JPS6132488A - Semiconductor laser device - Google Patents

Semiconductor laser device

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JPS6132488A
JPS6132488A JP15383884A JP15383884A JPS6132488A JP S6132488 A JPS6132488 A JP S6132488A JP 15383884 A JP15383884 A JP 15383884A JP 15383884 A JP15383884 A JP 15383884A JP S6132488 A JPS6132488 A JP S6132488A
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    • H01S3/05—Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/08—Construction or shape of optical resonators or components thereof
    • H01S3/08018—Mode suppression
    • H01S3/08022—Longitudinal modes
    • H01S3/08031—Single-mode emission
    • H01S3/08036—Single-mode emission using intracavity dispersive, polarising or birefringent elements
    • H—ELECTRICITY
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    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/14—External cavity lasers
    • H01S5/146—External cavity lasers using a fiber as external cavity

Abstract

PURPOSE:To obtain the titled device which oscillate on single modes, having a narrow band of oscillation wavelengths, and stably operates with small size, by a method wherein a single-mode optical fiber and a polarizer are arranged between the semiconductor laser element and the reflection plate. CONSTITUTION:A light beam emitted from one emission end of the semiconductor laser element 1 is made incident to a polarized-wave-preserving single-mode optical fiber 3-1, reflected on the reflection plate 2 after passage through the polarizer 4 and a polarized-wave-preserving single-mode optical fiber 3-2, and then fed back to the semiconductor laser element 1 after another passage through the optical fiber 3-2, the polarizer 4 and the optical fiber 3-1. Only the photo power with specific axial mode (frequency) returns to the semiconductor laser element 1 by varying the direction of polarization at every frequency of light beams by means of the optical fibers 3-1 and 3-2 into the transmittance of only a specific polarized wave by means of the polarizer 4. This manner enables the semiconductor laser element 1 to perform single mode oscillation with its wavelength lambda0.

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体レーザ装置に関する。特に、半導体レ
ーザ素子用の外部共振回路に関する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a semiconductor laser device. In particular, it relates to external resonant circuits for semiconductor laser devices.

〔従来技術〕[Prior art]

一般に、ファブリ・ペロー共振型の半導体レーザ装置は
、多軸モード発振をしており、しかも共振器長が短い。Generally, a Fabry-Perot resonant type semiconductor laser device oscillates in a multi-axis mode and has a short resonator length.

このため、一つの縦モードの発振波長の帯域幅も広い。Therefore, the bandwidth of the oscillation wavelength of one longitudinal mode is also wide.

このため、レーザ光のコヒーレント性を利用してホモダ
イン検波やヘテロゲイン検波を行う場合には、このよう
な半導体レーザ装置はコヒーレント光伝送路の光源とし
て不適である。Therefore, when performing homodyne detection or heterogain detection using the coherent property of laser light, such a semiconductor laser device is unsuitable as a light source for a coherent optical transmission line.

そこで、半導体レーザ素子の外部に反射板を配置し、等
価的に半導体レーザ素子の共振器長を長くした半導体レ
ーザ装置が提案されている。このような半導体レーザ装
置により、単一モード発振の実現が可能になり、発振波
長の帯域も狭くすることが可能となっている。Therefore, a semiconductor laser device has been proposed in which a reflector is disposed outside the semiconductor laser element to equivalently lengthen the resonator length of the semiconductor laser element. With such a semiconductor laser device, it is possible to realize single mode oscillation, and it is also possible to narrow the oscillation wavelength band.

第７図および第８図は、このような従来例の半導体レー
ザ装置を示す図である。FIGS. 7 and 8 are diagrams showing such conventional semiconductor laser devices.

第７図に示した半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子
１の外部に反射板２を配置し、結合用レンズ５を介して
半導体レーザ素子１の発振光を帰還している。In the semiconductor laser device shown in FIG. 7, a reflection plate 2 is disposed outside the semiconductor laser element 1, and the oscillated light of the semiconductor laser element 1 is returned through a coupling lens 5.

第８図に示Ｕ７た半導体レーザ装置は、外部反射板とし
て回折格子６を使用している。このような半導体レーザ
装置では、任意の輔モードを選択的に発振させることが
可能である。The semiconductor laser device U7 shown in FIG. 8 uses a diffraction grating 6 as an external reflection plate. In such a semiconductor laser device, it is possible to selectively oscillate an arbitrary mode.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

第７図に示した従来例の半導体レーザ装置では、反射板
２の反羽係故に波長選択性かないために、任意の軸モー
ドで発振させることかできない欠点がある。また、環境
温度等の変動により、半導体レーザ素子１と反射板２と
が波長の数分の−のオーダで相対的な位置ずれを起こし
た場合には、発振波長の変動が律したり、多輔士−トで
発振したりする欠点があった。The conventional semiconductor laser device shown in FIG. 7 has the disadvantage that it cannot oscillate in any axial mode because it does not have wavelength selectivity due to the anti-polar relationship of the reflecting plate 2. Furthermore, if the semiconductor laser element 1 and the reflection plate 2 cause a relative positional shift on the order of a few fractions of a wavelength due to fluctuations in the environmental temperature, etc., the fluctuation of the oscillation wavelength may become There was a drawback that oscillation occurred when the driver was turned off.

また、第８図に示した従来例の半導体レーザ装置でも、
半導体レーザ素子１と反射板２とが波長の数分の−のオ
ーダで相対的な位置ずれを起こした場合には、発振波長
が大きく変動する欠点がある。Furthermore, in the conventional semiconductor laser device shown in FIG.
If the semiconductor laser element 1 and the reflection plate 2 are misaligned relative to each other on the order of a few fractions of a wavelength, there is a drawback that the oscillation wavelength fluctuates greatly.

また、とぢらの従来例でも、半導体レーザ素子の出ｑ・
１光を空間中に放出しており、ビームの広がりがあるた
めに、半導体レーザ装置が大型化する欠点があった。In addition, even in the conventional example, the output of the semiconductor laser device is
Since one beam of light is emitted into space and the beam spreads, there is a drawback that the semiconductor laser device becomes larger.

本発明は、以上の欠点を解決し、単一モードで発振し、
発振波長の帯域が狭く、しかも小型で安定に動作する半
導体レーザ装置を提供することを目的とする。The present invention solves the above drawbacks, oscillates in a single mode,
It is an object of the present invention to provide a semiconductor laser device that has a narrow oscillation wavelength band, is compact, and operates stably.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

本発明の半導体レーザ装置は、半導体レーザ素子の外部
に反射板が配置され、その反射板に反射する光の光路に
よりその半導体レーザ素子の共振器長が設定される半導
体レーザ装置において、上記半導体レーザ素子と上記反
射板との間に単一モード光ファイバおよび偏光子が配置
されたことを特徴とする。The semiconductor laser device of the present invention is a semiconductor laser device in which a reflector is disposed outside the semiconductor laser element, and the resonator length of the semiconductor laser element is set by the optical path of light reflected by the reflector. It is characterized in that a single mode optical fiber and a polarizer are disposed between the element and the reflecting plate.

この偏光子は１個でもよく、それぞれ間隔を置いて配置
された複数個でもよい。The number of polarizers may be one, or a plurality of polarizers may be arranged at intervals.

〔作用〕[Effect]

本発明の半導体レーザ装置では、ｊ（ｃ−モー１゛光フ
アイバと偏光子とが複屈折フィルタとして働き、特定の
波長の光波を半導体レーザ素子に帰還さ・ピる。これに
より、半導体レーーＩＪ’素ｒかＱ＞−輔モードで発振
する。In the semiconductor laser device of the present invention, the j(c-mode 1) optical fiber and the polarizer act as a birefringence filter to return light waves of a specific wavelength to the semiconductor laser element. 'It oscillates in the elementary r or Q>-success mode.

〔実施例〕〔Example〕

第１図は、本発明第一実施例の半導体レーザ装置を示す
図である。FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention.

半導体レーザ素子１と反Ｍ・Ｈｆｆ１２との間には、偏
波保存単一モード光ファイバ３−１および３−２が配置
され、これらの偏波保存単一モード光ファイバ３−１．
３−２の間には、−個の偏光子４が配置されている。Polarization-maintaining single-mode optical fibers 3-1 and 3-2 are arranged between the semiconductor laser element 1 and the anti-M·Hff 12, and these polarization-maintaining single-mode optical fibers 3-1.
- number of polarizers 4 are arranged between 3-2.

半導体レーザ素子１の一方の出射端から出射された光ビ
ームは、偏波保存単一モート光ファイバ３−１に入射さ
れる。半導体レーザ素子１の他方の出射端から出射され
た光ビームは、この半導体レーザ装置の出力となる。A light beam emitted from one output end of the semiconductor laser device 1 is input to a polarization-maintaining single-mode optical fiber 3-1. The light beam emitted from the other emission end of the semiconductor laser element 1 becomes the output of this semiconductor laser device.

偏波保存ｊｉｉ−モード光ファイバ３−１に入射されノ
、：光ヒームは、偏光子４および偏波保存単一モード光
ファイバ３−２を通過して、反射板２で反射される。反
Ｍ；Ｊされた光ビームは、再び偏波保存単一モート光フ
ァイバ３−２、偏光子４および偏波保存単一モード光フ
ァイバ３−１を通過して、半導体レーザ素子１に帰還さ
れる。The optical beam enters the polarization-maintaining JII-mode optical fiber 3-1: it passes through the polarizer 4 and the polarization-maintaining single-mode optical fiber 3-2, and is reflected by the reflector 2. The inverted M; Ru.

第２図は、半導体レーザ素子１の一般的なスペクトル分
布を示す図である。半導体レーザ素子１は、波長λ。を
中心波長とする多数の波長λ１、λ２・・・、λ−１、
λ４・・・で発振する。これらの各縦モードの波長間隔
は１５人であり、スペクトル分布の半値半幅は３０人程
度である。FIG. 2 is a diagram showing a general spectral distribution of the semiconductor laser device 1. The semiconductor laser element 1 has a wavelength λ. A large number of wavelengths λ1, λ2..., λ-1, with the center wavelength being λ1, λ2..., λ-1,
It oscillates at λ4... The wavelength interval of each of these longitudinal modes is 15 people, and the half-width at half maximum of the spectral distribution is about 30 people.

このようなスペクトル分布に対して、反射板２、偏波保
存単一モード光ファイバ３−１．３−２および偏光子４
ば、複屈折フィルタとして働く。すなわち、偏波保存単
一モート光ファイバ３−１．３−２により光ビームの周
波数毎に偏波方向を変化させ、偏光子４により特定の偏
波のみを透過させることにより、特性の周波数を選択的
に透過させ、半導体レーザ素子１にシｔｖ還させること
ができる。For such a spectral distribution, the reflector 2, the polarization-maintaining single mode optical fiber 3-1, 3-2, and the polarizer 4
For example, it acts as a birefringent filter. That is, by changing the polarization direction for each frequency of the light beam using the polarization-maintaining single-mode optical fiber 3-1, 3-2, and transmitting only a specific polarized wave using the polarizer 4, the characteristic frequency can be changed. It is possible to selectively transmit the light and return it to the semiconductor laser device 1.

このため、ある特定方向に偏光している半導体レーザ素
子１の出力光のうち、特定の軸モード（周波数）の光電
力だけが半導体レーザ素子１に戻る。この特定軸モード
の光強度を第３図に示す。Therefore, of the output light of the semiconductor laser device 1 polarized in a certain specific direction, only the optical power of a specific axial mode (frequency) returns to the semiconductor laser device 1. The light intensity of this specific axis mode is shown in FIG.

これにより半導体レーザ素子ｌは、この波長λ。As a result, the semiconductor laser element l has this wavelength λ.

で単一軸モード発振を行う。performs single-axis mode oscillation.

偏波保存単一モード光ファイバ３−１の長さは、この波
長λ。の光ビームが偏光子４に到達したときに、その偏
波方向が偏光子４を透過するような方向に回転している
ように選択される。偏波保存単一モード光ファイバ３−
２の長さは、偏光子４を透過した光ビームの偏波方向と
、反射板２で反射されて再び偏光子４に到達したときの
偏波方向とが一致するように選択される。偏光子４の端
面を鏡面に加工し、偏波保存単一モード光ファイバ３−
２を用いない応用も可能であるが、加Ｊが困難であるこ
とや、フィルタ特性を考慮して、偏光子４は偏波保存単
一モード光ファイバの間に挿入することが望ましい。The length of the polarization maintaining single mode optical fiber 3-1 is this wavelength λ. The polarization direction is selected such that when the light beam reaches the polarizer 4, its polarization direction is rotated in a direction such that the light beam is transmitted through the polarizer 4. Polarization maintaining single mode optical fiber 3-
The length of the light beam 2 is selected so that the polarization direction of the light beam transmitted through the polarizer 4 coincides with the polarization direction when the light beam is reflected by the reflection plate 2 and reaches the polarizer 4 again. The end face of the polarizer 4 is processed into a mirror surface to form a polarization-maintaining single mode optical fiber 3-
Although it is possible to apply the polarizer 4 without using the polarizer 2, it is preferable to insert the polarizer 4 between the polarization-maintaining single mode optical fibers in consideration of the difficulty of adding J and the filter characteristics.

第４図は複屈折フィルタの特性の一例を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an example of the characteristics of a birefringent filter.

この図では、横軸が中心波長を「０」とする波長の相対
値を示し、縦軸が偏波保存単一モート光ファイバ３−１
の人力光強度に対する出力光強度の比（反Ｕ＝Ｉ率）を
示す。この例は、波長１．５μｍにおいて、ビート長１
０１の偏波保存単一モート光ファイバを使用し、偏波保
存光ファイバ３−１．３〜２の長さをそれぞれ２ｍとし
たときの特性である。In this figure, the horizontal axis shows the relative value of the wavelength with the center wavelength as "0", and the vertical axis shows the polarization-maintaining single-mode optical fiber 3-1.
It shows the ratio of the output light intensity to the human power light intensity (anti-U=I ratio). In this example, at a wavelength of 1.5 μm, the beat length is 1
These are the characteristics when a polarization-maintaining single-mode optical fiber of No. 01 is used, and the lengths of polarization-maintaining optical fibers 3-1.3-2 are each 2 m.

この例の場合には、通過域の半値半幅が４人であり、隣
接する中心通過帯域間隔が３８人であった。In this example, the half-width at half maximum of the passband was 4 people, and the interval between adjacent center passbands was 38 people.

このように、反射板２、偏波保存単一モード光ファイバ
３−１．３−２および偏光子４により、単−縦モードの
光ビームを反射させ、半導体レーザ素子１に帰還させる
ことができた。In this way, the single-longitudinal mode light beam can be reflected by the reflector 2, the polarization-maintaining single-mode optical fiber 3-1, 3-2, and the polarizer 4 and returned to the semiconductor laser element 1. Ta.

第５図は本発明第二実施例の半導体レーザ装置を示す図
である。FIG. 5 is a diagram showing a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention.

半導体レーザ素子１と反射板２との間には、３木の偏波
保存単一モード光ファイバ３−１．３−２および３−３
が配置され、これらの偏波保存単一モード光ファイバ３
−１．３−２．３−３の間には、それぞれ偏光子４−１
．４−２が配置されている。偏波保存単一モート光ファ
イバ３−１．３−２．３−３の長さはそれぞれ２ｍであ
る。Between the semiconductor laser element 1 and the reflection plate 2 are three polarization-maintaining single mode optical fibers 3-1, 3-2 and 3-3.
are arranged, and these polarization maintaining single mode optical fibers 3
-1.3-2.3-3, each has a polarizer 4-1
．． 4-2 is placed. Each of the polarization maintaining single mode optical fibers 3-1.3-2.3-3 has a length of 2 m.

第６図は、このときの偏波保存単一モード光ファイバ３
−］　、３−２および３−３と偏光子４−１および４−
２とによる複屈折フィルタの特性を示す図である。この
ように、本実施例では、第一・実施例の場合よりも阻止
特性を改善することができる。Figure 6 shows the polarization maintaining single mode optical fiber 3 in this case.
-], 3-2 and 3-3 and polarizers 4-1 and 4-
FIG. 2 is a diagram showing the characteristics of a birefringent filter according to FIG. In this way, in this example, the blocking characteristics can be improved more than in the first example.

このように、偏波保存単一モード光ファイバの長さや、
偏光子の挿入個数により、これらのフィルタ特性を任意
に変化さセるごとができる。In this way, the length of polarization-maintaining single mode optical fiber,
These filter characteristics can be changed arbitrarily by changing the number of polarizers inserted.

本発明の半導体レーザ装置の発振周波数の変化は、例え
ば圧電素子等により、偏波保存単一モード光ファイバに
側圧を加えて偏波複屈折率を変化させ、これにより偏波
保存単一モード光ファイバによる偏波方向の回転角度を
変化させることにより実現できる。The oscillation frequency of the semiconductor laser device of the present invention is changed by applying lateral pressure to the polarization-maintaining single-mode optical fiber using, for example, a piezoelectric element, thereby changing the polarization birefringence of the polarization-maintaining single-mode optical fiber. This can be achieved by changing the rotation angle of the polarization direction by the fiber.

また、本発明は、半導体レーザ素子以外のレーザ素子を
用いたレーザ装置に対しても適用できる。Furthermore, the present invention can also be applied to laser devices using laser elements other than semiconductor laser elements.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明の半導体レーザ装置は、半
導体レーザ素子の単一の軸モードで選択的に発振させる
ことが可能である。また、等測的な共振器長は光ファイ
バの長さによって決定されるため、光ファイバを長くと
れば、スペクトル線幅、すなわち発振波長の帯域を狭く
することが可能である。さらに、光−路部品に要求され
る位置精度は、発振モードが光フアイバ内を伝送される
モードによって決定されるため、位置ずれによる発振モ
ードの変化は少ない。例えば、偏波保存単一モード光フ
ァイバ３−１．３−２の長さが１ｍの場合の数ｍｍ程度
の誤差は、特性にほとんど影響しない。また、光を光フ
アイバ内で処理しているために、装置を小型化できる効
果がある。As explained above, the semiconductor laser device of the present invention can selectively oscillate in a single axial mode of the semiconductor laser element. Furthermore, since the isometric resonator length is determined by the length of the optical fiber, the longer the optical fiber, the narrower the spectral linewidth, that is, the oscillation wavelength band. Furthermore, since the positional accuracy required of the optical path component is determined by the mode in which the oscillation mode is transmitted within the optical fiber, there is little change in the oscillation mode due to positional deviation. For example, when the length of the polarization-maintaining single mode optical fiber 3-1.3-2 is 1 m, an error of about several mm has little effect on the characteristics. Furthermore, since the light is processed within the optical fiber, the device can be made smaller.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第１図は本発明第一実施例の半導体レーザ装置を示す図
。 第２図は半導体レーザ素子の一般的なスベクトル分布を
示すＭ。 第３図は特定軸モードの光強度を示す図。 第４図は複屈折フィルタの特性を示す図。 第５図は本発明第二実施例の半導体レーザ装置を示す図
。 第６図は複屈折フィルタの特性を示す図。 第７図は従来例の半導体レーザ装置を示す図。 第１（図は従来例の半導体レーザ装置を示す図。 １・・・半導体レーザ素子、２・・・反射板、　３−１
．３−２．３−３・・・偏波保存華−モード光ファイバ
、４．４〜］　、４−２・・・偏光子、５・・・結合用
レンス、６・・・回折格子。 Ｍ１図 ；！１’Ｓ２　図　　　　　児３回 ３４　図 蔦６　回FIG. 1 is a diagram showing a semiconductor laser device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 2 shows a general svector distribution of a semiconductor laser device. FIG. 3 is a diagram showing the light intensity in a specific axis mode. FIG. 4 is a diagram showing the characteristics of a birefringent filter. FIG. 5 is a diagram showing a semiconductor laser device according to a second embodiment of the present invention. FIG. 6 is a diagram showing the characteristics of a birefringent filter. FIG. 7 is a diagram showing a conventional semiconductor laser device. First (The figure shows a conventional semiconductor laser device. 1... Semiconductor laser element, 2... Reflection plate, 3-1
．． 3-2.3-3...Polarization preserving flower mode optical fiber, 4.4-], 4-2...Polarizer, 5...Coupling lens, 6...Diffraction grating. M1 figure;! 1'S2 Figure 3 times 34 Figure Tsuta 6 times

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] （１）半導体レーザ素子の外部に反射板が配置され、そ
の反射板に反射する光の光路によりその半導体レーザ素
子の共振器長が設定される半導体レーザ装置において、 上記半導体レーザ素子と上記反射板との間に単一モード
光ファイバおよび偏光子が配置されたことを特徴とする
半導体レーザ装置。(1) In a semiconductor laser device in which a reflector is disposed outside the semiconductor laser element and the cavity length of the semiconductor laser element is set by the optical path of light reflected by the reflector, the semiconductor laser element and the reflector A semiconductor laser device characterized in that a single mode optical fiber and a polarizer are arranged between the semiconductor laser device and the semiconductor laser device. （２）偏光子は１個である特許請求の範囲第（１）項に
記載の半導体レーザ装置。(2) The semiconductor laser device according to claim (1), wherein the number of polarizers is one. （３）偏光子はそれぞれ間隔を置いて配置された複数個
である特許請求の範囲第（１）項に記載の半導体レーザ
装置。(3) The semiconductor laser device according to claim (1), wherein a plurality of polarizers are arranged at intervals.
JP15383884A 1984-07-23 1984-07-23 Semiconductor laser device Granted JPS6132488A (en)

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JPH0137868B2 JPH0137868B2 (en) 1989-08-09

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996027928A1 (en) * 1995-03-06 1996-09-12 Northern Telecom Limited Wavelength control of data-modulated lasers
US6965627B2 (en) 2001-05-16 2005-11-15 Nec Corporation Semiconductor laser module

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1996027928A1 (en) * 1995-03-06 1996-09-12 Northern Telecom Limited Wavelength control of data-modulated lasers
US6965627B2 (en) 2001-05-16 2005-11-15 Nec Corporation Semiconductor laser module

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