JPH08321641A - Nonlinear device - Google Patents

Nonlinear device

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JPH08321641A
JPH08321641A JP7152594A JP15259495A JPH08321641A JP H08321641 A JPH08321641 A JP H08321641A JP 7152594 A JP7152594 A JP 7152594A JP 15259495 A JP15259495 A JP 15259495A JP H08321641 A JPH08321641 A JP H08321641A
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JP
Japan
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mol
substrate
ratio
satisfies
ceramic material
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JP7152594A
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Japanese (ja)
Inventor
Michio Kadota
田 道 雄 門
Takeshi Kitamura
村 武 北
Koichi Hayashi
宏 一 林
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP7152594A priority Critical patent/JPH08321641A/en
Publication of JPH08321641A publication Critical patent/JPH08321641A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To provide a nonlinear device having a large nonlinear constant. CONSTITUTION: A nonlinear device 10 is formed into a structure, wherein the device 10 comprises a substrate 12, which is formed of a Pb(Tix , Zr1-x )O3 piezoelectric porcelain material, and the ratio of components of a PbTiO3 and a PbZrO3 in the substrate 12 is compounded in the ratio of components existing in the vicinity of a phase boundary (an MPB), where a phase transition between a PbTiO3 tetragonal crystal and a PbZrO3 rhombohedral crystal appears. In this case, the ratio of components of Ti/Zr, which satisfies the condition of 40<=x<=60 (mol %), is desirable, the ratio of components of Ti/Zr, which satisfies the condition of 45<=x<=55 (mol %), is more desirable and the ratio of components of Ti/Zr, which satisfies the condition of x=50 (mol %), is most desirable.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は非線形デバイスに関
し、特にたとえば、エラスティックコンボルバ、パラメ
トリック発振器、超音波顕微鏡、走査形トンネル顕微鏡
および位相共役波トランスデューサなどに適用される非
線形デバイスに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a non-linear device, and more particularly to a non-linear device applied to, for example, an elastic convolver, a parametric oscillator, an ultrasonic microscope, a scanning tunneling microscope and a phase conjugate wave transducer.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、弾性表面波の伝搬に伴って起
こる非線形現象を用いたデバイスとして、たとえばエラ
スティックコンボルバ、位相共役波を利用した走査型超
音波映像装置などが注目されている。このような非線形
デバイスに用いられる基板の材料としては、たとえば水
晶,LiNbO3 ,LiTaO3 などの単結晶、あるい
は、たとえばPbTiO3 −PbZrO3 −Pb(Mn
1/3 Nb2/3 )O3 系,PbTiO3 −PbZrO3
Pb(Sn1/2 ,Sb1/2 )O3 系,PbTiO3 −P
bZrO3 −Pb(Nb2/3 Ni 1/3)O3 系,PbT
iO3 −PbZrO3 −Pb(Nb2/3 Mg 1/3)O3
系,PbTiO3 −PbZrO3 −In(Li3/5
2/5 )O3 系などの圧電セラミックス等が用いられてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a device using a non-linear phenomenon that accompanies the propagation of a surface acoustic wave, for example, an elastic convolver, a scanning ultrasonic imaging apparatus using a phase conjugate wave, and the like have been attracting attention. As a material of the substrate used for such non-linear devices, for example quartz, single crystal such as LiNbO 3, LiTaO 3, or, for example PbTiO 3 -PbZrO 3 -Pb (Mn
1/3 Nb 2/3 ) O 3 system, PbTiO 3 —PbZrO 3
Pb (Sn 1/2 , Sb 1/2 ) O 3 system, PbTiO 3 -P
bZrO 3 -Pb (Nb 2/3 Ni 1/3 ) O 3 system, PBT
iO 3 -PbZrO 3 -Pb (Nb 2/3 Mg 1/3) O 3
System, PbTiO 3 —PbZrO 3 —In (Li 3/5 W
2/5 ) Piezoelectric ceramics such as O 3 system are used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来の非線形デバイスに用いられる基板の材料では、所
望される非線形効果の大きい、つまり、非線形定数の大
きい非線形デバイスが得られなかった。
However, with the material of the substrate used for such a conventional non-linear device, a non-linear device having a large desired non-linear effect, that is, a large non-linear constant cannot be obtained.

【0004】それゆえに、この発明の主たる目的は、非
線形定数の大きい非線形デバイスを提供することであ
る。
Therefore, a main object of the present invention is to provide a nonlinear device having a large nonlinear constant.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、Pb(Ti,Zr)O3 系圧電磁器材料で形成され
る基板を含み、基板におけるPbTiO3 およびPbZ
rO3 の成分比は、PbTiO3 の正方晶とPbZrO
3 の菱面体晶との相転移が現れる相境界付近に存在する
成分比で配合される、非線形デバイスである。
The invention according to claim 1 includes a substrate formed of a Pb (Ti, Zr) O 3 -based piezoelectric ceramic material, wherein PbTiO 3 and PbZ in the substrate are included.
The component ratios of rO 3 are PbTiO 3 tetragonal and PbZrO
It is a non-linear device that is compounded by the component ratio existing near the phase boundary where the phase transition with the rhombohedral crystal of 3 appears.

【0006】請求項2に記載の発明は、基板がPb(T
x ,Zr1-x )O3 系圧電磁器材料で形成され、Ti
とZrとの成分比は、40モル%≦x≦60モル%を満
足する、請求項1に記載の非線形デバイスである。
According to a second aspect of the invention, the substrate is Pb (T
i x , Zr 1-x ) O 3 -based piezoelectric ceramic material
The non-linear device according to claim 1, wherein the composition ratio of Zr and Zr satisfies 40 mol% ≤ x ≤ 60 mol%.

【0007】請求項3に記載の発明は、基板がPb(T
x ,Zr1-x )O3 系圧電磁器材料で形成され、Ti
とZrとの成分比は、45モル%≦x≦55モル%を満
足する、請求項1に記載の非線形デバイスである。
In the invention according to claim 3, the substrate is Pb (T
i x , Zr 1-x ) O 3 -based piezoelectric ceramic material
The non-linear device according to claim 1, wherein the component ratio of Zr and Zr satisfies 45 mol% ≤ x ≤ 55 mol%.

【0008】請求項4に記載の発明は、基板がPb(T
x ,Zr1-x )O3 系圧電磁器材料で形成され、Ti
とZrとの成分比は、x=50モル%を満足する、請求
項1に記載の非線形デバイスである。
According to a fourth aspect of the invention, the substrate is Pb (T
i x , Zr 1-x ) O 3 -based piezoelectric ceramic material
The non-linear device according to claim 1, wherein the component ratio of Zr and Zr satisfies x = 50 mol%.

【0009】請求項5に記載の発明は、基板がPb(S
1/2 ,Sb1/2 0.05(Tix Zr1-x 0.953
圧電磁器材料で形成され、TiとZrとの成分比は、4
0モル%≦x≦60モル%を満足する、請求項1に記載
の非線形デバイスである。
In a fifth aspect of the invention, the substrate is Pb (S
n 1/2 , Sb 1/2 ) 0.05 (Ti x Zr 1-x ) 0.95 O 3 -based piezoelectric ceramic material, and the composition ratio of Ti and Zr is 4
The nonlinear device according to claim 1, wherein 0 mol% ≦ x ≦ 60 mol% is satisfied.

【0010】請求項6に記載の発明は、基板がPb(S
1/2 ,Sb1/2 0.05(Tix Zr1-x 0.953
圧電磁器材料で形成され、TiとZrとの成分比は、4
5モル%≦x≦55モル%を満足する、請求項1に記載
の非線形デバイスである。
In a sixth aspect of the invention, the substrate is Pb (S
n 1/2 , Sb 1/2 ) 0.05 (Ti x Zr 1-x ) 0.95 O 3 -based piezoelectric ceramic material, and the composition ratio of Ti and Zr is 4
The nonlinear device according to claim 1, wherein 5 mol% ≦ x ≦ 55 mol% is satisfied.

【0011】請求項7に記載の発明は、基板がPb(S
1/2 ,Sb1/2 0.05(Tix Zr1-x 0.953
圧電磁器材料で形成され、TiとZrとの成分比は、x
=50モル%を満足する、請求項1に記載の非線形デバ
イスである。
According to a seventh aspect of the invention, the substrate is Pb (S
n 1/2 , Sb 1/2 ) 0.05 (Ti x Zr 1-x ) 0.95 O 3 -based piezoelectric ceramic material, and the composition ratio of Ti and Zr is x
The non-linear device according to claim 1, which satisfies 50 mol%.

【0012】[0012]

【作用】請求項1〜7に記載の発明では、基板の材料の
Ti/Zrの成分比が相境界付近の組成の成分比で形成
されるため、非線形定数の大きい基板が得られる。その
ため、この基板を用いた非線形デバイスは、非線形定数
が大きく、非線形効果の大きいものとなる。この場合、
Ti/Zrの成分比が40〜60/60〜40(モル
%)の時が好ましく、45〜55/55〜45(モル
%)の時がさらに好ましく、50/50(モル%)の時
が最も好ましいものとなる。
According to the invention described in claims 1 to 7, since the composition ratio of Ti / Zr of the material of the substrate is formed by the composition ratio of the composition near the phase boundary, a substrate having a large nonlinear constant can be obtained. Therefore, the nonlinear device using this substrate has a large nonlinear constant and a large nonlinear effect. in this case,
The Ti / Zr component ratio is preferably 40-60 / 60-40 (mol%), more preferably 45-55 / 55-45 (mol%), and even more preferably 50/50 (mol%). Most preferred.

【0013】[0013]

【発明の効果】請求項1〜7に記載の発明によれば、非
線形定数の大きい非線形デバイスを得ることができる。
すなわち、非線形効果が大きく、効率の高い非線形デバ
イスが得られる。
According to the invention described in claims 1 to 7, it is possible to obtain a nonlinear device having a large nonlinear constant.
That is, a highly efficient nonlinear device having a large nonlinear effect can be obtained.

【0014】この発明の上述の目的,その他の目的,特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の実施例の詳
細な説明から一層明らかとなろう。
The above-mentioned objects, other objects, features and advantages of the present invention will become more apparent from the following detailed description of the embodiments with reference to the drawings.

【0015】[0015]

【実施例】図1はこの発明の一実施例を示す図解図であ
る。この実施例では、非線形デバイスの一例として、た
とえばエラスティックコンボルバについて説明する。こ
のエラスティックコンボルバ10は、たとえば矩形板状
の圧電体基板12を含む。圧電体基板12は、たとえば
チタン酸ジルコン酸鉛(PZT)系の圧電磁器材料で形
成される。この実施例では、たとえばPb(Sb1/2
Sn1/2 0.05(Tix Zr1-x 0.953 系の3成分
系PZT圧電磁器材料で圧電体基板12が形成される。
1 is an illustrative view showing one embodiment of the present invention. In this embodiment, for example, an elastic convolver will be described as an example of a non-linear device. The elastic convolver 10 includes a piezoelectric substrate 12 having a rectangular plate shape, for example. The piezoelectric substrate 12 is made of, for example, a lead zirconate titanate (PZT) -based piezoelectric ceramic material. In this embodiment, for example, Pb (Sb 1/2 ,
Sn 1/2) 0.05 (Ti x Zr 1-x) 0.95 O piezoelectric substrate 12 in three-component PZT piezoelectric ceramic material 3 system is formed.

【0016】さらに、この実施例のエラスティックコン
ボルバ10では、圧電体基板12を形成するPZT系圧
電磁器材料の組成において、TiとZrとの成分比がP
bTiO3 の正方晶とPbZrO3 の菱面体晶との相転
移が現れる相境界付近に存在する成分比で配合される。
Further, in the elastic convolver 10 of this embodiment, in the composition of the PZT-based piezoelectric ceramic material forming the piezoelectric substrate 12, the component ratio of Ti and Zr is P.
The components are mixed in such a proportion that they exist near the phase boundary where the phase transition between the tetragonal crystal of bTiO 3 and the rhombohedral crystal of PbZrO 3 appears.

【0017】この場合、Ti/Zrの成分比が40〜6
0/60〜40(モル%)のものが好ましく、また、T
i/Zrの配合比が45〜55/55〜45(モル%)
のものがより好ましく、さらに、Ti/Zrの配合比が
50/50(モル%)のものが最も好ましい。この実施
例では、特に、たとえばTi/Zrの配合比が50/5
0(モル%)で形成された圧電体基板が用いられる。
In this case, the Ti / Zr component ratio is 40 to 6
It is preferably 0/60 to 40 (mol%), and T
i / Zr compounding ratio is 45-55 / 55-45 (mol%)
Those having a Ti / Zr compounding ratio of 50/50 (mol%) are most preferable. In this embodiment, in particular, for example, the Ti / Zr compounding ratio is 50/5.
A piezoelectric substrate formed of 0 (mol%) is used.

【0018】圧電体基板12の表面の中央には、たとえ
ば略平板形の金属からなる中央電極14が形成される。
また、圧電体基板12の表面には、その長手方向に間隔
を隔てて、2つの入力用すだれ状電極16および18が
形成される。
At the center of the surface of the piezoelectric substrate 12, a central electrode 14 made of, for example, a substantially plate-shaped metal is formed.
Further, on the surface of the piezoelectric substrate 12, two input interdigital transducers 16 and 18 are formed at intervals in the longitudinal direction.

【0019】一方の入力用すだれ状電極16は、圧電体
基板12の長手方向の一方側に形成され、他方のすだれ
状電極18は、圧電体基板12の長手方向の他方側に形
成される。この場合、すだれ状電極16および18は、
中央電極14を挟んで、その中央電極14と間隔を隔て
て形成される。さらに、圧電体基板12の裏面には、圧
電体基板12を介して、中央電極14と対向するよう
に、グランド電極20が形成される。
One of the interdigital transducers 16 for input is formed on one side of the piezoelectric substrate 12 in the longitudinal direction, and the other of the interdigital electrodes 18 is formed on the other side of the piezoelectric substrate 12 in the longitudinal direction. In this case, the interdigital electrodes 16 and 18 are
The central electrode 14 is sandwiched between the central electrode 14 and the central electrode 14. Further, a ground electrode 20 is formed on the back surface of the piezoelectric substrate 12 so as to face the central electrode 14 with the piezoelectric substrate 12 interposed therebetween.

【0020】このエラスティックコンボルバ10では、
2つのすだれ状電極16および18にそれぞれ入力信号
を入れると、互いに反対方向に伝搬する2つの弾性表面
波が両方のすだれ状電極16および18から励振され、
中央電極14上で交差される。そして、この2つの弾性
表面波は、媒体の非線形性を介して、中央電極14から
コンボリューション信号が取り出される。
In this elastic convolver 10,
When an input signal is applied to each of the two interdigital electrodes 16 and 18, two surface acoustic waves propagating in opposite directions are excited from both of the interdigital electrodes 16 and 18,
The center electrodes 14 are crossed. Then, the convolution signals of the two surface acoustic waves are extracted from the central electrode 14 through the nonlinearity of the medium.

【0021】すなわち、圧電体基板12の長手方向の両
側のすだれ状電極16および18で発生したたとえば角
周波数ω0 ,波数kおよび−kの弾性表面波が、互いに
その圧電体基板12の中央電極14に伝搬されて、2つ
のすだれ状電極16および18の間で相互作用し、伝搬
媒体である圧電体基板12のもつ非線形作用によって、
波数0,角周波数2ω0 の比較的弱い電界、所謂、コン
ボリューション信号が発生し、それが出力として中央電
極14から取り出される。
That is, surface acoustic waves having angular frequencies ω 0 , wave numbers k and -k, which are generated at the interdigital electrodes 16 and 18 on both sides of the piezoelectric substrate 12 in the longitudinal direction, are mutually central electrodes of the piezoelectric substrate 12. 14 is propagated to 14, interacts between the two interdigital electrodes 16 and 18, and due to the non-linear action of the piezoelectric substrate 12, which is a propagation medium,
A relatively weak electric field with a wave number of 0 and an angular frequency of 2ω 0 , a so-called convolution signal, is generated and taken out from the central electrode 14 as an output.

【0022】この実施例のエラスティックコンボルバ1
0では、圧電体基板12を形成するPZT系圧電磁器材
料の組成において、PbTiO3 およびPbZrO3
成分比が、PbTiO3 の正方晶とPbZrO3 の菱面
体晶との相転移が現れる相境界付近に存在する成分比で
配合されているため、非線形定数の大きい圧電体基板が
得られる。この実施例のエラスティックコンボルバ10
では、特に、たとえばTi/Zrの成分比が50/50
(モル%)で形成された圧電体基板が用いられているた
め、特に、非線形効果が大きく、極めて効率の良いエラ
スティックコンボルバ10が得られる。
Elastic convolver 1 of this embodiment
In 0, in the composition of the PZT-based piezoelectric ceramic material forming the piezoelectric substrate 12, PbTiO 3 and the component ratio of PbZrO 3 is near the phase boundary appearing phase transition between the rhombohedral tetragonal and PbZrO 3 of PbTiO 3 Since it is mixed with the component ratio existing in, a piezoelectric substrate having a large nonlinear constant can be obtained. Elastic convolver 10 of this embodiment
In particular, for example, when the Ti / Zr component ratio is 50/50,
Since the piezoelectric substrate formed of (mol%) is used, the elastic convolver 10 having a particularly large non-linear effect and extremely high efficiency can be obtained.

【0023】次に、圧電体基板12を形成するPb(T
x ,Zr1-x )O3 系圧電磁器材料において、上述の
相境界付近に存在する成分比、つまり、40モル%≦x
≦60モル%を満足するTi/Zr比のときに、非線形
定数が大きくなることを示す実験例を以下に示す。 〔実験例〕まず、出発原料として、PbO,TiO2
ZrO2 ,SnO2 およびSb23 を使用し、これら
の粉末を、Pb(Sb1/2 ,Sn1/2 0.05(Tix
1-x 0.953 〔但し、xは、10≦x≦80(モル
%)の範囲〕で示す組成になるように秤量して、それら
の原料を調合した。次に、調合された原料を通常の圧電
セラミックスの製造方法と同様の工程で、つまり、仮焼
工程→粉砕工程→バインダー混合工程→造粒工程→成形
工程→焼成工程→研磨切削工程→電極付与工程→分極工
程などの一連の工程によって、圧電体基板12となる試
料を作製した。
Next, Pb (T
i x, in Zr 1-x) O 3 based piezoelectric ceramic material, component ratio present in the vicinity of phase boundaries above, i.e., 40 mol% ≦ x
An experimental example showing that the nonlinear constant becomes large when the Ti / Zr ratio satisfies ≦ 60 mol% is shown below. [Experimental Example] First, as starting materials, PbO, TiO 2 ,
ZrO 2 , SnO 2 and Sb 2 O 3 were used, and these powders were mixed with Pb (Sb 1/2 , Sn 1/2 ) 0.05 (Ti x Z
r 1 -x ) 0.95 O 3 [where x is in the range of 10 ≦ x ≦ 80 (mol%)], and the raw materials were prepared by weighing them. Next, the prepared raw material is processed in the same process as in the normal piezoelectric ceramics manufacturing method, that is, calcination process → grinding process → binder mixing process → granulation process → molding process → firing process → polishing cutting process → electrode application. A sample to be the piezoelectric substrate 12 was produced by a series of steps such as step → polarization step.

【0024】それから、作製された試料に電圧を加えた
時のバルク波および漏洩弾性表面波の伝搬特性が、たと
えばパルス干渉法あるいはV(z)測定法などの超音波
顕微鏡を用いた定量計測システム(図示せず)によって
測定される。さらに、電圧を何点か変えて測定した結果
をたとえばFFT法などに基づき解析して、試料の非線
形定数が算出される。その算出結果を図2(A)および
図2(B)に示す。なお、図2(A)はバルク波による
Ti/Zr比(Ti量)と非線形定数との関係を示すグ
ラフであり、図2(B)は漏洩弾性表面波によるTi/
Zr比(Ti量)と非線形定数との関係を示すグラフで
ある。
Then, the propagation characteristics of the bulk wave and the leaky surface acoustic wave when a voltage is applied to the prepared sample, for example, a quantitative measurement system using an ultrasonic microscope such as pulse interferometry or V (z) measurement method. (Not shown). Further, the results obtained by changing the voltage at several points are analyzed based on, for example, the FFT method, and the nonlinear constant of the sample is calculated. The calculation results are shown in FIGS. 2 (A) and 2 (B). 2A is a graph showing the relationship between the Ti / Zr ratio (Ti amount) due to the bulk wave and the nonlinear constant, and FIG. 2B is the graph showing the Ti / Zr ratio due to the leaky surface acoustic wave.
It is a graph which shows the relationship between a Zr ratio (Ti amount) and a nonlinear constant.

【0025】図2(A),図2(B)に示すグラフから
も明らかなように、Ti/Zrの成分比/配合比が50
モル%/50モル%のとき、非線形定数が最も大きくな
ることがわかる。この場合、バルク波では約2倍弱、漏
洩弾性表面波(LSAW)では4倍程度大きくなってい
ることがわかる。
As is clear from the graphs shown in FIGS. 2A and 2B, the Ti / Zr component ratio / mixing ratio is 50.
It can be seen that the nonlinear constant becomes the largest when the ratio is mol% / 50 mol%. In this case, it can be seen that the bulk wave is about twice less, and the leaky surface acoustic wave (LSAW) is about four times larger.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の一実施例を示す図解図である。FIG. 1 is an illustrative view showing one embodiment of the present invention;

【図2】(A)はバルク波によるTi/Zr比と非線形
定数との関係を示すグラフであり、(B)は漏洩弾性表
面波(LSAW)によるTi/Zr比と非線形定数との
関係を示すグラフである。
FIG. 2A is a graph showing the relationship between the Ti / Zr ratio due to bulk waves and the nonlinear constant, and FIG. 2B is a graph showing the relationship between the Ti / Zr ratio due to leaky surface acoustic waves (LSAW) and the nonlinear constant. It is a graph shown.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 エラスティックコンボルバ 12 圧電体基板 14 中央電極 16 第1のすだれ状電極 18 第2のすだれ状電極 20 グランド電極 10 Elastic Convolver 12 Piezoelectric Substrate 14 Central Electrode 16 First Interdigital Electrode 18 Second Interdigital Electrode 20 Ground Electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H03H 9/72 C04B 35/49 A H04N 5/31 H01L 41/18 101D ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location H03H 9/72 C04B 35/49 A H04N 5/31 H01L 41/18 101D

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 Pb(Ti,Zr)O3 系圧電磁器材料
で形成される基板を含み、前記基板におけるPbTiO
3 およびPbZrO3 の成分比は、前記PbTiO3
正方晶と前記PbZrO3 の菱面体晶との相転移が現れ
る相境界付近に存在する成分比で配合される、非線形デ
バイス。
1. A substrate comprising a Pb (Ti, Zr) O 3 -based piezoelectric ceramic material, wherein PbTiO 3 in the substrate.
The non-linear device in which the component ratios of 3 and PbZrO 3 are blended with the component ratio existing near the phase boundary where the phase transition between the tetragonal crystal of PbTiO 3 and the rhombohedral crystal of PbZrO 3 appears.
【請求項2】 前記基板がPb(Tix ,Zr1-x )O
3 系圧電磁器材料で形成され、TiとZrとの成分比
は、40モル%≦x≦60モル%を満足する、請求項1
に記載の非線形デバイス。
2. The substrate is Pb (Ti x , Zr 1-x ) O.
It is formed of a 3- system piezoelectric ceramic material, and the composition ratio of Ti and Zr satisfies 40 mol% ≤ x ≤ 60 mol%.
Non-linear device described in.
【請求項3】 前記基板がPb(Tix ,Zr1-x )O
3 系圧電磁器材料で形成され、TiとZrとの成分比
は、45モル%≦x≦55モル%を満足する、請求項1
に記載の非線形デバイス。
3. The substrate is Pb (Ti x , Zr 1-x ) O.
It is formed of a 3 type piezoelectric ceramic material, and the composition ratio of Ti and Zr satisfies 45 mol% ≤ x ≤ 55 mol%.
Non-linear device described in.
【請求項4】 前記基板がPb(Tix ,Zr1-x )O
3 系圧電磁器材料で形成され、TiとZrとの成分比
は、x=50モル%を満足する、請求項1に記載の非線
形デバイス。
4. The substrate is Pb (Ti x , Zr 1-x ) O.
The nonlinear device according to claim 1, wherein the nonlinear device is formed of a 3- system piezoelectric ceramic material, and a component ratio of Ti and Zr satisfies x = 50 mol%.
【請求項5】 前記基板がPb(Sn1/2 ,Sb1/2
0.05(Tix Zr1-x 0.953 系圧電磁器材料で形成
され、TiとZrとの成分比は、40モル%≦x≦60
モル%を満足する、請求項1に記載の非線形デバイス。
5. The substrate is Pb (Sn 1/2 , Sb 1/2 )
0.05 (Ti x Zr 1-x ) 0.95 O 3 type piezoelectric ceramic material, and the composition ratio of Ti and Zr is 40 mol% ≦ x ≦ 60.
The nonlinear device according to claim 1, which satisfies the mol%.
【請求項6】 前記基板がPb(Sn1/2 ,Sb1/2
0.05(Tix Zr1-x 0.953 系圧電磁器材料で形成
され、TiとZrとの成分比は、45モル%≦x≦55
モル%を満足する、請求項1に記載の非線形デバイス。
6. The substrate is Pb (Sn 1/2 , Sb 1/2 )
0.05 (Ti x Zr 1-x ) 0.95 O 3 type piezoelectric ceramic material, and the composition ratio of Ti and Zr is 45 mol% ≦ x ≦ 55.
The nonlinear device according to claim 1, which satisfies the mol%.
【請求項7】 前記基板がPb(Sn1/2 ,Sb1/2
0.05(Tix Zr1-x 0.953 系圧電磁器材料で形成
され、TiとZrとの成分比は、x=50モル%を満足
する、請求項1に記載の非線形デバイス。
7. The substrate is Pb (Sn 1/2 , Sb 1/2 )
The nonlinear device according to claim 1, wherein the nonlinear device is formed of 0.05 (Ti x Zr 1-x ) 0.95 O 3 -based piezoelectric ceramic material, and the component ratio of Ti and Zr satisfies x = 50 mol%.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008026274A (en) * 2006-07-25 2008-02-07 Denso Corp Surface-acoustic-wave angular velocity sensor
US8256289B2 (en) 2006-07-25 2012-09-04 Denso Corporation Angular rate sensor

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