JPS63166109A - 絶縁基板に導電性の印刷画像を施す方法及びそのための被覆材 - Google Patents
絶縁基板に導電性の印刷画像を施す方法及びそのための被覆材Info
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
- H05K2203/107—Using laser light
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は金属含有被覆材をエネルギー線の作用下に製造
すべき印刷画像に応じて基板上に転写し、化学的に金属
被覆することにより電気絶縁基板に導電性の印刷画像、
特に導電画像を施す方法、並びにこの種の印刷画像を電
気絶縁基板に施すための金属含有被覆材に関する。
すべき印刷画像に応じて基板上に転写し、化学的に金属
被覆することにより電気絶縁基板に導電性の印刷画像、
特に導電画像を施す方法、並びにこの種の印刷画像を電
気絶縁基板に施すための金属含有被覆材に関する。
導電画像の転写をレーザーを用いて行うこの種の導電性
基板への導電画像の設置法は、ドイツ連邦共和国の雑誌
「ガルバノテヒニク（Ｇａｌｖａｎｏｔｅｃｈｉｎｉｋ
） Ｊ第７７巻（１９８６）第１号、第５１頁〜第６０
頁からすでに公知である。基板としては接着剤を被覆さ
れたエポキシ樹脂−ベース材料を使用するが、この場合
にはベース材料をまず接着剤を粗面化するためにＮＨ，
１１食止めを用いてＳＯ１気相酸漬により前処理する０
次いで金属含有被覆材として例えば塩化クロム（Ｉ）、
シュウ酸ナトリウム及び塩化パラジウム（■）を含有す
るＣｒ （ＩＩＩ）光増感剤を基板に塗布する０次のレ
ーザーによる画像転写で導電画像域にＰｄ核が生じ、こ
の核は、Ｎ１−ｐで予備めっきしまた１ ００ ’Ｃ〜
１２０°Ｃで熱処理した後、化学的又は電気的に厚い銅
めっきを可能にする。特に寄生電流なしに作業する銅め
っき浴中での厚い銅めっき処理の場合一層長い露光時間
によりベース材料から接着剤層が溶離し、そのため析出
された導電路はその付着基材を失うことになる。
基板への導電画像の設置法は、ドイツ連邦共和国の雑誌
「ガルバノテヒニク（Ｇａｌｖａｎｏｔｅｃｈｉｎｉｋ
） Ｊ第７７巻（１９８６）第１号、第５１頁〜第６０
頁からすでに公知である。基板としては接着剤を被覆さ
れたエポキシ樹脂−ベース材料を使用するが、この場合
にはベース材料をまず接着剤を粗面化するためにＮＨ，
１１食止めを用いてＳＯ１気相酸漬により前処理する０
次いで金属含有被覆材として例えば塩化クロム（Ｉ）、
シュウ酸ナトリウム及び塩化パラジウム（■）を含有す
るＣｒ （ＩＩＩ）光増感剤を基板に塗布する０次のレ
ーザーによる画像転写で導電画像域にＰｄ核が生じ、こ
の核は、Ｎ１−ｐで予備めっきしまた１ ００ ’Ｃ〜
１２０°Ｃで熱処理した後、化学的又は電気的に厚い銅
めっきを可能にする。特に寄生電流なしに作業する銅め
っき浴中での厚い銅めっき処理の場合一層長い露光時間
によりベース材料から接着剤層が溶離し、そのため析出
された導電路はその付着基材を失うことになる。
雑誌「アイ・ビー・エム・テクニカル・ディスクロジュ
ア・ブレティン（ＩＢＭ ’１６（ｉｌＨｉｃａｌ Ｄ
ｉｓｃｌ。
ア・ブレティン（ＩＢＭ ’１６（ｉｌＨｉｃａｌ Ｄ
ｉｓｃｌ。
５ｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ ） 」第１５巻、第９号
、１９７３年、２月発行、第２８５５頁からセラミック
基板に導電画像を施す方法が公知であるが、この場合に
はまず金属含有熱可塑性粉末を未処理のセラミックに塗
布し、引続き所望の導電画像に対応して゛レーザー光線
の作用下に曝す。このレーザー光線により熱可塑性の相
は溶解し、その結果金属粒子が埋め込まれ、セラミック
基板に固着する。レーザー光線に曝されなかった金属含
有粉末は例えばジェット流により除去することができる
。
、１９７３年、２月発行、第２８５５頁からセラミック
基板に導電画像を施す方法が公知であるが、この場合に
はまず金属含有熱可塑性粉末を未処理のセラミックに塗
布し、引続き所望の導電画像に対応して゛レーザー光線
の作用下に曝す。このレーザー光線により熱可塑性の相
は溶解し、その結果金属粒子が埋め込まれ、セラミック
基板に固着する。レーザー光線に曝されなかった金属含
有粉末は例えばジェット流により除去することができる
。
本発明の目的は、導電性印刷画像、特に導電画像を電気
絶縁基板に施す方法において、印刷画像を簡単に転写す
ることを可能とし、特に導電板を製造する場合に十分な
付着基材を有する極めて微細な導電構造体が生じること
を保証する方法を得ることにある。更にこのために適し
た金属含有被覆材を提供することも目的の−っである。
絶縁基板に施す方法において、印刷画像を簡単に転写す
ることを可能とし、特に導電板を製造する場合に十分な
付着基材を有する極めて微細な導電構造体が生じること
を保証する方法を得ることにある。更にこのために適し
た金属含有被覆材を提供することも目的の−っである。
この目的は本発明によれば冒頭に記載した形式の方法に
おいて、その上に施された酸化度ゼロの金属を有する非
金属の粒子状キャリア物質を被覆材として使用すること
によって達成される。
おいて、その上に施された酸化度ゼロの金属を有する非
金属の粒子状キャリア物質を被覆材として使用すること
によって達成される。
本発明は、酸化度ゼロの金属が印刷画像を基板上に又は
基板中に転写しかつ固定するのに適するように仕上げら
れる限り、この種の金属を使用することによってエネル
ギー線により誘発される有機金属化合物の分解を回避し
得るという認識に基づく、酸化度ゼロの金属のこの種の
仕上げ処理は、この金属を微細に分散された形で塗布さ
れた非金属の粒子状キャリア物質を使用することにより
行う、更に酸化度ゼロの金属用のこの種のキャリア物質
は、例えば水素添加又は脱水素処理に際して使用される
いわゆる担体触媒としてすでに知られている。この種の
担体触媒を製造する場合プラチす、パラジウム及びニッ
ケルのような接触金属を、活性炭、ケイソウ土、ベント
ナイト、カオリン、シリカゲル、酸化アルミニウム及び
軽石のような触媒担体上に沈積させる。市販の担体触媒
は一般に金属を０．５〜６０重量％含有している。
基板中に転写しかつ固定するのに適するように仕上げら
れる限り、この種の金属を使用することによってエネル
ギー線により誘発される有機金属化合物の分解を回避し
得るという認識に基づく、酸化度ゼロの金属のこの種の
仕上げ処理は、この金属を微細に分散された形で塗布さ
れた非金属の粒子状キャリア物質を使用することにより
行う、更に酸化度ゼロの金属用のこの種のキャリア物質
は、例えば水素添加又は脱水素処理に際して使用される
いわゆる担体触媒としてすでに知られている。この種の
担体触媒を製造する場合プラチす、パラジウム及びニッ
ケルのような接触金属を、活性炭、ケイソウ土、ベント
ナイト、カオリン、シリカゲル、酸化アルミニウム及び
軽石のような触媒担体上に沈積させる。市販の担体触媒
は一般に金属を０．５〜６０重量％含有している。
粒子状のキャリア物質上に塗布された金属を被覆材とし
て使用することにより基板上に金属結晶核が三次元的に
分配され、これが以後の化学的めっき処理を促進しまた
相応する寄生電流なしに作業する浴中での露光時間を著
しく減少させる。更に粒子状キャリア物質は基板中への
極めて良好でまたエネルギー線の作用により制御可能な
固定を可能とし、これはその後の例えば導電板の製造に
際して導電路に好都合な付着基材を保証する。他の利点
としては従来必要とされた分解反応が省略されることに
より環境汚染が僅かなこと、処理過程の簡略化により達
せられる高い経済性及び液状で被覆材を加工し得ること
を指摘することができる。この液状での被覆材の加工可
能性は、キャリア物質に結合した金属が液体中に極めて
良好に分散でき、安定な液状被覆材が得られることによ
って可能である。
て使用することにより基板上に金属結晶核が三次元的に
分配され、これが以後の化学的めっき処理を促進しまた
相応する寄生電流なしに作業する浴中での露光時間を著
しく減少させる。更に粒子状キャリア物質は基板中への
極めて良好でまたエネルギー線の作用により制御可能な
固定を可能とし、これはその後の例えば導電板の製造に
際して導電路に好都合な付着基材を保証する。他の利点
としては従来必要とされた分解反応が省略されることに
より環境汚染が僅かなこと、処理過程の簡略化により達
せられる高い経済性及び液状で被覆材を加工し得ること
を指摘することができる。この液状での被覆材の加工可
能性は、キャリア物質に結合した金属が液体中に極めて
良好に分散でき、安定な液状被覆材が得られることによ
って可能である。
本発明による方法の優れた実施態様は特許請求の範囲第
２項から第４８項までに記載されている。
２項から第４８項までに記載されている。
本発明はまた導電性印刷画像、特に導電画像を電気絶縁
基板に施すための金属含有被覆材を提供するものである
が、この場合酸化度ゼロの金属を非金属の粒子状担体物
質に塗布する。この本発明による被覆材をエネルギー線
による画像転写で使用することによりすでに記載した利
点が得られる。
基板に施すための金属含有被覆材を提供するものである
が、この場合酸化度ゼロの金属を非金属の粒子状担体物
質に塗布する。この本発明による被覆材をエネルギー線
による画像転写で使用することによりすでに記載した利
点が得られる。
本発明方法及び本発明方法による被覆材は、基本的には
多くの加工形式及び転写形式を可能にする。従って被覆
材は結合剤を有するかもしくは有しない粉末としての固
体状でか、液状でか又は基板表面に施すことのできる箔
の形で加工することができる。この箔は被覆材のみから
か又は被覆材と補助担体とからなっていてもよい。箔に
より印刷画像を転写するのに適した技術は例えばフラン
ス国特許出願公開第２２５０３１８号明細書に記載され
ている。同様にエネルギー線の作用下での印刷画像の転
写は種々の方法で実施することができる。マスク、スタ
ンプ及びそれに頻するものを使用する他に印刷画像はエ
ネルギー線と基板とを相対的に移動させることによって
も得ることができる。更に印刷画像の転写には基板の全
面的なめっき処理も考えられることを指摘してお（。こ
の場合には減法技術も使用することができる。
多くの加工形式及び転写形式を可能にする。従って被覆
材は結合剤を有するかもしくは有しない粉末としての固
体状でか、液状でか又は基板表面に施すことのできる箔
の形で加工することができる。この箔は被覆材のみから
か又は被覆材と補助担体とからなっていてもよい。箔に
より印刷画像を転写するのに適した技術は例えばフラン
ス国特許出願公開第２２５０３１８号明細書に記載され
ている。同様にエネルギー線の作用下での印刷画像の転
写は種々の方法で実施することができる。マスク、スタ
ンプ及びそれに頻するものを使用する他に印刷画像はエ
ネルギー線と基板とを相対的に移動させることによって
も得ることができる。更に印刷画像の転写には基板の全
面的なめっき処理も考えられることを指摘してお（。こ
の場合には減法技術も使用することができる。
本発明による被覆材の優れた実施Ｂ様は特許請求の範囲
第４７項から第５０項までに記載されている。
第４７項から第５０項までに記載されている。
本発明の実施例を図面に示し、これに基づき以下に詳述
する。
する。
第１図は例えば熱可塑性プラスチックからなる基ＦｉＳ
上に導電画像を転写する配置図が極めて簡単に略示され
ている０図示された基板Ｓは射出成形される導電板用ベ
ース材の一部である。この種のベース材の材料としては
特にポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリ
フェニレンスルフィド及び液晶ポリマーのような高熱安
定性の熱可塑性プラスチックが適している。基板Ｓの表
面上に約４μ−の層厚で被覆材を塗布するが、その粒子
状キャリア物ＩＴは微小な点で示されている。
上に導電画像を転写する配置図が極めて簡単に略示され
ている０図示された基板Ｓは射出成形される導電板用ベ
ース材の一部である。この種のベース材の材料としては
特にポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリ
フェニレンスルフィド及び液晶ポリマーのような高熱安
定性の熱可塑性プラスチックが適している。基板Ｓの表
面上に約４μ−の層厚で被覆材を塗布するが、その粒子
状キャリア物ＩＴは微小な点で示されている。
図示した配置図はレーザーＬａを含み、これはレーザー
光線りを発し、その光線路に順次シャッターＦｖ、偏向
光学系Ａｏの第１の回転可能な偏向鏡Ａｓｘ、偏向光学
系Ａｏの第２の回転可能な偏向鏡Ａｓｙ及び対物レンズ
Ｏを配置するが、この対物レンズは基板Ｓの表面上にレ
ーザー光線りの焦点を合わせる。基板Ｓの位置は平坦な
カーテシアンｘｙ座標系に対応して固定される。従って
偏向光学系Ａｏの第１の偏向鏡Ａｓｘは、第１図に二重
矢印Ｘ′で示されているレーザー光線りを水平方向Ｘに
偏向する目的を有している。偏向光学系Ａｏの第２の偏
向鏡Ａｓｙは、第１図に二重矢印ｙ′で示されているレ
ーザー光線りを垂直方向ｙに偏向することを目的として
いる。偏向鏡ＡＳＸ及びＡｓｙの制御はそれぞれ基板上
に製造すべき導電画像に応じてマイクロコンピュータＭ
ｃにより行われるが、これには入力装置Ｅが配設されて
いる。偏向鏡Ａｓｘ及びＡｓｙを制御するための導線は
Ｌｅｘ並びにＬｅｙで表示されている。
光線りを発し、その光線路に順次シャッターＦｖ、偏向
光学系Ａｏの第１の回転可能な偏向鏡Ａｓｘ、偏向光学
系Ａｏの第２の回転可能な偏向鏡Ａｓｙ及び対物レンズ
Ｏを配置するが、この対物レンズは基板Ｓの表面上にレ
ーザー光線りの焦点を合わせる。基板Ｓの位置は平坦な
カーテシアンｘｙ座標系に対応して固定される。従って
偏向光学系Ａｏの第１の偏向鏡Ａｓｘは、第１図に二重
矢印Ｘ′で示されているレーザー光線りを水平方向Ｘに
偏向する目的を有している。偏向光学系Ａｏの第２の偏
向鏡Ａｓｙは、第１図に二重矢印ｙ′で示されているレ
ーザー光線りを垂直方向ｙに偏向することを目的として
いる。偏向鏡ＡＳＸ及びＡｓｙの制御はそれぞれ基板上
に製造すべき導電画像に応じてマイクロコンピュータＭ
ｃにより行われるが、これには入力装置Ｅが配設されて
いる。偏向鏡Ａｓｘ及びＡｓｙを制御するための導線は
Ｌｅｘ並びにＬｅｙで表示されている。
マイクロコンピュータＭｃはシャッターＦｖをも制御し
、これは相応する導線Ｌｅにより図示されている。
、これは相応する導線Ｌｅにより図示されている。
レーザーＬａは例えば連続波作動で使用されるか又は電
子工学的に脈動可能のＣＯｔレーザーであり、この場合
平均電力は０．５ワットから８ワットである。レーザー
光線りの焦点合わせは調整可能であり、レーザー光線り
の基板表面における直径は５０μｍ〜４００μｍの直径
に調整することができる。
子工学的に脈動可能のＣＯｔレーザーであり、この場合
平均電力は０．５ワットから８ワットである。レーザー
光線りの焦点合わせは調整可能であり、レーザー光線り
の基板表面における直径は５０μｍ〜４００μｍの直径
に調整することができる。
導電画像を基板Ｓに転写するには、その上に施される印
刷画像インキをレーザー光線りにより入力語ＷＥを介し
てマイクロコンピュータＭｃ内に入力される導電路配位
に応じて塗布する。第１図にＬｂで示した導電路は導電
画像の転写に際してのレーザー光線りのトレースである
。導電画像の転写のその他の詳細については第２図から
第５図に基づき以下に詳述する。
刷画像インキをレーザー光線りにより入力語ＷＥを介し
てマイクロコンピュータＭｃ内に入力される導電路配位
に応じて塗布する。第１図にＬｂで示した導電路は導電
画像の転写に際してのレーザー光線りのトレースである
。導電画像の転写のその他の詳細については第２図から
第５図に基づき以下に詳述する。
第２図は、表面に被覆材のキャリア物質Ｔの個々の粒子
が均等に配分されている基板Ｓの極めて簡単な概略図を
示すものである。更に金属Ｍの個六の粒子を示すが、こ
れがキャリア物質Ｔの広範な表面に施されていることが
認められる。材料は例えばキャリア物質としては活性炭
が、また金属Ｍとしてはパラジウムが適当である。基板
Ｓの表面に製造すべき導電画像に応じて導かれたレーザ
ー光線りは基板Ｓを表面的に融解する。第３図に示すよ
うにこの融解によりキャリア物質Ｔは所望の導電画像の
範囲内で固定される。その後引続き固定されなかったキ
ャリア物［Ｔをブラシかけ、噴出、超音波浴での洗出又
はそれに頬する方法で除去し、その結果第４図に示すよ
うに製造すべき導電画像の範囲内で固定されたキャリア
物質Ｔのみが基板Ｓ上に残る。固定されたキャリア物質
Ｔ上に立体的に分配されている金属Ｍの粒子は更に導電
画像の寄生電流なしの化学的めっき処理で核として作用
する。その際導電画像は化学的な金属析出によってか又
は化学的及び引続いての電気的金属析出によって完全に
構成することができる。
が均等に配分されている基板Ｓの極めて簡単な概略図を
示すものである。更に金属Ｍの個六の粒子を示すが、こ
れがキャリア物質Ｔの広範な表面に施されていることが
認められる。材料は例えばキャリア物質としては活性炭
が、また金属Ｍとしてはパラジウムが適当である。基板
Ｓの表面に製造すべき導電画像に応じて導かれたレーザ
ー光線りは基板Ｓを表面的に融解する。第３図に示すよ
うにこの融解によりキャリア物質Ｔは所望の導電画像の
範囲内で固定される。その後引続き固定されなかったキ
ャリア物［Ｔをブラシかけ、噴出、超音波浴での洗出又
はそれに頬する方法で除去し、その結果第４図に示すよ
うに製造すべき導電画像の範囲内で固定されたキャリア
物質Ｔのみが基板Ｓ上に残る。固定されたキャリア物質
Ｔ上に立体的に分配されている金属Ｍの粒子は更に導電
画像の寄生電流なしの化学的めっき処理で核として作用
する。その際導電画像は化学的な金属析出によってか又
は化学的及び引続いての電気的金属析出によって完全に
構成することができる。
後者の方法を第５図に示すが、この場合化学的に析出さ
れた金属はＣＭでまた電気的に析出された金属はＧＭで
示されている。これらの金属ＣＭ及びＧＭの材料として
は特に銅が適している。
れた金属はＣＭでまた電気的に析出された金属はＧＭで
示されている。これらの金属ＣＭ及びＧＭの材料として
は特に銅が適している。
第６図及び第７図は１つの変形を示すものであり、この
場合キャリア物質Ｔを結合剤としての溶融接着剤で含浸
する０次いでこの結合剤Ｂをレーザー光線りの作用で融
解し、第６図に示したようにキャリア物質Ｔを基板Ｓの
表面に接着させる。
場合キャリア物質Ｔを結合剤としての溶融接着剤で含浸
する０次いでこの結合剤Ｂをレーザー光線りの作用で融
解し、第６図に示したようにキャリア物質Ｔを基板Ｓの
表面に接着させる。
この基板Ｓが熱可塑性のプラスチックである場合には、
接着されなかったキャリア物質Ｔを除去した後に熱処理
を行うことができ、これにより第７図に示すように所望
の導電画像の範囲内でキャリア物質Ｔは基板表面内に溶
融侵入し、更に良好に固定される。熱処理には例えばマ
イクロ波を使用することができる。結合剤Ｂとしては特
に高い誘電率を存する極性ポリマーを使用する。更にマ
イクロ波はこの結合剤Ｂを介してのみ基板Ｓに作用する
。すなわち熱処理により惹起される基板Ｓの変形を確実
に回避することができる。マイクロ波で処理する結合剤
として適した極性ポリマーは例えばポリアミド及びポリ
イミドである。
接着されなかったキャリア物質Ｔを除去した後に熱処理
を行うことができ、これにより第７図に示すように所望
の導電画像の範囲内でキャリア物質Ｔは基板表面内に溶
融侵入し、更に良好に固定される。熱処理には例えばマ
イクロ波を使用することができる。結合剤Ｂとしては特
に高い誘電率を存する極性ポリマーを使用する。更にマ
イクロ波はこの結合剤Ｂを介してのみ基板Ｓに作用する
。すなわち熱処理により惹起される基板Ｓの変形を確実
に回避することができる。マイクロ波で処理する結合剤
として適した極性ポリマーは例えばポリアミド及びポリ
イミドである。
■−１
被覆材を製造するため市販の担体触媒から出発するが、
これはパラジウムを塗布した活性炭から成る。その際パ
ラジウム約１０重量％を活性炭９０重量％に分散して配
分する。パラジウムを塗布された活性炭は微粒子形で存
在し、その際粒子の３０％は粒径ｌＯμ−以下であり、
粒子の８５％は粒径５０μｍ以下及び粒子の９８％は粒
径１００μ−以下である。こうして製造された被覆材は
以下の構成成分を有する。
これはパラジウムを塗布した活性炭から成る。その際パ
ラジウム約１０重量％を活性炭９０重量％に分散して配
分する。パラジウムを塗布された活性炭は微粒子形で存
在し、その際粒子の３０％は粒径ｌＯμ−以下であり、
粒子の８５％は粒径５０μｍ以下及び粒子の９８％は粒
径１００μ−以下である。こうして製造された被覆材は
以下の構成成分を有する。
活性炭＋パラジウム ３０重重量黄色顔料
２重量％結合剤
２５〜３０重量％チキソトロピー剤
１．５重量％溶剤 残余
結合剤としてはマレイナート…脂とポリビニルブチラー
ルとからなる混合物を使用した。溶剤としてはエタノー
ルを使用した。
２重量％結合剤
２５〜３０重量％チキソトロピー剤
１．５重量％溶剤 残余
結合剤としてはマレイナート…脂とポリビニルブチラー
ルとからなる混合物を使用した。溶剤としてはエタノー
ルを使用した。
前記の被覆材はポリエーテルスルホンからなる基板に含
浸させることにより施す。導電画像の転写は第１図に示
した配置に基づきレーザー光線を用いて行った。引続き
過剰の被覆材を、洗浄液としてイソブチルメチルケトン
を用いて超音波洗浄浴中で除去する。次いで導電画像を
寄生電流なしの銅析出処理によって層厚２μ園にまた電
気的銅析出処理によって層厚３３μ−に構成した。
浸させることにより施す。導電画像の転写は第１図に示
した配置に基づきレーザー光線を用いて行った。引続き
過剰の被覆材を、洗浄液としてイソブチルメチルケトン
を用いて超音波洗浄浴中で除去する。次いで導電画像を
寄生電流なしの銅析出処理によって層厚２μ園にまた電
気的銅析出処理によって層厚３３μ−に構成した。
■−主
前記の例１でパラジウムを塗布した活性炭を平均粒径約
４μ鋼の微粒子状物質によって代えた。
４μ鋼の微粒子状物質によって代えた。
生じる被覆材を吹付は法で約４〜５μＩの層厚で基板に
施した。
施した。
例３
前記の例２で活性炭を炭酸カルシウムによって代えた。
桝−土
例２で活性炭対パラジウムの量比を変えた。活性炭約９
７重量％をパラジウム３重量％用の担体として使用した
。
７重量％をパラジウム３重量％用の担体として使用した
。
嵐−エ
例３で炭酸カルシウム対パラジウムの量比を変えた。炭
酸カルシウム約９７重量％をパラジウム３重量％用の担
体として使用した。
酸カルシウム約９７重量％をパラジウム３重量％用の担
体として使用した。
班−１
例４で使用したパラジウムをプラチナによって代えた。
盟−１
例５で使用したパラジウムをプラチナによって代えた。
阻−１
例１で過剰の被覆材を除去した後、塩化アンモニウム浴
で後処理を実施した。この後処理は基板上への導電路の
固着強度を著しく高めた。
で後処理を実施した。この後処理は基板上への導電路の
固着強度を著しく高めた。
適当な浴での後処理は例２〜７においても使用可能であ
る０例２で塩化アンモニウムでの後処理は導電路の固着
強度的ＩＮ／ｍ”をもたらした。
る０例２で塩化アンモニウムでの後処理は導電路の固着
強度的ＩＮ／ｍ”をもたらした。
例９
例１で活性炭をカーボンブラックによって代えた。他の
非導電性担体では粒子が大きすぎ導電路構造に不均一性
が生じるが、カーボンブラックにより、金属の場合に比
べて少量であるにもかかわらず導電性を維持することが
できる。すなわちカーボンラックは金属の代替物ではな
い。これは次の無電流めっき処理での核として金属の機
能を補完する。
非導電性担体では粒子が大きすぎ導電路構造に不均一性
が生じるが、カーボンブラックにより、金属の場合に比
べて少量であるにもかかわらず導電性を維持することが
できる。すなわちカーボンラックは金属の代替物ではな
い。これは次の無電流めっき処理での核として金属の機
能を補完する。
劃」」−
例１で活性炭を、アクリレートをベースとするプラスチ
ックによって代えた。
ックによって代えた。
奥土土
例１０でアクリレートをベースとするプラスチックを、
基板の金属からなるプラスチックによって代えた。基板
及び担体がポリエーテルイミドからなる場合導電路は基
板上に極めて高い固着強度で接着された。
基板の金属からなるプラスチックによって代えた。基板
及び担体がポリエーテルイミドからなる場合導電路は基
板上に極めて高い固着強度で接着された。
劃」」−
例１で担体触媒のみからなる、すなわち活性炭及びパラ
ジウムからなる粉末状被覆材を使用した。
ジウムからなる粉末状被覆材を使用した。
この被覆材を基板に撒布し、レーザー光線で導電画像に
応じて固定し、次いで化学的にまた場合によっては電気
的に銅めっきした。これにより基板のろう付は又は接着
性を改良することができた。
応じて固定し、次いで化学的にまた場合によっては電気
的に銅めっきした。これにより基板のろう付は又は接着
性を改良することができた。
撚１１
例１で被覆材をまず中間キャリアとして使用可能の苗土
に施した。次いでこの箔を基板に被覆し、導電画像をレ
ーザーで箔を通して基板に転写した。
に施した。次いでこの箔を基板に被覆し、導電画像をレ
ーザーで箔を通して基板に転写した。
■上土
例１で活性炭をプラスチック結合された触媒によって代
えた。
えた。
■上１
例１４でプラスチック結合された触媒として粉砕したイ
オン交換体を使用した。この場合該触媒にはパラジウム
−塩溶液を装入し、引続きパラジウムを化学的に零価の
パラジウムに還元した。
オン交換体を使用した。この場合該触媒にはパラジウム
−塩溶液を装入し、引続きパラジウムを化学的に零価の
パラジウムに還元した。
舅上１
例１４でプラスチック結合された触媒として大、表面を
有する粉砕したポリマーフオーム（これにパラジウムを
析出させた）を使用した。この場合ポリマーフオームは
連続気泡又は独立気泡であってよい。
有する粉砕したポリマーフオーム（これにパラジウムを
析出させた）を使用した。この場合ポリマーフオームは
連続気泡又は独立気泡であってよい。
倒」二り
例１４でプラスチック結合された触媒としてポリマー結
合されたパラジウム触媒を使用した。この場合パラジウ
ムはキレート状又は塩状に例えばポリアミン又はポリア
クリル酸のように結合されていてもよく、ポリマー上で
零価のパラジウムに還元可能である。引続き生成物は可
溶性であってよく、溶液として基板に施すか、又はこれ
が不溶性の場合にはまず粉砕し、次いで基板に施すこと
もできる。
合されたパラジウム触媒を使用した。この場合パラジウ
ムはキレート状又は塩状に例えばポリアミン又はポリア
クリル酸のように結合されていてもよく、ポリマー上で
零価のパラジウムに還元可能である。引続き生成物は可
溶性であってよく、溶液として基板に施すか、又はこれ
が不溶性の場合にはまず粉砕し、次いで基板に施すこと
もできる。
プラスチック結合された触媒を使用する場合には、プラ
スチックをμ一単位の粒子に粉砕するためいわゆるユニ
ット粉砕機（Ｓａｔｚｖｅｒ＋＊ａｈｌｕｎｇ）を使用
することができる。更に静電荷により再付着可能のポリ
マーは無機塩と混合する。この付着を阻止する塩は粉砕
復水で再び溶離する。
スチックをμ一単位の粒子に粉砕するためいわゆるユニ
ット粉砕機（Ｓａｔｚｖｅｒ＋＊ａｈｌｕｎｇ）を使用
することができる。更に静電荷により再付着可能のポリ
マーは無機塩と混合する。この付着を阻止する塩は粉砕
復水で再び溶離する。
最後に基板への導電画像の固着力は熱の作用によって場
合によっては著しく高め得ることを再度指摘する。すな
わちポリエーテルイミドからなる基板を使用した場合、
電気的に銅めっきした後に実施されるこの種の熱処理に
よって、その固着強度は５０％まで高められた。
合によっては著しく高め得ることを再度指摘する。すな
わちポリエーテルイミドからなる基板を使用した場合、
電気的に銅めっきした後に実施されるこの種の熱処理に
よって、その固着強度は５０％まで高められた。
第１図は本発明方法を実施するための系統図、第２図は
本発明による被覆材を使用してのレーザーによる画像転
写の原理を示す図、 第３図はキャリア物質を基板中に固定する原理を示す図
、 第４図は第２図及び第３図に基づき転写され、基板に固
定された導電画像を示す図、 第５図は化学的及び電気的にめっき処理した第４図に基
づく導電画像を示す図、 第６図は被覆材が結合剤としてｔ４Ｉｍ接着剤を含有し
ている変形を示す図、 第７図は第６図に基づく変形の場合のｓ１！画像の基板
内への固定を示す図である。 Ｂ・・・結合剤、Ｌ・・・レーザー光線、Ｍ・・・金属
、Ｓ・・・基板、Ｔ・・・キャリア物質。 ’ＬＤ ＦＩＧ２ ＦＩＧ３ ＦＩＧ ４ ＦＩＧ ６ ＦＩＧ５ ＩＧ７
本発明による被覆材を使用してのレーザーによる画像転
写の原理を示す図、 第３図はキャリア物質を基板中に固定する原理を示す図
、 第４図は第２図及び第３図に基づき転写され、基板に固
定された導電画像を示す図、 第５図は化学的及び電気的にめっき処理した第４図に基
づく導電画像を示す図、 第６図は被覆材が結合剤としてｔ４Ｉｍ接着剤を含有し
ている変形を示す図、 第７図は第６図に基づく変形の場合のｓ１！画像の基板
内への固定を示す図である。 Ｂ・・・結合剤、Ｌ・・・レーザー光線、Ｍ・・・金属
、Ｓ・・・基板、Ｔ・・・キャリア物質。 ’ＬＤ ＦＩＧ２ ＦＩＧ３ ＦＩＧ ４ ＦＩＧ ６ ＦＩＧ５ ＩＧ７
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）金属含有被覆材をエネルギー線の作用下に製造すべ
き印刷画像に応じて基板に転写し、化学的に金属被覆す
ることにより、電気絶縁基板に導電性の印刷画像を施す
方法において、その上に酸化度ゼロの金属（Ｍ）が施さ
れている非金属の粒子状キャリア物質（Ｔ）を被覆材と
して使用することを特徴とする絶縁基板に導電性の印刷
画像を施す方法。 ２）微粒子状で表面積の大きいキャリア物質（Ｔ）を使
用することを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の方
法。 ３）粒径＜８μｍのキャリア物質（Ｔ）を使用すること
を特徴とする特許請求の範囲第１項又は第２項記載の方
法。 ４）粒径＞１μｍのキャリア物質（Ｔ）を使用すること
を特徴とする特許請求の範囲第２項又は第３項記載の方
法。 ５）粒径２μｍ〜４μｍのキャリア物質（Ｔ）を使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第４項
のいずれか１項に記載の方法。 ６）キャリア物質（Ｔ）として活性炭、カーボンブラッ
ク、炭酸カルシウム、ケイソウ土、ベントナイト、カオ
リン、シリカゲル、酸化アルミニウム、酸化チタン及び
軽石類からなる物質を単独でか又は混合して使用するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のい
ずれか１項に記載の方法。 ７）キャリア物質（Ｔ）として活性炭を使用することを
特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれ
か１項に記載の方法。 ８）キャリア物質（Ｔ）として炭酸カルシウムを使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項
のいずれか１項に記載の方法。 ９）キャリア物質（Ｔ）としてプラスチックを使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第５項の
いずれか１項に記載の方法。 １０）キャリア物質（Ｔ）としてアクリレートをベース
とするプラスチックを使用することを特徴とする特許請
求の範囲第９項記載の方法。 １１）基板（Ｓ）の材料からなるキャリア物質（Ｔ）を
使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第５項、第９項又は第１０項のいずれか１項に記載の方
法。 １２）金属（Ｍ）０．０１〜１０重量％をキャリア物質
（Ｔ）９０〜９９．９重量％に施した被覆材を使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第１１項
のいずれか１項に記載の方法。 １３）貴金属類からなる金属（Ｍ）を使用することを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第１２項のいずれ
か１項に記載の方法。 １４）金属（Ｍ）としてパラジウムを使用することを特
徴とする特許請求の範囲第１３項記載の方法。 １５）金属（Ｍ）としてプラチナを使用することを特徴
とする特許請求の範囲第１３項記載の方法。 １６）金属（Ｍ）として貴金属合金を使用することを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第１２項のいずれ
か１項に記載の方法。 １７）鉛、亜鉛、ニッケル、錫及び銅類からなる卑金属
を含む貴金属合金を使用することを特徴とする特許請求
の範囲第１６項記載の方法。 １８）少なくとも１種の結合剤（Ｂ）を含有する被覆材
を使用することを特徴とする特許請求の範囲第１項ない
し第１７項のいずれか１項に記載の方法。 １９）ポリアミド、ポリイミド、コロホニウム樹脂、炭
化水素樹脂、ケトン樹脂及びポリビニルエーテル類から
なる結合剤（Ｂ）を単独でか又は混合して使用すること
を特徴とする特許請求範囲第１８項記載の方法。 ２０）結合剤（Ｂ）としてマレイナート樹脂及び／又は
ポリビニルブチラールを使用することを特徴とする特許
請求の範囲第１８項記載の方法。 ２１）結合剤（Ｂ）として溶融接着剤を使用することを
特徴とする特許請求の範囲第１８項記載の方法。 ２２）キャリア物質（Ｔ）に結合剤（Ｂ）を含浸させる
ことを特徴とする特許請求の範囲第１８項記載の方法。 ２３）少なくとも１種の溶剤を含有する被覆材を使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第２２
項のいずれか１項に記載の方法。 ２４）溶剤として少なくとも１種の有機溶剤を使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第２３項記載の方法。 ２５）アルコール、エステル、ケトン、炭化水素、脂肪
族及び芳香族化合物類からなる溶剤を単独でか又は混合
して使用することを特徴とする特許請求の範囲第２４項
記載の方法。 ２６）少なくとも１種のチキソトロピー剤を含有する被
覆材を使用することを特徴とする特許請求の範囲第２３
項ないし第２５項のいずれか１項に記載の方法。 ２７）層厚４μｍ〜５μｍの被覆材を基板（Ｓ）に施す
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第２６項
のいずれか１項に記載の方法。 ２８）被覆材を含浸により基板（Ｓ）に施すことを特徴
とする特許請求の範囲第２３項ないし第２７項のいずれ
か１項に記載の方法。 ２９）印刷インキを基板（Ｓ）に吹き付けにより塗布す
ることを特徴とする特許請求の範囲第２３項ないし第２
７項のいずれか１項に記載の方法。 ３０）被覆材を製造すべき印刷画像に相応して偏向可能
のエネルギー線により基板（Ｓ）に固着することを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第２９項のいずれか
１項に記載の方法。 ３１）エネルギー線としてレーザー光線（Ｌ）を使用す
ることを特徴とする特許請求の範囲第３０項記載の方法
。 ３２）レーザー光線（Ｌ）をＣｏ＿２レーザーで製造す
ることを特徴とする特許請求の範囲第３１項記載の方法
。 ３３）Ｃｏ＿２レーザーを平均電力０．５ワット〜８ワ
ットで操作することを特徴とする特許請求の範囲第３２
項記載の方法。 ３４）レーザー光線（Ｌ）をＮｄ−ＹＡＧレーザーで製
造することを特徴とする特許請求の範囲第３１項記載の
方法。 ３５）Ｎｄ−ＹＡＧレーザーを平均電力０．２ワット〜
５０ワットで操作することを特徴とする特許請求の範囲
第３４項記載の方法。 ３６）レーザー光線（Ｌ）を、基板（Ｓ）表面での直径
が５０μｍ〜４００μｍであるように焦点を合わせるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第３１項ないし第３５項
のいずれか１項に記載の方法。 ３７）印刷画像を転写した後残りの被覆材を再び基板（
Ｓ）の表面から除去することを特徴とする特許請求の範
囲第１項ないし第３６項のいずれか１項に記載の方法。 ３８）残った被覆材を洗浄液を用いて除去することを特
徴とする特許請求の範囲第３７項記載の方法。 ３９）洗浄液として有機溶剤を使用することを特徴とす
る特許請求の範囲第３８項記載の方法。 ４０）残った被覆材を超音波浴中で除去することを特徴
とする特許請求の範囲第３８項または第３９項記載の方
法。 ４１）洗浄液としてイソブチルメチルケトンを使用する
ことを特徴とする特許請求の範囲第３９項又は第４０項
記載の方法。 ４２）残った被覆材を除去した後、基板（Ｓ）への印刷
画像の固着を熱の作用により高めることを特徴とする特
許請求の範囲第４０項記載の方法。 ４３）熱をマイクロ波を用いて発生させることを特徴と
する特許請求の範囲第４２項記載の方法。 ４４）残った被覆材を除去した後、基板（Ｓ）への印刷
画像の固着を化学的後処理により高めることを特徴とす
る特許請求の範囲第３７項ないし第４３項のいずれか１
項に記載の方法。 ４５）化学的後処理を塩化アンモニウム浴中で行うこと
を特徴とする特許請求の範囲第４４項記載の方法。 ４６）基板（Ｓ）上に転写される印刷画像を化学的な金
属析出法により完全に配設することを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第４５項のいずれか１項に記載の
方法。 ４７）基板（Ｓ）上に転写される印刷画像を化学的にま
た引き続き電気めっき的に金属析出させることにより配
設されることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第４６項のいずれか１項に記載の方法。 ４８）基板（Ｓ）上に転写される印刷画像を銅の析出に
より配設することを特徴とする特許請求の範囲第４６項
又は第４７項記載の方法。 ４９）酸化度ゼロの金属（Ｍ）が非金属の粒子状キャリ
ア物質（Ｔ）に施されていることを特徴とする絶縁基板
（Ｓ）に導電性の印刷画像を施すための金属含有被覆材
。 ５０）付加的に結合剤（Ｂ）を含有していることを特徴
とする特許請求の範囲第４９項記載の金属含有被覆材。 ５１）付加的に溶剤を含有していることを特徴とする特
許請求の範囲第４９項又は第５０項記載の金属含有被覆
材。 ５２）付加的にチキソトロピー剤を含有していることを
特徴とする特許請求の範囲第４９項又は第５０項記載の
金属含有被覆材。 ５３）金属（Ｍ）としてパラジウムを使用することを特
徴とする特許請求の範囲第４９項ないし第５２項のいず
れか１項に記載の金属含有被覆材。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3643130 | 1986-12-17 | ||
| DE3643130.3 | 1986-12-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63166109A true JPS63166109A (ja) | 1988-07-09 |
Family
ID=6316414
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62317255A Pending JPS63166109A (ja) | 1986-12-17 | 1987-12-14 | 絶縁基板に導電性の印刷画像を施す方法及びそのための被覆材 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4853252A (ja) |
| EP (1) | EP0277325B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63166109A (ja) |
| AT (1) | ATE63191T1 (ja) |
| CA (1) | CA1325791C (ja) |
| DE (1) | DE3769785D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005322834A (ja) * | 2004-05-11 | 2005-11-17 | Ricoh Co Ltd | パターン形状体及びその製造方法 |
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- 1987-12-14 EP EP19870118519 patent/EP0277325B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1987-12-14 JP JP62317255A patent/JPS63166109A/ja active Pending
- 1987-12-14 AT AT87118519T patent/ATE63191T1/de not_active IP Right Cessation
- 1987-12-16 CA CA 554456 patent/CA1325791C/en not_active Expired - Fee Related
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