KR100878527B1 - NAND type flash memory controller, and clock control method therefor - Google Patents

NAND type flash memory controller, and clock control method therefor Download PDF

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Abstract

본 발명은 NAND 형의 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)에 관한 것으로, 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)에 입력되는 클럭신호를 조절하여 소비전력을 줄인 NAND 형 플래쉬 메모리 제어기 및 제어방법에 관한 것이다. 본 발명의 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)는 호스트 인터페이스부, 플래쉬 인터페이스부 및 클럭제어부로 구성되어 있으며, 플래쉬 메모리(flash memory)가 일정한 명령을 수행하고 있는 동안에는 그 명령의 수행이 완료되었는가를 체크하여 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)의 최소 동작에 필요한 부분에만 클럭을 공급하도록 한다. 본 발명에서 제공하는 방법 및 장치를 사용하면 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)에서 저장과 삭제 동작에서의 전력소비를 감소시키는 효과가 있다. 특히 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)의 기본단위(page)가 커짐에 따라서 더욱 효과적이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a NAND type flash memory controller, and more particularly, to a NAND type flash memory controller and a control method of reducing power consumption by adjusting a clock signal input to a flash memory controller. The flash memory controller of the present invention is composed of a host interface unit, a flash interface unit and a clock control unit, and checks whether the execution of the command is completed while the flash memory is executing a certain command. Therefore, the clock is supplied only to the portion necessary for the minimum operation of the flash memory controller. Using the method and apparatus provided by the present invention has the effect of reducing the power consumption in the storage and erase operation in the NAND type flash memory (flash memory). In particular, as the basic page of the NAND flash memory becomes larger, it is more effective.

Description

NAND 형 플래쉬 메모리 제어기와 제어기에서 사용되는 클럭제어방법{NAND type flash memory controller, and clock control method therefor} NAND type flash memory controller and clock control method therefor}

도 1은 NAND 형 플래쉬 메모리의 구조를 나타낸 도면.1 is a diagram showing the structure of a NAND type flash memory;

도 2는 종래의 NAND 형 플래쉬 메모리의 제어기가 호스트와 플래쉬 메모리와 인터페이스하는 도면.2 is a diagram in which a controller of a conventional NAND type flash memory interfaces with a host and a flash memory.

도 3은 NAND 형 플래쉬 메모리의 삭제(erase) 타이밍도.3 is an erase timing diagram of a NAND type flash memory.

도 4는 본 발명의 NAND 형 플래쉬 메모리 제어기를 나타낸 도면.4 illustrates a NAND type flash memory controller of the present invention.

도 5는 본 발명의 NAND 형 플래쉬 메모리 제어기의 다른 구조 도면.5 is another structural diagram of a NAND type flash memory controller of the present invention;

도 6은 본 발명의 NAND 형 플래쉬 메모리에서 클럭을 제어하는 방법을 나타낸 도면.6 illustrates a method of controlling a clock in a NAND type flash memory of the present invention.

본 발명은 NAND 형의 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)에 관한 것으로, 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)에 입력되는 클럭신호를 조절하여 소비전력을 줄인 NAND 형 플래쉬 메모리 제어기 및 제어방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a NAND type flash memory controller, and more particularly, to a NAND type flash memory controller and a control method of reducing power consumption by adjusting a clock signal input to a flash memory controller.

기억한 정보가 시간이 경과해도 변하지 않는 분야에 사용하기 위하여 전원을 인가하지 않아도 내용이 지워지지 않는 메모리가 필요한데 이를 비휘발성 메모리(non-volatile memory)라고 한다. 비휘발성 메모리에는 읽기 전용 메모리인 롬(ROM, Read Only Memory)이 있고, 쓰기가 가능한 이피롬(EPROM, Erasable Programmable Read Only Memory), 이이피롬(EEPROM, Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), 플래쉬 메모리(flash memory), 그리고 에프램(FRAM, Ferro-electric Random Access Memory) 등이 있다. 이러한 비휘발성 메모리는 이미 저장되어 있는 정보를 갱신할 경우에 삭제 사이클(erase cycle)을 필요로 한다.In order to use the information that the stored information does not change over time, the memory is not erased even if the power is not applied. This is called non-volatile memory. Non-volatile memory includes Read Only Memory (ROM), Write-Only Erasable Programmable Read Only Memory (EPROM), EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), Flash Memory ( flash memory, and Ferro-electric Random Access Memory (FRAM). Such nonvolatile memory requires an erase cycle when updating information that is already stored.

이 중에서 플래쉬 메모리(flash memory)는 높은 안정성과 큰 용량, 상대적으로 싼 가격으로 인해 현재 내장 기기(embedded device)에 일반적으로 사용되고 있는 추세이다. 플래쉬 메모리(flash memory)는 단일 트랜지스터 또는 멀티 트랜지스터의 메모리 셀(memory cell)을 갖는 비휘발성 메모리로서 바이트가 아닌 섹터(sector) 또는 블록(block) 단위로 비교적 빠른 시간에 플래쉬 메모리(flash memory)의 내용을 전기적으로 동시에 소거할 수 있다.Among them, flash memory is generally used in embedded devices because of its high stability, large capacity, and relatively low price. Flash memory is a nonvolatile memory having a memory cell of a single transistor or a multi-transistor. The flash memory is a non-byte sector or block of flash memory in a relatively fast time. The contents can be erased simultaneously at the same time.

플래쉬 메모리(flash memory)에는 NOR 형, NAND 형, DiNOR 형, AND 형, pair-AND(PAND) 형과 E2-type 이 있다. NOR 형은 열전자(Hot Electron)를 주입하는 기입방식을 적용한 것이고, NAND 형은 터널현상과 페이지 동작회로 기술을 조합한 것으로 프로그램의 수행속도가 빠르다. Flash memory includes a NOR type, a NAND type, a DiNOR type, an AND type, a pair-AND (PAND) type, and an E2-type. The NOR type applies a writing method that injects hot electrons, and the NAND type combines tunneling and page operation circuit technology to speed up program execution.                         

한국특허공개공보 1999-69858 에서는 플래쉬 이이피롬(flash EEPROM)에서 셀 데이터(cell data)를 읽어낼 때 소비전력을 절감할 수 있도록 하기 위한 절전형 센스앰프를 개시하고 있다. 상기 센스앰프는 셀 어레이(cell array)에서 리드 출력되는 데이터를 정형화된 형태의 데이터로 출력하는 데이터 센싱부, 출력되는 데이터를 래치하는 래치부, 래치부에 데이터가 래치되는 것을 감지하는 래치 감지부, 다음 셀에 데이터가 입력될 때까지 데이터 센싱부를 디스에이블(disable)시키는 센싱 제어부, 데이터를 래치하고 나서 다음 센싱된 데이터가 입력될 때까지 래치부를 디스에이블(disable)시키는 래치 제어부로 구성된다.Korean Patent Laid-Open No. 1999-69858 discloses a power-saving sense amplifier for reducing power consumption when reading cell data from a flash EEPROM. The sense amplifier may include a data sensing unit for outputting data read out from a cell array as data in a standard form, a latch unit for latching the output data, and a latch detector for detecting data latching. The sensing controller may be configured to disable the data sensing unit until data is input to the next cell, and the latch controller may be configured to latch the data and then disable the latch unit until the next sensed data is input.

그러나, 상기 선행기술은 플래시 이이피롬(flash EEPROM)에서 셀 데이터를 읽어낼 때 센스앰프의 인에이블(enable) 시간을 전체 셀에 대하여 동등하게 설정하지 않고 센싱되는 속도에 따라 차등적으로 설정하도록 하여 소비전력을 줄이는 방법에 관한 것으로, 플래시 메모리(flash memory)와 정보를 주고받는 제어기의 클럭신호를 조절하여 소비전력을 줄이는 본 발명과는 차이가 있다.However, the prior art allows the enable time of the sense amplifier to be set differentially according to the speed of sensing when reading the cell data from the flash EEPROM, rather than equally setting for the entire cell. The present invention relates to a method of reducing power consumption, which is different from the present invention in which power consumption is reduced by adjusting a clock signal of a controller that exchanges information with a flash memory.

일본특허공개공보 2001-142474 에서는 플래시 메모리(flash memory)를 이용한 데이터 저장장치에 있어서 구동용 건전지의 사용시간을 연장시키고 장시간 사용할 수 있도록 하는 방법을 개시하고 있다. 그러나, 이것도 플래시 메모리(flash memory)에 저장된 음악데이터를 재생하고 있는 동안에만 A/D 변환기(A/D converter)에 클럭을 공급하여 동작시키는 것으로 클럭신호를 장치별로 필요에 따라 공급한다는 점에서는 본 발명과 유사하나 플래시 메모리(flash memory)의 제어장치 내부에서의 클럭신호공급을 조절하는 것이 아니라 외부장치의 클럭신호를 조 절하는 방식이다.Japanese Patent Laid-Open No. 2001-142474 discloses a method of extending the use time of a driving battery in a data storage device using a flash memory and allowing a long time to be used. However, this also operates by supplying a clock to the A / D converter while the music data stored in the flash memory is played back. It is similar to the invention, but it is a method of adjusting the clock signal of an external device rather than controlling the supply of the clock signal in the control device of the flash memory.

NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)의 동작을 제어하기 위해서 플래쉬 인터페이스부가 필요하고 호스트와 통신을 하기 위해 호스트 인터페이스부가 필요하다. 그리고 상기 플래쉬 인터페이스부와 호스트 인터페이스부는 서로 독립적으로 동작을 한다. 그러나, 상기 두 개의 인터페이스부에 항상 클럭을 공급하고, 이렇게 공급된 클럭을 가지고 특정 부분만 동작을 시키는데 사용되지만, 모든 플립플롭(flip flop)에 클럭이 들어가므로 전력 낭비가 있다.A flash interface unit is required to control the operation of the NAND type flash memory and a host interface unit is required to communicate with the host. The flash interface unit and the host interface unit operate independently of each other. However, although the clock is always supplied to the two interface units, and used to operate only a specific part with the clock supplied in this manner, power is wasted because all the flip flops are clocked.

예를 들어 플래쉬 인터페이스부가 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)쪽으로 제어신호나 데이터를 보내고 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)쪽으로부터 응답신호를 기다리게 되는데, 특히 이 응답신호는 저장명령 수행의 경우에는 200us ~ 500us정도 걸리고 삭제는 2ms ~ 3ms정도 걸린다. 따라서 이 동안에 플래쉬 인터페이스부는 동작하지 않는데도 불구하고 불필요한 클럭이 들어가게 된다. 이렇게 불필요한 클럭의 입력으로 전력 소모를 증가시킨다는 문제점이 있다.For example, the flash interface unit sends control signals or data to the NAND-type flash memory and waits for a response signal from the NAND-type flash memory. Especially, the response signal is 200us ~ It takes about 500us and delete takes about 2ms ~ 3ms. Therefore, while the flash interface does not operate during this time, an unnecessary clock enters. There is a problem in that power consumption is increased by input of such an unnecessary clock.

상기한 문제를 해결하기 위해 본 발명에서는, NAND 형의 플래쉬 메모리(flash memory)에서의 제어기에 입력되는 클럭신호를 제어하여 상기 제어기에서 소비되는 전력을 감소시키는 방법 및 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In order to solve the above problem, an object of the present invention is to provide a method and apparatus for reducing the power consumed in the controller by controlling a clock signal input to the controller in the flash memory of the NAND type. .

상기한 목적을 이루기 위하여 본 발명에서는, 호스트를 통해 제어신호 및 데이터를 송수신하고 플래쉬 메모리에서의 동작이 완료되었음을 의미하는 응답신호를 검출하여 클럭선택 신호를 출력하는 호스트 인터페이스부; 상기 플래쉬 메모리와 송수신하는 제어신호를 생성하고 상기 호스트 인터페이스부로부터 데이터를 주고받는 플래쉬 인터페이스부; 및 상기 클럭선택 신호를 입력받아 상기 플래쉬 인터페이스부에 입력되는 클럭을 제어하는 클럭제어부를 포함하는 플래쉬 메모리 제어장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention includes a host interface for transmitting and receiving a control signal and data through the host, and outputs a clock selection signal by detecting a response signal indicating that the operation in the flash memory is completed; A flash interface unit generating control signals to and from the flash memory and exchanging data with the host interface unit; And a clock control unit which receives the clock selection signal and controls a clock input to the flash interface unit.

상기한 목적을 이루기 위하여 본 발명에서는, 플래쉬 메모리를 제어하는 장치에 있어서, 호스트를 통해 제어신호 및 데이터를 송수신하는 호스트 인터페이스부; 상기 플래쉬 메모리에서의 동작이 완료되었음을 의미하는 응답신호를 검출하여 클럭선택 신호를 출력하는 응답신호 검출부; 상기 플래쉬 메모리와 송수신하는 제어신호를 생성하고 상기 호스트 인터페이스부로부터 데이터를 주고받는 플래쉬 인터페이스부; 및 상기 클럭선택 신호를 입력받아 상기 플래쉬 인터페이스부에 입력되는 클럭을 제어하는 클럭제어부를 포함하는 플래쉬 메모리 제어장치를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a device for controlling a flash memory, comprising: a host interface for transmitting and receiving control signals and data through a host; A response signal detector for detecting a response signal indicating that the operation in the flash memory is completed and outputting a clock selection signal; A flash interface unit generating control signals to and from the flash memory and exchanging data with the host interface unit; And a clock control unit which receives the clock selection signal and controls a clock input to the flash interface unit.

상기한 목적을 이루기 위하여 본 발명에서는, 플래쉬 메모리로부터 플래쉬 메모리에서의 동작이 완료되었음을 의미하는 응답신호를 입력받아 플래쉬 메모리 제어기의 일부에만 선택적으로 클럭을 공급하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제어기에서의 클럭제어방법을 제공한다.In order to achieve the above object, in the present invention, a clock in a flash memory controller, which receives a response signal indicating that the operation of the flash memory is completed from the flash memory and selectively supplies a clock only to a part of the flash memory controller. Provide control method.

상기한 목적을 이루기 위하여 본 발명에서는, 플래쉬 메모리와 상기 플래쉬 메모리를 제어하는 방법에 있어서, 호스트로부터 작업하고자 하는 데이터와 작업명령을 호스트 인터페이스부가 수신하는 단계; 상기 작업명령에 대한 어드레스 및 제어신호를 플래쉬 인터페이스부가 생성하여 상기 플래쉬 메모리에 제공하는 단계; 상기 제어신호와 상기 작업하고자 하는 데이터를 받아 상기 플래쉬 메모리에서 작업하는 동안 상기 플래쉬 메모리에서 출력되는 응답신호를 체크하는 단계; 및 상기 응답신호가 상기 플래쉬 메모리에서의 작업이 완료되었다는 신호이면 상기 플래쉬 인터페이스부에 클럭을 계속 공급하고, 상기 작업이 아직 진행중이라는 신호이면 상기 플래쉬 인터페이스부에 클럭을 공급하지 않는 단계를 포함하는 플래쉬 메모리 제어방법을 제공한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a flash memory and a method of controlling the flash memory, the method including: receiving, by a host interface, data and a work command to be performed from a host; Generating, by the flash interface unit, an address and a control signal for the work command to the flash memory; Checking the response signal output from the flash memory while the control signal and the data to be worked are received in the flash memory; And continuously supplying a clock to the flash interface unit if the response signal indicates that the operation in the flash memory is completed, and not supplying a clock to the flash interface unit if the signal is still in progress. Provides a memory control method.

상기한 목적을 이루기 위하여 본 발명에서는, 상기 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a computer readable recording medium having recorded thereon a program for executing the method on a computer.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 일실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 1은 NAND 형 플래쉬 메모리의 구조를 나타낸 도면이다.1 is a diagram illustrating a structure of a NAND type flash memory.

NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)는 어드레스 디코더(110)에서 어드레스 디코딩을 하여 메모리 셀(memory cell)(120)을 선택하고 호스트로부터의 제어신호에 따라서 제어신호입력부(130)의 입력신호를 받아 블록을 선택하고 선택된 블록의 내용을 엑스트라 버퍼(140)에 옮기고, 데이터의 출력시에 I/O 버퍼(150)로 다시 옮긴후 출력한다.The NAND type flash memory selects a memory cell 120 by address decoding at the address decoder 110 and receives an input signal from the control signal input unit 130 according to a control signal from the host. Is selected and the contents of the selected block are transferred to the extra buffer 140, and the data is transferred back to the I / O buffer 150 and output after the data is output.

도 2는 종래의 NAND 형 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)가 호스트 및 플래쉬 메모리와 인터페이스하는 도면이다.FIG. 2 is a diagram in which a conventional NAND type flash memory controller interfaces with a host and a flash memory.

NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)의 동작을 제어하기 위해서 플래쉬 인터페이스부(220)가 필요하고 호스트(230)와 통신을 하기 위해 호스트 인터페이스부(210)가 필요하다. 두 개의 인터페이스부는 서로 독립적으로 동작을 한다. 즉 호스트 인터페이스부(210)가 동작하는 동안에 플래쉬 인터페이스부(220)가 동작을 할 수도 있고, 경우에 따라서는 플래쉬 인터페이스부(220)는 동작하지 않을 수도 있다.The flash interface 220 is required to control the operation of the NAND type flash memory, and the host interface 210 is required to communicate with the host 230. The two interface units operate independently of each other. That is, the flash interface 220 may operate while the host interface 210 operates, and in some cases, the flash interface 220 may not operate.

호스트 인터페이스부(210)는 호스트(230)와 제어신호(configuration, flash address 등)나 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)(240)쪽으로 보낼 데이터를 교환하는 기능을 수행한다. 플래쉬 인터페이스부는 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)와 제어신호(ce, re, we, ale 등)나 데이터를 교환할 때 상기 제어신호를 생성하고 보낼 데이터의 교환순서를 정하는 기능을 수행한다.The host interface 210 performs a function of exchanging data to be sent to the host 230 to a control signal (configuration, flash address, etc.) or to a NAND type flash memory 240. The flash interface unit generates a control signal when exchanging a control signal (ce, re, we, ale, etc.) or data with a NAND type flash memory, and determines an exchange order of data to be sent.

일반적으로 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)가 명령을 수행하는 과정은 다음과 같다. 읽기, 저장 또는 삭제와 같은 명령을 호스트(230)로부터 받으면 받은 명령에 관한 기본 정보와 데이터를 호스트 인터페이스부(210)에 저장한 후, 플래쉬 인터페이스부(220)를 동작시키는 명령을 내리면 플래쉬 인터페이스부(220)가 동작한다.In general, a process of executing a command by a flash memory controller is as follows. When a command such as read, save or delete is received from the host 230, basic information and data regarding the received command are stored in the host interface 210, and then a command to operate the flash interface 220 is issued to the flash interface. 220 is operated.

플래쉬 인터페이스부(220)는 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)(240)의 제어신호 생성하고, 호스트 인터페이스부(210)로부터 데이터를 가지고 온다. 그리고 나서 플래쉬 메모리(flash memory)(240)쪽으로 신호를 보내면 플래쉬 메모리(flash memory)안에서 동작이 일어난다(응답신호 busy 생성). 이렇게 생성된 응답신호는 플래쉬 인터페이스부로 보내지고 플래쉬 인터페이스부는 상기 응답신호를 감지하고 응답신호가 1 이 될 때까지 계속 체크(polling)를 하고 응답신호가 1 이 되면 플래쉬 인터페이스부(220)는 다음 상태로 넘어간다.The flash interface unit 220 generates a control signal of the NAND type flash memory 240 and brings data from the host interface unit 210. Then sending a signal to flash memory 240 takes place in flash memory (response busy generation). The response signal generated in this way is sent to the flash interface unit, and the flash interface unit detects the response signal and continues to poll until the response signal is 1, and when the response signal is 1, the flash interface unit 220 is in the next state. Go to

저장 동작을 예를 들면 다음과 같다. 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)를 동작시키기 위해서는 호스트가 플래쉬 인터페이스부(220)가 동작하기 위한 기본정보(configuration)를 호스트 인터페이스부(210)에 주고 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)로 보낼 데이터들을 호스트 인터페이스부(210)에 쌓아 놓는다. 그리고 나서 플래쉬 인터페이스부(220)는 호스트 인터페이스부(210)에 저장되어 있는 상기 기본정보(configuration)를 분석하여 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)로 제어신호(ce, we, ale 등)를 생성하여 데이터를 보낸다.An example of a save operation is as follows. In order to operate a flash memory controller, the host provides basic information (configuration) for operating the flash interface unit 220 to the host interface unit 210 and transmits data to the NAND type flash memory. The host interface 210 is stacked. Then, the flash interface 220 analyzes the configuration stored in the host interface 210 and generates a control signal (ce, we, ale, etc.) using a NAND type flash memory. Send the data.

이때 플래쉬 인터페이스부(220)가 동작하고 있는 동안에 호스트는 호스트 인터페이스부(210)에 다음 데이터를 쓸 수 있다. 플래쉬 인터페이스부(220)가 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)쪽으로 제어신호나 데이터를 보내고 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)쪽으로부터 응답신호를 기다린다. 이 응답 신호(Ready/Busy)는 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)의 메모리 셀(디코딩된 어드레스)로 데이터를 쓰는 동안에 나오는 신호로, 이 신호값이 0(Busy)이 되면(외부에 풀업(pull up)시켜 기본적으로 1의 상태를 유지) 플래쉬 인터페이스부(220)는 이 신호를 계속 체크(polling)를 한다. 그동안 플래쉬 인터페이스부(220)의 상태는 계속 같은 상태로 존재하고 있다. 그런 후 응답신호가 1(ready)로 되면 이는 데이터를 저장을 완료했다는 의미가 되므로 플래쉬 인터페이스부(220)는 다음 명령을 수행할 수 있는 상태가 된다. At this time, while the flash interface unit 220 is operating, the host may write the following data to the host interface unit 210. The flash interface unit 220 sends a control signal or data to the NAND flash memory and waits for a response signal from the NAND flash memory. This response signal (Ready / Busy) is a signal generated while writing data to a memory cell (decoded address) of a NAND-type flash memory. When the signal value becomes 0 (Busy) (external pullup) up) to maintain the state of 1 by default.) The flash interface unit 220 continues to poll this signal. Meanwhile, the state of the flash interface unit 220 continues to exist in the same state. Then, when the response signal is 1 (ready), which means that the data has been saved, the flash interface unit 220 is in a state capable of performing the next command.

그리고 나서 플래쉬 인터페이스부(220)는 동작을 모두 수행한 후에 호스트 인터페이스부(210)에게 종료 신호를 준다. 그러면 다음 커맨드가 실행할 준비가 완료된다.Then, after the flash interface 220 performs all the operations, it gives a termination signal to the host interface 210. Then the next command is ready for execution.

도 3은 NAND 형 플래쉬 메모리의 삭제(erase) 타이밍도이다.3 is an erase timing diagram of a NAND type flash memory.

NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)의 매뉴얼을 보면 읽기 명령(command)을 제외하고 저장이나 삭제(erase)같은 명령(command)에서는 응답(busy) 신호가 나올 때 다른 제어신호(ce, re, we, ale 등)는 다른 신호에 영향을 받지 않는다(즉 1 혹은 0 이어도 상관이 없다). 즉, 그 동안에 플래쉬 인터페이스부(220)는 응답신호를 체크하는 것 외에는 아무 일도 하지 않는다. 그리고 플래쉬 인터페이스부(220)는 플립플롭(flip flop)들로 구성되어 있으며 클럭이 계속 인가 된다.In the manual of NAND type flash memory, except for read command, other control signals (ce, re, we, ale, etc.) are not affected by other signals (ie, 1 or 0). That is, in the meantime, the flash interface unit 220 does nothing except checking the response signal. The flash interface 220 includes flip flops and a clock is continuously applied.

이렇게 되면 특정 부분만의 동작을 하기 위해서 플래쉬 인터페이스부(220)의 모든 플립플롭(flip flop)에 클럭이 들어가므로 전력 낭비가 있다. 특히 이 응답신호가 출력되는데는 저장명령 수행시의 경우에는 200us ~ 500us정도 걸리고 삭제명령 수행시는 2ms ~ 3ms정도 걸린다. 이 동안에 플래쉬 인터페이스부(220)는 동작하지 않는 부분에도 불필요한 클럭이 들어가게 된다.In this case, since all clocks are entered into the flip flops of the flash interface unit 220 to operate only a specific part, there is a waste of power. In particular, it takes about 200us ~ 500us when the save command is executed and about 2ms ~ 3ms when the delete command is executed. During this time, the flash interface unit 220 enters an unnecessary clock even in a non-operating part.

클럭은 전력 소모를 증가시키는 요인 중에 큰 역할을 하는 것이기 때문에 본 발명에서는 이 부분을 개선한 제어기를 제공한다.Since the clock plays a big role among the factors that increase the power consumption, the present invention provides a controller that improves this part.

도 4는 본 발명의 NAND 형 플래쉬 메모리 제어기를 나타낸 도면이다.4 is a diagram illustrating a NAND type flash memory controller of the present invention.

NAND 형 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)는 호스트 인터페이스부(410)와 플래쉬 인터페이스부(420), 그리고 클럭제어부(430)로 구성된다. 그리고 호스트 인터페이스부(410)에는 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)(440)로부 터 나오는 신호 응답신호(ready/busy)를 체크하는 응답신호 검출부(411)가 있다. 이 응답신호 검출부(411)는 상기 응답신호(ready/busy)를 검출하며 그 검출된 신호를 클럭제어부(430)에 보내서 플래쉬 인터페이스부(420)에 인가하는 클럭을 온/오프(on/off)시킴으로서 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)에서 소비되는 전력을 감소시킨다.The NAND type flash memory controller includes a host interface 410, a flash interface 420, and a clock controller 430. In addition, the host interface unit 410 includes a response signal detector 411 that checks a signal response signal (ready / busy) from the NAND type flash memory 440. The response signal detector 411 detects the response signal ready / busy and sends the detected signal to the clock controller 430 to turn on / off a clock applied to the flash interface 420. By reducing the power consumed by the flash memory controller.

또한, 플래쉬 인터페이스부(420)에도 응답신호를 체크하는 기능을 하는 응답신호 검출부(421)를 둔다. 그리고 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)로부터 오는 응답신호를 호스트 인터페이스부(410)에도 인가한다. 호스트 인터페이스부(410)의 응답신호 검출부(411)는 응답신호를 감지하는 기능과 이를 카운팅하는 기능(이기능은 nand flash time out과 관련됨)과 클럭을 on/off하는 선택(select)신호를 만드는 기능을 수행한다.In addition, the flash interface unit 420 also includes a response signal detector 421 which functions to check the response signal. The response signal from the NAND type flash memory is also applied to the host interface unit 410. The response signal detecting unit 411 of the host interface unit 410 detects a response signal, counts the response signal (this function is related to nand flash time out), and generates a select signal for turning on / off a clock. Perform the function.

저장명령 수행의 예를 들어 설명하면 다음과 같다. 호스트(host)(450)가 저장 명령에 필요한 기본정보(configuration)와 명령과 데이터를 호스트 인터페이스부(410)에 준다. 이를 호스트 인터페이스부(410)가 받으면 플래쉬 인터페이스부(420)는 이에 해당하는 어드레스(address), 데이터(data) 및 기타 제어신호(control signal)를 생성하여 플래쉬 메모리(flash memory)에 제공한다. 플래쉬 메모리(flash memory)는 그 신호를 받고 동작을 실행하는데 플래쉬 메모리(flash memory) 안에 데이터를 쌓는 동안 응답신호는 0(Busy)을 내보낸다. 이때 이 신호는 플래쉬 메모리(flash memory)의 응답신호 핀(pin)을 통해 출력된다. An example of the execution of a store command is described below. The host 450 provides the host interface unit 410 with basic configuration, commands, and data necessary for the storage command. When the host interface 410 receives this, the flash interface 420 generates an address, data, and other control signals corresponding thereto and provides the same to a flash memory. The flash memory receives the signal and executes an operation. The response signal outputs 0 (Busy) while accumulating data in the flash memory. At this time, the signal is output through the response signal pin of the flash memory.                     

이 응답신호는 호스트 인터페이스부(410)의 응답신호 검출부(411)에서 감지를 하게 되고 응답신호 검출부(411)는 클럭 on/off선택 신호를 인가해 클럭이 플래쉬 인터페이스부(420)로 인가되는 것을 막는다. 그리고 응답신호 검출부(411)의 카운터가 동작을 한다. 다음으로 플래쉬 메모리(flash memory)의 버퍼에 쌓인 데이터가 메모리 셀에 모두 쓰여졌을 때 플래쉬 메모리(flash memory)의 응답신호는 1(ready)로 된다. 이 응답신호 역시 다시 응답신호 검출부(411)에서 감지를 하게 되고 클럭 on/off선택 신호를 인가해 플래쉬 인터페이스부(420)에 다시 클럭을 공급한다.The response signal is detected by the response signal detector 411 of the host interface 410 and the response signal detector 411 applies a clock on / off selection signal to indicate that the clock is applied to the flash interface 420. Prevent. The counter of the response signal detector 411 operates. Next, when all the data accumulated in the buffer of the flash memory is written to the memory cell, the response signal of the flash memory becomes 1 (ready). The response signal is again sensed by the response signal detector 411 and supplies a clock to the flash interface 420 again by applying a clock on / off selection signal.

플래쉬 인터페이스부(420)는 플립플롭(flip flop)들로 구성되어 있기 때문에 클럭이 인가되지 않았을 때는 기존의 값을 다 기억하고 있다가 클럭이 다시 인가되면 다음 상태(플래쉬 인터페이스부(420)로 들어가는 응답신호를 체크하는 상태)가 된다. 이로서 플래쉬 인터페이스부(420)는 원래의 상태로 다시 돌아간다. 결과적으로 500us동안 반복되는 무의미한 상태의 동작을 클럭이 들어오면 한번만 수행하면 된다. Since the flash interface unit 420 is composed of flip flops, when the clock is not applied, the flash interface unit 420 stores all the existing values, and when the clock is applied again, the flash interface unit 420 enters the next state (the flash interface unit 420). The response signal is checked). As a result, the flash interface unit 420 returns to its original state. As a result, if the clock comes in, the meaningless state of repeating for 500us only needs to be performed once.

도 5는 본 발명의 NAND 형 플래쉬 메모리 제어기의 다른 구조 도면이다.5 is another structural diagram of a NAND type flash memory controller of the present invention.

호스트 인터페이스부(510)와 플래쉬 인터페이스부(520), 클럭제어부(530) 및 응답신호 검출부(511)로 구성된다. 그리고 응답신호 검출부(511)는 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)(540)로부터 나오는 신호 응답신호(ready/busy)를 체크한다. 이 응답신호 검출부(511)는 상기 응답신호(ready/busy)를 검출하며 그 검출된 신호를 호스?? 인터페이스부(510), 플래쉬 인터페이스부(520) 및 클럭제어부(530)에 보 내고, 클럭 제어부(530)는 플래쉬 인터페이스부(520)에 인가하는 클럭을 온/오프(on/off)시킴으로서 플래쉬 메모리 제어기(flash memory controller)에서 소비되는 전력을 감소시킨다.The host interface unit 510, the flash interface unit 520, the clock control unit 530, and the response signal detector 511 are configured. The response signal detector 511 checks the signal response signal (ready / busy) from the NAND type flash memory 540. The response signal detecting unit 511 detects the response signal ready / busy and transfers the detected signal to the hose. Flash memory is sent to the interface unit 510, the flash interface unit 520, and the clock control unit 530, and the clock control unit 530 turns on / off a clock applied to the flash interface unit 520. Reduce the power consumed by the flash memory controller.

즉, 응답신호 검출부(511)는 도 4의 응답신호 검출부(411)와 같은 기능을 수행한다. 다만 도 4에서 호스트 인터페이스부(410)와 플래쉬 인터페이스부(420)에 동시에 존재하는 것을 별도의 블록으로 구성한 것이다.That is, the response signal detector 511 performs the same function as the response signal detector 411 of FIG. 4. However, in FIG. 4, the simultaneous presence of the host interface 410 and the flash interface 420 is configured as a separate block.

도 6은 본 발명의 NAND 형 플래쉬 메모리에서 클럭을 제어하는 방법을 나타낸 도면이다.6 is a diagram illustrating a method of controlling a clock in the NAND type flash memory of the present invention.

우선, 호스트로부터 플래쉬 메모리(flash memory)에서 작업하고자 하는 데이터와 작업명령을 호스트 인터페이스부가 입력받는다(610). 작업명령은 저장 명령이 될 수도 있고 삭제 명령이 될 수도 있다.First, a host interface unit receives data and a work command to be operated in a flash memory from the host (610). The work command can be a save command or a delete command.

그리고, 상기 작업명령에 대한 어드레스 및 제어신호를 플래쉬 인터페이스부가 생성하여 상기 플래쉬 메모리(flash memory)에 제공한다(620).In operation 620, an address and a control signal for the work command are generated by the flash interface unit and provided to the flash memory.

그러면, 상기 제어신호와 상기 작업하고자 하는 데이터를 받아 상기 플래쉬 메모리에서 작업하는 동안 상기 플래쉬 메모리(flash memory)에서 출력되는 응답신호(ready/busy)를 체크한다(630). 응답신호는 ready 인 경우에 1 이 되고, busy 인 경우에는 0 이 된다. ready 는 상기 입력받은 명령의 수행이 완료되었다는 것이고, busy 는 상기 입력받은 명령의 수행이 아직 완료되지 않았다는 것을 의미한다.Then, in response to the control signal and the data to be worked on, the response signal (ready / busy) output from the flash memory is checked while working in the flash memory (630). The response signal is 1 when ready and 0 when busy. ready means that the execution of the received command is completed, and busy means that the execution of the received command is not yet completed.

상기 응답신호가 busy 이면 상기 플래쉬 인터페이스부에 클럭을 공급하지 않는다(640). 그리고, ready 이면 상기 플래쉬 인터페이스부에 클럭을 공급한다(650).If the response signal is busy, the clock is not supplied to the flash interface unit (640). If ready, the clock is supplied to the flash interface unit (650).

한편, 상술한 본 발명의 실시예들은 컴퓨터에서 실행될 수 있는 프로그램으로 작성가능하고, 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체를 이용하여 상기 프로그램을 동작시키는 범용 디지털 컴퓨터에서 구현될 수 있다.Meanwhile, the above-described embodiments of the present invention can be written as a program that can be executed in a computer, and can be implemented in a general-purpose digital computer that operates the program using a computer-readable recording medium.

상기 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체는 마그네틱 저장매체(예를 들면, 롬, 플로피 디스크, 하드디스크 등), 광학적 판독 매체(예를 들면, 씨디롬, 디브이디 등) 및 캐리어 웨이브(예를 들면, 인터넷을 통한 전송)와 같은 저장매체를 포함한다.The computer-readable recording medium may be a magnetic storage medium (for example, a ROM, a floppy disk, a hard disk, etc.), an optical reading medium (for example, a CD-ROM, DVD, etc.) and a carrier wave (for example, the Internet). Storage medium).

이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 개시된 실시예들은 한정적인 관점이 아니라 설명적인 관점에서 고려되어야 한다. 본 발명의 범위는 전술한 설명이 아니라 특허청구범위에 나타나 있으며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 차이점은 본 발명에 포함된 것으로 해석되어야 할 것이다.So far I looked at the center of the preferred embodiment for the present invention. Those skilled in the art will appreciate that the present invention can be implemented in a modified form without departing from the essential features of the present invention. Therefore, the disclosed embodiments should be considered in descriptive sense only and not for purposes of limitation. The scope of the present invention is shown in the claims rather than the foregoing description, and all differences within the scope will be construed as being included in the present invention.

상술한 바와 같이 본 발명은, NAND 형의 플래쉬 메모리(flash memory)에서의 제어기에 입력되는 클럭신호를 제어함으로써 데이터의 저장과 삭제 동작에서의 전력소비를 감소시키는 효과가 있다. 보통 저장 모드의 저장 속도는 200us ~ 500us 정도이고, 대용량에서는 300us ~ 700us 까지도 걸린다. 삭제 모드에서는 보통 2ms ~ 3ms까지 응답신호가 busy가 된다. 이 동안에 제어기의 일부는 동작을 하지 않고 기다리다가 ready가 되면 다시 다음 동작을 진행한다. 그러므로 일부 모듈에서 소비하는 전력을 감소시킬 수 있는 효과가 있다. 그리고, 본 발명은 NAND 형 플래쉬 메모리(flash memory)의 기본단위(page)가 커짐에 따라 더 효과적이다.As described above, the present invention has the effect of reducing power consumption in data storage and erasing operations by controlling a clock signal input to a controller in a NAND type flash memory. In general, the storage speed of the storage mode is about 200us ~ 500us, and in the large capacity it can range from 300us ~ 700us. In clear mode, the response signal is usually busy from 2ms to 3ms. During this time, some of the controllers do not operate and wait for the next operation. Therefore, the power consumption of some modules can be reduced. The present invention is more effective as the basic page of the NAND type flash memory is increased.

Claims (13)

호스트를 통해 제어신호 및 데이터를 송수신하고 플래쉬 메모리에서의 동작이 완료되었음을 의미하는 응답신호를 검출하여 클럭선택 신호를 출력하는 호스트 인터페이스부;A host interface unit for transmitting and receiving control signals and data through the host and detecting a response signal indicating that the operation in the flash memory is completed and outputting a clock selection signal; 상기 플래쉬 메모리와 송수신하는 제어신호를 생성하고 상기 호스트 인터페이스부로부터 데이터를 주고받는 플래쉬 인터페이스부; 및A flash interface unit generating control signals to and from the flash memory and exchanging data with the host interface unit; And 상기 클럭선택 신호를 입력받아 상기 플래쉬 인터페이스부에 입력되는 클럭을 제어하는 클럭제어부를 포함하는 플래쉬 메모리 제어장치.And a clock control unit configured to receive the clock selection signal and control a clock input to the flash interface unit. 제1항에 있어서, 상기 호스트 인터페이스부는The method of claim 1, wherein the host interface unit 상기 플래쉬 메모리로부터 출력되는 응답신호를 검출하여 상기 플래쉬 인터페이스부로 입력되는 클럭신호를 온 또는 오프시키는 클럭선택신호를 상기 클럭제어부로 출력하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제어장치.And a clock selection signal for detecting a response signal output from the flash memory and turning on or off a clock signal input to the flash interface unit to the clock controller. 제1항에 있어서, 상기 클럭제어부는According to claim 1, wherein the clock control unit 상기 클럭선택신호에 따라서 상기 플래쉬 인터페이스부로 들어가는 클럭신호를 차단하거나 연결하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제어장치.And controlling or disconnecting a clock signal entering the flash interface unit according to the clock selection signal. 제1항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리는The method of claim 1, wherein the flash memory NAND 형의 플래쉬 메모리인 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제어장치.Flash memory controller, characterized in that the flash memory of the NAND type. 플래쉬 메모리를 제어하는 장치에 있어서,In the device for controlling the flash memory, 호스트를 통해 제어신호 및 데이터를 송수신하는 호스트 인터페이스부;A host interface unit for transmitting and receiving control signals and data through the host; 상기 플래쉬 메모리에서의 동작이 완료되었음을 의미하는 응답신호를 검출하여 클럭선택 신호를 출력하는 응답신호 검출부;A response signal detector for detecting a response signal indicating that the operation in the flash memory is completed and outputting a clock selection signal; 상기 플래쉬 메모리와 송수신하는 제어신호를 생성하고 상기 호스트 인터페이스부로부터 데이터를 주고받는 플래쉬 인터페이스부; 및A flash interface unit generating control signals to and from the flash memory and exchanging data with the host interface unit; And 상기 클럭선택 신호를 입력받아 상기 플래쉬 인터페이스부에 입력되는 클럭을 제어하는 클럭제어부를 포함하는 플래쉬 메모리 제어장치.And a clock control unit configured to receive the clock selection signal and control a clock input to the flash interface unit. 제5항에 있어서, 상기 클럭제어부는The method of claim 5, wherein the clock control unit 상기 응답신호 검출부로부터의 클럭선택신호에 따라서 상기 플래쉬 인터페이스부로 들어가는 클럭신호를 차단하거나 연결하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제어장치.And a clock signal to the flash interface unit is blocked or connected according to a clock selection signal from the response signal detector. 제5항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리는The method of claim 5, wherein the flash memory NAND 형의 플래쉬 메모리인 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제어장치.Flash memory controller, characterized in that the flash memory of the NAND type. 플래쉬 메모리로부터 플래쉬 메모리에서의 동작이 완료되었음을 의미하는 응답신호를 입력받아 플래쉬 메모리 제어기의 일부에만 선택적으로 클럭을 공급하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제어방법.And receiving a response signal from the flash memory to indicate that the operation of the flash memory has been completed, and selectively supplying a clock only to a part of the flash memory controller. 제8항에 있어서, 상기 플래쉬 메모리는The method of claim 8, wherein the flash memory NAND 형의 플래쉬 메모리인 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제어방법.Flash memory control method characterized in that the flash memory of the NAND type. 플래쉬 메모리를 제어하는 방법에 있어서,In the method of controlling the flash memory, (a) 호스트로부터 작업하고자 하는 데이터와 작업명령을 호스트 인터페이스부가 수신하는 단계;(a) receiving, by the host interface unit, data and a work command to be worked from the host; (b) 상기 작업명령에 대한 어드레스 및 제어신호를 플래쉬 인터페이스부가 생성하여 상기 플래쉬 메모리에 제공하는 단계;(b) generating, by the flash interface unit, an address and a control signal for the work command to the flash memory; (c) 상기 제어신호와 상기 작업하고자 하는 데이터를 받아 상기 플래쉬 메모리에서 작업하는 동안 상기 플래쉬 메모리에서 출력되는 응답신호를 체크하는 단계; 및(c) checking the response signal output from the flash memory while the control signal and the data to be operated are received in the flash memory; And (d) 상기 응답신호가 상기 플래쉬 메모리에서의 작업이 완료되었다는 신호이면 상기 플래쉬 인터페이스부에 클럭을 계속 공급하고, 상기 작업이 아직 진행중이라는 신호이면 상기 플래쉬 인터페이스부에 클럭을 공급하지 않는 단계를 포함하는 플래쉬 메모리 제어방법.(d) continuously supplying a clock to the flash interface unit if the response signal indicates that the work in the flash memory has been completed; and not supplying a clock to the flash interface unit if the signal is still in progress. Flash memory control method. 삭제delete 제10항에 있어서, 상기 작업명령은11. The method of claim 10, wherein the work order is 저장 또는 삭제명령인 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 제어방법.Flash memory control method characterized in that the save or delete command. 제10항 또는 제12항 중 어느 한 항에 기재된 방법을 컴퓨터에서 실행시키기 위한 프로그램을 기록한 컴퓨터로 읽을 수 있는 기록매체.A computer-readable recording medium having recorded thereon a program for executing the method according to any one of claims 10 and 12 on a computer.
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