KR101884256B1 - Temporary bonding film, laminate, composition for temporary bonding, and method and kit for manufacturing device - Google Patents

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Abstract

디바이스 웨이퍼에 기계적 또는 화학적인 처리를 실시할 때에, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있고, 또한 내약성이 우수한 가접착막, 적층체, 가접착용 조성물, 디바이스의 제조 방법 및 키트를 제공한다.
이 가접착막은, 접착 영역과, 접착 영역의 표면 상의 이형 영역을 갖고, 접착 영역은, 25℃에서 10℃/분으로 승온했을 때의 400℃에 있어서의 질량 감소율이 1질량% 이하이며, 25℃의 N-메틸피롤리돈에 대한 용해도가 1g/100g Solvent 이하이다.
It is possible to stably adhere the device wafer to the device wafer when mechanically or chemically treating the device wafer and to easily release adherence of the device wafer to the device wafer, , A composition for adhesion, a method of manufacturing a device, and a kit.
The adhesive film has a bonding area and a releasing area on the surface of the bonding area. The bonding area has a mass reduction rate of 1% by mass or less at 400 ° C when the temperature is raised at 25 ° C / 10 ° C / The solubility in N-methylpyrrolidone is less than 1 g / 100 g Solvent.

Description

가접착막, 적층체, 가접착용 조성물, 디바이스의 제조 방법 및 키트{TEMPORARY BONDING FILM, LAMINATE, COMPOSITION FOR TEMPORARY BONDING, AND METHOD AND KIT FOR MANUFACTURING DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a bonding film, a laminate, a composition for adhesion, a device manufacturing method, and a kit (TEMPORARY BONDING FILM, LAMINATE, COMPOSITION FOR TEMPORARY BONDING, AND METHOD AND KIT FOR MANUFACTURING DEVICE)

본 발명은, 가접착막, 적층체, 가접착용 조성물, 디바이스의 제조 방법 및 키트에 관한 것이다. 더 자세하게는, 반도체 장치 등의 각종 디바이스의 제조 등에 바람직하게 이용할 수 있는, 가접착막, 적층체, 가접착용 조성물, 디바이스의 제조 방법 및 키트에 관한 것이다.The present invention relates to an adhesive film, a laminate, a composition for adhering, a method of manufacturing a device, and a kit. More particularly, the present invention relates to an adhesive film, a laminate, a composition for bonding, a method of manufacturing a device, and a kit, which can be preferably used for manufacturing various devices such as semiconductor devices.

IC(집적 회로)나 LSI(대규모 집적 회로) 등의 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 디바이스 웨이퍼 상에 다수의 IC칩이 형성되어, 다이싱에 의하여 개편화된다.BACKGROUND ART [0002] In a manufacturing process of a semiconductor device such as an IC (integrated circuit) or an LSI (large-scale integrated circuit), a plurality of IC chips are formed on a device wafer and are separated by dicing.

전자 기기의 추가적인 소형화 및 고성능화의 요구에 따라, 전자 기기에 탑재되는 IC칩에 대해서도 추가적인 소형화 및 고집적화가 요구되고 있지만, 디바이스 웨이퍼의 면방향에 있어서의 집적 회로의 고집적화는 한계에 가까워지고 있다.Further miniaturization and high integration of IC chips mounted on electronic devices are required due to the demand for further miniaturization and high performance of electronic devices, but the integration of integrated circuits in the plane direction of device wafers is approaching the limit.

IC칩 내의 집적 회로로부터, IC칩의 외부 단자에 대한 전기적인 접속 방법으로서는, 종래부터, 와이어 본딩법이 널리 알려져 있는데, IC칩의 소형화를 도모하기 위하여, 최근, 디바이스 웨이퍼에 관통공을 마련하여, 외부 단자로서의 금속 플러그를 관통공 내를 관통하도록 집적 회로에 접속하는 방법(이른바, 실리콘 관통 전극(TSV)을 형성하는 방법)이 알려져 있다. 그러나, 실리콘 관통 전극을 형성하는 방법만으로는, 상기한 최근의 IC칩에 대한 추가적인 고집적화의 요구에 충분히 응할 수 있는 것은 아니다.Conventionally, a wire bonding method has been widely known as an electrical connection method from an integrated circuit in an IC chip to an external terminal of the IC chip. In order to miniaturize the IC chip, a through hole is recently formed in the device wafer (A method of forming a so-called silicon penetration electrode (TSV)) is known in which a metal plug as an external terminal is connected to an integrated circuit so as to pass through the through hole. However, the method of forming the silicon through electrode alone can not sufficiently meet the recent demand for higher integration of the IC chip.

이상을 감안하여, IC칩 내의 집적 회로를 다층화함으로써, 디바이스 웨이퍼의 단위면적당 집적도를 향상시키는 기술이 알려져 있다. 그러나, 집적 회로의 다층화는, IC칩의 두께를 증대시키기 때문에, IC칩을 구성하는 부재의 박형화가 필요하다. 이와 같은 부재의 박형화로서는, 예를 들면 디바이스 웨이퍼의 박형화가 검토되고 있어, IC칩의 소형화로 이어질 뿐만 아니라, 실리콘 관통 전극의 제조에 있어서의 디바이스 웨이퍼의 관통공 제조 공정을 생력화(省力化)할 수 있는 점에서, 유망시되고 있다. 또, 파워 디바이스·이미지 센서 등의 반도체 디바이스에 있어서도, 상기 집적도의 향상이나 디바이스 구조의 자유도 향상의 관점에서, 박형화가 시도되고 있다.In view of the above, there is known a technique for improving the degree of integration per unit area of a device wafer by making the integrated circuit in the IC chip multilayered. However, since the thickness of the IC chip is increased in the multilayered structure of the integrated circuit, it is necessary to reduce the thickness of the member constituting the IC chip. As for thinning of such a member, for example, the thinning of the device wafer has been studied, leading to the miniaturization of the IC chip, and the manufacturing process of the through-hole of the device wafer in the production of the silicon through- In terms of being able, it is becoming promising. In addition, in semiconductor devices such as power devices and image sensors, thinning has been attempted from the viewpoints of improvement of the degree of integration and freedom of device structure.

디바이스 웨이퍼로서는, 약 700~900μm의 두께를 갖는 것이 널리 알려져 있는데, 최근, IC칩의 소형화 등을 목적으로, 디바이스 웨이퍼의 두께를 200μm 이하가 될 때까지 얇게 하는 것이 시도되고 있다.As device wafers, those having a thickness of about 700 to 900 mu m are widely known. In recent years, attempts have been made to thin device wafer thicknesses to 200 mu m or less for the purpose of miniaturization of IC chips and the like.

그러나, 두께 200μm 이하의 디바이스 웨이퍼는 매우 얇고, 이것을 기재로 하는 반도체 디바이스 제조용 부재도 매우 얇기 때문에, 이와 같은 부재에 대하여 추가적인 처리를 실시하거나, 혹은 이와 같은 부재를 단순히 이동시키거나 하는 경우 등에 있어서, 부재를 안정적으로, 또한 손상을 주는 일 없이 지지하는 것은 곤란하다.However, a device wafer having a thickness of 200 占 퐉 or less is very thin, and since a semiconductor device manufacturing member made of the substrate is very thin, additional processing is performed on such a member, or when such a member is simply moved, It is difficult to stably support the member without damaging it.

상기와 같은 문제를 해결하기 위하여, 박형화 전의 디바이스 웨이퍼와 지지 기판(캐리어 기판)을 가접착제에 의하여 일시적으로 고정(가접착)하고, 디바이스 웨이퍼의 이면을 연삭하여 박형화한 후에, 디바이스 웨이퍼로부터 지지 기판을 탈리시키는 기술이 알려져 있다.In order to solve the above problems, the device wafer and the supporting substrate (carrier substrate) before thinning are temporarily fixed (adhered) by an adhesive, and the back surface of the device wafer is ground to be thinned. Is known.

예를 들면, 특허문헌 1에는, 지지 부재 및 디바이스 웨이퍼의 사이에, 특정 폴리이미드 수지를 포함하여 이루어지는 가고정용 필름을 개재시켜, 지지 부재에 디바이스 웨이퍼를 가고정하는 공정과, 지지 부재에 가고정된 디바이스 웨이퍼에 소정의 가공을 실시하는 공정과, 유기 용제를 가고정용 필름에 접촉시켜 가고정용 필름의 일부 또는 전부를 용해하고, 지지 부재로부터 가공된 디바이스 웨이퍼를 분리하는 공정과, 가공된 디바이스 웨이퍼를 개편화하는 공정을 갖는, 반도체 장치의 제조 방법이 개시되어 있다.For example, Patent Document 1 discloses a method for manufacturing a semiconductor device, which includes a step of temporarily fixing a device wafer to a support member with a temporarily fixing film comprising a specific polyimide resin interposed between the support member and the device wafer, A step of subjecting the device wafer to predetermined processing, a step of bringing the organic solvent into contact with the temporary film to dissolve a part or all of the temporary film, and to separate the processed device wafer from the supporting member, A method of manufacturing a semiconductor device having a step of disposing a semiconductor device is disclosed.

한편, 특허문헌 2에는, 반도체 소자끼리, 또는 반도체 소자와 지지 기판을 접착하는 반도체 소자 고정용 접착제(다이본딩용 접착제)에 관한 발명이 개시되어 있다. 이러한 접착제로서, (A1) 유리 전이 온도가 60℃ 이하 또한 중량 평균 분자량이 10000~100000인 폴리이미드 수지, 및 (A2) 수지분이 20질량%가 되도록 N-메틸-2-피롤리돈에 용해시켰을 때의 25℃에 있어서의 점도가 10포이즈 이상인 비폴리이미드 수지를 함유하는 (A) 열가소성 수지와, (B1) 에폭시 수지, 및 (B2) 비스말레이미드 수지를 함유하는 (B) 열경화성 성분을 포함하는 접착제 조성물을 시트 형상으로 성형하여 이루어지는 것이 개시되어 있다.On the other hand, Patent Document 2 discloses an invention relating to a semiconductor element fixing adhesive (an adhesive for die bonding) for bonding semiconductor elements or a semiconductor element to a support substrate. (A1) a polyimide resin having a glass transition temperature of 60 占 폚 or less and a weight average molecular weight of 10,000 to 100,000, and (A2) a resin component in an amount of 20% by mass in N-methyl-2-pyrrolidone (B) a thermoplastic component (B) containing a thermoplastic resin (A) containing a polyimide resin having a viscosity at 25 ° C of at least 10 poise at 25 ° C and an epoxy resin (B1) and a bismaleimide resin Is formed into a sheet shape.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 2014-29999호Patent Document 1: JP-A-2014-29999 특허문헌 2: 일본 공개특허공보 2012-241134호Patent Document 2: JP-A-2012-241134

디바이스 웨이퍼의 표면과 지지 기판을 가접착하는 경우에는, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로 지지하기 위하여, 디바이스 웨이퍼의 표면과 지지 기판의 사이의 가접착막에는 일정한 강도의 접착력이 요구됨과 함께, 디바이스 웨이퍼와 지지 기판의 가접착 상태를 용이하게 해제할 수 있는 특성이 요구되고 있다.In the case where the surface of the device wafer and the supporting substrate are adhered to each other, an adhering force between the surface of the device wafer and the supporting substrate is required to have a constant strength, There is a demand for a property of easily releasing the adhesion state of the substrate.

특허문헌 1에서는, 가고정용 필름으로서 유기 용제에 가용인 것을 이용하여, 유기 용제를 가고정용 필름에 접촉시킴으로써, 디바이스 웨이퍼에 대한 가지지를 해제하고 있다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 특허문헌 1에 개시된 가고정용 필름은, 내약성이 뒤떨어지는 것을 알 수 있었다.Patent Document 1 discloses that a film for temporary fixation is released from a device wafer by contacting an organic solvent with a temporary film using a film which is soluble in an organic solvent. However, according to the investigations of the present inventors, it has been found that the temporary fixing film disclosed in Patent Document 1 is inferior in tolerance.

디바이스의 제조 프로세스에서는, 다양한 약품이 사용되는 경우가 있다. 예를 들면, 디바이스 웨이퍼를 습식 프로세스로 박막화하는 경우에는, 에칭액이 사용된다. 이로 인하여, 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 다양한 약품에 노출되는 경우가 있는 가접착막은, 내약성의 향상이 요구되고 있다.In the device manufacturing process, various chemicals may be used. For example, when the device wafer is thinned by a wet process, an etchant is used. Therefore, in the manufacturing process of the device, there is a demand for an improvement in tolerance of the adhesive film which may be exposed to various chemicals.

또, 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 최근에는, 디바이스는 보다 고온에서의 처리에 제공되는 경우가 있다. 이로 인하여, 다양한 제조 프로세스에 대응하기 위하여, 가접착막에 있어서도, 내열성의 추가적인 향상이 요구되고 있다.Further, in the device manufacturing process, recently, a device may be provided for processing at a higher temperature. Therefore, in order to cope with various manufacturing processes, further improvement of the heat resistance is demanded in the adhesive film.

또한, 특허문헌 2에 개시된 발명은, 반도체 소자끼리, 또는 반도체 소자와 지지 기판을 접착하기 위하여 이용하는 반도체 소자 고정용 접착제에 관한 발명으로서, 디바이스 웨이퍼와 지지 기판을 가접착하는 것은 아니다. 이로 인하여, 특허문헌 2의 반도체 소자 고정용 접착제는, 디바이스 웨이퍼와 지지 기판의 가접착을 해제할 수 있는 특성을 구비하는 것은 아니다.In addition, the invention disclosed in Patent Document 2 is an invention relating to an adhesive for fixing a semiconductor element used for bonding semiconductor elements or a semiconductor element and a support substrate, and does not adhere the device wafer and the support substrate to each other. As a result, the semiconductor element fixing adhesive of Patent Document 2 does not have such a property as to release adhesion between the device wafer and the support substrate.

본 발명은, 상기 배경을 감안하여 이루어진 것이며, 그 목적은, 디바이스 웨이퍼에 기계적 또는 화학적인 처리를 실시할 때에, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있고, 또한 내약성이 우수한 가접착막, 적층체, 가접착용 조성물, 디바이스의 제조 방법 및 키트를 제공하는 것에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above background and an object of the present invention is to provide a device wafer which can stably adhere to a device wafer when mechanically or chemically treating the device wafer, A laminate, a composition for adhesion, a method of manufacturing a device, and a kit.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토한 결과, 25℃에서 10℃/분으로 승온했을 때의 400℃에 있어서의 질량 감소율이 1질량% 이하이며, 25℃의 N-메틸피롤리돈에 대한 용해도가 1g/100g Solvent 이하인 접착 영역과, 접착 영역의 표면 상의 이형 영역을 갖는 가접착막은, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있고, 또한 내약성이 우수한 것을 발견하여, 이들 발견에 근거하여, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 본 발명은, 이하를 제공한다.Means for Solving the Problems As a result of intensive studies to solve the above problems, the inventors of the present invention have found that when the temperature rise at 25 占 폚 at 10 占 폚 / min, the mass reduction rate at 400 占 폚 is 1% by mass or less and N-methylpyrrolidone Is not more than 1 g / 100 g Solvent, and the adhesion layer having a release area on the surface of the adhesion area can stably adhere the device wafer and can easily release adhesion to the device wafer And has excellent tolerance, and based on these findings, the present invention has been accomplished. The present invention provides the following.

<1> 접착 영역과, 접착 영역의 표면 상의 이형 영역을 갖고, 접착 영역은, 25℃에서 10℃/분으로 승온했을 때의 400℃에 있어서의 질량 감소율이 1질량% 이하이며, 25℃의 N-메틸피롤리돈에 대한 용해도가 1g/100g Solvent 이하인, 가접착막.&Lt; 1 > The adhesive sheet according to any one of &lt; 1 &gt;, wherein the adhesive region has a releasing region on the surface of the adhesive region and the adhesive region has a mass reduction rate of 1% by mass or less at 400 deg. A solubility in N-methylpyrrolidone of 1 g / 100 g Solvent or less.

<2> 접착 영역은, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리벤즈이미다졸 수지 및 폴리벤조옥사졸 수지로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 복소환 함유 수지와, 말레이미드 수지를 함유하는, <1>에 기재된 가접착막.&Lt; 2 > The bonding region is formed by a resin composition comprising a resin containing a heterocyclic ring containing at least one member selected from a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polybenzimidazole resin and a polybenzoxazole resin and a maleimide resin, 1 &gt;.

<3> 복소환 함유 수지가, γ-뷰티로락톤, 사이클로펜탄온, N-메틸피롤리돈, 사이클로헥산온, 글라이콜에터, 다이메틸설폭사이드 및 테트라메틸유레아로부터 선택되는 적어도 1종의 용제에 대한 25℃에서의 용해도가 10g/100g Solvent 이상인 폴리이미드 수지인, <2>에 기재된 가접착막.<3> The resin composition according to <3>, wherein the heterocyclic ring-containing resin is at least one selected from the group consisting of γ-butyrolactone, cyclopentanone, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone, glycol ether, dimethylsulfoxide and tetramethylurea Is a polyimide resin having a solubility of not less than 10 g / 100 g Solvent at 25 캜 with respect to a solvent of the following formula (1).

<4> 말레이미드 수지가, 비스말레이미드 수지인 <2> 또는 <3>에 기재된 가접착막.<4> The adhesion film according to <2> or <3>, wherein the maleimide resin is a bismaleimide resin.

<5> 접착 영역에 포함되는 가교 성분의 50~100질량%가 말레이미드 수지인, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 가접착막.<5> The adhesive film according to any one of <1> to <4>, wherein 50 to 100% by mass of the crosslinking component contained in the adhesive region is a maleimide resin.

<6> 접착 영역은, 열중합 개시제를 더 함유하는, <1> 내지 <5> 중 어느 하나에 기재된 가접착막.<6> The adhesion film according to any one of <1> to <5>, wherein the adhesion region further contains a thermal polymerization initiator.

<7> 열중합 개시제는, 1분간 반감기 온도가 130~300℃인, <6>에 기재된 가접착막.<7> The adhesive layer according to <6>, wherein the thermal polymerization initiator has a half-life temperature for one minute of 130 to 300 ° C.

<8> 열중합 개시제는, 유기 과산화물인, <6> 또는 <7>에 기재된 가접착막.<8> The adhesion film according to <6> or <7>, wherein the thermal polymerization initiator is an organic peroxide.

<9> 이형 영역은, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 화합물을 포함하는, <1> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 가접착막.<9> The adhesive layer according to any one of <1> to <8>, wherein the release region comprises a compound containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom.

<10> 이형 영역은, 불소계 실레인 커플링제를 함유하는, <1> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 가접착막.<10> The adhesive film according to any one of <1> to <9>, wherein the releasing region contains a fluorine-based silane coupling agent.

<11> <1> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 가접착막의 이형 영역측의 표면에, 디바이스 웨이퍼를 갖는, 적층체.&Lt; 11 > A laminate having a device wafer on a surface on a release-region side of a self-adhesive film according to any one of <1> to <10>.

<12> 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리벤즈이미다졸 수지 및 폴리벤조옥사졸 수지로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 복소환 함유 수지와, 가교 성분과, 용제를 함유하고, 가교 성분의 50~100질량%가 말레이미드 수지인, 가접착용 조성물.<12> A resin composition containing a heterocyclic ring-containing resin containing at least one member selected from a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polybenzimidazole resin and a polybenzoxazole resin, a crosslinking component and a solvent, And 50 to 100 mass% is a maleimide resin.

<13> 복소환 함유 수지는, γ-뷰티로락톤, 사이클로펜탄온, N-메틸피롤리돈, 사이클로헥산온, 글라이콜에터, 다이메틸설폭사이드 및 테트라메틸유레아로부터 선택되는 적어도 1종의 용제에 대한 25℃에서의 용해도가 10g/100g Solvent 이상인 폴리이미드 수지인, <12>에 기재된 가접착용 조성물.The heterocyclic ring-containing resin may be at least one selected from the group consisting of γ-butyrolactone, cyclopentanone, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone, glycol ether, dimethyl sulfoxide and tetramethylurea Is a polyimide resin having a solubility of not less than 10 g / 100 g Solvent at 25 캜 with respect to a solvent of the composition.

<14> 말레이미드 수지가, 비스말레이미드 수지인 <12> 또는 <13>에 기재된 가접착용 조성물.&Lt; 14 > The composition according to < 12 >, wherein the maleimide resin is a bismaleimide resin.

<15> 열중합 개시제를 더 함유하는, <12> 내지 <14> 중 어느 하나에 기재된 가접착용 조성물.<15> The adhesive composition according to any one of <12> to <14>, further comprising a thermal polymerization initiator.

<16> 열중합 개시제는, 1분간 반감기 온도가 130~300℃인, <15>에 기재된 가접착용 조성물.The thermosetting polymerization initiator has a half-life temperature for one minute of 130 to 300 ° C.

<17> 열중합 개시제는, 유기 과산화물인, <16>에 기재된 가접착용 조성물.The thermosetting polymerization initiator is an organic peroxide.

<18> 이형 성분을 더 함유하는, <12> 내지 <17> 중 어느 하나에 기재된 가접착용 조성물.<18> The adhesive composition according to any one of <12> to <17>, further comprising a releasing component.

<19> 이형 성분은, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 화합물을 포함하는, <18>에 기재된 가접착용 조성물.<19> The adhesive bonding composition according to <18>, wherein the releasing component comprises a compound containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom.

<20> 이형 성분은, 불소계 실레인 커플링제인, <18> 또는 <19>에 기재된 가접착용 조성물.<20> The adhesive composition according to <18> or <19>, wherein the releasing component is a fluorine-based silane coupling agent.

<21> <12> 내지 <20> 중 어느 하나에 기재된 가접착용 조성물을 도포하는 공정을 포함하는, 디바이스의 제조 방법.&Lt; 21 > A method for manufacturing a device, which comprises a step of applying the adhesive composition according to any one of <12> to <20>.

<22> <1> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 가접착막을 형성하기 위한 키트로서, <12> 내지 <20> 중 어느 하나에 기재된 가접착용 조성물과, 이형 성분 및 용제를 포함하는 이형 영역 형성용 조성물을 포함하는 키트.<22> A kit for forming an adhesion film according to any one of <1> to <10>, which comprises a composition for adhesion as described in any one of <12> to <20>, a release mold A kit comprising a composition for forming a region.

본 발명에 의하면, 디바이스 웨이퍼에 기계적 또는 화학적인 처리를 실시할 때에, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있고, 또한 내약성이 우수한 가접착막을 제공 가능하게 되었다. 또, 적층체, 가접착용 조성물, 디바이스의 제조 방법 및 키트를 제공 가능하게 되었다.According to the present invention, when performing a mechanical or chemical treatment on a device wafer, it is possible to stably adhere the device wafer, to easily release the adhesion to the device wafer, An adhesive film can be provided. In addition, it becomes possible to provide a laminate, a composition for adhesion, a device manufacturing method, and a kit.

도 1에 있어서, 도 1A, 도 1B 및 도 1C는, 각각, 지지 기판과 디바이스 웨이퍼의 가접착을 설명하는 개략 단면도, 지지 기판에 의하여 가접착된 디바이스 웨이퍼를 나타내는 개략 단면도, 및 지지 기판에 의하여 가접착된 디바이스 웨이퍼가 박형화된 상태를 나타내는 개략 단면도이다.1A, 1B, and 1C are schematic cross-sectional views illustrating the adhesion of a support substrate and a device wafer, respectively, a schematic cross-sectional view showing a device wafer adhered by a support substrate, and FIGS. Is a schematic cross-sectional view showing a state in which a device wafer to which an adhesive is adhered is thinned.

이하, 본 발명의 실시형태를 상세하게 설명한다.Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail.

본 명세서에 있어서의 기(원자단)의 표기에 있어서, 치환 및 무치환을 기재하지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 것과 함께 치환기를 갖는 것도 포함하는 것이다. 예를 들면, "알킬기"란, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기)뿐만 아니라, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)도 포함하는 것이다.In the notation of the group (atomic group) in the present specification, the notation in which substitution and non-substitution are not described includes those having a substituent and having a substituent. For example, the "alkyl group" includes not only an alkyl group having no substituent (an unsubstituted alkyl group) but also an alkyl group having a substituent (substituted alkyl group).

본 명세서 중에 있어서의 "활성광선" 또는 "방사선"은, 예를 들면 가시광 선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 포함하는 것을 의미한다.The term "active ray" or "radiation" in the present specification means, for example, visible ray, ultraviolet ray, far ultraviolet ray, electron ray, X ray and the like.

본 명세서에 있어서, "광"이란, 활성광선 또는 방사선을 의미하고 있다.In the present specification, the term "light" means an actinic ray or radiation.

본 명세서에 있어서, "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 수은등, 자외선, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, X선, EUV광 등에 의한 노광뿐만 아니라, 전자선 및 이온빔 등의 입자선에 의한 묘화도 의미하고 있다.As used herein, the term "exposure" means not only exposure by deep ultraviolet rays such as mercury lamps, ultraviolet rays, and excimer lasers, X-rays, EUV light, etc., but also drawing by particle beams such as electron beams and ion beams It means.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, 아크릴레이트 및 메타아크릴레이트를 나타내고, "(메트)아크릴"은, 아크릴 및 메타아크릴을 나타내며, "(메트)아크릴로일"은, "아크릴로일" 및 "메타크릴로일"을 나타낸다.As used herein, "(meth) acrylate" refers to acrylate and methacrylate, "(meth) acrylic" refers to acrylic and methacrylic, "(meth) acryloyl" Quot; and "methacryloyl ".

본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량 및 수평균 분자량은, 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC) 측정에 의한 폴리스타이렌 환산값으로서 정의된다. 본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면 HLC-8220(도소(주)제)을 이용하여, 칼럼으로서 TSKgel Super AWM-H(도소(주)제, 6.0mmID×15.0cm)를, 용리액으로서 10mmol/L 리튬 브로마이드 NMP(N-메틸피롤리딘온) 용액을 이용함으로써 구할 수 있다.In the present specification, the weight average molecular weight and the number average molecular weight are defined as polystyrene reduced values by Gel Permeation Chromatography (GPC) measurement. In this specification, the weight average molecular weight (Mw) and the number average molecular weight (Mn) can be measured by using, for example, HLC-8220 (manufactured by TOSOH CORPORATION) as a column, TSKgel Super AWM- , 6.0 mm ID x 15 cm) can be obtained by using 10 mmol / L lithium bromide NMP (N-methylpyrrolidinone) solution as an eluent.

본 명세서에 있어서, "단량체"와 "모노머"는 동의이다. 본 발명에 있어서의 단량체는, 올리고머 및 폴리머와 구별되며, 중량 평균 분자량이 2,000 이하인 화합물을 말한다.As used herein, "monomer" and "monomer" are synonyms. The monomer in the present invention is distinguished from an oligomer and a polymer, and refers to a compound having a weight average molecular weight of 2,000 or less.

본 발명에 있어서의 고분자 화합물이란, 중량 평균 분자량이 2000을 넘는 화합물을 말한다.The polymer compound in the present invention means a compound having a weight average molecular weight of more than 2000.

또한, 이하에 설명하는 실시형태에 있어서, 이미 참조한 도면에 있어서 설명한 부재 등에 대해서는, 도면 중에 동일 부호 혹은 상당 부호를 붙임으로써 설명을 간략화 혹은 생략화한다.In the embodiments described below, the members described in the drawings already referred to are denoted by the same reference numerals or signs in the drawings, thereby simplifying or omitting the description.

<가접착막><Adhesive film>

본 발명의 가접착막은, 접착 영역과, 접착 영역의 표면 상의 이형 영역을 갖고, 접착 영역은, 25℃에서 10℃/분으로 승온했을 때의 400℃에 있어서의 질량 감소율이 1질량% 이하이며, 25℃의 N-메틸피롤리돈에 대한 용해도가 1g/100g Solvent 이하이다.The adhesion film of the present invention has an adhesion region and a release region on the surface of the adhesion region, and the adhesion region has a mass reduction rate of 1% by mass or less at 400 占 폚 when the temperature is raised at 25 占 폚 to 10 占 폚 / , The solubility in N-methylpyrrolidone at 25 占 폚 is 1 g / 100 g Solvent or less.

본 발명의 가접착막은, 접착 영역의 표면 상에, 이형 영역을 가지므로, 가접착막에 있어서의 이형 영역의 표면에, 디바이스 웨이퍼를 적층시킴과 함께, 가접착막에 있어서의 디바이스 웨이퍼의 적층면의 반대측의 면에 지지 기판을 배치함으로써, 범프 등의 구조를 갖는 디바이스 웨이퍼를 적절히 보호하면서, 디바이스 웨이퍼에 기계적 또는 화학적인 처리를 실시한 후의 디바이스 웨이퍼로부터 가접착막을 기계 박리 등의 방법으로 간단하게 박리할 수 있다.Since the adhesive film of the present invention has a release region on the surface of the adhesive region, the device wafer is laminated on the surface of the release region of the adhesive film, and the device wafer in the adhesive film is laminated By disposing the supporting substrate on the side opposite to the side of the device wafer while appropriately protecting the device wafer having a structure such as a bump or the like, the adhesive film can be simply peeled off from the device wafer after mechanically or chemically treating the device wafer It can peel off.

또, 접착 영역은, 25℃에서 10℃/분으로 승온했을 때의 400℃에 있어서의 질량 감소율이 1질량% 이하이므로, 내열성이 우수하며, 고온에서의 프로세스를 거친 경우에 있어서도, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로 가접착할 수 있다. 또한, 가접착막이 열 열화되기 어렵기 때문에, 고온 프로세스를 거친 후에도, 디바이스 웨이퍼로부터 가접착막을 기계 박리 등의 방법으로 간단하게 박리할 수 있다.In addition, since the mass reduction rate at 400 ° C when the temperature is raised at 25 ° C at 10 ° C / minute is not more than 1% by mass, the adhesion region is excellent in heat resistance, and even in the case where the process is performed at a high temperature, It can be adhered stably. Further, since the adhesive film is hardly thermally deteriorated, the adhesive film can be easily peeled off from the device wafer by mechanical peeling or the like even after the high temperature process.

그리고, 본 발명에 있어서의 디바이스 웨이퍼와 지지 기판의 박리는, 기계 박리로 행할 수 있으므로, 접착 영역의 25℃의 N-메틸피롤리돈에 대한 용해도를 1g/100g Solvent 이하로 할 수 있어, 내약성이 우수하다. 이로 인하여, 예를 들면 디바이스 웨이퍼의 처리 시에, 에칭액 등의 약품이 가접착막에 부착되어도, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로 가접착할 수 있다.Since the device wafer and supporting substrate in the present invention can be peeled off by mechanical peeling, the solubility of the adhesive region in N-methylpyrrolidone at 25 캜 can be made to be 1 g / 100 g Solvent or less, Is excellent. Therefore, even when a chemical such as an etching solution adheres to the adhesive film during the processing of the device wafer, for example, the device wafer can stably adhere to the adhesive film.

이와 같이, 본 발명의 가접착막은, 디바이스 웨이퍼에 대하여, 고온 처리나, 약품 처리 등의 다양한 처리를 행하는 경우에 있어서도, 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 처리 후의 디바이스로부터 용이하게 박리할 수 있다.As described above, even when various treatments such as high-temperature treatment and chemical treatment are performed on the device wafer, the adhesive film of the present invention can stably adhere to the device wafer and can be easily peeled off from the device after treatment have.

또한, 본 발명에 있어서, 질량 감소율은, 열량계 측정 장치(TGA)에 의하여, 질소 기류하에 있어서, 상기 승온 조건으로 측정한 값이다.Further, in the present invention, the mass reduction rate is a value measured by the calorimeter apparatus (TGA) under the above-described temperature elevation condition under a nitrogen stream.

또, 본 발명에 있어서, 용해도는, 용제 100g에 대하여 시료를 교반하면서 일정량 첨가하여, 용해성을 확인하고, 완전히 용해된 경우에는 추가로 시료를 교반하, 일정량 첨가하는 작업을 반복하여, 최종적으로 25℃에서 1시간 교반했을 때에 시료가 용해되지 않게 되기 직전의 양을 용해도로 했다.In the present invention, the solubility is measured by repeating the operation of adding a certain amount of the sample to 100 g of the solvent while stirring to confirm the solubility and, when completely dissolved, adding the sample in a predetermined amount with stirring, Deg.] C for 1 hour, the solubility was defined as the amount immediately before the sample was no longer dissolved.

본 발명의 가접착막은, 접착 영역과, 접착 영역의 표면 상의 이형 영역을 갖는다.The adhesive film of the present invention has an adhesive area and a release area on the surface of the adhesive area.

본 발명의 가접착막은, 접착 영역의, 25℃에서 10℃/분으로 승온했을 때의 400℃에 있어서의 질량 감소율이 1질량% 이하이며, 0.90질량% 이하가 바람직하고, 0.8질량% 이하가 보다 바람직하며, 0.7질량% 이하가 더 바람직하고, 0.6질량% 이하가 특히 바람직하며, 0.5질량% 이하가 가장 바람직하다. 이 범위이면, 400℃까지의 고온 프로세스를 거친 경우에 있어서도, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로 가접착할 수 있다. 또, 가접착막이 열 열화되기 어렵기 때문에, 고온 프로세스를 거친 후에도, 디바이스 웨이퍼로부터 가접착막을 기계 박리 등의 방법으로 간단하게 박리할 수 있다.The adhesive film of the present invention has a mass reduction rate of 1% by mass or less, preferably 0.90% by mass or less, and preferably 0.8% by mass or less, at 400 ° C when the adhesive region is heated from 25 ° C to 10 ° C / More preferably 0.7 mass% or less, particularly preferably 0.6 mass% or less, and most preferably 0.5 mass% or less. With this range, even when the wafer is subjected to a high-temperature process up to 400 ° C, the device wafer can be stably bonded. Further, since the adherent film is hardly thermally deteriorated, the adherent film can be easily peeled off from the device wafer by mechanical peeling or the like even after the high temperature process.

본 발명의 가접착막은, 접착 영역의, 25℃의 N-메틸피롤리돈에 대한 용해도는, 1g/100g Solvent 이하이며, 0.8g/100g Solvent 이하가 바람직하고, 0.5g/100g Solvent 이하가 보다 바람직하며, 0.1g/100g Solvent 이하가 더 바람직하다. 이 양태에 의하면, 디바이스의 제조 프로세스 중에 이용되는 약액이, 가접착막에 접촉한 경우에 있어서도, 디바이스 웨이퍼를 안정적으로 가접착할 수 있다.The adhesive film of the present invention has a solubility of 1 g / 100 g Solvent or less, preferably not more than 0.8 g / 100 g Solvent, and not more than 0.5 g / 100 g Solvent, at 25 ° C in N-methylpyrrolidone More preferably 0.1 g / 100 g Solvent or less. According to this aspect, even when the chemical solution used during the manufacturing process of the device is in contact with the adhesive film, the device wafer can be adhered stably.

본 발명의 가접착막은, 접착 영역과 이형 영역이, 각각, 독립된 접착층, 이형층으로서 존재하고 있어도 되고, 접착 영역과 이형 영역의 경계가 명확하지 않아도 된다. 접착 영역과 이형 영역의 경계가 명확하지 않은 양태의 일례로서, 가접착층 중에 이형 성분이 표층에 편재하여 이형 영역을 형성하고 있는 양태를 들 수 있다. 또, 접착 영역이 2종류 이상의 접착층으로 이루어지고, 이형 영역이 2층 이상의 이형층으로 이루어져 있어도 된다.In the adhesion film of the present invention, the adhesion region and the release region may exist as independent adhesive layers and release layers, respectively, and the boundary between the adhesion region and the release region may not be clear. As an example of a mode in which the boundary between the adhesive region and the releasing region is not clear, there is an embodiment in which the releasing component is localized on the surface layer in the adhesive layer to form the releasing region. The adhesive region may be composed of two or more kinds of adhesive layers, and the release region may be composed of two or more release layers.

이하, 본 발명의 가접착막에 대하여 구체적으로 설명한다.Hereinafter, the adhesive film of the present invention will be described in detail.

<<접착 영역>><< Adhesion area >>

본 발명의 가접착막은, 접착 영역을 갖는다. 접착 영역은, 디바이스 웨이퍼와 지지 기판을 접착하는 것이다.The adhesive film of the present invention has an adhesive area. The bonding area is to bond the device wafer and the supporting substrate.

접착 영역은, 25℃에서 10℃/분으로 승온했을 때의 400℃에 있어서의 질량 감소율이 1질량% 이하이고, 또한 25℃의 N-메틸피롤리돈에 대한 용해도는, 1g/100g Solvent 이하인 것이 이용된다.The adhesion region has a mass reduction rate of 1 mass% or less at 400 占 폚 when heated at 25 占 폚 at 10 占 폚 / min and solubility in N-methylpyrrolidone at 25 占 폚 is 1 g / Is used.

접착 영역의 평균 두께는, 0.1~500μm가 바람직하고, 0.5~500μm가 보다 바람직하며, 0.5~50μm가 더 바람직하고, 0.5~10μm가 특히 바람직하다. 또, 본 발명의 가접착막을, 표면에 구조를 갖는 디바이스 웨이퍼에 적용하는 경우는, 접착 영역의 평균 두께는, 후술하는 디바이스 웨이퍼의 구조의 높이보다 두꺼운 것이 바람직하다.The average thickness of the adhesive region is preferably 0.1 to 500 占 퐉, more preferably 0.5 to 500 占 퐉, still more preferably 0.5 to 50 占 퐉, and particularly preferably 0.5 to 10 占 퐉. When the adhesive film of the present invention is applied to a device wafer having a structure on the surface, it is preferable that the average thickness of the adhesive region is thicker than the height of the structure of the device wafer described later.

본 발명의 가접착막이, 접착 영역을 이루는 층의 표층에, 이형 영역을 이루는 층이 적층되어 구성된 적층 구조로 이루어지는 경우, 접착 영역을 이루는 층의 평균 두께는, 1~50μm가 바람직하고, 2~20μm가 보다 바람직하다.When the adhesive film of the present invention is a laminate structure formed by laminating layers constituting the releasing regions on the surface layer of the adhesive layer, the average thickness of the layers constituting the adhesive regions is preferably 1 to 50 占 퐉, More preferably 20 mu m.

본 발명의 가접착막이, 가접착층 중에 이형 성분이 표층에 편재하여 이형 영역을 형성하고 있는 양태인 경우, 접착 영역의 평균 두께는, 1~50μm가 바람직하고, 2~20μm가 보다 바람직하다.In the case where the adhesive film of the present invention is an embodiment in which the release component is localized on the surface layer in the adhesive layer to form the release region, the average thickness of the adhesive region is preferably 1 to 50 탆, more preferably 2 to 20 탆.

또한, 본 발명에 있어서, 접착 영역의 평균 두께는, 엘립소메트리에 의하여 5점 측정한 점의 평균값으로 정의한다.In the present invention, the average thickness of the adhesive region is defined as an average value of five points measured by ellipsometry.

접착 영역은, 상기 질량 감소율 및 용해도를 달성할 수 있는 것이면, 어느 쪽도 바람직하게 이용할 수 있지만, 후술하는 수지 성분 A와, 말레이미드 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 접착 영역이, 후술하는 수지 성분 A와 말레이미드 수지를 포함하는 경우, 3차원 가교한 말레이미드 수지의 사이에 수지 성분 A를 개재할 수 있어, 내열성 및 내약성이 우수한 접착 영역이 얻어지기 쉽다.The adhesive region can be preferably used as far as it can attain the above mass reduction rate and solubility, but preferably includes the resin component A described later and a maleimide resin. When the adhesive region includes a resin component A and a maleimide resin to be described later, the resin component A can be interposed between the three-dimensionally crosslinked maleimide resin, and an adhesive region excellent in heat resistance and tolerance can be easily obtained.

<<<수지 성분 A>>><<< Resin Component A >>>

본 발명에 있어서는, 접착 영역이 포함할 수 있는 수지 성분 A로서, 상기 질량 감소율 및 용해도를 충족시키는 것이면, 임의의 것을 사용할 수 있다. 또한, 본 발명에 있어서, 수지 성분 A에는, 말레이미드 수지는 포함되지 않는 것으로 한다.In the present invention, as the resin component A that can be included in the bonding region, any resin may be used as long as it satisfies the above-described mass reduction rate and solubility. In the present invention, it is assumed that the resin component A does not include a maleimide resin.

수지 성분 A로서는, 예를 들면 복소환 함유 수지(바람직하게는, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리벤즈이미다졸 수지, 폴리벤조옥사졸 수지), 터펜 수지, 터펜페놀 수지, 변성 터펜 수지, 수소 첨가 터펜 수지, 수소 첨가 터펜페놀 수지, 로진, 로진에스터, 수소 첨가 로진, 수소 첨가 로진에스터, 중합 로진, 중합 로진에스터, 변성 로진, 로진 변성 페놀 수지, 알킬페놀 수지, 지방족 석유 수지, 방향족 석유 수지, 수소 첨가 석유 수지, 변성 석유 수지, 지환족 석유 수지, 쿠마론 석유 수지, 인덴 석유 수지, 올레핀 코폴리머(예를 들면, 메틸펜텐 공중합체), 사이클로올레핀 코폴리머(예를 들면, 노보넨 공중합체, 다이사이클로펜타다이엔 공중합체, 테트라사이클로도데센 공중합체), 노볼락 수지, 페놀 수지, 에폭시 수지, 멜라민 수지, 유레아 수지, 불포화 폴리에스터 수지, 알키드 수지, 폴리유레테인 수지, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 에틸렌프로필렌 공중합체(EPDM 고무), 폴리 염화 바이닐 수지, 폴리스타이렌 수지, 폴리스타이렌 공중합 수지(예를 들면, 아크릴로나이트릴-뷰타다이엔-스타이렌 공중합체(ABS 수지), 아크릴로나이트릴스타이렌 공중합체(AS 수지), 메타크릴산 메틸스타이렌 공중합 수지(MS 수지)), 폴리아세트산 바이닐 수지, 사불화 에틸렌 수지(PTFE 수지), 사불화 에틸렌과 퍼플루오로알콕시에틸렌의 공중합체(PFA 수지), 테트라플루오로에틸렌·헥사플루오로프로필렌 공중합체(FEP 수지), 에틸렌-TFE 공중합 수지, 폴리 불화 바이닐리덴(PVDF 수지), 폴리클로로트라이플루오로에틸렌(PCTFE 수지), 에틸렌-클로로트라이플루오로에틸렌 수지(CTFE 수지), TFE-퍼플루오로다이메틸다이옥솔 공중합 수지, 불화 바이닐 수지(PVF 수지), 아크릴 수지, 셀룰로스 수지, 폴리아마이드 수지, 폴리아세탈 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리페닐렌에터 수지, 폴리뷰틸렌테레프탈레이트 수지, 폴리에틸렌테레프탈레이트 수지, 환상 폴리올레핀 수지, 폴리페닐렌설파이드 수지, 폴리설폰 수지, 폴리에터설폰 수지, 폴리아릴레이트 수지, 폴리에터케톤 수지 등의 합성 수지나, 천연 고무 등의 천연 수지를 들 수 있다.As the resin component A, for example, a resin containing a heterocyclic ring (preferably a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polybenzimidazole resin, a polybenzoxazole resin), a terpene resin, a terpene phenol resin, Hydrogenated terpene resin, hydrogenated terpene phenol resin, rosin, rosin ester, hydrogenated rosin, hydrogenated rosin ester, polymerized rosin, polymerized rosin ester, modified rosin, rosin modified phenol resin, alkylphenol resin, aliphatic petroleum resin, aromatic petroleum (For example, methylpentene copolymer), a cycloolefin copolymer (for example, a norbornene copolymer such as a norbornene copolymer), a hydrogenated petroleum resin, a modified petroleum resin, an alicyclic petroleum resin, a coumarone petroleum resin, Copolymers, dicyclopentadiene copolymers, tetracyclododecene copolymers), novolak resins, phenol resins, epoxy resins, melamine resins, ureas (EPDM rubber), polyvinyl chloride resin, polystyrene resin, polystyrene copolymer resin (for example, acrylonitrile-butadiene-styrene copolymer resin, (ABS resin), acrylonitrile styrene copolymer (AS resin), methyl methacrylate-styrene copolymer resin (MS resin)), polyacetic acid vinyl resin, tetrafluoroethylene resin (PTFE resin), copolymer of tetrafluoroethylene and perfluoroalkoxyethylene (PFA resin), tetrafluoroethylene / hexafluoropropylene copolymer (FEP resin), ethylene-TFE copolymer resin, polyvinylidene fluoride (PVDF resin), polychlorotrifluoroethylene (PCTFE resin), ethylene-chlorotrifluoroethylene resin (CTFE resin), TFE-perfluorodimethyldi Polyvinylidene fluoride resin, polyvinylidene fluoride resin, polyvinylidene fluoride resin, polyvinylidene fluoride resin, polyvinylidene fluoride resin, polyvinylidene fluoride resin, polyvinylidene fluoride resin, Synthetic resins such as polyolefin resins, polyphenylene sulfide resins, polysulfone resins, polyethersulfone resins, polyarylate resins and polyether ketone resins, and natural resins such as natural rubber.

그 중에서도, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리벤즈이미다졸 수지, 폴리벤조옥사졸 수지, 폴리카보네이트 수지, 폴리에터설폰 수지, 폴리에스터 수지가 바람직하고, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리벤즈이미다졸 수지, 폴리벤조옥사졸 수지가 보다 바람직하며, 폴리이미드 수지 또는 폴리아마이드이미드 수지가 더 바람직하고, 폴리이미드 수지가 특히 바람직하다. 이들 수지는, 내열성이 우수하므로, 상기 질량 감소율을 달성하기 쉽다.Among them, a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polybenzimidazole resin, a polybenzoxazole resin, a polycarbonate resin, a polyether sulfone resin and a polyester resin are preferable, and a polyimide resin, a polyamideimide resin, A polybenzimidazole resin and a polybenzoxazole resin are more preferable, and a polyimide resin or a polyamideimide resin is more preferable, and a polyimide resin is particularly preferable. Since these resins are excellent in heat resistance, the mass reduction rate is easily achieved.

또, 폴리이미드 수지는, γ-뷰티로락톤, 사이클로펜탄온, N-메틸피롤리돈, 사이클로헥산온, 글라이콜에터, 다이메틸설폭사이드 및 테트라메틸유레아로부터 선택되는 적어도 1종의 용제에 대한 25℃에서의 용해도가 10g/100g Solvent 이상인 폴리이미드 수지가 바람직하다. 이 양태에 의하면, 접착 영역을 도포법으로 형성할 수 있다.The polyimide resin is preferably at least one solvent selected from the group consisting of? -Butyrolactone, cyclopentanone, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone, glycol ether, dimethyl sulfoxide and tetramethylurea Is a polyimide resin having a solubility of 10 g / 100 g or more at 25 캜. According to this embodiment, the adhesive region can be formed by a coating method.

<<<<폴리이미드 수지>>>><<<< Polyimide resin >>>>

폴리이미드 수지는, 테트라카복실산 이무수물과 다이아민을 공지의 방법으로 축합 반응시켜 얻어지는 것을 이용할 수 있다.As the polyimide resin, those obtained by condensation reaction of tetracarboxylic acid dianhydride and diamine by a known method can be used.

공지의 방법으로서는, 예를 들면 유기 용제 중에서, 테트라카복실산 이무수물과 다이아민을 대략 등몰 혼합하여, 반응 온도 80℃ 이하에서 반응시켜 얻어진 폴리암산을 탈수 폐환시키는 방법 등을 들 수 있다. 여기에서, 대략 등몰이란, 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 몰량비가 1:1 근방인 것을 말한다. 또한, 필요에 따라서, 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 조성비가, 테트라카복실산 이무수물의 합계 1.0몰에 대하여, 다이아민의 합계가 0.5~2.0몰이 되도록 조정해도 된다. 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 조성비를 상기의 범위 내에서 조정함으로써, 폴리이미드 수지의 중량 평균 분자량을 조정할 수 있다.As a known method, for example, a method of dehydrating and ring closure of a polyamic acid obtained by mixing tetracarboxylic dianhydride and diamine at approximately equimolar mixing in an organic solvent at a reaction temperature of 80 ° C or lower can be given. Here, approximately equimolar means that the molar ratio of tetracarboxylic acid dianhydride to diamine is in the vicinity of 1: 1. If necessary, the composition ratio of the tetracarboxylic dianhydride and the diamine may be adjusted so that the total amount of the diamine is 0.5 to 2.0 moles relative to 1.0 moles of the tetracarboxylic dianhydride in total. The weight average molecular weight of the polyimide resin can be adjusted by adjusting the composition ratio of tetracarboxylic dianhydride and diamine within the above range.

테트라카복실산 이무수물로서는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 파이로멜리트산 이무수물, 3,3',4,4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,2',3,3'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2-비스(2,3-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 1,1-비스(2,3-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 1,1-비스(3,4-다이카복시페닐)에테인 이무수물, 비스(2,3-다이카복시페닐)메테인 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)메테인 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)설폰 이무수물, 3,4,9,10-페릴렌테트라카복실산 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)에터 이무수물, 벤젠-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 3,4,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 2,3,2',3'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 1,2,5,6-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,4,5,8-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,3,6,7-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 1,2,4,5-나프탈렌테트라카복실산 이무수물, 2,6-다이클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 이무수물, 2,7-다이클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 이무수물, 2,3,6,7-테트라클로로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 이무수물, 페난트렌-1,8,9,10-테트라카복실산 이무수물, 피라진-2,3,5,6-테트라카복실산 이무수물, 싸이오펜-2,3,5,6-테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 3,4,3',4'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 2,3,2',3'-바이페닐테트라카복실산 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)다이메틸실레인 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)메틸페닐실레인 이무수물, 비스(3,4-다이카복시페닐)다이페닐실레인 이무수물, 1,4-비스(3,4-다이카복시페닐다이메틸실릴)벤젠 이무수물, 1,3-비스(3,4-다이카복시페닐)-1,1,3,3-테트라메틸다이사이클로헥세인 이무수물, p-페닐렌비스(트라이멜리테이트 무수물), 에틸렌테트라카복실산 이무수물, 1,2,3,4-뷰테인테트라카복실산 이무수물, 데카하이드로나프탈렌-1,4,5,8-테트라카복실산 이무수물, 4,8-다이메틸-1,2,3,5,6,7-헥사하이드로나프탈렌-1,2,5,6-테트라카복실산 이무수물, 사이클로펜테인-1,2,3,4-테트라카복실산 이무수물, 피롤리딘-2,3,4,5-테트라카복실산 이무수물, 1,2,3,4-사이클로뷰테인테트라카복실산 이무수물, 비스(엑소-바이사이클로〔2,2,1〕헵테인-2,3-다이카복실산 이무수물, 바이사이클로-〔2,2,2〕-옥트-7-엔-2,3,5,6-테트라카복실산 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)프로페인 이무수물, 2,2'-비스〔4-(3,4-다이카복시페닐)페닐〕프로페인 이무수물, 2,2-비스(3,4-다이카복시페닐)헥사플루오로프로페인 이무수물, 2,2'-비스〔4-(3,4-다이카복시페닐)페닐〕헥사플루오로프로페인 이무수물, 4,4'-비스(3,4-다이카복시페녹시)다이페닐설파이드 이무수물, 1,4-비스(2-하이드록시헥사플루오로아이소프로필)벤젠비스(트라이멜리트산 무수물), 1,3-비스(2-하이드록시헥사플루오로아이소프로필)벤젠비스(트라이멜리트산 무수물), 5-(2,5-다이옥소테트라하이드로퓨릴)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-다이카복실산 이무수물, 테트라하이드로퓨란-2,3,4,5-테트라카복실산 이무수물, 4,4'-옥시다이프탈산 이무수물, 1,2-(에틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,3-(트라이메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,4-(테트라메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,5-(펜타메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,6-(헥사메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,7-(헵타메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,8-(옥타메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,9-(노나메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,10-(데카메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,12-(도데카메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,16-(헥사데카메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물), 1,18-(옥타데카메틸렌)비스(트라이멜리테이트 무수물) 등을 들 수 있으며, 이들을 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 3,4,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 2,3,2',3'-벤조페논테트라카복실산 이무수물, 2,3,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물이 바람직하고, 3,4,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물이 보다 바람직하다.Examples of the tetracarboxylic acid dianhydride include, but are not limited to, pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'- Bis (2,3-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,1-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2- Bis (3,4-dicarboxyphenyl) ethane dianhydride, bis (2,3-dicarboxyphenyl) methane dianhydride, bis (3,4 (3,4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, 3,4,9,10-perylene tetracarboxylic acid dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether Dianhydride, benzene-1,2,3,4-tetracarboxylic acid dianhydride, 3,4,3 ', 4'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,2', 3'-benzophenone tetracarboxylic acid dianhydride Water, 2,3,3 ', 4'-benzophenone tetracarboxylic acid imine Water, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,4- 5-naphthalenetetracarboxylic acid dianhydride, 2,6-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid dianhydride, 2,7-dichloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,6,7-tetrachloronaphthalene-1,4,5,8-tetracarboxylic acid dianhydride, phenanthrene-1,8,9,10-tetracarboxylic acid dianhydride, pyrazine-2,3,5,6 -Tetracarboxylic acid dianhydride, thiophene-2,3,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride, 2,3,3 ', 4'-biphenyltetracarboxylic acid dianhydride, 3,4,3', 4'- (3,4-dicarboxyphenyl) dimethylsilane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) diisocyanate dianhydride, 2,3,4'- Methylphenylsilane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) diphenylsilane (3,4-dicarboxyphenyldimethylsilyl) benzene dianhydride, 1,3-bis (3,4-dicarboxyphenyl) -1,1,3,3-tetramethyl di Cyclohexane dianhydride, p-phenylene bis (trimellitate anhydride), ethylene tetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-butane tetracarboxylic acid dianhydride, decahydronaphthalene-1,4,5,8 -Tetracarboxylic acid dianhydride, 4,8-dimethyl-1,2,3,5,6,7-hexahydronaphthalene-1,2,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride, cyclopentane- Tetracarboxylic acid dianhydride, pyrrolidine-2,3,4,5-tetracarboxylic acid dianhydride, 1,2,3,4-cyclobutante tetracarboxylic acid dianhydride, bis (exo- bicyclo [2 , 2,1 heptane-2,3-dicarboxylic acid dianhydride, bicyclo- [2,2,2] -oct-7-ene-2,3,5,6-tetracarboxylic acid dianhydride, 2,2 Bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 2,2'-bis [4- (3,4-dicarboxyphenyl) (3,4-dicarboxyphenyl) phenyl] hexa (2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) diphenyl sulfide dianhydride, 1,4-bis (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) benzene bis (trimellitic anhydride) (2-hydroxyhexafluoroisopropyl) benzene bis (trimellitic anhydride), 5- (2,5-dioxotetrahydrofuryl) -3-methyl- Hexene-1,2-dicarboxylic acid dianhydride, tetrahydrofuran-2,3,4,5-tetracarboxylic dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic dianhydride, 1,2- (ethylene) bis (Tetramethylene anhydride), 1,5- (pentamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,3- (tetramethylene anhydride), 1,4- Water), 1,6- (hexamethylene) bis (trimellitate anhydride) 1,7- (heptamethylene) bis (trimellitate anhydride) 1,8- (octamethylene) bis (trimellitate anhydride) , 1,12- (nonamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,10- (decamethylene) bis (trimellitate anhydride), 1,12- (Trimellitate anhydride), 1,18- (octadecamethylene) bis (trimellitate anhydride), and the like. These may be used singly or in combination of two or more kinds. . Among them, 3,4,3 ', 4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3,2', 3'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride, 2,3,3 ', 4'-benzophenonetetra Carboxylic acid dianhydride is preferable, and 3,4,3 ', 4'-benzophenonetracarboxylic acid dianhydride is more preferable.

다이아민으로서는 특별히 제한은 없고, 예를 들면 o-페닐렌다이아민, m-페닐렌다이아민, p-페닐렌다이아민, 3,3'-다이아미노다이페닐에터, 3,4'-다이아미노다이페닐에터, 4,4'-다이아미노다이페닐에터, 3,3'-다이아미노다이페닐메테인, 3,4'-다이아미노다이페닐메테인, 비스(4-아미노-3,5-다이메틸페닐)메테인, 비스(4-아미노-3,5-다이아이소프로필페닐)메테인, 3,3'-다이아미노다이페닐다이플루오로메테인, 3,4'-다이아미노다이페닐다이플루오로메테인, 4,4'-다이아미노다이페닐다이플루오로메테인, 3,3'-다이아미노다이페닐설폰, 3,4'-다이아미노다이페닐설폰, 4,4'-다이아미노다이페닐설폰, 3,3'-다이아미노다이페닐설파이드, 3,4'-다이아미노다이페닐설파이드, 4,4'-다이아미노다이페닐설파이드, 3,3'-다이아미노다이페닐케톤, 3,4'-다이아미노다이페닐케톤, 4,4'-다이아미노다이페닐케톤, 3-(4-아미노페닐)-1,1,3-트라이메틸-5-아미노인데인, 2,2-비스(3-아미노페닐)프로페인, 2,2'-(3,4'-다이아미노다이페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-(3,4'-다이아미노다이페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(4-아미노페닐)헥사플루오로프로페인, 1,3-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(3-아미노페녹시)벤젠, 1,4-비스(4-아미노페녹시)벤젠, 3,3'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 3,4'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 4,4'-(1,4-페닐렌비스(1-메틸에틸리덴))비스아닐린, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)프로페인, 2,2-비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)헥사플루오로프로페인, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설파이드, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설파이드, 비스(4-(3-아미노페녹시)페닐)설폰, 비스(4-(4-아미노페녹시)페닐)설폰, 3,3'-다이하이드록시-4,4'-다이아미노바이페닐, 3,5-다이아미노벤조산 등의 방향족 다이아민, 1,3-비스(아미노메틸)사이클로헥세인, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로페인, 폴리옥시프로필렌다이아민, 4,9-다이옥사데케인-1,12-다이아민, 4,9,14-트라이옥사헵타데케인-1,17-다이아민, 1,2-다이아미노에테인, 1,3-다이아미노프로페인, 1,4-다이아미노뷰테인, 1,5-다이아미노펜테인, 1,6-다이아미노헥세인, 1,7-다이아미노헵테인, 1,8-다이아미노옥테인, 1,9-다이아미노노네인, 1,10-다이아미노데케인, 1,11-다이아미노운데케인, 1,12-다이아미노도데케인, 1,2-다이아미노사이클로헥세인, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인 등을 들 수 있다.The diamine is not particularly limited, and examples thereof include o-phenylenediamine, m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 3,3'-diaminodiphenylether, 3,4'- Aminodiphenylether, 4,4'-diaminodiphenylether, 3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, bis (4-amino- (4-amino-3,5-diisopropylphenyl) methane, 3,3'-diaminodiphenyldifluoromethane, 3,4'-diaminodiphenyl Diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diamino Diphenyl sulfone, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide, 3,3'-diaminodiphenyl ketone, 4'-diaminodiphenyl ketone, 4,4'-di Aminophenyl ketone, 3- (4-aminophenyl) -1,1,3-trimethyl-5-aminoindene, 2,2-bis Bis (3-aminophenyl) hexafluoropropane, 2,2- (3-aminophenyl) propane, Bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenyl) (3-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 3,3 ' 2, 4 '- (1,4-phenylenebis (1-methylethylidene)) bisaniline, 4,4' Bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4- 4-aminophenoxy) phenyl) hexafluoropropane, bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfide, (4-aminophenoxy) phenyl) sulfone, bis (4- (4-aminophenoxy) (Aminomethyl) cyclohexane, 2,2-bis (4-aminophenoxy) aminophenoxy, 2,2-bis Phenyl) propane, polyoxypropylene diamine, 4,9-dioxadecane-1,12-diamine, 4,9,14-trioxaheptadecane-1,17-diamine, Amino ethane, 1,3-diaminopropane, 1,4-diaminobutane, 1,5-diaminopentane, 1,6-diaminohexane, 1,7-diaminoheptane, 1,8 Diaminodecane, 1,1-diaminododecane, 1,1-diaminododecane, 1,1-diaminododecane, 1,1-diaminododecane, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, and the like.

이들 다이아민 중에서도, 3-(4-아미노페닐)-1,1,3-트라이메틸-5-아미노인데인, 1,3-비스(3-아미노프로필)테트라메틸다이실록세인, 폴리옥시프로필렌다이아민, 2,2-비스(4-아미노페녹시페닐)프로페인, 4,9-다이옥사데케인-1,12-다이아민, 1,6-다이아미노헥세인, 및 4,9,14-트라이옥사헵타데케인-1,17-다이아민으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상이 바람직하고, 3-(4-아미노페닐)-1,1,3-트라이메틸-5-아미노인데인이 보다 바람직하다.Among these diamines, it is preferable to use at least one selected from the group consisting of 3- (4-aminophenyl) -1,1,3-trimethyl-5-aminoindene, 1,3-bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane, Diamine, 1,6-diaminohexane, and 4,9,14-tri (4-aminophenoxyphenyl) propane, 4,9-dioxadecane- Oxaheptadecane-1,17-diamine, and more preferably at least one selected from the group consisting of 3- (4-aminophenyl) -1,1,3-trimethyl-5-aminoindene Do.

상기 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 반응에 이용되는 용제로서는, 예를 들면 N,N-다이메틸아세트아마이드, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸폼아마이드를 들 수 있다. 원재료 등의 용해성을 조정하기 위하여, 비극성 용제(예를 들면, 톨루엔이나, 자일렌)를 병용해도 된다.Examples of the solvent used in the reaction of the tetracarboxylic acid dianhydride with diamine include N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone and N, N-dimethylformamide. In order to adjust the solubility of raw materials and the like, a nonpolar solvent (for example, toluene or xylene) may be used in combination.

상기 테트라카복실산 이무수물과 다이아민의 반응 온도는, 바람직하게는 100℃ 미만, 더 바람직하게는 90℃ 미만이다. 또, 폴리암산의 이미드화는, 대표적으로는 불활성 분위기(대표적으로는, 진공 또는 질소 분위기)하에서 가열 처리함으로써 행해진다. 가열 처리 온도는, 바람직하게는 150℃ 이상, 더 바람직하게는 180~450℃이다.The reaction temperature of the tetracarboxylic dianhydride and the diamine is preferably less than 100 占 폚, more preferably less than 90 占 폚. Imidization of polyamic acid is typically performed by heat treatment under an inert atmosphere (typically, a vacuum or a nitrogen atmosphere). The heat treatment temperature is preferably 150 占 폚 or higher, more preferably 180 to 450 占 폚.

폴리이미드 수지의 중량 평균 분자량(Mw)은, 10,000~1000,000이 바람직하고, 20,000~100,000이 보다 바람직하다.The weight average molecular weight (Mw) of the polyimide resin is preferably 10,000 to 1,000,000, more preferably 20,000 to 100,000.

본 발명에 있어서, 폴리이미드 수지는, γ-뷰티로락톤, 사이클로펜탄온, N-메틸피롤리돈, 사이클로헥산온, 글라이콜에터, 다이메틸설폭사이드 및 테트라메틸유레아로부터 선택되는 적어도 1종의 용제에 대한 25℃에서의 용해도가 10g/100g Solvent 이상인 폴리이미드 수지가 바람직하다.In the present invention, the polyimide resin is at least one selected from the group consisting of? -Butyrolactone, cyclopentanone, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone, glycol ether, dimethylsulfoxide and tetramethylurea A polyimide resin having a solubility of not less than 10 g / 100 g Solvent at 25 캜 for a solvent of a species is preferable.

이와 같은 용해도를 갖는 폴리이미드 수지는, 예를 들면 3,4,3',4'-벤조페논테트라카복실산 이무수물과, 3-(4-아미노페닐)-1,1,3-트라이메틸-5-아미노인데인을 반응시켜 얻어지는 폴리이미드 수지 등을 들 수 있다. 이 폴리이미드 수지는, 내열성이 특히 우수하다.The polyimide resin having such a solubility can be obtained, for example, by reacting 3,4,3 ', 4'-benzophenonetetracarboxylic dianhydride with 3- (4-aminophenyl) -1,1,3- And polyimide resins obtained by reacting a polyimide resin with an aminoindine. This polyimide resin is particularly excellent in heat resistance.

폴리이미드 수지는, 시판품을 이용해도 된다. 예를 들면, Durimide(등록 상표) 200, 208A, 284(후지필름사제), GPT-LT(군에이 가가쿠사제), SOXR-S, SOXR-M, SOXR-U, SOXR-C(모두, 닛폰 고도시 고교사제) 등을 들 수 있다.As the polyimide resin, a commercially available product may be used. (All manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.), GPT-LT (manufactured by Gunpo Aigaku Co., Ltd.), SOXR-S, SOXR-M, SOXR-U, SOXR- Manufactured by KODOSHI KOGYO CO., LTD.).

<<<<폴리아마이드이미드 수지>>>><<<< Polyamideimide Resin >>>>

폴리아마이드이미드 수지는, 예를 들면 폴리카복실산 혹은 그 유도체 등의 산성분과 다이아민 또는 다이아이소사이아네이트를 극성 용제 중에서 반응시켜 얻어지는 것을 이용할 수 있다.As the polyamideimide resin, for example, those obtained by reacting an acid component such as a polycarboxylic acid or a derivative thereof with a diamine or diisocyanate in a polar solvent can be used.

극성 용제로서는, N-메틸-2-피롤리돈(NMP)이나, N,N'-다이메틸아세트아마이드 등을 들 수 있다. 상기 반응은, 소정 온도(통상, 60~200℃ 정도)로 가열하면서 교반함으로써 행할 수 있다.Examples of the polar solvent include N-methyl-2-pyrrolidone (NMP) and N, N'-dimethylacetamide. The above reaction can be carried out by stirring while heating at a predetermined temperature (usually about 60 to 200 ° C).

폴리아마이드이미드 수지의 제조에 이용되는 산성분으로서는, 트라이멜리트산, 트라이멜리트산 무수물, 트라이멜리트산 염화물; 파이로멜리트산(벤젠-1,2,4,5-테트라카복실산), 바이페닐테트라카복실산, 바이페닐설폰테트라카복실산, 벤조페논테트라카복실산, 바이페닐에터테트라카복실산, 에틸렌글라이콜비스트라이멜리테이트, 프로필렌글라이콜비스트라이멜리테이트 등의 테트라카복실산 및 이들의 산무수물 혹은 산염화물; 옥살산, 아디프산, 말론산, 세바스산, 아젤라산, 도데케인다이카복실산, 다이카복시폴리뷰타다이엔, 다이카복시폴리(아크릴로나이트릴-뷰타다이엔), 다이카복시폴리(스타이렌-뷰타다이엔) 등의 지방족 다이카복실산; 1,4-사이클로헥세인다이카복실산, 1,3-사이클로헥세인다이카복실산, 4,4'-다이사이클로헥실메테인다이카복실산, 다이머산 등의 지환족 다이카복실산; 테레프탈산, 아이소프탈산, 다이페닐설폰다이카복실산, 다이페닐에터다이카복실산, 나프탈렌다이카복실산 등의 방향족 다이카복실산을 들 수 있다.Examples of the acid component used for preparing the polyamideimide resin include trimellitic acid, trimellitic acid anhydride, trimellitic acid chloride; Pyromellitic acid (benzene-1,2,4,5-tetracarboxylic acid), biphenyltetracarboxylic acid, biphenylsulfone tetracarboxylic acid, benzophenonetetracarboxylic acid, biphenyl ether tetracarboxylic acid, ethylene glycol bevel trimellitate, Tetracarboxylic acids such as propylene glycol bistrimellitate and acid anhydrides or acid chlorides thereof; But are not limited to, oxalic acid, adipic acid, malonic acid, sebacic acid, azelaic acid, dodecane dicarboxylic acid, dicarboxy polybutadiene, dicarboxy poly (acrylonitrile- butadiene), dicarboxy poly Aliphatic dicarboxylic acids such as dienes; Cycloaliphatic dicarboxylic acids such as 1,4-cyclohexane dicarboxylic acid, 1,3-cyclohexane dicarboxylic acid, 4,4'-dicyclohexylmethane dicarboxylic acid and dimeric acid; Aromatic dicarboxylic acids such as terephthalic acid, isophthalic acid, diphenylsulfon dicarboxylic acid, diphenyl ethadecarboxylic acid and naphthalenedicarboxylic acid.

이들 산성분은, 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상 조합하여 이용해도 된다. 이들 중에서는, 반응성, 내열성, 용해성 등의 관점에서, 트라이멜리트산 무수물이 바람직하다.These acidic components may be used alone or in combination of two or more. Of these, trimellitic anhydride is preferable from the viewpoints of reactivity, heat resistance, solubility and the like.

폴리아마이드이미드 수지의 제조에 이용되는 다이아민 또는 다이아이소사이아네이트로서는,As the diamine or diisocyanate used in the production of the polyamideimide resin,

에틸렌다이아민, 프로필렌다이아민, 헥사메틸렌다이아민 등의 지방족 다이아민 및 이들의 다이아이소사이아네이트; 1,4-사이클로헥세인다이아민, 1,3-사이클로헥세인다이아민, 아이소포론다이아민, 4,4'-다이사이클로헥실메테인다이아민 등의 지환족 다이아민 및 이들의 다이아이소사이아네이트; m-페닐렌다이아민, p-페닐렌다이아민, 4,4'-다이아미노다이페닐메테인, 4'-다이아미노다이페닐에터, 4,4'-다이아미노다이페닐설폰, 벤지딘, o-톨리딘, 2,4-톨릴렌다이아민, 2,6-톨릴렌다이아민, 자일릴렌다이아민 등의 방향족 다이아민 및 이들의 다이아이소사이아네이트 등을 들 수 있다.Aliphatic diamines such as ethylene diamine, propylene diamine, and hexamethylene diamine; and diisocyanates thereof; Alicyclic diamines such as 1,4-cyclohexane diamine, 1,3-cyclohexane diamine, isophorone diamine, 4,4'-dicyclohexyl methane diamine, and their diisocyanates Nate; m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, benzidine, o Aromatic diamines such as tolylidine, 2,4-tolylene diamine, 2,6-tolylene diamine and xylylenediamine, and diisocyanates thereof.

이들은 단독으로 이용해도 되고, 2종 이상 조합하여 이용해도 된다. 그 중에서도, 내열성, 기계 특성, 용해성 등의 점에서, 4,4'-다이아미노다이페닐메테인 및 그 다이아이소사이아네이트, 2,4-톨릴렌다이아민 및 그 다이아이소사이아네이트, o-톨리딘 및 그 다이아이소사이아네이트, 아이소포론다이아민 및 그 다이아이소사이아네이트, p-페닐렌다이아민 및 이들의 다이아이소사이아네이트가 바람직하고, p-페닐렌다이아민이 특히 바람직하다.These may be used alone or in combination of two or more. Among them, 4,4'-diaminodiphenylmethane and its diisocyanate, 2,4-tolylene diamine and its diisocyanate, o (4'-diaminodiphenylmethane and its isocyanate) from the viewpoints of heat resistance, mechanical properties, solubility, Tolidine and its diisocyanate, isophoronediamine and its diisocyanate, p-phenylenediamine and diisocyanates thereof are preferable, and p-phenylenediamine is particularly preferable .

폴리아마이드이미드 수지의 수평균 분자량(Mn)은, 5,000~100,000이 바람직하다. 10,000~50,000이 보다 바람직하다.The number average molecular weight (Mn) of the polyamideimide resin is preferably 5,000 to 100,000. More preferably 10,000 to 50,000.

폴리아마이드이미드 수지의 수평균 분자량(Mn)이 5,000 이상이면, 내구성이 양호하다. 폴리아마이드이미드 수지의 수평균 분자량(Mn)이 100,000 이하이면, 용액 점도가 낮아, 접착 영역을 도포 형성하기 쉽다.When the number average molecular weight (Mn) of the polyamideimide resin is 5,000 or more, durability is good. When the number average molecular weight (Mn) of the polyamideimide resin is 100,000 or less, the solution viscosity is low, and the adhesive region is easily coated.

폴리아마이드이미드 수지는, 시판품을 이용해도 된다. 예를 들면, Durimide(등록 상표) 10, 32(후지필름사제), 바이로막스(등록 상표) 13NX(도요보사제), 리카코트(신니혼 리카제) 등을 들 수 있다.As the polyamideimide resin, a commercially available product may be used. For example, Durimide (registered trademark) 10 or 32 (manufactured by Fuji Photo Film Co., Ltd.), Viromax (registered trademark) 13NX (Toyobo Co.), or Rika Coat (manufactured by Shin Nippon Rika KK).

<<<<폴리벤즈이미다졸 수지>>>><<<< Polybenzimidazole Resin >>>>

폴리벤즈이미다졸 수지는, 예를 들면 방향족 테트라아민과 다이카복실산 성분을 반응시켜 얻어지는 것을 이용할 수 있다.As the polybenzimidazole resin, for example, those obtained by reacting an aromatic tetraamine with a dicarboxylic acid component can be used.

방향족 테트라아민은, 예를 들면 1,2,4,5-테트라아미노벤젠, 1,2,5,6-테트라아미노나프탈레이트, 2,3,6,7-테트라아미노나프탈레이트, 3,3',4,4'-테트라아미노다이페닐메테인, 3,3',4,4'-테트라아미노다이페닐에테인, 3,3',4,4'-테트라아미노다이페닐-2,2-프로페인, 3,3',4,4'-테트라아미노다이페닐싸이오에터 및 3,3',4,4'-테트라아미노다이페닐설폰 등을 들 수 있다. 바람직한 방향족 테트라아민은, 3,3',4,4'-테트라아미노바이페닐이다.The aromatic tetraamines include, for example, 1,2,4,5-tetraaminobenzene, 1,2,5,6-tetraaminonaphthalate, 2,3,6,7-tetraaminonaphthalate, 3,3 ' , 4,4'-tetraminodiphenylmethane, 3,3 ', 4,4'-tetraminodiphenyl ether, 3,3', 4,4'-tetramonodiphenyl-2,2-propane , 3,3 ', 4,4'-tetramino diphenyl thioether, and 3,3', 4,4'-tetramino diphenyl sulfone. A preferred aromatic tetraamine is 3,3 ', 4,4'-tetraaminobiphenyl.

다이카복실산 성분은, 예를 들면 아이소프탈산, 테레프탈산, 4,4'-바이페닐다이카복실산, 1,4-나프탈렌다이카복실산, 다이펜산(2,2'-바이페닐다이카복실산), 페닐인데인다이카복실산, 1,6-나프탈렌다이카복실산, 2,6-나프탈렌다이카복실산, 4,4'-다이페닐싸이오에터다이카복실산, 4,4'-다이페닐설폰다이카복실산, 4,4'-다이페닐싸이오에터다이카복실산을 들 수 있다.The dicarboxylic acid component includes, for example, isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 1,4-naphthalenedicarboxylic acid, diphenic acid (2,2'- biphenyldicarboxylic acid), phenylindene dicarboxylic acid , 1,6-naphthalene dicarboxylic acid, 2,6-naphthalene dicarboxylic acid, 4,4'-diphenyl thioether dicarboxylic acid, 4,4'-diphenyl sulfone dicarboxylic acid, 4,4'- Carboxylic acid.

다이카복실산 성분은, 방향족 테트라아민의 몰당, 약 1몰의 다이카복실산 성분 비율로 도입하는 것이 바람직하다. 또한, 중합계의 반응물의 최적의 비율은, 당업자에 의하여 용이하게 결정된다.The dicarboxylic acid component is preferably introduced at a ratio of about 1 mole of the dicarboxylic acid component per mole of the aromatic tetraamine. In addition, the optimum ratio of the reactants in the polymerization system is easily determined by those skilled in the art.

폴리벤즈이미다졸 수지의 예로서는, 폴리-2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-바이벤즈이미다졸, 폴리-2,2'-(바이페닐렌-2"2"')-5,5'-바이벤즈이미다졸, 폴리-2,2'-(바이페닐렌-4"4"')-5,5'-바이벤즈이미다졸, 폴리-2,2'-(1",1",3"트라이메틸인단일렌-3"5"-p-페닐렌-5,5'-바이벤즈이미다졸, 2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-바이벤즈이미다졸/2,2-(1",1",3"-트라이메틸인단일렌)5",3"-(p-페닐렌)-5,5'-바이벤즈이미다졸 코폴리머, 2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-바이벤즈이미다졸/2,2'-바이페닐렌-2","')-5,5'-바이벤즈이미다졸 코폴리머, 폴리-2,2'-(퓨릴렌-2",5")-5,5'-바이벤즈이미다졸, 폴리-2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-바이벤즈이미다졸, 폴리-2,2'-(나프탈렌-1",6")-5,5'-바이벤즈이미다졸, 폴리-2,2'-(나프탈렌-2",6")-5,5'-바이벤즈이미다졸, 폴리-2,2'-아밀렌-5,5'-바이벤즈이미다졸, 폴리-2,2'-옥타메틸렌-5,5'-바이벤즈이미다졸, 폴리-2,2'-(m-페닐렌)-다이이미다조벤젠, 폴리-2,2'-사이클로헥센일-5,5'-바이벤즈이미다졸, 폴리-2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-다이(벤즈이미다졸)에터, 폴리-2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-다이(벤즈이미다졸)설파이드, 폴리-2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-다이(벤즈이미다졸)설폰, 폴리-2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-다이(벤즈이미다졸)메테인, 폴리-2,2'-(m-페닐렌)-5,5'-다이(벤즈이미다졸)프로페인, 및 폴리-에틸렌-1,2-2,2"-(m-페닐렌)-5,5"-다이벤즈이미다졸)에틸렌-1,2 등을 들 수 있다.Examples of the polybenzimidazole resin include poly-2,2 '- (m-phenylene) -5,5'-bibenzimidazole, poly-2,2' - (biphenylene- -Bibenzimidazole, poly-2,2 '- (biphenylene-4' '' ') - 5,5'-bibenzimidazole, , 1 ", 3" trimethyl phosphorous mono-3 "5" -p-phenylene-5,5'-bibenzimidazole, 2,2 '- (m- Benzimidazole / 2,2- (1 ", 1 ", 3" -trimethyl phosphorous monoren) 5 &quot;, 3 " , 2 '- (m-phenylene) -5,5'-bibenzimidazole / 2,2'-biphenylene-2' '' - 5,5'-bibenzimidazole copolymer, poly -2,2 '- (furylene-2 ", 5") -5,5'-bibenzimidazole, poly-2,2' - (m-phenylene) -5,5'- , Poly-2,2 '- (naphthalene-2 &quot;, 6 ") - 5,5'-bibenzimidazole, Bibenzimidazole, poly-2,2'-amylene-5,5'-bibenzimidazole, poly-2,2'-octamethylene-5,5'-bibenzimidazole, '- (m-phenylene) -da Polyimides such as imidazobenzene, poly-2,2'-cyclohexenyl-5,5'-bibenzimidazole, poly-2,2'- (m-phenylene) -5,5'- ) Ether, poly-2,2'- (m-phenylene) -5,5'-di (benzimidazole) sulfide, poly- (Benzimidazole) sulfone, poly-2,2'- (m-phenylene) -5,5'-di (benzimidazole) methane, , 5'-di (benzimidazole) propane, and poly-ethylene-1,2,2,2 "- (m-phenylene) -5,5" -dibenzimidazole) ethylene- .

폴리벤즈이미다졸 수지는, 시판품을 이용해도 된다. 예를 들면, MRS0810H(PBI사제) 등을 들 수 있다.As the polybenzimidazole resin, commercially available products may be used. For example, MRS0810H (manufactured by PBI).

<<<<폴리벤조옥사졸 수지>>>><<<< Polybenzoxazole Resin >>>>

폴리벤조옥사졸 수지는, 비스아미노페놀 화합물과, 다이카복실산 유도체로부터 합성되는 폴리하이드록시아마이드를 용제에 용해하여, 탈수 폐환 반응을 거침으로써 얻어지는 것 등이 이용된다.The polybenzoxazole resin is obtained by dissolving a bisaminophenol compound and a polyhydroxyamide synthesized from a dicarboxylic acid derivative in a solvent and subjecting to a dehydration ring-closure reaction.

비스아미노페놀 화합물로서는, 2,4-다이아미노레조시놀, 4,6-다이아미노레조시놀, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시페닐)프로페인, 3,3'-다이아미노-4,4'-다이하이드록시다이페닐설폰, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이하이드록시다이페닐설폰, 3,3'-다이아미노-4,4'-다이하이드록시바이페닐, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이하이드록시바이페닐, 9,9-비스(4-((4-아미노-3-하이드록시)페녹시)페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-((3-아미노-4-하이드록시)페녹시)페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-(3-아미노-4-하이드록시)페닐)플루오렌, 9,9-비스(4-(4-아미노-3-하이드록시)페닐)플루오렌, 1,1'-바이나프틸-3,3'-다이아미노-2,2'-다이올, 비스(2-((4-아미노-3-하이드록시)페녹시))-1,1'-바이나프틸, 비스(2-((3-아미노-4-하이드록시)페녹시))-1,1'-바이나프틸, 3,3'-다이아미노-4,4'-다이하이드록시다이페닐에터, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이하이드록시다이페닐에터, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시-2-트라이플루오로메틸페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시-2-트라이플루오로메틸페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시-5-트라이플루오로메틸페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시-5-트라이플루오로메틸페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시-6-트라이플루오로메틸페닐)프로페인, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시-6-트라이플루오로메틸페닐)프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시-2-트라이플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시-2-트라이플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시-5-트라이플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시-5-트라이플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-아미노-4-하이드록시-6-트라이플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(4-아미노-3-하이드록시-6-트라이플루오로메틸페닐)헥사플루오로프로페인, 3,3'-다이아미노-4,4'-다이하이드록시-2,2'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이하이드록시-2,2'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 3,3'-다이아미노-4,4'-다이하이드록시-5,5'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이하이드록시-5,5'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 3,3'-다이아미노-4,4'-다이하이드록시-6,6'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐, 4,4'-다이아미노-3,3'-다이하이드록시-6,6'-비스(트라이플루오로메틸)바이페닐 등을 들 수 있다.Examples of bisaminophenol compounds include 2,4-diaminoresorcinol, 4,6-diaminoresorcinol, 2,2-bis (3-amino-4-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, Bis (4-amino-3-hydroxyphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis Hydroxyphenyl) propane, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenylsulfone, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenylsulfone, Dihydroxybiphenyl, 4,9'-diamino-3,3'-dihydroxybiphenyl, 9,9-bis (4 - ((4- Phenyl) fluorene, 9,9-bis (4- (3-hydroxyphenoxy) phenyl) fluorene, 9,9- (4-amino-3-hydroxyphenyl) fluorene, 1,1'-binaphthyl-3,3'- Diamino-2,2'-diol, bis (2 - ((4- (3-amino-4-hydroxyphenoxy)) - 1,1'-binaphthyl, bis 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxydiphenyl ether, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxydiphenyl ether, 2,2-bis (3- 2-trifluoromethylphenyl) propane, 2,2-bis (4-amino-3-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl) propane, Amino-3-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) propane, 2,2-bis (3- Amino-3-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) propane, 2,2-bis (3- Amino-3-hydroxy-2-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2-bis (4-amino- Bis (4-amino-3-hydroxy-5-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2- Bis (4-amino-4-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 2,2- 3-hydroxy-6-trifluoromethylphenyl) hexafluoropropane, 3,3'-diamino-4,4'-dihydroxy-2,2'-bis (trifluoromethyl) 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxy-2,2'-bis (trifluoromethyl) biphenyl, 3,3'- , 5'-bis (trifluoromethyl) biphenyl, 4,4'-diamino-3,3'-dihydroxy-5,5'-bis (trifluoromethyl) Diamino-4,4'-dihydroxy-6,6'-bis (trifluoromethyl) biphenyl, 4,4'-diamino-3 , 3'-dihydroxy-6,6'-bis (trifluoromethyl) biphenyl, and the like.

다이카복실산 유도체로서는, 아이소프탈산, 테레프탈산, 4,4'-바이페닐다이카복실산, 3,4'-바이페닐다이카복실산, 3,3'-바이페닐다이카복실산, 2,6-나프탈렌다이카복실산, 1,4-나프탈렌다이카복실산, 4,4'-설폰일비스벤조산, 3,4'-설폰일비스벤조산, 3,3'-설폰일비스벤조산, 4,4'-옥시비스벤조산, 3,4'-옥시비스벤조산, 3,3'-옥시비스벤조산, 2,2-비스(4-카복시페닐)프로페인, 2,2-비스(3-카복시페닐)프로페인, 2,2-비스(4-카복시페닐)헥사플루오로프로페인, 2,2-비스(3-카복시페닐)헥사플루오로프로페인, 4,4'-비스(4-카복시페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(3-카복시페녹시)바이페닐, 3,4'-비스(4-카복시페녹시)바이페닐, 3,4'-비스(3-카복시페녹시)바이페닐, 3,3'-비스(4-카복시페녹시)바이페닐, 3,3'-비스(3-카복시페녹시)바이페닐, 4,4'-비스(4-카복시페녹시)-p-터페닐, 4,4'-비스(4-카복시페녹시)-m-터페닐, 3,4'-비스(4-카복시페녹시)-p-터페닐, 3,3'-비스(4-카복시페녹시)-p-터페닐, 3,4'-비스(4-카복시페녹시)-m-터페닐, 3,3'-비스(4-카복시페녹시)-m-터페닐, 4,4'-비스(3-카복시페녹시)-p-터페닐, 4,4'-비스(3-카복시페녹시)-m-터페닐, 3,4'-비스(3-카복시페녹시)-p-터페닐, 3,3'-비스(3-카복시페녹시)-p-터페닐, 3,4'-비스(3-카복시페녹시)-m-터페닐, 3,3'-비스(3-카복시페녹시)-m-터페닐, 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-바이페닐다이카복실산, 3,3'-비스(트라이플루오로메틸)-4,4'-바이페닐다이카복실산, 2,2'-비스(트라이플루오로메틸)-3,3'-바이페닐다이카복실산, 2,2'-다이메틸-4,4'-바이페닐다이카복실산, 3,3'-다이메틸-4,4'-바이페닐다이카복실산, 2,2'-다이메틸-3,3'-바이페닐다이카복실산, 3-플루오로아이소프탈산, 2-플루오로아이소프탈산, 2-플루오로테레프탈산, 2,4,5,6-테트라플루오로아이소프탈산, 2,3,5,6-테트라플루오로테레프탈산, 5-트라이플루오로메틸아이소프탈산 등으로부터 선택되는 다이카본과, 1-하이드록시벤조트라이아졸, 1-하이드록시벤조싸이아졸, p-나이트로페놀로부터 선택되는 1종 이상을 반응시켜 얻어지는 카복실산 유도체 등을 들 수 있다.Examples of dicarboxylic acid derivatives include isophthalic acid, terephthalic acid, 4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 2,6- Naphthalene dicarboxylic acid, 4,4'-sulfonyl bisbenzoic acid, 3,4'-sulfonyl bisbenzoic acid, 3,3'-sulfonyl bisbenzoic acid, 4,4'-oxybisbenzoic acid, 3,4'- (3-carboxyphenyl) propane, 2,2-bis (4-carboxyphenyl) propane, 2,2- Bis (4-carboxyphenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3-carboxyphenyl) hexafluoropropane, Carboxyphenoxy) biphenyl, 3,3'-bis (4-carboxyphenoxy) biphenyl, 3,4'-bis Bis (4-carboxyphenoxy) -p-terphenyl, 4,4'-bis (4-carboxyphenoxy) biphenyl, Pe (4-carboxyphenoxy) -p-terphenyl, 3,3'-bis (4-carboxyphenoxy) -Bis (3-carboxyphenoxy) -m-terphenyl, 3,3'-bis (4-carboxyphenoxy) Terphenyl, 4,4'-bis (3-carboxyphenoxy) -m-terphenyl, 3,4'-bis (3-carboxyphenoxy) (3-carboxyphenoxy) -m-terphenyl, 2, 3'-bis (3-carboxyphenoxy) Bis (trifluoromethyl) -4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 2,2'-bis (trifluoromethyl) -4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'- (Trifluoromethyl) -3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 2,2'-dimethyl-4,4'-biphenyldicarboxylic acid, 3,3'-dimethyl-4,4'- Dicarboxylic acid, 2,2'-dimethyl-3,3'-biphenyldicarboxylic acid, 3-fluoroisophthalic acid, 2-fluoroisophthalic acid, 2-fluoroterephthalic acid, Dicarbon selected from the group consisting of 1-hydroxybenzotriazole, 1-hydroxybenzothiazole, 1-hydroxybenzotriazole, 2-hydroxybenzotriazole, 2-hydroxybenzotriazole, , p-nitrophenol, and the like, and the like.

폴리벤조옥사졸 수지는, 시판품을 이용해도 된다. 예를 들면, CRC-8800(스미토모 베이클라이트사제) 등을 들 수 있다.Commercially available polybenzoxazole resins may be used. For example, CRC-8800 (manufactured by Sumitomo Bakelite Co., Ltd.).

접착 영역은, 수지 성분 A를, 접착 영역의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 1~99질량% 함유하는 것이 바람직하고, 10~90질량%가 보다 바람직하며, 25~75질량%가 특히 바람직하다.The adhesive region preferably contains the resin component A in an amount of 1 to 99 mass%, more preferably 10 to 90 mass%, and more preferably 25 to 75 mass% with respect to the total solid content (amount excluding the solvent) Is particularly preferable.

또, 가접착막은, 수지 성분 A를, 가접착막의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 1~99질량% 함유하는 것이 바람직하고, 10~90질량%가 보다 바람직하며, 25~75질량%가 특히 바람직하다.The adhesive film preferably contains the resin component A in an amount of 1 to 99 mass%, more preferably 10 to 90 mass%, and more preferably 25 to 75 mass%, based on the total solid content (amount excluding the solvent) % By mass is particularly preferable.

수지 성분 A는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 수지 성분 A가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The resin component A may be a single kind or two or more kinds. When the number of the resin component A is two or more, the sum is preferably in the above range.

<<<가교 성분>>><<< Crosslinking Component >>>

본 발명에 있어서는, 접착 영역은, 가교 성분으로서 말레이미드 수지를 포함하는 것이 바람직하다. 말레이미드 수지로서, 경화 후의 생성물이, 상기 질량 감소율 및 용해도를 충족시키는 것이면, 임의의 것을 사용할 수 있다.In the present invention, it is preferable that the adhesive region includes a maleimide resin as a cross-linking component. As the maleimide resin, any material may be used as long as the product after curing satisfies the mass reduction rate and solubility.

또한, 본 발명에 있어서, 말레이미드기를 갖는 화합물, 및 이러한 화합물이 가교하여 이루어지는 가교물을 모두 말레이미드 수지라고 한다. 가교물은, 말레이미드기를 갖는 화합물을 이용하여 이루어지는 3차원 가교물인 것이 바람직하다. 또, 말레이미드기를 갖는 화합물은, 모노머여도 되고, 폴리머여도 된다.In the present invention, the compound having a maleimide group and the crosslinked product obtained by crosslinking such a compound are all referred to as maleimide resins. The crosslinked product is preferably a three-dimensional crosslinked product using a compound having a maleimide group. The compound having a maleimide group may be either a monomer or a polymer.

본 발명에서는, 말레이미드 수지로서, 비스말레이미드 수지가 바람직하다.In the present invention, a bismaleimide resin is preferable as the maleimide resin.

비스말레이미드 수지로서는, 예를 들면 하기 일반식 (III)으로 나타나는 비스말레이미드 수지, 하기 일반식 (IV)로 나타나는 노볼락형 말레이미드 수지로부터 선택되는 적어도 1종인 것이 보다 바람직하다.The bismaleimide resin is more preferably at least one selected from a bismaleimide resin represented by the following general formula (III) and a novolac-type maleimide resin represented by the following general formula (IV).

[화학식 1][Chemical Formula 1]

Figure 112016112149515-pct00001
Figure 112016112149515-pct00001

일반식 (III) 중, R은, 방향족환 또는 직쇄, 분기쇄 혹은 환상 지방족 탄화 수소기를 포함하는 2가의 유기기를 나타낸다.In the general formula (III), R represents an aromatic ring or a divalent organic group containing a straight-chain, branched-chain or cyclic aliphatic hydrocarbon group.

R은, 바람직하게는, 벤젠기, 톨루엔기, 자일렌기, 나프탈렌기, 혹은 직쇄, 분기쇄 혹은 환상 포화 탄화 수소기, 또는 이들의 조합으로 구성되는 2가의 기인 것이 바람직하다.R is preferably a divalent group composed of a benzene group, a toluene group, a xylene group, a naphthalene group, or a linear, branched or cyclic saturated hydrocarbon group, or a combination thereof.

R은, 하기 식 (v), (vi) 혹은 (vii)로 나타나는 2가의 기인 것이 바람직하다.R is preferably a divalent group represented by the following formula (v), (vi) or (vii).

[화학식 2](2)

Figure 112016112149515-pct00002
Figure 112016112149515-pct00002

[화학식 3](3)

Figure 112016112149515-pct00003
Figure 112016112149515-pct00003

일반식 (IV) 중, s는 0~20의 정수를 나타낸다.In the general formula (IV), s represents an integer of 0 to 20.

본 발명에 있어서, 말레이미드 수지는, 일본 공개특허공보 2003-321608호의 단락 번호 0020~0023에 기재된 것 등을 이용할 수도 있다.In the present invention, the maleimide resin may be those described in paragraphs 0020 to 0023 of JP-A No. 2003-321608.

말레이미드 수지의 시판품으로서는, BMI-1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 5100, 7000(다이와 가세이 고교제, 비스말레이미드 수지), BANI-X(신나카무라 가가쿠제, 비스말레이미드 수지), BANI-M(신나카무라 가가쿠제, 비스말레이미드 수지) 등을 들 수 있다.Examples of commercially available products of the maleimide resin include BMI-1000, 2000, 3000, 4000, 5000, 5100, 7000 (bismaleimide resin, manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., Ltd.), BANI-X (bismaleimide resin, Shin Nakamura Kagaku Co., -M (Shin Nakamura Kagaku Co., Ltd., bismaleimide resin), and the like.

접착 영역은, 말레이미드 수지를, 접착 영역의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 1~99질량% 함유하는 것이 바람직하고, 10~90질량%가 보다 바람직하며, 25~75질량%가 특히 바람직하다. 말레이미드 수지의 함유량이 상기 범위이면, 접착 영역의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.The adhesion region preferably contains the maleimide resin in an amount of 1 to 99 mass%, more preferably 10 to 90 mass%, and more preferably 25 to 75 mass% with respect to the total solid content (amount excluding the solvent) Is particularly preferable. When the content of the maleimide resin is within the above range, the heat resistance of the adhesive region can be further improved.

또, 가접착막은, 말레이미드 수지를, 가접착막의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 1~99질량% 함유하는 것이 바람직하고, 10~90질량%가 보다 바람직하며, 25~75질량%가 특히 바람직하다.The adhesive film preferably contains 1 to 99 mass%, more preferably 10 to 90 mass%, and more preferably 25 to 75 mass% of the maleimide resin with respect to the total solid content (amount excluding the solvent) % By mass is particularly preferable.

말레이미드 수지는, 접착 영역에 포함되는 가교 성분의 전체 질량 중, 10~100질량% 함유하는 것이 바람직하고, 20~100질량%가 보다 바람직하며, 50~100질량%가 더 바람직하고, 80~100질량%가 특히 바람직하다. 가장 바람직하게는 가교 성분이 실질적으로 말레이미드 수지만으로 구성되는 것이다. 또한, 실질적으로 말레이미드 수지만으로 구성된다는 것은, 가교 성분의 전체량 중에 말레이미드 수지 이외의 가교 성분의 함유량이, 예를 들면 1질량% 이하가 바람직하고, 0.5질량% 이하가 보다 바람직하며, 0.1질량% 이하가 특히 바람직하다. 이 양태에 의하면, 접착 영역의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.The maleimide resin preferably contains 10 to 100 mass%, more preferably 20 to 100 mass%, more preferably 50 to 100 mass%, and most preferably 80 to 100 mass% of the total mass of the cross- Particularly preferably 100% by mass. Most preferably, the crosslinking component is composed substantially of maleimide resin alone. The content of the cross-linking component other than the maleimide resin is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and more preferably 0.1% by mass or less, By mass or less is particularly preferable. According to this embodiment, the heat resistance of the adhesive region can be further improved.

본 발명의 접착 영역은, 말레이미드 수지 이외의 가교 성분(다른 가교 성분)을 함유해도 된다. 다른 가교 성분으로서는, 2개 이상의 중합성기를 갖는 화합물이며, 활성광선, 방사선, 광, 열, 라디칼 또는 산의 작용에 의하여 중합 가능한 공지의 화합물을 이용할 수 있다. 중합성기로서는, 예를 들면 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기, 에폭시기 등을 들 수 있다. 에틸렌성 불포화 결합기로서는, 바이닐기, 아크릴기, 메타크릴기, 알릴기가 바람직하다.The bonding region of the present invention may contain a crosslinking component (other crosslinking component) other than the maleimide resin. As other crosslinking components, known compounds which are compounds having two or more polymerizable groups and can be polymerized by the action of an actinic ray, radiation, light, heat, radical or acid can be used. Examples of the polymerizable group include a group having an ethylenic unsaturated bond and an epoxy group. As the ethylenically unsaturated bond group, a vinyl group, an acrylic group, a methacrylic group and an allyl group are preferable.

에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 탄소수 3~35의 (메트)아크릴아마이드 화합물, 탄소수 4~35의 (메트)아크릴레이트 화합물, 탄소수 6~35의 방향족 바이닐 화합물, 탄소수 3~20의 바이닐에터 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the compound having a group having an ethylenically unsaturated bond include (meth) acrylamide compounds having 3 to 35 carbon atoms, (meth) acrylate compounds having 4 to 35 carbon atoms, aromatic vinyl compounds having 6 to 35 carbon atoms, 20 vinyl ether compounds, and the like.

에폭시기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 비스페놀 A형(또는 AD형, S형, F형)의 글리시딜에터, 수소 첨가 비스페놀 A형의 글리시딜에터, 에틸렌옥사이드 부가체 비스페놀 A형의 글리시딜에터, 프로필렌옥사이드 부가체 비스페놀 A형의 글리시딜에터, 페놀 노볼락 수지의 글리시딜에터, 크레졸 노볼락 수지의 글리시딜에터, 비스페놀 A 노볼락 수지의 글리시딜에터, 나프탈렌 수지의 글리시딜에터, 3관능형(또는 4관능형)의 글리시딜에터, 다이사이클로펜타다이엔페놀 수지의 글리시딜에터, 다이알릴비스페놀 A 다이글리시딜에터, 알릴화 비스페놀 A와 에피클로로하이드린의 중축합물, 다이머산의 글리시딜에스터, 3관능형(또는 4관능형)의 글리시딜아민, 나프탈렌 수지의 글리시딜아민 등을 들 수 있다.Examples of the compound having an epoxy group include glycidyl ethers of bisphenol A type (or AD type, S type, and F type), glycidyl ethers of hydrogenated bisphenol A type, and glycidyl ethers of ethylene oxide adduct bisphenol A type Glycidyl ethers of propylene oxide adduct bisphenol A type, glycidyl ethers of phenol novolac resins, glycidyl ethers of cresol novolak resins, glycidyl ethers of bisphenol A novolak resin, (Or tetrafunctional) glycidyl ethers of a naphthalene resin, glycidyl ethers of a dicyclopentadienephenol resin, diallyl bisphenol A diglycidyl ether A polycondensation product of allylated bisphenol A and epichlorohydrin, a glycidyl ester of dimeric acid, a glycidyl amine of trifunctional (or tetrafunctional) type, a glycidyl amine of naphthalene resin, etc. .

본 발명에 있어서는, 가교 성분으로서 에폭시기를 갖는 화합물을 함유해도 되는데, 내열성을 보다 향상시킬 수 있다는 이유에서, 가교 성분 100질량부 중에 있어서의 에폭시기를 갖는 화합물의 함유량은, 10질량% 이하로 할 수도 있고, 더 바람직하게는, 5질량% 이하로 할 수도 있으며, 특히 실질적으로 함유하지 않을 수도 있다. 또한, 실질적으로 함유하지 않는다는 것은, 예를 들면 에폭시기를 갖는 화합물의 함유량이 1질량% 이하가 바람직하고, 0.5질량% 이하가 보다 바람직하며, 0.1질량% 이하가 특히 바람직하고, 함유하지 않는 것이 가장 바람직하다.In the present invention, a compound having an epoxy group as a crosslinking component may be contained. However, since the heat resistance can be further improved, the content of the compound having an epoxy group in 100 parts by mass of the crosslinking component may be 10% And more preferably 5% by mass or less, and may be substantially free of any other impurities. For example, the content of the epoxy group-containing compound is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, particularly preferably 0.1% by mass or less, desirable.

<<<열중합 개시제>>><<< Thermal polymerization initiator >>>

본 발명의 접착 영역은 열중합 발생제를 더 함유하는 것이 바람직하다. 열중합 개시제로서는, 공지의 것을 이용할 수 있다.The adhesive region of the present invention preferably further contains a thermal polymerization initiator. As the thermal polymerization initiator, known ones can be used.

바람직한 열중합 개시제로서는, 1분간 반감기 온도가 130℃~300℃, 바람직하게는 150℃~260℃의 범위인 화합물을 바람직하게 사용할 수 있다. 이 양태에 의하면, 접착 영역의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.As the preferable thermal polymerization initiator, a compound having a half-life temperature for one minute of 130 占 폚 to 300 占 폚, preferably 150 占 폚 to 260 占 폚 may be preferably used. According to this embodiment, the heat resistance of the adhesive region can be further improved.

열중합 개시제의 1분간 반감기 온도는, 열중합 개시제가 분해되고, 1분간 그 잔존량(질량)이 1/2이 되는 온도이다. 열중합 개시제의 1분간 반감기 온도는, 예를 들면 벤젠 중에 열중합 개시제를 0.1mol/l로 조제하여, 수 점의 온도 Ti(절대 온도)로 가열하고, 각 온도 Ti에 있어서의 반감기 t1/2, T1을 측정하여, Int1 /2, T1을, 1/Ti에 대하여 플롯하며, 얻어진 직선으로부터, 반감기가 1분이 되는 온도를 구함으로써 측정할 수 있다.The one-minute half-life temperature of the thermal polymerization initiator is a temperature at which the thermal polymerization initiator is decomposed and its remaining amount (mass) is reduced to 1/2. One-minute half-life temperature of the thermal polymerization initiator is, for example, by preparing a thermal polymerization initiator in benzene to 0.1mol / l, is heated to a temperature Ti (absolute temperature) of a number of points, and the half-life of t 1 / in each temperature Ti 2, by measuring the T1, by the Int 1/2, T1, from the plots, and the obtained straight line with respect to 1 / Ti, obtain the temperature at which the half-life is one minute, it can be determined.

열중합 개시제는, 열의 에너지에 의하여 라디칼을 발생하고, 말레이미드 수지 등의 가교 성분의 반응을 개시 또는 촉진시키는 화합물(열라디칼 발생제)인 것이 바람직하다.The thermal polymerization initiator is preferably a compound (thermal radical generator) that generates radicals by the energy of heat and initiates or promotes the reaction of the crosslinking component such as maleimide resin.

열라디칼 발생제로서는, 방향족 케톤류, 오늄염 화합물, 유기 과산화물, 싸이오 화합물, 헥사아릴바이이미다졸 화합물, 케톡심에스터 화합물, 보레이트 화합물, 아지늄 화합물, 메탈로센 화합물, 활성 에스터 화합물, 탄소 할로젠 결합을 갖는 화합물, 아조계 화합물 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 유기 과산화물 또는 아조계 화합물이 보다 바람직하고, 유기 과산화물이 특히 바람직하다.Examples of the thermal radical generator include aromatic ketones, onium salt compounds, organic peroxides, thio compounds, hexaarylbimidazole compounds, ketoxime ester compounds, borate compounds, azinium compounds, metallocene compounds, active ester compounds, A compound having a hydrogen bond, an azo compound, and the like. Among them, an organic peroxide or an azo-based compound is more preferable, and an organic peroxide is particularly preferable.

열라디칼 발생제의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2008-63554호의 단락 0074~0118에 기재되어 있는 화합물을 들 수 있다.Specific examples of the thermal radical generator include the compounds described in paragraphs 0074 to 0118 of JP-A No. 2008-63554.

또, 시판품으로는, 유기 과산화물로서, 니치유사의 퍼큐밀 D, 퍼큐밀 H, 퍼큐밀 ND, 퍼큐밀 P, 퍼로일 IB, 퍼로일 IP, 퍼로일 L, 퍼로일 NPP, 퍼로일 SA, 퍼로일 SBP, 퍼로일 TCP, 퍼로일 OPP, 퍼로일 355, 퍼뷰틸 D, 퍼뷰틸 ND, 퍼뷰틸 NHP, 퍼뷰틸 PV, 퍼뷰틸 P, 퍼뷰틸 Z, 퍼뷰틸 O, 퍼헥실 ND, 퍼헥실 O, 퍼헥실 PV, 퍼옥타 ND, 퍼옥타 O, 나이퍼 BMT, 나이퍼 BW, 나이퍼 PMB, 퍼헥사 HC, 퍼헥사 MC, 퍼헥사 TMH, 퍼헥사 V, 퍼헥사 25B, 퍼헥사 25O, 퍼헥사인 25B, 퍼멘타 H 등을 들 수 있다. 아조계 화합물로서, 와코제의 V-601 등을 들 수 있다.Commercially available products include organic peroxides such as pericumyl D, percumyl H, percumyl ND, percumyl P, peroyl IB, peroyl IP, peroyl L, peroyl NPP, peroyl SA, Peroyl OPP, peryl 355, perbutyl D, perbutyl ND, perbutyl NHP, perbutyl PV, perbutyl P, perbutyl Z, perbutyl O, perheyl ND, perheyl O , Perhexil PV, perocta ND, perocta O, nippers BMT, nippers BW, nippers PMB, perhexa HC, perhexa MC, perhexa TMH, perhexa V, perhexa 25B, perhexa 25O, , And the like. As the azo-based compound, V-601 of Wako Co., Ltd. and the like can be mentioned.

접착 영역은, 열중합 개시제를, 접착 영역의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 0.5~20질량% 함유하는 것이 바람직하고, 1~10질량%가 보다 바람직하며, 2~8질량%가 특히 바람직하다. 열중합 개시제의 함유량이 상기 범위이면, 접착 영역의 내열성을 보다 향상시킬 수 있다.The adhesive region preferably contains the thermal polymerization initiator in an amount of 0.5 to 20 mass%, more preferably 1 to 10 mass%, and more preferably 2 to 8 mass%, based on the total solid content (amount excluding the solvent) Is particularly preferable. When the content of the thermal polymerization initiator is within the above range, the heat resistance of the adhesive region can be further improved.

또, 가접착막은, 열중합 개시제를, 가접착막의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 0.5~20질량% 함유하는 것이 바람직하고, 1~10질량%가 보다 바람직하며, 2~8질량%가 특히 바람직하다.The adhesive film preferably contains the thermal polymerization initiator in an amount of 0.5 to 20 mass%, more preferably 1 to 10 mass%, and more preferably 2 to 8 mass%, based on the total solid content (amount excluding the solvent) % By mass is particularly preferable.

<<<계면활성제>>><<< Surfactant >>>

본 발명의 가접착막에 있어서의 접착 영역은, 계면활성제를 함유해도 된다. 계면활성제로서는, 불소계 계면활성제, 비이온계 계면활성제, 양이온계 계면활성제, 음이온계 계면활성제, 실리콘계 계면활성제 등의 각종 계면활성제를 사용할 수 있으며, 불소계 계면활성제가 바람직하다.The adhesive region of the adhesive film of the present invention may contain a surfactant. As the surfactant, various surfactants such as a fluorine-based surfactant, a nonionic surfactant, a cationic surfactant, an anionic surfactant, and a silicone-based surfactant can be used, and a fluorine-based surfactant is preferable.

접착 영역을 도포법으로 형성하는 경우에 있어서, 도포액으로서 조제했을 때의 액특성(특히, 유동성)이 향상되고, 도포 두께의 균일성이나 성액성(省液性)을 보다 개선할 수 있다.In the case of forming the adhesive region by the coating method, the liquid property (particularly, fluidity) when prepared as a coating liquid is improved, and the uniformity of the coating thickness and the liquid-storing property can be further improved.

불소계 계면활성제는, 불소 함유율이 3~40질량%인 것이 바람직하고, 5~30질량%가 보다 바람직하며, 7~25질량%가 더 바람직하다. 불소 함유율이 이 범위 내인 불소계 계면활성제는, 도포막의 두께의 균일성이나 성액성의 점에서 효과적이다.The fluorine-containing surfactant preferably has a fluorine content of 3 to 40% by mass, more preferably 5 to 30% by mass, and further preferably 7 to 25% by mass. The fluorine-based surfactant having a fluorine content within this range is effective in terms of uniformity of the thickness of the coating film and liquidity.

불소계 계면활성제로서는, 예를 들면 메가팍 F171, 동 F172, 동 F173, 동 F176, 동 F177, 동 F141, 동 F142, 동 F143, 동 F144, 동 R30, 동 F437, 동 F475, 동 F479, 동 F482, 동 F554, 동 F780, 동 F781(이상, DIC(주)제), 플루오라드 FC430, 동 FC431, 동 FC171(이상, 스미토모 3M(주)제), 서프론 S-382, 동 SC-101, 동 SC-103, 동 SC-104, 동 SC-105, 동 SC1068, 동 SC-381, 동 SC-383, 동 S393, 동 KH-40(이상, 아사히 글라스(주)제), PF636, PF656, PF6320, PF6520, PF7002(OMNOVA사제) 등을 들 수 있다.Examples of the fluorine-based surfactant include Megapak F171, Dong F172, Dong F173, Dong F176, Dong F177, Dong F141, Dong F142, Dong F143, Dong F144, Dong R30, Dong F437, Dong F475, Dong F479, Dong F482 (Manufactured by Sumitomo 3M Co., Ltd.), Surflon S-382, SC-101, and SC-101 (manufactured by Sumitomo 3M Limited), F554, F780, and F781 (manufactured by DIC Corporation), Fluorad FC430, (Manufactured by ASAHI GLASS CO., LTD.), PF636, PF656, and SC-103, SC-104, SC-105, SC1068, SC- PF6320, PF6520 and PF7002 (manufactured by OMNOVA).

비이온계 계면활성제로서는, 글리세롤, 트라이메틸올프로페인, 트라이메틸올에테인과 그들의 에톡실레이트 및 프로폭실레이트(예를 들면, 글리세롤프로폭실레이트, 글리세린에톡실레이트 등), 폴리옥시에틸렌라우릴에터, 폴리옥시에틸렌스테아릴에터, 폴리옥시에틸렌올레일에터, 폴리옥시에틸렌옥틸페닐에터, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에터, 폴리에틸렌글라이콜다이라우레이트, 폴리에틸렌글라이콜다이스테아레이트, 소비탄 지방산 에스터(BASF사제의 플루로닉 L10, L31, L61, L62, 10R5, 17R2, 25R2, 테트로닉 304, 701, 704, 901, 904, 150R1, 솔스퍼스 20000(니혼 루브리졸(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of the nonionic surfactant include glycerol, trimethylol propane, trimethylol ethane and their ethoxylates and propoxylates (for example, glycerol propoxylate, glycerin ethoxylate and the like), polyoxyethylene lauryl Polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octyl phenyl ether, polyoxyethylene nonyl phenyl ether, polyethylene glycol di-laurate, polyethylene glycol di-stearate , Consumant fatty acid ester (Pluronic L10, L31, L61, L62, 10R5, 17R2, 25R2, Tetronic 304, 701, 704, 901, 904, 150R1, Solspus 20000 ), And the like.

양이온계 계면활성제로서는, 프탈로사이아닌 유도체(상품명: EFKA-745, 모리시타 산교(주)제), 오가노실록세인 폴리머 KP341(신에쓰 가가쿠 고교(주)제), (메트)아크릴산계 (공)중합체 폴리플로 No. 75, No. 90, No. 95(교에이샤 가가쿠(주)제), W001(유쇼(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of the cationic surfactant include phthalocyanine derivatives (trade name: EFKA-745, manufactured by Morishita Sangyo Co., Ltd.), organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.) Lt; / RTI &gt; 75, No. 90, No. 95 (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd.) and W001 (manufactured by Yusoh Co., Ltd.).

음이온계 계면활성제로서는, W004, W005, W017(유쇼(주)제) 등을 들 수 있다.Examples of the anionic surfactant include W004, W005 and W017 (manufactured by Yusoh Co., Ltd.).

실리콘계 계면활성제로서는, 예를 들면 도레이·다우코닝(주)제 "도레이 실리콘 DC3PA", "도레이 실리콘 SH7PA", "도레이 실리콘 DC11PA", "도레이 실리콘 SH21PA", "도레이 실리콘 SH28PA", "도레이 실리콘 SH29PA", "도레이 실리콘 SH30PA", "도레이 실리콘 SH8400", 모멘티브·퍼포먼스·머티리얼즈사제 "TSF-4440", "TSF-4300", "TSF-4445", "TSF-4460", "TSF-4452", 신에쓰 실리콘 가부시키가이샤제 "KP341", "KF6001", "KF6002", 빅케미사제 "BYK307", "BYK323", "BYK330" 등을 들 수 있다.Examples of silicon based surfactants include fluororesins such as "TORAY Silicon DC3PA", "TORAY Silicone SH7PA", "TORAY Silicon DC11PA", "TORAY Silicone SH21PA", "TORAY Silicone SH28PA", "DORAY Silicone SH29PA TSF-4440 "," TSF-4445 "," TSF-4460 "," TSF-4452 "," Tory Silicone SH8400 "and" TSF-4440 "manufactured by Momentive Performance Materials "KF341", "KF6001", and "KF6002" manufactured by Shin-Etsu Silicones Co., Ltd., "BYK307", "BYK323", and "BYK330" manufactured by Big Chemie.

접착 영역이 계면활성제를 갖는 경우, 계면활성제의 함유량은, 접착 영역의 전체 고형분에 대하여, 0.001~1질량%가 바람직하고, 0.01~0.5질량%가 보다 바람직하며, 0.05~0.1질량%가 특히 바람직하다.When the adhesive region has a surfactant, the content of the surfactant is preferably 0.001 to 1% by mass, more preferably 0.01 to 0.5% by mass, particularly preferably 0.05 to 0.1% by mass, with respect to the total solid content of the adhesive region Do.

또, 가접착막은, 계면활성제를, 가접착막의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 0.001~1질량% 함유하는 것이 바람직하고, 0.01~0.5질량%가 보다 바람직하며, 0.05~0.1질량%가 특히 바람직하다.The adhesive film preferably contains the surfactant in an amount of 0.001 to 1 mass%, more preferably 0.01 to 0.5 mass%, more preferably 0.05 to 0.1 mass%, based on the total solids content (amount excluding the solvent) % Is particularly preferable.

계면활성제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 계면활성제가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The surfactant may be one kind or two or more kinds. When two or more kinds of surfactants are used, the total amount is preferably in the above range.

<<<산화 방지제>>><<< Antioxidants >>>

본 발명의 가접착막에 있어서의 접착 영역은, 가열 시의 산화에 의한 접착 영역의 저분자화나 젤화를 방지하는 관점에서, 산화 방지제를 함유해도 된다. 산화 방지제로서는, 페놀계 산화 방지제, 황계 산화 방지제, 퀴논계 산화 방지제, 질소계 산화 방지제 등을 사용할 수 있다.The adhesive region of the adhesive film of the present invention may contain an antioxidant from the viewpoint of preventing the adhesive region from becoming low in molecular weight or gelation due to oxidation at the time of heating. As the antioxidant, phenol-based antioxidants, sulfur-based antioxidants, quinone-based antioxidants, nitrogen-based antioxidants and the like can be used.

페놀계 산화 방지제로서는 예를 들면, p-메톡시페놀, 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀, BASF(주)제 "Irganox 1010", "Irganox 1330", "Irganox 3114", "Irganox 1035", 스미토모 가가쿠(주)제 "Sumilizer MDP-S", "Sumilizer GA-80" 등을 들 수 있다.Examples of the phenolic antioxidant include p-methoxyphenol, 2,6-di-tert-butyl-4-methylphenol, Irganox 1010, Irganox 1330, Irganox 3114, "Irganox 1035" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., "Sumilizer MDP-S" manufactured by Sumitomo Chemical Co., Ltd., and "Sumilizer GA-80"

황계 산화 방지제로서는 예를 들면, 3,3'-싸이오다이프로피오네이트다이스테아릴, 스미토모 가가쿠(주)제 "Sumilizer TPM", "Sumilizer TPS", "Sumilizer TP-D" 등을 들 수 있다.Examples of the sulfur-based antioxidant include 3,3'-thiodipropionate di-stearyl, Sumilizer TPM, Sumilizer TPS, Sumilizer TP-D and the like available from Sumitomo Chemical Co., .

퀴논계 산화 방지제로서는 예를 들면, p-벤조퀴논, 2-tert-뷰틸-1,4-벤조퀴논 등을 들 수 있다.Examples of the quinone antioxidant include p-benzoquinone, 2-tert-butyl-1,4-benzoquinone, and the like.

아민계 산화 방지제로서는 예를 들면, 다이메틸아닐린이나 페노싸이아진 등을 들 수 있다.Examples of the amine-based antioxidant include dimethyl aniline and phenothiazine.

산화 방지제는, Irganox 1010, Irganox 1330, 3,3'-싸이오다이프로피오네이트다이스테아릴이 바람직하고, Irganox 1010, Irganox 1330이 보다 바람직하며, Irganox 1010이 특히 바람직하다.As the antioxidant, Irganox 1010, Irganox 1330, 3,3'-thiodipropionate distearyl are preferable, Irganox 1010 and Irganox 1330 are more preferable, and Irganox 1010 is particularly preferable.

산화 방지제의 분자량은 가열 중의 승화 방지의 관점에서, 400 이상이 바람직하고, 600 이상이 더 바람직하며, 750 이상이 특히 바람직하다.From the viewpoint of preventing sublimation during heating, the molecular weight of the antioxidant is preferably 400 or more, more preferably 600 or more, and particularly preferably 750 or more.

접착 영역이 산화 방지제를 갖는 경우, 산화 방지제의 함유량은, 접착 영역의 전체 고형분에 대하여, 0.001~10질량%가 바람직하고, 0.01~5질량%가 보다 바람직하며, 0.1~1질량%가 특히 바람직하다.When the adhesive region has an antioxidant, the content of the antioxidant is preferably 0.001 to 10 mass%, more preferably 0.01 to 5 mass%, particularly preferably 0.1 to 1 mass%, based on the total solid content of the adhesive region Do.

또, 가접착막은, 산화 방지제를, 가접착막의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 0.001~10질량% 함유하는 것이 바람직하고, 0.01~5질량%가 보다 바람직하며, 0.1~1질량%가 특히 바람직하다.The antistatic agent preferably contains the antioxidant in an amount of 0.001 to 10 mass%, more preferably 0.01 to 5 mass%, and more preferably 0.1 to 1 mass%, based on the total solids content (amount excluding the solvent) % Is particularly preferable.

산화 방지제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 산화 방지제가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The antioxidant may be of one kind alone or in combination of two or more kinds. When the amount of the antioxidant is two or more, the total amount is preferably in the above range.

<<이형 영역>><< Release Region >>

본 발명의 가접착막은, 접착 영역의 표면에 이형 영역을 갖는다. 이형 영역은, 디바이스 웨이퍼와 접착 영역의 접착력을 조정하여, 가접착막을 디바이스 웨이퍼로부터 박리를 용이하게 할 목적으로 이용한다.The adhesive film of the present invention has a release area on the surface of the adhesive area. The releasing area adjusts the adhesive force between the device wafer and the adhesive area so that the adhesive layer can be easily peeled from the device wafer.

이형 영역의 평균 두께는, 0.001~1μm가 바람직하고, 0.01~0.5μm가 보다 바람직하다. 상기 범위이면, 가접착막이 적절한 접착력을 가져, 디바이스 웨이퍼와의 접착성이 양호함과 함께, 가접착막을 디바이스 웨이퍼로부터 용이하게 박리할 수 있다.The average thickness of the release region is preferably from 0.001 to 1 mu m, more preferably from 0.01 to 0.5 mu m. In the above-mentioned range, the adhesive film has an appropriate adhesive force, and the adhesive property to the device wafer is good, and the adhesive film can be easily peeled off from the device wafer.

본 발명의 가접착막이, 접착 영역을 이루는 층의 표층에, 이형 영역을 이루는 층이 적층되어 구성된 적층 구조로 이루어지는 경우, 이형 영역을 이루는 층의 평균 두께는, 0.001~1μm가 바람직하고, 0.01~0.5μm가 보다 바람직하다.In the case where the adhesive film of the present invention has a laminate structure in which the layers constituting the releasing regions are laminated on the surface layer of the adhesive layer, the average thickness of the layers constituting the releasing regions is preferably from 0.001 to 1 μm, More preferably 0.5 mu m.

본 발명의 가접착막이, 가접착층 중에 이형 성분이 표층에 편재하여 이형 영역을 형성하고 있는 양태인 경우, 이형 영역의 평균 두께는, 0.001~1μm가 바람직하고, 0.01~0.5μm가 보다 바람직하다. 또, 이 경우에 있어서, 접착 영역의 평균 두께와 이형 영역의 평균 두께의 비율은, 접착 영역의 평균 두께/이형 영역의 평균 두께=10~1000이 바람직하고, 50~500이 보다 바람직하다.When the adhesive film of the present invention is an embodiment in which the releasing component is localized on the surface layer to form the releasing region in the adhesive layer, the average thickness of the releasing region is preferably 0.001 to 1 μm, more preferably 0.01 to 0.5 μm. In this case, the ratio of the average thickness of the adhesive region to the average thickness of the release region is preferably 10 to 1000, more preferably 50 to 500, in the average thickness of the adhesive region / the average thickness of the release region.

또한, 본 발명에 있어서, 이형 영역의 평균 두께는, 엘립소메트리에 의하여 5점 측정한 점의 평균값으로 정의한다.In the present invention, the average thickness of the release region is defined as an average value of five points measured by ellipsometry.

본 발명의 가접착막에 있어서의 이형 영역은, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 불소계 실레인 커플링제를 포함하는 것이 보다 바람직하다.The releasing region in the adhesive film of the present invention preferably contains a compound containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom, and more preferably contains a fluorine-based silane coupling agent.

이형 영역의 불소 함유율은, 30~80질량%가 바람직하고, 40~76질량%가 보다 바람직하며, 60~75질량%가 특히 바람직하다. 불소 함유율은, "{(1분자 중의 불소 원자수×불소 원자의 질량)/1분자 중의 전체 원자의 질량}×100"으로 정의된다.The fluorine content of the release region is preferably 30 to 80 mass%, more preferably 40 to 76 mass%, and particularly preferably 60 to 75 mass%. The fluorine content is defined as "{(the number of fluorine atoms in one molecule x the mass of fluorine atoms) / the mass of all atoms in one molecule} x 100".

또, 이형 영역은, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 화합물을, 이형 영역의 전체 고형분에 대하여, 10~100질량% 함유하는 것이 바람직하고, 50~100질량%가 보다 바람직하다.The releasing region preferably contains a compound containing at least one kind selected from a fluorine atom and a silicon atom in an amount of 10 to 100 mass%, more preferably 50 to 100 mass%, with respect to the total solid content of the releasing region Do.

또, 가접착막은, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 화합물을, 가접착막의 전체 고형분에 대하여, 10~100질량%가 바람직하고, 50~100질량%가 보다 바람직하다.The adhesive film is preferably 10 to 100% by mass, more preferably 50 to 100% by mass, based on the total solid content of the adhesive film, of a compound containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom.

본 발명에 있어서, 이형 영역은, 내열성의 관점에서 불소 원자를 함유하는 3차원 가교물을 포함하는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 불소 함유 다관능 모노머·올리고머의 3차원 가교물, 또는 불소 함유 실레인 커플링제의 3차원 가교물이 바람직하고, 불소 함유 실레인 커플링제의 3차원 가교물이 특히 바람직하다. 불소 함유 실레인 커플링제로서는, 인체에 대한 위험성 및 금속 부식성이 낮은, 비할로젠계 실레인 커플링제가 바람직하고, 특히 불소 함유 알콕시실레인이 바람직하다. 시판품으로서는, 다이킨 고교 가부시키가이샤제의 옵툴 DAC-HP, 옵툴 DSX를 들 수 있다. 또한, 할로젠계 실레인 커플링제로서는, 예를 들면 불화 클로로실레인 화합물 등을 들 수 있다.In the present invention, it is preferable that the releasing region includes a three-dimensional crosslinked material containing fluorine atoms from the viewpoint of heat resistance. Of these, a three-dimensional crosslinked product of a fluorine-containing polyfunctional monomer and oligomer or a three-dimensional crosslinked product of a fluorine-containing silane coupling agent is preferable, and a three-dimensional crosslinked product of a fluorine-containing silane coupling agent is particularly preferable. As the fluorine-containing silane coupling agent, a hydrazene-based silane coupling agent having a low risk for human body and low metal corrosion is preferable, and a fluorine-containing alkoxysilane is particularly preferable. Commercially available products include OptuT DAC-HP and Optun DSX manufactured by Daikin Industries, Ltd. Examples of the halogen-based silane coupling agent include a chlorosilane fluoride compound and the like.

본 발명에 있어서, 이형 영역은, 불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물을 함유할 수 있다.In the present invention, the releasing region may contain a polymer compound having a non-three-dimensional crosslinked structure having fluorine atoms.

비3차원 가교 구조란, 화합물 중에 가교 구조를 포함하지 않거나, 화합물 중의 전체 가교 구조에 대한 3차원 가교 구조를 형성하고 있는 가교 구조의 비율이, 5% 이하인 것을 말하고, 1% 이하가 바람직하다. 실질적으로 포함되어 있는 것이 바람직하다.The non-three-dimensional crosslinked structure means that the ratio of the crosslinked structure that does not contain a crosslinked structure in the compound or forms a three-dimensional crosslinked structure with respect to the total crosslinked structure in the compound is 5% or less, preferably 1% or less. But it is preferable that it is substantially contained.

불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물로서는, 1종 또는 2종 이상의 함불소 단관능 모노머로 이루어지는 중합체를 바람직하게 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 테트라플루오로에틸렌, 헥사플루오로프로펜, 테트라플루오로에틸렌옥사이드, 헥사플루오로프로펜옥사이드, 퍼플루오로알킬바이닐에터, 클로로트라이플루오로에틸렌, 바이닐리덴플루오라이드, 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로부터 선택되는 1종 또는 2종 이상의 함불소 단관능 모노머의 단독 중합체 또는 이들 모노머의 공중합체, 함불소 단관능 모노머의 1종 또는 2종 이상과 에틸렌의 공중합체, 함불소 단관능 모노머의 1종 또는 2종 이상과 클로로트라이플루오로에틸렌의 공중합체로부터 선택되는 적어도 1종의 함불소 수지 등을 들 수 있다.As the polymer compound of a non-three-dimensional crosslinked structure having a fluorine atom, a polymer comprising one or two or more fluorine-containing monofunctional monomers can be preferably used. More specifically, there may be mentioned tetrafluoroethylene, hexafluoropropene, tetrafluoroethylene oxide, hexafluoropropene oxide, perfluoroalkyl vinyl ether, chlorotrifluoroethylene, vinylidene fluoride, purple (Meth) acrylic acid ester containing at least one fluoroalkyl group, a fluoroalkyl group-containing (meth) acrylic acid ester, and a fluoroalkyl group-containing (meth) acrylate ester, or copolymers of these monomers, , At least one fluorinated resin selected from a copolymer of one or more fluorinated monofunctional monomers and chlorotrifluoroethylene, and the like.

비3차원 가교 구조의 불소 원자를 갖는 고분자 화합물로서는, 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로부터 합성할 수 있는 퍼플루오로알킬기 함유의 (메트)아크릴 수지인 것이 바람직하다.As the polymer compound having a fluorine atom having a non-three-dimensional cross-linking structure, it is preferably a (meth) acrylic resin containing a perfluoroalkyl group which can be synthesized from a perfluoroalkyl group-containing (meth) acrylic acid ester.

퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터로서는, 구체적으로는 하기 식 (101)로 나타나는 화합물인 것이 바람직하다.As the (meth) acrylic acid ester containing a perfluoroalkyl group, specifically, it is preferably a compound represented by the following formula (101).

식 (101)(101)

[화학식 4][Chemical Formula 4]

Figure 112016112149515-pct00004
Figure 112016112149515-pct00004

일반식 (101) 중, R101, R102, R103은 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 또는 할로젠 원자를 나타낸다. Y101은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. Rf는 불소 원자 또는 불소 원자를 적어도 하나 갖는 1가의 유기기이다.In the general formula (101), R 101 , R 102 and R 103 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a halogen atom. Y 101 represents a single bond or a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group, and a combination thereof. Rf is a monovalent organic group having at least one of a fluorine atom and a fluorine atom.

일반식 (101) 중, R101, R102, R103으로 나타나는 알킬기의 예는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, tert-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 아릴기의 예는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. R101~R103으로서는, 그 중에서도, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.Examples of the alkyl group represented by R 101 , R 102 and R 103 in the general formula (101) are preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an octyl group, tert-butyl group, isopentyl group, 2-ethylhexyl group, 2-methylhexyl group, cyclopentyl group and the like. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. As R 101 to R 103 , a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

Y101은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타내고, 2가의 지방족기는, 환상 구조보다 쇄상 구조가 바람직하며, 또한 분기를 갖는 쇄상 구조보다 직쇄상 구조가 바람직하다. 2가의 지방족기의 탄소 원자수는, 1~20인 것이 바람직하고, 1~15인 것이 보다 바람직하며, 1~12인 것이 더 바람직하고, 1~10인 것이 더욱더 바람직하며, 1~8인 것이 보다 더 바람직하고, 1~4인 것이 특히 바람직하다.Y 101 represents a single bond or a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a divalent aliphatic group, a divalent aromatic group and a combination thereof, and the divalent aliphatic group may be a cyclic A straight chain structure is preferable to a straight chain structure having branches. The number of carbon atoms of the divalent aliphatic group is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 15, still more preferably from 1 to 12, still more preferably from 1 to 10, and even more preferably from 1 to 8 , More preferably 1 to 4 carbon atoms.

2가의 방향족기의 예로서는, 페닐렌기, 치환 페닐렌기, 나프탈렌기 및 치환 나프탈렌기를 들 수 있으며, 페닐렌기가 바람직하다.Examples of the divalent aromatic group include a phenylene group, a substituted phenylene group, a naphthalene group and a substituted naphthalene group, and a phenylene group is preferable.

Y101로서는, 2가의 직쇄상 구조의 지방족기인 것이 바람직하다.As Y 101 , it is preferable that the Y 101 is an aliphatic group having a bivalent straight-chain structure.

Rf로 나타나는, 불소 원자를 갖는 1가의 유기기로서는, 특별히 한정은 없지만, 탄소수 1~30의 함불소 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~20이 보다 바람직하며, 탄소수 1~15의 함불소 알킬기가 특히 바람직하다. 이 함불소 알킬기는, 직쇄{예를 들면 -CF2CF3, -CH2(CF2)4H, -CH2(CF2)8CF3, -CH2CH2(CF2)4H 등}여도 되고, 분기 구조{예를 들면 -CH(CF3)2, -CH2CF(CF3)2, -CH(CH3)CF2CF3, -CH(CH3)(CF2)5CF2H 등}를 갖고 있어도 되며, 또 지환식 구조(바람직하게는 5원환 또는 6원환, 예를 들면 퍼플루오로사이클로헥실기, 퍼플루오로사이클로펜틸기 또는 이들로 치환된 알킬기 등)를 갖고 있어도 되고, 에터 결합(예를 들면 -CH2OCH2CF2CF3, -CH2CH2OCH2C4F8H, -CH2CH2OCH2CH2C8F17, -CH2CF2OCF2CF2OCF2CF2H 등)을 갖고 있어도 된다. 또, 퍼플루오로알킬기여도 된다.The monovalent organic group having a fluorine atom represented by Rf is not particularly limited, but is preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, and particularly preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 15 carbon atoms desirable. The fluorinated alkyl group is a straight chain {e.g. -CF 2 CF 3, -CH 2 ( CF 2) 4 H, -CH 2 (CF 2) 8 CF 3, -CH 2 CH 2 (CF 2) 4 H , etc. }, and even, for example, {branch structure -CH (CF 3) 2, -CH 2 CF (CF 3) 2, -CH (CH 3) CF 2 CF 3, -CH (CH 3) (CF 2) 5 CF 2 H, etc.), and may have an alicyclic structure (preferably, a 5-membered ring or a 6-membered ring such as a perfluorocyclohexyl group, a perfluorocyclopentyl group, (E.g., -CH 2 OCH 2 CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 C 4 F 8 H, -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 C 8 F 17 , -CH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 2 CF 2 H, etc.). It may also be a perfluoroalkyl group.

퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴 수지로서는, 구체적으로는 하기 식 (102)로 나타나는 반복 단위를 갖는다.Specific examples of the perfluoroalkyl group-containing (meth) acrylic resin include a repeating unit represented by the following formula (102).

식 (102)Equation (102)

[화학식 5][Chemical Formula 5]

Figure 112016112149515-pct00005
Figure 112016112149515-pct00005

일반식 (102) 중, R101, R102, R103, Y101, Rf는 각각, 일반식 (101)과 동의이며, 바람직한 양태도 동의이다.In the general formula (102), R 101 , R 102 , R 103 , Y 101 and Rf each are the same as in the general formula (101), and the preferred embodiments are also synonymous.

퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴 수지는, 박리성의 관점에서 임의로 퍼플루오로알킬기 함유 (메트)아크릴산 에스터에 더하여, 공중합 성분을 선택할 수 있다. 공중합 성분을 형성할 수 있는 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면 아크릴산 에스터류, 메타크릴산 에스터류, N,N-2치환 아크릴아마이드류, N,N-2치환 메타크릴아마이드류, 스타이렌류, 아크릴로나이트릴류, 메타크릴로나이트릴류 등으로부터 선택되는 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다.The (meth) acrylic resin containing a perfluoroalkyl group may optionally be selected from copolymerized components in addition to the (meth) acrylic acid ester containing a perfluoroalkyl group, in view of releasability. Examples of the radical polymerizable compound capable of forming a copolymerization component include acrylic acid esters, methacrylic acid esters, N, N-2 substituted acrylamides, N, N-2 substituted methacrylamides, styrene, Acrylonitrile, acrylonitrile, methacrylonitrile, and the like.

보다 구체적으로는, 예를 들면 알킬아크릴레이트(알킬기의 탄소 원자수는 1~20의 것이 바람직함) 등의 아크릴산 에스터류, (예를 들면, 아크릴산 메틸, 아크릴산 에틸, 아크릴산 프로필, 아크릴산 뷰틸, 아크릴산 아밀, 아크릴산 에틸헥실, 아크릴산 옥틸, 아크릴산-t-옥틸, 클로로에틸아크릴레이트, 2,2-다이메틸하이드록시프로필아크릴레이트, 5-하이드록시펜틸아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인모노아크릴레이트, 펜타에리트리톨모노아크릴레이트, 글리시딜아크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 메톡시벤질아크릴레이트, 퓨퓨릴아크릴레이트, 테트라하이드로퓨퓨릴아크릴레이트 등), 아릴아크릴레이트(예를 들면, 페닐아크릴레이트 등), 알킬메타크릴레이트(알킬기의 탄소 원자는 1~20인 것이 바람직함) 등의 메타크릴산 에스터류(예를 들면, 메틸메타크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 프로필메타크릴레이트, 아이소프로필메타크릴레이트, 아밀메타크릴레이트, 헥실메타크릴레이트, 사이클로헥실메타크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 클로로벤질메타크릴레이트, 옥틸메타크릴레이트, 4-하이드록시뷰틸메타크릴레이트, 5-하이드록시펜틸메타크릴레이트, 2,2-다이메틸-3-하이드록시프로필메타크릴레이트, 트라이메틸올프로페인모노메타크릴레이트, 펜타에리트리톨모노메타크릴레이트, 글리시딜메타크릴레이트, 퓨퓨릴메타크릴레이트, 테트라하이드로퓨퓨릴메타크릴레이트 등), 아릴메타크릴레이트(예를 들면, 페닐메타크릴레이트, 크레실메타크릴레이트, 나프틸메타크릴레이트 등), 스타이렌, 알킬스타이렌 등의 스타이렌(예를 들면, 메틸스타이렌, 다이메틸스타이렌, 트라이메틸스타이렌, 에틸스타이렌, 다이에틸스타이렌, 아이소프로필스타이렌, 뷰틸스타이렌, 헥실스타이렌, 사이클로헥실스타이렌, 데실스타이렌, 벤질스타이렌, 클로로메틸스타이렌, 트라이플루오로메틸스타이렌, 에톡시메틸스타이렌, 아세톡시메틸스타이렌 등), 알콕시스타이렌(예를 들면, 메톡시스타이렌, 4-메톡시-3-메틸스타이렌, 다이메톡시스타이렌 등), 할로젠스타이렌(예를 들면, 클로로스타이렌, 다이클로로스타이렌, 트라이클로로스타이렌, 테트라클로로스타이렌, 펜타클로로스타이렌, 브로모스타이렌, 다이브로모스타이렌, 아이오도스타이렌, 플루오로스타이렌, 트라이플루오로스타이렌, 2-브로모-4-트라이플루오로메틸스타이렌, 4-플루오로-3-트라이플루오로메틸스타이렌 등), 아크릴로나이트릴, 메타크릴로나이트릴아크릴산, 카복실산을 함유하는 라디칼 중합성 화합물(아크릴산, 메타크릴산, 이타콘산, 크로톤산, 인크로톤산, 말레산, p-카복실스타이렌, 및 이들의 산기의 금속염, 암모늄염 화합물 등)을 들 수 있는데, 박리성의 관점에서 특히, 탄소수 1~24의 탄화 수소기를 갖는 (메트)아크릴산 에스터가 바람직하고, 예를 들면 (메트)아크릴산의 메틸, 뷰틸, 2-에틸헥실, 라우릴, 스테아릴, 글리시딜에스터 등을 들 수 있으며, 2-에틸헥실, 라우릴, 스테아릴 등의 고급 알코올의 (메트)아크릴레이트, 특히 아크릴레이트가 바람직하다.More specifically, acrylic acid esters such as alkyl acrylates (the number of carbon atoms of the alkyl group is preferably from 1 to 20), (e.g., methyl acrylate, ethyl acrylate, propyl acrylate, butyl acrylate, Amyl acrylate, ethylhexyl acrylate, octyl acrylate, t-octyl acrylate, chloroethyl acrylate, 2,2-dimethylhydroxypropyl acrylate, 5-hydroxypentyl acrylate, trimethylolpropane monoacrylate, (For example, phenyl acrylate and the like), acrylic acid esters (for example, methacrylic acid esters such as methacrylic acid esters, maleic acid esters, maleic acid esters, Methacrylic acid esters such as alkyl methacrylate (the alkyl group preferably has 1 to 20 carbon atoms) (for example, methyl methacrylate Acrylates such as methyl methacrylate, ethyl methacrylate, propyl methacrylate, isopropyl methacrylate, amyl methacrylate, hexyl methacrylate, cyclohexyl methacrylate, benzyl methacrylate, chlorobenzyl methacrylate, octyl methacrylate, 4-hydroxybutyl methacrylate, 5-hydroxypentyl methacrylate, 2,2-dimethyl-3-hydroxypropyl methacrylate, trimethylolpropane monomethacrylate, pentaerythritol monomethacrylate (Methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid, methacrylic acid and the like), glycidyl methacrylate, furfuryl methacrylate, tetrahydrofurfuryl methacrylate and the like), aryl methacrylate Etc.), styrenes such as styrene and alkylstyrene (e.g., methylstyrene, dimethylstyrene, trimethylstyrene, ethylstyrene, Butylene styrene, isoprene styrene, isoprene, styrene, butylene, diene, styrene, isobutylene, styrene, , Acetoxymethylstyrene, etc.), alkoxystyrene (e.g., methoxystyrene, 4-methoxy-3-methylstyrene, dimethoxystyrene and the like), halogensilane (e.g., But are not limited to, chlorostyrene, chlorostyrene, dichlorostyrene, dichlorostyrene, trichlorostyrene, tetrachlorostyrene, pentachlorostyrene, bromostyrene, dibromostyrene, iodostyrene, fluorostyrene, 2-bromo-4-trifluoromethylstyrene, 4-fluoro-3-trifluoromethylstyrene, etc.), acrylonitrile, methacrylonitrile acrylic acid, and carboxylic acid Water (e.g., acrylic acid, methacrylic acid, itaconic acid, crotonic acid, incrotonic acid, maleic acid, p-carboxy styrene and metal salts and ammonium salt compounds of these acid groups). In view of releasability, (Meth) acrylic acid esters having 1 to 24 hydrocarbon groups are preferable, and examples thereof include methyl, butyl, 2-ethylhexyl, lauryl, stearyl and glycidyl ester of (meth) acrylic acid. (Meth) acrylates of higher alcohols such as 2-ethylhexyl, lauryl and stearyl, especially acrylates, are preferred.

상술한 불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물은, 시판되고 있는 것을 이용해도 된다. 예를 들면, 테플론(등록 상표)(듀폰사), 테프젤(듀폰사), 플루온(아사히 글라스사), 헤일러(SolvaySolexis사), 하일러(SolvaySolexis사), 루미플론(아사히 글라스사), 아플라스(아사히 글라스사), 사이톱(아사히 글라스사), 세프럴 소프트(센트럴 글라스사), 세프럴 코트(센트럴 글라스사), 다이오닌(3M사) 등의 불소 수지, 바이톤(듀폰사), 칼레즈(듀폰사), SIFEL(신에쓰 가가쿠 고교사) 등의 상표명의 불소 고무, 크라이톡스(듀폰사), 폼블린(다이토쿠 테크사), 뎀넘(다이킨 고교사) 등의 퍼플루오로폴리에터 오일을 비롯한 각종 불소 오일이나, 다이프리 FB 시리즈(다이킨 고교사), 메가팍 시리즈(DIC사) 등의 상표명의 불소 함유 이형제 등을 들 수 있다.A commercially available polymer compound having a fluorine atom and a non-three-dimensional cross-linking structure may be used. For example, Teflon (registered trademark) (DuPont), Tefloss (DuPont), Fluon (Asahi Glass Co.), Hyler (SolvaySolexis), Haier (SolvaySolexis), Lumipro (Asahi Glass) Fluorine resins such as Arplose (Asahi Glass Co.), Saitot (Asahi Glass Co.), Sephrill Soft (Central Glass Co.), Sephrill Coat (Central Glass Co.) and Daionin (3M) (DuPont), Pombulin (DaiTokuTech), and DEMNUM (DaiKingo), which are trademarks, such as SILIC (DuPont), SIREL (DuPont), SIFEL Various fluorine oils including perfluoropolyether oils, and fluorine-containing mold release agents such as DieFree FB series (Daikin Kogyu Co., Ltd.) and Megapak series (DIC).

불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의한 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량은, 100000~2000인 것이 바람직하고, 50000~2000이 보다 바람직하며, 10000~2000인 것이 가장 바람직하다.The weight average molecular weight of the polymer compound having a fluorine atom-containing non-three-dimensional crosslinked structure in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) is preferably 100000 to 2000, more preferably 50000 to 2000, 2000 is most preferable.

이형 영역의 불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물의 함유량은, 양호한 박리성의 관점에서, 이형 영역의 전체 고형분에 대하여, 1~99질량%가 바람직하고, 3~95질량%가 보다 바람직하며, 5~90질량%가 더 바람직하다.The content of the polymer compound having a non-three-dimensional crosslinked structure having a fluorine atom in the releasing region is preferably from 1 to 99% by mass, more preferably from 3 to 95% by mass, based on the total solid content of the releasing region from the viewpoint of good releasability , More preferably 5 to 90 mass%.

이형 영역에 있어서의, 불소 원자를 포함하는 3차원 가교물과, 불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물의 비(질량비)는, 5:95~50:50이 바람직하고, 10:90~40:60이 보다 바람직하며, 15:85~30:70이 더 바람직하다.The ratio (mass ratio) of the three-dimensional crosslinked material containing a fluorine atom to the polymer compound of a non-three-dimensional crosslinked structure having a fluorine atom in the releasing region is preferably from 5:95 to 50:50, To 40:60 is more preferable, and 15:85 to 30:70 is more preferable.

불소 원자를 갖는 비3차원 가교 구조의 고분자 화합물은, 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The polymer compound having a non-three-dimensional crosslinked structure having a fluorine atom may be one kind or two or more kinds. In the case of two or more types, it is preferable that the total is in the above range.

<가접착용 조성물>&Lt; Adhesive composition >

다음으로, 본 발명의 가접착용 조성물에 대하여 설명한다.Next, the adhesive composition of the present invention will be described.

본 발명의 가접착용 조성물은, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리벤즈이미다졸 수지 및 폴리벤조옥사졸 수지로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 복소환 함유 수지와, 말레이미드 수지를 50~100질량% 포함하는 가교 성분과, 용제를 함유한다.The adhesive composition of the present invention is a resin composition comprising a resin containing a heterocyclic ring containing at least one member selected from a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polybenzimidazole resin and a polybenzoxazole resin, 100% by mass, and a solvent.

본 발명의 가접착용 조성물을 이용함으로써, 상술한 본 발명의 가접착막에 있어서의 접착 영역을 형성할 수 있다.By using the adhesive composition of the present invention, it is possible to form an adhesive region in the above-mentioned adhesive film of the present invention.

<<복소환 함유 수지>><< Bicycle-containing resin >>

복소환 함유 수지는, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리벤즈이미다졸 수지 및 폴리벤조옥사졸 수지로부터 선택되는 1종 이상이 이용된다. 이들의 구체예는, 접착 영역의 항에 기재한 것이 적합하게 이용된다. 그 중에서도, 폴리이미드 수지가 바람직하다. 또, 폴리이미드 수지는, γ-뷰티로락톤, 사이클로펜탄온, N-메틸피롤리돈, 사이클로헥산온, 글라이콜에터, 다이메틸설폭사이드 및 테트라메틸유레아로부터 선택되는 1종 이상의 용제에 대한 25℃에서의 용해도가 10g/100g Solvent 이상인 폴리이미드 수지가 바람직하다.As the heterocyclic ring-containing resin, at least one selected from a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polybenzimidazole resin and a polybenzoxazole resin is used. As specific examples thereof, those described in the section of the adhesive region are suitably used. Among them, a polyimide resin is preferable. The polyimide resin may be at least one selected from the group consisting of γ-butyrolactone, cyclopentanone, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone, glycol ether, dimethyl sulfoxide and tetramethylurea A polyimide resin having a solubility of not less than 10 g / 100 g Solvent at 25 캜 is preferable.

복소환 함유 수지의 함유량은, 가접착용 조성물의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 1~99질량%가 바람직하고, 10~90질량%가 보다 바람직하며, 25~75질량%가 특히 바람직하다.The content of the heterocyclic ring-containing resin is preferably from 1 to 99% by mass, more preferably from 10 to 90% by mass, and still more preferably from 25 to 75% by mass, based on the total solids content (amount excluding solvent) Particularly preferred.

<<가교 성분>><< Crosslinking Component >>

가교 성분은, 말레이미드 수지를 50~100질량% 포함하는 것이 이용된다.As the crosslinking component, a resin containing 50 to 100% by mass of a maleimide resin is used.

여기에서, 말레이미드 수지는, 비스말레이미드 수지가 바람직하다. 말레이미드 수지의 구체예는, 접착 영역의 항에 기재한 것이 적합하게 이용된다.Here, the maleimide resin is preferably a bismaleimide resin. As specific examples of the maleimide resin, those described in the section of the adhesive region are suitably used.

가교 성분은, 말레이미드 수지의 함유량이, 전체 가교 성분의 80~100질량%가 바람직하다. 가장 바람직하게는 가교 성분이 실질적으로 말레이미드 수지만으로 구성되는 것이다. 또한, 실질적으로 말레이미드 수지만으로 구성된다는 것은, 말레이미드 수지 이외의 가교 성분의 함유량이, 예를 들면 1질량% 이하가 바람직하고, 0.5질량% 이하가 보다 바람직하며, 0.1질량% 이하가 특히 바람직하다. 말레이미드 수지 이외의 가교 성분으로서는, 접착 영역의 다른 가교 성분의 항에 기재한 것이 적합하게 이용된다.The content of the maleimide resin in the crosslinking component is preferably 80 to 100% by mass of the total crosslinking component. Most preferably, the crosslinking component is composed substantially of maleimide resin alone. The content of the crosslinking component other than the maleimide resin is preferably 1% by mass or less, more preferably 0.5% by mass or less, and particularly preferably 0.1% by mass or less, Do. As the crosslinking component other than the maleimide resin, those described in the section of other crosslinking components of the bonding region are preferably used.

말레이미드 수지의 함유량은, 가접착용 조성물의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 1~99질량%가 바람직하고, 10~90질량%가 보다 바람직하며, 25~75질량%가 특히 바람직하다.The content of the maleimide resin is preferably from 1 to 99% by mass, more preferably from 10 to 90% by mass, and particularly preferably from 25 to 75% by mass, relative to the total solids content (amount excluding solvent) desirable.

<<용제>><< Solvent >>

용제는, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 옥시아세트산 알킬(예: 옥시아세트산 메틸, 옥시아세트산 에틸, 옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-옥시프로피온산 메틸, 3-옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-옥시프로피온산 메틸, 2-옥시프로피온산 에틸, 2-옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰탄산 메틸, 2-옥소뷰탄산 에틸, PGMEA(1-메톡시-2-프로필아세테이트) 등의 에스터류; The solvent may be any known solvent. Examples of the solvent include ethyl acetate, n-butyl acetate, isobutyl acetate, amyl formate, isoamyl acetate, isobutyl acetate, butyl propionate, isopropyl butyrate, butyl butyrate, butyl lactate, (For example, methyl methoxyacetate, ethyl methoxyacetate, butyl methoxyacetate, methyl ethoxyacetate, ethyl ethoxyacetate, etc.)), 3-oxypropionic acid alkyl esters such as methyl 3-oxypropionate and ethyl 3-oxypropionate (for example, methyl 3-methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, methyl 3-ethoxypropionate, 3- Ethyl ethoxypropionate), 2-oxypropionic acid alkyl esters such as methyl 2-oxypropionate, ethyl 2-oxypropionate, 2-oxypropionate (For example, methyl 2-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, propyl 2-methoxypropionate, methyl 2-ethoxypropionate and ethyl 2-ethoxypropionate) Methyl propionate and ethyl 2-oxy-2-methylpropionate (for example, methyl 2-methoxy-2-methylpropionate, ethyl 2-ethoxy-2-methylpropionate and the like), methyl pyruvate, ethyl pyruvate, Esters such as methyl acetoacetate, ethyl acetoacetate, methyl 2-oxobutanoate, ethyl 2-oxobutanoate, and PGMEA (1-methoxy-2-propyl acetate);

다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등의 에터류; Diethylene glycol dimethyl ether, tetrahydrofuran, ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, diethylene glycol mono Diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monoethyl ether, Ethers such as acetate, propylene glycol monopropyl ether acetate;

메틸아밀케톤, 메틸에틸케톤, 2-뷰탄온, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등의 케톤류; Ketones such as methyl amyl ketone, methyl ethyl ketone, 2-butanone, cyclohexanone, 2-heptanone, 3-heptanone and N-methyl-2-pyrrolidone;

톨루엔, 자일렌, 아니솔, 메시틸렌, 리모넨 등의 방향족 탄화 수소류; Aromatic hydrocarbons such as toluene, xylene, anisole, mesitylene, and limonene;

N,N-다이메틸아세트아마이드 등을 적합하게 들 수 있다.N, N-dimethylacetamide, and the like.

그 중에서도, 아니솔, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드, 2-뷰탄온, 메틸아밀케톤, 리모넨, 메시틸렌, 메틸에틸케톤, PGMEA(1-메톡시-2-프로필아세테이트) 등이 바람직하고, N-메틸-2-피롤리돈, N,N-다이메틸아세트아마이드, 메틸아밀케톤, 리모넨이 바람직하다.Among them, anisole, N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, 2-butanone, methylamylketone, limonene, mesitylene, methyl ethyl ketone, PGMEA (1-methoxy- 2-propyl acetate) and the like are preferable, and N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, methyl amyl ketone and limonene are preferable.

이들 용제는, 도포면 형상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 형태도 바람직하다.These solvents are also preferably mixed with two or more kinds in view of improving the application surface shape and the like.

용제의 함유량은, 가접착용 조성물의 고형분 농도가 5~60질량%가 되도록 사용되는 것이 바람직하다.The content of the solvent is preferably such that the solid content concentration of the adhesive composition is from 5 to 60% by mass.

용제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 용제가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The solvent may be a single kind or two or more types. When two or more kinds of solvents are used, the total amount is preferably in the above range.

<<열중합 개시제>><< Thermal polymerization initiator >>

가접착용 조성물은, 또한 열중합 개시제를 함유하는 것이 바람직하다. 열중합 개시제를 함유함으로써, 보다 내열성, 내약성이 우수한 가접착막을 형성할 수 있다. 열중합 개시제는, 접착 영역의 항에 기재한 것이 적합하게 이용되며, 바람직한 범위도 동일하다.The adhesive composition preferably contains a thermal polymerization initiator. By containing a thermal polymerization initiator, an adhesion film having more excellent heat resistance and tolerance can be formed. As the thermal polymerization initiator, those described in the section of the adhesive region are suitably used, and preferable ranges are also the same.

열중합 개시제의 함유량은, 가접착용 조성물의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 0.001~1질량%가 바람직하고, 0.01~0.5질량%가 보다 바람직하며, 0.05~0.1질량%가 특히 바람직하다.The content of the thermal polymerization initiator is preferably 0.001 to 1% by mass, more preferably 0.01 to 0.5% by mass, and particularly preferably 0.05 to 0.1% by mass, relative to the total solids content (amount excluding solvent) desirable.

<<이형 성분>><< Release Component >>

가접착용 조성물은, 또한 이형 성분을 함유하는 것이 바람직하다. 이형 성분을 함유함으로써, 가접착용 조성물을 막 형상으로 적용했을 때에, 이형 성분이 표층에 편재하여, 접착 영역의 표층에, 이형 영역이 편재하여 이루어지는 가접착막을 형성할 수 있다.It is preferable that the adhesive composition further contains a releasing component. By containing the releasing component, it is possible to form an adherent film in which the releasing component is localized on the surface layer and the releasing region is unevenly distributed on the surface layer of the adhering region when the adherent composition is applied in film form.

이형 성분은, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 재료가 바람직하다. 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 재료로서는, 불소 원자 또는 규소 원자를 갖는 중합성 모노머 등을 들 수 있다. 불소계 실레인 커플링제가 보다 바람직하다.The releasing component is preferably a material containing at least one kind selected from a fluorine atom and a silicon atom. Examples of the material containing at least one kind selected from a fluorine atom and a silicon atom include a polymerizable monomer having a fluorine atom or a silicon atom. A fluorine-based silane coupling agent is more preferable.

<<<불소 원자 또는 규소 원자를 갖는 중합성 모노머>>><<< Polymerizable monomers having fluorine or silicon atoms >>>

불소 원자 또는 규소 원자를 갖는 중합성 모노머는, 불소 원자 또는 규소 원자가 1분자 중에 1개 이상 포함되는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머인 것이 바람직하고, 불소 원자가 1분자 중에 2개 이상 포함되는, 일반적으로 퍼플루오로기라고 불리는 기를 갖고 있는 중합성 모노머인 것이 특히 바람직하다.The polymerizable monomer having a fluorine atom or a silicon atom is preferably a radically polymerizable monomer or oligomer containing one or more fluorine atoms or silicon atoms in one molecule and is preferably a polymerizable monomer or oligomer having two or more fluorine atoms in one molecule, And a polymerizable monomer having a group called a luorro group is particularly preferable.

불소 원자 또는 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머는, 라디칼 중합성 관능기를 갖는 것이며, 라디칼 중합성 관능기로서는, 특별히 제한되지 않지만, 불포화기(에틸렌성 불포화 결합기 등)인 것이 바람직하다.The radical polymerizable monomer or oligomer having a fluorine atom or a silicon atom has a radically polymerizable functional group, and the radical polymerizable functional group is not particularly limited, but is preferably an unsaturated group (an ethylenically unsaturated bonding group or the like).

불소 원자 또는 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머는, 2개 이상의 라디칼 중합성 관능기를 갖는 것이 바람직하고, 이로써, 디바이스의 제조 프로세스에 있어서, 고온에서의 프로세스를 거친 후의, 디바이스 웨이퍼로부터의 박리성을 보다 향상시킬 수 있다.The radically polymerizable monomer or oligomer having a fluorine atom or a silicon atom preferably has two or more radically polymerizable functional groups, and thus it is preferable that in the manufacturing process of the device, the release from the device wafer It is possible to improve the property.

<<<<불소 원자를 갖는 중합성 모노머>>>><<<< Polymerizable monomers with fluorine atoms >>>>

불소 원자를 갖는 중합성 모노머는, 공지의 모노머로부터 선택할 수 있으며, 중합성기를 갖는 모노머가 바람직하고, 불소계 실레인 커플링제가 보다 바람직하다. 중합성기로서는 예를 들면, 수산기 또는 가수분해 가능한 기를 갖는 실릴기(예를 들면 알콕시실릴기, 아실옥시실릴기 등), 반응성 불포화 이중 결합을 갖는 기((메트)아크릴로일기, 알릴기, 바이닐옥시기 등), 개환 중합 반응성기(에폭시기, 옥세탄일기, 옥사졸일기 등), 활성 수소 원자를 갖는 기(예를 들면 수산기, 카복실기, 아미노기, 카바모일기, 머캅토기, β-케토에스터기, 하이드로실릴기, 실란올기 등), 산무수물, 구핵제에 의하여 치환될 수 있는 기(활성 할로젠 원자, 설폰산 에스터 등) 등을 들 수 있다.The polymerizable monomer having a fluorine atom can be selected from known monomers, and a monomer having a polymerizable group is preferable, and a fluorinated silane coupling agent is more preferable. Examples of the polymerizable group include a silyl group having a hydroxyl group or a hydrolyzable group (e.g., an alkoxysilyl group or an acyloxysilyl group), a group having a reactive unsaturated double bond (a (meth) acryloyl group, an allyl group, A hydroxyl group, a carboxyl group, an amino group, a carbamoyl group, a mercapto group, a β-ketoester group (eg, Group, hydrosilyl group, silanol group, etc.), acid anhydride, group which may be substituted by nucleophilic agent (active oxygen atom, sulfonic acid ester etc.).

불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머는, 이하의 일반식 (1)로 나타내는 화합물이 바람직하다.The radically polymerizable monomer having a fluorine atom is preferably a compound represented by the following general formula (1).

일반식 (I): Rf{-L-Y}n General formula (I): Rf {-LY} n

(식 중, Rf는 적어도 탄소 원자 및 불소 원자를 포함하며, 산소 원자 및 수소 원자 중 어느 하나를 포함해도 되는, 쇄상 또는 환상의 n가의 기를 나타내고, n은 2 이상의 정수를 나타낸다. L은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. Y는 중합성기를 나타낸다.)(Wherein Rf represents a straight or cyclic n-valent group containing at least a carbon atom and a fluorine atom and may include any one of an oxygen atom and a hydrogen atom, and n represents an integer of 2 or more.) L is a single bond Or a divalent linking group, and Y represents a polymerizable group.

상기 일반식 (I)에 있어서, Y는 중합성기이며, 예를 들면 수산기 또는 가수분해 가능한 기를 갖는 실릴기(예를 들면, 알콕시실릴기, 아실옥시실릴기 등), 반응성 불포화 이중 결합을 갖는 기((메트)아크릴로일기, 알릴기, 바이닐옥시기 등), 개환 중합 반응성기(에폭시기, 옥세탄일기, 옥사졸일기 등), 활성 수소 원자를 갖는 기(예를 들면 수산기, 카복실기, 아미노기, 카바모일기, 머캅토기, β-케토에스터기, 하이드로실릴기, 실란올기 등), 산무수물, 구핵제에 의하여 치환될 수 있는 기(활성 할로젠 원자, 설폰산 에스터 등) 등이 바람직하다.In the general formula (I), Y is a polymerizable group, for example, a silyl group having a hydroxyl group or a hydrolyzable group (e.g., an alkoxysilyl group, an acyloxysilyl group, etc.), a group having a reactive unsaturated double bond (Such as a (meth) acryloyl group, an allyl group or a vinyloxy group), a ring-opening polymerization reactive group (an epoxy group, an oxetanyl group, an oxazolyl group or the like), a group having an active hydrogen atom (e.g. a hydroxyl group, , A group capable of being substituted by an acid anhydride or a nucleophilic agent (an active hydrogen atom, a sulfonic acid ester, etc.), and the like are preferable .

보다 바람직하게는, Y는, 라디칼 중합성기를 나타내고, 반응성 불포화 이중 결합을 갖는 기가 더 바람직하다. 구체적으로는, T는 하기 일반식 (9)로 나타나는 라디칼 중합성 관능기가 바람직하다.More preferably, Y represents a radical polymerizable group, and a group having a reactive unsaturated double bond is more preferable. Specifically, T is preferably a radical polymerizable functional group represented by the following general formula (9).

[화학식 6][Chemical Formula 6]

Figure 112016112149515-pct00006
Figure 112016112149515-pct00006

(일반식 (9) 중, R901~R903은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 점선은, L에 연결하는 기에 대한 결합을 나타낸다.)(In the general formula (9), R 901 to R 903 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and a dotted line represents a bond to a group connected to L.)

알킬기의 예는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, tert-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 아릴기의 예는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. R901~R903으로서는, 그 중에서도, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an octyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, an isopentyl group, Methyl hexyl group, and cyclopentyl group. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. As R 901 to R 903 , a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

L은 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기, -O-, -S-, -CO-, -N(R)-, 및 이들을 2종 이상 조합하여 얻어지는 2가의 연결기를 나타낸다. 단, R은 수소 원자 또는 탄소수 1~5의 알킬기를 나타낸다.L represents a single bond or a divalent linking group. Examples of the divalent linking group include a divalent linking group obtained by combining two or more kinds of a divalent aliphatic group, a divalent aromatic group, -O-, -S-, -CO-, -N (R) -, Provided that R represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms.

L이 알킬렌기 또는 아릴렌기를 갖는 경우, 알킬렌기 및 아릴렌기는 할로젠 원자로 치환되어 있는 것이 바람직하고, 불소 원자로 치환되어 있는 것이 보다 바람직하다.When L has an alkylene group or an arylene group, the alkylene group and the arylene group are preferably substituted with a halogen atom, and more preferably substituted with a fluorine atom.

Rf는, 적어도 탄소 원자 및 불소 원자를 포함하며, 산소 원자 및 수소 원자 중 어느 하나를 포함해도 되는, 쇄상 또는 환상의 n가의 기를 나타낸다. Rf는, 불소 원자를 갖는 반복 단위를 갖는 선상 또는 분기상의 고분자 구조여도 된다.Rf represents a straight or cyclic n-valent group which contains at least a carbon atom and a fluorine atom and may contain either an oxygen atom or a hydrogen atom. Rf may be a linear or branched polymer structure having a repeating unit having a fluorine atom.

이와 같은 불소 원자를 갖는 모노머로서는, 일본 공개특허공보 2011-48358호의 단락 번호 0019~0033에 기재된 화합물도 바람직하게 사용할 수 있으며, 이들 내용은 본원 명세서에 원용된다.As such a monomer having a fluorine atom, compounds described in paragraphs 0019 to 0033 of JP-A No. 2011-48358 can also be preferably used, and these contents are incorporated herein by reference.

또, 불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머는, 하기 구조식 (1), (2), (3), (4) 및 (5)로 나타나는 화합물로부터 선택되는 적어도 1종인 것도 바람직하다.The radically polymerizable monomer having a fluorine atom is also preferably at least one selected from the compounds represented by the following structural formulas (1), (2), (3), (4) and (5)

CH2=CR1COOR2Rf…구조식 (1)CH 2 = CR 1 COOR 2 R f ... The structural formula (1)

(구조식 (1) 중, R1은, 수소 원자, 또는 메틸기를 나타낸다. R2는, -CpH2p-, -C(CpH2p+1)H-, -CH2C(CpH2p+1)H-, 또는 -CH2CH2O-를 나타낸다. Rf는, -CnF2n +1, -(CF2)nH, -CnF2n+1-CF3, -(CF2)pOCnH2nCiF2i +1, -(CF2)pOCmH2mCiF2iH, -N(CpH2p+1)COCnF2n +1, 또는 -N(CpH2p+1)SO2CnF2n+1을 나타낸다. 단, p는 1~10의 정수, n은 1~16의 정수, m은 0~10의 정수, i는 0~16의 정수를 각각 나타낸다.)(Formula (1) of, R 1 represents a hydrogen atom, or a methyl group R 2 is, -C p H 2p -., -C (C p H 2p + 1) H-, -CH 2 C (C p . H 2p + 1) H-, or -CH 2 CH 2 O- represents a R f is, -C n F 2n +1, - (CF 2) n H, -C n F 2n + 1 -CF 3, - (CF 2) p OC n H 2n C i F 2i +1, - (CF 2) p OC m H 2m C i F 2i H, -N (C p H 2p + 1) COC n F 2n +1, or represents a -N (C p H 2p + 1 ) SO 2 C n F 2n + 1. However, p is an integer of 1 ~ 10, n is an integer of 1 ~ 16, m is an integer of 0 ~ 10, i is Represents an integer from 0 to 16, respectively.)

CF2=CFORg…구조식 (2)CF 2 = CFOR g ... Structural formula (2)

(구조식 (2) 중, Rg는, 탄소수 1~20의 플루오로알킬기를 나타낸다.)(In the structural formula (2), R g represents a fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms.)

CH2=CHRg…구조식 (3)CH 2 = CHR g ... Structural Formula (3)

(구조식 (3) 중, Rg는, 탄소수 1~20의 플루오로알킬기를 나타낸다.)(In the structural formula (3), R g represents a fluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms.)

CH2=CR3COOR5RjR6OCOCR4=CH2…구조식 (4)CH 2 = CR 3 COOR 5 R j R 6 OCOCR 4 = CH 2 ... The structural formula (4)

(구조식 (4) 중, R3 및 R4는, 수소 원자, 또는 메틸기를 나타낸다. R5 및 R6은, -CqH2q-, -C(CqH2q + 1)H-, -CH2C(CqH2q+1)H- 또는 -CH2CH2O-, Rj는 -CtF2t를 나타낸다. q는 1~10의 정수이며, t는 1~16의 정수이다.)(Structure 4 of, R 3 and R 4 represent a hydrogen atom, a methyl group or R 5 and R 6 is, -C q H 2q -., -C (C q H 2q + 1) H-, - CH 2 C (C q H 2q + 1 ) H- or -CH 2 CH 2 O-, R j represents -C t F 2t , q is an integer of 1 to 10, and t is an integer of 1 to 16 .)

CH2=CHR7COOCH2(CH2Rk)CHOCOCR8=CH2…구조식 (5)CH 2 = CHR 7 COOCH 2 (CH 2 R k ) CHOCOCR 8 = CH 2 ... Structural formula (5)

(구조식 (5) 중, R7 및 R8은, 수소 원자, 또는 메틸기를 나타낸다. Rk는 -CyF2y +1이다. y는 1~16의 정수이다.)(In the structural formula (5), R 7 and R 8 represent a hydrogen atom or a methyl group, R k is -CyF 2y +1, and y is an integer of 1 to 16.)

구조식 (1)로 나타나는 단량체로서는, 예를 들면 CF3(CF2)5CH2CH2OCOCH=CH2, CF3CH2OCOCH=CH2, CF3(CF2)4CH2CH2OCOC(CH3)=CH2, C7F15CON(C2H5)CH2OCOC(CH3)=CH2, CF3(CF2)7SO2N(CH2)CH2CH2OCOCH=CH2, CF2(CF2)7SO2N(C3H7)CH2CH2OCOCH=CH2, C2F5SO2N(C3H7)CH2CH2OCOC(CH3)=CH2, (CF3)2CF(CF2)6(CH2)3OCOCH=CH2, (CF3)2CF(CF2)10(CH2)3OCOC(CH3)=CH2, CF3(CF2)4CH(CH3)OCOC(CH3)=CH2, CF3CH2OCH2CH2OCOCH=CH2, C2F5(CH2CH2O)2CH2OCOCH=CH2, (CF3)2CFO(CH2)5OCOCH=CH2, CF3(CF2)4OCH2CH2OCOC(CH3)=CH2, C2F5CON(C2H5)CH2OCOCH=CH2, CF3(CF2)2CON(CH3)CH(CH3)CH2OCOCH=CH2, H(CF2)6C(C2H5)OCOC(CH3)=CH2, H(CF2)8CH2OCOCH=CH2, H(CF2)4CH2OCOCH=CH2, H(CF2)CH2OCOC(CH3)=CH2, CF3(CF2)7SO2N(CH3)CH2CH2OCOC(CH3)=CH2, CF3(CF2)7SO2N(CH3)(CH2)10OCOCH=CH2, C2F5SO2N(C2H5)CH2CH2OCOC(CH3)=CH2, CF3(CF2)7SO2N(CH3)(CH2)4OCOCH=CH2, C2F5SO2N(C2H5)C(C2H5)HCH2OCOCH=CH2 등을 들 수 있다. 이들은, 1종 단독으로 사용해도 되고, 2종 이상을 병용해도 된다.Examples of the monomer represented by the structural formula (1) include CF 3 (CF 2 ) 5 CH 2 CH 2 OCOCH═CH 2 , CF 3 CH 2 OCOCH═CH 2 , CF 3 (CF 2 ) 4 CH 2 CH 2 OCOC CH 3) = CH 2, C 7 F 15 CON (C 2 H 5) CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (CH 2) CH 2 CH 2 OCOCH = CH 2, CF 2 (CF 2) 7 SO 2 N (C 3 H 7) CH 2 CH 2 OCOCH = CH 2, C 2 F 5 SO 2 N (C 3 H 7) CH 2 CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, (CF 3) 2 CF (CF 2) 6 (CH 2) 3 OCOCH = CH 2, (CF 3) 2 CF (CF 2) 10 (CH 2) 3 OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 (CF 2) 4 CH ( CH 3) OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 CH 2 OCH 2 CH 2 OCOCH = CH 2, C 2 F 5 (CH 2 CH 2 O) 2 CH 2 OCOCH = CH 2, (CF 3) 2 CFO (CH 2) 5 OCOCH = CH 2, CF 3 (CF 2) 4 OCH 2 CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, C 2 F 5 CON (C 2 H 5) CH 2 OCOCH = CH 2, CF 3 (CF 2) 2 CON (CH 3) CH (CH 3) CH 2 OCOCH = CH 2, H (CF 2) 6 C (C 2 H 5) OCOC (CH 3) = CH 2, H (CF 2) 8 CH 2 OCOCH = CH 2, H (CF 2) 4 CH 2 OCOCH = CH 2, H (CF 2) CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (CH 3) CH 2 CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (CH 3) (CH 2) 10 OCOCH = CH 2, C 2 F 5 SO 2 N ( C 2 H 5) CH 2 CH 2 OCOC (CH 3) = CH 2, CF 3 (CF 2) 7 SO 2 N (CH 3) (CH 2) 4 OCOCH = CH 2, C 2 F 5 SO 2 N (C 2 H 5 ) C (C 2 H 5 ) HCH 2 OCOCH = CH 2 . These may be used alone, or two or more kinds may be used in combination.

구조식 (2) 또는 (3)으로 나타나는 플루오로알킬화 올레핀으로서는, 예를 들면 C3F7CH=CH2, C4F9CH=CH2, C10F21CH=CH2, C3F7OCF=CF2, C7F15OCF=CF2, C8F17OCF=CF2 등을 들 수 있다.As the structural formula (2) or alkylated fluoro represented by (3) an olefin, for example C 3 F 7 CH = CH 2 , C 4 F 9 CH = CH 2, C 10 F 21 CH = CH 2, C 3 F 7 OCF = CF 2 , C 7 F 15 OCF = CF 2 , and C 8 F 17 OCF = CF 2 .

구조식 (4) 또는 (5)로 나타나는 단량체로서는, 예를 들면 CH2=CHCOOCH2(CF2)3CH2OCOCH=CH2, CH2=CHCOOCH2(CF2)6CH2OCOCH=CH2, CH2=CHCOOCH2CH(CH2C8F17)OCOCH=CH2 등을 들 수 있다.As the monomer represented by the structural formula (4) or (5), for example, CH 2 = CHCOOCH 2 (CF 2 ) 3 CH 2 OCOCH = CH 2, CH 2 = CHCOOCH 2 (CF 2) 6 CH 2 OCOCH = CH 2, CH 2 = CHCOOCH 2 CH (CH 2 C 8 F 17 ) OCOCH = CH 2 and the like.

또, 불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머로서는, 불소 원자를 갖는 반복 단위와, 라디칼 중합성 관능기를 갖는 반복 단위를 갖는 올리고머도 바람직하게 사용할 수 있다.As the radically polymerizable monomer or oligomer having a fluorine atom, an oligomer having a repeating unit having a fluorine atom and a repeating unit having a radically polymerizable functional group is also preferably used.

불소 원자를 갖는 반복 단위로서는, 하기 식 (6), (7) 및 (10)으로 나타나는 반복 단위 중 적어도 1종으로부터 선택되는 것이 바람직하다.The repeating unit having a fluorine atom is preferably selected from at least one kind of repeating units represented by the following formulas (6), (7) and (10).

[화학식 7](7)

Figure 112016112149515-pct00007
Figure 112016112149515-pct00007

식 (6) 중, R1, R2, R3, 및 R4는, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 수산기, 또는 1가의 유기기를 나타내고, R1, R2, R3, 및 R4 중 적어도 하나는, 불소 원자, 또는 불소 원자를 갖는 1가의 유기기이다.(6) of, R 1, R 2, R 3, and R 4 are, each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, or a monovalent organic group for, R 1, R 2, R 3, and R at least one 4 is a monovalent organic group having a fluorine atom, or a fluorine atom.

식 (7) 중, R5, R6, R7은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 수산기, 또는 1가의 유기기를 나타내고, Y1은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. Rf는, 불소 원자, 또는 불소 원자를 갖는 1가의 유기기를 나타낸다.In formula (7), R 5 , R 6 and R 7 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group or a monovalent organic group, Y 1 represents a single bond or a group represented by -CO-, , -NH-, a divalent aliphatic group, a divalent aromatic group, and combinations thereof. Rf represents a fluorine atom or a monovalent organic group having a fluorine atom.

식 (10) 중, R8, R9, R10, R11, R12, R13은, 각각 독립적으로 수소 원자, 할로젠 원자, 수산기, 또는 1가의 유기기를 나타내고, Y2 및 Y3은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. Rf는, 불소 원자를 갖는 2가의 유기기를 나타낸다.Equation (10), R 8, R 9, R 10, R 11, R 12, R 13 are, each independently represents a hydrogen atom, a halogen atom, a hydroxyl group, or one group monovalent organic to, Y 2 and Y 3 are , A single bond or a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group, and combinations thereof. Rf represents a divalent organic group having a fluorine atom.

식 (6) 및 식 (7) 중의 불소 원자를 갖는 1가의 유기기로서는, 특별히 한정은 없지만, 탄소수 1~30의 함불소 알킬기가 바람직하고, 탄소수 1~20이 보다 바람직하며, 탄소수 1~15의 함불소 알킬기가 특히 바람직하다. 이 함불소 알킬기는, 직쇄(예를 들면 -CF2CF3, -CH2(CF2)4H, -CH2(CF2)8CF3, -CH2CH2(CF2)4H 등)여도 되고, 분기 구조(예를 들면 -CH(CF3)2, -CH2CF(CF3)2, -CH(CH3)CF2CF3, -CH(CH3)(CF2)5CF2H 등)를 갖고 있어도 되며, 또 지환식 구조(바람직하게는 5원환 또는 6원환, 예를 들면 퍼플루오로사이클로헥실기, 퍼플루오로사이클로펜틸기 또는 이들로 치환된 알킬기 등)를 갖고 있어도 되고, 에터 결합(예를 들면, -CH2OCH2CF2CF3, -CH2CH2OCH2C4F8H, -CH2CH2OCH2CH2C8F17, -CH2CF2OCF2CF2OCF2CF2H 등)을 갖고 있어도 된다. 또, 퍼플루오로알킬기여도 된다.The monovalent organic group having a fluorine atom in the formulas (6) and (7) is not particularly limited, but is preferably a fluorinated alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, Of fluorinated alkyl groups are particularly preferred. The fluorinated alkyl group is a straight-chain (for example, -CF 2 CF 3, -CH 2 ( CF 2) 4 H, -CH 2 (CF 2) 8 CF 3, -CH 2 CH 2 (CF 2) 4 H , etc. ) being even, the branch structure (e.g. -CH (CF 3) 2, -CH 2 CF (CF 3) 2, -CH (CH 3) CF 2 CF 3, -CH (CH 3) (CF 2) 5 CF 2 H and the like), and may have an alicyclic structure (preferably a 5-membered ring or a 6-membered ring such as a perfluorocyclohexyl group, a perfluorocyclopentyl group or an alkyl group substituted with these) (E.g., -CH 2 OCH 2 CF 2 CF 3 , -CH 2 CH 2 OCH 2 C 4 F 8 H, -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 C 8 F 17 , -CH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 2 CF 2 H, etc.). It may also be a perfluoroalkyl group.

식 (10) 중의 불소 원자를 갖는 2가의 유기기로서는, 특별히 한정은 없지만, 탄소수 1~30의 함불소 알킬렌기가 바람직하고, 탄소수 1~20이 보다 바람직하며, 탄소수 1~15의 함불소 알킬렌기가 특히 바람직하다. 이 함불소 알킬렌기는, 직쇄(예를 들면 -CF2CF2-, -CH2(CF2)4-, -CH2(CF2)8CF2-, -CH2CH2(CF2)4- 등)여도 되고, 분기 구조(예를 들면 -CH(CF3)CF2-, -CH2CF(CF3)CF2-, -CH(CH3)CF2CF2-, -CH(CH3)(CF2)5CF2- 등)를 갖고 있어도 되며, 또 지환식 구조(바람직하게는 5원환 또는 6원환, 예를 들면 퍼플루오로사이클로헥실기, 퍼플루오로사이클로펜틸기 또는 이들로 치환된 알킬기 등)를 갖는 연결기여도 되고, 에터 결합(예를 들면 -CH2OCH2CF2CF2-, -CH2CH2OCH2C4F8-, -CH2CH2OCH2CH2C8F16-, -CH2CF2OCF2CF2OCF2CF2-, -CH2CF2OCF2CF2OCF2CF2-, 폴리퍼플루오로알킬렌에터쇄 등)을 갖고 있어도 된다. 또, 퍼플루오로알킬렌기여도 된다.The divalent organic group having a fluorine atom in formula (10) is not particularly limited, but is preferably a fluorinated alkylene group having 1 to 30 carbon atoms, more preferably 1 to 20 carbon atoms, a fluorinated alkyl group having 1 to 15 carbon atoms Rhenylene is particularly preferred. A fluorinated alkylene group, a straight-chain (for example, -CF 2 CF 2 -, -CH 2 (CF 2) 4 -, -CH 2 (CF 2) 8 CF 2 -, -CH 2 CH 2 (CF 2) 4 -, etc.), branched structures (for example, -CH (CF 3 ) CF 2 -, -CH 2 CF (CF 3 ) CF 2 -, -CH (CH 3 ) CF 2 CF 2 -, -CH CH 3) (CF 2) 5 CF 2 - which may have, etc.), and, again alicyclic structure (preferably, for a five-membered ring or 6-membered ring, such as perfluoro cyclohexyl group, perfluoro cyclo pentyl or their (E.g., -CH 2 OCH 2 CF 2 CF 2 -, -CH 2 CH 2 OCH 2 C 4 F 8 -, -CH 2 CH 2 OCH 2 CH 2 C 8 F 16 -, -CH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 2 CF 2 -, -CH 2 CF 2 OCF 2 CF 2 OCF 2 CF 2 -, polyperfluoroalkylene ether chain, etc.) do. The perfluoroalkylene group may also be a perfluoroalkylene group.

식 (6), (7), (10) 중의 1가의 유기기는, 3~10가의 비금속 원자로 구성되는 유기기인 것이 바람직하고, 예를 들면 1에서 60개까지의 탄소 원자, 0개에서 10개까지의 질소 원자, 0개에서 50개까지의 산소 원자, 1개에서 100개까지의 수소 원자, 및 0개에서 20개까지의 황 원자로부터 선택되는 적어도 1종 이상의 원소로 구성되는 유기기를 들 수 있다.The monovalent organic group in the formulas (6), (7) and (10) is preferably an organic group consisting of 3 to 10 valent nonmetallic atoms, for example 1 to 60 carbon atoms, 0 to 10 An organic group composed of at least one element selected from the group consisting of nitrogen atom, 0 to 50 oxygen atoms, 1 to 100 hydrogen atoms, and 0 to 20 sulfur atoms .

보다 구체적인 예로서는, 하기의 구조가 단독 또는 복수 조합되어 구성되는 유기기를 들 수 있다.More specific examples include organic groups having the following structures singly or in combination.

1가의 유기기는, 치환기를 더 가져도 되고, 도입 가능한 치환기로서는, 예를 들면 할로젠 원자, 하이드록시기, 카복시기, 설포네이트기, 나이트로기, 사이아노기, 아마이드기, 아미노기, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기, 치환 옥시기, 치환 설폰일기, 치환 카보닐기, 치환 설핀일기, 설포기, 포스포노기, 포스포네이트기, 실릴기, 복소환기 등을 들 수 있다. 또 유기기는, 에터 결합, 에스터 결합, 유레이도 결합을 포함하고 있어도 된다.The monovalent organic group may further have a substituent and examples of the substituent which can be introduced include a halogen atom, a hydroxyl group, a carboxyl group, a sulfonate group, a nitro group, a cyano group, an amide group, An alkenyl group, an alkynyl group, an alkynyl group, an aryl group, a substituted oxy group, a substituted sulfonyl group, a substituted carbonyl group, a substituted sulfinyl group, a sulfo group, a phosphono group, a phosphonate group, a silyl group and a heterocyclic group. The organic group may also include an ether bond, an ester bond, and a ureido bond.

1가의 유기기는, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기가 바람직하다. 알킬기는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, t-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 알켄일기, 탄소수 2~20의 알켄일기인 것이 바람직하고, 예를 들면 바이닐기, 알릴기, 퓨렌일기, 제라닐기, 올레일기 등을 들 수 있다. 알카인일기는, 탄소수 3~10의 알카인일기인 것이 바람직하고, 에타인일기, 프로파길기, 트라이메틸실릴에타인일기 등을 들 수 있다. 아릴기는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. 또한, 헤테로환기는, 탄소수 2~10의 헤테로환기인 것이 바람직하고, 퓨란일기, 싸이오페닐기, 피리딘일기 등을 들 수 있다.The monovalent organic group is preferably an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group or an aryl group. The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, ethyl group, propyl group, octyl group, isopropyl group, t-butyl group, An acyl group, a cyclopentyl group and the like. An alkenyl group and an alkenyl group having 2 to 20 carbon atoms, and examples thereof include a vinyl group, an allyl group, a purene group, a geranyl group and an oleyl group. The alkanyl group is preferably an alkanyl group having 3 to 10 carbon atoms, and examples thereof include an ethynyl group, a propargyl group, and a trimethylsilylethynyl group. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. The heterocyclic group is preferably a heterocyclic group having 2 to 10 carbon atoms, and examples thereof include a furanyl group, a thiophenyl group, and a pyridinyl group.

식 (6) 중의 R1, R2, R3, 및 R4, 식 (7) 중, R5, R6, R7, 식 (10) 중, R8, R9, R10, R11, R12, R13으로 나타나는 1가의 유기기로서는, 알킬기 또는 아릴기가 바람직하다.In the formula (6) in the R 1, R 2, R 3 , and R 4, Equation (7), R 5, R 6, R 7, equation (10), R 8, R 9, R 10, R 11 , R 12 and R 13 is preferably an alkyl group or an aryl group.

알킬기의 예는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, tert-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 아릴기의 예는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. R901~R903으로서는, 그 중에서도, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an octyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, an isopentyl group, Methyl hexyl group, and cyclopentyl group. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. As R 901 to R 903 , a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

식 (7) 중의 Y1 및, 식 (10) 중의 Y2 및 Y3으로 나타나는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기의 구체예를 이하에 든다. 또한, 하기 예에 있어서 좌측이 주쇄에 결합하고, 우측이 Rf에 결합한다.Selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a divalent aliphatic group, a divalent aromatic group and combinations thereof represented by Y 1 in the formula (7) and Y 2 and Y 3 in the formula (10) Specific examples of the divalent linking group are as follows. In the following example, the left side is bonded to the main chain and the right side is bonded to Rf.

L1: -CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L1 is an aliphatic group of the -CO-NH-2 -O-CO-NH-2 aliphatic group -O-CO-

L2: -CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L2: -CO-NH-2 aliphatic group -O-CO-

L3: -CO-2가의 지방족기-O-CO-L3: -CO-2 aliphatic group -O-CO-

L4: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L4: -CO-O-2 aliphatic group -O-CO-

L5: -2가의 지방족기-O-CO-L5: -valent aliphatic group -O-CO-

L6: -CO-NH-2가의 방향족기-O-CO-L6: -CO-NH-2 aromatic group -O-CO-

L7: -CO-2가의 방향족기-O-CO-L7: -CO-2 aromatic group -O-CO-

L8: -2가의 방향족기-O-CO-L8: -valent aromatic group -O-CO-

L9: -CO-O-2가의 지방족기-CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L9: an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -CO-O-2,

L10: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-2가의 지방족기-O-CO-L10: an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -O-CO-2, an -O-

L11: -CO-O-2가의 방향족기-CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L11 represents an aromatic group of -CO-O-2, -CO-O-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L12: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-2가의 지방족기-O-CO-L12 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L13: -CO-O-2가의 지방족기-CO-O-2가의 방향족기-O-CO-L13: an aliphatic group of -CO-O-2, an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-

L14: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-2가의 방향족기-O-CO-L14: an aliphatic group of -CO-O-2, an aromatic group of -O-CO-2, -O-CO-

L15: -CO-O-2가의 방향족기-CO-O-2가의 방향족기-O-CO-L15 is an aromatic group of -CO-O-2, -CO-O-2 is an aromatic group of -O-CO-

L16: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-2가의 방향족기-O-CO-L16 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-2 represents an aromatic group, -O-CO-

L17: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L17 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-NH-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L18: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L18 represents an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -O-CO-NH-2,

L19: -2가의 방향족기-2가의 지방족기L19: An aromatic group-bivalent aliphatic group

L20: -2가의 방향족기-2가의 지방족기-O-2가의 지방족기-L20: an aromatic group-having 2-valent aliphatic group -O-2 valent aliphatic group-

L21: -2가의 방향족기-2가의 지방족기-O-2가의 지방족기-O-L21: an aromatic group-having 2-valent aliphatic group -O-2 valent aliphatic group -O-

L22: -CO-O-2가의 지방족기-L22: -CO-O-2 Aliphatic group -

L23: -CO-O-2가의 지방족기-O-L23: -CO-O-2 Aliphatic group -O-

여기에서 2가의 지방족기란, 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알켄일렌기, 치환 알켄일렌기, 알카인일렌기, 치환 알카인일렌기 또는 폴리알킬렌옥시기를 의미한다. 그 중에서도 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알켄일렌기, 및 치환 알켄일렌기가 바람직하고, 알킬렌기 및 치환 알킬렌기가 더 바람직하다.Herein, the divalent aliphatic group means an alkylene group, a substituted alkylene group, an alkenylene group, a substituted alkenylene group, an alkenylene group, a substituted alkenylene group or a polyalkyleneoxy group. Among them, an alkylene group, a substituted alkylene group, an alkenylene group, and a substituted alkenylene group are preferable, and an alkylene group and a substituted alkylene group are more preferable.

2가의 지방족기는, 환상 구조보다 쇄상 구조가 바람직하고, 또한 분기를 갖는 쇄상 구조보다 직쇄상 구조가 바람직하다. 2가의 지방족기의 탄소 원자수는, 1~20인 것이 바람직하고, 1~15인 것이 보다 바람직하며, 1~12인 것이 더 바람직하고, 1~10인 것이 더욱더 바람직하며, 1~8인 것이 보다 더 바람직하고, 1~4인 것이 특히 바람직하다.The divalent aliphatic group is preferably a chain structure rather than a cyclic structure and more preferably a straight chain structure rather than a branched chain structure. The number of carbon atoms of the divalent aliphatic group is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 15, still more preferably from 1 to 12, still more preferably from 1 to 10, and even more preferably from 1 to 8 , More preferably 1 to 4 carbon atoms.

2가의 지방족기의 치환기의 예로서는, 할로젠 원자(F, Cl, Br, I), 하이드록시기, 카복시기, 아미노기, 사이아노기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기, 모노알킬아미노기, 다이알킬아미노기, 아릴아미노기 및 다이아릴아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent of the divalent aliphatic group include a halogen atom (F, Cl, Br, I), a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, a cyano group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, An aryloxycarbonyl group, an acyloxy group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, an arylamino group, and a diarylamino group.

2가의 방향족기의 예로서는, 페닐렌기, 치환 페닐렌기, 나프탈렌기 및 치환 나프탈렌기를 들 수 있으며, 페닐렌기가 바람직하다. 2가의 방향족기의 치환기의 예로서는, 상기 2가의 지방족기의 치환기의 예에 더하여, 알킬기를 들 수 있다.Examples of the divalent aromatic group include a phenylene group, a substituted phenylene group, a naphthalene group and a substituted naphthalene group, and a phenylene group is preferable. Examples of the substituent of the divalent aromatic group include an alkyl group in addition to the examples of the substituent of the divalent aliphatic group.

불소 원자를 갖는 반복 단위의 함유량은, 불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 올리고머의 전체 반복 단위에 대하여, 2몰%~98몰%인 것이 바람직하고, 10몰%~90몰%인 것이 보다 바람직하다.The content of the repeating unit having a fluorine atom is preferably from 2 mol% to 98 mol%, more preferably from 10 mol% to 90 mol%, based on the total repeating units of the fluorine atom-containing radically polymerizable oligomer.

라디칼 중합성 관능기를 갖는 반복 단위로서는, 하기 식 (8)로 나타나는 반복 단위가 바람직하다.The repeating unit having a radical polymerizable functional group is preferably a repeating unit represented by the following formula (8).

[화학식 8][Chemical Formula 8]

Figure 112016112149515-pct00008
Figure 112016112149515-pct00008

(일반식 (8)에 있어서, R801~R803은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 또는 할로젠 원자를 나타낸다. Y8은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. T는 라디칼 중합성 관능기를 갖는 구조를 나타낸다.)(In the general formula (8), R 801 to R 803 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, or a halogen atom, and Y 8 represents a single bond or a group represented by -CO-, -O-, -NH -, a divalent aliphatic group, a divalent aromatic group, and a combination thereof, and T represents a structure having a radically polymerizable functional group.

R801~R803으로서의 알킬기는, 탄소수 1~6의 알킬기인 것이 바람직하다.The alkyl group as R 801 to R 803 is preferably an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms.

T는 일반식 (9)로 나타나는 라디칼 중합성 관능기를 나타내는 것이 바람직하다.T is preferably a radical polymerizable functional group represented by the general formula (9).

[화학식 9][Chemical Formula 9]

Figure 112016112149515-pct00009
Figure 112016112149515-pct00009

(일반식 (9) 중, R901~R903은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기 또는 아릴기를 나타낸다. 점선은, Y8에 연결하는 기에 대한 결합을 나타낸다.)(In the general formula (9), R 901 to R 903 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group or an aryl group, and the dotted line represents a bond to a group connected to Y 8. )

알킬기의 예는, 탄소수 1~8의 알킬기인 것이 바람직하고, 예를 들면 메틸기, 에틸기, 프로필기, 옥틸기, 아이소프로필기, tert-뷰틸기, 아이소펜틸기, 2-에틸헥실기, 2-메틸헥실기, 사이클로펜틸기 등을 들 수 있다. 아릴기의 예는, 탄소수 6~12의 아릴기인 것이 바람직하고, 페닐기, 1-나프틸기, 2-나프틸기 등을 들 수 있다. R901~R903으로서는, 그 중에서도, 수소 원자 또는 메틸기가 바람직하다.The alkyl group is preferably an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms, and examples thereof include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an octyl group, an isopropyl group, a tert-butyl group, an isopentyl group, Methyl hexyl group, and cyclopentyl group. The aryl group is preferably an aryl group having 6 to 12 carbon atoms, and examples thereof include a phenyl group, a 1-naphthyl group and a 2-naphthyl group. As R 901 to R 903 , a hydrogen atom or a methyl group is particularly preferable.

Y8은, 단결합, 또는 -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다. 조합으로 이루어지는 Y8의 구체예를 이하에 든다. 또한, 하기 예에 있어서 좌측이 주쇄에 결합하고, 우측이 식 (9)에 결합한다.Y 8 represents a single bond or a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group, and combinations thereof. A concrete example of Y 8 composed of a combination is shown below. In the following example, the left side is bonded to the main chain and the right side is bonded to the formula (9).

L1: -CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L1 is an aliphatic group of the -CO-NH-2 -O-CO-NH-2 aliphatic group -O-CO-

L2: -CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L2: -CO-NH-2 aliphatic group -O-CO-

L3: -CO-2가의 지방족기-O-CO-L3: -CO-2 aliphatic group -O-CO-

L4: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L4: -CO-O-2 aliphatic group -O-CO-

L5: -2가의 지방족기-O-CO-L5: -valent aliphatic group -O-CO-

L6: -CO-NH-2가의 방향족기-O-CO-L6: -CO-NH-2 aromatic group -O-CO-

L7: -CO-2가의 방향족기-O-CO-L7: -CO-2 aromatic group -O-CO-

L8: -2가의 방향족기-O-CO-L8: -valent aromatic group -O-CO-

L9: -CO-O-2가의 지방족기-CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L9: an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -CO-O-2,

L10: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-2가의 지방족기-O-CO-L10: an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -O-CO-2, an -O-

L11: -CO-O-2가의 방향족기-CO-O-2가의 지방족기-O-CO-L11 represents an aromatic group of -CO-O-2, -CO-O-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L12: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-2가의 지방족기-O-CO-L12 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L13: -CO-O-2가의 지방족기-CO-O-2가의 방향족기-O-CO-L13: an aliphatic group of -CO-O-2, an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-

L14: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-2가의 방향족기-O-CO-L14: an aliphatic group of -CO-O-2, an aromatic group of -O-CO-2, -O-CO-

L15: -CO-O-2가의 방향족기-CO-O-2가의 방향족기-O-CO-L15 is an aromatic group of -CO-O-2, -CO-O-2 is an aromatic group of -O-CO-

L16: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-2가의 방향족기-O-CO-L16 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-2 represents an aromatic group, -O-CO-

L17: -CO-O-2가의 방향족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L17 represents an aromatic group of -CO-O-2, -O-CO-NH-2 represents an aliphatic group -O-CO-

L18: -CO-O-2가의 지방족기-O-CO-NH-2가의 지방족기-O-CO-L18 represents an aliphatic group of -CO-O-2, an aliphatic group of -O-CO-NH-2,

여기에서 2가의 지방족기란, 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알켄일렌기, 치환 알켄일렌기, 알카인일렌기, 치환 알카인일렌기 또는 폴리알킬렌옥시기를 의미한다. 그 중에서도 알킬렌기, 치환 알킬렌기, 알켄일렌기, 및 치환 알켄일렌기가 바람직하고, 알킬렌기 및 치환 알킬렌기가 더 바람직하다.Herein, the divalent aliphatic group means an alkylene group, a substituted alkylene group, an alkenylene group, a substituted alkenylene group, an alkenylene group, a substituted alkenylene group or a polyalkyleneoxy group. Among them, an alkylene group, a substituted alkylene group, an alkenylene group, and a substituted alkenylene group are preferable, and an alkylene group and a substituted alkylene group are more preferable.

2가의 지방족기는, 환상 구조보다 쇄상 구조가 바람직하고, 또한 분기를 갖는 쇄상 구조보다 직쇄상 구조가 바람직하다. 2가의 지방족기의 탄소 원자수는, 1~20인 것이 바람직하고, 1~15인 것이 보다 바람직하며, 1~12인 것이 더 바람직하고, 1~10인 것이 더욱더 바람직하며, 1~8인 것이 보다 더 바람직하고, 1~4인 것이 특히 바람직하다.The divalent aliphatic group is preferably a chain structure rather than a cyclic structure and more preferably a straight chain structure rather than a branched chain structure. The number of carbon atoms of the divalent aliphatic group is preferably from 1 to 20, more preferably from 1 to 15, still more preferably from 1 to 12, still more preferably from 1 to 10, and even more preferably from 1 to 8 , More preferably 1 to 4 carbon atoms.

2가의 지방족기의 치환기의 예로서는, 할로젠 원자(F, Cl, Br, I), 하이드록시기, 카복시기, 아미노기, 사이아노기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 아실기, 알콕시카보닐기, 아릴옥시카보닐기, 아실옥시기, 모노알킬아미노기, 다이알킬아미노기, 아릴아미노기 및 다이아릴아미노기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent of the divalent aliphatic group include a halogen atom (F, Cl, Br, I), a hydroxyl group, a carboxy group, an amino group, a cyano group, an aryl group, an alkoxy group, an aryloxy group, An aryloxycarbonyl group, an acyloxy group, a monoalkylamino group, a dialkylamino group, an arylamino group, and a diarylamino group.

2가의 방향족기의 예로서는, 페닐렌기, 치환 페닐렌기, 나프탈렌기 및 치환 나프탈렌기를 들 수 있으며, 페닐렌기가 바람직하다. 2가의 방향족기의 치환기의 예로서는, 상기 2가의 지방족기의 치환기의 예에 더하여, 알킬기를 들 수 있다.Examples of the divalent aromatic group include a phenylene group, a substituted phenylene group, a naphthalene group and a substituted naphthalene group, and a phenylene group is preferable. Examples of the substituent of the divalent aromatic group include an alkyl group in addition to the examples of the substituent of the divalent aliphatic group.

라디칼 중합성 관능기를 갖는 반복 단위의 함유량은, 불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 올리고머의 전체 반복 단위에 대하여, 2~98몰%인 것이 바람직하고, 10~90몰%인 것이 보다 바람직하다.The content of the repeating unit having a radical polymerizable functional group is preferably from 2 to 98% by mole, more preferably from 10 to 90% by mole, based on the total repeating units of the fluorine atom-containing radically polymerizable oligomer.

불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 올리고머의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의한 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량은, 2000~20000인 것이 바람직하고, 2000~15000이 보다 바람직하며, 2000~10000인 것이 가장 바람직하다.The weight average molecular weight of the radically polymerizable oligomer having a fluorine atom in terms of polystyrene as determined by gel permeation chromatography (GPC) is preferably 2,000 to 20,000, more preferably 2,000 to 15,000, and most preferably 2,000 to 10,000 desirable.

불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 올리고머의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피(GPC)법에 의한 폴리스타이렌 환산의 중량 평균 분자량은, 2000~10000인 것이 바람직하고, 2000~8000이 보다 바람직하며, 2000~6000인 것이 가장 바람직하다.The weight average molecular weight of the radically polymerizable oligomer having a fluorine atom in terms of polystyrene by gel permeation chromatography (GPC) is preferably 2000 to 10,000, more preferably 2,000 to 8,000, and most preferably 2,000 to 6,000 desirable.

이형 영역 형성용 조성물이, 불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머를 함유하는 경우, 불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머의 함유량은, 특별히 제한은 없고, 바람직하게는, 이형 영역 형성용 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.01~15질량%가 바람직하다. 0.01질량% 이상이면, 충분한 박리성이 얻어진다. 15질량% 이하이면, 충분한 접착력이 얻어진다.When the composition for forming a releasable region contains a radically polymerizable monomer or oligomer having a fluorine atom, the content of the radically polymerizable monomer or oligomer having a fluorine atom is not particularly limited, and preferably the composition for forming a releasable region Is preferably 0.01 to 15% by mass relative to the total solid content of the polymer. If it is 0.01% by mass or more, sufficient peeling property can be obtained. If it is 15 mass% or less, sufficient adhesion can be obtained.

불소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 중합성 모노머가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The radically polymerizable monomer or oligomer having a fluorine atom may be one type or two or more types. When two or more types of polymerizable monomers are used, the total amount is preferably in the above range.

<<<규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머>>><<< Radically polymerizable monomers or oligomers with silicon atoms >>>

본 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머는, 실리콘 모노머 또는 실리콘 올리고머인 것이 바람직하고, 예를 들면 폴리다이메틸실록세인 결합의 적어도 편말단이 (메트)아크릴로일기 및 스타이릴기 등의 에틸렌성 불포화기로 되어 있는 화합물을 들 수 있으며, (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이 바람직하다.The radically polymerizable monomer or oligomer having the silicon atom is preferably a silicone monomer or a silicone oligomer. For example, at least one terminal of the polydimethylsiloxane bond may be an ethylene (meth) acryloyl group such as a Unsaturated group, and a compound having a (meth) acryloyl group is preferable.

규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 올리고머의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피법에 의한 폴리스타이렌 환산의 수평균 분자량은, 1,000~10,000인 것이 바람직하다. 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 올리고머의 젤 퍼미에이션 크로마토그래피법에 의한 폴리스타이렌 환산의 수평균 분자량이 1,000 미만 또는 10,000 이상인 경우, 규소 원자에 의한 박리성 등의 성질이 발현되기 어려워진다.The number average molecular weight of a radically polymerizable oligomer having a silicon atom in terms of polystyrene determined by gel permeation chromatography is preferably 1,000 to 10,000. When the number average molecular weight of the radically polymerizable oligomer having a silicon atom in terms of polystyrene reduced by gel permeation chromatography is less than 1,000 or 10,000 or more, properties such as peelability due to silicon atoms are difficult to manifest.

규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머로서는, 일반식 (11) 또는 (12)로 나타나는 화합물이 바람직하다.As the radically polymerizable monomer having a silicon atom, a compound represented by the general formula (11) or (12) is preferable.

[화학식 10][Chemical formula 10]

Figure 112016112149515-pct00010
Figure 112016112149515-pct00010

(일반식 (11) 및 (12) 중, R11~R19는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기, 또는 아릴기를 나타낸다. Z11, Z12, 및 Z13은, 각각 독립적으로, 라디칼 중합성기를 나타낸다. L11, L12, 및 L13은 각각 독립적으로, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. n 및 m은, 각각 독립적으로 0 이상의 정수를 나타낸다.)(Formula (11) and (12) of, R 11 ~ R 19 are, each independently, represent a hydrogen atom, alkyl group, alkoxy group, alkoxycarbonyl group, or an aryl group. Z 11, Z 12, and Z 13 is L 11 , L 12 and L 13 each independently represent a single bond or a divalent linking group, and n and m each independently represent an integer of 0 or more.

일반식 (11) 및 (12) 중, R11~R19는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 알킬기, 알콕시기, 알콕시카보닐기, 또는 아릴기를 나타낸다.In the general formulas (11) and (12), R 11 to R 19 each independently represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, an alkoxycarbonyl group or an aryl group.

알킬기는, 직쇄상이어도 되고, 분지쇄상이어도 되며, 탄소수 1~5의 알킬기인 것이 바람직하고, 구체적으로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 아이소프로필기 등을 들 수 있다. 알콕시기는, -OR20을 의미하는 것이며, R20은 알킬기(바람직하게는 탄소수 1~5의 알킬기)를 나타내고, 구체적으로는, 메톡시기, 에톡시기, 프로폭시기, 아이소프로폭시기, 뷰톡시기 등을 들 수 있다. 알콕시카보닐기는, -C(=O)R21을 의미하는 것이며, R21은 알콕시기(바람직하게는 탄소수 1~5의 알콕시기)를 나타내고, 구체적으로는, 메톡시카보닐, 에톡시카보닐, 프로폭시카보닐 등을 들 수 있다. 아릴기는, 페닐기, 톨릴기, 나프틸기 등을 들 수 있으며, 그들은 치환기를 갖고 있어도 되고, 페닐메틸(벤질)기, 페닐에틸기, 페닐프로필기, 페닐뷰틸기, 나프틸메틸기 등을 들 수 있다.The alkyl group may be linear, branched or an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, and specific examples thereof include a methyl group, ethyl group, n-propyl group and isopropyl group. The alkoxy group means -OR 20 , and R 20 represents an alkyl group (preferably an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms), and specific examples thereof include a methoxy group, ethoxy group, propoxy group, isopropoxy group, And the like. The alkoxycarbonyl group means -C (= O) R 21 , and R 21 represents an alkoxy group (preferably an alkoxy group having 1 to 5 carbon atoms), specifically, methoxycarbonyl, ethoxycarbonyl Propylcarbonyl, and the like. Examples of the aryl group include a phenyl group, a tolyl group and a naphthyl group, and they may have a substituent. Examples of the aryl group include a phenylmethyl (benzyl) group, a phenylethyl group, a phenylpropyl group, a phenylbutyl group and a naphthylmethyl group.

L11, L12, 및 L13은 각각 독립적으로, 단결합 또는 2가의 연결기를 나타낸다. 2가의 연결기로서는, -CO-, -O-, -NH-, 2가의 지방족기, 2가의 방향족기 및 그들의 조합으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 2가의 연결기를 나타낸다.L 11 , L 12 , and L 13 each independently represent a single bond or a divalent linking group. The divalent linking group represents a divalent linking group selected from the group consisting of -CO-, -O-, -NH-, a bivalent aliphatic group, a bivalent aromatic group, and combinations thereof.

n 및 m은, 각각 독립적으로 0 이상의 정수를 나타내고, 0~100의 정수가 바람직하며, 0~50의 정수가 보다 바람직하다.n and m each independently represent an integer of 0 or more, preferably an integer of 0 to 100, more preferably an integer of 0 to 50.

Z11, Z12, 및 Z13은, 각각 독립적으로, 라디칼 중합성기를 나타내고, 하기 일반식 (i)~(iii) 중 어느 하나로 나타나는 관능기가 특히 바람직하다.Z 11 , Z 12 and Z 13 each independently represent a radical polymerizable group, and a functional group represented by any one of the following formulas (i) to (iii) is particularly preferable.

[화학식 11](11)

Figure 112016112149515-pct00011
Figure 112016112149515-pct00011

(일반식 (i) 중, R101~R103은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. X101은, 산소 원자, 황 원자, 또는 -N(R104)-를 나타내고, R104는, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.)(Wherein R 101 to R 103 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, X 101 represents an oxygen atom, a sulfur atom, or -N (R 104 ) -, and R 104 Represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.)

일반식 (I)에 있어서, R101~R103은 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. R101은, 바람직하게는, 수소 원자 또는 치환기를 가져도 되는 알킬기 등을 들 수 있으며, 그 중에서도, 수소 원자 및 메틸기는, 라디칼 반응성이 높은 점에서 바람직하다. 또, R102 및 R103은, 각각 독립적으로, 바람직하게는, 수소 원자, 할로젠 원자, 아미노기, 카복실기, 알콕시카보닐기, 설포기, 나이트로기, 사이아노기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 알콕시기, 치환기를 가져도 되는 아릴옥시기, 치환기를 가져도 되는 알킬아미노기, 치환기를 가져도 되는 아릴아미노기, 치환기를 가져도 되는 알킬설폰일기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴설폰일기를 나타내고, 그 중에서도, 수소 원자, 카복실기, 알콕시카보닐기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 아릴기가 라디칼 반응성이 높은 점에서 바람직하다.In the general formula (I), R 101 to R 103 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 101 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent, and among them, a hydrogen atom and a methyl group are preferable because of high radical reactivity. R 102 and R 103 are each independently preferably a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, , An aryl group which may have a substituent, an alkoxy group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an alkylamino group which may have a substituent, an arylamino group which may have a substituent, , Or an arylsulfonyl group which may have a substituent, and among these, a hydrogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkyl group which may have a substituent, and an aryl group which may have a substituent are preferable because of high radical reactivity.

X101은, 산소 원자, 황 원자, 또는 -N(R104)-를 나타내고, R104는, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. 1가의 유기기로서는, 치환기를 가져도 되는 알킬기 등을 들 수 있다. R104가, 수소 원자, 메틸기, 에틸기, 또는 아이소프로필기인 것이, 라디칼 반응성이 높은 점에서 바람직하다.X 101 represents an oxygen atom, a sulfur atom, or -N (R 104 ) -, and R 104 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. As the monovalent organic group, an alkyl group which may have a substituent may, for example, be mentioned. It is preferable that R 104 is a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, or an isopropyl group because of high radical reactivity.

도입할 수 있는 치환기로서는, 알킬기, 알켄일기, 알카인일기, 아릴기, 알콕시기, 아릴옥시기, 할로젠 원자, 아미노기, 알킬아미노기, 아릴아미노기, 카복실기, 알콕시카보닐기, 설포기, 나이트로기, 사이아노기, 아마이드기, 알킬설폰일기, 아릴설폰일기 등을 들 수 있다.Examples of the substituent which can be introduced include alkyl groups, alkenyl groups, alkynyl groups, aryl groups, alkoxy groups, aryloxy groups, halogen atoms, amino groups, alkylamino groups, arylamino groups, carboxyl groups, alkoxycarbonyl groups, sulfo groups, A cyano group, an amide group, an alkylsulfonyl group, and an arylsulfonyl group.

[화학식 12][Chemical Formula 12]

Figure 112016112149515-pct00012
Figure 112016112149515-pct00012

(일반식 (ii) 중, R201~R205는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. Y201은, 산소 원자, 황 원자, 또는 -N(R206)-을 나타낸다. R206은, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다.)(Wherein R 201 to R 205 each independently represents a hydrogen atom or a monovalent organic group, Y 201 represents an oxygen atom, a sulfur atom, or -N (R 206 ) - R 206 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group.)

일반식 (ii)에 있어서, R201~R205는, 각각 독립적으로, 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. R201~R205는, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 아미노기, 카복실기, 알콕시카보닐기, 설포기, 나이트로기, 사이아노기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 알콕시기, 치환기를 가져도 되는 아릴옥시기, 치환기를 가져도 되는 알킬아미노기, 치환기를 가져도 되는 아릴아미노기, 치환기를 가져도 되는 알킬설폰일기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴설폰일기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 카복실기, 알콕시카보닐기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기인 것이 보다 바람직하다.In formula (ii), R201 to R205 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 201 to R 205 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, an alkyl group which may have a substituent, An aryloxy group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an alkylamino group which may have a substituent, an arylamino group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, , And more preferably an aryl group which may have a hydrogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkyl group which may have a substituent, or a substituent.

도입할 수 있는 치환기로서는, 일반식 (i)에서 기재한 치환기와 동일한 것을 들 수 있다.The substituent which can be introduced includes the same substituents as those described in the general formula (i).

Y201은, 산소 원자, 황 원자, 또는 -N(R206)-을 나타낸다. R206은, 일반식 (i)의 R104와 동의이며, 바람직한 예도 동일하다.Y 201 represents an oxygen atom, a sulfur atom, or -N (R 206 ) -. R 206 is synonymous with R 104 in formula (i), and preferred examples are also the same.

[화학식 13][Chemical Formula 13]

Figure 112016112149515-pct00013
Figure 112016112149515-pct00013

(일반식 (iii) 중, R301~R303은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. Z301은, 산소 원자, 황 원자, -N(R304)- 또는 치환기를 가져도 되는 페닐렌기를 나타낸다. R304는, 일반식 (i)의 R104와 동의이다.)(In the general formula (iii), R 301 to R 303 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group, and Z 301 represents an oxygen atom, a sulfur atom, -N (R 304 ) R 304 is the same as R 104 in the general formula (i).)

일반식 (iii)에 있어서, R301~R303은, 각각 독립적으로 수소 원자 또는 1가의 유기기를 나타낸다. R301은, 수소 원자, 또는 치환기를 가져도 되는 알킬기인 것이 바람직하고, 그 중에서도, 수소 원자, 또는 메틸기인 것이, 라디칼 반응성이 높은 점에서 보다 바람직하다. R302, 및 R303은, 각각 독립적으로, 수소 원자, 할로젠 원자, 아미노기, 카복실기, 알콕시카보닐기, 설포기, 나이트로기, 사이아노기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 치환기를 가져도 되는 아릴기, 치환기를 가져도 되는 알콕시기, 치환기를 가져도 되는 아릴옥시기, 치환기를 가져도 되는 알킬아미노기, 치환기를 가져도 되는 아릴아미노기, 치환기를 가져도 되는 알킬설폰일기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴설폰일기인 것이 바람직하고, 수소 원자, 카복실기, 알콕시카보닐기, 치환기를 가져도 되는 알킬기, 또는 치환기를 가져도 되는 아릴기인 것이, 라디칼 반응성이 높은 점에서 보다 바람직하다.In formula (iii), R 301 to R 303 each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group. R 301 is preferably a hydrogen atom or an alkyl group which may have a substituent, and among them, a hydrogen atom or a methyl group is more preferable because of high radical reactivity. R 302 and R 303 each independently represent a hydrogen atom, a halogen atom, an amino group, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, a sulfo group, a nitro group, a cyano group, an alkyl group which may have a substituent, An aryloxy group which may have a substituent, an aryloxy group which may have a substituent, an alkylamino group which may have a substituent, an arylamino group which may have a substituent, an alkylsulfonyl group which may have a substituent, or a substituent , And more preferably an aryl group which may have a hydrogen atom, a carboxyl group, an alkoxycarbonyl group, an alkyl group which may have a substituent, or an aryl group which may have a substituent, from the viewpoint of high radical reactivity.

도입할 수 있는 치환기로서는, 일반식 (i)에서 기재한 치환기와 동일한 것을 들 수 있다. Z301은, 산소 원자, 황 원자, -N(R304)- 또는 치환기를 가져도 되는 페닐렌기를 나타낸다. R304는, 일반식 (i)의 R104와 동의이며, 1가의 유기기로서는, 치환기를 가져도 되는 알킬기 등을 들 수 있고, 그 중에서도, 메틸기, 에틸기, 및 아이소프로필기가 라디칼 반응성이 높은 점에서 바람직하다.The substituent which can be introduced includes the same substituents as those described in the general formula (i). Z 301 represents an oxygen atom, a sulfur atom, -N (R 304 ) - or a phenylene group which may have a substituent. R 304 is the same as R 104 in the general formula (i), and examples of the monovalent organic group include an alkyl group which may have a substituent. Among them, the methyl group, the ethyl group and the isopropyl group have a high radical reactivity .

이형 영역 형성용 조성물이 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머를 갖는 경우, 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머의 함유량은, 이형 영역 형성용 조성물의 전체 고형분에 대하여, 0.01~15질량%가 바람직하다. 0.01질량% 이상이면, 충분한 박리성이 얻어진다. 15질량% 이하이면, 충분한 접착력이 얻어진다.When the composition for forming a releasable region has a radically polymerizable monomer or oligomer having a silicon atom, the content of the radically polymerizable monomer or oligomer having a silicon atom is preferably from 0.01 to 15% by mass, . If it is 0.01% by mass or more, sufficient peeling property can be obtained. If it is 15 mass% or less, sufficient adhesion can be obtained.

규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 규소 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머 또는 올리고머가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The radically polymerizable monomer or oligomer having a silicon atom may be only one kind or two or more kinds. When two or more types of radically polymerizable monomers or oligomers having a silicon atom are contained, the total amount is preferably in the above range.

불소 원자 또는 실리콘 원자를 갖는 라디칼 중합성 모노머로서는, 예를 들면 DIC 가부시키가이샤제의 RS-75, RS-72-K, RS-76-E, RS-72-K, 다이킨 고교 가부시키가이샤제의 옵툴 DAC-HP(불소계 실레인 커플링제), 신에쓰 가가쿠 고교 가부시키가이샤제의 X-22-164, X-22-164AS, X-22-164A, X-22-164B, X-22-164C, X-22-164E, 다이셀·사이텍 가부시키가이샤제의 EBECRYL350, EBECRYL1360, 데구사사제의 TEGORad2700, UV-3500B(BYK사제) 등도 예시된다.Examples of the radically polymerizable monomer having a fluorine atom or a silicon atom include RS-75, RS-72-K, RS-76-E, RS-72-K manufactured by DIC Corporation, X-22-164AS, X-22-164A, X-22-164B and X-22-164B manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd., fluorine-based silane coupling agents, 22-164C, X-22-164E, EBECRYL 350, EBECRYL 1360 manufactured by Daicel-Cytech Corporation, TEGORad 2700 and UV-3500B (manufactured by BYK) manufactured by Degussa.

불소 원자 또는 실리콘 원자를 갖는 재료로서는, 상술한 것 외에, 헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)트라이클로로실레인, (플루오로)알킬포스포네이트, 불화 파릴렌, 실리콘아크릴레이트 코폴리머, 테트라플루오로에틸렌 및 2,2-비스-트라이플루오로메틸-4,5-다이플루오로-1,3-다이옥솔의 코폴리머류, 펜던트 퍼플루오로알콕시기를 갖는 폴리머, 불화 에틸렌-프로필렌 코폴리머 등을 들 수 있다.As the material having a fluorine atom or a silicon atom, in addition to the above, heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) trichlorosilane, (fluoro) alkylphosphonate, parylene fluoride, Silicon acrylate copolymers, copolymers of tetrafluoroethylene and 2,2-bis-trifluoromethyl-4,5-difluoro-1,3-dioxole, polymers having pendant perfluoroalkoxy groups, And fluorinated ethylene-propylene copolymers.

이형 성분의 함유량은, 가접착용 조성물의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 0.01~10질량%가 바람직하고, 0.05~5질량%가 보다 바람직하며, 0.1~1질량%가 특히 바람직하다.The content of the releasing component is preferably 0.01 to 10% by mass, more preferably 0.05 to 5% by mass, and particularly preferably 0.1 to 1% by mass, based on the total solids content (amount excluding solvent) Do.

<<계면활성제>><< Surfactant >>

가접착용 조성물은, 또한 계면활성제를 함유하는 것이 바람직하다. 계면활성제는, 접착 영역의 항에 기재한 것이 적합하게 이용되며, 바람직한 범위도 동일하다.The adhesive composition preferably further contains a surfactant. As the surfactant, those described in the section of the adhesive region are suitably used, and the preferred range is also the same.

계면활성제의 함유량은, 가접착용 조성물의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 0.001~1질량%가 바람직하고, 0.01~0.5질량%가 보다 바람직하며, 0.05~0.1질량%가 특히 바람직하다.The content of the surfactant is preferably 0.001 to 1% by mass, more preferably 0.01 to 0.5% by mass, particularly preferably 0.05 to 0.1% by mass, with respect to the total solid content (amount excluding the solvent) Do.

계면활성제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 계면활성제가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The surfactant may be one kind or two or more kinds. When two or more kinds of surfactants are used, the total amount is preferably in the above range.

<<산화 방지제>><< Antioxidants >>

가접착용 조성물은, 또한 산화 방지제를 함유하는 것이 바람직하다. 산화 방지제는, 접착 영역의 항에 기재한 것이 적합하게 이용되며, 바람직한 범위도 동일하다.The adhesive composition preferably further contains an antioxidant. As the antioxidant, those described in the section of the adhesive region are preferably used, and the preferable range is also the same.

산화 방지제의 함유량은, 가접착용 조성물의 전체 고형분량(용제를 제외한 양)에 대하여, 0.001~10질량%가 바람직하고, 0.01~5질량%가 보다 바람직하며, 0.1~1질량%가 특히 바람직하다.The content of the antioxidant is preferably 0.001 to 10% by mass, more preferably 0.01 to 5% by mass, and particularly preferably 0.1 to 1% by mass, based on the total solids content (amount excluding solvent) Do.

산화 방지제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 산화 방지제가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The antioxidant may be of one kind alone or in combination of two or more kinds. When the amount of the antioxidant is two or more, the total amount is preferably in the above range.

<<가소제>><< Plasticizer >>

가접착용 조성물은, 고온에서의 변형성을 높이고 접착 평탄성을 향상시키기 위하여, 가소제를 포함하는 것이 바람직하다.The adhesive composition preferably includes a plasticizer in order to enhance the deformability at high temperatures and to improve the flatness of adhesion.

가소제로서는, 프탈산 에스터, 지방산 에스터, 방향족 다가 카복실산 에스터, 폴리에스터 등을 사용할 수 있다.As the plasticizer, phthalic acid ester, fatty acid ester, aromatic polycarboxylic acid ester, polyester and the like can be used.

프탈산 에스터로서는 예를 들면, DMP, DEP, DBP, #10, BBP, DOP, DINP, DIDP(이상, 다이하치 가가쿠제), PL-200, DOIP(이상, CG 이스터제), 산소사이저 DUP(신니혼 리카제) 등을 들 수 있다.Examples of the phthalic ester include DMP, DEP, DBP, # 10, BBP, DOP, DINP, DIDP (available from Daihachi Chemical), PL-200, DOIP Manufactured by Shin-Nippon Rika KK).

지방산 에스터로서는 예를 들면, 뷰틸스테아레이트, 유니스터 M-9676, 유니스터 M-2222SL, 유니스터 H-476, 유니스터 H-476D, 파나세트 800B, 파나세트 875, 파나세트 810(이상, 니치유제), DBA, DIBA, DBS, DOA, DINA, DIDA, DOS, BXA, DOZ, DESU(이상, 다이하치 가가쿠제) 등을 들 수 있다.Examples of the fatty acid ester include butyl stearate, Unistar M-9676, Unistar M-2222SL, Unistar H-476, Unistar H-476D, Panaset 800B, Panaset 875, Panaset 810 DIBA, DBA, DOA, DINA, DIDA, DOS, BXA, DOZ, DESU (available from Daihachi Chemical).

방향족 다가 카복실산 에스터로서는, TOTM(다이하치 가가쿠제), 모노사이저 W-705(다이하치 가가쿠제), UL-80, UL-100(ADEKA제) 등을 들 수 있다.Examples of the aromatic polycarboxylic acid ester include TOTM (Daihachi Kagaku), Monoisizer W-705 (Daihachi Kagaku), UL-80 and UL-100 (manufactured by ADEKA).

폴리에스터로서는, 폴리사이저 TD-1720, 폴리사이저 S-2002, 폴리사이저 S-2010(이상, DIC제), BAA-15(다이하치 가가쿠제) 등을 들 수 있다.Examples of the polyester include Polysizer TD-1720, Polysizer S-2002, Polysizer S-2010 (manufactured by DIC) and BAA-15 (manufactured by Daihachi Kagaku).

상기 가소제 중에서는, DIDP, DIDA, TOTM, 유니스터 M-2222SL, 폴리사이저 TD-1720이 바람직하고, DIDA, TOTM이 보다 바람직하며, TOTM이 특히 바람직하다.Among the above plasticizers, DIDP, DIDA, TOTM, Unistar M-2222SL and Polysizer TD-1720 are preferable, DIDA and TOTM are more preferable, and TOTM is particularly preferable.

가소제는 1종만을 이용해도 되고, 2종류 이상을 조합해도 된다.The plasticizer may be used alone or in combination of two or more.

가소제의 분자량은 가열 중의 승화 방지의 관점에서, 질소 기류하, 20℃/분의 일정 속도 승온 조건하에서 측정되었을 때에 중량이 1질량% 감소하는 온도는 250℃ 이상이 바람직하고, 270℃ 이상이 보다 바람직하며, 300℃ 이상이 특히 바람직하다. 상한은 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면 500℃ 이하로 할 수 있다.From the viewpoint of preventing sublimation during heating, the molecular weight of the plasticizer is preferably 250 DEG C or more at a weight reduction of 1 mass% when measured under a constant rate of 20 DEG C / min under a nitrogen stream, and more preferably 270 DEG C or more Particularly preferably 300 DEG C or higher. The upper limit is not specifically defined, but can be set to, for example, 500 ° C or lower.

가소제의 함유량은, 가접착용 조성물의 전체 질량에 대하여, 1~50.0질량%가 바람직하고, 5~20.0질량%가 보다 바람직하다.The content of the plasticizer is preferably 1 to 50.0 mass%, more preferably 5 to 20.0 mass%, with respect to the total mass of the adhesive composition.

가소제는 1종류만이어도 되고, 2종류 이상이어도 된다. 가소제가 2종류 이상인 경우는, 그 합계가 상기 범위인 것이 바람직하다.The plasticizer may be a single kind or two or more types. When two or more kinds of plasticizers are used, the total amount is preferably in the above range.

<<그 외의 첨가제>><< Other additives >>

본 발명에 있어서의 가접착용 조성물은, 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에서, 필요에 따라서, 각종 첨가물, 예를 들면 경화제, 경화 촉매, 충전제, 자외선 흡수제, 응집 방지제 등을 배합할 수 있다. 이들 첨가제를 배합하는 경우, 그 합계 배합량은 가접착용 조성물의 고형분의 3질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.The adhesive composition for adhesion according to the present invention may be compounded with various additives such as a curing agent, a curing catalyst, a filler, an ultraviolet absorber, an anti-aggregation agent, and the like insofar as the effect of the present invention is not impaired . When these additives are compounded, the total amount of these additives is preferably 3% by mass or less of the solid content of the adhesive composition.

본 발명의 가접착막에 있어서의 접착 영역은, 상술한 가접착용 조성물을, 종래 공지의 스핀 코트법, 스프레이법, 롤러 코트법, 플로 코트법, 닥터 코트법, 침지법 등을 이용하여, 지지 기판 상에 도포하고, 이어서 건조함으로써 형성할 수 있다. 이 중에서도, 스핀 코트법, 스프레이법, 스크린 인쇄법이 바람직하고, 스핀 코트법, 스프레이법이 보다 바람직하며, 스핀 코트법이 특히 바람직하다.The adhesive region of the adhesive film of the present invention can be obtained by subjecting the above-mentioned adhesive composition to a heat treatment using a conventionally known spin coating method, a spraying method, a roller coating method, a float coating method, a doctor coating method, Applying it on a support substrate, and then drying it. Of these, the spin coating method, the spray method and the screen printing method are preferable, and the spin coating method and the spraying method are more preferable, and the spin coating method is particularly preferable.

<이형 영역 형성용 조성물>&Lt; Composition for forming a heterogeneous region &

다음으로 이형 영역 형성용 조성물에 대하여 설명한다.Next, the composition for forming a releasing region will be described.

이형 영역 형성용 조성물은, 이형 성분과 용제를 포함하는 것이 바람직하다.The composition for forming a releasable region preferably contains a releasable component and a solvent.

<<이형 성분>><< Release Component >>

이형 성분은, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 재료가 바람직하다. 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 재료로서는, 불소 원자 또는 규소 원자를 갖는 중합성 모노머 등을 들 수 있다. 불소계 실레인 커플링제가 보다 바람직하다. 불소계 실레인 커플링제에 의하여, 접착 영역의 표면에, 이형 영역의 층을 강고하게 형성할 수 있다. 이로 인하여, 접착 영역의 층과 이형 영역의 층의 계면에 용제가 스며들기 어려워져, 내약성이 우수한 가접착막을 형성할 수 있다. 이형 성분의 상세에 대해서는, 상술한 가접착용 조성물의 이형 성분의 항에서 설명한 것과 동일하고, 바람직한 범위도 동일하다.The releasing component is preferably a material containing at least one kind selected from a fluorine atom and a silicon atom. Examples of the material containing at least one kind selected from a fluorine atom and a silicon atom include a polymerizable monomer having a fluorine atom or a silicon atom. A fluorine-based silane coupling agent is more preferable. By the fluorine-based silane coupling agent, the layer of the releasing region can be firmly formed on the surface of the adhesion region. This makes it difficult for the solvent to penetrate the interface between the adhesive layer and the release layer, thereby forming an adhesion film having excellent tolerance. The details of the releasing component are the same as those described in the section on the releasing component of the above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition, and the preferable range is also the same.

이형 성분의 함유량은, 양호한 박리성의 관점에서, 이형 영역 형성용 조성물의 전체 고형분에 대하여, 5~100질량%가 바람직하고, 50~100질량%가 보다 바람직하며, 90~100질량%가 더 바람직하다.The content of the releasing component is preferably from 5 to 100% by mass, more preferably from 50 to 100% by mass, further preferably from 90 to 100% by mass, based on the total solid content of the composition for forming a releasable region from the viewpoint of good releasability Do.

<<용제>><< Solvent >>

용제는, 이형 영역을 형성할 수 있으면, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있으며, 상술한 가접착용 조성물에 있어서의 용제와 동일한 것을 사용할 수 있다. 또, 퍼플루오로알케인을 사용할 수 있다. 그 중에서도, N-메틸-2-피롤리돈, 2-뷰탄온, 메틸아밀케톤, 리모넨, 1-메톡시-2-프로필아세테이트, 퍼플루오로알케인, 메틸에틸케톤이 바람직하고, N-메틸-2-피롤리돈, 2-뷰탄온, 메틸아밀케톤, 리모넨, 1-메톡시-2-프로필아세테이트가 보다 바람직하다.As the solvent, any known one can be used as long as it can form a release region, and the same solvent as the solvent for the above-mentioned pressure-sensitive adhesive composition can be used. In addition, perfluoroalkane can be used. Among them, N-methyl-2-pyrrolidone, 2-butanone, methylamylketone, limonene, 1-methoxy-2-propyl acetate, perfluoroalkane and methyl ethyl ketone are preferable, 2-pyrrolidone, 2-butanone, methyl amyl ketone, limonene and 1-methoxy-2-propyl acetate are more preferable.

이들 용제는, 도포면 형상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합하는 형태도 바람직하다.These solvents are also preferably mixed with two or more kinds in view of improving the application surface shape and the like.

<<그 외 성분>><< Other ingredients >>

이형 영역 형성용 조성물은, 상기의 성분에 더하여, 추가로 본 발명의 효과를 저해하지 않는 범위에 있어서, 목적에 따라 다양한 화합물을 포함할 수 있다. 예를 들면, 열중합 개시제, 증감 색소, 연쇄 이동제, 산화 방지제, 계면활성제를 바람직하게 사용할 수 있다. 이들은, 상술한 것을 가접착용 조성물로 설명한 것을 이용할 수 있다.In addition to the above-mentioned components, the composition for forming a releasable region may contain various compounds according to the purpose insofar as the effect of the present invention is not impaired. For example, a thermal polymerization initiator, a sensitizing dye, a chain transfer agent, an antioxidant, and a surfactant can be preferably used. These may be those described in the above for the adhesive composition.

이형 영역 형성용 조성물의 고형분 농도는, 3~40질량%가 바람직하고, 5~40질량%가 보다 바람직하다.The solid content concentration of the composition for forming a releasable region is preferably from 3 to 40% by mass, more preferably from 5 to 40% by mass.

이형 영역은, 상술한 이형 영역 형성용 조성물을, 종래 공지의 스핀 코트법, 스프레이법, 롤러 코트법, 플로 코트법, 닥터 코트법, 침지법 등을 이용하여, 지지 기판 상에 도포하고, 이어서 건조함으로써 형성할 수 있다. 이 중에서도, 스핀 코트법, 스프레이법, 스크린 인쇄법이 바람직하고, 스핀 코트법, 스프레이법이 보다 바람직하며, 스핀 코트법이 특히 바람직하다.The releasing region is formed by applying the above-described composition for forming a releasing region onto a supporting substrate by using a conventionally known spin coating method, a spraying method, a roller coating method, a float coating method, a doctor coating method, a dipping method, Followed by drying. Of these, the spin coating method, the spray method and the screen printing method are preferable, and the spin coating method and the spraying method are more preferable, and the spin coating method is particularly preferable.

<키트><Kit>

다음으로, 본 발명의 가접착막을 형성하기 위한 키트에 대하여 설명한다.Next, a kit for forming the adhesive film of the present invention will be described.

본 발명의 키트는, 상술한 가접착용 조성물과, 이형 성분 및 용제를 포함하는 상술한 이형 영역 형성용 조성물을 포함한다.The kit of the present invention includes the above-described composition for peeling adhesion, the above-mentioned composition for releasing area including a releasing component and a solvent.

지지 기판 상에, 가접착용 조성물과, 이형 영역 형성용 조성물을 순차 도포함으로써, 본 발명의 가접착막을 제작할 수 있다.The adhesive film of the present invention can be produced by sequentially applying an adhesive composition and a composition for forming a release area on a support substrate.

또, 디바이스 웨이퍼에, 이형 영역 형성용 조성물과, 가접착용 조성물을 순차 도포하는 것으로도, 본 발명의 가접착막을 제작할 수 있다.The adhesive film of the present invention can also be produced by sequentially applying a composition for forming a releasing area and a composition for adhesion to a device wafer.

가접착용 조성물 및 이형 영역 형성용 조성물의 각각의 조성, 바람직한 범위 등은, 상술한 것과 동일하다.The composition, the preferable range, etc. of each of the adhesive composition and the composition for forming a releasable area are the same as those described above.

<적층체><Laminate>

다음으로, 본 발명의 적층체에 대하여 설명한다.Next, the laminate of the present invention will be described.

본 발명의 적층체는, 상술한 본 발명의 가접착막의 이형 영역의 표면에, 디바이스 웨이퍼가 적층되어 이루어지는 것이다.The laminate of the present invention is formed by laminating device wafers on the surface of the release region of the adhesive film of the present invention described above.

디바이스 웨이퍼는, 공지의 것을 제한없이 사용할 수 있으며, 예를 들면 실리콘 기판, 화합물 반도체 기판 등을 들 수 있다. 화합물 반도체 기판의 구체예로서는, SiC 기판, SiGe 기판, ZnS 기판, ZnSe 기판, GaAs 기판, InP 기판, GaN 기판 등을 들 수 있다.The device wafer may be any known one without limitation, and examples thereof include a silicon substrate and a compound semiconductor substrate. Specific examples of the compound semiconductor substrate include SiC substrate, SiGe substrate, ZnS substrate, ZnSe substrate, GaAs substrate, InP substrate, GaN substrate and the like.

디바이스 웨이퍼의 표면에는, 기계 구조나 회로가 형성되어 있어도 된다. 기계 구조나 회로가 형성된 디바이스 웨이퍼로서는, 예를 들면 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems), 파워 디바이스, 이미지 센서, 마이크로 센서, LED, 광학 디바이스, 인터포저, 매립형 디바이스, 마이크로 디바이스 등을 들 수 있다.A mechanical structure or a circuit may be formed on the surface of the device wafer. Examples of the device wafer on which a mechanical structure and a circuit are formed include MEMS (Micro Electro Mechanical Systems), a power device, an image sensor, a microsensor, an LED, an optical device, an interposer, a buried device and a microdevice.

디바이스 웨이퍼는, 금속 뱅크 등의 구조를 갖고 있는 것이 바람직하다. 본 발명의 가접착막은 표면에 구조를 갖고 있는 디바이스 웨이퍼에 대해서도, 안정적으로 가접착할 수 있음과 함께, 디바이스 웨이퍼에 대한 가접착을 용이하게 해제할 수 있다. 구조의 높이는, 특별히 한정은 없지만, 예를 들면 5~100μm가 바람직하다.The device wafer preferably has a structure such as a metal bank. The adhesive film of the present invention can stably adhere to a device wafer having a structure on the surface and can easily release adherence to the device wafer. The height of the structure is not particularly limited, but is preferably 5 to 100 占 퐉, for example.

기계적 또는 화학적인 처리를 실시하기 전의 디바이스 웨이퍼의 막두께는, 500μm 이상이 바람직하고, 600μm 이상이 보다 바람직하며, 700μm 이상이 더 바람직하다.The thickness of the device wafer before mechanical or chemical treatment is preferably 500 탆 or more, more preferably 600 탆 or more, and more preferably 700 탆 or more.

기계적 또는 화학적인 처리를 실시하여 박막화한 후의 디바이스 웨이퍼의 막두께는, 예를 들면 500μm 미만이 바람직하고, 400μm 이하가 보다 바람직하며, 300μm 이하가 더 바람직하다.The thickness of the device wafer after thinning by mechanical or chemical treatment is preferably, for example, less than 500 mu m, more preferably 400 mu m or less, and further preferably 300 mu m or less.

본 발명의 적층체에 있어서, 가접착막의, 디바이스 웨이퍼의 적층면의 반대측의 면에는, 지지 기판이 배치되어 있는 것이 바람직하다.In the laminate of the present invention, it is preferable that a supporting substrate is disposed on the surface of the adherent film opposite to the laminated surface of the device wafer.

지지 기판의 소재는 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 실리콘 기판, 유리 기판, 금속 기판, 화합물 반도체 기판 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 반도체 디바이스의 기판으로서 대표적으로 이용되는 실리콘 기판이 오염되기 어려운 점이나, 반도체 디바이스의 제조 공정에 있어서 범용되고 있는 정전 척을 사용할 수 있는 점 등을 감안하면, 실리콘 기판인 것이 바람직하다.The material of the support substrate is not particularly limited, and examples thereof include a silicon substrate, a glass substrate, a metal substrate, and a compound semiconductor substrate. Among them, a silicon substrate is preferable in view of the fact that a silicon substrate typically used as a substrate of a semiconductor device is not easily contaminated, and an electrostatic chuck generally used in a semiconductor device manufacturing process can be used.

지지 기판의 두께는, 특별히 한정되는 것은 아니지만, 예를 들면 300μm~5mm가 바람직하다.The thickness of the supporting substrate is not particularly limited, but is preferably 300 占 퐉 to 5 mm, for example.

<디바이스의 제조 방법>&Lt; Device Manufacturing Method >

다음으로, 본 발명의 디바이스의 제조 방법에 대하여 설명한다.Next, a method of manufacturing the device of the present invention will be described.

본 발명의 디바이스의 제조 방법은, 상술한 본 발명의 가접착용 조성물을 도포하는 공정을 포함한다. 이하, 본 발명의 디바이스의 제조 방법에 대하여, 더 자세하게 설명한다.The method of manufacturing a device of the present invention includes a step of applying the above-described adhesive composition of the present invention. Hereinafter, the method of manufacturing the device of the present invention will be described in more detail.

<<지지 기판-가접착막-디바이스 웨이퍼 적층체의 제조>>&Lt; Support substrate - Adhesion film - Production of device wafer laminate &gt;

지지 기판-가접착막-디바이스 웨이퍼 적층체(이하, 적층체라고도 함)는, 이하의 (1)~(4)에 나타내는 어느 하나의 방법에 의하여 제조할 수 있다.Supporting Substrate-Adhesive Film-Device A wafer laminate (hereinafter also referred to as a laminate) can be produced by any one of the following methods (1) to (4).

(1) 지지 기판에, 본 발명의 가접착용 조성물을 도포하고, 가열(베이크)하여 접착 영역의 층을 형성한다. 가접착용 조성물의 도포 방법은, 스핀 코트법, 스프레이법, 롤러 코트법, 플로 코트법, 닥터 코트법, 침지법 등 종래 공지의 방법을 들 수 있다.(1) The adhesive composition of the present invention is applied to a supporting substrate and heated (baked) to form a layer of an adhesive region. Examples of the application method of the adhesive composition include conventionally known methods such as spin coating, spraying, roller coating, float coating, doctor coating, and dipping.

이어서, 접착 영역의 층 상에, 상술한 이형 영역 형성용 조성물을 도포하여, 가열(베이크)하고 이형 영역의 층을 형성하여 본 발명의 가접착막을 형성한다. 이형 영역 형성용 조성물의 도포 방법은, 스핀 코트법, 스프레이법, 롤러 코트법, 플로 코트법, 닥터 코트법, 침지법 등 종래 공지의 방법을 들 수 있다.Subsequently, the aforementioned composition for forming a mold release region is applied on the layer of the adhesion region and heated (baked) to form a layer of the mold release region to form the adhesion film of the present invention. Examples of the application method of the composition for forming a release-type region include conventionally known methods such as a spin coating method, a spraying method, a roller coating method, a float coating method, a doctor coating method and a dipping method.

이어서, 가접착막의 지지 기판이 배치된 면의 반대측의 면(즉, 가접착막의 이형 영역측의 면)을, 디바이스 웨이퍼를 가압 접착하여, 적층체를 제조한다. 가압 접착 조건은, 예를 들면 온도 100~200℃, 압력 0.01~1MPa, 시간 1~15분이 바람직하다.Subsequently, a device wafer is pressed and adhered to a surface of the adherent film opposite to the surface on which the support substrate is disposed (that is, the surface of the adherent film on the side of the release layer), thereby producing a laminate. The pressure bonding conditions are, for example, a temperature of 100 to 200 DEG C, a pressure of 0.01 to 1 MPa, and a time of 1 to 15 minutes.

(2) 디바이스 웨이퍼에, 상술한 이형 영역 형성용 조성물을 도포하고, 가열(베이크)하여 이형 영역의 층을 형성한다.(2) The composition for forming a mold release region is applied to a device wafer and heated (baked) to form a mold release region.

이어서, 이형 영역의 층 상에, 본 발명의 가접착용 조성물을 도포하여, 가열(베이크)하고 접착 영역의 층을 형성하여, 본 발명의 가접착막을 형성한다.Subsequently, the adhesive composition of the present invention is coated on the layer of the releasing area and heated (baked) to form a layer of the adhesive area to form the adhesive film of the present invention.

이어서, 가접착막의 디바이스 웨이퍼가 배치된 면의 반대측의 면(즉, 가접착막의 접착 영역측의 면)을, 지지 기판을 가압 접착하여, 적층체를 제조한다. 가압 접착 조건은, 상술한 조건이 바람직하다.Subsequently, the supporting substrate is pressed and adhered to a surface of the adherent film opposite to the surface on which the device wafer is arranged (i.e., the surface of the adherent film on the adhered area side), thereby producing a laminate. The pressure bonding conditions are preferably the above-described conditions.

(3) 지지 기판 및 디바이스 웨이퍼 중 어느 한쪽의 표면에, 이형 성분을 포함하는 본 발명의 가접착용 조성물을 도포하고, 가열(베이크)하여, 접착 영역의 표층에 이형 영역이 편재하여 이루어지는 가접착막을 형성한다.(3) The adhesive composition of the present invention containing a releasing component is applied to the surface of either the support substrate or the device wafer and heated (baked) to form an adhesive layer, Thereby forming a film.

이어서, 가접착막의 표면에, 지지 기판 또는 디바이스 웨이퍼를 가압 접착하여, 적층체를 제조한다. 가압 접착 조건은, 상술한 조건이 바람직하다.Subsequently, a support substrate or a device wafer is pressure-adhered to the surface of the adhesive film to produce a laminate. The pressure bonding conditions are preferably the above-described conditions.

(4) 디바이스 웨이퍼에, 상술한 이형 영역 형성용 조성물을 도포하고, 가열(베이크)하여 디바이스 웨이퍼 상에 이형 영역의 층을 형성한다.(4) The composition for forming a mold release region is applied to a device wafer and heated (baked) to form a layer of a mold release region on the device wafer.

이어서, 지지 기판에, 상술한 본 발명의 가접착용 조성물을 도포하고, 가열(베이크)하여, 지지 기판 상에 접착 영역의 층을 형성한다.Subsequently, the above-mentioned adhesive composition for adhesion of the present invention is applied to the support substrate and heated (baked) to form a layer of the adhesive region on the support substrate.

이어서, 디바이스 웨이퍼 상의 이형 영역과 지지 기판 상의 접착 영역을 가압 접착하여 가접착막을 형성함과 함께, 적층체를 제조한다. 가압 접착 조건은, 상술한 조건이 바람직하다.Subsequently, the release region on the device wafer and the adhesion region on the support substrate are pressure-bonded to form an adhesion film, and a laminate is produced. The pressure bonding conditions are preferably the above-described conditions.

이하, 상기 (4)에 나타내는 방법으로, 적층체를 제조하는 공정을 거친 디바이스 웨이퍼의 제조 방법에 대하여, 도 1을 함께 참조하면서 설명한다.Hereinafter, a method of manufacturing a device wafer that has undergone a process of manufacturing a laminate by the method shown in (4) will be described with reference to FIG.

도 1A, 도 1B 및 도 1C는, 각각, 지지 기판과 디바이스 웨이퍼의 가접착을 설명하는 개략 단면도, 지지 기판에 의하여 가접착된 디바이스 웨이퍼를 나타내는 개략 단면도, 및 지지 기판에 의하여 가접착된 디바이스 웨이퍼가 박형화된 상태를 나타내는 개략 단면도이다.1A, 1B and 1C are schematic cross-sectional views illustrating the adhesion of a support substrate and a device wafer, respectively, a schematic cross-sectional view showing a device wafer adhered by a support substrate, and a device wafer Is a schematic sectional view showing a state of being thinned.

도 1A에 나타내는 바와 같이, 디바이스 웨이퍼(60)는, 실리콘 기판(61)의 표면(61a)에 복수의 디바이스 칩(62)이 마련되어 이루어진다. 그리고, 또한 디바이스 웨이퍼(60)의 구조(63)측의 면에는, 이형 영역(71)이 마련되어 있다.1A, a device wafer 60 is formed by providing a plurality of device chips 62 on a surface 61a of a silicon substrate 61. As shown in FIG. In addition, a release region 71 is provided on the surface of the device wafer 60 on the side of the structure 63.

디바이스 웨이퍼(60)는, 평균 막두께 500μm 이상의 막두께를 갖고 있는 것이 바람직하다. 또, 구조(63)는, 디바이스 칩이나 범프라고 불리는 것이며, 평균 높이는 5~100μm의 범위인 것이 바람직하다.The device wafer 60 preferably has a film thickness of 500 탆 or more on average. The structure 63 is called a device chip or a bump, and the average height is preferably in the range of 5 to 100 mu m.

도 1A에 나타내는 바와 같이, 지지 기판(12) 위에 접착 영역(11)이 마련되어 이루어지는 접착성 지지체(100)가 준비된다. 접착성 지지체(100)는, 본 발명의 가접착용 조성물을, 종래 공지의 스핀 코트법, 스프레이법, 롤러 코트법, 플로 코트법, 닥터 코트법, 침지법 등을 이용하여, 지지 기판(12) 상에 도포하고, 이어서 건조함으로써 형성할 수 있다.As shown in Fig. 1A, an adhesive supporting body 100 comprising an adhesive region 11 provided on a supporting substrate 12 is prepared. The adhesive support 100 is obtained by applying the adhesive composition of the present invention to a support substrate 12 (for example, a glass substrate) by using a conventionally known spin coating method, a spraying method, a roller coating method, a float coating method, a doctor coating method, ), And then drying it.

다음으로, 이상과 같이 하여 얻어진 접착성 지지체(100)와, 디바이스 웨이퍼(60)의 가접착, 디바이스 웨이퍼(60)의 박형화, 및 디바이스 웨이퍼로부터의 접착성 지지체(100)의 박리에 대하여 설명한다.Next, adhering of the adhesive support 100 to the device wafer 60, thinning of the device wafer 60, and peeling of the adhesive support 100 from the device wafer will be described below .

접착성 지지체(100)의 접착 영역(11)에 대하여, 디바이스 웨이퍼에 마련된 이형 영역(71)의 표면을 압압한다. 이로써, 도 1B에 나타내는 바와 같이, 이형 영역(71)과, 접착 영역(11)이 접착되어, 이형 영역(71)과, 접착 영역(11)을 갖는 가접착막(80)이 형성된다.The surface of the release region 71 provided on the device wafer is pressed against the adhesive region 11 of the adhesive support 100. [ As a result, as shown in Fig. 1B, the release film 71 and the adhesion area 11 are adhered to each other to form the adhesion film 80 having the release area 71 and the adhesion area 11.

이어서, 실리콘 기판(61)의 이면(61b)에 대하여, 기계적 또는 화학적인 처리(특별히 한정되지 않지만, 예를 들면 글라이딩이나 화학 기계 연마(CMP) 등의 박막화 처리, CVD나 PVD 등의 고온·진공하에서의 처리, 유기 용제, 산성 처리액이나 염기성 처리액 등의 약품을 이용한 처리, 도금 처리, 활성광선의 조사, 가열·냉각 처리 등)를 실시하여, 도 1C에 나타내는 바와 같이, 실리콘 기판(61)의 두께를 얇게 하여(예를 들면, 평균 두께 500μm 미만인 것이 바람직하고, 1~200μm인 것이 보다 바람직함), 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 얻는다.Subsequently, the back surface 61b of the silicon substrate 61 is subjected to a mechanical or chemical treatment (not particularly limited, for example, a thinning treatment such as gliding or chemical mechanical polishing (CMP), a high temperature / A plating process, an actinic ray irradiation, a heating / cooling process, and the like) are performed to form the silicon substrate 61, as shown in Fig. 1C, (For example, it is preferable that the average thickness is less than 500 占 퐉 and more preferably 1 to 200 占 퐉) to obtain a thin device wafer 60a.

또, 기계적 또는 화학적인 처리로서, 박막화 처리 후에, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 이면(61c)으로부터 실리콘 기판을 관통하는 관통공(도시하지 않음)을 형성하고, 이 관통공 내에 실리콘 관통 전극(도시하지 않음)을 형성하는 처리를 행해도 된다. 구체적으로는, 가열 처리에 있어서의 최고 도달 온도는 130℃~400℃가 바람직하고, 180℃~350℃가 보다 바람직하다. 가열 처리에 있어서의 최고 도달 온도는 접착 영역의 연화점보다 낮은 온도가 된다. 가열 처리는, 최고 도달 온도에서의 30초~30분의 가열인 것이 바람직하고, 최고 도달 온도에서의 1분~10분의 가열인 것이 보다 바람직하다.As a mechanical or chemical treatment, a through hole (not shown) passing through the silicon substrate is formed from the back surface 61c of the thin device wafer 60a after the thinning treatment, and a silicon penetration electrode (Not shown) may be formed. Concretely, the maximum attained temperature in the heat treatment is preferably 130 ° C to 400 ° C, more preferably 180 ° C to 350 ° C. The maximum reaching temperature in the heat treatment becomes lower than the softening point of the adhesion region. The heat treatment is preferably heating for 30 seconds to 30 minutes at the maximum attained temperature, and more preferably for 1 minute to 10 minutes at the maximum attained temperature.

이어서, 가접착막(80)을, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 표면(61a)으로부터 박리한다.Subsequently, the adhesion film 80 is peeled from the surface 61a of the thin device wafer 60a.

가접착막(80)의 박리는, 박리 등의 물리적 작용에 의하여 행해지는 것이 바람직하다. 즉, 접착성 지지체(100)에 대하여 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 슬라이딩시키거나, 혹은 접착성 지지체(100)로부터 박형 디바이스 웨이퍼(60a)를 박리함으로써 행하는 것이 바람직하다. 상기 방법에 의하여, 가접착막(80)을, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 표면(61a)으로부터 박리할 수 있다.It is preferable that the adhesive film 80 is peeled off by physical action such as peeling. That is, it is preferable to slide the thin device wafer 60a to the adhesive supporting member 100 or peel the thin device wafer 60a from the adhesive supporting member 100. [ By this method, the adhesion film 80 can be peeled from the surface 61a of the thin device wafer 60a.

박형 디바이스 웨이퍼(60a)로부터 가접착막(80)을 박리한 후, 필요에 따라서 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 표면(61a)을, 박리액 등으로 처리해도 된다. 박리액으로서는, 예를 들면 일본 공개특허공보 2014-80570호의 단락 번호 0203~0212에 기재된 박리액 등을 이용할 수 있다. 또한, 본 발명의 가접착막(80)은, 박리액 등에 의한 처리가 반드시 필요한 것은 아니다. 기계 박리만으로, 박리 잔사 등을 발생시키지 않고, 박형 디바이스 웨이퍼(60a)의 표면(61a)으로부터 가접착막(80)을 제거할 수 있다.After removing the adhesive film 80 from the thin device wafer 60a, the surface 61a of the thin device wafer 60a may be treated with a peeling liquid or the like, if necessary. As the peeling solution, for example, the peeling solution described in paragraphs 0203 to 0212 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-80570 can be used. The adhesive film 80 of the present invention is not necessarily required to be treated with a peeling liquid or the like. The adhesive film 80 can be removed from the surface 61a of the thin device wafer 60a without causing peeling residue or the like only by the mechanical peeling.

본 발명의 디바이스의 제조 방법은, 상술한 실시형태에 한정되는 것은 아니고, 적절한 변형, 개량 등이 가능하다.The method of manufacturing the device of the present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be appropriately modified, improved, and the like.

또, 상술한 실시형태에 있어서, 이형층은 단층 구조이지만, 이형층은 다층 구조여도 된다.In the above-described embodiment, the release layer has a single-layer structure, but the release layer may have a multi-layer structure.

또, 상술한 실시형태에 있어서는, 피처리 부재로서, 실리콘 기판을 예로 들었지만, 이에 한정되는 것은 아니고, 디바이스의 제조 방법에 있어서, 기계적 또는 화학적인 처리에 제공될 수 있는 어느 피처리 부재여도 된다. 예를 들면, 화합물 반도체 기판을 들 수도 있으며, 화합물 반도체 기판의 구체예로서는, SiC 기판, SiGe 기판, ZnS 기판, ZnSe 기판, GaAs 기판, InP 기판, 및 GaN 기판 등을 들 수 있다.In the above-described embodiment, the silicon substrate is taken as an example of the member to be processed. However, the silicon substrate is not limited to the silicon substrate, but may be any member that can be provided for mechanical or chemical treatment in the manufacturing method of the device. Examples of the compound semiconductor substrate include SiC substrate, SiGe substrate, ZnS substrate, ZnSe substrate, GaAs substrate, InP substrate, GaN substrate, and the like.

또, 상술한 실시형태에 있어서는, 지지 기판에 의하여 지지된 실리콘 기판에 대한 기계적 또는 화학적인 처리로서, 실리콘 기판의 박막화 처리, 및 실리콘 관통 전극의 형성 처리를 예로 들었지만, 이들에 한정되는 것은 아니고, 디바이스의 제조 방법에 있어서 필요한 어느 처리도 들 수 있다.In the above-described embodiment, the thinning treatment of the silicon substrate and the forming process of the silicon through electrode are exemplified as the mechanical or chemical treatment for the silicon substrate supported by the supporting substrate. However, the present invention is not limited to these, And any process necessary for the manufacturing method of the device.

그 외에, 상술한 실시형태에 있어서 예시한, 디바이스 웨이퍼에 있어서의 디바이스 칩의 형상, 치수, 수, 배치 개소 등은 임의이며, 한정되지 않는다.In addition, the shape, size, number, location, etc. of the device chip in the device wafer exemplified in the above-described embodiments are arbitrary and not limited.

실시예Example

이하, 본 발명을 실시예에 의하여 더 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 그 주지를 넘지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다. 또한, 특별히 설명하지 않는 한, "부", "%"는 질량 기준이다.Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to the following examples unless it is beyond the ordinary knowledge. Unless otherwise specified, "part" and "%" are based on mass.

(실시예 1)(Example 1)

<접착 영역의 형성>&Lt; Formation of Adhesion Zone &

4인치 Si 웨이퍼에, 표 1에 나타내는 조성의 접착 영역 형성용 조성물 1을, 스핀 코터(Mikasa제 Opticoat MS-A100, 1200rpm, 30초)에 의하여 도포한 후, 120℃ 3분, 250℃ 3분 베이크하여, 두께 5μm의 접착 영역이 마련된 웨이퍼 1을 형성했다.Composition 1 for forming an adhesion area having the composition shown in Table 1 was applied to a 4-inch Si wafer by a spin coater (Opticoat MS-A100, manufactured by Mikasa, 1200 rpm, 30 seconds) Baked to form a wafer 1 provided with an adhesion area of 5 mu m in thickness.

<이형 영역의 형성>&Lt; Formation of Dislocation Region &

웨이퍼 1의 접착 영역에 대하여 표 2에 나타내는 조성의 이형 영역 형성용 조성물 1을 스핀 코터(Mikasa제 Opticoat MS-A100, 1200rpm, 30초)에 의하여 도포한 후, 핫플레이트 상에서 120℃ 30초, 190℃ 3분 베이크하여, 접착 영역 상에 두께 0.1μm의 이형 영역을 형성하고, 가접착막이 마련된 웨이퍼 1을 형성했다.The composition 1 for forming a mold releasing region having the composition shown in Table 2 was applied to the adhesion area of the wafer 1 by a spin coater (Opticoat MS-A100, manufactured by Mikasa, 1200 rpm, 30 seconds) Lt; 0 &gt; C for 3 minutes to form a 0.1-μm-thick release region on the adhesion region, thereby forming a wafer 1 provided with an adhesion film.

<시험편의 제작>&Lt; Preparation of test piece &

웨이퍼 1과 표면에 아무것도 도포하고 있지 않은 4인치 Si 웨이퍼(웨이퍼 2)를 열압착함으로써 시험편을 제작했다.A test piece was produced by thermocompression bonding the wafer 1 and a 4-inch Si wafer (wafer 2) on the surface of which nothing was applied.

[압착][pressure]

웨이퍼 1의 가접착막을 갖는 면과 웨이퍼 2의 아무것도 도포하고 있지 않은 면이 접촉하도록 겹쳐, 190℃, 0.20MPa로 3분간 가압 접착했다.The surface of the wafer 1 having the adhesion film and the surface of the wafer 2 not coated with the wafer 2 were brought into contact with each other, and pressure bonding was performed at 190 DEG C and 0.20 MPa for 3 minutes.

[베이크][Bake]

가압 접착 후, 280℃ 30분 가열했다.After pressure bonding, it was heated at 280 占 폚 for 30 minutes.

(실시예 2~32, 35)(Examples 2 to 32 and 35)

실시예 1에 있어서, 접착 영역 형성용 조성물과, 이형 영역 형성용 조성물을, 각각 표 3에 나타내는 조합으로 접착 영역과 이형 영역을 형성하여, 실시예 1과 마찬가지로 가접착막이 마련된 시험편을 제작했다.In Example 1, a bonding region and a releasing region were formed by the combination shown in Table 3 for the composition for forming an adhesive region and the composition for forming a releasable region, respectively, to prepare a test piece provided with an adhesive film in the same manner as in Example 1. [

(실시예 33)(Example 33)

접착 영역 형성용 조성물 19의 99질량%와, 이형 영역 형성용 조성물 1의 1질량%를 혼합하여 조제한 조성물을, 4인치 Si 웨이퍼에 스핀 코터(Mikasa제 Opticoat MS-A100, 1200rpm, 30초)에 의하여 도포한 후, 120℃ 3분, 250℃ 3분 베이크하여, 두께 5μm의 접착 영역이 마련된 웨이퍼 1을 형성하고, 실시예 1과 마찬가지로 가접착막이 마련된 시험편을 제작했다.A composition prepared by mixing 99 mass% of the composition for forming the adhesion area 19 and 1 mass% of the composition 1 for forming a mold release area was applied on a 4 inch Si wafer by a spin coater (Opticoat MS-A100, 1200 rpm, 30 sec. The wafer 1 was baked at 120 ° C for 3 minutes and at 250 ° C for 3 minutes to form a wafer 1 having an adhesion area of 5 μm in thickness and a test piece provided with an adhesion film was prepared in the same manner as in Example 1.

(실시예 34)(Example 34)

접착 영역 형성용 조성물 19의 99질량%와, 이형 영역 형성용 조성물 2의 1질량%를 혼합하여 조제한 조성물을, 4인치 Si 웨이퍼에 스핀 코터(Mikasa제 Opticoat MS-A100, 1200rpm, 30초)에 의하여 도포한 후, 120℃ 3분, 250℃ 3분 베이크하여, 두께 5μm의 접착 영역이 마련된 웨이퍼 1을 형성하고, 실시예 1과 마찬가지로 가접착막이 마련된 시험편을 제작했다.A composition prepared by mixing 99 mass% of the composition for forming an adhesive region 19 and 1 mass% of the composition 2 for forming a releasable region was applied to a 4 inch Si wafer by a spin coater (Opticoat MS-A100, 1200 rpm, 30 seconds by Mikasa) The wafer 1 was baked at 120 ° C for 3 minutes and at 250 ° C for 3 minutes to form a wafer 1 having an adhesion area of 5 μm in thickness and a test piece provided with an adhesion film was prepared in the same manner as in Example 1.

(비교예 1)(Comparative Example 1)

실시예 1에 있어서, 이형 영역 형성용 조성물 1을 사용하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로, 가접착막이 마련된 시험편을 제작했다.In the same manner as in Example 1 except that the release-type-region-forming composition 1 was not used in Example 1, a test piece provided with an adherent film was produced.

(비교예 2)(Comparative Example 2)

실시예 1에 있어서, 접착 영역 형성용 조성물 1을 사용하지 않은 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로, 가접착막이 마련된 시험편을 제작했다.In the same manner as in Example 1 except that the composition 1 for forming an adhesive region was not used in Example 1, a test piece provided with an adhesive film was produced.

(비교예 3~7)(Comparative Examples 3 to 7)

실시예 1에 있어서, 접착 영역 형성용 조성물 1 대신에, 비교용 조성물 1~7을 사용한 것 이외에는, 실시예 1과 마찬가지로, 가접착막이 마련된 시험편을 제작했다.A test piece provided with an adhesive film was prepared in the same manner as in Example 1 except that Comparative Compositions 1 to 7 were used instead of the adhesive layer forming composition 1 in Example 1.

<접착성><Adhesiveness>

제작된 시험편의 전단 접착력을, 인장 시험기(IMADA제)를 이용하여, 50mm/min의 조건으로 가접착막의 면을 따른 방향으로 인장 측정하고, 이하의 기준으로 평가했다. 이하의 평가 기준에서, 2~5가 실용적이고, 3~5가 바람직하다.The shear adhesive strength of the prepared test piece was measured by tensile tester (manufactured by IMADA) in the direction along the surface of the adhesive film at a rate of 50 mm / min and evaluated according to the following criteria. In the following evaluation criteria, 2 to 5 are practical, and 3 to 5 are preferable.

5: 80N 이상의 접착력5: Adhesion of 80 N or more

4: 60N 이상 80N 미만의 접착력4: Adhesion of 60N or more and less than 80N

3: 40N 이상 60N 미만의 접착력3: Adhesion of 40N or more and less than 60N

2: 20N 이상 40N 미만의 접착력2: Adhesion between 20N and less than 40N

1: 20N 미만의 접착력1: Adhesion less than 20N

<박리성><Peelability>

제작된 시험편을, 50mm/min의 조건으로 가접착막의 면에 수직인 방향으로 인장 측정하여, 이하의 기준으로 평가했다. 이하의 평가 기준에서, 2~5가 실용적이고, 3~5가 바람직하다.The fabricated test piece was subjected to tensile measurement at a rate of 50 mm / min in a direction perpendicular to the surface of the adherent film, and evaluated by the following criteria. In the following evaluation criteria, 2 to 5 are practical, and 3 to 5 are preferable.

5: 3N 미만의 힘으로 박리할 수 있으며, 웨이퍼 2의 표면에 육안으로 잔사가 보이지 않음5: can be peeled off with a force of less than 3N, and no residue is visually observed on the surface of the wafer 2

4: 3N 이상 5N 미만의 힘으로 박리할 수 있으며, 웨이퍼 2의 표면에 육안으로 잔사가 보이지 않음4: can be peeled off with a force of 3N or more and less than 5N, and no residue is visually observed on the surface of the wafer 2

3: 3N 이상 5N 미만의 힘으로 박리할 수 있지만, 웨이퍼 2의 표면에 육안으로 잔사가 보임3: It can be peeled off with a force of 3N or more but less than 5N, but a residue is visually observed on the surface of the wafer 2

2: 5N 이상 7N 이하의 힘으로 박리할 수 있지만, 웨이퍼 2의 표면에 육안으로 잔사가 보임2: Peeling can be performed with a force of 5 N or more and 7 N or less, but the residue of the wafer 2 is visually observed on the surface of the wafer 2

1: 박리의 과정에서 웨이퍼가 파손됨1: The wafer is damaged in the process of peeling.

<내약성><Tolerance>

제작된 시험편을, 25℃의 N-메틸-2-피롤리돈으로 채운 유리 용기에 넣고, 초음파 세척기를 이용하여 15분간 초음파를 인가한 후의 샘플을 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다. 이하의 평가 기준에서, 2~5가 실용적이고, 3~5가 바람직하다.The prepared test pieces were placed in a glass container filled with N-methyl-2-pyrrolidone at 25 占 폚 and ultrasonic waves were applied for 15 minutes using an ultrasonic washing machine. The samples were observed and evaluated according to the following criteria. In the following evaluation criteria, 2 to 5 are practical, and 3 to 5 are preferable.

5: 웨이퍼의 박리가 없고, 박리 후의 가접착막 표면이 용매에 의하여 침범되지 않음5: There is no peeling of the wafer, and the surface of the adhesive film after peeling is not affected by the solvent

4: 웨이퍼의 박리는 없지만, 박리 후의 가접착막의 용매에 접촉하고 있던 측면으로부터 1mm 미만의 범위가 용매에 의하여 침범되어 있음4: No peeling of the wafer, but a range of less than 1 mm from the side of the peeled adhesive film that was in contact with the solvent was invaded by the solvent

3: 웨이퍼의 박리는 없지만, 박리 후의 가접착막의 용매에 접촉하고 있던 측면으로부터 1mm 이상 5mm 미만의 범위가 용매에 의하여 침범되어 있음3: There is no peeling of the wafer, but a range of 1 mm or more and less than 5 mm from the side of the peeled adhesive film that was in contact with the solvent is invaded by the solvent

2: 웨이퍼의 박리는 없지만, 박리 후의 가접착막의 용매에 접촉하고 있던 측면으로부터 5mm 이상의 범위가 용매에 의하여 침범되어 있음2: No peeling of the wafer, but a range of 5 mm or more from the side of the peeled adhesive film that was in contact with the solvent was invaded by the solvent

1: 웨이퍼가 박리됨1: Wafer peeled off

<보이드><Boyd>

웨이퍼 1을 형성할 때에, 4인치 Si 웨이퍼 대신에 4인치 유리 웨이퍼를 이용한 것 이외에는 변경하지 않고, 실시예 1~35 및 비교예 1~9의 가접착층을 형성하여, 4인치 Si 웨이퍼와 첩합했다. 얻어진 샘플을 질소 분위기하, 오븐으로 400℃ 3시간 가열했다. 그 후, 샘플의 유리 웨이퍼측으로부터, 가접착층을 육안으로 관찰하여, 이하의 기준으로 평가했다. 이하의 평가 기준에서, 2~5가 실용적이고, 3~5가 바람직하다.In forming the wafer 1, the adhesive layers of Examples 1 to 35 and Comparative Examples 1 to 9 were formed without changing the 4-inch glass wafer instead of the 4-inch Si wafer, and were bonded to a 4-inch Si wafer . The obtained sample was heated in an oven at 400 DEG C for 3 hours in a nitrogen atmosphere. Thereafter, the adhesive layer was visually observed from the glass wafer side of the sample, and evaluated by the following criteria. In the following evaluation criteria, 2 to 5 are practical, and 3 to 5 are preferable.

또한, 보이드란, 가접착층과 유리의 계면에 발생한 공극이다.The void is a void generated at the interface between the adhesive layer and the glass.

5: 보이드가 전혀 보이지 않음5: No visible voids

4: 보이드가 5개 미만 보임4: Less than 5 voids

3: 보이드가 5개 이상 10개 미만 보임3: 5 or more and less than 10 voids

2: 보이드가 10개 이상 15개 미만 보임2: More than 10 voids and less than 15 voids

1: 보이드가 15개 이상 보임1: More than 15 voids

[표 1][Table 1]

Figure 112016112149515-pct00014
Figure 112016112149515-pct00014

표 1 중에 기재된 화합물은, 이하와 같다.The compounds shown in Table 1 are as follows.

[수지 성분][Resin component]

B-1: Durimide(등록 상표) 284B-1: Durimide (R) 284

(후지필름제, 용제 가용 폴리이미드 수지)(FUJIFILM, solvent-soluble polyimide resin)

B-2: Durimide(등록 상표) 10B-2: Durimide (R) 10

(후지필름제, 용제 가용 폴리아마이드이미드 수지)(FUJIFILM, solvent-soluble polyamide-imide resin)

B-3: GPT-LT(군에이 가가쿠제, 용제 가용 폴리이미드 수지)B-3: GPT-LT (Ganagoguchi, solvent-soluble polyimide resin)

B-4: 리카코트(신니혼 리카제, 폴리아마이드이미드 수지)B-4: Rika coat (polyamide-imide resin, manufactured by Shin-Nihon Rikagaku Co., Ltd.)

B-5: 바이로막스(등록 상표) 13NXB-5: BIROMAX (R) 13NX

(도요보제, 폴리아마이드이미드 수지)(Toyo Bosje, polyamideimide resin)

B-6: MRS0810HB-6: MRS0810H

(PBI제, 폴리벤즈이미다졸 수지)(PBI, polybenzimidazole resin)

B-7: CRC-8800(스미토모 베이클라이트제, 폴리벤조옥사졸 수지)B-7: CRC-8800 (made by Sumitomo Bakelite, polybenzoxazole resin)

B-8: Ultrason E6020(BASF제, 폴리에터설폰 수지)B-8: Ultrason E6020 (manufactured by BASF, polyethersulfone resin)

B-9: PCZ-500(MGC제, 폴리카보네이트 수지)B-9: PCZ-500 (manufactured by MGC, polycarbonate resin)

[가교 성분][Crosslinking component]

C-1: BMI-1000(다이와 가세이 고교제, 비스말레이미드 수지)C-1: BMI-1000 (manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., bismaleimide resin)

C-2: BMI-2000(다이와 가세이 고교제, 비스말레이미드 수지)C-2: BMI-2000 (manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., bismaleimide resin)

C-3: BMI-3000(다이와 가세이 고교제, 비스말레이미드 수지)C-3: BMI-3000 (manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., bismaleimide resin)

C-4: BMI-4000(다이와 가세이 고교제, 비스말레이미드 수지)C-4: BMI-4000 (manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., bismaleimide resin)

C-5: BMI-5000(다이와 가세이 고교제, 비스말레이미드 수지)C-5: BMI-5000 (manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., bismaleimide resin)

C-6: BMI-7000(다이와 가세이 고교제, 비스말레이미드 수지)C-6: BMI-7000 (manufactured by Daiwa Kasei Kogyo Co., bismaleimide resin)

C-7: BANI-X(신나카무라 가가쿠제, 비스말레이미드 수지)C-7: BANI-X (Shin-Nakamura Kagaku Co., bismaleimide resin)

C-8: BANI-M(신나카무라 가가쿠제, 비스말레이미드 수지)C-8: BANI-M (Shin-Nakamura Kagaku Co., bismaleimide resin)

C-9: A-9300(신나카무라 가가쿠제, 아크릴레이트 수지)C-9: A-9300 (available from Shin-Nakamura Chemical Co., Ltd., acrylate resin)

[열중합 개시제][Thermal polymerization initiator]

D-1: 퍼큐밀 H(니치유제, 유기 과산화물, 1분간 반감기 온도 254℃)D-1: Percumyl H (Nitrate, organic peroxide, 1 minute half-life temperature 254 ° C)

D-2: 퍼큐밀 P(니치유제, 유기 과산화물, 1분간 반감기 온도 232.5℃)D-2: Percumyl P (Nitrate emulsion, organic peroxide, 1 minute half-life temperature 232.5 ℃)

D-3: 퍼뷰틸 Z(니치유제, 유기 과산화물, 1분간 반감기 온도 166.8℃)D-3: Perbutyl Z (Nitrate, organic peroxide, 1 minute half-life temperature of 166.8 캜)

D-4: 나이퍼 BW(니치유제, 유기 과산화물, 1분간 반감기 온도 130.0℃)D-4: Nippers BW (Nichi tung, organic peroxide, 1 minute half-life temperature 130.0 ℃)

D-5: V-601(와코제, 아조 개시제, 1분간 반감기 온도 120℃)D-5: V-601 (Wako, azo initiator, 1 minute half-life temperature 120 캜)

표 1에 있어서의 비교 조성물 1~8은, 이하의 방법으로 조제했다.Comparative compositions 1 to 8 in Table 1 were prepared by the following methods.

비교용 조성물 1: 일본 공개특허공보 2014-29999호의 실시예 1의 조성물을 조제함Comparative Composition 1: A composition of Example 1 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-29999 was prepared

비교용 조성물 2: 일본 공개특허공보 2014-29999호의 실시예 2의 조성물을 조제함Comparative Composition 2: A composition of Example 2 of JP-A-2014-29999 was prepared

비교용 조성물 3: 일본 공개특허공보 2014-29999호의 실시예 3의 조성물을 조제함Comparative Composition 3: A composition of Example 3 of JP-A-2014-29999 was prepared

비교용 조성물 4: 일본 공개특허공보 2014-29999호의 실시예 4의 조성물을 조제함Comparative Composition 4: A composition of Example 4 of JP-A-2014-29999 was prepared

비교용 조성물 5: 일본 공개특허공보 2014-29999호의 실시예 5의 조성물을 조제함Comparative Composition 5: The composition of Example 5 of Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2014-29999 was prepared

비교용 조성물 6: 일본 공개특허공보 2014-29999호의 실시예 6의 조성물을 조제함COMPARATIVE COMPOSITION 6: A composition of Example 6 of JP-A-2014-29999 was prepared

비교용 조성물 7: 가접착용 조성물 1에 있어서, 가교 성분 C-1을 함유시키지 않음Comparative Composition 7: In the adhesion-improving composition 1, the crosslinking component C-1 was not contained

표 1에 있어서의 400℃ 질량 감소율은, 이하의 방법으로 측정했다.The mass reduction rate at 400 deg. C in Table 1 was measured by the following method.

<400℃ 질량 감소율>&Lt; 400 占 폚 mass reduction rate>

열중량 분석 장치 Q500(TA사제)에 의하여, 2-3mg의 시료를 알루미늄 팬 상에서 60mL/min의 질소 기류하, 초기 온도 25℃에서 10℃/min의 일정 승온 조건으로 400℃까지 승온하여, 400℃에 도달했을 때의 잔존 질량을 측정했다.2-3 mg of the sample was heated on an aluminum pan to 400 DEG C under a constant temperature raising condition of 10 DEG C / min at an initial temperature of 25 DEG C under a nitrogen stream of 60 mL / min on a thermogravimetric analyzer Q500 (manufactured by TA) Lt; 0 &gt; C, the residual mass was measured.

표 1에 있어서의 용해도는, 이하의 방법으로 측정했다.The solubility in Table 1 was measured by the following method.

<용해도><Solubility>

N-메틸-2-피롤리돈 100g에 대하여 시료를 교반하면서 일정량 첨가하여, 용해성을 확인했다. 완전히 용해된 경우에는 추가로 시료를 교반하, 일정량 첨가하는 작업을 반복하여, 최종적으로 25℃에서 1시간 교반했을 때에 시료가 용해되지 않게 되기 직전의 양을 용해도로 했다.To 100 g of N-methyl-2-pyrrolidone, a certain amount of the sample was added with stirring to confirm the solubility. When completely dissolved, the sample was further stirred and added in a constant amount, and the solubility was defined as the amount immediately before the sample was not dissolved when the solution was finally stirred at 25 ° C for 1 hour.

[표 2][Table 2]

Figure 112016112149515-pct00015
Figure 112016112149515-pct00015

표 2 중에 기재된 화합물은, 이하와 같다.The compounds described in Table 2 are as follows.

[이형 성분][Release Component]

A-1: 옵툴 DSX(다이킨 고교사제, 불소계 실레인 커플링제)A-1: Optol DSX (a fluorine-based silane coupling agent manufactured by Daikin Industries, Ltd.)

A-2: RS-72-K(DIC사제, 불소계 화합물)A-2: RS-72-K (manufactured by DIC, fluorine-based compound)

A-3: RS-76-E(DIC사제, 불소계 화합물)A-3: RS-76-E (a fluorine-based compound manufactured by DIC Corporation)

A-4: UV-3500B(BYK사제, 실리콘계 화합물)A-4: UV-3500B (manufactured by BYK, a silicone compound)

A-5: (헵타데카플루오로-1,1,2,2-테트라하이드로데실)트라이클로로실레인(TCI사제)A-5: (heptadecafluoro-1,1,2,2-tetrahydrodecyl) trichlorosilane (manufactured by TCI)

A-6: CHEMINOX FHP-2-OH(유니마테크사제, 불소계 화합물)A-6: CHEMINOX FHP-2-OH (fluorine-based compound manufactured by UNIMATEC)

A-7: TEFLON(등록 상표) AF(미쓰이 듀폰 플루오로 케미컬사제, 불소계 화합물)A-7: TEFLON (registered trademark) AF (a fluorine-based compound manufactured by Mitsui DuPont Fluorochemical Co., Ltd.)

A-8: CYTOP(아사히 글라스사제, 불소계 화합물)A-8: CYTOP (fluorine-based compound, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.)

A-9: KP541(신에쓰 가가쿠사제, 실리콘계 화합물)A-9: KP541 (a silicone compound manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)

A-10: 다이니온 THV(3M사제, 불소계 화합물)A-10: Dyneon THV (manufactured by 3M, fluorine-based compound)

상기 중, 이형층이 3차원 가교체를 구성하고 있는 것은, A-1~A-4이다.Among them, A-1 to A-4 indicate that the release layer constitutes a three-dimensional cross-linked body.

[용제][solvent]

S-1: 퍼플루오로헥세인(와코 준야쿠사제)S-1: Perfluorohexane (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, Ltd.)

S-2: 1-메톡시-2-프로필아세테이트S-2: 1-Methoxy-2-propyl acetate

S-3: CT-Solv180(AGC제)S-3: CT-Solv 180 (AGC)

S-4: 메틸에틸케톤S-4: methyl ethyl ketone

[표 3][Table 3]

Figure 112016112149515-pct00016
Figure 112016112149515-pct00016

상기 결과로부터, 실시예 1~35의 가접착막은, 접착성, 박리성, 내약성이 모두 양호했다. 또, 보이드가 적었다.From the results, it was found that the adhesive films of Examples 1 to 35 exhibited satisfactory adhesiveness, peelability and tolerance. Also, voids were few.

한편, 비교예 1~9는, 접착성, 박리성, 내약성 중 적어도 하나 이상의 항목에서, 실용 레벨 이하였다.On the other hand, Comparative Examples 1 to 9 were below the practical level in at least one of adhesion, peelability and tolerance.

11 접착 영역
60 디바이스 웨이퍼
60a 박형 디바이스 웨이퍼
61 실리콘 기판
61a 실리콘 기판의 표면
61b 실리콘 기판의 이면
61c 박형 디바이스 웨이퍼의 이면
62 디바이스 칩
63 구조
71 이형 영역
80 가접합층
100 접착성 지지체
11 Adhesion Zone
60 device wafer
60a thin device wafer
61 silicon substrate
61a surface of a silicon substrate
61b The back surface of the silicon substrate
61c back surface of thin device wafer
62 device chip
63 Structure
71 Release area
80 is a bonding layer
100 adhesive backing

Claims (24)

접착 영역과, 상기 접착 영역의 표면 상의 이형 영역을 갖고,
상기 접착 영역은, 25℃에서 10℃/분으로 승온했을 때의 400℃에 있어서의 질량 감소율이 1질량% 이하이며, 25℃의 N-메틸피롤리돈에 대한 용해도가 1g/100g Solvent 이하이고,
상기 접착 영역은, 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리벤즈이미다졸 수지 및 폴리벤조옥사졸 수지로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 복소환 함유 수지와, 가교 성분을 함유하고,
상기 가교 성분은 말레이미드 수지를 함유하고, 상기 가교 성분에 있어서 에폭시기를 갖는 화합물을 5질량% 이하 함유하며,
상기 이형 영역은, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 화합물을 포함하는, 가접착막.
An adhesive region, and a release region on the surface of the adhesive region,
The adhesion region has a mass reduction rate of 1 mass% or less at 400 占 폚 when the temperature is raised at 25 占 폚 at 10 占 폚 / min, a solubility in N-methylpyrrolidone at 25 占 폚 of 1 g / ,
Wherein the adhesive region is formed of a resin containing a heterocyclic ring-containing resin containing at least one member selected from a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polybenzimidazole resin and a polybenzoxazole resin,
Wherein the crosslinking component contains a maleimide resin and contains 5% by mass or less of a compound having an epoxy group in the crosslinking component,
Wherein the releasing region comprises a compound containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom.
청구항 1에 있어서,
상기 말레이미드 수지가 하기 일반식 (III)으로 나타나는, 가접착막.
Figure 112018028345308-pct00018

[일반식 (III) 중, R은, 방향족환 또는 직쇄, 분기쇄 혹은 환상 지방족 탄화 수소기를 포함하는 2가의 유기기를 나타낸다.]
The method according to claim 1,
Wherein the maleimide resin is represented by the following general formula (III).
Figure 112018028345308-pct00018

[In the formula (III), R represents an aromatic ring or a divalent organic group containing a straight-chain, branched-chain or cyclic aliphatic hydrocarbon group.]
청구항 1에 있어서,
상기 복소환 함유 수지가, γ-뷰티로락톤, 사이클로펜탄온, N-메틸피롤리돈, 사이클로헥산온, 글라이콜에터, 다이메틸설폭사이드 및 테트라메틸유레아로부터 선택되는 적어도 1종의 용제에 대한 25℃에서의 용해도가 10g/100g Solvent 이상인 폴리이미드 수지인, 가접착막.
The method according to claim 1,
Wherein the heterocyclic ring-containing resin is at least one kind of solvent selected from gamma -butyrolactone, cyclopentanone, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone, glycol ether, dimethylsulfoxide and tetramethylurea Is a polyimide resin having a solubility of not less than 10 g / 100 g Solvent at 25 캜.
청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,
상기 말레이미드 수지가, 비스말레이미드 수지인 가접착막.
The method according to claim 1 or 3,
Wherein the maleimide resin is a bismaleimide resin.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착 영역에 포함되는 가교 성분의 50~100질량%가 상기 말레이미드 수지인, 가접착막.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein 50 to 100% by mass of the crosslinking component contained in the adhesive region is the maleimide resin.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착 영역은, 열중합 개시제를 더 함유하는, 가접착막.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the adhesive region further contains a thermal polymerization initiator.
청구항 6에 있어서,
상기 열중합 개시제는, 1분간 반감기 온도가 130~300℃인, 가접착막.
The method of claim 6,
Wherein the thermal polymerization initiator has a half-life temperature for one minute of 130 to 300 占 폚.
청구항 6에 있어서,
상기 열중합 개시제는, 유기 과산화물인, 가접착막.
The method of claim 6,
Wherein the thermal polymerization initiator is an organic peroxide.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 접착 영역은, 1분간 반감기 온도가 150℃~260℃인 열중합 개시제를 더 함유하는, 가접착막.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the adhesive region further contains a thermal polymerization initiator having a half-life temperature for one minute of from 150 ° C to 260 ° C.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,
상기 이형 영역은, 불소계 실레인 커플링제를 함유하는, 가접착막.
The method according to any one of claims 1 to 3,
Wherein the releasing region contains a fluorine-based silane coupling agent.
청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 기재된 가접착막의 이형 영역측의 표면에, 디바이스 웨이퍼를 갖는, 적층체.A laminate having a device wafer on the surface of the release agent region side of the adhesive film according to any one of claims 1 to 3. 폴리이미드 수지, 폴리아마이드이미드 수지, 폴리벤즈이미다졸 수지 및 폴리벤조옥사졸 수지로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 복소환 함유 수지와,
가교 성분과,
용제를 함유하고,
상기 가교 성분의 50~100질량%가 말레이미드 수지인,
청구항 1에 기재된 접착 영역을 형성하기 위한 가접착용 조성물.
A resin containing at least one selected from a polyimide resin, a polyamideimide resin, a polybenzimidazole resin and a polybenzoxazole resin,
A crosslinking component,
A solvent,
Wherein 50 to 100% by mass of the crosslinking component is a maleimide resin,
A composition for adhering to form an adhesive region according to claim 1.
청구항 12에 있어서,
상기 복소환 함유 수지는, γ-뷰티로락톤, 사이클로펜탄온, N-메틸피롤리돈, 사이클로헥산온, 글라이콜에터, 다이메틸설폭사이드 및 테트라메틸유레아로부터 선택되는 적어도 1종의 용제에 대한 25℃에서의 용해도가 10g/100g Solvent 이상인 폴리이미드 수지인, 가접착용 조성물.
The method of claim 12,
Wherein the heterocyclic ring-containing resin is at least one kind of solvent selected from the group consisting of? -Butyrolactone, cyclopentanone, N-methylpyrrolidone, cyclohexanone, glycol ether, dimethylsulfoxide and tetramethylurea Is a polyimide resin having a solubility of 10 g / 100 g Solvent or more at 25 占 폚.
청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
상기 말레이미드 수지가, 비스말레이미드 수지인 가접착용 조성물.
The method according to claim 12 or 13,
Wherein the maleimide resin is a bismaleimide resin.
청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
열중합 개시제를 더 함유하는, 가접착용 조성물.
The method according to claim 12 or 13,
And further contains a thermal polymerization initiator.
청구항 15에 있어서,
상기 열중합 개시제는, 1분간 반감기 온도가 130~300℃인, 가접착용 조성물.
16. The method of claim 15,
Wherein the thermal polymerization initiator has a half-life temperature for one minute of 130 to 300 占 폚.
청구항 16에 있어서,
상기 열중합 개시제는, 유기 과산화물인, 가접착용 조성물.
18. The method of claim 16,
Wherein the thermal polymerization initiator is an organic peroxide.
청구항 12 또는 청구항 13에 있어서,
이형 성분을 더 함유하는, 가접착용 조성물.
The method according to claim 12 or 13,
And further comprising a releasing component.
청구항 18에 있어서,
상기 이형 성분은, 불소 원자 및 규소 원자로부터 선택되는 적어도 1종을 함유하는 화합물을 포함하는, 가접착용 조성물.
19. The method of claim 18,
Wherein the releasing component comprises a compound containing at least one selected from a fluorine atom and a silicon atom.
청구항 18에 있어서,
상기 이형 성분은, 불소계 실레인 커플링제인, 가접착용 조성물.
19. The method of claim 18,
Wherein the releasing component is a fluorine-based silane coupling agent.
청구항 12 또는 청구항 13에 기재된 가접착용 조성물을 도포하는 공정을 포함하는, 디바이스의 제조 방법.A method for manufacturing a device, comprising the step of applying the adhesive composition according to claim 12 or 13. 접착 영역과, 상기 접착 영역의 표면 상의 이형 영역을 갖고, 상기 접착 영역은, 25℃에서 10℃/분으로 승온했을 때의 400℃에 있어서의 질량 감소율이 1질량% 이하이며, 25℃의 N-메틸피롤리돈에 대한 용해도가 1g/100g Solvent 이하인 가접착막을 형성하기 위한 키트로서,
청구항 12 또는 청구항 13에 기재된 가접착용 조성물과,
이형 성분 및 용제를 포함하는 이형 영역 형성용 조성물
을 포함하는 키트.
Wherein the adhesive region has a mass reduction rate of 1% by mass or less at 400 占 폚 when the temperature is raised at 25 占 폚 at 10 占 폚 / -Methylpyrrolidone having a solubility of 1 g / 100 g Solvent or less,
The adhesive bonding composition according to claim 12 or 13,
A composition for forming a mold release region comprising a mold release component and a solvent
&Lt; / RTI &gt;
청구항 12에 있어서,
상기 말레이미드 수지가 하기 일반식 (III)으로 나타나는, 가접착용 조성물.
Figure 112018028345308-pct00019

[일반식 (III) 중, R은, 방향족환 또는 직쇄, 분기쇄 혹은 환상 지방족 탄화 수소기를 포함하는 2가의 유기기를 나타낸다.]
The method of claim 12,
Wherein the maleimide resin is represented by the following general formula (III).
Figure 112018028345308-pct00019

[In the formula (III), R represents an aromatic ring or a divalent organic group containing a straight-chain, branched-chain or cyclic aliphatic hydrocarbon group.]
청구항 12에 있어서,
1분간 반감기 온도가 150℃~260℃인 열중합 개시제를 더 함유하는, 가접착용 조성물.
The method of claim 12,
And a half-life temperature for one minute of 150 ° C to 260 ° C.
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