JPH10197906A - Electrochromic element - Google Patents

Electrochromic element

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Publication number
JPH10197906A
JPH10197906A JP9061400A JP6140097A JPH10197906A JP H10197906 A JPH10197906 A JP H10197906A JP 9061400 A JP9061400 A JP 9061400A JP 6140097 A JP6140097 A JP 6140097A JP H10197906 A JPH10197906 A JP H10197906A
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JP
Japan
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layer
substrate
electrochromic
conductive
thin film
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Pending
Application number
JP9061400A
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Japanese (ja)
Inventor
Akiko Sakamoto
晶子 坂本
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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  • Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an electrochromic(EC) element of <=25% in the lower limit of transmittance by having a structure formed by joining a pair of element substrates formed with EC layers and a pair of electrode layers holding these layers on the surfaces to each other via sealing resins and providing the end faces of element substrates with taking-out parts of respective electrode layers. SOLUTION: This element is constituted by joining the EC elements (two) formed on the substrates via the sealing resins with the element surfaces faced on the inner side. The constitution of the EC elements formed on the substrate is obtd. by successively laminating lower electrodes 11, 21, the EC layers 1, 2 and upper electrodes 12, 22 respectively from the respective glass substrate 3, 4 side. The EC layers 1, 2 are respectively colored and decolored by impressing voltages between the lower electrode layer 11 and upper electrode layer 12 of the EC layer 1 and between the lower electrode layer 21 and upper electrode layer 22 of the EC layer 2. Such EC element is provided with take-out electrode parts at the end faces of the element substrates. As a result, the need for providing the surfaces of the element substrates with areas for electrode take-out is eliminated and therefore, the sizes of the substrates are effectively utilized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光量制御や表示に
使用されるエレクトロクロミック素子に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrochromic device used for controlling light quantity and displaying.

【0002】[0002]

【従来の技術】電圧を印加すると可逆的に電解酸化また
は還元反応が起こり、可逆的に着消色する現象をエレク
トロクロミズムという。この様な現象を示すエレクトロ
クロミック(以下、ECと略す場合がある)物質を用い
て、電圧操作により着消色するEC素子(以下、ECDと略
す場合がある)を作り、このECD を光量制御素子(例え
ば、調光ガラスや防眩ミラーなど)や7セグメントを利
用した数字表示素子に利用しようとする試みは、20年
以上前から行われている。
2. Description of the Related Art A phenomenon in which an electrolytic oxidation or reduction reaction occurs reversibly when a voltage is applied, and the color reversibly turns on and off is called electrochromism. Using an electrochromic (hereinafter sometimes abbreviated as EC) substance that exhibits such a phenomenon, an EC element (hereinafter sometimes abbreviated as ECD) that can be turned on and off by applying voltage is made, and the ECD is controlled in light intensity. Attempts to use elements (for example, light control glass and anti-glare mirrors) and numerical display elements using 7 segments have been made for more than 20 years.

【0003】ECDは、ECDを構成する各層の材料形態によ
って、溶液型、ゲル型、全固体型等に大別することがで
き、その中でも全固体型ECDは、各層が全て薄膜状に積
層して形成されている。そのため、全固体型ECDでは、
溶液型やゲル型のECDを作製するときのような、各層を
別々の基板に形成して両基板を貼り合わせる工程や液状
材料の密封の工程が不要であり、大型化が容易と考えら
れている。
ECDs can be broadly classified into solution type, gel type, all solid type, etc. according to the material form of each layer constituting the ECD. Among them, all solid type ECDs are formed by laminating all layers in a thin film form. It is formed. Therefore, in the all-solid-state ECD,
The process of forming each layer on a separate substrate and bonding both substrates and sealing the liquid material, such as when manufacturing a solution-type or gel-type ECD, are not required, and it is thought that the size can be easily increased. I have.

【0004】例えば、ガラス基板の上に、透明電極層
(陰極)、三酸化タングステン薄膜層(EC層)、二酸化
ケイ素のような絶縁層、電極層(陽極)を順次積層して
なるECD(特公昭52−46098参照)が全固体型ECD
として知られている。ECDに電圧(着色電圧)を印加す
ると、三酸化タングステン(WO3)薄膜層が青色に着色
する。その後、このECDに逆の電圧(消色電圧)を印加
すると、WO3薄膜層の青色が消えて、無色になる。この
着消色する機構は詳しくは解明されていないが、WO3
膜層及び絶縁層(イオン導電層)中に含まれる少量の水
分がWO3の着消色を支配していると理解されている。
[0004] For example, an ECD (special feature) in which a transparent electrode layer (cathode), a tungsten trioxide thin film layer (EC layer), an insulating layer such as silicon dioxide, and an electrode layer (anode) are sequentially laminated on a glass substrate. All-solid-state ECD
Also known as When a voltage (coloring voltage) is applied to the ECD, the tungsten trioxide (WO 3 ) thin film layer is colored blue. Thereafter, when a reverse voltage (decoloring voltage) is applied to this ECD, the blue color of the WO 3 thin film layer disappears, and the ECD becomes colorless. Although the mechanism of the discoloration is not elucidated in detail, it is understood that a small amount of water contained in the WO 3 thin film layer and the insulating layer (ion conductive layer) controls the discoloration of the WO 3. I have.

【0005】着色の反応式は、以下のように推定されて
いる。 従って、このような表示素子の欠点としては、(1)着
色反応の際、酸素ガス発生という好ましくない副反応に
より含有水分が消費されること、及び(2)逆の消色反
応によって水が生成されないので、着色の繰り返しには
大気中からの水の補給が必要なことである。特に後者
(2)の理由によりこのタイプの表示素子には、着色の
再現性が大気中の水分の影響を受ける欠点がある。
[0005] The reaction formula for coloring is estimated as follows. Therefore, the disadvantages of such a display element are that (1) the contained water is consumed by an undesired side reaction such as generation of oxygen gas during the coloring reaction, and (2) water is generated by the reverse decoloring reaction. Therefore, it is necessary to replenish water from the atmosphere in order to repeat coloring. In particular, for the latter reason (2), this type of display element has a drawback that the reproducibility of coloring is affected by atmospheric moisture.

【0006】最近、着色反応により消費される水の量と
同じ量の水が消色反応により生成され、従って外界から
の水の補給を必要とせずに着色消色を繰り返すことがで
き、しかも繰り返される着色濃度が外界の影響を受けな
い全固体型EC素子が提案された(特開昭52−7374
9号公報参照)。この表示素子は、基本的には透明電極
膜、電解還元発色性薄膜(EC層)たとえばWO3、電解酸
化性薄膜(EC層)例えばCr2O3、及び対向電極を順次積
層してなるものである。又、前記公報の開示によれば、
電圧印加による着色後、電圧を解除した場合、着色が自
然放電により次第に消色する現象が見られ、電圧解除後
も着色が保存される性質(これをメモリー性という)を
この表示素子に与えるためには、透明電極と対向電極と
の間の任意の位置に絶縁膜例えば二酸化ケイ素、フッ化
マグネシウムなどの薄膜を設ける必要があるという。特
公昭62−52845号公報によれば、この絶縁膜は、
電子の良導体ではないが、プロトン、及びヒドロキシイ
オンの移動は自由にできる物質である、つまりイオン導
電物質と推察されている。また、前記公報の開示によれ
ば、絶縁膜即ちイオン導電層は電解還元発色性薄膜と電
解酸化発色性薄膜との間に存在させることが最も望まし
いこと、並びに電解還元発色性薄膜と電解酸化発色性薄
膜とは、両者とも発色性である必要がなく、いずれか一
方が外部より変化が識別できるような変色をすれば足り
ることを見い出したとされている。EC層を直接または間
接的に挟む一対の電極層は、EC層の着消色を外部に見せ
るために、少なくとも一方の電極層は透明でなければな
らない。特に、透過型ECDの場合は両電極層とも透明で
なければならない。
[0006] Recently, the same amount of water has been produced by the decoloring reaction as the amount of water consumed by the coloring reaction, so that the coloring and decoloring can be repeated without the need for replenishment of water from the outside world, and the repetition is repeated. An all-solid-state EC device in which the coloring density is not affected by the outside world has been proposed (JP-A-52-7374).
No. 9). This display element is basically formed by sequentially laminating a transparent electrode film, an electrolytic reduction color-forming thin film (EC layer) such as WO 3 , an electrolytic oxidizing thin film (EC layer) such as Cr 2 O 3 , and a counter electrode. It is. Also, according to the disclosure of the above publication,
When the voltage is released after coloring by applying a voltage, a phenomenon is seen in which the coloring gradually disappears due to spontaneous discharge, and this display element has a property that the coloring is preserved even after the voltage is released (this is called a memory property). It is necessary to provide an insulating film, for example, a thin film of silicon dioxide, magnesium fluoride, or the like at an arbitrary position between the transparent electrode and the counter electrode. According to Japanese Patent Publication No. 62-52845, this insulating film is
Although it is not a good conductor of electrons, it is a substance that can freely move protons and hydroxy ions, that is, it is presumed that it is an ion conductive substance. According to the disclosure of the above publication, it is most desirable that the insulating film, that is, the ionic conductive layer, is present between the electrolytic reduction color-forming thin film and the electrolytic oxidation color-forming thin film. It is alleged that it has been found that it is not necessary that both of the functional thin films have a color-forming property, and that either one of them has a color change such that a change can be recognized from the outside. At least one of the pair of electrode layers directly or indirectly sandwiching the EC layer must be transparent in order to make the coloration and decoloration of the EC layer appear to the outside. In particular, in the case of a transmission type ECD, both electrode layers must be transparent.

【0007】透明な電極層材料としては、現在のところ
SnO2、In2O3、ITO(In2O3とSnO2の混合物)、ZnO等が知
られているが、これらの材料は比較的透明度が悪いため
に薄くせねばならず、この理由及びその他の理由からEC
Dは基板(例えば、ガラス板やプラスチック板)の上に
形成されるのが普通である。また、ECDは用途によっ
て、素子を保護するための封止基板を素子基板と対向す
るようにするように配置し、例えばエポキシ樹脂等を用
いて密封封止して用いられる。
At present, as a transparent electrode layer material,
SnO 2 , In 2 O 3 , ITO (a mixture of In 2 O 3 and SnO 2 ), ZnO, etc. are known, but these materials have to be made thinner because of their relatively poor transparency. EC for other reasons
D is usually formed on a substrate (for example, a glass plate or a plastic plate). In addition, the ECD is used by arranging a sealing substrate for protecting the element so as to face the element substrate depending on the use, and sealingly sealing the element with, for example, an epoxy resin.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとしている課題】ECDの透過率は上
限は消色時で約80%、着色時で約25%である。透過
率の下限をもっと低くすると、例えば、シャッターとし
ての用途が広がることから透過率25%以下を実現する
ことが要求されている。しかし、例えば、ECDを着色さ
せることにより透過率を下げようとして印加電圧を上げ
ていくと、その素子の限界の電圧を越えるとECDは膜剥
離等を起こし壊れてしまうという問題がある。また、EC
層の膜厚を増やしても、ある膜厚以上では着色濃度は飽
和してしまい透過率を25%より下げることができな
い。
The upper limit of the transmittance of the ECD is about 80% when the color is erased and about 25% when the color is colored. If the lower limit of the transmittance is further reduced, for example, the application as a shutter is widened, so that it is required to realize a transmittance of 25% or less. However, for example, when the applied voltage is increased in order to lower the transmittance by coloring the ECD, if the applied voltage exceeds the limit voltage of the element, there is a problem that the ECD is peeled off and the film is broken. Also, EC
Even if the thickness of the layer is increased, the coloring density is saturated at a certain thickness or more, and the transmittance cannot be reduced below 25%.

【0009】本発明はこのような従来の問題点に鑑みて
なされたものであり、透過率の下限が25%以下である
ECDを提供することを目的とする。ECDの提供を目的とす
る。
The present invention has been made in view of such conventional problems, and the lower limit of the transmittance is 25% or less.
The purpose is to provide ECD. To provide ECD.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に「少なくともエレクトロクロミック層とこれを挟む一
対の電極層を表面にそれぞれ形成した一対の素子基板を
前記各層の形成面を互いに向かい合わせ封止樹脂を介し
て接合した構造を有し、前記各電極層の取り出し部を少
なくとも前記素子基板の端面に設けたことを特徴とする
エレクトロクロミック素子(請求項1)」を提供する。
Accordingly, the present invention firstly provides a device comprising: a pair of element substrates each having at least an electrochromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer formed on a surface thereof, with the surfaces on which the respective layers are formed facing each other; An electrochromic element (Claim 1), having a structure in which the electrode layers are joined via a sealing resin and provided with a lead-out portion for each of the electrode layers at least on an end surface of the element substrate.

【0011】また、本発明は第二に「少なくともエレク
トロクロミック層とこれを挟む一対の電極層を表面に形
成した素子基板の各層形成面を封止樹脂を介して封止基
板により封止したエレクトロクロミック素子が複数個接
合されてなり、かつ前記各電極層の取り出し部が少なく
とも前記素子基板の端面に設けられたことを特徴とする
エレクトロクロミック素子(請求項2)」を提供する。
The present invention is also directed to a second aspect of the present invention in which an electrochromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer are formed on a surface of each element substrate. An electrochromic device (Claim 2), wherein a plurality of chromic devices are joined and a lead-out portion of each of the electrode layers is provided at least on an end surface of the device substrate.

【0012】また、本発明は第三に「少なくともエレク
トロクロミック層とこれを挟む一対の電極層を表面に形
成した第一素子基板の各層形成面上に、少なくともエレ
クトロクロミック層とこれを挟む一対の電極層を表面に
形成した第二素子基板の各層非形成面を第一封止樹脂を
介して接合し、さらに前記第二素子基板の各層形成面
を、第二封止樹脂を介して封止基板により封止してな
り、かつ前記各電極層の取り出し部が少なくとも前記素
子基板の端面に設けられたことを特徴とするエレクトロ
クロミック素子(請求項3)」を提供する。
The present invention also provides a third aspect of the present invention wherein "at least an electrochromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer are formed on each layer forming surface of the first element substrate having a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer formed on the surface thereof. The non-layer forming surfaces of the second element substrate having the electrode layer formed on the surface are joined via a first sealing resin, and the respective layer forming surfaces of the second element substrate are further sealed via a second sealing resin. An electrochromic device (Claim 3), characterized in that the device is sealed with a substrate, and a lead-out portion of each of the electrode layers is provided at least on an end surface of the device substrate.

【0013】また、本発明は第四に「少なくともエレク
トロクロミック層とこれを挟む一対の電極層を表面に形
成した第一素子基板の各層形成面を第一封止樹脂を介し
て封止基板により封止し、さらに少なくともエレクトロ
クロミック層とこれを挟む一対の電極層を表面に形成し
た第二素子基板の各層形成面を第二封止樹脂を介して前
記封止基板の非接合面により封止してなり、かつ前記各
電極層の取り出し部が少なくとも前記素子基板の端面に
設けられたことを特徴とするエレクトロクロミック素子
(請求項4)」を提供する。
The present invention also provides a fourth aspect of the present invention in which "the at least electrochromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer are formed on the surface of each layer of the first element substrate with the sealing substrate via the first sealing resin. Each layer forming surface of the second element substrate on which at least an electrochromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer are formed is sealed with a non-bonding surface of the sealing substrate via a second sealing resin. And an extraction portion for each of the electrode layers is provided on at least an end face of the element substrate.

【0014】また、本発明は第五に「前記各電極層の取
り出し部に導電性薄膜又は導電性ペースト及び導電性ク
リップを設けたことを特徴とする請求項1〜4記載のエ
レクトロクロミック素子(請求項5)」を提供する。ま
た、本発明は第六に「一方の素子基板端面に形成された
取り出し電極部から他方の素子基板端面に形成された取
り出し電極部にかけて導電性ペーストを塗布するか、或
いは導電性薄膜を形成し、該導電性ペースト上又は導電
性薄膜上に導電性クリップを設けたことを特徴とする請
求項1記載のエレクトロクロミック素子(請求項6)」
を提供する。
Further, the present invention fifthly provides "an electrochromic device according to any one of claims 1 to 4, wherein a conductive thin film or a conductive paste and a conductive clip are provided at the extraction portion of each electrode layer. Claim 5) "is provided. In addition, the present invention provides a method of applying a conductive paste or forming a conductive thin film from the extraction electrode portion formed on one element substrate end surface to the extraction electrode portion formed on the other element substrate end surface. 2. The electrochromic device according to claim 1, wherein a conductive clip is provided on the conductive paste or the conductive thin film.
I will provide a.

【0015】また、本発明は第七に「前記接合されたエ
レクトロクロミック素子を構成する一つのエレクトロク
ロミック素子基板の前記取り出し電極部から残りのエレ
クトロクロミック素子基板の前記取りだし電極部にかけ
て導電性ペーストを塗布するか、或いは導電性薄膜を形
成し、該導電性ペースト上又は導電性薄膜上に導電性ク
リップを設けたことを特徴とする請求項2記載のエレク
トロクロミック素子(請求項7)」を提供する。
Further, the present invention is a seventh aspect of the present invention wherein "the conductive paste is applied from the take-out electrode portion of one electrochromic device substrate constituting the joined electrochromic device to the take-out electrode portion of the remaining electrochromic device substrate. 3. An electrochromic device according to claim 2, wherein a conductive clip is provided on the conductive paste or the conductive thin film by coating or forming a conductive thin film. I do.

【0016】また、本発明は第八に「前記第一素子基板
の端面に形成された取り出し電極部から前記第二素子基
板の端面に形成された取り出し電極部及び前記封止基板
にかけて導電性ペーストを塗布するか、或いは導電性薄
膜を形成し、該導電性ペースト上又は導電性薄膜上に導
電性クリップを設けたことを特徴とする請求項3又は4
記載のエレクトロクロミック素子(請求項8)」を提供
する。
Also, the present invention is an eighth aspect of the present invention wherein the conductive paste extends from the extraction electrode portion formed on the end surface of the first element substrate to the extraction electrode portion formed on the end surface of the second element substrate and the sealing substrate. Or a conductive thin film is formed, and a conductive clip is provided on the conductive paste or the conductive thin film.
The present invention provides an electrochromic device (claim 8).

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】図1は本発明にかかる実施形態1
のECDの概略平面図と概略断面図である。本発明にかか
る実施形態1のECDは基板上に形成されたEC素子(二
つ)を素子面を内側にして封止樹脂を介して接合された
構成である。基板上に形成されたEC素子の構成は、各
ガラス基板3、4側からそれぞれ下部電極11、21、
EC層1、2、上部電極12、22が順次積層されてい
る。EC層1の下部電極層11と上部電極層12との間、
EC層2の下部電極層21と上部電極層22との間に電圧
を印加する事により、EC層1、2がそれぞれ着消色す
る。
FIG. 1 shows a first embodiment according to the present invention.
1 is a schematic plan view and a schematic cross-sectional view of an ECD of FIG. The ECD according to the first embodiment of the present invention has a configuration in which two EC elements formed on a substrate are joined via a sealing resin with the element surface inside. The configuration of the EC element formed on the substrate is such that the lower electrodes 11, 21,
EC layers 1 and 2 and upper electrodes 12 and 22 are sequentially stacked. Between the lower electrode layer 11 and the upper electrode layer 12 of the EC layer 1;
When a voltage is applied between the lower electrode layer 21 and the upper electrode layer 22 of the EC layer 2, the EC layers 1 and 2 respectively color-disappear.

【0018】電極と外部配線の接続は、基板3、4のそ
れぞれの両端面に下部電極層11、21、上部電極層1
2、22が形成される際に回り込み現象により基板端面
に形成されるEC素子の取り出し電極部(図示されていな
い)と外部配線とを直接接続してもよいが、一般的に
は、取り出し電極部に導電性薄膜又は導電性ぺースト及
び導電性クリップ(以下、導電性薄膜等という)を設け
て、導電性薄膜等と外部配線とを接続する。
The electrodes are connected to the external wiring by connecting the lower electrode layers 11, 21 and the upper electrode layer 1 to both end surfaces of the substrates 3, 4, respectively.
When the electrodes 2 and 22 are formed, an extraction electrode portion (not shown) of the EC element formed on the end face of the substrate due to a wraparound phenomenon may be directly connected to an external wiring. A conductive thin film or a conductive paste and a conductive clip (hereinafter referred to as a conductive thin film or the like) are provided in the portion, and the conductive thin film or the like is connected to an external wiring.

【0019】EC層1の下部電極11とEC層2の下部電極
21とを電気的に接続させず、EC層1の上部電極12と
EC層2の上部電極22とを電気的に接触させずに外部電
源に接続した場合、それぞれのEC素子について透過率を
制御することが出来るので微調節が可能である。また、
EC層1の上部電極層12の取り出し電極部からEC層2の
上部電極層22の取り出し電極部にかけて導電性薄膜等
を形成し、EC層1の下部電極層11の取り出し電極部か
らEC層2の下部電極層21の取り出し電極部にかけて導
電性薄膜等を形成してもよい。この場合は、それぞれの
EC素子について透過率を制御することができないが、配
線の数を減らすことができる。
The lower electrode 11 of the EC layer 1 and the lower electrode 21 of the EC layer 2 are not electrically connected.
If the upper electrode 22 of the EC layer 2 is connected to an external power supply without making electrical contact, the transmittance can be controlled for each EC element, so that fine adjustment is possible. Also,
A conductive thin film or the like is formed from the extraction electrode portion of the upper electrode layer 12 of the EC layer 1 to the extraction electrode portion of the upper electrode layer 22 of the EC layer 2, and the EC layer 2 is formed from the extraction electrode portion of the lower electrode layer 11 of the EC layer 1. A conductive thin film or the like may be formed over the extraction electrode portion of the lower electrode layer 21 of FIG. In this case,
Although the transmittance cannot be controlled for the EC element, the number of wirings can be reduced.

【0020】素子基板端面に取り出し電極部を設けたの
で、素子基板上に電極取り出し用のエリアを設ける必要
もなく、従って、基板の大きさを有効に使用することが
できる。本発明にかかる実施形態1のECDの製造方法に
ついて示す。ガラス基板3の一方の面に下部電極層1
1、EC層1、上部電極層12を順次積層する。また、他
のガラス基板4の一方の面に上記と同様に、下部電極層
21、EC層2、上部電極層22を順次積層する(図
2)。ガラス基板3に形成されたEC素子とガラス基板4
に形成されたEC素子を図1に示すように向かい合わせに
して封止樹脂5を介して貼り合わせる。
Since the extraction electrode portion is provided on the end face of the element substrate, there is no need to provide an area for extracting the electrode on the element substrate, so that the size of the substrate can be effectively used. A method for manufacturing an ECD according to the first embodiment of the present invention will be described. The lower electrode layer 1 is formed on one surface of the glass substrate 3.
1. An EC layer 1 and an upper electrode layer 12 are sequentially laminated. Similarly, a lower electrode layer 21, an EC layer 2, and an upper electrode layer 22 are sequentially laminated on one surface of another glass substrate 4 (FIG. 2). EC element formed on glass substrate 3 and glass substrate 4
The EC elements formed as described above are faced to each other as shown in FIG.

【0021】下部電極層11、上部電極層12、下部電
極層21、上部電極層22の取り出し電極部に該当する
基板端面に導電性のペースト7(例えば、金ペースト、
銀ペーストなど)を塗布する。最後に、金属製のクリッ
プ8を取り出し電極部に装着する。図3は本発明にかか
る実施形態2のECDの概略平面図と概略断面図である。
The conductive paste 7 (for example, gold paste, gold paste, or the like) is applied to the end face of the substrate corresponding to the extraction electrode portion of the lower electrode layer 11, the upper electrode layer 12, the lower electrode layer 21, and the upper electrode layer 22.
Silver paste). Finally, the metal clip 8 is taken out and attached to the electrode section. FIG. 3 is a schematic plan view and a schematic sectional view of an ECD according to a second embodiment of the present invention.

【0022】本発明にかかる実施形態2のECDは、基板
上に形成されたEC素子を封止樹脂を介して封止基板で封
止したECDが2組以上樹脂で接合された構成である。電
極と外部配線の接続は、基板3、4のそれぞれの両端面
に下部電極層11、21、上部電極層12、22が形成
される際に回り込み現象により基板端面に形成されるEC
素子の取り出し電極部(図示されていない)と外部配線
とを直接接続してもよいが、一般的には、取り出し電極
部に導電性薄膜又は導電性ぺースト及び導電性クリップ
(以下、導電性薄膜等という)を形成して、導電性薄膜
等と外部配線とを接続する。
The ECD according to the second embodiment of the present invention has a structure in which two or more sets of ECDs in which an EC element formed on a substrate is sealed with a sealing substrate via a sealing resin are joined by a resin. The connection between the electrodes and the external wiring is performed by forming the lower electrode layers 11 and 21 and the upper electrode layers 12 and 22 on both end surfaces of the substrates 3 and 4 by the wraparound phenomenon and forming the EC on the end surfaces of the substrates.
An extraction electrode portion (not shown) of the element may be directly connected to an external wiring, but generally, the extraction electrode portion has a conductive thin film or a conductive paste and a conductive clip (hereinafter, referred to as a conductive clip). A thin film or the like is formed, and the conductive thin film or the like is connected to an external wiring.

【0023】EC層1の下部電極11とEC層2の下部電極
21とを電気的に接続させず、EC層1の上部電極12と
EC層2の上部電極22とを電気的に接触させずに外部電
源に接続した場合、それぞれのEC素子について透過率を
制御することが出来るので微調節が可能である。また、
EC層1の上部電極層12の取り出し電極部からEC層2の
上部電極層22の取り出し電極部にかけて導電性薄膜等
を形成し、EC層1の下部電極層11の取り出し電極部か
らEC層2の下部電極層21の取り出し電極部にかけて導
電性薄膜等を形成してもよい。この場合は、それぞれの
EC素子について透過率を制御することができないが、配
線の数を減らすことができる。
The lower electrode 11 of the EC layer 1 and the lower electrode 21 of the EC layer 2 are not electrically connected.
If the upper electrode 22 of the EC layer 2 is connected to an external power supply without making electrical contact, the transmittance can be controlled for each EC element, so that fine adjustment is possible. Also,
A conductive thin film or the like is formed from the extraction electrode portion of the upper electrode layer 12 of the EC layer 1 to the extraction electrode portion of the upper electrode layer 22 of the EC layer 2, and the EC layer 2 is formed from the extraction electrode portion of the lower electrode layer 11 of the EC layer 1. A conductive thin film or the like may be formed over the extraction electrode portion of the lower electrode layer 21 of FIG. In this case,
Although the transmittance cannot be controlled for the EC element, the number of wirings can be reduced.

【0024】本発明にかかる実施形態2のECDの製造方
法について示す。ガラス基板3、4の一方の面にそれぞ
れ、下部電極層11、21、EC層1、2、上部電極層1
2、22順次積層する。ガラス基板3、4上に形成され
たEC素子を封止樹脂5を介して封止ガラス基板6、6’
で封止する。次に、2つのECDを樹脂で貼り合わせる
(図3)。
A method for manufacturing an ECD according to the second embodiment of the present invention will be described. Lower electrode layers 11 and 21, EC layers 1 and 2 and upper electrode layer 1 are formed on one surface of glass substrates 3 and 4, respectively.
2, 22 are sequentially laminated. The EC elements formed on the glass substrates 3 and 4 are sealed with the sealing glass substrates 6 and 6 ′ via the sealing resin 5.
Seal with. Next, two ECDs are bonded with a resin (FIG. 3).

【0025】下部電極11、上部電極層12、下部電極
層21、上部電極層22の取り出し電極部に該当する基
板端面に導電性のペースト7(例えば、金ペースト、銀
ペーストなど)を塗布する。最後に、金属製のクリップ
8を取り出し電極部に装着する(図3)。図5は本発明
にかかる実施形態3のECDの概略平面図と概略断面図で
ある。
A conductive paste 7 (for example, a gold paste, a silver paste, or the like) is applied to the end face of the substrate corresponding to the extraction electrode portion of the lower electrode 11, the upper electrode layer 12, the lower electrode layer 21, and the upper electrode layer 22. Finally, the metal clip 8 is taken out and attached to the electrode section (FIG. 3). FIG. 5 is a schematic plan view and a schematic sectional view of an ECD according to a third embodiment of the present invention.

【0026】本発明にかかる実施形態3のECDは、基板
3上に形成されたEC素子を封止樹脂5を介してEC素子が
形成されたガラス基板4で封止し、ガラス基板4上に形
成されたEC素子を封止樹脂5’を介して封止基板6で封
止された構成である。EC層1の下部電極層11と上部電
極層12との間、EC層2の下部電極層21と上部電極層
22との間に電圧を印加する事によりEC層1、2がそれ
ぞれ着消色する。
In the ECD according to the third embodiment of the present invention, an EC element formed on a substrate 3 is sealed with a glass substrate 4 on which an EC element is formed via a sealing resin 5, and This is a configuration in which the formed EC element is sealed with a sealing substrate 6 via a sealing resin 5 ′. By applying a voltage between the lower electrode layer 11 and the upper electrode layer 12 of the EC layer 1 and between the lower electrode layer 21 and the upper electrode layer 22 of the EC layer 2, the EC layers 1 and 2 respectively color-decolor. I do.

【0027】電極と外部配線の接続は、基板3、4のそ
れぞれの両端面に下部電極層11、21、上部電極層1
2、22が形成される際に回り込み現象により基板端面
に形成されるEC素子の取り出し電極部(図示されていな
い)と外部配線とを直接接続してもよいが、一般的に
は、取り出し電極部に導電性薄膜又は導電性ぺースト及
び導電性クリップ(以下、導電性薄膜等という)を形成
して、導電性薄膜等と外部配線とを接続する。
The connection between the electrodes and the external wiring is performed by connecting the lower electrode layers 11 and 21 and the upper electrode layer 1 to both end surfaces of the substrates 3 and 4 respectively.
When the electrodes 2 and 22 are formed, an extraction electrode portion (not shown) of the EC element formed on the end face of the substrate due to a wraparound phenomenon may be directly connected to an external wiring. A conductive thin film or a conductive paste and a conductive clip (hereinafter referred to as a conductive thin film or the like) are formed in the portion, and the conductive thin film or the like is connected to an external wiring.

【0028】EC層1の下部電極11とEC層2の下部電極
21とを電気的に接続させず、EC層1の上部電極12と
EC層2の上部電極22とを電気的に接触させずに外部電
源に接続した場合、それぞれのEC素子について透過率を
制御することが出来るので微調節が可能である。また、
EC層1の上部電極層12の取り出し電極部からEC層2の
上部電極層22の取り出し電極部にかけて導電性薄膜等
を形成し、EC層1の下部電極層11の取り出し電極部か
らEC層2の下部電極層21の取り出し電極部にかけて導
電性薄膜等を形成してもよい。この場合は、それぞれの
EC素子について透過率を制御することができないが、配
線の数を減らすことができる。
The lower electrode 11 of the EC layer 1 and the lower electrode 21 of the EC layer 2 are not electrically connected.
If the upper electrode 22 of the EC layer 2 is connected to an external power supply without making electrical contact, the transmittance can be controlled for each EC element, so that fine adjustment is possible. Also,
A conductive thin film or the like is formed from the extraction electrode portion of the upper electrode layer 12 of the EC layer 1 to the extraction electrode portion of the upper electrode layer 22 of the EC layer 2, and the EC layer 2 is formed from the extraction electrode portion of the lower electrode layer 11 of the EC layer 1. A conductive thin film or the like may be formed over the extraction electrode portion of the lower electrode layer 21 of FIG. In this case,
Although the transmittance cannot be controlled for the EC element, the number of wirings can be reduced.

【0029】本発明にかかる実施形態3のECDの製造方
法について示す。ガラス基板3、4の一方の面にそれぞ
れ、下部電極層11、21、EC層1、2、上部電極層1
2、22を順次積層する。ガラス基板3上に形成された
EC素子を封止樹脂5を介してEC素子が形成されたガラス
基板4で封止する。ガラス基板4に形成されたEC素子を
封止樹脂5’を介して封止基板6で封止する。
A method for manufacturing an ECD according to the third embodiment of the present invention will be described. Lower electrode layers 11 and 21, EC layers 1 and 2 and upper electrode layer 1 are formed on one surface of glass substrates 3 and 4, respectively.
2 and 22 are sequentially laminated. Formed on glass substrate 3
The EC element is sealed with a glass substrate 4 on which the EC element is formed via a sealing resin 5. The EC element formed on the glass substrate 4 is sealed with a sealing substrate 6 via a sealing resin 5 '.

【0030】下部電極層11、上部電極層12、下部電
極層21、上部電極層22の取り出し電極部に該当する
基板端面に導電性のペースト7(例えば、金ペースト、
銀ペーストなど)を塗布する。最後に、金属製のクリッ
プ8を取り出し電極部に装着する。図8は本発明にかか
る実施形態4のECDの概略平面図と概略断面図である。
The conductive paste 7 (for example, gold paste, gold paste, or the like) is applied to the end face of the substrate corresponding to the extraction electrode portion of the lower electrode layer 11, the upper electrode layer 12, the lower electrode layer 21, and the upper electrode layer 22.
Silver paste). Finally, the metal clip 8 is taken out and attached to the electrode section. FIG. 8 is a schematic plan view and a schematic sectional view of an ECD according to a fourth embodiment of the present invention.

【0031】本発明にかかる実施形態4のECDは基板3
上に形成されたEC素子を封止樹脂5を介して封止基板6
で封止し、さらにガラス基板4上に形成されたEC素子を
封止樹脂5’を介して封止基板6の非接合面で封止され
た構成である。EC層1の下部電極層11と上部電極層1
2との間、EC層2の下部電極層21と上部電極層22と
の間に電圧を印加することによりEC層1、2がそれぞれ
着消色する。
The ECD according to the fourth embodiment of the present invention comprises a substrate 3
The EC element formed thereon is sealed with a sealing substrate 6 via a sealing resin 5.
, And the EC element formed on the glass substrate 4 is further sealed with the non-joining surface of the sealing substrate 6 via the sealing resin 5 ′. Lower electrode layer 11 and upper electrode layer 1 of EC layer 1
By applying a voltage between the lower electrode layer 21 and the upper electrode layer 22 of the EC layer 2, the EC layers 1 and 2 respectively color-decolor.

【0032】電極と外部配線の接続は、基板3、4のそ
れぞれの両端面に下部電極層11、21、上部電極層1
2、22が形成される際に回り込み現象により基板端面
に形成されるEC素子の取り出し電極部(図示されていな
い)と外部配線とを直接接続してもよいが、一般的に
は、取り出し電極部に導電性薄膜又は導電性ぺースト及
び導電性クリップ(以下、導電性薄膜等という)を形成
して、導電性薄膜等と外部配線とを接続する。
The electrodes are connected to the external wiring by connecting the lower electrode layers 11 and 21 and the upper electrode layer 1 to both end faces of the substrates 3 and 4 respectively.
When the electrodes 2 and 22 are formed, an extraction electrode portion (not shown) of the EC element formed on the end face of the substrate due to a wraparound phenomenon may be directly connected to an external wiring. A conductive thin film or a conductive paste and a conductive clip (hereinafter referred to as a conductive thin film or the like) are formed in the portion, and the conductive thin film or the like is connected to an external wiring.

【0033】EC層1の下部電極11とEC層2の下部電極
21とを電気的に接続させず、EC層1の上部電極12と
EC層2の上部電極22とを電気的に接触させずに外部電
源に接続した場合、それぞれのEC素子について透過率を
制御することが出来るので微調節が可能である。また、
EC層1の上部電極層12の取り出し電極部からEC層2の
上部電極層22の取り出し電極部にかけて導電性薄膜等
を形成し、EC層1の下部電極層11の取り出し電極部か
らEC層2の下部電極層21の取り出し電極部にかけて導
電性薄膜等を形成してもよい。この場合は、それぞれの
EC素子について透過率を制御することができないが、配
線の数を減らすことができる。
The lower electrode 11 of the EC layer 1 and the lower electrode 21 of the EC layer 2 are not electrically connected.
If the upper electrode 22 of the EC layer 2 is connected to an external power supply without making electrical contact, the transmittance can be controlled for each EC element, so that fine adjustment is possible. Also,
A conductive thin film or the like is formed from the extraction electrode portion of the upper electrode layer 12 of the EC layer 1 to the extraction electrode portion of the upper electrode layer 22 of the EC layer 2, and the EC layer 2 is formed from the extraction electrode portion of the lower electrode layer 11 of the EC layer 1. A conductive thin film or the like may be formed over the extraction electrode portion of the lower electrode layer 21 of FIG. In this case,
Although the transmittance cannot be controlled for the EC element, the number of wirings can be reduced.

【0034】本発明にかかる実施形態4のECDの製造方
法について示す。ガラス基板3、4の一方の面にそれぞ
れ下部電極層11、21、EC層1、2、上部電極層1
2、22を順次積層する。ガラス基板3に形成されたEC
素子を封止樹脂5に介してガラス封止基板6で封止す
る。さらにガラス基板4に形成されたEC素子を封止樹脂
5’を介して封止基板6の非接合面で封止する。下部電
極層11、上部電極層12、下部電極層21、上部電極
層22の取り出し電極部に該当する基板端面に導電性の
ペースト7(例えば、金ペースト、銀ペーストなど)を
塗布する。最後に金属製のクリップ8を取り出し電極部
に装着する。
A method for manufacturing an ECD according to the fourth embodiment of the present invention will be described. Lower electrode layers 11 and 21, EC layers 1 and 2 and upper electrode layer 1 on one surface of glass substrates 3 and 4, respectively.
2 and 22 are sequentially laminated. EC formed on glass substrate 3
The element is sealed with a glass sealing substrate 6 via a sealing resin 5. Further, the EC element formed on the glass substrate 4 is sealed on the non-bonding surface of the sealing substrate 6 via the sealing resin 5 '. A conductive paste 7 (for example, a gold paste, a silver paste, or the like) is applied to an end surface of the substrate corresponding to the extraction electrode portion of the lower electrode layer 11, the upper electrode layer 12, the lower electrode layer 21, and the upper electrode layer 22. Finally, the metal clip 8 is taken out and attached to the electrode portion.

【0035】以下、ECDで用いられる材料について説明
する。透明電極の材料としては、例えば、SnO2、In
2O3、ITO、ZnOなどが使用される。透明である必要がな
ければ金属材料または炭素で電極層が形成される。金属
材料としては、例えば、金、銀、アルミニウム、クロ
ム、スズ、亜鉛、ニッケル、ルテニウム、ロジウム、ス
テンレス等が使用される。金属電極層は、上記のごとき
透明な電極層をかりに低抵抗なものにしても、それより
遥かに低抵抗である。この様な電極層は、一般には、真
空蒸着、イオンプレーテイング、スパッタリング等の真
空薄膜形成技術で形成される。本発明においては、電解
還元発色性薄膜層には、一般にWO3、MoO3またはこれら
の混合物等が使用される。
Hereinafter, materials used in the ECD will be described. As a material of the transparent electrode, for example, SnO 2 , In
2 O 3 , ITO, ZnO, etc. are used. If it is not necessary to be transparent, the electrode layer is formed of a metal material or carbon. As the metal material, for example, gold, silver, aluminum, chromium, tin, zinc, nickel, ruthenium, rhodium, stainless steel and the like are used. Even if the metal electrode layer has a low resistance based on the transparent electrode layer as described above, it has a much lower resistance. Such an electrode layer is generally formed by a vacuum thin film forming technique such as vacuum deposition, ion plating, and sputtering. In the present invention, WO 3 , MoO 3, a mixture thereof or the like is generally used for the electrolytic reduction color-forming thin film layer.

【0036】イオン導電層には、例えば、酸化ケイ素、
酸化タンタル、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ニ
オブ、酸化ジルコニウム、酸化ハフニウム、酸化ランタ
ン、フッ化マグネシウム、等が使用される。イオン導電
層は、電子に対して絶縁体であるが、プロトン(H+)及
びヒドロキシイオン(OH-)に対しては良導体となる。E
C層の着消色反応にはカチオンが必要とされ、H+やLi+
EC層その他に含有させる必要がある。H+は初めからイオ
ンである必要はなく、電圧が印加されたときにH+が生じ
ればよく、したがってH+の代わりに水を含有させてもよ
い。この水は非常に少なくて十分であり、しばしば大気
中から自然に侵入する水分でも着消色する。
In the ionic conductive layer, for example, silicon oxide,
Tantalum oxide, titanium oxide, aluminum oxide, niobium oxide, zirconium oxide, hafnium oxide, lanthanum oxide, magnesium fluoride, and the like are used. The ionic conductive layer is an insulator for electrons, but is a good conductor for protons (H + ) and hydroxy ions (OH ). E
Cations are required for the color-decoloring reaction of the C layer, and H + and Li +
It must be contained in the EC layer and others. H + does not need to be an ion from the beginning, and it is sufficient that H + is generated when a voltage is applied, and thus water may be contained instead of H + . This water is very small and sufficient, and often discolors even water that naturally enters from the atmosphere.

【0037】電解酸化発色性薄膜層としては、例えば酸
化ないし水酸化イリジウム、同じくニッケル、同じくク
ロム、同じくバナジウム、同じくルテニウム、同じくロ
ジウム等があげられる。パターニングされたEC層が電解
還元発色性薄膜層の場合には、これらの電解酸化発色性
薄膜層物質は、イオン導電層または透明電極層中に分散
されていてもよいし、逆にそれらを分散してもよい。
Examples of the electrolytic oxidation color-forming thin film layer include oxide or iridium hydroxide, nickel, chromium, vanadium, ruthenium, rhodium and the like. When the patterned EC layer is an electrolytic reduction color-forming thin film layer, these electrolytic oxidation color-forming thin film layer materials may be dispersed in an ion conductive layer or a transparent electrode layer, or conversely, they may be dispersed. May be.

【0038】その他のEC物質として、例えば、酸化チタ
ン、酸化コバルト、酸化鉄、酸化ケイ素、酸化鉛、酸化
銅、硫化鉄、酸化ビスマス、硫化ニオブ等の金属酸化物
や金属硫化物のほか、ハイドロキノン誘導体、ベルリン
酸鉄誘導体、金属フタロシアニン誘導体(Co、Fe、Zn、
Ni、Cuの各フタロシアニン誘導体)、プルシアンブル
ー、プルシアンブルー類似化合物、窒化インジウム、窒
化スズ、窒化塩化ジルコニウム、ビオロゲン系有機EC材
料、スチリル系有機EC材料、ポリアニリン等がEC層に使
用できる。
Other EC substances include, for example, metal oxides and metal sulfides such as titanium oxide, cobalt oxide, iron oxide, silicon oxide, lead oxide, copper oxide, iron sulfide, bismuth oxide, niobium sulfide, and hydroquinone. Derivatives, iron berlin derivatives, metal phthalocyanine derivatives (Co, Fe, Zn,
Nitrogen and Cu phthalocyanine derivatives), Prussian blue, Prussian blue-like compounds, indium nitride, tin nitride, zirconium chloride nitride, viologen-based organic EC materials, styryl-based organic EC materials, polyaniline, and the like can be used for the EC layer.

【0039】イオン導電層のその他の例としては、イオ
ン導電性及び接着性を有する層が使用可能であり、例え
ば、ポリ(2−アクリルアミド−2−メチルプロパンス
ルホン酸)、ポリ(スチレン−スルホン酸)、ポリ(エ
チレン−スルホン酸)、ポリビニルスルホン酸、フッ素
化共重合体等からなる重合体、(B)第一の単量体(例
えば、ビニルスルホン酸、ビニルスルホン酸ナトリウ
ム、ふっ化ビニルスルホニル)と第二の単量体(例え
ば、ビニルピロリジノン、ブチルビニルエーテル、エチ
ルビニルエーテル、イソプロピルビニルエーテル、シク
ロヘキシルビニルエーテル、イソブチレン)との共重合
体、(C)前記第一の単量体及び第二の単量体とスチレ
ンスルホン酸ナトリウムとの共重合体、(D)親水性ア
クリレート単量体(例えば、ポリ(エチレンオキシド)
ジメタクリレート、エトキシトリエチレン、グリコール
メタクリレート、エチレンオキシド−ジメチルシクロヘ
キサンアクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレー
ト、エチルアクリレート)とスルホン酸単量体(例え
ば、2−アクリルアミド−2−メチルプロパンスルホン
酸、スチレン−スルホン酸、エチレン−スルホン酸、ビ
ニルスルホン酸)との共重合体、等からなる層がある。
As other examples of the ionic conductive layer, a layer having ionic conductivity and adhesiveness can be used. For example, poly (2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid), poly (styrene-sulfonic acid) ), A polymer comprising poly (ethylene-sulfonic acid), polyvinyl sulfonic acid, fluorinated copolymer, etc., (B) a first monomer (for example, vinyl sulfonic acid, sodium vinyl sulfonate, vinyl sulfonyl fluoride) ) And a second monomer (for example, vinylpyrrolidinone, butyl vinyl ether, ethyl vinyl ether, isopropyl vinyl ether, cyclohexyl vinyl ether, isobutylene), (C) the first monomer and the second monomer (D) hydrophilic acrylate monomer (for example, Poly (ethylene oxide)
Dimethacrylate, ethoxytriethylene, glycol methacrylate, ethylene oxide-dimethylcyclohexane acrylate, hydroxypropyl acrylate, ethyl acrylate) and a sulfonic acid monomer (for example, 2-acrylamido-2-methylpropanesulfonic acid, styrene-sulfonic acid, ethylene- Sulfonic acid, vinyl sulfonic acid) and the like.

【0040】また、イオン導電性、EC性及び接着性を有
する層も使用可能であり、例えば、前記イオン導電性及
び接着性を有する層の材料に、前記EC物質を分散させた
ものが使用できる。ECDは剥き出しのままでは劣化しや
すいので、2枚の基板間に形成されて使用される。例え
ば、1枚の基板上にECDを形成した場合には、露出したE
CDを封止樹脂及び封止板により封止する。また、ECDを
構成する各層を2枚の基板に分けて形成した場合には、
ECDを構成する前記イオン導電性及び接着性を有する層
や、前記イオン導電性、EC性及び接着性を有する層によ
り、2枚の基板を貼り合せてECDを封止する。
Further, a layer having ionic conductivity, EC property and adhesiveness can also be used. For example, a material in which the EC substance is dispersed in the material of the layer having ionic conductivity and adhesiveness can be used. . Since the ECD is liable to be deteriorated as it is bare, it is used by being formed between two substrates. For example, when an ECD is formed on one substrate, the exposed ECD
The CD is sealed with a sealing resin and a sealing plate. Also, when each layer constituting the ECD is formed separately on two substrates,
Two substrates are attached to each other with the layer having the ionic conductivity and the adhesive property and the layer having the ionic conductivity, the EC property and the adhesive property which constitute the ECD to seal the ECD.

【0041】前記封止樹脂には、例えば、エポキシ樹
脂、ウレタン系樹脂、アクリル系樹脂、酢酸ビニール系
樹脂、変性ポリマー系等の透明材料が好ましいが、これ
らに限定されるものではない。以下、実施例により更に
詳細に説明するが、本発明はこれらの例に限定されるも
のではない。
The sealing resin is preferably a transparent material such as an epoxy resin, a urethane resin, an acrylic resin, a vinyl acetate resin or a modified polymer, but is not limited thereto. Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to examples, but the present invention is not limited to these examples.

【0042】[0042]

【実施例】【Example】

[実施例1]図1は実施例1によるECDの概略図であ
り、図2を用いて実施例1によるECDの製作工程を説明
する。 (1)ガラス基板3に真空蒸着法またはイオンプレーテ
ィング法により下部電極層11として膜厚約200nmのITO
を成膜した。その上にEC層1として膜厚が約150nmの
酸化 イリジウムと酸化スズの混合膜、約500nmの酸化タ
ンタル膜及び約500nmの酸化タングステン膜を順次成膜
し、その上にさらに上部電極層12として約200nmのITO
を成膜した。(図2) (2)ガラス基板4に(1)と同様に下部電極層21と
して厚さ約200nmのITO、EC層2として膜厚が約150nmの
酸化 イリジウムと酸化スズの混合膜、約500nmの酸化タ
ンタル膜及び約500nmの酸化タングステン膜を順次成膜
し、その上にさらに上部電極層22として約200nmのITO
を成膜した。(図2) (3)図1に示すように、上記(1)及び(2)でガラ
ス基板3、4上に形成されたEC素子を互いに向かい合わ
せて封止樹脂5にて貼り合わせた。 (4)ガラス基板3、4のそれぞれの両端面に下部電極
層11、21が形成される際に回り込み現象により形成
されるEC素子の取り出し電極部(図示されていない)に
金ペースト7を塗布し、その後ガラス基板4とガラス基
板3を挟むようにクリップ8を装着した。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a schematic view of an ECD according to Embodiment 1, and a manufacturing process of the ECD according to Embodiment 1 will be described with reference to FIG. (1) ITO having a film thickness of about 200 nm as a lower electrode layer 11 on a glass substrate 3 by a vacuum evaporation method or an ion plating method.
Was formed. On top of this, a mixed film of iridium oxide and tin oxide with a thickness of about 150 nm, a tantalum oxide film with a thickness of about 500 nm and a tungsten oxide film with a thickness of about 500 nm are sequentially formed as an EC layer 1, and an upper electrode layer 12 is further formed thereon. About 200nm ITO
Was formed. (FIG. 2) (2) On the glass substrate 4, as in (1), as the lower electrode layer 21, an ITO having a thickness of about 200 nm, and as the EC layer 2, a mixed film of iridium oxide and tin oxide having a thickness of about 150 nm, about 500 nm A tantalum oxide film of about 500 nm and a tungsten oxide film of about 500 nm are sequentially formed, and an upper electrode layer 22 of about 200 nm of ITO is further formed thereon.
Was formed. (FIG. 2) (3) As shown in FIG. 1, the EC elements formed on the glass substrates 3 and 4 in the above (1) and (2) were bonded to each other with a sealing resin 5 so as to face each other. (4) A gold paste 7 is applied to an extraction electrode portion (not shown) of an EC element formed by a wraparound phenomenon when the lower electrode layers 11 and 21 are formed on both end surfaces of the glass substrates 3 and 4 respectively. Then, the clip 8 was attached so as to sandwich the glass substrate 4 and the glass substrate 3.

【0043】同様に、ガラス基板3、4のそれぞれの両
端面に上部電極層12、22が形成される際に回り込み
現象により形成されるEC素子の取り出し電極部(図示さ
れていない)に金ペースト7を塗布し、その後ガラス基
板4とガラス基板3を挟むようにクリップ8を装着し
た。 (5)これらのクリップ8のそれぞれに配線をハンダ付
けして駆動電源から1.3Vの電圧を印加すると、ECD
は青色に着色した。この素子に1.3Vの逆電圧を印加
すると青色は消え、素子は透明に戻った。着色時の透過
率は6%、消色時の透過率は60%であった。 [実施例2]図3は実施例2によるECDの概略図であ
り、図4を用いて実施例2によるECDの製作工程を説明
する。 (1)ガラス基板3に真空蒸着法またはイオンプレーテ
ィング法により下部電極層11として膜厚約200nmのITO
を成膜した。その上にEC層1として膜厚が約150nmの
酸化 イリジウムと酸化スズの混合膜、約500nmの酸化タ
ンタル膜及び約500nmの酸化タングステン膜を順次成膜
し、その上にさらに上部電極層12として約200nmのITO
を成膜した。ECDを封止樹脂5を介して封止ガラス基板
6で封止した。(図4) (2)ガラス基板4に下部電極層21を形成した。その
上にEC層2として膜厚が約150nmの酸化 イリジウムと
酸化スズの混合膜、約500nmの酸化タンタル及び約500nm
の酸化タングステン膜を順次成膜し、その上にさらに上
部電極層22として約200nmのITOを成膜した。ECDを封
止樹脂5を介して封止ガラス基板6’で封止した。(図
4) (3)図3で示すように上記(1)で製作されたECDと
(2)で製作されたECDを封止樹脂5で貼り合わせた
(図3)。 (4)ガラス基板3、4のそれぞれの両端面に下部電極
層11、21が形成される際に回り込み現象により形成
されるEC素子の取り出し電極部(図示されていない)に
金ペースト7を塗布し、その後ガラス基板3、4を挟む
ようにクリップ8を装着した。
Similarly, when the upper electrode layers 12 and 22 are formed on both end surfaces of the glass substrates 3 and 4, a gold paste is applied to an extraction electrode portion (not shown) of the EC element formed by a wraparound phenomenon. 7 was applied, and then a clip 8 was attached so as to sandwich the glass substrate 4 and the glass substrate 3. (5) When wiring is soldered to each of these clips 8 and a voltage of 1.3 V is applied from the driving power supply, the ECD
Was colored blue. When a reverse voltage of 1.3 V was applied to this device, the blue color disappeared and the device returned to transparent. The transmittance at the time of coloring was 6%, and the transmittance at the time of decoloring was 60%. [Embodiment 2] FIG. 3 is a schematic view of an ECD according to Embodiment 2, and a manufacturing process of the ECD according to Embodiment 2 will be described with reference to FIG. (1) ITO having a film thickness of about 200 nm as a lower electrode layer 11 on a glass substrate 3 by a vacuum evaporation method or an ion plating method.
Was formed. On top of this, a mixed film of iridium oxide and tin oxide with a thickness of about 150 nm, a tantalum oxide film with a thickness of about 500 nm, and a tungsten oxide film with a thickness of about 500 nm are sequentially formed as an EC layer 1, and an upper electrode layer 12 is further formed thereon. About 200nm ITO
Was formed. The ECD was sealed with a sealing glass substrate 6 via a sealing resin 5. (FIG. 4) (2) The lower electrode layer 21 was formed on the glass substrate 4. On top of this, a mixed film of iridium oxide and tin oxide with a thickness of about 150 nm, tantalum oxide with a thickness of about 500 nm and about 500 nm as an EC layer 2
Was sequentially formed, and about 200 nm of ITO was further formed thereon as the upper electrode layer 22. The ECD was sealed with a sealing glass substrate 6 ′ via a sealing resin 5. (FIG. 4) (3) As shown in FIG. 3, the ECD manufactured in (1) and the ECD manufactured in (2) were bonded together with a sealing resin 5 (FIG. 3). (4) A gold paste 7 is applied to an extraction electrode portion (not shown) of an EC element formed by a wraparound phenomenon when the lower electrode layers 11 and 21 are formed on both end surfaces of the glass substrates 3 and 4 respectively. Then, the clip 8 was attached so as to sandwich the glass substrates 3 and 4.

【0044】同様に、ガラス基板3、4のそれぞれの両
端面に上部電極層12、22が形成される際に回り込み
現象により形成されるEC素子の取り出し電極部(図示さ
れていない)に金ペースト7を塗布し、その後ガラス基
板3、4を挟むようにクリップ8を装着した。 (5)これらのクリップ8のそれぞれに配線をハンダ付
けして駆動電源から1.3Vの電圧を印加すると、ECD
は青色に着色した。この素子に1.3Vの逆電圧を印加
すると青色は消え、素子は透明に戻った。着色時の透過
率は6%、消色時の透過率は60%であった。 [実施例3]図5は実施例3によるECDの概略図であ
り、図6を用いて実施例3によるECDの製作工程を説明
する。 (1)ガラス基板3に真空蒸着法またはイオンプレーテ
ィング法により下部電極層11として膜厚約200nmのITO
を成膜した。その上にEC層1として膜厚が約150nmの
酸化 イリジウムと酸化スズの混合膜、約500nmの酸化タ
ンタル膜及び約500nmの酸化タングステン膜を順次成膜
し、その上にさらに上部電極層12として約200nmのITO
を成膜した。(図2) (2)ガラス基板4に(1)と同様に下部電極層21と
して厚さ約200nmのITO、EC層2として膜厚が約150nmの
酸化 イリジウムと酸化スズの混合膜、約500nmの酸化タ
ンタル膜、約500nmの酸化タングステン膜を順次成膜
し、さらに上部電極層22として約200nmのITOを成膜し
た。(図2) (3)(1)で製作されたEC素子を封止樹脂5を介して
(2)で製作されたECDのEC素子が形成されていない側
で封止し(図6)、(2)でガラス基板4に形成された
EC素子を封止樹脂5’を介して封止基板6で封止した。
(図5) (4)ガラス基板3、4のそれぞれの両端面に下部電極
層11、21が形成される際に回り込み現象により形成
されるEC素子の取り出し電極部(図示されていない)に
金ペースト7を塗布し、その後ガラス基板3と封止基板
6を挟むようにクリップ8を装着した。
Similarly, when the upper electrode layers 12 and 22 are formed on both end surfaces of the glass substrates 3 and 4, a gold paste is applied to an extraction electrode portion (not shown) of the EC element formed by a wraparound phenomenon. 7 was applied, and then a clip 8 was attached so as to sandwich the glass substrates 3 and 4. (5) When wiring is soldered to each of these clips 8 and a voltage of 1.3 V is applied from the driving power supply, the ECD
Was colored blue. When a reverse voltage of 1.3 V was applied to this device, the blue color disappeared and the device returned to transparent. The transmittance at the time of coloring was 6%, and the transmittance at the time of decoloring was 60%. [Embodiment 3] FIG. 5 is a schematic view of an ECD according to a third embodiment, and a manufacturing process of the ECD according to the third embodiment will be described with reference to FIG. (1) ITO having a film thickness of about 200 nm as a lower electrode layer 11 on a glass substrate 3 by a vacuum evaporation method or an ion plating method.
Was formed. On top of this, a mixed film of iridium oxide and tin oxide with a thickness of about 150 nm, a tantalum oxide film with a thickness of about 500 nm and a tungsten oxide film with a thickness of about 500 nm are sequentially formed as an EC layer 1, and an upper electrode layer 12 is further formed thereon. About 200nm ITO
Was formed. (FIG. 2) (2) On the glass substrate 4, as in (1), as the lower electrode layer 21, an ITO having a thickness of about 200 nm, and as the EC layer 2, a mixed film of iridium oxide and tin oxide having a thickness of about 150 nm, about 500 nm A tantalum oxide film of about 500 nm and a tungsten oxide film of about 500 nm were sequentially formed, and about 200 nm of ITO was further formed as the upper electrode layer 22. (FIG. 2) (3) Seal the EC element manufactured in (1) on the side of the ECD manufactured in (2) where the EC element is not formed via the sealing resin 5 (FIG. 6), Formed on the glass substrate 4 in (2)
The EC element was sealed with a sealing substrate 6 via a sealing resin 5 '.
(FIG. 5) (4) When the lower electrode layers 11 and 21 are formed on both end surfaces of the glass substrates 3 and 4, gold is applied to an extraction electrode portion (not shown) of the EC element formed by a wraparound phenomenon. The paste 7 was applied, and then the clip 8 was attached so as to sandwich the glass substrate 3 and the sealing substrate 6 therebetween.

【0045】同様に、ガラス基板3、4のそれぞれの両
端面に上部電極層12、22が形成される際に回り込み
現象により形成されるEC素子の取り出し電極部(図示さ
れていない)に金ペースト7を塗布し、その後ガラス基
板3と封止基板6を挟むようにクリップ8を装着した。 (5)これらのクリップ8のそれぞれに配線をハンダ付
けして駆動電源から1.3Vの電圧を印加すると、ECD
は青色に着色した。この素子に1.3Vの逆電圧を印加
すると青色は消え、素子は透明に戻った。着色時の透過
率は6%、消色時の透過率は60%であった。
Similarly, when the upper electrode layers 12 and 22 are formed on both end surfaces of the glass substrates 3 and 4, a gold paste is applied to an extraction electrode portion (not shown) of the EC element formed by a wraparound phenomenon. 7 was applied, and then a clip 8 was attached so as to sandwich the glass substrate 3 and the sealing substrate 6 therebetween. (5) When wiring is soldered to each of these clips 8 and a voltage of 1.3 V is applied from the driving power supply, the ECD
Was colored blue. When a reverse voltage of 1.3 V was applied to this device, the blue color disappeared and the device returned to transparent. The transmittance at the time of coloring was 6%, and the transmittance at the time of decoloring was 60%.

【0046】また、(3)の製作工程にかえて、(2)
で製作されたEC素子を封止樹脂5’を介して封止基板6
で封止し、(1)で製作されたEC素子を封止樹脂5を介
して前もって作成しておいたECDのガラス基板4側で封
止する工程を採用することができる。(図7) [実施例4]図8は実施例4によるECDの概略図であ
り、図9を用いて実施例4によるECDの製作工程を説明
する。 (1)ガラス基板3に真空蒸着法またはイオンプレーテ
ィング法により下部電極層11として膜厚約200nmのITO
を成膜した。その上にEC層1として膜厚が約150nmの
酸化 イリジウムと酸化スズの混合膜、約500nmの酸化タ
ンタル膜及び約500nmの酸化タングステン膜を順次成膜
し、その上にさらに上部電極層12として約200nmのITO
を成膜した。(図2) (2)ガラス基板4に(1)と同様に下部電極層21と
して厚さ約200nmのITO、EC層2として膜厚が約150nmの
酸化 イリジウムと酸化スズの混合膜、約500nmの酸化タ
ンタル膜、約500nmの酸化タングステン膜を順次成膜
し、さらに上部電極層22として約200nmのITOを成膜し
た。(図2) (3)(1)で製作されたEC素子を封止樹脂5を介して
封止基板6で封止した。さらに、(2)で製作されたEC
素子を封止樹脂5’を介して(1)で製作されたEC素子
を封止した封止基板6の非接合面で封止した。 (4)ガラス基板3、4、のそれぞれ両端面に下部電極
層11、21が形成される前に回り込み現象により形成
されるEC素子の取り出し電極部に金ペースト7を塗布
し、その後ガラス基板3と、ガラス基板4を挟むように
クリップ8を装着した。
Further, instead of the manufacturing process of (3), (2)
Of the EC element manufactured in the above process through a sealing resin 5 ′ and a sealing substrate 6.
Then, a step of sealing the EC element manufactured in (1) on the glass substrate 4 side of the ECD prepared in advance via the sealing resin 5 can be adopted. (FIG. 7) [Embodiment 4] FIG. 8 is a schematic view of an ECD according to the embodiment 4, and a manufacturing process of the ECD according to the embodiment 4 will be described with reference to FIG. (1) ITO having a film thickness of about 200 nm as a lower electrode layer 11 on a glass substrate 3 by a vacuum evaporation method or an ion plating method.
Was formed. On top of this, a mixed film of iridium oxide and tin oxide with a thickness of about 150 nm, a tantalum oxide film with a thickness of about 500 nm and a tungsten oxide film with a thickness of about 500 nm are sequentially formed as an EC layer 1, and an upper electrode layer 12 is further formed thereon. About 200nm ITO
Was formed. (FIG. 2) (2) On the glass substrate 4, as in (1), as the lower electrode layer 21, an ITO having a thickness of about 200 nm, and as the EC layer 2, a mixed film of iridium oxide and tin oxide having a thickness of about 150 nm, about 500 nm A tantalum oxide film of about 500 nm and a tungsten oxide film of about 500 nm were sequentially formed, and about 200 nm of ITO was further formed as the upper electrode layer 22. (FIG. 2) (3) The EC element manufactured in (1) was sealed with a sealing substrate 6 via a sealing resin 5. Furthermore, EC produced in (2)
The device was sealed with a non-bonding surface of a sealing substrate 6 sealing the EC device manufactured in (1) via a sealing resin 5 '. (4) Before the lower electrode layers 11 and 21 are formed on both end surfaces of the glass substrates 3 and 4, a gold paste 7 is applied to an extraction electrode portion of an EC element formed by a wraparound phenomenon. Then, the clip 8 was attached so as to sandwich the glass substrate 4.

【0047】同様に、ガラス基板3、4のそれぞれの両
端面に上部電極層12、22が形成される際に回り込み
現象により形成されるEC素子の取り出し電極部(図示さ
れていない)に金ペースト7を塗布し、その後ガラス基
板3とガラス基板4を挟むようにクリップ8を装着し
た。 (5)これらのクリップ8のそれぞれに配線をハンダ付
けして駆動電源から1.3Vの電圧を印加すると、ECD
は青色に着色した。この素子に1.3Vの逆電圧を印加
すると青色は消え、素子は透明に戻った。着色時の透過
率は6%、消色時の透過率は60%であった。 [比較例]図10は比較例によるECDの概略図であり、
(1)ガラス基板1に真空蒸着法またはイオンプレーテ
ィング法により下部電極層11として膜厚約200nmのITO
を成膜した。その上にEC層1として膜厚が約150nmの
酸化 イリジウムと酸化スズの混合膜、約500nmの酸化タ
ンタル及び約500nmの酸化タングステン膜を順次成膜
し、その上にさらに上部電極層12として約200nmのITO
を成膜した。 (2)封止樹脂5と、封止基板6で上記(1)で製作さ
れたECDを封止した。(図8) (3)ガラス基板1の両端面に下部電極層11が形成さ
れる際に回り込み現象により形成されるEC素子の取り出
し電極部(図示されていない)に金ペースト7を塗布
し、その後ガラス基板1と封止基板6を挟むようにクリ
ップ8を装着した。
Similarly, when the upper electrode layers 12 and 22 are formed on both end surfaces of the glass substrates 3 and 4, a gold paste is applied to an extraction electrode portion (not shown) of the EC element formed by a wraparound phenomenon. 7, and then a clip 8 was attached so as to sandwich the glass substrate 3 and the glass substrate 4. (5) When wiring is soldered to each of these clips 8 and a voltage of 1.3 V is applied from the driving power supply, the ECD
Was colored blue. When a reverse voltage of 1.3 V was applied to this device, the blue color disappeared and the device returned to transparent. The transmittance at the time of coloring was 6%, and the transmittance at the time of decoloring was 60%. Comparative Example FIG. 10 is a schematic view of an ECD according to a comparative example.
(1) ITO having a thickness of about 200 nm is formed as a lower electrode layer 11 on a glass substrate 1 by a vacuum evaporation method or an ion plating method.
Was formed. On top of this, a mixed film of iridium oxide and tin oxide having a thickness of about 150 nm, a tantalum oxide film of about 500 nm and a tungsten oxide film of about 500 nm are sequentially formed as an EC layer 1, and an upper electrode layer 12 is further formed thereon. 200nm ITO
Was formed. (2) The ECD manufactured in the above (1) was sealed with the sealing resin 5 and the sealing substrate 6. (FIG. 8) (3) A gold paste 7 is applied to an extraction electrode portion (not shown) of the EC element formed by a wraparound phenomenon when the lower electrode layer 11 is formed on both end surfaces of the glass substrate 1, Thereafter, the clip 8 was attached so as to sandwich the glass substrate 1 and the sealing substrate 6.

【0048】同様に、ガラス基板1の両端面に上部電極
層12が形成される際に回り込み現象により形成される
EC素子の取り出し電極部(図示されていない)に金ペー
スト7を塗布し、その後ガラス基板1と封止基板6を挟
むようにクリップ8を装着した。 (4)これらのクリップ8のそれぞれに配線をハンダ付
けして駆動電源から1.3Vの電圧を印加すると、ECD
は青色に着色した。この素子に1.3Vの逆電圧を印加
すると青色は消え、素子は透明に戻った。着色時の透過
率は25%、消色時の透過率は80%であった。
Similarly, when the upper electrode layer 12 is formed on both end surfaces of the glass substrate 1, the upper electrode layer 12 is formed by a wraparound phenomenon.
A gold paste 7 was applied to an extraction electrode portion (not shown) of the EC element, and then a clip 8 was attached so as to sandwich the glass substrate 1 and the sealing substrate 6 therebetween. (4) When wiring is soldered to each of these clips 8 and a voltage of 1.3 V is applied from the drive power supply, the ECD
Was colored blue. When a reverse voltage of 1.3 V was applied to this device, the blue color disappeared and the device returned to transparent. The transmittance at the time of coloring was 25%, and the transmittance at the time of decoloring was 80%.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によればEC
D内にEC素子が2組以上存在するので、透過率を従来のE
CDに比べて十分に下げることができる。また、透過率の
下限を25%以下にすることにより、例えばシャッター
という用途に使用するこができる。
As described above, according to the present invention, the EC
Since there are two or more EC elements in D, the transmittance is
Can be reduced enough compared to CD. Further, by setting the lower limit of the transmittance to 25% or less, it can be used for, for example, a shutter.

【0050】また、取り出し電極部を基板端面に設けた
ので、基板の大きさを有効に使用できるECDが得られ
る。
Further, since the extraction electrode portion is provided on the end face of the substrate, an ECD which can effectively use the size of the substrate can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は本発明にかかる実施形態1のECDの概
略平面図、(b)は、(a)図のX−X’矢視断面図、
(c)は、(a)図のY−Y’矢視断面図である。
FIG. 1A is a schematic plan view of an ECD according to a first embodiment of the present invention, FIG. 1B is a cross-sectional view taken along the line XX ′ in FIG.
(C) is a sectional view taken along the line YY 'of (a).

【図2】本発明にかかる実施形態1及び3のECD製造の
途中工程を示す概略断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing an intermediate step of manufacturing an ECD according to Embodiments 1 and 3 according to the present invention.

【図3】(a)は本発明にかかるに実施形態2のECDの
概略平面図、(b)は、(a)図のX−X’矢視断面
図、(c)は、(a)図のY−Y’矢視断面図である。
3A is a schematic plan view of an ECD according to a second embodiment of the present invention, FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line XX ′ of FIG. 3A, and FIG. It is YY 'arrow sectional drawing of a figure.

【図4】本発明にかかる実施形態2のECD製造の途中工
程を示す概略断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an intermediate step of ECD manufacturing according to a second embodiment of the present invention.

【図5】(a)は本発明にかかる実施形態3のECDの概
略平面図、(b)は、(a)図のX−X’矢視断面図、
(c)は、(a)図のY−Y’矢視断面図である。
5A is a schematic plan view of an ECD according to a third embodiment of the present invention, FIG. 5B is a cross-sectional view taken along the line XX ′ in FIG.
(C) is a sectional view taken along the line YY 'of (a).

【図6】本発明にかかる実施形態3のECD製造の第1の
途中工程を示す概略断面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing a first halfway step of manufacturing an ECD according to the third embodiment of the present invention.

【図7】本発明にかかるに実施形態3のECD製造の第2
の途中工程を示す概略断面図である。
FIG. 7 shows a second example of the ECD manufacturing according to the third embodiment of the present invention.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an intermediate step of FIG.

【図8】(a)は本発明にかかる実施形態4のECDの概
略平面図、(b)は、(a)図のX−X’矢視断面図、
(c)は、(a)図のY−Y’矢視断面図である。
8A is a schematic plan view of an ECD according to a fourth embodiment of the present invention, FIG. 8B is a cross-sectional view taken along line XX ′ of FIG.
(C) is a sectional view taken along the line YY 'of (a).

【図9】本発明にかかる実施形態4のECDの製造の途中
工程を示す概略断面図である。
FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing an intermediate step of manufacturing an ECD according to Embodiment 4 of the present invention.

【図10】(a)は従来のECD(比較例)を示す概略平
面図、(b)は、(a)図のX−X’矢視断面図であ
る。
10A is a schematic plan view showing a conventional ECD (Comparative Example), and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along line XX ′ of FIG. 10A.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2・・・EC層 3、4・・・ガラス基板 5、5’・・・封止樹脂 6、6’・・・封止ガラス基板 7・・・導電性ペースト 8・・・導電性クリップ 11・・・EC層1の下部電極層 12・・・EC層1の上部電極層 21・・・EC層2の下部電極層 22・・・EC層2の上部電極層 1, 2, ... EC layer 3, 4, ... glass substrate 5, 5 '... sealing resin 6, 6' ... sealing glass substrate 7 ... conductive paste 8 ... conductive Clip 11: lower electrode layer of EC layer 1 12: upper electrode layer of EC layer 1 21: lower electrode layer of EC layer 2 22: upper electrode layer of EC layer 2

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくともエレクトロクロミック層とこ
れを挟む一対の電極層を表面にそれぞれ形成した一対の
素子基板を前記各層の形成面を互いに向かい合わせ封止
樹脂を介して接合した構造を有し、前記各電極層の取り
出し部を少なくとも前記素子基板の端面に設けたことを
特徴とするエレクトロクロミック素子。
1. A structure in which a pair of element substrates each having at least an electrochromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer formed on the surface thereof are joined to each other with a sealing resin interposed therebetween with the formation surfaces of the respective layers facing each other. An electrochromic device, wherein a lead-out portion of each of the electrode layers is provided at least on an end surface of the element substrate.
【請求項2】 少なくともエレクトロクロミック層とこ
れを挟む一対の電極層を表面に形成した素子基板の各層
形成面を封止樹脂を介して封止基板により封止したエレ
クトロクロミック素子が複数個接合されてなり、かつ前
記各電極層の取り出し部が少なくとも前記素子基板の端
面に設けられたことを特徴とするエレクトロクロミック
素子。
2. An electrochromic device comprising a plurality of electrochromic elements in which at least an electrochromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer are formed on the surface, and each layer forming surface of the element substrate is sealed with a sealing substrate via a sealing resin. An electrochromic device, wherein a lead-out portion of each electrode layer is provided at least on an end surface of the device substrate.
【請求項3】 少なくともエレクトロクロミック層とこ
れを挟む一対の電極層を表面に形成した第一素子基板の
各層形成面上に、少なくともエレクトロクロミック層と
これを挟む一対の電極層を表面に形成した第二素子基板
の各層非形成面を第一封止樹脂を介して接合し、さらに
前記第二素子基板の各層形成面を、第二封止樹脂を介し
て封止基板により封止してなり、かつ前記各電極層の取
り出し部が少なくとも前記素子基板の端面に設けられた
ことを特徴とするエレクトロクロミック素子。
3. At least an electrochromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer are formed on the surface of each layer of the first element substrate on which at least an electrochromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer are formed. Each layer non-forming surface of the second element substrate is joined via a first sealing resin, and each layer forming surface of the second element substrate is further sealed with a sealing substrate via a second sealing resin. An electrochromic device, wherein a lead-out portion of each of the electrode layers is provided at least on an end face of the element substrate.
【請求項4】 少なくともエレクトロクロミック層とこ
れを挟む一対の電極層を表面に形成した第一素子基板の
各層形成面を第一封止樹脂を介して封止基板により封止
し、さらに少なくともエレクトロクロミック層とこれを
挟む一対の電極層を表面に形成した第二素子基板の各層
形成面を第二封止樹脂を介して前記封止基板の非接合面
により封止してなり、かつ前記各電極層の取り出し部が
少なくとも前記素子基板の端面に設けられたことを特徴
とするエレクトロクロミック素子。
4. A first element substrate having at least an electrochromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the electrochromic layer formed on a surface thereof is sealed with a sealing substrate via a first sealing resin. Each layer forming surface of the second element substrate having a chromic layer and a pair of electrode layers sandwiching the chromic layer formed on the surface is sealed by a non-bonding surface of the sealing substrate via a second sealing resin, and An electrochromic device, wherein an extraction portion of an electrode layer is provided at least on an end surface of the element substrate.
【請求項5】 前記各電極層の取り出し部に導電性薄膜
又は導電性ペースト及び導電性クリップを設けたことを
特徴とする請求項1〜4記載のエレクトロクロミック素
子。
5. The electrochromic device according to claim 1, wherein a conductive thin film or a conductive paste and a conductive clip are provided at a portion where each of the electrode layers is taken out.
【請求項6】 一方の素子基板端面に形成された取り出
し電極部から他方の素子基板端面に形成された取り出し
電極部にかけて導電性ペーストを塗布するか、或いは導
電性薄膜を形成し、該導電性ペースト上又は導電性薄膜
上に導電性クリップを設けたことを特徴とする請求項1
記載のエレクトロクロミック素子。
6. Applying a conductive paste or forming a conductive thin film from an extraction electrode portion formed on one element substrate end surface to an extraction electrode portion formed on the other element substrate end surface, 2. A conductive clip provided on a paste or a conductive thin film.
The electrochromic device as described in the above.
【請求項7】 前記接合されたエレクトロクロミック素
子を構成する一つのエレクトロクロミック素子基板の前
記取り出し電極部から残りのエレクトロクロミック素子
基板の前記取りだし電極部にかけて導電性ペーストを塗
布するか、或いは導電性薄膜を形成し、該導電性ペース
ト上又は導電性薄膜上に導電性クリップを設けたことを
特徴とする請求項2記載のエレクトロクロミック素子。
7. A conductive paste is applied from the take-out electrode portion of one electrochromic device substrate constituting the joined electrochromic device to the take-out electrode portion of the remaining electrochromic device substrate, or a conductive paste is applied. 3. The electrochromic device according to claim 2, wherein a thin film is formed, and a conductive clip is provided on the conductive paste or the conductive thin film.
【請求項8】 前記第一素子基板の端面に形成された取
り出し電極部から前記第二素子基板の端面に形成された
取り出し電極部及び前記封止基板にかけて導電性ペース
トを塗布するか、或いは導電性薄膜を形成し、該導電性
ペースト上又は導電性薄膜上に導電性クリップを設けた
ことを特徴とする請求項3又は4記載のエレクトロクロ
ミック素子。
8. A conductive paste is applied from the extraction electrode portion formed on the end surface of the first element substrate to the extraction electrode portion formed on the end surface of the second element substrate and the sealing substrate. The electrochromic device according to claim 3, wherein a conductive thin film is formed, and a conductive clip is provided on the conductive paste or the conductive thin film.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009544997A (en) * 2006-07-28 2009-12-17 サン−ゴバン グラス フランス Active device with variable energy / light transmission characteristics
WO2023145225A1 (en) * 2022-01-26 2023-08-03 株式会社ジャパンディスプレイ Light control device

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