JPH11250837A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
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- JPH11250837A JPH11250837A JP6422998A JP6422998A JPH11250837A JP H11250837 A JPH11250837 A JP H11250837A JP 6422998 A JP6422998 A JP 6422998A JP 6422998 A JP6422998 A JP 6422998A JP H11250837 A JPH11250837 A JP H11250837A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の目的は、優れた電磁波遮蔽性と反射
防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。 【解決手段】 波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１０．１
６ｍｍでの透過率が８０％のパネルガラス（屈折率１．
５３６）１０の外表面側には、ＳｉＯ2 が表面に付着し
たルテニウム（Ｒｕ）微粒子を含み、透過率が８０％
で、１５０ｎｍの膜厚を有する第１の薄膜（屈折率１．
７５）１１が形成され、その上に１００ｎｍの膜厚を有
するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）１２が形成されてい
る。
防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。 【解決手段】 波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１０．１
６ｍｍでの透過率が８０％のパネルガラス（屈折率１．
５３６）１０の外表面側には、ＳｉＯ2 が表面に付着し
たルテニウム（Ｒｕ）微粒子を含み、透過率が８０％
で、１５０ｎｍの膜厚を有する第１の薄膜（屈折率１．
７５）１１が形成され、その上に１００ｎｍの膜厚を有
するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）１２が形成されてい
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、優れた電磁波遮蔽性、
反射防止性を有し、輝度とコントラストを調整可能な陰
極線管用パネルに関するものである。
反射防止性を有し、輝度とコントラストを調整可能な陰
極線管用パネルに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が写し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネルおよびネックから構
成されるが、パネルに高電圧が帯電することによって、
その外表面にほこりが付着して画像品位が低下したり、
人体との間で放電が発生することがある。
と、その背後を形成するファンネルおよびネックから構
成されるが、パネルに高電圧が帯電することによって、
その外表面にほこりが付着して画像品位が低下したり、
人体との間で放電が発生することがある。
【０００３】また陰極線管は、ネック管内に装着した電
子銃から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた
偏向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイ
ルから発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極
線管の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、人体
に悪影響を及ぼす虞れがある。
子銃から出る電子ビームをファンネル周りに取り付けた
偏向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイ
ルから発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極
線管の周囲にある他の電子機器を誤動作させたり、人体
に悪影響を及ぼす虞れがある。
【０００４】そこで従来よりパネルガラスの外表面に導
電性を有する酸化錫（ＳｎＯ2 ）等の透明導電膜を形成
し、これによって帯電を防止すると共に電磁波を遮蔽す
ることが試みられている。
電性を有する酸化錫（ＳｎＯ2 ）等の透明導電膜を形成
し、これによって帯電を防止すると共に電磁波を遮蔽す
ることが試みられている。
【０００５】ただしＳｎＯ2 膜は、屈折率が２．０であ
り、パネルガラスの屈折率（１．５３６）に比べて高い
ため、パネルガラス上にＳｎＯ2 膜を形成すると表面反
射が大きくなり、画像が見づらくなる。
り、パネルガラスの屈折率（１．５３６）に比べて高い
ため、パネルガラス上にＳｎＯ2 膜を形成すると表面反
射が大きくなり、画像が見づらくなる。
【０００６】表面反射を抑えるためには、パネルガラス
上にＳｎＯ2 膜を形成した後、その上にＳｎＯ2 膜より
屈折率の低い反射防止膜を形成すれば良く、例えばパネ
ルガラスの外表面にＣＶＤ法によりＳｎＯ2 からなる透
明導電膜を形成し、その上にスピンコートによりＳｉＯ
2 等の低屈折率材料からなる反射防止膜を形成すること
が試みられている。
上にＳｎＯ2 膜を形成した後、その上にＳｎＯ2 膜より
屈折率の低い反射防止膜を形成すれば良く、例えばパネ
ルガラスの外表面にＣＶＤ法によりＳｎＯ2 からなる透
明導電膜を形成し、その上にスピンコートによりＳｉＯ
2 等の低屈折率材料からなる反射防止膜を形成すること
が試みられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うにＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 膜が形成された陰極線管用パ
ネルは、ＳｎＯ2 膜によって比較的良好な電磁波遮蔽性
を有しているが、ＳｎＯ2 膜の厚みが２０〜４０ｎｍと
薄く、その表面抵抗値（正方形当たりの抵抗値）が１×
１０6 Ω／□以上と高いため、不要電磁波を完全に遮蔽
するには、未だ不十分である。
うにＳｎＯ2 膜とＳｉＯ2 膜が形成された陰極線管用パ
ネルは、ＳｎＯ2 膜によって比較的良好な電磁波遮蔽性
を有しているが、ＳｎＯ2 膜の厚みが２０〜４０ｎｍと
薄く、その表面抵抗値（正方形当たりの抵抗値）が１×
１０6 Ω／□以上と高いため、不要電磁波を完全に遮蔽
するには、未だ不十分である。
【０００８】本発明の目的は、優れた電磁波遮蔽性と反
射防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。
射防止性を有する陰極線管用パネルを提供することであ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の陰極線管用パネ
ルは、パネルガラスの外表面側に、無機化合物が表面に
付着したルテニウム微粒子を含む薄膜が形成されてな
り、薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％以下で
あり、表面抵抗値が１０3 Ω／□以下であることを特徴
とする。
ルは、パネルガラスの外表面側に、無機化合物が表面に
付着したルテニウム微粒子を含む薄膜が形成されてな
り、薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％以下で
あり、表面抵抗値が１０3 Ω／□以下であることを特徴
とする。
【００１０】また本発明の陰極線管用パネルは、パネル
ガラスの外表面側に、無機化合物が表面に付着したルテ
ニウム微粒子を含む第１の薄膜が形成され、その上に第
１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜が形成されてな
り、第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％
以下であり、表面抵抗値が１０3 Ω／□以下であること
を特徴とする。
ガラスの外表面側に、無機化合物が表面に付着したルテ
ニウム微粒子を含む第１の薄膜が形成され、その上に第
１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜が形成されてな
り、第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％
以下であり、表面抵抗値が１０3 Ω／□以下であること
を特徴とする。
【００１１】さらに本発明の陰極線管用パネルは、パネ
ルガラスの外表面側に、無機化合物が表面に付着したル
テニウム微粒子を含む第１の薄膜が形成され、その上に
第１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜が形成され、さ
らにその上に微細な凹凸を有する第３の薄膜が形成され
てなり、第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９
０％以下であり、表面抵抗値が１０3 Ω／□以下である
ことを特徴とする。
ルガラスの外表面側に、無機化合物が表面に付着したル
テニウム微粒子を含む第１の薄膜が形成され、その上に
第１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜が形成され、さ
らにその上に微細な凹凸を有する第３の薄膜が形成され
てなり、第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９
０％以下であり、表面抵抗値が１０3 Ω／□以下である
ことを特徴とする。
【００１２】また本発明の陰極線管用パネルは、無機化
合物がＳｉＯ2 であることを特徴とし、さらに本発明に
おけるパネルガラスは、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚
１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラスから形
成されてなることを特徴とする。
合物がＳｉＯ2 であることを特徴とし、さらに本発明に
おけるパネルガラスは、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚
１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラスから形
成されてなることを特徴とする。
【００１３】
【作用】本発明において使用するルテニウム（Ｒｕ）の
微粒子は、高導電性金属微粒子であり、これを含む薄膜
（第１の薄膜）は、導電膜として作用する。またこのル
テニウム微粒子は黒体であり、可視光を吸収する作用を
有しているため、第１の薄膜の透過光量は少なくなる。
微粒子は、高導電性金属微粒子であり、これを含む薄膜
（第１の薄膜）は、導電膜として作用する。またこのル
テニウム微粒子は黒体であり、可視光を吸収する作用を
有しているため、第１の薄膜の透過光量は少なくなる。
【００１４】陰極線管用パネルの透過光量は、画像を写
し出した際の輝度とコントラストに影響する。すなわち
陰極線管用パネルの透過光量が多く、透過率が高くなる
と、輝度が大きくなり、コントラストが低下する。逆に
透過光量が少なく、透過率が低くなると、輝度が小さく
なり、コントラストが向上する。
し出した際の輝度とコントラストに影響する。すなわち
陰極線管用パネルの透過光量が多く、透過率が高くなる
と、輝度が大きくなり、コントラストが低下する。逆に
透過光量が少なく、透過率が低くなると、輝度が小さく
なり、コントラストが向上する。
【００１５】従ってルテニウム微粒子の含有量と、パネ
ルガラスの透過率を適宜組み合わすことによって、様々
な透過率を有する陰極線管用パネルを作製でき、輝度と
コントラストを調整することが可能となる。
ルガラスの透過率を適宜組み合わすことによって、様々
な透過率を有する陰極線管用パネルを作製でき、輝度と
コントラストを調整することが可能となる。
【００１６】ところで陰極線管用パネルガラスの肉厚
は、防爆対策のため、その中央部と周辺部で異なってい
る。そのためパネルガラスの透過率が低いと、その中央
部と周辺部とで透過率の差が生じ、画像を写し出した
時、輝度とコントラストの差が生じる。そのため本発明
においては、パネルガラスとして、透過率の高いガラ
ス、具体的には、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１０．
１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラスを使用するこ
とが望ましい。つまりこのような透過率の高いパネルガ
ラスを使用すると、その上に透過率の低い第１の薄膜を
形成することによって、中央部と周辺部における輝度と
コントラストの差が小さくなる。
は、防爆対策のため、その中央部と周辺部で異なってい
る。そのためパネルガラスの透過率が低いと、その中央
部と周辺部とで透過率の差が生じ、画像を写し出した
時、輝度とコントラストの差が生じる。そのため本発明
においては、パネルガラスとして、透過率の高いガラ
ス、具体的には、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１０．
１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラスを使用するこ
とが望ましい。つまりこのような透過率の高いパネルガ
ラスを使用すると、その上に透過率の低い第１の薄膜を
形成することによって、中央部と周辺部における輝度と
コントラストの差が小さくなる。
【００１７】本発明において第１の薄膜の透過率が９０
％以下となるように、無機化合物が表面に付着したルテ
ニウム微粒子を含有させ、且つ、その膜厚を５０ｎｍ以
上にすると、その表面抵抗値は１０3 Ω／□以下とな
り、優れた電磁波遮蔽性が得られる。表面抵抗値を考慮
すると、第１の薄膜の望ましい透過率は、８０％以下で
ある。
％以下となるように、無機化合物が表面に付着したルテ
ニウム微粒子を含有させ、且つ、その膜厚を５０ｎｍ以
上にすると、その表面抵抗値は１０3 Ω／□以下とな
り、優れた電磁波遮蔽性が得られる。表面抵抗値を考慮
すると、第１の薄膜の望ましい透過率は、８０％以下で
ある。
【００１８】ルテニウム微粒子の平均粒径は、５０ｎｍ
以下が適当であり、その表面に無機化合物を付着させる
理由は、このような処理を施したルテニウム微粒子の方
が、未処理のルテニウム微粒子に比べて、薄膜の表面抵
抗値を低下させる作用が大きいからである。
以下が適当であり、その表面に無機化合物を付着させる
理由は、このような処理を施したルテニウム微粒子の方
が、未処理のルテニウム微粒子に比べて、薄膜の表面抵
抗値を低下させる作用が大きいからである。
【００１９】この無機化合物としては、ＳｉＯ2 、Ａｌ
2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 等が使用できるが、材料が安価で、表
面抵抗値を下げる効果が大きいという理由から、ＳｉＯ
2 が最も好適である。
2 Ｏ3 、ＴｉＯ2 等が使用できるが、材料が安価で、表
面抵抗値を下げる効果が大きいという理由から、ＳｉＯ
2 が最も好適である。
【００２０】ただし第１の薄膜中のルテニウム微粒子の
含有量を増加させ、その透過率が低くなりすぎると、陰
極線管用パネルの輝度が小さくなりすぎるため、透過率
は６０％以上とすることが好ましい。輝度を考慮した場
合、第１の薄膜の望ましい透過率は、７０％以上であ
る。
含有量を増加させ、その透過率が低くなりすぎると、陰
極線管用パネルの輝度が小さくなりすぎるため、透過率
は６０％以上とすることが好ましい。輝度を考慮した場
合、第１の薄膜の望ましい透過率は、７０％以上であ
る。
【００２１】パネルガラスの外表面側に第１の薄膜を形
成するには、まずエタノール等の有機溶剤中に、無機化
合物が表面に付着したルテニウム微粒子を均一に分散さ
せた溶剤をパネルガラスに塗布した後、所定温度で焼成
する方法が採られる。また、このようなルテニウム微粒
子を溶剤に分散させる時、シリケートも添加すると、膜
の強度が向上するため好ましい。ただし、シリケートの
添加量が多くなるほど、膜の表面抵抗値が高くなるた
め、重量比でＳｉＯ2 ／Ｒｕが１／１０未満となるよう
にする。
成するには、まずエタノール等の有機溶剤中に、無機化
合物が表面に付着したルテニウム微粒子を均一に分散さ
せた溶剤をパネルガラスに塗布した後、所定温度で焼成
する方法が採られる。また、このようなルテニウム微粒
子を溶剤に分散させる時、シリケートも添加すると、膜
の強度が向上するため好ましい。ただし、シリケートの
添加量が多くなるほど、膜の表面抵抗値が高くなるた
め、重量比でＳｉＯ2 ／Ｒｕが１／１０未満となるよう
にする。
【００２２】本発明においてパネルガラス上に対し、有
機溶剤中に、無機化合物が表面に付着したルテニウム微
粒子を分散させた溶剤を塗布する方法としては、スピン
コート法、ディップコート法、スプレー法等が採用でき
るが、均一な膜厚を得るためには、スピンコート法が最
も適している。
機溶剤中に、無機化合物が表面に付着したルテニウム微
粒子を分散させた溶剤を塗布する方法としては、スピン
コート法、ディップコート法、スプレー法等が採用でき
るが、均一な膜厚を得るためには、スピンコート法が最
も適している。
【００２３】また、このようなルテニウムの微粒子を含
む第１の薄膜の屈折率は１．８〜２．３であり、パネル
ガラスの屈折率に比べて高いため、表面反射が大きくな
り、画像が見づらくなる。そのため第１の薄膜の上に、
第１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜（反射防止膜）
を形成することによって、表面反射を抑えることが望ま
しい。
む第１の薄膜の屈折率は１．８〜２．３であり、パネル
ガラスの屈折率に比べて高いため、表面反射が大きくな
り、画像が見づらくなる。そのため第１の薄膜の上に、
第１の薄膜より屈折率の低い第２の薄膜（反射防止膜）
を形成することによって、表面反射を抑えることが望ま
しい。
【００２４】この第２の薄膜の構成材料としては、第１
の薄膜より屈折率の低いＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用できるが、材料コストや膜強度
を考慮すると、ＳｉＯ2 （屈折率１．４６）が好適であ
り、その形成方法としては、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかが採られる。
の薄膜より屈折率の低いＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、ＣａＦ
2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用できるが、材料コストや膜強度
を考慮すると、ＳｉＯ2 （屈折率１．４６）が好適であ
り、その形成方法としては、スピンコート法、ディップ
コート法、スプレーコート法のいずれかが採られる。
【００２５】さらにこの第２の薄膜上に、微細な凹凸を
有する第３の薄膜を形成すると、外部から光線が照射し
た際の拡散反射が大きくなり、逆に正反射が小さくなる
ため、防眩効果が得られることになる。この第３の薄膜
としては、Ｓｉアルコキシドを含む溶液をスプレーコー
トして、表面に凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成したもの
が好適である。
有する第３の薄膜を形成すると、外部から光線が照射し
た際の拡散反射が大きくなり、逆に正反射が小さくなる
ため、防眩効果が得られることになる。この第３の薄膜
としては、Ｓｉアルコキシドを含む溶液をスプレーコー
トして、表面に凹凸を有するＳｉＯ2 膜を形成したもの
が好適である。
【００２６】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例及
び比較例に基づいて詳細に説明する。
び比較例に基づいて詳細に説明する。
【００２７】（実施例１）図１は、本発明の陰極線管用
パネルの概略縦断面図である。
パネルの概略縦断面図である。
【００２８】図中、波長５４６ｎｍにおいて、肉厚１
０．１６ｍｍでの透過率が８０％のパネルガラス（屈折
率１．５３６）１０の外表面側には、ＳｉＯ2 が表面に
付着したルテニウム（Ｒｕ）微粒子を含み、透過率が８
０％で、１５０ｎｍの膜厚を有する第１の薄膜（屈折率
１．７５）１１が形成され、その上に１００ｎｍの膜厚
を有するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）１２が形成され
ている。
０．１６ｍｍでの透過率が８０％のパネルガラス（屈折
率１．５３６）１０の外表面側には、ＳｉＯ2 が表面に
付着したルテニウム（Ｒｕ）微粒子を含み、透過率が８
０％で、１５０ｎｍの膜厚を有する第１の薄膜（屈折率
１．７５）１１が形成され、その上に１００ｎｍの膜厚
を有するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）１２が形成され
ている。
【００２９】この陰極線管用パネルの作製方法は、次の
とおりである。
とおりである。
【００３０】まず表面にＳｉＯ2 を付着させたルテニウ
ム微粒子を準備し、これらの多数を有機溶媒中に分散さ
せて溶剤を得た。
ム微粒子を準備し、これらの多数を有機溶媒中に分散さ
せて溶剤を得た。
【００３１】次にパネルガラス１０を洗浄、乾燥してか
ら予熱した状態で回転させ、その上に、上記の溶剤を滴
下した後、自然乾燥させ、次いで焼成することによって
第１の薄膜１１を形成した。
ら予熱した状態で回転させ、その上に、上記の溶剤を滴
下した後、自然乾燥させ、次いで焼成することによって
第１の薄膜１１を形成した。
【００３２】次に再度このパネルガラス１０を予熱した
状態で回転させ、第１の薄膜１１上に、ＳｉＯ2 を含有
するアルコール溶液を滴下した後、自然乾燥させ、次い
で焼成することによって第２の薄膜を形成した。
状態で回転させ、第１の薄膜１１上に、ＳｉＯ2 を含有
するアルコール溶液を滴下した後、自然乾燥させ、次い
で焼成することによって第２の薄膜を形成した。
【００３３】こうして得られた陰極線管用パネルの表面
抵抗値を測定したところ、１×１０2 Ω／□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
抵抗値を測定したところ、１×１０2 Ω／□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
【００３４】（実施例２）図２は、本発明の他の陰極線
管用パネルの概略縦断面図である。
管用パネルの概略縦断面図である。
【００３５】図中、パネルガラス１０の外表面側には、
表面にＳｉＯ2 が付着したルテニウム微粒子を含む第１
の薄膜１１が形成され、その上に第１の薄膜より屈折率
の低い第２の薄膜１２が形成され、さらにその上に微細
な凹凸を有する第３の薄膜１３が形成されている。
表面にＳｉＯ2 が付着したルテニウム微粒子を含む第１
の薄膜１１が形成され、その上に第１の薄膜より屈折率
の低い第２の薄膜１２が形成され、さらにその上に微細
な凹凸を有する第３の薄膜１３が形成されている。
【００３６】この陰極線管用パネルは、実施例１と同様
にパネルガラス１０上に、第１の薄膜１１と第２の薄膜
１２を形成した後、さらにその上にＳｉＯ2 を含有する
アルコール溶液をスプレーコートし、自然乾燥、焼成
し、第３の薄膜１３を形成することによって作製した。
にパネルガラス１０上に、第１の薄膜１１と第２の薄膜
１２を形成した後、さらにその上にＳｉＯ2 を含有する
アルコール溶液をスプレーコートし、自然乾燥、焼成
し、第３の薄膜１３を形成することによって作製した。
【００３７】こうして得られた陰極線管用パネルの表面
抵抗値を測定したところ、１×１０2 Ω／□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
抵抗値を測定したところ、１×１０2 Ω／□と低く、優
れた電磁波遮蔽性を有していた。
【００３８】（比較例１）パネルガラスの外表面側に、
ＣＶＤ法によって２７ｎｍの膜厚を有するＳｎＯ2 膜を
形成し、その上にスピンコート法によって１００ｎｍの
膜厚を有するＳｉＯ2 膜を形成することによって陰極線
管用パネルを作製し、この陰極線管用パネルの表面抵抗
値を測定したところ、５×１０5 Ω／□であり、実施例
１、２に比べて高かった。
ＣＶＤ法によって２７ｎｍの膜厚を有するＳｎＯ2 膜を
形成し、その上にスピンコート法によって１００ｎｍの
膜厚を有するＳｉＯ2 膜を形成することによって陰極線
管用パネルを作製し、この陰極線管用パネルの表面抵抗
値を測定したところ、５×１０5 Ω／□であり、実施例
１、２に比べて高かった。
【００３９】（比較例２）実施例１と同様の条件で、パ
ネルガラスの外表面側に、未処理のルテニウム微粒子を
含み、透過率が８０％で、１５０ｎｍの膜厚を有する第
１の薄膜（屈折率１．７５）を形成し、その上に１００
ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）を形
成した。
ネルガラスの外表面側に、未処理のルテニウム微粒子を
含み、透過率が８０％で、１５０ｎｍの膜厚を有する第
１の薄膜（屈折率１．７５）を形成し、その上に１００
ｎｍの膜厚を有するＳｉＯ2 膜（屈折率１．４６）を形
成した。
【００４０】この陰極線管用パネルの表面抵抗値を測定
したところ、８×１０2 Ω／□であり、実施例１、２の
陰極線管用パネルの表面抵抗値に比べると若干高かっ
た。
したところ、８×１０2 Ω／□であり、実施例１、２の
陰極線管用パネルの表面抵抗値に比べると若干高かっ
た。
【００４１】また実施例１、２の陰極線管用パネルの波
長４００〜７００ｎｍにおける反射率を測定したとこ
ろ、図３のグラフに示すように、いずれも広範囲にわた
って低い反射率を有しており、優れた反射防止性も有し
ていた。さらにこれらの陰極線管用パネルの視感透過率
を測定したところ、図４のグラフに示すように、いずれ
も同じ透過率曲線を描き、約５０％であった。
長４００〜７００ｎｍにおける反射率を測定したとこ
ろ、図３のグラフに示すように、いずれも広範囲にわた
って低い反射率を有しており、優れた反射防止性も有し
ていた。さらにこれらの陰極線管用パネルの視感透過率
を測定したところ、図４のグラフに示すように、いずれ
も同じ透過率曲線を描き、約５０％であった。
【００４２】尚、上記の表面抵抗値は、東亜電波株式会
社製超絶縁抵抗計によって測定し、また反射率は、大塚
電子株式会社製ＭＣＰＤ１０００ １５゜正反射によっ
て測定し、さらに視感透過率は、日立製作所株式会社製
Ｕ−４０００分光光度計によって測定したものである。
社製超絶縁抵抗計によって測定し、また反射率は、大塚
電子株式会社製ＭＣＰＤ１０００ １５゜正反射によっ
て測定し、さらに視感透過率は、日立製作所株式会社製
Ｕ−４０００分光光度計によって測定したものである。
【００４３】
【発明の効果】以上のように本発明の陰極線管用パネル
は、優れた電磁波遮蔽性と反射防止性を有していると共
に、輝度とコントラストを調整することが可能である。
は、優れた電磁波遮蔽性と反射防止性を有していると共
に、輝度とコントラストを調整することが可能である。
【図１】本発明の陰極線管用パネルを示す概略縦断面図
である。
である。
【図２】本発明の他の陰極線管用パネルを示す概略縦断
面図である。
面図である。
【図３】実施例１、２の陰極線管用パネルの波長４００
〜７００ｎｍにおける反射率曲線を示すグラフである。
〜７００ｎｍにおける反射率曲線を示すグラフである。
【図４】実施例１、２の陰極線管用パネルの波長４００
〜７００ｎｍにおける透過率曲線を示すグラフである。
〜７００ｎｍにおける透過率曲線を示すグラフである。
１０ パネルガラス １１ 第１の薄膜 １２ 第２の薄膜 １３ 第３の薄膜
Claims (9)
- 【請求項１】 パネルガラスの外表面側に、無機化合物
が表面に付着したルテニウム微粒子を含む薄膜が形成さ
れてなり、薄膜の膜厚が５０ｎｍ以上、透過率が９０％
以下であり、表面抵抗値が１０3 Ω／□以下であること
を特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項２】 無機化合物が、ＳｉＯ2 であることを特
徴とする請求項１記載の陰極線管用パネル。 - 【請求項３】 パネルガラスは、波長５４６ｎｍにおい
て、肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラ
スから形成されてなることを特徴とする請求項１記載の
陰極線管用パネル。 - 【請求項４】 パネルガラスの外表面側に、無機化合物
が表面に付着したルテニウム微粒子を含む第１の薄膜が
形成され、その上に第１の薄膜より屈折率の低い第２の
薄膜が形成されてなり、第１の薄膜の膜厚が５０ｎｍ以
上、透過率が９０％以下であり、表面抵抗値が１０3 Ω
／□以下であることを特徴とする陰極線管用パネル。 - 【請求項５】 無機化合物が、ＳｉＯ2 であることを特
徴とする請求項４記載の陰極線管用パネル。 - 【請求項６】 パネルガラスは、波長５４６ｎｍにおい
て、肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上のガラ
スから形成されてなることを特徴とする請求項４記載の
陰極線管用パネル。 - 【請求項７】 パネルガラスの外表面側に、無機化合物
が表面に付着したルテニウム微粒子を含む第１の薄膜が
形成され、その上に第１の薄膜より屈折率の低い第２の
薄膜が形成され、さらにその上に微細な凹凸を有する第
３の薄膜が形成されてなり、第１の薄膜の膜厚が５０ｎ
ｍ以上、透過率が９０％以下であり、表面抵抗値が１０
3 Ω／□以下であることを特徴とする陰極線管用パネ
ル。 - 【請求項８】 無機化合物がＳｉＯ2 であることを特徴
とする請求項７記載の陰極線管用パネル。 - 【請求項９】 パネルガラスとして、波長５４６ｎｍに
おいて、肉厚１０．１６ｍｍでの透過率が４０％以上の
ガラスが用いられてなることを特徴とする請求項７記載
の陰極線管用パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6422998A JPH11250837A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6422998A JPH11250837A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11250837A true JPH11250837A (ja) | 1999-09-17 |
Family
ID=13252087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6422998A Pending JPH11250837A (ja) | 1998-02-27 | 1998-02-27 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11250837A (ja) |
-
1998
- 1998-02-27 JP JP6422998A patent/JPH11250837A/ja active Pending
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