JPS6142993A - 樹脂への導体層形成方法 - Google Patents

樹脂への導体層形成方法

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JPS6142993A
JPS6142993A JP59165410A JP16541084A JPS6142993A JP S6142993 A JPS6142993 A JP S6142993A JP 59165410 A JP59165410 A JP 59165410A JP 16541084 A JP16541084 A JP 16541084A JP S6142993 A JPS6142993 A JP S6142993A
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layer
forming
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高田　充幸
高砂　隼人
森広　喜之
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    • H05K2203/107—Using laser light

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、樹脂に導体層を形成する方法に関するもの
である。
〔従来の技術〕
従来、この行の方法としては、蒸着、スパッタリング等
の薄膜形成技術を用いて、樹脂表面に金属薄膜を形成す
る方法、樹脂表面に無電解めっきを析出させるための触
媒核を付着させ、無電解めつき浴に浸漬することにより
樹脂表面に金属層を形成する方法などが周知である。薄
膜形成技術によって形成された導体層は、膜厚が最大で
も数μｍ程度であり１回路基板の導体として用いる場合
。
インピーダンスを低く出来な（・。また一般的に薄膜形
成プロセスは他の膜形成プロセス、例えは厚膜法に比較
して生産性、コストの面で劣るため。
高精度、微細パターンなどの要求される分野１例えば産
業用電子機器に用いられる回路基板、磁気ヘッドなどに
代表される電子デバイスなどに適用される。
また、無電解めっきによる導体層の形成は、樹脂系プリ
ント基板のスルーホール部へのめつきなどが代表的でお
り、基材上の８賛な部分のみに無電解めつきＫより１０
μｍ以上の膜厚を有する導体層を形成して回路形成する
フレアデテイプ法等が周知である。
〔発明が解決しようとする問題点〕
このように、樹脂に無電解めっきによって導体層を形成
する場合、これらの間の密着力を向上させるために、樹
脂表面を粗面化することが為される。粗面化の方法とし
ては１機械的に表面を粗面化する方法、薬品によるエツ
チング、プラズマによるエツチングなどにより粗面化す
る方法がある。
機械的な方法は、粗面化状態の均一性に劣りかつそのス
ケールが比較的大きいため、微細パターンに対しては密
着力のばらつきにつながる。また。
薬品、ろる（・はプラズマによるエツチングによる方法
は、生産性が劣り、かつ粗面化の程度も低いと（・う問
題点がある。
この発明は、上記のような従来のものの問題点を除去す
るために為されたもので、樹脂に密着力が良く、膜厚の
大きい導体層を生産性よく形成することを目的としてい
る〇 〔問題点を解決するための手段〕 この発明の樹脂への導体層形成方法における樹脂表面の
粗面化は金属粒子を混合した樹脂層を形成し、混合した
金属粒子が露出するように樹脂層をエツチングし、Ｗ、
出した金属粒子を樹脂層の樹脂分に対して選択的に除去
して粗面を形成するものであり、この粗面に無電解めっ
きに対する触媒核を形成し、金属を無電解めっきして樹
脂に導体層を形成するものである。
Ｃ問題点を解決するだめの手段の作用〕この発明におい
て樹脂層に混合される金属粒子を露出させ、樹脂分に対
して選択的に除去することにより、樹脂表面を凹凸化し
、より均一な粗面を形成できるので、樹脂に密着力が良
くなり、そのため、膜厚の大きい導体層を生産性よく形
成できる。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を工程順に表わす断面図を用
いて説明する。第１図は基板上に金属粒子を混合した樹
脂層を形成した状態を、第２図は樹脂層の金属粒子が露
出された状態を、第３図は粗面が形成された状態を、第
４図は導体層が形成された状態を表わすもので１図にお
いて（１）は基板で、この場合はアルミナセラミック基
板、（２）は金属粒子で、この場合は直径３０μｍ程度
の銅粒子。
（３）は硬化前樹脂で、この場合はポリアミドカルボン
酸系ワニス、（４）は硬化後樹脂で、この場合はポリイ
ミド樹脂、（５）は無電解めっき・により形成された導
体層で、この場合は銅である。
まず、ポリアミドカルボン酸系ワニス（３）ニ粒径３０
μｍ程度の銅粒子（２）を体積比が１対１になる程度混
合する。この銅粒子（２）を混合したポリアミドカルボ
ン酸系ワニス（３）をアルミナセラミック基板（１）に
塗布する。次に、このポリアミドカルボン酸系ワニス（
３）を硬化温度より低い温度で、この場合は８０°Ｏで
３０分間乾燥させた後、適当なエツチング液、この場合
は水酸化カリウム水溶液を用いて表面をわずかに除去す
ることにより、第２図に示すように銅粒子（２）の一部
分が露出された状態にする。続いて窒素中で３５０°０
，１時間の加熱硬化することＩ／Ｃよりポリアミドカル
ボン酸系ワニス（３）をポリイミド樹脂（４）に変化さ
せた後、適当な銅のエツチング液、この場合は塩化第二
鉄と塩酸の混合水溶液を用（・て露出している銅粒子（
２）をポリイミド樹脂（４）に対して選択的にエツチン
グし、第３図に示すように表面が粗面化されたポリイミ
ド樹脂（４）層を得る。
更に、この表面に無電解めっきを析出させるための触媒
核（図示せず）を付着ちせ、無電解めっき浴、この場合
は無電解銅めっき浴に浸漬することにより、第４図に示
す銅導体層（５）を得る。
このようにして得られた導体層は、樹脂表面と導体層と
の接触面積が増加しており、樹脂との密着力の優れたも
のであった。また大量に処理することが容易で生産性も
良かった。
上記実施例では樹脂として、ポリアミドカルボン酸系ワ
ニスを加熱硬化させたポリイミド樹脂を用いたが、ワニ
ス状態で塗布、乾燥【−た後、適当なエツチング液によ
りエツチングが可能であり。
硬化後耐薬品性に優れた材料であれば良い。例えば、ポ
リイソプレン樹脂、フェノールノボラック樹脂、ポリメ
タクリレイト樹脂などでも良い。また、金属粒子として
は、樹脂をエツチングしない適当なエツチング液により
エツチング可能なものであれば良＜、Ａ１．他の金属粒
子が使用できる。
この発明の他の実施例として、使用する樹脂の耐熱温度
より低い融点を持つ金属粒子を混合し。
前記実施例と同様のプロセスで樹゛脂の硬化までを施し
、引き続き上記金属粒子の融点以上に加熱し。
金属粒子を溶融させ露出している金属液体を除去するこ
とによっても、以下無電解めっき工程を施すことによっ
ても同様の効果を奏する。例えば。
樹脂としてポリアミドカルボン酸系ワニス、金属粒子と
して錫鉛合金（例えば錫／鉛−６／４　）　、及び鎚等
を使用することが出来る。
このように構成すると、金属粒子の混入により樹脂の熱
伝導性を向上することができ１回路基板として構成した
場合に熱放散性の向上環を達成できる。また、熱膨張係
数も混入される金属粒子の量、形状等を変えることでコ
ントロールできる。
なお、樹脂中に混入される金属粒子の粒径、濃度、形状
、エツチング条件を変・えることによって樹脂表面の粗
面化の程度を容易にコントロール出来るので、必要な表
面状態が容易に実現できる。
また、金属粒子の化学的エツチングあるいは溶融除去は
、ガラス等の無機物のエツチングより容易に達成でき、
生産性の向上が導かれる。
また、密着力の向上は、導体層の膜厚を大きくしていっ
たときに、剥離を生ずる可能性を減少させ、無電解めっ
きＫよる厚付け、あるいは電気めっきによる無電解めっ
き層上への厚付けが容易に達成でき、また、樹脂の粗面
化の状態を、微細パターンに適合するようにコントロー
ルすることで。
密着力を向上させることが出来る。
また、混入させる金属粒子として、中空のものを用いれ
ば、エツチングが容易に達成され、また粗面化の程度も
大きくできる。さらに、樹脂層の熱膨張係数、ｌｖ電電
率もコントロールしやすい効果を有する。
さらに、金属粒子を混合した樹脂層を混合した金属粒子
が露出するように所定パターンに選択エツチングし、露
出した金属粒子を選択的に除去することにより所定パタ
ーン状の粗面が得られる。
この所定バターｙ状の粗面に選択的に無電解めっきに対
する触媒核が形成され、粗面にのみ金属を無電解めっき
できるので１回路基版の形成にも適用できる。
〔発明の効果〕
以上の様にこの発明によれば、金属粒子を混合した樹脂
層を形成する工程、混合した金属粒子が露出するように
樹脂層をエツチングする工程、露出した金属粒子を樹脂
層の樹脂分に対して選択的に除去して粗面を形成する工
程、粗面に無電解めっきに対する触媒核を形成する工程
、及び触媒核が形成された粗面に金属を無電解めっきす
る工程を施すことＫより、樹脂の熱伝導性を向上させ。
かつその上に密着力が良く、膜厚の大きい導体層を生産
性良く形成できる効果がある。なお、必要性に応じて樹
脂の熱伝導性を改良することもできる。
【図面の簡単な説明】
第１図から第４図はこの発明Ω一実施例の樹脂への導体
層形成方法を工程順に示す断面図である。 図にお（・て、（１）は基板、（２）は金属粒子、　（
３１、（４１は樹脂、（５）は導体層である。 なお１図中、同一符号は同−又は相当部分を示すＯ

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 金属粒子を混合した樹脂層を形成する工程、混合した金
    属粒子が露出するように樹脂層をエッチングする工程、
    露出した金属粒子を樹脂層の樹脂分に対して選択的に除
    去して粗面を形成する工程、粗面に無電解めっきに対す
    る触媒核を形成する工程、及び触媒核が形成された粗面
    に金属を無電解めっきする工程を施す樹脂への導体層形
    成方法。
JP59165410A 1984-08-07 1984-08-07 樹脂への導体層形成方法 Pending JPS6142993A (ja)

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