JPH11144865A - Manufacture of organic electroluminescent element - Google Patents
Manufacture of organic electroluminescent elementInfo
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- JPH11144865A JPH11144865A JP9302995A JP30299597A JPH11144865A JP H11144865 A JPH11144865 A JP H11144865A JP 9302995 A JP9302995 A JP 9302995A JP 30299597 A JP30299597 A JP 30299597A JP H11144865 A JPH11144865 A JP H11144865A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、有機化合物を発光
層として用いた有機エレクトロルミネッセンス素子を製
造するための有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing an organic electroluminescence device for manufacturing an organic electroluminescence device using an organic compound as a light emitting layer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、大きな占有面積と大きな重量を有
するＣＲＴ（Cathode-Ray-Tube）ディスプレイに代わる
ディスプレイとして、フラットパネルディスプレイ（Ｆ
ＰＤ）が実用化されている。そして、ＦＰＤとしては、
例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）が各種携帯型電子
機器やノート型パソコンや小型テレビのディスプレイと
して一般に広く普及しているとともに、プラズマディス
プレイパネル（ＰＤＰ）等のＬＣＤ以外のＦＰＤも実用
化されている。2. Description of the Related Art In recent years, as a display replacing a CRT (Cathode-Ray-Tube) display having a large occupied area and a large weight, a flat panel display (F) has been proposed.
PD) has been put to practical use. And as FPD,
For example, a liquid crystal display (LCD) has been widely spread as a display for various portable electronic devices, notebook computers, and small televisions, and FPDs other than LCDs, such as plasma display panels (PDPs), have been put into practical use.
【０００３】そのようなＦＰＤの一つとして、エレクト
ロルミネッセンス（ＥＬ）ディスプレイがあり、ＥＬデ
ィスプレイは、比較的古くから開発が進められている
が、フルカラー化や輝度や寿命などの点に課題があり、
未だあまり普及していない。なお、ＥＬディスプレイ
は、自ら発光する自己発光型のディスプレイであり、Ｅ
Ｌディスプレイに用いられるＥＬ素子をディスプレイで
はなく、面状発光体としても用いることも可能であり、
上述のＬＣＤのバックライトとしてＥＬ素子が用いられ
ているものがある。[0003] As one of such FPDs, there is an electroluminescence (EL) display. Although the EL display has been developed for a relatively long time, there are problems in terms of full color, luminance, and life. ,
Not yet widespread. The EL display is a self-luminous display that emits light by itself.
The EL element used for the L display can be used not only as a display but also as a planar light emitter,
There is an LCD in which an EL element is used as a backlight.
【０００４】また、ＥＬディスプレイとなるＥＬ素子の
発光層としては、従来、無機化合物薄膜が用いられてい
たが、無機化合物薄膜を用いたＥＬ素子は、駆動電圧が
高いとともに発光効率が低く、低輝度の表示しかできな
かった。それに対して、近年、ＥＬ素子の発光層とし
て、駆動電圧が低く、かつ、発光効率が高い有機化合物
薄膜を用いたものが使われるようになった。また、有機
化合物薄膜を用いた有機ＥＬ素子（有機電界発光素子）
は、寿命の点で問題があったが、長寿命化が可能は有機
発光層用の材料の開発が進められ、ＬＣＤに対抗可能な
レベルでの実用化も可能となった。[0004] In addition, an inorganic compound thin film has been conventionally used as a light emitting layer of an EL element to be an EL display. However, an EL element using an inorganic compound thin film has a high driving voltage, low luminous efficiency, and low light emission efficiency. Only the brightness could be displayed. On the other hand, in recent years, an EL element using an organic compound thin film having a low driving voltage and a high luminous efficiency has been used as a light emitting layer. Also, an organic EL device using an organic compound thin film (organic electroluminescent device)
Although there was a problem in terms of life, the development of a material for an organic light emitting layer was promoted if the life could be prolonged, and practical use was possible at a level comparable to LCD.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】ところで、各種ＦＰＤ
の開発においては、半導体ほどではないが、微細加工を
必要とするとともに、ＦＰＤにおいては小さな半導体と
異なり、表示面に対応した大きな面積に渡ってほとんど
欠陥の無い微細加工を行う必要があり、ＦＰＤの普及に
は微細加工技術の確立が不可欠である。しかし、有機Ｅ
Ｌ素子に有機発光層として用いられる有機化合物は、一
般的に水分に弱いとともに、有機溶剤やその他の薬品に
対する耐性にも乏しい。By the way, various FPDs
In the development of FPD, fine processing is required, although not as much as semiconductors, and in FPD, unlike small semiconductors, it is necessary to perform fine processing with almost no defects over a large area corresponding to the display surface. The establishment of microfabrication technology is indispensable for the spread of. But organic E
An organic compound used as an organic light emitting layer in an L element is generally weak to moisture and poor in resistance to an organic solvent and other chemicals.
【０００６】そして、薄膜に対して、微細加工であるパ
ターニングを行うに際しては、一般的に、薄膜上へのレ
ジストの塗布、塗布されたレジストの露光、レジストの
現像、薄膜のエッチング、レジストの剥離等の工程から
なるいわゆるフォトリソグラフィーが行われるが、レジ
ストは多量の有機溶剤を含み、現像液は通常、水溶液で
あり、さらに、エッチングやレジストの剥離にも水溶液
や有機溶剤やその他の薬品が用いられる可能性があるの
で、有機発光層に用いられる有機化合物に重大な影響を
及ぼす可能性があり、上述のようなパターニング方法を
有機ＥＬ素子の微細加工に用いるのは困難であった。[0006] When patterning, which is fine processing, is performed on a thin film, generally, application of a resist on the thin film, exposure of the applied resist, development of the resist, etching of the thin film, and peeling of the resist are performed. The so-called photolithography including the steps such as the above is performed, but the resist contains a large amount of an organic solvent, the developer is usually an aqueous solution, and the aqueous solution, the organic solvent, and other chemicals are used for etching and stripping of the resist. Therefore, there is a possibility that the organic compound used in the organic light emitting layer may be seriously affected, and it is difficult to use the patterning method as described above for fine processing of the organic EL device.
【０００７】従って、発光層となる有機化合物薄膜の形
成方法は、限られたものとなり、例えば、メタルマスク
を使った真空蒸着（マスク蒸着）を用いるのが一般的で
ある。このマスク蒸着によれば、薄膜の形成と同時にパ
ターニングが行われ、上述のような各種溶剤、水溶液、
その他の薬品を用いなくても有機化合物薄膜の形成及び
パターニングができる。また、有機化合物薄膜上に形成
される金属電極の形成及びパターニングにおいても、金
属陰極の形成及びパターニングが有機発光層の形成後に
行われるので、上述のような各種溶剤、水溶液、その他
の薬品を用いない、メタルマスク蒸着を用いることが好
ましい。しかし、上述のようなマスク蒸着においては、
１００μｍより微細な加工、すなわち、数十μｍといっ
た微細加工が困難である。また、金属陰極をメタルマス
ク蒸着により形成するものとすると、下部構造となる陽
極（透明電極）や発光層とのアライメントが困難であっ
た。[0007] Therefore, the method of forming the organic compound thin film serving as the light emitting layer is limited, and for example, vacuum evaporation (mask evaporation) using a metal mask is generally used. According to this mask deposition, patterning is performed simultaneously with formation of a thin film, and various solvents, aqueous solutions,
The organic compound thin film can be formed and patterned without using other chemicals. Also, in the formation and patterning of the metal electrode formed on the organic compound thin film, since the formation and patterning of the metal cathode are performed after the formation of the organic light emitting layer, the above-mentioned various solvents, aqueous solutions, and other chemicals are used. It is preferable to use metal mask evaporation. However, in the mask evaporation as described above,
Processing finer than 100 μm, that is, fine processing of several tens μm, is difficult. Further, if the metal cathode is formed by metal mask vapor deposition, it is difficult to align the metal cathode with the anode (transparent electrode) or the light-emitting layer which is the lower structure.
【０００８】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
であり、金属陰極の数十μｍといった微細加工を可能と
し、さらに、金属陰極とともに有機発光層の微細加工を
も可能とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法を提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and provides an organic electroluminescent device which enables fine processing of a metal cathode with a size of several tens of μm and further enables fine processing of an organic light emitting layer together with the metal cathode. An object of the present invention is to provide a method for manufacturing an element.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法は、透明
基板上に透明電極と有機発光層とを形成した後に、該有
機発光層上に金属電極となるメタル層を形成する形成工
程と、次いで、形成されたメタル層をフォトリソグラフ
ィーによりパターニングするパターニング工程とを備え
たことを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an organic electroluminescent device, comprising: forming a transparent electrode and an organic light emitting layer on a transparent substrate; and forming a metal electrode on the organic light emitting layer. And a patterning step of patterning the formed metal layer by photolithography.
【００１０】上記構成によれば、上記形成工程におい
て、有機発光層上にメタル層が形成されるので、フォト
リソグラフィーを用いたパターニング工程において、フ
ォトレジストに含有される有機溶剤や、露光時の紫外線
や、現像用の薬液に対して、有機発光層が該有機発光層
上を覆うメタル層により保護されることになる。また、
エッチングにおいては、メタル層の一部が除去されてパ
ターニングされた金属電極が形成され、メタル層が除去
された部分は、有機発光層がメタル層に保護されない状
態となるが、有機発光層のメタル層が除去される部分に
対応する部分は、残ったメタル層からなる金属電極によ
り電圧が印加されることがなく、発光しない部分なの
で、この部分がメタル層のエッチングに際してメタル層
とともに除去されたり、発光しない状態となっても良
い。[0010] According to the above structure, since the metal layer is formed on the organic light emitting layer in the above forming step, the organic solvent contained in the photoresist and the ultraviolet light during the exposure are used in the patterning step using photolithography. In addition, the organic light emitting layer is protected by the metal layer covering the organic light emitting layer from the developing solution. Also,
In the etching, a part of the metal layer is removed to form a patterned metal electrode. In the part where the metal layer is removed, the organic light emitting layer is not protected by the metal layer. The portion corresponding to the portion where the layer is removed is a portion where no voltage is applied by the metal electrode made of the remaining metal layer and no light is emitted, so this portion is removed together with the metal layer when etching the metal layer, It may be in a state where no light is emitted.
【００１１】従って、金属電極をフォトリソグラフィー
を用いてパターニングしても、金属電極と透明電極との
重なり領域である有機発光領域層を金属電極となるメタ
ル層により保護することができるので、フォトリソグラ
フィーに際して有機発光層が大きく影響を受けることが
ない。そして、フォトリソグラフィーを用いたパターニ
ングにおいては、１００μｍを切るような微細加工が可
能であり、金属電極を数十μｍ以下のレベルでパターニ
ングすることが可能となる。また、フォトリソグラフィ
ーを用いることにより、金属電極のパターンと下部構造
とのアライメントを容易なものとすることができる。Therefore, even if the metal electrode is patterned using photolithography, the organic light emitting region layer, which is the overlapping region between the metal electrode and the transparent electrode, can be protected by the metal layer serving as the metal electrode. At this time, the organic light emitting layer is not greatly affected. Then, in patterning using photolithography, fine processing of less than 100 μm is possible, and metal electrodes can be patterned at a level of several tens μm or less. Further, by using photolithography, alignment between the pattern of the metal electrode and the lower structure can be facilitated.
【００１２】さらに、上述のようにエッチングに際し
て、メタル層のレジストによりマスクされていない部分
とともに、この部分の下の有機発光層をも除去してしま
うものとした場合には、金属電極とともに、有機発光領
域層もフォトリソグラフィーを用いたパターニングによ
り形成されることになる。すなわち、上述のように有機
発光層をフォトリソグラフィーを用いてパターニングす
るものとしても、有機発光層をメタル層によりフォトリ
ソグラフィーで用いられる水溶液や、有機溶剤や、その
他の薬品や、紫外線等から保護することができる。従っ
て、有機発光領域層の数十μｍ以下のレベルでのフォト
リソグラフィーを用いたパターニングが可能となる。[0012] Further, as described above, when the organic light emitting layer under this portion is removed along with the portion of the metal layer that is not masked by the resist during the etching, the organic layer is removed together with the metal electrode. The light emitting region layer is also formed by patterning using photolithography. That is, even when the organic light-emitting layer is patterned using photolithography as described above, the organic light-emitting layer is protected from an aqueous solution used in photolithography, an organic solvent, other chemicals, and ultraviolet light by a metal layer. be able to. Therefore, it is possible to pattern the organic light emitting region layer using photolithography at a level of several tens μm or less.
【００１３】本発明の請求項２記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法は、上記パターニング工程
おいては、順次、フォトレジスト塗布工程と、露光工程
と、現像工程と、エッチング工程とを行い、該エッチン
グ工程に際し、ドライエッチングを行うことを特徴とす
る。上記構成によれば、メタル層の一部を除去する際
に、ドライエッチングを用いるので、ウェットエッチン
グのように基板がエッチング液に浸されることがなく、
有機発光層がエッチング液の影響を受けるのを防止する
ことができる。According to a second aspect of the present invention, in the method of manufacturing an organic electroluminescent device, the patterning step includes a photoresist coating step, an exposure step, a development step, and an etching step. In the etching step, dry etching is performed. According to the above configuration, when a part of the metal layer is removed, dry etching is used, so that the substrate is not immersed in an etchant as in wet etching,
The organic light emitting layer can be prevented from being affected by the etchant.
【００１４】なお、ドライエッチングに際しては、基板
がプラズマに曝されるが、メタル層が比較的厚ければ、
フォトレジスト及びメタル層を超えて有機発光領域層が
プラズマダメージを受けることがない。また、メタル層
が除去される部分は、上述のように有機発光層も必要な
いので、メタル層が除去される部分に対応する有機発光
層の部分がプラズマダメージを受けても問題がない。In dry etching, the substrate is exposed to plasma, but if the metal layer is relatively thick,
The organic light emitting region layer does not suffer from plasma damage beyond the photoresist and the metal layer. In addition, since the organic light emitting layer is not required in the portion where the metal layer is removed as described above, there is no problem even if the portion of the organic light emitting layer corresponding to the portion where the metal layer is removed is damaged by plasma.
【００１５】また、ドライエッチングとしてスパッタエ
ッチングのような異方性エッチングが可能な方法を用い
れば、レジストによりマスクされた金属電極の部分及び
その下側の有機発光層の部分が横からえぐられるような
状態となることがなく、有機発光層に対するエッチング
の影響を最低限のものとすることができる。If a method capable of anisotropic etching such as sputter etching is used as dry etching, a portion of the metal electrode masked by the resist and a portion of the organic light emitting layer thereunder can be removed from the side. And the effect of etching on the organic light emitting layer can be minimized.
【００１６】本発明の請求項３記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法は、上記メタル層の厚みを
０．１μｍ以上とすることを特徴とする。上記構成によ
れば、メタル層をドライエッチングするものとした際
に、メタル層が十分に厚いので、上述のようにレジスト
層及びメタル層を超えて有機発光領域層がプラズマダメ
ージを受けることがない。According to a third aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing an organic electroluminescent device, wherein the thickness of the metal layer is 0.1 μm or more. According to the above configuration, when the metal layer is to be dry-etched, the metal layer is sufficiently thick, so that the organic light-emitting region layer does not suffer plasma damage beyond the resist layer and the metal layer as described above. .
【００１７】本発明の請求項４記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法は、上記パターニング工程
において、エッチング工程後、フォトレジストを除去せ
ずにフォトレジストを残した状態とすることを特徴とす
る。上記構成によれば、エッチング終了後に、フォトレ
ジストを除去しないので、発光層がフォトレジストを除
去するための水溶液や有機溶剤やその他の薬品の影響を
受けることがない。従って、フォトレジストを除去しな
いことにより、有機ＥＬ素子が劣化することを防止でき
るとともに、工程を簡略化して製造コストの低減を図る
ことができる。According to a fourth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an organic electroluminescence element, the photoresist is not removed after the etching step in the patterning step, but the photoresist is left. According to the above configuration, since the photoresist is not removed after the etching, the light emitting layer is not affected by the aqueous solution, the organic solvent, or other chemicals for removing the photoresist. Therefore, by not removing the photoresist, it is possible to prevent the organic EL element from deteriorating, and to simplify the steps to reduce the manufacturing cost.
【００１８】また、フォトレジストは、金属電極の上
面、すなわち、有機ＥＬ素子の背面側に塗布されるの
で、フォトレジストが残っていても有機ＥＬ素子の発光
に影響がなく、金属電極の保護膜として利用することが
できる。なお、フォトレジストを除去するものとして
も、ドライアッシングによりフォトレジストを除去すれ
ば、透明基板を溶液に浸したり、透明基板に溶液を塗布
したりする必要が無く、有機ＥＬ素子の発光層が劣化す
るのを抑止することができるが、フォトレジストの剥離
工程分だけ工程が増えることになるとともに、ウエット
剥離よりもドライアッシングを用いたドライ剥離の方が
コストが高くなる可能性があり、製造コストの面からは
フォトレジストを除去せずに残した方が良い。Further, since the photoresist is applied on the upper surface of the metal electrode, that is, on the back side of the organic EL element, even if the photoresist remains, it does not affect the light emission of the organic EL element, and the protective film of the metal electrode is protected. Can be used as In addition, even if the photoresist is removed, if the photoresist is removed by dry ashing, there is no need to immerse the transparent substrate in the solution or apply the solution to the transparent substrate, and the light emitting layer of the organic EL element deteriorates. Can be suppressed, but the number of steps is increased by the amount of the photoresist stripping step, and dry stripping using dry ashing may be more expensive than wet stripping. It is better to leave the photoresist without removing it from the surface.
【００１９】本発明の請求項５記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法は、上記形成工程におい
て、上記透明電極の側縁部に金属電極側の外部接続部を
上記透明電極の他の部分と絶縁した状態に設けるととも
に、上記外部接続部の少なくとも一部と上記メタル層と
が直接重なるように、上記メタル層を形成し、上記パタ
ーニング工程において、上記外部接続部の一部が露出し
た状態で、該外部接続部と上記メタル層からなる上記金
属電極とが重なった部分を残すことを特徴とする。According to a fifth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an organic electroluminescence device, in the forming step, an external connection portion on the side of the metal electrode is insulated from a side edge of the transparent electrode with another portion of the transparent electrode. While providing in a state in which, the metal layer is formed such that at least a part of the external connection portion and the metal layer directly overlap, and in the patterning step, in a state where a part of the external connection portion is exposed, A portion where the external connection portion and the metal electrode made of the metal layer overlap is left.
【００２０】上記構成によれば、金属電極と透明電極か
らなる電極側の外部接続部とが接続された状態となると
ともに、外部接続部の一部が露出しているので、外部接
続部の露出した部分からパターニングされた金属電極に
電気信号を送ることができる。すなわち、金属電極のパ
ターニングが終了した時点で、電極側の配線が外部の接
点となる外部接続部も含めて完了することになり、工程
を簡略化することができる。According to the above configuration, since the metal electrode and the external connection portion on the electrode side made of the transparent electrode are connected and a part of the external connection portion is exposed, the external connection portion is exposed. An electric signal can be sent from the portion where the pattern is formed to the patterned metal electrode. In other words, when the patterning of the metal electrode is completed, the wiring on the electrode side is completed including the external connection portion serving as the external contact, and the process can be simplified.
【００２１】本発明の請求項６記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法は、上記パターニング工程
に際し、上記メタル層をパターニングするとともに、上
記メタル層の下の上記有機発光層をパターニングするこ
とを特徴とする。上記構成によれば、上述のように、フ
ォトリソグラフィーにより有機発光層をパターニングす
るものとしても、有機発光層がメタル層に保護されてい
るので、フォトリソグラフィーに用いられる有機溶剤や
水溶液やその他の薬品や紫外線やプラズマ等により有機
発光層が劣化するのを防止できるとともに、有機発光層
を数十μｍ以下のレベルでパターニングすることが可能
となる。According to a sixth aspect of the present invention, in the method of manufacturing an organic electroluminescent device, the metal layer is patterned and the organic light emitting layer below the metal layer is patterned in the patterning step. I do. According to the above configuration, as described above, even when the organic light emitting layer is patterned by photolithography, since the organic light emitting layer is protected by the metal layer, the organic solvent, the aqueous solution, and other chemicals used for photolithography are used. In addition to preventing deterioration of the organic light emitting layer due to light, ultraviolet rays, plasma, or the like, the organic light emitting layer can be patterned at a level of several tens μm or less.
【００２２】また、有機発光層のパターニングに際し
て、レジストの一部として機能するメタル層は、そのま
ま有機発光層とともにパターニングされた金属電極とし
て機能することになるので、除去する必要がなく、フォ
トレジストも上述のように除去する必要がないので、レ
ジストの除去のために有機発光領域層が劣化するような
ことがない。また、有機発光層のパターニングは、例え
ば、カラー表示用に発光色が異なる複数の有機発光層を
用いる場合に必要となる。In patterning the organic light emitting layer, the metal layer functioning as a part of the resist does not need to be removed because the metal layer functions as a metal electrode patterned together with the organic light emitting layer. Since there is no need to remove as described above, the organic light emitting region layer does not deteriorate due to the removal of the resist. The patterning of the organic light emitting layer is necessary, for example, when a plurality of organic light emitting layers having different emission colors are used for color display.
【００２３】そして、カラー表示用に有機発光領域層を
形成するには、例えば、赤、緑、青のぞれぞれ異なる色
に発光するそれぞれの有機発光領域層をストライプ状に
繰り返し配置された状態とする方法や、その他のパター
ンで異なる色に発光するそれぞれの有機発光領域層を形
成することが考えられるが、この場合には、有機発光層
の形成から上述のメタル層のパターニングまでの工程
を、例えば、三回繰り返し行うようにすれば良い。In order to form an organic light emitting region layer for color display, for example, each organic light emitting region layer which emits a different color of red, green and blue is repeatedly arranged in a stripe shape. It is conceivable to form each organic light emitting region layer that emits light of a different color in a different pattern or in a different state, but in this case, the steps from the formation of the organic light emitting layer to the patterning of the metal layer described above. May be repeated three times, for example.
【００２４】また、二回目以降の発光層及びメタル層の
形成に際しては、例えば、先に形成された発光領域層及
び金属電極上に後から形成される発光領域層及びメタル
層をそのまま重なった状態に形成してしまい、後から形
成された発光領域層及びメタル層をエッチングする際
に、後から形成された有機発光領域層及びメタル層の先
に形成された発光層及び金属電極上に重なる部分を除去
すれば良い。なお、先に形成された発光領域層及び金属
電極上に後から形成された発光層領域及びメタル層をド
ライエッチングする際には、先に形成された発光領域層
及び金属電極上のレジストを除去しないで残しておくこ
とにより、先に形成された発光領域層及び金属電極がエ
ッチングされてしまうのを防止することができる。In the formation of the second and subsequent light emitting layers and metal layers, for example, a state in which the light emitting region layer and the metal layer formed later on the previously formed light emitting region layer and the metal electrode are directly overlapped. When the light emitting region layer and the metal layer formed later are etched, a portion overlapping the light emitting layer and the metal electrode formed earlier than the organic light emitting region layer and the metal layer formed later. Should be removed. When dry-etching the light-emitting region and metal layer formed later on the light-emitting region and metal electrode formed earlier, the resist on the light-emitting region and metal electrode formed earlier is removed. If the light emitting region layer and the metal electrode formed before are left behind without being etched, the etching can be prevented.
【００２５】[0025]
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態の一
例の有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子の製造
方法を図面を参照して説明する。図１、図２及び図３
は、有機ＥＬ素子の製造方法の概略を示すための製造途
中の有機ＥＬ素子の断面を示すものであるが、説明しや
すいように各部の厚みや幅等のサイズをデフォルメして
図示している。なお、各図の（Ａ）、（Ｂ）は互いに直
交する方向から見た断面図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a method for manufacturing an organic electroluminescence (EL) element according to an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. 1, 2 and 3
Is a cross-sectional view of an organic EL element in the course of manufacture to show an outline of a method of manufacturing the organic EL element. For ease of explanation, the dimensions such as thickness and width of each part are deformed. . In addition, (A) and (B) of each figure are cross-sectional views as seen from directions orthogonal to each other.
【００２６】なお、この一例の有機ＥＬ素子の製造方法
により製造される有機ＥＬ素子は、例えば、セグメント
型や単純マトリックス型のＥＬディスプレイであり、有
機発光層として周知の有機化合物を用いたものである。
また、図１から図３に示すように、有機ＥＬ素子は、Ｅ
Ｌディスプレイの表示面側の側面を構成する透明基板１
と、該透明基板１上に順次形成される透明電極（陽極）
２、有機発光層３及び金属陰極（図３（Ａ）、（Ｂ）に
図示）４とからなるものである。The organic EL device manufactured by this example of the method for manufacturing an organic EL device is, for example, a segment type or a simple matrix type EL display using a known organic compound as an organic light emitting layer. is there.
Further, as shown in FIGS. 1 to 3, the organic EL element
Transparent substrate 1 constituting the side surface on the display surface side of the L display
And a transparent electrode (anode) sequentially formed on the transparent substrate 1
2, an organic light-emitting layer 3 and a metal cathode 4 (shown in FIGS. 3A and 3B).
【００２７】そして、この一例の有機ＥＬ素子の製造に
おいては、まず、透明基板１上に透明電極２が形成され
る。なお、上記透明基板１は、基本的にガラス基板であ
るが、周知の透明な樹脂板や樹脂フィルムを用いるもの
としても良い。また、上記透明電極２は、例えば、ＩＴ
Ｏ（Indium Tin Oxide）からなるものであり、周知の薄
膜形成方法により透明基板１上に形成されるものであ
る。また薄膜形成方法としては、例えば、スパッター
法、真空蒸着法、ＣＶＤ法、パエロゾル法、吹き付け
法、印刷法等や、その他方法を用いることができる。In the manufacture of the organic EL device of this example, first, a transparent electrode 2 is formed on a transparent substrate 1. Although the transparent substrate 1 is basically a glass substrate, a known transparent resin plate or resin film may be used. The transparent electrode 2 is made of, for example, IT
O (Indium Tin Oxide) is formed on the transparent substrate 1 by a known thin film forming method. As a method for forming a thin film, for example, a sputtering method, a vacuum evaporation method, a CVD method, a aerosol method, a spraying method, a printing method, and other methods can be used.
【００２８】そして、透明基板１上に、透明基板１の略
全面に渡って透明電極２となるＩＴＯの薄膜を形成した
後に、周知の方法、例えば、フォトリソグラフィーによ
りＩＴＯの薄膜をパターニングする。なお、ＩＴＯから
なる透明電極２のパターンは、有機ＥＬ素子をセグメン
ト型のＥＬディスプレイとした場合に、表示に対応した
任意の形状部分と、該形状部分に接続される配線なる部
分との形状となり、有機ＥＬ素子を単純マトリックス型
のＥＬディスプレイとした場合に、ストライプ状の配線
の形状となる。Then, after forming an ITO thin film to be the transparent electrode 2 over substantially the entire surface of the transparent substrate 1 on the transparent substrate 1, the ITO thin film is patterned by a known method, for example, photolithography. When the organic EL element is a segment type EL display, the pattern of the transparent electrode 2 made of ITO has a shape of an arbitrary shape portion corresponding to the display and a wiring portion connected to the shape portion. In the case where the organic EL element is a simple matrix type EL display, a stripe-shaped wiring is formed.
【００２９】また、図１（Ａ）、（Ｂ）等に示すよう
に、例えば、上記透明電極２の左側側縁部には、信号引
き出し部分となる外部接続部２ａが形成され、透明電極
２の右側側縁部には、信号引き出し部分となる外部接続
部２ｂが形成される。これら外部接続部２ａ、２ｂは、
透明電極２の一部であり、図３（Ａ）、（Ｂ）において
円ａ、ｂで囲んで示す外部からの配線の接点となる部分
がエッチング時に露出された状態とされる。また、一方
の外部接続部２ａは、金属陰極４側にカソード信号を送
るためのものであり、透明電極２の他の部分と絶縁され
た状態とされるとともに、金属陰極４と接合された状態
とされる。また、他方の外部接続部２ｂは、陽極である
透明電極２にアノード信号を送るためのものである。As shown in FIGS. 1A and 1B, for example, an external connection portion 2a serving as a signal extraction portion is formed on the left side edge portion of the transparent electrode 2. An external connection portion 2b serving as a signal lead-out portion is formed on the right side edge portion of the first connection portion. These external connection parts 2a, 2b
A part of the transparent electrode 2, which is a contact point of a wiring from outside, which is surrounded by circles a and b in FIGS. 3A and 3B, is in a state of being exposed at the time of etching. One external connection portion 2a is for transmitting a cathode signal to the metal cathode 4 side, and is insulated from the other portions of the transparent electrode 2 and joined to the metal cathode 4. It is said. The other external connection portion 2b is for sending an anode signal to the transparent electrode 2 as an anode.
【００３０】次に、透明電極２が形成された透明基板１
上の略全面に渡って有機発光層３を形成する。なお、有
機発光層３は、例えば、正孔輸送層と、発光層と、電子
輸送層との三層からなるか、もしくは、正孔輸送層と、
電子輸送性発光層との二層からなるものである。Next, the transparent substrate 1 on which the transparent electrode 2 is formed
The organic light emitting layer 3 is formed over substantially the entire upper surface. In addition, the organic light emitting layer 3 is composed of, for example, three layers of a hole transport layer, a light emitting layer, and an electron transport layer, or
It consists of two layers with an electron transporting light emitting layer.
【００３１】また、上記正孔輸送層は、例えば、α−Ｎ
ＰＤ（Ｎ，Ｎ’−ジ（α−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフ
ェニル−１，１’−ビフェニル−４、４’−ジアミン）
を用いることができる。また、上記発光層としては、ド
ーパントとしてＢＣｚＶＢｉ（４，４’−ビス（２−カ
ルバゾールビニレン）ビフェニル）を含むＤＰＶＢｉ
（４，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニレン）ビフ
ェニル）を用いることができる。Further, the above-mentioned hole transporting layer is made of, for example, α-N
PD (N, N'-di (α-naphthyl) -N, N'-diphenyl-1,1'-biphenyl-4,4'-diamine)
Can be used. Further, as the light emitting layer, DPVBi containing BCzVBi (4,4′-bis (2-carbazolevinylene) biphenyl) as a dopant.
(4,4′-bis (2,2-diphenylvinylene) biphenyl) can be used.
【００３２】また、上記電子輸送層としては、Ａｌｑ３
（トリス（８−ヒドロキシキノリン）化アルミニウム）
を用いることができる。また、上記電子輸送性発光層と
しては、Ｂｅｂｑ２（ビス（１０−ヒドロキシベンゾ
［ｈ］キノリン）化ベリリウム）を用いることができ
る。なお、上記有機発光層３の材料は一例であり、その
他の周知の材料を有機発光層３として用いることがで
き、例えば、Ａｌｑ３にキナクリドン誘導体を添加した
材料や、１，４’−ビス（２，２−ジフェニルビニル）
ビフェニルに、ジスチリルアリールアミン誘導体を添加
した材料等を用いることができる。The electron transport layer may be made of Alq3
(Aluminum tris (8-hydroxyquinoline) chloride)
Can be used. In addition, Bebq2 (beryllium bis (10-hydroxybenzo [h] quinoline)) can be used as the electron transporting light emitting layer. The material of the organic light emitting layer 3 is an example, and other well-known materials can be used as the organic light emitting layer 3. For example, a material in which a quinacridone derivative is added to Alq3 or 1,4′-bis (2 , 2-diphenylvinyl)
A material in which a distyrylarylamine derivative is added to biphenyl or the like can be used.
【００３３】そして、透明電極２が形成された透明基板
１上に有機発光層３の薄膜を形成する際には、上記透明
電極２とほぼ同様な薄膜形成方法を用いることができ
る。また、有機発光層３の形成に際しては、有機発光層
３が透明電極２の外部接続部２ａ、２ｂを完全に覆わな
いようにする。When a thin film of the organic light emitting layer 3 is formed on the transparent substrate 1 on which the transparent electrode 2 is formed, a thin film forming method substantially similar to that of the transparent electrode 2 can be used. In forming the organic light emitting layer 3, the organic light emitting layer 3 does not completely cover the external connection portions 2 a and 2 b of the transparent electrode 2.
【００３４】次に、図１に示すように、透明電極２及び
有機発光層３が形成された透明基板１上に金属陰極４と
なるメタル層５を透明基板１の略全面を覆うように形成
する。なお、金属陰極（金属電極）としては、例えば、
Ｍｇ−Ｉｎ合金、Ｍｇ−Ａｇ合金、Ｍｇ−Ａｌ合金等の
マグネシウム合金やＡｌ−Ｌｉ合金等を用いることがで
きるとともに、陰極として電子を放出しやすい仕事関数
の値の小さい材料を用いることができる。また、金属陰
極４の形成に際しては、上記透明電極２とほぼ同様な薄
膜形成方法を用いることができる。Next, as shown in FIG. 1, a metal layer 5 serving as a metal cathode 4 is formed on the transparent substrate 1 on which the transparent electrode 2 and the organic light emitting layer 3 are formed so as to cover substantially the entire surface of the transparent substrate 1. I do. In addition, as a metal cathode (metal electrode), for example,
A magnesium alloy such as an Mg-In alloy, a Mg-Ag alloy, or an Mg-Al alloy, an Al-Li alloy, or the like can be used, and a material having a small work function that easily emits electrons can be used as a cathode. . In forming the metal cathode 4, a thin film forming method substantially similar to that of the transparent electrode 2 can be used.
【００３５】そして、メタル層５の形成に際しては、メ
タル層５が透明基板１上に形成された有機発光層３の全
面を覆うようにするとともに、メタル層５の厚みを０．
１μｍ以上とする。これは、後述するように有機発光層
３をプラズマや各種薬液から保護するためであり、メタ
ル層５が０．１μｍより薄いと、有機発光層３を後述す
るプラズマダメージから確実に保護できない可能性があ
る。また、上面が有機発光層３に覆われていない状態の
外部接続部２ａ上にメタル層５が形成されるようにす
る。すなわち、外部接続部２ａとメタル層５とは電気的
に導通した状態とする。When forming the metal layer 5, the metal layer 5 covers the entire surface of the organic light emitting layer 3 formed on the transparent substrate 1, and the thickness of the metal layer 5 is reduced to 0.
1 μm or more. This is to protect the organic light emitting layer 3 from plasma and various chemicals as described later. If the metal layer 5 is thinner than 0.1 μm, the organic light emitting layer 3 may not be reliably protected from plasma damage described later. There is. Further, the metal layer 5 is formed on the external connection portion 2a whose upper surface is not covered with the organic light emitting layer 3. That is, the external connection portion 2a and the metal layer 5 are electrically connected.
【００３６】次に、メタル層５をパターニングして金属
陰極４とする。そして、金属陰極４のパターニングに際
しては、フォトリソグラフィーを用いるものとし、ま
ず、メタル層５上にフォトレジストを塗布する。なお、
フォトレジストとしては、周知のポジ型のものを用いる
ものとしても、ネガ型のものを用いるものとしても良
い。また、フォトレジストの塗布方法としては、ディッ
プ、スプレー、ロールコーター、スピンナー等を用いる
ことができる。Next, the metal layer 5 is patterned into the metal cathode 4. When patterning the metal cathode 4, photolithography is used. First, a photoresist is applied on the metal layer 5. In addition,
As the photoresist, a known positive type photoresist or a negative photoresist may be used. As a method for applying the photoresist, a dip, a spray, a roll coater, a spinner, or the like can be used.
【００３７】次に、フォトレジストの露光を行い、次い
で、ディッピング、スプレー、シャワー、パドルなどの
現像方法を用いて、現像を行う。そして、露光に際して
は、透明基板１が紫外線に曝されることになるが、有機
発光層３はメタル層５に覆われた状態なので、有機発光
層３が紫外線の悪影響を受けることがない。Next, the photoresist is exposed and then developed using a developing method such as dipping, spraying, showering, or paddle. Then, at the time of exposure, the transparent substrate 1 is exposed to ultraviolet rays. However, since the organic light emitting layer 3 is covered with the metal layer 5, the organic light emitting layer 3 is not adversely affected by the ultraviolet light.
【００３８】また、現像液は、例えば、アルカリ性の水
溶液であり、有機発光層３に触れた場合に、有機発光層
３に大きな影響を与えることになるが、上述のように有
機発光層３がメタル層５に覆われているので、現像に際
して、透明基板１が現像液に浸されるような状態となっ
ても、有機発光層３が現像液に触れることがない。従っ
て、フォトレジストの露光や現像に際して、有機発光層
３が劣化するようなことがない。The developer is, for example, an alkaline aqueous solution. When the developer is in contact with the organic light emitting layer 3, it has a great effect on the organic light emitting layer 3. Since the transparent substrate 1 is covered with the metal layer 5, the organic light emitting layer 3 does not come into contact with the developer even when the transparent substrate 1 is immersed in the developer during the development. Therefore, the organic light emitting layer 3 does not deteriorate when the photoresist is exposed or developed.
【００３９】そして、図２（Ａ）、（Ｂ）に示すよう
に、現像によりメタル層５上に塗布されたフォトレジス
ト６の金属陰極４の形成すべきパターンに対応する部分
が残る。なお、露光前のフォトレジストのプレベーク
や、現像後のフォトレジストのポストベークは、有機発
光層への熱の影響を考慮して低温で行うことが好まし
い。Then, as shown in FIGS. 2A and 2B, a portion of the photoresist 6 applied on the metal layer 5 by development corresponding to the pattern for forming the metal cathode 4 remains. Note that prebaking of the photoresist before exposure and postbaking of the photoresist after development are preferably performed at a low temperature in consideration of the influence of heat on the organic light emitting layer.
【００４０】次に、メタル層５のエッチングを行う。メ
タル層５のエッチングに際しては、プラズマエッチング
や、スパッタエッチングや、反応性イオンエッチング等
のドライエッチングを行う。ドライエッチングを行うこ
とにより、透明基板１がエッチング液に浸されることが
なく、有機発光層３がエッチング液により影響を受ける
ことがない。Next, the metal layer 5 is etched. When etching the metal layer 5, dry etching such as plasma etching, sputter etching, or reactive ion etching is performed. By performing the dry etching, the transparent substrate 1 is not immersed in the etchant, and the organic light emitting layer 3 is not affected by the etchant.
【００４１】また、ドライエッチングによりメタル層５
のフォトレジスト６に覆われていない部分が除去される
ことになり、メタル層５が除去された部分では有機発光
層３が露出し、有機発光層３も除去され、有機発光層３
の残された部分、すなわち、メタル層５をエッチングす
ることにより形成された金属陰極４と重なる有機発光層
３の部分が有機発光領域層７になる。ない、有機発光層
３は、その上下を透明電極２と金属陰極４とに挟まれて
電極が印加することにより発光するものであり、有機発
光層３のメタル層５が除去された部分に対応する部分
は、透明電極２と金属陰極４とに挟まれた状態となら
ず、発光しないので、除去されても問題がない。The metal layer 5 is formed by dry etching.
The portion not covered with the photoresist 6 is removed, and the organic light emitting layer 3 is exposed in the portion where the metal layer 5 is removed, and the organic light emitting layer 3 is also removed.
, The part of the organic light emitting layer 3 overlapping the metal cathode 4 formed by etching the metal layer 5 becomes the organic light emitting region layer 7. The organic light emitting layer 3 emits light when the electrode is applied by sandwiching the transparent electrode 2 and the metal cathode 4 above and below the organic light emitting layer 3, and corresponds to the portion of the organic light emitting layer 3 from which the metal layer 5 is removed. The portion to be removed is not sandwiched between the transparent electrode 2 and the metal cathode 4 and does not emit light, so that there is no problem even if it is removed.
【００４２】また、エッチングに際して残されるメタル
層５（金属陰極４）が残される有機発光領域層７の上面
を覆っているので、残された有機発光領域層７がプラズ
マを用いたドライエッチングによりプラズマダメージを
受けるのを防止することができる。すなわち、メタル層
５は、１μｍ以上の厚みを有し、有機発光領域層７を確
実にプラズマダメージから保護することができる。ま
た、メタル層５のフォトレジスト６に覆われていない部
分が除去されるとともに、除去されたメタル層５の下に
対応する有機発光層３の部分が除去された際に、残され
た有効発光領域層７の側面が露出するが、ドライエッチ
ングに際して異方性エッチングを行うものとすれば、メ
タル層５や有機発光層３がフォトレジストの側縁部の内
側までエッチングされるのを抑止することができる。Further, since the metal layer 5 (metal cathode 4) left at the time of etching covers the upper surface of the remaining organic light emitting region layer 7, the remaining organic light emitting region layer 7 is plasma-etched by dry etching using plasma. This prevents damage from being taken. That is, the metal layer 5 has a thickness of 1 μm or more, and can reliably protect the organic light emitting region layer 7 from plasma damage. In addition, when the portion of the metal layer 5 that is not covered with the photoresist 6 is removed, and when the corresponding portion of the organic light emitting layer 3 below the removed metal layer 5 is removed, the remaining effective light emission is left. Although the side surface of the region layer 7 is exposed, if the anisotropic etching is performed in the dry etching, the metal layer 5 and the organic light emitting layer 3 are prevented from being etched to the inside of the side edge of the photoresist. Can be.
【００４３】そして、エッチングが終了した段階で、図
３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、メタル層５が所定の形
状にパターニングされて、金属陰極４となる。また、上
述のようにフォトリソグラフィーにより金属陰極４にパ
ターニングした際には、下部構造となる透明電極２や有
機発光領域層７と金属陰極４とのアライメントが容易に
なるとともに、有機発光領域層７と金属陰極４とは同時
にパターニングされることになり、有機発光領域層７と
金属陰極４との位置合わせは確実なものとなる。なお、
有機ＥＬ素子をセグメント型のＥＬディスプレイとした
場合に、金属陰極４は、表示に対応した任意の形状部分
と、該形状部分に接続される配線部分とからなるととも
に、任意の形状部分は、透明電極２と対向した状態とな
る。また、有機ＥＬ素子を単純マトリックス型のＥＬデ
ィスプレイとした場合に、金属電極層４のパターンは、
ストライプ状の透明電極２と直交する方向のストライプ
状の配線形状となる。Then, at the stage where the etching is completed, the metal layer 5 is patterned into a predetermined shape as shown in FIGS. Further, when the metal cathode 4 is patterned by the photolithography as described above, the alignment between the metal cathode 4 and the transparent electrode 2 or the organic light emitting region layer 7 serving as the lower structure becomes easy, and the organic light emitting region layer 7 is formed. And the metal cathode 4 are patterned at the same time, and the alignment between the organic light emitting region layer 7 and the metal cathode 4 is ensured. In addition,
When the organic EL element is a segment type EL display, the metal cathode 4 includes an arbitrary shape portion corresponding to display and a wiring portion connected to the shape portion, and the arbitrary shape portion is transparent. It will be in a state facing the electrode 2. When the organic EL element is a simple matrix type EL display, the pattern of the metal electrode layer 4 is as follows.
A striped wiring shape in a direction orthogonal to the striped transparent electrode 2 is obtained.
【００４４】そして、有機ＥＬ素子の透明電極２と金属
陰極４とが有機発光層３を挟んで対向して配置された部
分、すなわち、有機発光層３の透明電極２と金属陰極４
とに挟まれた部分（図３（Ａ）において円ｃ、ｄ、ｅで
囲んだ部分）が発光領域となり、該発光領域が透明電極
２と金属陰極４とに電圧を印加した際に、発光すること
になる。また、上述のように、外部接続部２ａとメタル
層５が直接重なった部分の少なくとも一部（図３（Ａ）
において円ｆで囲んだ部分は）においては、メタル層５
が除去されずに残され、外部接続部２ａと金属陰極４と
の接点とされ、さらに、外部接続部２ａの金属陰極４と
重なった部分を除く他の部分（図３（Ａ）において円ａ
で囲んだ部分）がエッチング時に露出された状態とさ
れ、外部から金属陰極４に信号を送る配線が接続され
る。Then, the transparent electrode 2 of the organic EL element and the metal cathode 4 are opposed to each other with the organic light emitting layer 3 interposed therebetween, that is, the transparent electrode 2 of the organic light emitting layer 3 and the metal cathode 4
(A portion surrounded by circles c, d, and e in FIG. 3A) becomes a light emitting region, and the light emitting region emits light when a voltage is applied to the transparent electrode 2 and the metal cathode 4. Will do. Further, as described above, at least a part of the portion where the external connection portion 2a and the metal layer 5 directly overlap (FIG. 3A)
In the part surrounded by the circle f), the metal layer 5 is used.
Are left unremoved and serve as contact points between the external connection portion 2a and the metal cathode 4, and other portions of the external connection portion 2a except for the portion overlapping with the metal cathode 4 (circle a in FIG. 3A).
(A portion surrounded by a circle) is exposed at the time of etching, and a wiring for transmitting a signal from the outside to the metal cathode 4 is connected.
【００４５】以上のように、金属陰極４のパターニング
に際してフォトリソグラフィーを用いることにより、数
十μｍレベルでのパターニング可能となる。すなわち、
従来のようにメタルマスク蒸着により、金属陰極４の形
成とパターニングとを行った際には、１００μｍを切る
ようなパターニングを行うことができないが、上述のよ
うにフォトリソグラフィーを用いることにより、より微
細なパターニングが可能となる。そして、図３（Ａ）、
（Ｂ）に示すように形成された有機ＥＬ素子は、少なく
とも透明基板３の上面すなわち表示面に対して背面とな
る側が封止材により封止される。As described above, by using photolithography when patterning the metal cathode 4, it is possible to perform patterning at a level of several tens of μm. That is,
When the metal cathode 4 is formed and patterned by a metal mask vapor deposition as in the related art, patterning of less than 100 μm cannot be performed. However, by using photolithography as described above, a finer pattern can be obtained. Patterning becomes possible. And FIG. 3 (A),
In the organic EL element formed as shown in FIG. 3B, at least the upper surface of the transparent substrate 3, that is, the side which is the back surface with respect to the display surface, is sealed with a sealing material.
【００４６】なお、図３（Ａ）、（Ｂ）に示すように、
この一例においては、金属陰極４のパターニングを行っ
た際に、有機発光領域層７も金属陰極４と同様の形状に
パターニングされることになる。また、パターニングさ
れる有機発光領域層７は金属陰極４に保護されることに
より、上述のようにフォトリソグラフィーの各工程で使
用される紫外線、水溶液、有機溶剤、各種薬品、プラズ
マ等の影響を受けることがない。As shown in FIGS. 3A and 3B,
In this example, when the metal cathode 4 is patterned, the organic light emitting region layer 7 is also patterned into the same shape as the metal cathode 4. Further, the organic light emitting region layer 7 to be patterned is protected by the metal cathode 4 and thus is affected by ultraviolet rays, aqueous solution, organic solvent, various chemicals, plasma, etc. used in each step of photolithography as described above. Nothing.
【００４７】すなわち、有機発光層３は、水分や有機溶
剤やその他の薬品に対して弱いので、有機溶剤を含むフ
ォトレジストを使用するとともに、現像液や場合によっ
てエッチング液を用いるフォトリソグラフィーを用いて
有機発光層３をパターニングすることが困難であった
が、上述のようにメタル層５とともに有機発光層３をフ
ォトリソグラフィーによりパターニングすることで、有
機発光層３を劣化させることなく、フォトリソグラフィ
ーを用いて有機発光領域層７にパターニングすることが
できる。That is, since the organic light emitting layer 3 is weak against moisture, an organic solvent and other chemicals, a photoresist containing an organic solvent is used, and a photolithography using a developing solution or an etching solution in some cases is used. It was difficult to pattern the organic light emitting layer 3, but by patterning the organic light emitting layer 3 together with the metal layer 5 by photolithography as described above, it was possible to use photolithography without deteriorating the organic light emitting layer 3. To pattern the organic light emitting region layer 7.
【００４８】従って、マスク蒸着により有機発光層３の
形成とパターニングを行った場合に比較して、フォトリ
ソグラフィーを用いることにより有機発光領域層７の微
細なパターニングが可能となる。上述のようにフォトリ
ソグラフィーを用いてメタル層５とともに有機発光層３
をパターニングする方法は、カラーのＥＬディスプレイ
を製造するに際して、それぞれ発光色の異なる複数種の
有機発光層３を各有機発光層３毎に形成してパターニン
グするような場合に、有効に用いることができる。Therefore, fine patterning of the organic light emitting region layer 7 can be performed by using photolithography, as compared with the case where the organic light emitting layer 3 is formed and patterned by mask evaporation. As described above, the organic light emitting layer 3 is formed together with the metal layer 5 by using photolithography.
Can be effectively used in the case where a plurality of types of organic light emitting layers 3 having different emission colors are formed and patterned for each organic light emitting layer 3 when manufacturing a color EL display. it can.
【００４９】なお、上記例では、有機ＥＬ素子からなる
ＥＬディスプレイをセグメント型もしくは単純マトリッ
クス型としたが、ＴＦＴ等のアクティブ素子を用いたア
クティブマトリックス型のＥＬディスプレイとしても良
い。また、透明基板１と有機発光層３との間（透明基板
１と透明電極２との間）に、カラーフィルタを設けるも
のとしても良い。In the above example, the EL display composed of organic EL elements is a segment type or a simple matrix type. However, an active matrix type EL display using an active element such as a TFT may be used. Further, a color filter may be provided between the transparent substrate 1 and the organic light emitting layer 3 (between the transparent substrate 1 and the transparent electrode 2).
【００５０】[0050]
【発明の効果】本発明の請求項１記載の有機エレクトロ
ルミネッセンス素子の製造方法によれば、金属電極をフ
ォトリソグラフィーを用いてパターニングしても、有機
発光領域層を金属電極となるメタル層により保護するこ
とができるので、有機発光領域層が大きく影響を受ける
のを防止することができる。そして、フォトリソグラフ
ィーを用いたパターニングにおいては、１００μｍを切
るような微細加工が可能であり、金属電極を数十μｍ以
下のレベルでパターニングすることが可能となる。According to the method of manufacturing an organic electroluminescence device according to the first aspect of the present invention, even if the metal electrode is patterned by photolithography, the organic light emitting region layer is protected by the metal layer serving as the metal electrode. Therefore, it is possible to prevent the organic light emitting region layer from being greatly affected. Then, in patterning using photolithography, fine processing of less than 100 μm is possible, and metal electrodes can be patterned at a level of several tens μm or less.
【００５１】さらに、上述のようなエッチングに際し
て、レジストによりマスクされていない金属電極ととも
に該金属電極の下の有機発光層も除去するものとした場
合には、金属電極とともに、有機発光層もフォトリソグ
ラフィーを用いてパターニングされることになり、有機
発光層をフォトリソグラフィーを用いてパターニングす
るものとしても、有機発光領域層を金属電極により、フ
ォトリソグラフィーで用いられる有機溶剤や水溶液やそ
の他の薬品や紫外線から保護することができるので、有
機発光層の数十μｍ以下のレベルでのパターニングが可
能となる。Further, in the case where the organic light-emitting layer under the metal electrode is removed together with the metal electrode not masked by the resist during the above-described etching, the organic light-emitting layer is removed by photolithography together with the metal electrode. The organic light emitting layer is patterned by using photolithography, and the organic light emitting region layer is formed by a metal electrode from an organic solvent, an aqueous solution, other chemicals, and ultraviolet light used in photolithography. Since the organic light emitting layer can be protected, it can be patterned at a level of several tens μm or less.
【００５２】本発明の請求項２記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法によれば、金属電極の一部
を除去する際に、ドライエッチングを用いるので、ウェ
ットエッチングのように基板がエッチング液に浸される
ことがなく、有機発光領域層がエッチング液の影響を受
けるのを防止することができる。また、ドライエッチン
グに際しては、基板がプラズマに曝されるが、金属電極
が比較的厚ければ、レジスト層及び金属電極を超えて有
機発光領域層がプラズマダメージを受けるのを防止する
ことができる。According to the method of manufacturing an organic electroluminescence device according to the second aspect of the present invention, when a part of the metal electrode is removed, dry etching is used, so that the substrate is immersed in an etching solution as in wet etching. Therefore, the organic light emitting region layer can be prevented from being affected by the etchant. In dry etching, the substrate is exposed to plasma. However, if the metal electrode is relatively thick, it is possible to prevent the organic light emitting region layer from being damaged by plasma beyond the resist layer and the metal electrode.
【００５３】本発明の請求項３記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法によれば、金属電極のエッ
チングをドライエッチングするものとした際に、金属電
極の厚みが十分なものとなっているので、上述のように
レジスト層及び金属電極を超えて有機発光層がプラズマ
ダメージを受けるのを防止することができる。According to the method of manufacturing an organic electroluminescence device according to the third aspect of the present invention, when the metal electrode is dry-etched, the metal electrode has a sufficient thickness. As described above, it is possible to prevent the organic light emitting layer from being damaged by plasma beyond the resist layer and the metal electrode.
【００５４】本発明の請求項４記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法によれば、エッチング終了
後に、フォトレジストを除去しないので、発光領域層が
フォトレジストを除去するための有機溶剤やその他の薬
液の影響を受けることがない。従って、フォトレジスト
を除去しないことにより、有機ＥＬ素子が劣化すること
を防止できるとともに、工程を簡略化して製造コストの
低減を図ることができる。According to the method of manufacturing an organic electroluminescence device according to the fourth aspect of the present invention, the photoresist is not removed after the etching is completed. Is not affected. Therefore, by not removing the photoresist, it is possible to prevent the organic EL element from deteriorating, and to simplify the steps to reduce the manufacturing cost.
【００５５】本発明の請求項５記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法によれば、金属電極と透明
電極からなる電極側の外部接続部とが接続された状態と
なるとともに、外部接続部の一部が露出しているので、
外部接続部の露出した部分からパターニングされた金属
電極に電気信号を送ることができる。すなわち、金属電
極のパターニングが終了した時点で、電極側の配線が外
部接続部分も含めて完了することになり、工程を簡略化
することができる。According to the method of manufacturing an organic electroluminescence device according to the fifth aspect of the present invention, the metal electrode and the external connection portion on the electrode side composed of the transparent electrode are connected to each other, and at the same time, one of the external connection portions is formed. Because the part is exposed,
An electrical signal can be sent from the exposed portion of the external connection to the patterned metal electrode. That is, when the patterning of the metal electrode is completed, the wiring on the electrode side is completed including the external connection portion, and the process can be simplified.
【００５６】本発明の請求項６記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法によれば、上述のように、
フォトリソグラフィーにより有機発光層をパターニング
するものとしても、有機発光領域層が金属電極に保護さ
れているので、フォトリソグラフィーに用いられる各種
有機溶剤やその他の薬液や紫外線やプラズマにより有機
発光領域層が劣化するのを防止できるとともに、有機発
光層を数十μｍ以下のレベルでパターニングすることが
可能となる。According to the method of manufacturing an organic electroluminescence device according to claim 6 of the present invention, as described above,
Even when patterning the organic light emitting layer by photolithography, the organic light emitting region layer is protected by metal electrodes, so the organic light emitting region layer is degraded by various organic solvents used in photolithography, other chemicals, ultraviolet rays, and plasma And the organic light emitting layer can be patterned at a level of several tens μm or less.
【図１】（Ａ）、（Ｂ）はともに本発明の実施の形態の
一例の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法を
説明するための製造途中の有機ＥＬ素子の断面図であ
る。FIGS. 1A and 1B are cross-sectional views of an organic EL element in the course of manufacture for illustrating a method of manufacturing an organic electroluminescent element according to an embodiment of the present invention.
【図２】（Ａ）、（Ｂ）はともに上記例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法を説明するための製造
途中の有機ＥＬ素子の断面図である。FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views of an organic EL element in the course of manufacture for explaining a method of manufacturing the organic electroluminescent element of the above example.
【図３】（Ａ）、（Ｂ）はともに上記例の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法を説明するための製造
途中の有機ＥＬ素子の断面図である。FIGS. 3A and 3B are cross-sectional views of an organic EL element in the course of manufacture for explaining a method of manufacturing the organic electroluminescent element of the above example.
１ 透明基板 ２ 透明電極 ２ａ 外部接続部 ３ 有機発光層 ４ 金属陰極（金属電極） ５ メタル層 ６ フォトレジスト ７ 有機発光領域層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent substrate 2 Transparent electrode 2a External connection part 3 Organic light emitting layer 4 Metal cathode (metal electrode) 5 Metal layer 6 Photoresist 7 Organic light emitting area layer
Claims (6)
形成した後に、該有機発光層上に金属電極となるメタル
層を形成する形成工程と、 次いで、形成されたメタル層をフォトリソグラフィーに
よりパターニングするパターニング工程とを備えたこと
を特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造
方法。1. A forming step of forming a transparent electrode and an organic light emitting layer on a transparent substrate, and then forming a metal layer to be a metal electrode on the organic light emitting layer, and then forming the formed metal layer by photolithography. And a patterning step of patterning the organic electroluminescent element.
フォトレジスト塗布工程と、露光工程と、現像工程と、
エッチング工程とを行い、該エッチング工程に際し、ド
ライエッチングを行うことを特徴とする請求項１記載の
有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。2. In the patterning step,
A photoresist coating process, an exposure process, a development process,
2. The method according to claim 1, wherein an etching step is performed, and dry etching is performed in the etching step.
することを特徴とする請求項１または２記載の有機エレ
クトロルミネッセンス素子の製造方法。3. The method according to claim 1, wherein the thickness of the metal layer is 0.1 μm or more.
ング工程後、フォトレジストを除去せずにフォトレジス
トを残した状態とすることを特徴とする請求項１から３
のいずれか一つに記載の有機エレクトロルミネッセンス
素子の製造方法。4. The patterning step according to claim 1, wherein after the etching step, the photoresist is not removed without removing the photoresist.
The method for producing an organic electroluminescence device according to any one of the above.
側縁部に金属電極側の外部接続部を上記透明電極の他の
部分と絶縁した状態に設けるとともに、上記外部接続部
の少なくとも一部と上記メタル層とが直接重なるよう
に、上記メタル層を形成し、 上記パターニング工程において、上記外部接続部の一部
が露出した状態で、該外部接続部と上記メタル層からな
る上記金属電極とが重なった部分を残すことを特徴とす
る請求項１から４のいずれか一つに記載の有機エレクト
ロルミネッセンス素子の製造方法。5. In the forming step, an external connection portion on the side of the metal electrode is provided at a side edge of the transparent electrode in a state insulated from other portions of the transparent electrode, and at least a part of the external connection portion is provided. The metal layer is formed so that the metal layer directly overlaps, and in the patterning step, the external connection portion and the metal electrode made of the metal layer are formed in a state where a part of the external connection portion is exposed. The method according to any one of claims 1 to 4, wherein an overlapped portion is left.
ル層をパターニングするとともに、上記メタル層の下の
上記有機発光層をパターニングすることを特徴とする請
求項１から５のいずれか一つに記載の有機エレクトロル
ミネッセンス素子の製造方法。6. The organic semiconductor device according to claim 1, wherein, in the patterning step, the metal layer is patterned, and the organic light emitting layer below the metal layer is patterned. A method for manufacturing an electroluminescence element.
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3948082B2 (en) |
Cited By (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001103334A (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Remote control transmitter and image display device |
| JP2002170673A (en) * | 2000-09-25 | 2002-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacturing method of electroluminescent element |
| JP2002170668A (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescent display element, method of manufacturing |
| EP1261044A3 (en) * | 2000-09-25 | 2003-01-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for producing organic electroluminescent element |
| JP2003036971A (en) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for manufacturing electroluminescent element |
| WO2003092333A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for fabricating organic el element |
| JP2003332073A (en) * | 2002-03-07 | 2003-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
| JP2004006278A (en) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and its manufacturing method |
| WO2004110105A1 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Pioneer Corporation | Organic semiconductor device and its manufacturing method |
| EP1566987A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-08-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for fabricating electroluminescent element |
| EP1569500A1 (en) * | 2002-04-10 | 2005-08-31 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for manufacturing electroluminescent device |
| GB2440635A (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-06 | Fuji Electric Holdings Co | Method of Manufacturing a Patterned Colour Conversion Layer, a Colour Conversion Filter and an Organic EL Display that Use the Colour Conversion Layer |
| US7629018B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| CN102983281A (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-20 | 佳能株式会社 | Organic luminescent device and method for manufacturing the same |
| JP2014500571A (en) * | 2010-10-12 | 2014-01-09 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Method for manufacturing an organic electronic device |
| JP2014170753A (en) * | 2000-02-01 | 2014-09-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| US8852687B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8859325B2 (en) | 2010-01-14 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8859043B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8865252B2 (en) | 2010-04-06 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8871542B2 (en) | 2010-10-22 | 2014-10-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light emitting display apparatus, and organic light emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8882922B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8882556B2 (en) | 2010-02-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8906731B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus |
| US8951610B2 (en) | 2011-07-04 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| JP5666300B2 (en) * | 2008-07-22 | 2015-02-12 | 昭和電工株式会社 | Method for manufacturing organic electroluminescence element with sealing member |
| US8956697B2 (en) | 2012-07-10 | 2015-02-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US8968822B2 (en) | 2002-03-07 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of fabricating the same |
| US8968829B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-03-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8973525B2 (en) | 2010-03-11 | 2015-03-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| JP2016004910A (en) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | Organic light emission device |
| US9249493B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same |
| JP2016021380A (en) * | 2014-06-17 | 2016-02-04 | キヤノン株式会社 | Organic light emitting device and manufacturing method of the same |
| US9279177B2 (en) | 2010-07-07 | 2016-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9306191B2 (en) | 2012-10-22 | 2016-04-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| US9388488B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9450140B2 (en) | 2009-08-27 | 2016-09-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| US9461277B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-10-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| US9466647B2 (en) | 2012-07-16 | 2016-10-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat panel display device and method of manufacturing the same |
| US9591701B2 (en) | 2014-03-27 | 2017-03-07 | Japan Display Inc. | EL display device |
| US9748483B2 (en) | 2011-01-12 | 2017-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same |
| US10246769B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| WO2022149042A1 (en) * | 2021-01-08 | 2022-07-14 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | Display device, method for manufacturing display device, and electronic apparatus |
Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414891A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film el element |
| JPS6441194A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-13 | Komatsu Mfg Co Ltd | Manufacture of thin film electroluminescent element |
| JPH0266873A (en) * | 1988-06-27 | 1990-03-06 | Eastman Kodak Co | Electric field light emitting device |
| JPH02207487A (en) * | 1989-02-06 | 1990-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Forming method for thin film el element |
| JPH06151062A (en) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Seiko Epson Corp | Manufacture of light emitting element |
| JPH09102393A (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescent display panel and its manufacture |
| JPH09293589A (en) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Pioneer Electron Corp | Manufacture of organic el display |
| JPH10172761A (en) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Tdk Corp | Organic electroluminescent element, manufacture thereof, organic electroluminescent display device, and manufacture thereof |
| JP2000512428A (en) * | 1996-06-12 | 2000-09-19 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ | Thin film patterning for organic multicolor display manufacturing |
-
1997
- 1997-11-05 JP JP30299597A patent/JP3948082B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6414891A (en) * | 1987-07-08 | 1989-01-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Thin film el element |
| JPS6441194A (en) * | 1987-08-07 | 1989-02-13 | Komatsu Mfg Co Ltd | Manufacture of thin film electroluminescent element |
| JPH0266873A (en) * | 1988-06-27 | 1990-03-06 | Eastman Kodak Co | Electric field light emitting device |
| JPH02207487A (en) * | 1989-02-06 | 1990-08-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Forming method for thin film el element |
| JPH06151062A (en) * | 1992-11-12 | 1994-05-31 | Seiko Epson Corp | Manufacture of light emitting element |
| JPH09102393A (en) * | 1995-10-06 | 1997-04-15 | Pioneer Electron Corp | Organic electroluminescent display panel and its manufacture |
| JPH09293589A (en) * | 1996-04-26 | 1997-11-11 | Pioneer Electron Corp | Manufacture of organic el display |
| JP2000512428A (en) * | 1996-06-12 | 2000-09-19 | ザ トラスティーズ オブ プリンストン ユニバーシテイ | Thin film patterning for organic multicolor display manufacturing |
| JPH10172761A (en) * | 1996-12-10 | 1998-06-26 | Tdk Corp | Organic electroluminescent element, manufacture thereof, organic electroluminescent display device, and manufacture thereof |
Cited By (64)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001103334A (en) * | 1999-09-29 | 2001-04-13 | Sanyo Electric Co Ltd | Remote control transmitter and image display device |
| US9613989B2 (en) | 2000-02-01 | 2017-04-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2014170753A (en) * | 2000-02-01 | 2014-09-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Display device |
| US9105521B2 (en) | 2000-02-01 | 2015-08-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device having light emitting elements with red color filters |
| US9263469B2 (en) | 2000-02-01 | 2016-02-16 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JP2002170673A (en) * | 2000-09-25 | 2002-06-14 | Dainippon Printing Co Ltd | Manufacturing method of electroluminescent element |
| EP1261044A3 (en) * | 2000-09-25 | 2003-01-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for producing organic electroluminescent element |
| US6617186B2 (en) | 2000-09-25 | 2003-09-09 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for producing electroluminescent element |
| JP2002170668A (en) * | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Toppan Printing Co Ltd | Organic electroluminescent display element, method of manufacturing |
| JP2003036971A (en) * | 2001-07-25 | 2003-02-07 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for manufacturing electroluminescent element |
| JP4578026B2 (en) * | 2001-07-25 | 2010-11-10 | 大日本印刷株式会社 | Method for manufacturing electroluminescent device |
| US8968822B2 (en) | 2002-03-07 | 2015-03-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of fabricating the same |
| US11005062B2 (en) | 2002-03-07 | 2021-05-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of fabricating the same |
| US10170724B2 (en) | 2002-03-07 | 2019-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method of fabricating the same |
| JP2003332073A (en) * | 2002-03-07 | 2003-11-21 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light emitting device and its manufacturing method |
| US7629018B2 (en) | 2002-03-26 | 2009-12-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2004006278A (en) * | 2002-03-26 | 2004-01-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Light-emitting device and its manufacturing method |
| EP1569500A1 (en) * | 2002-04-10 | 2005-08-31 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for manufacturing electroluminescent device |
| EP1569500A4 (en) * | 2002-04-10 | 2009-09-30 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for manufacturing electroluminescent device |
| US7396269B2 (en) | 2002-04-24 | 2008-07-08 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for fabricating organic EL element |
| WO2003092333A1 (en) * | 2002-04-24 | 2003-11-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for fabricating organic el element |
| EP1566987A4 (en) * | 2002-11-27 | 2009-08-19 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for fabricating electroluminescent element |
| US8070545B2 (en) | 2002-11-27 | 2011-12-06 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for fabricating electroluminescent element |
| EP2262348A1 (en) * | 2002-11-27 | 2010-12-15 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for manufacturing an electroluminescent element |
| EP1566987A1 (en) * | 2002-11-27 | 2005-08-24 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Method for fabricating electroluminescent element |
| US7776645B2 (en) | 2003-06-06 | 2010-08-17 | Pioneer Corporation | Organic semiconductor device and its manufacturing method |
| JP4566910B2 (en) * | 2003-06-06 | 2010-10-20 | パイオニア株式会社 | Organic semiconductor device and manufacturing method thereof |
| JPWO2004110105A1 (en) * | 2003-06-06 | 2006-07-20 | パイオニア株式会社 | Organic semiconductor device and manufacturing method thereof |
| WO2004110105A1 (en) * | 2003-06-06 | 2004-12-16 | Pioneer Corporation | Organic semiconductor device and its manufacturing method |
| GB2440635A (en) * | 2006-08-03 | 2008-02-06 | Fuji Electric Holdings Co | Method of Manufacturing a Patterned Colour Conversion Layer, a Colour Conversion Filter and an Organic EL Display that Use the Colour Conversion Layer |
| JP5666300B2 (en) * | 2008-07-22 | 2015-02-12 | 昭和電工株式会社 | Method for manufacturing organic electroluminescence element with sealing member |
| US8968829B2 (en) | 2009-08-25 | 2015-03-03 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9450140B2 (en) | 2009-08-27 | 2016-09-20 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus using the same |
| US8876975B2 (en) | 2009-10-19 | 2014-11-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US9224591B2 (en) | 2009-10-19 | 2015-12-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of depositing a thin film |
| US10246769B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-04-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US10287671B2 (en) | 2010-01-11 | 2019-05-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8859325B2 (en) | 2010-01-14 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8882556B2 (en) | 2010-02-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8973525B2 (en) | 2010-03-11 | 2015-03-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US9453282B2 (en) | 2010-03-11 | 2016-09-27 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| US8865252B2 (en) | 2010-04-06 | 2014-10-21 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US9136310B2 (en) | 2010-04-28 | 2015-09-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US8894458B2 (en) | 2010-04-28 | 2014-11-25 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| US9279177B2 (en) | 2010-07-07 | 2016-03-08 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method |
| JP2014500571A (en) * | 2010-10-12 | 2014-01-09 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | Method for manufacturing an organic electronic device |
| US9388488B2 (en) | 2010-10-22 | 2016-07-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
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| US8882922B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-11-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US8852687B2 (en) | 2010-12-13 | 2014-10-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| US9748483B2 (en) | 2011-01-12 | 2017-08-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Deposition source and organic layer deposition apparatus including the same |
| US9249493B2 (en) | 2011-05-25 | 2016-02-02 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the same |
| US8859043B2 (en) | 2011-05-25 | 2014-10-14 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same |
| US8906731B2 (en) | 2011-05-27 | 2014-12-09 | Samsung Display Co., Ltd. | Patterning slit sheet assembly, organic layer deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display apparatus, and the organic light-emitting display apparatus |
| US8951610B2 (en) | 2011-07-04 | 2015-02-10 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic layer deposition apparatus |
| CN102983281A (en) * | 2011-09-02 | 2013-03-20 | 佳能株式会社 | Organic luminescent device and method for manufacturing the same |
| US8956697B2 (en) | 2012-07-10 | 2015-02-17 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus and organic light-emitting display apparatus manufactured by using the method |
| US9461277B2 (en) | 2012-07-10 | 2016-10-04 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting display apparatus |
| US9466647B2 (en) | 2012-07-16 | 2016-10-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Flat panel display device and method of manufacturing the same |
| US9306191B2 (en) | 2012-10-22 | 2016-04-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| US9591701B2 (en) | 2014-03-27 | 2017-03-07 | Japan Display Inc. | EL display device |
| JP2016004910A (en) * | 2014-06-17 | 2016-01-12 | キヤノン株式会社 | Organic light emission device |
| JP2016021380A (en) * | 2014-06-17 | 2016-02-04 | キヤノン株式会社 | Organic light emitting device and manufacturing method of the same |
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