KR101392155B1 - Display substrate and method of manufacturing mother substrate for display substrate - Google Patents

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Abstract

제품 및 제조 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있는 표시기판 및 표시기판용 모기판의 제조 방법에 있어서, 표시기판은 베이스 기판의 표시 영역에 형성된 금속 배선들, 표시 영역의 주변 영역에 형성되며 검사 신호를 금속 배선들에 전달하는 검사용 스위칭부, 검사용 스위칭부와 전기적으로 연결되어 검사 신호가 인가되는 검사 패드부 및 검사 패드부로부터 베이스 기판의 일단까지 연장된 제1 정전기 분산 배선을 포함한다. 이에 따라, 정전기에 의한 표시기판용 모기판의 손상을 방지하여 제조 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있고, 제품의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.A method of manufacturing a display substrate and a mother substrate for a display substrate which can improve the reliability of a product and a manufacturing process, the display substrate comprising metal wirings formed in a display region of the base substrate, And a first electrostatic dispersion wiring extending from the test pad portion to one end of the base substrate. The first electrostatic dispersion wiring extends from the test pad portion to one end of the base substrate. Thus, damage to the mother substrate for the display substrate due to static electricity can be prevented, reliability of the manufacturing process can be improved, and reliability of the product can be improved.

비주얼 인스펙션, 쇼팅 바, 트리밍, 정전기, 유기층 Visual inspection, shorting bar, trimming, static electricity, organic layer

Description

표시기판 및 표시기판용 모기판의 제조 방법{DISPLAY SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING MOTHER SUBSTRATE FOR DISPLAY SUBSTRATE}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a mother board for a display substrate and a mother board for a display substrate,

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판의 평면도이다.1 is a plan view of a display substrate according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 I-I’라인을 따라 절단한 단면도이다.2 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG.

도 3은 본 발명의 따른 실시예에 다른 표시기판의 평면도이다.3 is a plan view of a display substrate according to an embodiment of the present invention.

도 4는 도 3의 A 부분의 확대 평면도이다.4 is an enlarged plan view of a portion A in Fig.

도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ′라인을 따라 절단한 단면 및 검사 스위칭 소자의 단면을 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 4 and a cross-sectional view of the inspection switching device.

도 6a 내지 도 9는 본 발명에 따른 표시기판용 모기판의 제조 방법을 설명하기 위한 공정도들이다. 6A to 9 are process charts for explaining a manufacturing method of a mother substrate for a display substrate according to the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

100 : 표시기판 110 : 베이스 기판100: display substrate 110: base substrate

본 발명은 표시기판 및 표시기판용 모기판의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 제품 및 제조 공정의 신뢰성을 향상시킨 표시기판 및 표시기판용 모기 판의 제조 방법에 관한 것이다. The present invention relates to a method of manufacturing a mother board for a display substrate and a display substrate, and more particularly, to a method of manufacturing a mother board for a display substrate and a display substrate in which reliability of a product and a manufacturing process is improved.

일반적으로, 액정표시장치를 제조하는 공정 중, 구동 집적회로를 액정표시패널에 장착하기 전에 어레이 기판의 화소 전극에 화소 전압이 인가되는 상태를 검사하는 비주얼 인스펙션(Visual Inspection : 이하 VI로 지칭함) 또는 그로스 테스트(Gross Test : 이하, GT로 지칭함)를 진행한다. VI 또는 GT는 미리 액정표시패널의 불량상태를 점검할 수 있어 원가를 절감시키고 수율을 향상시킬 수 있다. In general, in a process of manufacturing a liquid crystal display device, a visual inspection (hereinafter referred to as VI) or a visual inspection (hereinafter referred to as &quot; visual inspection &quot;) for inspecting a state in which pixel voltages are applied to pixel electrodes of an array substrate before mounting a driving integrated circuit on a liquid crystal display panel And proceeds with a gross test (hereinafter referred to as GT). The VI or GT can check the defective state of the liquid crystal display panel in advance, thereby reducing the cost and improving the yield.

VI의 경우, VI 결과에서 화소 전압이 인가되는 상태가 양호하면 검사신호 배선을 게이트 배선 및 소스 배선과 차단한다. 검사신호 배선을 소스 배선 및 게이트 배선과 차단하기 위한 방법으로 다이아몬드 커팅으로 기판과 함께 검사신호 배선을 절단하거나, 레이저 트리밍(Laser Trimming : 이하, L/T로 지칭함) 공정을 통해 레이저로 절단하여 검사신호 배선을 소스 배선 및 게이트 배선과 분리시켰다. 그러나, 레이저를 이용하는 경우에는 공정이 추가되어야 하며, 커팅 과정에서 오염 입자가 발생하거나 절단된 면을 통해 배선이 부식될 수 있는 문제점이 있어 이를 해결하기 위해 최근에는 L/T 공정을 생략(L/T skip 공정)하고, 검사용 스위칭부 및 상기 검사용 스위칭부로 검사 신호를 인가하는 검사용 패드부를 이용하여 VI를 진행하고 있다. In the case of VI, if the state in which the pixel voltage is applied in the VI result is good, the inspection signal wiring is cut off from the gate wiring and the source wiring. As a method for cutting the inspection signal wiring from the source wiring and the gate wiring, the inspection signal wiring is cut together with the substrate by diamond cutting or laser cutting is performed by laser trimming (hereinafter referred to as L / T) The signal wiring was separated from the source wiring and the gate wiring. However, in the case of using a laser, there is a problem that a process must be added, contamination particles are generated in the cutting process, and wiring may be corroded through the cut surface. In order to solve this problem, L / T skip process), and the VI is carried out using the inspection switching unit and the inspection pad unit for applying the inspection signal to the inspection switching unit.

한편, 액정표시장치를 제조하는 공정 중 외부로부터 유입되거나, 공정 상에서 발생하는 정전기로 인하여 배선의 단락 또는 스위칭 소자의 불량이 발생하여 제품 및 제조 공정의 신뢰성을 저하시키는 문제점이 있다. 특히, 정전기는 쇼트 포인트 또는 검사용 패드부에서 쉽게 발생한다. 표시기판의 정전기성 불량을 방지하기 위해 다양한 구조가 제시되고 있으나, 정전기의 발생을 방지하기 위한 별도의 구조를 형성하는 것은 제조 원가를 상승시키고, 제조 공정을 복잡화하는 요인이 되는 문제점이 있다. On the other hand, there is a problem that reliability of a product and a manufacturing process is lowered due to a short circuit of a wiring or a switching element due to static electricity generated from the outside or flowing from the outside during a process of manufacturing a liquid crystal display device. Particularly, static electricity easily occurs in the short-point or inspection pad portion. Various structures are proposed to prevent the electrostatic failure of the display substrate. However, forming a separate structure for preventing the generation of static electricity raises the manufacturing cost and complicates the manufacturing process.

이에, 본 발명의 기술적 과제는 이러한 점에서 착안된 것으로 본 발명의 목적은 검사용 스위칭부를 포함하는 제품의 정전기성 불량을 방지하는 표시기판을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a display substrate for preventing electrostatic failure of a product including a switching unit for inspection.

본 발명의 따른 목적은 정전기의 발생을 방지하는 표시기판용 모기판의 제조 방법을 제공하는 것이다. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a mother board for a display substrate that prevents the generation of static electricity.

상기한 본 발명의 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시기판은 베이스 기판의 표시 영역에 형성된 금속 배선들, 상기 표시 영역의 주변 영역에 형성되며 검사 신호를 상기 금속 배선들에 전달하는 검사용 스위칭부, 상기 검사용 스위칭부와 전기적으로 연결되어 상기 검사 신호가 인가되는 검사 패드부 및 상기 검사 패드부로부터 상기 베이스 기판의 일단까지 연장된 제1 정전기 분산 배선을 포함한다. According to another aspect of the present invention, there is provided a display substrate including metal wirings formed in a display region of a base substrate, a switching region formed in a peripheral region of the display region, And a first electrostatic dispersion wiring electrically connected to the switching unit for inspection and extending from the inspection pad unit to one end of the base substrate to which the inspection signal is applied.

상기한 본 발명의 따른 목적을 실현하기 위한 실시예에 따른 표시기판용 모기판의 제조 방법은 복수의 어레이 영역들을 포함하는 베이스 모기판의 각 어레이 영역의 표시 영역에 형성된 금속 배선과, 상기 표시 영역의 주변 영역에 형성되어 상기 금속 배선들과 전기적으로 연결된 검사신호 배선과, 상기 검사신호 배선과 연 결된 검사용 스위칭부를 포함하는 어레이층을 형성하는 단계, 상기 어레이층이 형성된 상기 베이스 모기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계 및 상기 투명 전극층을 패터닝하여 서로 인접한 어레이 영역들 사이에 형성된 쇼팅 바와, 상기 검사신호 배선의 일단부에 형성된 검사 패드 전극과, 상기 검사 패드 전극과 상기 쇼팅 바를 연결하는 제1 정전기 분산 배선을 포함하는 투명 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함한다. A method of manufacturing a mother substrate for a display substrate according to an embodiment of the present invention for realizing the above object comprises the steps of: forming a metal wiring formed in a display region of each array region of a base mother substrate including a plurality of array regions; Forming an array layer including an inspection signal line electrically connected to the metal lines and a switching unit connected to the inspection signal line, the method comprising the steps of: forming an array layer on the base mosquito plate Forming a transparent electrode layer on the substrate, patterning the transparent electrode layer, forming a shorting bar between the adjacent array areas by patterning the transparent electrode layer, inspecting pad electrodes formed at one end of the inspection signal wiring, And forming a transparent electrode pattern including the electrostatic dispersion wiring.

이러한 표시기판 및 표시기판용 모기판의 제조 방법에 따르면, 상기 제1 정전기 분산 배선을 형성함으로써 상기 검사 패드부를 통해 유입된 외부 전하들을 쇼팅 바로 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 정전기의 발생을 방지하고, 정전기에 의한 표시기판용 모기판의 손상을 방지하여 제품 및 제조 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.According to the method for manufacturing a mother board for a display substrate and a display substrate, external electric charges flowing through the test pad unit can be dispersed immediately by shorting the first electrostatic dispersion wiring. Accordingly, it is possible to prevent the generation of static electricity and prevent the damage of the mother substrate for the display substrate due to the static electricity, thereby improving the reliability of the product and the manufacturing process.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예들을 보다 상세하게 설명하고자 한다. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Reference will now be made in detail to the preferred embodiments of the present invention, examples of which are illustrated in the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판의 평면도이다.1 is a plan view of a display substrate according to an embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 I-I’라인을 따라 절단한 단면도이다.2 is a cross-sectional view taken along line I-I 'of FIG.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 표시기판(100)의 베이스 기판(110)은 화소 영역(P)을 포함하는 표시 영역(DA)과, 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸는 제1 주변 영역(PA1) 및 제2 주변 영역(PA2)을 포함한다. 1 and 2, a base substrate 110 of a display substrate 100 according to an embodiment of the present invention includes a display region DA including a pixel region P, A first peripheral area PA1 and a second peripheral area PA2.

상기 표시 영역(DA)에는 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL), 화소 스위칭 소자(PTFT) 및 화소 전극(PE)이 형성된다. 상기 게이트 배선(GL)은 상기 베이스 기 판(110)의 제1 방향으로 연장되고 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 복수개가 병렬로 배치된다. 상기 데이터 배선(DL)은 상기 제2 방향으로 연장되고 상기 제1 방향으로 복수개가 병렬로 배치된다. 상기 게이트 배선(GL)과 상기 데이터 배선(DL)이 교차하여 상기 표시 영역(DA)의 각 화소 영역(P)을 정의한다. A gate line GL, a data line DL, a pixel switching element PTFT and a pixel electrode PE are formed in the display area DA. The gate lines GL extend in a first direction of the base substrate 110 and are arranged in parallel in a second direction perpendicular to the first direction. The data lines DL extend in the second direction and a plurality of the data lines DL are arranged in parallel in the first direction. The gate lines GL and the data lines DL intersect each other to define pixel regions P of the display region DA.

상기 화소 스위칭 소자(PTFT)는 상기 게이트 배선(GL)과 연결된 게이트 전극(GE)과, 상기 데이터 배선(DL)과 연결된 소스 전극(SE)과, 상기 소스 전극(SE)과 이격된 드레인 전극(DE)을 포함한다. 상기 게이트 전극(GE) 상에는 게이트 절연층(130)이 형성되고, 상기 게이트 전극(GE)과 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 사이에는 반도체층(142) 및 오믹 콘택층(144)이 순차적으로 적층된다. 또한, 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE) 상에는 상기 드레인 전극(DE)의 일단부를 노출시키는 콘택홀을 포함하는 패시베이션층(160)이 형성된다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 화소 스위칭 소자(PTFT)와 전기적으로 연결된다. 상기 화소 전극(PE)은 상기 패시베이션층(160) 상에 형성되고 상기 콘택홀을 통해 상기 드레인 전극(DE)의 일단부와 콘택된다. 상기 화소 전극(PE)은 투명하고 도전성있는 물질로 형성될 수 있다. 상기 화소 전극(PE)은 예를 들어, 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO)로 형성될 수 있다. The pixel switching element PTFT includes a gate electrode GE connected to the gate line GL and a source electrode SE connected to the data line DL and a drain electrode spaced apart from the source electrode SE DE). A gate insulating layer 130 is formed on the gate electrode GE and a semiconductor layer 142 and an ohmic contact layer 144 are formed between the gate electrode GE and the source electrode SE and the drain electrode DE. ) Are sequentially stacked. A passivation layer 160 including a contact hole exposing one end of the drain electrode DE is formed on the source electrode SE and the drain electrode DE. The pixel electrode PE is electrically connected to the pixel switching element PTFT. The pixel electrode PE is formed on the passivation layer 160 and is contacted with one end of the drain electrode DE through the contact hole. The pixel electrode PE may be formed of a transparent and conductive material. The pixel electrode PE may be formed of, for example, indium tin oxide (ITO) or indium zinc oxide (IZO).

상기 제1 주변 영역(PA1)에는 상기 게이트 배선(GL)의 일단부에 형성된 게이트 패드부(GP)와, 제1 검사용 스위칭부(VIT1), 제1 검사신호 배선(154a), 제1 구동신호 배선(124a), 제1 검사 패드부(VIP1) 및 제1 구동 패드부(DIP1)가 형성된다. The first peripheral region PA1 is formed with a gate pad portion GP formed at one end of the gate line GL and a first pad portion GP1 for switching between the first inspection switching portion VIT1 and the first inspection signal line 154a, The signal wiring 124a, the first test pad portion VIP1 and the first drive pad portion DIP1 are formed.

또한, 상기 제2 주변 영역(PA2)에는 상기 데이터 배선(DL)의 일단에 형성된 데이터 패드부(DP)와, 제2 검사용 스위칭부(VIT2), 제2 검사신호 배선(154b), 제2 구동신호 배선(124b), 제2 검사 패드부(VIP2) 및 제2 구동 패드부(DIP2)가 형성된다. In the second peripheral area PA2, a data pad portion DP formed at one end of the data line DL, a second inspection switching portion VIT2, a second inspection signal line 154b, The driving signal wiring 124b, the second inspection pad portion VIP2 and the second driving pad portion DIP2 are formed.

구체적으로, 상기 제1 검사용 스위칭부(VIT1)는 복수의 제1 검사용 스위칭 소자(VI-TFT1)들을 포함한다. 각 제1 검사용 스위칭 소자(VI-TFT1)는 상기 제1 검사신호 배선(154a) 및 상기 제1 구동신호 배선(124a)과 연결된다. 상기 제1 검사 패드부(VIP1)는 상기 제1 검사신호 배선(154a)의 일단부에 형성되고, 상기 제1 구동 패드부(DIP1)는 상기 제1 구동신호 배선(124a)의 일단부에 형성된다. Specifically, the first inspection switching unit VIT1 includes a plurality of first inspection switching elements VI-TFT1. Each first switching element for inspection (VI-TFT1) is connected to the first inspection signal wiring 154a and the first driving signal wiring 124a. The first test pad portion VIP1 is formed at one end of the first test signal line 154a and the first drive pad portion DIP1 is formed at one end of the first drive signal line 124a do.

상기 제1 검사용 스위칭 소자(VI-TFT1)는 상기 제1 검사신호 배선(154a)으로부터 게이트 검사 신호를 전달받고, 상기 제1 구동신호 배선(124a)으로부터 구동 신호를 전달받는다. 상기 제1 검사용 스위칭 소자(VI-TFT1)는 상기 게이트 검사 신호를 상기 표시 영역(DA)의 상기 게이트 배선(GL)으로 전달할 수 있다. 상기 제1 검사신호 배선(154a)은 예를 들어, 상기 데이터 배선(DL)과 동일한 소스 금속층으로 형성되고, 상기 제1 구동신호 배선(124a)은 예를 들어, 상기 게이트 배선(GL)과 동일한 게이트 금속층으로 형성될 수 있다. The first switching element for inspection VI-TFT1 receives a gate inspection signal from the first inspection signal wiring 154a and receives a driving signal from the first driving signal wiring 124a. The first switching element for inspection (VI-TFT1) may transmit the gate inspection signal to the gate wiring (GL) of the display area (DA). For example, the first test signal line 154a is formed of the same source metal layer as the data line DL, and the first test signal line 124a is, for example, the same as the gate line GL Gate metal layer.

상기 제1 검사 패드부(VIP1)는 상기 제1 검사신호 배선(154a)과 연결된 제1 검사 전극(152a)과, 상기 제1 검사 전극(152a)과 전기적으로 연결된 제1 검사 패드 전극(172a)을 포함한다. 상기 제1 검사 전극(152a)은 상기 제1 검사신호 배선(154a)과 동일한 상기 소스 금속층으로 형성되고, 상기 제1 검사 패드 전극(172a)은 상기 화소 전극(PE)과 동일한 투명 전극층으로 형성될 수 있다. The first test pad unit VIP1 includes a first test electrode 152a connected to the first test signal line 154a and a first test pad electrode 172a electrically connected to the first test electrode 152a, . The first test electrode 152a is formed of the same source metal layer as the first test signal line 154a and the first test pad electrode 172a is formed of the same transparent electrode layer as the pixel electrode PE .

상기 제1 구동 패드부(DIP1)는 상기 제1 구동신호 배선(124a)과 연결된 제1 구동 전극(122a)과, 상기 제1 구동 전극(122a)과 전기적으로 연결된 제1 구동 패드 전극(174a)을 포함한다. 상기 제1 구동 전극(122a)은 상기 제1 구동신호 배선(124a)과 동일한 상기 게이트 금속층으로 형성되고, 상기 제1 구동 패드 전극(174a)은 상기 제1 검사 패드 전극(172a)과 동일한 투명 전극층으로 형성될 수 있다. The first driving pad unit DIP1 includes a first driving electrode 122a connected to the first driving signal line 124a and a first driving pad electrode 174a electrically connected to the first driving electrode 122a. . The first driving electrode 122a is formed of the same gate metal layer as the first driving signal wiring 124a and the first driving pad electrode 174a is formed in the same transparent electrode layer as the first test pad electrode 172a. As shown in FIG.

상기 제2 검사용 스위칭부(VIT2)는 복수의 제2 검사용 스위칭 소자(VI-TFT2)들을 포함하고, 각 제2 검사용 스위칭 소자(VI-TFT2)는 상기 제2 검사신호 배선(154b) 및 상기 제2 구동신호 배선(124b)과 연결된다. 상기 제2 검사용 스위칭 소자(VI-TFT2)는 데이터 검사 신호를 상기 표시 영역(DA)의 상기 데이터 배선(DL)으로 전달할 수 있다. The second inspection switching part VIT2 includes a plurality of second inspection switching elements VI-TFT2, and each second inspection switching element VI-TFT2 includes the second inspection signal wiring 154b. And the second driving signal line 124b. The second switching element for inspection VI-TFT2 may transmit a data inspection signal to the data line DL of the display area DA.

상기 제2 검사 패드부(VIP2)는 상기 제2 검사신호 배선(154b)의 일단부에 형성된다. 상기 제2 검사 패드부(VIP2)는 상기 제2 검사신호 배선(154b)과 연결된 제2 검사 전극(152b)과, 상기 제2 검사 전극(152b)과 전기적으로 연결된 제2 검사 패드 전극(172b)을 포함한다. 상기 제2 검사 신호 배선(154b)은 예를 들어, 상기 소스 금속층으로 형성될 수 있다. The second inspection pad portion VIP2 is formed at one end of the second inspection signal wiring 154b. The second inspection pad unit VIP2 includes a second inspection electrode 152b connected to the second inspection signal wiring 154b and a second inspection pad electrode 172b electrically connected to the second inspection electrode 152b. . The second inspection signal wiring 154b may be formed of, for example, the source metal layer.

상기 제2 구동 패드부(DIP2)는 상기 제2 구동신호 배선(124b)의 일단부에 형성된다. 상기 제2 구동 패드부(DIP2)는 상기 제2 구동신호 배선(124b)과 연결된 제2 구동 전극(122b)과, 상기 제2 구동 전극(122b)과 전기적으로 연결된 제2 구동 패드 전극(174b)을 포함한다. 상기 제2 구동신호 배선(124b)은 예를 들어, 상기 게이 트 금속층으로 형성될 수 있다. The second driving pad portion DIP2 is formed at one end of the second driving signal line 124b. The second driving pad DIP2 includes a second driving electrode 122b connected to the second driving signal line 124b and a second driving pad electrode 174b electrically connected to the second driving electrode 122b. . The second driving signal line 124b may be formed of the gate metal layer, for example.

상기 표시 영역(DA)의 상기 화소 전극(PE)에 전압이 인가되는 상태를 검사하기 위한 비주얼 인스펙션(Visual Inspection : 이하, VI로 지칭함) 공정에서, 상기 제1 및 제2 검사 패드부(VIP1, VIP2)는 상기 게이트 검사 신호 및 상기 데이터 검사 신호를 인가한다. 인가된 상기 게이트 검사 신호 및 상기 데이터 검사 신호는 상기 제1 검사용 스위칭 소자(VI-TFT1)와, 상기 제2 검사용 스위칭 소자(VI-TFT2)를 통해 상기 표시 영역(DA)으로 전달된다. 이에 따라, 상기 표시 영역(DA)으로 전달된 상기 게이트 검사 신호 및 상기 데이터 검사 신호를 통해 상기 표시 영역(DA)의 배선들 및 스위칭 소자들의 불량 여부를 검사할 수 있다. 상기 VI 공정을 종료한 후, 상기 제1 및 제2 구동 패드부(DIP1, DIP2)를 통해 상기 제1 및 제2 구동신호 배선(124a, 124b)에 오프 전압을 전달하면 상기 제1 및 제2 검사용 스위칭부(VIT1, VIT2)는 전기적으로 차단된 상태를 유지한다. 상기 표시기판(100)을 포함하는 표시장치의 구동 시에도 상기 제1 및 제2 검사용 스위칭부(VIT1, VIT2)의 검사용 스위칭 소자들은 항상 오프 상태를 유지함으로써 물리적으로 단선된 것과 동일한 전기적으로 차단된 상태가 된다. In a visual inspection (hereinafter referred to as VI) process for checking the state of a voltage applied to the pixel electrode PE of the display area DA, the first and second test pad units VIP1, VIP2 apply the gate check signal and the data check signal. The applied gate inspection signal and the data inspection signal are transferred to the display area DA through the first inspection switching element VI-TFT1 and the second inspection switching element VI-TFT2. Thus, it is possible to check whether the wirings of the display area DA and the switching elements are defective through the gate inspection signal and the data inspection signal transmitted to the display area DA. After the completion of the VI process, when a turn-off voltage is transmitted to the first and second driving signal lines 124a and 124b through the first and second driving pad portions DIP1 and DIP2, The inspection switching parts VIT1 and VIT2 are kept electrically disconnected. Even when the display device including the display substrate 100 is driven, the inspection switching elements of the first and second inspection switching units VIT1 and VIT2 are always kept in the OFF state, It becomes blocked.

상기 제1 및 제2 주변 영역(PA1, PA2)에는 상기 제1 및 제2 검사 패드부(VIP1, VIP2)와 연결된 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a)과, 상기 제1 및 제2 구동 패드부(DIP1, DIP2)와 연결된 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)이 형성된다. The first and second peripheral areas PA1 and PA2 include first electrostatic dispersion interconnections 176a and 178a connected to the first and second test pad units VIP1 and VIP2, Second electrostatic dispersion interconnections 176b and 178b connected to the pad portions DIP1 and DIP2 are formed.

상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a)은 각각 상기 제1 검사 패드 부(VIP1)로부터 상기 베이스 기판(110)의 일단까지 연장되고, 상기 제2 검사 패드부(VIP2)로부터 상기 베이스 기판(110)의 일단까지 연장된다. 일 제1 정전기 분산 배선(176a)은 상기 제1 검사 패드 전극(172a)과 연결되고, 상기 일 제1 정전기 분산 배선(186a)과 다른 제1 정전기 분산 배선(178a)은 상기 제2 검사 패드 전극(172b)과 연결된다. 상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a)은 상기 제1 및 제2 검사 패드 전극(172a, 172b)과 동일한 상기 투명 전극층으로 형성된다. 상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a)은 서로 이격되어 배치된다.The first electrostatic dispersion wirings 176a and 178a extend from the first inspection pad unit VIP1 to one end of the base substrate 110 and extend from the second inspection pad unit VIP2 to the base substrate 110). The first electrostatic dispersion wiring 176a is connected to the first test pad electrode 172a and the first electrostatic dispersion wiring 178a different from the first electrostatic dispersion wiring 186a is connected to the second test pad electrode 172a, Lt; / RTI &gt; The first electrostatic dispersion interconnects 176a and 178a are formed of the same transparent electrode layer as the first and second test pad electrodes 172a and 172b. The first electrostatic dispersion wirings 176a and 178a are disposed apart from each other.

상기 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 각각 상기 제1 구동 패드부(DIP1) 및 상기 제2 구동 패드부(DIP2)로부터 상기 베이스 기판(110)의 일단까지 연장된다. 일 제2 정전기 분산 배선(176b)은 상기 제1 구동 패드 전극(174a)과 연결되고, 상기 일 제2 정전기 분산 배선(176b)과 다른 제2 정전기 분산 배선(178b)은 상기 제2 구동 패드 전극(174b)과 연결된다. 상기 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 상기 제1 및 제2 구동 패드 전극(174a, 174b)과 동일한 상기 투명 전극층으로 형성된다. 상기 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 서로 이격되어 배치되고, 상기 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a)과도 서로 이격되어 배치된다. The second electrostatic dispersion interconnections 176b and 178b extend from the first driving pad portion DIP1 and the second driving pad portion DIP2 to one end of the base substrate 110, respectively. The second electrostatic dispersion wiring 176b is connected to the first driving pad electrode 174a and the second electrostatic dispersion wiring 178b different from the second electrostatic dispersion wiring 176b is connected to the second driving pad electrode 174b, Lt; RTI ID = 0.0 &gt; 174b. The second electrostatic dispersion wirings 176b and 178b are formed of the same transparent electrode layer as the first and second driving pad electrodes 174a and 174b. The second electrostatic dispersion wirings 176b and 178b are disposed apart from each other and the second electrostatic dispersion wirings 176b and 178b are disposed apart from the first electrostatic dispersion wirings 176a and 178a .

상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a) 및 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 상기 표시기판(100)을 제조하는 공정 중, 표시기판용 모기판에 형성된 쇼팅 바(미도시)와 연결되어 형성된다. 상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a) 및 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 상기 표시기판용 모기판의 내부로 유입되는 전하들을 상기 쇼팅 바를 통해 상기 표시기판용 모기판의 전체에 분산시킬 수 있다. 상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a) 및 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 상기 표시기판용 모기판을 상기 표시기판(100) 단위로 커팅하는 공정에서 상기 쇼팅 바와 분리되어 상기 표시기판(100)에 잔류한다. 상기 표시기판용 모기판의 커팅 라인과 상기 표시기판(100)의 상기 베이스 기판(110)의 일단이 일치한다. 이에 따라, 상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a) 및 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)이 상기 베이스 기판(110)의 일단까지 연장된 형태로 상기 베이스 기판(110)에 잔류할 수 있다.The first electrostatic dispersion wirings 176a and 178a and the second electrostatic dispersion wirings 176b and 178b may be connected to a shorting bar (not shown) formed on the mother substrate for the display substrate 100, Respectively. The first electrostatic dispersion wirings 176a and 178a and the second electrostatic dispersion wirings 176b and 178b may be configured to apply charges to the inside of the mother substrate for the display substrate through all of the mother substrate for the display substrate . The first electrostatic dispersion wirings 176a and 178a and the second electrostatic dispersion wirings 176b and 178b may be separated from the shorting bar in the step of cutting the mother substrate for the display substrate into the display substrate 100, And remains on the display substrate 100. The cutting line of the mother substrate for the display substrate and the one end of the base substrate 110 of the display substrate 100 coincide with each other. Accordingly, the first electrostatic dispersion wirings 176a and 178a and the second electrostatic dispersion wirings 176b and 178b may remain on the base substrate 110 in a form extending to one end of the base substrate 110 .

본 발명의 일 실시예에서는 상기 제1 및 제2 검사 패드부(VIP1, VIP2)와, 상기 제1 및 제2 구동 패드부(DIP1, DIP2)를 포함하는 상기 표시기판(100)을 일례로 하여 설명하였으나, 상기 VI 공정의 VI의 목적에 따라 대면적으로 형성된 4 이상의 복수의 패드부를 포함할 수 있고 각 패드부와 연결된 정전기 분산 배선들을 형성할 수 있다.The display panel 100 including the first and second test pad portions VIP1 and VIP2 and the first and second driving pad portions DIP1 and DIP2 may be used as an example of the present invention, However, it may include a plurality of pad portions of 4 or more formed in a large area according to the purpose of VI of the VI process, and may form electrostatic dispersion interconnections connected to the respective pad portions.

도 3은 본 발명의 따른 실시예에 다른 표시기판의 평면도이다.3 is a plan view of a display substrate according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 본 발명의 따른 실시예에 따른 표시기판(102)의 베이스 기판(110)은 화상을 표시하는 표시 영역(DA)과, 상기 표시 영역(DA)의 주변에 배치되고 구동칩 실장 영역(DIA) 및 FPC 연결 영역(FPCA)을 포함하는 제1 주변 영역(PA1)과, 제2 주변 영역(PA2)을 포함한다. 3, the base substrate 110 of the display substrate 102 according to the embodiment of the present invention includes a display area DA for displaying an image, A first peripheral area PA1 including a mounting area DIA and an FPC connection area FPCA, and a second peripheral area PA2.

상기 표시 영역(DA)에는 게이트 배선(GL), 데이터 배선(DL), 화소 스위칭 소자(PTFT) 및 화소 전극(PE)이 형성된다. 상기 게이트 배선(GL) 및 상기 데이터 배 선(DL)이 서로 교차하여 화소 영역(P)을 정의한다. A gate line GL, a data line DL, a pixel switching element PTFT and a pixel electrode PE are formed in the display area DA. The gate line GL and the data line DL cross each other to define a pixel region P.

상기 구동칩 실장 영역(DIA)에는 구동칩(미도시)과 전기적으로 연결된 IC 패드들(미도시)과, VI 공정을 위한 검사용 스위칭부(미도시)와, 상기 검사용 스위칭부와 연결된 검사신호 배선(미도시) 및 구동신호 배선(미도시)이 형성된다. 상기 FPC 연결 영역(FPCA)에는 연성인쇄회로기판(미도시)의 금속 단자들과 전기적으로 연결시키기 위한 FPC 패드들(미도시)이 형성된다. 상기 제1 주변 영역(PA1)에는 상기 구동칩 실장 영역(DIA)으로부터 상기 베이스 기판(110)의 일단까지 연장된 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a)과, 상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a)과 평행하게 배치되고 상기 베이스 기판(110)의 일단까지 연장된 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)이 형성된다. (Not shown) electrically connected to a driving chip (not shown), a switching unit for inspection (not shown) for a VI process, a test unit connected to the inspection switching unit Signal wiring (not shown) and driving signal wiring (not shown) are formed. FPC pads (not shown) for electrically connecting metal terminals of a flexible printed circuit board (not shown) are formed in the FPC connection area FPCA. The first peripheral area PA1 includes first electrostatic dispersion wirings 176a and 178a extending from the driving chip mounting area DIA to one end of the base substrate 110, 178a and 178a, and the second electrostatic dispersion wirings 176b and 178b extending to one end of the base substrate 110 are formed.

상기 제2 주변 영역(PA2)에는 전압 인가부(SPA)와, 제3 정전기 분산 배선(179)이 형성된다. 상기 전압 인가부(SPA)는 전압 전극(SPE)과, 상기 전압 전극(SPE) 상에 형성되어 상기 전압 전극(SPE)과 전기적으로 연결된 전압 패드 전극(SPTE)을 포함한다. 상기 제3 정전기 분산 배선(179)은 상기 전압 인가부(SPA)로부터 상기 베이스 기판(110)의 일단까지 연장된다. 상기 베이스 기판(110)의 일단은 예를 들어, 상기 제1 및 제2 정전기 분산 배선들(176a, 178a, 176b, 178b)의 단부와 일치하는 상기 베이스 기판(110)의 일 변과 수직한 다른 변에 해당할 수 있다. A voltage application part SPA and a third electrostatic dispersion wiring 179 are formed in the second peripheral area PA2. The voltage application unit SPA includes a voltage electrode SPE and a voltage pad electrode SPTE formed on the voltage electrode SPE and electrically connected to the voltage electrode SPE. The third electrostatic dispersion wiring 179 extends from the voltage application part SPA to one end of the base substrate 110. One end of the base substrate 110 is electrically connected to one end of the base substrate 110 that is perpendicular to one end of the base substrate 110 coinciding with the ends of the first and second electrostatic dispersion interconnections 176a, 178a, 176b, It may correspond to a side.

상기 제1 주변 영역(PA1) 및 상기 제2 주변 영역(PA2)의 사이에는 상기 표시 영역(DA)의 외측을 따라 상기 전압 인가부(SPA)로부터 상기 제1 주변 영역(PA1)까 지 연장된 공통전압 배선(VCL)이 형성된다. 상기 공통전압 배선(VCL)은 상기 FPC 패드들과 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 공통전압 배선(VCL)은 상기 표시 영역(DA)에 공통전압 신호를 전달하기 위해 상기 주변 영역(DA)의 외측을 따라 연장되도록 디자인된다. 이와 같은 상기 공통전압 배선(VCL)의 디자인에 의해 상기 공통전압 배선(VCL)은 상기 제1 및 제2 정전기 분산 배선들(176a, 178a, 176b, 178b)과 중첩된다. The first peripheral area PA1 extends from the voltage application part SPA to the first peripheral area PA1 along the outer side of the display area DA between the first peripheral area PA1 and the second peripheral area PA2. A common voltage wiring (VCL) is formed. The common voltage wiring (VCL) may be electrically connected to the FPC pads. The common voltage wiring VCL is designed to extend along the outside of the peripheral area DA to transmit a common voltage signal to the display area DA. According to the design of the common voltage wiring VCL, the common voltage wiring VCL overlaps the first and second electrostatic dispersion wirings 176a, 178a, 176b, and 178b.

상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a) 및 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 상기 표시기판(102)을 제조하는 공정 중, 표시기판용 모기판에 형성된 쇼팅 바(미도시)와 연결되어 형성된다. 이후, 상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a) 및 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 상기 표시기판용 모기판의 커팅 공정에 의해 상기 표시기판(102)에 잔류한다. 도면으로 도시하지는 않았으나, 상기 FPC 연결 영역(FPCA)에는 상기 FPC 패드들과 연결된 제4 정전기 분산 배선들(미도시)이 형성될 수 있다. 상기 제4 정전기 분산 배선들도 상기 제1 내지 제3 정전기 분산 배선들(176a, 178a, 176b, 178b, 179)과 함께 상기 표시기판용 모기판의 상기 쇼팅 바와 연결되어 형성된 후, 상기 커팅 공정에서 상기 쇼팅 바와 분리되어 상기 표시기판(102)에 잔류할 수 있다. The first electrostatic dispersion wirings 176a and 178a and the second electrostatic dispersion wirings 176b and 178b may be formed in a shorting bar (not shown) formed on a mother substrate for a display substrate, Respectively. Thereafter, the first electrostatic dispersion wirings 176a and 178a and the second electrostatic dispersion wirings 176b and 178b remain on the display substrate 102 by the cutting process of the mother substrate for the display substrate. Although not shown, fourth electrostatic dispersion interconnects (not shown) connected to the FPC pads may be formed in the FPC connection region FPCA. The fourth electrostatic dispersion wirings are formed in connection with the first to third electrostatic dispersion wirings 176a, 178a, 176b, 178b, 179 and the shorting bar of the mother substrate for the display substrate, And may be separated from the shorting bar and remain on the display substrate 102.

도 4는 도 3의 A 부분의 확대 평면도이다.4 is an enlarged plan view of a portion A in Fig.

도 5는 도 4의 Ⅱ-Ⅱ′라인을 따라 절단한 단면 및 검사 스위칭 소자의 단면을 도시한 단면도이다.5 is a cross-sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 4 and a cross-sectional view of the inspection switching device.

도 3 내지 도 5를 참조하면, 상기 구동칩 실장 영역(DIA)에는 제1 검사용 스 위칭부(VIT1), 제2 검사용 스위칭부(VIT2), 제1 및 제2 검사신호 배선(154a, 154b), 제1 및 제2 구동신호 배선(124a, 124b), 제1 검사 패드부(VIP1), 제2 검사 패드부(VIP2), 제1 구동 패드부(DIP1) 및 제2 구동 패드부(DIP2)가 형성된다. 상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a)은 각각 상기 제1 검사 패드부(VIP1) 및 상기 제2 검사 패드부(VIP2)와 연결되고, 상기 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 각각 상기 제1 구동 패드부(DIP1) 및 상기 제2 구동 패드부(DIP2)와 연결된다. 3 to 5, a first inspection switching unit VIT1, a second inspection switching unit VIT2, first and second inspection signal lines 154a and 154b are formed in the driving chip mounting area DIA, The first and second driving signal lines 124a and 124b and the first inspection pad unit VIP1 and the second inspection pad unit VIP2 and the first driving pad unit DIP1 and the second driving pad unit DIP2) are formed. The first electrostatic dispersion interconnections 176a and 178a are connected to the first test pad unit VIP1 and the second test pad unit VIP2 respectively and the second electrostatic dispersion interconnections 176a and 178b are connected to the first test pad unit VIP1 and the second test pad unit VIP2, Are connected to the first driving pad portion DIP1 and the second driving pad portion DIP2, respectively.

상기 제1 및 제2 검사용 스위칭부(VIT1, VIT2)는 상기 VI 공정 이후 전기적으로 오프된 상태를 유지하고, 오프된 상태의 상기 제1 및 제2 검사용 스위칭부(VIT1, VIT2)를 포함하는 상기 구동칩 실장 영역(DIA)에는 상기 구동칩이 실장된다. The first and second switching units VIT1 and VIT2 are electrically turned off after the step VI and include the first and second switching units VIT1 and VIT2 in an off state And the driving chip is mounted on the driving chip mounting area (DIA).

구체적으로, 상기 제1 검사용 스위칭부(VIT1)는 상기 제1 검사신호 배선(154a) 및 상기 제1 구동신호 배선(124a)과 연결된 제1 검사용 스위칭 소자(VI-TFT1)들을 포함하고, 상기 제2 검사용 스위칭부(VIT2)는 상기 제2 검사신호 배선(154b) 및 상기 제2 구동신호 배선(124b)과 연결된 제2 검사용 스위칭 소자(VI-TFT2)들을 포함한다. 상기 제1 검사용 스위칭 소자(VI-TFT1)는 게이트 전극(VG), 상기 게이트 전극(VG) 상에 형성된 소스 전극(VS) 및 드레인 전극(VG)을 포함한다. Specifically, the first inspection switching unit VIT1 includes the first inspection signal wiring 154a and the first inspection switching element VI-TFT1 connected to the first driving signal wiring 124a, The second switching unit for inspection VIT2 includes a second inspection switching element VI-TFT2 connected to the second inspection signal wiring 154b and the second driving signal wiring 124b. The first switching element for inspection VI-TFT1 includes a gate electrode VG, a source electrode VS formed on the gate electrode VG, and a drain electrode VG.

상기 제1 검사 패드부(VIP1)는 상기 제1 검사신호 배선(154a)의 일단부에 형성된다. 상기 제1 검사 패드부(VIP1)는 상기 제1 검사신호 배선(154a)과 연결된 제1 검사 전극(152a)과, 상기 제1 검사 전극(152a)과 전기적으로 연결된 제1 검사 패드 전극(172a)을 포함한다. 상기 제1 검사 패드 전극(172a)은 일 제1 정전기 분산 배선(176a)과 연결된다. 상기 제2 검사 패드부(VIP2)는 상기 제2 검사신호 배선(154b)의 일단부에 형성된다. 상기 제2 검사 패드부(VIP2)는 상기 제2 검사신호 배선(154b)과 연결된 제2 검사 전극(152b)과, 상기 제2 검사 전극(152b)과 전기적으로 연결된 제2 검사 패드 전극(172b)을 포함한다. 상기 제2 검사 패드 전극(172b)은 상기 일 제1 정전기 분산 배선(176a)과 다른 제1 정전기 분산 배선(178a)과 연결된다. 상기 제1 정전기 분산 배선들(176a, 178a)은 상기 공통전압 배선(VCL) 상에 상기 공통전압 배선(VCL)과 일부 중첩되어 형성된다. The first test pad unit VIP1 is formed at one end of the first test signal line 154a. The first test pad unit VIP1 includes a first test electrode 152a connected to the first test signal line 154a and a first test pad electrode 172a electrically connected to the first test electrode 152a, . The first test pad electrode 172a is connected to the first electrostatic dispersion wiring 176a. The second inspection pad portion VIP2 is formed at one end of the second inspection signal wiring 154b. The second inspection pad unit VIP2 includes a second inspection electrode 152b connected to the second inspection signal wiring 154b and a second inspection pad electrode 172b electrically connected to the second inspection electrode 152b. . The second test pad electrode 172b is connected to the first electrostatic dispersion wiring 178a which is different from the first electrostatic dispersion wiring 176a. The first electrostatic dispersion interconnects 176a and 178a are partially overlapped with the common voltage interconnection VCL on the common voltage interconnection VCL.

상기 제1 구동 패드부(DIP1)는 상기 제1 구동신호 배선(124a)의 일단부에 형성된다. 상기 제1 구동 패드부(DIP1)는 상기 제1 구동신호 배선(124a)과 연결된 제1 구동 전극(122a)과, 상기 제1 구동 전극(122a) 상에 형성된 제1 소스 금속 패턴(156a)과, 상기 소스 금속 패턴(156a)과 접촉하여 상기 제1 구동 전극(122a)과 전기적으로 연결된 제1 구동 패드 전극(174a)을 포함한다. 상기 제1 구동 패드 전극(174a)은 일 제2 정전기 분산 배선(176b)과 연결된다. 상기 제2 구동 패드부(DIP2)는 상기 제2 구동신호 배선(124b)의 일단부에 형성된다. 상기 제2 구동 패드부(DIP2)는 상기 제2 구동신호 배선(124b)과 연결된 제2 구동 전극(미도시)과, 상기 제2 구동 전극 상에 형성된 제2 소스 금속 패턴(156b)과, 상기 제2 소스 금속 패턴(156b)과 접촉하여 상기 제2 구동 전극과 전기적으로 연결된 제2 구동 패드 전극(174b)을 포함한다. 상기 제2 구동 패드 전극(174b)은 상기 일 제2 정전기 분산 배선(176b)과 다른 제2 정전기 분산 배선(178b)과 연결된다. 상기 제2 정전기 분산 배선들(176b, 178b)은 상기 공통전압 배선(VCL) 상에 상기 공통전압 배선(VCL)과 일부 중첩되어 형성된다. The first driving pad portion DIP1 is formed at one end of the first driving signal line 124a. The first driving pad unit DIP1 includes a first driving electrode 122a connected to the first driving signal line 124a and a first source metal pattern 156a formed on the first driving electrode 122a. And a first driving pad electrode 174a which is in contact with the source metal pattern 156a and is electrically connected to the first driving electrode 122a. The first driving pad electrode 174a is connected to the second electrostatic dispersion wiring 176b. The second driving pad portion DIP2 is formed at one end of the second driving signal line 124b. The second driving pad DIP2 includes a second driving electrode (not shown) connected to the second driving signal line 124b, a second source metal pattern 156b formed on the second driving electrode, And a second driving pad electrode 174b electrically connected to the second driving electrode in contact with the second source metal pattern 156b. The second driving pad electrode 174b is connected to the second electrostatic dispersion wiring 178b different from the second electrostatic dispersion wiring 176b. The second electrostatic dispersion interconnects 176b and 178b are formed on the common voltage interconnection VCL partially overlapped with the common voltage interconnection VCL.

상기 표시 기판(102)은 상기 게이트 전극(VG) 상에 형성된 게이트 절연층(130), 상기 게이트 전극(VG)과 대응하는 상기 게이트 절연층(130) 상에 순차적으로 형성된 반도체층(142) 및 오믹 콘택층(144), 상기 소스 전극(VS) 및 상기 드레인 전극(VG) 상에 형성된 패시베이션층(160) 및 상기 패시베이션층(160) 상에 형성된 유기층(OL)을 포함한다. The display substrate 102 includes a gate insulating layer 130 formed on the gate electrode VG, a semiconductor layer 142 sequentially formed on the gate insulating layer 130 corresponding to the gate electrode VG, A passivation layer 160 formed on the ohmic contact layer 144, the source electrode VS and the drain electrode VG and an organic layer OL formed on the passivation layer 160.

상기 유기층(OL)은 상기 표시 영역(DA), 상기 제1 및 제2 주변 영역(PA1, PA2)에 형성되고, 상기 제1 및 제2 검사용 스위칭부(VIT1, VIT2)를 커버한다. 상기 유기층(OL)은 상기 제1 소스 금속 패턴(156a) 및 상기 제1 검사 전극(152a)을 노출시키는 홀 패턴들을 포함한다. 상기 유기층(OL)의 상기 홀 패턴들을 통해 상기 제 소스 금속 패턴(156a)과 제1 구동 패드 전극(174a)이 전기적으로 연결되고, 상기 제1 검사 전극(152a)이 상기 제1 검사 패드 전극(172a)과 전기적으로 연결된다. The organic layer OL is formed on the display area DA and the first and second peripheral areas PA1 and PA2 and covers the first and second inspection switching parts VIT1 and VIT2. The organic layer OL includes hole patterns that expose the first source metal pattern 156a and the first test electrode 152a. The source metal pattern 156a and the first driving pad electrode 174a are electrically connected through the hole patterns of the organic layer OL and the first testing electrode 152a is electrically connected to the first testing pad electrode 172a.

상기 제1 및 제2 정전기 분산 배선들(176a, 178a, 176b, 178b)은 상기 제1 주변 영역(PA1) 상에 형성된 상기 유기층(OL) 상에 형성된다. 상기 제1 주변 영역(PA1) 상에 형성된 상기 유기층(OL)의 제1 두께는 상기 표시 영역(DA)에 형성된 상기 유기층(OL)의 제2 두께와 동일할 수 있다. 이와 달리, 상기 유기층(OL)의 상기 제1 두께는 상기 제2 두께보다 얇게 형성될 수 있다. The first and second electrostatic dispersion interconnects 176a, 178a, 176b and 178b are formed on the organic layer OL formed on the first peripheral region PA1. The first thickness of the organic layer OL formed on the first peripheral area PA1 may be equal to the second thickness of the organic layer OL formed on the display area DA. Alternatively, the first thickness of the organic layer OL may be less than the second thickness.

상기 제1 및 제2 정전기 분산 배선들(176a, 178a, 176b, 178b)은 표시기판용 모기판의 쇼팅 바(미도시)와 연결되어 형성된 후, 상기 표시기판용 모기판의 커팅 공정에서 상기 쇼팅 바와 분리되어 상기 표시기판(102)에 잔류한다. 상기 제1 및 제2 정전기 분산 배선들(176a, 178a, 176b, 178b)은 상기 쇼팅 바와 연결되고 상기 검사 패드부들(VIP1, VIP2) 및 상기 구동 패드부들(DIP1, DIP2)로부터 상기 표시기판용 모기판으로 유입된 전하들을 상기 표시기판용 모기판의 전체에 분산시켜 정전기에 의한 상기 표시기판용 모기판의 손상을 방지할 수 있다. 또한, 상기 제3 정전기 분산 배선(179)이 상기 쇼팅 바와 연결되어 정전기에 의한 상기 표시기판용 모기판의 손상을 방지할 수 있다. The first and second electrostatic dispersion wirings 176a, 178a, 176b and 178b are connected to a shorting bar (not shown) of the mother substrate for a display substrate, And remains on the display substrate 102 separately. The first and second electrostatic dispersion interconnections 176a, 178a, 176b and 178b are connected to the shorting bar and are connected to the test board portions VIP1 and VIP2 and the driving pad portions DIP1 and DIP2, Charges introduced into the board can be dispersed throughout the mother board for the display board to prevent damage to the mother board for display board due to static electricity. In addition, the third electrostatic dispersion wiring 179 is connected to the shorting bar to prevent damage to the display mother board due to static electricity.

상기 표시 기판(102)의 상기 제1 주변 영역(PA1)에 상기 유기층(OL)을 형성함으로써 상기 공통전압 배선(VCL)과, 상기 제1 및 제2 정전기 분산 배선들(176a, 178a, 176b, 178b) 간의 간격이 상대적으로 넓어진다. 이에 따라, 상기 공통전압 배선(VCL)이 상기 제1 및 제2 정전기 분산 배선들(176a, 178a, 176b, 178b)과 중첩되도록 디자인되는 경우, 상기 유기층(OL)을 형성함으로써 상기 VI 공정에서 상기 공통전압 배선(VCL)으로 전달되는 상기 공통전압 신호와, 상기 검사 패드부들(VIP1, VIP2) 및 상기 구동 패드부들(DIP1, DIP2)이 인가하는 게이트 검사 신호 및 데이터 검사 신호들 간에 커플링의 발생을 최소화할 수 있다. The common voltage wiring VCL and the first and second electrostatic dispersion wirings 176a, 178a, 176b, and 176b are formed by forming the organic layer OL in the first peripheral area PA1 of the display substrate 102, 178b are relatively widened. Accordingly, when the common voltage wiring VCL is designed to overlap with the first and second electrostatic dispersion interconnects 176a, 178a, 176b, and 178b, the organic layer OL is formed, Coupling between the common voltage signal transmitted to the common voltage wiring line VCL and the gate inspection signal and data inspection signals applied from the inspection pad units VIP1 and VIP2 and the driving pad units DIP1 and DIP2 Can be minimized.

또한, 상기 패시베이션층(OL) 상에 상기 유기층(OL)을 형성함으로써 상기 검사용 스위칭 소자들의 각 소스 전극 및 드레인 전극을 상기 패시베이션층(160) 및 상기 유기층(OL)으로 커버할 수 있다. 이에 따라, 외부로부터 유입된 전하들에 의해 정전기가 발생하는 것을 방지하고, 상기 정전기에 의한 상기 검사용 스위칭 소자들의 손상을 방지할 수 있다. In addition, by forming the organic layer OL on the passivation layer OL, each of the source electrode and the drain electrode of the switching elements for inspection can be covered with the passivation layer 160 and the organic layer OL. Accordingly, it is possible to prevent the static electricity from being generated by the charges introduced from the outside, and to prevent the damage of the inspection switching elements due to the static electricity.

도 6a 내지 도 9b는 본 발명에 따른 표시기판용 모기판의 제조 방법을 설명 하기 위한 공정도들이다. 6A to 9B are process charts for explaining a method of manufacturing a mother substrate for a display substrate according to the present invention.

도 6a 및 도 6b를 참조하면, 표시기판용 모기판(200)의 베이스 모기판(210)은 어레이층이 형성된 복수의 어레이 영역(AA)들과, 서로 인접한 어레이 영역(AA)들 사이의 영역은 외곽 영역(SA)을 포함한다. 6A and 6B, the base mother substrate 210 of the mother substrate 200 for a display substrate includes a plurality of array regions AA in which an array layer is formed and a plurality of array regions AA between adjacent array regions AA Includes an outer area SA.

각 어레이 영역(AA)은 화상을 표시하는 표시 영역(DA)과, 상기 표시 영역(DA)을 둘러싸는 주변 영역(PA)을 포함한다. 상기 어레이층은 상기 표시 영역(DA)에 형성된 게이트 배선(미도시) 및 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과, 상기 주변 영역(PA)에 형성된 검사신호 배선들과, 구동신호 배선들과, 전압 전극(SPE)을 포함한다. Each array area AA includes a display area DA for displaying an image and a peripheral area PA surrounding the display area DA. The array layer includes a gate wiring (not shown) formed in the display area DA, a data wiring crossing the gate wiring and defining a pixel region, inspection signal wirings formed in the peripheral area PA, Wires, and a voltage electrode (SPE).

상기 베이스 모기판(210)을 각 어레이 영역(AA) 단위로 커팅하는 커팅 공정을 통해 상기 베이스 모기판(210)의 상기 각 어레이 영역(AA)은 하나의 표시기판(100)으로 형성된다. 상기 베이스 모기판(210)의 일 방향으로 연장된 커팅 라인을 제1 커팅 라인(CL1)으로 정의하고, 상기 일 방향과 수직한 방향으로 연장된 커팅 라인을 제2 커팅 라인(CL2)으로 정의한다 상기 제1 및 제2 커팅 라인(CL1, CL2)은 상기 커팅 공정에서 상기 표시기판용 모기판(200)을 커팅할 수 있는 가상의 라인에 해당한다. Each of the array areas AA of the base mother substrate 210 is formed as one display substrate 100 through a cutting process of cutting the base mother substrate 210 into each array area AA. A cutting line extending in one direction of the base mother substrate 210 is defined as a first cutting line CL1 and a cutting line extending in a direction perpendicular to the one direction is defined as a second cutting line CL2 The first and second cutting lines CL1 and CL2 correspond to virtual lines capable of cutting the display mother board 200 during the cutting process.

이하, 도 6a 내지 도 9에서는 상기 화소 스위칭 소자(PTFT)와, 상기 검사신호 배선들 중 제1 검사신호 배선과 연결된 제1 검사 전극과, 상기 구동신호 배선들 중 제1 구동신호 배선과 연결된 제1 구동 전극을 예로 들어 도면으로 도시하여 설명하도록 한다. Hereinafter, FIGS. 6A to 9 illustrate the case where the pixel switching element (PTFT), the first inspection electrode connected to the first inspection signal wiring among the inspection signal wiring lines, the first inspection electrode connected to the first driving signal wiring among the driving signal wiring lines 1 drive electrode as an example.

도 6b를 참조하면, 상기 베이스 모기판(210) 상에 게이트 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 게이트 패턴을 형성한다. 상기 게이트 패턴은 패터닝된 상기 게이트 금속층은 상기 화소 스위칭 소자(PTFT)의 게이트 전극(GE)과, 상기 제1 검사신호 배선과 연결된 상기 제1 검사 전극(122a)을 포함한다. Referring to FIG. 6B, a gate metal layer (not shown) is formed on the base mother substrate 210, and the gate metal layer is patterned to form a gate pattern. The patterned gate metal layer includes a gate electrode GE of the pixel switching element PTFT and the first test electrode 122a connected to the first test signal line.

상기 게이트 패턴을 포함하는 상기 베이스 모기판(210) 상에 게이트 절연층(130)을 형성한다. 상기 게이트 절연층(130)은 예를 들어, 질화 실리콘(SiNx)으로 형성될 수 있다. A gate insulating layer 130 is formed on the base mosquito plate 210 including the gate pattern. The gate insulating layer 130 may be formed of, for example, silicon nitride (SiNx).

상기 게이트 절연층(130)이 형성된 상기 베이스 모기판(210) 상에 반도체층(142) 및 오믹 콘택층(144)을 순차적으로 적층시키고, 상기 반도체층(142) 및 상기 오믹 콘택층(144)을 패터닝한다. 패터닝된 상기 반도체층(142) 및 상기 오믹 콘택층(144)은 상기 게이트 전극(GE)과 중첩되도록 상기 게이트 전극(GE) 상의 상기 게이트 절연층(130) 상에 형성된다.A semiconductor layer 142 and an ohmic contact layer 144 are sequentially stacked on the base mosquito plate 210 on which the gate insulating layer 130 is formed and the semiconductor layer 142 and the ohmic contact layer 144 are sequentially stacked. Is patterned. The patterned semiconductor layer 142 and the ohmic contact layer 144 are formed on the gate insulating layer 130 on the gate electrode GE so as to overlap with the gate electrode GE.

이어서, 상기 베이스 모기판(210) 상에 소스 금속층(미도시)을 형성하고, 상기 소스 금속층을 패터닝하여 소스 패턴을 형성한다. 상기 소스 패턴은 상기 화소 스위칭 소자(PTFT)의 소스 전극(SE)과, 상기 소스 전극(SE)과 이격된 드레인 전극(DE)과, 상기 제1 구동 신호 배선과 연결된 상기 제1 구동 전극(152a)을 포함한다. 상기 소스 전극(SE) 및 상기 드레인 전극(DE)은 상기 패터닝된 반도체층(142) 및 오믹 콘택층(144) 상에 형성되고 상기 게이트 전극(GE)과 중첩되도록 형성된다. Next, a source metal layer (not shown) is formed on the base mosquito plate 210, and the source metal layer is patterned to form a source pattern. The source pattern includes a source electrode SE of the pixel switching element PTFT, a drain electrode DE spaced apart from the source electrode SE, a first driving electrode 152a connected to the first driving signal line ). The source electrode SE and the drain electrode DE are formed on the patterned semiconductor layer 142 and the ohmic contact layer 144 and overlap with the gate electrode GE.

상기 소스 패턴이 형성된 상기 베이스 모기판(210) 상에 패시베이션층(160) 을 형성한다. 상기 패시베이션층(160)은 예를 들어, 질화 실리콘(SiNx)으로 형성될 수 있다. 상기 패시베이션층(160)이 형성된 상기 베이스 모기판(210) 상에 유기층(OL)을 형성한다. A passivation layer 160 is formed on the base mosquito plate 210 on which the source pattern is formed. The passivation layer 160 may be formed of, for example, silicon nitride (SiNx). An organic layer OL is formed on the base mosquito plate 210 on which the passivation layer 160 is formed.

도 7a 및 도 7b를 참조하면, 상기 드레인 전극(DE) 및 상기 제1 신호 전극(152a) 상의 상기 유기층(OL) 및 상기 패시베이션층(160)을 제거하고, 상기 제1 구동 전극(122a) 상의 상기 유기층(OL), 상기 패시베이션층(160) 및 상기 게이트 절연층(130)을 제거한다. 이에 따라, 상기 드레인 전극(DE)의 일단부가 노출되고, 상기 제1 신호 전극(152a) 및 상기 제1 구동 전극(122a)이 노출되는 홀 패턴들이 형성된다. 7A and 7B, the organic layer OL and the passivation layer 160 on the drain electrode DE and the first signal electrode 152a are removed, and the organic layer OL and the passivation layer 160 on the first driving electrode 122a are removed. The organic layer OL, the passivation layer 160, and the gate insulating layer 130 are removed. Thus, one end of the drain electrode DE is exposed, and hole patterns are formed in which the first signal electrode 152a and the first driving electrode 122a are exposed.

이와 달리, 도 7c를 참조하면, 상기 유기층(OL)은 상기 표시 영역(DA)에 제1 두께(a)로 형성된 제1 두께부와, 상기 주변 영역(PA)에 제2 두께(b)로 형성된 제1 두께부를 포함할 수 있다. 상기 제1 두께부의 상기 제1 두께(a)는 상기 제2 두께부의 상기 제2 두께(b)보다 두껍게 형성될 수 있다. 일례로, 초기에 도포된 초기 유기층에 조사되는 광을 차단하여 상기 제1 두께부를 형성하고, 상기 초기 유기층에 조사되는 광을 부분적으로 차단하여 상기 제2 두께부를 형성할 수 있다. 상기 제1 두께(a)는 초기에 도포된 유기층의 두께와 동일하고, 상기 제2 두께(b)는 상기 초기에 도포된 유기층의 두께보다 얇게 형성될 수 있다. 7C, the organic layer OL includes a first thickness portion formed in the display region DA with a first thickness a and a second thickness portion formed in the peripheral region PA with a second thickness b. And may include a first thickness portion formed. The first thickness a of the first thickness portion may be greater than the second thickness b of the second thickness portion. For example, the first thickness portion may be formed by intercepting the light irradiated to the initial organic layer, which is initially applied, and the second thickness portion may be formed by partially blocking light emitted to the initial organic layer. The first thickness a may be the same as the thickness of the organic layer initially applied, and the second thickness b may be less than the thickness of the organic layer applied initially.

상기 홀 패턴들이 형성된 상기 유기층(OL)을 포함하는 상기 베이스 모기판(210) 상에 투명 전극층(미도시)을 형성한다. 상기 투명 전극층은 투명하고 도전성이 있는 물질로 형성될 수 있다. 상기 투명 전극층은 예를 들어, 인듐 징크 옥사 이드(Indium Zinc Oxide : IZO), 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO)로 형성될 수 있다.A transparent electrode layer (not shown) is formed on the base mosquito plate 210 including the organic layer OL having the hole patterns formed thereon. The transparent electrode layer may be formed of a transparent and conductive material. The transparent electrode layer may be formed of, for example, Indium Zinc Oxide (IZO) or Indium Tin Oxide (ITO).

도 7a 내지 도 8b를 참조하면, 상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 화소 스위칭 소자(PTFT)와 전기적으로 연결된 화소 전극(PE)과, 상기 외곽 영역(SA)에 형성되어 상기 각 어레이 영역(AA)을 둘러싸는 쇼팅 바(STB)와, 상기 제1 신호 전극(152a)과 접촉하는 제1 신호 패드 전극(172a)과, 상기 제1 구동 전극(122a)과 접촉하는 제1 구동 패드 전극(174a)과, 제1 정전기 분산 배선(176a) 및 제2 정전기 분산 배선(176b)을 형성한다. 상기 제1 정전기 분산 배선(176a) 및 상기 제2 정전기 분산 배선(176b)은 별도의 공정 추가 없이도 상기 쇼팅 바(STB)를 형성하는 공정에서 상기 쇼팅 바(STB)와 연결되어 형성될 수 있어 비용 및 공정의 복잡화에 대한 부담을 최소화할 수 있다. 7A and 8B, a pixel electrode (PE) electrically connected to the pixel switching element (PTFT) by patterning the transparent electrode layer and a pixel electrode PE formed on the outer area SA, A first signal pad electrode 172a contacting the first signal electrode 152a and a first driving pad electrode 174a contacting the first driving electrode 122a, The first electrostatic dispersion wiring 176a and the second electrostatic dispersion wiring 176b are formed. The first electrostatic dispersion wiring 176a and the second electrostatic dispersion wiring 176b may be formed in connection with the shorting bar STB in the process of forming the shorting bar STB without any additional process, And the burden on the process complexity can be minimized.

상기 제1 정전기 분산 배선(176a)은 상기 제1 신호 패드 전극(172a)과 연결되고, 상기 제1 정전기 분산 배선(176a)은 상기 제1 신호 패드 전극(172a)을 상기 쇼팅 바(STB)와 연결한다. 상기 제2 정전기 분산 배선(176b)은 상기 제1 구동 패드 전극(174a)과 연결되고, 상기 제2 정전기 분산 배선(176b)은 상기 제1 구동 패드 전극(176a)과 상기 쇼팅 바(STB)를 연결한다. 상기 제1 및 제2 정전기 분산 배선(176a, 176b)은 예를 들어, 상기 제2 커팅 라인(CL2)과 평행하게 배치된 상기 쇼팅 바(STB)와 연결된다. The first electrostatic dispersion wiring 176a is connected to the first signal pad electrode 172a and the first electrostatic dispersion wiring 176a connects the first signal pad electrode 172a to the shorting bar STB Connect. The second electrostatic dispersion wiring 176b is connected to the first driving pad electrode 174a and the second electrostatic dispersion wiring 176b is connected to the first driving pad electrode 176a and the shorting bar STB Connect. The first and second electrostatic dispersion wirings 176a and 176b are connected to the shorting bar STB arranged in parallel with the second cutting line CL2, for example.

또한, 상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 전압 전극(SPE)과 전기적으로 연결된 전압 패드 전극(SPTE)과, 제3 정전기 분산 배선(179)을 형성한다. 상기 제3 정전기 분산 배선(179)은 상기 전압 패드 전극(SPTE)과 연결되고, 상기 전압 패드 전극(SPTE)을 상기 쇼팅 바(STB)와 연결한다. 상기 제3 정전기 분산 배선(179)은 예를 들어, 상기 제1 커팅 라인(CL1)과 평행하게 배치되거나 상기 제1 커팅 라인(CL1)과 중첩되는 상기 쇼팅 바(STB)와 연결된다. In addition, the transparent electrode layer is patterned to form a voltage pad electrode (SPTE) electrically connected to the voltage electrode (SPE) and a third electrostatic dispersion wiring (179). The third electrostatic dispersion wiring 179 is connected to the voltage pad electrode SPTE and connects the voltage pad electrode SPTE to the shorting bar STB. The third electrostatic dispersion wiring 179 is connected to the shorting bar STB which is disposed in parallel with the first cutting line CL1 or overlapped with the first cutting line CL1, for example.

한편, 도 8a를 참조하면, 상기 전압 전극(SPE)과 전기적으로 연결된 공통전압 배선(VCL)이 상기 주변 영역(PA)에 배치된다. 상기 공통전압 배선(VCL)은 예를 들어, 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 형성할 수 있다. 상기 공통전압 배선(VCL) 상에 상기 유기층(OL)이 형성되고, 상기 유기층(OL) 상에 상기 제1 정전기 분산 배선(176a) 및 상기 제2 정전기 분산 배선(176b)이 형성된다. Referring to FIG. 8A, a common voltage line VCL electrically connected to the voltage electrode SPE is disposed in the peripheral area PA. The common voltage wiring VCL may be formed, for example, by patterning the gate metal layer. The organic layer OL is formed on the common voltage wiring VCL and the first electrostatic dispersion wiring 176a and the second electrostatic dispersion wiring 176b are formed on the organic layer OL.

이와 달리, 도 6a 및 도 5를 참조하여 도 5에 도시된 상기 제1 구동 패드부(DIP1)를 형성하기 위해서는 상기 제1 구동 전극(122a) 상에 상기 게이트 절연층(130)을 형성하고, 상기 게이트 절연층(130)을 식각하여 상기 제1 구동 전극(122a)을 노출시키는 홀을 형성한다. 상기 홀이 형성된 상기 게이트 절연층(130)을 포함하는 상기 베이스 모기판(210) 상에 상기 소스 금속층을 형성하고, 상기 소스 금속층을 패터닝하여 제1 소스 금속 패턴(156a)을 형성한다. 상기 제1 구동 전극(122a)과 상기 제1 소스 금속 패턴(156a)이 상기 게이트 절연층(130)의 홀을 통해 접촉하고, 도 6a와 같이 상기 제1 소스 금속 패턴(156a)이 형성된 상기 베이스 모기판(210) 상에 상기 패시베이션층(160) 및 상기 유기층(OL)을 순차적으로 적층시킨다. 상기 제1 소스 금속 패턴(156a) 상의 상기 유기층(OL) 및 상기 패시베이션층(160)을 식각하여 상기 제1 소스 금속 패턴(156a)을 노출시킨다. 이어서, 상기 유기층(OL) 상에 형성된 상기 투명 전극층을 패터닝하여 상기 제1 소스 금속 패턴(156a)과 접촉하는 상기 제1 구동 패드 전극(174a)과, 상기 제1 구동 패드 전극(174a)과 연결된 상기 제2 정전기 분산 배선(176b)과, 상기 쇼팅 바(STB)를 형성한다.6A and FIG. 5, in order to form the first driving pad portion DIP1 shown in FIG. 5, the gate insulating layer 130 is formed on the first driving electrode 122a, The gate insulating layer 130 is etched to form holes for exposing the first driving electrode 122a. The source metal layer is formed on the base mosquito plate 210 including the gate insulating layer 130 having the holes and the source metal layer is patterned to form a first source metal pattern 156a. The first driving electrode 122a and the first source metal pattern 156a are in contact with each other through the holes of the gate insulating layer 130 and the first source metal pattern 156a, The passivation layer 160 and the organic layer OL are sequentially stacked on the mother substrate 210. [ The organic layer OL and the passivation layer 160 on the first source metal pattern 156a are etched to expose the first source metal pattern 156a. The first driving pad electrode 174a and the first driving pad electrode 174a, which are in contact with the first source metal pattern 156a, are patterned by patterning the transparent electrode layer formed on the organic layer OL, The second electrostatic dispersion wiring 176b, and the shorting bar STB are formed.

도면으로 도시하지는 않았으나 상기 표시기판용 모기판(200)의 제조 공정은 패터닝된 상기 투명 전극층이 형성된 상기 베이스 모기판(210) 상에 배향막을 형성하는 공정을 더 포함한다. 상기 배향막을 형성하기 위해서는 예를 들어, 폴리이미드(Polyimide: PI) 등으로 이루어진 폴리머층을 형성한 후, 러빙 포(Rubbing Cloth)를 이용하여 상기 폴리머층을 러빙(Rubbing)하는 러빙 공정을 통해 형성할 수 있다. 이와 달리, 상기 배향막은 배향 패턴이 형성된 인쇄기를 이용하여 별도의 러빙 공정없이 상기 베이스 모기판(200) 상에 인쇄하여 형성할 수 있다. Although not shown in the drawings, the manufacturing process of the mother substrate 200 for the display substrate further includes a step of forming an alignment film on the base mother substrate 210 on which the transparent electrode layer is formed. In order to form the alignment layer, for example, a polymer layer made of polyimide (PI) or the like is formed, and then the polymer layer is rubbed using a rubbing cloth to form can do. Alternatively, the alignment layer may be formed by printing on the base mosquito plate 200 without using a rubbing process using a printing machine having an alignment pattern.

상기 러빙 공정에서는 상기 표시기판용 모기판(200)과 상기 러빙 포 사이의 마찰로 인해 상기 표시기판용 모기판(200)과 상기 러빙 포가 대전된다. 또한, 상기 인쇄 공정에서는 상기 표시기판용 모기판(200)과 상기 인쇄기의 마찰로 인해 상기 표시기판용 모기판(200)과 상기 인쇄기가 대전된다. 이에 따라, 상기 러빙 포 또는 상기 인쇄기에 차지(Charge)된 전하들이 상기 표시기판용 모기판(200)으로 방전되고, 상기 전하들은 상기 제1 검사 패드 전극(172a) 및 상기 제1 구동 패드 전극(174a)을 통해 상기 표시기판용 모기판(200)의 내부로 유입된다. 또한, 상기 전하들은 상기 전압 패드 전극(SPTE)을 통해 상기 표시기판용 모기판(200)의 내부로 유입된다. 상기 제1 정전기 분산 배선(176a), 상기 제2 정전기 분산 배선(176b) 및 상기 제3 정전기 분산 배선(179)은 상기 표시기판용 모기판(200)의 내부로 유입되는 전하들을 상기 쇼팅 바(STB)를 통해 상기 표시기판용 모기판(200)의 전체에 분산시킬 수 있다. 이에 따라, 상기 외부로부터 유입되는 전하들이 상기 표시기판용 모기판(200)의 특정 부분에서 집중되어 정전기가 발생하는 것을 방지할 수 있다. In the rubbing process, the rubbing cloth 200 and the rubbing cloth 200 are electrically charged due to friction between the display substrate mother substrate 200 and the rubbing cloth. In addition, in the printing process, the display mother plate 200 and the printer are charged due to the friction between the display mother plate 200 and the printing press. Charges charged in the rubbing cloth or the printing machine are discharged to the mother substrate 200 for the display substrate and the charges are discharged to the first test pad electrode 172a and the first drive pad electrode 174a to the inside of the mother substrate 200 for the display substrate. Further, the charges are introduced into the mother substrate 200 through the voltage pad electrode SPTE. The first electrostatic dispersion wirings 176a, the second electrostatic dispersion wirings 176b and the third electrostatic dispersion wirings 179 transfer the electric charges flowing into the inside of the display mother board 200 to the shorting bar STB to the entire mother substrate 200 for the display substrate. Accordingly, it is possible to prevent static charges from being generated due to concentration of charges introduced from the outside at a specific portion of the display mother board 200.

이어서, 상기 배향막이 형성된 상기 표시기판용 모기판(200)을 컬러필터들을 포함하는 컬러필터 기판용 모기판(미도시)과 결합시킨다. 결합된 상기 표시기판용 모기판(200) 및 상기 컬러필터 기판용 모기판을 표시 셀 단위로 커팅한다. Subsequently, the mother substrate 200 for the display substrate on which the alignment film is formed is bonded to a mother substrate (not shown) for a color filter substrate including color filters. The coupled mother substrate 200 for the display substrate and the mother substrate for the color filter substrate are cut in units of display cells.

도 9를 참조하면, 상기 표시 셀은 상기 표시기판용 모기판(200)으로부터 분리된 표시기판(100)을 포함한다. 상기 표시기판(100)에는 상기 주변 영역(PA)에 형성된 상기 제1 정전기 분산 배선(176a), 상기 제2 정전기 분산 배선(176b) 및 상기 제3 정전기 분산 배선(179)이 잔류된다.Referring to FIG. 9, the display cell includes a display substrate 100 separated from the display mother substrate 200. The first electrostatic dispersion wiring 176a, the second electrostatic dispersion wiring 176b and the third electrostatic dispersion wiring 179 formed in the peripheral area PA are left on the display substrate 100. [

이와 같은 표시기판 및 표시기판용 모기판의 제조 방법에 따르면, 표시 영역의 주변 영역에 제1 정전기 분산 배선을 형성함으로써 검사 패드부의 검사 패드 전극과 쇼팅 바를 연결할 수 있다. 상기 검사 패드부를 통해 유입된 전하들을 상기 쇼팅 바를 통해 대면적으로 분산시킴으로써 정전기의 발생을 방지할 수 있다. 또한, 상기 주변 영역에 유기층을 형성함으로써 정전기로부터 검사용 스위칭부를 보호하고, 상기 검사 패드부로 인가되는 검사 신호들과 공통전압 배선을 통해 전달되는 공통전압 신호간의 간섭을 최소화할 수 있다. 이에 따라, 정전기에 의한 표시기판용 모기판의 손상을 방지하여 제품 및 제조 공정의 신뢰성을 향상시킬 수 있다. According to such a manufacturing method of a mother board for a display substrate and a display substrate, it is possible to connect the shorting bar to the test pad electrode of the test pad by forming the first electrostatic dispersion wiring in the peripheral area of the display area. The electric charges can be prevented from being generated by dispersing the charges flowing through the inspection pad portion over a large area through the shorting bar. In addition, by forming the organic layer in the peripheral region, it is possible to protect the inspection switching unit from static electricity and to minimize the interference between the inspection signals applied to the inspection pad unit and the common voltage signal transmitted through the common voltage wiring. Thus, damage to the mother substrate for the display substrate due to static electricity can be prevented, and reliability of the product and the manufacturing process can be improved.

이상 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the invention as defined in the appended claims. It will be possible.

Claims (29)

베이스 기판의 표시 영역에 형성된 금속 배선들;Metal wires formed in a display region of the base substrate; 상기 표시 영역의 주변 영역에 형성되며 검사 신호를 상기 금속 배선들에 전달하는 검사용 스위칭부;A test switching unit formed in a peripheral region of the display region and transmitting an inspection signal to the metal wirings; 상기 검사용 스위칭부와 전기적으로 연결되어 상기 검사 신호가 인가되며, 검사 전극과, 상기 검사 전극과 전기적으로 연결된 검사 패드 전극을 포함하는 검사 패드부; A test pad unit electrically connected to the inspection switching unit to receive the inspection signal and including a test electrode and a test pad electrode electrically connected to the test electrode; 상기 검사 패드부로부터 상기 베이스 기판의 일단까지 연장된 제1 정전기 분산 배선; 및A first electrostatic dispersion wiring extending from the test pad portion to one end of the base substrate; And 상기 검사용 스위칭부와 연결되어 상기 검사용 스위칭부로 상기 검사 신호를 전달하고 상기 검사 전극과 연결되며 상기 검사 패드부로부터 연장된 검사신호 배선을 포함하는 표시기판. And an inspection signal line connected to the switching unit for inspection and transmitting the inspection signal to the inspection switching unit and connected to the inspection electrode and extending from the inspection pad unit. 삭제delete 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 제1 정전기 분산 배선은 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the first electrostatic- 상기 검사 패드 전극과 동일한 금속층으로 형성되어 상기 검사 패드 전극과 연결된 것을 특징으로 하는 표시기판.Wherein the test pad electrode is formed of the same metal layer as the test pad electrode and is connected to the test pad electrode. 제1항에 있어서, 상기 검사용 스위칭부와 전기적으로 연결되어 상기 검사용 스위칭부로 구동 신호를 전달하는 구동신호 배선; The apparatus according to claim 1, further comprising: a driving signal wiring electrically connected to the switching unit for inspection to transmit a driving signal to the inspection switching unit; 상기 구동신호 배선의 일단부에 형성되고 상기 구동 신호를 인가하는 구동 패드부; 및A driving pad portion formed at one end of the driving signal wiring and applying the driving signal; And 상기 구동 패드부로부터 상기 베이스 기판의 일단까지 연장된 제2 정전기 분산 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판. Further comprising a second electrostatic dispersion wiring extending from the drive pad portion to one end of the base substrate. 제5항에 있어서, 상기 구동 패드부는6. The apparatus of claim 5, wherein the drive pad portion 상기 구동신호 배선과 연결된 구동 전극과, 상기 구동 전극과 전기적으로 연결된 구동 패드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.A driving electrode connected to the driving signal line, and a driving pad electrode electrically connected to the driving electrode. 제6항에 있어서, 상기 제2 정전기 분산 배선은7. The semiconductor device according to claim 6, wherein the second electrostatic- 상기 구동 패드 전극과 동일한 금속층으로 형성되어 상기 구동 패드 전극과 연결된 것을 특징으로 하는 표시기판.Wherein the driving pad electrode is formed of the same metal layer as the driving pad electrode and is connected to the driving pad electrode. 제7항에 있어서, 상기 제2 정전기 분산 배선은8. The semiconductor device according to claim 7, wherein the second electrostatic- 상기 제1 정전기 분산 배선과 동일한 금속층으로 형성되어 상기 제1 정전기 분산 배선과 이격된 것을 특징으로 하는 표시기판.Wherein the first electrostatic dispersion wiring is formed of the same metal layer as the first electrostatic dispersion wiring and is spaced apart from the first electrostatic dispersion wiring. 제1항에 있어서, 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역에 형성되어 상기 금속 배선들 및 상기 검사용 스위칭부를 커버하는 유기층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판. The display substrate according to claim 1, further comprising an organic layer formed on the display region and the peripheral region to cover the metal lines and the switching unit for inspection. 제9항에 있어서, 상기 제1 정전기 분산 배선은 상기 주변 영역의 상기 유기층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 표시기판.10. The display substrate according to claim 9, wherein the first electrostatic dispersion wiring is formed on the organic layer in the peripheral region. 제10항에 있어서, 상기 주변 영역의 상기 유기층 하부에 형성되며 상기 표시 영역으로 공통전압 신호를 전달하는 공통전압 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판. 11. The display substrate according to claim 10, further comprising a common voltage line formed below the organic layer in the peripheral region and transmitting a common voltage signal to the display region. 제11항에 있어서, 상기 공통전압 배선의 일단부에 형성된 전압 패드부; 및 12. The semiconductor device according to claim 11, further comprising: a voltage pad portion formed at one end of the common voltage wiring; And 상기 전압 패드부와 연결되고 상기 유기층 상에 형성되며 상기 베이스 기판의 단부까지 연장된 제3 정전기 분산 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.And a third electrostatic dispersion wiring connected to the voltage pad portion and formed on the organic layer and extending to an end portion of the base substrate. 제12항에 있어서, 상기 전압 패드부는13. The semiconductor device according to claim 12, wherein the voltage pad portion 상기 공통전압 배선과 전기적으로 연결된 전압 전극과, 상기 전압 전극 상에 투명 전극층으로 형성되고 상기 제3 정전기 분산 배선과 연결된 전압 패드 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.A voltage electrode electrically connected to the common voltage wiring; and a voltage pad electrode formed as a transparent electrode layer on the voltage electrode and connected to the third electrostatic dispersion wiring. 복수의 어레이 영역들을 포함하는 베이스 모기판의 각 어레이 영역의 표시 영역에 형성된 금속 배선과, 상기 표시 영역의 주변 영역에 형성되어 상기 금속 배선들과 전기적으로 연결된 검사신호 배선과, 상기 검사신호 배선과 연결된 검사용 스위칭부를 포함하는 어레이층을 형성하는 단계;A metal wiring formed in a display region of each array region of a base mother board including a plurality of array regions; a test signal wiring formed in a peripheral region of the display region and electrically connected to the metal wirings; Forming an array layer including a switching portion for inspection connected thereto; 상기 어레이층이 형성된 상기 베이스 모기판 상에 투명 전극층을 형성하는 단계; 및Forming a transparent electrode layer on the base mother substrate on which the array layer is formed; And 상기 투명 전극층을 패터닝하여 서로 인접한 어레이 영역들 사이에 형성된 쇼팅 바와, 상기 검사신호 배선의 일단부에 형성된 검사 패드 전극과, 상기 검사 패드 전극과 상기 쇼팅 바를 연결하는 제1 정전기 분산 배선을 포함하는 투명 전극 패턴을 형성하는 단계를 포함하며,A shorting bar formed between adjacent array regions by patterning the transparent electrode layer, a test pad electrode formed at one end of the test signal wiring, and a first electrostatic dispersion wiring connecting the test pad electrode and the shorting bar And forming an electrode pattern, 상기 어레이층을 형성하는 단계는The step of forming the array layer 상기 주변 영역에 배치되어 상기 검사용 스위칭부로 구동 신호를 전달하는 구동신호 배선과, 상기 주변 영역에 배치되고 상기 표시 영역으로 공통전압 신호를 전달하는 공통전압 배선을 형성하는 단계를 포함하는 표시기판용 모기판의 제조 방법.A driving signal line arranged in the peripheral region for transmitting a driving signal to the switching unit for inspection and a common voltage line arranged in the peripheral region for transmitting a common voltage signal to the display region, Method of manufacturing a mother board. 삭제delete 제14항에 있어서, 상기 투명 전극 패턴을 형성하는 단계는15. The method of claim 14, wherein forming the transparent electrode pattern comprises: 상기 구동신호 배선의 일단부에 형성된 구동 패드 전극과, 상기 구동 패드 전극 및 상기 쇼팅 바와 연결된 제2 정전기 분산 배선과, 상기 공통전압 배선의 일단부에 형성된 전압 패드 전극과, 상기 전압 패드 전극과 연결된 제3 정전기 분산 배선을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판용 모기판의 제조 방법.A driving pad electrode formed at one end of the driving signal wiring, a second electrostatic dispersion wiring connected to the driving pad electrode and the shorting bar, a voltage pad electrode formed at one end of the common voltage wiring, And forming a third electrostatic dispersed interconnection. The method for manufacturing a mother substrate for a display substrate according to claim 1, 제16항에 있어서, 상기 어레이층과 상기 투명 전극층 사이의 상기 표시 영역에 형성되어 상기 금속 배선들을 커버하고, 상기 주변 영역에 형성되어 상기 검사용 스위칭부를 커버하는 유기층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판용 모기판의 제조 방법.17. The method of claim 16, further comprising forming an organic layer formed in the display region between the array layer and the transparent electrode layer to cover the metal wirings and formed in the peripheral region to cover the inspection switching portion Wherein the base substrate is a glass substrate. 제17항에 있어서, 상기 표시 영역에 형성된 상기 유기층의 제1 두께는18. The organic electroluminescence display according to claim 17, wherein the first thickness of the organic layer formed in the display region is 상기 주변 영역에 형성된 상기 유기층의 제2 두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 표시기판용 모기판의 제조 방법. Wherein the second thickness of the organic layer formed in the peripheral region is thicker than the second thickness of the organic layer formed in the peripheral region. 제14항에 있어서, 상기 어레이층을 형성하는 단계는15. The method of claim 14, wherein forming the array layer 상기 베이스 모기판 상에 게이트 금속층을 형성하는 단계;Forming a gate metal layer on the base mother substrate; 상기 게이트 금속층을 패터닝하여 상기 구동신호 배선, 상기 구동신호 배선과 연결된 구동 전극, 상기 공통전압 배선 및 상기 공통전압 배선과 연결된 전압 전극을 포함하는 게이트 패턴을 형성하는 단계;Patterning the gate metal layer to form a gate pattern including the driving signal wiring, the driving electrode connected to the driving signal wiring, the common voltage wiring, and the voltage electrode connected to the common voltage wiring; 상기 게이트 패턴을 포함하는 상기 베이스 모기판 상에 소스 금속층을 형성하는 단계; 및Forming a source metal layer on the base mosquito plate comprising the gate pattern; And 상기 소스 금속층을 패터닝하여 상기 검사신호 배선 및 상기 검사신호 배선과 연결된 검사 전극을 포함하는 소스 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판용 모기판의 제조 방법.And patterning the source metal layer to form a source pattern including the inspection signal wiring and the inspection electrode connected to the inspection signal wiring. 제19항에 있어서, 상기 어레이층의 상기 금속 배선들은20. The method of claim 19, wherein the metal wires of the array layer 상기 게이트 금속층으로 형성된 게이트 배선과, 상기 소스 금속층으로 형성되고 상기 게이트 배선과 교차하는 데이터 배선을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판용 모기판의 제조 방법.A gate wiring formed of the gate metal layer, and a data wiring formed of the source metal layer and intersecting the gate wiring. 표시 영역 및 상기 표시 영역을 둘러싸는 주변영역을 포함하는 베이스 기판의 상기 주변 영역에 형성된 검사 전극;An inspection electrode formed in the peripheral region of the base substrate including a display region and a peripheral region surrounding the display region; 상기 검사 전극과 전기적으로 연결되며, 상기 검사 전극과 중첩하는 검사 패드 전극;A test pad electrode electrically connected to the test electrode and overlapping the test electrode; 상기 검사 전극과 연결된 검사신호 배선;An inspection signal wiring connected to the inspection electrode; 상기 베이스 기판의 상기 주변 영역에서 상기 검사 전극과 전기적으로 연결된 정전기 분산 배선을 포함하며,And an electrostatic dispersion wiring electrically connected to the inspection electrode in the peripheral region of the base substrate, 상기 정전기 분산 배선은 상기 검사 전극으로부터 상기 베이스 기판의 일단까지 연장되며, 상기 검사 전극과 다른 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.Wherein the electrostatic dispersion wiring extends from the test electrode to one end of the base substrate and includes a layer different from the test electrode. 제21항에 있어서, 상기 검사신호 배선 및 상기 정전기 분산 배선은 다른 방향으로 연장된 것을 특징으로 하는 표시기판.The display substrate according to claim 21, wherein the inspection signal wiring and the electrostatic dispersion wiring extend in different directions. 삭제delete 제21항에 있어서, 상기 검사 패드 전극은 투명 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.22. The display substrate of claim 21, wherein the test pad electrode comprises a transparent material. 제21항에 있어서, 상기 정전기 분산 배선은 상기 검사 패드 전극과 연결된 것을 특징으로 하는 표시기판.22. The display substrate of claim 21, wherein the electrostatic dispersion wiring is connected to the inspection pad electrode. 제24항에 있어서, 상기 검사 패드 전극은 상기 정전기 분산 배선과 같은 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.25. The display substrate of claim 24, wherein the test pad electrode comprises the same layer as the electrostatic dispersion interconnect. 제21항에 있어서, 상기 표시 영역 및 상기 주변 영역에 형성되어 상기 검사신호 배선을 커버하는 유기층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판. 22. The display substrate according to claim 21, further comprising an organic layer formed in the display region and the peripheral region to cover the inspection signal wiring. 제21항에 있어서, 상기 검사신호 배선은 검사용 스위칭부와 연결되어 상기 검사용 스위칭부로 상기 검사 신호를 전달하고 상기 검사 전극으로부터 연장된 것을 특징으로 하는 표시기판.22. The display substrate according to claim 21, wherein the inspection signal wiring is connected to the inspection switching unit and transmits the inspection signal to the inspection switching unit and extends from the inspection electrode. 제21항에 있어서, 상기 정전기 분산 배선은 투명 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 표시기판.The display substrate according to claim 21, wherein the electrostatic dispersion wiring includes a transparent material.
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