurality of gas injection holes formed in the gas hole pattern member so as to communicate with the second gas injection space.

상기 복수의 가스 분사구를 통해 기판 상에 분사되는 제 2 가스의 분사량은 상기 기판 지지부의 중심부에 인접한 상기 각 가스 분사 모듈의 내측에서 상기 기판 지지부의 가장자리에 인접한 상기 각 가스 분사 모듈의 외측으로 갈수록 증가할 수 있다.The amount of the second gas injected onto the substrate through the plurality of gas injection openings is increased from the inside of each gas injection module adjacent to the central portion of the substrate support portion to the outside of each gas injection module adjacent to the edge of the substrate support portion can do.

상기 제 2 가스는 상기 기판에 형성될 박막 물질을 포함하는 소스 가스이고, 상기 제 1 가스는 상기 기판에 분사된 제 2 가스와 반응하여 상기 기판에 박막을 형성하기 위한 반응 가스일 수 있다.The second gas may be a source gas including a thin film material to be formed on the substrate, and the first gas may be a reactive gas for forming a thin film on the substrate by reacting with a second gas sprayed on the substrate.

상기 제 2 가스는 상기 제 1, 제 2 가스를 퍼지하기 위한 퍼지 가스 및 상기 박막에 도핑될 도펀트 가스 중 적어도 한 종류의 가스와 상기 소스 가스가 혼합된 혼합 가스일 수 있다.The second gas may be a mixed gas in which at least one kind of gas among the purge gas for purging the first and second gases and the dopant gas to be doped into the thin film and the source gas are mixed.

상기 과제의 해결 수단에 의하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 반응 공간을 공간적으로 분할하도록 배치된 복수의 가스 분사 모듈 각각을 통해 제 2 가스와 제 1 가스를 분사하여 각 기판에 박막을 증착함으로써 박막의 증착 균일도, 증착 속도 및 증착 효율을 향상시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 각 가스 분사 모듈의 가스 홀 패턴 부재를 이용해 소스 가스의 사용 효율성을 증대 및 박막 물질이 가스 분사구와 가스 분사 공간에 증착되는 것을 최소화할 수 있다.According to a preferred embodiment of the present invention, the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention are characterized in that the substrate processing apparatus and the substrate processing method according to the present invention each include a plurality of gas injection modules arranged to spatially partition a reaction space, The deposition rate and the deposition efficiency of the thin film can be improved and the film quality control of the thin film can be facilitated and the efficiency of use of the source gas can be increased by using the gas hole pattern member of each gas injection module, Deposition on the gas injection hole and the gas injection space can be minimized.

도 1은 일반적인 기판 처리 장치를 개략적으로 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3은 도 2에 도시된 기판 지지부에 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 개념적으로 나타내는 도면이다.
도 4는 도 2에 도시된 복수의 가스 분사 모듈의 일 실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 5는 도 4에 도시된 가스 홀 패턴 부재를 설명하기 위한 평면도이다.
도 6은 도 4에 도시된 가스 홀 패턴 부재의 다른 실시 예를 설명하기 위한 평면도이다.
도 7은 도 2에 도시된 복수의 가스 분사 모듈의 다른 실시 예를 나타내는 단면도이다.
도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면으로써, 도 2에 도시된 복수의 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.
도 9는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 각 가스 분사 모듈에서 분사되는 제 2 가스의 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 실리콘 계열의 소스 가스에 의해 형성되는 실리콘 입자의 크기와 상기 도펀트 가스와 실리콘 계열의 소스 가스에 의해 형성되는 실리콘 입자의 크기를 나타내는 도면이다.
도 11은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 각 가스 분사 모듈에서 분사되는 제 2 가스의 다른 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 각 가스 분사 모듈에서 분사되는 제 2 가스의 또 다른 변형 예를 설명하기 위한 도면이다.1 is a schematic view for explaining a general substrate processing apparatus.
2 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention.
FIG. 3 conceptually illustrates a plurality of gas injection modules disposed on the substrate support shown in FIG. 2. FIG.
4 is a cross-sectional view showing one embodiment of the plurality of gas injection modules shown in FIG.
5 is a plan view for explaining the gas hole pattern member shown in Fig.
6 is a plan view for explaining another embodiment of the gas hole pattern member shown in Fig.
FIG. 7 is a cross-sectional view showing another embodiment of the plurality of gas injection modules shown in FIG. 2. FIG.
FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a plurality of gas injection modules shown in FIG. 2, for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.
9 is a view for explaining a modified example of the second gas injected from each gas injection module of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
10 is a graph showing the size of silicon particles formed by a silicon-based source gas and the sizes of silicon particles formed by the dopant gas and a silicon-based source gas.
11 is a view for explaining another modification of the second gas injected from each gas injection module of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.
12 is a view for explaining another modification of the second gas injected from each gas injection module of the substrate processing apparatus according to the embodiment of the present invention.

이하, 도면을 참조로 본 발명에 따른 바람직한 실시 예에 대해서 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 개략적으로 나타내는 도면이고, 도 3은 도 2에 도시된 기판 지지부에 배치된 복수의 가스 분사 모듈을 개념적으로 나타내는 도면이며, 도 4는 도 2에 도시된 복수의 가스 분사 모듈의 일 실시 예를 나타내는 단면도이다.FIG. 2 is a view schematically showing a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 3 conceptually showing a plurality of gas injection modules arranged in the substrate support shown in FIG. 2, Sectional view showing an embodiment of a plurality of gas injection modules shown in FIG.

도 2 내지 도 4를 참조하면, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(110), 챔버 리드(Chamber Lid; 115), 기판 지지부(120), 및 가스 분사부(130)를 포함하여 구성된다.2 to 4, a substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a process chamber 110, a chamber lid 115, a substrate support 120, and a gas injection unit 130 .

공정 챔버(110)는 기판 처리 공정(예를 들어, 박막 증착 공정)을 위한 반응 공간을 제공한다. 상기의 공정 챔버(110)의 바닥면 또는 측면은 반응 공간의 가스 등을 배기시키기 위한 배기관(미도시)에 연통될 수 있다.The process chamber 110 provides a reaction space for a substrate processing process (e.g., a thin film deposition process). The bottom surface or the side surface of the process chamber 110 may communicate with an exhaust pipe (not shown) for exhausting gas or the like in the reaction space.

챔버 리드(115)는 공정 챔버(110)의 상부를 덮도록 공정 챔버(110)의 상부에 설치되어 전기적으로 접지된다. 이러한 챔버 리드(115)는 가스 분사부(130)를 지지하는 것으로, 기판 지지부(120)의 상부를 복수의 공간으로 분할하도록 형성된 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 포함하여 이루어진다. 이때, 복수의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)는 챔버 리드(115)의 중심점을 기준으로 대각선 방향으로 대칭되도록 90도 단위로 이격되도록 챔버 리드(115)에 방사 형태로 형성될 수 있다.The chamber lid 115 is installed on top of the process chamber 110 to cover the top of the process chamber 110 and is electrically grounded. The chamber lid 115 includes a plurality of module mounting portions 115a, 115b, 115c, and 115d that support the gas spraying portion 130 and are configured to divide the upper portion of the substrate supporting portion 120 into a plurality of spaces . At this time, the plurality of module mounting portions 115a, 115b, 115c, and 115d may be radially formed in the chamber lid 115 so as to be spaced apart from each other by 90 degrees in a diagonal direction with respect to the center point of the chamber lid 115 have.

도 2에서, 챔버 리드(115)는 4개의 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 도시되었지만, 이에 한정되지 않고, 챔버 리드(115)는 중심점을 기준으로 서로 대칭되는 2N(단, N은 자연수)개의 모듈 설치부를 구비할 수 있다. 이때, 복수의 모듈 설치부 각각은 챔버 리드(115)의 중심점을 기준으로 대각선 방향으로 상호 대칭되도록 구비된다. 이하, 챔버 리드(115)는 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)를 구비하는 것으로 가정하여 설명하기로 한다.2, the chamber lid 115 is shown as having four module mounting portions 115a, 115b, 115c, and 115d, but the present invention is not limited thereto. The chamber lid 115 may have a 2N (Where N is a natural number) module mounting portions. At this time, each of the plurality of module installation portions is provided so as to be mutually symmetrical in the diagonal direction with respect to the center point of the chamber lid 115. Hereinafter, it is assumed that the chamber lead 115 includes the first through fourth module mounting portions 115a, 115b, 115c, and 115d.

전술한 상기 챔버 리드(115)에 의해 밀폐되는 공정 챔버(110)의 반응 공간은 챔버 리드(115)에 설치된 펌핑 관(117)을 통해 외부의 펌핑 수단(미도시)에 연결된다.The reaction space of the process chamber 110 sealed by the chamber lid 115 described above is connected to external pumping means (not shown) through a pumping pipe 117 installed in the chamber lid 115.

상기 펌핑 관(117)은 챔버 리드(115)의 중심부에 형성된 핌핑 홀(115e)을 통해 공정 챔버(110)의 반응 공간에 연통된다. 이에 따라, 공정 챔버(110)의 내부는 펌핑 관(117)을 통한 펌핑 수단의 펌핑 동작에 따라 진공 상태 또는 대기압 상태가 된다. 한편, 반응 공간의 배기 공정은 상기 펌핑관(117) 및 펌핑 홀(115e)을 이용한 상부 중앙 배기 방식을 이용하므로 보다 용이하게 수행될 수 있다.The pumping tube 117 communicates with the reaction space of the process chamber 110 through a pumping hole 115e formed in the center of the chamber lead 115. [ Thus, the interior of the process chamber 110 is in a vacuum or atmospheric pressure state, depending on the pumping action of the pumping means through the pumping tube 117. Meanwhile, the exhaust process of the reaction space can be performed more easily since the upper central exhaust system using the pumping pipe 117 and the pumping hole 115e is used.

기판 지지부(120)는 공정 챔버(110) 내부에 회전 가능하게 설치되어 전기적으로 플로팅(Floating) 된다. 이러한 기판 지지부(120)는 공정 챔버(110)의 중앙 바닥면을 관통하는 회전축(미도시)에 의해 지지된다. 상기 회전축은 축 구동 부재(미도시)의 구동에 따라 회전됨으로써 기판 지지부(120)를 소정 방향(예를 들어, 반시계 방향)으로 회전시킨다. 그리고, 공정 챔버(110)의 하면 외부로 노출되는 상기의 회전축은 공정 챔버(110)의 하면에 설치되는 벨로우즈(미도시)에 의해 밀폐된다.The substrate support 120 is rotatably installed within the process chamber 110 and is electrically floated. The substrate support 120 is supported by a rotation shaft (not shown) passing through the central bottom surface of the process chamber 110. The rotation shaft is rotated in accordance with the driving of the shaft driving member (not shown) to rotate the substrate supporting part 120 in a predetermined direction (for example, counterclockwise). The rotating shaft exposed to the outside of the lower surface of the process chamber 110 is sealed by a bellows (not shown) provided on the lower surface of the process chamber 110.

상기 기판 지지부(120)는 외부의 기판 로딩 장치(미도시)로부터 로딩되는 적어도 하나의 기판(W)을 지지한다. 이때, 기판 지지부(120)는 원판 형태를 가지는 것으로, 복수의 기판(W), 예를 들어 반도체 기판 또는 웨이퍼가 될 수 있다. 이 경우, 기판 처리 공정의 생산성 향상을 위해 기판 지지부(120)에는 복수의 기판(W)이 일정한 간격을 가지도록 원 형태로 배치되는 것이 바람직하다.The substrate support 120 supports at least one substrate W loaded from an external substrate loading apparatus (not shown). At this time, the substrate support 120 has a disk shape and may be a plurality of substrates W, for example, a semiconductor substrate or a wafer. In this case, in order to improve the productivity of the substrate processing process, it is preferable that a plurality of the substrates W are arranged in a circular shape so as to have a predetermined interval in the substrate supporting part 120.

가스 분사부(130)는 챔버 리드(115)의 제 1 내지 제 4 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d) 각각에 삽입 설치되어 기판 지지부(120)의 중심점을 기준으로 X축 및 Y축 방향으로 서로 대칭되도록 배치된 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 포함하여 구성된다. 이러한, 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 일정한 간격으로 분리되어 기판 지지부(120)와 각 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)이 중첩되는 가스 분사 영역에만 제 1 및 제 2 가스(G1, G2)를 분사한다. 이에 따라, 인접한 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)에서 분사되는 제 1 및 제 2 가스(G1, G2)는 기판 지지부(120) 상의 각 가스 분사 영역에 분사되어 공간적으로 분리된다. 반면에, 각 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)에서 분사되는 제 1 및 제 2 가스(G1, G2)는 각 가스 분사 영역 내에서 가까이 분사된다. 이때, 제 1 가스(G1)는 플라즈마에 의해 활성화되어 기판(W) 상으로 분사된다.The gas injecting unit 130 is inserted into each of the first to fourth module mounting portions 115a, 115b, 115c and 115d of the chamber lead 115 and is installed on the X axis and the Y axis The first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d are disposed symmetrically with respect to the first gas injection module 130a. Each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c and 130d is separated at a predetermined interval to form gas injection nozzles 130a, 130b, 130c and 130d which overlap the substrate supporter 120 and the respective gas injection modules 130a, The first and second gases G1 and G2 are injected only into the regions. Accordingly, the first and second gases G1 and G2 injected from the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c and 130d are injected into the respective gas injection regions on the substrate support 120, . On the other hand, the first and second gases G1 and G2 injected from the respective gas injection modules 130a, 130b, 130c and 130d are injected in close proximity to each gas injection region. At this time, the first gas (G1) is activated by the plasma and is sprayed onto the substrate (W).

상기 제 2 가스(G2)는 기판(W) 상에 증착될 박막 물질을 포함하는 소스 가스(Source Gas)(SG)가 될 수 있다. 상기 소스 가스는 실리콘(Si), 티탄족 원소(Ti, Zr, Hf 등), 또는 알루미늄(Al) 등과 같은 박막 물질을 함유하여 이루어질 수 있다. 예를 들어, 실리콘(Si)의 박막 물질을 함유하여 이루어진 소스 가스는 TEOS(Tetraethylorthosilicate), DCS(Dichlorosilane), HCD(Hexachlorosilane), TriDMAS(Tri-dimethylaminosilane), TSA(Trisilylamine), SiH2Cl2, SiH4, Si2H6, Si3H8, Si4H10, 및 Si5H12 중에서 선택된 가스일 수 있다.The second gas G2 may be a source gas SG including a thin film material to be deposited on the substrate W. [ The source gas may include a thin film material such as silicon (Si), a titanium group element (Ti, Zr, Hf, etc.), aluminum (Al) For example, a source gas containing a thin film material of silicon (Si) may be a source gas of TEOS (Tetraethylorthosilicate), DCS (Dichlorosilane), HCD (Hexachlorosilane), Tridimethylaminosilane (TriDMAS), TSA (Trisilylamine), SiH2Cl2, SiH4, Si2H6 , Si3H8, Si4H10, and Si5H12.

상기 제 1 가스는 전술한 소스 가스(SG)와 반응하여 소스 가스(SG)에 함유된 박막 물질이 기판(W) 상에 증착되도록 하는 반응 가스(Reactant Gas)(RG)로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 상기 반응 가스(RG)는 질소(N2), 산소(O2), 이산화질소(N2O), 및 오존(O3) 중 적어도 어느 한 종류의 가스로 이루어질 수 있다.The first gas may be a reactant gas (RG) that reacts with the source gas SG to deposit a thin film material contained in the source gas SG on the substrate W. For example, the reaction gas RG may be composed of at least one gas of nitrogen (N 2), oxygen (O 2), nitrogen dioxide (N 2 O), and ozone (O 3).

제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 접지 전극 프레임(210), 가스 홀 패턴 부재(230), 절연 부재(240), 및 플라즈마 전극(250)을 포함하여 구성된다.Each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c and 130d includes a ground electrode frame 210, a gas hole pattern member 230, an insulating member 240, and a plasma electrode 250 do.

접지 전극 프레임(210)은 제 1 가스(G1)를 분사하는 제 1 가스 분사 공간(S1)과 제 2 가스(G2)를 분사하는 제 2 가스 분사 공간(S2)을 가지도록 형성된다. 이러한 접지 전극 프레임(210)은 챔버 리드(115)의 각 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)에 삽입 설치되어 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이를 위해, 접지 전극 프레임(210)은 상면 플레이트(210a), 접지 측벽들(210b), 및 접지 격벽 부재(210c)로 이루어진다.The ground electrode frame 210 is formed to have a first gas injection space S1 for injecting the first gas G1 and a second gas injection space S2 for injecting the second gas G2. The ground electrode frame 210 is inserted into the module mounting portions 115a, 115b, 115c and 115d of the chamber lead 115 and is electrically grounded through the chamber lead 115. [ To this end, the ground electrode frame 210 comprises a top plate 210a, ground sidewalls 210b, and a grounding barrier member 210c.

상면 플레이트(210a)는 직사각 형태로 형성되어 챔버 리드(115)의 해당 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)에 결합된다. 이러한 상면 플레이트(210a)에는 절연 부재 지지 홀(212), 제 1 가스 공급 홀(214), 및 제 2 가스 공급 홀(216)이 형성된다.The upper surface plate 210a is formed in a rectangular shape and is coupled to the corresponding module installation portions 115a, 115b, 115c, and 115d of the chamber lid 115. [ An insulating member support hole 212, a first gas supply hole 214, and a second gas supply hole 216 are formed in the upper surface plate 210a.

절연 부재 지지 홀(212)은 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 절연 부재 지지 홀(214)은 직사각 형태의 평면을 가지도록 형성될 수 있다.The insulating member support hole 212 is formed so as to penetrate the upper surface plate 210a so as to communicate with the first gas injection space S1. The insulating member support hole 214 may be formed to have a rectangular plane.

제 1 가스 공급 홀(214)은 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 제 1 가스 공급 홀(214)은 가스 공급 관(미도시)을 통해 외부의 제 1 가스 공급 수단(미도시)에 연결됨으로써 제 1 가스 공급 수단(미도시)으로부터 가스 공급 관을 통해 제 1 가스(G1), 즉 상기 반응 가스를 공급받는다. 상기 제 1 가스 공급 홀(214)은 상기 절연 부재 지지 홀(212)의 양측에 일정한 간격을 가지도록 복수로 형성되어 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통될 수 있다. 상기 제 1 가스 공급 홀(214)에 공급되는 제 1 가스(G1)는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 공급되어 제 1 가스 분사 공간(S1) 내에서 확산되어 제 1 압력을 가지도록 기판 쪽으로 하향 분사된다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 공간(S1)의 하면은 상기 제 1 가스(G1)가 기판 쪽으로 하향 분사되도록 별도의 가스 분사 홀 패턴 없이 통자로 개구된 형태를 갖는 제 1 가스 분사구(231)의 역할을 한다.The first gas supply hole 214 is formed through the top plate 210a so as to communicate with the first gas injection space S1. The first gas supply hole 214 is connected to an external first gas supply means (not shown) through a gas supply pipe (not shown) to supply the first gas supply hole 214 from the first gas supply means Gas G1, that is, the reaction gas. The first gas supply holes 214 may be formed on both sides of the insulating member support hole 212 at regular intervals to communicate with the first gas injection space S1. The first gas G1 supplied to the first gas supply hole 214 is supplied to the first gas injection space S1 and is diffused in the first gas injection space S1 to be directed toward the substrate Downward. For this purpose, the lower surface of the first gas injection space S1 serves as a first gas injection hole 231 having a shape opened to the cylinder without a separate gas injection hole pattern so that the first gas G1 is injected downward toward the substrate .

제 2 가스 공급 홀(216)은 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되도록 상면 플레이트(210a)를 관통하여 형성된다. 이러한 제 2 가스 공급 홀(216)은 가스 공급 관(미도시)을 통해 외부의 제 2 가스 공급 수단(미도시)에 연결됨으로써 제 2 가스 공급 수단(미도시)으로부터 가스 공급 관을 통해 제 2 가스(G2), 즉 상기 소스 가스를 공급받는다. 상기 제 2 가스 공급 홀(216)은 상면 플레이트(210a)에 일정한 간격을 가지도록 복수로 형성되어 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통될 수 있다.The second gas supply hole 216 is formed through the top plate 210a so as to communicate with the second gas injection space S2. The second gas supply hole 216 is connected to an external second gas supply means (not shown) through a gas supply pipe (not shown) to supply the second gas supply hole 216 from the second gas supply means Gas G2, that is, the source gas. The second gas supply holes 216 may be formed in the upper plate 210a so as to have a predetermined gap therebetween and communicate with the second gas injection space S2.

접지 측벽들(210b) 각각은 상면 플레이트(210a)의 장변 및 단변 가장자리 하면으로부터 소정 높이를 가지도록 수직하게 돌출되어 상면 플레이트(210a)의 하부에 사각 형태의 하면 개구부를 마련한다. 이러한 접지 측벽들(210b) 각각은 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지되어 접지 전극의 역할을 한다. 상기 접지 측벽들(210b)과 기판(W) 간의 거리(또는 간격)은 10 ~ 25mm 범위로 설정되는 것이 바람직하다.Each of the ground sidewalls 210b is vertically protruded from the bottom surface of the top plate 210a so as to have a predetermined height from the bottom surface of the top plate 210a and has a rectangular bottom opening at the bottom of the top plate 210a. Each of the ground sidewalls 210b is electrically grounded through the chamber lead 115 to serve as a ground electrode. The distance (or gap) between the ground sidewalls 210b and the substrate W is preferably set in a range of 10 to 25 mm.

접지 격벽 부재(210c)는 상면 플레이트(210a)의 중앙 하면으로부터 소정 높이를 가지도록 수직하게 돌출되어 접지 측벽들(210b)의 장변들과 나란하게 배치된다. 이러한 접지 격벽 부재(210c)는 접지 측벽들(210b)에 의해 마련되는 하면 개구부에 공간적으로 분리되는 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)을 마련한다. 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)은 상기 접지 격벽 부재(210c)를 중앙에 두고 나란하게 형성되어 적은 공간에서 2개의 서로 다른 가스를 분사하거나, 상기 접지 격벽 부재를 사이에 두고 2개의 서로 다른 공간에 플라즈마를 발생 시킬 수 있다. 이와 같은, 상기 접지 격벽 부재(210c)는 접지 전극 프레임(210)에 일체화되거나 전기적으로 결합되어 접지 전극 프레임(210)을 통해 전기적으로 접지됨으로써 접지 전극의 역할을 한다.The grounding partition wall member 210c is vertically protruded to have a predetermined height from the center bottom surface of the top plate 210a and is disposed in parallel with the long sides of the ground sidewalls 210b. The ground partition wall member 210c is provided with the first and second gas injection spaces S1 and S2 which are spatially separated from the bottom opening provided by the ground side walls 210b. The first and second gas injection spaces S1 and S2 are formed in parallel to each other with the ground partition wall member 210c at the center so as to inject two different gases in a small space or to sandwich the ground partition member Plasma can be generated in two different spaces. The ground barrier rib member 210c may be integrated with or electrically coupled to the ground electrode frame 210 and electrically grounded through the ground electrode frame 210 to serve as a ground electrode.

전술한 접지 전극 프레임(210)의 설명에서는 접지 전극 프레임(210)이 상면 플레이트(210a)와 접지 측벽들(210b) 및 접지 격벽 부재(210c)로 구성되는 것으로 설명하였지만, 이에 한정되지 않고, 접지 전극 프레임(210)은 상면 플레이트(210a)와 접지 측벽들(210b) 및 접지 격벽 부재(210c)가 서로 일체화된 하나의 몸체로 형성될 수 있다.Although the ground electrode frame 210 has been described as being composed of the top plate 210a, the ground sidewalls 210b and the ground barrier rib member 210c in the above description of the ground electrode frame 210, The electrode frame 210 may be formed as a single body in which the top plate 210a, the ground sidewalls 210b, and the ground barrier rib member 210c are integrated with each other.

한편, 상기 접지 전극 프레임(210)의 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2) 각각은 기판 지지부(120) 상에 배치되는 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각의 위치에 따라 서로 변경될 수 있다. 즉, 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)의 위치는 기판 지지부(120)의 회전에 따라 회전하는 기판(W)이 제 2 가스(G2)에 먼저 노출된 후, 제 1 가스(G1)에 노출되도록 각 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)의 위치 및 기판 지지부(120)의 회전 방향에 대응되도록 설정된다.Each of the first and second gas injection spaces S1 and S2 of the ground electrode frame 210 includes first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d ) May be mutually changed depending on their respective positions. That is, the positions of the first and second gas injection spaces S1 and S2 are set such that the substrate W rotated according to the rotation of the substrate supporter 120 is first exposed to the second gas G2, 130b, 130c, and 130d and the rotation direction of the substrate support 120 so as to be exposed to the substrate support G1.

가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 설치되어 상기 접지 격벽 부재(210c)를 사이에 두고 인접한 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 분사되는 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투하는 것을 방지한다. 이때, 상기 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투할 경우, 제 2 가스 분사 공간(S2) 내에서 상기 제 1 가스(G1)와 상기 제 2 가스(G2)가 반응하게 되고, 이로 인해 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내벽에 이상 박막이 증착되거나 파우더 성분의 이상 박막이 형성되어 기판에 떨어지는 파티클이 생성된다.The gas hole pattern member 230 is provided in the second gas injection space S2 so that the first gas G1 injected from the adjacent first gas injection space S1 via the earth partition wall member 210c 2 gas injection space S2, as shown in Fig. At this time, when the first gas G1 diffuses, flows back into the second gas injection space S2 and infiltrates into the second gas injection space S2, the first gas G1 and the second gas An abnormal thin film is deposited on the inner wall of the second gas injection space S2 or an abnormal thin film of a powder component is formed and particles falling on the substrate are generated.

상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 분사 공간(S2)의 하면을 덮도록 제 2 가스 분사 공간(S2)을 마련하는 접지 측벽들(210b)과 접지 격벽 부재(210c) 각각의 하면에 일체화되거나, 극성을 가지지 않는 절연 재질의 절연판(또는 샤워 헤드) 형태로 형성되어 제 2 가스 분사 공간(S2)의 하면에 결합될 수 있다. 이에 따라, 접지 전극 프레임(210)의 상면 플레이트(210a)와 가스 홀 패턴 부재(230) 사이의 제 2 가스 분사 공간(S2)에는 소정의 가스 확산 공간 또는 가스 버퍼링 공간이 마련된다.The gas hole pattern member 230 is formed on the lower surface of each of the ground sidewalls 210b and the ground partition wall member 210c that form the second gas injection space S2 so as to cover the lower surface of the second gas injection space S2 (Or shower head) of insulating material having no polarity or integral with the lower surface of the second gas injection space S2, and can be coupled to the lower surface of the second gas injection space S2. A predetermined gas diffusion space or gas buffering space is provided in the second gas injection space S2 between the top plate 210a of the ground electrode frame 210 and the gas hole pattern member 230. [

상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 공급 홀(216)을 통해 제 2 가스 분사 공간(S2)에 공급된 제 2 가스(G2)를 기판 쪽으로 하향 분사하는 복수의 제 2 가스 분사구(232)를 포함하여 구성된다.The gas hole pattern member 230 includes a plurality of second gas injection ports 232 for spraying downward a second gas G2 supplied to the second gas injection space S2 through the second gas supply holes 216 toward the substrate ).

상기 복수의 제 2 가스 분사구(232)는 상기 제 2 가스(G2)가 확산되는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되도록 홀 패턴 형태로 형성되어 상기 제 2 가스(G2)를 상기 제 1 가스(G1)의 분사 압력보다 높은 제 2 압력을 가지도록 기판 쪽으로 하향 분사한다. 이때, 제 2 가스(G2)는 홀 패턴 형태로 형성된 제 2 가스 분사구(232)를 통해 분사되므로 홀 패턴이 형성되지 않은 제 1 가스 분사구(231)를 통해 분사되는 제 1 가스(G1)의 분사 압력보다 가스가 분사되는 직경이 홀 패턴에 의해 작기 때문에 높은 압력을 가지도록 기판 상에 분사된다. 이로 인해, 상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 기판 상에 분사되는 제 2 가스(G2)의 분사 압력을 통해 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 분사되는 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투하는 것을 방지한다. 또한, 상기 가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 분사구(232)를 통해 상기 제 2 가스(G2)를 하향 분사하고, 홀이 형성된 판형상으로 인해 상기 제 2 가스(G2)를 지연시키거나 정체시켜 제 2 가스(G2)의 사용량을 감소시킬 수 있다. 게다가, 가스 분사구(232)의 홀 패턴 형상을 조절 함으로서 가스의 유량을 조절할 수 있어서 상기 제 제 2 가스(G2)의 사용 효율성을 증대시킨다.The plurality of second gas injection openings 232 are formed in the shape of a hole pattern to communicate with the second gas injection space S2 through which the second gas G2 is diffused, Is jetted downward toward the substrate so as to have a second pressure higher than the jetting pressure of the gas G1. At this time, since the second gas G2 is injected through the second gas injection hole 232 formed in the shape of a hole pattern, the injection of the first gas G1 injected through the first gas injection hole 231, The diameter at which the gas is injected than the pressure is small due to the hole pattern, so that it is injected onto the substrate so as to have a high pressure. Accordingly, the gas hole pattern member 230 is configured such that the first gas G1 injected from the first gas injection space S1 through the injection pressure of the second gas G2 injected onto the substrate is injected into the second gas injection space S2, Thereby preventing diffusion, backflow, and penetration into the space S2. The gas hole pattern member 230 may spray the second gas G2 downward through the second gas injection port 232 and may delay the second gas G2 due to a plate shape having holes formed therein The amount of the second gas G2 to be used can be reduced. In addition, the flow rate of the gas can be adjusted by adjusting the shape of the hole pattern of the gas injection port 232, thereby increasing the use efficiency of the second gas G2.

일 실시 예에 따른 상기 복수의 제 2 가스 분사구(232)는, 도 5의 (a)에 도시된 바와 같이, 일정한 간격으로 가지도록 격자 형태로 배치되거나, 도 5의 (b)에 도시된 바와 같이, 가스 분사 모듈의 길이 방향으로 따라 엇갈리는 형태로 배치될 수 있다.The plurality of second gas ejection openings 232 according to the embodiment may be arranged in a lattice form so as to be spaced at regular intervals as shown in FIG. 5 (a), or may be arranged in a grid shape as shown in FIG. 5 (b) Likewise, they may be arranged in a staggered fashion along the longitudinal direction of the gas injection module.

다른 실시 예에 따른 상기 복수의 제 2 가스 분사구(232)는, 도 6에 도시된 바와 같이, 기판 지지부(120)의 회전에 따른 각속도에 기초해 기판(W)에 분사되는 제 2 가스(G2)의 분사량을 보상하도록 배치될 수 있다. 즉, 기판 지지부(120)의 중심부에 인접한 기판(W)의 내측 영역은 기판 지지부(120)의 가장자리에 인접한 기판(W)의 외측 영역보다 빠른 각속도를 가지게 된다. 이에 따라, 제 2 가스(G2)의 분사량이 각 가스 분사 모듈의 길이(또는 장변) 방향으로 균일할 경우, 기판(W)의 내측 영역에 증착되는 박막과 기판(W)의 외측 영역에 증착되는 박막의 두께가 불균일하게 된다. 이에 따라, 본 발명은 제 2 가스(G2)의 분사량이 각 가스 분사 모듈의 내측(130i)에서 각 가스 분사 모듈의 외측(130o)으로 갈수록 증가하도록 상기 복수의 제 2 가스 분사구(232)를 형성 및 배치함으로써 각속도에 따른 박막의 두께 불균일을 보상하게 된다.6, the plurality of second gas injection openings 232 according to another embodiment may include a second gas G2 (not shown) that is injected onto the substrate W based on the angular velocity as the substrate support 120 rotates, To compensate for the injection amount of the fuel. That is, the inner region of the substrate W adjacent to the central portion of the substrate support portion 120 has a higher angular velocity than the outer region of the substrate W adjacent to the edge of the substrate support portion 120. Accordingly, when the injection amount of the second gas G2 is uniform in the direction of the length (or the long side) of each gas injection module, the thin film deposited on the inner region of the substrate W and the outer region of the substrate W The thickness of the thin film becomes uneven. Accordingly, the present invention forms the plurality of second gas injection openings 232 such that the injection amount of the second gas G2 increases from the inner side 130i of each gas injection module to the outer side 130o of each gas injection module And the thickness irregularity of the thin film according to the angular velocity can be compensated.

일 예로써, 도 6의 (a)에 도시된 바와 같이, 각 가스 분사 모듈의 길이(또는 장변) 방향을 따라 형성된 인접한 제 2 가스 분사구들(232) 간의 간격(i1, i2, i3, i4, i5)은 각 가스 분사 모듈의 내측(130i)에서 각 가스 분사 모듈의 외측(130o)으로 갈수록 감소할 수 있다.6 (a), the distance (i1, i2, i3, i4, ..., i4) between adjacent second gas ejection openings 232 formed along the length (or the long side) i5 may decrease from the inner side 130i of each gas injection module to the outer side 130o of each gas injection module.

다른 예로써, 도 6의 (b)에 도시된 바와 같이, 각 가스 분사 모듈의 길이(또는 장변) 방향을 따라 형성된 제 2 가스 분사구들(232)의 개수는 각 가스 분사 모듈의 내측(130i)에서 각 가스 분사 모듈의 외측(130o)으로 갈수록 증가할 수 있다. 이때, 상기 제 2 가스 분사구들(232)의 간격은 각 가스 분사 모듈의 내측(130i)에서 각 가스 분사 모듈의 외측(130o)으로 갈수록 감소할 수도 있다.6 (b), the number of the second gas injection openings 232 formed along the length (or the long side) of each gas injection module is smaller than the number of the inner side 130i of each gas injection module, To the outer side 130o of each gas injection module. At this time, the interval of the second gas injection openings 232 may decrease from the inner side 130i of each gas injection module to the outer side 130o of each gas injection module.

또 다른 예로써, 도 6의 (c)에 도시된 바와 같이, 각 가스 분사 모듈의 길이(또는 장변) 방향을 따라 형성된 제 2 가스 분사구들(232)의 직경(d1, d2, d3, d4, d5)은 각 가스 분사 모듈의 내측(130i)에서 각 가스 분사 모듈의 외측(130o)으로 갈수록 증가할 수 있다. 이때, 상기 제 2 가스 분사구들(232)의 간격은 각 가스 분사 모듈의 내측(130i)에서 각 가스 분사 모듈의 외측(130o)으로 갈수록 감소할 수도 있다.6 (c), the diameters d1, d2, d3, d4, and d2 of the second gas injection ports 232 formed along the length (or the long side) of each gas injection module, d5 may increase from the inner side 130i of each gas injection module to the outer side 130o of each gas injection module. At this time, the interval of the second gas injection openings 232 may decrease from the inner side 130i of each gas injection module to the outer side 130o of each gas injection module.

또 다른 예로써, 도 6의 (d)에 도시된 바와 같이, 제 2 가스 분사구들(232)은 각 가스 분사 모듈의 단변 방향에 나란한 슬릿(Slit) 형태로 형성되고, 각 가스 분사 모듈의 길이(또는 장변) 방향을 따라 형성된 제 2 가스 분사구들(232)의 길이는 각 가스 분사 모듈의 내측(130i)에서 각 가스 분사 모듈의 외측(130o)으로 갈수록 증가할 수 있다. 이때, 상기 제 2 가스 분사구들(232)의 간격은 각 가스 분사 모듈의 내측(130i)에서 각 가스 분사 모듈의 외측(130o)으로 갈수록 감소할 수도 있다.As another example, as shown in FIG. 6 (d), the second gas injection openings 232 are formed in a slit shape parallel to the short side direction of each gas injection module, and the length of each gas injection module The length of the second gas injection ports 232 formed along the direction of the gas injection module (or the long side) may increase from the inner side 130i of each gas injection module to the outer side 130o of each gas injection module. At this time, the interval of the second gas injection openings 232 may decrease from the inner side 130i of each gas injection module to the outer side 130o of each gas injection module.

전술한 상기 제 2 가스 분사구(232)는 제 1 가스 분사구보다 좁게 형성되어 분사되는 가스의 양을 제 2 가스 분사구(232)의 직경 크기로 조절할 수 있다. 상기 제 2 가스 분사구(232)의 직경을 제 1 가스 분사구보다 좁게 형성할 수 있는 것은 제 2 가스 분사구(232)는 상대적으로 적은 양의 제 2 가스인 소스 가스를 분사하고, 제 1 가스 분사구는 상기 소스 가스보다 상대적으로 많은 양의 제 1 가스인 반응 가스를 분사하기 때문이다.The second gas injection port 232 may be narrower than the first gas injection port to adjust the amount of the gas injected to the second gas injection port 232. The diameter of the second gas injection port 232 may be narrower than that of the first gas injection port because the second gas injection port 232 injects a relatively small amount of the source gas, This is because the reactive gas, which is the first gas, is injected in a relatively larger amount than the source gas.

절연 부재(240)는 절연 물질로 이루어져 접지 전극 프레임(210)에 형성된 절연 부재 지지 홀(212)에 삽입됨과 아울러 체결 부재(미도시)에 의해 접지 전극 프레임(210)의 상면에 결합된다. 이러한 절연 부재(240)는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되는 전극 삽입 홀을 포함하여 구성된다.The insulating member 240 is made of an insulating material and is inserted into the insulating member support hole 212 formed in the ground electrode frame 210 and is coupled to the upper surface of the ground electrode frame 210 by a fastening member (not shown). The insulating member 240 is configured to include an electrode insertion hole communicating with the first gas injection space S1.

플라즈마 전극(250)은 도전성 재질로 이루어져 절연 부재(240)의 전극 삽입 홀에 관통 삽입되어 접지 전극 프레임(210)의 하면으로부터 소정 높이로 돌출됨으로써 제 1 가스 분사 공간(S1)에 배치된다. 이때, 플라즈마 전극(250)은 접지 격벽 부재(210c) 및 접지 전극 프레임(210)의 측벽들(210b) 각각과 동일한 높이로 돌출되는 것이 바람직하다.The plasma electrode 250 is made of a conductive material and is inserted into the electrode insertion hole of the insulating member 240 and protrudes from the lower surface of the ground electrode frame 210 to a predetermined height to be disposed in the first gas injection space S1. At this time, it is preferable that the plasma electrode 250 is protruded to the same height as each of the ground partition wall member 210c and the sidewalls 210b of the ground electrode frame 210.

상기 플라즈마 전극(250)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 공급되는 플라즈마 전원에 따라 제 1 가스 분사 공간(S1)에 플라즈마를 발생시킨다. 즉, 상기 플라즈마는 접지 전극의 역할을 하는 접지 측벽(210b) 및 접지 격벽 부재(210c) 각각과 플라즈마 전원이 공급되는 플라즈마 전극(250) 사이에 발생됨으로써 제 1 가스 분사 공간(S1)에 공급되는 제 1 가스(G1)를 활성화시킨다. 이에 따라, 상기 활성화된 제 1 가스(PG1)는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 공급되는 제 1 가스(G1)의 유속(또는 흐름)에 의해 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 하향 분사될 수 있다.The plasma electrode 250 is electrically connected to the plasma power supply unit 140 through the power supply cable to generate plasma in the first gas injection space S1 according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140. [ That is, the plasma is generated between each of the ground side wall 210b serving as a ground electrode and the ground barrier rib member 210c and the plasma electrode 250 supplied with plasma power, thereby being supplied to the first gas injection space S1 Thereby activating the first gas G1. The activated first gas PG1 is injected downward from the first gas injection space S1 by the flow rate (or flow) of the first gas G1 supplied to the first gas injection space S1 .

플라즈마 전원 공급부(140)는 소정의 주파수를 가지는 플라즈마 전원을 발생하고, 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원을 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 공통적으로 공급하거나 개별적으로 공급한다. 이때, 플라즈마 전원은 고주파(예를 들어, HF(High Frequency) 전력 또는 VHF(Very High Frequency) 전력이 공급된다. 예를 들어, HF 전력은 3㎒ ~ 30㎒ 범위의 주파수를 가지며, VHF 전력은 30㎒ ~ 300㎒ 범위의 주파수를 가질 수 있다.The plasma power supply unit 140 generates a plasma power having a predetermined frequency and supplies the plasma power to the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d through a power supply cable, Supply. For example, the HF power has a frequency in the range of 3 MHz to 30 MHz, and the VHF power is in the range of 3 MHz to 30 MHz. And may have a frequency in the range of 30 MHz to 300 MHz.

한편, 상기 급전 케이블에는 임피던스 매칭 회로(미도시)가 접속된다.On the other hand, an impedance matching circuit (not shown) is connected to the feed cable.

상기 임피던스 매칭 회로는 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에 공급되는 플라즈마 전원의 부하 임피던스와 소스 임피던스를 정합시킨다. 이러한 임피던스 매칭 회로는 가변 커패시터 및 가변 인덕터 중 적어도 하나로 구성되는 적어도 2개의 임피던스 소자(미도시)로 이루어질 수 있다.The impedance matching circuit matches the load impedance and the source impedance of the plasma power supplied from the plasma power supply unit 140 to the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c and 130d. The impedance matching circuit may be composed of at least two impedance elements (not shown) constituted by at least one of a variable capacitor and a variable inductor.

전술한 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 플라즈마 전극(250)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 제 1 가스 분사 공간(S1)에 플라즈마를 발생시켜 제 1 가스 분사 공간(S1)의 제 1 가스(G1)를 활성화하여 하향 분사함과 동시에 가스 홀 패턴 부재(230)를 통해 제 2 가스 분사 공간(S2)의 제 2 가스(G2)를 소정의 압력으로 하향 분사한다. 이때, 각 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)은 가스 홀 패턴 부재(230)를 이용해 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 하향 분사되는 활성화된 제 1 가스(PG1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 역류(또는 침투)하는 것을 방지함으로써 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내부에서 제 2 가스(G2)와 활성화된 제 1 가스(PG1)가 반응해 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내벽에 박막 물질이 증착되는 것을 방지한다.Each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c and 130d generates plasma in the first gas injection space S1 according to the plasma power supplied to the plasma electrode 250, The first gas G1 in the space S1 is activated to spray downward and the second gas G2 in the second gas injection space S2 is injected downward to a predetermined pressure through the gas hole pattern member 230 do. At this time, each of the gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d uses the gas hole pattern member 230 to move the activated first gas PG1 downward from the first gas injection space S1, The second gas G2 reacts with the activated first gas PG1 in the second gas injection space S2 by preventing the second gas injection space S2 from flowing back (or infiltrating) into the space S2, To prevent the thin film material from being deposited on the inner wall of the substrate.

이와 같은, 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100) 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 기판 지지부(120) 상에 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 일정한 간격으로 로딩한 후, 도 4에 도시된 바와 같이, 복수의 기판(W)이 로딩된 기판 지지부(120)를 소정 방향(예를 들어, 시계 반대 방향)으로 회전시키면서 각 가스 분사 모듈을 통해 제 2 가스(G2)와 활성화된 제 1 가스(PG1)를 회전되는 기판 지지부(120) 상에 하향 분사한다. 이에 따라, 기판 지지부(120)의 회전에 따라 각 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)의 하부를 통과하는 각 기판(W) 상에는 각 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)로부터 분사되는 제 2 가스(G2)와 활성화된 제 1 가스(PG1)의 상호 반응에 의해 소정의 박막 물질이 증착되게 된다. 이때, 제 2 가스(G2)와 활성화된 제 1 가스(PG1)는 가스 분사 모듈 각각에 인접하게 형성된 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)을 통해 가까이 분사되고, 이로 인해 제 2 가스(G2), 즉 소스 가스가 보다 빨리 활성화된 제 1 가스(PG1)와 만나 반응하여 손실 없이 효율적으로 분해된다.The substrate processing apparatus 100 according to the embodiment of the present invention and the substrate processing method using the substrate processing method may further include a plurality of gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d loaded on the substrate support 120 at predetermined intervals 4, the substrate support 120 on which the plurality of substrates W are loaded is rotated in a predetermined direction (for example, counterclockwise), and the second gas G2 ) And the activated first gas (PG1) onto the substrate support 120 being rotated. Accordingly, the gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d are provided on the respective substrates W that pass under the respective gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d in accordance with the rotation of the substrate support 120 A predetermined thin film material is deposited by mutual reaction between the second gas G2 to be injected and the activated first gas PG1. At this time, the second gas (G2) and the activated first gas (PG1) are injected close to each other through the first and second gas injection spaces (S1, S2) formed adjacent to each of the gas injection modules, (G2), that is, the source gas reacts with the earlier activated first gas (PG1) and is efficiently decomposed without loss.

이상과 같은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(100) 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 반응 공간을 공간적으로 분할하도록 배치된 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각을 통해 제 2 가스(G2)와 활성화된 제 1 가스(PG1)를 분사하여 각 기판(W)에 박막을 증착함으로써 박막의 증착 균일도, 증착 속도 및 증착 효율을 향상시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 각 가스 분사 모듈의 가스 홀 패턴 부재(230)를 이용해 소스 가스의 사용 효율성을 증대 및 박막 물질이 가스 분사구와 가스 분사 공간에 증착되는 것을 최소화할 수 있다.
The substrate processing apparatus 100 according to an embodiment of the present invention and the substrate processing method using the same may be configured to perform the substrate processing through the plurality of gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d arranged to spatially partition the reaction space. The deposition uniformity, the deposition rate and the deposition efficiency of the thin film are improved by spraying the first gas (G2) and the activated first gas (PG1) to deposit the thin film on each substrate (W) The gas hole pattern member 230 of each gas injection module can be used to increase the use efficiency of the source gas and to minimize the deposition of the thin film material in the gas injection hole and the gas injection space.

도 7은 도 2에 도시된 복수의 가스 분사 모듈의 다른 실시 예를 나타내는 단면도이다.FIG. 7 is a cross-sectional view showing another embodiment of the plurality of gas injection modules shown in FIG. 2. FIG.

도 7을 도 2와 결부하면, 다른 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 전술한 제 1 및 제 2 가스(G1, G2) 각각을 모두 활성화시켜 기판(W) 상으로 하향 분사하는 것으로, 접지 전극 프레임(410), 가스 홀 패턴 부재(230), 제 1 및 제 2 절연 부재(440, 442), 제 1 및 제 2 플라즈마 전극(450, 452)을 포함하여 구성된다.Referring to FIG. 7, the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d according to other embodiments are configured to activate the first and second gases G1 and G2, respectively, The gas hole pattern member 230, the first and second insulating members 440 and 442, the first and second plasma electrodes 450 and 450, 452).

접지 전극 프레임(410)은 제 1 가스(G1)를 분사하는 제 1 가스 분사 공간(S1)과 제 2 가스(G2)를 분사하는 제 2 가스 분사 공간(S2)을 가지도록 형성된다. 이러한 접지 프레임(410)은 챔버 리드(115)의 각 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)에 삽입 설치되어 챔버 리드(115)를 통해 전기적으로 접지된다. 이를 위해, 접지 프레임(410)은 상면 플레이트(410a), 접지 측벽들(410b), 및 접지 격벽 부재(410c)로 이루어진다.The ground electrode frame 410 is formed to have a first gas injection space S1 for injecting the first gas G1 and a second gas injection space S2 for injecting the second gas G2. The grounding frame 410 is inserted into the module mounting portions 115a, 115b, 115c and 115d of the chamber lead 115 and is electrically grounded through the chamber lead 115. [ To this end, the ground frame 410 comprises a top plate 410a, ground sidewalls 410b, and a grounding barrier member 410c.

상면 플레이트(410a)는 직사각 형태로 형성되어 챔버 리드(115)의 해당 모듈 설치부(115a, 115b, 115c, 115d)에 결합된다. 이러한 상면 플레이트(410a)에는 제 1 절연 부재 지지 홀(412), 제 1 가스 공급 홀(414), 제 2 절연 부재 지지 홀(415), 및 제 2 가스 공급 홀(416)이 형성된다.The upper surface plate 410a is formed in a rectangular shape and is coupled to the corresponding module mounting portions 115a, 115b, 115c, and 115d of the chamber lid 115. [ A first insulating member support hole 412, a first gas supply hole 414, a second insulation member support hole 415, and a second gas supply hole 416 are formed in the upper plate 410a.

제 1 절연 부재 지지 홀(412)은 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되도록 상면 플레이트(410a)를 관통하여 형성된다. 이러한 제 1 절연 부재 지지 홀(412)은 직사각 형태의 평면을 가지도록 형성될 수 있다.The first insulating member support hole 412 is formed so as to pass through the upper surface plate 410a so as to communicate with the first gas injection space S1. The first insulating member support hole 412 may be formed to have a rectangular plane.

제 1 가스 공급 홀(414)은 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되도록 상면 플레이트(410a)를 관통하여 형성된다. 이러한 제 1 가스 공급 홀(414)은 가스 공급 관(미도시)을 통해 외부의 제 1 가스 공급 수단(미도시)에 연결됨으로써 제 1 가스 공급 수단(미도시)으로부터 가스 공급 관을 통해 제 1 가스(G1), 즉 상기 반응 가스를 공급받는다. 상기 제 1 가스 공급 홀(414)은 상기 제 1 절연 부재 지지 홀(412)의 양측에 일정한 간격을 가지도록 복수로 형성되어 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통될 수 있다. 상기 제 1 가스 공급 홀(414)에 공급되는 제 1 가스(G1)는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 공급되어 제 1 가스 분사 공간(S1) 내에서 확산되어 제 1 압력을 가지도록 기판 쪽으로 하향 분사된다. 이를 위해, 제 1 가스 분사 공간(S1)의 하면은 상기 제 1 가스(G1)가 기판 쪽으로 하향 분사되도록 별도의 가스 분사 홀 패턴 없이 통자로 개구된 형태를 갖는 제 1 가스 분사구(231)의 역할을 한다.The first gas supply hole 414 is formed through the top plate 410a to communicate with the first gas injection space S1. The first gas supply hole 414 is connected to an external first gas supply means (not shown) through a gas supply pipe (not shown) to supply the first gas supply hole 414 from the first gas supply means Gas G1, that is, the reaction gas. The first gas supply holes 414 may be formed on both sides of the first insulating member support hole 412 at a predetermined distance to communicate with the first gas injection space S1. The first gas G1 supplied to the first gas supply hole 414 is supplied to the first gas injection space S1 and is diffused in the first gas injection space S1 to be directed toward the substrate Downward. For this purpose, the lower surface of the first gas injection space S1 serves as a first gas injection hole 231 having a shape opened to the cylinder without a separate gas injection hole pattern so that the first gas G1 is injected downward toward the substrate .

제 2 절연 부재 지지 홀(415)은 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되도록 상면 플레이트(410a)를 관통하여 형성된다. 이러한 제 2 절연 부재 지지 홀(415)은 직사각 형태의 평면을 가지도록 형성될 수 있다.The second insulating member support hole 415 is formed through the upper surface plate 410a so as to communicate with the second gas injection space S2. The second insulating member support hole 415 may be formed to have a rectangular plane.

제 2 가스 공급 홀(416)은 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되도록 상면 플레이트(410a)를 관통하여 형성된다. 이러한 제 2 가스 공급 홀(416)은 가스 공급 관(미도시)을 통해 외부의 제 2 가스 공급 수단(미도시)에 연결됨으로써 제 2 가스 공급 수단(미도시)으로부터 가스 공급 관을 통해 제 2 가스(G2), 즉 상기 소스 가스를 공급받는다. 상기 제 2 가스 공급 홀(416)은 상기 제 2 절연 부재 지지 홀(415)의 양측에 일정한 간격을 가지도록 복수로 형성되어 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통될 수 있다.The second gas supply hole 416 is formed to penetrate the upper surface plate 410a to communicate with the second gas injection space S2. The second gas supply hole 416 is connected to an external second gas supply means (not shown) through a gas supply pipe (not shown) to supply the second gas supply hole 416 from the second gas supply means Gas G2, that is, the source gas. The second gas supply holes 416 may be formed on both sides of the second insulating member support hole 415 so as to have a predetermined gap therebetween and may communicate with the second gas injection space S2.

접지 측벽들(410b)과 접지 격벽 부재(410c)는 전술한 도 4와 동일하게 상면 플레이트(410a)로부터 소정 높이를 가지도록 수직하게 돌출됨으로써 접지 전극 프레임(410)에 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2)을 마련한다.4, the ground sidewalls 410b and the ground barrier rib member 410c are vertically protruded from the top plate 410a so as to have a predetermined height, so that the first and second gas injection And spaces S1 and S2 are provided.

가스 홀 패턴 부재(230)는 제 2 가스 분사 공간(S2)의 하면에 설치되어 상기 접지 격벽 부재(410c)를 사이에 두고 인접한 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 분사되는 제 1 가스(G1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 확산, 역류, 및 침투하는 것을 방지한다. 이와 같은, 가스 홀 패턴 부재(230)는, 도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이 복수의 제 2 가스 분사구(232)를 포함하여 구성되므로, 상기 제 2 가스 분사구(232)에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The gas hole pattern member 230 is installed on the lower surface of the second gas injection space S2 and is connected to the first gas injection space S1 through the first partition wall member 410c, Backward, and infiltrating into the second gas injection space S2. 5 and 6, the gas-hole pattern member 230 includes a plurality of the second gas-injection holes 232. Therefore, the overlapping description of the second gas-injection hole 232 It will be omitted.

제 1 절연 부재(440)는 절연 물질로 이루어져 접지 프레임(410)에 형성된 제 1 절연 부재 지지 홀(412)에 삽입됨과 아울러 체결 부재(미도시)에 의해 접지 프레임(410)의 상면에 결합된다. 이러한 제 1 절연 부재(440)는 제 1 가스 분사 공간(S1)에 연통되는 제 1 전극 삽입 홀을 포함하여 구성된다.The first insulating member 440 is made of an insulating material and inserted into the first insulating member support hole 412 formed in the ground frame 410 and coupled to the upper surface of the ground frame 410 by a fastening member . The first insulating member 440 includes a first electrode insertion hole communicating with the first gas injection space S1.

제 1 플라즈마 전극(450)은 도전성 재질로 이루어져 제 1 절연 부재(440)의 제 1 전극 삽입 홀에 관통 삽입되어 접지 프레임(410)의 하면으로부터 소정 높이로 돌출됨으로써 제 1 가스 분사 공간(S1)에 배치된다. 이러한, 제 1 플라즈마 전극(450)은, 전술한 바와 같이, 전술한 급전 케이블을 통해 전술한 플라즈마 전원 공급부(140)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(140)로부터 공급되는 플라즈마 전원에 따라 제 1 가스 분사 공간(S1)에 플라즈마를 발생시킨다.The first plasma electrode 450 is made of a conductive material and is inserted into the first electrode insertion hole of the first insulating member 440 and protrudes to a predetermined height from the lower surface of the ground frame 410 to form the first gas injection space S1, . As described above, the first plasma electrode 450 is electrically connected to the plasma power supply unit 140 described above through the above-described power supply cable. As a result, the first plasma electrode 450 is electrically connected to the plasma power supply unit 140, And a plasma is generated in the gas injection space S1.

제 2 절연 부재(442)는 절연 물질로 이루어져 접지 프레임(410)에 형성된 제 2 절연 부재 지지 홀(415)에 삽입됨과 아울러 체결 부재(미도시)에 의해 접지 프레임(410)의 상면에 결합된다. 이러한 제 2 절연 부재(442)는 제 2 가스 분사 공간(S2)에 연통되는 제 2 전극 삽입 홀을 포함하여 구성된다.The second insulating member 442 is made of an insulating material and is inserted into a second insulating member support hole 415 formed in the ground frame 410 and is coupled to the upper surface of the ground frame 410 by a coupling member . The second insulating member 442 includes a second electrode insertion hole communicating with the second gas injection space S2.

제 2 플라즈마 전극(452)은 도전성 재질로 이루어져 제 2 절연 부재(442)의 제 2 전극 삽입 홀에 관통 삽입되어 접지 프레임(410)의 하면으로부터 소정 높이로 돌출됨으로써 제 2 가스 분사 공간(S2)에 배치된다. 이때, 제 2 플라즈마 전극(452)은 전술한 가스 홀 패턴 부재(230)로부터 소정 높이로 이격되도록 돌출되는 것이 바람직하다. 이는, 제 2 플라즈마 전극(452)이 가스 홀 패턴 부재(230)에 가깝도록 제 2 가스 분사 공간(S2)에 배치될 경우 제 2 플라즈마 전극(452)과 가스 홀 패턴 부재(230) 간의 전압차에 의한 아킹(Arcking)이 발생될 수 있기 때문이다. 또한, 제 2 플라즈마 전극(452)이 가스 홀 패턴 부재(230)에 접촉될 경우, 가스 홀 패턴 부재(230)가 접지 역할을 하지 못해 전압차가 존재하지 않아 플라즈마가 잘 생성되지 않는다.The second plasma electrode 452 is made of a conductive material and is inserted into the second electrode insertion hole of the second insulating member 442 and protrudes from the lower surface of the ground frame 410 to a predetermined height, . The second plasma electrode 452 may protrude from the gas hole pattern member 230 to a predetermined height. This is because the voltage difference between the second plasma electrode 452 and the gas hole pattern member 230 when the second plasma electrode 452 is disposed in the second gas injection space S2 so as to be close to the gas hole pattern member 230 Arcing may occur due to the presence of the catalyst. Also, when the second plasma electrode 452 contacts the gas hole pattern member 230, the gas hole pattern member 230 does not serve as a ground, and there is no voltage difference, so that plasma is not generated well.

상기 제 2 플라즈마 전극(452)은 급전 케이블을 통해 플라즈마 전원 공급부(142)에 전기적으로 접속됨으로써 플라즈마 전원 공급부(142)로부터 공급되는 플라즈마 전원에 따라 제 2 가스 분사 공간(S2)에 플라즈마를 발생시킨다. 즉, 상기 플라즈마는 접지 전극의 역할을 하는 접지 측벽(410b) 및 접지 격벽 부재(410c) 각각과 플라즈마 전원이 공급되는 제 2 플라즈마 전극(452) 사이에 발생됨으로써 제 2 가스 분사 공간(S2)에 공급되는 제 2 가스(G2)를 활성화시킨다. 이에 따라, 상기 활성화된 제 2 가스(PG2)는 가스 홀 패턴 부재(230)의 제 2 가스 분사구(232)에 의해 소정 압력으로 하향 분사될 수 있다.The second plasma electrode 452 is electrically connected to the plasma power supply unit 142 through the power supply cable to generate plasma in the second gas injection space S2 according to the plasma power supplied from the plasma power supply unit 142 . That is, the plasma is generated between each of the ground sidewalls 410b and the grounding wall member 410c serving as the ground electrode and the second plasma electrode 452 to which the plasma power is supplied, so that the plasma is generated in the second gas injection space S2 Thereby activating the second gas G2 to be supplied. Accordingly, the activated second gas (PG2) can be injected downward to a predetermined pressure by the second gas injection port (232) of the gas hole pattern member (230).

전술한 바와 같은, 다른 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각은 플라즈마 전극(250)에 공급되는 플라즈마 전원에 따라 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2) 각각에 플라즈마를 발생시켜 제 1 및 제 2 가스 분사 공간(S1, S2) 각각의 제 1 및 제 2 가스(G1, G2) 각각을 모두 활성화하여 하향 분사함과 동시에 가스 홀 패턴 부재(230)를 통해 제 2 가스 분사 공간(S2)의 제 2 가스(G2)를 소정의 압력으로 하향 분사한다. 이때, 각 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)은 가스 홀 패턴 부재(230)를 이용해 제 1 가스 분사 공간(S1)으로부터 하향 분사되는 활성화된 제 1 가스(PG1)가 제 2 가스 분사 공간(S2)으로 역류, 확산, 및 침투하는 것을 방지함으로써 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내부에서 활성화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)가 반응해 제 2 가스 분사 공간(S2)의 내벽에 박막 물질이 증착되는 것을 방지한다.Each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d according to another embodiment may include first and second gas injection spaces 130a, 130b, 130c, and 130d according to the plasma power supplied to the plasma electrode 250 S1 and S2 to activate both the first and second gases G1 and G2 of the first and second gas injection spaces S1 and S2 so as to inject the gas downward, The second gas G2 in the second gas injection space S2 is injected downward to a predetermined pressure through the second gas injection space 230. [ At this time, each of the gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d uses the gas hole pattern member 230 to move the activated first gas PG1 downward from the first gas injection space S1, The first and second gases PG1 and PG2 activated in the second gas injection space S2 are reacted to prevent the second gas injection space S2 from flowing backward, Thereby preventing the thin film material from being deposited on the inner wall of the substrate.

이와 같은, 다른 실시 예에 따른 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)을 포함하는 본 발명의 다른 실시 예의 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 제 2 가스(G2)를 활성화시켜 기판(W) 상에 분사하는 것을 제외하고는 전술한 기판 처리 방법과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.According to another embodiment of the present invention, which includes the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d according to another embodiment of the present invention, and a substrate processing method using the same, Is activated and ejected onto the substrate W, so that a duplicate description thereof will be omitted.

이상과 같은 본 발명의 다른 실시 예의 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 반응 공간을 공간적으로 분할하도록 배치된 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각을 통해 활성화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 분사하여 각 기판(W)에 박막을 증착함으로써 박막의 증착 균일도, 증착 속도 및 증착 효율을 더욱 향상시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 각 가스 분사 모듈의 가스 홀 패턴 부재(230)를 이용해 소스 가스의 사용 효율성을 증대 및 박막 물질이 가스 분사구와 가스 분사 공간에 증착되는 것을 최소화할 수 있다.
The substrate processing apparatus and the substrate processing method using the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention may be applied to the first and second substrate processing apparatuses through the plurality of gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d arranged to spatially partition the reaction space. The uniformity of the deposition of the thin film, the deposition rate and the deposition efficiency can be further improved and the film quality of the thin film can be easily controlled by spraying the second gas (PG1, PG2) The gas hole pattern member 230 of the module can be used to increase the use efficiency of the source gas and minimize the deposition of the thin film material in the gas injection hole and the gas injection space.

도 8은 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 설명하기 위한 도면으로써, 도 2에 도시된 복수의 가스 분사 모듈을 나타내는 단면도이다.FIG. 8 is a cross-sectional view illustrating a plurality of gas injection modules shown in FIG. 2, for explaining a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 8을 도 2와 결부하면, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버(110), 챔버 리드(115), 기판 지지부(120), 가스 분사부(130), 및 가스 활성화 공급 수단(260)을 포함하여 구성된다. 이러한 구성을 가지는 기판 처리 장치에서 가스 활성화 공급 수단(260)을 제외한 나머지 구성들은 전술한 도 2 내지 도 6에 도시된 기판 처리 장치와 동일하므로 동일한 구성들에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.2, a substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention includes a process chamber 110, a chamber lid 115, a substrate support 120, a gas injection unit 130, And a supply means 260. In the substrate processing apparatus having such a configuration, the remaining configurations except for the gas activation supply means 260 are the same as those of the substrate processing apparatuses shown in FIGS. 2 to 6, and therefore duplicate descriptions of the same configurations will be omitted.

가스 활성화 공급 수단(260)은 제 2 가스 공급 수단(미도시)으로부터 공급되는 제 2 가스(G2)를 활성화시키고, 가스 공급관(262)을 통해 활성화된 제 2 가스(PG)를 전술한 제 1 내지 제 4 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각의 제 2 가스 분사 공간(S2)에 공급한다. 이러한 가스 활성화 공급 수단(260)은 리모트 플라즈마 발생 방식에 기초하여 공급되는 제 2 가스(G2)를 활성화시킬 수 있다.The gas activation supply means 260 activates the second gas G2 supplied from the second gas supply means and activates the second gas PG activated through the gas supply pipe 262 to the first To the second gas injection space S2 of each of the first to fourth gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d. The gas activation supply means 260 can activate the second gas G2 to be supplied based on the remote plasma generation method.

이와 같은, 본 발명의 또 다른 실시 예에 따른 기판 처리 장치는 가스 활성화 공급 수단(260)을 이용해 제 2 가스(G2)를 활성화시키고, 활성화된 제 2 가스(PG2)를 각 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d)에 공급하여 기판(W) 상에 분사하는 것을 제외하고는 전술한 기판 처리 방법과 동일하므로 이에 대한 중복 설명은 생략하기로 한다.The substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention activates the second gas G2 using the gas activation supply means 260 and supplies the activated second gas PG2 to each gas injection module 130a , 130b, 130c, and 130d, and is sprayed onto the substrate W. Therefore, a duplicate description thereof will be omitted.

이상과 같은 본 발명의 또 다른 실시 예의 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법은 반응 공간을 공간적으로 분할하도록 배치된 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각을 통해 활성화된 제 1 및 제 2 가스(PG1, PG2)를 분사하여 각 기판(W)에 박막을 증착함으로써 박막의 증착 균일도, 증착 속도 및 증착 효율을 더욱 향상시키고, 박막의 막질 제어를 용이하게 할 수 있으며, 각 가스 분사 모듈의 가스 홀 패턴 부재(230)를 이용해 소스 가스의 사용 효율성을 증대 및 박막 물질이 가스 분사구와 가스 분사 공간에 증착되는 것을 최소화할 수 있다.
The substrate processing apparatus and the substrate processing method using the substrate processing apparatus according to another embodiment of the present invention as described above may further include a plurality of gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d arranged to spatially partition the reaction space, The deposition rate and the deposition efficiency of the thin film can be further improved and the film quality of the thin film can be controlled easily by spraying the second gas (PG1, PG2) The gas hole pattern member 230 of the injection module can be used to increase the use efficiency of the source gas and to minimize the deposition of the thin film material in the gas injection hole and the gas injection space.

상술한 바와 같은, 본 발명의 실시 예들에 따른 기판 처리 장치에서는 제 1 및 제 2 가스(G1, G2), 즉 반응 가스(RG)와 소스 가스(SG)를 이용하여 기판 상에 박막 물질을 증착하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되지 않고, 전술한 소스 가스(SG)와 다른 종류의 가스를 혼합한 혼합 가스와 상기 반응 가스(RG)를 이용하여 기판 상에 박막 물질을 증착할 수 있다.In the substrate processing apparatus according to the embodiments of the present invention as described above, the thin film material is deposited on the substrate using the first and second gases G1 and G2, that is, the reactive gas RG and the source gas SG The thin film material may be deposited on the substrate by using the mixed gas of the source gas SG and the gas of the other kind and the reactive gas RG.

예를 들어, 도 9에 도시된 바와 같이, 전술한 상기 제 2 가스(G2)는 퍼지 가스(Purge Gas)(PG) 및 도펀트 가스(Dopant Gas)(DG) 중 적어도 한 종류의 가스(PG, DG)와 상기 소스 가스(SG)가 혼합된 혼합 가스(SG+PG, SG+DG, SG+DG+PG)일 수 있다. 이때, 퍼지 가스(PG)는 기판(W)에 증착되지 않고 남은 소스 가스 및/또는 반응 가스와 반응하지 않고 잔존하는 소스 가스를 퍼지하기 위한 것으로, 질소(N2), 아르곤(Ar), 제논(Ze), 및 헬륨(He) 중 적어도 어느 한 종류의 가스로 이루어질 수 있다. 그리고, 도펀트 가스(DG)는 상기 박막 물질에 도핑될 도펀트를 포함하는 것으로, C2H4, NH3, PH3, 또는 B2H6 등이 될 수 있다. 이때, 도펀트 가스(DG)는 C2H4와 NH3 중 어느 한 종류의 가스와, PH3와 B2H6 중 어느 한 종류의 가스가 혼합되어 이루어질 수 있다.9, the second gas G2 may be at least one of a purge gas PG and a dopant gas DG (PG, (SG + PG, SG + DG, SG + DG + PG) mixed with the source gas (SG) At this time, the purge gas PG is for purifying the remaining source gas without reacting with the source gas and / or the reactive gas left without being deposited on the substrate W. The purge gas PG may be a nitrogen gas, Ze), and helium (He). The dopant gas (DG) includes a dopant to be doped into the thin film material, and may be C2H4, NH3, PH3, or B2H6. At this time, the dopant gas (DG) may be a mixture of any one of C2H4 and NH3 gases and one of PH3 and B2H6 gases.

상기 소스 가스(SG)와 상기 퍼지 가스(PG)가 혼합된 혼합 가스(SG+PG)와 상기 반응 가스(RG)를 사용하는 기판 상에 박막 물질을 증착하는 경우에 있어서, 퍼지 가스(PG)는 기판(W)에 증착되지 않고 남은 소스 가스 및/또는 반응 가스와 반응하지 않고 잔존하는 소스 가스를 제거함으로써 박막 물질의 막질을 향상시킨다.When the thin film material is deposited on the substrate using the mixed gas (SG + PG) in which the source gas (SG) and the purge gas (PG) are mixed and the reactive gas (RG) Improves the film quality of the thin film material by removing the remaining source gas without being deposited on the substrate W and / or the remaining source gas without reacting with the reactive gas.

상기 소스 가스(SG)와 상기 도펀트 가스(DG)가 혼합된 혼합 가스(SG+DG)와 상기 반응 가스(RG)는 기판 상에 폴리 실리콘 박막을 형성하는 박막 증착 공정에 사용될 수 있다. 이 경우, 반응 가스(RG) 대비 상기 소스 가스(SG)와 상기 도펀트 가스(DG) 각각의 조성비는 폴리 실리콘 박막의 막질, 입자 크기, 및 전도도 특성에 따라 다양하게 설정될 수 있다. 이때, 폴리 실리콘 박막을 캡핑층(capping layer)으로 형성하는 경우 상기 도펀트 가스(DG)의 조성비는 폴리 실리콘 박막에 도핑되는 도펀트의 도핑 농도가 높도록 설정된다. 또한, 나노 폴리 실리콘 박막을 형성하는 경우, 상기 도펀트 가스(DG)의 조성비는 폴리 실리콘 박막에 도핑되는 도펀트의 도핑 농도가 낮도록 설정된다.The mixed gas (SG + DG) in which the source gas SG and the dopant gas DG are mixed and the reactive gas RG may be used in a thin film deposition process for forming a polysilicon thin film on a substrate. In this case, the composition ratios of the source gas SG and the dopant gas DG with respect to the reaction gas RG can be variously set according to the film quality, the particle size, and the conductivity characteristics of the polysilicon thin film. At this time, when the polysilicon thin film is formed as a capping layer, the composition ratio of the dopant gas (DG) is set so that the doping concentration of the dopant doped in the polysilicon thin film is high. Further, in the case of forming the nanoposilicon thin film, the composition ratio of the dopant gas (DG) is set so that the doping concentration of the dopant doped in the polysilicon thin film is low.

예를 들어, C2H4와 NH3 중 어느 한 종류의 가스를 포함하여 이루어지는 도펀트 가스(DG)와 실리콘 계열의 소스 가스(SG)가 혼합된 제 2 가스(G2)를 사용하여 기판 상에 폴리 실리콘 박막을 형성할 경우, 도펀트 가스(DG)의 C 또는 N이 실리콘 입자의 성장을 방해하게 되고, 이로 인해 실리콘 입자의 크기는 작아지게 된다.
For example, a polysilicon thin film is formed on a substrate by using a second gas (G2) in which a dopant gas (DG) containing a gas of any one of C2H4 and NH3 and a silicon-based source gas (SG) The C or N of the dopant gas (DG) interferes with the growth of the silicon particles, and the size of the silicon particles becomes small.

도 10은 실리콘 계열의 소스 가스(SG)에 의해 형성되는 실리콘 입자의 크기와 상기 도펀트 가스(DG)와 실리콘 계열의 소스 가스(SG)에 의해 형성되는 실리콘 입자의 크기를 나타내는 도면이다.10 is a view showing the size of the silicon particles formed by the silicon-based source gas SG and the sizes of the silicon particles formed by the dopant gas DG and the silicon-based source gas SG.

도 10의 (a)와 같이 실리콘 계열의 소스 가스(SG)에 의해 형성되는 실리콘 입자의 크기는 도 10의 (b)와 같이 상기 도펀트 가스(DG)와 실리콘 계열의 소스 가스(SG)에 의해 형성되는 실리콘 입자보다 큰 것을 알 수 있다. 따라서, 본 발명은 소스 가스와 도펀트 가스가 혼합된 제 2 가스(G2)를 이용하여 폴리 실리콘 박막을 형성할 경우 실리콘 입자의 크기를 줄일 수 있다.
10 (a), the size of the silicon particles formed by the silicon-based source gas SG is changed by the dopant gas DG and the silicon-based source gas SG as shown in FIG. 10 (b) Is larger than that of the silicon particles to be formed. Therefore, the present invention can reduce the size of the silicon particles when the polysilicon thin film is formed using the second gas (G2) in which the source gas and the dopant gas are mixed.

한편, 전술한 실시 예들에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법에서는 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각이 동일한 가스를 분사하는 것을 설명하였지만, 이에 한정되지 않는다.In the substrate processing apparatus and the substrate processing method using the substrate processing apparatus according to the above-described embodiments, the plurality of gas injection modules 130a, 130b, 130c, and 130d each inject the same gas. However, the present invention is not limited thereto.

일 예로써, 도 11에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 중 일부의 가스 분사 모듈(130a, 130c)은 상기 소스 가스(SG)와 상기 도펀트 가스(DG)의 혼합 가스(SG+DG)로 이루어진 제 2 가스(G2) 및 상기 제 1 가스(G1)를 분사하고, 나머지 가스 분사 모듈(130b, 130d)은 상기 소스 가스(SG)와 상기 퍼지 가스(PG)의 혼합 가스(SG+PG)로 이루어진 제 2 가스(G2) 및 상기 제 1 가스(G1)를 분사할 수 있다. 이때, 상기 일부의 가스 분사 모듈(130a, 130c)은 기판 지지부(120)의 중심부를 기준으로 대각선 방향으로 대칭되고, 상기 나머지 가스 분사 모듈(130b, 130d) 역시 기판 지지부(120)의 중심부를 기준으로 대각선 방향으로 대칭된다.11, the gas injection modules 130a and 130c of the plurality of gas injection modules 130a, 130b, 130c and 130d are connected to the source gas SG and the dopant gas And the remaining gas injection modules 130b and 130d inject the second gas G2 composed of the mixed gas of the source gas SG and the purge gas DG and the first gas G1, A second gas G2 composed of a mixed gas of the first and second gases PG and PG and the first gas G1. The gas injection modules 130a and 130c are symmetrically diagonal with respect to the center of the substrate support 120 and the remaining gas injection modules 130b and 130d are also symmetric with respect to the center of the substrate support 120, In a diagonal direction.

다른 예로써, 도 12에 도시된 바와 같이, 상기 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 중 일부의 가스 분사 모듈(130a, 130c)은 상기 소스 가스(SG)와 상기 도펀트 가스(DG) 및 상기 퍼지 가스(PG)의 혼합 가스(SG+DG+PG)로 이루어진 제 2 가스(G2) 및 상기 제 1 가스(G1)를 분사하고, 나머지 가스 분사 모듈(130b, 130d)은 상기 소스 가스(SG)와 상기 도펀트 가스(DG)의 혼합 가스(SG+DG)로 이루어진 제 2 가스(G2) 및 상기 제 1 가스(G1)를 분사할 수 있다.12, the gas injection modules 130a and 130c of the plurality of gas injection modules 130a, 130b, 130c and 130d are connected to the source gas SG and the dopant gas DG and the purge gas PG and the remaining gas injection modules 130b and 130d inject the first gas G1 and the second gas G2 composed of the mixed gas SG + DG + PG of the purge gas PG, A second gas G2 made of a mixed gas of the source gas SG and the dopant gas DG and the first gas G1 can be injected.

결과적으로, 상기 복수의 가스 분사 모듈(130a, 130b, 130c, 130d) 각각에서 분사되는 상기 제 2 가스(G2)는 상기 도펀트 가스(DG) 및 상기 퍼지 가스(PG) 중에서 선택되는 적어도 한 종류의 가스(DG, PG)를 포함하게 된다.As a result, the second gas G2 injected from each of the plurality of gas injection modules 130a, 130b, 130c and 130d is supplied to at least one kind of the dopant gas DG and the purge gas PG Gas (DG, PG).

본 발명이 속하는 기술분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로 이해해야만 한다. 본 발명의 범위는 상기 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가 개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.It will be understood by those skilled in the art that the present invention may be embodied in other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof. It is therefore to be understood that the above-described embodiments are illustrative in all aspects and not restrictive. The scope of the present invention is defined by the appended claims rather than the detailed description and all changes or modifications derived from the meaning and scope of the claims and their equivalents are to be construed as being included within the scope of the present invention do.

110: 공정 챔버 115: 챔버 리드
120: 기판 지지부 130: 가스 분사부
130a: 제 1 가스 분사 모듈 130b: 제 2 가스 분사 모듈
130c: 제 3 가스 분사 모듈 130d: 제 4 가스 분사 모듈
140: 플라즈마 전원 공급부 210: 접지 전극 프레임
230: 가스 홀 패턴 부재 250: 플라즈마 전극110: process chamber 115: chamber lead
120: substrate supporting part 130:
130a: first gas injection module 130b: second gas injection module
130c: third gas injection module 130d: fourth gas injection module
140: plasma power supply unit 210: ground electrode frame
230: gas hole pattern member 250: plasma electrode

Claims (23)

공정 챔버;
복수의 기판을 지지하도록 상기 공정 챔버에 설치되어 소정 방향으로 회전하는 기판 지지부;
상기 기판 지지부에 대향되도록 상기 공정 챔버의 상부를 덮는 챔버 리드; 및
상기 챔버 리드에 일정한 간격으로 삽입 설치되어 기판 상에 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 분사하는 복수의 가스 분사 모듈을 가지는 가스 분사부를 포함하고,
상기 복수의 가스 분사 모듈은,
상기 제 1 가스를 분사하는 제 1 가스 분사 공간; 및
상기 제 2 가스를 분사하는 제 2 가스 분사 공간을 포함하며,
상기 제 1 가스 분사 공간은 가스 홀 패턴 부재 없이 개구되어 제 1 가스를 분사하고,
상기 제 2 가스 분사 공간은 가스 홀 패턴 부재를 통하여 제 2 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.A process chamber;
A substrate support installed in the process chamber to support a plurality of substrates and rotated in a predetermined direction;
A chamber lid that covers the top of the process chamber to face the substrate support; And
And a plurality of gas injection modules inserted into the chamber lid at regular intervals to inject first and second gases different from each other on the substrate,
Wherein the plurality of gas injection modules comprise:
A first gas injection space for injecting the first gas; And
And a second gas injection space for injecting the second gas,
Wherein the first gas injection space is opened without a gas hole pattern member to inject the first gas,
And the second gas injection space injects the second gas through the gas hole pattern member. 제 1 항에 있어서,
상기 복수의 가스 분사 모듈은 상기 제 1 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 1 가스를 활성화시켜 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the plurality of gas injection modules activate and discharge the first gas supplied to the first gas injection space. 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은,
공간적으로 분리된 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간을 가지는 접지 전극 프레임; 및
상기 접지 전극 프레임과 전기적으로 절연되도록 상기 제 1 가스 분사 공간에 삽입 설치되어 상기 제 1 가스 분사 공간에 플라즈마를 발생시켜 상기 제 1 가스를 활성화시키는 플라즈마 전극을 포함하고,
상기 가스 홀 패턴 부재는 상기 제 2 가스 분사 공간의 하면을 덮도록 상기 접지 전극 프레임에 설치되거나 일체화되어 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스를 상기 제 1 가스의 분사 압력보다 높은 압력으로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein each of the plurality of gas injection modules includes:
A ground electrode frame having the first and second gas injection spaces spatially separated; And
And a plasma electrode inserted in the first gas injection space to be electrically insulated from the ground electrode frame to generate plasma in the first gas injection space to activate the first gas,
Wherein the gas hole pattern member is installed or integrated with the ground electrode frame so as to cover the lower surface of the second gas injection space to pressurize the second gas supplied to the second gas injection space with a pressure higher than the injection pressure of the first gas To the substrate processing apparatus. 제 3 항에 있어서,
플라즈마를 이용하여 상기 제 2 가스를 활성화시켜 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급하는 가스 활성화 공급 수단을 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method of claim 3,
Further comprising gas activation supply means for activating said second gas using plasma to supply said second gas to said second gas injection space. 제 2 항에 있어서,
상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급되는 상기 제 2 가스를 활성화시켜 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.3. The method of claim 2,
Wherein each of the plurality of gas injection modules activates and injects the second gas supplied to the second gas injection space. 제 5 항에 있어서,
상기 복수의 가스 분사 모듈 각각은,
공간적으로 분리된 상기 제 1 및 제 2 가스 분사 공간을 가지는 접지 전극 프레임;
상기 접지 전극 프레임과 전기적으로 절연되도록 상기 제 1 가스 분사 공간에 삽입 설치되어 상기 제 1 가스 분사 공간에 플라즈마를 발생시켜 상기 제 1 가스를 활성화시키는 제 1 플라즈마 전극; 및
상기 접지 전극 프레임과 전기적으로 절연되도록 상기 제 2 가스 분사 공간에 삽입 설치되어 상기 제 2 가스 분사 공간에 플라즈마를 발생시켜 상기 제 2 가스를 활성화시키는 제 2 플라즈마 전극을 포함하고,
상기 가스 홀 패턴 부재는 상기 제 2 가스 분사 공간의 하면을 덮도록 상기 접지 전극 프레임에 설치되거나 일체화되어 상기 활성화된 제 2 가스를 상기 제 1 가스의 분사 압력보다 높은 압력으로 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.6. The method of claim 5,
Wherein each of the plurality of gas injection modules includes:
A ground electrode frame having the first and second gas injection spaces spatially separated;
A first plasma electrode inserted in the first gas injection space to be electrically insulated from the ground electrode frame to generate plasma in the first gas injection space to activate the first gas; And
And a second plasma electrode inserted in the second gas injection space to be electrically insulated from the ground electrode frame to generate plasma in the second gas injection space to activate the second gas,
Wherein the gas hole pattern member is installed or integrated with the ground electrode frame so as to cover the lower surface of the second gas injection space to inject the activated second gas at a pressure higher than the injection pressure of the first gas / RTI > 삭제delete 삭제delete 삭제delete 삭제delete 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 가스는 상기 기판에 형성될 박막 물질을 포함하는 소스 가스이고,
상기 제 1 가스는 상기 기판에 분사된 제 2 가스와 반응하여 상기 기판에 박막을 형성하기 위한 반응 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.7. The method according to any one of claims 1 to 6,
Wherein the second gas is a source gas comprising a thin film material to be formed on the substrate,
Wherein the first gas is a reactive gas for forming a thin film on the substrate by reacting with the second gas sprayed on the substrate. 제 11 항에 있어서,
상기 제 2 가스는 퍼지 가스 및 도펀트 가스 중 적어도 한 종류의 가스를 더 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.12. The method of claim 11,
Wherein the second gas further comprises at least one gas of a purge gas and a dopant gas. 제 12 항에 있어서,
상기 제 2 가스의 분사량은 상기 제 1 가스의 분사량보다 적은 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.13. The method of claim 12,
Wherein an injection amount of the second gas is smaller than an injection amount of the first gas. 제 1 항에 있어서,
상기 가스 홀 패턴 부재는 극성이 없는 절연판으로 형성된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the gas hole pattern member is formed of an insulating plate having no polarity. 제 1 항에 있어서,
상기 가스 홀 패턴 부재는 가스 홀 패턴의 직경에 의해 상기 제 2 가스의 분사량을 조절하는 가스 분사구를 가지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The method according to claim 1,
Wherein the gas hole pattern member has a gas injection hole for adjusting the injection amount of the second gas by the diameter of the gas hole pattern. 공정 챔버에 설치된 기판 지지부에 복수의 기판을 일정한 간격으로 안착시키는 단계;
상기 복수의 기판이 안착된 기판 지지부를 회전시키는 단계; 및
상기 기판 지지부의 상부에 일정한 간격으로 배치된 복수의 가스 분사 모듈 각각에 공간적으로 분리되어 마련된 제 1 및 제 2 가스 분사 공간 각각을 통해 서로 상이한 제 1 및 제 2 가스를 기판 상에 분사하는 단계를 포함하고,
상기 제 1 가스 분사 공간은 가스 홀 패턴 부재 없이 개구되어 상기 제 1 가스를 분사하고, 상기 제 2 가스 분사 공간은 가스 홀 패턴 부재를 통하여 상기 제 2 가스를 분사하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.Placing a plurality of substrates at regular intervals on a substrate support disposed in a process chamber;
Rotating the substrate support on which the plurality of substrates are mounted; And
And spraying the first and second gases on the substrate through the first and second gas injection spaces spatially separated from the plurality of gas injection modules arranged at regular intervals above the substrate support, Including,
Wherein the first gas injection space is open without a gas hole pattern member and injects the first gas, and the second gas injection space injects the second gas through the gas hole pattern member. 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 가스는 상기 제 1 가스 분사 공간에 발생되는 플라즈마에 의해 활성화되어 기판 상에 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.17. The method of claim 16,
Wherein the first gas is activated by a plasma generated in the first gas injection space and is sprayed onto the substrate. 제 16 항에 있어서,
상기 제 1 및 제 2 가스를 기판 상에 분사하는 단계는 플라즈마를 이용하여 상기 제 2 가스를 활성화시키고, 활성화된 제 2 가스를 상기 제 2 가스 분사 공간에 공급하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.17. The method of claim 16,
Wherein the step of injecting the first and second gases onto the substrate includes activating the second gas using a plasma and supplying the activated second gas to the second gas injection space Lt; / RTI > 제 16 항에 있어서,
상기 제 2 가스는 상기 제 2 가스 분사 공간에 발생되는 플라즈마에 의해 활성화되어 기판 상에 분사되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.17. The method of claim 16,
Wherein the second gas is activated by the plasma generated in the second gas injection space and is sprayed onto the substrate. 삭제delete 삭제delete 제 16 항 내지 제 19 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 2 가스는 상기 기판에 형성될 박막 물질을 포함하는 소스 가스이고,
상기 제 1 가스는 상기 기판에 분사된 제 2 가스와 반응하여 상기 기판에 박막을 형성하기 위한 반응 가스인 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.20. The method according to any one of claims 16 to 19,
Wherein the second gas is a source gas comprising a thin film material to be formed on the substrate,
Wherein the first gas is a reactive gas for reacting with the second gas sprayed on the substrate to form a thin film on the substrate. 제 22 항에 있어서,
상기 제 2 가스는 퍼지 가스 및 도펀트 가스 중 적어도 한 종류의 가스를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.23. The method of claim 22,
Wherein the second gas comprises at least one kind of gas of a purge gas and a dopant gas.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3239437U (en) 2022-08-01 2022-10-13 株式会社エルメックス Diluent storage container
KR20240031783A (en) * 2022-09-01 2024-03-08 주식회사 테스 Method of dry etching

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120114877A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Synos Technology, Inc. Radical Reactor with Multiple Plasma Chambers

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101185298B1 (en) * 2003-08-20 2012-09-21 비코 인스트루먼츠 인코포레이티드 Alkyl push flow for vertical flow rotating disk reactors
KR20100077828A (en) * 2008-12-29 2010-07-08 주식회사 케이씨텍 Atomic layer deposition apparatus
KR101081743B1 (en) * 2009-08-17 2011-11-09 주성엔지니어링(주) Appratus for treating substrate
KR101625078B1 (en) * 2009-09-02 2016-05-27 주식회사 원익아이피에스 Gas injecting device and Substrate processing apparatus using the same

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20120114877A1 (en) 2010-11-05 2012-05-10 Synos Technology, Inc. Radical Reactor with Multiple Plasma Chambers

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11225715B2 (en) 2019-04-11 2022-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Showerhead, semiconductor manufacturing apparatus including the same, and semiconductor manufacturing method

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