JPS63234589A - Multilayer interconnection board - Google Patents

Multilayer interconnection board

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JPS63234589A
JPS63234589A JP6808687A JP6808687A JPS63234589A JP S63234589 A JPS63234589 A JP S63234589A JP 6808687 A JP6808687 A JP 6808687A JP 6808687 A JP6808687 A JP 6808687A JP S63234589 A JPS63234589 A JP S63234589A
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multilayer wiring
wiring board
polyamide
formula
formulas
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尚 渡辺
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Nippon Steel Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
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    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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    • H05K3/46Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4644Manufacturing multilayer circuits by building the multilayer layer by layer, i.e. build-up multilayer circuits
    • H05K3/4673Application methods or materials of intermediate insulating layers not specially adapted to any one of the previous methods of adding a circuit layer
    • H05K3/4676Single layer compositions

Landscapes

  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は多層配線板に係り、さらに詳しくはカールが
なく、かつ、回路と絶縁材料との間の密着力に優れた多
層配線板に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Industrial Application Field] The present invention relates to a multilayer wiring board, and more particularly to a multilayer wiring board that is free from curling and has excellent adhesion between a circuit and an insulating material.

[従来の技術] 近年、電気機器や電子機器等においてその小型化、軽量
化あるいは組立作業の合理化等の要請が高まり、それに
使用される配線材料も小型化、高密度化の傾向にあり、
多層配線材料もその一つである。
[Prior Art] In recent years, there has been an increasing demand for electrical and electronic equipment to be smaller and lighter, and to streamline assembly work, and the wiring materials used therein are also becoming smaller and more dense.
Multilayer wiring materials are one of them.

従来、多層配線板、例えばプリント回路基板においては
リジッドタイプが主であり、ガラスエポキシ及びガラス
ポリイミド等が用いられている。
Conventionally, multilayer wiring boards, such as printed circuit boards, are mainly of rigid type, and glass epoxy, glass polyimide, and the like are used.

しかしながら、これらの多層配線板は、可撓性がなく、
しかも多層化に伴なって基板の厚さや重量が増加し、そ
の使用範囲が限定されるという問題があった。
However, these multilayer wiring boards are not flexible and
Moreover, as the number of layers increases, the thickness and weight of the substrate increases, which limits the scope of its use.

一方、フレキシブル配線板は、可撓性に優れていると共
に軽量であり、電気機器や電子機器の小型化や薄層化等
に大いに貢献しているが、今だ一層又は二層タイプのも
のしか実用化されておらず、それ以上の多層化が大きな
課題となっている。
On the other hand, flexible wiring boards have excellent flexibility and are lightweight, and have greatly contributed to the miniaturization and thinning of electrical and electronic devices, but so far only single-layer or double-layer types are available. It has not been put into practical use, and creating even more layers is a major challenge.

ところで、フレキシブル配線板における三層以上の多層
化の技術としては種々の方法か提案されており、例えば
絶縁体上に回路を形成した後にBステージのポリイミド
フィルム及び導体を積み重ねる方法(1984,8,2
7の日経エレクトロニス)、絶縁体上に形成された回路
上にポリイミド等の耐熱性樹脂をコーティングした後、
真空鍍金法、電気鍍金法等により回路を形成する方法(
特開昭61−212,096号公報)等が提案されてい
る。
By the way, various methods have been proposed as techniques for multilayering three or more layers in a flexible wiring board. For example, a method is proposed in which a circuit is formed on an insulator and then a B-stage polyimide film and a conductor are stacked (1984, 8). 2
7 Nikkei Electronics), after coating the circuit formed on the insulator with a heat-resistant resin such as polyimide,
A method of forming a circuit by vacuum plating method, electroplating method, etc.
Japanese Unexamined Patent Publication No. 61-212,096) and the like have been proposed.

[発明か解決しようとする問題点] しかしながら、上記いずれの方法においても、導体に比
べて絶縁層の線膨張係数か大きく、そのためにカールし
たり、特定の導体を必要としたり、あるいは、導体との
密着力が不足する等の理由で実用化までには至っていな
い。
[Problems to be solved by the invention] However, in any of the above methods, the coefficient of linear expansion of the insulating layer is larger than that of the conductor, resulting in curling, the need for a specific conductor, or the need for a conductor. It has not been put into practical use due to reasons such as insufficient adhesion.

一方、集積回路においてもその回路上に多層の配線層を
設ける場合があるが、その場合にも層間絶縁膜に用いる
樹脂の線膨張係数が大きいためにアルミ配線を断線させ
たり、回路に支障をきたす場合が児受けられた。
On the other hand, even in integrated circuits, multiple wiring layers are sometimes provided on the circuit, but even in this case, the resin used for the interlayer insulating film has a large coefficient of linear expansion, which can cause disconnections in the aluminum wiring or other problems in the circuit. The child was admitted when the child was born.

そこで、本発明者は、上記のような問題を解決すべく鋭
意研究を重ねた結果、特定の構造を有するポリアミドイ
ミド樹脂が低熱膨張性でかつ導体との密着力に優れてい
ることを見出し、本発明を完成した。
Therefore, as a result of intensive research to solve the above-mentioned problems, the present inventor discovered that polyamide-imide resin having a specific structure has low thermal expansion and excellent adhesion to conductors. The invention has been completed.

従って、本発明の目的は、低熱膨張性でかつ導体との密
着力に優れた耐熱樹脂を使用し、カールかなく、信頼性
の高い多層配線板を提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to provide a highly reliable multilayer wiring board that does not curl and uses a heat-resistant resin that has low thermal expansion and excellent adhesion to conductors.

[問題点を解決するための手段] すなわち、本発明は、複数の絶縁層と複数の回路層を有
する多層配線板において、上記絶縁層の少くとも一つの
層が下記一般式(I> のいずれかで示される基(但し、式中R1〜R8は低級
アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲンを示し互い
に同じであっても異なっていてもよく、= 6− 01〜08はO〜4の整数を示す)であり、Ar2は4
価の芳香族残塁である〕で表される構成単位を有するポ
リアミドイミド樹脂を含有する多層配線板である。
[Means for Solving the Problems] That is, the present invention provides a multilayer wiring board having a plurality of insulating layers and a plurality of circuit layers, in which at least one of the insulating layers has any of the following general formulas (I>). a group represented by ), and Ar2 is 4
This is a multilayer wiring board containing a polyamide-imide resin having a structural unit represented by the following formula.

本発明において、絶縁層に用いられる低熱膨張性の樹脂
としては上記一般式(I>で示されるポリアミドイミド
樹脂が使用される。
In the present invention, a polyamideimide resin represented by the above general formula (I>) is used as the low thermal expansion resin used for the insulating layer.

このポリアミドイミド樹脂は下記一般式で示さく但し、
式中旧〜R8及びn1〜n8は前記と同じである)と芳
香族テトラカルボン酸二無水物を主原料とし、これらを
反応させて得られる。
This polyamide-imide resin is shown by the following general formula, however,
(in the formula, R8 to R8 and n1 to n8 are the same as above) and an aromatic tetracarboxylic dianhydride are used as main raw materials and are obtained by reacting them.

ジアミン成分に置換基として導入可能な低級アルキル基
及び低級アルコキシ基は好ましくは炭素数10未満のも
のであり、10以上であると低熱膨張化か困難である。
The lower alkyl group and lower alkoxy group that can be introduced as a substituent into the diamine component preferably have less than 10 carbon atoms, and if they have 10 or more carbon atoms, it is difficult to achieve low thermal expansion.

ジアミン成分として、好ましくは4.4゛−ジアミノベ
ンズアニリド、4,3°−ジアミノベンズアニリド、3
,4°−ジアミノベンズアニリド及びそれらの置換誘導
体である。置換基はメチル基、エチル基、プロピル基、
メトキシ基、エトキシ基、フッ素、塩素、臭素等が好ま
しい。
As the diamine component, preferably 4,4'-diaminobenzanilide, 4,3'-diaminobenzanilide, 3
, 4°-diaminobenzanilide and substituted derivatives thereof. Substituents are methyl group, ethyl group, propyl group,
Preferred are methoxy group, ethoxy group, fluorine, chlorine, bromine and the like.

そして、より好ましくは、得られる樹脂の導体との密着
力及び吸水率の点から、下記一般式(但し、式中R9〜
R12は低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン
又は水素を示し、そのうちの少くとも一つはメトキシ基
である)のジアミン化合物であり、さらに好ましくは、
2−メトキシ−4,4°−ジアミノベンズアニリドであ
る。このようなジアミン化合物を2種以上同時に使用し
ても差し支えない。
More preferably, the following general formula (where R9 to
R12 represents a lower alkyl group, a lower alkoxy group, halogen or hydrogen, at least one of which is a methoxy group), and more preferably,
2-methoxy-4,4°-diaminobenzanilide. Two or more such diamine compounds may be used simultaneously.

芳香族テトラカルボン酸二無水物とは、(但し、式中A
r2は前記と同じである)で表されるものであり、ピロ
メリット酸二無水物、3.3’、4.4°−ビフェニル
テトラカルボン酸二無水物、3,3゜、4,4−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、3.3°、4,4
°−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物を挙
げることができる。低熱膨張化効果としては、ピロメリ
ット酸二無水物が好ましいが、2種以上のテトラカルボ
ン酸二無水物を物性の向上や接着性の向上管を目的とし
て使用してもよい。
Aromatic tetracarboxylic dianhydride is (however, in the formula A
r2 is the same as above), pyromellitic dianhydride, 3.3', 4.4°-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3°, 4,4- Benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3.3°, 4,4
Mention may be made of °-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride. Pyromellitic dianhydride is preferred for its low thermal expansion effect, but two or more types of tetracarboxylic dianhydride may be used for the purpose of improving physical properties or improving adhesiveness of the tube.

重合反応は、N−メチル−2−ピロリドン(NMP>、
N、N−ジメチルホルムアミド(DMF>、N、N−ジ
メチルアセトアミド(DMAC)、ジメチルスルフオキ
シド(DMSO)、硫酸ジメチルスルホラン、ブチロラ
クトン、クレゾール、ハロゲン化フェノール、ダイグラ
イム等の溶媒中でO〜200℃の範囲で行なわれ、これ
によってポリアミドイミド前駆体溶液が得られるが、反
応溶媒についてはその反応性の点から好ましくはDMA
Cであり、また、反応温度については、重合反応中イミ
ド化反応が進行すると本発明に使用する低熱膨張性樹脂
を得るのが困難になるため、好ましくはO〜1oo°c
の範囲である。
The polymerization reaction involves N-methyl-2-pyrrolidone (NMP>,
O to 200°C in a solvent such as N,N-dimethylformamide (DMF>, N,N-dimethylacetamide (DMAC), dimethylsulfoxide (DMSO), dimethylsulfolane sulfate, butyrolactone, cresol, halogenated phenol, diglyme, etc.) A polyamide-imide precursor solution is thereby obtained, but the reaction solvent is preferably DMA from the viewpoint of reactivity.
C, and the reaction temperature is preferably 0 to 10°C, since it becomes difficult to obtain the low thermal expansion resin used in the present invention when the imidization reaction progresses during the polymerization reaction.
is within the range of

本発明においては、このようにして得られたポリアミッ
ク酸であるポリアミドイミド前駆体溶液を通常回路基板
上に塗布した後、乾燥及びイミド化反応を行うが、その
一般式(I>で示されるポリアミドイミドの構成単位が
好ましくは50モル%以上、より好ましくは60モル%
以以上源れているのがよい。50モル%より少ないと低
熱膨張化効果か少なくなってカールの少ない多層配線板
を得るのが困難になる場合がある。
In the present invention, the polyamide-imide precursor solution, which is the polyamic acid obtained in this way, is usually applied onto a circuit board and then dried and imidized. The imide structural unit is preferably 50 mol% or more, more preferably 60 mol%
It is good to have more than one source. If it is less than 50 mol %, the effect of lowering thermal expansion will be reduced and it may be difficult to obtain a multilayer wiring board with little curl.

その他の構成単位については、種々のジアミン、テトラ
カルボン酸化合物を用いて、コポリメリゼーションある
いは別途合成したポリイミド又はその前駆体及びポリア
ミドイミド等をブレンドすることができる。
As for other structural units, various diamines and tetracarboxylic acid compounds can be used to copolymerize or separately synthesized polyimide or its precursor, polyamideimide, etc. can be blended.

具体的に例を挙げると、p−フェニレンジアミン、■−
フェニレンジアミン、4,4゛−ジアミノジフェニルエ
ーテル、4,4゛−ジアミノジフェニルメタン、3.3
°−ジメチル−4,4゛−ジアミノジフェニルメタン、
2.2−ヒス(4−(4−7ミノフエノキシ)フェニル
)プロパン、1,2−ビス(アニリノ)エタン、ジアミ
ノジフェニルスルホン、ジアミノジフェニルスルフィド
、ジアミノベンゾエート、2,2−ビス(叶アミノフェ
ニル)プロパン、2.2−ビス(叶アミノフ■ニル)へ
キサフルオロプロパン、1.5−ジアミノナフタレン、
ジアミノトルエン、ジアミノベンシトリフルオライド、
1,4−ビス(p−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,
4°−ビス(p−7ミノフエノキシ)ビフェニル、ジア
ミノアントラキノン、4.4“−ビス(3−アミノフェ
ノキシフェニル)ジフェニルスルホン、1,3−ビス(
アニリノ)へキサフルオロプロパン、1,4−ビス(ア
ニリノ)オクタフルオロブタン、1,5−ビス(アニリ
ノ〉デカフルオロペンタン、1,7−ビス(アニリノ)
テトラデカフルオロへブタン、一般式 (但し、式中口4及びR16は2価の有機基であり、R
13及び旧5は1価の有機基であり、p及びqは1より
大きい整数である)で示されるジアミノシロキサン、2
,2−ビス(4−(p−アミノフェノキシ)フェニル)
へキサフルオロゾロパン、2,2−ビス(4−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル)へキサフルオロプロパン、
2,2−ビス(4−(2−アミノフェノキシ)フェニル
)へキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−(4−
アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル)へキ
サフルオロプロパン、2,2−じ′ス(4−(4−アミ
ノフェノキシ)−3,5−ジトリフルオロメヂルフェニ
ル)へキサフルオロプロパン、p−ビス(4−アミノ−
2−トリフルオロメチルフェノキシ)ベンゼン、4,4
°−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノ
キシ)ビフェニル、4,4“−ビス(4−アミノ−3−
トリフルオロメチルフェノキシ)ビフェニル、4,4°
−ビス(4−アミノ−2−トリフルオロメチルフェノキ
シ)ジフェニルスルホン、4゜4°−ビス(3−アミノ
−5−トリフルオロメチルフェノキシ)ジフェニルスル
ホン、2,2−ビス(4−(4−アミノ−3−トリフル
オロメチルフェノキシ)フェニル)へキサフルオロプロ
パン、ベンジジン、3゜3°、5,5°−テトラメチル
ベンジジン、オクタフルオロベンジジン、3,3°−メ
トキシベンジジン、叶トリジン、…−トリジン、2.2
’、5,5°、6.6’−へキサフルオロトリジン、4
.4”−ジアミノターフェニル、4.4°°°−ジアミ
ノクォーターフェニル等のジアミン類、並びにこれらジ
アミンとホスゲン等の反応によって得られるジイソシア
ネート類がある。
Specific examples include p-phenylenediamine, ■-
Phenyl diamine, 4,4゛-diaminodiphenyl ether, 4,4゛-diaminodiphenylmethane, 3.3
°-dimethyl-4,4゛-diaminodiphenylmethane,
2.2-his(4-(4-7minophenoxy)phenyl)propane, 1,2-bis(anilino)ethane, diaminodiphenylsulfone, diaminodiphenylsulfide, diaminobenzoate, 2,2-bis(anominophenyl)propane , 2.2-bis(aminophenyl)hexafluoropropane, 1.5-diaminonaphthalene,
Diaminotoluene, diaminobencytrifluoride,
1,4-bis(p-aminophenoxy)benzene, 4,
4°-bis(p-7minophenoxy)biphenyl, diaminoanthraquinone, 4.4″-bis(3-aminophenoxyphenyl)diphenylsulfone, 1,3-bis(
Anilino)hexafluoropropane, 1,4-bis(anilino)octafluorobutane, 1,5-bis(anilino)decafluoropentane, 1,7-bis(anilino)
Tetradecafluorohebutane, general formula (however, formula Nakaguchi 4 and R16 are divalent organic groups, R
13 and old 5 are monovalent organic groups, p and q are integers larger than 1) Diaminosiloxane, 2
,2-bis(4-(p-aminophenoxy)phenyl)
Hexafluorozolopane, 2,2-bis(4-(3-aminophenoxy)phenyl)hexafluoropropane,
2,2-bis(4-(2-aminophenoxy)phenyl)hexafluoropropane, 2,2-bis(4-(4-
Aminophenoxy)-3,5-dimethylphenyl)hexafluoropropane, 2,2-di's(4-(4-aminophenoxy)-3,5-ditrifluoromedylphenyl)hexafluoropropane, p- Bis(4-amino-
2-trifluoromethylphenoxy)benzene, 4,4
°-Bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)biphenyl, 4,4"-bis(4-amino-3-
trifluoromethylphenoxy)biphenyl, 4,4°
-bis(4-amino-2-trifluoromethylphenoxy)diphenylsulfone, 4°4°-bis(3-amino-5-trifluoromethylphenoxy)diphenylsulfone, 2,2-bis(4-(4-amino) -3-trifluoromethylphenoxy)phenyl)hexafluoropropane, benzidine, 3°3°, 5,5°-tetramethylbenzidine, octafluorobenzidine, 3,3°-methoxybenzidine, Kano tolidine, ...-tolidine, 2.2
', 5,5°, 6.6'-hexafluorotridine, 4
.. There are diamines such as 4''-diaminoterphenyl and 4.4°°°-diaminoquaterphenyl, and diisocyanates obtained by reacting these diamines with phosgene.

また、テトラカルボン酸並び゛にその誘導イ水としては
、次のようなものが挙げられる。ここではテトラカルボ
ン酸として例示するか、これらのニスチル化物、酸無水
物、酸塩化物も勿論使用できる。
Examples of tetracarboxylic acids and their derivatives include the following. Here, it is exemplified as a tetracarboxylic acid, and of course, nistylated products, acid anhydrides, and acid chlorides thereof can also be used.

2、3.3°、4°−ジフェニルエーテルテトラカルボ
ン2、3.3’,4“−ベンゾフェノンテトラカルボン
酸、2。
2, 3.3°, 4°-diphenyl ether tetracarboxylic acid, 2, 3.3′,4″-benzophenone tetracarboxylic acid, 2.

3、 6. 7−ナフタレンテトラカルボン酸、1,4
,5.7−ナフタレンテトラカルボン酸、1,2,5.
6−ナフタレンテトラカルボン酸、3.3’.4、4°
−ジフェニルメタンテトラカルボン酸、2.2−ビス(
3,4−ジカルボキシフェニル)プロパン、2,2−ビ
ス(3,4−ジカルボキシフェニル)へキサフルオロプ
ロパン、3,4,9.10−テトラカルボキシペリレン
、2,2−ビス(4−(3。
3, 6. 7-naphthalenetetracarboxylic acid, 1,4
, 5.7-naphthalenetetracarboxylic acid, 1,2,5.
6-naphthalenetetracarboxylic acid, 3.3'. 4,4°
-diphenylmethanetetracarboxylic acid, 2,2-bis(
3,4-dicarboxyphenyl)propane, 2,2-bis(3,4-dicarboxyphenyl)hexafluoropropane, 3,4,9.10-tetracarboxyperylene, 2,2-bis(4-( 3.

4−ジカルボキシフェノキシ)フェニル)プロパン、2
、2−ビス(4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ〉
〕■ニル)へキサフルオロプロパン、ブタンテトラカル
ボン酸、シクロペンタンテトラカルボン酸等がある。ま
た、トリメリット酸及びその誘導体も挙げられる。
4-dicarboxyphenoxy)phenyl)propane, 2
, 2-bis(4-(3,4-dicarboxyphenoxy)
]■)Hexafluoropropane, butanetetracarboxylic acid, cyclopentanetetracarboxylic acid, etc. Also included are trimellitic acid and its derivatives.

また、反応性官能基を有する化合物で変性し、架橋構造
やラダー構造を導入することもできる。
Furthermore, it is also possible to introduce a crosslinked structure or ladder structure by modifying with a compound having a reactive functional group.

例えば、次のような方法がある。For example, there are the following methods.

m  一般式 %式% (但し、式中R17は2+X価の芳香族有機基であり、
ZはNH2基、C0NI−12基、5O2NI−42基
から選ばれた基であってアミン基に対してオルト位であ
り、Xは1又は2である)で表される化合物で変性する
ことによって、ピロロン環やイソインドロキナゾリンジ
オン環等を導入する。
m general formula % formula % (wherein R17 is a 2+X-valent aromatic organic group,
Z is a group selected from NH2 group, C0NI-12 group, and 5O2NI-42 group and is ortho to the amine group, and X is 1 or 2. , a pyrrolone ring, an isoindoquinazolinedione ring, etc. are introduced.

(ii)  重合性不飽和結合を有するアミン、ジアミ
ン、ジカルボン酸、トリカルボン酸、テトラカルボン酸
の誘導体で変性して、硬化時に橋かけ構造を形成する。
(ii) Modify with an amine, diamine, dicarboxylic acid, tricarboxylic acid, or tetracarboxylic acid derivative having a polymerizable unsaturated bond to form a crosslinked structure upon curing.

不飽和化合物としては、マレイン酸、ナジック酸、テト
ラヒドロフタル酸、エチニルアニリン等が使用できる。
As the unsaturated compound, maleic acid, nadic acid, tetrahydrophthalic acid, ethynylaniline, etc. can be used.

(iii)フェノール性水酸基あるいはカルボン酸を有
する芳香族アミンで変性し、この水酸基又はカルボキシ
ル基と反応し得る橋かけ剤を用いて網目構造を形成する
(iii) It is modified with an aromatic amine having a phenolic hydroxyl group or a carboxylic acid, and a network structure is formed using a crosslinking agent that can react with the hydroxyl group or carboxyl group.

前記各成分を用いて変性することにより、線膨張係数を
調整することができる。すなわち、一般 15一 式(I>の構造のみからなるポリアミドイミド樹脂はl
X10−5に一1以下の線膨張係数を有する絶縁層を形
成可能であるが、これを上記各成分により変性すること
により、線膨張係数を任意に大きくすることができ、回
路導体の線膨張係数に近づけることが可能である。
The coefficient of linear expansion can be adjusted by modifying using each of the above components. That is, a polyamide-imide resin consisting only of the structure of General 15 (I>) is
Although it is possible to form an insulating layer having a linear expansion coefficient of 11 or less on It is possible to approximate the coefficient.

本発明におけるカールの少ない多層配線板を得るにはポ
リアミドイミド前駆体の形で回路上に塗布することが望
ましい。通常のポリアミドイミド溶液を塗布しても低熱
膨張性の絶縁層は得られない。塗布方法は任意の方法を
とることが可能である。
In order to obtain a multilayer wiring board with less curl according to the present invention, it is desirable to apply it on the circuit in the form of a polyamideimide precursor. Even if a normal polyamide-imide solution is applied, an insulating layer with low thermal expansion cannot be obtained. Any coating method can be used.

溶媒乾燥温度、イミド化温度は任意に選択可能である。The solvent drying temperature and imidization temperature can be arbitrarily selected.

溶媒乾燥温度は好ましくは150℃以下であり、さらに
好ましくは130℃以下である。
The solvent drying temperature is preferably 150°C or lower, more preferably 130°C or lower.

イミド化温度は通常その最高熱処理温度が200°C以
上、好ましくは300 ’C以上である。
The maximum imidization temperature is usually 200°C or higher, preferably 300°C or higher.

一方、前述のポリアミドイミド前駆体溶液をガラス板や
研磨した金属板等に任意の方法で塗布し、溶媒を一部若
しくは全部乾燥した後、剥離してポリアミック酸フィル
ムを得、このフィルムを回路上に常圧もしくは減圧で圧
着し、さらに加熱してイミド化反応を行い、絶縁層とす
ることも可能である。この際の溶媒乾燥温度、イミド化
温度は任意に選択可能である。溶媒乾燥温度は好ましく
は150°C以下であり、より好ましくは130℃以下
である。イミド化温度は最高熱処理温度が通常200℃
以上、好ましくは300℃以上である。
On the other hand, the aforementioned polyamide-imide precursor solution is applied to a glass plate, a polished metal plate, etc. by any method, and after drying some or all of the solvent, it is peeled off to obtain a polyamic acid film, and this film is used on a circuit. It is also possible to form an insulating layer by pressing the film under normal pressure or reduced pressure and further heating to perform an imidization reaction. The solvent drying temperature and imidization temperature at this time can be arbitrarily selected. The solvent drying temperature is preferably 150°C or lower, more preferably 130°C or lower. The maximum heat treatment temperature for imidization is usually 200℃.
The temperature is preferably 300°C or higher.

また、圧着の際の密着力を上げるために界面に種々の溶
媒を存在させて圧着しても差し支えない。
Furthermore, in order to increase the adhesion force during pressure bonding, various solvents may be present at the interface and pressure bonded.

本発明では、このようにして形成した絶縁層上にざらに
回路層を形成するわけであるが、その導体としては銅、
アルミニウム、鉄、金銀、パラジウム、ニッケル、クロ
ム、モリブデン又はそれらの合金等が挙げられ、好まし
くは銅である。
In the present invention, a circuit layer is roughly formed on the insulating layer formed in this way, and the conductor is copper,
Examples include aluminum, iron, gold and silver, palladium, nickel, chromium, molybdenum, and alloys thereof, with copper being preferred.

そして、導体を絶縁層上へ付着させる方法については任
意の方法が可能であり、例えば銅の場合を例にして説明
すると、 ■銅を蒸着で絶縁層上に析出させた後、電解で銅層を基
板に使用できる厚さになるまで析出させる方法、 ■絶縁層上に化学的又は物理的にパラジウム等の白金属
を付着させ、その上に無電解鍍金法によって銅層を形成
し、さらに電解によって銅層を厚くする方法、 ■スパッタリング法で銅を絶縁層上に析出させた後、電
解で銅層を基板に使用できる厚さになるまで析出させる
方法、 ■絶縁層を軟化又は膨潤粗面化して調筋を圧着する方法
、等がある。
Any method can be used to attach the conductor onto the insulating layer. For example, in the case of copper, the following can be explained: ■ Copper is deposited on the insulating layer by vapor deposition, and then the copper layer is deposited by electrolysis. A method in which platinum metal such as palladium is chemically or physically deposited on the insulating layer to a thickness that can be used on a substrate, a copper layer is formed on top of it by electroless plating, and then electrolytically deposited. ■ A method of depositing copper on an insulating layer using a sputtering method, and then depositing the copper layer by electrolysis to a thickness that can be used for a substrate. ■ A method of softening or swelling the insulating layer to a rough surface. There are several methods, such as crimping the reinforcing bars.

ざらに、回路の形成は、導体を一つの面に形成してエツ
チング加工する方法、導体を回路の形状に合わせて形成
する方法等、いずれの方法も可能である。また、加工上
安価な方法として導電性ペーストで回路を形成すること
も可能である。
Generally speaking, the circuit can be formed by any method, such as forming the conductor on one surface and etching it, or forming the conductor to match the shape of the circuit. Furthermore, it is also possible to form a circuit using conductive paste as a method of processing at low cost.

本発明の多層配線板は、このようにして複数層の絶縁層
と複数層の回路層を形成するわけであるが、絶縁層のう
ち少くとも一層が上記ポリアミドイミド樹脂を含有する
ことか必須である。他の絶縁層は任意であるが好ましく
は中間層である絶縁層はこの低熱膨張性樹脂であること
がそのカール防止の点で特に好ましい。
The multilayer wiring board of the present invention has a plurality of insulating layers and a plurality of circuit layers formed in this way, but it is essential that at least one of the insulating layers contains the above polyamide-imide resin. be. Although other insulating layers are optional, it is particularly preferable that the insulating layer, which is an intermediate layer, be made of this low thermal expansion resin from the viewpoint of preventing curling.

本発明の多層配線板は、このようにして何層もの多層化
が実現可能であり、例えば市販のポリイミドフィルムに
対して本発明の多層化技術を用いればフレキシブルタイ
プの多層配線板が得られ、また、例えばガラスエポキシ
板に対して本発明の多層化技術を用いれば従来にない薄
層型のリジットタイプの多層配線板が得られる。
The multilayer wiring board of the present invention can be multilayered in this way. For example, if the multilayer technology of the present invention is applied to a commercially available polyimide film, a flexible type multilayer wiring board can be obtained. Furthermore, if the multilayer technology of the present invention is applied to, for example, a glass epoxy board, an unprecedented thin-layer rigid type multilayer wiring board can be obtained.

また、スルーホール等の任意の回路加工を各段階で施し
ても何等差し支えなく、集積回路上の多層配線層として
使用しでも差し支えない。
Further, there is no problem in performing arbitrary circuit processing such as through holes at each stage, and there is no problem in using it as a multilayer wiring layer on an integrated circuit.

さらに、絶縁層/回路層若しくは絶縁層/絶縁層間の密
着力を上げるために、サイディング、アルミニウムアル
コラード、アルミニウムキレート、シランカップリン剤
、又はヒドラジン等のアルカリ処理等によって機械的、
化学的表面処理を施したり、コロナ放電処理、低温プラ
ズマ放電処理等、電気的表面処理を施してもよい。
Furthermore, in order to increase the adhesion between the insulating layer/circuit layer or between the insulating layer/insulating layer, mechanical treatment, such as siding, aluminum alcoholade, aluminum chelate, silane coupling agent, or alkali treatment with hydrazine, etc.
A chemical surface treatment or an electrical surface treatment such as a corona discharge treatment or a low-temperature plasma discharge treatment may be performed.

本発明において、より線膨張係数を下げたり、より弾性
率を上げたり、流動性をコントロールしたり、あるいは
、低コスト化(るために、無機質、有機質又は金属等の
粉末、I#ft、チョツプドストランド等を絶縁層に混
合してもよい。
In the present invention, in order to lower the coefficient of linear expansion, increase the modulus of elasticity, control fluidity, or reduce costs, powders such as inorganic, organic, or metal powders, I#ft, etc. Pud strands or the like may be mixed into the insulating layer.

[作 用] 本発明の多層配線板は、密着力に優れた低熱膨張性樹脂
が使用されているため、カールがなく信頼性の高い多層
配線板となる。
[Function] Since the multilayer wiring board of the present invention uses a low thermal expansion resin with excellent adhesion, the multilayer wiring board is curl-free and highly reliable.

[実施例] 以下、ポリアミドイミド前駆体の合成例、これを使用し
た実施例及び比較例に基いて、本発明を具体的に説明す
る。
[Example] The present invention will be specifically described below based on a synthesis example of a polyamideimide precursor, an example using the same, and a comparative example.

導体の形成方法は、スパッタリング法により絶縁層上に
2,0OOA程度の斥さの銅層を形成し、さらにその上
に電解法によって銅を析出させ、厚さ15μの銅層を形
成し、これを塩化第2鉄溶液で任意の形状にエツチング
し、回路層とした。
The method for forming the conductor is to form a copper layer with a repulsion of about 2,000A on the insulating layer by sputtering, and then deposit copper on top of it by electrolysis to form a 15μ thick copper layer. was etched into an arbitrary shape with a ferric chloride solution to form a circuit layer.

密着力の測定方法は、幅10mmのサンプルの銅層を1
80°方向に50mm1分の速度で絶縁層より剥離して
引っ張り試験を行い密着力を求めた。
The method for measuring adhesion is to measure the copper layer of a sample with a width of 10 mm.
The adhesive was peeled off from the insulating layer at a speed of 50 mm/minute in the 80° direction, and a tensile test was performed to determine the adhesion.

= 20− 線膨張係数は、イミド化反応が十分終了した試料を使用
し、サーモメカニカルアナライザー(TMA)を用いて
行ない、250’Cに昇温後10’C/分の速度で冷却
して240’Cから100’Cまでの平均の線膨張率を
線用した。
= 20 - The coefficient of linear expansion was measured using a thermomechanical analyzer (TMA) using a sample that had undergone sufficient imidization reaction, and was heated to 250'C and then cooled at a rate of 10'C/min to 240°C. The average coefficient of linear expansion from 'C to 100'C was used.

カールは、回路基板上に絶縁層を形成した後、50mm
×50mmの大きさに切出し、その曲率半径を求めて目
安とした。
After forming the insulating layer on the circuit board, the curl is 50mm
It was cut out to a size of 50 mm, and its radius of curvature was determined and used as a guide.

なお、各側における略号は次の通りである。The abbreviations on each side are as follows.

PHDA :ピロメリット酸二無水物 BPDA : 3.3°、4,4°−ビフェニルテトラ
カルボン酸二無水物 8TDA : 3.3°、4,4°−ベンゾフェノンテ
トラカルボン酸二無水物 CDI:  :4,4’−ジアミノジフェニルエーテル
DDH:4,4°〜ジアミノジフエニルメタン叶TLD
N : O−トリジン = 21− HoBA丁へ: BAPA :  ト12  N −ぐ=シーC0NH−
ぐ=シーNHCO舎NH2DHAc ニジメチルアセト
アミド NHP:N−メチル合成−ピロリドン 合成例1 温度計、塩化カルシウム管、撹拌棒及び窒素吸込口を取
付けた300dの4つ目フラスコに毎分200dの窒素
を流しながら、0.085モルのDAB八、0.015
モルのDDE及び170dのDHAcを加えて攪拌した
。DABAは溶解できなかった。この溶液を水冷浴中で
10’C以下に冷却しながら0゜1モルのPHDAを徐
々に加えたところ、DABAは徐々に溶解しながら重合
反応し、粘稠なポリアミック酸(ポリアミドイミド前駆
体)を得た。
PHDA: Pyromellitic dianhydride BPDA: 3.3°, 4,4°-biphenyltetracarboxylic dianhydride 8TDA: 3.3°, 4,4°-benzophenonetetracarboxylic dianhydride CDI: : 4 , 4'-diaminodiphenyl ether DDH: 4,4°~diaminodiphenylmethane Kano TLD
N: O-Tolidine = 21- To HoBA Ding: BAPA: To12 N -G=C0NH-
NHCOsha NH2DHAc Nidimethylacetamide NHP: N-Methyl Synthesis - Pyrrolidone Synthesis Example 1 Flow 200 d/min of nitrogen into a 300 d fourth flask equipped with a thermometer, calcium chloride tube, stirring rod, and nitrogen inlet. while 0.085 mol DAB8, 0.015
mol DDE and 170 d DHAc were added and stirred. DABA could not be dissolved. When this solution was cooled to below 10'C in a water cooling bath and 0.1 mole of PHDA was gradually added, DABA polymerized while gradually dissolving, forming a viscous polyamic acid (polyamideimide precursor). I got it.

合成例2 温度計、塩化カルシウム管、撹拌棒及び窒素吸込口を取
りイ」けた300dの4つロフラスコに毎分200dの
窒素を流しながら、0.075モルのHoDABA、及
び170dのDHAcを加えて攪拌した。
Synthesis Example 2 0.075 mol of HoDABA and 170 d of DHAc were added to a 300 d four-loop flask equipped with a thermometer, calcium chloride tube, stirring rod, and nitrogen inlet while flowing nitrogen at 200 d/min. Stirred.

)1oDABAはすべては溶解できなかった。この溶液
を水冷浴中で10’C以Fに冷却しながら、0.075
モルのP)ID八を徐々に加えたところ、)IODAB
八は徐々に溶解しながら重合反応し粘稠な溶液を得た。
) 1oDABA could not all be dissolved. While cooling this solution in a water cooling bath to below 10'C,
When mole P)ID8 was gradually added,)IODAB
8 underwent a polymerization reaction while gradually dissolving to obtain a viscous solution.

さらに0.025モルのDDE及び0.025モルのB
TDAをIJ口えさらに攪拌して、ブロックタイプのポ
リアミック酸(ポリアミドイミド前駆体)を得た。
Additionally 0.025 mol DDE and 0.025 mol B
TDA was further stirred using an IJ mouth to obtain a block type polyamic acid (polyamideimide precursor).

合成例3〜5 合成例2において、MODAB^の代わりに)IDAB
A 。
Synthesis Examples 3 to 5 In Synthesis Example 2, IDAB instead of MODAB^
A.

)1oBATA、 BAPAをそれぞれ使用し、ポリア
ミック酸を製造した。
) 1oBATA and BAPA were used to produce polyamic acid.

合成例6 0.1モルの4,3°−NoDABAと0.1モルのP
HDAを使用し、合成例1と同様に反応させてポリアミ
ツク酸を製造した。
Synthesis Example 6 0.1 mol of 4,3°-NoDABA and 0.1 mol of P
Polyamic acid was produced by reacting HDA in the same manner as in Synthesis Example 1.

実施例1 厚さ25μ瓦の市販ポリイミドフィルム(ユーピレック
スS:登録商標)上に回路層を形成し、その上に合成例
1の樹脂溶液を塗工し、90°Cの熱風乾燥機で30分
間乾燥した後、130℃で10分、150°Cで10分
、250’Cで3分、300′Cで3分の各熱処理を行
ってイミド化反応をさせ、厚さ25μの絶縁層を形成し
た。この基板はカールかほとんど認められず平らなもの
であった。
Example 1 A circuit layer was formed on a commercially available polyimide film (Upilex S: registered trademark) with a thickness of 25μ, and the resin solution of Synthesis Example 1 was applied thereon, and dried in a hot air dryer at 90°C for 30 minutes. After drying, heat treatment was performed at 130°C for 10 minutes, 150°C for 10 minutes, 250'C for 3 minutes, and 300'C for 3 minutes to cause an imidization reaction and form an insulating layer with a thickness of 25μ. did. This substrate was flat with almost no curls observed.

ざらに、この絶縁層上に導体として厚さ15μの銅層を
設け、この銅層をエツチングして回路層とし、さらに同
様にして回路層2層及び絶縁層2層を有するフレキシブ
ル多層配線板を得た。得られたフレキシブル多層配線板
について、そのカール曲率半径、密着力及び熱膨張係数
を調べた。結果を第1表に示す。
Roughly, a 15μ thick copper layer was provided as a conductor on this insulating layer, this copper layer was etched to form a circuit layer, and a flexible multilayer wiring board having two circuit layers and two insulating layers was fabricated in the same manner. Obtained. The resulting flexible multilayer wiring board was examined for its curl radius, adhesion, and coefficient of thermal expansion. The results are shown in Table 1.

実施例2〜6 合成例2〜6の樹脂溶液を使用し、上記実施例1と同様
にしてフレキシブル多層配線板を得た。
Examples 2 to 6 Flexible multilayer wiring boards were obtained in the same manner as in Example 1 using the resin solutions of Synthesis Examples 2 to 6.

= 24− 得られた各実施例のフレキシブル多層配線板について、
そのカール曲率半径、密着力及び熱膨張係数を調べた。
= 24- Regarding the obtained flexible multilayer wiring boards of each example,
Its curl curvature radius, adhesion force, and thermal expansion coefficient were investigated.

結果を第1表に示す。The results are shown in Table 1.

実施例7 厚さ25μmの市販ポリイミドフィルム(ユーピレック
スS)上に回路層を形成し、合成例2の樹脂溶液をその
上に塗工し、実施例1と同様に熱処理して絶縁層を形成
し、さらにこの上に銅層を設け、エツチングして回路層
とした。さらにその上に同じ樹脂溶液を使用して再度絶
縁層を設け、その上に回路層を形成した。このような操
作を10回繰返し、多層配線板を作製した。
Example 7 A circuit layer was formed on a commercially available polyimide film (Upilex S) with a thickness of 25 μm, the resin solution of Synthesis Example 2 was applied thereon, and an insulating layer was formed by heat treatment in the same manner as in Example 1. A copper layer was then formed on top of this and etched to form a circuit layer. Furthermore, an insulating layer was provided again using the same resin solution, and a circuit layer was formed thereon. This operation was repeated 10 times to produce a multilayer wiring board.

このようにして得られた多層配線板はカールもなく、か
つ、フレキシビリティも高いものであった。また、この
絶縁層の線膨張率を測定したところ7 X 10−6(
k−1>であった。
The multilayer wiring board thus obtained was free from curling and had high flexibility. In addition, when the linear expansion coefficient of this insulating layer was measured, it was 7 x 10-6 (
k-1>.

比較例1 合成例1と同様に、0.1モルのDDEと0.1モルの
PHDAを反応させてポリアミック酸を得た。
Comparative Example 1 Similarly to Synthesis Example 1, 0.1 mol of DDE and 0.1 mol of PHDA were reacted to obtain polyamic acid.

この樹脂溶液を使用し、実施例1と同様にしてフレキシ
ブル多層配線板を得た。得られたフレキシブル多層配線
板について、そのカール曲率半径、密着力及び熱膨張係
数を調べた。結果を第1表に示す。
Using this resin solution, a flexible multilayer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1. The resulting flexible multilayer wiring board was examined for its curl radius, adhesion, and coefficient of thermal expansion. The results are shown in Table 1.

比較例2 合成例1と同様に、0.1モルのDDEと0.1モルの
BTDAを反応させてポリアミック酸を得た。
Comparative Example 2 In the same manner as in Synthesis Example 1, 0.1 mol of DDE and 0.1 mol of BTDA were reacted to obtain a polyamic acid.

この樹脂溶液を使用し、実施例1と同様にしてフレキシ
ブル多層配線板を得た。得られたフレキシブル多層配線
板について、そのカール曲率半径、密着力及び熱膨張係
数を調べた。結果を第1表に示す。
Using this resin solution, a flexible multilayer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1. The resulting flexible multilayer wiring board was examined for its curl radius, adhesion, and coefficient of thermal expansion. The results are shown in Table 1.

比較例3 合成例1と同様に、0.1モルのo−TI−DNと0゜
1モルのBPDAをNMP170d中で反応させてポリ
アミック酸を得た。
Comparative Example 3 In the same manner as in Synthesis Example 1, 0.1 mol of o-TI-DN and 0.1 mol of BPDA were reacted in NMP170d to obtain a polyamic acid.

この樹脂溶液を使用し、実施例1と同様にしてフレキシ
ブル多層配線板を得た。得られたフレキシブル多層配線
板について、そのカール曲率半径、密着力及び熱膨張係
数を調べた。結果を第1表に−26= 示す。
Using this resin solution, a flexible multilayer wiring board was obtained in the same manner as in Example 1. The resulting flexible multilayer wiring board was examined for its curl radius, adhesion, and coefficient of thermal expansion. The results are shown in Table 1.

第1表 実施例8 厚さ0.75mのガラスポリイミド銅張板をエツチング
して回路を形成した後、合成例2の樹脂溶液を使用し、
実施例1と同様にしてその上に絶縁層を設けた。ざらに
銅層を設け、エツチングして回路層とした。
Table 1 Example 8 After etching a 0.75 m thick glass polyimide copper clad plate to form a circuit, using the resin solution of Synthesis Example 2,
An insulating layer was provided thereon in the same manner as in Example 1. A copper layer was roughly formed and etched to form a circuit layer.

この上に同じ樹脂溶液を使用して再度絶縁層を 27一 般け、その−ヒに再度回路層を設けた。このような操作
を10回繰返し、反りのないリジットタイプの多層配線
板を得た。
On top of this, an insulating layer was again applied using the same resin solution, and a circuit layer was again provided on top of the insulating layer. This operation was repeated 10 times to obtain a rigid type multilayer wiring board without warping.

このリジット多層配線板は従来のものにくらべて非常に
薄く、かつ、軽量なものであった。
This rigid multilayer wiring board was much thinner and lighter than conventional ones.

[発明の効果] 本発明の多層配線板は、カールか少なく、かつ、層間の
密着力に優れており、信頼性の高いものである。
[Effects of the Invention] The multilayer wiring board of the present invention has less curling, excellent adhesion between layers, and is highly reliable.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)複数の絶縁層と複数の回路層を有する多層配線板
において、上記絶縁層の少くとも一つの層が下記一般式
( I ) ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) 〔但し、式中Ar1は下記一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ のいずれかで示される基(但し、式中R1〜R8は低級
アルキル基、低級アルコキシ基又はハロゲンを示し、互
いに同じであっても異なっていてもよく、n1〜n8は
0〜4の整数を示す)であり、Ar2は4価の芳香族残
基である〕で表される構成単位を有するポリアミドイミ
ド樹脂を含有することを特徴とする多層配線板。
(1) In a multilayer wiring board having multiple insulating layers and multiple circuit layers, at least one of the above insulating layers has the following general formula (I) ▲There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc.▼(I) [However, , in the formula, Ar1 is a group represented by any of the following general formulas ▲ Numerical formulas, chemical formulas, tables, etc. n1 to n8 are integers of 0 to 4), and Ar2 is a tetravalent aromatic residue. A multilayer wiring board featuring:
(2)ポリアミドイミド樹脂が下記一般式(II)▲数式
、化学式、表等があります▼(II) (但し、式中R1及びR2並びにn1及びn2は前記と
同じである)で表される構成単位を有するポリアミドイ
ミド樹脂である特許請求の範囲第1項記載の多層配線板
(2) Polyamide-imide resin has a structure represented by the following general formula (II) ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (II) (However, in the formula, R1 and R2 and n1 and n2 are the same as above) The multilayer wiring board according to claim 1, which is a polyamideimide resin having units.
(3)ポリアミドイミド樹脂が下記一般式(III)▲数
式、化学式、表等があります▼(III) (但し、式中R9〜R12は低級アルキル基、低級アル
コキシ基、ハロゲン又は水素を示し、そのうちの少くと
も一つはメトキシ基である)で表される構成単位を有す
るポリアミドイミド樹脂である特許請求の範囲第1項記
載の多層配線板。
(3) Polyamide-imide resin has the following general formula (III) ▲ There are mathematical formulas, chemical formulas, tables, etc. ▼ (III) (However, in the formula, R9 to R12 represent a lower alkyl group, a lower alkoxy group, a halogen, or hydrogen; 2. The multilayer wiring board according to claim 1, which is a polyamide-imide resin having a structural unit represented by (at least one of which is a methoxy group).
(4)ポリアミドイミド樹脂が下記一般式(IV)▲数式
、化学式、表等があります▼(IV) で表される構成単位を有するポリアミドイミド樹脂であ
る特許請求の範囲第1項記載の多層配線板。
(4) The multilayer wiring according to claim 1, wherein the polyamide-imide resin is a polyamide-imide resin having a structural unit represented by the following general formula (IV) ▲ Numerical formula, chemical formula, table, etc. ▼ (IV) Board.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06271673A (en) * 1993-03-22 1994-09-27 Tomoegawa Paper Co Ltd Siloxane-modified polyamide-imide resin and resin composition
JPH06271674A (en) * 1993-03-22 1994-09-27 Tomoegawa Paper Co Ltd Siloxane-modified polyamide-imide resin and resin composition
JP2003017857A (en) * 2001-04-27 2003-01-17 Kyocera Corp Manufacturing method of multilayer interconnection board
JP2003017850A (en) * 2001-04-27 2003-01-17 Kyocera Corp Method for manufacturing multilayer wiring board

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