JPS60185129A - Pressure sensor - Google Patents

Pressure sensor

Info

Publication number
JPS60185129A
JPS60185129A JP4069784A JP4069784A JPS60185129A JP S60185129 A JPS60185129 A JP S60185129A JP 4069784 A JP4069784 A JP 4069784A JP 4069784 A JP4069784 A JP 4069784A JP S60185129 A JPS60185129 A JP S60185129A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
diaphragm
pressure
housing
flat
strain gauge
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4069784A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Nakane
中根 武司
Katsumi Nakagawa
勝己 中川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Aisin Corp
Original Assignee
Aisin Seiki Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Aisin Seiki Co Ltd filed Critical Aisin Seiki Co Ltd
Priority to JP4069784A priority Critical patent/JPS60185129A/en
Publication of JPS60185129A publication Critical patent/JPS60185129A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01LMEASURING FORCE, STRESS, TORQUE, WORK, MECHANICAL POWER, MECHANICAL EFFICIENCY, OR FLUID PRESSURE
    • G01L9/00Measuring steady of quasi-steady pressure of fluid or fluent solid material by electric or magnetic pressure-sensitive elements; Transmitting or indicating the displacement of mechanical pressure-sensitive elements, used to measure the steady or quasi-steady pressure of a fluid or fluent solid material, by electric or magnetic means
    • G01L9/0041Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms
    • G01L9/0051Transmitting or indicating the displacement of flexible diaphragms using variations in ohmic resistance

Abstract

PURPOSE:To improve productivity, by bonding circumference of a flat-plate shaped diaphragm with a bonding agent, fixing a port having a pressure introducing part and a housing by caulking, thereby providing a structure, which is suitable for easy and highly accurate machining and mass productivity. CONSTITUTION:A strain gage 23 is formed on the side of a normal pressure chamber 24 in a flat-plate shape diaphragm 25. An electrode 29 of the gage is connected to a circuit substrate 28 in a housing 21 by a lead wire 30. A port 22 having a pressure introducing part 26 is inserted into the housing 21. O rings 31 and 32 are provided, and the port 22 is fixed by caulking 33. A part between the pressure on the side of the introducing part 26 and the normal pressure side 24 is sealed. A part between the housing 21 and the external pressure is sealed. Since the diaphragm 25 is made flat shape, a structure suitable for easy and highly accurate machining and mass productivity is obtained. A thin film is formed on the flat plate by a sputtering method, and a large amount of strain gages can be manufactured. Therefore the productivity can be improved.

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の技術分野] 本発明は、被検出圧ノJを圧力に応じて変形可能な平板
(ダイアフラム)に加え、加えられた被検出圧ツノをダ
イアフラムの表面に形成された歪ゲージで電気信号に変
換する圧力センサに関するものである。
Detailed Description of the Invention [Technical Field of the Invention] The present invention is based on a method in which a detected pressure J is applied to a flat plate (diaphragm) that can be deformed according to the pressure, and horns of the applied detected pressure are formed on the surface of the diaphragm. This relates to a pressure sensor that converts into an electrical signal using a strain gauge.

この種の圧力センサは、一般産業用の油圧、空圧機器用
のセンサとして用いられるものである。
This type of pressure sensor is used as a sensor for general industrial hydraulic and pneumatic equipment.

[従来技術] この種の、圧力センサに使用される圧力−電気信号変換
手段(以下、単に歪ゲージと言う)として、ダイアフラ
ムに取り付けた抵抗線の歪寸法変化を電気的信号に変換
する抵抗歪ゲージ、ダイアプラムに取り付けた半導体結
晶のピエゾ抵抗効果を利用した半導体歪ゲージ等が、主
に使用されている。
[Prior Art] As a pressure-to-electrical signal conversion means (hereinafter simply referred to as a strain gauge) used in this type of pressure sensor, a resistance strainer is used to convert strain dimensional changes in a resistance wire attached to a diaphragm into an electrical signal. Gauges, semiconductor strain gauges that utilize the piezoresistance effect of a semiconductor crystal attached to a diaphragm, and the like are mainly used.

前記歪ゲージは、被検出圧力を歪ゲージに伝達する歪を
発生させる起歪体となるダイアフラムに取り付けて用い
られる。第1図及び第2図は歪ゲージをダイアフラムに
取り付けた圧力センサの従来例を示″ili面図である
The strain gauge is used by being attached to a diaphragm that serves as a strain-generating body that generates strain that transmits the detected pressure to the strain gauge. 1 and 2 are plan views showing a conventional example of a pressure sensor in which a strain gauge is attached to a diaphragm.

第1図はハウジング1の圧力導入部6を有づるボート2
と常圧室4との間を゛、ハウジング1の切削加工に−よ
り肉厚を蒲<シた箇所、即も、ダイアフラム5を形成し
たものである。ダイアフラム5の常圧室4側には歪ゲー
ジ3が接着剤で貼付されている。
FIG. 1 shows a boat 2 with a pressure introduction part 6 of a housing 1.
A diaphragm 5 is formed between the housing 1 and the normal pressure chamber 4 by increasing the wall thickness by cutting the housing 1. A strain gauge 3 is attached to the normal pressure chamber 4 side of the diaphragm 5 with adhesive.

また、第2図は拡散型半導体圧力センサで、半導体ブレ
ーナ技術を用いてシリコン単結晶基板に拡散歪ゲージを
形成した断面略凹字状のダイアフラム14として用いら
れる。前記ダイアフラム14は低融点ガラスを接着剤1
7として台座13に到着し、更に、台座13は低融点ガ
ラス或いは樹脂等の接着剤18によってステム12にダ
イボンドしたものである。そして、歪ゲージの電極15
とステム12のボスト16とを金線11により溶着し、
電気的回路を構成覆る。また、ステム12とその筒状部
を圧力導入口とするキレン10とを抵抗溶接等によって
封着し、半導体チップ等を保護するように構成している
。なお、大気口19は塁準圧力を大気圧どするための大
気圧導入用である。
Further, FIG. 2 shows a diffusion type semiconductor pressure sensor, which is used as a diaphragm 14 having a substantially concave cross-section, in which a diffusion strain gauge is formed on a silicon single crystal substrate using semiconductor brainer technology. The diaphragm 14 is made of low melting point glass with an adhesive 1.
The base 13 is then die-bonded to the stem 12 with an adhesive 18 such as low melting point glass or resin. And the electrode 15 of the strain gauge
and the boss 16 of the stem 12 are welded together with the gold wire 11,
Configure and cover electrical circuits. Further, the stem 12 and the cylinder 10 whose cylindrical portion is used as a pressure introduction port are sealed by resistance welding or the like to protect semiconductor chips and the like. Note that the atmosphere port 19 is for introducing atmospheric pressure to bring the sub-pressure to atmospheric pressure.

この種の、従来の圧力レンサは、第1図の切・削加工に
よってダイアフラムを形成Jるものにあっては、ハウジ
ングの構造が複雑であるにもかかわらず、高い加工積電
に仕上げる必要があり、特に、ダイアフラム表面の処理
等が非常に難作業となり、生産性に欠け、延いては、高
価にならざるを得な、−かった。また、第2図の拡散型
半導体圧力センサは、ウェハを個々の歪ゲージ単位の半
導体チップにダイシングし、それを、低融点ガラスを用
いて台座13に封止する点に、到着ガラスと半導体チッ
プの熱膨張係数の違いがあり、到着部の環境温度変化に
伴ない熱応ツノが変化するという欠点があった。ダイボ
ンドにおいても前者と同様の熱応力−の問題があり、更
に、接着剤に樹脂を用いたしのにあっては、電極15と
ボスト16とのワイ入7ボンドエ程時の温度上昇によっ
て、接@剤が劣化する等の欠点があった。前記熱応力の
問題は結果的に残留歪、熱歪となって現われることにな
る。また、この種の半導体[ン1すは、受圧部の半導体
が被測定媒体と接触することから、温度や汚染に弱い等
の欠点があった。
In this type of conventional pressure sensor, the diaphragm is formed by cutting and machining as shown in Figure 1, and although the housing structure is complex, it is necessary to finish it with a high processing power. In particular, the treatment of the diaphragm surface is extremely difficult work, resulting in a lack of productivity and, as a result, the cost has to be increased. In addition, in the diffusion type semiconductor pressure sensor shown in FIG. 2, the wafer is diced into semiconductor chips in individual strain gauge units, and the wafer is sealed in a pedestal 13 using low melting point glass. There is a difference in the coefficient of thermal expansion, and there is a drawback that the thermal response horn changes as the environmental temperature changes at the arrival part. Die bonding also has the same problem of thermal stress as the former, and furthermore, when resin is used as the adhesive, the temperature rise during the bonding process between the electrode 15 and the post 16 causes the bond to deteriorate. There were drawbacks such as deterioration of the agent. The problem of thermal stress results in residual strain and thermal strain. In addition, this type of semiconductor device has drawbacks such as being susceptible to temperature and contamination because the semiconductor of the pressure receiving section comes into contact with the medium to be measured.

一般に、この極め圧力センサのダイアフラム周辺の固着
は、機械的、熱的歪の発生を極力少なくりる必要がある
。叩ら、受圧時にダイアフラム周辺の固着部がずれると
、圧力が解除されてもダイアフラムが初期状態に復元で
きす、それが歪ゲージに影響しヒステリシスとなって現
われるから、特に’l0K9/ci秤度以上の圧力セン
サにおいては、性能の安定性から、ダイアフラムの周辺
は堅固に固定する必要があるとされていた。また、ダイ
アフラム周辺の固着に低融点ガラス等を使用覆ると、ダ
イアフラムと熱膨張係数が大きく異なるため、その19
みを’A9<Uる必要があった。延いては、それがこの
種の圧力センザの生産性を抑制する要因となっていた。
Generally, the fixation around the diaphragm of this extreme pressure sensor needs to minimize the occurrence of mechanical and thermal strain. If the fixed part around the diaphragm shifts when it is struck or receives pressure, the diaphragm will not be able to return to its initial state even after the pressure is released.This will affect the strain gauge and appear as hysteresis, especially when using the '10K9/ci scale. In the above-described pressure sensors, it has been considered necessary to securely fix the periphery of the diaphragm in order to ensure stability of performance. In addition, if a low-melting glass or the like is used to fix the area around the diaphragm, the coefficient of thermal expansion will be significantly different from that of the diaphragm.
I had to look at it. In turn, this has become a factor that restricts the productivity of this type of pressure sensor.

1発明の目的] 本発明は、上記欠点を除去し、ダイアフラムの形状を加
工容易な形状とし、10Kg/crA程度以上の圧力[
ンナの生産性を向上させることを目的とする。
1. Purpose of the Invention] The present invention eliminates the above-mentioned drawbacks, makes the shape of the diaphragm easy to process, and has a pressure of about 10 kg/crA or higher [
The purpose is to improve the productivity of operators.

[発明の構成] 本発明は、ハウジング内に配設された電気的な絶縁物か
ら成る平板状ダイアフラムと、前記平板状ダイアフラム
を基板として形成したアモルファス合金薄膜からなる歪
ゲージとからなり、前記平板状ダイアフラムの受圧圧力
によって弾性限界内で変位する平板状ダイアフラムの周
辺を、エポキシ系の接着剤で接着して、その生産性を向
上させたことを特徴とするものである。
[Structure of the Invention] The present invention includes a flat diaphragm made of an electrical insulator disposed in a housing, and a strain gauge made of an amorphous alloy thin film formed using the flat diaphragm as a substrate, The periphery of the flat diaphragm, which is displaced within the elastic limit due to the pressure received by the diaphragm, is bonded with an epoxy adhesive to improve productivity.

[発明の実施例] 第4図は、本発明の一実施例の断面図である。[Embodiments of the invention] FIG. 4 is a cross-sectional view of one embodiment of the present invention.

図中、21はハウジング、22は被検知圧力を導く圧力
導入部26を有づ−るボートである。平板状ダイアフラ
ム25はポート22とハウジング21との間に介在して
おり、平板状ダイアフラム25の一面及びハウジング2
1の内壁で常圧室24を形成している。平板状ダイアフ
ラム25の常圧室24側には歪ゲージ23が形成されて
おり、歪ゲージ23の電極29どハウジング21内に配
設された回路基板28との間はリード線30によって接
続されている。回路基板28は更に増幅回路等を装着し
た回路基板36に導かれ、回路基板36からリード線3
4によって圧力セン勺の検出出力を1予ている。前記回
路基板28はゴムシール材37でハウジング内に固着さ
れている。また、ハウジング21とリード線34との間
はゴム主11ツブ35により封止している。そして、前
記回路基板28及びハウジング21の内壁、ゴムキレツ
ブ35で形成づる空白にはエポキシ樹脂38が充填され
Cいる。
In the figure, 21 is a housing, and 22 is a boat having a pressure introduction part 26 for guiding the pressure to be detected. The flat diaphragm 25 is interposed between the port 22 and the housing 21, and one surface of the flat diaphragm 25 and the housing 2
The inner wall of 1 forms a normal pressure chamber 24. A strain gauge 23 is formed on the normal pressure chamber 24 side of the flat diaphragm 25, and the electrodes 29 of the strain gauge 23 are connected to the circuit board 28 disposed inside the housing 21 by lead wires 30. There is. The circuit board 28 is further guided to a circuit board 36 equipped with an amplifier circuit, etc., and the lead wire 3 is connected to the circuit board 36 from the circuit board 36.
4 predicts the detection output of the pressure sensor by 1. The circuit board 28 is fixed within the housing with a rubber sealing material 37. Moreover, the space between the housing 21 and the lead wire 34 is sealed by a rubber main 11 knob 35. Then, the blank space formed by the circuit board 28, the inner wall of the housing 21, and the rubber break 35 is filled with epoxy resin 38.

更に、第4図に示した本発明の実施例の圧力はンナの要
部の、属性及び製造について詳)小づる。
Furthermore, the pressure of the embodiment of the invention shown in FIG.

第3図の(a)、(b)、(c)は、本実施例の圧力セ
ンサの製造工程図である。
(a), (b), and (c) of FIG. 3 are manufacturing process diagrams of the pressure sensor of this example.

ダイアフラム25は化学強化ガラス或いは部分安定化強
化セラミックス等の電気的絶縁体で平板状に形成したも
のである。前記化学強化カラスとは、弾性及び耐圧に富
み、電気的にも良好な絶縁物である属性を有づるガラス
で、例えば、縦弾性係数7.2X 103Kg/ mれ
曲げ強度50に9/mmと大きく、かつ、そのポアソン
比が0.22で、電気的にも良好な絶縁物である属性を
有するガラスとして、コーニング社(米国)から市販さ
れているもの等を挙げることができる。また、前記部分
安定化強化セラミックスどして、部分安定化ジルコニア
レラミックスを挙げることができる。
The diaphragm 25 is formed into a flat plate shape from an electrical insulator such as chemically strengthened glass or partially stabilized reinforced ceramics. The chemically strengthened glass is a glass that is rich in elasticity and pressure resistance, and has the properties of being a good electrical insulator. As a glass having a large size, a Poisson's ratio of 0.22, and an electrically good insulating property, there is a glass commercially available from Corning Co., Ltd. (USA). Further, as the partially stabilized reinforced ceramics, partially stabilized zirconia alleramix can be mentioned.

前記平板状に形成したダイアフラムを、第3図の製造工
程図(a)の如ぎ基板としてそこにアモルファス合金等
で薄膜抵抗体(回路)を形成し、フAトエッチング技術
により、薄膜抵抗体を歪ゲージパターン(第4図の歪ゲ
ージパターンの一例参照)に加工する。例えば、平板状
ダイアフラム25を形成する上記化学強化ガラスにアモ
ルファス合金薄膜(本実施例において用いたアモルファ
ス合金は、N1xSi、B2の組成より成るものである
。)をスパッタリングで形成し、その上にフォトレジス
トを塗布し、歪ゲージパターンに合わせて形成したマス
クによりフォトレジストを露光、現像し、ベーキング、
エツチング、フォトレジストの除去、表面の清浄化等を
経て歪ゲージを形成する。
The diaphragm formed in a flat plate shape is used as a substrate as shown in the manufacturing process diagram (a) in FIG. is processed into a strain gauge pattern (see an example of a strain gauge pattern in FIG. 4). For example, an amorphous alloy thin film (the amorphous alloy used in this example has a composition of N1xSi and B2) is formed on the chemically strengthened glass that forms the flat diaphragm 25 by sputtering, and then photo Apply resist, expose and develop the photoresist using a mask formed according to the strain gauge pattern, bake,
A strain gauge is formed by etching, removing the photoresist, cleaning the surface, etc.

なお、本発明の実施例の如く、歪ゲージ23にアモルフ
ァス合金を用いると、抵抗温度計数を無視できる値にで
き、温瓜ドリフトが極めて小さくすることができる。ま
た、化学強化ガラスからなる平板状ダイアフラム25に
アモルファス合金薄膜を形成したものにあっては、線膨
張変化を同一にしており、相互間に温度上昇に伴う歪の
発生を防止できる。そして、引張り強度が大きくでき、
歪ゲージに大きな応力を加えることができ、結果として
感度を上げることができる。特に、スパッタリング法に
よりアモルファス合金薄膜を形成したものは、ロール急
冷法に比較し厚みを薄くできるため、電気抵抗が高く、
同一の抵抗値とするにはパターンを太くできるため、歩
止り良く製造でき生産性を向」ニさせることができる。
In addition, if an amorphous alloy is used for the strain gauge 23 as in the embodiment of the present invention, the resistance temperature coefficient can be made to a negligible value, and the melt drift can be made extremely small. Further, in the case where an amorphous alloy thin film is formed on the flat diaphragm 25 made of chemically strengthened glass, the linear expansion changes are the same, and it is possible to prevent the occurrence of distortion due to temperature rise between the diaphragms 25 and 25. And the tensile strength can be increased,
A large stress can be applied to the strain gauge, resulting in increased sensitivity. In particular, amorphous alloy thin films formed using the sputtering method can be made thinner than the roll quenching method, so they have higher electrical resistance.
Since the pattern can be made thicker in order to maintain the same resistance value, it is possible to manufacture with a high yield and improve productivity.

そして、第3図の製造工程図の(b)の如く、平板状ダ
イアフラム25を基板として、そこに歪ゲージ23を形
成したものの電極29に、リード線30を接続し、それ
をハウジング21端部にハウジング21の線WfJ服率
と近似する有機系接着剤39で接着させる。勿論、ボー
1〜22の端部に有機系接着剤で接着させてもよい。実
験によれば、前記接着剤39は剪断引張強度が200K
g/ cM以上あれば測定レンジの2倍の圧力まで、ダ
イアフラムのズレは発生しない。例えば、エポキシ系接
着剤の剪断引張強度は400Kg/ciのものまであり
耐圧力について問題がない。
Then, as shown in (b) of the manufacturing process diagram in FIG. 3, the flat diaphragm 25 is used as a substrate, and the strain gauge 23 is formed thereon.The lead wire 30 is connected to the electrode 29, and the lead wire 30 is connected to the end of the housing 21. The housing 21 is bonded with an organic adhesive 39 that approximates the line WfJ coating rate. Of course, the ends of the bows 1 to 22 may be bonded with an organic adhesive. According to experiments, the adhesive 39 has a shear tensile strength of 200K.
If the pressure is above g/cM, the diaphragm will not shift up to a pressure twice the measurement range. For example, the shear tensile strength of epoxy adhesives is up to 400 kg/ci, so there is no problem with pressure resistance.

次に、第3図の製造工程図の(C)の如く、化学強化ガ
ラスからなる平板状ダイアフラム25をその端部に接着
させたハウジング21に圧力導入部26を有するボー1
〜22を嵌挿して、ボート22をカシメ33で固着する
。ボート22と平板状ダイアフラム25との間及びボー
ト22とハウジング21との間にはOリング31及び3
2を介在させて、圧力導入部26側の圧力と常圧側2/
1間の11止及びハウジング21外圧との封止を行なう
Next, as shown in (C) in the manufacturing process diagram of FIG.
- 22 is inserted, and the boat 22 is fixed with caulking 33. O-rings 31 and 3 are provided between the boat 22 and the flat diaphragm 25 and between the boat 22 and the housing 21.
2, the pressure on the pressure introduction part 26 side and the normal pressure side 2/
11 and the housing 21 is sealed from external pressure.

そして、回路基板36を取りイ1けた回路基板28にゴ
ムシール37を嵌合させ、それをハウジング21内に挿
入し、そのハウジング21にゴムキャップ35を冠着し
、ゴムキャップ35の穴部から、エポキシ樹脂38を充
填して固着させる。
Then, remove the circuit board 36, fit the rubber seal 37 to the one-digit circuit board 28, insert it into the housing 21, attach the rubber cap 35 to the housing 21, and insert the rubber seal 37 from the hole in the rubber cap 35. The epoxy resin 38 is filled and fixed.

この様に製造されたものが、第4図の如き構成となる。The product manufactured in this manner has a configuration as shown in FIG.

第6図は平板状ダイアフラム25に第5図に示り一歪ゲ
ージパターンを形成し、圧力導入部26に圧力Pを加え
た場合の実験値で、圧力Pと抵抗変化率ΔR/Rとの関
係を示す特性図である。なお、図中、Rは歪ゲージの抵
抗値、ΔRは圧力による抵抗値変化である。
FIG. 6 shows experimental values when the strain gauge pattern shown in FIG. 5 is formed on the flat diaphragm 25 and the pressure P is applied to the pressure introduction part 26, and the relationship between the pressure P and the resistance change rate ΔR/R is shown. It is a characteristic diagram showing a relationship. In the figure, R is the resistance value of the strain gauge, and ΔR is the change in resistance value due to pressure.

前記特性図から分るように、平板状ダイアフラム25の
周辺をエポキシ系接着剤で接看したしのにおいても、平
板状ダイアフラム25に加えられた分布何重を受りて、
平板状ダイアフラム25の半径方向の歪と接線方向の歪
が生じる。第5図に示づ歪ゲージパターンのG2.G3
は平板状ダイアフラム25の中心部の接線方向の引張り
平均歪を検出りることになる。この出力は特性Aの如く
なる。同時に、平板状ダイアフラム25の半径方向の歪
が生じ、第5図に示J゛歪ゲージパターンのG1.G4
は特性Bの如く周辺部の半径方向の圧縮平均歪を検出づ
ることになる。
As can be seen from the characteristic diagram, even when the periphery of the flat diaphragm 25 is coated with an epoxy adhesive, the distribution applied to the flat diaphragm 25 causes
Distortion in the radial direction and tangential direction of the flat diaphragm 25 occurs. G2 of the strain gauge pattern shown in FIG. G3
The average tensile strain in the tangential direction at the center of the flat diaphragm 25 is detected. This output is as shown in characteristic A. At the same time, distortion occurs in the radial direction of the flat diaphragm 25, and G1 of the J' strain gauge pattern shown in FIG. G4
As shown in characteristic B, the compressive average strain in the radial direction of the peripheral portion can be detected.

したがって、従来のダイアフラムの周辺を固定したもの
と同様な結果が得られる。
Therefore, results similar to those obtained by fixing the periphery of a conventional diaphragm can be obtained.

この様に本発明の実施例によれば、ダイアフラムを平板
状とすることにより、高精度加工が容易となり量産性に
適した構造となる。゛また、平板状ダイアフラムの材質
が電気的な絶縁体であるから、直接そこにスパッタリン
グ法により薄膜抵抗を形成することができ、同時に大圏
の歪ゲージを製造づることができる。
As described above, according to the embodiment of the present invention, by forming the diaphragm into a flat plate shape, high-precision machining becomes easy and the structure becomes suitable for mass production. Furthermore, since the material of the flat diaphragm is an electrical insulator, a thin film resistor can be formed directly thereon by sputtering, and at the same time a great-circle strain gauge can be manufactured.

そして、平板状ダイアフラムとして化学強化ガラスを用
いると共に、歪ゲージとしてアモルファス合金薄膜を用
いているから、両者は線膨張変化を同一にしており、相
互間に温度TRに伴う歪の発生を防止できる。かつ、弾
性ノコ及び剪断応力に富んでいるから、苛酷な温度条件
下で使用可能な高圧用の圧力セン1すとすることがrき
る。
Since chemically strengthened glass is used as the flat diaphragm and an amorphous alloy thin film is used as the strain gauge, both have the same linear expansion change and can prevent strain from occurring between them due to temperature TR. In addition, since it is rich in elastic saw and shear stress, it can be used as a pressure sensor for high pressure that can be used under severe temperature conditions.

[発明の効果] 以上のように、ダイアフラムを平板状とづることにより
、高精度加工が容彷亡なり量産性に適した@造とするこ
とができる。そして、その材質が電気的に絶縁体である
から平板状ダイアフラムの面に歪ゲージを形成する場合
、金属性の平板状ダイアフラムのようにその表面に絶縁
処理を行なう必要性がないから、後の製造■稈を簡単に
することができる。また、平板状ダイアフラムをその基
板としで、スパッタリング法により薄膜を形成できるか
ら、同時に大量の歪ゲージを製造することができ、かつ
、掛止り良く製造でき生産性を向上させることができる
[Effects of the Invention] As described above, by forming the diaphragm in a flat plate shape, high-precision machining can be performed without interruption, and it is possible to obtain a @ structure suitable for mass production. Since the material is an electrical insulator, when forming a strain gauge on the surface of a flat diaphragm, there is no need to insulate the surface unlike a metallic flat diaphragm. Manufacturing ■ Culms can be made easily. Further, since a thin film can be formed by sputtering using a flat diaphragm as a substrate, a large amount of strain gauges can be manufactured at the same time, and productivity can be improved by being able to manufacture the strain gauges with good continuity.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は切削加工によってダイアフラムを形成した従来
の圧力センサの断面図、第2図は2F導体でダイアフラ
ムを形成した従来の圧力セン1ノのIli面図、第3図
は木実施例の圧力センサの製造工程図、第4図は本発明
の圧力センソ°の断面図、第5図は本発明の圧力Uンサ
に用いた歪ゲージパターンの平面図、第6図は第5図の
歪ゲージパターンを本発明の圧力レンリに用いた場合の
特性図である。 図中、21・・・ハウジング、22・・・ポート、23
・・・歪ゲージ、24・・・常圧室、25・・・平板状
ダイアフラム、26・・・圧力導入部、29・・・電極
、28・・・回路基板、30及び34・・・リード線、
31及び32・・・0リング、35・・・ゴムキャップ
、39・・・接着剤である。 なお、図中、同−符号及び同一記号は、同一または相当
部分を示す。 特7.r(出願人 アイシン精機株式会社代1!11人
 弁理士 樋口 武尚 第3図 25 第4図 第6図 o−−一上年 手続ネrti JJE書 (自発) 昭和59年12月20日 1、事件の表示 特願昭 59−040697号 2、発明の名称 圧力レンサ 3、補正をづる者 事f1との関係 特許出願人 住所 愛知県刈谷市朝日町2丁目1番地名称 (001
)アイシン精機株式会社代表者 中 井 令 夫 4、代理人 〒500 ffi 0582−62−47
22ζ 岨 5式 %式% [3、発明の詳細な説明]の項 7・−−一\3、’d
! −’ \ 6、補正の内容
Fig. 1 is a sectional view of a conventional pressure sensor with a diaphragm formed by cutting, Fig. 2 is an Ili side view of a conventional pressure sensor with a diaphragm formed with a 2F conductor, and Fig. 3 is a pressure sensor of the wooden embodiment. 4 is a cross-sectional view of the pressure sensor of the present invention, FIG. 5 is a plan view of the strain gauge pattern used in the pressure sensor of the present invention, and FIG. 6 is the strain gauge of FIG. 5. It is a characteristic diagram when a pattern is used for the pressure relief of this invention. In the figure, 21...Housing, 22...Port, 23
... Strain gauge, 24 ... Normal pressure chamber, 25 ... Flat diaphragm, 26 ... Pressure introduction part, 29 ... Electrode, 28 ... Circuit board, 30 and 34 ... Lead line,
31 and 32...O ring, 35...Rubber cap, 39...Adhesive. In addition, in the figures, the same reference numerals and the same symbols indicate the same or equivalent parts. Special 7. r (Applicant: Aisin Seiki Co., Ltd. 1! 11 Patent Attorney Takehisa Higuchi Figure 3, Figure 25, Figure 4, Figure 6, o--1st Year Proceedings Nerti JJE (Spontaneous) December 20, 1980 1, Indication of the case Patent application No. 59-040697 No. 2, name of the invention Pressure sensor 3, relationship with the person making the amendment f1 Patent applicant address 2-1 Asahicho, Kariya City, Aichi Prefecture Name (001)
) Aisin Seiki Co., Ltd. Representative Rei Nakai 4, Agent 500 ffi 0582-62-47
22ζ 岨5 Formula % Formula % Section [3. Detailed Description of the Invention] 7・--1\3,'d
! −' \ 6. Contents of correction

【1】 明細書の[2、特許請求の範囲]の項を別紙の
とおり全文補正する。
[1] The entire text of section [2. Scope of Claims] of the specification is amended as shown in the attached sheet.

【2】 明細書の[3、発明の詳細な説明]の項中、第
5頁第6行目の [特に10Kg/cd程度以上の圧力センサにおいては
、」 を削除する。
[2] In the section [3. Detailed Description of the Invention] of the specification, delete the phrase [especially for pressure sensors of about 10 Kg/cd or more] on page 5, line 6.

【3] 明l1ll書の[3、発明の詳細な説明]の項
中、第5頁第16行目の r’ 10に9/ci程度以上の」 を削除する。 【4】 明細書の[3、発明の詳細な説明]の項中、第
6頁第5行目から同頁第6行目の「エポキシ系の」 を削除づる。 2、特許請求の範囲 (1) ハウジング内に配設されIc平板状ダイアフラ
ムと、前記平板状ダイアフラムを基板として薄膜抵抗で
形成した歪ゲージから構成される圧力レンサにおいて、
前記平板状ダイアフラムの周囲を接名剤で接着すると共
に、圧力導入部を右づるボートとハウジングとをカシメ
によって固着した構成を特徴とづる圧力センサ。 (2) 前記薄膜抵抗を、アモルファス合金で形成した
ことを特徴とする特許請求の範囲第1項記載の圧力セン
1す。 (3) 前記平板状ダイアフラムを、化学強化ガラスで
形成したことを特徴とする特許請求の範till第1項
記載の圧力レン曇す。
[3] In the section [3. Detailed Description of the Invention] of the book, delete the phrase "r' 10 is about 9/ci or more" on page 5, line 16. [4] In the section [3. Detailed Description of the Invention] of the specification, "epoxy-based" from page 6, line 5 to page 6, line 6 will be deleted. 2. Claims (1) A pressure sensor comprising an Ic flat diaphragm arranged in a housing and a strain gauge formed of a thin film resistor using the flat diaphragm as a substrate,
A pressure sensor characterized in that the periphery of the flat diaphragm is adhered with a contact agent, and the boat and the housing having the pressure introduction part on the right side are fixed by caulking. (2) The pressure sensor 1 according to claim 1, wherein the thin film resistor is formed of an amorphous alloy. (3) The pressure lens fogger according to claim 1, wherein the flat diaphragm is made of chemically strengthened glass.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] (1) ハウジング内に配設された化学強化ガラスから
成る平板状ダイアフラムと、前記平板状ダイアフラムを
基板として薄膜抵抗で形成した歪ゲージから構成される
圧力センナにおいて、前記平板状ダイアフラムの周囲を
エポキシ系の接着剤で接着すると共に、圧力導入部を有
するボートとハウジングとをカシメによって固着した構
成を特徴とづる圧力センサ。
(1) In a pressure sensor consisting of a flat diaphragm made of chemically strengthened glass disposed in a housing and a strain gauge formed of a thin film resistor using the flat diaphragm as a substrate, the periphery of the flat diaphragm is coated with epoxy. A pressure sensor characterized by a structure in which a boat having a pressure introduction part and a housing are fixed together by caulking, as well as being bonded with a type of adhesive.
(2) 前記薄膜抵抗をアモルファス合金で形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第1項記載のj王カセン
ザ。
(2) The J King Casenza according to claim 1, wherein the thin film resistor is formed of an amorphous alloy.
JP4069784A 1984-03-03 1984-03-03 Pressure sensor Pending JPS60185129A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4069784A JPS60185129A (en) 1984-03-03 1984-03-03 Pressure sensor

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4069784A JPS60185129A (en) 1984-03-03 1984-03-03 Pressure sensor

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS60185129A true JPS60185129A (en) 1985-09-20

Family

ID=12587749

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4069784A Pending JPS60185129A (en) 1984-03-03 1984-03-03 Pressure sensor

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS60185129A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0447641U (en) * 1990-08-24 1992-04-22
JPH0457740U (en) * 1990-09-21 1992-05-18

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5844323A (en) * 1981-09-09 1983-03-15 Aisin Seiki Co Ltd Pressure sensor

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5844323A (en) * 1981-09-09 1983-03-15 Aisin Seiki Co Ltd Pressure sensor

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0447641U (en) * 1990-08-24 1992-04-22
JPH0457740U (en) * 1990-09-21 1992-05-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3697917A (en) Semiconductor strain gage pressure transducer
US4103273A (en) Method for batch fabricating semiconductor devices
US4773269A (en) Media isolated differential pressure sensors
JP2775430B2 (en) Pressure sensor with vacuum display
JPH10502449A (en) Equipment for mounting absolute pressure sensors
JPS6313356B2 (en)
US8196476B2 (en) Flat planar pressure transducer
JPS60185129A (en) Pressure sensor
JP2000241273A (en) Pressure detecting device
JPH07101747B2 (en) Semiconductor pressure sensor
JPS5887880A (en) Semiconductor diaphragm type sensor
JPS60186727A (en) Pressure sensor
JP2512220B2 (en) Multi-function sensor
JPS59145940A (en) Differential pressure and pressure transmitting device
JPS63228038A (en) Semiconductor pressure transducer
JPS5983023A (en) Semiconductor pressure difference detector
JPS59154332A (en) Semiconductor pressure sensor
JPS62268167A (en) Thin-film pressure sensor
JPH0786619A (en) Strain gauge and manufacture thereof
JPS62259475A (en) Semiconductor pressure transducer and manufacture thereof
JPS5930035A (en) Semiconductor pressure sensor
JPH0566979B2 (en)
JPH08240494A (en) Pressure sensor and its manufacture
JPH0821774A (en) Semiconductor pressure sensor and its manufacture
JPS6285470A (en) Pressure sensor