JPH1097833A - 陰極線管用パネル - Google Patents
陰極線管用パネルInfo
- Publication number
- JPH1097833A JPH1097833A JP8271367A JP27136796A JPH1097833A JP H1097833 A JPH1097833 A JP H1097833A JP 8271367 A JP8271367 A JP 8271367A JP 27136796 A JP27136796 A JP 27136796A JP H1097833 A JPH1097833 A JP H1097833A
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- Japan
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- panel
- sio
- ray tube
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 優れた電磁波遮蔽性と反射防止性を有する陰
極線管用パネルを提供する。 【解決手段】 外表面側の第１層目に１５００〜２５０
０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１１が形成され、第２
層目に１０００〜１５００Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄
膜１２が形成され、第３層目に５００〜８００Åの膜厚
を有するＳｉＯ2薄膜１３が形成され、第４層目に微細
なＳｉＯ2 粒子１５からなる多数の凹凸を有するＳｉＯ
2 薄膜１４が形成されてなり、その各々のＳｉＯ2 粒子
１５の周縁部１６は隆起して中心部１７が平坦を呈して
いる。
極線管用パネルを提供する。 【解決手段】 外表面側の第１層目に１５００〜２５０
０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜１１が形成され、第２
層目に１０００〜１５００Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄
膜１２が形成され、第３層目に５００〜８００Åの膜厚
を有するＳｉＯ2薄膜１３が形成され、第４層目に微細
なＳｉＯ2 粒子１５からなる多数の凹凸を有するＳｉＯ
2 薄膜１４が形成されてなり、その各々のＳｉＯ2 粒子
１５の周縁部１６は隆起して中心部１７が平坦を呈して
いる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、外表面に高い電磁波遮
蔽性と優れた反射防止性を有する陰極線管用パネルに関
するものである。
蔽性と優れた反射防止性を有する陰極線管用パネルに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】陰極線管は、画像が映し出されるパネル
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
と、その背後を形成するファンネル及びネックから構成
されている。
【０００３】陰極線管は、ネック管内に装着した電子銃
から出る電子ビームをファンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有するＳｎＯ2 等の導電膜が
形成されている。
から出る電子ビームをファンネルの周りに取り付けた偏
向コイルにより偏向させているが、特にこの偏向コイル
から発生する不要電磁波が漏洩することにより、陰極線
管の周囲にある他の電子機器を誤作動させたり、或は人
体に悪影響を及ぼすおそれがある。そこで従来の陰極線
管においては、電磁波を遮蔽する性能を付与するために
パネルの外表面に導電性を有するＳｎＯ2 等の導電膜が
形成されている。
【０００４】しかしながら、従来一般に供されている陰
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗（正方形当たりの抵抗値）が１×１０6 Ω／
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、ＳｎＯ2 の膜は、パネ
ルガラスに比べて高い屈折率を有しているので、導電性
を付与するために、単にＳｎＯ2 の膜を形成するだけで
は表面反射が大きく、画像が見えにくいという問題が生
じている。
極線管用パネルでは、その外表面に形成されている導電
膜の面抵抗（正方形当たりの抵抗値）が１×１０6 Ω／
□以上と高いため導電性が低く、不要電磁波を完全に遮
蔽するには不十分である。また、ＳｎＯ2 の膜は、パネ
ルガラスに比べて高い屈折率を有しているので、導電性
を付与するために、単にＳｎＯ2 の膜を形成するだけで
は表面反射が大きく、画像が見えにくいという問題が生
じている。
【０００５】そこで、パネル表面に透明導電膜を形成し
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にＣＶＤ法によって２００〜４００Åの
膜厚のＳｎＯ2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にＳｉＯ2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
た後、さらにその上に反射防止膜を形成することによっ
て光の表面反射をも抑える提案がなされ、具体的には、
パネルの外表面にＣＶＤ法によって２００〜４００Åの
膜厚のＳｎＯ2 からなる透明導電膜を形成した後、さら
にその上にＳｉＯ2 からなる反射防止膜をスピンコート
法によって形成してなる陰極線管が提案されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながらこのよう
な陰極線管では、パネルの表面に形成されたＳｎＯ2 の
膜厚が２００〜４００Åと薄いために透明導電膜の面抵
抗が１×１０6 Ω／□と高く、不要電磁波を遮蔽するに
は不十分である。
な陰極線管では、パネルの表面に形成されたＳｎＯ2 の
膜厚が２００〜４００Åと薄いために透明導電膜の面抵
抗が１×１０6 Ω／□と高く、不要電磁波を遮蔽するに
は不十分である。
【０００７】従って、本発明の目的は、優れた電磁波遮
蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルを提供する
ことである。
蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルを提供する
ことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題及
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第１層目に
１５００〜２５００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜が形
成され、第２層目に１０００〜１５００Åの膜厚を有す
るＳｎＯ2 薄膜が形成され、第３層目に５００〜８００
Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜が形成され、第４層目に
微細なＳｉＯ2粒子からなる多数の凹凸を有するＳｉＯ2
薄膜が形成されてなり、その各々のＳｉＯ2 粒子の周
縁部は隆起して中心部が平坦を呈していることを特徴と
する陰極線管用パネルである。
び目的に鑑みてなされたもので、外表面側の第１層目に
１５００〜２５００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜が形
成され、第２層目に１０００〜１５００Åの膜厚を有す
るＳｎＯ2 薄膜が形成され、第３層目に５００〜８００
Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜が形成され、第４層目に
微細なＳｉＯ2粒子からなる多数の凹凸を有するＳｉＯ2
薄膜が形成されてなり、その各々のＳｉＯ2 粒子の周
縁部は隆起して中心部が平坦を呈していることを特徴と
する陰極線管用パネルである。
【０００９】また、第２層目のＳｎＯ2 薄膜がＣＶＤ法
によって形成され、９×１０2 Ω／□以下の面抵抗を有
することを特徴とする。
によって形成され、９×１０2 Ω／□以下の面抵抗を有
することを特徴とする。
【００１０】また、第４層目のＳｉＯ2 薄膜のＳｉＯ2
粒子は、中心部の膜厚が４００Å以下であり、且つ周縁
部と中心部との落差が２００〜４００Åであることを特
徴とする。
粒子は、中心部の膜厚が４００Å以下であり、且つ周縁
部と中心部との落差が２００〜４００Åであることを特
徴とする。
【００１１】
【作用】本発明において、透明導電膜として用いられる
第２層目のＳｎＯ2 膜は２．０の屈折率（ｎｄ）を有
し、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
第２層目のＳｎＯ2 膜は２．０の屈折率（ｎｄ）を有
し、Ｉｎ2 Ｏ3 薄膜に比べ、安価で性能が安定している
ことを特徴とする。
【００１２】さらに、本発明において、このＳｎＯ2 薄
膜をＣＶＤ法によって形成する理由は、ＣＶＤ法は他の
コーティング法に比べて安価で大量生産に向いており、
また、透明導電膜の電磁波遮蔽性は膜の電気抵抗が小さ
い程向上するが、ＳｎＯ2 薄膜をＣＶＤ法によって形成
すると膜が細かい粒子の緻密構造となり、更にこれを１
０００Å以上の膜厚にすることによって、９×１０2 Ω
／□以下の面抵抗を有する薄膜となり、特に優れた電磁
波遮蔽性が得られるためである。
膜をＣＶＤ法によって形成する理由は、ＣＶＤ法は他の
コーティング法に比べて安価で大量生産に向いており、
また、透明導電膜の電磁波遮蔽性は膜の電気抵抗が小さ
い程向上するが、ＳｎＯ2 薄膜をＣＶＤ法によって形成
すると膜が細かい粒子の緻密構造となり、更にこれを１
０００Å以上の膜厚にすることによって、９×１０2 Ω
／□以下の面抵抗を有する薄膜となり、特に優れた電磁
波遮蔽性が得られるためである。
【００１３】第２層目のＳｎＯ2 薄膜の膜厚を１０００
〜１５００Åにする理由は、１０００Åより薄い膜厚で
あると、面抵抗が９×１０2 Ω／□より高く、電磁波を
遮蔽するには不十分であり、また、１５００Åより厚い
膜厚であると、ＳｎＯ2 薄膜の屈折率が２．０とパネル
ガラスの屈折率に比べて大きいため、表面反射が大きく
なるからである。
〜１５００Åにする理由は、１０００Åより薄い膜厚で
あると、面抵抗が９×１０2 Ω／□より高く、電磁波を
遮蔽するには不十分であり、また、１５００Åより厚い
膜厚であると、ＳｎＯ2 薄膜の屈折率が２．０とパネル
ガラスの屈折率に比べて大きいため、表面反射が大きく
なるからである。
【００１４】通常、ＣＶＤ法によりパネルの表面に直接
ＳｎＯ2 の薄膜を形成すると、パネルの加熱処理によ
り、ガラス中のアルカリ成分が表面に出るため、９×１
０2 Ω／□以下の面抵抗を得るには、膜厚を相当厚くし
なければならない。しかしながら、第１層目にＳｉＯ2
薄膜を形成することにより、パネルの表面にアルカリ成
分が出るのを防止することが可能となる。第１層目のＳ
ｉＯ2 薄膜は、パネルのアルカリ成分が出るのを防止す
るとともに、干渉効果により光の表面反射を小さくする
作用がある。第１層目のＳｉＯ2 薄膜の膜厚を１５００
〜２５００Åにする理由は、１５００Åより薄い膜厚で
あるとパネルのアルカリ成分が出るのを十分に防止しき
れず、また、２５００Åより厚い膜厚であると光の干渉
効果が弱まり、表面反射が大きくなるからである。
ＳｎＯ2 の薄膜を形成すると、パネルの加熱処理によ
り、ガラス中のアルカリ成分が表面に出るため、９×１
０2 Ω／□以下の面抵抗を得るには、膜厚を相当厚くし
なければならない。しかしながら、第１層目にＳｉＯ2
薄膜を形成することにより、パネルの表面にアルカリ成
分が出るのを防止することが可能となる。第１層目のＳ
ｉＯ2 薄膜は、パネルのアルカリ成分が出るのを防止す
るとともに、干渉効果により光の表面反射を小さくする
作用がある。第１層目のＳｉＯ2 薄膜の膜厚を１５００
〜２５００Åにする理由は、１５００Åより薄い膜厚で
あるとパネルのアルカリ成分が出るのを十分に防止しき
れず、また、２５００Åより厚い膜厚であると光の干渉
効果が弱まり、表面反射が大きくなるからである。
【００１５】第３層目のＳｉＯ2 薄膜は、反射防止膜と
して用いられ、その材質としてはＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、
ＣａＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用可能であるが、コスト面
や膜強度等を考慮するとＳｉＯ2 （屈折率１．４６）を
使用することが好ましく、その形成方法としては、スピ
ンコート法、ディップコート法のいずれかが適してい
る。第３層目のＳｉＯ2 薄膜を５００〜８００Åにする
理由は、本発明において第３層目のＳｉＯ2 薄膜が、前
記膜厚範囲にある時、光の干渉効果による表面反射が最
も低くなるからである。
して用いられ、その材質としてはＳｉＯ2 、ＭｇＦ2 、
ＣａＦ2 、Ａｌ2 Ｏ3 等が使用可能であるが、コスト面
や膜強度等を考慮するとＳｉＯ2 （屈折率１．４６）を
使用することが好ましく、その形成方法としては、スピ
ンコート法、ディップコート法のいずれかが適してい
る。第３層目のＳｉＯ2 薄膜を５００〜８００Åにする
理由は、本発明において第３層目のＳｉＯ2 薄膜が、前
記膜厚範囲にある時、光の干渉効果による表面反射が最
も低くなるからである。
【００１６】第４層目の微細な凹凸を有するＳｉＯ2 薄
膜は、外部から光線が照射された際の拡散反射を大きく
し、逆に正反射を小さくさせることにより、防眩効果を
もたせるものである。第４層目のＳｉＯ2 粒子の周縁部
は隆起して中心部が平坦を呈していることにより防眩効
果と高い解像度の両方を同時に得ることができる。Ｓｉ
Ｏ2 粒子の中心部の膜厚が４００Å以下であり、且つ周
縁部と中心部との段差が２００〜４００Åであることに
より、防眩効果をもちつつ、光の干渉効果により表面反
射が低いものとなる。ＳｉＯ2 粒子の中心部の膜厚を４
００Å以下にする理由は、４００Åより大きいと、表面
反射が著しく大きくなるためである。また、ＳｉＯ2 粒
子の周縁部と中心部との落差を２００〜４００Åにする
理由は、２００Åより小さいと防眩効果が得られず、ま
た４００Åより大きいと光の干渉効果が得られず表面反
射が大きいものになるからである。
膜は、外部から光線が照射された際の拡散反射を大きく
し、逆に正反射を小さくさせることにより、防眩効果を
もたせるものである。第４層目のＳｉＯ2 粒子の周縁部
は隆起して中心部が平坦を呈していることにより防眩効
果と高い解像度の両方を同時に得ることができる。Ｓｉ
Ｏ2 粒子の中心部の膜厚が４００Å以下であり、且つ周
縁部と中心部との段差が２００〜４００Åであることに
より、防眩効果をもちつつ、光の干渉効果により表面反
射が低いものとなる。ＳｉＯ2 粒子の中心部の膜厚を４
００Å以下にする理由は、４００Åより大きいと、表面
反射が著しく大きくなるためである。また、ＳｉＯ2 粒
子の周縁部と中心部との落差を２００〜４００Åにする
理由は、２００Åより小さいと防眩効果が得られず、ま
た４００Åより大きいと光の干渉効果が得られず表面反
射が大きいものになるからである。
【００１７】尚、第２層目の薄膜を構成するＳｎＯ2 に
は、抵抗値を下げる目的で少量のＳｂＯ3 を添加するこ
とが可能である。
は、抵抗値を下げる目的で少量のＳｂＯ3 を添加するこ
とが可能である。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の陰極線管用パネルを実施例に
基づいて詳細に説明する。
基づいて詳細に説明する。
【００１９】図１は本発明の陰極線管用パネルの縦断面
図、図２はＳｉＯ2 粒子の拡大断面図である。
図、図２はＳｉＯ2 粒子の拡大断面図である。
【００２０】このパネルガラス１０（屈折率１．５３
６）の外表面には、第１層目として１９００Åの膜厚を
有するＳｉＯ2 薄膜１１（屈折率１．４６）が形成さ
れ、第２層目として１１００Åの膜厚を有するＳｎＯ2
薄膜１２（屈折率２．０）が形成され、また、第３層目
として６００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 の薄膜１３（屈
折率１．４６）が形成され、さらには、第４層目として
微細な凹凸を有するＳｉＯ2 の薄膜１４が形成されてい
る。図２に示すように、第４層目のＳｉＯ2 薄膜１４の
各々のＳｉＯ2 粒子１５は、その周縁部１６が隆起して
中心部１７が平坦を呈しており、中心部１７の膜厚は４
００Å以下、周縁部１６と中心部１７との落差は２００
〜４００Åである。
６）の外表面には、第１層目として１９００Åの膜厚を
有するＳｉＯ2 薄膜１１（屈折率１．４６）が形成さ
れ、第２層目として１１００Åの膜厚を有するＳｎＯ2
薄膜１２（屈折率２．０）が形成され、また、第３層目
として６００Åの膜厚を有するＳｉＯ2 の薄膜１３（屈
折率１．４６）が形成され、さらには、第４層目として
微細な凹凸を有するＳｉＯ2 の薄膜１４が形成されてい
る。図２に示すように、第４層目のＳｉＯ2 薄膜１４の
各々のＳｉＯ2 粒子１５は、その周縁部１６が隆起して
中心部１７が平坦を呈しており、中心部１７の膜厚は４
００Å以下、周縁部１６と中心部１７との落差は２００
〜４００Åである。
【００２１】このパネルガラス１０の外表面への各薄膜
の形成は以下のような方法によって行った。
の形成は以下のような方法によって行った。
【００２２】まず、パネルガラスを洗浄、乾燥させ、予
熱した状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有の
アルコール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後に焼
成することによってＳｉＯ2 薄膜１１を形成した。
熱した状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有の
アルコール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後に焼
成することによってＳｉＯ2 薄膜１１を形成した。
【００２３】その後、このＳｉＯ2 薄膜１１を形成した
パネルガラス１０を予熱しておき、この外表面にジメチ
ル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ
＝１／１００）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ法によってＳ
ｂがドープされたＳｎＯ2 薄膜１２を形成した。
パネルガラス１０を予熱しておき、この外表面にジメチ
ル２塩化錫と３塩化アンチモンの混合蒸気（Ｓｂ／Ｓｎ
＝１／１００）を吹きつけ、常圧のＣＶＤ法によってＳ
ｂがドープされたＳｎＯ2 薄膜１２を形成した。
【００２４】次いで、このパネルガラス１０を予熱した
状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有のアルコ
ール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後に焼成する
ことによって、ＳｉＯ2 の薄膜１３を形成した。
状態で回転させながら、その上にＳｉＯ2 含有のアルコ
ール溶液を滴下し、これを自然乾燥させた後に焼成する
ことによって、ＳｉＯ2 の薄膜１３を形成した。
【００２５】次いで、このパネルガラス１０を４０〜５
０℃に昇温加熱し、ＳｉＯ2 薄膜１３の上にＳｉＯ2 固
形分１．５〜２．０％のＳｉＯ2 を含むエタノール溶液
をスプレーコート法により、２．７ｋｇ／ｃｍ3 のスプ
レー圧で、パネルガラス１０の最外表面に吹き付けた。
この際、パネルガラス１０の外表面に吹き付けられたＳ
ｉＯ2 を含むエタノール溶液は液滴となり、パネルガラ
ス１０の外表面に当たることにより、その周縁部１６が
隆起し、中心部１７は椀形状を呈するが、パネルガラス
１０の外表面が４０〜５０℃にあることにより瞬時には
乾燥せず、周縁部１６から中心部１７に亙る変形が生じ
て中心部１７が平坦化した後、乾燥、固化する。その結
果、周縁部１６が隆起して中心部１７が平坦を呈したＳ
ｉＯ2 粒子１５となる。このパネルガラス１０を４５０
℃で３０分焼成することにより、上記の微小なＳｉＯ2
粒子１５からなる凹凸を呈するＳｉＯ2 被膜１４を形成
した。
０℃に昇温加熱し、ＳｉＯ2 薄膜１３の上にＳｉＯ2 固
形分１．５〜２．０％のＳｉＯ2 を含むエタノール溶液
をスプレーコート法により、２．７ｋｇ／ｃｍ3 のスプ
レー圧で、パネルガラス１０の最外表面に吹き付けた。
この際、パネルガラス１０の外表面に吹き付けられたＳ
ｉＯ2 を含むエタノール溶液は液滴となり、パネルガラ
ス１０の外表面に当たることにより、その周縁部１６が
隆起し、中心部１７は椀形状を呈するが、パネルガラス
１０の外表面が４０〜５０℃にあることにより瞬時には
乾燥せず、周縁部１６から中心部１７に亙る変形が生じ
て中心部１７が平坦化した後、乾燥、固化する。その結
果、周縁部１６が隆起して中心部１７が平坦を呈したＳ
ｉＯ2 粒子１５となる。このパネルガラス１０を４５０
℃で３０分焼成することにより、上記の微小なＳｉＯ2
粒子１５からなる凹凸を呈するＳｉＯ2 被膜１４を形成
した。
【００２６】こうして作製した陰極線管用パネルの面抵
抗を測定したところ、本実施例の陰極線管用パネルは３
×１０2 Ω／□の低い面抵抗を有しており、優れた電磁
波遮蔽性を有していた。
抗を測定したところ、本実施例の陰極線管用パネルは３
×１０2 Ω／□の低い面抵抗を有しており、優れた電磁
波遮蔽性を有していた。
【００２７】また、本実施例の陰極線管用パネルの４０
０〜７００ｎｍの波長における反射率を測定し、その結
果を図３に示した。図３においては、外表面が未処理の
陰極線管用パネルガラス（屈折率１．５３６）を比較例
としている。図３のグラフから明らかなように、本実施
例の陰極線管用パネルの反射曲線は、広波長域に亙って
全般的に低い反射率を有しており、優れた反射防止性を
有していた。
０〜７００ｎｍの波長における反射率を測定し、その結
果を図３に示した。図３においては、外表面が未処理の
陰極線管用パネルガラス（屈折率１．５３６）を比較例
としている。図３のグラフから明らかなように、本実施
例の陰極線管用パネルの反射曲線は、広波長域に亙って
全般的に低い反射率を有しており、優れた反射防止性を
有していた。
【００２８】
【発明の効果】以上のように本発明によると、優れた電
磁波遮蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルを得
ることが可能である。
磁波遮蔽性と反射防止性を有する陰極線管用パネルを得
ることが可能である。
【図１】本発明の実施例の陰極線管用パネルの縦断面図
である。
である。
【図２】ＳｉＯ2 粒子の拡大断面図である。
【図３】本発明の実施例の陰極線管用パネルの反射率を
示すグラフである。
示すグラフである。
１０ パネルガラス １１、１３、１４ ＳｉＯ2 薄膜 １２ ＳｎＯ2 薄膜 １５ ＳｉＯ2 粒子 １６ 周縁部 １７ 中心部
Claims (3)
- 【請求項１】 外表面側の第１層目に１５００〜２５０
０Åの膜厚を有するＳｉＯ2 薄膜が形成され、第２層目
に１０００〜１５００Åの膜厚を有するＳｎＯ2 薄膜が
形成され、第３層目に５００〜８００Åの膜厚を有する
ＳｉＯ2 薄膜が形成され、第４層目に微細なＳｉＯ2 粒
子からなる多数の凹凸を有するＳｉＯ2 薄膜が形成され
てなり、その各々のＳｉＯ2 粒子の周縁部は隆起して中
心部が平坦を呈していることを特徴とする陰極線管用パ
ネル。 - 【請求項２】 第２層目のＳｎＯ2 薄膜がＣＶＤ法によ
って形成され、９×１０2 Ω／□以下の面抵抗を有する
ことを特徴とする請求項１記載の陰極線管用パネル。 - 【請求項３】 第４層目のＳｉＯ2 薄膜のＳｉＯ2 粒子
は、中心部の膜厚が４００Å以下であり、且つ周縁部と
中心部との落差が２００〜４００Åであることを特徴と
する請求項１記載の陰極線管用パネル。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8271367A JPH1097833A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 陰極線管用パネル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8271367A JPH1097833A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 陰極線管用パネル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1097833A true JPH1097833A (ja) | 1998-04-14 |
Family
ID=17499089
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8271367A Pending JPH1097833A (ja) | 1996-09-20 | 1996-09-20 | 陰極線管用パネル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1097833A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2533331A3 (en) * | 2007-07-17 | 2013-04-10 | Nexeon Limited | Structured particles composed of silicon or a silicon-based material and method of fabricating thereof |
| US9583762B2 (en) | 2006-01-23 | 2017-02-28 | Nexeon Limited | Method of fabricating fibres composed of silicon or a silicon-based material and their use in lithium rechargeable batteries |
| US9871249B2 (en) | 2007-05-11 | 2018-01-16 | Nexeon Limited | Silicon anode for a rechargeable battery |
-
1996
- 1996-09-20 JP JP8271367A patent/JPH1097833A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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