JPS6124101A - 厚膜導電ペ−スト - Google Patents
厚膜導電ペ−ストInfo
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- JPS6124101A JPS6124101A JP59145382A JP14538284A JPS6124101A JP S6124101 A JPS6124101 A JP S6124101A JP 59145382 A JP59145382 A JP 59145382A JP 14538284 A JP14538284 A JP 14538284A JP S6124101 A JPS6124101 A JP S6124101A
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- JP
- Japan
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- weight
- glass
- powder
- resistance
- conductive
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/14—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material
- H01B1/16—Conductive material dispersed in non-conductive inorganic material the conductive material comprising metals or alloys
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C3/00—Glass compositions
- C03C3/04—Glass compositions containing silica
- C03C3/076—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight
- C03C3/102—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead
- C03C3/108—Glass compositions containing silica with 40% to 90% silica, by weight containing lead containing boron
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C17/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors
- H01C17/06—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base
- H01C17/065—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing resistors adapted for coating resistive material on a base by thick film techniques, e.g. serigraphy
- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06513—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component
- H01C17/06553—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the resistive component composed of a combination of metals and oxides
-
- H—ELECTRICITY
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- H01C—RESISTORS
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- H01C17/06506—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits
- H01C17/06573—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the permanent binder
- H01C17/0658—Precursor compositions therefor, e.g. pastes, inks, glass frits characterised by the permanent binder composed of inorganic material
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は耐摩耗性、耐酸性に優れた厚膜導電ペーストに
関する。
関する。
家庭用電化製品の制御装置は、通常ツマミの回転、スラ
イド等により電源の大切、音量の大小、出力の強弱など
の動作状態の設定、制御を行なうようになっている。と
ころが該製品が調理器具の場合、ツマミの軸が挿通して
いる器体部分の開口部に水、油等が侵入するのを有効に
防止することができず、機器の故障や誤動作を生じるこ
とがあった。
イド等により電源の大切、音量の大小、出力の強弱など
の動作状態の設定、制御を行なうようになっている。と
ころが該製品が調理器具の場合、ツマミの軸が挿通して
いる器体部分の開口部に水、油等が侵入するのを有効に
防止することができず、機器の故障や誤動作を生じるこ
とがあった。
、このような制御装置は構造的にも洗浄に適していない
。このため特に調理器具においては、制御装置を平板化
し、器体に開口部を作らない構造とする試みが為されて
いる。このような平板状制御装置は一般にタッチパネル
と呼ばれ、近年調理用電気器具に採用されるようになっ
てきた。
。このため特に調理器具においては、制御装置を平板化
し、器体に開口部を作らない構造とする試みが為されて
いる。このような平板状制御装置は一般にタッチパネル
と呼ばれ、近年調理用電気器具に採用されるようになっ
てきた。
タッチパネルには種々の形式があるが、ガラスを基板に
用い、該ガラス表面に酸化錫や酸化インジウム等の透明
導電膜の電極及び回路を形成したものが一般的である。
用い、該ガラス表面に酸化錫や酸化インジウム等の透明
導電膜の電極及び回路を形成したものが一般的である。
ところが、このタッチパネルの表面をみがき砂を含んだ
酸性洗剤でこすると次第に導電膜が磨滅する。調理台に
近接してタッチパネルが取付けられている器具において
は該パネル上に油、煮汁等の飛散付滑が避けられず、こ
のため上記のような洗浄に耐える導電膜材料の開発が強
く要請されていた。
酸性洗剤でこすると次第に導電膜が磨滅する。調理台に
近接してタッチパネルが取付けられている器具において
は該パネル上に油、煮汁等の飛散付滑が避けられず、こ
のため上記のような洗浄に耐える導電膜材料の開発が強
く要請されていた。
本発明者等は酸化ルテニウム（Ｒｕｂ）系厚膜抵抗体が
耐摩耗性に優れている点に着目し・この抵抗体を耐摩耗
性、耐酸性の導電膜材料に改造できないか種々検討を重
ねた結果、従来のガラス粉末の代りにＴｉＯを含有する
ガラスを用いると共に、導電成分としてＲｕＯの外に銀
及び又はパラジウム粉末を含有せしめ、導電成分とガラ
ス粉末の比率をある範囲とし、且つ酸化ビスマス（Ｂｉ
ｂ）及びアルミナ（Ａｔ○ ）を少量添加することによ
り所期の目的を達成できることを見出して本発明に到達
した。即ち、本発明の導電ペーストは、酸化ルテニウム
（ＲＵＯ）粉末と、銀及び又はパラジウム粉末とを合計
で１５〜３５重量％と、Ｔｌｏ を１〜５重量％含有す
る硼硅酸鉛系ガラス粉末５５〜４０重量％と、酸化ビス
マス粉末１〜５重量％及びアルミナ粉末１〜５重量％と
を含有する点に特徴がある。
耐摩耗性に優れている点に着目し・この抵抗体を耐摩耗
性、耐酸性の導電膜材料に改造できないか種々検討を重
ねた結果、従来のガラス粉末の代りにＴｉＯを含有する
ガラスを用いると共に、導電成分としてＲｕＯの外に銀
及び又はパラジウム粉末を含有せしめ、導電成分とガラ
ス粉末の比率をある範囲とし、且つ酸化ビスマス（Ｂｉ
ｂ）及びアルミナ（Ａｔ○ ）を少量添加することによ
り所期の目的を達成できることを見出して本発明に到達
した。即ち、本発明の導電ペーストは、酸化ルテニウム
（ＲＵＯ）粉末と、銀及び又はパラジウム粉末とを合計
で１５〜３５重量％と、Ｔｌｏ を１〜５重量％含有す
る硼硅酸鉛系ガラス粉末５５〜４０重量％と、酸化ビス
マス粉末１〜５重量％及びアルミナ粉末１〜５重量％と
を含有する点に特徴がある。
通常のＲｕＯ系厚膜厚膜抵抗体ペーストＲｕＯ粉末を導
電成分とし、該導電成分を基板に固着するだめのバイン
ダーとしてガラス粉末を用い、これらを有機質ビヒクル
中に分散混練したもので、セラミック基板に該ペースト
をスクリーン印刷で塗布し、７５０〜９００ Ｇで焼成
すれば該基板上に抵抗体皮膜が形成されるようになって
いる。ところがこのペーストをガラス基板に適用する場
合は焼成を７００Ｃ以下にしなければならず、焼成温度
を低くすると通常の抵抗体ペーストでは耐°摩耗性が著
るしく低下する。そこで先ず低温焼成しても耐摩耗性が
良好となるガラス粉末組成を求めるべく種種実験した結
果、硼硅酸鉛系ガラスにＴｉＯを含有せしめたものが適
当であることを見出した。硼砂酸鉛（ｐｂｏ−Ｂ２０３
−ｓｉｏ２） 系ガラスは通常の厚膜ペーストに良く用
いられているが、ＴｉＯをこのガラスの一成分として１
〜５重量％含有せしめる必要がある。ＴｉＯ含有率は高
い程耐摩耗性が良好となるが、５重量％を超えるとガラ
ス化しなくなるので１〜５重量％とする。
電成分とし、該導電成分を基板に固着するだめのバイン
ダーとしてガラス粉末を用い、これらを有機質ビヒクル
中に分散混練したもので、セラミック基板に該ペースト
をスクリーン印刷で塗布し、７５０〜９００ Ｇで焼成
すれば該基板上に抵抗体皮膜が形成されるようになって
いる。ところがこのペーストをガラス基板に適用する場
合は焼成を７００Ｃ以下にしなければならず、焼成温度
を低くすると通常の抵抗体ペーストでは耐°摩耗性が著
るしく低下する。そこで先ず低温焼成しても耐摩耗性が
良好となるガラス粉末組成を求めるべく種種実験した結
果、硼硅酸鉛系ガラスにＴｉＯを含有せしめたものが適
当であることを見出した。硼砂酸鉛（ｐｂｏ−Ｂ２０３
−ｓｉｏ２） 系ガラスは通常の厚膜ペーストに良く用
いられているが、ＴｉＯをこのガラスの一成分として１
〜５重量％含有せしめる必要がある。ＴｉＯ含有率は高
い程耐摩耗性が良好となるが、５重量％を超えるとガラ
ス化しなくなるので１〜５重量％とする。
導電膜材料の抵抗値はある程度低いことが必要である。
ところが従来のＲｕｏ２系抵抗体ペースト組成では導電
成分に対するガラスの比率が高過ぎ、抵抗値が大きくな
って導電膜材料として使用できない。この抵抗値を下げ
るにはＲｕＯ粉末の外に銀及び又はパラジウム粉末を添
加すると共に、これら導電成分に対するガラスの比率を
低下するのが有効である。ところがガラスの比率を低下
すると耐摩耗性、耐酸性、表面平滑性が低下してくる。
成分に対するガラスの比率が高過ぎ、抵抗値が大きくな
って導電膜材料として使用できない。この抵抗値を下げ
るにはＲｕＯ粉末の外に銀及び又はパラジウム粉末を添
加すると共に、これら導電成分に対するガラスの比率を
低下するのが有効である。ところがガラスの比率を低下
すると耐摩耗性、耐酸性、表面平滑性が低下してくる。
この欠点はＢｉ Ｏ及びＡｔ Ｏの添加である程度解消
される。Ｂｉ Ｏは表面平滑性の改善に効果かあす、１
〜５重量％添加する。Ｂｉ Ｏはあまり多過ぎると却っ
て平滑性が損なわれる。Ａ１２ｏ３は耐酸性の改善に効
果があり、１〜５重量％添加する。
される。Ｂｉ Ｏは表面平滑性の改善に効果かあす、１
〜５重量％添加する。Ｂｉ Ｏはあまり多過ぎると却っ
て平滑性が損なわれる。Ａ１２ｏ３は耐酸性の改善に効
果があり、１〜５重量％添加する。
八１２０３をあまり多くすると焼成膜の表面平滑性を損
ない、基板との密着性を低下させることにもなる。
ない、基板との密着性を低下させることにもなる。
このようにＢｉ２Ｏ３及びＡｌ２Ｏ３の添加により耐酸
性、表面平滑性は改善されるが、耐摩耗性に最も影響す
るのは導電成分に対するガラスの比率であり、ガラスの
含有率をあまり低くすることができない。このようなこ
とがらペースト中の導電成分を１５〜３５重量％とじ・
ガラス粉末を５５〜４０重量％とし、導電成分とガラス
粉末の合計が７０〜７５重量％となる゛ようにする必要
がある。ガラス粉末の比率がこれより多くなると抵抗値
が高くなり過ぎて導電膜材料として使用できなくなり、
又、少ないとＢ１２Ｏ３及びＡ１２ｏ３を添加しても耐
摩耗性、耐酸性、表面平滑性が満足されないからである
。
性、表面平滑性は改善されるが、耐摩耗性に最も影響す
るのは導電成分に対するガラスの比率であり、ガラスの
含有率をあまり低くすることができない。このようなこ
とがらペースト中の導電成分を１５〜３５重量％とじ・
ガラス粉末を５５〜４０重量％とし、導電成分とガラス
粉末の合計が７０〜７５重量％となる゛ようにする必要
がある。ガラス粉末の比率がこれより多くなると抵抗値
が高くなり過ぎて導電膜材料として使用できなくなり、
又、少ないとＢ１２Ｏ３及びＡ１２ｏ３を添加しても耐
摩耗性、耐酸性、表面平滑性が満足されないからである
。
又、導電成分とガラス粉末の合計が７０〜７５重量％と
なるようにするのは、有機質ビヒクルの含有率が多過ぎ
ても又少な過ぎても良好なスクリーン印刷性が得られな
いからである。
なるようにするのは、有機質ビヒクルの含有率が多過ぎ
ても又少な過ぎても良好なスクリーン印刷性が得られな
いからである。
導電成分中、Ｒｕｂ２粉末と銀及び又はパラジウム粉末
との比率はおよそ１：１とするのが適当である。
との比率はおよそ１：１とするのが適当である。
上記導電成分、ＴｉＯ含有硼硅酸鉛系ガラス、Ｂ１２Ｏ
３及びＡ１２ｏ３の粉末を有機質ビヒクルと混線すれば
本発明の導電ペーストが得られる。有機質ビヒクルは通
常の厚膜ペーストに用いられるものテ良く、例えばエチ
ルセルロースｔ−１０〜２０ｉ量％含有するブチルカル
ピトールアセテート溶液、テルピネオール溶液等が挙げ
られる。
３及びＡ１２ｏ３の粉末を有機質ビヒクルと混線すれば
本発明の導電ペーストが得られる。有機質ビヒクルは通
常の厚膜ペーストに用いられるものテ良く、例えばエチ
ルセルロースｔ−１０〜２０ｉ量％含有するブチルカル
ピトールアセテート溶液、テルピネオール溶液等が挙げ
られる。
本発明の導電ペーストによれば、５５０〜７００Ｃ程度
の温度での焼成により充分耐摩耗性、耐酸性を有する導
電被膜が得られ、本ペーストにより信頼性のあるタッチ
パネルの製造が可能となった。
の温度での焼成により充分耐摩耗性、耐酸性を有する導
電被膜が得られ、本ペーストにより信頼性のあるタッチ
パネルの製造が可能となった。
実施例１
第１表に示すようなＴｉＯ含有率０〜５重量％の硼硅酸
鉛系ガラス４種を試作し、これを３２５メツシユ以下に
粉砕して第２表に示すような導電ペーストを作成した。
鉛系ガラス４種を試作し、これを３２５メツシユ以下に
粉砕して第２表に示すような導電ペーストを作成した。
このペーストを２關幅、２４朋長さのパターンで並板ガ
ラス基板にスクリーン印刷し、乾燥後６００Ｃで焼成し
、焼成膜について両端の抵抗値を測定し、表面状態を観
察し、次いで耐摩耗性と耐酸性の試験に供した。耐摩耗
性、耐酸性の試験方法と結果の表示は次の通りである。
ラス基板にスクリーン印刷し、乾燥後６００Ｃで焼成し
、焼成膜について両端の抵抗値を測定し、表面状態を観
察し、次いで耐摩耗性と耐酸性の試験に供した。耐摩耗
性、耐酸性の試験方法と結果の表示は次の通りである。
（１）耐摩耗性
摺動子として６．６１．４に９の錘りを布で被覆したも
のを用い、この摺動子を上記焼成膜上を、１０ｇ／１０
０ｍ１濃度の酸性クレンザ−液を５ ｍｌ１分の速度で
滴下しつつ、１０Ｗ分の速度で２０００回往復させ、摺
動後の抵抗値を初期の抵抗値と比較して４倍未満ならば
◎、４〜８倍ならば０，８倍以上となるものをＸ印とし
た。
のを用い、この摺動子を上記焼成膜上を、１０ｇ／１０
０ｍ１濃度の酸性クレンザ−液を５ ｍｌ１分の速度で
滴下しつつ、１０Ｗ分の速度で２０００回往復させ、摺
動後の抵抗値を初期の抵抗値と比較して４倍未満ならば
◎、４〜８倍ならば０，８倍以上となるものをＸ印とし
た。
（１１）耐酸性
焼成膜が形成されたガラス基板を２５ｃの３．５％塩酸
水溶液に５分間浸漬した後水洗乾燥し、表面状態を実体
顕微鏡で観察した。表面に全く変化が認められないもの
を◎、表面が変色して化学的変化は認められるが、膜自
体の浸食は認められないものを○、膜が酸により明らか
に浸食されているものをＸ印とした。
水溶液に５分間浸漬した後水洗乾燥し、表面状態を実体
顕微鏡で観察した。表面に全く変化が認められないもの
を◎、表面が変色して化学的変化は認められるが、膜自
体の浸食は認められないものを○、膜が酸により明らか
に浸食されているものをＸ印とした。
なお、耐摩耗性、耐酸性の試験前の表面状態観察は膜表
面が平滑でむらが無ければ○、表面が粗いもの、クラッ
ク等の欠陥があるものをＸ印とした。測定結果を第２表
にまとめて示す。
面が平滑でむらが無ければ○、表面が粗いもの、クラッ
ク等の欠陥があるものをＸ印とした。測定結果を第２表
にまとめて示す。
第 １ 表
第 ２ 表
（注※）ビヒクル組成はエチルセルロースを１２重量％
含有するターピネオール溶液である。
含有するターピネオール溶液である。
第２表の結果からガラス組成中のＴｉＯが耐摩耗性向上
に寄与し、ＴｉＯ含有率が高い程良好となることが判る
。
に寄与し、ＴｉＯ含有率が高い程良好となることが判る
。
実施例２
第１表に示すガラス組成Ｃを用い、ガラスと導電成分の
割合を種々変え、且つＢｉ Ｏ、ＡＩＯの添加量も種々
変えてペーストを作成し、該ペーストについて実施例１
と同様の試験を行なった。該ペースト組成及び測定結果
を第３表にまとめて示す。第３表は導電成分に対するガ
ラスの比率が低過ぎると耐摩耗性、耐酸性が悪化しくＡ
５）、高くなると耐摩耗性、耐酸性は良好となるが抵抗
値が高くなり過ぎる（ Ａ ］ ６ ）ことを示してい
る。
割合を種々変え、且つＢｉ Ｏ、ＡＩＯの添加量も種々
変えてペーストを作成し、該ペーストについて実施例１
と同様の試験を行なった。該ペースト組成及び測定結果
を第３表にまとめて示す。第３表は導電成分に対するガ
ラスの比率が低過ぎると耐摩耗性、耐酸性が悪化しくＡ
５）、高くなると耐摩耗性、耐酸性は良好となるが抵抗
値が高くなり過ぎる（ Ａ ］ ６ ）ことを示してい
る。
又、Ｅｉ Ｏの添加により表面平滑性が改善される（Ａ
７．８）が、多過ぎると却って平滑性が損なわれる （
黒９）こと、ＡｌＯの添加により耐酸性が改善される（
ＡＩＯｌｌｌ）が、多過ぎると表面平滑性が損なわれる
（Ａｌ１）ことも示している。
７．８）が、多過ぎると却って平滑性が損なわれる （
黒９）こと、ＡｌＯの添加により耐酸性が改善される（
ＡＩＯｌｌｌ）が、多過ぎると表面平滑性が損なわれる
（Ａｌ１）ことも示している。
Claims (1)
- （１）酸化ルテニウム粉末と、銀及び又はパラジウム粉
末とを合計で１５〜３５重量％と、ＴｉＯ＿２を１〜５
重量％含有する硼硅酸鉛系ガラス粉末５５〜４０重量％
と、酸化ビスマス粉末１〜５重量％及びアルミナ粉末１
〜５重量％とを含有することを特徴とする厚膜導電ペー
スト。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59145382A JPS6124101A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 厚膜導電ペ−スト |
| US06/754,215 US4603007A (en) | 1984-07-13 | 1985-07-12 | Paste for forming a thick conductive film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59145382A JPS6124101A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 厚膜導電ペ−スト |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6124101A true JPS6124101A (ja) | 1986-02-01 |
| JPH0311483B2 JPH0311483B2 (ja) | 1991-02-18 |
Family
ID=15383948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59145382A Granted JPS6124101A (ja) | 1984-07-13 | 1984-07-13 | 厚膜導電ペ−スト |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4603007A (ja) |
| JP (1) | JPS6124101A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2018014413A (ja) * | 2016-07-21 | 2018-01-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
| JP2018043895A (ja) * | 2016-09-12 | 2018-03-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 二酸化ルテニウム粉末とその製造方法、厚膜抵抗体ペースト、及び、厚膜抵抗体 |
| WO2019142367A1 (ja) * | 2018-01-17 | 2019-07-25 | 三菱マテリアル株式会社 | サーミスタ素子及びその製造方法 |
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| DE69007778T2 (de) * | 1990-04-12 | 1994-08-18 | Du Pont | Zusammensetzungen für niederohmige Dickschichtwiderstände und Herstellungsverfahren solcher Widerstände. |
| JP3253121B2 (ja) * | 1992-03-30 | 2002-02-04 | イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー | 厚膜抵抗体組成物 |
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| US5534194A (en) * | 1993-03-30 | 1996-07-09 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Thick film resistor composition containing pyrochlore and silver-containing binder |
| JPH07161223A (ja) * | 1993-12-10 | 1995-06-23 | Murata Mfg Co Ltd | 導電性ペーストおよび積層セラミックコンデンサ |
| US6618117B2 (en) | 1997-07-12 | 2003-09-09 | Silverbrook Research Pty Ltd | Image sensing apparatus including a microcontroller |
| KR100369565B1 (ko) * | 1999-12-17 | 2003-01-29 | 대주정밀화학 주식회사 | 전기발열체용 저항 페이스트 조성물 |
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| JP2006019768A (ja) * | 2005-09-28 | 2006-01-19 | Kyocera Corp | 太陽電池素子 |
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