KR100836675B1 - 반사방지 하드마스크 조성물, 이를 이용한 패턴화된 재료형상의 제조방법 및 반도체 집적회로 디바이스 - Google Patents
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Abstract
Description
(상기 식에서, n은 1≤n<750의 범위이고, G는 중 어느 하나를 포함한다.
R1은 중 어느 하나를 포함하며, R2 및 R3 는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함한다.)
(상기 식에서, n은 1≤n<750의 범위이고, G는 이다.
R1은 중 어느 하나를 포함하며, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함한다.)
[화학식 1]
(상기 식에서, n은 1≤n<750의 범위이고, G는 중 어느 하나를 포함한다.
R1은 중 어느 하나를 포함하며, R2 및 R3 는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함한다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, n은 1≤n<750의 범위이고, G는 이다.
[화학식 1]
(상기 식에서, n은 1≤n<750의 범위이고, G는 중 어느 하나를 포함한다.
R1은 중 어느 하나를 포함하며, R2 및 R3 는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함한다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, n은 1≤n<750의 범위이고, G는 이다.
R1은 중 어느 하나를 포함하며, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함한다.)
(상기 식에서, n은 1≤n<750의 범위이고, G는 중 어느 하나를 포함한다.
R1은 중 어느 하나를 포함하며, R2 및 R3 는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함한다.)
[화학식 2]
(상기 식에서, n은 1≤n<750의 범위이고, G는 이다.
필름 제조에 사용된 조성물 | 광학 특성 (193nm) | 광학 특성 (248nm) | ||
n(굴절율) | k(흡광계수) | n(굴절율) | k(흡광계수) | |
실시예 1 | 1.45 | 0.62 | 1.92 | 0.20 |
실시예 2 | 1.40 | 0.31 | 2.11 | 0.31 |
실시예 3 | 1.42 | 0.70 | 1.80 | 0.04 |
비교예 1 | 1.45 | 0.73 | 1.95 | 0.29 |
필름 제조에 사용된 조성물 | 패턴특성 | ||
EL 마진 (△mJ/exposure energy mJ) | DoF 마진 (㎛) | 프로파일 | |
실시예 4 | 4 | 0.25 | cubic |
실시예 5 | 4 | 0.25 | cubic |
실시예 6 | 4 | 0.25 | cubic |
비교예 2 | 4 | 0.25 | cubic |
필름 제조에 사용된 샘플 | 하드마스크 에칭 후 패턴 모양 | 실리콘 나이트라이드 에칭후 패턴모양 |
실시예 7 | 수직모양(Anisotropic) | 수직모양(Anisotropic) |
실시예 8 | 수직모양(Anisotropic) | 수직모양(Anisotropic) |
실시예 9 | 수직모양(Anisotropic) | 수직모양(Anisotropic) |
비교예 3 | 활모양(Bowing) | 테이퍼진 모양 |
Claims (12)
- 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체.[화학식 1]R1은 중 어느 하나를 포함하며, R2 및 R3 는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함한다.)[화학식 2]
- 제 1항에 있어서, 상기 방향족 고리 함유 중합체는 중량 평균 분자량이 1,000 ~ 30,000인 것을 특징으로 하는 방향족 고리 함유 중합체.
- (a) 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체;(b) 가교제;(c) 촉매; 및(d) 유기용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.[화학식 1]R1은 중 어느 하나를 포함하며, R2 및 R3 는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함한다.)[화학식 2]R1은 중 어느 하나를 포함하며, R2, R3 및 R4는 각각 독립적으로 수소 (-H), 히드록시기 (-OH), C1-10의 알킬기, C6-10의 아릴기, 알릴기 및 할로겐 원자 중 어느 하나를 포함한다.)
- 제 3항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은(a) 상기 방향족 고리(aromatic ring) 함유 중합체 1~20 중량%;(b) 가교제 0.1~5 중량%;(c) 촉매 0.001~0.05 중량%; 및(d) 유기용매 75~98.8 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 3항에 있어서, 상기 방향족 고리 함유 중합체는 중량 평균 분자량이 1,000 ~ 30,000인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 3항에 있어서, 상기 하드마스크 조성물은 추가적으로 계면활성제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 3항에 있어서, 상기 가교제는 에테르화된 아미노 수지, N-메톡시메틸-멜 라민 수지, N-부톡시메틸-멜라민 수지, 메틸화되거나 부틸화된 우레아 레진(Urea Resin) 수지, 글리콜루릴 유도체, 2,6-비스(히드록시메틸)-p-크레졸 화합물 및 비스에폭시계 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1 또는 2이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- 제 3항에 있어서, 상기 촉매는 암모늄 히드록사이드, 2-메틸이미다졸(2-Methylimidazole), p-톨루엔 술폰산 모노 하이드레이트 (p-toluenesulfonic acid mono hydrate), 피리디늄 P-톨루엔 술포네이트 (Pyridinium P-toluene sulfonate), 2,4,4,6-테트라브로모시클로헥사디엔온, 벤조인 토실레이트, 2-니트로벤질 토실레이트 및 유기 술폰산의 알킬 에스테르로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 반사방지 하드마스크 조성물.
- (a) 기판 상에 재료 층을 제공하는 단계;(b) 상기 재료 층 위로 제 3항 내지 제 8항 중 어느 한 항에 따른 조성물을 이용한 하드마스크 층을 형성시키는 단계;(c) 상기 하드마스크 층 위로 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키는 단계;(d) 상기 방사선-민감성 이미지화 층을 방사선에 패턴 방식으로 노출시킴으로써 상기 방사선-민감성 이미지화 층 내에서 방사선-노출된 영역의 패턴을 생성시키는 단계;(e) 상기 방사선-민감성 이미지화 층 및 상기 하드마스크 층의 부분을 선택적으로 제거하여 상기 재료 층의 부분을 노출시키는 단계; 및(f) 상기 재료 층의 노출된 부분을 에칭함으로써 패턴화된 재료 형상을 형성시키는 단계를 포함하는 기판 상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법.
- 제 9 항에 있어서,상기 (c) 단계 이전에 실리콘 함유 하드마스크 층을 추가적으로 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법.
- 제 10항에 있어서,상기 실리콘 함유 하드마스크 층을 형성시킨 후 방사선-민감성 이미지화 층을 형성시키기 전에 추가적으로 바닥 반사방지용 하드마스크 층(BARC)을 형성시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 상에 패턴화된 재료 형상의 제조방법.
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WO2010064829A2 (ko) * | 2008-12-02 | 2010-06-10 | 제일모직 주식회사 | 반사방지 하층막 조성물 |
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