KR100753692B1 - Gas supply unit, substrate processing apparatus and supply gas setting method - Google Patents

Gas supply unit, substrate processing apparatus and supply gas setting method Download PDF

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Abstract

간단한 배관구성으로, 처리용기의 복수개소에 임의의 혼합 가스를 공급한다. 가스 공급 장치(100)에, 복수의 가스 공급원을 구비한 제 1 가스 박스(111)와, 복수의 부가 가스 공급원을 구비한 제 2 가스 박스(113)가 마련된다. 각 가스 공급원에는 혼합배관(120)이 접속되어, 혼합배관(120)에는 다른 버퍼실(63a, 63b)에 통하는 분기배관(122, 123)이 접속된다. 분기배관에는 각각 압력조정부가 마련되어, 압력비 제어 장치(126)에 의해 압력비가 조정된다. 분기배관(123)의 압력 조정부보다도 하류측에는 제 2 가스 박스(113)에 통하는 부가 가스 공급배관(130)이 접속된다. 제 1 가스 박스(111)의 각 가스가 혼합배관(120)에서 혼합되어, 분기배관으로 분류하여 각 버퍼실로 공급된다. 분기배관(123)에는 제 2 가스 박스(113)의 부가 가스가 부가되어, 버퍼실(63b)에는 버퍼실(63a)과 다른 혼합 가스가 공급된다.With a simple piping configuration, any mixed gas is supplied to a plurality of places in the processing container. In the gas supply device 100, a first gas box 111 having a plurality of gas supply sources and a second gas box 113 having a plurality of additional gas supply sources are provided. The mixing pipe 120 is connected to each gas supply source, and the branch pipes 122 and 123 connected to the other buffer chambers 63a and 63b are connected to the mixing pipe 120. Each of the branch pipes is provided with a pressure adjusting unit, and the pressure ratio is adjusted by the pressure ratio control device 126. An additional gas supply pipe 130 communicating with the second gas box 113 is connected to the downstream side of the pressure adjusting part of the branch pipe 123. Each gas of the first gas box 111 is mixed in the mixing pipe 120, classified into branch pipes, and supplied to each buffer chamber. The additional gas of the second gas box 113 is added to the branch pipe 123, and a mixed gas different from the buffer chamber 63a is supplied to the buffer chamber 63b.

Description

가스 공급 장치, 기판 처리 장치 및 공급 가스설정 방법{GAS SUPPLY UNIT, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUPPLY GAS SETTING METHOD}GAS SUPPLY UNIT, SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUPPLY GAS SETTING METHOD}

도 1은 플라즈마 에칭장치의 구성의 개략을 설명하는 종단면도.1 is a longitudinal cross-sectional view illustrating an outline of a configuration of a plasma etching apparatus.

도 2는 내측 상부 전극의 횡단면도.2 is a cross-sectional view of the inner upper electrode.

도 3은 가스 공급 장치의 구성의 개략을 설명하는 모식도. 3 is a schematic diagram illustrating an outline of a configuration of a gas supply device.

도 4는 공급 가스설정 때의 흐름도.4 is a flow chart at the time of supply gas setting.

도 5는 처리용기의 3개소에 혼합 가스를 공급하는 가스 공급 장치의 구성의 개략을 나타내는 모식도. FIG. 5 is a schematic diagram illustrating an outline of a configuration of a gas supply device for supplying a mixed gas to three places of a processing container. FIG.

도 6은 처리용기의 측면으로부터 혼합 가스를 공급하는 가스 공급 장치의 구성의 개략을 나타내는 모식도. 6 is a schematic diagram showing an outline of a configuration of a gas supply device for supplying a mixed gas from a side surface of a processing container.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *Explanation of symbols on the main parts of the drawings

1 플라즈마 에칭장치 10 처리용기1 Plasma Etching Equipment 10 Treatment Vessel

38 내측 상부 전극 63 버퍼실38 Inner upper electrode 63 Buffer chamber

90 장치 제어부 100 가스 공급 장치90 Device Control Unit 100 Gas Supply Unit

111 제 1 가스 박스 113 제 2 가스 박스111 First Gas Box 113 Second Gas Box

120 혼합배관 122 제 1 분기배관120 Mixing piping 122 First branch piping

123 제 2 분기배관 124, 125 압력 조정부123 2nd branch piping 124, 125 Pressure adjusting section

126 압력비 제어 장치 130 부가 가스 공급배관126 Pressure ratio control device 130 Additional gas supply line

본 발명은, 처리용기에 가스를 공급하는 가스 공급 장치, 해당 가스 공급 장치에 접속되는 기판 처리 장치 및 공급 가스 설정 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a gas supply device for supplying gas to a processing container, a substrate processing device connected to the gas supply device, and a supply gas setting method.

예컨대 반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 전자 디바이스의 제조 프로세스에 있어서는, 예컨대 기판의 표면에 도전성의 막이나 절연막을 형성하는 성막처리나, 기판상에 형성된 막을 식각하는 에칭처리 등이 행해지고 있다. For example, in a manufacturing process of an electronic device such as a semiconductor device or a liquid crystal display device, for example, a film forming process for forming a conductive film or an insulating film on the surface of the substrate, an etching process for etching a film formed on the substrate, and the like are performed.

예컨대, 상술한 에칭처리에는 플라즈마 에칭장치가 널리 이용되고 있다. 플라즈마 에칭장치는 기판을 수용하는 처리용기내에, 기판을 탑재하는 하부 전극과, 하부 전극의 기판을 향해서 가스를 분출하는 샤워헤드를 가지고 있다. 샤워헤드는 상부 전극을 구성하고 있다. 에칭처리는 샤워헤드로부터 소정의 혼합 가스를 분출한 상태로 양 전극사이에 고주파를 인가하여, 처리용기내에 플라즈마를 생성하는 것에 의해 기판상의 막을 에칭하고 있다. For example, the plasma etching apparatus is widely used for the above-mentioned etching treatment. The plasma etching apparatus includes a lower electrode on which a substrate is mounted, and a shower head which blows gas toward the substrate of the lower electrode in a processing vessel accommodating the substrate. The showerhead constitutes an upper electrode. In the etching treatment, a film on a substrate is etched by applying a high frequency wave between both electrodes in a state where a predetermined mixed gas is ejected from the shower head to generate plasma in the processing vessel.

그런데, 에칭 레이트나 에칭 선택비 등의 에칭특성은, 기판상에 공급되는 가스농도에 영향을 받는다. 또한, 에칭특성을 기판면내에 있어서 균일하게 하여, 기판면내의 에칭의 균일성을 향상하는 것은, 종래부터의 중요과제이다. 그래서, 샤 워헤드의 내부를 복수의 가스실로 구분하여, 각 가스실마다 가스 도입관을 독립하게 접속하여, 기판면내의 각 부분에 임의의 종류 혹은 유량의 혼합 가스를 공급하는 것이 제안되고 있다(예컨대, 특허문헌 1 참조). 이에 따라, 기판면내의 가스농도를 국소적으로 조정하여, 에칭의 기판면내의 균일성을 향상할 수 있다. By the way, etching characteristics, such as an etching rate and an etching selectivity, are influenced by the gas concentration supplied on a board | substrate. Moreover, it is an important subject conventionally to make etching characteristic uniform in a board | substrate surface, and to improve the uniformity of the etching in a board | substrate surface. Therefore, it is proposed to divide the inside of a showerhead into a plurality of gas chambers, to independently connect the gas introduction pipes to each gas chamber, and to supply the mixed gas of any kind or flow rate to each part in the substrate surface (for example, , Patent Document 1). Thereby, the gas concentration in a substrate surface can be locally adjusted, and the uniformity in the substrate surface of an etching can be improved.

그러나, 에칭처리시에 이용되는 혼합 가스는, 예컨대 직접 에칭에 관여하는 에칭가스나, 반응 생성물의 퇴적물을 컨트롤하기 위한 가스, 불활성 가스 등의 캐리어 가스 등의 여러 종류 가스의 조합에 의하여 구성되며, 피에칭재료나 프로세스 조건에 따라 선택된다. 이 때문에, 예컨대 샤워헤드내를 복수의 가스실을 분할하여, 각 가스실마다 가스 도입관을 접속할 경우, 예컨대 일본 특허공개 평성 제 9-45624호 공보(특허문헌 2)의 도 1에 도시하는 바와 같이 각 가스 도입관마다, 다수의 가스 공급원으로 통하는 배관을 접속하고, 또한 각 배관마다 매스플로우컨트롤러(mass flow controller)를 마련하도록 하고 있었다. 그 때문에 가스 공급계의 배관 구조가 복잡화하게 되어, 각 배관의 가스유량의 제어도 복잡화되어 있었다. 이 때문에, 예컨대 넓은 배관스페이스가 필요하게 되어, 장치 제어계의 부담도 증대되고 있었다. However, the mixed gas used in the etching process is composed of, for example, a combination of various kinds of gases such as an etching gas involved in direct etching, a gas for controlling deposits of reaction products, a carrier gas such as an inert gas, and the like. It is selected according to the material to be etched or the process conditions. For this reason, for example, when a plurality of gas chambers are divided in a shower head and a gas inlet pipe is connected to each gas chamber, for example, as shown in FIG. 1 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-45624 (Patent Document 2) In each gas introduction pipe, pipes leading to a plurality of gas supply sources were connected, and a mass flow controller was provided for each pipe. Therefore, the piping structure of the gas supply system became complicated, and the control of the gas flow volume of each piping was also complicated. For this reason, for example, a large piping space is required, and the burden on the apparatus control system has also increased.

[특허문헌 1] 일본 특허공개 평성 제 8-158072 호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-158072

[특허문헌 2] 일본 특허공개 평성 제 9-45624 호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-45624

본 발명은, 이러한 점에 비추어 행해진 것으로서, 에칭장치 등의 기판 처리 장치에 있어서의 처리용기의 복수개소에 임의의 혼합 가스를 공급하는데 있어서, 간단한 배관구성을 실현할 수 있는 가스 공급 장치와, 가스 공급 장치에 접속된 처리용기를 구비한 기판 처리 장치 및 가스 공급 장치를 이용한 공급 가스 설정방법을 제공하는 것을 그 목적으로 한다. The present invention has been carried out in view of such a point, and a gas supply device capable of realizing a simple piping configuration in supplying an arbitrary mixed gas to a plurality of places of a processing container in a substrate processing apparatus such as an etching apparatus, and a gas supply It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus having a processing container connected to the apparatus and a supply gas setting method using a gas supply apparatus.

상기 목적을 달성하는 본 발명은, 기판을 처리하는 처리용기에 가스를 공급하는 가스 공급 장치에 있어서, 복수의 가스 공급원과, 상기 복수의 가스 공급원으로부터 공급되는 복수의 가스를 혼합하는 혼합배관과, 상기 혼합배관에서 혼합된 혼합 가스를 분류하여 처리용기의 복수개소에 공급하는 복수의 분기배관과, 적어도 하나의 분기배관을 흐르는 혼합 가스에 소정의 부가 가스를 공급하는 부가 가스 공급 장치를 구비한 것을 특징으로 한다. According to an aspect of the present invention, there is provided a gas supply device for supplying gas to a processing vessel for processing a substrate, the gas supply apparatus comprising: a mixing pipe for mixing a plurality of gas supply sources and a plurality of gases supplied from the plurality of gas supply sources; And a plurality of branch pipes for classifying and supplying the mixed gas mixed in the mixed pipes to a plurality of places in the processing vessel, and an additional gas supply device for supplying a predetermined additional gas to the mixed gas flowing through the at least one branch pipe. It features.

본 발명에 의하면, 복수의 가스 공급원의 가스가 혼합배관에 있어서 혼합되어, 그 후 복수의 분기배관으로 분류된다. 그리고, 특정의 분기배관에서는, 소정의 부가 가스가 부가되어, 혼합 가스의 가스 성분이나 유량이 조정된다. 부가 가스가 부가되지 않는 분기배관에서는, 혼합배관으로부터의 혼합 가스가 그대로 처리용기에 공급된다. 이러한 경우, 예컨대 혼합배관에 있어서 가스 성분이 공통인 혼합 가스가 생성되어, 각 분기배관에 있어서, 필요에 따라서 혼합 가스의 가스 성분이나 유량이 조정되기 때문에, 필요한 최소한의 배관수로 충분하다. 이 결과, 처리용기의 복수개소에의 임의의 혼합 가스의 공급을, 단순한 배관구성으로 실현할 수 있다. According to the present invention, gases from a plurality of gas supply sources are mixed in a mixing pipe, and are then classified into a plurality of branch pipes. In a specific branch pipe, a predetermined additional gas is added to adjust the gas component and the flow rate of the mixed gas. In the branch pipe where no additional gas is added, the mixed gas from the mixed pipe is supplied to the processing container as it is. In such a case, for example, a mixed gas having a common gas component in the mixed piping is generated, and the gas component and the flow rate of the mixed gas are adjusted in each branch piping as necessary, so that the minimum required piping number is sufficient. As a result, the supply of arbitrary mixed gas to the several places of a processing container can be implement | achieved with a simple piping structure.

상기 가스 공급 장치는, 가스유량을 조정하기 위한 밸브와 압력계를 각 분기 배관에 구비하고, 또한, 상기 압력계의 계측 결과에 근거하여, 상기 밸브의 개폐도를 조정하고, 상기 혼합배관의 혼합 가스를 소정의 압력비로 상기 분기배관에 분류하는 압력비 제어 장치를 구비하고 있어도 좋다. 이러한 경우, 분기배관의 유량이 압력비(분압비)를 기준으로 제어되기 때문에, 예컨대, 분기배관내의 압력이 낮은 경우라도, 분기배관의 유량 제어를 적정하게 실행할 수 있다. The gas supply device is provided with a valve and a pressure gauge for adjusting the gas flow rate in each branch pipe, and based on the measurement result of the pressure gauge, the opening and closing degree of the valve is adjusted and the mixed gas of the mixing pipe is adjusted. The pressure ratio control device may be provided to classify the branch pipe at a predetermined pressure ratio. In this case, since the flow rate of the branch pipe is controlled based on the pressure ratio (partial pressure ratio), for example, even when the pressure in the branch pipe is low, the flow rate control of the branch pipe can be appropriately executed.

별도의 관점에 의한 본 발명에 의하면, 기판을 수용하는 처리용기와, 복수의 가스 공급원과, 상기 복수의 가스 공급원으로부터 공급되는 복수의 가스를 혼합하는 혼합배관과, 상기 혼합배관에서 혼합된 혼합 가스를 분류하여 상기 처리용기의 복수개소에 공급하는 복수의 분기배관과, 적어도 하나의 분기배관을 흐르는 혼합 가스에 소정의 부가 가스를 공급하는 부가 가스 공급 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치가 제공된다. According to the present invention according to another aspect, a processing vessel for accommodating a substrate, a plurality of gas supply sources, a mixing pipe for mixing a plurality of gases supplied from the plurality of gas supply sources, and a mixed gas mixed in the mixing pipe And a plurality of branch pipes for classifying and supplying the plurality of branch pipes to the plurality of places of the processing vessel, and an additional gas supply device for supplying a predetermined additional gas to the mixed gas flowing through the at least one branch pipe. Is provided.

별도의 관점에 의한 본 발명에 의하면, 복수의 가스공급원과, 상기 복수의 가스 공급원으로부터 공급되는 복수의 가스를 혼합하는 혼합배관과, 상기 혼합배관에서 혼합된 혼합 가스를 분류하여 상기 처리용기의 복수개소에 공급하는 복수의 분기배관과, 적어도 하나의 분기배관을 흐르는 혼합가스에 소정의 부가가스를 공급하는 부가 가스 공급 장치를 구비하고, 가스유량을 조정하기 위한 밸브와 압력계를 각 분기배관에 구비한 가스 공급 장치를 이용한 공급 가스 설정 방법에 있어서, 상기 부가 가스 공급 장치로부터 상기 분기배관에 부가 가스를 공급하지 않는 상태로, 상기 혼합배관으로부터 각 분기배관에 분류되는 혼합 가스의 압력비를 상기 밸브에 의해 소정의 혼합비로 조정하고, 그 후 상기 분기배관의 상기 밸브의 개폐도 를 고정하는 공정과, 그 후, 상기 부가 가스 공급 장치로부터 소정의 상기 분기배관에 소정유량의 부가 가스를 공급하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 공급 가스 설정 방법이 제공된다.According to the present invention according to another aspect, a plurality of the processing vessel by classifying a plurality of gas supply source, a mixing pipe for mixing a plurality of gases supplied from the plurality of gas supply source, and the mixed gas mixed in the mixing pipe A plurality of branch pipes to be supplied to the location, and an additional gas supply device for supplying a predetermined additional gas to the mixed gas flowing through the at least one branch pipe, and each branch pipe has a valve and a pressure gauge for adjusting the gas flow rate In a method for setting a supply gas using a gas supply device, a pressure ratio of a mixed gas classified from the mixing pipe to each branch pipe is supplied to the valve without supplying additional gas from the additional gas supply device to the branch pipe. Adjusting to a predetermined mixing ratio, and then fixing the opening and closing degree of the valve of the branch pipe. Thereafter, a method wherein the additional gas feed setting, characterized in that from the gas supply device having a step of supplying an additional gas of a predetermined flow rate to a predetermined said branch pipe is provided.

이하, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 대하여 설명한다. 도 1은, 본 실시 형태에 이러한 가스 공급 장치가 적용되는 기판 처리 장치로서의 플라즈마 에칭장치(1)의 구성의 개략을 나타내는 종단면의 설명도이다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferable embodiment of this invention is described. FIG. 1: is explanatory drawing of the longitudinal cross section which shows the outline of the structure of the plasma etching apparatus 1 as a substrate processing apparatus to which such a gas supply apparatus is applied to this embodiment.

플라즈마 에칭장치(1)는, 평행 평판형 전극 구조의 용량 결합형의 플라즈마 에칭장치이다. 플라즈마 에칭장치(1)는, 대략 원통형 형상의 처리용기(10)를 가지고 있다. 처리용기(10)는, 예컨대 알루미늄합금에 의해 형성되어, 내벽면이 알루미나 막 또는 이트륨(yttrium) 산화막에 의해 피복되어 있다. 처리용기(10)는, 접지되어 있다. The plasma etching apparatus 1 is a capacitively coupled plasma etching apparatus of a parallel plate type electrode structure. The plasma etching apparatus 1 has the processing container 10 of substantially cylindrical shape. The processing vessel 10 is formed of, for example, an aluminum alloy, and the inner wall surface thereof is covered with an alumina film or a yttrium oxide film. The processing container 10 is grounded.

처리용기(10)내의 중앙의 바닥부에는, 절연판(12)을 거쳐서 원주형상의 서셉터 지지대(14)가 마련되어 있다. 서셉터 지지대(14)상에는, 기판으로서의 웨이퍼(W)를 탑재하는 탑재부로서의 서셉터(16)가 지지되어 있다. 서셉터(16)는, 평행 평판형 전극 구조의 하부 전극을 구성하고 있다. 서셉터(16)는, 예컨대 알루미늄합금에 의해 형성되어 있다. The columnar susceptor support 14 is provided in the center bottom part in the processing container 10 via the insulating plate 12. As shown in FIG. On the susceptor support 14, the susceptor 16 as a mounting portion on which the wafer W as the substrate is mounted is supported. The susceptor 16 constitutes a lower electrode of the parallel plate type electrode structure. The susceptor 16 is formed of aluminum alloy, for example.

서셉터(16)의 상부에는 웨이퍼(W)를 유지하는 정전척(18)이 마련되어 있다. 정전척(18)은 내부에 전극(20)을 가지고 있다. 전극(20)에는 직류 전원(22)이 전 기적으로 접속되어 있다. 직류 전원(22)으로부터 전극(20)에 직류 전압을 인가하는 것에 의해, 쿨롱힘을 발생시켜, 서셉터(16)의 상면에 웨이퍼(W)를 흡착할 수 있다. The electrostatic chuck 18 holding the wafer W is provided on the susceptor 16. The electrostatic chuck 18 has electrodes 20 therein. The DC power supply 22 is electrically connected to the electrode 20. By applying a DC voltage from the DC power supply 22 to the electrode 20, a coulomb force can be generated to adsorb the wafer W onto the upper surface of the susceptor 16.

정전척(18)의 주위의 서셉터(16)의 상면에는 포커스 링(24)이 설치되어 있다. 서셉터(16) 및 서셉터 지지대(14)의 외주면에는 예컨대 석영으로 이루어지는 원통형의 내벽부재(26)가 붙여져 있다. The focus ring 24 is provided on the upper surface of the susceptor 16 around the electrostatic chuck 18. On the outer circumferential surfaces of the susceptor 16 and the susceptor support 14, cylindrical inner wall members 26 made of, for example, quartz are attached.

서셉터 지지대(14)의 내부에는, 링형상의 냉매실(28)이 형성되어 있다. 냉매실(28)은, 배관(30a, 30b)을 통하여, 처리용기(10)의 외부에 설치된 칠러(chiller)유닛(도시하지 않음)에 연통하고 있다. 냉매실(28)에는, 배관(30a, 30b)을 통하여 냉매 또는 냉각수가 순환 공급되어, 이 순환 공급에 의해 서셉터(16)상의 웨이퍼(W)의 온도를 제어할 수 있다. 정전척(18)의 상면에는, 서셉터(16) 및 서셉터 지지대(14)내를 지나는 가스 공급라인(32)이 통해 있어, 웨이퍼(W)와 정전척(18)과의 사이에 He가스 등의 열전도 가스를 공급할 수 있다. In the susceptor support 14, a ring-shaped refrigerant chamber 28 is formed. The coolant chamber 28 communicates with a chiller unit (not shown) provided outside the processing container 10 through the pipes 30a and 30b. The coolant or the coolant is circulated and supplied to the coolant chamber 28 through the pipes 30a and 30b, and the temperature of the wafer W on the susceptor 16 can be controlled by the circulating supply. On the upper surface of the electrostatic chuck 18, there is a gas supply line 32 passing through the susceptor 16 and the susceptor support 14, and He gas is formed between the wafer W and the electrostatic chuck 18. The heat conduction gas, such as these, can be supplied.

서셉터(16)의 위쪽에는, 서셉터(16)와 평행하게 대향하는 상부 전극(34)이 설치되어 있다. 서셉터(16)와 상부 전극(34)과의 사이에는 플라즈마 생성공간(PS)이 형성되어 있다. Above the susceptor 16, an upper electrode 34 facing the susceptor 16 in parallel is provided. The plasma generation space PS is formed between the susceptor 16 and the upper electrode 34.

상부 전극(34)은 링형상의 외측 상부 전극(36)과 그 내측의 원판형상의 내측 상부 전극(38)을 구비하고 있다. 외측 상부 전극(36)과 내측 상부 전극(38)과의 사이에는, 링형상의 유전체(42)가 개재되어 있다. 외측 상부 전극(36)과 처리용기(10)의 내주벽과의 사이에는, 예컨대 알루미나로 이루어지는 링형상의 절연성 차폐 부재(44)가 기밀하게 개재되어 있다. The upper electrode 34 has a ring-shaped outer upper electrode 36 and a disk-shaped inner upper electrode 38 therein. A ring-shaped dielectric 42 is interposed between the outer upper electrode 36 and the inner upper electrode 38. Between the outer upper electrode 36 and the inner circumferential wall of the processing container 10, a ring-shaped insulating shield member 44 made of alumina is hermetically interposed.

외측 상부 전극(36)에는 정합기(46), 상부 급전막대(48), 커넥터(50) 및 급전통(52)을 거쳐서 제 1 고주파 전원(54)이 전기적으로 접속되어 있다. 제 1 고주파 전원(54)은, 40 MHz 이상, 예컨대 60 MHz의 주파수의 고주파 전압을 출력할 수 있다. The first high frequency power source 54 is electrically connected to the outer upper electrode 36 via a matching unit 46, an upper feed bar 48, a connector 50, and a feed tube 52. The first high frequency power supply 54 can output a high frequency voltage having a frequency of 40 MHz or more, for example, 60 MHz.

급전통(52)은, 예컨대 하면이 개구된 대략 원통형상으로 형성되고, 하단부가 외측 상부 전극(36)에 접속되어 있다. 급전통(52)의 상면의 중앙부에는, 커넥터(50)에 의해서 상부 급전막대(48)의 하단부가 전기적으로 접속되어 있다. 상부 급전막대(48)의 상단부는, 정합기(46)의 출력측에 접속되어 있다. 정합기(46)는 제 1 고주파 전원(54)에 접속되어 있어, 제 1 고주파 전원(54)의 내부 임피던스와 부하 임피던스를 정합시킬 수 있다. 급전통(52)의 외측은, 처리용기(10)와 같은 직경의 측벽을 가지는 원통형의 접지도체(10a)에 의해 덮여 있다. 접지도체(10a)의 하단부는, 처리용기(10)의 측벽의 상부에 접속되어 있다. 접지도체(10a)의 상면의 중앙부에는, 상술한 상부 급전막대(48)가 관통하고 있고, 접지도체(10a)와 상부 급전막대(48)의 접촉부에는, 절연부재(56)가 개재되어 있다. The feed cylinder 52 is formed in the substantially cylindrical shape which opened the lower surface, for example, and the lower end part is connected to the outer upper electrode 36. The lower end of the upper feed rod 48 is electrically connected to the center part of the upper surface of the feed cylinder 52 by the connector 50. The upper end of the upper feed rod 48 is connected to the output side of the matching unit 46. The matching unit 46 is connected to the first high frequency power supply 54 so that the internal impedance of the first high frequency power supply 54 and the load impedance can be matched. The outer side of the feed cylinder 52 is covered by a cylindrical ground conductor 10a having sidewalls of the same diameter as the processing vessel 10. The lower end part of the grounding conductor 10a is connected to the upper part of the side wall of the processing container 10. The upper feed rod 48 passes through the center portion of the upper surface of the ground conductor 10a, and the insulating member 56 is interposed between the contact portion of the ground conductor 10a and the upper feed rod 48.

내측 상부 전극(38)은, 서셉터(16)에 탑재된 웨이퍼(W)상에 소정의 혼합 가스를 분출하는 샤워헤드를 구성하고 있다. 내측 상부 전극(38)은 다수의 가스분출구(60a)를 가지는 원형형상의 전극판(60)과, 전극판(60)의 상면측을 탈착 자유롭게 지지하는 전극 지지체(62)를 구비하고 있다. 전극 지지체(62)는, 전극판(60)과 같은 직경의 원반형상으로 형성되고, 내부에 원형형상의 버퍼실(63)이 형성되어 있 다. 버퍼실(63)내에는, 예컨대 도 2에 도시하는 바와 같이 O 링으로 이루어지는 환상의 칸막이 부재(64)가 마련되어, 버퍼실(63)을 중심부 측의 제 1 버퍼실(63a)과 외주부 측의 제 2 버퍼실(63b)으로 분할하고 있다. 제 1 버퍼실(63a)은, 서셉터(16)상의 웨이퍼(W)의 중앙부에 대향하고, 제 2 버퍼실(63b)은, 서셉터(16)상의 웨이퍼(W)의 외주부에 대향하고 있다. 각 버퍼실(63a, 63b)의 하면에는, 가스분출구(60a)가 연통하고 있고, 제 1 버퍼실(63a)에서는, 웨이퍼(W)의 중앙부를, 제 2 버퍼실(63b)에서는, 웨이퍼(W)의 외주부를 향해서 소정의 혼합 가스를 분출할 수 있다. 또한, 각 버퍼실(63)에 소정의 혼합 가스를 공급하는 가스 공급 장치(100)에 대해서는 후술한다. The inner upper electrode 38 constitutes a shower head which ejects a predetermined mixed gas onto the wafer W mounted on the susceptor 16. The inner upper electrode 38 includes a circular electrode plate 60 having a plurality of gas ejection openings 60a, and an electrode support 62 for detachably supporting the upper surface side of the electrode plate 60. The electrode support 62 is formed in a disk shape having the same diameter as that of the electrode plate 60, and a circular buffer chamber 63 is formed therein. In the buffer chamber 63, as shown in FIG. 2, the annular partition member 64 which consists of O rings is provided, for example, and the buffer chamber 63 is provided in the 1st buffer chamber 63a of the center side, and the outer peripheral part side. It is divided into the 2nd buffer chamber 63b. The first buffer chamber 63a faces the central portion of the wafer W on the susceptor 16, and the second buffer chamber 63b faces the outer peripheral portion of the wafer W on the susceptor 16. . The gas ejection opening 60a communicates with the lower surfaces of the buffer chambers 63a and 63b. In the first buffer chamber 63a, the center portion of the wafer W is used in the second buffer chamber 63b. The predetermined mixed gas can be blown toward the outer peripheral part of W). In addition, the gas supply apparatus 100 which supplies predetermined mixed gas to each buffer chamber 63 is mentioned later.

전극 지지체(62)의 상면에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 상부 급전막대(48)에 접속된 하부 급전통(70)이 전기적으로 접속되어 있다. 하부 급전통(70)에는, 가변 콘덴서(72)가 설치되어 있다. 가변 콘덴서(72)는, 제 1 고주파 전원(54)에 의한 고주파 전압에 의해 외측 상부 전극(36)의 바로 아래에 형성되는 전계강도와, 내측 상부 전극(38)의 바로 아래에 형성되는 전계강도와의 상대적인 비율을 조정할 수 있다. As shown in FIG. 1, the lower feed tube 70 connected to the upper feed rod 48 is electrically connected to the upper surface of the electrode support 62. The variable capacitor 72 is provided in the lower feed tube 70. The variable capacitor 72 has an electric field strength formed directly below the outer upper electrode 36 by a high frequency voltage by the first high frequency power supply 54, and an electric field strength formed directly below the inner upper electrode 38. You can adjust the relative ratio with.

처리용기(10)의 바닥부에는, 배기구(74)가 형성되어 있다. 배기구(74)는 배기관(76)을 통하여 진공 펌프 등을 구비한 배기 장치(78)에 접속되어 있다. 배기 장치(78)에 의해 처리용기(10)내의 소망하는 진공도로 감압할 수 있다. The exhaust port 74 is formed in the bottom part of the processing container 10. The exhaust port 74 is connected to the exhaust device 78 provided with a vacuum pump or the like through the exhaust pipe 76. The exhaust device 78 can reduce the pressure to a desired degree of vacuum in the processing vessel 10.

서셉터(16)에는, 정합기(80)를 거쳐서 제 2 고주파 전원(82)이 전기적으로 접속되어 있다. 제 2 고주파 전원(82)은, 예컨대 2 MHz ~ 20 MHz의 범위, 예컨대 20 MHz의 주파수의 고주파 전압을 출력할 수 있다. The second high frequency power source 82 is electrically connected to the susceptor 16 via a matcher 80. The second high frequency power supply 82 may output, for example, a high frequency voltage in a range of 2 MHz to 20 MHz, for example, a frequency of 20 MHz.

내측 상부 전극(38)에는, 제 1 고주파 전원(54)으로부터의 고주파를 차단하고, 제 2 고주파 전원(82)으로부터의 고주파를 그라운드로 통과시키기 위한 로우패스필터(84)가 전기적으로 접속되어 있다. 서셉터(16)에는, 제 1 고주파 전원(54)으로부터의 고주파를 그라운드로 통과시키기 위한 하이패스필터(86)가 전기적으로 접속되어 있다. The inner upper electrode 38 is electrically connected to a low pass filter 84 for cutting off the high frequency from the first high frequency power source 54 and for passing the high frequency from the second high frequency power source 82 to the ground. . The susceptor 16 is electrically connected to a high pass filter 86 for passing high frequency from the first high frequency power supply 54 to ground.

플라즈마 에칭장치(1)에는, 직류 전원(22), 제 1 고주파 전원(54) 및 제 2 고주파 전원(82) 등의 에칭처리를 실행하기 위한 각종 제원의 동작을 제어하는 장치 제어부(90)가 설치되어 있다. In the plasma etching apparatus 1, an apparatus control unit 90 for controlling the operation of various specifications for performing an etching process such as a DC power supply 22, a first high frequency power supply 54, and a second high frequency power supply 82 is provided. It is installed.

다음으로, 플라즈마 에칭장치(1)의 내측 상부 전극(38)에 혼합 가스를 공급하는 가스 공급 장치(100)에 대하여 설명한다. Next, the gas supply apparatus 100 which supplies a mixed gas to the inner upper electrode 38 of the plasma etching apparatus 1 will be described.

가스 공급 장치(100)는, 도 3에 도시하는 바와 같이, 복수, 예컨대 3개의 가스 공급원(110a, 110b, 110c)이 수용된 제 1 가스 박스(111)와, 복수, 예컨대 2개의 부가 가스 공급원(112a, 112b)이 수용된 제 2 가스 박스(113)를 구비하고 있다. 본 실시 형태에 있어서는, 예컨대 가스 공급원(110a)에는, 에칭가스로서의 예컨대 플루오로카본(fluorocarbon)계의 불소 화합물, 예컨대 CF4, C4F6, C4F8, C5F8 등의 CxFY가스가 봉입되고, 가스 공급원(110b)에는, 예컨대 CF 계의 반응 생성물의 퇴적물을 컨트롤하는 가스로서의 예컨대 O2가스가 봉입되고, 가스 공급원(110c)에는, 캐리어 가스로서 희 가스, 예컨대 Ar가스가 봉입되어 있다. 또한, 부가 가스 공급원 (112a)에는, 예컨대 에칭을 촉진 가능한 CXFY가스가 봉입되고, 부가 가스 공급원(112b)에는, 예컨대 CF계의 반응 생성물의 퇴적물을 컨트롤할 수 있는 O2가스가 봉입되어 있다. As shown in FIG. 3, the gas supply device 100 includes a first gas box 111 in which a plurality of, for example, three gas sources 110a, 110b, and 110c are accommodated, and a plurality of, for example, two additional gas sources ( The 2nd gas box 113 in which 112a, 112b was accommodated is provided. In the present embodiment, for example, the gas supply source 110a includes, for example, a fluorocarbon-based fluorine compound as an etching gas, such as CF 4 , C 4 F 6 , C 4 F 8 , C 5 F 8, and the like. The x F Y gas is sealed, and the gas supply 110b is filled with, for example, O 2 gas as a gas for controlling deposits of the reaction product of the CF system, and the gas supply 110c is a rare gas, for example, as a carrier gas. Ar gas is sealed. In addition, the additional gas supply 112a is filled with, for example, a C X F Y gas capable of promoting etching, and the additional gas supply 112b is filled with an O 2 gas capable of controlling deposits of, for example, CF-based reaction products. It is.

제 1 가스 박스(111)의 각 가스 공급원(110a ~ 110c)에는, 각 가스 공급원(110a ~ 110c)에서 각종 가스가 합류되어 혼합되는 혼합배관(120)이 접속되어 있다. 혼합배관(120)에는, 각 가스 공급원(110a ~ 110c)으로부터의 가스의 유량을 조정하는 매스플로우컨트롤러(121)가 가스 공급원마다 설치되어 있다. 혼합배관(120)에는, 혼합배관(120)에서 혼합된 혼합 가스를 분류하는 제 1 분기배관(122)과 제 2 분기배관(123)이 접속되어 있다. 제 1 분기배관(122)은, 상기 처리용기(10)의 내측 상부 전극(38)의 제 1 버퍼실(63a)에 접속되어 있다. 제 2 분기배관(123)은, 내측 상부 전극(38)의 제 2 버퍼실(63b)에 접속되어 있다. Each gas supply source 110a-110c of the first gas box 111 is connected to a mixing pipe 120 in which various gases are joined and mixed in the respective gas supply sources 110a-110c. In the mixing pipe 120, a mass flow controller 121 for adjusting the flow rate of the gas from each gas supply source 110a to 110c is provided for each gas supply source. The mixing pipe 120 is connected to the first branch pipe 122 and the second branch pipe 123 for dividing the mixed gas mixed in the mixing pipe 120. The first branch pipe 122 is connected to the first buffer chamber 63a of the inner upper electrode 38 of the processing container 10. The second branch pipe 123 is connected to the second buffer chamber 63b of the inner upper electrode 38.

제 1 분기배관(122)에는, 압력 조정부(124)가 설치되어 있다. 마찬가지로 제 2 분기배관(123)에는, 압력 조정부(125)가 설치되어 있다. 압력 조정부(124)는, 압력계(124a)와 밸브(124b)를 구비하고 있다. 마찬가지로 압력 조정부(125)는, 압력계(125a)와 밸브(125b)를 구비하고 있다. 압력 조정부(124)의 압력계(124a)에 의한 계측 결과와, 압력 조정부(125)의 압력계(125a)에 의한 계측 결과는, 압력비 제어 장치(126)로 출력될 수 있다. 압력비 제어 장치(126)는, 압력계(124a, 125a)의 계측 결과에 근거하여, 각 밸브(124b, 125b)의 개폐도를 조정하여, 제 1 분기배관(122)과 제 2 분기배관(123)에 분류되는 혼합 가스의 압력비, 즉 유 량비를 제어할 수 있다. 또한, 압력비 제어 장치(126)는, 공급 가스의 설정시에 있어, 후술하는 제 2 가스 박스(113)로부터 제 2 분기배관(123)에 부가 가스가 공급되어 있지 않은 상태로, 제 1 분기배관(122)과 제 2 분기배관(123)을 흐르는 혼합 가스의 압력비를 소정의 목표 압력비로 조정하여, 그 상태로 밸브(124b, 125b)의 개폐도를 고정할 수 있다. The pressure adjusting part 124 is provided in the 1st branch piping 122. As shown in FIG. Similarly, the pressure adjusting part 125 is provided in the 2nd branch piping 123. As shown in FIG. The pressure regulator 124 is provided with the pressure gauge 124a and the valve 124b. Similarly, the pressure adjustment part 125 is equipped with the pressure gauge 125a and the valve 125b. The measurement result by the pressure gauge 124a of the pressure adjustment part 124 and the measurement result by the pressure gauge 125a of the pressure adjustment part 125 can be output to the pressure ratio control apparatus 126. The pressure ratio control apparatus 126 adjusts the opening and closing degree of each valve 124b, 125b based on the measurement result of the pressure gauge 124a, 125a, and the 1st branch piping 122 and the 2nd branch piping 123 The pressure ratio, that is, the flow rate ratio of the mixed gas classified into can be controlled. In addition, the pressure ratio control apparatus 126 is a 1st branch piping in the state which supply gas is not supplied from the 2nd gas box 113 mentioned later to the 2nd branch piping 123 at the time of setting supply gas. By adjusting the pressure ratio of the mixed gas flowing through the 122 and the second branch pipe 123 to a predetermined target pressure ratio, the opening and closing degree of the valves 124b and 125b can be fixed in that state.

제 2 가스 박스(113)의 각 부가 가스 공급원(112a, 112b)에는, 예컨대 제 2 분기배관(123)에 연통하는 부가 가스 공급배관(130)이 접속되어 있다. 예컨대 부가 가스 공급배관(130)은, 각 부가 가스 공급원(112a, 112b)에 접속되어, 도중에서 집합하여 제 2 분기배관(123)에 접속되어 있다. 부가 가스 공급배관(130)은, 압력 조정부(125)의 하류 측에 접속되어 있다. 부가 가스 공급배관(130)에는, 각 부가 가스 공급원(112a, 112b)으로부터의 부가 가스의 유량을 조정하는 매스플로우컨트롤러(131)가 부가 가스 공급원마다 설치되어 있다. 이러한 구성에 의해, 제 2 가스 박스(113)의 부가 가스를 선택하여 혹은 혼합시켜 제 2 분기배관(123)에 공급할 수 있다. 또한, 본 실시 형태에서는, 제 2 가스 박스(113), 부가 가스 공급원(112a, 112b), 부가 가스 공급배관(130) 및 매스플로우컨트롤러(131)에 의해 부가 가스 공급 장치가 구성되어 있다. Each additional gas supply source 112a, 112b of the second gas box 113 is connected to, for example, an additional gas supply pipe 130 that communicates with the second branch pipe 123. For example, the additional gas supply pipe 130 is connected to each of the additional gas supply sources 112a and 112b, is collected on the way, and is connected to the second branch pipe 123. The additional gas supply pipe 130 is connected to the downstream side of the pressure adjusting unit 125. In the additional gas supply pipe 130, a mass flow controller 131 for adjusting the flow rate of the additional gas from each of the additional gas supply sources 112a and 112b is provided for each additional gas supply source. With this configuration, the additional gas of the second gas box 113 can be selected or mixed and supplied to the second branch pipe 123. In addition, in this embodiment, the additional gas supply apparatus is comprised by the 2nd gas box 113, the additional gas supply sources 112a and 112b, the additional gas supply piping 130, and the mass flow controller 131. As shown in FIG.

제 1 가스 박스(111)에 있어서의 매스플로우컨트롤러(121)와, 제 2 가스 박스(113)에 있어서의 매스플로우컨트롤러(131)의 동작은, 예컨대 플라즈마 에칭장치(1)의 장치 제어부(90)에 의해 제어되고 있다. 따라서, 장치 제어부(90)에 의해, 제 1 가스 박스(111) 및 제 2 가스 박스(113)로부터의 각종 가스의 공급의 개시와 정지, 각종 가스의 가스유량을 제어할 수 있다. The operation of the mass flow controller 121 in the first gas box 111 and the mass flow controller 131 in the second gas box 113 is, for example, an apparatus control unit 90 of the plasma etching apparatus 1. Is controlled by Therefore, the apparatus control part 90 can control the start and stop of supply of the various gases from the 1st gas box 111 and the 2nd gas box 113, and the gas flow volume of various gases.

다음으로, 이상과 같이 구성된 가스 공급 장치(100)의 동작에 대하여 설명한다. 도 4는, 처리용기(10)에 공급되는 혼합 가스의 가스 성분이나 유량을 설정할 때의 흐름도이다. 우선, 장치 제어부(90)의 지시 신호에 의해, 제 1 가스 박스(111)내의 미리 설정되어 있는 가스가 소정유량으로 혼합배관(120)에 흐른다(도 4에서의 공정 S1). 예컨대, 가스 공급원(110a ~ 110c)의 CxFY가스, O2가스 및 Ar가스가 각각 소정유량으로 공급되고, 혼합배관(120)에 있어서 혼합되어, 소정의 혼합비의 CxFY가스, O2가스 및 Ar가스로 이루어지는 혼합 가스가 생성된다. 계속해서, 압력비 제어 장치(126)에 의해, 압력계(124a, 125a)의 계측 결과에 근거하여, 밸브(124b, 125b)의 개폐도가 조정되어, 제 1 분기배관(122) 및 제 2 분기배관(123)에 흐르는 혼합 가스의 압력비가 목표 압력비로 조정된다(도 4에서의 공정 S2). 이에 따라, 제 1 분기배관(122)을 통하여 제 1 버퍼실(63a)에 공급되는 혼합 가스의 가스 성분(혼합비)과 유량이 설정된다. 또한, 제 2 분기배관(123)이 통하는 제 2 버퍼실(63b)에는, 이 시점에서, 적어도 제 1 버퍼실(63a)과 같은 혼합 가스, 즉 에칭처리가 가능한 혼합 가스가 공급되어 있다. Next, operation | movement of the gas supply apparatus 100 comprised as mentioned above is demonstrated. 4 is a flowchart when setting the gas component and the flow rate of the mixed gas supplied to the processing container 10. First, the gas set in the 1st gas box 111 flows into the mixing piping 120 by predetermined flow volume by the instruction | indication signal of the apparatus control part 90 (process S1 in FIG. 4). For example, the C x F Y gas, the O 2 gas and the Ar gas of the gas supply sources 110a to 110c are respectively supplied at a predetermined flow rate, are mixed in the mixing pipe 120, and the C x F Y gas having a predetermined mixing ratio, A mixed gas consisting of O 2 gas and Ar gas is produced. Subsequently, the opening and closing degree of the valves 124b and 125b is adjusted by the pressure ratio control device 126 based on the measurement results of the pressure gauges 124a and 125a, so that the first branch pipe 122 and the second branch pipe are connected. The pressure ratio of the mixed gas flowing in 123 is adjusted to the target pressure ratio (step S2 in FIG. 4). Thereby, the gas component (mixing ratio) and the flow volume of the mixed gas supplied to the 1st buffer chamber 63a through the 1st branch piping 122 are set. At this point, a mixed gas, that is, a mixed gas capable of etching, is supplied to the second buffer chamber 63b through which the second branch pipe 123 passes.

그리고, 제 1 분기배관(122) 및 제 2 분기배관(123)에 흐르는 혼합 가스가 목표 압력비로 조정되어 안정되면, 압력비 제어 장치(126)에 의해, 압력조정부(124, 125)의 밸브(124b, 125b)의 개폐도가 고정된다(도 4에서의 공정 S3). 밸브(124b, 125b)의 개폐도가 고정된 후, 장치 제어부(90)의 지시 신호에 의해, 제 2 가스 박스(113)로부터 미리 설정되어 있는 부가 가스가 소정유량으로 부가 가스 공급배관(130)에 흐른다(도 4에서의 공정 S4). 이 제 2 가스 박스(113)로부터의 부가 가스의 공급을 개시시키기 위한 지시 신호는, 장치 제어부(90)에 미리 설정된 설정 시간이 경과함으로써 송신된다. 예컨대 부가 가스 공급원(112a)으로부터 에칭을 촉진할 수 있는 CxFY가스, 예컨대 CF4가스가 소정의 유량으로 공급되어 제 2 분기배관(123)에 합류된다. 이에 따라, 제 2 분기배관(123)이 연통하는 제 2 버퍼실(63b)에는, 제 1 버퍼실(63a)보다도 CF4가스가 많은 혼합 가스가 공급된다. 이렇게 해서, 제 2 버퍼실(63b)에 공급되는 혼합 가스의 가스 성분 및 유량이 설정된다. 또한, 이 제 2 분기배관(123)으로의 부가 가스의 공급에 의해 제 1 분기배관(122)과 제 2 분기배관(123)의 압력비는 변동하지만, 밸브(124b, 125b)가 고정되어 있기 때문에, 제 1 버퍼실(63a)에는, 당초의 유량의 혼합 가스가 공급된다. When the mixed gas flowing in the first branch pipe 122 and the second branch pipe 123 is adjusted to the target pressure ratio and stabilized, the pressure ratio control device 126 controls the valves 124b of the pressure adjusting units 124 and 125. And 125b) are fixed (step S3 in FIG. 4). After the opening and closing degrees of the valves 124b and 125b are fixed, the additional gas preset from the second gas box 113 is supplied to the additional gas supply pipe 130 at a predetermined flow rate by an instruction signal from the apparatus control unit 90. (Step S4 in FIG. 4). The instruction signal for starting the supply of the additional gas from the second gas box 113 is transmitted when the preset time set in advance in the apparatus control unit 90 elapses. For example, a C x F Y gas, such as CF 4 gas, which may promote etching from the additional gas source 112a, is supplied at a predetermined flow rate and joined to the second branch pipe 123. As a result, a mixed gas containing more CF 4 gas than the first buffer chamber 63a is supplied to the second buffer chamber 63b through which the second branch pipe 123 communicates. In this way, the gas component and flow volume of the mixed gas supplied to the 2nd buffer chamber 63b are set. In addition, although the pressure ratio of the 1st branch piping 122 and the 2nd branch piping 123 is fluctuate | varied by supply of the additional gas to this 2nd branch piping 123, since the valves 124b and 125b are fixed, The mixed gas of the original flow rate is supplied to the first buffer chamber 63a.

그리고, 플라즈마 에칭장치(1)에서는, 감압하는 분위기하에, 서셉터(16) 상의 웨이퍼(W)의 중심부 부근에는, 제 1 버퍼실(63a)로부터의 혼합 가스가 공급되고, 웨이퍼(W)의 외주부에는, 제 2 버퍼실(63b)로부터의 CF4가스가 많은 혼합 가스가 공급된다. 이에 따라, 웨이퍼(W)의 외주부에 있어서의 에칭특성이 웨이퍼(W)의 중심부에 대하여 상대적으로 조정되어, 웨이퍼(W) 면내의 에칭특성이 균일해진다. In the plasma etching apparatus 1, the mixed gas from the first buffer chamber 63a is supplied to the vicinity of the center of the wafer W on the susceptor 16 under a reduced pressure atmosphere, and The outer peripheral portion is supplied with a mixed gas containing a large amount of CF 4 gas from the second buffer chamber 63b. Thereby, the etching characteristic in the outer peripheral part of the wafer W is adjusted relatively with respect to the center part of the wafer W, and the etching characteristic in the inside of the wafer W surface becomes uniform.

이상의 실시 형태에 의하면, 제 1 가스 박스로부터의 복수종류의 가스가 혼합배관(120)에서 혼합되어, 그 혼합 가스가 제 1 분기배관(122)과 제 2 분기배관(123)으로 분류하여 처리용기(10)의 제 1 버퍼실(63a)과 제 2 버퍼실(63b)에 공급 된다. 제 2 분기배관(123)에는, 에칭특성을 조정하기 위한 부가 가스가 공급되고, 제 2 버퍼실(63b)에는, 제 1 버퍼실(63a)과 다른 성분으로 유량의 혼합 가스가 공급된다. 이와 같이, 처리용기(10)에 있어서의 제 1 버퍼실(63a)과 제 2 버퍼실(63b)에 공급되는 혼합 가스의 가스 성분이나 유량을, 간단한 배관구성으로 임의로 조정할 수 있다. According to the above embodiment, a plurality of kinds of gases from the first gas box are mixed in the mixing pipe 120, and the mixed gas is classified into the first branch pipe 122 and the second branch pipe 123 to treat the processing vessel. It is supplied to the 1st buffer chamber 63a and the 2nd buffer chamber 63b of (10). An additional gas for adjusting the etching characteristics is supplied to the second branch pipe 123, and a mixed gas at a flow rate is supplied to the second buffer chamber 63b in a different component from the first buffer chamber 63a. In this way, the gas component and flow rate of the mixed gas supplied to the 1st buffer chamber 63a and the 2nd buffer chamber 63b in the processing container 10 can be arbitrarily adjusted with a simple piping structure.

또한, 제 1 분기배관(122)과 제 2 분기배관(123)의 유량을 압력 조정부(124, 125)에 의해 조정했기 때문에, 플라즈마 에칭장치(1)와 같이 가스의 공급처의 압력이 매우 낮은 경우라도, 공급배관의 유량조정을 적정하게 실행할 수 있다. In addition, since the flow rate of the first branch pipe 122 and the second branch pipe 123 is adjusted by the pressure adjusting units 124 and 125, the pressure of the gas supply source is very low, as in the plasma etching apparatus 1. Even if it is, the flow rate adjustment of the supply pipe can be appropriately performed.

이상의 실시 형태에 있어서, 제 2 분기배관(123)에는 에칭을 촉진할 수 있는 CF4가스를 공급했지만, 예컨대 웨이퍼(W)의 중심부보다도 외주부 쪽이 CF계의 반응 생성물의 퇴적이 많고, 느리게 에칭이 되는 경우에는, 제 2 분기배관(123)에 CF계의 반응 생성물을 제거하는 O2가스를 공급하여도 좋다. 또한, 제 2 분기배관(123)에는 CF4가스와 O2가스의 양쪽을 소정의 혼합비로 혼합하여 공급하여도 좋다. In the above embodiment, the second branch pipe 123 is supplied with CF 4 gas capable of accelerating etching. For example, the outer peripheral portion of the wafer W has a larger amount of deposition of CF-based reaction products than the center portion of the wafer W, and is slowly etched. In this case, the O 2 gas for removing the CF-based reaction product may be supplied to the second branch pipe 123. In addition, both of the CF 4 gas and the O 2 gas may be mixed and supplied to the second branch pipe 123 at a predetermined mixing ratio.

상기 실시 형태에서는, 제 2 가스 박스(113)로부터 제 2 분기배관(123)에 부가 가스를 공급하는 타이밍은, 장치 제어부(90)에 있어서의 설정 시간에 의해 미리 설정되어 있었지만, 예컨대 장치 제어부(90)가 압력비 제어 장치(126)를 통하여 압력계(124a, 125a)에 의한 계측값을 감시하여, 소망하는 목표 압력비로 안정된 시점에서, 제 2 가스 박스(113)측에 지시 신호를 발신하여, 부가 가스의 공급을 개시하여도 좋다. In the said embodiment, although the timing which supplies additional gas from the 2nd gas box 113 to the 2nd branch piping 123 was previously set by the setting time in the apparatus control part 90, for example, the apparatus control part ( 90 monitors the measured values by the pressure gauges 124a and 125a via the pressure ratio control device 126, and sends an indication signal to the second gas box 113 side at the time when the target pressure ratio is stabilized. Supply of gas may be started.

또한, 제 2 가스 박스(113)의 각 부가 가스 공급원(112a, 112b)을 부가 가스 공급배관(130)에 의해서 제 1 분기배관(122)측에 접속해도 좋다. 이렇게 하는 것에 의해, 필요한 경우에는 제 1 버퍼실(63)에 공급되는 혼합 가스의 가스 성분이나 유량도 미세하게 조정할 수 있다. In addition, the additional gas supply sources 112a and 112b of the second gas box 113 may be connected to the first branch pipe 122 side by the additional gas supply pipe 130. By doing in this way, the gas component and flow volume of the mixed gas supplied to the 1st buffer chamber 63 can also be finely adjusted as needed.

이상의 실시 형태에서 기재한 제 2 가스 박스(113)에는, CF4가스와 O2가스의 부가 가스 공급원이 설치되어 있었지만, 에칭을 촉진하거나 억제하거나 하는 다른 부가 가스, 예컨대 에칭을 촉진하는 가스로서 CHF3, CH2F2, CH3F 등의 CxHYFz가스, CF계 반응 생성물을 컨트롤하는 가스로서, N2가스나 CO가스, 희석가스로서 Xe가스나 He가스 등의 부가 가스 공급원이 마련되어도 좋다. 이밖에, 이상의 실시 형태에서 기재한 제 1 가스 박스(111)나 제 2 가스 박스(113)에 수용되는 가스의 종류나 수는, 피에칭재료나 프로세스 조건 등에 따라 임의로 선택할 수 있다. In the present preferred embodiment a second gas box 113, described in, CF 4 gas and O, but the additional gas supply source of the second gas is provided, as other additional gases, for example gas that promotes the etching of promoting etching or inhibit or CHF As a gas for controlling C x H Y F z gas and a CF-based reaction product such as 3 , CH 2 F 2 , CH 3 F and the like, and N 2 gas, CO gas, and diluent gas, an additional gas supply source such as Xe gas or He gas This may be provided. In addition, the kind and number of gases accommodated in the first gas box 111 and the second gas box 113 described in the above embodiments can be arbitrarily selected according to the etching target material, process conditions, and the like.

이상의 실시 형태에서 기재한 가스 공급 장치(100)는, 처리용기(10)에 있어서의 제 1 버퍼실(63a)과 제 2 버퍼실(63b)의 2개소에 혼합 가스를 공급하고 있었지만, 처리용기(10)의 3개소 이상에 혼합 가스를 공급하여도 좋다. 도 5는, 이러한 일례를 나타내는 것이고, 예컨대 내측 상부 전극(38)에는 동심원형상의 3개의 버퍼실(63)이 형성되어 있다. 즉, 내측 상부 전극(38)의 제 2 버퍼실(63b)의 또한 외측에, 환상의 제 3 버퍼실(63c)이 형성되어 있다. 이 경우, 혼합배관(120)에는 제 1, 제 2 분기배관(122, 123)에 덧붙여, 또한 제 3 분기배관(150)이 분기되어 있다. 제 3 분기배관(150)은, 제 3 버퍼실(63c)에 접속되어 있다. 제 3 분기배관 (150)에는 다른 분기배관(122, 123)과 같이 압력 조정부(151), 압력계(151a) 및 밸브(151b)가 마련되어 있다. 또한, 이 예의 가스 공급 장치(100)에는 제 3 분기배관(150)에 소정의 부가 가스를 공급하기 위한 제 3 가스 박스(152)가 마련되어 있다. 제 3 가스 박스(152)는, 예컨대 제 2 가스 박스(113)와 동일한 구성을 가지고, CF4의 부가 가스 공급원(153a)과 O2가스의 부가 가스 공급원(153b)을 구비하고 있다. 각 부가 가스 공급원(153a, 153b)은 부가 가스 공급배관(154)에 의해서 제 3 분기배관(150)에 접속되고, 부가 가스 공급배관(154)에는, 부가 가스 공급원마다 매스플로우컨트롤러(155)가 마련되어 있다. 또한, 이 밖의 부분의 구성은, 상기 실시 형태와 같으므로, 설명을 생략한다. Although the gas supply apparatus 100 described in the above embodiment supplied the mixed gas to two places of the 1st buffer chamber 63a and the 2nd buffer chamber 63b in the process container 10, the process container You may supply a mixed gas to three or more places of (10). FIG. 5 shows such an example, and three buffer chambers 63 of concentric circles are formed in the inner upper electrode 38, for example. That is, an annular third buffer chamber 63c is formed outside the second buffer chamber 63b of the inner upper electrode 38. In this case, in addition to the first and second branch pipes 122 and 123, the third branch pipe 150 is branched into the mixed pipe 120. The third branch pipe 150 is connected to the third buffer chamber 63c. The third branch pipe 150 is provided with a pressure adjusting unit 151, a pressure gauge 151a and a valve 151b like the other branch pipes 122 and 123. In addition, the gas supply device 100 of this example is provided with a third gas box 152 for supplying a predetermined additional gas to the third branch pipe 150. The third gas box 152 has the same configuration as that of the second gas box 113 and includes an additional gas supply source 153a of CF 4 and an additional gas supply source 153b of O 2 gas. Each additional gas supply source 153a, 153b is connected to the third branch pipe 150 by an additional gas supply pipe 154, and a mass flow controller 155 is provided for each additional gas supply source in the additional gas supply pipe 154. It is prepared. In addition, since the structure of another part is the same as that of the said embodiment, description is abbreviate | omitted.

그리고, 각 버퍼실(63a ~ 63c)에 혼합 가스가 공급될 때에는, 제 1 가스 박스(111)의 예컨대 가스 공급원(110a ~ 110c)의 가스가 혼합배관(120)에 공급되어 혼합된 뒤, 그 혼합 가스가 3개의 분기배관(122, 123, 150)으로 분류된다. 압력비 제어 장치(126)에 의해, 분기배관(122, 123, 150)의 압력비가 소정의 목표 압력비로 조정되어, 그 후 밸브(124b, 125b, 151b)의 개폐도가 고정된다. 이에 따라, 제 1 분기배관(122)이 연통하는 제 1 버퍼실(63a)의 혼합 가스의 가스 성분과 유량이 설정된다. 그 후, 제 2 가스 박스(133)로부터 부가 가스 공급배관(130)을 통하여 소정 종류의 소정유량의 부가 가스가 제 2 분기배관(123)에 공급되고, 또한 제 3 가스 박스(152)로부터 부가 가스 공급배관(154)을 통하여 소정 종류의 소정유량의 부가 가스가 제 3 분기배관(150)에 공급된다. 이렇게 해서, 제 2 버퍼실(63b), 제 3 버퍼실(63c)에 공급되는 혼합 가스의 가스 성분과 유량이 설정된다. 이러한 경우에 있어서도, 간단한 배관구성으로 처리용기(10)의 3개소에 임의의 혼합 가스를 공급할 수 있다. Then, when the mixed gas is supplied to each of the buffer chambers 63a to 63c, for example, the gas of the first gas box 111, for example, the gas supply source 110a to 110c, is supplied to the mixing pipe 120 and mixed. The mixed gas is classified into three branch pipes 122, 123, and 150. By the pressure ratio control apparatus 126, the pressure ratio of the branch piping 122, 123, 150 is adjusted to predetermined | prescribed target pressure ratio, and the opening / closing degree of the valve 124b, 125b, 151b is fixed after that. Thereby, the gas component and flow volume of the mixed gas of the 1st buffer chamber 63a which the 1st branch piping 122 communicates are set. Thereafter, a predetermined type of additional gas of a predetermined flow rate is supplied from the second gas box 133 to the second branch pipe 123 through the additional gas supply pipe 130, and is further added from the third gas box 152. The additional gas of a predetermined flow rate of a predetermined type is supplied to the third branch pipe 150 through the gas supply pipe 154. In this way, the gas component and flow volume of the mixed gas supplied to the 2nd buffer chamber 63b and the 3rd buffer chamber 63c are set. Even in such a case, arbitrary mixed gas can be supplied to three places of the processing container 10 with a simple piping structure.

이상의 실시 형태에서는, 가스 공급 장치(100)로부터 공급된 혼합 가스가, 처리용기(10)의 상부로부터 웨이퍼(W)를 향해서 분출되고 있지만 처리용기(10)의 다른 부분, 예컨대 처리용기(10)에 있어서의 플라즈마 생성공간(PS)의 측면으로부터도 혼합 가스가 분출되어도 좋다. 이러한 경우, 예컨대 도 6에 도시하는 바와 같이 상기 제 3 분기배관(150)이 처리용기(10)의 양측면에 접속되고, 예컨대 처리용기(10)의 양측면에 접지된 노즐로부터, 플라즈마 발생공간(PS)에 가스를 분출된다. 이러한 경우, 플라즈마 생성공간(PS)의 상부와 측부로부터 각각 소정의 혼합 가스를 공급할 수 있기 때문에 플라즈마 생성공간(PS)내의 가스농도를 조정하여, 웨이퍼면내의 에칭특성의 균일성을 또한 향상시킬 수 있다. In the above embodiment, although the mixed gas supplied from the gas supply apparatus 100 is ejected toward the wafer W from the upper part of the processing container 10, the other part of the processing container 10, for example, the processing container 10. The mixed gas may also be ejected from the side surface of the plasma generating space PS in the apparatus. In this case, for example, as shown in FIG. 6, the third branch pipe 150 is connected to both sides of the processing vessel 10 and, for example, from a nozzle grounded on both sides of the processing vessel 10, the plasma generating space PS Gas is blown out. In this case, since a predetermined mixed gas can be supplied from the upper side and the side of the plasma generating space PS, the gas concentration in the plasma generating space PS can be adjusted to further improve the uniformity of etching characteristics in the wafer surface. have.

이상의 실시 형태에서는, 분기배관의 유량을 압력 조정부에 의해 조정하고 있었지만, 매스플로우컨트롤러를 이용하여도 좋다. 또한, 이상의 실시 형태에서 기재한 가스 공급 장치(100)는 플라즈마 에칭장치(1)에 혼합 가스를 공급하는 것 이였지만, 혼합 가스가 공급되는 다른 기판 처리 장치, 예컨대 플라즈마 CVD 장치, 스퍼터링 장치, 열산화 장치 등의 성막장치에도 본 발명은 적용할 수 있다. 또한 본 발명은 웨이퍼 이외의 예컨대 플랫 패널 디스플레이 (FPD; flat panel display), 포토 마스크용의 마스크 레티클(mask reticle) 등의 다른 기판 처리 장치나 MEMS ( Micro Electro Mechanical System) 제조 장치에도 적용할 수 있다.In the above embodiment, although the flow volume of the branch pipe was adjusted by the pressure adjusting unit, a mass flow controller may be used. In addition, although the gas supply apparatus 100 described in the above embodiment supplies the mixed gas to the plasma etching apparatus 1, other substrate processing apparatuses to which the mixed gas is supplied, such as a plasma CVD apparatus, a sputtering apparatus, and a heat | fever, The present invention can also be applied to film forming apparatuses such as oxidation apparatuses. The present invention can also be applied to other substrate processing apparatuses such as flat panel displays (FPDs), mask reticles for photo masks, or MEMS (Micro Electro Mechanical System) manufacturing apparatuses other than wafers. .

본 발명에 의하면, 배관구성이 단순화하여 배관스페이스의 저감이나 유량 제어의 부담의 저감을 도모할 수 있다.According to the present invention, it is possible to simplify the pipe configuration and to reduce the pipe space and the flow control.

Claims (14)

기판을 처리하는 처리용기에 가스를 공급하는 가스 공급 장치에 있어서, In the gas supply device for supplying gas to the processing vessel for processing a substrate, 복수의 가스 공급원과, A plurality of gas sources, 상기 복수의 가스 공급원으로부터 공급되는 복수의 가스를 혼합하는 혼합배관과, A mixing pipe for mixing a plurality of gases supplied from the plurality of gas sources, 상기 혼합배관에서 혼합된 혼합 가스를 분류(分流)하여 처리용기의 복수개소에 공급하는 복수의 분기(分岐)배관과, A plurality of branch pipes for dividing the mixed gas mixed in the mixed pipes and supplying them to a plurality of places in the processing vessel; 상기 복수의 분기 배관 중에서 적어도 하나의 분기배관을 흐르는 혼합 가스에 부가 가스를 공급하는 부가 가스 공급 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.And an additional gas supply device for supplying additional gas to a mixed gas flowing through at least one branch pipe among the plurality of branch pipes. 제 1 항에 있어서, The method of claim 1, 가스유량을 조정하기 위한 밸브와 압력계를 각 분기배관에 구비하고, A valve and a pressure gauge for adjusting the gas flow rate are provided in each branch pipe. 또한, 상기 압력계의 계측 결과에 근거하여, 상기 밸브의 개폐도를 조정하여, 상기 혼합배관의 혼합 가스를 목표 압력비로 상기 분기배관에 분류하는 압력비 제어 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.And a pressure ratio control device for adjusting the opening / closing degree of the valve and classifying the mixed gas of the mixed pipe into the branch pipe at a target pressure ratio based on the measurement result of the pressure gauge. 제 2 항에 있어서, The method of claim 2, 상기 부가 가스 공급 장치는, 상기 분기배관에 연통하는 부가 가스 공급배관을 가지고, The additional gas supply device has an additional gas supply pipe communicating with the branch pipe, 상기 부가 가스 공급배관은, 상기 압력계와 상기 밸브의 하류측에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.The additional gas supply pipe is connected to the downstream side of the pressure gauge and the valve. 제 3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 압력비 제어 장치는, 상기 부가 가스 공급 장치로부터 분기배관에 상기 부가 가스를 공급하지 않는 상태로, 상기 각 분기배관으로 분류되는 혼합 가스의 압력비를 상기 밸브에 의해 상기 목표 압력비로 조정하여, 그 상태로 상기 밸브의 개폐도를 고정하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.The pressure ratio control device adjusts the pressure ratio of the mixed gas classified into the branch pipes to the target pressure ratio by the valve in a state where the additional gas is not supplied from the additional gas supply device to the branch pipes. Gas supply device characterized in that for fixing the opening and closing of the valve. 제 4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 압력비 제어 장치에 의해 상기 분기배관의 혼합 가스가 상기 목표 압력비로 조정된 후에, 상기 부가 가스 공급 장치로부터 상기 분기배관에 부가 가스를 공급하는 제어부를 또한 구비하는 것을 특징으로 하는 가스 공급 장치.And a control unit for supplying additional gas from the additional gas supply device to the branch pipe after the mixed gas of the branch pipe is adjusted to the target pressure ratio by the pressure ratio control device. 기판 처리 장치에 있어서, In the substrate processing apparatus, 기판을 수용하는 처리용기와,A processing container accommodating a substrate, 복수의 가스 공급원과, A plurality of gas sources, 상기 복수의 가스 공급원으로부터 공급되는 복수의 가스를 혼합하는 혼합배관과, A mixing pipe for mixing a plurality of gases supplied from the plurality of gas sources, 상기 혼합배관에서 혼합된 혼합 가스를 분류하여 상기 처리용기의 복수개소에 공급하는 복수의 분기배관과, A plurality of branch pipes for dividing the mixed gas mixed in the mixed pipes and supplying them to a plurality of places of the processing container; 상기 복수의 분기 배관 중에서 적어도 하나의 분기배관을 흐르는 혼합 가스에 부가 가스를 공급하는 부가 가스 공급 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And an additional gas supply device for supplying additional gas to a mixed gas flowing through at least one branch pipe among the plurality of branch pipes. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 가스유량을 조정하기 위한 밸브와 압력계를 각 분기배관에 구비하고, A valve and a pressure gauge for adjusting the gas flow rate are provided in each branch pipe. 또한, 상기 압력계의 계측 결과에 근거하여, 상기 밸브의 개폐도를 조정하여, 상기 혼합배관의 혼합 가스를 목표 압력비로 상기 분기배관에 분류하는 압력비 제어 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a pressure ratio control device that adjusts the opening and closing degree of the valve and classifies the mixed gas of the mixed pipe into the branch pipe at a target pressure ratio based on the measurement result of the pressure gauge. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 부가 가스 공급 장치는, 상기 분기배관에 연통하는 부가 가스 공급배관을 가지고, The additional gas supply device has an additional gas supply pipe communicating with the branch pipe, 상기 부가 가스 공급배관은, 상기 압력계와 상기 밸브의 하류측에 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. The said additional gas supply piping is connected to the downstream of the said pressure gauge and the said valve, The substrate processing apparatus characterized by the above-mentioned. 제 8 항에 있어서,The method of claim 8, 상기 압력비 제어 장치는, 상기 부가 가스 공급 장치로부터 분기배관에 상기 부가 가스를 공급하지 않는 상태로, 상기 각 분기배관으로 분류되는 혼합 가스의 압력비를 상기 밸브에 의해 상기 목표 압력비로 조정하여, 그 상태로 상기 밸브의 개폐도를 고정하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The pressure ratio control device adjusts the pressure ratio of the mixed gas classified into the branch pipes to the target pressure ratio by the valve in a state where the additional gas is not supplied from the additional gas supply device to the branch pipes. The substrate processing apparatus characterized by fixing the opening and closing of the valve. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 압력비 제어 장치에 의해 상기 분기배관의 혼합 가스가 상기 목표 압력비로 조정된 후에, 상기 부가 가스 공급 장치로부터 상기 분기배관에 부가 가스를 공급하는 제어부를 또한 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a control unit for supplying additional gas from the additional gas supply device to the branch pipe after the mixed gas of the branch pipe is adjusted to the target pressure ratio by the pressure ratio control device. 제 6 항에 있어서,The method of claim 6, 상기 처리용기내에 배치되고, 상기 처리용기내의 처리공간에 가스를 토출시키기 위한 샤워헤드를 가지고,It is disposed in the processing vessel, and has a shower head for discharging gas into the processing space in the processing vessel, 상기 복수의 분기배관은 상기 샤워헤드에 접속된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And the plurality of branch pipes are connected to the shower head. 제 11 항에 있어서,The method of claim 11, 상기 복수의 분기배관은 2개이고,The plurality of branch pipes are two, 상기 2개의 분기배관은 상기 샤워헤드 내부에 동심원상으로 구획된 제 1 및 제 2 버퍼실에 각각 접속된 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치. And the two branch pipes are connected to first and second buffer chambers concentrically partitioned inside the shower head, respectively. 제 12 항에 있어서,The method of claim 12, 상기 제 1 버퍼실은 샤워헤드 중심부측에, 상기 제 2 버퍼실은 상기 샤워헤드 외주부측에 배치되고,The first buffer chamber is disposed at the showerhead center side, and the second buffer chamber is disposed at the showerhead outer circumferential side; 상기 부가가스 공급장치가 접속된 분기배관은 상기 제 2 버퍼실에 접속되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.The branch piping to which the additional gas supply device is connected is connected to the second buffer chamber. 복수의 가스공급원과, A plurality of gas supplies, 상기 복수의 가스 공급원으로부터 공급되는 복수의 가스를 혼합하는 혼합배관과,A mixing pipe for mixing a plurality of gases supplied from the plurality of gas sources, 상기 혼합배관에서 혼합된 혼합 가스를 분류하여 상기 처리용기의 복수개소에 공급하는 복수의 분기배관과, A plurality of branch pipes for dividing the mixed gas mixed in the mixed pipes and supplying them to a plurality of places of the processing container; 상기 복수의 분기배관 중에서 적어도 하나의 분기배관을 흐르는 혼합가스에 부가가스를 공급하는 부가 가스 공급 장치를 구비하고,An additional gas supply device for supplying additional gas to a mixed gas flowing through at least one branch pipe among the plurality of branch pipes; 가스 유량을 조정하기 위한 밸브와 압력계를 각 분기배관에 구비한 가스 공급 장치를 이용한 공급 가스 설정 방법에 있어서,In the supply gas setting method using a gas supply device provided with a valve and a pressure gauge in each branch pipe for adjusting the gas flow rate, 상기 부가 가스 공급 장치로부터 상기 분기배관에 부가 가스를 공급하지 않는 상태로, 상기 혼합배관으로부터 각 분기배관에 분류되는 혼합 가스의 압력비를 상기 밸브에 의해 목표 혼합비로 조정하고, 그 후 상기 분기배관의 상기 밸브의 개폐도를 고정하는 공정과, With the additional gas not supplied from the additional gas supply device to the branch pipe, the pressure ratio of the mixed gas classified from the mixed pipe to each branch pipe is adjusted to the target mixing ratio by the valve, and thereafter, the Fixing the opening and closing degree of the valve; 그 후, 상기 부가 가스 공급 장치로부터 상기 분기배관에 소정유량의 부가 가스를 공급하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 공급 가스 설정 방법.And supplying additional gas having a predetermined flow rate to the branch pipe from the additional gas supply device.
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