JPS62278537A - Display electrode array for active matrix type display device - Google Patents
Display electrode array for active matrix type display deviceInfo
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
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- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
この発明は、薄膜トランジスタをスイッチ素子として表
示画素電極を選択駆動するアクティブマトリックス型表
示装置用表示電極アレイの改良に関する。Detailed Description of the Invention 3. Detailed Description of the Invention [Object of the Invention] (Field of Industrial Application) This invention provides a display electrode for an active matrix display device that selectively drives a display pixel electrode using a thin film transistor as a switch element. Concerning array improvements.
（従来の技術）
最近、液晶やエレクトロルミネセンス（ＥＬ ）を用い
た表示装置として、テレビ表示やグラフィックディスア
レイ等を指向した大容量で高密度のアクティブマトリッ
クスを表示装置の開発及び実用化が盛んである。(Prior Art) Recently, the development and practical use of large-capacity, high-density active matrix display devices using liquid crystals and electroluminescence (EL), aimed at television displays, graphic display arrays, etc., has been active. It is.
このような表示装置では、クロストークのない高コント
ラストの表示が出来るように、各画素の駆動と制御を行
なう手段として半導体スイッチが用いられている。この
半導体スイッチとしては、透過量表示が可能で大面積化
も容易である等の理由から、透明絶縁基板上に形成され
た薄膜トランジスタが多く用いられている。In such display devices, semiconductor switches are used as means for driving and controlling each pixel so that high contrast display without crosstalk can be achieved. As this semiconductor switch, thin film transistors formed on transparent insulating substrates are often used because they are capable of displaying the amount of transmission and are easy to increase in area.
そして、アクティブマトリックス型表示装置は、概略、
複数の薄膜トランジスタと複数の表示画素電極をマ）
ＩＪフックス状配列形成した第１の基板（上記透明絶縁
基板）と、対向電極を形成した第２の基板との間に、液
晶を挾持して構成されている。The active matrix display device is roughly as follows:
(Multiple thin film transistors and multiple display pixel electrodes)
A liquid crystal is sandwiched between a first substrate (the above-mentioned transparent insulating substrate) formed in an IJ hook-like arrangement and a second substrate formed with a counter electrode.
尚、上記の複数の薄膜トランジスタと表示画素電極をマ
トリックス状に配列形成した第１の基板を表示電極アレ
イと称することにする。The first substrate on which the plurality of thin film transistors and display pixel electrodes described above are arranged in a matrix will be referred to as a display electrode array.
さて、従来の表示電極アレイは第２図に示すように構成
され、ガラスからなる透明絶縁基板１上には、Ｃｒから
なるデート電極２が形成され、このダート電極２を覆う
ように、透明絶縁基板１上に５１０ｘからなるｆｆ−）
絶縁膜３が形成されている。Now, a conventional display electrode array is constructed as shown in FIG. 2. A date electrode 2 made of Cr is formed on a transparent insulating substrate 1 made of glass, and a transparent insulated ff-) consisting of 510x on board 1
An insulating film 3 is formed.
このダート絶縁膜３上には、ダート電極２に対応する位
置にａ−８ｌからなる半導体薄膜４が形成されると共に
、ＩＴＯ（イン・ゾウム・チン・オキサイド）からなる
表示画素電極５が形成されている。On this dirt insulating film 3, a semiconductor thin film 4 made of a-8l is formed at a position corresponding to the dirt electrode 2, and a display pixel electrode 5 made of ITO (in-oxide) is formed. ing.
更に、半導体薄膜４上にはＡｔからなるドレイ／電極６
とソース電極７が所定間隔を置いて形成され、このソー
ス電極７は表示画素電極５に接続されている。そして、
露出しているｅ−）絶縁膜３、半導体薄膜４、ドレイン
電極６、ソース電極７を覆って絶縁層８が形成されてい
る。この絶縁層８上には、半導体薄膜４に対応して光遮
蔽膜９が形成され、この光遮蔽膜９を覆うように絶縁層
８上には絶縁層１０が形成されている。Furthermore, a drain/electrode 6 made of At is formed on the semiconductor thin film 4.
and source electrodes 7 are formed at predetermined intervals, and these source electrodes 7 are connected to the display pixel electrodes 5. and,
An insulating layer 8 is formed to cover the exposed e-) insulating film 3, semiconductor thin film 4, drain electrode 6, and source electrode 7. A light shielding film 9 is formed on this insulating layer 8 in correspondence with the semiconductor thin film 4 , and an insulating layer 10 is formed on the insulating layer 8 so as to cover this light shielding film 9 .
尚、上記の場合、ダート電極２、半導体薄膜４、ドレイ
ン電極６、ソース電極７等により薄膜トランジスタが構
成されている。In the above case, the dirt electrode 2, semiconductor thin film 4, drain electrode 6, source electrode 7, etc. constitute a thin film transistor.
（発明が解決しようとする問題点）
上記のような従来の表示電極アレイにおいては、薄膜ト
ランジスタと表示画素電極５との高さの差があ）、この
ためアクティブマトリックス型表示装置に使用した場合
、液晶の配向を均一に行なうことが出来ず、部品の歩留
シが悪く、セルギャッｆ（液晶の厚さ）が制御し難い。(Problems to be Solved by the Invention) In the conventional display electrode array as described above, there is a difference in height between the thin film transistor and the display pixel electrode 5). Therefore, when used in an active matrix display device, The liquid crystal cannot be aligned uniformly, the yield of parts is poor, and the cell gap f (thickness of the liquid crystal) is difficult to control.
この発明は、上記従来の問題点を解消したアクティブマ
トリックス型表示装置用表示電極アレイを提供すること
を目的とする。An object of the present invention is to provide a display electrode array for an active matrix display device that eliminates the above-mentioned conventional problems.
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段）
この発明は、透明絶縁基板上に複数の薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタにより選択駆動される複数の
表示画素電極をマトリックス状に配列形成したアクティ
ブマトリ父りス型表示装置用表示ｔｑアレイにおいて、
上記表示画素電極は、上記薄膜トランジスタの最も高い
部分と同等もしくはそれ以上の高さに位置するアクティ
ブマトリックス型表示装置用表示電極アレイである。[Structure of the Invention] (Means for Solving the Problems) The present invention provides an active matrix in which a plurality of thin film transistors and a plurality of display pixel electrodes selectively driven by the thin film transistors are arranged in a matrix on a transparent insulating substrate. In a display tq array for a father's type display device,
The display pixel electrode is a display electrode array for an active matrix display device located at a height equal to or higher than the highest part of the thin film transistor.
（作用）
この発明によれば、アクティブマトリックス型表示装置
に使用した場合、液晶の配向が良好にして、製造時の良
品歩留υが向上し、セルギャップが制御し易いアクティ
ブマトリックス型表示装置用表示電極アレイである。(Function) According to the present invention, when used in an active matrix display device, the alignment of liquid crystals is improved, the yield of good products during manufacturing is improved, and the cell gap is easily controlled. This is a display electrode array.
（実施例）
以下、図面を参照して、この発明の一実施例を詳細に説
明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
即ち、この発明のアクティブマトリックス型表示装置用
表示電極アレイは第１図に示すように構成され、ガラス
からなる透明絶縁基板１１上には、Ｃｒからなるダート
電極１２が形成され、このダート電極１２を覆うように
、透明絶縁基板１１上に５ＩＯＸからなるｙ−ト絶縁膜
１３が形成されている。That is, the display electrode array for an active matrix display device of the present invention is constructed as shown in FIG. A y-to insulating film 13 made of 5IOX is formed on the transparent insulating substrate 11 so as to cover it.
このダート絶縁膜１３上には、デート電極２に対応する
位置にａ−３１からなる半導体薄膜１４が形成され、こ
の半導体薄膜１４上にはｋＡからなるドレイン電極１６
とソース電極１７が所定間隔を置いて形成されている。A semiconductor thin film 14 made of a-31 is formed on this dirt insulating film 13 at a position corresponding to the date electrode 2, and a drain electrode 16 made of kA is formed on this semiconductor thin film 14.
and source electrodes 17 are formed at predetermined intervals.
そして、ドレイン電極１６、半導体薄膜１４の露出部分
を覆うようにＰＩ（ポリイミド）からなる透明絶縁膜２
０が形成されている。又、他方のダート絶縁膜１３上に
は、半導体薄膜１４とソース電極１７の各側面に接して
同じ（ＰＩからなる透明絶縁膜２０が形成されている。Then, a transparent insulating film 2 made of PI (polyimide) is formed to cover the exposed portions of the drain electrode 16 and the semiconductor thin film 14.
0 is formed. Further, on the other dirt insulating film 13, a transparent insulating film 20 made of the same material (PI) is formed in contact with each side surface of the semiconductor thin film 14 and the source electrode 17.
更に、ソース電極１７上には、透明絶縁膜２０の一部を
覆ってＡｔからなる光遮蔽膜１９が形成されている。こ
の光遮蔽膜１９は、勿論、半導体薄膜１４に対応してい
る。そして、この光遮蔽膜１９と透明絶縁膜２０にまた
がって、ＩＴＯからなる表示画素電極１５が形成されて
いる。従って、表示画素電極１５は光遮蔽膜１９を介し
てソース電極１７に接続されていることになる。Furthermore, a light shielding film 19 made of At is formed on the source electrode 17 so as to cover a part of the transparent insulating film 20 . This light shielding film 19 naturally corresponds to the semiconductor thin film 14. A display pixel electrode 15 made of ITO is formed spanning the light shielding film 19 and the transparent insulating film 20. Therefore, the display pixel electrode 15 is connected to the source electrode 17 via the light shielding film 19.
上記の場合、ダート電極１２、半導体薄膜１４、ドレイ
ン電極１６、ソース電極１７等により薄膜トランジスタ
が構成されているが、この発明では上記構成から明らか
なように、表示画素電極１５の位置が薄膜トランジスタ
の最も高い部分（ドレイン電極１６及びソース電極１７
）と同等かそれ以上の高さに設定されている。In the above case, a thin film transistor is constituted by the dirt electrode 12, the semiconductor thin film 14, the drain electrode 16, the source electrode 17, etc., but in the present invention, as is clear from the above structure, the position of the display pixel electrode 15 is the most of the thin film transistor. High parts (drain electrode 16 and source electrode 17
) is set to a height equal to or greater than.
［発明の効果］
この発明によれば、表示画素電極１５の位置が薄膜トラ
ンジスタの最も高い部分（ドレイン電極１６及びソース
電極１７）と同等かそれ以上の高さに設定されているの
で、アクティブマトリックスを表示装置に使用した場合
、液晶の配向が良好にして、製造時の良品歩留りが向上
し、セルギャップが制御し易いという利点がある。[Effects of the Invention] According to the present invention, since the position of the display pixel electrode 15 is set at a height equal to or higher than the highest part of the thin film transistor (the drain electrode 16 and the source electrode 17), the active matrix is When used in a display device, there are advantages in that the alignment of liquid crystals is improved, the yield of non-defective products during manufacturing is improved, and the cell gap is easily controlled.
第１図はこの発明の一実施例に係るアクティブマトリッ
クス型表示装置用表示電極アレイを示す断面図、第２図
は従来のアクティブマトリックス・塁表示装置用表示電
標アレイを示す断面図である。
１ノ・・・透明絶縁基板、１２・・・ｒ−ト電極、１３
・・・ダート絶縁膜、１４・・・半導体薄膜、１５・・
・表示画素電極、１６・・・ドレイン電極、１７・・・
ソース電極、１９・・・光遮蔽膜、２０・・・透明絶縁
膜。FIG. 1 is a sectional view showing a display electrode array for an active matrix display device according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing a conventional display electrode array for an active matrix base display device. 1 No. Transparent insulating substrate, 12... r-to electrode, 13
... Dirt insulating film, 14... Semiconductor thin film, 15...
・Display pixel electrode, 16... drain electrode, 17...
Source electrode, 19... Light shielding film, 20... Transparent insulating film.
Claims (1)
トランジスタにより選択駆動される複数の表示画素電極
をマトリックス状に配列形成したアクティブマトリック
ス型表示装置用表示電極アレイにおいて、 上記表示画素電極は、上記薄膜トランジスタの最も高い
部分と同等もしくはそれ以上の高さに位置することを特
徴とするアクティブマトリックス型表示装置用表示電極
アレイ。[Scope of Claims] A display electrode array for an active matrix display device in which a plurality of thin film transistors and a plurality of display pixel electrodes selectively driven by the thin film transistors are arranged in a matrix on a transparent insulating substrate, wherein the display pixel electrode A display electrode array for an active matrix display device, characterized in that the display electrode array is located at a height equal to or higher than the highest part of the thin film transistor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61121614A JPS62278537A (en) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | Display electrode array for active matrix type display device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61121614A JPS62278537A (en) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | Display electrode array for active matrix type display device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62278537A true JPS62278537A (en) | 1987-12-03 |
Family
ID=14815611
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61121614A Pending JPS62278537A (en) | 1986-05-27 | 1986-05-27 | Display electrode array for active matrix type display device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62278537A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0554060A2 (en) * | 1992-01-31 | 1993-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| JP2001125510A (en) * | 1995-11-17 | 2001-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Active matrix type el display device |
| US7095478B2 (en) | 1996-04-12 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating thereof |
| JP2016136261A (en) * | 2010-07-02 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device, display module, electronic apparatus and television apparatus |
-
1986
- 1986-05-27 JP JP61121614A patent/JPS62278537A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0554060A2 (en) * | 1992-01-31 | 1993-08-04 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus |
| JP2001125510A (en) * | 1995-11-17 | 2001-05-11 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Active matrix type el display device |
| US7095478B2 (en) | 1996-04-12 | 2006-08-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating thereof |
| US7196749B2 (en) | 1996-04-12 | 2007-03-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating thereof |
| US7636136B2 (en) | 1996-04-12 | 2009-12-22 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and method for fabricating thereof |
| JP2016136261A (en) * | 2010-07-02 | 2016-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device, display module, electronic apparatus and television apparatus |
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