KR100531292B1 - method for fabricating of organic electroluminescence display panel - Google Patents

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Abstract

본 발명은 탑 이미션(top emission) 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널에서 평탄화막에 의한 비아 홀의 단차를 줄이는 유기 EL 디스플레이 패널을 제작하기 위한 것으로서, 기판 위에 형성된 TFT의 소스/드레인 전극과 상기 소스/드레인 전극과 애노드의 접촉을 위해 비아 홀이 형성된 평탄화막을 갖는 탑 이미션(top emission) 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법에 있어서, 상기 애노드와 접촉되는 소스/드레인 전극 하부에 소정 높이를 갖는 구조물을 형성하여, 애노드의 단차 피복(step coverage)을 좋게 함으로써 깊이 단차로 인해 발생하는 단락을 줄여 보다 성능이 좋은 탑 이미션 액티브 매트릭스 유기 EL 소자를 제작하게 된다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention provides an organic EL display panel for reducing a step difference in via holes due to a planarization film in an active matrix organic EL display panel having a top emission method. A method of manufacturing an active matrix organic EL display panel having a top emission method having a planarization film having via holes formed therein for contact between a source / drain electrode and an anode, the method comprising: a predetermined portion under a source / drain electrode contacting the anode; By forming a structure having a height, the step coverage of the anode is improved to reduce the short circuit caused by the depth step, thereby producing a top emission active matrix organic EL device having better performance.

Description

유기 ＥＬ 디스플레이 패널 제작 방법{method for fabricating of organic electroluminescence display panel}Method for fabricating of organic electroluminescence display panel

본 발명은 유기 EL 디스플레이 패널에 관한 것으로, 특히 탑 이미션 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL(Active Matrix Electroluminescence) 디스플레이 패널 제작 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an organic EL display panel, and more particularly, to a method of manufacturing an active matrix organic electroluminescence (EL) display panel having a top emission method.

근래, 공액고분자(conjugate polymer)의 하나인 폴리(p-페닐린비닐린)(PPV)를 이용한 유기전계발광소자가 개발된 이래 전도성을 지닌 공액고분자와 같은 유기물에 대한 연구가 활발하게 진행되고 있다. 이러한 유기물을 박막트랜지스터(Thin Film Transistor : TFT), 센서, 레이저, 광전소자 등에 응용하기 위한 연구도 계속 진행되고 있으며, 그 중에서도 유기전계발광소자에 대한 연구가 가장 활발하게 진행되고 있다.Recently, since organic electroluminescent devices using poly (p-phenylinvinyline) (PPV), which is one of conjugated polymers, have been developed, research on organic materials such as conductive conjugated polymers has been actively conducted. . Research on applying such organic materials to thin film transistors (TFTs), sensors, lasers, and optoelectronic devices has been continuously conducted, and among them, research on organic electroluminescent devices is most actively conducted.

인광물질(phosphors) 계통의 무기물로 이루어진 전계발광소자의 경우 작동전압이 교류 200V 이상 필요하고 소자의 제작 공정이 진공증착으로 이루어지기 때문에 대형화가 어렵고 특히 청색발광이 어려울 뿐만 아니라 제조가격이 높다는 단점이 있다. 그러나, 유기물로 이루어진 전계발광소자는 뛰어난 발광효율, 대면적화의 용이화, 공정의 간편성, 특히 청색발광을 용이하게 얻을 수 있다는 장점과 함께 휠 수 있는 전계발광소자의 개발이 가능하다는 점등에 의하여 차세대 표시장치로서 각광받고 있다.Electroluminescent devices made of phosphor-based inorganic materials require an operating voltage of 200 V or more and the manufacturing process of the devices is made by vacuum deposition, which makes it difficult to enlarge the size, in particular, it is difficult to emit blue light and the manufacturing cost is high. have. However, the electroluminescent device made of organic material has the advantages of excellent luminous efficiency, large area, ease of process, especially blue light emission, and it is possible to develop an electroluminescent device that can bend. It is attracting attention as a display device.

특히, 현재에는 액정표시장치와 마찬가지로 각 화소(pixel)에 능동형 구동소자를 구비한 액티브 매트릭스(active matrix) 전계발광소자가 평판표시장치(flat panel display)로서 활발히 연구되고 있다.In particular, active matrix electroluminescent devices having active driving elements in each pixel like the liquid crystal display are being actively researched as flat panel displays.

도 1 은 종래 기술에 따른 폴리 실리콘(P-Si) TFT를 이용한 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도면으로, 빛이 기판으로 발광되는 보텀 이미션(bottom emission) 방식을 나타내고 있다.1 is a view showing the structure of an active matrix organic EL display panel using a polysilicon (P-Si) TFT according to the prior art, and shows a bottom emission method in which light is emitted to a substrate.

도 1과 같이, 투명 글라스로 구성되는 기판(10) 위에 TFT(60)를 형성하고, 상기 TFT(60)의 소스/드레인(source/drain) 전극에 오버랩(overlap)되어 접촉(contact)되도록 애노드(20)를 형성한다. 이어, 상기 TFT(60) 위에 절연막(30)을 형성하고, 전면에 유기 EL층(40) 및 캐소드(50)를 순차적으로 형성한다.As shown in FIG. 1, the TFT 60 is formed on the substrate 10 made of transparent glass, and the anode is overlapped and contacted with a source / drain electrode of the TFT 60. 20 is formed. Subsequently, an insulating film 30 is formed over the TFT 60, and the organic EL layer 40 and the cathode 50 are sequentially formed on the entire surface.

이와 같이 구성되는 보텀 이미션(bottom emission) 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널은 유기 EL층(40)에서 발광되는 빛이 기판(10)면을 통과해서 방사될 때, 상기 기판(10)과 유기 EL층(40) 사이에 형성되어 있는 TFT(60)에 의해 발광면이 가려지게 된다.An active matrix organic EL display panel having a bottom emission method configured as described above may be formed when the light emitted from the organic EL layer 40 is emitted through the surface of the substrate 10. The light emitting surface is covered by the TFT 60 formed between the organic EL layers 40.

이에 따라, 상기 TFT(60)의 크기나 그 수가 많아질수록 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널의 개구율은 기하급수적으로 줄어들게 되어 디스플레이 소자로서의 사용이 어렵게 된다.Accordingly, as the size or number of the TFTs 60 increases, the aperture ratio of the active matrix organic EL display panel decreases exponentially, making it difficult to use as a display element.

이러한 문제점을 극복하기 위하여 도 2a,b,c,d,e,f와 같이 기판에 형성되어지는 TFT(60)와 상관없이 기판(10) 반대면으로 발광시키는 탑 이미션(top emission) 방식이 대두되었다.In order to overcome this problem, a top emission method for emitting light toward the opposite surface of the substrate 10 irrespective of the TFT 60 formed on the substrate as shown in FIGS. It has emerged.

도 2a와 같이, 먼저 기판(10) 위에 TFT(60)를 형성한다. 그리고 도 2b와 같이, 상기 TFT(60)의 소스/드레인 전극(68)이 노출되도록 하는 비아 홀(82)이 형성된 평탄화막(80)을 전면에 형성한다. As shown in FIG. 2A, the TFT 60 is first formed on the substrate 10. As shown in FIG. 2B, a planarization film 80 having a via hole 82 through which the source / drain electrode 68 of the TFT 60 is exposed is formed on the entire surface.

이어 도 2c와 같이, 전면에 애노드(20)를 형성하여 비아 홀(82)에 의해 노출된 TFT의 소스/드레인 전극(68)과 형성된 애노드(20)가 접촉(contact)되도록 한다.Subsequently, as shown in FIG. 2C, an anode 20 is formed on the front surface so that the source / drain electrode 68 of the TFT exposed by the via hole 82 and the formed anode 20 are in contact with each other.

그리고 도 2d와 같이, 상기 소스/드레인 전극(68)과 애노드(20)가 접촉된 영역이 덮이도록 절연막(30)을 형성하고, 다시 도 2e,f와 같이 전면에 유기 EL층(40) 및 캐소드(50)를 순차적으로 형성한다.As shown in FIG. 2D, the insulating film 30 is formed to cover a region where the source / drain electrode 68 and the anode 20 contact each other, and the organic EL layer 40 and The cathode 50 is formed sequentially.

이와 같이 구성되는 탑 이미션(top emission) 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널은 평탄화막(80) 사용이 필수적인데, 이때, TFT(60)의 소스/드레인 전극(68)과 애노드(20)의 접촉을 위해 평탄화막(80)에 형성되는 비아 홀(82)이 평탄화막(80)의 두께 때문에 그 깊이가 'A'와 같이 깊어지게 된다.In the active matrix organic EL display panel having the top emission method configured as described above, the use of the planarization film 80 is essential. In this case, the source / drain electrode 68 and the anode 20 of the TFT 60 are used. The via hole 82 formed in the planarization film 80 for contacting the surface becomes deep due to the thickness of the planarization film 80 such as 'A'.

따라서, 상기 애노드(20) 성막시에 단차 피복(step coverage)이 좋지 않게 될 가능성이 매우 크다. 이는 소자 내에 불량 픽셀(dead pixel)을 많이 발생시키게 되는 원인으로 작용하여 디스플레이 소자의 수율에 나쁜 영향을 주게 된다. Therefore, there is a great possibility that step coverage becomes poor at the time of forming the anode 20. This causes a lot of dead pixels in the device, which adversely affects the yield of the display device.

따라서 본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로서, 탑 이미션(top emission) 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널에서 평탄화막에 의한 비아 홀의 단차를 줄이는 유기 EL 디스플레이 패널을 제작하는데 그 목적이 있다. Therefore, the present invention has been made to solve the above problems, to fabricate an organic EL display panel that reduces the step of the via hole by the planarization film in an active matrix organic EL display panel having a top emission method. There is a purpose.

본 발명의 다른 목적은 애노드의 단차 피복(step coverage)을 좋게 함으로써 깊이 단차로 인해 발생하는 단락을 줄여 보다 성능이 좋은 탑 이미션 액티브 매트릭스 유기 EL 소자를 제작하는데 있다.Another object of the present invention is to manufacture a top emission active matrix organic EL device having better performance by reducing the short circuit caused by the depth step by improving the step coverage of the anode.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법의 특징은 기판 위에 형성된 TFT의 소스/드레인 전극과 상기 소스/드레인 전극과 애노드의 접촉을 위해 비아 홀이 형성된 평탄화막을 갖는 탑 이미션(top emission) 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법에 있어서, 상기 애노드와 접촉되는 드레인 전극 하부에 소정 높이를 갖는 구조물을 형성하는데 있다.A feature of the organic EL display panel manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is a tower having a source / drain electrode of a TFT formed on a substrate and a planarization film having a via hole formed for contact between the source / drain electrode and the anode In the method of manufacturing an active matrix organic EL display panel having an emission method, a structure having a predetermined height is formed under the drain electrode in contact with the anode.

상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법의 다른 특징은 기판 위에 비아홀이 형성될 위치에 소정 높이를 갖는 구조물을 형성하는 단계와, 기판 위에 상기 구조물과 소정 간격을 두고 TFT 형성을 위한 섬 형상의 반도체층 및 상기 반도체층 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와, 상기 게이트 절연막 및 구조물 위에 소스 및 드레인 전극을 형성하여 TFT를 형성하는 단계와, 상기 드레인 전극이 노출되도록 하는 비아 홀이 형성된 평탄화막을 전면에 형성하는 단계와, 상기 비아 홀에 의해 노출된 상기 드레인 전극이 접촉되도록 전면에 애노드를 형성하는 단계와, 상기 드레인 전극과 애노드가 접촉된 영역이 덮이도록 소정 패턴을 갖는 절연막을 형성하는 단계와, 전면에 유기 EL층 및 캐소드를 순차적으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는데 있다.Another feature of the organic EL display panel manufacturing method according to the present invention for achieving the above object is the step of forming a structure having a predetermined height at the position where the via hole is to be formed on the substrate, and a predetermined distance from the structure on the substrate Forming a gate insulating film on the semiconductor layer and the semiconductor layer having an island shape for forming a TFT, forming a source and a drain electrode on the gate insulating film and the structure to form a TFT, and a via to expose the drain electrode Forming a flattening film having a hole formed on the front surface thereof, forming an anode on the front surface thereof so that the drain electrode exposed by the via hole is in contact, and a predetermined pattern to cover a region where the drain electrode is in contact with the anode; Forming an insulating film and sequentially forming an organic EL layer and a cathode on the entire surface Is makin comprises the steps:

이때, 상기 구조물의 소정 높이는 0.1~100㎛인 것이 바람직하다.At this time, the predetermined height of the structure is preferably 0.1 ~ 100㎛.

그리고 상기 구조물은 상기 게이트 절연막 및 패시베이션막과 동시에 동일한 물질로 형성하는 것이 바람직하다.The structure is preferably formed of the same material as the gate insulating film and the passivation film.

본 발명의 다른 목적, 특성 및 잇점들은 첨부한 도면을 참조한 실시예들의 상세한 설명을 통해 명백해질 것이다.Other objects, features and advantages of the present invention will become apparent from the following detailed description of embodiments taken in conjunction with the accompanying drawings.

본 발명에 따른 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법의 바람직한 실시예에 대하여 첨부한 도면을 참조하여 설명하면 다음과 같다.A preferred embodiment of the method of manufacturing an active matrix organic EL display panel according to the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

도 3a,b,c,d,e,f,g는 본 발명에 따른 탑 이미션 방식을 갖는 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법을 나타낸 도면이다.3A, B, C, D, E, F, and G are views showing a method of manufacturing an organic EL display panel having a top emission method according to the present invention.

먼저, 도 3a과 같이, 기판(10) 위에 비아홀이 형성될 위치에 0.1~100㎛ 높이를 갖는 구조물(70)을 형성한다. 이어 기판(10)위에 상기 구조물과 소정간격을 두고 TFT를 형성하기 위해 비정질 실리콘막을 형성한 후, 상기 비정질 실리콘막 표면에 레이저를 조사함으로써, 용융 재결정화하여 다결정 실리콘(poly silicon)막을 형성한다. 그리고 포토리소그래피 및 에칭을 이용하여 상기 다결정 실리콘막을 섬 형상으로 패터닝하여 반도체층(62)을 형성한다.First, as shown in FIG. 3A, a structure 70 having a height of 0.1 to 100 μm is formed at a position where a via hole is to be formed on the substrate 10. Subsequently, an amorphous silicon film is formed on the substrate 10 to form a TFT at a predetermined distance from the structure, and then a laser is irradiated to the surface of the amorphous silicon film to melt recrystallize to form a polysilicon film. The semiconductor layer 62 is formed by patterning the polycrystalline silicon film into an island shape using photolithography and etching.

이어 상기 반도체층(62) 위에 SiO2 및 SiNX막으로 이루어지는 게이트 절연막/패시베이션막(64)을 형성한다.Subsequently, a gate insulating film / passivation film 64 including SiO 2 and SiN X films is formed on the semiconductor layer 62.

이때, 상기 구조물(70)은 TFT 공정 중 사용하는 물질, 즉 게이트 절연막/패시베이션막(64)막과 동일한 물질로 사용하거나 유기 절연막을 사용하면 된다.In this case, the structure 70 may be made of the same material as that used during the TFT process, that is, the same material as the gate insulating film / passivation film 64 or an organic insulating film.

이어 이 위에 도 3b와 같이 소스/드레인 전극(68)을 형성함으로써, TFT가 형성된다. 이때, 상기 구조물(70)로 인하여 비아홀이 형성될 부분의 전극(68)이 높게 형성되게 된다.Subsequently, by forming the source / drain electrodes 68 thereon as shown in Fig. 3B, a TFT is formed. At this time, due to the structure 70, the electrode 68 of the portion where the via hole is to be formed is formed high.

그리고 도 3c와 같이, 상기 TFT의 소스/드레인 전극(68)이 노출되도록 하는 비아 홀(82)이 형성된 평탄화막(80)을 전면에 형성한다. 이때, 상기 구조물(70)로 인하여 비아 홀(82)의 단차가 줄어들어 노출된 소스/드레인 전극(68)과 평탄화막(80)과의 단차도 'B'의 깊이로 줄어들게 된다.As shown in FIG. 3C, the planarization film 80 having the via hole 82 is formed on the entire surface to expose the source / drain electrode 68 of the TFT. At this time, the step 70 of the via hole 82 is reduced due to the structure 70 so that the step difference between the exposed source / drain electrode 68 and the planarization layer 80 is also reduced to the depth of 'B'.

다음으로 도 3d와 같이, 전면에 애노드(20)를 형성하여 비아 홀(82)에 의해 노출된 TFT의 소스/드레인 전극(68)과 형성된 애노드(20)가 접촉(contact)되도록 한다. 이때, 상기 애노드(20)는 2개 이상의 막으로 형성할 수 있으며, 합금을 사용해도 된다.Next, as shown in FIG. 3D, an anode 20 is formed on the front surface so that the source / drain electrode 68 of the TFT exposed by the via hole 82 and the formed anode 20 are in contact with each other. In this case, the anode 20 may be formed of two or more films, and an alloy may be used.

이어 도 3e와 같이, 상기 드레인 전극(68)과 애노드(20)가 접촉된 영역이 덮이도록 소정 패턴을 갖는 절연막(30)을 형성한다. 이때, 상기 절연막(30)은 무기/유기 절연막 중 어느 하나로 사용되며, 특히 SiO2, SiNx, 폴리이미드(polyimide), 폴리아크릴(polyacryl), novolac계 PR등으로 형성되는 것이 바람직하다.3E, an insulating film 30 having a predetermined pattern is formed to cover a region where the drain electrode 68 and the anode 20 contact each other. At this time, the insulating film 30 is used as any one of the inorganic / organic insulating film, in particular, preferably formed of SiO 2 , SiNx, polyimide (polyimide), polyacryl (polyacryl), novolac-based PR.

그리고 도 3f,g와 같이, 전면에 유기 EL층(40) 및 캐소드(50)를 순차적으로 형성한다.3F, g, the organic EL layer 40 and the cathode 50 are sequentially formed on the entire surface.

미도시 하였지만, 추가로 상기 캐소드 위에 패시베이션(passivation)을 실시하여 보호막을 형성하고, 또한 상기 보호막 위에 인캡슐레이션(encapsulation)을 실시하여 유기 EL 디스플레이 패널을 제작하게 된다.Although not shown, passivation is further performed on the cathode to form a passivation layer, and encapsulation is performed on the passivation layer to fabricate an organic EL display panel.

자세한 설명은 하지 않았지만 기 서술한 폴리 실리콘(P-Si) TFT 뿐만 아니라 도 4와 같이, 비정질 실리콘(A-Si) TFT에도 상기 구조물을 사용할 수 있다.Although not described in detail, the structure can be used for the amorphous silicon (A-Si) TFT as shown in FIG. 4 as well as the polysilicon (P-Si) TFT described above.

이상에서 설명한 바와 같은 본 발명에 따른 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법은 평탄화막의 비아 홀 단차를 줄여 단차 피복(step coverage)을 좋게 함으로써, 깊이 단차로 인해 발생하는 에노드의 단락을 줄일 수 있으며, 이를 통해 보다 성능이 좋은 탑 이미션 액티브 매트릭스 유기 EL 소자를 만드는데 탁월한 효과가 있다.The active matrix organic EL display panel manufacturing method according to the present invention as described above can reduce the via hole step of the planarization film to improve the step coverage, thereby reducing the short circuit of the anode caused by the depth step, This is an excellent effect for making better top emission active matrix organic EL devices.

이상 설명한 내용을 통해 당업자라면 본 발명의 기술 사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경 및 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다.Those skilled in the art will appreciate that various changes and modifications can be made without departing from the spirit of the present invention.

따라서, 본 발명의 기술적 범위는 실시예에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허 청구의 범위에 의하여 정해져야 한다.Therefore, the technical scope of the present invention should not be limited to the contents described in the embodiments, but should be defined by the claims.

도 1 은 종래 기술에 따른 보텀 이미션 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도면1 is a view showing the structure of an active matrix organic EL display panel having a bottom emission method according to the prior art;

도 2a,b,c,d,e,f는 종래 기술에 따른 탐-이미션 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널의 구조를 나타낸 도면2A, B, C, D, E, F are views showing the structure of an active matrix organic EL display panel having a tom-imposition method according to the prior art;

도 3a,b,c,d,e,f,g는 본 발명에 따른 폴리 실리콘(P-Si) TFT를 이용한 탑 이미션 방식을 갖는 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법을 나타낸 도면3a, b, c, d, e, f, and g are views showing a method for manufacturing an organic EL display panel having a top emission method using a polysilicon (P-Si) TFT according to the present invention;

도 4 는 본 발명에 따른 본 발명에 따른 비정질 실리콘(A-Si) TFT를 이용한 탑 이미션 방식을 갖는 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법을 나타낸 도면4 is a view showing a method for manufacturing an organic EL display panel having a top emission method using an amorphous silicon (A-Si) TFT according to the present invention according to the present invention

*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명* Explanation of symbols for main parts of the drawings

10 : 기판 20 : 애노드10: substrate 20: anode

30 : 절연막 40 : 유기 EL층30 insulating film 40 organic EL layer

50 : 캐소드 60 : TFT50: cathode 60: TFT

62 : P-Si층 64 : 게이트 절연막/패시베이션62: P-Si layer 64: gate insulating film / passivation

66 : 이온 도핑된 P-Si층 68 : 소스/드레인 전극66 ion-doped P-Si layer 68 source / drain electrode

70 : 구조물 80 : 평탄화막70 structure 80 planarization film

82 : 비아 홀82: via hole

Claims (10)

기판 위에 형성된 TFT의 소스/드레인 전극과 상기 소스/드레인 전극과 애노드의 접촉을 위해 비아 홀이 형성된 평탄화막을 갖는 탑 이미션(top emission) 방식을 갖는 액티브 매트릭스 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법에 있어서,A method of manufacturing an active matrix organic EL display panel having a top emission method having a planarization film having a via hole formed therein for contact between a source / drain electrode of a TFT formed on a substrate and the source / drain electrode and an anode, 상기 애노드와 접촉되는 전극 하부에 구조물을 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법.And forming a structure under the electrode in contact with the anode. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구조물은 높이가 0.1~100㎛인 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법.The structure is an organic EL display panel manufacturing method, characterized in that the height is 0.1 ~ 100㎛. 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 구조물은 게이트 절연막 및 패시베이션(SiO2 또는 SiNX) 중 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 제작 방법.And the structure is at least one of a gate insulating film and a passivation (SiO 2 or SiN X ). 제 1 항에 있어서,The method of claim 1, 상기 TFT는 비정질 실리콘(A-Si), 폴리 실리콘(P-Si) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법.And the TFT is at least one of amorphous silicon (A-Si) and polysilicon (P-Si). 기판 위에 비아홀이 형성될 위치에 구조물을 형성하는 단계와,Forming a structure at a position where a via hole is to be formed on the substrate; 기판 위에 상기 구조물과 소정 거리를 두고 TFT 형성을 위한 섬 형상의 반도체층 및 상기 반도체층 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계와,Forming an island-shaped semiconductor layer for forming a TFT at a predetermined distance from the structure on the substrate and a gate insulating film on the semiconductor layer; 상기 게이트 절연막과 소정 간격을 두고 드레인 전극이 형성될 위치에 소정 높이를 갖는 구조물을 형성하는 단계와,Forming a structure having a predetermined height at a position where the drain electrode is to be formed at a predetermined distance from the gate insulating film; 상기 게이트 절연막 및 구조물 위에 소스 및 드레인 전극을 형성하여 TFT를 형성하는 단계와,Forming a TFT by forming source and drain electrodes on the gate insulating layer and the structure; 상기 소스/드레인 전극이 노출되도록 하는 비아 홀이 형성된 평탄화막을 전면에 형성하는 단계와,Forming a planarization layer on which a via hole is formed to expose the source / drain electrodes; 상기 비아 홀에 의해 노출된 상기 소스/드레인 전극이 접촉되도록 전면에 애노드를 형성하는 단계와,Forming an anode on a front surface such that the source / drain electrode exposed by the via hole contacts; 상기 소스/드레인 전극과 애노드가 접촉된 영역이 덮이도록 소정 패턴을 갖는 절연막을 형성하는 단계와, Forming an insulating film having a predetermined pattern to cover a region where the source / drain electrode and the anode contact each other; 전면에 유기 EL층 및 캐소드를 순차적으로 형성하는 단계를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법.An organic EL display panel manufacturing method comprising the steps of sequentially forming an organic EL layer and a cathode on the front surface. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 구조물은 높이가 0.1~100㎛인 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법.The structure is an organic EL display panel manufacturing method, characterized in that the height is 0.1 ~ 100㎛. 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 구조물은 상기 반도체층, 게이트 절연막 및 패시베이션막과 동일한 물질로 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 제작 방법.And the structure is formed of the same material as the semiconductor layer, the gate insulating film and the passivation film at the same time. 제 7 항에 있어서,The method of claim 7, wherein 상기 구조물은 유기 절연막(폴리 이미드, 폴리 아크릴, novolac계 PR)인 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 제작 방법.The structure is an organic EL display manufacturing method, characterized in that the organic insulating film (polyimide, polyacryl, novolac-based PR). 제 5 항에 있어서,The method of claim 5, 상기 절연막은 무기 또는 유기 절연막 중 적어도 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법. The insulating film is formed of at least one of an inorganic and an organic insulating film. 제 9 항에 있어서,The method of claim 9, 상기 절연막은 SiO2, SiNx, 폴리이미드(polyimide), 폴리아크릴(polyacryl), novolac계 PR 중 적어도 하나 이상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 유기 EL 디스플레이 패널 제작 방법.And the insulating film is formed of at least one of SiO 2 , SiNx, polyimide, polyacryl, and novolac PR.
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