JPH1172905A - フォトマスク修復方法、検査方法、検査装置及びフォトマスク製造方法 - Google Patents
フォトマスク修復方法、検査方法、検査装置及びフォトマスク製造方法Info
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- JPH1172905A JPH1172905A JP17830098A JP17830098A JPH1172905A JP H1172905 A JPH1172905 A JP H1172905A JP 17830098 A JP17830098 A JP 17830098A JP 17830098 A JP17830098 A JP 17830098A JP H1172905 A JPH1172905 A JP H1172905A
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
- G03F1/82—Auxiliary processes, e.g. cleaning or inspecting
- G03F1/84—Inspecting
Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ光をパターン欠陥の検査装置の光源と
して採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能で
パターンの欠陥を検査し、これにより高精細なマスクパ
ターンの欠陥修復を行なえるパターン欠陥修復装置を提
供する 【解決手段】 レーザ光の位相を変化させ、このレーザ
光の明るさ分布を均一化した状態で、このレーザ光をフ
ォトマスク２に照射する照明光学系５と、前記レーザ光
とこのフォトマスク２とを相対的に移動させながらこの
フォトマスクの像を蓄積型センサ１７で検知すると共
に、この蓄積型センサ１７から出力信号を前記移動に連
動させて取り出し、前記マスクの画像を形成すると共
に、このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥
を検出する欠陥検出装置（中央演算装置２）とを有す
る。
して採用した場合の問題点を解決し、より高い分解能で
パターンの欠陥を検査し、これにより高精細なマスクパ
ターンの欠陥修復を行なえるパターン欠陥修復装置を提
供する 【解決手段】 レーザ光の位相を変化させ、このレーザ
光の明るさ分布を均一化した状態で、このレーザ光をフ
ォトマスク２に照射する照明光学系５と、前記レーザ光
とこのフォトマスク２とを相対的に移動させながらこの
フォトマスクの像を蓄積型センサ１７で検知すると共
に、この蓄積型センサ１７から出力信号を前記移動に連
動させて取り出し、前記マスクの画像を形成すると共
に、このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥
を検出する欠陥検出装置（中央演算装置２）とを有す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
に用いるフォトマスクのマスクパターンを検査し、これ
に基づいてマスクパターンの欠陥を修復するフォトマス
クの修復方法に関するものである。
に用いるフォトマスクのマスクパターンを検査し、これ
に基づいてマスクパターンの欠陥を修復するフォトマス
クの修復方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造工程に適用される検査装置と
して、フォトマスクのマスクパターン欠陥を検査する装
置がある。この装置は、フォトマスクを照明する照明光
学系と、フォトマスクの像を検出して画像信号を出力す
るためのセンサと、出力された画像信号に基づいてマス
クパターンを検査する検査装置を有している。
して、フォトマスクのマスクパターン欠陥を検査する装
置がある。この装置は、フォトマスクを照明する照明光
学系と、フォトマスクの像を検出して画像信号を出力す
るためのセンサと、出力された画像信号に基づいてマス
クパターンを検査する検査装置を有している。
【０００３】前記照明光学系に用いられる光源として
は、一般的に水銀ランプが使用されている。この水銀ラ
ンプによれば、可視光領域から紫外領域（３６５ｎｍ近
辺）までの波長を有する光を用いてフォトマスクを照明
することができる。
は、一般的に水銀ランプが使用されている。この水銀ラ
ンプによれば、可視光領域から紫外領域（３６５ｎｍ近
辺）までの波長を有する光を用いてフォトマスクを照明
することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年、半導
体装置の高性能化に伴い、フォトマスクのマスクパター
ンはますます微細化・高集積化している。これに伴い検
査装置には高い分解能を発揮することが求められてい
る。高分解能を実現するためには照明光の波長を短波長
化する必要があるが、従来の水銀ランプでは短波長領域
においては検査装置に使用できる照度が得られない。し
たがって、水銀ランプに代えて紫外線レーザ等のレーザ
光源を用いる必要がある。
体装置の高性能化に伴い、フォトマスクのマスクパター
ンはますます微細化・高集積化している。これに伴い検
査装置には高い分解能を発揮することが求められてい
る。高分解能を実現するためには照明光の波長を短波長
化する必要があるが、従来の水銀ランプでは短波長領域
においては検査装置に使用できる照度が得られない。し
たがって、水銀ランプに代えて紫外線レーザ等のレーザ
光源を用いる必要がある。
【０００５】しかしながら、レーザ光を欠陥検査装置の
光源として用いると、レーザの可干渉性から一定の干渉
縞（スペックル）が発生してしまうということがある。
この干渉縞が生じると、センサから出力された検出画像
に明るさの「むら」が現れるため、欠陥検査の際、この
「むら」がパターン欠陥によるものなのかレーザの干渉
縞によるものなのか判別できなくなってしまうという問
題が発生する。
光源として用いると、レーザの可干渉性から一定の干渉
縞（スペックル）が発生してしまうということがある。
この干渉縞が生じると、センサから出力された検出画像
に明るさの「むら」が現れるため、欠陥検査の際、この
「むら」がパターン欠陥によるものなのかレーザの干渉
縞によるものなのか判別できなくなってしまうという問
題が発生する。
【０００６】したがって、この発明は、レーザ光をパタ
ーン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点
を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査し、
これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行なえ
るパターン欠陥修復装置を提供することを目的とする。
ーン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問題点
を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査し、
これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行なえ
るパターン欠陥修復装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決するためになされたものであり、レーザ光の位相
を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化した状
態で、このレーザ光をフォトマスクに照射する照明工程
と、前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動
させながらこのフォトマスクの像を蓄積型（ＴＤＩ）セ
ンサで検知すると共に、この蓄積型センサから出力信号
を前記移動に連動させて取り出し、前記マスクの画像を
形成する画像取得工程と、このマスクの画像に基づいて
マスクパターンの欠陥を検出する欠陥検出工程とを含む
フォトマスク修復方法、検査方法及びフォトマスク製造
方法、若しくは、それらを実行する検査装置を提供す
る。
を解決するためになされたものであり、レーザ光の位相
を変化させ、このレーザ光の明るさ分布を均一化した状
態で、このレーザ光をフォトマスクに照射する照明工程
と、前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動
させながらこのフォトマスクの像を蓄積型（ＴＤＩ）セ
ンサで検知すると共に、この蓄積型センサから出力信号
を前記移動に連動させて取り出し、前記マスクの画像を
形成する画像取得工程と、このマスクの画像に基づいて
マスクパターンの欠陥を検出する欠陥検出工程とを含む
フォトマスク修復方法、検査方法及びフォトマスク製造
方法、若しくは、それらを実行する検査装置を提供す
る。
【０００８】このような構成によれば、レーザ光の可干
渉性に影響されないフォトマスク像を得ることができ、
これに基づいて高精度の検査を行なえる。そして、高精
度な欠陥情報に基づいてフォトマスクの欠陥修復を行な
うことができる。
渉性に影響されないフォトマスク像を得ることができ、
これに基づいて高精度の検査を行なえる。そして、高精
度な欠陥情報に基づいてフォトマスクの欠陥修復を行な
うことができる。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施形態を図
面を参照して説明する （第１の実施形態）図１はマスクパターン検査装置及び
このマスクパターン検査装置の検査結果に基づいてマス
クを修復するマスク修復装置２０を示したものである。
面を参照して説明する （第１の実施形態）図１はマスクパターン検査装置及び
このマスクパターン検査装置の検査結果に基づいてマス
クを修復するマスク修復装置２０を示したものである。
【００１０】図１中符号１で示すのはＸＹテーブルであ
る。このＸＹテーブル１は、検査・修復対象であるフォ
トマスク２を保持し、これを任意のＸＹ方向に駆動する
もので、ＸＹテーブル駆動ドライバ３を介して中央制御
部４に接続されている。
る。このＸＹテーブル１は、検査・修復対象であるフォ
トマスク２を保持し、これを任意のＸＹ方向に駆動する
もので、ＸＹテーブル駆動ドライバ３を介して中央制御
部４に接続されている。
【００１１】また、この検査装置はこのＸＹテーブル１
に保持されたフォトマスク２を照明する照明光学系５を
有する。この照明光学系５は、レーザー光を発振するレ
ーザ光源としてのＡｒレーザ６と、レーザ光の干渉縞を
変化させレーザ光の明るさ分布を均一化するレーザ光均
一化光学系７と、この均一化光学系７を通過したレーザ
ー光を前記フォトマスク２上にスポット状に照射する対
物レンズ８とからなる。
に保持されたフォトマスク２を照明する照明光学系５を
有する。この照明光学系５は、レーザー光を発振するレ
ーザ光源としてのＡｒレーザ６と、レーザ光の干渉縞を
変化させレーザ光の明るさ分布を均一化するレーザ光均
一化光学系７と、この均一化光学系７を通過したレーザ
ー光を前記フォトマスク２上にスポット状に照射する対
物レンズ８とからなる。
【００１２】前記均一化光学系７は、蝿の目レンズ１０
（フライアレイレンズ）と、回転位相板１１と、振動ミ
ラー１２とからなる。
（フライアレイレンズ）と、回転位相板１１と、振動ミ
ラー１２とからなる。
【００１３】まず、蝿の目レンズ１０は、複数のレンズ
１０ａがアレイ状に並べられて集積化されてなる構造を
有するものである。この蝿の目レンズ１０によれば、複
数の２次光源像を形成することができ、これらの瞳像が
フォトマスク２上で重なり合うため、レーザ６の強度分
布を均一化することができる。
１０ａがアレイ状に並べられて集積化されてなる構造を
有するものである。この蝿の目レンズ１０によれば、複
数の２次光源像を形成することができ、これらの瞳像が
フォトマスク２上で重なり合うため、レーザ６の強度分
布を均一化することができる。
【００１４】また、図２（ａ）は前記回転位相板１１を
示す正面図である。この回転位相板１１は、任意の一部
分を図２（ｂ）、（ｃ）に拡大して示すように、表面に
深さの異なる多数の段差１１ａ〜１１ｄがランダムに設
けられてなる透光性の円盤である。このような回転位相
板１１によれば、場所により厚さが異なることから、こ
の回転位相板１１を回転させつつレーザ光を透過させる
ことでこのレーザ光の位相を各段差１１ａ〜１１ｄの深
さに応じて変化させることができる。各段差１１ａ〜１
１ｄは、レーザ光の位相をそれぞれ０、１／４λ、１／
２λ及び３／４λ…だけずらすことのできる厚さに形成
されている。
示す正面図である。この回転位相板１１は、任意の一部
分を図２（ｂ）、（ｃ）に拡大して示すように、表面に
深さの異なる多数の段差１１ａ〜１１ｄがランダムに設
けられてなる透光性の円盤である。このような回転位相
板１１によれば、場所により厚さが異なることから、こ
の回転位相板１１を回転させつつレーザ光を透過させる
ことでこのレーザ光の位相を各段差１１ａ〜１１ｄの深
さに応じて変化させることができる。各段差１１ａ〜１
１ｄは、レーザ光の位相をそれぞれ０、１／４λ、１／
２λ及び３／４λ…だけずらすことのできる厚さに形成
されている。
【００１５】この回転位相板１１は、図１に示す回転駆
動モータ１３によって回転駆動されるようになってお
り、このモータ１３は図示しないモータドライバを介し
て前記中央制御部４に接続されている。この中央制御部
４は、前記回転位相板１１を例えば１０，０００ｒｐｍ
で回転させるように前記モータ１３を制御する。
動モータ１３によって回転駆動されるようになってお
り、このモータ１３は図示しないモータドライバを介し
て前記中央制御部４に接続されている。この中央制御部
４は、前記回転位相板１１を例えば１０，０００ｒｐｍ
で回転させるように前記モータ１３を制御する。
【００１６】このようにレーザ光の位相をランダムに変
化させることにより、レーザ光の干渉縞を変化させるこ
とができ、さらにこれを高速で行なうことで、レーザ光
の明るさを均一化することができる。
化させることにより、レーザ光の干渉縞を変化させるこ
とができ、さらにこれを高速で行なうことで、レーザ光
の明るさを均一化することができる。
【００１７】一方、前記振動ミラー１２はピエゾ素子等
の機械的駆動部１５により例えば１００ＨＺの振動数で
揺動振動されるように構成されており、このミラー１２
で反射するレーザ光の光軸を周期的にずらす機能を有す
る。
の機械的駆動部１５により例えば１００ＨＺの振動数で
揺動振動されるように構成されており、このミラー１２
で反射するレーザ光の光軸を周期的にずらす機能を有す
る。
【００１８】このようにレーザ光の光軸をずらすこと
で、次に図３（ａ）、（ｂ）及び図４（ａ）〜（ｄ）を
参照して説明するようにレーザ光の干渉縞を変化させる
ことができる。すなわち、図３（ａ）は前記レーザ光源
６から発振されたレーザ光の明るさ分布（干渉縞）を示
す平面図であり、図３（ｂ）は断面III-IIIでの明るさ
分布を示す波形である。
で、次に図３（ａ）、（ｂ）及び図４（ａ）〜（ｄ）を
参照して説明するようにレーザ光の干渉縞を変化させる
ことができる。すなわち、図３（ａ）は前記レーザ光源
６から発振されたレーザ光の明るさ分布（干渉縞）を示
す平面図であり、図３（ｂ）は断面III-IIIでの明るさ
分布を示す波形である。
【００１９】前記振動ミラー１２を振動させることで、
図３（ｂ）に示した明るさ分布波形を図４（ａ）〜
（ｄ）に示すように横方向にずらすことができ、このず
れ幅が１波長（図に示すλ）以上となる振幅で前記振動
ミラー１２を高速で振動させることで図４（ｅ）に示す
ようにレーザ光の明るさを均一化することができる。な
お、この振動ミラー１２の振幅及び振動数は前記中央制
御部４によって決定され、制御されるようになってい
る。
図３（ｂ）に示した明るさ分布波形を図４（ａ）〜
（ｄ）に示すように横方向にずらすことができ、このず
れ幅が１波長（図に示すλ）以上となる振幅で前記振動
ミラー１２を高速で振動させることで図４（ｅ）に示す
ようにレーザ光の明るさを均一化することができる。な
お、この振動ミラー１２の振幅及び振動数は前記中央制
御部４によって決定され、制御されるようになってい
る。
【００２０】以上より、この振動ミラー１２を通過した
レーザ光は明るさが均一化された状態で対物レンズ８を
通してフォトマスク２上に照射されることになる。
レーザ光は明るさが均一化された状態で対物レンズ８を
通してフォトマスク２上に照射されることになる。
【００２１】また、この装置は、フォトマスク２の像を
検出するためのセンサとして、図１に示す蓄積型（ＴＤ
Ｉ）センサ１７を用いる。この蓄積型センサ１７は、１
ライン１０４８画素、計６４ラインの光電変換素子から
なるものである。そして、この蓄積型センサ１７は、図
に１８で示すセンサ回路により制御されるようになって
いる。すなわち、この蓄積型センサ１７は前記フォトマ
スク２（ＸＹテーブル１）の移動スピードに同期させ
て、１ラインからの光強度出力信号を隣のラインからの
光強度出力信号に順次足しあわせながら蓄積し、６４ラ
イン分の強度信号が蓄積されたならばこれを出力する特
殊な機能を有するものである。
検出するためのセンサとして、図１に示す蓄積型（ＴＤ
Ｉ）センサ１７を用いる。この蓄積型センサ１７は、１
ライン１０４８画素、計６４ラインの光電変換素子から
なるものである。そして、この蓄積型センサ１７は、図
に１８で示すセンサ回路により制御されるようになって
いる。すなわち、この蓄積型センサ１７は前記フォトマ
スク２（ＸＹテーブル１）の移動スピードに同期させ
て、１ラインからの光強度出力信号を隣のラインからの
光強度出力信号に順次足しあわせながら蓄積し、６４ラ
イン分の強度信号が蓄積されたならばこれを出力する特
殊な機能を有するものである。
【００２２】ここで、蓄積型センサ１７の信号蓄積にか
かる時間（信号蓄積時間）は、フォトマスク２の同一箇
所を第１ライン〜第６４ラインの全てで検出するのにか
かる時間に等しい。そして、この信号蓄積時間は、前記
均一化光学系７によりレーザ光の明るさを均一化できる
最小の時間に設定することが好ましい。
かる時間（信号蓄積時間）は、フォトマスク２の同一箇
所を第１ライン〜第６４ラインの全てで検出するのにか
かる時間に等しい。そして、この信号蓄積時間は、前記
均一化光学系７によりレーザ光の明るさを均一化できる
最小の時間に設定することが好ましい。
【００２３】この実施形態では、例えば図４（ａ）〜
（ｄ）で示す工程で前記干渉縞に対応する光の波形を波
長λだけずらすことのできる時間と前記信号蓄積時間と
を一致させればレーザ光の可干渉性に影響されない均一
な検出信号を得ることができる。
（ｄ）で示す工程で前記干渉縞に対応する光の波形を波
長λだけずらすことのできる時間と前記信号蓄積時間と
を一致させればレーザ光の可干渉性に影響されない均一
な検出信号を得ることができる。
【００２４】なお、これとは逆に、蓄積型センサ１７の
信号蓄積時間に合わせて、前記回転位相板１１の回転
数、振動ミラー１２の振動数を決定するようにしても良
い。
信号蓄積時間に合わせて、前記回転位相板１１の回転
数、振動ミラー１２の振動数を決定するようにしても良
い。
【００２５】すなわち、蓄積型センサ１７の信号蓄積時
間が短い場合には、この短い時間内でレーザ光の明るさ
を均一化する必要がある。したがって、前記回転位相板
１１の回転数や振動ミラー１２の振動数を大きくするこ
とが必要となる。
間が短い場合には、この短い時間内でレーザ光の明るさ
を均一化する必要がある。したがって、前記回転位相板
１１の回転数や振動ミラー１２の振動数を大きくするこ
とが必要となる。
【００２６】この実施形態では、前述したように、回転
位相板１１の回転数を１０，０００ｒｐｍ、振動ミラー
１２の振動数を１００Ｈｚとし、蓄積型センサの１ライ
ンのスキャン時間を３０μｓｅｃとして信号蓄積時間を
３０μｓｅｃ＊６４＝１．９２ｍｓｅｃとすることで、
均一な検出信号を得ることができた。
位相板１１の回転数を１０，０００ｒｐｍ、振動ミラー
１２の振動数を１００Ｈｚとし、蓄積型センサの１ライ
ンのスキャン時間を３０μｓｅｃとして信号蓄積時間を
３０μｓｅｃ＊６４＝１．９２ｍｓｅｃとすることで、
均一な検出信号を得ることができた。
【００２７】このように、均一化光学系７と蓄積型セン
サ１７とを用いて、フォトマスク２を照明しその像を検
出するようにすることで、レーザ光の可干渉性に影響さ
れないフォトマスク像を検出することができる。したが
って、このフォトマスク２のマスクパターンを高分解能
で検出すること可能になる。
サ１７とを用いて、フォトマスク２を照明しその像を検
出するようにすることで、レーザ光の可干渉性に影響さ
れないフォトマスク像を検出することができる。したが
って、このフォトマスク２のマスクパターンを高分解能
で検出すること可能になる。
【００２８】このようにして検出されたマスクパターン
像は、前記中央制御部４によりマスクパターンの検査に
用いられ、その検査結果はマスク修復装置２０に送られ
てマスクパターンの修復に利用される。
像は、前記中央制御部４によりマスクパターンの検査に
用いられ、その検査結果はマスク修復装置２０に送られ
てマスクパターンの修復に利用される。
【００２９】以下、この検査及び修復工程を図５に示す
フローチャートを用いて説明する。
フローチャートを用いて説明する。
【００３０】まず、欠陥検査では、パターンが設計した
位置に形成されているか、形成されたパターンに欠陥が
ないか検査する必要がある。ここで、パターンの欠陥に
は、パターンの一部が欠落している場合（欠落欠陥）、
不要な部分が除去されずに残っている場合（残り欠陥）
の他、異物が付着している場合（異物付着）も含まれ
る。
位置に形成されているか、形成されたパターンに欠陥が
ないか検査する必要がある。ここで、パターンの欠陥に
は、パターンの一部が欠落している場合（欠落欠陥）、
不要な部分が除去されずに残っている場合（残り欠陥）
の他、異物が付着している場合（異物付着）も含まれ
る。
【００３１】ステップＳ１でマスクパターン像の検出が
終了したならば、前記中央制御部４は、この検出結果に
基づいて欠陥が生じている位置及び欠陥の種類を特定す
る（ステップＳ２）。
終了したならば、前記中央制御部４は、この検出結果に
基づいて欠陥が生じている位置及び欠陥の種類を特定す
る（ステップＳ２）。
【００３２】ここで、パターン欠陥検査方式としては、
実パターン比較方式と設計パターン比較方式を適宜選択
して採用することができる。実パターン比較方式は、隣
り合った同一パターンを比較して検査する方法である。
設計パターン比較方式は、パターンの設計データと測定
データとを比べて検査する方法である。
実パターン比較方式と設計パターン比較方式を適宜選択
して採用することができる。実パターン比較方式は、隣
り合った同一パターンを比較して検査する方法である。
設計パターン比較方式は、パターンの設計データと測定
データとを比べて検査する方法である。
【００３３】この実施形態では、設計パターン比較方式
によるものとして、図１に設計データ展開装置２１を示
した。すなわち、この方式では、前記蓄積型センサ１７
から得られたマスクパターン像と前記設計データ展開装
置２１により展開された設計パターン像（ＣＡＤデー
タ）との位置合わせを行い、それらの比較を行うことで
欠陥位置及び欠陥種類の特定を行なうようにする。
によるものとして、図１に設計データ展開装置２１を示
した。すなわち、この方式では、前記蓄積型センサ１７
から得られたマスクパターン像と前記設計データ展開装
置２１により展開された設計パターン像（ＣＡＤデー
タ）との位置合わせを行い、それらの比較を行うことで
欠陥位置及び欠陥種類の特定を行なうようにする。
【００３４】なお、ステップＳ２において欠陥が生じて
いないと判断された場合には、検査処理は終了する（Ｅ
ＮＤ）。また、欠陥が隣接する複数のパターンに跨って
いる場合等、修正不可能な欠陥である場合（ステップＳ
３）には、そのマスクパターン膜を除去して再度パター
ンニングを実行するようにする（ステップＳ４）。
いないと判断された場合には、検査処理は終了する（Ｅ
ＮＤ）。また、欠陥が隣接する複数のパターンに跨って
いる場合等、修正不可能な欠陥である場合（ステップＳ
３）には、そのマスクパターン膜を除去して再度パター
ンニングを実行するようにする（ステップＳ４）。
【００３５】前記ステップＳ２で欠陥位置及び欠陥種類
が特定されたならば、前記中央制御部４は、その欠陥情
報を当該フォトマスク２と共にフォトマスク修復装置２
０に受け渡す。
が特定されたならば、前記中央制御部４は、その欠陥情
報を当該フォトマスク２と共にフォトマスク修復装置２
０に受け渡す。
【００３６】フォトマスク修復装置２０では、欠陥の種
類に応じて適宜の修復方法を実行する。すなわち、欠陥
が欠落欠陥であると判断された場合（ステップＳ５）に
は、検出された欠落位置の情報に基づいてパターンを付
加して正常なパターン形状に修正する（ステップＳ
６）。欠陥が残り欠陥の場合（ステップＳ７）には、検
出された残り位置の情報に基づいて電子ビーム等で不要
なパターンを除去して正常なパターン形状に修復する
（ステップＳ８）。
類に応じて適宜の修復方法を実行する。すなわち、欠陥
が欠落欠陥であると判断された場合（ステップＳ５）に
は、検出された欠落位置の情報に基づいてパターンを付
加して正常なパターン形状に修正する（ステップＳ
６）。欠陥が残り欠陥の場合（ステップＳ７）には、検
出された残り位置の情報に基づいて電子ビーム等で不要
なパターンを除去して正常なパターン形状に修復する
（ステップＳ８）。
【００３７】また、欠陥が異物付着の場合（ステップＳ
９）には、フォトマスク２を洗浄工程に移送することで
異物を除去する（ステップＳ１０）。
９）には、フォトマスク２を洗浄工程に移送することで
異物を除去する（ステップＳ１０）。
【００３８】以上の工程が実行されたならば、このフォ
トマスク修復装置２０は当該フォトマスク２を欠陥位置
情報と共に前記フォトマスク検査装置（図１）に受け渡
す。
トマスク修復装置２０は当該フォトマスク２を欠陥位置
情報と共に前記フォトマスク検査装置（図１）に受け渡
す。
【００３９】前記中央制御部４は、前記欠陥位置情報に
基づいてフォトマスク２の欠陥修復部の像のみを検出
し、この像に基づいてステップＳ２の検査を再度行う。
そして、必要な場合には当該フォトマスク２を再度修復
装置２０に受け渡してステップＳ４〜Ｓ１０の修復工程
を実行させる。
基づいてフォトマスク２の欠陥修復部の像のみを検出
し、この像に基づいてステップＳ２の検査を再度行う。
そして、必要な場合には当該フォトマスク２を再度修復
装置２０に受け渡してステップＳ４〜Ｓ１０の修復工程
を実行させる。
【００４０】このような構成によれば、レーザ光の可干
渉性に影響されないフォトマスク像を得ることができ、
これに基づいて高精度の検査を行なえる。そして、高精
度な欠陥情報に基づいてフォトマスク２の欠陥修復を行
なうことができる。
渉性に影響されないフォトマスク像を得ることができ、
これに基づいて高精度の検査を行なえる。そして、高精
度な欠陥情報に基づいてフォトマスク２の欠陥修復を行
なうことができる。
【００４１】なお、この第１の実施形態では、均一化光
学系７として振動ミラー１２を有するものを挙げたが、
この振動ミラー１２を設けなくても一定の効果を得るこ
とができる。
学系７として振動ミラー１２を有するものを挙げたが、
この振動ミラー１２を設けなくても一定の効果を得るこ
とができる。
【００４２】図６は、この例による実施形態を示したも
のである。この例でも、前記蓄積型センサ１７の蓄積時
間は、前記回転位相板の回転により前記レーザ光の明る
さを均一化できる時間に応じて決定するようにすれば良
い。
のである。この例でも、前記蓄積型センサ１７の蓄積時
間は、前記回転位相板の回転により前記レーザ光の明る
さを均一化できる時間に応じて決定するようにすれば良
い。
【００４３】また、これとは逆に蓄積型センサの蓄積時
間に応じて回転位相板の回転数を定めるようにしても良
い。 （第２の実施形態）次に、この発明の第２の実施形態を
図７を参照して説明する。この実施形態は、図１に示し
た装置の均一化光学系７の他の実施形態を示すものであ
る。したがって、その他の部分は図示を省略すると共
に、第１の実施例形態と同様の構成要件については同一
符号を付してその説明は省略する。
間に応じて回転位相板の回転数を定めるようにしても良
い。 （第２の実施形態）次に、この発明の第２の実施形態を
図７を参照して説明する。この実施形態は、図１に示し
た装置の均一化光学系７の他の実施形態を示すものであ
る。したがって、その他の部分は図示を省略すると共
に、第１の実施例形態と同様の構成要件については同一
符号を付してその説明は省略する。
【００４４】この実施形態の均一化光学系７’は、蝿の
目レンズ１０と、この蝿の目レンズ１０の２次光源面に
配設した第１の回転位相板１１’と、リレー光学系２２
と、このリレー光学系２２を挟んで前記第１の回転位相
板１１’と共役な位置に配設された第２の回転位相板１
１”とを有する。
目レンズ１０と、この蝿の目レンズ１０の２次光源面に
配設した第１の回転位相板１１’と、リレー光学系２２
と、このリレー光学系２２を挟んで前記第１の回転位相
板１１’と共役な位置に配設された第２の回転位相板１
１”とを有する。
【００４５】なお、第１、第２の回転位相板１１’、１
１”としては、第１の実施形態と同様のものを用いるよ
うにすれば良い。また、前記リレー光学系２２により光
源像が反転するので、第１、第２の回転位相板１１’、
１１”の回転方向を逆にする。
１”としては、第１の実施形態と同様のものを用いるよ
うにすれば良い。また、前記リレー光学系２２により光
源像が反転するので、第１、第２の回転位相板１１’、
１１”の回転方向を逆にする。
【００４６】このような構成によっても、レーザ光を前
記蝿の目レンズ１０を通し光源の強度分布を均一化した
後、第１、第２の回転位相板１１’、１１”を通すの
で、前記第１の実施形態と同様に干渉縞を変化させレー
ザ光の明るさを均一化することができる。
記蝿の目レンズ１０を通し光源の強度分布を均一化した
後、第１、第２の回転位相板１１’、１１”を通すの
で、前記第１の実施形態と同様に干渉縞を変化させレー
ザ光の明るさを均一化することができる。
【００４７】そして、この場合、第１、第２の回転位相
板１１’、１１”の回転数の合計を第１の実施形態の回
転位相板１１の回転数とすれば良いので、個々の回転位
相板１１’、１１”の回転数を小さくすることができ、
装置の負担が軽くなる。
板１１’、１１”の回転数の合計を第１の実施形態の回
転位相板１１の回転数とすれば良いので、個々の回転位
相板１１’、１１”の回転数を小さくすることができ、
装置の負担が軽くなる。
【００４８】なお、この実施形態で重要なことは、第
１、第２の回転位相板１１’、１１”の回転数の差が装
置の固有振動数に一致しないようにすることである。回
転数の差が固有振動数に一致する場合には、共振が発生
してしまい均一化効果が不十分になる可能性があるばか
りでなく最悪の場合装置が破損する恐れがあるからであ
る。 （第３の実施形態）次に、この発明の第３の実施形態を
図８以下を参照して説明する。
１、第２の回転位相板１１’、１１”の回転数の差が装
置の固有振動数に一致しないようにすることである。回
転数の差が固有振動数に一致する場合には、共振が発生
してしまい均一化効果が不十分になる可能性があるばか
りでなく最悪の場合装置が破損する恐れがあるからであ
る。 （第３の実施形態）次に、この発明の第３の実施形態を
図８以下を参照して説明する。
【００４９】この実施形態は、第１の実施形態の均一化
光学系の更なる別の例に関するものである。従って、そ
の他の構成要素についてはその図示を省略する。
光学系の更なる別の例に関するものである。従って、そ
の他の構成要素についてはその図示を省略する。
【００５０】まず、前記レ−ザ光源６から光束の直径が
２Ｌの直線偏向のレ−ザ光が出力されているとする。
２Ｌの直線偏向のレ−ザ光が出力されているとする。
【００５１】このレ−ザ光は第１の光束分割ユニット３
１に入射される。この光束分割ユニット３１は図９に示
すようにレ−ザ光を上下２つに分割し、レ−ザ光の上半
分の光束をそのまま通過させ、下半分の光束に対して４
５度傾けて設置されている下半分の光束をミラ−３１
ａ、３１ｂ，３１ｃ，３１ｄで反射して迂回させるよう
にしている。そして、この迂回した光路は迂回しない光
路に対してレ−ザの可干渉距離以上に光路長が長くなる
ように設定されている。そして、ミラ−３１ｄ以降にお
いて、光束の上半分と下半分とが合流する。
１に入射される。この光束分割ユニット３１は図９に示
すようにレ−ザ光を上下２つに分割し、レ−ザ光の上半
分の光束をそのまま通過させ、下半分の光束に対して４
５度傾けて設置されている下半分の光束をミラ−３１
ａ、３１ｂ，３１ｃ，３１ｄで反射して迂回させるよう
にしている。そして、この迂回した光路は迂回しない光
路に対してレ−ザの可干渉距離以上に光路長が長くなる
ように設定されている。そして、ミラ−３１ｄ以降にお
いて、光束の上半分と下半分とが合流する。
【００５２】このような光束分割ユニット３１によれ
ば、ミラ−３１ｄの下流位置Ａ（図８）において、レ−
ザ光の光束が図１１に示すように上下ａ１，ａ２の２つ
に分割される。
ば、ミラ−３１ｄの下流位置Ａ（図８）において、レ−
ザ光の光束が図１１に示すように上下ａ１，ａ２の２つ
に分割される。
【００５３】そして、光束分割ユニット３１の下流に
は、第２の光束分割ユニット３２が設けられている。こ
の光束分割ユニット３２は、図１０に示すように、入射
される光束を左右２つに分割し、レ−ザ光の左半分をそ
のまま通過させ、右半分の光束に対して、右半分の光束
に対して４５度傾けて設置されているミラ−３２ａ，３
２ｂ，３２ｃ，３２ｄで反射させて迂回させるようにし
ている。そして、この迂回した光路は迂回しない光路に
対してレ−ザの可干渉距離以上に光路長が長くなるよう
に設定されている。
は、第２の光束分割ユニット３２が設けられている。こ
の光束分割ユニット３２は、図１０に示すように、入射
される光束を左右２つに分割し、レ−ザ光の左半分をそ
のまま通過させ、右半分の光束に対して、右半分の光束
に対して４５度傾けて設置されているミラ−３２ａ，３
２ｂ，３２ｃ，３２ｄで反射させて迂回させるようにし
ている。そして、この迂回した光路は迂回しない光路に
対してレ−ザの可干渉距離以上に光路長が長くなるよう
に設定されている。
【００５４】このように第１、第２の光束分割ユニット
３０、３１と通過したレーザ光束は、図１に示すミラ−
３２ｄの下流位置Ｂにおいて、図１２に示すように上下
左右に互いに干渉しない４つの領域ｂ１〜ｂ４に分割さ
れる。
３０、３１と通過したレーザ光束は、図１に示すミラ−
３２ｄの下流位置Ｂにおいて、図１２に示すように上下
左右に互いに干渉しない４つの領域ｂ１〜ｂ４に分割さ
れる。
【００５５】そして、光束分割ユニット３２の下流に
は、反射ミラ−３３が設置されている。この反射ミラ−
３３によりレ−ザ光の光束が９０度曲げられる。
は、反射ミラ−３３が設置されている。この反射ミラ−
３３によりレ−ザ光の光束が９０度曲げられる。
【００５６】そして、反射ミラ−３３で反射されたレ−
ザ光は、そのレ−ザ光の一部分の偏向方向を９０度回転
させる１／２λ板３４に入射される。
ザ光は、そのレ−ザ光の一部分の偏向方向を９０度回転
させる１／２λ板３４に入射される。
【００５７】つまり、この１／２λ板３４を通過したレ
−ザ光の偏向方向は図１３に示すようになる。
−ザ光の偏向方向は図１３に示すようになる。
【００５８】１／２λ板３４の下流側には、レ−ザ光の
干渉をなくすための蠅の目レンズ３５が設けられてい
る。
干渉をなくすための蠅の目レンズ３５が設けられてい
る。
【００５９】この蠅の目レンズ３５の下流には、回転位
相板３６が設けられている。この回転位相板３６は図示
しないモ−タにより回転制御される。この回転位相板３
６は、第１の実施形態と同様の構成を有するものであ
り、レ−ザ光の干渉縞を変化させる機能を有する。
相板３６が設けられている。この回転位相板３６は図示
しないモ−タにより回転制御される。この回転位相板３
６は、第１の実施形態と同様の構成を有するものであ
り、レ−ザ光の干渉縞を変化させる機能を有する。
【００６０】さらに、この回転位相板３６を通過したレ
−ザ光は、反射ミラ−３７により９０度だけその光路が
曲げられる。
−ザ光は、反射ミラ−３７により９０度だけその光路が
曲げられる。
【００６１】そして、この反射ミラ−３７で反射された
レーザ光は、コンデンサレンズ３８で凝縮されて対物レ
ンズ３９に集光される。そして、この対物レンズ１９に
よりマスクパタ−ン４０上にスポット４１が集光され
る。
レーザ光は、コンデンサレンズ３８で凝縮されて対物レ
ンズ３９に集光される。そして、この対物レンズ１９に
よりマスクパタ−ン４０上にスポット４１が集光され
る。
【００６２】このような構成によれば、レーザ光束の一
部を迂回させて光路長を異ならせたり回転させたりする
ことでレーザ光の可干渉性を低減させることができ、ま
た、これを回転位相板に通すことで、明るさを均一化す
ることができる。従って、第１の実施形態と略同様の効
果をえることが可能となる。
部を迂回させて光路長を異ならせたり回転させたりする
ことでレーザ光の可干渉性を低減させることができ、ま
た、これを回転位相板に通すことで、明るさを均一化す
ることができる。従って、第１の実施形態と略同様の効
果をえることが可能となる。
【００６３】また、このような構成によれば、わずか８
つのミラ−でレ−ザ光を４つの互いに干渉しない光束に
分割することができるため、構成及び光伝送効率も向上
する。
つのミラ−でレ−ザ光を４つの互いに干渉しない光束に
分割することができるため、構成及び光伝送効率も向上
する。
【００６４】なお、図８に示した１／２λ板３４の前方
に図１４に示すようなくさび型プリズム４２を設けるこ
とにより、一層スペックルを低減させることができる。
に図１４に示すようなくさび型プリズム４２を設けるこ
とにより、一層スペックルを低減させることができる。
【００６５】なお、このくさび型プリズム４２は１／２
λ板３４の前方ではなく後方に設けても良い。
λ板３４の前方ではなく後方に設けても良い。
【００６６】
【発明の効果】以上説明した構成によれば、レーザ光を
パターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問
題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査
し、これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行
なえる。
パターン欠陥の検査装置の光源として採用した場合の問
題点を解決し、より高い分解能でパターンの欠陥を検査
し、これにより高精細なマスクパターンの欠陥修復を行
なえる。
【図１】この発明の第１の実施形態を示す概略構成図。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、この発明の第１の実施形態
を説明するための図で、回転位相板を示す概略構成図。
を説明するための図で、回転位相板を示す概略構成図。
【図３】（ａ）、（ｂ）は、この発明の第１の実施形態
を説明するための図で、レーザ光の可干渉性により生じ
る試料上での干渉縞を示した平面図及び明るさ分布を示
す波形図。
を説明するための図で、レーザ光の可干渉性により生じ
る試料上での干渉縞を示した平面図及び明るさ分布を示
す波形図。
【図４】（ａ）〜（ｅ）は、この発明の第１の実施形態
を説明するための図で、光軸をずらすことにより明るさ
を均一化する工程を示す波形図。
を説明するための図で、光軸をずらすことにより明るさ
を均一化する工程を示す波形図。
【図５】この発明の第１の実施形態を説明するための図
で、マスク検査及びマスク修復工程を説明するためのフ
ローチャート。
で、マスク検査及びマスク修復工程を説明するためのフ
ローチャート。
【図６】この発明の第１の実施形態の変形例を示す概略
構成図。
構成図。
【図７】この発明の第２の実施形態を示す概略構成図。
【図８】この発明の第３の実施形態を示す概略構成図。
【図９】この発明の第３の実施形態を説明するための図
で、第１の光束分割ユニットを示す概略構成図。
で、第１の光束分割ユニットを示す概略構成図。
【図１０】この発明の第３の実施形態を説明するための
図で、第２の光束分割ユニットを示す概略構成図。
図で、第２の光束分割ユニットを示す概略構成図。
【図１１】この発明の第３の実施形態を説明するための
図で、第１の光束分割ユニットを通過した後のレーザ光
の偏向方向を説明するための説明図。
図で、第１の光束分割ユニットを通過した後のレーザ光
の偏向方向を説明するための説明図。
【図１２】この発明の第３の実施形態を説明するための
図で、第２の光束分割ユニットを通過した後のレーザ光
の偏向方向を説明するための説明図。
図で、第２の光束分割ユニットを通過した後のレーザ光
の偏向方向を説明するための説明図。
【図１３】この発明の第３の実施形態を説明するための
図で、光束の一部が回転させれた状態のレーザ光の偏向
方向を説明するための説明図。
図で、光束の一部が回転させれた状態のレーザ光の偏向
方向を説明するための説明図。
【図１４】第３の実施形態の変形例を示す概略構成図。
１…ＸＹテーブル ２…フォトマスク ３…ＸＹテーブル駆動ドライバ ４…中央制御部 ５…照明光学系 ６…レーザ光源 ７…均一化光学系 ８…対物レンズ １０…蝿の目レンズ １１…回転位相板 １２…振動ミラー １３…回転駆動モータ １５…機械的駆動部 １７…蓄積型センサ １９…対物レンズ ２０…マスク修復装置 ２１…設計データ展開装置 ２２…リレー光学系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５０２Ｗ ５０２Ｖ
Claims (36)
- 【請求項１】 レーザ光の位相を連続的に変化させ、こ
のレーザ光の明るさ分布を均一化した状態で、このレー
ザ光をフォトマスクに照射する照明工程と、 前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動させ
ながらこのフォトマスクの像を蓄積型センサで検知する
と共に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連
動させて取り出し、前記マスクの画像を形成する画像取
得工程と、 このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検
出する欠陥検出工程と、 このパターン欠陥検出結果に基づいてパターンの欠陥位
置を特定し、マスクパターンの欠陥を修復する欠陥修復
工程とを有することを特徴とするフォトマスク修復方
法。 - 【請求項２】 請求項１記載のフォトマスク修復方法に
おいて、 前記蓄積型センサの信号蓄積時間は、前記照明工程でレ
ーザ光の明るさ分布を均一化できる最小時間に応じて決
定されていることを特徴とするフォトマスク修復方法。 - 【請求項３】 請求項１記載のフォトマスク修復方法に
おいて、 前記照明工程に用いるレーザ光のレーザー光源は連続発
振のレーザーであることを特徴とするフォトマスク修復
方法。 - 【請求項４】 請求項１記載のフォトマスク修復方法に
おいて、 前記照明工程は、 レーザ光の光軸をフォトマスクに対して連続的もしくは
断続的に変化させることでレーザ光の干渉縞を変化さ
せ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する工程を含む
ことを特徴とするフォトマスク修復方法。 - 【請求項５】 請求項４記載のフォトマスク修復方法に
おいて、 前記レーザ光の光軸をフォトマスクに対して変化させる
周期は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定
されていることを特徴とするフォトマスク修復方法。 - 【請求項６】 請求項１記載のフォトマスク修復方法に
おいて、 前記照明工程は、 レーザ光を、場所により厚さの異なる透光性板を回転さ
せがら透過させることで、レーザー光の位相を変化さ
せ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する工程を含む
ことを特徴とするフォトマスク修復方法。 - 【請求項７】 請求項６記載のフォトマスク修復方法に
おいて、 前記透光性の回転数は、前記蓄積型センサの信号蓄積時
間に応じて決定されていることを特徴とするフォトマス
ク修復方法。 - 【請求項８】 請求項６記載のフォトマスク修復方法に
おいて、 前記照明工程は、 前記レーザ光を、回転する複数の透光性板に順次透過さ
せる工程を含むことを特徴とするフォトマスク修復方法 - 【請求項９】 請求項６記載のフォトマスク修復方法に
おいて、 前記複数の透光性板の合計回転数は、前記蓄積型センサ
の信号蓄積時間に応じて決定されていることを特徴とす
るフォトマスク修復方法。 - 【請求項１０】 請求項１記載のフォトマスク修復方法
において、 前記照明工程は、 このレ−ザ光束の一部の光束のみを迂回する第１の迂回
工程と、 上記第１の迂回工程の迂回方向とは異なる方向に、前記
第１の迂回工程を経たレ−ザ光の一部の光束を迂回する
第２の迂回工程とを有し、上記レ−ザ光源の光束を分割
することで、 レーザー光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ
分布を均一化することを特徴とするフォトマスク修復方
法。 - 【請求項１１】 請求項１記載のフォトマスク修復方法
において、 前記照明工程は、 前記第１の迂回工程は、レ−ザ光束の半分の光束のみを
迂回させ、 前記第２の迂回工程は、上記第１の迂回工程の迂回方向
とは９０度異なる方向に、前記第１の迂回工程を経たレ
−ザ光の半分の光束を迂回させ、上記レ−ザ光源の光束
を互いに干渉性のない４つの光束に分割することで、レ
ーザー光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分
布を均一化することを特徴とするフォトマスク修復方
法。 - 【請求項１２】 請求項１０記載のフォトマスク修復方
法において、 上記第１の迂回工程及び第２の迂回工程の各迂回路と迂
回しない光路との光路差を上記レ−ザ光源の可干渉距離
以上とすることで、上記レ−ザ光源の光束を互いに干渉
性のない４つの光束に分割することを特徴とするフォト
マスクの修復方法。 - 【請求項１３】 請求項１０記載のフォトマスク修復方
法において、 さらに、前記第２の迂回工程を経たレーザ光束のうち光
束の中心を含んだ一部分の光束の偏向方向を９０度回転
させる１／２λ板を有することを特徴とするフォトマス
クの修復方法。 - 【請求項１４】 請求項１２記載のフォトマスク修復方
法において、 前記１／２λ板の前方あるいは後方にくさび型プリズム
を設けたことを特徴とするフォトマスクの修復方法。 - 【請求項１５】 レーザ光の位相を変化させ、このレー
ザ光の明るさ分布を均一化した状態で、このレーザ光を
フォトマスクに照射する照明工程と、 前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動させ
ながらこのフォトマスクの像を蓄積型センサで検知する
と共に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連
動させて取り出し、前記マスクの画像を形成する画像取
得工程と、 このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検
出する欠陥検出工程とを有することを特徴とするフォト
マスク検査方法。 - 【請求項１６】 請求項１５記載のフォトマスク検査方
法において、 前記蓄積型センサの信号蓄積時間は、前記照明工程でレ
ーザ光の明るさ分布を均一化できる最小時間に応じて決
定されていることを特徴とするフォトマスク検査方法。 - 【請求項１７】 請求項１５記載のフォトマスク検査方
法において、 前記照明工程に用いるレーザ光のレーザー光源は連続発
振のレーザーであることを特徴とするフォトマスク検査
方法。 - 【請求項１８】 請求項１５記載のフォトマスク検査方
法において、 前記照明工程は、 レーザ光の光軸をフォトマスクに対して連続的もしくは
断続的に変化させることでレーザ光の干渉縞を変化さ
せ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する工程を含む
ことを特徴とするフォトマスク検査方法。 - 【請求項１９】 請求項１８記載のフォトマスク検査方
法において、 前記レーザ光の光軸をフォトマスクに対して変化させる
周期は、前記蓄積型センサの信号蓄積時間に応じて決定
されていることを特徴とするフォトマスク検査方法。 - 【請求項２０】 請求項１５記載のフォトマスク検査方
法において、 前記照明工程は、 レーザ光を、場所により厚さの異なる透光性板を回転さ
せがら透過させることで、レーザー光の位相を変化さ
せ、このレーザ光の明るさ分布を均一化する工程を含む
ことを特徴とするフォトマスク検査方法。 - 【請求項２１】 請求項２０記載のフォトマスク検査方
法において、 前記透光性の回転数は、前記蓄積型センサの信号蓄積時
間に応じて決定されていることを特徴とするフォトマス
ク検査方法。 - 【請求項２２】 請求項２０記載のフォトマスク検査方
法において、 前記照明工程は、 前記レーザ光を、回転する複数の透光性板に順次透過さ
せる工程を含むことを特徴とするフォトマスク検査方法 - 【請求項２３】 請求項２０記載のフォトマスク検査方
法において、 前記複数の透光性板の合計回転数は、前記蓄積型センサ
の信号蓄積時間に応じて決定されていることを特徴とす
るフォトマスク検査方法。 - 【請求項２４】 請求項１５記載のフォトマスク検査方
法において、 前記照明工程は、 このレ−ザ光束の一部の光束のみを迂回する第１の迂回
工程と、 上記第１の迂回工程の迂回方向とは異なる方向に、前記
第１の迂回工程を経たレ−ザ光の一部の光束を迂回する
第２の迂回工程とを有し、上記レ−ザ光源の光束を分割
することで、 レーザー光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ
分布を均一化することを特徴とするフォトマスク検査方
法。 - 【請求項２５】 請求項１５記載のフォトマスク検査方
法において、 前記照明工程は、 前記第１の迂回工程は、レ−ザ光束の半分の光束のみを
迂回させ、 前記第２の迂回工程は、上記第１の迂回工程の迂回方向
とは９０度異なる方向に、前記第１の迂回工程を経たレ
−ザ光の半分の光束を迂回させ、上記レ−ザ光源の光束
を互いに干渉性のない４つの光束に分割することで、レ
ーザー光の干渉縞を変化させ、このレーザ光の明るさ分
布を均一化することを特徴とするフォトマスク検査方
法。 - 【請求項２６】 請求項２４記載のフォトマスク検査方
法において、 上記第１の迂回工程及び第２の迂回工程の各迂回路と迂
回しない光路との光路差を上記レ−ザ光源の可干渉距離
以上とすることで、上記レ−ザ光源の光束を互いに干渉
性のない４つの光束に分割することを特徴とするフォト
マスクの修復方法。 - 【請求項２７】 請求項２４記載のフォトマスク検査方
法において、 さらに、前記第２の迂回工程を経たレーザ光束のうち光
束の中心を含んだ一部分の光束の偏向方向を９０度回転
させる１／２λ板を有することを特徴とするフォトマス
クの修復方法。 - 【請求項２８】 請求項２６記載のフォトマスク検査方
法において、 前記１／２λ板の前方あるいは後方にくさび型プリズム
を設けたことを特徴とするフォトマスクの修復方法。 - 【請求項２９】 請求項１５の検査方法を含む工程を経
て製造されたフォトマスク。 - 【請求項３０】 レーザ光の位相を変化させ、このレー
ザ光の明るさ分布を均一化した状態で、このレーザ光を
フォトマスクに照射する照明光学系と、 前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動させ
ながらこのフォトマスクの像をセンサで検知すると共
に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連動さ
せて取り出し、前記マスクの画像を形成する画像取得部
と、 このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検
出する欠陥検出装置とを有することを特徴とするフォト
マスク検査装置。 - 【請求項３１】 請求項３０記載のフォトマスク検査装
置において、前記センサは、蓄積型センサであることを
特徴とするフォトマスク検査方法。 - 【請求項３２】 請求項３０記載のフォトマスク検査装
置において、前記照明光学系は、回転位相変化板を有す
ることを特徴とするフォトマスク検査装置。 - 【請求項３３】 請求項３０記載のフォトマスク検査装
置において、前記照明光学系は、フライアレイレンズを
有することを特徴とするフォトマスク検査装置。 - 【請求項３４】 請求項３０記載のフォトマスク検査装
置において、前記照明光学系は、振動ミラーを有するこ
とを特徴とするフォトマスク検査装置。 - 【請求項３５】 請求項３０記載のフォトマスク検査装
置において、前記照明光学系は、第１の光路と第２の光
路とを有し、これら第１の光路と第２の光路は異なる長
さを有する。 - 【請求項３６】 フォトマスクにパターンを形成する工
程と、 レーザ光の位相を変化させ、このレーザ光の明るさ分布
を均一化した状態で、このレーザ光をフォトマスクに照
射する照明工程と、 前記レーザ光とこのフォトマスクとを相対的に移動させ
ながらこのフォトマスクの像を蓄積型センサで検知する
と共に、この蓄積型センサから出力信号を前記移動に連
動させて取り出し、前記マスクの画像を形成する画像取
得工程と、 このマスクの画像に基づいてマスクパターンの欠陥を検
出する欠陥検出工程と、 マスクパターンの欠陥が検出された場合、このパターン
欠陥検出結果に基づいてパターンの欠陥位置を特定し、
マスクパターンの欠陥を修復する欠陥修復工程とを有す
ることを特徴とするフォトマスク検査装置。
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|---|---|---|---|
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| JP17169597 | 1997-06-27 | ||
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Related Child Applications (2)
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| JP2003409608A Division JP4309752B2 (ja) | 1997-06-27 | 2003-12-08 | フォトマスク検査方法、フォトマスク検査装置及びフォトマスク製造方法 |
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ID=26494332
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