JPS5983462A - 読取印字複写装置 - Google Patents

読取印字複写装置

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JPS5983462A
JPS5983462A JP57193628A JP19362882A JPS5983462A JP S5983462 A JPS5983462 A JP S5983462A JP 57193628 A JP57193628 A JP 57193628A JP 19362882 A JP19362882 A JP 19362882A JP S5983462 A JPS5983462 A JP S5983462A
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は小型化および消費電力の低減を図つた読取印字
複写装置に関する。
従来の読取装置として、例えば、縮小光学系を介する原
稿走査に基いてCCDイメージセンサあるいはMOSイ
メージセンサからシリアルの原稿走査信号を出力し、該
信号をバッファーメモリに蓄積してパラレル信号として
出力できるようにしたものがある。
また、従来の印字装置として、例えば、パラレル化され
たプリント信号を複数の発熱素子を有する感熱ヘッドあ
るいは複数の記録電極を有する静電ヘッドに与え、該ヘ
ッドのプリント操作によってプリント信号から原稿を再
生するものがある。
しかし、従来の読取装置によれば、縮小光学系を配置す
るために所定の光学距離を有した空間が必要なことから
小型化に制限が生じ、また、従来の11:11字装置に
よれば、プリントヘッドにおける電力の消費を避けるこ
とができず、かつ、発熱素子数あるいは記録電極数の個
数低減に限度があるため、消費電力の低減および小型化
に制限がある。
従って、従来の読取装置1と従来の印字装置を組合わせ
て読取印字装置を構成したとしても、小型化および消費
電力の低減を図ることができない。
本発明は上記に鑑みてなされたものであり、小型化およ
び消費電力の低減を図るため、原稿内容に応じたイメー
ジセンサの2値化電位あるいはプリント信号の2値化レ
ベルに基いて複写光を通過させる液晶シャッターを制御
し、かつ、前記2値化電位を、例えば送信信号として処
理した後回線に送出できるようにし、これによって従来
のバッファーメモリーを省略できるようにした読取印字
複写装置を提供するものである。
以下、本発明の読取印字複写装置を詳細に説明する。
第1図(イ)、(ロ)は本発明の一実施例を示し、ガラ
ス等の透明基板1にCr + A Z T N i r
 A u 等の金属膜からなる分割電極2が設けられ、
それを被うようにアモルファス−8i、Se  As−
Te。
cd8寺の半導体材料からなる光導電層3が設け÷妊壬
≠÷。
られている。該光導電層3はその上層に設けられるIT
O,5n02等の透明導電膜4(電極5に接続されてい
る)と分割電極2の間に位置し、また、分割電極2は透
明導′It膜4と同一の材質で形成される透明導を膜6
と接続されている。
透明導*膜4上にはシール材8で包題され、かつ、透明
導電膜9で封じこ甘れた液晶7が設けられ、透明4電)
模9の表面および基板1の裏面に偏光板10.11が設
けられている。透明導電膜6は基板1上に設けられた電
極12と接続され、電極12はリード線13を介して駆
動回路14と接続される。以上の構成により、部分20
は薄膜イメージセンサとして機能し、部分21は液晶シ
ャッターとして機能し、また、部分22は駆動部として
機能する。
第2図は第1図(イ)、(ロ)の構成を回路図で示し、
抵抗および容量の並列回路で示される薄膜イメージセン
サ20 a、20b、20c、20dと、一端をVBの
バイアス電源に接続され、他端を電極86(分割電極2
、透明導を膜6、電極12、リード線13に相当する)
に接続された液晶シャッター21 a、 2 l b、
 21 c、 21 dと、薄膜イメージセンサ20a
  20b、20cX20dと1!極5を介して接続さ
れ、制御端子23に信号Cを入力するMOS)ランジス
タ24(信号Cが「1」のときオンする)と、シフトレ
ジスタ27の端子D 、 F 、 H、Jに制御端子を
接続され、オンしたどき電源26のバイアス電位Vaを
電極86に与えるMOSトランジスタ80a、80b、
80c。
80dと、シフトレジスタ27の端子E、G、IKに制
御端子を接続され、MOSトランジスタ29.84との
接続を制御するMOS)ランジスタ31a18 l b
、 81 c、 81 dを有する。MOS)ランジス
タ29は制御端子28に信号Bを入力し、信号Bが11
」のときオンして電極86の状態を増幅器8δを介して
端子37から信号Nとして出力し、MOSトランジスタ
84は制御端子82に信号Aを入力し、信号Aが「1」
のときオンして端子88から信号りを電極36に与える
以上の構成において、その操作を祝明すると次の通りで
ある。
(1)原稿を電気信号に変換する操作(第S図)MOS
)ランラスタ340制御端子32に信号Aとして「0」
、MOS )ランジスタ29の制御端子28に信号Bと
して「1」、およびIVIOsトランジスタ240制御
端子23に信号Cとして「1」を入力すると、MOS 
トランジスタ34はオフ、MOSトランジスタ29.2
4はオンする。MOSトランジスタ80a、80b、8
11c80dおよびMOSトランジスタ81a、81b
81c、Bid  の制御端子にシフトレジスタ27の
端子D−Kから周期Tの信号D−Kを入力すると、信号
りが「1」のとき(1で表わす)MOS)ランジスタ8
0aがオンして薄膜イメージセンサ20aの容量がバイ
アス電源26によって電位VAに充電される。
信号りが[1月になると(11で表わす)MOSトラン
ジスタ80aがオフになり、原稿照射に基いて薄膜イメ
ージセンサ20aが光照射を受けると、光導電膜8の抵
抗が減少して光電流1p が流れて充電電位VAが放電
電位Vlに向って減少を開始する。次に、信号Eが「1
」になると(1で表わす)、MOS トランジスタ81
aがオンになって電極36のV−に減少した電位をオン
しているM、O8)ランジスタ29および増幅器85を
介して端子37から信号Nとして出力する。また、信号
Fが「1」になると(1で表わす)、薄膜イメージセン
サ20bが同じようにVAに充電され、原稿の状態に基
いて光照射を受けなかったとすると電位VAがそのまま
保持されるため信号Gが「1」になったとき(1で表わ
す)、端子37から信号NとしてV−を出力する。以上
の操作の繰9返しによって薄膜イメージセンサ21a〜
21dの光照射に応じた信号Nが端子87から出力され
る。
(2)電気信号から原稿を再生する操作(第4図)MO
S)ランジスタ84の制御端子32に信号Aとして[I
J、MOS)ランラスタ290制御端子28に信号Bと
して「0」、およびMOSトランジスタ24の制御端子
28に信号Cとして「0」を入力すると、MOSトラン
ジスタ84はオンし、MOSトランジスタ29,24f
dオフになる。MOS)ランジスタ80a、80b+8
0c、80d は制御端子にシフトレジスタ27の端子
り、F、H,Jから信号り、F、H,Jとして「0」を
入力してオフに々る。 この状態において、1v10S
トランジスタ34の端子88から画信号L(highを
VCとし、lOWを「0」とする)を入力し、かつ、シ
フトレジスタ27の端子F、G、I 、KからMOS)
ランジスタ81a、Blb、31c、81d、+7)制
御端子に図示のタイミングの信号E、G、I 、Kを入
力すると、液晶シャッター21&は信号Eの「1」に基
(MOS )ランジスタ81aのオン(1によって表示
)によって画信号りとして「0」を電極36に入力する
ため、バイアス電源25の電位VBをそのまま受けて透
明になる(lによって表示)。信号Eが「0」になると
(llによって表示)、MOSトランジスタ81aがオ
フになるため、この状態がそのまま保持される。次に、
信号Gとして「1」をMOS)ランジスタ81bの制御
端子に入力すると、MOSトランジスタ81bはオンに
なって液晶シャッター21bは電極86を介して画信号
りとしてVCを受けるためその両端の電位はVB−VC
CO2なって不透明になる(1によって表示)。
次に、信号Eが再び「1」になったときは(−によって
表示)、画信号りはVcであるため液晶シャッター21
aにVB−Vcが加わるため不透明になる。液晶シャッ
ター21cを信号工によシ、液晶シャッター21dを信
号Kによって制御することによって画信号りに応じて透
明および不透明の状態を取らせることができる。
(3)原稿を複写する操作 MOS)ランラスタ340制御端子32に信号Aとして
[OJ、MOS)ランラスタ290制御端子28に信号
Bとして「0」、およびIVIO8)ランジスタ24の
制御端子28に信号Cとしく9) て「1」を入力してMOSトランジスタ29.34をオ
フにし、IVIO8)ランジスタ24をオンにする。こ
れ以外の操作は第8図のタイムチャートに同じである。
即ち、薄膜イメージセンサ20a、20b、20c、2
0dに光照射があると対応する液晶シャッター21a、
21b、21o。
21dがVBの電圧をかけられ、光照射を受けないとV
B−VA中0の電圧をかけられる。従って光照射がある
と対応する液晶シャッター21a。
21b、21c、21dが透明になり、−yutt射ヲ
受けないと対応する液晶シャッター21a、21b。
21c、21dが不透明になる。
第5図は本発明の具体的構成例を示し、以上説明した読
取印字複写部材50(透明基板1に薄膜イメージセンサ
部20、液晶シャッタ一部21、および駆動部22が設
けられている)の上方には原稿40を載置するプラテン
41が設けられ、その下方には感光ドラム45が設けら
れている。読取印字複写部材50とプラテン410間に
は原稿40および液晶(10) シャッター21を照射する光源42と、照射に基く走査
反射光を薄膜イメージセンサ部20に導くオプチカルフ
ァイバー43(レンズアレイに置換できる)が設けられ
、丘だ、印字複写部材50と感光ドラム450間には液
晶シャッター21を透過した光源42の光を感光ドラム
45に導くオプチカルファイバー44(レンズアレイに
置換できる)が設けられている。感光ドラム45の周囲
には;i*コロトロン47、現像部46、記録紙48に
転写する転写部51、クリーナ一部49が設けられてい
る。
・ 以上の構成において、プラテン41に原稿40を載
置して移動走査し、反射光をオプチカルファイバー48
を介して薄膜イメージセンサ部20へ導く。予め所定の
電位を与えられていた薄膜イメージセンサ部20は原稿
40の内容に応じて電位を保持あるいは放出するため、
その電位に応じて液晶シャッタ一部214は光源42の
複写光を透過あるいは遮断する。
(11) 液晶シャッタ一部21を透過した複写光はオプチカルフ
ァイバー44によって感光ドラム45の露光面に導かれ
る。帯′亀コロトロン47によって帯電されている感光
ドラム45は露光を受けた後、現像部46によって現像
され転写部51において記録紙48に転写する。
然る後、感光ドラム45はクリーナ一部49によって清
掃される。
以上説明した通り、本発明による耽取印字複写裟直によ
れば、原楠円答に応じたイメージセンサの2値化電位め
るいはプリント信号の2値化レベルに基いて複写光を通
過さぞる液晶シャッターを制御し、かつ、前記2埴化電
位を、例えば、送信信号として処理した俊四綴に送出で
さるようにし、これによって従来のバッファーメモリを
省略できるようにしたため、小型化および消費電力の低
減を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
第、1図(イ)、(ロ)は本発明の一実施例を示し、(
イ)(12) は平面図、(ロ)は(イ)のA −A’断面図。第2図
は本発明の一実施例を示す電気回路図。第S図および第
4図は本発明の操作を示すタイムチャート。 第5図は本発明の具体的構成を示す説明図。 符号の説明 1・・・透明基板     2・・・分割電極8・・・
光導電膜  4,6.9・・・透明導電層5.12・・
・電極     7・・・液 晶8・・・シール材  
10.11・・・偏光板13・・・リード線    1
4・・・駆動回路20・・・薄膜イメージセンサ部 21・・・液晶シャッタ一部 22・・・駆動部    40・・・原 稿41・・・
プラテン   42・・・光 源48.44・・・オプ
チカルファイバー45・・・感光ドラム  46・・・
現像部47・・・帯電コロトロン 48川記録紙50・
・・読取印字複写部材 51・・・転写部(13) 第1図 (イ)                      
(0)A′二 第3図 第4図 21b   i VB七  ′ ;      :

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 予め所定の電位を与えられ、原稿反射光を受けて原稿内
    容に応じて前記電位を保持あるいは放出するイメージセ
    ンサ一部と、 入力したプリント信号の2値化レベルに応じて、あるい
    は前記イメージ七ンサ部の前記電位の保持あるいは放出
    に応じて複写光を透過あるいは遮断する液晶シャッタ一
    部と、    ′前記イメージセンサ部の前記電位を原
    稿の読取信号として出力する原稿読取信号出力部と、前
    記液晶シャッタ一部の前記複写光の透過あるいは遮断に
    基いて原稿を再生する感光複写部を備えたことを特徴と
    する読取印字複写装置。
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