KR100727059B1 - Back light unit formed an optical layer laminated with oxide compound - Google Patents

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Abstract

A backlight unit is provided to improve the efficiency of light and the purity of color, by using optical resonance induced through an optical layer in which oxide layers are laminated. A plurality of LEDs(Light Emitting Diodes)(40) are distanced from each other on a PCB(Printed Circuit Board)(30). A total reflection layer(50) reflects a light emitted from each of the LEDs toward a space above the LEDs. An optical layer(60) is formed above the LED. The optical layer transmits a portion of the light and reflects another portion of the light toward a space below the PCB. The optical layer is formed of laminated oxide layers. The optical layer induces optical resonance of the light emitted from the LED.

Description

산화물이 적층된 광학층이 형성된 백 라이트 유닛{BACK LIGHT UNIT FORMED AN OPTICAL LAYER LAMINATED WITH OXIDE COMPOUND}BACK LIGHT UNIT FORMED AN OPTICAL LAYER LAMINATED WITH OXIDE COMPOUND}

도 1은 종래기술에 따른 LCD 모듈의 개념도,       1 is a conceptual diagram of an LCD module according to the prior art,

도 2는 일반적인 백 라이트 유닛의 형태를 도시한 사시도,       2 is a perspective view showing the shape of a general backlight unit;

도 3은 본 발명에 따른 백 라이트 유닛의 일부의 정면도,       3 is a front view of a part of the backlight unit according to the present invention;

도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 적층구조를 도시한 정면도,       4 is a front view showing an oxide stacked structure according to an embodiment of the present invention;

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 측 반사부가 형성된 백 라이트 유닛을 도시한 정면도,       5 is a front view illustrating a backlight unit having a side reflector according to an embodiment of the present invention;

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 측 반사부가 형성된 백 라이트 유닛을 도시한 정면도,       6 is a front view illustrating a backlight unit having a side reflector according to an exemplary embodiment of the present invention;

도 7은 본 발명의 일 실험예에 따른 산화물 적층구조를 도시한 정면도,       7 is a front view showing an oxide laminated structure according to an experimental example of the present invention,

도 8은 본 발명의 일 실험예에 따른 광 반사율에 대한 휘도를 나타낸 그래프이다.       8 is a graph showing luminance versus light reflectance according to an experimental example of the present invention.

<도면의 주요 부분에 관한 부호의 설명><Explanation of symbols on main parts of the drawings>

1: LCD 모듈 2: 액정표시패널1: LCD Module 2: Liquid Crystal Display Panel

4a, 4b: 편광판 6: 백 라이트 유닛4a, 4b: Polarizer 6: Back light unit

8a: 서포트 메인 8b: 탑 케이스8a: Support Main 8b: Top Case

12: 광원 14: 도광판12: light source 14: light guide plate

30: 인쇄회로기판 40: 발광 다이오드30: printed circuit board 40: light emitting diode

50: 전반사층 60: 광학층50: total reflection layer 60: optical layer

70: 측반사부 100: 백 라이트 유닛70: side reflector 100: back light unit

본 발명은 백 라이트 유닛에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 산화물이 적층된 광학층에 의한 광학적 공진을 이용하여 휘도를 증가시키기 위한 백 라이트 유닛에 관한 것이다.The present invention relates to a backlight unit, and more particularly, to a backlight unit for increasing luminance by using optical resonance by an optical layer in which oxides are stacked.

일반적으로 사용되는 디스플레이 장치들 중의 하나인 CRT(Cathode Ray Tube)는 텔레비젼이나 컴퓨터 모니터 등에 널리 사용되었으나, CRT 자체의 무게와 부피로 인하여 최근의 전자제품의 소형화 및 경량화 추세에 부응하지 못하게 되었다.CRT (Cathode Ray Tube), which is one of the commonly used display devices, is widely used in televisions and computer monitors, but the weight and volume of the CRT itself do not meet the recent trend of miniaturization and light weight of electronic products.

따라서, 기존 CRT 디스플레이를 대체하기 위하여 다양한 기술이 개발되어 있으며, 전계 광학적인 효과를 이용한 액정표시장치(LCD, Liquid Cristal Display), 가스 방전을 이용한 플라즈마 표시장치(PDP, Plasma Display Panel), 및 전계 발광 효과를 이용한 EL 표시소자(ELD, Electro Luminescence Display) 등이 그것이다. Accordingly, various technologies have been developed to replace existing CRT displays, and liquid crystal displays (LCDs) using field optical effects, plasma display panels (PDPs), and electric fields using gas discharges. An EL display device (ELD, Electro Luminescence Display) using the light emitting effect and the like.

그 중에서, LCD는 경량, 박형, 및 저소비 전력구동 등의 특징과 함께 액정 재료의 개량 및 미세화소 가공기술의 개발에 의하여 그 응용범위가 급속히 확대되고 있으며, 텔레비전, 데스크탑형 컴퓨터 모니터, 노트북용 모니터, 대형 평판 텔 레비전 등에 널리 사용되고 있다. Among them, LCDs are rapidly expanding their range of application due to improvements in liquid crystal materials and development of micropixel processing technology along with features such as light weight, thinness, and low power consumption. It is widely used in large flat-panel televisions.

그러나, 액정표시장치의 대부분은 외부에서 들어오는 광원의 양을 조절하여 화상을 표시하는 소광성 소자로서 별도의 백 라이트 유닛을 필요로 한다.However, most liquid crystal display devices require a separate backlight unit as a matting element for displaying an image by controlling an amount of a light source coming from the outside.

도 1에 도시된 바와 같이, 일반적인 LCD에 사용되는 LCD 모듈(1)은, 액정이 주입되는 액정표시패널(2)과, 액정표시패널(2)의 상하면에 빛을 편광시키기 위한 편광판(4a, 4b)과, 액정표시패널(2)에 일정한 빛을 공급하기 위한 백 라이트 유닛(6)과, LCD 모듈(1)의 외형을 유지하는 서포트 메인(8a)과 탑 케이스(8b)로 구성된다.As shown in FIG. 1, the LCD module 1 used in a general LCD includes a liquid crystal display panel 2 into which liquid crystal is injected, and a polarizing plate 4a for polarizing light on upper and lower surfaces of the liquid crystal display panel 2. 4b), a backlight unit 6 for supplying a constant light to the liquid crystal display panel 2, a support main 8a and a top case 8b for maintaining the external appearance of the LCD module 1. FIG.

CRT 나 PDP 와는 달리 LCD에 장착되는 액정표시패널(2)은 전원의 인가에 의해 액정의 배열만 변화시킬 뿐, 액정표시패널(2) 자체는 발광하지 않으므로, 정보 표시면에 균일하게 면조사 시키는 백 라이트 유닛(6)이 액정표시패널(2) 후방에 구비된다.Unlike the CRT or PDP, the liquid crystal display panel 2 mounted on the LCD only changes the arrangement of liquid crystals by applying power, and the liquid crystal display panel 2 itself does not emit light, thereby uniformly irradiating the information display surface. The backlight unit 6 is provided behind the liquid crystal display panel 2.

여기서, 백 라이트 유닛(6)은 광원의 위치에 따라 에지형과 직하형으로 구분된다. Here, the backlight unit 6 is divided into an edge type and a direct type according to the position of the light source.

에지형은 도 2(a)에 도시된 바와 같이, 빛을 면조사 시키기 위한 도광판(14)의 가장자리에 광원(12)이 구비되며, 직하형은 도 2(b)에 도시된 바와 같이 점광원(16a)을 인쇄회로기판(30)에 실장한 형태, 또는 도 2(c)에 도시된 바와 같이 선광원(16b)을 인쇄회로기판(30)에 실장한 형태가 있으며, 이로 인하여 광원이 면 전체에 분포되어 구비된다.As shown in Figure 2 (a), the light source 12 is provided at the edge of the light guide plate 14 for irradiating light, the direct type is a point light source as shown in Figure 2 (b) 16a is mounted on the printed circuit board 30, or the line light source 16b is mounted on the printed circuit board 30 as shown in FIG. 2 (c). It is distributed throughout.

여기서, 광원으로는 EL(Electro Luminescence), CCFL(Cold Cathode Fluorescent Lamp, 냉음극형광램프), 또는 HCFL(Hot Cathode Fluorescent Lamp, 열음극형광램프) 등이 사용되나, 최근에는 색재현 면적이 넓고 친환경적인 발광 다이오드(LED, Light Emitting Device)가 널리 사용된다.Here, EL (Electro Luminescence), CCFL (Cold Cathode Fluorescent Lamp), or HCFL (Hot Cathode Fluorescent Lamp), etc. are used as light sources. Light emitting diodes (LEDs) are widely used.

백 라이트 유닛에서 발광 다이오드를 광원으로 사용하는 방법으로는, 첫째, 청색 발광 다이오드와 YAG(Yttrium Aluminum Garnet, 야그) 형광체를 이용하는 방법과, 둘째, 자외선을 발광하는 발광 다이오드에 적색, 녹색, 및 청색의 형광체를 사용하는 방법과, 셋째, 적색 발광 다이오드, 녹색 발광 다이오드, 및 청색 발광 다이오드를 이용하여 각 발광 다이오드에서 방출되는 빛을 혼합하는 방법이 연구되고 있다.As a method of using a light emitting diode as a light source in a backlight unit, first, a method using a blue light emitting diode and a YAG (Yttrium Aluminum Garnet (YAG) phosphor), and second, a red, green, and blue light emitting diode emitting UV light. Third, a method of using phosphors and a method of mixing light emitted from each light emitting diode using a red light emitting diode, a green light emitting diode, and a blue light emitting diode have been studied.

여기서, 청색 발광 다이오드와 YAG 형광체를 사용하는 방법은 적색 표현 능력이 떨어지고 발광효율이 낮으며, 자외선을 발광하는 발광 다이오드에 적색, 녹색, 및 청색의 형광체를 사용하는 방법은 형광체의 개발이 어렵고 열적 특성이 좋지 않다.Here, the method of using a blue light emitting diode and a YAG phosphor has a poor red expression ability and a low luminous efficiency, and the method of using red, green, and blue phosphors in a light emitting diode emitting ultraviolet light is difficult to develop a phosphor and is thermal. The property is not good.

또한, 적색 발광 다이오드, 녹색 발광 다이오드, 및 청색 발광 다이오드를 이용하는 방법은 각 발광 다이오드에서 방출되는 적색광, 녹색광, 및 청색광의 강도가 높으므로 색 재현 범위를 넓게 설계할 수 있으나, 백색 면광원을 구성하는 발광 다이오드의 조합을 달성하여야 하는 문제점이 있다.In addition, the method using the red light emitting diode, the green light emitting diode, and the blue light emitting diode has a high intensity of the red light, the green light, and the blue light emitted from each light emitting diode, so that a wide color reproduction range can be designed, but the white surface light source is constituted. There is a problem that a combination of light emitting diodes must be achieved.

또한, 최근의 디스플레이 장치의 대형화 및 고화질 경향에 따라, 백 라이트의 높은 광속 출력 요구에 부응하기 위하여, 각 발광 다이오드에서 방출되는 빛을 집속하기 위한 렌즈, 칩, 및 발광 다이오드를 제조하기 위한 물질이 개발되고 있 다.In addition, in order to meet the demand for high luminous flux output of backlights, materials for manufacturing lenses, chips, and light emitting diodes for concentrating light emitted from each light emitting diode are required in order to meet the demand for high luminous flux output of a backlight. It is being developed.

그 중 발광 다이오드는 전기 에너지를 빛 에너지로 변환시키는 고체 소자의 일종으로, 일반적으로 도핑층과 활성층을 포함하며, 2개의 상반된 도핑층 양단에 바이어스가 인가되면, 정공과 전자가 활성층으로 주입된 후 재결합되어 빛이 발생된다.The light emitting diode is a type of solid state device that converts electrical energy into light energy. The light emitting diode generally includes a doping layer and an active layer. When a bias is applied across two opposing doping layers, holes and electrons are injected into the active layer. Recombination produces light.

활성 영역에서 발생된 빛은 모든 방향으로 방출되어 모든 노출된 표면을 통해 반도체 칩 밖으로 탈출한다.Light generated in the active region is emitted in all directions and escapes out of the semiconductor chip through all exposed surfaces.

발광 다이오드가 포함된 백 라이트 유닛은 발광 다이오드에서 탈출하는 빛을 희망하는 빛의 출력 방향으로 지향시킨다.The backlight unit including the light emitting diode directs the light escaping from the light emitting diode in the direction of output of the desired light.

하지만, 현재까지 개발된 발광 다이오드는 전류 확산층에 투과 정도에 의한 광손실과, 빛이 방출되는 계면에서의 전반사에 의한 광손실로 인하여, 충분한 발광 효율을 얻을 수 없었다However, the light emitting diodes developed to date have not been able to obtain sufficient luminous efficiency due to the light loss due to the degree of transmission in the current diffusion layer and the light loss due to total reflection at the interface where light is emitted.

따라서, 높은 광속 출력이 요구되는 백 라이트에 발광 다이오드가 사용되기 위해서는, 발광 다이오드에 높은 전류를 인가하거나, 발광 다이오드의 개수를 늘이는 방법이 사용된다.Therefore, in order to use a light emitting diode in a backlight requiring high luminous flux output, a method of applying a high current to the light emitting diode or increasing the number of light emitting diodes is used.

그러나, 발광 다이오드에 높은 전류를 인가하는 경우에는 발광 다이오드에서 많은 열이 발생하여 발광 효율을 떨어져 발광 다이오드가 실장되는 인쇄회로기판에 별도의 방열설계를 하여야 하는 문제점이 있으며, 발광 다이오드의 개수를 늘이는 경우에는 백 라이트 유닛의 설계가 어려워지고 백 라이트 유닛의 생산단가가 높아지는 문제점이 있다.However, when a high current is applied to the light emitting diode, a large amount of heat is generated in the light emitting diode, so that the light emitting efficiency is reduced, so that a separate heat dissipation design is required on the printed circuit board on which the light emitting diode is mounted. In this case, there is a problem in that the design of the backlight unit becomes difficult and the production cost of the backlight unit increases.

별도로 발광 다이오드의 발광 효율을 높이기 위하여 질화물 반도체 계열이나 InGaAIP를 이용한 발광 다이오드가 개발되었지만, CCFL에 비하여 광속이 낮아 백 라이트 유닛에 사용하기에는 어려운 문제점이 있다.In addition, although a light emitting diode using a nitride semiconductor series or InGaAIP has been developed to increase the light emitting efficiency of the light emitting diode, there is a problem that it is difficult to use the backlight unit because the luminous flux is lower than that of the CCFL.

본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위하여 창안된 것으로, 산화물을 적층한 광학층을 통한 광학적 공진을 이용하여 백 라이트의 광효율 및 색순도를 향상시키기 위한 산화물이 적층된 광학층이 형성된 백 라이트 유닛을 제공하는데 그 목적이 있다.The present invention has been made to solve the above problems, and provides a backlight unit in which an oxide layered optical layer is formed to improve light efficiency and color purity of the backlight by using optical resonance through an oxide layered optical layer. Its purpose is to.

상기한 목적을 달성하기 위한 본 발명의 백 라이트 유닛은 인쇄회로기판과, 인쇄회로기판에 서로 이격되어 나열된 복수개의 발광 다이오드와, 인쇄회로기판의 하측에 형성되어 조사되는 빛을 인쇄회로기판의 상측 방향으로 반사시키는 전반사층과, 인쇄회로기판의 상측에 형성되어 조사되는 빛의 일부를 투과시키고, 조사되는 빛의 일부를 상기 인쇄회로기판의 하측 방향으로 반사시키는 광학층을 포함하여, 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 광학적 공진을 유도한다.The backlight unit of the present invention for achieving the above object is a printed circuit board, a plurality of light emitting diodes arranged spaced apart from each other on the printed circuit board, the light formed on the lower side of the printed circuit board and irradiated with the upper side of the printed circuit board A total reflection layer reflecting in a direction and an optical layer formed on an upper side of the printed circuit board to transmit a portion of the irradiated light and reflecting a portion of the irradiated light in a downward direction of the printed circuit board. Induces optical resonance of emitted light.

이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세히 설명하기로 한다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 3은 본 발명에 따른 백 라이트 유닛의 일부의 정면도이고, 도 4는 본 발명의 일 실시예에 따른 산화물 적층구조를 도시한 정면도이고, 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 측 반사부가 형성된 백 라이트 유닛을 도시한 정면도이고, 도 6 은 본 발명의 일 실시예에 따른 측 반사부가 형성된 백 라이트 유닛을 도시한 정면도이다.3 is a front view of a part of a backlight unit according to the present invention, FIG. 4 is a front view showing an oxide stacked structure according to an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a side reflector according to an embodiment of the present invention. FIG. 6 is a front view illustrating a formed backlight unit, and FIG. 6 is a front view illustrating a backlight unit having a side reflector according to an exemplary embodiment.

도 3에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 백 라이트 유닛(100)은 인쇄회로기판(30)과, 인쇄회로기판(30)에 서로 이격되어 나열된 복수개의 발광 다이오드(40)와, 발광 다이오드(40)에서 조사되는 빛을 발광 다이오드(40)의 상측 방향으로 반사시키는 전반사층(50)과, 발광 다이오드(40)의 상측에 형성되어 조사되는 빛의 일부를 투과시키고, 조사되는 빛의 일부를 인쇄회로기판(30)의 하측 방향으로 반사시키는 광학층(60)을 포함한다.As shown in FIG. 3, the backlight unit 100 according to the present invention includes a printed circuit board 30, a plurality of light emitting diodes 40 arranged on the printed circuit board 30, and spaced apart from each other, and a light emitting diode ( The total reflection layer 50 reflects the light irradiated from the upper side of the light emitting diode 40 to the upper side of the light emitting diode 40 and a portion of the irradiated light formed on the upper side of the light emitting diode 40 to transmit the light. It includes an optical layer 60 for reflecting in the downward direction of the printed circuit board 30.

패턴이 형성된 인쇄회로기판(30)은 발광 다이오드(40)를 지지함과 동시에 발광 다이오드(40)에서 발생되는 열을 방출시킨다.The printed circuit board 30 having the pattern supports the light emitting diode 40 and simultaneously emits heat generated from the light emitting diode 40.

인쇄회로기판(30)에는 이격된 복수개의 발광 다이오드(40)가 실장되며, 발광 다이오드(40)의 발광부(41) 하측에는 전반사층(50)이 형성된다.A plurality of spaced apart light emitting diodes 40 is mounted on the printed circuit board 30, and a total reflection layer 50 is formed under the light emitting portion 41 of the light emitting diode 40.

전반사층(50)은 발광 다이오드(40)가 실장된 인쇄회로기판(30)의 상측에 접합될 수도 있으며, 이러한 전반사층(50)은 알루미늄 플레이트에 반사율이 높은 반사재 필름이 접합되어 형성되고, 반사재 필름은 반사율이 적어도 80% 이상이 되는 높은 반사율을 갖고, 흡수율 및 투과율이 낮은 것을 사용하는 것이 바람직하다.The total reflection layer 50 may be bonded to the upper side of the printed circuit board 30 on which the light emitting diode 40 is mounted. The total reflection layer 50 is formed by bonding a reflector film having a high reflectance to an aluminum plate, and reflecting material. The film has a high reflectance such that the reflectance is at least 80% or more, and it is preferable to use one having a low water absorption and a low transmittance.

발광 다이오드(40) 및 전반사층(50)의 상측에는 소정 광학적 거리(d) 이격되어 조사되는 빛의 일부를 투과시킴과 동시에 빛의 일부를 반사시키는 광학층(60)이 형성되되, 전반사층(50)과 광학층(60)이 이격되는 거리(d)는 광학층(60)을 통과한 빛들이 보강간섭을 이룰 수 있도록 다음과 같은 수식에 의하여 결정된다.On the upper side of the light emitting diode 40 and the total reflection layer 50 is formed an optical layer 60 that transmits a portion of the light irradiated at a predetermined optical distance d and reflects a portion of the light. The distance d between the 50 and the optical layer 60 is determined by the following equation so that light passing through the optical layer 60 can achieve constructive interference.

Figure 112006005349270-pat00001
Figure 112006005349270-pat00001

여기서, n은 전반사층(50) 또는 광학층(60)의 굴절율, t는 전반사층(50) 또는 광학층(60)의 기하학적 두께, λ는 발광 다이오드(40)에서 방출되는 빛의 피크 파장, m은 0 이상의 정수이다.Where n is the refractive index of the total reflection layer 50 or the optical layer 60, t is the geometric thickness of the total reflection layer 50 or the optical layer 60, λ is the peak wavelength of the light emitted from the light emitting diode 40, m is an integer of 0 or more.

발광 다이오드(40)에서 방출되는 빛이 적색광, 녹색광, 또는 청색광인 경우에, 적색광, 녹색광, 또는 청색광이 보강간섭을 이루기 위해서는 각 색광의 피크 파장의 반파장의 정수배가 전반사층(50) 및 광학층(60) 각각의 굴절율과 기하학적 두께의 곱의 합과 같을 때, 광학층(60)을 통과한 빛들이 보강간섭을 이루어 광학적 공진을 일으킬 수 있게 된다. In the case where the light emitted from the light emitting diode 40 is red light, green light, or blue light, an integral multiple of the half wavelength of the peak wavelength of each color light is a total reflection layer 50 and an optical layer in order for the red light, green light, or blue light to construct constructive interference. When the sum of the products of the refractive indices and the geometric thicknesses is equal to 60, the light passing through the optical layer 60 is subjected to constructive interference, thereby causing optical resonance.

따라서, 백 라이트 유닛(200)에서 방출되는 빛의 휘도가 증가되고, 또한 발광 스펙트럼 상에서 컬러별 스펙트럼 히스토그램의 반치폭이 감소되어 색순도가 향상된다.Accordingly, the luminance of light emitted from the backlight unit 200 is increased, and the half width of the spectral histogram for each color on the emission spectrum is reduced, thereby improving color purity.

여기서, 전반사층(50) 또는 광학층(60)의 두께를 조절하여 발광 스펙트럼 상에서 원하는 스펙트럼 피크를 얻을 수 있음은 물론이다.Here, of course, the desired spectral peak can be obtained on the emission spectrum by adjusting the thickness of the total reflection layer 50 or the optical layer 60.

전반사층(50)과 광학층(60)의 광학적 거리(d)를 조절하여 발생하는 공진 효과에 따른 최대 투과량(Tmax)는 다음과 같은 수식에 의하여 확인된다.The maximum transmission amount Tmax according to the resonance effect generated by adjusting the optical distance d between the total reflection layer 50 and the optical layer 60 is confirmed by the following equation.

Figure 112006005349270-pat00002
Figure 112006005349270-pat00002

Figure 112006005349270-pat00003
Figure 112006005349270-pat00003

여기서, T1과 R1은 광학층(60)의 투과율과 반사율, T2 와 R2는 전반사층(50) 의 투과율과 반사율, k는 소멸계수, t는 기하학적 두께, θ는 광학층(60)과 전반사층(50)의 사이의 내부에서 외부로 진행하는 빛의 각도, λ는 발광 다이오드(40)에서 방출되는 빛의 파장이다.Here, T 1 and R 1 are the transmittance and reflectance of the optical layer 60, T 2 and R 2 are the transmittance and reflectance of the total reflection layer 50, k is the extinction coefficient, t is the geometric thickness, θ is the optical layer (60) ) And the angle of light propagating from the inside to the outside between the total reflection layer 50 and λ are wavelengths of light emitted from the light emitting diode 40.

따라서, 최대 투과량이 계산되면, 그에 해당하는 반사율을 얻을 수 있는 광학층을 설계할 수 있게 된다.Therefore, when the maximum transmittance is calculated, it is possible to design an optical layer capable of obtaining a corresponding reflectance.

인쇄회로기판(30)에 실장된 하나의 발광 다이오드(40)에서 방출된 빛은 광학층(60)에서 일부는 광학층(60)을 투과하여 광학층(60)의 외측으로 방출되고, 나머지는 광학층(60)에서 반사되어 다시 전반사층(50)으로 진행하며, 이때, 전반사층(50)으로 진행된 빛은 전반사층(50)에서 반사되어 다시 광학층(60)으로 진행하게 된다.Light emitted from one light emitting diode 40 mounted on the printed circuit board 30 is partially transmitted through the optical layer 60 in the optical layer 60 to be emitted to the outside of the optical layer 60, and the rest is Reflected by the optical layer 60 and proceeds back to the total reflection layer 50, at this time, the light that is advanced to the total reflection layer 50 is reflected by the total reflection layer 50 to proceed to the optical layer 60 again.

이러한 투과 및 반사가 반복되고, 광학층(60)을 투과하여 광학층(60)의 외측으로 방출된 빛이 보강간섭을 일으키게 됨으로써, 발광 다이오드(40)에서 방출된 빛은 증폭되어 광학층(60)의 외측으로 조광되게 된다.Such transmission and reflection are repeated, and the light emitted from the light emitting diode 40 is amplified by the light emitted through the optical layer 60 and emitted to the outside of the optical layer 60, thereby amplifying the optical layer 60. ) Is dimmed to the outside.

더욱이, 빛의 이동경로가 길어지게 됨으로써, 적색 발광 다이오드, 녹색 발광 다이오드, 및 청색 발광 다이오드를 사용하고, 각 발광 다이오드에서 방출되는 빛을 혼합하여 백색광을 조사하는 경우에, 광 혼합이 보다 효율적으로 이루어지게 된다.In addition, the light path becomes longer, so that the light mixing is more efficient in the case of irradiating white light by using a red light emitting diode, a green light emitting diode, and a blue light emitting diode and mixing the light emitted from each light emitting diode. Will be done.

따라서, 전반사층(50)은 전반사층(50)으로 진행된 빛의 반사율이 높을수록, 투과율과 흡수율이 낮을수록 좋다.Therefore, the higher the reflectance of the light propagated to the total reflection layer 50, the lower the transmittance and the absorbance of the total reflection layer 50.

이때, 광학층(60)은 투과 및 반사를 모두 수행할 수 있도록 산화물을 적층하 여 형성된다.In this case, the optical layer 60 is formed by stacking oxides to perform both transmission and reflection.

광학층(60)에는 금속층이 형성될 수도 있으나, 층 구조가 단순화 되는 것 외에는 금속층의 두께가 수십 nm에 불과하여 금속 결정층을 형성하는 것이 용이하지 않고, 정상적인 결정 성장이 이루어지지 않을 경우에는 광 흡수율이 커지게 되고, 적층으로 인하여 각 층 상호 간의 확산으로 인하여 광 흡수율이 커지게 되는 단점이 있을 수 있고, 이로써 광흡수가 많아지면 광공진이 유도되더라도 광흡수에 의한 빛의 손실이 발생하므로 광공진의 효과를 충분히 얻을 수 없으므로, 산화물을 적층하여 형성하는 것이 바람직하다.Although the metal layer may be formed in the optical layer 60, except that the structure of the layer is simplified, the thickness of the metal layer is only several tens of nm, so that it is not easy to form the metal crystal layer, and in the case where normal crystal growth is not achieved, Absorption rate is increased, there is a disadvantage that the light absorption rate is increased due to the diffusion between each layer due to the stacking, this is because the increase in light absorption, even if the light resonance induced light loss occurs due to light absorption Since the effects of resonance cannot be sufficiently obtained, it is preferable to form oxides by laminating them.

산화물을 적층하는 경우, 도 4(a)에 도시된 바와 같이, 광 굴절율 2.3 이상의 고굴절율의 산화물과 광 굴절율 2.3 미만의 저굴절율의 산화물 또는 중굴절율의 산화물을 적층하거나, 도 4(b)에 도시된 바와 같이, 고굴절율의 산화물, 광굴절율 1.5 이상 2.3 미만의 중굴절율의 산화물, 및 저굴절율의 산화물을 적층하는 것이 가능하며, 산화물의 적층 두께가 두꺼워지고 적층하는 층의 수가 많아질수록 흡수율이 감소되어, 백 라이트의 휘도를 향상시키는데 유리하다.In the case of stacking oxides, as shown in FIG. 4 (a), a high refractive index oxide of 2.3 or more and a low refractive index oxide or a medium refractive index oxide of less than 2.3 are stacked, or in FIG. 4 (b). As shown, it is possible to laminate oxides of high refractive index, oxides of medium refractive index of 1.5 to less than 2.3, and oxides of low refractive index, and the thickness of the oxide becomes thicker and the absorption rate increases as the number of layers to be laminated increases. This is reduced, which is advantageous for improving the brightness of the backlight.

굴절율의 차이가 있는 층을 적층하게 되면, 각 층간의 굴절율 차이로 인하여 반사특성이 형성되며, 적층되는 층의 수가 많아질수록 광 흡수율은 최소화되고 반사특성은 향상된다.When the layers having different refractive indices are stacked, reflective characteristics are formed due to the difference in refractive indices between the layers. As the number of stacked layers increases, the light absorption is minimized and the reflective characteristics are improved.

여기서, 저굴절율 산화물로는 SiO2가 주로 사용되고, 중굴절율 산화물로는 Nb2O5가 주로 사용되며, 고굴절율 산화물로는 TiO2, Ta2O3,또는 Y2O3가 사용되는 것이 일반적이나, 이는 굴절율을 고려하여 다른 산화물이 사용될 수 있음은 물론이다.Here, SiO 2 is mainly used as the low refractive index oxide, Nb 2 O 5 is mainly used as the medium refractive index oxide, and TiO 2 , Ta 2 O 3 , or Y 2 O 3 is generally used as the high refractive index oxide. However, of course, other oxides may be used in consideration of the refractive index.

또한, 도 5에 도시된 바와 같이, 발광 다이오드(40)로부터 방출되는 빛이 전반사층(50)과 광학층(60) 사이의 측면으로 유출되는 것을 막기 위하여, 전반사층(50) 및 광학층(60)과 연결되고, 백 라이트 유닛(100)의 측면에 포함되는 측반사부(70)를 더 포함할 수 있다.In addition, as shown in FIG. 5, in order to prevent light emitted from the light emitting diode 40 from leaking out to the side surface between the total reflection layer 50 and the optical layer 60, the total reflection layer 50 and the optical layer ( 60 may further include a side reflection part 70 included in a side surface of the backlight unit 100.

측반사부(70)는 전반사층(50)과 마찬가지로 반사율이 높을수록, 투과율 및 흡수율이 낮을수록 바람직하며, 발광 다이오드(40)에서 방출되어 측반사부(70)으로 조사되는 빛을 다시 백 라이트 유닛(100)의 내측으로 반사시켜 광학층(60)을 통과하여 방출되는 빛의 량을 증가시킨다.Like the total reflection layer 50, the side reflector 70 preferably has a higher reflectance, a lower transmittance and an absorptance, and back light emitted from the light emitting diode 40 and irradiated to the side reflector 70. Reflecting the inside of the unit 100 increases the amount of light emitted through the optical layer 60.

여기서, 도 6에 도시된 바와 같이, 측반사부(70)은 전반사층(50)에서 광학층(60) 방향으로 볼 때, 백 라이트 유닛(200)의 외측으로 향하도록 형성되는 것이 바람직하다.Here, as shown in FIG. 6, the side reflection part 70 is preferably formed to face the outside of the backlight unit 200 when viewed in the direction of the optical layer 60 from the total reflection layer 50.

빛의 방출은 광학층(60)을 통과하여 이루어지므로, 측반사부(70)로 조사되는 빛은 광학층(60)의 방향으로 반사되는 것이 바람직하기 때문이다.Since light is emitted through the optical layer 60, the light irradiated to the side reflection part 70 is preferably reflected in the direction of the optical layer 60.

측반사부(70)는 도 6(a)에 도시된 바와 같이, 평판 또는 필름 형상으로 될 수 있으나, 도 6(b)에 도시된 바와 같이 활꼴 모양으로 형성되어도 됨은 물론이다.As shown in FIG. 6 (a), the side reflection part 70 may be in the shape of a flat plate or a film, but may be formed in a bow shape as shown in FIG. 6 (b).

본 발명에 따른 백 라이트 유닛(100)의 광학층(60)의 형성을 위한 구체적인 실험예를 설명하면 다음과 같다. Referring to the specific experimental example for the formation of the optical layer 60 of the backlight unit 100 according to the present invention.

도 7은 본 발명의 일 실험예에 따른 산화물 적층구조를 도시한 정면도이고, 도 8은 본 발명의 일 실험예에 따른 광 반사율에 대한 휘도를 나타낸 그래프이다. 7 is a front view illustrating an oxide stacked structure according to an experimental example of the present invention, and FIG. 8 is a graph showing luminance versus light reflectance according to an experimental example of the present invention.

1W 급의 출력을 갖는 발광 다이오드를 사용하되, 적색 발광 다이오드의 경우 중심 파장이 627 nm, 녹색 발광 다이오드의 경우 중심파장이 530 nm, 청색 발광 다이오드의 경우 455 nm를 갖고, 구동 전류 조건이나 열특성에 따른 중심 파장의 변화는 5% 이내인 발광 다이오드를 사용하며, 구동 전류는 200 mA로 한다.A light emitting diode with a 1W output power is used, with a red light emitting diode having a center wavelength of 627 nm, a green light emitting diode with a center wavelength of 530 nm, and a blue light emitting diode with a wavelength of 455 nm. According to the change in the center wavelength using a light emitting diode within 5%, the drive current is 200 mA.

발광 다이오드를 인쇄회로기판에 실장하고, 실장된 발광 다이오드는 5~6 cm의 등간격을 유지하도록 하며, 적색 발광 다이오드, 녹색 발광 다이오드, 및 청색 발광 다이오드를 각각 1개씩 사용하여 1개의 발광 다이오드 세트를 사용한다.The light emitting diode is mounted on a printed circuit board, and the mounted light emitting diode maintains an equal interval of 5 to 6 cm, and one light emitting diode set is used by using one red light emitting diode, one green light emitting diode, and one blue light emitting diode. Use

물론, 발광 다이오드의 조합은 다양한 변형이 가능하며, 발광 다이오드의 개수에 따라 발광 다이오드들 간의 거리는 탄력적으로 변경될 수 있으며, 적색 발광 다이오드 2개, 녹색 발광 다이오드 2개, 및 청색 발광 다이오드 1개를 사용하거나, 적색 발광 다이오드 1개, 녹색 발광 다이오드 2개, 및 청색 발광 다이오드 1개를 사용하여도 무방하다.Of course, the combination of the light emitting diodes can be modified in various ways, and the distance between the light emitting diodes can be changed elastically according to the number of light emitting diodes, and two red light emitting diodes, two green light emitting diodes, and one blue light emitting diode are used. One red light emitting diode, two green light emitting diodes, and one blue light emitting diode may be used.

도 7에 도시된 바와 같이, Essential Macleod 프로그램을 이용한 시뮬레이션을 이용하여, 광학층(60)의 광 투과율이 각각 40%, 50%, 60%, 70%, 및 80%가 되도록 하며 산화물 적층구조의 계면특성 및 코팅조건에 맞추어 산화물 적층 조건을 도출하여 제작된 광학층(60)이 포함된 필름을 5가지 형태로 제작하였다.As shown in FIG. 7, using the simulation using the Essential Macleod program, the optical transmittance of the optical layer 60 is 40%, 50%, 60%, 70%, and 80%, respectively, The film including the optical layer 60 manufactured by deriving oxide lamination conditions according to the interfacial properties and coating conditions was manufactured in five forms.

도 7(a)는 광학층(60)의 광 투과율이 40%인 산화물 적층구조이고, 도 7(b)는 광 투과율이 50%인 산화물 적층구조이고, 도 7(c)는 광 투과율이 60%인 산화물 적층구조이고, 도 7(d)는 광 투과율이 70%인 산화물 적층구조이고, 도 7(e)는 광 투과율이 80%인 산화물 적층구조이다FIG. 7 (a) shows an oxide laminated structure with a light transmittance of 40% of the optical layer 60, FIG. 7 (b) shows an oxide laminated structure with a light transmittance of 50%, and FIG. 7 (c) shows a light transmittance of 60%. 7 (d) is an oxide laminated structure having a light transmittance of 70%, and FIG. 7 (e) is an oxide laminated structure having a light transmittance of 80%.

광 반사율이 높게 되기 위해서는 산화물의 적층구조에 있어서, 층의 개수가 많아야 하므로, 광 투과율이 40%인 경우에는 산화물 층을 10회 적층하고, 광 투과율이 50%, 60%, 및 70%인 경우에는 산화물 층을 8회 적층하였으며, 광 투과율이 80%인 경우에는 산화물 층을 6회 적층하였다.In order to increase the light reflectance, the number of layers must be large in the oxide laminated structure. Therefore, when the light transmittance is 40%, the oxide layers are laminated 10 times, and the light transmittance is 50%, 60%, and 70%. The oxide layer was laminated eight times, and when the light transmittance was 80%, the oxide layer was laminated six times.

5가지 형태의 필름을 각각 백 라이트 유닛에 포함시켜 조립하여 그 특성을 측정하고, 광공진의 효과를 측정하기 위하여 광학층 및 반사판이 없는 구조에서 측정하여, 각각의 경우에 있어서 특성의 차이를 분석하였다. Each of the five types of film is included in the backlight unit and assembled to measure its properties. In order to measure the effects of light resonance, the film is measured in a structure without an optical layer and a reflecting plate to analyze the difference in properties in each case. It was.

산화물 중에서 저굴절율 산화물은 SiO2를 사용하였고, 고굴절율 산화물은 TiO2를 사용하였다.Among the oxides, SiO 2 was used as the low refractive index oxide and TiO 2 was used as the high refractive index oxide.

도 8은 산화물이 적층된 광학층이 형성되어 광공진이 유도되는 백 라이트 유닛과 일반적인 백 라이트 유닛에 있어서 발광 정도를 측정한 결과를 도시한 그래프이다.FIG. 8 is a graph showing the results of measuring the degree of light emission in a backlight unit in which an optical layer in which oxides are stacked and inducing light resonance and a general backlight unit.

여기서, "bare"는 광공진이 없는 일반적인 백 라이트 유닛에 있어서, 발광 다이오드가 실장된 백 라이트 유닛의 상태를 나타낸다.Here, "bare" indicates a state of a backlight unit in which a light emitting diode is mounted in a general backlight unit without light resonance.

도 8에 도시된 바와 같이, 광 투과율 80%이 되도록 산화물이 적층된 광학층이 형성된 백 라이트 유닛의 경우에는 일반적인 백 라이트 유닛보다 약 14%의 휘도 향상이 이루어지고, 광 투과율이 40%, 50%, 60%, 및 70%이 되도록 산화물이 적층된 광학층이 형성된 백 라이트 유닛의 경우에도 일반적인 백 라이트 유닛보다 전반적으로 휘도의 향상효과를 가져옴을 알 수 있다.As shown in FIG. 8, in the case of a backlight unit having an optical layer in which oxides are laminated to have a light transmittance of 80%, luminance improvement of about 14% is achieved compared to a general backlight unit, and light transmittance is 40% or 50%. It can be seen that even in the case of a backlight unit having an optical layer in which oxides are laminated to be%, 60%, and 70%, the luminance is improved as compared with a general backlight unit.

상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였으나, 당해 기술분야에서의 통상의 지식을 가진 자라면 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해하여야 할 것이다.Although described above with reference to preferred embodiments of the present invention, those skilled in the art will be modified and changed within the scope without departing from the spirit of the invention described in the claims below It should be understood that it can be done.

본 발명에 따른 산화물이 적층된 광학층이 형성된 백 라이트 유닛은 산화물이 적층된 광학층에 의한 광학적 공진을 유도하여 휘도를 증가시키고, 광 혼합이 보다 효율적으로 이루어지도록 하는 백 라이트 유닛을 제공한다.The backlight unit having the oxide layered optical layer according to the present invention provides a backlight unit that induces optical resonance by the oxide layered optical layer to increase brightness and make light mixing more efficient.

이로써, 높은 휘도의 백색광을 필요로 하는 백 라이트 유닛에서 소비되는 전력을 감소시키는 효과가 있으며, 백 라이트 유닛의 수명도 증대되게 되고, 산화물이 적층된 광학층에 의한 광학적 공진이 유도되므로 발광 스펙트럼 상에서 컬러별 스펙트럼 히스토그램의 반치폭이 감소되어 색순도가 향상되고, 광학층 및 전반사 층의 두께 조절을 통해 원하는 스펙트럼 피크를 실현할 수 있다.As a result, the power consumption of the backlight unit requiring white light having high luminance is reduced, and the life of the backlight unit is also increased, and optical resonance is induced by the optical layer on which oxides are stacked, thereby resulting in the emission spectrum. The half width of the spectral histogram for each color is reduced to improve color purity, and the desired spectral peak can be realized by adjusting the thickness of the optical layer and the total reflection layer.

Claims (5)

인쇄회로기판과,Printed circuit boards, 상기 인쇄회로기판에 서로 이격되어 나열된 복수개의 발광 다이오드와,A plurality of light emitting diodes spaced apart from each other on the printed circuit board; 상기 발광 다이오드에서 조사되는 빛을 상기 발광 다이오드의 상측 방향으로 반사시키는 전반사층과,A total reflection layer reflecting light emitted from the light emitting diode in an upward direction of the light emitting diode; 상기 발광 다이오드의 상측에 형성되어 조사되는 빛의 일부를 투과시키고, 상기 조사되는 빛의 일부를 상기 인쇄회로기판의 하측 방향으로 반사시키도록 산화물 층이 적층된 광학층을 포함하여,Including an optical layer formed on the upper side of the light emitting diode to transmit a portion of the irradiated light, the oxide layer is laminated to reflect a portion of the irradiated light in the downward direction of the printed circuit board, 상기 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 광학적 공진을 유도하는Inducing optical resonance of light emitted from the light emitting diode 산화물이 적층된 광학층이 형성된 백 라이트 유닛.A backlight unit having an optical layer in which oxides are laminated. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 광학층은 굴절율이 서로 다른 산화물 층들이 적어도 1회 이상 반복하여 적층된The optical layer is formed by repeatedly stacking oxide layers having different refractive indices at least one or more times. 산화물이 적층된 광학층이 형성된 백 라이트 유닛.A backlight unit having an optical layer in which oxides are laminated. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 광학층은 굴절율(n) 2.3 이하의 저굴절율 산화물 또는 중굴절율 산화물 층과 굴절율 2.3 초과의 고굴절율 산화물 층이 적어도 1회 이상 반복하여 적층된The optical layer is formed by repeatedly stacking a low refractive index oxide or a medium refractive index oxide having a refractive index (n) of 2.3 or less and a high refractive index oxide layer having a refractive index of greater than 2.3 at least one or more times. 산화물이 적층된 광학층이 형성된 백 라이트 유닛.A backlight unit having an optical layer in which oxides are laminated. 제 2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 광학층은 굴절율 1.5 이하의 저굴절율 산화물 층과, 굴절율 1.5 초과 2.3 이하의 중굴절율 산화물 층과, 굴절율 2.3 초과의 고굴절율 산화물 층이 적어도 1회 이상 반복하여 적층된The optical layer comprises a low refractive index oxide layer having a refractive index of 1.5 or less, a medium refractive index oxide layer having a refractive index of 1.5 or more and 2.3 or less, and a high refractive index oxide layer having a refractive index of 2.3 or more, repeatedly stacked at least one or more times. 산화물이 적층된 광학층이 형성된 백 라이트 유닛.A backlight unit having an optical layer in which oxides are laminated. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,The method according to any one of claims 1 to 4, 상기 전반사층과 상기 광학층 각각의 굴절률과 두께의 곱의 합이 상기 발광 다이오드에서 방출되는 빛의 파장의 반의 정수배로 되어The sum of the products of the refractive index and the thickness of each of the total reflection layer and the optical layer is an integer multiple of half the wavelength of the light emitted from the light emitting diode. 상기 광학층을 투과하여 방출되는 빛이 보강간섭을 일으키는The light emitted through the optical layer causes constructive interference 백 라이트 유닛.Back light unit.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20050046756A (en) * 2002-09-11 2005-05-18 쌩-고벵 글래스 프랑스 Diffusing substrate

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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