KR100473855B1 - A Manufacturing method for SOI wafer - Google Patents
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Abstract
본 발명은 에스오아이(silicon on insulator, 이하 SOI라 함) 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 수소 이온 주입 공정을 적용하여 SOI 웨이퍼를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a silicon on insulator (hereinafter referred to as SOI) wafer, and more particularly, to a method for manufacturing an SOI wafer by applying a hydrogen ion implantation process.
이를 위한 본 발명인 SOI 웨이퍼의 제조 방법은 도너 웨이퍼 상부에 산화막을 형성하는 산화막 형성 단계와; 상기 산화막이 형성된 도너 웨이퍼에 10KeV 내지 100KeV의 수소 이온 주입 에너지로 수소 이온을 주입하여, 수소 이온 주입층을 도너 웨이퍼의 내부 일정 위치에 형성시키는 수소 이온 주입층 형성 단계와; 상기 산화막과 핸들 웨이퍼가 접합되도록 상기 도너 웨이퍼와 핸들 웨이퍼를 접합시켜 접합 웨이퍼를 형성시키는 접합 단계와; 상기 접합 웨이퍼를 열처리하여 상기 수소 이온 주입층에 따라 분리하는 수소 이온 주입층 분리 단계를 포함하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법에 있어서, 상기 수소 이온 주입층 분리 단계에서는 열처리로의 내부에서 약 10∼70℃/sec의 승온 속도로 1,000 내지 1,100℃의 온도로 승온시키는 급속 열처리 공정(Rapid Thermal Process)으로 약 10 내지 30초 동안 열처리하는 것이 특징이다. 이때, 상기 수소 이온 주입층 형성 단계는 수소 이온 주입층을 도너 웨이퍼의 상부면으로부터 약 1,000 내지 10,000Å의 위치에 형성시키는 것이 특징이며, 상기 수소 이온 주입층 형성 단계는 수소 이온을 약 5×1016/cm2 이상의 주입 농도로 주입하는 것이 특징이다.SOI wafer manufacturing method of the present invention for this purpose comprises the step of forming an oxide film on the donor wafer; A hydrogen ion implantation layer forming step of implanting hydrogen ions with hydrogen ion implantation energy of 10 KeV to 100 KeV into the donor wafer on which the oxide film is formed to form a hydrogen ion implantation layer at a predetermined position inside the donor wafer; Bonding the donor wafer and the handle wafer to form a bonded wafer such that the oxide film and the handle wafer are bonded to each other; In the SOI wafer manufacturing method comprising a hydrogen ion implantation layer separation step of heat-treating the bonded wafer in accordance with the hydrogen ion implantation layer, in the hydrogen ion implantation layer separation step of about 10 ~ 70 ℃ inside the heat treatment furnace It is characterized in that the heat treatment for about 10 to 30 seconds by a rapid thermal process (Rapid Thermal Process) to increase the temperature to a temperature of 1,000 to 1,100 ℃ at a temperature increase rate of / sec. At this time, the hydrogen ion implantation layer forming step is characterized in that to form a hydrogen ion implantation layer at a position of about 1,000 to 10,000Å from the top surface of the donor wafer, the hydrogen ion implantation layer forming step is about 5 × 10 It is characterized by injection at an injection concentration of 16 / cm 2 or more.
Description
본 발명은 에스오아이(silicon on insulator, 이하 SOI라 함) 웨이퍼의 제조 방법에 관한 것으로, 특히, 수소 이온 주입 공정을 적용하여 SOI 웨이퍼를 제조하는 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a method for manufacturing a silicon on insulator (hereinafter referred to as SOI) wafer, and more particularly, to a method for manufacturing an SOI wafer by applying a hydrogen ion implantation process.
SOI 웨이퍼는 반도체 기판 위에 절연 역할을 하는 실리콘 산화막을 형성하고, 그 위에 실제 사용되는 반도체 기판, 예를 들어 단결정 실리콘 층을 형성하고, 단결정 실리콘 층의 상부에 반도체 소자를 제조하는 것으로, 반도체 소자의 소자 분리 기술이 용이하고, 소자의 전기적 특성이 우수하여 널리 연구되고 있다.The SOI wafer forms a silicon oxide film that functions as an insulating layer on the semiconductor substrate, forms a semiconductor substrate, for example, a single crystal silicon layer, which is actually used thereon, and manufactures a semiconductor device on top of the single crystal silicon layer. Device separation technology is easy, and excellent electrical characteristics of the device has been widely studied.
이러한 SOI 웨이퍼를 제조하는 종래의 일반적인 방법은 첨부된 도 1a 내지 도 1e를 참조하여 설명하면 다음과 같다.A conventional general method of manufacturing such an SOI wafer is described with reference to the accompanying FIGS. 1A to 1E.
먼저 도 1a에 도시한 바와 같이, 도너 웨이퍼(donor wafer)(10)와 핸들 웨이퍼(handle wafer)(20)를 준비한 후, 도너 웨이퍼(10) 상부에 산화막(11)을 형성한다. 이때, 도너 웨이퍼(10)와 핸들 웨이퍼(20)는 실리콘웨이퍼로 형성하는 것이 바람직하며, 산화막(11)은 도너 웨이퍼(10)를 열산화하여 형성하는 것이 바람직하다.First, as shown in FIG. 1A, a donor wafer 10 and a handle wafer 20 are prepared, and then an oxide film 11 is formed on the donor wafer 10. At this time, the donor wafer 10 and the handle wafer 20 are preferably formed of a silicon wafer, and the oxide film 11 is preferably formed by thermally oxidizing the donor wafer 10.
그 다음 도 1b에 도시한 바와 같이, 상부에 산화막(11)이 형성된 도너 웨이퍼(10)에 수소 이온을 빔 방식으로 주입하여 실리콘웨이퍼 내부에 수소 이온 주입층(12)을 형성한다.Next, as shown in FIG. 1B, hydrogen ions are beam-injected into the donor wafer 10 having the oxide film 11 formed thereon to form a hydrogen ion implantation layer 12 inside the silicon wafer.
그 다음 도 1c에 도시한 바와 같이, 도너 웨이퍼(10)를 핸들 웨이퍼(20)에 접합시킨다. 여기에서 도너 웨이퍼(10)와 핸들 웨이퍼(20)가 접합된 웨이퍼를 접합 웨이퍼(30)라 한다. 이때, 도너 웨이퍼(10)와 핸들 웨이퍼(20)의 접합은 도너 웨이퍼(10) 상부에 형성된 산화막(11)이 핸들 웨이퍼(20) 상부에 접합되도록 한다.Then, as shown in FIG. 1C, the donor wafer 10 is bonded to the handle wafer 20. Herein, the wafer on which the donor wafer 10 and the handle wafer 20 are bonded is called a bonded wafer 30. At this time, the donor wafer 10 and the handle wafer 20 are bonded so that the oxide film 11 formed on the donor wafer 10 is bonded to the handle wafer 20.
그 다음 도 1d에 도시한 바와 같이, 도너 웨이퍼(10)의 수소 이온 주입층(12)이 형성된 부분을 분리(Cleave)하여 핸들 웨이퍼(20) 상부에 산화막(11)과 분리된 일정 두께의 도너 웨이퍼(10a)가 형성된 SOI 웨이퍼를 형성한다.Next, as illustrated in FIG. 1D, a donor having a predetermined thickness separated from the oxide film 11 on the handle wafer 20 by cleaving a portion where the hydrogen ion implantation layer 12 of the donor wafer 10 is formed. An SOI wafer on which the wafer 10a is formed is formed.
그 다음 도 1e에 도시한 바와 같이, 산화막(11)과 도너 웨이퍼(10a)가 적층된 핸들 웨이퍼(20)로 형성된 SOI 웨이퍼를 표면처리 방법을 이용하여 표면 거칠기를 완화시켜 줌으로써 후속 공정으로 소자 제조가 용이한 SOI 웨이퍼를 완성한다.Next, as shown in FIG. 1E, the SOI wafer formed of the handle wafer 20 on which the oxide film 11 and the donor wafer 10a are stacked is used to reduce the surface roughness using a surface treatment method to fabricate a device in a subsequent process. Complete an easy SOI wafer.
이러한 종래의 SOI 웨이퍼의 제조 방법은 도 1d에 도시된 바와 같이 도너 웨이퍼(10)의 수소 이온 주입층(12)이 형성된 부분을 분리(Cleave)로 용이하게 되도록 하기 위하여, 그 수소 이온 주입층(12)의 분리 전 단계인 수소 이온 주입 단계에서 도너 웨이퍼(10)에 주입되는 수소이온의 양을 8×1016 내지 2×1017/cm2 정도의 고농도로 주입하게 된다. 그리고, 수소 이온 주입층의 분리 단계에서는 도 1c에 도시된 바와 같은 접합 웨이퍼 다수의 장을 열처리로 적재하여 약 400 내지 600℃의 온도로, 약 30분 내지 2시간 정도 열처리를 함으로써 접합 웨이퍼의 수소 이온 주입층을 분리하여 SOI 웨이퍼를 제조한다.This conventional SOI wafer manufacturing method is such that the portion of the donor wafer 10 in which the hydrogen ion implantation layer 12 is formed is easily cleaved, as shown in FIG. 1D. In the hydrogen ion implantation step of the separation step 12), the amount of hydrogen ions injected into the donor wafer 10 is injected at a high concentration of about 8 × 10 16 to 2 × 10 17 / cm 2 . In the separation step of the hydrogen ion implantation layer, a plurality of sheets of the bonded wafer as shown in FIG. 1C are loaded by heat treatment, and heat treated at a temperature of about 400 to 600 ° C. for about 30 minutes to about 2 hours. The ion implantation layer is separated to make an SOI wafer.
따라서, 이러한 종래의 SOI 웨이퍼의 제조 방법은 수소 이온 주입층의 분리의 용이성을 위하여 고농도의 수소 이온을 주입하여야 하므로 SOI 웨이퍼를 제조하기 위한 경비가 많이 소요되며, 수소 이온 주입층의 분리 시 장시간 동안 열처리를 행하여야 하므로 SOI 웨이퍼의 제조 공정 효율에 문제가 있었던 것이다. Therefore, the conventional method for manufacturing a SOI wafer requires a large amount of hydrogen ions to be injected for ease of separation of the hydrogen ion implantation layer, which requires a lot of expense for manufacturing the SOI wafer, and the separation of the hydrogen ion implantation layer for a long time. Since the heat treatment must be performed, there was a problem in the efficiency of the manufacturing process of the SOI wafer.
그리고, 종래의 SOI 웨이퍼의 제조 방법에서 수소 이온 주입층을 분리하는 단계에서 열처리 시간을 단축하기 위하여 열처리로의 온도를 고온으로 할 경우에는, 열처리로 내의 승온 속도가 낮아 수소 이온 주입층에 주입되어 있는 수소가 수소 이온 주입층의 가장 자리 부분으로 확산되어 빠져나가므로 수소이온 주입층에 의한 접합 웨이퍼의 완벽한 분리가 이루어지지 못하는 문제점이 있었던 것이다. When the temperature of the heat treatment furnace is increased to a high temperature in order to shorten the heat treatment time in the step of separating the hydrogen ion implantation layer in the conventional SOI wafer manufacturing method, the temperature increase rate in the heat treatment furnace is lowered and injected into the hydrogen ion injection layer. Since the hydrogen is diffused to the edge portion of the hydrogen ion implantation layer to escape, there was a problem that the separation of the bonded wafer by the hydrogen ion implantation layer is not complete.
본 발명은 SOI웨이퍼를 제조하기 위한 공정 중, 수소 이온의 주입량을 저농도로 하면서도 접합 웨이퍼의 수소 이온 주입층의 분리가 잘 일어나도록 하고, 또한 수소 이온 주입층의 분리를 위한 열 처리 시 열처리 시간을 단축하여, 전체 공정의 소요 경비를 줄이고, SOI 웨이퍼의 제조 효율을 향상시킨 SOI 웨이퍼의 제조 방법을 제공하려는 것이다. According to the present invention, the hydrogen ion implantation layer of the bonded wafer can be easily separated while the implantation amount of hydrogen ions is low in the process for manufacturing the SOI wafer, and the heat treatment time during the heat treatment for the separation of the hydrogen ion implantation layer is reduced. In short, the present invention aims to provide a method for manufacturing an SOI wafer which reduces the cost of the entire process and improves the manufacturing efficiency of the SOI wafer.
이를 위한 본 발명인 SOI 웨이퍼의 제조 방법은 도너 웨이퍼 상부에 산화막을 형성하는 산화막 형성 단계와; 상기 산화막이 형성된 도너 웨이퍼에 10KeV 내지 100KeV의 수소 이온 주입 에너지로 수소 이온을 주입하여, 수소 이온 주입층을 도너 웨이퍼의 내부 일정 위치에 형성시키는 수소 이온 주입층 형성 단계와; 상기 산화막과 핸들 웨이퍼가 접합되도록 상기 도너 웨이퍼와 핸들 웨이퍼를 접합시켜 접합 웨이퍼를 형성시키는 접합 단계와; 상기 접합 웨이퍼를 열처리하여 상기 수소 이온 주입층에 따라 분리하는 수소 이온 주입층 분리 단계를 포함하는 SOI 웨이퍼의 제조 방법에 있어서, 상기 수소 이온 주입층 분리 단계에서는 열처리로의 내부에서 약 10∼70℃/sec의 승온 속도로 1,000 내지 1,100℃의 온도로 승온시키는 급속 열처리 공정(Rapid Thermal Process)으로 약 10 내지 30초 동안 열처리하는 것이 특징이다. 이때, 상기 수소 이온 주입층 형성 단계는 수소 이온 주입층을 도너 웨이퍼의 상부면으로부터 약 1,000 내지 10,000Å의 위치에 형성시키는 것이 특징이며, 상기 수소 이온 주입층 형성 단계는 수소 이온을 약 5×1016/cm2 이상의 주입 농도로 주입하는 것이 특징이다.SOI wafer manufacturing method of the present invention for this purpose comprises the step of forming an oxide film on the donor wafer; A hydrogen ion implantation layer forming step of implanting hydrogen ions with hydrogen ion implantation energy of 10 KeV to 100 KeV into the donor wafer on which the oxide film is formed to form a hydrogen ion implantation layer at a predetermined position inside the donor wafer; Bonding the donor wafer and the handle wafer to form a bonded wafer such that the oxide film and the handle wafer are bonded to each other; In the SOI wafer manufacturing method comprising a hydrogen ion implantation layer separation step of heat-treating the bonded wafer in accordance with the hydrogen ion implantation layer, in the hydrogen ion implantation layer separation step of about 10 ~ 70 ℃ inside the heat treatment furnace It is characterized in that the heat treatment for about 10 to 30 seconds by a rapid thermal process (Rapid Thermal Process) to increase the temperature to a temperature of 1,000 to 1,100 ℃ at a temperature increase rate of / sec. At this time, the hydrogen ion implantation layer forming step is characterized in that to form a hydrogen ion implantation layer at a position of about 1,000 to 10,000Å from the top surface of the donor wafer, the hydrogen ion implantation layer forming step is about 5 × 10 It is characterized by injection at an injection concentration of 16 / cm 2 or more.
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이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings will be described an embodiment of the present invention;
먼저 본 발명의 실시예는 도 1a에 도시한 바와 같이, SOI 웨이퍼 제조를 위하여 도너 웨이퍼(10)와 핸들 웨이퍼(20)를 준비한다. 이때, 도너 웨이퍼(10)와 핸들 웨이퍼(20)는 각각 실리콘웨이퍼로 형성하는 것이 바람직하다. First, the embodiment of the present invention, as shown in Figure 1a, prepares the donor wafer 10 and the handle wafer 20 for manufacturing the SOI wafer. At this time, the donor wafer 10 and the handle wafer 20 are preferably each formed of a silicon wafer.
다음으로, 도너 웨이퍼(10) 상부에 산화막(11)을 형성한다. 이때, 산화막(11)의 형성은 도너 웨이퍼(10)를 열산화하여 열산화막으로 형성하는 것이 바람직하며, 열산화 공정은 900℃ 내지 1,100℃의 온도에서 30분 내지 360분 동안 열처리를 실시하여 도너 웨이퍼(10) 상부에 500Å 내지 20,000Å 정도의 두께로 산화막을 성장시키는 것이 바람직하다.Next, an oxide film 11 is formed on the donor wafer 10. In this case, the oxide film 11 may be thermally oxidized by forming the donor wafer 10 into a thermal oxide film. The thermal oxidation process may be performed by heat treatment for 30 to 360 minutes at a temperature of 900 ° C to 1,100 ° C. It is preferable to grow an oxide film on the wafer 10 to a thickness of about 500 kPa to about 20,000 kPa.
그 다음, 도 1b에 도시한 바와 같이, 상부에 산화막(11)이 형성된 도너 웨이퍼(10)에 수소이온을 주입하여, 도너 웨이퍼(10) 내부의 적정 깊이 즉, 도너 웨이퍼(10)의 상부에 형성된 산화막(11) 보다 깊은 부분에 수소 이온 주입층(12)을 형성한다. 이때, 수소 이온 주입 에너지를 약 10KeV 내지 100KeV로 하여 도너 웨이퍼의 표면으로부터 약 1,000Å 내지 10,000Å의 깊이에서 형성되도록 하는 것이 바람직하다. 즉, 여기에서 이온 주입 에너지는 산화막(11)이 형성된 도너 웨이퍼(10)의 내부에 수소 이온 주입층이 형성될 깊이를 결정하기 위하여 제어되는데, 수소 이온 주입 에너지를 약 10KeV로 할 때에는 도너 웨이퍼의 표면으로부터 약 1,000Å의 위치에서 수소 이온 주입층(12)이 형성되고, 약 100KeV로 할 때에는 약 10,000Å의 깊이에서 수소 이온 주입층(12)이 형성된다. Next, as shown in FIG. 1B, hydrogen ions are implanted into the donor wafer 10 having the oxide film 11 formed thereon, and thus, a suitable depth inside the donor wafer 10, that is, the upper portion of the donor wafer 10. The hydrogen ion implantation layer 12 is formed deeper than the formed oxide film 11. At this time, the hydrogen ion implantation energy is preferably about 10 KeV to 100 KeV so as to be formed at a depth of about 1,000 Pa to 10,000 Pa from the surface of the donor wafer. That is, the ion implantation energy is controlled to determine the depth at which the hydrogen ion implantation layer is to be formed inside the donor wafer 10 on which the oxide film 11 is formed. When the hydrogen ion implantation energy is about 10 KeV, The hydrogen ion implantation layer 12 is formed at a position of about 1,000 Pa from the surface, and the hydrogen ion implantation layer 12 is formed at a depth of about 10,000 Pa when set to about 100 KeV.
그리고, 이때 상술한 바와 같이 수소 이온 주입 에너지를 제어하여 수소 이온 주입층(12)을 도너 웨이퍼(10)의 표면으로부터 얕게 형성하였으므로, 후속되는 수소 이온 주입층(12) 분리 단계에서 용이하게 분리가 될 수 있다. 따라서, 수소 이온 주입층(12)을 형성하기 위한 수소 이온 주입량을 약 5×1016/cm2 정도의 저농도로 형성함으로서, SOI웨이퍼 제조를 위한 수소이온 주입량을 줄이는 것이 바람직하다.At this time, since the hydrogen ion implantation layer 12 is formed to be shallow from the surface of the donor wafer 10 by controlling the hydrogen ion implantation energy as described above, separation is easily performed in the subsequent hydrogen ion implantation layer 12 separation step. Can be. Therefore, by forming the hydrogen ion implantation amount for forming the hydrogen ion implantation layer 12 at a low concentration of about 5 × 10 16 / cm 2 , it is desirable to reduce the hydrogen ion implantation amount for the production of the SOI wafer.
그 다음, 도 1c에 도시한 바와 같이, 상부에 산화막(11)이 형성되어 있고, 내부 적정 깊이에 수소 이온 주입층(12)이 형성되어 있는 도너 웨이퍼(10)와 핸들 웨이퍼(20)를 접합시켜, 접합 웨이퍼(30)를 형성한다. 이때, 도너 웨이퍼(10)와 핸들 웨이퍼(20)의 결합은 도너 웨이퍼(10) 상부에 형성된 산화막(11)의 상부면이 핸들 웨이퍼(20)의 상부면에 접합되도록 한다.Next, as shown in FIG. 1C, the donor wafer 10 and the handle wafer 20 in which the oxide film 11 is formed on the upper portion and the hydrogen ion implantation layer 12 is formed at an appropriate depth inside are joined. To form a bonded wafer 30. At this time, the donor wafer 10 and the handle wafer 20 are coupled to each other so that the upper surface of the oxide film 11 formed on the donor wafer 10 is bonded to the upper surface of the handle wafer 20.
그 다음, 도 1d에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따라 주입된 도너 웨이퍼(10)의 수소 이온 주입층(12)이 형성된 부분을 분리하여, 핸들 웨이퍼(20)의 상부에 산화막(11)과 일정 두께의 도너 웨이퍼(10a)가 접합되도록 하여 SOI 웨이퍼를 형성한다. Next, as shown in FIG. 1D, the portion in which the hydrogen ion implantation layer 12 of the donor wafer 10 implanted according to the present invention is formed is separated, and the oxide film 11 and the upper portion of the handle wafer 20 are formed. The donor wafer 10a of a certain thickness is bonded to form an SOI wafer.
이때, 접합 웨이퍼(10)의 수소 이온 주입층(12)의 분리는 접합 웨이퍼(30)를 열처리함으로서 분리하는데, 접합 웨이퍼(30)를 열처리로(미도시)의 내부에서 약 10∼70℃/sec의 승온 속도로 1,000내지 1,100℃의 고온도로 승온시키는 급속 열처리 공정(Rapid Thermal Process)으로, 약 10 내지 30초미만 동안 열처리하여 수소 이온 주입층(12)에 따라 분리하여, 접합 웨이퍼(30)의 수소 이온 주입층(12)의 분리 공정 시간을 단축하는 것이 바람직하다. 이는 수소 이온 주입층(12)의 형성 시, 수소 이온 주입 에너지를 약 10KeV 내지 100KeV로 하여 주입함으로서, 도너 웨이퍼(10)의 표면으로부터 약 1,000Å 내지 10,000Å의 깊이로 아주 얕은 깊이로 주입되어 있기 때문에 상기와 같이 고온도 로의 승온조건하에서 10 내지 30초 미만의 시간으로 열처리를 하더라도 수소 이온 주입층의 분리가 용이하게 일어나는 것이다. At this time, the hydrogen ion implantation layer 12 of the bonded wafer 10 is separated by heat-treating the bonded wafer 30, and the bonded wafer 30 is about 10 to 70 ° C / in a heat treatment furnace (not shown). A rapid thermal process that raises the temperature to a high temperature of 1,000 to 1,100 ° C. at a temperature rising rate of sec, heat-treating for less than about 10 to 30 seconds, and separates it according to the hydrogen ion implantation layer 12 to form a bonded wafer 30. It is preferable to shorten the separation process time of the hydrogen ion implantation layer 12. When the hydrogen ion implantation layer 12 is formed, hydrogen ion implantation energy is implanted at a depth of about 10 KeV to 100 KeV, thereby implanting a very shallow depth from the surface of the donor wafer 10 to a depth of about 1,000 Pa to 10,000 Pa. Therefore, even if the heat treatment under a temperature raising condition of the high temperature furnace for less than 10 to 30 seconds, the separation of the hydrogen ion implantation layer occurs easily.
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상술한 본 발명인 실시예를 통하여 제조되어진 SOI웨이퍼는 후속 공정을 통하여 도 1e에 도시된 바와 같이 수소 이온 주입층(12)을 통하여 분리되어져 SOI웨이퍼의 상부면을 이루는 도너 웨이퍼 부분(10a)의 표면의 미소 거칠기를 향상시키는 것이 바람직하다. The SOI wafer manufactured through the embodiment of the present invention described above is separated through the hydrogen ion implantation layer 12 as shown in FIG. 1E through a subsequent process to form the top surface of the donor wafer portion 10a forming the upper surface of the SOI wafer. It is preferable to improve the micro roughness.
본 발명은 상술한 구성을 포함함으로서, 급속 고온 열처리 공정을 도입하여 수십 초의 극히 짧은 시간으로 SOI웨이퍼를 제조할 수 있는 방법을 제공하여, SOI웨이퍼의 제조에 소요되는 전체 공정 시간을 줄일 수 있게 되었다. By including the above-described configuration, the present invention provides a method for manufacturing a SOI wafer in a very short time of several tens of seconds by introducing a rapid high temperature heat treatment process, it is possible to reduce the overall process time required to manufacture the SOI wafer .
그리고, 수소 이온 주입층의 형성을 위한 수소 이온 주입량을 현저히 저농도로 줄이면서도, 급속 고온 열처리를 통하여 SOI웨이퍼를 제조할 수 있는 방법을 제공함으로서, 수소 이온 주입량의 감소에 따른 SOI웨이퍼의 제조 단가를 절감할 수 있게 되었다. In addition, by providing a method capable of manufacturing SOI wafers through rapid high temperature heat treatment while significantly reducing the hydrogen ion implantation amount for forming the hydrogen ion implantation layer, the cost of manufacturing SOI wafers according to the decrease of the hydrogen ion implantation amount is reduced. You can save.
도 1a 내지 도 1e는 SOI웨이퍼의 제조 공정의 각 단계를 나타내는 단면도.1A to 1E are cross-sectional views illustrating each step of the manufacturing process of the SOI wafer.
*도면의 주요 부분에 대한 부호 설명** Description of symbols on the main parts of the drawings *
10 : 도너 웨이퍼 11 : 산화막10 donor wafer 11: oxide film
12 : 수소 이온 주입층 20 : 핸들 웨이퍼 12 hydrogen ion implantation layer 20 handle wafer
30 : 접합 웨이퍼 30: bonded wafer
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