KR100898019B1 - Apparatus for processing substrate - Google Patents

Apparatus for processing substrate Download PDF

Info

Publication number
KR100898019B1
KR100898019B1 KR1020070081382A KR20070081382A KR100898019B1 KR 100898019 B1 KR100898019 B1 KR 100898019B1 KR 1020070081382 A KR1020070081382 A KR 1020070081382A KR 20070081382 A KR20070081382 A KR 20070081382A KR 100898019 B1 KR100898019 B1 KR 100898019B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
chamber
upper chamber
lower chamber
support
process space
Prior art date
Application number
KR1020070081382A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20090016995A (en
Inventor
김춘식
김경훈
Original Assignee
주식회사 에이디피엔지니어링
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 에이디피엔지니어링 filed Critical 주식회사 에이디피엔지니어링
Priority to KR1020070081382A priority Critical patent/KR100898019B1/en
Priority to TW097123282A priority patent/TWI405295B/en
Priority to US12/146,730 priority patent/US20090047433A1/en
Priority to CN2008101264482A priority patent/CN101369519B/en
Publication of KR20090016995A publication Critical patent/KR20090016995A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100898019B1 publication Critical patent/KR100898019B1/en

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/6719—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the processing chambers, e.g. modular processing chambers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32458—Vessel

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

공정시 상부챔버는 하부챔버의 상부에 배치되며, 상부챔버와 하부챔버는 내부에 공정공간을 형성한다. 상부챔버는 지지유닛에 의해 지지되며, 지지유닛은 상부챔버와 하부챔버 사이에 간극이 제공되도록 상부챔버를 지지한다. 진공유닛은 공정공간 내부의 가스를 배기하여 공정공간을 진공상태로 유지한다. 진공유닛에 의해 공정공간 내에 진공상태가 형성되면, 상부챔버와 하부챔버 사이의 간극은 폐쇄되며, 공정공간은 외부로부터 밀폐된다. 간극은 상부챔버와 하부챔버 사이에 제공된 실링부재에 의하여 폐쇄된다. 진공상태가 해제되면, 간극은 개방된다.In the process, the upper chamber is disposed above the lower chamber, and the upper chamber and the lower chamber form a process space therein. The upper chamber is supported by the support unit, which supports the upper chamber so that a gap is provided between the upper chamber and the lower chamber. The vacuum unit exhausts the gas in the process space to maintain the process space in a vacuum state. When a vacuum state is formed in the process space by the vacuum unit, the gap between the upper chamber and the lower chamber is closed, and the process space is sealed from the outside. The gap is closed by a sealing member provided between the upper chamber and the lower chamber. When the vacuum is released, the gap opens.

상부챔버, 하부챔버, 진공유닛, 지지유닛 Upper chamber, lower chamber, vacuum unit, support unit

Description

기판처리장치{apparatus for processing substrate}Apparatus for processing substrate

본 발명은 기판처리장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 진공유닛을 구비하는 기판처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus, and more particularly, to a substrate processing apparatus having a vacuum unit.

평판표시패널(flat panel display) 및 반도체 장치(semiconductor device)는 복수의 제조공정을 통해 제조되며, 양자 간의 제조공정은 매우 흡사하게 적용된다. 이와 같은 제조공정은 공정챔버 내에서 이루어지며, 공정에 따라 공정챔버의 내부는 진공 상태 또는 대기압 상태를 유지한 상태에서 공정이 이루어진다.A flat panel display and a semiconductor device are manufactured through a plurality of manufacturing processes, and the manufacturing process between them is applied very similarly. Such a manufacturing process is performed in the process chamber, and the process is performed in a state in which the inside of the process chamber is maintained in a vacuum state or an atmospheric pressure state.

공정챔버는 상부챔버와 하부챔버로 이루어지며, 공정시 상부챔버는 하부챔버의 상부에 위치한다. 공정챔버의 내부에는 공정시 외부로부터 밀폐되는 공정공간이 제공되며, 공정공간 내에는 기판이 놓여지는 지지부재 및 지지부재 상부에 공정가스를 공급하는 샤워헤드 등이 제공된다. 공정진행시 기판은 지지부재 상에 놓여지며, 샤워헤드를 통해 기판 상에 공정가스를 공급하여 공정을 진행한다. 플라스마를 이용하는 공정의 경우, 별도의 플라스마 생성부재를 통해 공정가스로부터 플라스마를 생성한다.The process chamber is composed of an upper chamber and a lower chamber. In the process, the upper chamber is positioned above the lower chamber. The process chamber is provided with a process space that is sealed from the outside during the process, and a support member on which the substrate is placed and a shower head for supplying process gas to the support member are provided in the process space. During the process, the substrate is placed on the support member, and the process is performed by supplying process gas onto the substrate through the shower head. In the case of using the plasma, the plasma is generated from the process gas through a separate plasma generating member.

한편, 공정챔버 내에서 수회 이상의 공정이 이루어지면, 공정챔버 내부를 유 지보수 또는 점검할 필요가 있다. 이때, 상부챔버를 하부챔버의 상부로부터 이탈시켜 공정공간을 개방시킨 상태에서 내부를 유지하여야 하므로, 상부챔버를 개폐할 수 있는 장치가 필요하였다. 종래의 개폐방식은 상부챔버의 상부에 크레인을 마련하여 상부챔버를 들어올려 상부챔버를 개방하거나, 공정챔버의 측부에 별도의 개폐장치를 마련하여 상부챔버를 들어올려 상부챔버를 개방하였다. 그러나, 이와 같은 개폐장치는 매우 복잡한 구동방식을 채택하였으며, 이로 인하여 설비가 차지하는 점유면적이 증가하는 문제가 있었다.On the other hand, if more than one process is performed in the process chamber, it is necessary to maintain or inspect the inside of the process chamber. At this time, since the upper chamber to be separated from the upper portion of the lower chamber to maintain the interior in a state of opening the process space, an apparatus capable of opening and closing the upper chamber was required. Conventional opening and closing method by providing a crane in the upper portion of the upper chamber to lift the upper chamber to open the upper chamber, or to provide a separate opening and closing device on the side of the process chamber to lift the upper chamber to open the upper chamber. However, such a switchgear adopts a very complicated driving method, and this causes a problem of increasing the occupied area occupied by the facility.

본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은 단순한 개폐방식을 이용하는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus using a simple opening and closing method.

본 발명의 다른 목적은 설비의 점유면적을 최소화할 수 있는 기판처리장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of minimizing the occupied area of equipment.

본 발명의 또 다른 목적들은 다음의 상세한 설명과 첨부한 도면으로부터 보다 명확해질 것이다.Still other objects of the present invention will become more apparent from the following detailed description and the accompanying drawings.

본 발명에 의하면, 기판처리장치는 하부챔버와, 공정시 상기 하부챔버의 상부에 배치되며 외부로부터 밀폐된 공정공간을 상기 하부챔버와 함께 내부에 형성하는 상부챔버와, 상기 상부챔버와 상기 하부챔버 사이에 간극이 제공되도록 상기 상부챔버를 지지하는 지지유닛, 그리고 공정시 상기 공정공간을 진공상태로 유지하며 상기 진공상태에 의하여 상기 공정공간을 밀폐하는 진공유닛을 포함하되, 상기 지지유닛은 일단이 상기 하부챔버에 연결되어 상기 하부챔버를 지지하며, 탄성(elasticity) 재질의 지지축을 포함한다.According to the present invention, a substrate processing apparatus includes a lower chamber, an upper chamber disposed at an upper portion of the lower chamber during the process and forming a process space sealed from the outside together with the lower chamber, the upper chamber and the lower chamber. A support unit for supporting the upper chamber to provide a gap therebetween, and a vacuum unit for maintaining the process space in a vacuum state and sealing the process space by the vacuum state, wherein the support unit has one end It is connected to the lower chamber to support the lower chamber, and includes a support shaft of elastic material.

상기 지지유닛은 상기 지지축의 타단에 연결되는 상부판과, 상기 상부판의 하부에 배치되는 하부판, 그리고 상기 상부판과 상기 하부판 사이에 제공되는 탄성부재를 더 포함할 수 있다.The support unit may further include an upper plate connected to the other end of the support shaft, a lower plate disposed below the upper plate, and an elastic member provided between the upper plate and the lower plate.

상기 장치는 상기 상부챔버와 상기 하부챔버 사이에 제공된 상기 간극 상에 제공되어 상기 진공상태시 상기 간극을 폐쇄하는 실링부재를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a sealing member provided on the gap provided between the upper chamber and the lower chamber to close the gap in the vacuum state.

상기 장치는 상기 하부챔버의 상부면과 인접한 상기 상부챔버의 하부면에 삽입설치되며, 상기 상부챔버의 하부면으로부터 돌출된 상태에서 상기 상부챔버를 지지하는 지지체를 가지는 플런저(plunger)를 더 포함할 수 있다.The apparatus may further include a plunger inserted into the lower surface of the upper chamber adjacent to the upper surface of the lower chamber and having a support for supporting the upper chamber in a protruding state from the lower surface of the upper chamber. Can be.

상기 지지유닛은 일방향을 따라 상기 상부챔버를 상기 하부챔버에 대하여 수평이동시키는 수평이동부재를 더 포함하고, 서로 대향되는 상기 상부챔버의 하부면 및 상기 하부챔버의 상부면은 상기 일방향을 따라 서로 나란하게 경사지며, 상기 경사방향은 상기 하부챔버를 향하여 이동하는 상기 상부챔버의 전단으로부터 상기 상부챔버의 후단에 이르기까지 하향질 수 있다.The support unit further includes a horizontal moving member for horizontally moving the upper chamber with respect to the lower chamber in one direction, and the lower surface of the upper chamber and the upper surface of the lower chamber facing each other are parallel to each other in the one direction. The inclined direction may be downward from the front end of the upper chamber moving toward the lower chamber to the rear end of the upper chamber.

상기 장치는 상기 하부챔버의 상부면과 인접한 상기 상부챔버의 하부면에 삽입설치되며, 상기 상부챔버의 하부면으로부터 돌출된 상태에서 상기 하부챔버를 향하여 이동하는 상기 상부챔버의 위치를 정렬하는 지지체를 가지는 플런저를 더 포함할 수 있다.The apparatus is inserted into the lower surface of the upper chamber adjacent to the upper surface of the lower chamber, the support for aligning the position of the upper chamber moving toward the lower chamber in a state protruding from the lower surface of the upper chamber The branch may further comprise a plunger.

상기 지지유닛은 상기 상부챔버의 하부면이 상부를 향하도록 상기 상부챔버를 회전시키는 회전부재를 더 포함할 수 있다.The support unit may further include a rotating member for rotating the upper chamber such that the lower surface of the upper chamber faces upward.

본 발명에 의하면 단순한 개폐방식을 이용하여 공정공간을 개폐할 수 있으며, 이로 인하여 설비의 점유면적을 최소화할 수 있다.According to the present invention it is possible to open and close the process space using a simple opening and closing method, thereby minimizing the occupied area of the equipment.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예들을 첨부된 도 1 내지 도 6을 참고하여 더 욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예들은 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 설명하는 실시예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시예들은 당해 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 상세하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에 나타난 각 요소의 형상은 보다 분명한 설명을 강조하기 위하여 과장될 수 있다.Hereinafter, preferred embodiments of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS. 1 to 6. Embodiments of the invention may be modified in various forms, the scope of the invention should not be construed as limited to the embodiments described below. These embodiments are provided to explain in detail the present invention to those skilled in the art. Accordingly, the shape of each element shown in the drawings may be exaggerated to emphasize a more clear description.

한편, 이하에서는 플라스마를 이용하는 공정을 예로 들어 설명하나, 본 발명의 기술적 사상과 범위는 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 진공상태에서 공정이 이루어지는 다양한 반도체 제조장치에 응용될 수 있다.Meanwhile, hereinafter, a process using plasma will be described as an example, but the spirit and scope of the present invention are not limited thereto, and the present invention may be applied to various semiconductor manufacturing apparatuses in which the process is performed in a vacuum state.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치(10)를 포함하는 제조설비를 개략적으로 나타내는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a manufacturing facility including a substrate processing apparatus 10 according to the present invention.

도 1에 도시된 바와 같이, 제조설비는 기판처리장치(10) 및 로드락 챔버(loadlock chamber)(20), 트랜스퍼 챔버(transfer chamber)(30)를 포함한다.As shown in FIG. 1, the manufacturing facility includes a substrate processing apparatus 10, a loadlock chamber 20, and a transfer chamber 30.

로드락 챔버(20)는 외부로부터 처리되지 않은 기판을 받아 들이거나 처리가 끝난 기판을 외부로 반출하는 역할을 하며, 트랜스퍼 챔버(30)는 기판을 각 챔버들 간에 반송하기 위한 로봇이 구비되어 있어서 처리가 예정된 기판을 로드락 챔버(20)에서 기판처리장치(10)로 전달하거나, 처리가 완료된 기판을 기판처리장치(10)에서 로드락 챔버(20)로 전달하는 역할을 한다. 기판처리장치(10)에 대한 설명은 후술하기로 한다.The load lock chamber 20 serves to receive an unprocessed substrate from the outside or to take out the processed substrate to the outside, and the transfer chamber 30 is provided with a robot for transferring the substrate between the chambers. The substrate to be processed is transferred from the load lock chamber 20 to the substrate processing apparatus 10, or the substrate having been processed is transferred from the substrate processing apparatus 10 to the load lock chamber 20. Description of the substrate processing apparatus 10 will be described later.

도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 기판처리장치(10)를 개략적으로 나타내는 정면도이며, 도 3은 도 2의 기판처리장치(10)를 개략적으로 나타내는 측면도이다.FIG. 2 is a front view schematically showing the substrate processing apparatus 10 according to an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a side view schematically showing the substrate processing apparatus 10 of FIG.

기판처리장치(10)는 상부챔버(120) 및 하부챔버(140)를 포함한다. 상부챔버(120)는 공정진행시 하부챔버(140)의 상부에 놓여진다. 다만, 후술하는 바와 같이, 상부챔버(120) 및 하부챔버(140)의 내부를 유지보수하는 경우 하부챔버(140)의 상부로부터 이탈할 수 있다. 상부챔버(120) 및 하부챔버(140)는 내부에 공정공간을 형성하며, 공정공간 내에서는 기판에 대한 공정이 이루어진다. 후술하는 바와 같이, 공정진행시 공정공간은 진공상태로 유지된다.The substrate processing apparatus 10 includes an upper chamber 120 and a lower chamber 140. The upper chamber 120 is placed on top of the lower chamber 140 during the process. However, as will be described later, when maintaining the interior of the upper chamber 120 and the lower chamber 140 may be separated from the upper portion of the lower chamber 140. The upper chamber 120 and the lower chamber 140 form a process space therein, and a process for the substrate is performed in the process space. As will be described later, the process space is maintained in a vacuum state during the process.

공정공간 내에는 기판이 놓여지는 지지 플레이트(150) 및 지지 플레이트(150)의 상부에 공정가스를 공급하는 샤워헤드가 제공된다. 지지 플레이트(150)는 접지되며, 후술하는 상부전극(132)과 함께 지지 플레이트(150)의 상부에 플라스마를 생성한다. 샤워헤드는 상부전극(132) 및 분사판(134), 그리고 수직축(136)을 포함한다. 수직축(136)의 하단은 상부전극(132)에 연결되며, 수직축(136)의 상단은 공급라인(138) 및 고주파 발생기(RF generator)(139)에 연결된다. 공급라인(138)은 밸브(138a)에 의해 개폐되며, 상부전극(132)과 분사판(134) 사이의 공간에 소스가스를 공급한다. 고주파 발생기(139)는 13.56㎒로 동작하며, 상부전극(132)에 연결된다. 공정진행시, 분사판(134)을 통해 지지 플레이트(150)의 상부에 소스가스가 공급되며, 상부전극(132)과 지지 플레이트(150) 사이에 형성된 전계로 인하여 플라스마가 생성된다. 생성된 플라스마는 공정에 사용된다.In the process space, a support plate 150 on which a substrate is placed and a shower head for supplying a process gas to an upper portion of the support plate 150 are provided. The support plate 150 is grounded and generates plasma on the support plate 150 together with the upper electrode 132 which will be described later. The showerhead includes an upper electrode 132, a jet plate 134, and a vertical axis 136. The lower end of the vertical axis 136 is connected to the upper electrode 132, the upper end of the vertical axis 136 is connected to the supply line 138 and the RF generator 139. The supply line 138 is opened and closed by the valve 138a and supplies a source gas to the space between the upper electrode 132 and the jet plate 134. The high frequency generator 139 operates at 13.56 MHz and is connected to the upper electrode 132. During the process, the source gas is supplied to the upper portion of the support plate 150 through the spray plate 134, and plasma is generated due to an electric field formed between the upper electrode 132 and the support plate 150. The resulting plasma is used for the process.

상부챔버(120)는 제1 지지유닛(200)에 의해 지지된다. 제1 지지유닛(200)은 제1 지지축(220), 회전부재(240), 제1 상부판(260), 그리고 수평이동부재(280)를 포함하며, 상부챔버(120)와 하부챔버(140) 사이에 간극(gap)이 형성되도록 상부챔버(120)를 하부챔버(140)의 상부에 지지한다. 회전부재(240)는 상부챔버(120)의 양측에 고정설치되며, 제1 지지축(220)의 일단은 회전부재(240)에 연결된다. 제1 지지축(220)의 타단은 제1 상부판(260)에 고정설치되며, 제1 상부판(260)의 하단에는 수평이동부재(280)가 설치된다. 수평이동부재(280)는 상부챔버(120)를 수평방향으로 이동시킨다.The upper chamber 120 is supported by the first support unit 200. The first support unit 200 includes a first support shaft 220, a rotating member 240, a first upper plate 260, and a horizontal moving member 280, and includes an upper chamber 120 and a lower chamber ( The upper chamber 120 is supported on the upper portion of the lower chamber 140 so that a gap is formed between the 140. The rotating member 240 is fixedly installed at both sides of the upper chamber 120, and one end of the first support shaft 220 is connected to the rotating member 240. The other end of the first support shaft 220 is fixedly installed on the first upper plate 260, and a horizontal moving member 280 is installed at the lower end of the first upper plate 260. The horizontal member 280 moves the upper chamber 120 in the horizontal direction.

하부챔버(140)는 제2 지지유닛에 의해 지지된다. 제2 지지유닛은 제2 지지축(142), 제2 상부판(144), 탄성부재(146), 그리고 하부판(148)을 포함하며, 상부챔버(120)와 하부챔버(140) 사이에 간극(gap)이 형성되도록 하부챔버(140)를 상부챔버(120)의 하부에 지지한다. 제2 지지축(142)의 일단은 하부챔버(140)에 연결되며, 제2 지지축(142)의 타단은 제2 상부판(144)에 고정설치된다. 하부판(148)은 제2 상부판(144)의 하단에 제2 상부판(144)과 나란하게 배치되며, 제2 상부판(144)과 하부판(148) 사이에는 탄성부재(146)가 제공된다.The lower chamber 140 is supported by the second support unit. The second support unit includes a second support shaft 142, a second upper plate 144, an elastic member 146, and a lower plate 148, and a gap between the upper chamber 120 and the lower chamber 140. The lower chamber 140 is supported below the upper chamber 120 so that a gap is formed. One end of the second support shaft 142 is connected to the lower chamber 140, and the other end of the second support shaft 142 is fixed to the second upper plate 144. The lower plate 148 is disposed parallel to the second upper plate 144 at the lower end of the second upper plate 144, and an elastic member 146 is provided between the second upper plate 144 and the lower plate 148. .

상부챔버(120)와 하부챔버(140) 사이에는 실링부재(160)가 제공된다. 실링부재(160)는 하부챔버(140)의 상부면에 제공되며, 상부챔버(120)와 하부챔버(140) 사이에 형성된 간극 상에 제공된다. 도 2에 도시한 바와 같이, 실링부재(160)는 상부챔버(120)의 하부면과 이격된 상태이나, 후술하는 바와 같이 공정공간 내에 진공상 태가 형성되면, 실링부재(160)는 상부챔버(120)의 하부면에 밀착되며 공정공간을 외부로부터 폐쇄한다.The sealing member 160 is provided between the upper chamber 120 and the lower chamber 140. The sealing member 160 is provided on the upper surface of the lower chamber 140 and is provided on the gap formed between the upper chamber 120 and the lower chamber 140. As shown in FIG. 2, the sealing member 160 is spaced apart from the lower surface of the upper chamber 120. However, when a vacuum is formed in the process space as described below, the sealing member 160 may be formed in the upper chamber ( It is in close contact with the lower surface of 120 and closes the process space from the outside.

도 2에 도시한 바와 같이, 상부챔버(120)의 하부면에는 플런저(plunger)(180)가 삽입설치된다. 플런저(180)는 상부챔버(120)에 삽입된 하우징(182)과 상기 하우징(182) 내에 삽입설치되는 볼(184)을 포함한다. 볼(184)은 하우징(182) 내에 삽입되거나 하우징(182)으로부터 돌출될 수 있다. 볼(184)을 구동하는 방법으로는 하우징(182) 내에 에어를 공급/제거하여 볼(184)에 압력을 가하는 방법을 포함하여 다양한 방법이 제공될 수 있다. 도 2에 도시한 바와 같이, 공정공간이 폐쇄되지 않은 상태에서, 볼(184)은 하우징(182)의 외부로 돌출되어 하부챔버(140)의 상부면에 접촉하며, 상부챔버(120)와 하부챔버(140) 사이에 일정한 크기의 간극을 형성한다.As shown in FIG. 2, a plunger 180 is inserted into the lower surface of the upper chamber 120. The plunger 180 includes a housing 182 inserted into the upper chamber 120 and a ball 184 inserted into the housing 182. The ball 184 may be inserted into or protrude from the housing 182. As a method of driving the ball 184, various methods may be provided, including a method of applying pressure to the ball 184 by supplying / removing air in the housing 182. As shown in FIG. 2, in a state where the process space is not closed, the ball 184 protrudes out of the housing 182 to contact the upper surface of the lower chamber 140, and the upper chamber 120 and the lower portion. A gap of a certain size is formed between the chambers 140.

하부챔버(140)의 하부에는 배기라인(192)이 연결되며, 배기라인(192) 상에는 펌프(194)가 설치된다. 펌프(194)는 배기라인(192)을 통하여 공정공간 내의 가스를 배기하여, 공정공간을 진공상태로 유지한다. 배기라인(192)은 밸브(192a)에 의하여 개폐된다.An exhaust line 192 is connected to a lower portion of the lower chamber 140, and a pump 194 is installed on the exhaust line 192. The pump 194 exhausts the gas in the process space through the exhaust line 192 to maintain the process space in a vacuum state. The exhaust line 192 is opened and closed by the valve 192a.

한편, 도 3에 도시한 바와 같이, 상부챔버(120)의 하부면 및 하부챔버(140)의 상부면은 상부챔버(120)의 이동방향을 따라 일정한 각도(θ)만큼 경사진다. 경사방향은 하부챔버(140)를 향하여 이동하는 상부챔버(120)의 전단으로부터 상부챔버(120)의 후단에 이르기까지 하향진다.Meanwhile, as shown in FIG. 3, the lower surface of the upper chamber 120 and the upper surface of the lower chamber 140 are inclined by a predetermined angle θ along the moving direction of the upper chamber 120. The inclination direction is downward from the front end of the upper chamber 120 moving toward the lower chamber 140 to the rear end of the upper chamber 120.

도 4는 배기라인(192)을 이용하여 기판처리장치(10)의 공정공간을 폐쇄하는 모습을 나타내는 정면도이다. 이하, 도 4를 참고하여 기판처리장치(10)의 공정공간을 폐쇄하는 방법을 설명하기로 한다.4 is a front view illustrating a process space of the substrate processing apparatus 10 being closed using the exhaust line 192. Hereinafter, a method of closing the process space of the substrate processing apparatus 10 will be described with reference to FIG. 4.

먼저, 볼(184)을 하우징(182) 내에 삽입한 상태에서, 배기라인(192)을 이용하여 공정공간 내의 가스를 배기하면, 공정공간의 내부압력은 낮아지며 외부와의 압력 이하로 내려간다. 따라서, 상부챔버(120)와 하부챔버(140)는 내외의 압력 차로 인한 압력을 받는다.First, when the ball 184 is inserted into the housing 182, when the gas in the process space is exhausted by using the exhaust line 192, the internal pressure of the process space is lowered and lowers below the pressure with the outside. Therefore, the upper chamber 120 and the lower chamber 140 are subjected to pressure due to the pressure difference between the inside and outside.

이때, 상부챔버(120)는 제1 지지축(220)에 의해 구속되어 있으므로, 상부챔버(120)는 상하방향으로 이동할 수 없다. 반면에, 하부챔버(140)는 탄성부재(146)에 의해 상하방향으로 자유도를 가지므로, 압력에 의하여 하부챔버(140)는 상부로 이동하며, 상부챔버(120)와 하부챔버(140) 사이의 간극은-상부챔버(120)와 하부챔버(140)의 결합 또는 상부챔버(120)와 실링부재(160)의 밀착으로 인하여-폐쇄된다.At this time, since the upper chamber 120 is restrained by the first support shaft 220, the upper chamber 120 may not move in the vertical direction. On the other hand, since the lower chamber 140 has a degree of freedom in the vertical direction by the elastic member 146, the lower chamber 140 is moved upward by the pressure, between the upper chamber 120 and the lower chamber 140 The gap of is closed due to the combination of the upper chamber 120 and the lower chamber 140 or the close contact of the upper chamber 120 and the sealing member 160.

반대로, 진공상태를 해제하면, 공정공간의 내외압력 차가 사라지므로, 하부챔버(140)는 원래의 위치로 복귀(하부로 이동)할 수 있으며, 상부챔버(120)와 하부챔버(140) 사이의 간극은 개방된다. 이와 같은 내용은 탄성부재(146)의 탄성변형(elastic deformation)을 통해 가능하다. 탄성변형은 소성변형(plastic deformation)과 반대되는 개념으로, 일정한 하중 하에서는 하중의 크기에 따라 시편(specimen)의 변형(deflection) 및 변형률(strain)이 결정되고, 하중이 제거되면 시편은 원래의 모습으로 회복되는 것을 말하며, 시편 상에는 어떠한 영구변형(permanent set)도 발견되지 않는다.On the contrary, when releasing the vacuum state, since the pressure difference between the inside and the outside of the process space disappears, the lower chamber 140 may return to its original position (move downward), and between the upper chamber 120 and the lower chamber 140 The gap is open. Such content is possible through elastic deformation of the elastic member 146. Elastic deformation is the opposite of plastic deformation. Under constant load, the deflection and strain of the specimen are determined by the magnitude of the load, and when the load is removed, the specimen is intact. It is said that no permanent set is found on the specimen.

도 5a 내지 도 6은 도 3의 수평이동부재(280) 및 회전부재(240)의 동작을 나타내는 측면이다. 이하, 도 5a 내지 도 6을 참고하여 수평이동부재(280) 및 회전부재(240)의 동작을 설명하기로 한다.5A to 6 are side views illustrating the operation of the horizontal member 280 and the rotating member 240 of FIG. Hereinafter, operations of the horizontal member 280 and the rotating member 240 will be described with reference to FIGS. 5A to 6.

수평이동부재(280)는 상부판(260)의 바닥면에 설치되어, 별도로 설치된 가이드레일(도시안됨)을 따라 상부판(260) 및 지지축(220)을 이동시킨다. 도 5a에 도시한 바와 같이, 수평이동부재(280)는 지지축(220)을 이용하여 상부챔버(120)를 우측으로 수평이동시킨다. 이때, 상부챔버(120)의 하부면 및 하부챔버(140)의 상부면은 경사지므로, 하부면과 상부면 사이의 충돌 없이 상부챔버(120)를 이동시킬 수 있다. 상부챔버(120)가 원하는 위치까지 이동한 후, 회전부재(240)는 상부챔버(120)를 회전시켜, 상부챔버(120)의 하부면이 상부를 향하도록 한다.The horizontal member 280 is installed on the bottom surface of the upper plate 260, and moves the upper plate 260 and the support shaft 220 along the guide rail (not shown) separately installed. As shown in FIG. 5A, the horizontal member 280 horizontally moves the upper chamber 120 to the right using the support shaft 220. In this case, since the lower surface of the upper chamber 120 and the upper surface of the lower chamber 140 are inclined, the upper chamber 120 may be moved without collision between the lower surface and the upper surface. After the upper chamber 120 moves to a desired position, the rotating member 240 rotates the upper chamber 120 so that the lower surface of the upper chamber 120 faces upward.

반대로, 상부챔버(120)를 하부챔버(140)의 상부로 이동할 경우, 도 6에 도시한 바와 같이, 수평이동부재(280)는 상부챔버(120)를 좌측으로 수평이동시킨다. 이때, 상부챔버(120)의 전방이 아래로 처지거나 상부챔버(120)의 후방이 아래로 처질 경우, 상부챔버(120)와 하부챔버(140)가 충돌할 수 있다. 따라서, 볼(184)을 하우징(182)으로부터 돌출시키며, 볼(184)이 하부챔버(140)의 상부면을 따라 이동하도록 함으로써 상부챔버(120)의 위치를 정렬한다. 즉, 볼(184)이 하부챔버(140)의 상부면을 따라 이동하는 동안, 상부챔버(120)는 시계방향 또는 반시계방향으로 회전하여 상부챔버(120)의 전방 또는 후방이 아래로 쳐지는 것을 방지할 수 있다.On the contrary, when the upper chamber 120 is moved to the upper portion of the lower chamber 140, as shown in FIG. 6, the horizontal moving member 280 horizontally moves the upper chamber 120 to the left side. In this case, when the front of the upper chamber 120 sags downward or the rear of the upper chamber 120 sags downward, the upper chamber 120 and the lower chamber 140 may collide. Accordingly, the ball 184 protrudes from the housing 182, and the position of the upper chamber 120 is aligned by causing the ball 184 to move along the upper surface of the lower chamber 140. That is, while the ball 184 moves along the upper surface of the lower chamber 140, the upper chamber 120 is rotated clockwise or counterclockwise so that the front or rear of the upper chamber 120 is struck down. Can be prevented.

본 발명을 바람직한 실시예들을 통하여 상세하게 설명하였으나, 이와 다른 형태의 실시예들도 가능하다. 그러므로, 이하에 기재된 청구항들의 기술적 사상과 범위는 바람직한 실시예들에 한정되지 않는다.Although the present invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, other forms of embodiments are possible. Therefore, the spirit and scope of the claims set forth below are not limited to the preferred embodiments.

도 1은 본 발명에 따른 기판처리장치를 포함하는 제조설비를 개략적으로 나타내는 평면도이다.1 is a plan view schematically showing a manufacturing apparatus including a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 본 발명에 따른 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 정면도이다.2 is a front view schematically showing a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 3은 도 2의 기판처리장치를 개략적으로 나타내는 측면도이다.3 is a side view schematically illustrating the substrate treating apparatus of FIG. 2.

도 4는 도 2의 진공유닛을 이용하여 도 2의 기판처리장치의 공정공간을 폐쇄하는 모습을 나타내는 정면도이다.4 is a front view illustrating a process of closing the process space of the substrate processing apparatus of FIG. 2 using the vacuum unit of FIG. 2.

도 5a 내지 도 6은 도 3의 수평이동부재 및 회전부재의 동작을 나타내는 측면이다.5A to 6 are side views illustrating the operation of the horizontal member and the rotating member of FIG.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

10 : 기판처리장치 20 : 로드락 챔버10: substrate processing apparatus 20: load lock chamber

30 : 트랜스퍼 챔버 120 : 상부챔버30: transfer chamber 120: upper chamber

140 : 하부챔버 142 : 제2 지지축140: lower chamber 142: second support shaft

144 : 제2 상부판 146 : 탄성부재144: second top plate 146: elastic member

148 : 하부판 160 : 실링부재148: lower plate 160: sealing member

180 : 플런저 220 : 제1 지지축180: plunger 220: first support shaft

240 : 회전부재 280 : 수평이동부재240: rotating member 280: horizontal moving member

Claims (7)

하부챔버;Lower chamber; 공정시 상기 하부챔버의 상부에 배치되며, 외부로부터 밀폐된 공정공간을 상기 하부챔버와 함께 내부에 형성하는 상부챔버;An upper chamber disposed at an upper portion of the lower chamber during the process and forming a process space enclosed from the outside together with the lower chamber; 상기 상부챔버와 상기 하부챔버 사이에 간극이 제공되도록 상기 하부챔버를 탄성지지하는 지지유닛; 및A support unit for elastically supporting the lower chamber so that a gap is provided between the upper chamber and the lower chamber; And 공정시 상기 공정공간을 진공상태로 유지하며, 상기 진공상태에 의하여 상기 공정공간을 밀폐하는 진공유닛을 포함하되,Including a vacuum unit to maintain the process space in a vacuum state during the process, and to seal the process space by the vacuum state, 상기 공정공간이 진공상태일 때 상기 지지유닛은 상기 하부챔버의 상승을 허용하며,The support unit allows the lower chamber to rise when the process space is in a vacuum state, 상기 공정공간이 비진공상태일 때 상기 지지유닛은 상기 하부챔버가 복귀하도록 탄성력을 제공하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the support unit provides an elastic force to return the lower chamber when the process space is in a non-vacuum state. 제1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 지지유닛은,The support unit, 일단이 상기 하부챔버에 연결되어 상기 하부챔버를 지지하는 지지축;A support shaft having one end connected to the lower chamber to support the lower chamber; 상기 지지축의 타단에 연결되는 상부판;An upper plate connected to the other end of the support shaft; 상기 상부판의 하부에 배치되는 하부판; 및A lower plate disposed under the upper plate; And 상기 상부판과 상기 하부판 사이에 제공되는 탄성부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a resilient member provided between the upper plate and the lower plate. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 장치는 상기 상부챔버와 상기 하부챔버 사이에 제공된 상기 간극 상에 제공되어 상기 진공상태시 상기 간극을 폐쇄하는 실링부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the apparatus further comprises a sealing member provided on the gap provided between the upper chamber and the lower chamber to close the gap in the vacuum state. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 장치는, The device, 상기 하부챔버의 상부면과 인접한 상기 상부챔버의 하부면에 삽입설치되며, Is inserted into the lower surface of the upper chamber adjacent to the upper surface of the lower chamber, 상기 상부챔버의 하부면으로부터 돌출된 상태에서 상기 상부챔버를 지지하는 지지체를 가지는 플런저(plunger)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And a plunger having a support for supporting the upper chamber in a state protruding from the lower surface of the upper chamber. 제1항 또는 제2항에 있어서,The method according to claim 1 or 2, 상기 지지유닛은 일방향을 따라 상기 상부챔버를 상기 하부챔버에 대하여 수평이동시키는 수평이동부재를 더 포함하고,The support unit further includes a horizontal moving member for horizontally moving the upper chamber with respect to the lower chamber in one direction, 서로 대향되는 상기 상부챔버의 하부면 및 상기 하부챔버의 상부면은 상기 일방향을 따라 서로 나란하게 경사지며,The lower surface of the upper chamber and the upper surface of the lower chamber opposite to each other are inclined parallel to each other along the one direction, 상기 경사방향은 상기 하부챔버를 향하여 이동하는 상기 상부챔버의 전단으로부터 상기 상부챔버의 후단에 이르기까지 하향진 것을 특징으로 하는 기판처리장치.And the inclined direction is downward from the front end of the upper chamber moving toward the lower chamber to the rear end of the upper chamber. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 장치는,The device, 상기 하부챔버의 상부면과 인접한 상기 상부챔버의 하부면에 삽입설치되며, 상기 상부챔버의 하부면으로부터 돌출된 상태에서 상기 하부챔버를 향하여 이동하는 상기 상부챔버의 위치를 정렬하는 지지체를 가지는 플런저를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.A plunger having a support arranged to be inserted into a lower surface of the upper chamber adjacent to an upper surface of the lower chamber, and having a support for aligning the position of the upper chamber moving toward the lower chamber while protruding from the lower surface of the upper chamber; Substrate processing apparatus characterized in that it further comprises. 제5항에 있어서,The method of claim 5, 상기 지지유닛은 상기 상부챔버의 하부면이 상부를 향하도록 상기 상부챔버를 회전시키는 회전부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판처리장치.The support unit further comprises a rotating member for rotating the upper chamber so that the lower surface of the upper chamber toward the top.
KR1020070081382A 2007-08-13 2007-08-13 Apparatus for processing substrate KR100898019B1 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070081382A KR100898019B1 (en) 2007-08-13 2007-08-13 Apparatus for processing substrate
TW097123282A TWI405295B (en) 2007-08-13 2008-06-23 Substrate processing apparatus and method
US12/146,730 US20090047433A1 (en) 2007-08-13 2008-06-26 Substrate processing apparatus and method
CN2008101264482A CN101369519B (en) 2007-08-13 2008-06-27 Substrate processing apparatus and method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070081382A KR100898019B1 (en) 2007-08-13 2007-08-13 Apparatus for processing substrate

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090016995A KR20090016995A (en) 2009-02-18
KR100898019B1 true KR100898019B1 (en) 2009-05-19

Family

ID=40413275

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070081382A KR100898019B1 (en) 2007-08-13 2007-08-13 Apparatus for processing substrate

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR100898019B1 (en)
CN (1) CN101369519B (en)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101877336B1 (en) * 2011-07-13 2018-07-12 주식회사 원익아이피에스 Substrate processing apparatus

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050022045A (en) * 2003-08-25 2005-03-07 한국디엔에스 주식회사 Apparatus for treating substrates
JP2006120974A (en) 2004-10-25 2006-05-11 Toray Eng Co Ltd Plasma cvd device
KR20070041945A (en) * 2005-10-17 2007-04-20 주식회사 에이디피엔지니어링 Apparatus for vacuum processing
KR20070066171A (en) * 2005-12-21 2007-06-27 세메스 주식회사 Apparaturs for treating substrate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20050022045A (en) * 2003-08-25 2005-03-07 한국디엔에스 주식회사 Apparatus for treating substrates
JP2006120974A (en) 2004-10-25 2006-05-11 Toray Eng Co Ltd Plasma cvd device
KR20070041945A (en) * 2005-10-17 2007-04-20 주식회사 에이디피엔지니어링 Apparatus for vacuum processing
KR20070066171A (en) * 2005-12-21 2007-06-27 세메스 주식회사 Apparaturs for treating substrate

Also Published As

Publication number Publication date
CN101369519B (en) 2010-08-11
CN101369519A (en) 2009-02-18
KR20090016995A (en) 2009-02-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20090047433A1 (en) Substrate processing apparatus and method
KR100854803B1 (en) A substrate processing apparatus and a lid supporting apparatus
CN101707186B (en) Substrate placing stage and substrate processing apparatus
CN101261952B (en) Substrate carrying bench and substrate treatment device
KR102242988B1 (en) Plasma processing equipment
KR100902330B1 (en) Apparatus for Semiconductor Process
JP5219377B2 (en) Substrate mounting table and substrate processing apparatus
KR20090046726A (en) Loading table, processing apparatus and processing system
JP5269568B2 (en) Substrate processing apparatus and method for opening and closing process space inside substrate processing apparatus
US20070227033A1 (en) Substrate transferring apparatus, substrate processing apparatus, and substrate processing method
KR20120100750A (en) Plasma processing apparatus
US20190233224A1 (en) Vacuum processing apparatus
US20150144595A1 (en) Gas cluster irradiation mechanism, substrate processing apparatus using same, and gas cluster irradiation method
JPH05196150A (en) Gate valve
US10786837B2 (en) Method for cleaning chamber of substrate processing apparatus
KR100898019B1 (en) Apparatus for processing substrate
US20090275201A1 (en) Substrate processing system
KR100915797B1 (en) apparatus for processing substrate and method for opening and closing process space inside of the same
JP4972327B2 (en) Plasma processing equipment
CN213212104U (en) Plasma processing apparatus
KR101141025B1 (en) Lift pin drive device
KR101256485B1 (en) Processing chamber for substrate processing apparatus
KR20090088731A (en) Device for adjusting height of lift pin and fpd manufacturing machine having the same
KR20210043181A (en) Apparatus and method for treating substrate
KR100749056B1 (en) Atmospheric pressure plasma equipment

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130513

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140513

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee