KR100942820B1 - Manufacturing method of printed circuit board using electrolytic plating lead - Google Patents

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Abstract

개시된 발명은 동적층판에 드릴공정으로 복수의 도통홀을 형성한 후 동적층판의 전면에 동도금층이 형성된 기판을 제조하고, 도통홀의 내부를 에폭시 계열의 잉크로 채우고, 평탄화하는 제1단계 내지 제3단계, 상기 평탄화된 기판에 제1드라이필름으로 제1차 포토센시티브 프린팅하고, 노광 및 현상한 후 식각공정에 의해 구리회로를 형성한 후 상기 제1드라이 필름을 제1차 박리하는 제4단계, 상기 기판에 금도금 마스킹용 드라이필름으로 제2차 포토센시티브 프린팅하고 노광 및 현상하여 금도금 마스킹을 형성하는 제5단계, 금도금 마스킹을 이용하여 전해 니켈·금도금층을 형성한 후 상기 금도금 마스킹용 드라이 필름을 제2차 박리하는 제6단계, 상기 기판에 제2드라이 필름으로 제3차 포토센시티브 프린팅하고, 노광 및 현상한 후 식각공정에 의해 구리/니켈·금도금회로(23a)를 형성한 후 상기 제2드라이 필름을 제3차 박리하는 제7단계, 상기 니켈·금도금된 기판의 소정 부위에 솔더 레지스트를 도포하고, 노광,현상 및 건조시키는 제 8단계로 이루어지는 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조방법이다.Disclosed is a first to third process of manufacturing a substrate on which a copper plating layer is formed on a front surface of a dynamic layer plate, filling the inside of the conductive hole with an epoxy-based ink, and planarizing the plurality of conductive holes in the dynamic layer plate by a drill process. A fourth step of forming a copper circuit by an etching process after first photosensitive printing on the planarized substrate with a first dry film, exposing and developing the first dry film, and then first peeling the first dry film; A second step of photosensitive printing on the substrate using a gold plated masking dry film, followed by exposure and development to form a gold plated masking, forming an electrolytic nickel / gold plated layer using gold plated masking, and then the gold plated masking dry film. In the sixth step of second peeling, a third photosensitive print is performed on the substrate using a second dry film, and the light is exposed and developed. After forming the li / nickel-gold plating circuit 23a, a third step of peeling the second dry film is performed, and a solder resist is applied to a predetermined portion of the nickel-gold plated substrate, and exposed, developed, and dried. A semiconductor package substrate manufacturing method without a plating lead wire formed in an eighth step.

도금 인입선, 반도체 패키지 기판, 회로패턴, 니켈·금도금 공정 Plating lead wire, semiconductor package substrate, circuit pattern, nickel and gold plating process

Description

도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조 방법{Manufacturing method of printed circuit board using electrolytic plating lead}Manufacturing method of printed circuit board using electrolytic plating lead

본 발명은 도금인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조방법에 관한 것으로서, 추가적인 전도층을 사용하지 않고 기판하단면의 동(Copper)이 전기적인 전도체 역할을 할 수 있도록 하며, 기판의 상단면 및 하단면을 금도금, 기판 하단면에 패턴을 형성하여 동(Copper)의 감소를 최소화 시키는 반도체 패키지 기판 제조방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package substrate without a plating lead wire, so that copper of the lower surface of the substrate can serve as an electrical conductor without using an additional conductive layer, and the upper and lower surfaces of the substrate The present invention relates to a method for manufacturing a semiconductor package substrate which minimizes the reduction of copper by forming a pattern on a bottom surface of gold plating.

도 1은 종래의 반도체 패키지 기판의 제조 방법을 나타내는 전체 구성도이다.1 is an overall configuration diagram showing a conventional method for manufacturing a semiconductor package substrate.

종래에는 상부면 및 하부면의 패턴을 형성한 후 추가적인 전도층을 통해 회로의 NET을 연결하고 금도금을 한 뒤 전도층을 제거하는 방식으로 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판을 제조하였다.Conventionally, a semiconductor package substrate without a plating lead wire was manufactured by forming patterns of upper and lower surfaces, connecting the NET of a circuit through an additional conductive layer, gold plating, and then removing the conductive layer.

그러나 상기 도 1에서 도시된 바와 같이 종래기술은 금도금을 위한 전도층을 라미네이트(Laminate) 하고 식각공정을 통해 제거하는 과정에서 제 2차 마스킹인 금도금 마스크와 제 1차 에칭을 위한 마스크 사이 부분에 형성한 동도금층이 과도하게 감소되는 문제점이 있었다.However, as shown in FIG. 1, the prior art is formed between the gold plating mask, which is the second masking mask, and the mask for the first etching, in the process of laminating and removing the conductive layer for gold plating by etching. There was a problem that one copper plating layer was excessively reduced.

본 발명은 상기한 종래기술의 문제점을 해결하기 위하여 발명한 것으로써, 그 목적은 기판 상단면에 패턴을 형성하고, 추가적인 전도층을 사용하지 않고 기판하단면의 동(Copper)이 전기적인 전도체 역할을 할 수 있도록 하며, 기판의 상단면 및 하단면을 금도금하고, 기판 하단면에 패턴을 형성하여 동(Copper)의 감소를 최소화 시킴으로써, 종래기술이 지닌 문제점을 해소시킬 수 있도록 한 도금인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조방법을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been invented to solve the above problems of the prior art, the object of which is to form a pattern on the upper surface of the substrate, the copper of the lower surface of the substrate (Copper) serves as an electrical conductor without using an additional conductive layer It is possible to do the gold plating of the upper and lower surfaces of the substrate, and by forming a pattern on the lower surface of the substrate to minimize the reduction of the copper (Copper), there is no plating lead wire to solve the problems of the prior art It is an object of the present invention to provide a method for manufacturing a semiconductor package substrate.

상기와 같은 과제를 해결하기 위해 본 발명은, 프리프레그의 상,하 양면에 동박층이 형성된 동적층판 상에, 드릴을 이용하여 복수의 도통홀을 형성하는 제 1단계; 도통홀이 가공된 동적층판의 전면(full plane)에 무전해 화학 동도금을 실시하여 동도금층이 형성된 기판을 제조하는 제 2단계; 도통홀 내부를 에폭시계열 잉크로 채우고 기판을 평탄화하는 제 3단계; 평탄화된 기판에 제1 드라이 필름으로 제 1차 포토센시티브 프린팅(Photosensitive Printing)하고 노광 및 현상하여 구리회로 마스킹을 형성한 후 식각공정에 의해 동박층 및 동도금층 일부를 제거하여 1차 회로패턴인 구리회로와 동도금층을 형성한 후 상기 제1 드라이 필름을 제 1차 박리하는 제 4단계; 상기 1차 회로패턴이 형성된 기판에 금도금 마스킹용 드라이필름으로 제 2차 포토센시티브 프린팅하고, 노광 및 현상하여 솔더볼 패드 및 와이어 본딩패드의 위치영역을 개방시킨 금도금 마스킹을 형성하는 제 5단계; 상기 금도금 마스킹이 형성된 기판에 전해 니켈·금도금 공정을 실시하여 전해 니켈·금도금층을 형성한 후 금도금 마스킹용 드라이 필름을 제 2차 박리하는 제 6단계; 상기 전해 니켈·금도금층이 형성된 기판에 제2 드라이필름으로 제 3차 포토센시티브 프린팅하고, 노광 및 현상하여 니켈·금도금 회로 마스킹을 형성한 후 식각공정에 의해 동박층과 동도금층 일부를 제거하여 2차 회로패턴인 구리/니켈·금도금회로를 상기 기판의 다른 일면에 형성하고 상기 제2 드라이 필름을 제 3차 박리하는 제 7단계; 상기 2차 회로패턴이 형성된 기판의 소정 부위에 솔더 레지스트를 도포하고, 노광, 현상 및 건조시키는 제 8단계;로 이루어지는 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조 방법을 이용하여 상기의 과제를 해결한다.
상기 프리프레그의 하면에 형성한 동박층은 전도체 역할을 하는 것을 특징으로 한다.
상기 제4단계에서 형성되는 1차 회로패턴인 구리회로는 동박층과 동도금층이 적층되어 이루어지며, 기판의 일면에만 패턴을 형성하고 기판의 다른 일면 전체를 마스킹하는 형태로 이루어진 것을 특징으로 한다.
상기 제7단계에서 형성되는 2차 회로패턴인 구리/니켈·금도금회로는 동박층과 동도금층, 및 니켈·금도금층이 차례로 적층되어 이루어지며, 상기 니켈·금도금층은 기판의 다른 일면에만 패턴을 형성하고 기판의 일면에 형성된 구리회로 전체를 마스킹하는 형태로 이루어진 것을 특징으로 한다.
In order to solve the above problems, the present invention, the first step of forming a plurality of through-holes using a drill on a dynamic layer plate is formed on both sides of the prepreg, copper foil layer; A second step of manufacturing a substrate on which a copper plating layer is formed by performing electroless chemical copper plating on the full plane of the conductive layer plate in which the through hole is processed; A third step of filling the through hole with an epoxy-based ink and planarizing the substrate; First photosensitive printing on the planarized substrate with a first dry film, exposure and development to form a copper circuit masking, and then a part of the copper foil layer and copper plating layer is removed by an etching process to remove copper as a primary circuit pattern. A fourth step of first peeling the first dry film after forming a circuit and a copper plating layer; A fifth step of forming a gold plating mask on the substrate on which the first circuit pattern is formed by a second photosensitive print using a gold plating masking dry film, and exposing and developing the solder ball pad and a wire bonding pad to open a position region of the solder ball pad; A sixth step of performing an electrolytic nickel / gold plating process on the substrate on which the gold plating masking is formed to form an electrolytic nickel / gold plating layer, and second peeling of the dry film for gold plating masking; After the third photosensitive printing on the substrate on which the electrolytic nickel / gold plated layer was formed with a second dry film, exposure and development to form a nickel-gold plated circuit masking, the copper foil layer and a part of the copper plating layer were removed by an etching process. A seventh step of forming a copper / nickel-gold plating circuit as a difference circuit pattern on the other surface of the substrate and third peeling off of the second dry film; The above-mentioned problem is solved by using a method of manufacturing a semiconductor package substrate without a plating lead wire, which comprises an eighth step of applying a solder resist to a predetermined portion of the substrate on which the secondary circuit pattern is formed, exposing, developing and drying.
The copper foil layer formed on the lower surface of the prepreg is characterized in that it serves as a conductor.
The copper circuit, which is the primary circuit pattern formed in the fourth step, is formed by stacking a copper foil layer and a copper plating layer, and forms a pattern on only one surface of the substrate and masks the entire other surface of the substrate.
The copper / nickel / gold plating circuit, which is the secondary circuit pattern formed in the seventh step, is formed by sequentially stacking a copper foil layer, a copper plating layer, and a nickel / gold plating layer, and the nickel / gold plating layer forms a pattern only on the other side of the substrate. Forming and masking the entire copper circuit formed on one surface of the substrate is characterized in that the form.

본 발명은 상기와 같은 구성으로 이루어진 본 발명은 상부면의 패턴을 형성한 후 추가적인 전도층의 사용 없이 하부면에 형성한 동(Copper)이 전기적인 전도체 역할을 하며, 상부면 및 하부면을 금도금한 후 하부면에 패턴을 형성함으로써 동(Copper) 감소를 최소화 시킬 수 있으며, 전도층을 사용하지 않으므로 공정이 단순화되어 제조비용이 절감되는 효과가 있다.The present invention made of the configuration as described above is a copper formed on the lower surface without the use of an additional conductive layer after forming a pattern of the upper surface (Copper) serves as an electrical conductor, the upper surface and the lower surface gold-plated After the pattern is formed on the lower surface it can minimize the copper (Copper) reduction, and since the conductive layer is not used, the process is simplified to reduce the manufacturing cost.

또한, 특정부분이 과다 에칭됨으로 인하여 패턴 폭 (pattern width) 및 두께 (thickness) 가 불균일하여 지는 문제를 해결할 수 있고, 제품의 신뢰성 및 품질을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.In addition, the problem that the pattern width (thickness) and the thickness (thickness) is non-uniform due to the excessive etching of a specific portion, there is an effect that can improve the reliability and quality of the product.

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이하 본 발명의 바람직한 실시 예를 첨부된 도면의 참조와 함께 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지기능 혹은 구성에 대한 구체적인 설 명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단된 경우 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. In describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related known function or configuration may unnecessarily obscure the subject matter of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

도 2a 내지 도 2i는 본 발명에 의한 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조 방법을 설명하기 위하여 예시한 각 공정별 제조기판의 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 도금인입선이 없는 반도체 패키지 기판의 제조 공정 흐름도이다.
도 2a 내지 도 2i 및 도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 의한 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판의 제조방법은, 동적층판(10) 상에 도통홀(14)을 형성하는 제 1단계(S10; 도 2a), 동적층판(10)의 전면(full plane)에 동도금층(13)이 적층된 기판을 제조하는 제 2단계(S20; 도 2b), 도통홀(14)에 에폭시 계열 잉크(15)를 채우고 평탄화하는 제 3단계(S30; 도 2c), 1차 회로패턴인 구리회로(23)를 기판의 일면에 형성하는 제 4단계(S40; 도 2d), 1차 회로패턴이 형성된 기판에 금도금 마스킹(17b)을 형성하는 제 5단계(S50; 도 2e), 상기 금도금 마스킹(17b)을 이용하여 전해 니켈·금도금층(18)을 형성하는 제 6단계(S60; 도 2f), 전해 니켈·금도금층(18)이 형성된 기판에 2차 회로패턴인 구리/니켈·금도금회로(23a)를 형성하는 제 7단계(S70; 도 2g, 도 2h), 솔더 레지스트(19)를 도포하여 건조시키는 제 8단계(S80; 도 2i)로 이루어질 수 있다.
2A to 2I are cross-sectional views of manufacturing substrates for each process illustrated to explain a method of manufacturing a semiconductor package substrate without a plating lead wire according to the present invention, and FIG. 3 is a manufacturing of a semiconductor package substrate without a plating lead wire according to the present invention. Process flow chart.
As shown in FIGS. 2A to 2I and 3, in the method of manufacturing a semiconductor package substrate without a plating lead wire according to the present invention, a first step of forming a through hole 14 on a dynamic layer plate 10 (S10) is performed. FIG. 2A is a second step (S20; FIG. 2B) of manufacturing a substrate on which a copper plating layer 13 is laminated on a full plane of the dynamic layer plate 10, and an epoxy-based ink 15 in a through hole 14; ), And a third step (S30; FIG. 2C) to fill and planarize, a fourth step (S40; FIG. 2D) to form a copper circuit 23 as a primary circuit pattern on one surface of the substrate, 5th step S50 (FIG. 2E) which forms the gold plating masking 17b, 6th step S60 (FIG. 2F) which forms the electrolytic nickel-gold plating layer 18 using the said gold plating masking 17b, electrolytic nickel A seventh step (S70; Fig. 2G, Fig. 2H) of forming a copper / nickel-gold plating circuit 23a as a secondary circuit pattern on the substrate on which the gold plating layer 18 is formed, and drying by applying a solder resist 19; Step 8; may be made of a (S80 Fig. 2i).

먼저, 도 2a에 도시된 바와 같이, 제1단계(S10)에서는 프리프레그(11)의 상,하 양면에 동박층(12)을 형성한 동적층판(10) 상에 드릴을 이용하여 복수의 도통홀(14)을 형성(S10)하고, 제2단계(S20)에서는 상기 드릴공정으로 인해 가공된 동적층판(10)의 전면(full plane)에 무전해 화학 동도금을 실시하여 도 2b에 도시된 바와 같이 동도금층(13)을 형성한 기판을 제조한다(S20). 이후에 제3단계(S30)에서는 상기 도통홀(14)의 내부를 도 2c에 도시된 바와 같이 에폭시 계열 잉크(15)로 채우고, 기판을 평탄화한다.(S30) 여기서 상기 프리프레그(11)의 하면에 형성한 동박층(12)은 전도체 역할을 할 수 있게 된다.First, as illustrated in FIG. 2A, in the first step S10, a plurality of conductions are conducted by using a drill on the dynamic layer plate 10 in which the copper foil layer 12 is formed on both upper and lower surfaces of the prepreg 11. The hole 14 is formed (S10), and in the second step (S20), electroless chemical copper plating is performed on the full plane of the dynamic layer plate 10 processed by the drilling process, as shown in FIG. 2B. A substrate on which the copper plating layer 13 is formed is manufactured (S20). Subsequently, in the third step S30, the inside of the through hole 14 is filled with the epoxy-based ink 15 as shown in FIG. 2C, and the substrate is planarized (S30). The copper foil layer 12 formed on the lower surface can serve as a conductor.

다음으로 제4단계(S40)에서는 도 2d에 도시된 바와 같이 상기 기판의 동도금층(13)에 제1 드라이 필름(16a)을 이용하여 제 1차 포토센시티브 프린팅(Photosensitive Printing)하고 노광 및 현상하여 구리회로 마스킹을 형성한 후 상기 기판 상면의 동박층(12)과 동도금층(13)을 식각공정으로 제거하여 1차 회로패턴인 구리회로(23)를 형성한 후 상기 제1드라이 필름(16a)을 제 1차 박리한다.(S40)Next, in the fourth step S40, as shown in FIG. 2D, the first photosensitive printing is performed on the copper plating layer 13 of the substrate using the first dry film 16a, followed by exposure and development. After the copper circuit masking is formed, the copper foil layer 12 and the copper plating layer 13 on the upper surface of the substrate are removed by an etching process to form a copper circuit 23 as a primary circuit pattern, and then the first dry film 16a. The first peeled off. (S40)

이때, 상기 제 1차 회로패턴인 구리회로(23)는 동박층(12)과 동도금층(13)이 차례로 적층되어 이루어지며, 도 2d에 도시된 바와 같이 기판의 상면에만 형성하고, 기판의 하면에는 패턴이 형성되지 않고 하면의 전면(full plane)이 동박층(12)과 동도금층(13)에 의해 덮인 형태가 된다.In this case, the copper circuit 23 as the primary circuit pattern is formed by sequentially stacking the copper foil layer 12 and the copper plating layer 13, and is formed only on the upper surface of the substrate as shown in FIG. 2D. A pattern is not formed in the bottom surface, and a full plane of the lower surface is covered by the copper foil layer 12 and the copper plating layer 13.

이후에, 제5단계(S50)에서는 도 2e에 도시된 바와 같이, 상기 1차 회로패턴이 형성된 기판에 금도금 마스킹용 드라이필름(17)으로 제 2차 포토센시티브 프린팅(Photosensitive Printing)하고, 노광 및 현상하여 솔더볼 패드 및 와이어 본딩패드의 위치영역을 개방시킨 금도금 마스킹(17b)을 형성한다.
다음으로 제6단계(S60)에서는 도 2f에 도시된 바와 같이, 상기 금도금 마스킹(17b)이 형성된 기판에 전해 니켈·금도금 공정을 실시하여 상기 금도금 마스킹(17b)의 개방영역(17a)에 전해 니켈·금도금층(18)을 형성한다. 이후에는 금도금 마스킹용 드라이 필름(17)을 제 2차 박리한다.
Subsequently, in a fifth step S50, as shown in FIG. 2E, second photosensitive printing is performed on the substrate on which the primary circuit pattern is formed by a dry film 17 for gold plating masking, and the exposure and It is developed to form a gold plating masking 17b which opens the position areas of the solder ball pad and the wire bonding pad.
Next, in the sixth step S60, as shown in FIG. 2F, an electrolytic nickel / gold plating process is performed on the substrate on which the gold plating masking 17b is formed, thereby electrolytic nickel in the open region 17a of the gold plating masking 17b. A gold plated layer 18 is formed. Thereafter, the gold plating masking dry film 17 is secondarily peeled off.

이어서 제7단계(S70)에서는 도 2g 및 도 2h에 도시된 바와 같이, 상기 전해 니켈·금도금층(18)이 형성된 후 금도금 마스킹용 드라이 필름(17)이 박리된 기판에 제2 드라이 필름(16b)으로 제 3차 포토센시티브 프린팅(Photosensitive Printing)한다. 이 경우 상기 금도금 마스킹(17b)의 개방영역(17a)에 형성된 전해 니켈·금도금층(18)은 상기 제2 드라이 필름(16b)에 의해 덮히게 된다. 이후 상기 3차 포토센시티브 프린팅된 기판의 하면을 노광 및 현상하여 니켈·금도금 회로 마스킹을 형성한 후 식각공정에 의해 동박층(12)과 동도금층(13) 일부를 제거하여 2차 회로패턴인 구리/니켈·금도금회로(23a)를 상기 기판의 다른 일면에 형성한다. 이후에는 상기 제2 드라이 필름(16b)을 제 3차 박리한다. 이때 형성되는 2차 회로패턴인 구리/니켈·금도금회로(23a)는 동박층(12)과 동도금층(13), 및 니켈·금도금층(18)이 차례로 적층되어 이루어지며, 상기 전해 니켈·금도금층(18)은 기판의 다른 일면에만 패턴을 형성하고 기판의 일면에 형성된 구리회로(23) 전체를 마스킹하는 형태로 이루어진다.Subsequently, in the seventh step S70, as shown in FIGS. 2G and 2H, the second dry film 16b is formed on the substrate on which the electrolytic nickel-gold plating layer 18 is formed and then the gold plating masking dry film 17 is peeled off. ) Third photosensitive printing. In this case, the electrolytic nickel / gold plating layer 18 formed in the open region 17a of the gold plating masking 17b is covered by the second dry film 16b. Subsequently, the lower surface of the third photosensitive printed substrate is exposed and developed to form nickel and gold plated circuit masking, and then a part of the copper foil layer 12 and the copper plated layer 13 is removed by an etching process, thereby forming copper as a secondary circuit pattern. The nickel-gold plating circuit 23a is formed on the other surface of the substrate. Thereafter, the second dry film 16b is thirdly peeled off. The copper / nickel-gold plating circuit 23a, which is a secondary circuit pattern formed at this time, is formed by sequentially stacking a copper foil layer 12, a copper plating layer 13, and a nickel-gold plating layer 18. The electrolytic nickel / gold plating The layer 18 is formed to form a pattern only on the other side of the substrate and mask the entire copper circuit 23 formed on one side of the substrate.

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상기 제 3차 박리 후, 마지막으로 제8단계(S80)에서는 도 2i에 도시된 바와 같이 상기 2차 회로패턴이 형성된 기판의 소정 부위, 즉 니켈·금도금된 기판의 와이어본딩 패드 및 솔더볼(Solder Ball)의 니켈·금도금된 부분을 제외한 부위에 솔더 레지스트(19)를 도포하고, 자외선을 이용하여 노광한 후, 현상을 통해 기판 상에 남아 있는 잔여분을 처리하고 건조시킴으로써, 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판의 제조를 완료할 수 있게 된다. After the third peeling, and finally, in the eighth step S80, as shown in FIG. 2I, a predetermined portion of the substrate on which the secondary circuit pattern is formed, that is, a wire bonding pad and a solder ball of a nickel-gold plated substrate. The semiconductor package substrate without a plating lead wire is applied by applying a solder resist 19 to a portion except for the nickel-gold plated portion of the s), exposing with ultraviolet rays, and then treating and drying the remaining residue on the substrate through development. It is possible to complete the manufacture of.

또한, 상기와 같은 공정은 추가적인 전도층의 사용없이 동적층판의 하단면에 형성한 동박층(12)이 전기적인 전도체 역할을 한다.In addition, in the above process, the copper foil layer 12 formed on the lower surface of the dynamic layer plate serves as an electrical conductor without using an additional conductive layer.

상술한 바와 같이 본 발명에 따른 바람직한 실시 예를 설명하였지만, 본 발명은 상기한 실시 예에 한정되지 않고, 이하의 특허 청구 범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 누구든 다양한 변경 실시가 가능한 범위까지 본 발명의 방법적 정신이 있다고 할 것이다.As described above, preferred embodiments of the present invention have been described, but the present invention is not limited to the above-described embodiments, and the present invention is not limited to the scope of the present invention as claimed in the following claims. Anyone with knowledge of the present invention will have the methodology of the present invention to the extent that various modifications can be made.

도 1은 종래의 반도체 패키지 기판의 제조 방법을 나타내는 전체구성도.1 is an overall configuration diagram showing a conventional method for manufacturing a semiconductor package substrate.

도 2a 내지 도 2i는 본 발명에 의한 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조 방법을 설명하기 위하여 예시한 각 공정별 제조기판의 단면도이다.2A to 2I are cross-sectional views of manufacturing substrates for each process illustrated to explain a method for manufacturing a semiconductor package substrate without a plating lead wire according to the present invention.

도 3은 본 발명에 따른 도금인입선이 없는 반도체 패키지 기판의 제조 공정 흐름도이다.3 is a flowchart illustrating a manufacturing process of a semiconductor package substrate without a plating lead wire according to the present invention.

** 도면의 주요 부분에 대한 부호 **** SIGNS FOR MAIN PARTS OF THE DRAWINGS **

10 : 동적층판 11 : 프리프레그 12 : 동박층10 Dynamic layer 11 Prepreg 12 Copper foil layer

13 : 동도금층 14 : 도통홀 15 : 에폭시계열 잉크13 copper plating layer 14 through hole 15 epoxy ink

16a,16b : 드라이필름 17 : 금도금 마스킹용 드라이필름16a, 16b: dry film 17: gold-plated masking dry film

17a : 금도금 마스킹 개방영역 17b : 금도금 마스킹17a: Gold-plated masking open area 17b: Gold-plated masking

18 : 전해 니켈·금도금층 19 : 솔더 레지스트
23 : 구리회로 23a : 구리/니켈·금도금회로
18 electrolytic nickel-plated layer 19 solder resist
23: copper circuit 23a: copper / nickel-gold plating circuit

Claims (4)

프리프레그(11)의 상,하 양면에 동박층(12)이 형성된 동적층판(10) 상에, 드릴을 이용하여 복수의 도통홀(14)을 형성하는 제 1단계;A first step of forming a plurality of conductive holes 14 on a dynamic layer plate 10 having copper foil layers 12 formed on both upper and lower surfaces of the prepreg 11 by using a drill; 상기 도통홀(14)이 가공된 동적층판(10)의 전면(full plane)에 무전해 화학 동도금을 실시하여 동도금층(13)이 형성된 기판을 제조하는 제 2단계;A second step of manufacturing a substrate on which the copper plating layer 13 is formed by performing electroless chemical copper plating on the full plane of the dynamic layer plate 10 in which the through hole 14 is processed; 상기 도통홀(14) 내부를 에폭시계열 잉크(15)로 채우고, 기판을 평탄화하는 제 3단계;A third step of filling the conductive hole 14 with an epoxy-based ink 15 and planarizing the substrate; 상기 평탄화된 기판에 제1 드라이 필름(16a)으로 제 1차 포토센시티브 프린팅(Photosensitive Printing)하고, 노광 및 현상하여 구리회로 마스킹을 형성한 후 식각공정에 의해 동박층(12) 및 동도금층(13) 일부를 제거하여 1차 회로패턴인 구리회로(23)와 동도금층을 형성하여 상기 제1 드라이 필름(16a)을 제 1차 박리하는 제 4단계;First photosensitive printing on the planarized substrate using a first dry film 16a, exposure and development to form a copper circuit masking, and then an copper foil layer 12 and a copper plating layer 13 by an etching process. A fourth step of first removing the first dry film 16a by forming a copper plating layer with a copper circuit 23 as a primary circuit pattern by removing a part of the first circuit pattern; 상기 1차 회로패턴이 형성된 기판에 금도금 마스킹용 드라이필름(17)으로 제 2차 포토센시티브 프린팅(Photosensitive Printing)하고, 노광 및 현상하여 솔더볼 패드 및 와이어 본딩패드의 위치영역을 개방시킨 금도금 마스킹(17b)을 형성하는 제 5단계;Gold-plated masking (17b) in which the secondary photosensitive printing is performed on the substrate on which the primary circuit pattern is formed with a gold-plated masking dry film 17, and the exposure and development are performed to open the position areas of the solder ball pad and the wire bonding pad. Forming a fifth step; 상기 금도금 마스킹(17b)이 형성된 기판에 전해 니켈·금도금 공정을 실시하여 전해 니켈·금도금층(18)을 형성한 후 금도금 마스킹용 드라이 필름(17)을 제 2차 박리하는 제 6단계;A sixth step of performing an electrolytic nickel / gold plating process on the substrate on which the gold plating masking (17b) is formed to form an electrolytic nickel / gold plating layer (18), and then secondly peeling off the gold film masking dry film (17); 상기 전해 니켈·금도금층(18)이 형성된 기판에 제2 드라이필름(16b)으로 제 3차 포토센시티브 프린팅(Photosensitive Printing)하고, 노광 및 현상하여 니켈·금도금 회로 마스킹을 형성한 후 식각공정에 의해 동박층(12)과 동도금층(13) 일부를 제거하여 2차 회로패턴인 구리/니켈·금도금회로(23a)를 상기 기판에 형성하고 상기 제2 드라이 필름(16b)을 제 3차 박리하는 제 7단계;The third photosensitive printing is performed on the substrate on which the electrolytic nickel / gold plating layer 18 is formed by the second dry film 16b, and is exposed and developed to form a nickel-gold plating circuit masking, followed by an etching process. A part of removing the copper foil layer 12 and a part of the copper plating layer 13 to form a copper / nickel-gold plating circuit 23a, which is a secondary circuit pattern, on the substrate and to third peel the second dry film 16b. Step 7; 상기 2차 회로패턴이 형성된 기판의 소정 부위에 솔더 레지스트(19)를 도포하고, 노광, 현상 및 건조시키는 제 8단계;An eighth step of applying, exposing, developing and drying a solder resist 19 on a predetermined portion of the substrate on which the secondary circuit pattern is formed; 로 이루어지는 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조 방법.A semiconductor package substrate manufacturing method without a plating lead wire. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 프리프레그(11)의 하면에 형성한 동박층(12)은 전도체 역할을 하는 것을 특징으로 하는 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조 방법.The copper foil layer (12) formed on the lower surface of the prepreg (11) acts as a conductor, characterized in that the semiconductor package substrate manufacturing method without a plating lead wire. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제4단계에서 형성되는 1차 회로패턴인 구리회로(23)는 동박층(12)과 동도금층(13)이 적층되어 이루어지며, 기판의 일면에만 패턴을 형성하고 기판의 다른 일면 전체를 마스킹하는 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조 방법.The copper circuit 23, which is the primary circuit pattern formed in the fourth step, is formed by stacking the copper foil layer 12 and the copper plating layer 13, and forms a pattern on only one surface of the substrate and masks the entire other surface of the substrate. Method of manufacturing a semiconductor package substrate without a plating lead wire, characterized in that formed in the form. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 제7단계에서 형성되는 2차 회로패턴인 구리/니켈·금도금회로(23a)는 동박층(12)과 동도금층(13), 및 니켈·금도금층(18)이 차례로 적층되어 이루어지며, 상기 니켈·금도금층(18)은 기판의 다른 일면에만 패턴을 형성하고 기판의 일면에 형성된 구리회로(23) 전체를 마스킹하는 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 도금 인입선이 없는 반도체 패키지 기판 제조 방법.The copper / nickel-gold plating circuit 23a, which is a secondary circuit pattern formed in the seventh step, is formed by sequentially stacking a copper foil layer 12, a copper plating layer 13, and a nickel / gold plating layer 18. The nickel-gold plating layer (18) is a pattern for manufacturing a semiconductor package substrate without a plating lead wire, characterized in that to form a pattern only on the other side of the substrate and mask the entire copper circuit (23) formed on one side of the substrate.
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