KR100943430B1 - Apparatus for processing substrate with plasma - Google Patents

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Abstract

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반송 챔버에서 기생 플라즈마가 발생하지 않는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.

본 발명은, 로드락 챔버, 반송 챔버 및 공정 챔버로 이루어지고, 각 챔버 사이에는 각 챔버의 개구부를 단속하는 게이트 밸브가 구비되는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 게이트 밸브는, 상기 각 챔버 사이에 각 챔버의 측면과 실링부재가 개재된 상태로 접촉되어 마련되며, 그 내부에 일정한 밀폐 공간을 형성하는 밸브 하우징; 상기 밸브 하우징의 내측면 중 상기 공정 챔버측 내측면과 접촉하여 개구부를 단속하는 밸브; 상기 밸브와 연결되어 마련되며, 상기 밸브를 상하 방향으로 구동시키는 밸브 구동부; 로 구성되며, 상기 공정 챔버와 밸브 하우징을 고정시키는 볼트를 전기적 절연체로 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.

Figure R1020060020621

플라즈마, 공정 챔버, 반송 챔버, 반송 로봇, 기생 플라즈마

The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus in which parasitic plasma is not generated in a transfer chamber.

In the plasma processing apparatus which consists of a load lock chamber, a conveyance chamber, and a process chamber, and between each chamber is provided with the gate valve which interrupts the opening part of each chamber, the said gate valve is each between each said chamber. A valve housing provided in contact with a side of the chamber and a sealing member interposed therebetween, the valve housing forming a constant sealed space therein; A valve for contacting the process chamber side inner side of the inner side of the valve housing to control the opening; A valve driver connected to the valve and driving the valve in a vertical direction; Comprising, and provides a plasma processing apparatus comprising a bolt that fixes the process chamber and the valve housing as an electrical insulator.

Figure R1020060020621

Plasma, Process Chamber, Transfer Chamber, Transfer Robot, Parasitic Plasma

Description

플라즈마 처리장치{APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH PLASMA}Plasma Processing Equipment {APPARATUS FOR PROCESSING SUBSTRATE WITH PLASMA}

도 1은 종래의 플라즈마 처리장치의 구조를 나타내는 단면도이다. 1 is a cross-sectional view showing the structure of a conventional plasma processing apparatus.

도 2는 종래의 플라즈마 처리장치에서 RF 전력이 유기되는 양상을 도시한 모식도이다. 2 is a schematic diagram showing an aspect in which RF power is induced in a conventional plasma processing apparatus.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 처리장치의 구조를 나타내는 단면도이다. 3 is a cross-sectional view showing the structure of a plasma processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 워셔의 구조를 도시하는 사시도이다. 4 is a perspective view showing the structure of the washer according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 튜브의 구조를 도시하는 사시도이다. 5 is a perspective view showing the structure of a tube according to an embodiment of the present invention.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 워셔 및 튜브의 변형예를 도시하는 사시도이다. 5 is a perspective view showing a modification of the washer and tube according to an embodiment of the present invention.

본 발명은 플라즈마 처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 반송 챔버에서 기생 플라즈마가 발생하지 않는 플라즈마 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a plasma processing apparatus, and more particularly, to a plasma processing apparatus in which parasitic plasma is not generated in a transfer chamber.

일반적으로, 플라즈마 처리장치는 내부에 평판표시소자 기판을 반입시키고, 플라즈마 등을 이용하여 식각 등의 처리를 실시하는데 사용된다. 이때, 평판표시소자(Flat Panel Display)는 액정 표시소자(Liquid Crystal Display), 플라즈마 디스플레이 소자(Plasma Display Panel), 유기 발광 소자(Organic Light Emitting Diodes) 등을 말하며, 이러한 플라즈마 처리장치 중 진공처리용 장치는 일반적으로 로드락(Load lock) 챔버, 반송 챔버 및 공정 챔버의 3개의 진공 챔버로 구성된다.In general, a plasma processing apparatus is used to carry a flat panel display element substrate therein and to perform an etching process using plasma or the like. In this case, a flat panel display refers to a liquid crystal display, a plasma display panel, organic light emitting diodes, and the like. The apparatus generally consists of three vacuum chambers: a load lock chamber, a transfer chamber and a process chamber.

여기서, 상술한 로드락 챔버는 대기압 상태와 진공 상태를 번갈아 가면서 외부로부터 처리되지 않은 기판을 받아들이거나 처리가 끝난 기판을 외부로 반출하는 역할을 하며, 상술한 반송 챔버는 기판을 각 챔버들 간에 반송하기 위한 운송 로봇이 구비되어 있어서 처리가 예정된 기판을 로드락 챔버에서 공정 챔버로 전달하거나, 처리가 완료된 기판을 공정 챔버에서 로드락 챔버로 전달하는 역할을 하며, 상술한 공정 챔버는 진공 중에서 플라즈마를 이용하여 기판상에 막을 성막하거나 에칭을 수행하는 역할을 한다.Here, the load lock chamber described above serves to accept the unprocessed substrate from the outside or to take out the processed substrate to the outside while alternating the atmospheric pressure and the vacuum state, and the transfer chamber transfers the substrate between the chambers. A transport robot is provided to transfer a substrate scheduled for processing from a load lock chamber to a process chamber, or to transfer a processed substrate from a process chamber to a load lock chamber. To form a film or perform an etching on the substrate.

한편, 상기 공정 챔버는 그 내부 상, 하부에 전극이 설치되며, 이 전극 중 어느 하나는 RF전원에 연결되고, 다른 하나는 접지된 상태로 설치되는 것이 일반적이다. 상기 공정 챔버 내부에 공정 가스를 주입한 상태에서 RF전원을 인가하면 방전에 따른 플라즈마가 발생하고 이 플라즈마에 의해 기판을 공정처리하는 것이다.On the other hand, the process chamber is provided with electrodes on the inside, the lower, one of the electrodes is connected to the RF power source, the other is generally installed in a grounded state. When RF power is applied in a state in which a process gas is injected into the process chamber, a plasma generated by the discharge is generated and the substrate is processed by the plasma.

이와 같은 종래의 플라즈마 처리장치는 도 1에 도시된 바와 같이 로드락 챔버(10)와 반송 챔버(20) 및 공정 챔버(30)로 이루어지며, 상기 로드락 챔버(10) 그리고 반송 챔버(20)의 사이와, 상기 반송 챔버(20) 그리고 공정 챔버(30)의 사이에는 인접된 상태로 게이트 밸브(40, 50)가 각각 마련된다.Such a conventional plasma processing apparatus includes a load lock chamber 10, a transfer chamber 20, and a process chamber 30, as shown in FIG. 1, and the load lock chamber 10 and the transfer chamber 20. The gate valves 40 and 50 are provided between the transfer chamber 20 and the process chamber 30 in the adjoining state.

상기 게이트 밸브(40, 50)는 로드락 챔버(10)와 반송 챔버(20)의 사이에 개재되어 상호 연결되어 통하는 그들을 개방하고 폐쇄하며, 상기 반송 챔버(20)와 공정 챔버(30)의 사이에 개재되어 상호 연결되어 통하는 그들을 개방하고 폐쇄하는 기능을 한다. 이 게이트 밸브(40, 50)는 밸브 하우징(42, 52), 밸브(44, 54), 밸브 구동부(46, 56)로 구성된다. The gate valves 40 and 50 are interposed between the load lock chamber 10 and the transfer chamber 20 to open and close them through the interconnection, and between the transfer chamber 20 and the process chamber 30. Interposed and interconnected to serve to open and close them. The gate valves 40 and 50 are composed of valve housings 42 and 52, valves 44 and 54, and valve drives 46 and 56.

여기에서 밸브 하우징(42)은 상기 로드락 챔버(10)와 반송 챔버(20)의 사이에서 기밀유지부재(O)에 의해 기밀이 유지되며, 상기 반송 챔버(20)와 공정 챔버(30)의 사이에서 기밀유지부재(O)에 의해 기밀이 유지된다.Here, the valve housing 42 is hermetically maintained by the hermetic holding member O between the load lock chamber 10 and the conveyance chamber 20, and the conveyance chamber 20 and the process chamber 30 The airtightness is maintained by the airtight holding member O between them.

또한, 상기 밸브 하우징(42) 내부에는 밸브 구동부(46)에 의해 로드락 챔버(10) 및 반송 챔버(20)의 출입구를 개방하고 폐쇄하는 플레이트(42)와, 상기 반송 챔버(20) 및 공정 챔버(30)의 출입구를 개방하고 폐쇄하는 플레이트(52)가 마련된다.In addition, the valve housing 42 has a plate 42 for opening and closing the entrance and exit of the load lock chamber 10 and the transfer chamber 20 by the valve driver 46, the transfer chamber 20, and the process. A plate 52 is provided to open and close the entrance and exit of the chamber 30.

그리고 상기 반송 챔버(20)는 그 내부에 기판(도면에 미도시)을 로드락 챔버(10) 또는 공정 챔버(30)로 반송하기 위해 반송 로봇(22)이 구비되며, 상기 반송 로봇(22)은 반송암과 구동부(도면에 미도시)로 이루어지되 상기 반송암은 엔드 이펙터 어셈블리(End Effector Assembly : 24)와 상기 엔드 이펙터 어셈블리(24)에 결합되어 기판을 이송하는 엔드 이펙터(End Effector : 26)로 이루어진다.In addition, the transfer chamber 20 is provided with a transfer robot 22 to transfer a substrate (not shown) to the load lock chamber 10 or the process chamber 30 therein, and the transfer robot 22 The carrier arm is composed of a carrier arm (not shown in the figure), but the carrier arm is coupled to the end effector assembly (End Effector Assembly 24) and the end effector assembly 24 (End Effector: 26) )

한편, 일반적으로 챔버는 보통 알루미늄으로 제작되지만 무게 대비 강도와 기판 크기에 상응되도록 부피 커짐 등의 문제로 인해 상기 반송 챔버(20)는 스테인레스 스틸(SUS) 재질로 제작한다.On the other hand, the chamber is usually made of aluminum, but due to problems such as bulkiness to correspond to the strength to weight and substrate size, the transfer chamber 20 is made of stainless steel (SUS) material.

그런데 상기 반송 챔버(20)를 스테인레스 스틸로 제작하면서, 스테인레스 스틸은 알루미늄과 달리 비저항 등의 차이에 의해 접지가 잘되지 않는 특성을 가진다. 이렇게 반송 챔버의 접지가 완벽하게 이루어지지 않으면서 도 2에 도시된 바와 같이, 공정 챔버(30)의 RF 전력(R)이 외부로 배출되지 아니하고 반송챔버(20)에 유기되는 현상이 발생한다. 이렇게 RF 전력(R)이 반송 챔버(20) 내에 유기되면, 챔버 월은 완벽한 그라운드 전위가 아닌 상태가 되며, 이 챔버 월에 거리가 가깝게 배치되어 있으면서 그라운드 전위인 앤드 이펙터 어셈블리(24) 모서리 부분 사이에서 커플링되어 기생 플라즈마(PA)가 발생된다. By the way, while manufacturing the conveying chamber 20 made of stainless steel, stainless steel has a characteristic that the grounding is not well due to the difference in specific resistance, unlike aluminum. As shown in FIG. 2, the grounding of the transfer chamber is not completely performed. As a result, the RF power R of the process chamber 30 is induced to the transfer chamber 20 without being discharged to the outside. When the RF power R is induced in the transfer chamber 20, the chamber wall is not in a perfect ground potential, and the distance between the edges of the end effector assembly 24, which is the ground potential, is placed close to the chamber wall. Is coupled to generate a parasitic plasma P A.

반송 챔버(20) 내에 기생 플라즈마(PA)가 발생하게 되면, RF 전력 손실에 따른 공정 특성이 변화되는 문제와, 반송 챔버 내부의 이온 손상에 의한 파티클 증가의 문제, 반송 챔버 내부 또는 반송 로봇의 차징(charging)에 따른 기판의 정전기 발생의 문제, 그리고 RF의 노이즈 성 영향으로 로봇이 오작동되는 문제점 등 많은 문제가 발생한다. When the parasitic plasma P A is generated in the transfer chamber 20, the process characteristics due to RF power loss change, the problem of particle increase due to ion damage inside the transfer chamber, the inside of the transfer chamber or the transfer robot There are many problems such as the generation of static electricity on the board due to charging and the malfunction of the robot due to the noise effect of RF.

본 발명의 목적은 반송 챔버 내에서 기생 플라즈마가 발생하지 않는 플라즈마 처리장치를 제공함에 있다. It is an object of the present invention to provide a plasma processing apparatus in which no parasitic plasma is generated in a transfer chamber.

전술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명은, 로드락 챔버, 반송 챔버 및 공정 챔버로 이루어지고, 각 챔버 사이에는 각 챔버의 개구부를 단속하는 게이트 밸브가 구비되는 플라즈마 처리장치에 있어서, 상기 게이트 밸브는, 상기 각 챔버 사이에 각 챔버의 측면과 실링부재가 개재된 상태로 접촉되어 마련되며, 그 내부에 일정한 밀폐 공간을 형성하는 밸브 하우징; 상기 밸브 하우징의 내측면 중 상기 공정 챔버측 내측면과 접촉하여 개구부를 단속하는 밸브; 상기 밸브와 연결되어 마련되며, 상기 밸브를 상하 방향으로 구동시키는 밸브 구동부; 로 구성되며, 상기 공정 챔버와 밸브 하우징을 고정시키는 볼트를 전기적 절연체로 구성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention is a plasma processing apparatus comprising a load lock chamber, a transfer chamber and a process chamber, the gate valve is provided between each chamber to control the opening of each chamber, wherein the gate valve is And a valve housing provided between the chambers in contact with a side surface of each chamber and a sealing member interposed therebetween, the valve housing forming a constant sealed space therein. A valve for contacting the process chamber side inner side of the inner side of the valve housing to control the opening; A valve driver connected to the valve and driving the valve in a vertical direction; Comprising, and provides a plasma processing apparatus comprising a bolt that fixes the process chamber and the valve housing as an electrical insulator.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 구체적인 일 실시예를 상세하게 설명한다. Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described in detail a specific embodiment of the present invention.

본 실시예에 따른 플라즈마 처리장치(100)는 도 3에 도시된 바와 같이, 로드락 챔버(도면에 미도시), 반송 챔버(120), 공정 챔버(130)로 이루어지며, 각 챔버 사이에는 각 챔버의 개구부를 단속하는 게이트 밸브(140)가 구비된다. 여기에서 각 챔버의 구조 및 기능은 종래의 그것과 유사하므로 반복하여 설명하지 않는다. As shown in FIG. 3, the plasma processing apparatus 100 according to the present exemplary embodiment includes a load lock chamber (not shown), a transfer chamber 120, and a process chamber 130, and between each chamber, The gate valve 140 is provided to control the opening of the chamber. The structure and function of each chamber here are similar to those of the prior art, and thus will not be repeated.

그리고 본 실시예에 따른 게이트 밸브(140)는, 도 3에 도시된 바와 같이, 밸브 하우징(142); 밸브(144); 밸브 구동부(146);를 포함하여 구성된다. And the gate valve 140 according to the present embodiment, as shown in Figure 3, the valve housing 142; Valve 144; The valve driving unit 146; is configured to include.

먼저 밸브 하우징(142)은, 상기 각 챔버 사이에 형성되는 공간에 개재되어 마련되며, 그 내부에 일정한 크기의 밀폐공간을 형성된다. 이 밀폐 공간 내에 밸브(144)가 위치되는 것이다. 그리고 이 밸브 하우징(142)과 각 챔버 측면에는 실링부 재(O)가 개재되어 챔버 외부와의 기밀을 유지한다. First, the valve housing 142 is provided in a space formed between the chambers, and a sealed space having a predetermined size is formed therein. The valve 144 is located in this sealed space. The valve housing 142 and the side surface of each chamber are provided with a sealing member O to maintain airtightness with the outside of the chamber.

다음으로 밸브(144)는, 상기 챔버와 밸브 하우징의 측면에 각각 형성되어 있는 개구부(132)를 단속하는 구성요소이다. 이 밸브(144)는 실링 플레이트(144a)와 백 플레이트(144b)로 구성되는데, 먼저 실링 플레이트(sealing plate, 144a)는 상기 밸브 하우징(142)의 내측면 중 상기 공정 챔버(130)측 내측면과 접촉하면서 공정챔버측 개구부(132)를 단속하는 역할을 하고, 상기 백 플레이트(back plate, 144b)는 상기 반송챔버(120)측 내측면과 접촉하여 상기 실링 플레이트(144a)가 공정 챔버측 개구부를 확실하게 폐쇄하도록 밸브(144)를 지지하는 역할을 한다. Next, the valve 144 is a component for controlling the openings 132 formed on the side surfaces of the chamber and the valve housing, respectively. The valve 144 includes a sealing plate 144a and a back plate 144b. First, the sealing plate 144a is an inner surface of the process chamber 130 side of the valve housing 142. And the process chamber side opening 132 is intermittently contacted, and the back plate 144b contacts the inner surface of the conveying chamber 120 so that the sealing plate 144a opens the process chamber side. It serves to support the valve 144 to securely close.

그리고 밸브 구동부(146)는 도 3에 도시된 바와 같이, 상기 밸브(144)의 하부와 연결되고, 그 하단은 상기 밸브 하우징(142)의 하벽을 관통하여 챔버 외부에 구비되는 별도의 동력원(도면에 미도시)과 연결되며, 상기 밸브(144)를 상하 방향으로 구동시키는 역할을 한다. 보다 정확하게는 밸브(144)를 상하 방향으로 구동시켜 공정 챔버(130) 및 밸브 하우징(142)에 형성되어 있는 개구부를 단속하되, 개구부를 막는 과정에서는 보다 확실한 밀폐를 위하여 상기 밸브(144)를 공정 챔버(130) 방향으로 수평이동시켜 공정 챔버 측으로 일정한 크기의 압력을 가하게 된다. 따라서 이 밸브 구동부(146)는 밸브(144)를 상하로 구동시킬 뿐만아니라, 수평 방향으로도 일정한 힘으로 구동시킨다. And the valve driving unit 146 is connected to the lower portion of the valve 144, as shown in Figure 3, the lower end of the separate power source is provided outside the chamber through the lower wall of the valve housing 142 (Fig. It is connected to (not shown), and serves to drive the valve 144 in the vertical direction. More precisely, the valve 144 is driven in the vertical direction to interrupt the opening formed in the process chamber 130 and the valve housing 142. By moving horizontally in the direction of the chamber 130, a certain amount of pressure is applied to the process chamber. Therefore, the valve drive unit 146 not only drives the valve 144 up and down, but also drives it with a constant force in the horizontal direction.

그리고 상기 밸브 하우징(142)을 챔버에 결합시키기 위하여 볼트(148)가 구비된다. 이 볼트(148)는 공정 챔버(130)와 밸브 하우징(142) 사이에 취부되고, 상기 반송 챔버(120)와 밸브 하우징(142) 사이에도 취부된다. 이때 본 실시예에서는 이 볼트(148)를 전기적 절연체로 구성한다. 종래의 플라즈마 처리장치에서는 상기 볼트가 도전체이므로 공정 챔버의 RF 전력이 밸브 하우징을 거쳐서 반송 챔버로 유기되는 현상이 발생하였다. 따라서 본 실시예서는 이와 같이, RF 전력이 공정 챔버에서 밸브 하우징으로 유기되는 것을 방지하기 위하여 상기 볼트를 절연체로 하는 것이다. 상기 절연성 볼트(148)는 상기 공정 챔버(130)와 밸브 하우징(142) 사이 또는 반송 챔버(120)와 밸브 하우징(142) 사이 중 적어도 어느 한 측에 취부되어야 한다. A bolt 148 is provided to couple the valve housing 142 to the chamber. The bolt 148 is mounted between the process chamber 130 and the valve housing 142, and is also mounted between the transfer chamber 120 and the valve housing 142. In this embodiment, the bolt 148 is formed of an electrical insulator. In the conventional plasma processing apparatus, since the bolt is a conductor, a phenomenon occurs in which RF power of the process chamber is induced to the transfer chamber via the valve housing. Thus, in this embodiment, the bolt is used as an insulator to prevent RF power from being induced into the valve housing from the process chamber. The insulating bolt 148 should be mounted on at least one side between the process chamber 130 and the valve housing 142 or between the transfer chamber 120 and the valve housing 142.

이때, 상기 밸브 하우징(142)에는 나사홈을 형성하고, 상기 공정 챔버(130)에는 비나사산 구조의 관통홀(Through hole)을 형성시키는 것이 바람직하다. 여기에서 '나사홈'이라 함은, 홈의 내부 측면에 나사산이 형성되어 있는 구조를 말하고, '비나사산 구조'라 함은, 내면에 나사산 구조가 형성되지 아니하고, 맨들맨들한 면을 가지는 구조를 말한다. In this case, it is preferable that a screw groove is formed in the valve housing 142 and a through hole having a non-threaded structure is formed in the process chamber 130. Here, the 'screw groove' refers to a structure in which a thread is formed on the inner side of the groove, and the term 'non-threaded structure' refers to a structure having a smooth surface without a thread structure formed on the inner surface thereof. Say.

그리고 상기 볼트의 머리부(148a)와 공정 챔버(130) 사이에는 절연성 재질의 워셔(washer, 147)가 더 구비되는 것이, 절연능력을 배가시킬 수 있어서 바람직하다. 즉, 상기 볼트(148)와 공정 챔버(130)의 측면이 접촉되는 부분에 절연성 재질로 형성되는 워셔(147)를 취부함으로써, 상기 볼트(148)와 공정 챔버(130)가 직접 접촉하지 않도록 하여 절연 능력을 향상시키는 것이다. 이때 상기 워셔(147)는 도 4에 도시된 바와 같이, 일정한 두께를 가지는 원형 링 형상을 가진다. In addition, an insulating washer 147 is further provided between the head 148a of the bolt and the process chamber 130, which may double the insulating ability. That is, by attaching a washer 147 formed of an insulating material to a portion where the side of the bolt 148 and the process chamber 130 is in contact, the bolt 148 and the process chamber 130 is not in direct contact with each other. It is to improve the insulation ability. At this time, the washer 147 has a circular ring shape having a predetermined thickness, as shown in FIG.

또한 상기 관통홀의 내벽면에는, 절연성 재질의 튜브(tube, 149)가 더 구비되는 것이 더욱 바람직하다. 상기 볼트(149)의 막대부(148b) 중 상기 공정 챔버 (130)와 접촉하는 부분인 관통홀에 절연성 재질의 튜브(149)를 취부하여 볼트(148)와 공정 챔버(130)가 전기적으로 접촉하지 않도록 하는 것이다. 이때 상기 튜브(149)는 도 5에 도시된 바와 같이, 일정한 두께를 가지는 원통 형상을 가지는 것이 바람직하다. In addition, the inner wall surface of the through hole is more preferably provided with an insulating tube (tube, 149). The bolt 148 and the process chamber 130 are electrically contacted by attaching the tube 149 made of an insulating material to a through hole, which is a part of the rod 148b of the bolt 149, which is in contact with the process chamber 130. Do not do it. At this time, the tube 149, as shown in Figure 5, preferably has a cylindrical shape having a constant thickness.

그리고 상기 워셔(147)와 튜브(149)는 도 4, 5에 도시된 바와 같이, 각각 별개로 형성될 수도 있지만, 도 6에 도시된 바와 같이, 일체로 형성될 수도 있다. The washers 147 and the tube 149 may be formed separately as shown in FIGS. 4 and 5, but may be formed integrally as shown in FIG. 6.

그리고 상기 워셔(147)와 튜브(149)는, 세라믹, PTFE, PEEK, PC, Acetal 중에서 선택되는 어느 하나로 이루어지는 것이 바람직하다. The washer 147 and the tube 149 are preferably made of any one selected from ceramic, PTFE, PEEK, PC, and Acetal.

또한 상기 튜브(149)와 워셔(147)는, 0.1 ~ 50mm의 두께를 가지는 것이 바람직하다. 그 두께가 0.1mm 이하인 경우에는 절연성능이 떨어져서 문제가 있으며, 50mm 이상인 경우에는 챔버의 진공 성능을 유지할 수 없어서 문제가 있다. In addition, it is preferable that the tube 149 and the washer 147 have a thickness of 0.1 to 50 mm. If the thickness is 0.1mm or less, there is a problem of poor insulation performance, and if the thickness is 50mm or more, there is a problem because the vacuum performance of the chamber cannot be maintained.

본 발명에 따르면 챔버와 밸브 하우징을 결합시키는 볼트를 절연체로 함과 동시에 볼트와 챔버가 접촉하는 부분에 절연성 재질의 워셔 및 튜브를 더 구비함으로써 챔버와 밸브 하우징을 완벽하게 절연처리 하게 된다. 따라서 본 발명에 따른 플라즈마 처리장치에서는 공정 챔버의 RF 전력이 밸브 하우징 및 반송 챔버로 유기되지 아니하고 반송 챔버에 기생 플라즈마가 발생하지 않는 장점이 있다. According to the present invention, the bolt is coupled to the chamber and the valve housing as an insulator, and at the same time, the chamber and the valve housing are completely insulated by further providing an insulating washer and a tube at the portion where the bolt and the chamber contact each other. Therefore, in the plasma processing apparatus according to the present invention, RF power of the process chamber is not induced into the valve housing and the transfer chamber, and parasitic plasma is not generated in the transfer chamber.

Claims (9)

복수개의 챔버, 상기 챔버의 사이에 설치되어 기판의 이송 및 상기 각 챔버의 개구부를 단속하도록 설치된 게이트 밸브로 이루어진 플라즈마 처리장치에 있어서, In the plasma processing apparatus comprising a plurality of chambers, a gate valve provided between the chambers to transfer the substrate and to control the opening of each chamber, 상기 게이트밸브는 절연재질인 절연볼트를 통해 각각의 상기 챔버들의 측벽과 체결되어 각각의 상기 챔버들로부터 절연되며, The gate valve is insulated from each of the chambers by being fastened to side walls of the respective chambers through insulating bolts that are insulating materials. 상기 게이트 밸브는, The gate valve, 각각의 상기 챔버들의 측면과 실링부재가 개재된 상태로 접촉되어 마련되며, 그 내부에 일정한 밀폐 공간을 형성하는 밸브 하우징;A valve housing provided in contact with a side of each of the chambers and a sealing member interposed therebetween to form a constant sealed space therein; 상기 밸브 하우징의 내측면 중 상기 챔버측 내측면과 접촉하여 개구부를 단속하는 밸브;A valve for contacting the chamber side inner side of the inner side of the valve housing to control the opening; 상기 밸브와 연결되어 마련되며, 상기 밸브를 상하 방향으로 구동시키는 밸브 구동부;로 구성되며, Is provided in connection with the valve, the valve driving unit for driving the valve in the vertical direction; 상기 밸브 하우징에는 나사홈을 형성하고, 상기 챔버에는 비나사산 구조의 관통홀(through hole)을 형성시키고, 상기 관통홀 및 나사홈을 통과하여 상기 볼트를 체결시키는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.And a screw groove is formed in the valve housing, a through hole of a non-threaded structure is formed in the chamber, and the bolt is fastened through the through hole and the screw groove. 삭제delete 제1항에 있어서, 상기 절연볼트에는, 절연성 재질의 워셔(washer)가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the insulating bolt further includes a washer of insulating material. 제1항에 있어서, 상기 관통홀에는 절연성 재질의 튜브가 구비되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the through hole is provided with an insulating tube. 제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 워셔 및 튜브는 세라믹, PTFE, PEEK, PC, Acetal 중에서 선택되는 어느 하나인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.The plasma processing apparatus of claim 3 or 4, wherein the washer and the tube are any one selected from ceramic, PTFE, PEEK, PC, and Acetal. 제5항에 있어서, The method of claim 5, 상기 워셔 및 상기 튜브는 일체형인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. And said washer and said tube are integral. 제5항에 있어서, 상기 워셔 및 튜브는,The method of claim 5, wherein the washer and tube, 0.1 ~ 50mm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치.Plasma processing apparatus having a thickness of 0.1 ~ 50mm. 제1항에 있어서, 상기 챔버는 공정챔버인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the chamber is a process chamber. 제1항에 있어서, 상기 챔버는 반송 챔버인 것을 특징으로 하는 플라즈마 처리장치. The plasma processing apparatus of claim 1, wherein the chamber is a transfer chamber.
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