JPH1116491A - Forming method for thick-film pattern for use in plasma display panel - Google Patents

Forming method for thick-film pattern for use in plasma display panel

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JPH1116491A
JPH1116491A JP18458897A JP18458897A JPH1116491A JP H1116491 A JPH1116491 A JP H1116491A JP 18458897 A JP18458897 A JP 18458897A JP 18458897 A JP18458897 A JP 18458897A JP H1116491 A JPH1116491 A JP H1116491A
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JP
Japan
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pattern
thick film
forming
film pattern
forming material
Prior art date
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Application number
JP18458897A
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Japanese (ja)
Inventor
Satoru Kuramochi
悟 倉持
Yozo Kosaka
陽三 小坂
Masaaki Asano
雅朗 浅野
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Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH1116491A publication Critical patent/JPH1116491A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a thick-film pattern forming method wherein a barrier rib layer, an electrode, and a dielectric layer can be formed with defects lessened and flatly, in the case of manufacture of a plasma display panel. SOLUTION: A thick-film pattern forming material 20, containing an inorganic constituent having at least glass frit and a binder resin, is applied to or printed on a substrate 11, over the whole surface or in a pattern-like manner, and thereafter flattening is conducted, whereby a less defective and flat thick-film pattern can be formed. The flattening can be conducted by pressing a barrier rib layer, an electrode, and a dielectric layer, with or without an exfoliative film 23 interposed therebetween, by using a press roll 21 or a surface table 22.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネル用厚膜パターンの形成方法、特にプラズマデ
ィスプレイパネル(PDP)の製造における障壁、電
極、誘電体層等の厚膜パターンの形成方法に係わるもの
である。本発明の厚膜パターン形成方法によれば、放電
空間を形成するための障壁、電極、誘電体層等を容易に
平坦に形成することができる。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for forming a thick film pattern for a plasma display panel, and more particularly to a method for forming a thick film pattern such as a barrier, an electrode and a dielectric layer in the production of a plasma display panel (PDP). It is. According to the thick film pattern forming method of the present invention, a barrier, an electrode, a dielectric layer, and the like for forming a discharge space can be easily formed flat.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、PDPの障壁、電極、誘電体層等
はスクリーン印刷等によりパターン印刷したり、あるい
は基板全面に障壁材料等を塗布して、レジスト膜を形成
してサンドブラスト等によりエッチングして形成されて
いるが、スクリーン印刷の場合、障壁等の表面にスクリ
ーンのメッシュ目が残るために、障壁の欠けの原因とな
ったり、電極の放電むらの原因となるという問題があっ
た。
2. Description of the Related Art Conventionally, barriers, electrodes, dielectric layers, and the like of PDPs are patterned by screen printing or the like, or barrier materials or the like are applied to the entire surface of a substrate, and a resist film is formed and etched by sandblasting or the like. However, in the case of screen printing, meshes of the screen remain on the surface of a barrier or the like, which causes problems such as chipping of the barrier and uneven discharge of electrodes.

【0003】一般にPDPは、2枚の対向するガラス基
板にそれぞれ規則的に配列した一対の電極を設け、その
間にネオン、キセノン等を主体とするガスを封入した構
造となっている。そして、これらの電極間に電圧を印加
し、電極周辺の微小なセル内で放電を発生させることに
より、各セルを発光させて表示を行うようにしている。
特に情報表示をするためには、規則的に並んだセルを選
択的に放電発光させている。このPDPには、電極が放
電空間に露出している直流型(DC型)と絶縁層で覆わ
れている交流型(AC型)の2種があり、双方とも表示
機能や駆動方法の違いによって、さらにリフレッシュ駆
動方式とメモリー駆動方式に分類される。
In general, a PDP has a structure in which a pair of electrodes arranged regularly on two opposing glass substrates are provided, and a gas mainly composed of neon, xenon, or the like is sealed between the electrodes. Then, a voltage is applied between these electrodes, and a discharge is generated in minute cells around the electrodes, so that each cell emits light and display is performed.
In particular, in order to display information, regularly arranged cells are selectively discharged to emit light. There are two types of PDPs, a direct current type (DC type) in which electrodes are exposed to the discharge space, and an alternating current type (AC type) in which electrodes are covered with an insulating layer. And a refresh driving method and a memory driving method.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】図6および図7は、A
C型PDPの一般的な構成を示したものである。AC型
PDPは、3電極構造の面放電型PDPである。図6
は、その斜視図、図7は障壁に平行な面での断面図であ
る。これらの図は前面板であるガラス基板12と背面板
であるガラス基板11を離した状態を示したもので、図
示のようにガラス基板12と11とが互いに平行に且つ
対向して配設されており、ガラス基板11の前面側には
これに立設する障壁8が固着され、この障壁8によりガ
ラス基板11とガラス基板12とが一定空間で保持され
ている。そして、ガラス基板12の背面側には透明導電
膜からなる電極14とそれに重なるバス電極15からな
る表示電極Xが互いに平行に形成され、表示電極Xを被
覆する誘電体層16、MgO層17が形成されている。
FIG. 6 and FIG.
1 shows a general configuration of a C-type PDP. The AC PDP is a surface discharge PDP having a three-electrode structure. FIG.
Is a perspective view thereof, and FIG. 7 is a sectional view taken along a plane parallel to the barrier. These figures show a state in which a glass substrate 12 serving as a front plate and a glass substrate 11 serving as a back plate are separated from each other. As shown in the drawings, the glass substrates 12 and 11 are arranged in parallel and opposed to each other. A barrier 8 erected on the front side of the glass substrate 11 is fixed to the glass substrate 11, and the barrier 8 holds the glass substrate 11 and the glass substrate 12 in a fixed space. On the back side of the glass substrate 12, an electrode 14 made of a transparent conductive film and a display electrode X made up of a bus electrode 15 overlapping the electrode 14 are formed in parallel with each other, and a dielectric layer 16 and an MgO layer 17 covering the display electrode X are formed. Is formed.

【0005】また、ガラス基板11の前面側には前記表
示電極Xと直交するようにアドレス電極Yと、アドレス
電極を覆う誘電体層3が設けられている。さらに、スト
ライプ状の障壁8がアドレス電極Yに互いに平行に形成
され、障壁8の壁面とセルの底面を覆うようにして所定
発光色の蛍光体層19が設けられている。障壁は、放電
空間をライン方向に単位発光領域ごとに区画するよう
に、各アドレス電極Yの間に配置されている。
On the front side of the glass substrate 11, an address electrode Y and a dielectric layer 3 covering the address electrode are provided so as to be orthogonal to the display electrode X. Further, stripe-shaped barriers 8 are formed parallel to the address electrodes Y, and a phosphor layer 19 of a predetermined emission color is provided so as to cover the wall surfaces of the barriers 8 and the bottom surfaces of the cells. The barrier is disposed between the address electrodes Y so as to divide the discharge space in the line direction for each unit light emitting region.

【0006】このAC型PDPでは、前面板であるガラ
ス基板12上の複合電極間に交流電源から所定の電圧を
印加して電場を形成することにより、ガラス基板12と
背面板であるガラス基板11と障壁8とで区画される表
示要素としての各セル内で放電が行われる。そして、こ
の放電により生じる紫外線により蛍光体層19が発光さ
せられ、ガラス基板12を透過してくるこの光を観察者
が視認するようになっている。
In this AC type PDP, an electric field is formed by applying a predetermined voltage from an AC power source between composite electrodes on a glass substrate 12 as a front plate, thereby forming a glass substrate 12 and a glass substrate 11 as a back plate. Discharge is performed in each cell as a display element partitioned by the barrier and the barrier 8. Then, the phosphor layer 19 is caused to emit light by the ultraviolet light generated by the discharge, and the light transmitted through the glass substrate 12 is visually recognized by an observer.

【0007】従来、このPDPに使用する障壁の形成技
術に関しては、基板上に障壁形成材料を用いて形成する
障壁パターン形状に対応するように、スクリーン印刷法
にて1回または複数回繰り返して印刷し、所要高さに積
み上げて塗布乾燥させる方法が知られている。また、基
板上に障壁形成材料を全面に塗布し、サンドブラスト耐
性を有するレジストを所定の形状に塗布面にパターニン
グした後、該レジストで保護されていない部分をサンド
ブラスト法で除去し、その後、該レジストを剥離する方
法も知られている(特公平4−58438号公報参
照)。
Conventionally, regarding a barrier forming technique used in this PDP, printing is repeated once or plural times by a screen printing method so as to correspond to a barrier pattern shape formed using a barrier forming material on a substrate. Then, there is known a method of stacking to a required height and coating and drying. Further, a barrier-forming material is applied to the entire surface of the substrate, and a resist having sandblast resistance is patterned on the application surface in a predetermined shape. Then, portions not protected by the resist are removed by a sandblast method. Is also known (see Japanese Patent Publication No. 4-58438).

【0008】以下、サンドブラスト法による障壁形成に
ついて図面を参照して説明する。図5は、サンドブラス
ト法によるプラズマディスプレイパネルの製造工程を示
す一例である。まず、ガラス基板11上に必要により低
融点ガラスからなる薄膜の下地層1を形成する(図5
(A))。下地層はガラス基板に起因するアルカリ成分
等の拡散を防止するため、あるいは電極、誘電体および
障壁を形成する時の基板との密着力を向上させるために
形成しておくことが好ましい。
Hereinafter, formation of a barrier by a sandblast method will be described with reference to the drawings. FIG. 5 is an example showing a manufacturing process of a plasma display panel by a sandblast method. First, an underlayer 1 of a thin film made of low-melting glass is formed on a glass substrate 11 as necessary.
(A)). The underlayer is preferably formed in order to prevent diffusion of an alkali component or the like caused by the glass substrate or to improve adhesion to the substrate when forming an electrode, a dielectric, and a barrier.

【0009】その上に、Ag,Ni,Cu等の金属及び
これらの合金を低融点ガラスフリット、低温で焼成可能
なバインダー樹脂に分散させた電極ペースト材料を用い
てスクリーン印刷法、フォトリソグラフィー法、充填
法、サンドブラスト法等によりアドレス電極2を形成
し、必要により低融点ガラスからなる誘電体層3をスク
リーン印刷法等により形成する(図5(B))。誘電体
層は、駆動させる時の安定性のためや電極がむき出しに
ならないようにして、障壁をサンドブラスト法で形成す
る際に電極が損傷を受けないために形成しておくことが
好ましい。誘電体層の材料としては、酸化鉛ガラスや酸
化ビスマスを主成分とする低融点ガラスが好適に用いら
れる。
On top of that, a screen printing method, a photolithography method, and an electrode paste material obtained by dispersing metals such as Ag, Ni and Cu and their alloys in a low melting glass frit and a binder resin which can be fired at a low temperature are used. The address electrode 2 is formed by a filling method, a sand blast method or the like, and a dielectric layer 3 made of a low melting point glass is formed by a screen printing method or the like as necessary (FIG. 5B). The dielectric layer is preferably formed for stability at the time of driving or for preventing the electrodes from being exposed, and for preventing the electrodes from being damaged when the barrier is formed by the sandblast method. As the material of the dielectric layer, a low-melting glass mainly containing lead oxide glass or bismuth oxide is preferably used.

【0010】次いで、障壁形成材料を用いてスクリーン
印刷により複数回塗布して積層し乾燥することにより障
壁形成層4を形成する。このようにして得られたパネル
をオーブン中に保持して、可塑剤を除去した後、障壁形
成層上に、保護膜を有するネガ型ドライフィルムレジス
ト5を熱ロールでラミネートする(図5(C))。そし
て、所定のフォトマスク9を介してドライフィルムレジ
スト5を紫外線光源10により露光した後(図5
(D))、ドライフィルムレジスト上の保護膜を剥離
し、炭酸ナトリウム水溶液による現像を行う。レジスト
を乾燥すれば、ラインパターンマスクに応じたレジスト
パターン7が得られる(図5(E))。こうして形成さ
れたレジストパターン7を切削マスクとして、障壁形成
層4をサンドブラスト法により切削する(図5
(F))。
Next, a barrier forming layer 4 is formed by applying a plurality of times by screen printing using a barrier forming material, laminating and drying. After the panel thus obtained is kept in an oven to remove the plasticizer, a negative dry film resist 5 having a protective film is laminated on the barrier forming layer with a hot roll (FIG. 5C )). Then, after exposing the dry film resist 5 with an ultraviolet light source 10 through a predetermined photomask 9 (FIG. 5).
(D)), the protective film on the dry film resist is removed, and development with an aqueous solution of sodium carbonate is performed. If the resist is dried, a resist pattern 7 corresponding to the line pattern mask is obtained (FIG. 5E). Using the resist pattern 7 thus formed as a cutting mask, the barrier forming layer 4 is cut by sandblasting (FIG. 5).
(F)).

【0011】レジストパターン7を水酸化ナトリウム水
溶液を使用してスプレー剥離し水洗し、乾燥する。最後
に、PDPパネル部材を焼成炉中において焼成し、誘電
体層、電極層、障壁層を同時に形成する。
The resist pattern 7 is sprayed off using an aqueous sodium hydroxide solution, washed with water, and dried. Finally, the PDP panel member is fired in a firing furnace to simultaneously form a dielectric layer, an electrode layer, and a barrier layer.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかし、以上のような
工程で障壁を形成する場合であっても、焼成前または焼
成後における障壁やアドレス電極あるいは誘電体層の表
面は、スクリーン印刷により形成されるのが通常である
ので、スクリーンメッシュ目が必然的に表面に出現して
残り、障壁の欠けの原因となったり、電極の放電むらの
原因になるという問題がある。また、スクリーン印刷以
外のブレードコートやロールコート、その他各種の塗布
方法であっても、障壁等の表面を無欠陥かつ完全に平坦
にすることは非常に困難が伴う。そこで、本発明では塗
布後の各塗布層表面を簡易な方法で平坦にすることを研
究し、本発明の完成に至ったものである。
However, even when the barrier is formed by the above-described steps, the surface of the barrier, the address electrode or the dielectric layer before or after firing is formed by screen printing. However, there is a problem that screen meshes inevitably appear on the surface and remain, resulting in chipping of a barrier or uneven discharge of electrodes. Further, even with a blade coating, roll coating, or other various coating methods other than screen printing, it is extremely difficult to completely and completely flatten the surface of a barrier or the like without defects. Therefore, in the present invention, studies have been made on flattening the surface of each coating layer after coating by a simple method, and the present invention has been completed.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
の本発明請求項1の発明は、基板上に、少なくともガラ
スフリットを有する無機成分とバインダー樹脂を含有す
る厚膜パターン形成材料を、全面もしくはパターン状
に、塗布もしくは印刷した後、平坦化処理を施すことを
特徴とするプラズマディスプレイパネル用厚膜パターン
の形成方法、にある。かかる形成方法によるプラズマデ
ィスプレイパネル用厚膜パターンであるため、平坦で欠
陥のない厚膜パターンが形成できる。
Means for Solving the Problems According to the first aspect of the present invention, there is provided a method for forming a thick film pattern comprising at least an inorganic component having glass frit and a binder resin on a substrate. Alternatively, there is provided a method of forming a thick film pattern for a plasma display panel, which comprises applying or printing a pattern and then performing a flattening process. Since the thick film pattern for a plasma display panel is formed by such a forming method, a flat, defect-free thick film pattern can be formed.

【0014】上記課題を解決するための本発明請求項2
の発明は、請求項1記載のプラズマディスプレイパネル
用厚膜パターンの形成方法において、平坦化処理がパタ
ーン状に塗布もしくは印刷したパターン形成材料上から
プレスロールによりプレスすることを特徴とする。かか
る形成方法によるプラズマディスプレイパネル用厚膜パ
ターンであるため、平坦で欠陥のない厚膜パターンを容
易に形成できる。
[0014] The present invention for solving the above-mentioned problems.
According to the invention, in the method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to the first aspect, the flattening treatment is performed by pressing a pattern forming material applied or printed in a pattern form with a press roll. Since the thick film pattern for a plasma display panel is formed by such a forming method, a flat, defect-free thick film pattern can be easily formed.

【0015】上記課題を解決するための本発明請求項3
の発明は、請求項1記載のプラズマディスプレイパネル
用厚膜パターンの形成方法において、平坦化処理がパタ
ーン状に塗布もしくは印刷したパターン形成材料上から
定盤によりプレスすることを特徴とする。かかる形成方
法によるプラズマディスプレイパネル用厚膜パターンで
あるため、平坦で欠陥のない厚膜パターンを容易に形成
できる。
[0015] The present invention for solving the above-mentioned problems.
According to the invention, in the method of forming a thick film pattern for a plasma display panel according to the first aspect, the flattening treatment is performed by pressing a pattern forming material applied or printed in a pattern form on a platen. Since the thick film pattern for a plasma display panel is formed by such a forming method, a flat, defect-free thick film pattern can be easily formed.

【0016】上記課題を解決するための本発明請求項4
の発明は、請求項1から請求項3記載のプラズマディス
プレイパネル用厚膜パターンの形成方法において、平坦
化処理がパターン状に塗布もしくは印刷したパターン形
成材料上に剥離性フィルムを介してプレスすることによ
り行うことを特徴とする。かかる形成方法によるプラズ
マディスプレイパネル用厚膜パターンであるため、平坦
で欠陥のない厚膜パターンを容易に形成できる。
[0016] The present invention for solving the above-mentioned problems is provided by claim 4 of the present invention.
According to a third aspect of the present invention, in the method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to any one of the first to third aspects, the flattening treatment is performed by pressing a pattern forming material applied or printed in a pattern form via a peelable film. It is characterized by the following. Since the thick film pattern for a plasma display panel is formed by such a forming method, a flat, defect-free thick film pattern can be easily formed.

【0017】上記課題を解決するための本発明請求項5
の発明は、請求項1から請求項3記載のプラズマディス
プレイパネル用厚膜パターンの形成方法において、平坦
化処理がパターン状に塗布もしくは印刷したパターン形
成材料上に剥離性フィルムをラミネートした後、プレス
することにより行うことを特徴とする。かかる形成方法
によるプラズマディスプレイパネル用厚膜パターンであ
るため、平坦で欠陥のない厚膜パターンを容易に形成で
きる。
According to the present invention, there is provided a method for solving the above-mentioned problems.
The present invention provides a method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to any one of claims 1 to 3, wherein a flattening treatment is performed by laminating a peelable film on a pattern forming material which is applied or printed in a pattern and then pressed. It is characterized by performing by doing. Since the thick film pattern for a plasma display panel is formed by such a forming method, a flat, defect-free thick film pattern can be easily formed.

【0018】上記課題を解決するための本発明請求項6
の発明は、請求項4から請求項5記載のプラズマディス
プレイパネル用厚膜パターンの形成方法において、厚膜
パターン形成材料が光硬化性樹脂であり、平坦化処理の
後に、剥離性フィルムを介して露光してパターン形成材
料の硬化処理を行うことを特徴とする。かかる形成方法
によるプラズマディスプレイパネル用厚膜パターンであ
るため、平坦で欠陥のない厚膜パターンを容易に形成し
硬化処理することができる。
According to the present invention, there is provided a method for solving the above problems.
According to the invention, in the method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to any one of claims 4 to 5, the material for forming the thick film pattern is a photocurable resin, and after a flattening process, via a peelable film. The method is characterized in that the pattern forming material is cured by exposure. Since the thick film pattern for a plasma display panel is formed by such a forming method, a flat film pattern having no defect can be easily formed and cured.

【0019】上記課題を解決するための本発明請求項7
の発明は、請求項1から請求項6記載のプラズマディス
プレイパネル用厚膜パターンの形成方法において、厚膜
パターン形成材料が、障壁形成材料もしくは電極形成材
料もしくは誘電体層形成材料であることを特徴とする。
かかる形成方法によるプラズマディスプレイパネル用厚
膜パターンであるため、障壁層、電極、誘電体層を平坦
で欠陥のない厚膜パターンに形成できる。
According to the present invention, there is provided an image processing apparatus comprising:
According to the invention, in the method of forming a thick film pattern for a plasma display panel according to any one of claims 1 to 6, the thick film pattern forming material is a barrier forming material, an electrode forming material, or a dielectric layer forming material. And
Since the thick film pattern for a plasma display panel is formed by such a forming method, the barrier layer, the electrode, and the dielectric layer can be formed into a flat, defect-free thick film pattern.

【0020】上記課題を解決するための本発明請求項8
の発明は、請求項1から請求項7記載のプラズマディス
プレイパネル用厚膜パターンの形成方法において、基板
が厚膜パターン形成材料の仮支持体であり、仮支持体上
に形成された厚膜パターンがガラス基板に転写されるも
のであることを特徴とする。かかる形成方法によるプラ
ズマディスプレイパネル用厚膜パターンであるため、障
壁層、電極、誘電体層の平坦で欠陥のない厚膜パターン
を転写方法により形成できる。
According to the present invention, there is provided an image forming apparatus comprising:
According to the invention, in the method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to any one of claims 1 to 7, the substrate is a temporary support of a thick film pattern forming material, and the thick film pattern formed on the temporary support is provided. Is transferred to a glass substrate. Since the thick film pattern for a plasma display panel is formed by such a forming method, a flat and defect-free thick film pattern of a barrier layer, an electrode, and a dielectric layer can be formed by a transfer method.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】図1は、本発明によるプラズマデ
ィスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法の第1の実
施形態を説明する図である。図1(A)はプレスロール
による場合、図1(B)は定盤による場合を示してい
る。この実施形態の場合、図1(A)のように、ガラス
等の基板11の上にパターン形成材料20を全面もしく
はパターン状に塗布もしくは印刷して厚膜パターンを形
成した後、プレスロール21を基板11上、一定高さに
正確に維持して均一な力で回転するか、図1(B)のよ
うに、パターン形成材料上に平面性がよくパターン形成
材料に対して剥離性の面を有する定盤22を均一に押圧
する方法により、パターン表面を平坦化するとともにパ
ターンを均一の高さにすることができる。なお、図1
(A)の場合は、基板11が支持台(不図示)上にあっ
て、支持台を平行に移動するものであってもよい。第1
の実施形態の場合、剥離性フィルムを使用しないので、
プレスロール21や定盤22の表面は、パターン形成材
料に対して粘着性あるいは接着性を有しない材質のもの
を選択して使用する必要がある。具体的に好ましい材質
としては、ポリ4フッ化エチレン(テフロン)、ポリ3
フッ化エチレン系の材料、またはポリジメチルシリコー
ンゴム、フェニル変性シリコーンゴム、エポキシ変性シ
リコーンゴム、ウレタン変性シリコーンゴム等を用いて
形成するかロールまたは盤面にこれらの材料の塗膜形成
した均質な面にして使用することが好ましい。
FIG. 1 is a view for explaining a first embodiment of a method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to the present invention. FIG. 1A shows a case using a press roll, and FIG. 1B shows a case using a surface plate. In the case of this embodiment, as shown in FIG. 1A, a pattern forming material 20 is applied or printed on the entire surface or in a pattern on a substrate 11 such as glass to form a thick film pattern. The substrate 11 may be accurately maintained at a constant height and rotated with a uniform force, or as shown in FIG. The method of uniformly pressing the platen 22 having the same makes it possible to flatten the pattern surface and make the pattern uniform. FIG.
In the case of (A), the substrate 11 may be on a support (not shown) and move the support in parallel. First
In the case of the embodiment, since a peelable film is not used,
The surfaces of the press roll 21 and the surface plate 22 need to be selected from materials having no tackiness or adhesion to the pattern forming material. Specific preferred materials include polytetrafluoroethylene (Teflon), poly3
Use a fluoroethylene-based material, or polydimethyl silicone rubber, phenyl-modified silicone rubber, epoxy-modified silicone rubber, urethane-modified silicone rubber, etc., or make a uniform surface with a roll or board coated with these materials. It is preferable to use it.

【0022】図2は、本発明によるプラズマディスプレ
イパネル用厚膜パターンの形成方法の第2の実施形態を
説明する図である。この実施形態の場合、図2のよう
に、基板11の上にパターン形成材料20を全面もしく
はパターン状に塗布もしくは印刷して厚膜パターンを形
成した後、プレスロール21を基板11上、一定高さに
正確に維持した状態で剥離性フィルム23を介して均一
な力で回転することにより、パターン表面を平坦化する
とともにパターンを均一の高さにすることができる。こ
の実施形態の場合、剥離性フィルム23はプレスロール
の移動に伴ってパターン形成材料に接触するのみで、パ
ターン形成材料にラミネートされることはない。
FIG. 2 is a view for explaining a second embodiment of the method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to the present invention. In the case of this embodiment, as shown in FIG. 2, after forming or printing a pattern forming material 20 on the entire surface or in a pattern of the substrate 11 to form a thick film pattern, the press roll 21 is placed on the substrate 11 at a constant height. By rotating with a uniform force through the peelable film 23 in a state where the pattern is accurately maintained, the pattern surface can be flattened and the pattern can have a uniform height. In the case of this embodiment, the peelable film 23 only comes into contact with the pattern forming material as the press roll moves, and is not laminated on the pattern forming material.

【0023】この場合剥離性フィルムは、パターン形成
材料に対して粘着性あるいは接着性でない材質のもの、
一般的には表面張力の小さい材質を選択して使用する必
要がある。具体的に好ましい材質としては、ポリエチレ
ン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リビニルフルオライド、ポリビニリデンフルオライド、
ポリ4フッ化エチレン、ポリ3フッ化エチレン、シリコ
ーンゴム、シリコンポリマー等のパターン形成材料に対
して剥離性のあるフィルムが好ましい。また、剥離性フ
ィルムは熱伸縮率の小さい樹脂フィルムに離型処理した
ものであってもよい。離型処理としては、フィルム上
に、ポリ4フッ化エチレン、ポリ3フッ化エチレン、ジ
メチルシリコーン、フェニル変性シリコーン、エポキシ
変性シリコーン等を1μm〜10μmの薄膜に形成した
ものが使用できる。
In this case, the peelable film is made of a material that is not tacky or adhesive to the pattern forming material,
Generally, it is necessary to select and use a material having a small surface tension. Specifically preferred materials include polyethylene, polypropylene, polyethylene terephthalate, polyvinyl fluoride, polyvinylidene fluoride,
A film that is releasable with respect to a pattern forming material such as polytetrafluoroethylene, polytrifluoroethylene, silicone rubber, or silicone polymer is preferable. Further, the releasable film may be a resin film having a small thermal expansion / contraction rate which is subjected to a release treatment. As the release treatment, a film obtained by forming a polytetrafluoroethylene, polytrifluoroethylene, dimethyl silicone, phenyl-modified silicone, epoxy-modified silicone, or the like on a film into a thin film of 1 μm to 10 μm can be used.

【0024】剥離性フィルムは皺の生じることのないよ
うな厚さ、具体的には10μm〜500μm、好ましく
は20μm〜200μm程度の厚さのものが好ましい。
また、PDPの一画面内において、フィルムの厚さむら
は、±10%の範囲であって厚みむらのないことが好ま
しい。剥離性フィルムは汚損のない限り反復して使用す
ることができるが、パターン形成の都度、フィルムを替
えて使用することが好ましい。
The releasable film preferably has a thickness that does not cause wrinkles, specifically, a thickness of about 10 μm to 500 μm, preferably about 20 μm to 200 μm.
Further, within one screen of the PDP, it is preferable that the thickness unevenness of the film is in a range of ± 10% and there is no thickness unevenness. The releasable film can be used repeatedly as long as there is no fouling, but it is preferable to use a different film each time a pattern is formed.

【0025】図3は、本発明によるプラズマディスプレ
イパネル用厚膜パターンの形成方法の第3の実施形態を
説明する図である。この実施形態の場合、まず、図3の
ように、基板11の上にパターン形成材料20を全面も
しくはパターン状に塗布もしくは印刷して厚膜パターン
を形成する。その後、平面性の良い剥離性フィルムをパ
ターン形成材料上にプレスロールの回転と同時に敷きつ
めてラミネートする。プレスロールの最初の回転により
剥離性フィルムはパターン形成材料にラミネートされる
が、その後、必要によりプレスロールを反復して回転さ
せることができる。ラミネートは一時的なものであり、
平坦化処理の後は剥離することが前提である。プレスロ
ール21は第1、第2の実施形態と同様に基板11上、
正確に一定高さに維持して均一な力で回転する必要があ
る。その後、必要により光硬化処理をした後、剥離性フ
ィルムを剥離することにより、パターン表面を平坦化す
るとともにパターンを均一の高さにすることができる。
この場合剥離性フィルム23の材質は、第2の実施形態
の場合と同一のものを使用することができる。
FIG. 3 is a view for explaining a third embodiment of the method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to the present invention. In the case of this embodiment, first, as shown in FIG. 3, a pattern forming material 20 is applied or printed on the entire surface or in a pattern on the substrate 11 to form a thick film pattern. Thereafter, a peelable film having good flatness is laid on the pattern forming material at the same time as the rotation of the press roll, and laminated. The first rotation of the press roll laminates the release film to the patterning material, after which the press roll can be rotated repeatedly if necessary. Lamination is temporary,
It is premised that the film is separated after the flattening process. The press roll 21 is formed on the substrate 11 in the same manner as in the first and second embodiments.
It is necessary to maintain a precisely constant height and rotate with a uniform force. Then, after performing a photocuring treatment as needed, the peelable film is peeled off, so that the pattern surface can be flattened and the pattern can have a uniform height.
In this case, the same material as that of the second embodiment can be used as the material of the peelable film 23.

【0026】図4は、本発明によるプラズマディスプレ
イパネル用厚膜パターンの形成方法の第4の実施形態を
説明する図である。図4(A)はプレスロール21によ
る場合、図4(B)は定盤22による場合を示してい
る。この実施形態の場合、まず、図4のように、基板1
1上にパターン形成材料20を全面もしくはパターン状
に塗布もしくは印刷して厚膜パターンを形成する。その
後、平面性の良い剥離性フィルム23をパターン形成材
料によるパターン上に載置した後、図4(A)のように
プレスロールを剥離性フィルム上を均一な力で回転させ
るか、図4(B)のように定盤22で平面的に均一に押
圧する方法により、パターン形成材料表面を平坦化する
と同時にフィルムをパターン形成材料上にラミネートす
る。ラミネートは一時的なものであり、平坦化処理の後
は剥離することが前提である。プレスロール21は第1
の実施形態と同様に基板11上、一定高さに正確に維持
して回転する必要がある。その後、必要により光硬化処
理をした後、剥離性フィルムを剥離することにより、パ
ターン表面を平坦化するとともにパターンを均一の高さ
にすることができる。この場合剥離性フィルム23の材
質は、第2の実施形態の場合と同一のものを使用するこ
とができる。
FIG. 4 is a view for explaining a fourth embodiment of the method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to the present invention. FIG. 4A shows the case using the press roll 21, and FIG. 4B shows the case using the surface plate 22. In the case of this embodiment, first, as shown in FIG.
A thick film pattern is formed by applying or printing the pattern forming material 20 on the entire surface or in a pattern. Then, after placing the peelable film 23 having good flatness on the pattern made of the pattern forming material, the press roll is rotated on the peelable film with a uniform force as shown in FIG. By the method of pressing uniformly on the platen 22 as shown in B), the surface of the pattern forming material is flattened and the film is laminated on the pattern forming material at the same time. The laminate is temporary and presupposes that it is peeled off after the flattening process. Press roll 21 is the first
As in the case of the first embodiment, it is necessary to rotate the substrate 11 while maintaining it accurately at a constant height. Then, after performing a photocuring treatment as needed, the peelable film is peeled off, so that the pattern surface can be flattened and the pattern can have a uniform height. In this case, the same material as that of the second embodiment can be used as the material of the peelable film 23.

【0027】上記において平坦化処理は、いずれの実施
形態の場合もパターン形成材料に加熱を与える状態で行
うことができる。加熱は加熱したプレスロールを使用す
ることもできるが、基板11を支持する支持台全体を加
熱してもよい。パターン形成材料を加熱することによ
り、より平坦にできる効果がある。ただし、加熱は剥離
性フィルムの平坦性または作業性に影響を与えない程度
の温度であることが必要であり、具体的には、40°C
〜150°Cの程度である。また、パターン形成材料に
感光性の材料を使用する場合には、パターン表面に剥離
性フィルムがラミネートされた状態で露光することが好
ましい。このような状態で露光することにより、光によ
る硬化を促進することができる。
In any of the above embodiments, the flattening process can be performed while heating the pattern forming material. For the heating, a heated press roll may be used, but the entire support table supporting the substrate 11 may be heated. By heating the pattern forming material, there is an effect that it can be made flatter. However, the heating needs to be at a temperature that does not affect the flatness or workability of the peelable film.
About 150 ° C. When a photosensitive material is used as the pattern forming material, it is preferable to perform exposure in a state where a peelable film is laminated on the pattern surface. Exposure in such a state can promote curing by light.

【0028】上記の平坦化処理において、プレスロール
を使用する場合は、回転して移動するロールの最下面が
形成する面の平面性が必要とされる。また、剥離性フィ
ルムを使用する場合には、フィルム厚さの不均一に伴う
複合した影響が現れるので、プレスロールには、より高
い精度が必要とされる。このため、プレスロール軸芯の
真直性、ロールゴム表面が偏心しないで正しい円形であ
ること、ロール軸が褶動する面の平行性が求められる。
平坦化処理を定盤で行う場合にも、定盤下面のパターン
基板に対する平面性が同様に求められる。
When a press roll is used in the above-mentioned flattening treatment, the flatness of the surface formed by the lowermost surface of the roll that rotates and moves is required. In addition, when a peelable film is used, a combined effect appears due to unevenness in the film thickness, so that a higher precision is required for the press roll. For this reason, the straightness of the press roll shaft core, the correct circular shape of the roll rubber surface without eccentricity, and the parallelism of the surface on which the roll shaft folds are required.
Even when the flattening process is performed on the surface plate, the flatness of the lower surface of the surface plate with respect to the pattern substrate is similarly required.

【0029】上記において平坦化処理は、いずれの実施
形態の場合も基板を厚膜パターン形成材料の仮支持体と
することができる。厚膜パターンは、仮支持体を平面性
のよい支持台またはガラス板上に載置した状態で厚膜パ
ターンを形成することもでき、厚膜パターンの形成され
た仮支持体を支持台またはガラス板上に載置して平坦化
処理を行うこともできる。仮支持体上に形成された厚膜
パターンは最終的な製品となるガラス等の基板上に転写
されることを目的とするもので、最終製品基板に転写後
は剥離除去される。このような平坦化処理は仮支持体か
らガラス基板に厚膜パターンを転写するに際して、ガラ
ス基板上に厚膜パターン形成材料側が接するように一体
にラミネートした後に、仮支持体面側から前記のような
平坦化処理をすることも可能である。
In the above-mentioned planarization treatment, the substrate can be used as a temporary support for the thick film pattern forming material in any of the embodiments. The thick film pattern can be formed in a state in which the temporary support is placed on a support having a good flatness or a glass plate, and the temporary support on which the thick film pattern is formed can be formed on the support or glass. A flattening process can also be performed by mounting on a plate. The thick film pattern formed on the temporary support is intended to be transferred onto a substrate such as glass as a final product, and is peeled off after being transferred onto the final product substrate. Such a flattening process, when transferring the thick film pattern from the temporary support to the glass substrate, after integrally laminating so that the thick film pattern forming material side is in contact with the glass substrate, as described above from the temporary support surface side It is also possible to perform a flattening process.

【0030】仮支持体は、誘電体層形成用塗液における
溶剤に侵されず、また、溶剤の乾燥工程、転写工程での
加熱処理により収縮延伸しないことが必要であり、ポリ
エチレンテレフタレート、1,4−ポリシクロヘキシレ
ンジメチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレー
ト、ポリフェニレンサルファイド、ポリスチレン、ポリ
プロピレン、ポリサルホン、アラミド、ポリカーボネー
ト、ポリビニルアルコール、セロハン、酢酸セルロース
等のセルロース誘導体、ポリエチレン、ポリ塩化ビニ
ル、ナイロン、ポリイミド、アイオノマー等の各フィル
ム、各シート、さらにアルミニウム、銅等の金属箔が例
示され、膜厚4μm〜400μm、好ましくは4.5μ
m〜200μmのものを使用することができる。
The temporary support is required not to be affected by the solvent in the coating liquid for forming a dielectric layer, and not to be stretched by heat treatment in the drying and transferring steps of the solvent. 4-polycyclohexylene dimethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, polyphenylene sulfide, polystyrene, polypropylene, polysulfone, aramid, polycarbonate, polyvinyl alcohol, cellophane, cellulose derivatives such as cellulose acetate, polyethylene, polyvinyl chloride, nylon, polyimide, ionomer, etc. Each film, each sheet, and a metal foil such as aluminum and copper are exemplified, and the film thickness is 4 μm to 400 μm, preferably 4.5 μm.
m to 200 μm can be used.

【0031】これらの仮支持体上に直接厚膜パターンを
形成してもよいし、シリコンその他支持体に対して離型
性の樹脂材料による薄膜を形成した離型処理後に厚膜パ
ターンを形成することもできる。離型処理はポリジメチ
ルシリコーン、フェニル変性シリコーン、エポキシ変性
シリコーン、ウレタン変性シリコーン等を用いて形成す
ることができ、また、ポリエチレンテレフコレートに対
して硝化綿系樹脂等のように剥離性の材料を選択して使
用することができる。離型処理の膜厚は、1〜10μm
のものが適当である。
A thick film pattern may be formed directly on these temporary supports, or a thick film pattern may be formed after a release process in which a thin film made of a releasable resin material is formed on silicon or another support. You can also. The release treatment can be formed using polydimethyl silicone, phenyl-modified silicone, epoxy-modified silicone, urethane-modified silicone, or the like, and a release material such as a nitrified cotton-based resin is used for polyethylene terefucolate. Can be selected and used. The thickness of the release treatment is 1 to 10 μm
Is appropriate.

【0032】(パターン形成材料の材質に関する実施形
態)誘電体層形成材料、障壁形成材料は、少なくともガ
ラスフリットを有する無機成分と熱可塑性樹脂とからな
る。ガラスフリットとしては、その軟化点が350°C
〜650°Cで、熱膨張係数α300 が60×10-7/°
C〜100×10-7/°Cのものが挙げられる。ガラス
フリットの軟化点が650°Cを越えると焼成温度を高
くする必要があり、その積層対象によっては熱変形した
りするので好ましくなく、また、350°Cより低いと
熱可塑性樹脂が分解、揮発する前にガラスフリットが融
着し、層中に空隙等の発生が生じるので好ましくない。
また、熱膨張係数が60×10-7/°C〜100×10
-7/°Cの範囲外であると、ガラス基板の熱膨張係数と
の差が大きく、歪み等を生じるので好ましくない。
(Embodiment Regarding Material of Pattern Forming Material) The dielectric layer forming material and the barrier forming material include at least an inorganic component having a glass frit and a thermoplastic resin. As glass frit, its softening point is 350 ° C
At ~ 650 ° C, the coefficient of thermal expansion α 300 is 60 × 10 -7 / °
C-100 × 10 -7 / ° C. If the softening point of the glass frit exceeds 650 ° C., it is necessary to raise the firing temperature, and it is not preferable because the laminating object is thermally deformed. If the softening point is lower than 350 ° C., the thermoplastic resin is decomposed and volatilized. Before this, the glass frit is fused, and voids and the like are generated in the layer, which is not preferable.
The thermal expansion coefficient is 60 × 10 −7 / ° C. to 100 × 10
If the temperature is outside the range of -7 / ° C, the difference from the coefficient of thermal expansion of the glass substrate is large, and distortion or the like is generated, which is not preferable.

【0033】また、無機成分として、ガラスフリットの
他に無機粉体、無機顔料のそれぞれ2種以上を混合して
使用してもよい。
As the inorganic component, two or more kinds of inorganic powders and inorganic pigments may be mixed and used in addition to the glass frit.

【0034】無機粉体としては、骨材となるものであっ
て、必要に応じて添加される。無機粉体は、焼成に際し
ての流延防止、緻密性向上を目的とするものであり、ガ
ラスフリットより軟化点が高いものであり、例えば酸化
アルミニウム、酸化硼素、シリカ、酸化チタン、酸化マ
グネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸
化バリウム、炭酸カルシウム等の各無機粉体が利用で
き、平均粒径0.1μm〜20μmのものが例示され
る。無機粉体の使用割合は、ガラスフリット100重量
部に対して無機粉体の0重量部〜30重量部とするとよ
い。
The inorganic powder is to be used as an aggregate, and may be added as needed. The inorganic powder is intended to prevent casting during firing and to improve the compactness, and has a softening point higher than that of the glass frit, such as aluminum oxide, boron oxide, silica, titanium oxide, magnesium oxide, and oxide. Inorganic powders such as calcium, strontium oxide, barium oxide, and calcium carbonate can be used, and examples thereof include those having an average particle size of 0.1 μm to 20 μm. The usage ratio of the inorganic powder is preferably 0 to 30 parts by weight of the inorganic powder with respect to 100 parts by weight of the glass frit.

【0035】また、無機顔料としては、外光反射を低減
し、実用上のコントラストを向上させるために必要に応
じて添加されるものであり、暗色にする場合には、耐火
性の黒色顔料として、Co−Cr−Fe、Co−Mn−
Fe、Co−Fe−Mn−Al、Co−Ni−Cr−F
e、Co−Ni−Mn−Cr−Fe、Co−Ni−Al
−Cr−Fe、Co−Mn−Al−Cr−Fe─Si等
が挙げられる。また、耐火性の白色顔料としては、酸化
チタン、酸化アルミニウム、シリカ、炭酸カルシウム等
が挙げられる。
Inorganic pigments are added as needed to reduce external light reflection and improve practical contrast, and when darkened, they are used as fire-resistant black pigments. , Co-Cr-Fe, Co-Mn-
Fe, Co-Fe-Mn-Al, Co-Ni-Cr-F
e, Co-Ni-Mn-Cr-Fe, Co-Ni-Al
—Cr—Fe, Co—Mn—Al—Cr—Fe─Si and the like. Examples of the fire-resistant white pigment include titanium oxide, aluminum oxide, silica, and calcium carbonate.

【0036】誘電体層形成材料および障壁形成材料にお
ける焼成により除去される樹脂成分は、熱可塑性樹脂で
あり、無機成分のバインダーとして、また、転写性の向
上を目的として含有させるものであり、例えばメチルア
クリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレー
ト、エチルメタクリレート、n−プロピルアクリレー
ト、n−プロピルメタクリレート、イソプロピルアクリ
レート、イソプロピルメタクリレート、sec−ブチル
アクリレート、sec−ブチルメタクリレート、、n−
ブチルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、イソ
ブチルアクリレート、イソブチルメタクリレート、te
rt−ブチルアクリレート、tert−ブチルメタクリ
レート、n−ペンチルアクリレート、n−ペンチルメタ
クリレート、n−ヘキシルアクリレート、n−ヘキシル
メタクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、2
−エチルヘキシルメタクリレート、n−オクチルアクリ
レート、n−オクチルメタクリレート、n−デシルアク
リレート、n−デシルメタクリレート、ヒドロキシエチ
ルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒ
ドロキシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメ
タクリレート、スチレン、α−メチルスチレン、N−ビ
ニル−2−ピロリドン等の1種以上からなるポリマーま
たはコポリマー、エチルセルロース等のセルロース誘導
体等が挙げられる。
The resin component removed by firing in the dielectric layer forming material and the barrier forming material is a thermoplastic resin, which is contained as a binder of an inorganic component and for the purpose of improving transferability. Methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n-propyl acrylate, n-propyl methacrylate, isopropyl acrylate, isopropyl methacrylate, sec-butyl acrylate, sec-butyl methacrylate, n-
Butyl methacrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, isobutyl methacrylate, te
rt-butyl acrylate, tert-butyl methacrylate, n-pentyl acrylate, n-pentyl methacrylate, n-hexyl acrylate, n-hexyl methacrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2
-Ethylhexyl methacrylate, n-octyl acrylate, n-octyl methacrylate, n-decyl acrylate, n-decyl methacrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate, styrene, α-methylstyrene, N-vinyl And polymers or copolymers of one or more kinds such as -2-pyrrolidone, cellulose derivatives such as ethyl cellulose, and the like.

【0037】特に、メチルアクリレート、メチルメタク
リレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレー
ト、n−プロピルアクリレート、n−プロピルメタクリ
レート、イソプロピルアクリレート、イソプロピルメタ
クリレート、sec−ブチルアクリレート、sec−ブ
チルメタクリレート、n−ブチルアクリレート、n−ブ
チルメタクリレート、イソブチルアクリレート、イソブ
チルメタクリレート、tert−ブチルアクリレート、
tert−ブチルメタクリレート、ヒドロキシエチルア
クリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、ヒドロ
キシプロピルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタク
リレート等の1種以上からなるポリマーまたはコポリマ
ー、エチルセルロースが好ましい。
Particularly, methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, n-propyl acrylate, n-propyl methacrylate, isopropyl acrylate, isopropyl methacrylate, sec-butyl acrylate, sec-butyl methacrylate, n-butyl acrylate, n-butyl acrylate Butyl methacrylate, isobutyl acrylate, isobutyl methacrylate, tert-butyl acrylate,
Preferred is a polymer or copolymer of at least one of tert-butyl methacrylate, hydroxyethyl acrylate, hydroxyethyl methacrylate, hydroxypropyl acrylate, hydroxypropyl methacrylate and the like, and ethyl cellulose.

【0038】無機成分と樹脂成分との使用割合は、無機
成分100重量部に対して樹脂成分3重量部〜50重量
部、好ましくは5重量部〜30重量部の割合からなる。
誘電体層形成層において、樹脂成分が3重量部より少な
いと、誘電体層形成層の保持性が低く、特に、巻き取っ
た状態での保存性、取り扱い性に問題を生じ、また、転
写シートを適宜形状に切断(スリット)する場合に無機
成分がゴミとなって、PDP作製に支障となるという問
題が発生する。また、50重量部より多くなると、焼成
後の膜中にカーボンが残り、品質が低下するので好まし
くない。
The proportion of the inorganic component to the resin component is 3 to 50 parts by weight, preferably 5 to 30 parts by weight, based on 100 parts by weight of the inorganic component.
When the resin component is less than 3 parts by weight in the dielectric layer forming layer, the holding property of the dielectric layer forming layer is low, and in particular, there is a problem in storage stability and handleability in a wound state, and the transfer sheet In the case of cutting (slitting) into an appropriate shape, the inorganic component becomes dust, which causes a problem that it hinders the production of PDP. On the other hand, if the amount exceeds 50 parts by weight, carbon remains in the film after sintering, and the quality is undesirably deteriorated.

【0039】また、誘電体層形成材料および障壁形成材
料には、必要に応じて可塑剤、分散剤、沈降防止剤、消
泡剤、剥離剤、レベリング剤等が添加される。
Further, a plasticizer, a dispersant, an antisettling agent, an antifoaming agent, a release agent, a leveling agent and the like are added to the dielectric layer forming material and the barrier forming material as required.

【0040】可塑剤は、転写性、インキの流動性を向上
させることを目的として添加され、例えばジメチルフタ
レート、ジブチルフタレート、ジ−n−オクチルフタレ
ート等のノルマルアルキルフタレート類、ジ−2−エチ
ルヘキシルフタレート、ジイソデシルフタレート、ブチ
ルベンジルフタレート、ジイソノニルフタレート、エチ
ルフタルエチルグリコレート、ブチルフタリルブチルグ
リコレート等のフタル酸エステル類、トリ−2−エチル
ヘキシルトリメリテート、トリ−n−アルキルトリメリ
テート、トリイソノニルトリメリテート、トリイソデシ
ルトリメリテート等のトリメリット酸エステル、ジメチ
ルアジペート、ジブチルアジペート、ジ−2−エチルヘ
キシルアジペート、ジイソデシルアジペート、ジブチル
ジグリコールアジペート、ジ−2−エチルヘキシルアゼ
テート、ジメチルセバケート、ジブチルセバケート、ジ
−2−エチルヘキシルセバケート、ジ−2−エチルヘキ
シルマレート、アセチル−トリ−(2−エチルヘキシ
ル)シトレート、アセチル−トリ−n−ブチルシトレー
ト、アセチルトリブチルシトレート等の脂肪族二塩基酸
エステル類、ポリエチレングリコールベンゾエート、ト
リエチレングリコール−ジ−(2−エチルヘキソエー
ト)、ポリグリコールエーテル等のグリコール誘導体、
グリセロールトリアセテート、グリセロールジアセチル
モノラウレート等のグリセリン誘導体、セバシン酸、ア
ジピン酸、アゼライン酸、フタル酸などからなるポリエ
ステル系、分子量300〜3,000の低分子量ポリエ
ーテル、同低分子量ポリ−α−スチレン、同低分子量ポ
リスチレン、トリメチルホスフェート、トリエチルホス
フェート、トリブチルホスフェート、トリ−2−エチル
ヘキシルホスフェート、トリブトキシエチルホスフェー
ト、トリフェニルホスフェート、トリクレジルホスフェ
ート、トリキシレニルホスフェート、クレジルジフェニ
ルホスフェート、キシレニルジフェニルホスフェート、
2−エチルヘキシルジフェニルホスフェート等の正リン
酸エステル類、メチルアセチルリシノレート等のリシノ
ール酸エステル類、ポリ−1,3−ブタンジオールアジ
ペート、エポキシ化大豆油等のポリエステル・エポキシ
化エステル類、グリセリントリアセテート、2−エチル
ヘキシルアセテート等のエステル類が例示される。
The plasticizer is added for the purpose of improving the transferability and the fluidity of the ink. For example, normal alkyl phthalates such as dimethyl phthalate, dibutyl phthalate and di-n-octyl phthalate, and di-2-ethylhexyl phthalate Phthalic acid esters such as diisodecyl phthalate, butyl benzyl phthalate, diisononyl phthalate, ethyl phthalethyl glycolate and butyl phthalyl butyl glycolate, tri-2-ethylhexyl trimellitate, tri-n-alkyl trimellitate, triiso Trimellitic esters such as nonyl trimellitate and triisodecyl trimellitate, dimethyl adipate, dibutyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, diisodecyl adipate, dibutyl diglycol adipate , Di-2-ethylhexyl acetate, dimethyl sebacate, dibutyl sebacate, di-2-ethylhexyl sebacate, di-2-ethylhexyl malate, acetyl-tri- (2-ethylhexyl) citrate, acetyl-tri- aliphatic dibasic acid esters such as n-butyl citrate and acetyl tributyl citrate, glycol derivatives such as polyethylene glycol benzoate, triethylene glycol di- (2-ethylhexoate) and polyglycol ether;
Glycerol derivatives such as glycerol triacetate and glycerol diacetyl monolaurate; polyesters composed of sebacic acid, adipic acid, azelaic acid, phthalic acid, etc .; low molecular weight polyethers having a molecular weight of 300 to 3,000; low molecular weight poly-α-styrene The same low molecular weight polystyrene, trimethyl phosphate, triethyl phosphate, tributyl phosphate, tri-2-ethylhexyl phosphate, tributoxyethyl phosphate, triphenyl phosphate, tricresyl phosphate, trixylenyl phosphate, cresyl diphenyl phosphate, xylenyl diphenyl Phosphate,
Orthophosphates such as 2-ethylhexyldiphenyl phosphate, ricinoleates such as methylacetyl ricinoleate, poly-1,3-butanediol adipate, polyester epoxidized esters such as epoxidized soybean oil, glycerin triacetate, Esters such as 2-ethylhexyl acetate are exemplified.

【0041】分散剤、沈降防止剤としては、無機成分の
分散性、沈降防止性の向上を目的とするものであり、例
えば燐酸エステル系、シリコーン系、ひまし油エステル
系、各種界面活性剤等が例示され、消泡剤としては、例
えばシリコーン系、アクリル系、各種界面活性剤等が例
示され、剥離剤としては、例えばシリコーン系、フッ素
油系、パラフィン系、脂肪酸系、脂肪酸エステル系、ひ
まし油系、ワックス系、コンパウンドタイプが例示さ
れ、レベリング剤としては、例えばフッ素系、シリコー
ン系、各種界面活性剤等が例示され、それぞれ、適宜量
添加される。
The dispersant and the anti-settling agent are intended to improve the dispersibility of the inorganic component and the anti-settling property, and examples thereof include a phosphate ester type, a silicone type, a castor oil ester type and various surfactants. Examples of the antifoaming agent include silicones, acrylics, various surfactants, and the like.Examples of the release agent include silicones, fluorine oils, paraffins, fatty acids, fatty acid esters, castor oils, and the like. Examples of the wax type and the compound type, and examples of the leveling agent include a fluorine type, a silicone type, various surfactants and the like, each of which is added in an appropriate amount.

【0042】上記の誘電体層形成材料および障壁形成材
料は、メタノール、エタノール、イソプロパノール、ア
セトン、メチルエチルケトン、トルエン、キシレン、シ
クロヘキサノン等のアノン類、塩化メチレン、3−メト
キシブチルアセテート、エチレングリコールモノアルキ
ルエーテル類、エチレングリコールアルキルエーテルア
セテート類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテ
ル類、ジエチレングリコールモノアルキルエーテルアセ
テート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル
類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテ
ート類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテル
類、ジプロピレングリコールモノアルキルエーテルアセ
テート類、α−もしくはβ−テルピオネール等のテルペ
ン類に溶解、または分散させ、ベースフィルム上に、ス
クリーン印刷、ダイコート、ブレードコート、コンマコ
ート、ロールコート、グラビアリバースコート法、グラ
ビアダイレクト法、スリットリバース法等により塗布
し、乾燥させ、所定の膜厚とされる。
The above dielectric layer forming material and barrier forming material include anones such as methanol, ethanol, isopropanol, acetone, methyl ethyl ketone, toluene, xylene, cyclohexanone, methylene chloride, 3-methoxybutyl acetate, ethylene glycol monoalkyl ether. , Ethylene glycol alkyl ether acetates, diethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ether acetates, dipropylene glycol monoalkyl ethers, dipropylene glycol monoalkyl Dissolved in ether acetates, terpenes such as α- or β-terpioneol, or It is dispersed, applied on a base film by screen printing, die coating, blade coating, comma coating, roll coating, gravure reverse coating, gravure direct method, slit reverse method, or the like, and dried to a predetermined film thickness.

【0043】電極形成層形成方法に適した電極形成層形
成用ペーストは、少なくともガラスフリットからなる無
機成分、熱可塑性樹脂、導電性粉末、必要に応じて増粘
剤とから構成される。
The electrode forming layer forming paste suitable for the electrode forming layer forming method comprises at least an inorganic component composed of glass frit, a thermoplastic resin, a conductive powder, and if necessary, a thickener.

【0044】無機成分としては、上述した誘電体層形成
材料および障壁形成材料における無機成分で記載したガ
ラスフリット、無機粉体、無機顔料が使用できるが、ガ
ラスフリットとしてはその平均粒径が0.3μm〜10
μm、好ましくは0.5μm〜5μmのものを使用する
とよく、また、無機粉体はガラスフリット100重量部
に対して、0重量部〜10重量部のものとするとよい。
As the inorganic component, the glass frit, the inorganic powder and the inorganic pigment described as the inorganic component in the dielectric layer forming material and the barrier forming material described above can be used. 3 μm to 10
μm, preferably 0.5 μm to 5 μm, and the inorganic powder is preferably 0 to 10 parts by weight based on 100 parts by weight of the glass frit.

【0045】また、樹脂成分としては、無機成分のバイ
ンダーとして、また、転写性の向上を目的として含有さ
せるものであり、誘電体層形成材料および障壁形成材料
における熱可塑性樹脂と同様に、焼成に際して揮発・分
解して、パターン中に炭化物を残存させないものであ
り、上述した誘電体層形成材料および障壁形成材料で説
明したものが使用できる。特に、エチルセルロース、メ
チルセルロース、ニトロセルロース、セルロースアセテ
ート、セルロースプロピオネート、セルロースブチレー
ト等のセルロース系樹脂、メチルアクリレート、エチル
アクリレート、n−ブチルアクリレート、イソブチルア
クリレート、イソプロピルアクリレート、2−エチルヘ
キシルアクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレー
トまたはこれらのメタクリレート体の重合体または共重
合体であるポリアクリル酸エステルまたはポリメタクリ
ル酸エステル類、ポリ−α−スチレン、ポリビニルアル
コール、ポリブテン系樹脂が好ましく、特にポリブテン
系樹脂が好ましい。
The resin component is contained as a binder for the inorganic component and for the purpose of improving transferability. Like the thermoplastic resin in the dielectric layer forming material and the barrier forming material, the resin component is used for firing. It does not leave carbides in the pattern by volatilization / decomposition, and the materials described above for the dielectric layer forming material and the barrier forming material can be used. Particularly, cellulose resins such as ethyl cellulose, methyl cellulose, nitrocellulose, cellulose acetate, cellulose propionate, cellulose butyrate, methyl acrylate, ethyl acrylate, n-butyl acrylate, isobutyl acrylate, isopropyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, Polyacrylic acid esters or polymethacrylic acid esters, which are polymers or copolymers of hydroxyethyl acrylate or methacrylates thereof, poly-α-styrene, polyvinyl alcohol, and polybutene resins are preferable, and polybutene resins are particularly preferable.

【0046】樹脂成分の電極形成層形成用ペースト中の
含量は、3〜50重量%、好ましくは5〜30重量%で
ある。
The content of the resin component in the electrode forming layer forming paste is 3 to 50% by weight, preferably 5 to 30% by weight.

【0047】導電性粉末としては、金、銀、銅、ニッケ
ル、アルミニウム等の金属粉末が挙げられ、平均粒径が
0.1μm〜5μmの球形金属粉体が好ましい。導電性
粉末とガラスフリットとの使用割合は、導電性粉末10
0重量部に対して、ガラスフリットは2重量部〜20重
量部である。
Examples of the conductive powder include metal powders such as gold, silver, copper, nickel, and aluminum. Spherical metal powder having an average particle diameter of 0.1 μm to 5 μm is preferable. The ratio of the conductive powder and the glass frit used is as follows.
The glass frit is 2 to 20 parts by weight with respect to 0 parts by weight.

【0048】増粘剤は、電極形成層形成用ペーストの粘
度を増大させて、下層へのしみ込みを押さえることを目
的として必要に応じて添加されるものであり、公知のも
のを使用できるが、例えばヒドロキシエチルセルロー
ス、メチルセルロース、カルボキシメチルセルロース、
アルギン酸ソーダ、カゼイン、カゼイン酸ソーダ、キサ
ンタンガム、ポリビニルアルコール、ポリエーテルウレ
タン変成物、ポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル
酸エステル、モンモタロナイト、ステアリン酸アルミニ
ウム、ステアリン酸亜鉛、オクチル酸アルミニウム、水
添加ひまし油、ひまし油エステル、脂肪酸アマイド、酸
化ポリエチレン、デキストリン脂肪酸エステル、ジベン
ジリデンソルビトール、植物油系重合油、表面処理炭酸
カルシウム、有機ベントナイト、シリカ、チタニア、ジ
ルコニア、アルミナ等の微粉末等が挙げられる。増粘剤
の含有量は、導電性粉末100重量部に対して、0.1
重量部〜20重量部、好ましくは、0.1重量部〜10
重量部であり、 0.1重量部未満であると増粘効果が
なく、20重量部より多いと電極としての特性に断線等
の悪影響を引き起こす。
The thickener is added as needed for the purpose of increasing the viscosity of the paste for forming the electrode forming layer and suppressing the penetration into the lower layer, and known ones can be used. For example, hydroxyethyl cellulose, methyl cellulose, carboxymethyl cellulose,
Sodium alginate, casein, sodium caseinate, xanthan gum, polyvinyl alcohol, modified polyether urethane, polyacrylate, polymethacrylate, montmoronite, aluminum stearate, zinc stearate, aluminum octylate, castor oil with water, Castor oil ester, fatty acid amide, polyethylene oxide, dextrin fatty acid ester, dibenzylidene sorbitol, vegetable oil-based polymerized oil, surface-treated calcium carbonate, organic bentonite, silica, titania, zirconia, fine powders of alumina and the like. The content of the thickener is 0.1 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the conductive powder.
Parts by weight to 20 parts by weight, preferably 0.1 part by weight to 10 parts by weight
When the amount is less than 0.1 part by weight, there is no thickening effect, and when the amount is more than 20 parts by weight, an adverse effect such as disconnection is caused on the characteristics of the electrode.

【0049】また、電極形成層形成用ペーストには、そ
の塗布性等を改善するために、可塑剤、分散剤、沈降防
止剤、消泡剤、剥離剤、レベリング剤を添加してもよ
く、いずれも、上述した誘電体層形成材料および障壁形
成材料で記載したものを同様に溶剤と混合され、ロール
ミルにより混練してペースト状の塗液とするか、または
ボールミル等により混練してスラリー状の塗液とされ
る。電極形成層形成用ペーストとしては、その動的粘性
率が500〜7000ポイズであり、損失正接 tan
δが5〜12の範囲とされる。動的粘性率が7000ポ
イズを越えると、凹版からの転写が難しくなり好ましく
ない。また、損失正接 tanδが12を越えると転写
により形成されたパターンにダレが生じるので好ましく
ない。動的粘性率及び損失正接 tanδは、キャリメ
ッド社製のCSレオメーターにより、温度23°C、周
波数10Hz、歪み3%で測定される。
The electrode forming layer forming paste may be added with a plasticizer, a dispersant, an antisettling agent, an antifoaming agent, a release agent, and a leveling agent in order to improve the applicability and the like. In any case, those described above for the dielectric layer forming material and the barrier forming material are similarly mixed with a solvent and kneaded by a roll mill to form a paste-like coating liquid, or kneaded by a ball mill or the like to form a slurry. It is a coating liquid. The electrode forming layer forming paste has a dynamic viscosity of 500 to 7000 poise and a loss tangent tan.
δ is in the range of 5 to 12. When the dynamic viscosity exceeds 7000 poise, transfer from an intaglio becomes difficult, which is not preferable. When the loss tangent tan δ exceeds 12, the pattern formed by transfer is undesirably sagged. The dynamic viscosity and the loss tangent tan δ are measured by a Calimed CS rheometer at a temperature of 23 ° C, a frequency of 10 Hz, and a strain of 3%.

【0050】また、硬化性樹脂としては、硬化後、焼成
に対して分解・除去されるものであり、公知の電離放射
線硬化性樹脂や、熱硬化性樹脂を用いることができる。
電離放射線硬化性樹脂としては、紫外線或いは電子線硬
化性樹脂等が使用でき、分子中に重合性不飽和結合また
はエポキシ基を有するプレポリマー、オリゴマー及び/
または単量体を適宜混合した組成物を用いることができ
る。前記プレポリマー、オリゴマーとしては、不飽和ジ
カルボン酸と多価アルコールの縮合物等の不飽和ポリエ
ステル類、エポキシ樹脂、ポリエステルメタクリレー
ト、ポリエーテルメタクリレート、ホリオールメタクリ
レート等のメタクリレート類、ポリエステルアクリレー
ト、ポリエーテルアクリレート、ポリオールアクリレー
ト等のアクリレート類が挙げられる。
The curable resin is one that is decomposed and removed after firing after curing, and a known ionizing radiation curable resin or a thermosetting resin can be used.
As the ionizing radiation curable resin, an ultraviolet ray or electron beam curable resin can be used, and a prepolymer, oligomer and / or a polymer having a polymerizable unsaturated bond or an epoxy group in a molecule can be used.
Alternatively, a composition in which monomers are appropriately mixed can be used. Examples of the prepolymer and oligomer include unsaturated polyesters such as a condensate of an unsaturated dicarboxylic acid and a polyhydric alcohol, epoxy resins, methacrylates such as polyester methacrylate, polyether methacrylate, and polyol methacrylate, polyester acrylate, and polyether acrylate. And acrylates such as polyol acrylate.

【0051】単量体としては、少なくとも1つの重合可
能な炭素−炭素不飽和結合を有する化合物が挙げられ
る。例えばアリルアクリレート、ベンジルアクリレー
ト、ブトキシエチルアクリレート、ブトキシエチレング
リコールアクリレート、シクロヘキシルアクリレート、
ジシクロペンタニルアクリレート、ジシクロペンテニル
アクリレート、2−エチルヘキシルアクリレート、グリ
セロールアクリレート、グリシジルアクリレート、2−
ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシプロピ
ルアクリレート、イソボニルアクリレート、イソデキシ
ルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリル
アクリレート、2−メトキシエチルアクリレート、メト
キシエチレングリコールアクリレート、フェノキシエチ
ルアクリレート、ステアリルアクリレート、エチレング
リコールジアクリレート、ジエチレングリコールジアク
リレート、1,4−ブタンジオールジアクリレート、
1,5−ペンタンジオールジアクリレート、1,6−ヘ
キサンジオールジアクリレート、1,3−プロパンジオ
ールジアクリレート、1,4−シクロヘキサンジオール
ジアクリレート、2,2−ジメチロールプロパンジアク
リレート、グリセロールジアクリレート、トリプロピレ
ングリコールジアクリレート、グリセロールトリアクリ
レート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ポ
リオキシエチル化トリメチロールプロパントリアクリレ
ート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタ
エリスリトールテトラアクリレート、トリエチレングリ
コールジアクリレート、ポリオキシプロピルトリメチロ
ールプロパントリアクリレート、プロピレンオキサイド
変性トリメチロールプロパントリアクリレート、ブチレ
ングリコールジアクリレート、1,2,4−ブタントリ
オールトリアクリレート、2,2,4−トリメチル−
1,3−ペンタンジオールジアクリレート、ジアリルフ
マレート、1,10−デカンジオールジメチルアクリレ
ート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、及
び上記のアクリレート体をメタクリレート体に変えたも
の、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、
1−ビニル−2−ピロリドン等の1種または2種以上の
混合物が挙げられる。
Examples of the monomer include a compound having at least one polymerizable carbon-carbon unsaturated bond. For example, allyl acrylate, benzyl acrylate, butoxyethyl acrylate, butoxyethylene glycol acrylate, cyclohexyl acrylate,
Dicyclopentanyl acrylate, dicyclopentenyl acrylate, 2-ethylhexyl acrylate, glycerol acrylate, glycidyl acrylate, 2-
Hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxypropyl acrylate, isobonyl acrylate, isodexyl acrylate, isooctyl acrylate, lauryl acrylate, 2-methoxyethyl acrylate, methoxyethylene glycol acrylate, phenoxyethyl acrylate, stearyl acrylate, ethylene glycol diacrylate, diethylene glycol Diacrylate, 1,4-butanediol diacrylate,
1,5-pentanediol diacrylate, 1,6-hexanediol diacrylate, 1,3-propanediol diacrylate, 1,4-cyclohexanediol diacrylate, 2,2-dimethylolpropane diacrylate, glycerol diacrylate, Tripropylene glycol diacrylate, glycerol triacrylate, trimethylolpropane triacrylate, polyoxyethylated trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, triethylene glycol diacrylate, polyoxypropyl trimethylolpropane triacrylate , Propylene oxide-modified trimethylolpropane triacrylate, butylene glycol dia Relate, 1,2,4-butanetriol triacrylate, 2,2,4-trimethyl -
1,3-pentanediol diacrylate, diallyl fumarate, 1,10-decanediol dimethyl acrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and those obtained by changing the acrylate to a methacrylate, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane,
One kind or a mixture of two or more kinds such as 1-vinyl-2-pyrrolidone is exemplified.

【0052】特に、紫外線硬化型の場合には、前記組成
物に光開始剤として、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル
安息香酸メチル、4,4−ビス(ジメチルアミノ)ベン
ゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフ
ェノン、α−アミノアセトフェノン、4,4−ジクロロ
ベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニ
ルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,2−
ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−
フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチル
プロピオフェノン、p−tert−ブチルジクロロアセ
トフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサント
ン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオ
キサントン、ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチ
ルケタール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベン
ゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、
2,2−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−
オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−
モルフォリノフェニル)−ブタノン−1、2,4−ジエ
チルチオキサントン、p−ジメチルアミノ安息香酸イソ
アミルエステル、p−ジメチルアミノ安息香酸エチルエ
ステル、アントラキノン、2−tert−ブチルアント
ラキノン、2−アミルアントラキノン、β−クロロアン
トラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンズ
スベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンジルア
セトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデ
ン)シクロヘキサン、2,6−ビス(p−アジドベンジ
リデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェニル
−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボニ
ル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−
(o−エトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェ
ニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニ
ル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−プロパン
トリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ミヒラー
ケトン、2−メチル−〔4−(メチルチオ)フェニル〕
−2−モルフォリノ−1−プロパン、ナフタレンスルホ
ニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、n−
フェニルチオアクリドン、4,4−アゾビスイソブチロ
ニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンゾチアゾール
ジスルフィド、トリフェニルホスフィン、カンファーキ
ノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過
酸化ベンゾイル、エオシン、メチレンブルー等の光還元
性の色素とアスコルビン酸、トリエタノールアミン等の
還元剤の組合せ等が挙げられ、また、これらの光開始剤
の1種または2種以上を組み合わせて使用してもよい。
硬化性樹脂の電極形成層形成用ペースト中の含量は、5
〜95重量%、好ましくは10〜50重量%である。
In particular, in the case of an ultraviolet curing type, benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamino) benzophenone, and 4,4-bis (diethylamino) are used as photoinitiators in the composition. Benzophenone, α-aminoacetophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl-4-methyldiphenylketone, dibenzylketone, fluorenone, 2,2-
Diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-
Phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, p-tert-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, diethylthioxanthone, benzyldimethylketal, benzylmethoxyethylacetal , Benzoin methyl ether, benzoin butyl ether,
2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-
On, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-
Morpholinophenyl) -butanone-1,2,4-diethylthioxanthone, isoamyl p-dimethylaminobenzoate, ethyl p-dimethylaminobenzoate, anthraquinone, 2-tert-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β- Chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibensuberone, methyleneanthrone, 4-azidobenzylacetophenone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) cyclohexane, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, -Phenyl-1,2-butadione-2- (o-methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-propanedione-2-
(O-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-3-ethoxy-propanetrione-2- (o-benzoyl) oxime, Michler's ketone, 2 -Methyl- [4- (methylthio) phenyl]
-2-morpholino-1-propane, naphthalenesulfonyl chloride, quinoline sulfonyl chloride, n-
Light such as phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide, benzothiazole disulfide, triphenylphosphine, camphorquinone, carbon tetrabromide, tribromophenylsulfone, benzoyl peroxide, eosin, and methylene blue Examples include a combination of a reducing dye and a reducing agent such as ascorbic acid or triethanolamine, and one or more of these photoinitiators may be used in combination.
The content of the curable resin in the paste for forming the electrode forming layer is 5%.
It is about 95% by weight, preferably 10% to 50% by weight.

【0053】[0053]

【実施例】【Example】

(実施例)以下、図1〜図5を参照して本発明の実施例
を説明する。 <誘電体層の形成>次の〔組成〕の誘電体層形成材料を
3本ロールを使用して混合分散処理した後、ガラス基板
11上に下地層1を介してアドレス電極2を形成した
後、膜厚20±2μmの誘電体層3をスクリーン印刷し
て形成し、100°Cで乾燥した(図5(B))。 〔組成〕 ・ガラスフリット〔主成分;Bi2 3 、ZnO2 、B2 3 (無アルカリ) 平均粒径3μm〕 70重量部 ・TiO2 3重量部 ・Al2 3 7重量部 (上記の無機成分混合体の軟化点570°C、Tg485°C、 熱膨張係数α300 =80×10-7/°C) ・エチルセルロース 7重量部 ・テルピネオール 15重量部 ・ブチルセロソルブアセテート 15重量部
(Embodiment) An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. <Formation of Dielectric Layer> After mixing and dispersing a dielectric layer forming material of the following [composition] using three rolls, after forming an address electrode 2 on a glass substrate 11 with an underlayer 1 interposed therebetween. A dielectric layer 3 having a thickness of 20 ± 2 μm was formed by screen printing, and dried at 100 ° C. (FIG. 5B). [Composition] Glass frit [Main component: Bi 2 O 3 , ZnO 2 , B 2 O 3 (alkali-free) Average particle size 3 μm] 70 parts by weight ・ TiO 2 3 parts by weight ・ Al 2 O 3 7 parts by weight (above Softening point 570 ° C, Tg 485 ° C, coefficient of thermal expansion α 300 = 80 × 10 -7 / ° C) of ethyl cellulose 7 parts by weight terpineol 15 parts by weight butyl cellosolve acetate 15 parts by weight

【0054】ついで、PETフィルム(東レ株式会社製
「T−60」)、厚み;50μm(面内の厚みの精度;
±2μm)を当該誘電体層3形成面上に広げて載置した
後、当該PETフィルム上を、電極パターンのストライ
プ方向に沿ってプレスロール21を回転して、誘電体層
の平坦化処理を行った(図4(A))。なお、プレスロ
ールには、ゴム硬度70度の硬質ゴムを使用し、ロール
表面直径は100mmとした。
Then, a PET film (“T-60” manufactured by Toray Industries, Inc.), thickness: 50 μm (accuracy of in-plane thickness;
(± 2 μm) is spread on the surface on which the dielectric layer 3 is formed, and then the press roll 21 is rotated on the PET film along the stripe direction of the electrode pattern to perform the flattening process of the dielectric layer. (FIG. 4A). Hard rubber having a rubber hardness of 70 degrees was used for the press roll, and the roll surface diameter was 100 mm.

【0055】<障壁形成層の形成>次の〔組成〕の障壁
形成層を、3本ロールを使用して混合分散処理した後、
電極2、誘電体層3を形成した基板上にダイコートによ
り障壁形成層4を塗布し、170°Cで乾燥した。 〔組成〕 ・ガラスフリット〔MB−008、松浪硝子工業株式会社製〕 65重量部 ・α−アルミナRA−40(岩谷化学工業) 10重量部 ・ダイピロキサイドブラック♯9510(大日精化工業株式会社製) 10重量部 ・エチルセルロース 2重量部 ・テルピオネール 15重量部 ・ブチルセロソルブアセテート 15重量部
<Formation of Barrier Forming Layer> After the barrier forming layer of the following [composition] is mixed and dispersed using three rolls,
The barrier forming layer 4 was applied on the substrate on which the electrode 2 and the dielectric layer 3 were formed by die coating, and dried at 170 ° C. [Composition] Glass frit [MB-008, manufactured by Matsunami Glass Industry Co., Ltd.] 65 parts by weight • α-alumina RA-40 (Iwatani Chemical Industry) 10 parts by weight 10 parts by weight ・ Ethyl cellulose 2 parts by weight ・ Terpionaire 15 parts by weight ・ Butyl cellosolve acetate 15 parts by weight

【0056】ついで、シリコン処理したPETフィルム
(東セロ株式会社製「SP−PET−03−50−
C」)、厚み;50μm(面内の厚みの精度;±2μ
m)を当該障壁形成層上に広げて載置した後、当該PE
Tフィルム上を、電極パターンのストライプ方向に沿っ
てプレスロールを回転して、障壁形成層の平坦化処理を
行った。なお、プレスロールには、ゴム硬度90度の硬
質ゴムを使用し、ロール表面直径は100mmとした。
平坦化処理後の障壁形成層の膜厚は、170μm±3μ
mであった。
Then, a silicon-treated PET film (“SP-PET-03-50- manufactured by Tosello Co., Ltd.)
C "), thickness; 50 μm (accuracy of in-plane thickness; ± 2 μm)
m) is spread and placed on the barrier forming layer,
The press roll was rotated on the T film along the stripe direction of the electrode pattern to perform a flattening process of the barrier forming layer. In addition, a hard rubber having a rubber hardness of 90 degrees was used for the press roll, and the roll surface diameter was 100 mm.
The thickness of the barrier formation layer after the planarization treatment is 170 μm ± 3 μm.
m.

【0057】このようにして得られたPDPパネル部材
を、シリコン処理したPETフィルムを剥離した後、障
壁形成層上に、保護膜を有するネガ型ドライフィルムレ
ジスト(日本合成化学工業株式会社製「NPC22
5」)厚み;25μmを120°Cの熱ロールでラミネ
ートした(図5(C))。
The PDP panel member thus obtained is peeled from the silicon-treated PET film, and then a negative dry film resist having a protective film on the barrier forming layer (“NPC22” manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.).
5 ") Thickness: 25 μm was laminated with a hot roll at 120 ° C. (FIG. 5C).

【0058】次いで、保護膜を有するドライフィルムレ
ジスト5上に、線幅80μm、ピッチ220μmのライ
ンパターンマスクを位置合わせして配置し、紫外線照射
(364nm、強度200μW/cm2 、照射量120
mJ/cm2 )し(図5(D))た後、フォトレジスト
層上の保護膜を剥離し、液温30°Cの炭酸ナトリウム
1重量%水溶液を使用しスプレー現像した。ラインパタ
ーンマスクに応じたレジストパターンが得られた(図5
(E))。
Next, a line pattern mask having a line width of 80 μm and a pitch of 220 μm is positioned and arranged on the dry film resist 5 having a protective film, and irradiated with ultraviolet rays (364 nm, intensity 200 μW / cm 2 , irradiation amount 120).
mJ / cm 2 ) (FIG. 5D), the protective film on the photoresist layer was peeled off, and spray development was performed using a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate at a liquid temperature of 30 ° C. A resist pattern corresponding to the line pattern mask was obtained (FIG. 5).
(E)).

【0059】次いで、このレジストパターンをマスクと
して、サンドブラスト加工装置を使用し、レジストパタ
ーン開口部の障壁形成層をサンドブラスト処理した。サ
ンドブラスト加工後、誘電体層形成層を観察したが、誘
電体層形成層はサンドブラストにより殆ど削られず、電
極の露出もなく、膜厚を有するものであった(図5
(F))。
Next, using the resist pattern as a mask, a sandblasting device was used to sandblast the barrier forming layer at the opening of the resist pattern. After the sandblasting, the dielectric layer forming layer was observed. The dielectric layer forming layer was hardly scraped by sandblasting, had no electrode exposure, and had a film thickness (FIG. 5).
(F)).

【0060】次いで、レジストパターンを液温30°C
の水酸化ナトリウム2重量%水溶液を使用し、スプレー
剥離し、水洗後、80°Cのオーブン中で15分間乾燥
させた。最後に、PDPパネル部材をピーク温度570
°Cで焼成し、誘電体層、障壁層を同時に形成した。
Next, the resist pattern was heated at a liquid temperature of 30 ° C.
Was sprayed off, washed with water, and dried in an oven at 80 ° C. for 15 minutes. Finally, the PDP panel member was heated to a peak temperature of 570.
The resultant was baked at ° C. to simultaneously form a dielectric layer and a barrier layer.

【0061】(比較例)実施例と同一の〔組成〕の誘電
体層形成材料を使用し、同一の下地処理をしたガラス基
板上に、実施例と同一の条件で、膜厚20±2μmの誘
電体層を形成した。ただし、PETフィルムによる平坦
化処理は実施しなかった。その後、実施例と同一の〔組
成〕の障壁形成層を使用し、電極を形成した基板上に、
実施例と同一の条件で、膜厚170μm±10μmの障
壁形成層をダイコートで形成した。ただし、シリコーン
処理したPETフィルムによる平坦化処理は実施しなか
った。 障壁形成層上に、保護膜を有するネガ型ドライ
フィルムレジスト(日本合成化学工業株式会社製「NP
C225」)厚み;25μmを120°Cの熱ロールで
ラミネートした。
(Comparative Example) A dielectric layer forming material having the same [composition] as that of the embodiment was used, and a glass substrate having the same undercoat treatment was applied to a glass substrate having a thickness of 20 ± 2 μm under the same conditions as the embodiment. A dielectric layer was formed. However, a flattening process using a PET film was not performed. Then, using the same [composition] barrier forming layer as in the example, on the substrate on which the electrode was formed,
Under the same conditions as in the example, a barrier forming layer having a film thickness of 170 μm ± 10 μm was formed by die coating. However, the flattening treatment with the silicone-treated PET film was not performed. Negative dry film resist having a protective film on the barrier forming layer (“NP” manufactured by Nippon Synthetic Chemical Industry Co., Ltd.)
C225 ") Thickness: 25 µm was laminated with a hot roll at 120 ° C.

【0062】次いで、保護膜を有するドライフィルムレ
ジスト5上に、線幅80μm、ピッチ220μmのライ
ンパターンマスクを位置合わせして配置し、紫外線照射
(364nm、強度200μW/cm2 、照射量120
mJ/cm2 )した後、フォトレジスト層上の保護膜を
剥離し、液温30°Cの炭酸ナトリウム1重量%水溶液
を使用しスプレー現像した。ラインパターンマスクに応
じたレジストパターンが得られた。
Next, a line pattern mask having a line width of 80 μm and a pitch of 220 μm is aligned and arranged on the dry film resist 5 having a protective film, and irradiated with ultraviolet rays (364 nm, intensity 200 μW / cm 2 , irradiation amount 120).
After mJ / cm 2 ), the protective film on the photoresist layer was peeled off and spray-developed using a 1% by weight aqueous solution of sodium carbonate at a liquid temperature of 30 ° C. A resist pattern corresponding to the line pattern mask was obtained.

【0063】次いで、このレジストパターンをマスクと
して、サンドブラスト加工装置を使用し、レジストパタ
ーン開口部の障壁形成層をサンドブラスト処理した。次
いで、レジストパターンを液温30°Cの水酸化ナトリ
ウム2重量%水溶液を使用し、スプレー剥離し、水洗
後、80°Cのオーブン中で15分間乾燥させた。最後
に、PDPパネル部材をピーク温度570°Cで焼成
し、誘電体層、障壁層を同時に形成した。
Next, using the resist pattern as a mask, a sand blasting device was used to sand blast the barrier forming layer at the opening of the resist pattern. Then, the resist pattern was spray-peeled using a 2% by weight aqueous solution of sodium hydroxide at a liquid temperature of 30 ° C., washed with water, and dried in an oven at 80 ° C. for 15 minutes. Finally, the PDP panel member was fired at a peak temperature of 570 ° C. to simultaneously form a dielectric layer and a barrier layer.

【0064】(実施例)および(比較例)で得られた、
双方の誘電体層の膜厚、障壁層の線幅、高さの測定を行
った。また、障壁層の欠陥数を測定した。(実施例)の
誘電体層の膜厚は14μm±1μm、障壁層は線幅が5
0μm±5μmで、高さが120μm±2μmであっ
た。障壁層の高さは均一で、表面は平滑性に優れ、且つ
どの障壁層にも欠陥は認められなかった。(比較例)の
誘電体層の膜厚は14μm±3μm、障壁層は線幅が5
0μm±5μmで、高さが120μm±8μmであり、
比較例のものは、実施例のものに比較して、誘電体層の
膜厚、障壁層の高さにおいてバラツキが大きく、また、
障壁層の欠陥の数も多かった。なお、障壁等の高さの測
定には、触針式表面粗さ計(Veeco Instru
ments Inc.,Sloan Technolo
gy Division製「DEKTAK」)を使用し
た。
The (Example) and (Comparative Example)
The thickness of both dielectric layers and the line width and height of the barrier layer were measured. Further, the number of defects in the barrier layer was measured. The film thickness of the dielectric layer of the embodiment is 14 μm ± 1 μm, and the barrier layer has a line width of 5 μm.
The height was 0 μm ± 5 μm and the height was 120 μm ± 2 μm. The height of the barrier layers was uniform, the surface was excellent in smoothness, and no defects were observed in any of the barrier layers. The thickness of the dielectric layer of Comparative Example was 14 μm ± 3 μm, and the barrier layer had a line width of 5 μm.
0 μm ± 5 μm, height is 120 μm ± 8 μm,
Compared to the example, the comparative example has a large variation in the thickness of the dielectric layer and the height of the barrier layer, and
The number of barrier layer defects was also high. In order to measure the height of the barrier or the like, a stylus type surface roughness meter (Veeco Instrument)
mentes Inc. , Sloan Technology
gy Division "DEKTAK") was used.

【0065】[0065]

【発明の効果】本発明によるプラズマディスプレイパネ
ルの厚膜パターンの形成方法によれば、厚膜パターン形
成層の平坦化処理が容易にできるので、表面が平坦化し
かつ、均一の高さの障壁、電極、誘電体層が容易に得ら
れる。また、スクリーン印刷等による場合に必然的に生
じる障壁の欠け等の欠陥が減少するため、これに基づく
電極の放電むらを解消することができる。
According to the method for forming a thick film pattern of a plasma display panel according to the present invention, the thick film pattern forming layer can be easily flattened, so that the surface is flattened and a barrier having a uniform height is obtained. Electrodes and dielectric layers can be easily obtained. In addition, defects such as chipping of a barrier, which are inevitably generated in the case of screen printing or the like, are reduced, so that it is possible to eliminate uneven discharge of the electrodes based on the defects.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明によるプラズマディスプレイパネル用
厚膜の形成方法の第1の実施形態を示す図である。
FIG. 1 is a view showing a first embodiment of a method for forming a thick film for a plasma display panel according to the present invention.

【図2】 本発明によるプラズマディスプレイパネル用
厚膜の形成方法の第2の実施形態を示す図である。本発
明による厚膜の形成方法他のの実施形態を示す図であ
る。
FIG. 2 is a view illustrating a second embodiment of a method for forming a thick film for a plasma display panel according to the present invention. FIG. 6 is a view showing another embodiment of the method for forming a thick film according to the present invention.

【図3】 本発明によるプラズマディスプレイパネル用
厚膜の形成方法の第3の実施形態を示す図である。
FIG. 3 is a view showing a third embodiment of the method for forming a thick film for a plasma display panel according to the present invention.

【図4】 本発明によるプラズマディスプレイパネル用
厚膜の形成方法の第4の実施形態を示す図である。
FIG. 4 is a view showing a fourth embodiment of the method for forming a thick film for a plasma display panel according to the present invention.

【図5】 サンドブラスト法によるプラズマディスプレ
イパネルの製造工程を示す一例である。
FIG. 5 is an example showing a manufacturing process of a plasma display panel by a sandblast method.

【図6】 AC型PDPの一般的な構成を示す斜視図で
ある。
FIG. 6 is a perspective view showing a general configuration of an AC type PDP.

【図7】 AC型PDPの一般的な構成を示す断面図で
ある。
FIG. 7 is a cross-sectional view showing a general configuration of an AC type PDP.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 下地層 2 アドレス電極 3,16 誘電体層 4 障壁形成層 5 ドライフィルムレジスト 7 レジストパターン 8 障壁 9 フォトマスク 10 紫外線光源 11,12 ガラス基板 14 透明導電膜からなる電極 15 バス電極 17 MgO層 19 蛍光体層 20 パターン形成材料 21 プレスロール 22 定盤 23 剥離性フィルム X 表示電極 Y アドレス電極 REFERENCE SIGNS LIST 1 base layer 2 address electrode 3, 16 dielectric layer 4 barrier forming layer 5 dry film resist 7 resist pattern 8 barrier 9 photomask 10 ultraviolet light source 11, 12 glass substrate 14 electrode made of transparent conductive film 15 bus electrode 17 MgO layer 19 Phosphor layer 20 Pattern forming material 21 Press roll 22 Surface plate 23 Peelable film X Display electrode Y Address electrode

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に、少なくともガラスフリットを
有する無機成分とバインダー樹脂を含有する厚膜パター
ン形成材料を、全面もしくはパターン状に、塗布もしく
は印刷した後、平坦化処理を施すことを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法。
The present invention is characterized in that a thick film pattern forming material containing at least an inorganic component having a glass frit and a binder resin is applied or printed on the entire surface or in a pattern, and then subjected to a flattening treatment. For forming a thick film pattern for a plasma display panel.
【請求項2】 平坦化処理がパターン状に塗布もしくは
印刷したパターン形成材料上からプレスロールによりプ
レスすることにより行うことを特徴とする請求項1記載
のプラズマディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方
法。
2. The method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to claim 1, wherein the flattening treatment is performed by pressing a pattern forming material applied or printed in a pattern form with a press roll.
【請求項3】 平坦化処理がパターン状に塗布もしくは
印刷したパターン形成材料上から定盤によりプレスする
ことにより行うことを特徴とする請求項1記載のプラズ
マディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法。
3. The method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to claim 1, wherein the flattening treatment is performed by pressing a pattern forming material coated or printed in a pattern form on a platen.
【請求項4】 平坦化処理がパターン状に塗布もしくは
印刷したパターン形成材料上に剥離性フィルムを介して
プレスすることにより行うことを特徴とする請求項1か
ら請求項3記載のプラズマディスプレイパネル用厚膜パ
ターンの形成方法。
4. The plasma display panel according to claim 1, wherein the flattening process is performed by pressing a pattern forming material applied or printed in a pattern form through a peelable film. A method for forming a thick film pattern.
【請求項5】 平坦化処理がパターン状に塗布もしくは
印刷したパターン形成材料上に剥離性フィルムをラミネ
ートした後、プレスすることにより行うことを特徴とす
る請求項1から請求項3記載のプラズマディスプレイパ
ネル用厚膜パターンの形成方法。
5. The plasma display according to claim 1, wherein the flattening treatment is performed by laminating a peelable film on a pattern forming material applied or printed in a pattern and then pressing. A method for forming a thick film pattern for a panel.
【請求項6】 厚膜パターン形成材料が光硬化性樹脂で
あり、平坦化処理の後に、剥離性フィルムを介して露光
してパターン形成材料の硬化処理を行うことを特徴とす
る請求項4から請求項5記載のプラズマディスプレイパ
ネル用厚膜パターンの形成方法。
6. The method according to claim 4, wherein the thick film pattern forming material is a photocurable resin, and after the flattening process, the pattern forming material is cured by exposing through a peelable film. A method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to claim 5.
【請求項7】 厚膜パターン形成材料が、障壁形成材料
もしくは電極形成材料もしくは誘電体層形成材料である
ことを特徴とする請求項1から請求項6記載のプラズマ
ディスプレイパネル用厚膜パターンの形成方法。
7. A thick film pattern for a plasma display panel according to claim 1, wherein the thick film pattern forming material is a barrier forming material, an electrode forming material, or a dielectric layer forming material. Method.
【請求項8】 基板が厚膜パターン形成材料の仮支持体
であり、仮支持体上に形成された厚膜パターンがガラス
基板に転写されるものであることを特徴とする請求項1
から請求項7記載のプラズマディスプレイパネル用厚膜
パターンの形成方法。
8. The method according to claim 1, wherein the substrate is a temporary support of a thick film pattern forming material, and the thick film pattern formed on the temporary support is transferred to a glass substrate.
The method for forming a thick film pattern for a plasma display panel according to any one of claims 1 to 7.
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