JPH0697315A - Circuit element module - Google Patents

Circuit element module

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JPH0697315A
JPH0697315A JP4240974A JP24097492A JPH0697315A JP H0697315 A JPH0697315 A JP H0697315A JP 4240974 A JP4240974 A JP 4240974A JP 24097492 A JP24097492 A JP 24097492A JP H0697315 A JPH0697315 A JP H0697315A
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Abstract

PURPOSE:To provide a small-sized, lightweight and inexpensive high-frequency module, on which a function unit appropriately including an impedance matching circuit, a delay line and a low-noise amplifier in addition to a surface acoustic wave device can be mounted. CONSTITUTION:Provided are a multilayered board 10, a high-frequency element mounted thereon, and a conductive cap 40 for hermetically sealing the upper surface of the board 10. The board 10 is composed of an organic material, and has first metallic films 21a, 21b on the first principal surface thereof and a second metallic film 20 provided on the second principal surface thereof. The board 10 has an internal connection electrode 22a for connection with the element, an external connection electrode 22b for connection with the outside, a via 25 for connecting the internal connection electrode 22a and the external connection electrode 22b, and a wiring conductor 24. The cap 40 is closely contacted with the first metallic film 21a with the opening thereof being electrically conductive.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、基板上に素子を搭載し
た回路素子モジュールに係り、特に、高周波素子を搭載
した回路素子モジュールに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit element module in which elements are mounted on a substrate, and more particularly to a circuit element module in which high frequency elements are mounted.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯無線端末等に用いられる回路素子モ
ジュールは、表面弾性波素子、インピーダンス整合回
路、遅延線、低雑音増幅器などの構成要素を含む機能ユ
ニット、例えば、弾性表面波フィルタ等の機能ユニット
を、基板に搭載して構成される。これらの構成要素、特
に、表面弾性波素子は、気密封止、電磁波シールドが必
要となる。
2. Description of the Related Art A circuit element module used in a portable radio terminal or the like is a functional unit including constituent elements such as a surface acoustic wave element, an impedance matching circuit, a delay line, a low noise amplifier, and a function such as a surface acoustic wave filter. The unit is mounted on a board. These components, particularly the surface acoustic wave device, require hermetic sealing and electromagnetic wave shielding.

【0003】従来の表面弾性波フィルタにおいて、電磁
波シールド機能を損なうことなく安価に気密封止する技
術としては、例えば、特開平2−283112号公報に
記載されるものがある。すなわち、この技術は、セラミ
クスからなる単層基板に表面弾性波素子を載置し、接地
端子を除く、外部接続用電極パターンの金属キャップ封
止部を絶縁膜で覆い、さらに、無機導体膜を形成し、こ
れに金属キャップをはんだ付けして、表面弾性波フィル
タを構成するものである。また、特開平2−17760
9号公報には、リードフレーム付きエンジニアリングプ
ラスチックケースの空洞部に表面弾性波素子を載置し、
外部接続用電極リードの周辺を除く、ケースの略全体を
めっきなどの金属膜で覆う構成の表面弾性波フィルタが
開示されている。
In a conventional surface acoustic wave filter, as a technique for hermetically sealing at low cost without impairing the electromagnetic wave shielding function, there is, for example, one described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2-283112. That is, this technique places a surface acoustic wave device on a single-layer substrate made of ceramics, covers the metal cap sealing part of the electrode pattern for external connection except the ground terminal with an insulating film, and further covers the inorganic conductor film. The surface acoustic wave filter is formed by soldering a metal cap formed on the surface. In addition, JP-A-2-17760
No. 9 publication discloses that a surface acoustic wave device is placed in a cavity of an engineering plastic case with a lead frame,
There is disclosed a surface acoustic wave filter having a configuration in which substantially the entire case, except for the periphery of the electrode lead for external connection, is covered with a metal film such as plating.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の表面弾性波フィルタは、表面弾性波素子単体の
パッケージについての低価格化技術であり、インピーダ
ンス整合回路などの周辺回路を含む機能ユニットとして
は、言及されていない。特に、携帯無線端末等の小形軽
量実装を実現するには、表面弾性波素子を中心とする機
能ユニットの小形化および低価格化が課題であり、気密
封止と電磁波シールド機能を損なうことなくこれを解決
しなければならない。
However, the above-described conventional surface acoustic wave filter is a low-cost technology for a package of a surface acoustic wave element alone, and is a functional unit including peripheral circuits such as an impedance matching circuit. , Not mentioned. In particular, in order to realize compact and lightweight mounting of mobile wireless terminals, downsizing and cost reduction of functional units centering on surface acoustic wave devices are important issues, and this can be achieved without impairing hermetic sealing and electromagnetic wave shielding function. Must be resolved.

【0005】ところで、この種の回路素子モジュールに
おけるコスト低減の障害の一つは、基板にある。すなわ
ち、従来は、基板として、アルミナ、ムライト、ガラス
等の無機材料が用いられている。この無機材料の基板
は、製造に手間がかかると共に、歩留まりが悪い等の問
題があり、コストの低減が困難であった。
By the way, one of the obstacles to cost reduction in this type of circuit element module is the substrate. That is, conventionally, an inorganic material such as alumina, mullite, or glass has been used as the substrate. This substrate of an inorganic material is troublesome to manufacture, and has problems such as poor yield, so that it is difficult to reduce the cost.

【0006】一方、これに対して、本発明者らは、製造
が容易で、安価に製作できる有機材料の基板を用いるこ
とを考えた。しかし、有機材料の基板は、水を透過しや
すいため、湿度に敏感な表面弾性波素子等の実装には適
していないという問題があることを見出した。
On the other hand, the present inventors have considered using a substrate made of an organic material that is easy to manufacture and can be manufactured at low cost. However, it has been found that a substrate made of an organic material has a problem that it is not suitable for mounting a surface acoustic wave device or the like that is sensitive to humidity because it easily transmits water.

【0007】本発明の目的は、このような問題を解決し
て、表面弾性波素子等を含む機能ユニットを、小形軽量
かつ低価格に実装した回路素子モジュールを提供するこ
とにある。
An object of the present invention is to solve the above problems and provide a circuit element module in which a functional unit including a surface acoustic wave element or the like is mounted in a small size, light weight, and low cost.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明によれば、第1、第2の主面を有し、第1の
主面が素子搭載領域となる基板と、第1の主面の素子搭
載領域に配置された少なくとも1の素子と、この基板の
素子搭載領域を少なくとも覆う、導電性のキャップとを
有する回路素子モジュールにおいて、上記基板は、有機
材料で構成され、かつ、その第1の主面に設けられ、少
なくとも上記素子搭載領域を囲む第1の金属膜と、その
第2の主面に設けられ、上記素子搭載領域に対向する領
域を少なくとも覆う第2の金属膜とを有し、さらに、上
記基板は、素子搭載領域に配置されて、素子との接続を
行なうための内部接続電極と、上記キャップには覆われ
ず、かつ、第1の金属膜および第2の金属膜と接触しな
い位置に配置されて、外部との接続を行なうための外部
接続電極と、一端が上記内部接続電極と接続されるビア
と、その一部が対応する上記ビアと接続されると共に、
一端が上記外部接続電極と接続される配線導体とを有
し、上記キャップは、覆うべき素子搭載領域を内側に含
み得る大きさの開口部を有し、該開口部が電気的に導通
する状態で上記第1の金属膜に密着されることを特徴と
する回路素子モジュールが提供される。
To achieve the above object, according to the present invention, a substrate having first and second main surfaces, the first main surface serving as an element mounting region, and a first A circuit element module having at least one element arranged in the element mounting area of the main surface and a conductive cap covering at least the element mounting area of the substrate, wherein the substrate is made of an organic material, and A first metal film which is provided on the first main surface and surrounds at least the element mounting region, and a second metal which is provided on the second main surface and covers at least the region facing the element mounting region. And a first metal film and a first metal film which are not covered by the cap and which are arranged in the element mounting region and are connected to the element, and the internal connection electrodes for connecting to the element. Placed in a position that does not contact the metal film of No. 2 An external connection electrode for connecting with the outside, and via which one end is connected to the internal connection electrodes, together with a part thereof connected to said corresponding vias,
A state in which one end has a wiring conductor connected to the external connection electrode, the cap has an opening whose size can include an element mounting region to be covered, and the opening is electrically conductive. Then, a circuit element module is provided, which is closely attached to the first metal film.

【0009】上記基板は、上記ビアが設けられる第1の
絶縁層と、その下層側に配置されて、上記配線導体が設
けられる第2の絶縁層とを少なくとも有し、これらが積
層されて構成される多層構造とすることができる。ま
た、上記第1の絶縁層の上面が、上記第1の主面であ
り、かつ、第1の金属膜は、上記素子搭載領域にも配置
される構造とすることができる。この場合、上記素子搭
載領域内の第1の金属膜上に、少なくとも1の素子が搭
載される構成とすることができる。
The substrate has at least a first insulating layer provided with the via and a second insulating layer provided under the via and provided with the wiring conductor, and these are laminated. Can have a multilayer structure. Further, the upper surface of the first insulating layer may be the first main surface, and the first metal film may be arranged in the element mounting region. In this case, at least one element can be mounted on the first metal film in the element mounting region.

【0010】上記第1の金属膜上に搭載される素子とし
ては、水分に敏感な素子、例えば、弾性表面波素子が挙
げられる。
As the element mounted on the first metal film, an element sensitive to moisture, for example, a surface acoustic wave element can be mentioned.

【0011】また、本発明は、素子として、上記素子搭
載領域に配置される平面コイルをさらに有することがで
きる。上記平面コイルは、平面螺旋構造を有する配線で
構成され、螺旋の中央に、内部接続電極と、ビアとを有
する構造とすることができる。
Further, the present invention can further include, as an element, a planar coil arranged in the element mounting region. The planar coil is composed of wiring having a planar spiral structure, and may have a structure having an internal connection electrode and a via in the center of the spiral.

【0012】具体的には、上記平面コイルが複数形成さ
れ、該複数の平面コイルと上記弾性表面波素子とが接続
されて構成される、整合回路内蔵型の弾性表面波フィル
タを機能ユニットとして搭載する回路素子モジュールが
構成できる。
Specifically, a surface acoustic wave filter having a built-in matching circuit, which is formed by forming a plurality of the plane coils and connecting the plurality of plane coils with the surface acoustic wave element, is mounted as a functional unit. A circuit element module can be configured.

【0013】本発明では、上記素子搭載領域は、上記平
面コイルが配置される部分を除いて、上記第1の金属膜
で覆われる構造とすることができる。
In the present invention, the element mounting region may be covered with the first metal film except for the portion where the planar coil is arranged.

【0014】上記外部接続用電極は、多層基板の側面に
設けられる構成とすることができる。また、上記多層基
板は、その側面の、上記外部接続用電極が配置されてい
る部分以外の領域を覆う第3の金属膜をさらに有する構
造とすることができる。
The external connection electrode may be provided on the side surface of the multilayer substrate. In addition, the multilayer substrate may have a structure further including a third metal film that covers a region of a side surface of the multilayer substrate other than a portion where the external connection electrode is arranged.

【0015】さらに、本発明では、上記素子搭載領域
の、金属膜で覆われない部分を覆う防水性樹脂をさらに
有する構造とすることができる。
Further, according to the present invention, it is possible to adopt a structure further including a waterproof resin which covers a portion of the element mounting region which is not covered with the metal film.

【0016】本発明で用いられる基板を構成する有機材
料としては、例えば、ガラスエポキシ樹脂、BTレジン
(ビスマレイミド・トリアジン樹脂)、ポリテトラフル
オロエチレン等が挙げられる。
Examples of the organic material constituting the substrate used in the present invention include glass epoxy resin, BT resin (bismaleimide / triazine resin), polytetrafluoroethylene and the like.

【0017】さらに、本発明では、コイル、容量および
抵抗を、多層基板に内蔵させることができる。
Further, according to the present invention, the coil, the capacitor and the resistor can be built in the multilayer substrate.

【0018】本発明で用いられる基板は、母基板から切
断されて形成され、基板の側面に、基板の厚さ方向に延
びる溝状の電極部を有する。この回路素子モジュール用
基板は、例えば、上記基板を複数個取りできる母基板
に、各基板の上記電極部となる位置に、貫通孔を設け、
次に、母基板を切断して、複数個の上記基板に分離し、
さらに、各基板について、該基板の側面と、上記電極部
とを、それらの境界部を除いて、金属膜を成膜すること
により製造することができる。
The substrate used in the present invention is formed by cutting from a mother substrate, and has a groove-shaped electrode portion extending in the thickness direction of the substrate on the side surface of the substrate. This circuit element module substrate is, for example, a mother substrate capable of taking a plurality of the substrates, through holes are provided at positions to be the electrode portions of each substrate,
Next, the mother substrate is cut into a plurality of the above substrates,
Further, each substrate can be manufactured by forming a metal film on the side surface of the substrate and the electrode portion except for the boundary portion thereof.

【0019】[0019]

【作用】本発明において用いられる基板は、第1、第2
の主面を有し、第1の主面が素子搭載領域となるもので
ある。そして、この基板は、有機材料で構成される。有
機材料は、安価であり、成型が容易であるので、後述す
る実施例で示すように、多層基板とする場合に、セラミ
ック基板より容易に製作できる。従って、安価に製造す
ることができる。
The substrates used in the present invention are the first and second substrates.
The main surface of the first main surface is the element mounting area. Then, this substrate is made of an organic material. Since the organic material is inexpensive and easy to mold, it can be easily manufactured from a ceramic substrate in the case of forming a multilayer substrate as shown in Examples described later. Therefore, it can be manufactured at low cost.

【0020】基板の第1の主面には、素子を搭載するた
めの素子搭載領域が設定される。この素子搭載領域は、
キャップで覆われて、外部と遮断される。このキャップ
により、水分の直接的侵入を防ぐと共に、電磁シールド
が行なわれる。
An element mounting area for mounting an element is set on the first main surface of the substrate. This element mounting area is
It is covered with a cap and shielded from the outside. With this cap, direct infiltration of moisture is prevented and electromagnetic shielding is performed.

【0021】また、本発明では、基板の第1の主面に設
けられる第1の金属膜は、基板上面での、水分の透過面
積を減少させると共に、電磁シールドにも効果がある。
従って、可能な限り、広い面積でも受けられることが好
ましい。ただし、この第1の金属膜は、少なくとも素子
搭載領域を囲むように設けられるので、素子の搭載に
は、支障とはならない。
Further, according to the present invention, the first metal film provided on the first main surface of the substrate reduces the moisture permeation area on the upper surface of the substrate and is also effective for the electromagnetic shield.
Therefore, it is preferable that a large area can be received as much as possible. However, since the first metal film is provided so as to surround at least the element mounting region, it does not hinder the mounting of the element.

【0022】さらに、基板の第2の主面に設けられる第
2の金属膜は、基板の底面側からの水分の侵入を防ぐと
共に、電磁シールドにも効果がある。この第2の金属膜
は、上記素子搭載領域に対向する領域を少なくとも覆う
第2の金属膜とを有し、さらに、上記基板は、素子との
接続を行なうための内部接続電極を素子搭載領域に配置
し、外部との接続を行なうための外部接続電極を、上記
キャップには覆われず、かつ、第1の金属膜および第2
の金属膜と接触しない位置に配置している。そして、こ
れらを、ビアと、配線導体とで接続している。これによ
り、素子搭載領域に配置される素子と外部とを接続する
際に、基板の上面に配線を設けることがないので、基板
上面を、第1の金属膜にキャップが密着する状態で覆う
ことができる。従って、水分の侵入の防止と、電磁シー
ルドの効果を向上させることができる。
Furthermore, the second metal film provided on the second main surface of the substrate prevents moisture from entering from the bottom side of the substrate and is also effective as an electromagnetic shield. The second metal film has a second metal film that covers at least a region facing the element mounting region, and the substrate further includes an internal connection electrode for connecting to the device. The external connection electrode for connecting to the outside, which is not covered with the cap, and is arranged on the first metal film and the second metal film.
It is placed at a position where it does not come into contact with the metal film. And these are connected by the via and the wiring conductor. This prevents wiring from being provided on the upper surface of the substrate when connecting the element arranged in the element mounting region and the outside, so that the upper surface of the substrate should be covered with the cap in close contact with the first metal film. You can Therefore, it is possible to prevent the entry of moisture and improve the effect of the electromagnetic shield.

【0023】また、弾性表面波素子を含む回路素子モジ
ュールの場合、弾性表面波素子の直近にコイル等の素子
を接続したいという要望がある。ところが、セラミック
基板の場合、その表面が粗いため、コイル等を薄膜技術
で形成した場合、表面の凹凸のため、抵抗分が大きくな
り、目的の特性のものが得にくいという問題があった。
本発明では、有機材料を用いることにより、基板の表面
を滑らかに形成することができるので、コイル等を形成
する際に、精度よく形成することができる。
Further, in the case of a circuit element module including a surface acoustic wave element, there is a demand for connecting an element such as a coil in the immediate vicinity of the surface acoustic wave element. However, in the case of a ceramic substrate, its surface is rough, and therefore, when a coil or the like is formed by a thin film technique, the resistance is increased due to the unevenness of the surface, which makes it difficult to obtain the desired characteristics.
In the present invention, since the surface of the substrate can be formed smoothly by using the organic material, the coil and the like can be formed accurately.

【0024】なお、本発明のその他の作用を列挙すれ
ば、次のとおりである。 (1)基板を多層構造とすることにより、モジュールの
多機能化が可能となる。
The other effects of the present invention are listed below. (1) By making the substrate a multi-layered structure, it is possible to make the module multifunctional.

【0025】(2)金属膜を接地層とすることにより、
電磁シールド作用が有効に行なえると共に、信号配線を
ストリップライン構成にでき、高周波信号波形の歪を低
減できるし、これを遅延線として使用する場合、マイク
ロストリップラインのように実効誘電率の低下はなく線
路長が短くなりモジュールサイズの小形化に寄与する。
(2) By using the metal film as the ground layer,
The electromagnetic shield function can be effectively performed, the signal wiring can be configured as a strip line, and the distortion of the high frequency signal waveform can be reduced. When this is used as a delay line, the effective permittivity does not decrease like a micro strip line. The line length becomes shorter and contributes to downsizing of the module size.

【0026】(3)コイル、容量、抵抗の基板内蔵化は
モジュールサイズの小形化に寄与する。(4)弾性表面
波素子の直近にインピーダンス整合用コイルを配置する
ことで、弾性表面波フィルタの通過損失を低減できる。
(3) Incorporation of the coil, the capacitance, and the resistor in the substrate contributes to miniaturization of the module size. (4) By disposing the impedance matching coil in the immediate vicinity of the surface acoustic wave element, the passage loss of the surface acoustic wave filter can be reduced.

【0027】(5)基板側面のほとんどを金属膜で覆う
ことにより、有機材料を基板に用いたときの気密性およ
び電磁波シールド性が向上できる。
(5) By covering most of the side surface of the substrate with the metal film, the airtightness and the electromagnetic wave shielding property when the organic material is used for the substrate can be improved.

【0028】(6)基板最上層と中間層に平面螺旋配線
をパターニングし、螺旋配線中央にて電気接続してコイ
ルを形成することにより、コイルの巻数を増加させ、小
さなコイル占有面積で大きなインダクタンスを得ること
ができる。また、基板最上層と中間層間の絶縁層厚さを
薄くすることで、両層に形成したコイルの結合係数が高
くでき、結果的に小さなコイル占有面積で大きなインダ
クタンスを得ることができる。このことは、同じインダ
クタンスを得るのにコイルの配線長を短くでき、コイル
の抵抗を低く押さえることができQ値を高くすることが
可能となる。さらに、中間層と接地層間の絶縁層厚さを
厚くすれば、接地層とコイルの接近によるインダクタン
スおよびQ値の低下を少なくすることができる。
(6) By patterning the planar spiral wiring on the uppermost layer and the intermediate layer of the substrate and electrically connecting at the center of the spiral wiring to form a coil, the number of turns of the coil is increased, and a large inductance is obtained with a small area occupied by the coil. Can be obtained. Further, by reducing the thickness of the insulating layer between the uppermost layer of the substrate and the intermediate layer, the coupling coefficient of the coils formed in both layers can be increased, and as a result, a large inductance can be obtained with a small coil occupation area. This means that the wire length of the coil can be shortened to obtain the same inductance, the resistance of the coil can be suppressed low, and the Q value can be increased. Further, by increasing the thickness of the insulating layer between the intermediate layer and the ground layer, it is possible to reduce the decrease in the inductance and Q value due to the proximity of the ground layer and the coil.

【0029】(7)ストリップライン構成がとれる中間
層に遅延線を内蔵することにより、上記した作用により
分波器モジュールを小形にできる。
(7) By incorporating the delay line in the intermediate layer having the stripline structure, the duplexer module can be made compact by the above-mentioned operation.

【0030】(8)分波器モジュール、低雑音増幅器お
よび整合回路内蔵弾性表面波フィルタを一体化すること
により、個々にパッケージするよりも小形かつ安価なフ
ロントエンドモジュールが得られる。
(8) By integrating the demultiplexer module, the low noise amplifier and the surface acoustic wave filter with a matching circuit, it is possible to obtain a front end module which is smaller and less expensive than individual packaging.

【0031】(9)基板側面のめっきを、貫通孔のめっ
き工程と同時に行うことにより安価に回路素子モジュー
ルが生産できる。
(9) The circuit element module can be manufactured at low cost by performing the plating on the side surface of the substrate at the same time as the plating process for the through holes.

【0032】(10)金属膜で覆われていない基板端面
を防水性の樹脂で覆うことにより、回路素子モジュール
の耐水性が向上できる。
(10) The water resistance of the circuit element module can be improved by covering the end face of the substrate not covered with the metal film with the waterproof resin.

【0033】[0033]

【実施例】以下、本発明の回路素子モジュールの実施例
について、図面を参照して説明する。なお、本発明の回
路素子モジュールは、特に、周波数に拘束されるもので
はないが、以下の実施例では、高周波モジュールを例と
する。
Embodiments of the circuit element module of the present invention will be described below with reference to the drawings. The circuit element module of the present invention is not particularly limited to the frequency, but in the following embodiments, a high frequency module will be taken as an example.

【0034】図1は、本発明の実施例を示す高周波モジ
ュールの構造を模式的に示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing the structure of a high frequency module showing an embodiment of the present invention.

【0035】本実施例の高周波モジュールは、基本的
に、多層基板10と、これに載置された高周波素子30
と、多層基板10の上面を気密封止する導電性のキャッ
プ40とを備えて構成される。
The high frequency module of this embodiment basically has a multilayer substrate 10 and a high frequency element 30 mounted thereon.
And a conductive cap 40 that hermetically seals the upper surface of the multilayer substrate 10.

【0036】多層基板10は、第1の主面(図面上方
側)と、第2の主面(図面下方側)とを有し、第1の主
面が素子搭載領域DAとなる。素子搭載領域DAには、
少なくとも1の素子として、高周波素子30と、その他
のチップ部品14とが搭載されている。また、平面コイ
ル11が、素子搭載領域DAに設けられている。
The multilayer substrate 10 has a first main surface (upper side in the drawing) and a second main surface (lower side in the drawing), and the first main surface serves as an element mounting area DA. In the element mounting area DA,
A high frequency element 30 and other chip components 14 are mounted as at least one element. Further, the plane coil 11 is provided in the element mounting area DA.

【0037】上記多層基板10は、ガラスエポキシ、B
Tレジン(ビスマレイミド・トリアジン樹脂)、ポリテ
トラフルオロエチレン(テフロン:デュポン社商品名)
などの有機材料で構成される。これらの有機材料は、い
ずれも、従来の無機材料を用いる場合に比べて、安価に
製造することができる。また、高周波素子30として、
弾性表面波素子(SAW)を用いる場合、基板と高周波
素子の熱膨張率が近いことが好ましい。これらの材料
と、従来用いられている無機材料の熱膨張率を、表1に
示す。
The multilayer substrate 10 is made of glass epoxy, B
T resin (bismaleimide / triazine resin), polytetrafluoroethylene (Teflon: DuPont trade name)
Composed of organic materials such as. Any of these organic materials can be manufactured at a lower cost than in the case of using a conventional inorganic material. Further, as the high frequency element 30,
When using a surface acoustic wave element (SAW), it is preferable that the substrate and the high frequency element have similar thermal expansion coefficients. Table 1 shows the thermal expansion coefficients of these materials and conventionally used inorganic materials.

【0038】[0038]

【表1】 [Table 1]

【0039】表1に示すように、有機材料は、いずれも
SAWの熱膨張率と近い値となっている。これに対し
て、無機材料は、熱膨張率がSAWと1桁異なるため、
温度変化によって、SAWに応力が生じて、歪がはいる
危険がある。本実施例では、熱膨張率が近いので、この
危険がない。
As shown in Table 1, all organic materials have values close to the coefficient of thermal expansion of SAW. On the other hand, the coefficient of thermal expansion of inorganic materials differs from that of SAW by one digit, so
There is a risk that stress will be generated in the SAW due to temperature change and strain will occur. In this embodiment, since the coefficient of thermal expansion is close, this danger does not occur.

【0040】この多層基板10は、それぞれ上記した有
機材料で形成される、第1の絶縁層10aと、その下層
側に配置される第2の絶縁層10bとを有し、これらが
積層されて構成される。第1の絶縁層10aの上面(第
2の絶縁層と接触しない面)側が、上記第1の主面を構
成する。また、第2の絶縁層10bの下面(第1の絶縁
層と接触しない面)側が、上記第2の主面を構成する。
The multi-layer substrate 10 has a first insulating layer 10a and a second insulating layer 10b arranged below the first insulating layer 10a, each of which is made of the above-mentioned organic material. Composed. The upper surface (the surface not in contact with the second insulating layer) of the first insulating layer 10a constitutes the first main surface. Further, the lower surface (the surface not in contact with the first insulating layer) side of the second insulating layer 10b constitutes the second main surface.

【0041】上記多層基板10の第1の主面には、上記
素子搭載領域DAを囲む第1の金属膜21aが設けられ
ている。また、上記多層基板10の第2の主面には、上
記素子搭載領域DAに対向する領域を少なくとも覆う第
2の金属膜2が設けられている。本実施例では、多層基
板10の第2の主面の周辺部を除く大部分の領域に、第
2の金属膜20が設けられている。
A first metal film 21a surrounding the element mounting area DA is provided on the first main surface of the multilayer substrate 10. A second metal film 2 is provided on the second main surface of the multilayer substrate 10 so as to cover at least the area facing the element mounting area DA. In the present embodiment, the second metal film 20 is provided in most of the region of the multilayer substrate 10 except the peripheral portion of the second main surface.

【0042】さらに、素子搭載領域DA内に、第1の金
属膜21bが設けられている。上記第1の金属膜21a
は、素子搭載領域の外側に位置し、第1の金属膜21b
は、素子搭載領域の内側に位置する。両者は、配置され
る位置が相違するにすぎず、実質的には同じものであ
る。従って、両者は、接続されていてもよい。例えば、
一体の膜として、同時に形成されることができる。
Further, a first metal film 21b is provided in the element mounting area DA. The first metal film 21a
Is located outside the element mounting region, and includes the first metal film 21b.
Is located inside the element mounting region. The two are substantially the same, only the positions where they are arranged are different. Therefore, both may be connected. For example,
It can be formed simultaneously as an integral membrane.

【0043】また、本実施例では図示していないが、例
えば、図3(b)に示すように、多層基板10の側面
に、第3の金属膜23が設けられている。この第3の金
属膜23は、上記した第1の金属膜21aおよび第2の
金属膜20と接続されている。これにより、本実施例の
高周波モジュールは、多層基板10のほぼ全面が金属膜
で覆われることとなり、電磁シールドおよび耐湿性が向
上する。なお、この第3の金属膜23は、後述する外部
接続電極22bとは接触しないように、境界を介して設
けられる。
Although not shown in the present embodiment, for example, as shown in FIG. 3B, a third metal film 23 is provided on the side surface of the multilayer substrate 10. The third metal film 23 is connected to the first metal film 21a and the second metal film 20 described above. As a result, in the high frequency module of this embodiment, almost the entire surface of the multilayer substrate 10 is covered with the metal film, and the electromagnetic shield and the moisture resistance are improved. The third metal film 23 is provided via a boundary so as not to contact the external connection electrode 22b described later.

【0044】これらの第1、第2および第3の金属膜
は、接地導体として機能する構成とすることができる。
さらに、これらは、可能な限り、多層基板10の表面を
覆うように、面積を大きく形成することが好ましい。こ
れにより、水の透過をより効果的に防ぐことができる。
The first, second and third metal films can be configured to function as a ground conductor.
Further, it is preferable that these have a large area so as to cover the surface of the multilayer substrate 10 as much as possible. Thereby, the permeation of water can be prevented more effectively.

【0045】これらの金属膜および平面コイル11は、
例えば、銅、ニッケル、クロム等のめっき膜を、パター
ニングして構成することができる。また、これらの膜の
上に、さらに金をめっきしてもよい。これらの金属膜お
よび平面コイル11は、後述する他の実施例のように、
絶縁層10a、10bの上面部に埋め込まれる構成とし
てもよい。これは、絶縁層10a,10bの上面をドラ
イエッチング等の方向で目的のパターンの凹部を設け、
この部分に、銅等の金属をめっき等によって充填するこ
とにより形成することができる。また、これらの金属の
パターンを設けた絶縁シートを用意し、これに樹脂を塗
布して、これらの金属パターンを絶縁層の上面に埋め込
むことによって、構成することができる。
The metal film and the planar coil 11 are
For example, a plating film of copper, nickel, chromium or the like can be patterned and configured. Further, gold may be plated on these films. The metal film and the planar coil 11 are, like other embodiments described later,
The structure may be embedded in the upper surfaces of the insulating layers 10a and 10b. This is because the upper surface of the insulating layers 10a and 10b is provided with a recess having a desired pattern in a direction such as dry etching
This part can be formed by filling a metal such as copper by plating or the like. Alternatively, an insulating sheet provided with these metal patterns may be prepared, a resin may be applied to the insulating sheet, and these metal patterns may be embedded in the upper surface of the insulating layer.

【0046】また、上記多層基板10には、素子搭載領
域DAに配置されて、素子との接続を行なうためのの内
部接続電極22aと、上記キャップ40には覆われず、
かつ、第1の金属膜21a,21bおよび第2の金属膜
20と接触しない位置に配置されて、外部との接続を行
なうための外部接続電極22bとが設けられる。内部接
続電極22aは、搭載される素子の接続のため、少なく
とも2つが設けられる。実際には、上述したように、素
子は、上記高周波素子30のほか、他の素子も存在する
ので、2以上となる。この内部接続電極22aは、例え
ば、金属膜で構成されるほか、後述するビア25の端面
を内部接続電極22aとしてもよい。外部接続電極22
bも、同様に少なくとも2つが設けられる。この外部接
続電極22bは、多層基板10の側面に設けられる。
Further, the multilayer substrate 10 is not covered with the internal connection electrode 22a arranged in the device mounting area DA for connecting with the device and the cap 40,
In addition, an external connection electrode 22b for connecting to the outside is provided at a position not in contact with the first metal films 21a and 21b and the second metal film 20. At least two internal connection electrodes 22a are provided for connecting the mounted elements. In fact, as described above, the number of elements is two or more because there are other elements in addition to the high frequency element 30. The internal connection electrode 22a is made of, for example, a metal film, and the end surface of the via 25 described later may be used as the internal connection electrode 22a. External connection electrode 22
Similarly, at least two b are provided. The external connection electrode 22b is provided on the side surface of the multilayer substrate 10.

【0047】さらに、多層基板10には、ビア25が設
けられる。このビア25は、上述した第1、第2の絶縁
層10a,10bに設けられる。このビア25のうち、
少なくとも2は、第1の絶縁層10aのみに設けられ、
その一端が、上記した内部接続電極22aと接続され
る。本実施例では、いずれも、その一端上に、内部接続
電極22aが形成されている。なお、ビア25の端部自
体を内部接続電極22aとしてもよい。
Further, the multilayer substrate 10 is provided with a via 25. The via 25 is provided in the above-described first and second insulating layers 10a and 10b. Out of this via 25
At least 2 is provided only in the first insulating layer 10a,
One end thereof is connected to the internal connection electrode 22a described above. In each of the present embodiments, the internal connection electrode 22a is formed on one end thereof. The end portion of the via 25 itself may be the internal connection electrode 22a.

【0048】また、ビア25の他のものは、第1、第2
の絶縁層10a,10bを通過している。これらのビア
25のうち一部は、一端が上記第1の金属膜21aに、
他端が第2の金属膜20にそれぞれ接続される。また、
他のビア25は、一端が上記第1の金属膜21bに、他
端が第2の金属膜20にそれぞれ接続される。これによ
って、多層基板10の両面に設けられる第1、第2およ
び第3の金属膜22a,20,22bが等電位面を構成
し、接地導体として用いることができる。
The other vias 25 include the first and second vias.
Through the insulating layers 10a and 10b. Some of these vias 25 have one end on the first metal film 21a,
The other ends are connected to the second metal film 20, respectively. Also,
The other via 25 has one end connected to the first metal film 21b and the other end connected to the second metal film 20. As a result, the first, second and third metal films 22a, 20 and 22b provided on both surfaces of the multilayer substrate 10 form equipotential surfaces and can be used as ground conductors.

【0049】また、上記第2の絶縁層の上面(第1の絶
縁層との界面)側には、配線導体24が設けられる。こ
の配線導体24のうち、少なくとも2つは、一端が、上
記外部接続電極22bと接続される。また、この配線導
体24の他の部分には、上記内部接続電極22aと接続
されているビア25の他端が接続される。これによっ
て、内部接続電極22aと外部接続電極22bとが接続
されることになる。本実施例では、電極接続用の配線導
体24のみが示されているが、この他に、内部で、素子
間の接続に用いられ、それぞれ対応するビア25と接続
される配線導体24も存在することができる。
A wiring conductor 24 is provided on the upper surface (interface with the first insulating layer) of the second insulating layer. One end of at least two of the wiring conductors 24 is connected to the external connection electrode 22b. The other end of the via 25 connected to the internal connection electrode 22a is connected to the other part of the wiring conductor 24. As a result, the internal connection electrode 22a and the external connection electrode 22b are connected. In the present embodiment, only the wiring conductor 24 for electrode connection is shown, but in addition to this, there are wiring conductors 24 that are internally used for connection between elements and connected to the corresponding vias 25. be able to.

【0050】本実施例では、配線導体24は、その上下
に、接地層となる金属膜21a,21b,20とがあ
り、これらに挟まれるように配置される。従って、配線
導体24は、ストリップラインを構成する。このため、
高周波信号波形の歪を極力低減できると共に、これを遅
延線として使用する場合、マイクロストリップラインの
ように実効誘電率の低下はなく、線路長が短くなり、モ
ジュールサイズの小形化が可能となる。また、本実施例
では、水分に敏感な高周波素子30を、第1の金属膜2
1bの上に搭載している。これにより、高周波素子30
に、基板10側から水分が直接浸入することを防ぐこと
ができる。
In the present embodiment, the wiring conductor 24 has the metal films 21a, 21b and 20 serving as ground layers above and below the wiring conductor 24, and is arranged so as to be sandwiched between them. Therefore, the wiring conductor 24 constitutes a strip line. For this reason,
The distortion of the high-frequency signal waveform can be reduced as much as possible, and when this is used as a delay line, the effective permittivity does not decrease unlike the microstrip line, the line length becomes short, and the module size can be miniaturized. In addition, in this embodiment, the high frequency element 30 sensitive to moisture is used as the first metal film 2.
It is mounted on 1b. Thereby, the high frequency element 30
In addition, it is possible to prevent water from directly entering from the substrate 10 side.

【0051】キャップ40は、例えば、後述する図3に
示すように、トレー状の形態で、開口部40aを有す
る。このキャップ40は、その上記多層基板10の素子
搭載領域の外側で、該基板10の上面の第1の金属膜2
1aに、その開口部40aを密着させる。密着は、例え
ば、はんだ41により行なう。
The cap 40 has an opening 40a in the form of a tray, for example, as shown in FIG. 3 described later. The cap 40 is provided outside the element mounting region of the multilayer substrate 10 and has the first metal film 2 on the upper surface of the substrate 10.
The opening 40a is brought into close contact with 1a. The close contact is performed with, for example, the solder 41.

【0052】このような構成によれば、高周波素子30
が搭載される空間が、キャップ40と、多層基板10の
第1,第2および第3の金属膜21a,21b,20,
23とによって、電磁シールドさると共に、気密封止さ
れる。なお、多層基板10の絶縁材料として、有機材料
は、多少とも透湿性がある。しかし、本実施例では、第
1,第2および第3の金属膜によって、多層基板10が
覆われるので、例えば、図1に示すように、水分の侵入
経路100ができるだけ長くとれる。従って、耐湿性
が、それだけ向上する。
According to this structure, the high frequency element 30
The space in which is mounted is the cap 40 and the first, second and third metal films 21a, 21b, 20, of the multilayer substrate 10.
With 23, it is hermetically sealed as well as the electromagnetic shield. An organic material as the insulating material of the multilayer substrate 10 has some moisture permeability. However, in this embodiment, since the multilayer substrate 10 is covered with the first, second and third metal films, for example, as shown in FIG. 1, the moisture intrusion route 100 can be made as long as possible. Therefore, the moisture resistance is improved accordingly.

【0053】また、有機材料であるため、絶縁層の表面
が滑らかに形成することができる。従って、絶縁層の上
部にコイル等を形成する場合に、基板面の凹凸が少ない
ため、凹凸によって生じる特性の誤差を小さくできて、
目的の性能ものを歩留まりよく形成することができる。
Further, since it is an organic material, the surface of the insulating layer can be formed smoothly. Therefore, when a coil or the like is formed on the insulating layer, the unevenness of the substrate surface is small, so that the error in the characteristics caused by the unevenness can be reduced,
The desired performance can be formed with high yield.

【0054】次に、本発明の第2の実施例について、図
2を参照して説明する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0055】図2に示す第2の実施例は、多層基板10
が、第1の絶縁層10aと、第2の絶縁層10bと、そ
の間に設けられた第3の絶縁層とを有する3層構造であ
ること、および、多くの回路素子を備えて構成されるこ
とに特徴があり、他の構成は、上記第1の実施例と同様
である。ここでは、相違点を中心として説明する。
The second embodiment shown in FIG. 2 is a multilayer substrate 10.
Has a three-layer structure having a first insulating layer 10a, a second insulating layer 10b, and a third insulating layer provided therebetween, and is provided with many circuit elements. The other features are the same as those of the first embodiment. Here, the difference will be mainly described.

【0056】第3の絶縁層10cは、上述した第1,第
2の絶縁層10a,10bと同じ有機材料で形成され
る。そして、その内部に、複数個のビア25と、配線導
体24と、抵抗素子13とが設けられている。また、第
3の絶縁層10cには、平面コイル11が設けられてい
る。この平面コイル11は、ビア25を介して、第1の
絶縁層10a上に設けられた平面コイル11と接続され
ている。また、本実施例では、この第3の絶縁層10c
に設けられた配線導体24の一部と、第2の絶縁層10
bに設けられた配線導体24の一部とが、それぞれ外部
接続電極22bに接続されている。また、第3の絶縁層
の上面と第1の絶縁層10aの対応する上面とには、そ
れぞれ対向する電極12a,12bが配置され、それら
の間に絶縁層10aを挟んでコンデンサ12を形成して
いる。本実施例も、上記した第1の実施例と同様の効果
を有するものである。
The third insulating layer 10c is made of the same organic material as the above-mentioned first and second insulating layers 10a and 10b. A plurality of vias 25, wiring conductors 24, and resistance elements 13 are provided inside thereof. Further, the planar coil 11 is provided on the third insulating layer 10c. The plane coil 11 is connected to the plane coil 11 provided on the first insulating layer 10a via the via 25. In addition, in the present embodiment, the third insulating layer 10c
Of the wiring conductor 24 provided on the second insulating layer 10
Part of the wiring conductor 24 provided in b is connected to the external connection electrode 22b. Further, electrodes 12a and 12b facing each other are arranged on the upper surface of the third insulating layer and the corresponding upper surface of the first insulating layer 10a, and the capacitor 12 is formed with the insulating layer 10a interposed therebetween. ing. This embodiment also has the same effect as that of the first embodiment described above.

【0057】次に、本発明の第3の実施例について、図
3を参照して説明する。
Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0058】本実施例は、弾性表面波素子を備えた整合
回路内蔵弾性表面波フィルタを機能ユニットとして有す
る高周波モジュールの例である。図3(a)に、弾性表
面波フィルタの回路例を示す。すなわち、本実施例は、
弾性表面波素子SAWおよびインピーダンス整合用のコ
イルL1、L2、L3、L4から構成されている。弾性
表面波フィルタは、その通過損失を低減するためには、
できるだけ弾性表面波素子SAWの直近でインピーダン
ス整合をとるのが望ましい。本実施例では、インピーダ
ンス整合用のコイルL1、L2、L3、L4を、多層基
板10上に、平面螺旋配線をパターニング形成すること
で、実装することで実現している。
The present embodiment is an example of a high frequency module having a surface acoustic wave filter with a matching circuit equipped with a surface acoustic wave element as a functional unit. FIG. 3A shows a circuit example of the surface acoustic wave filter. That is, in this embodiment,
The surface acoustic wave device SAW and impedance matching coils L1, L2, L3, and L4 are included. The surface acoustic wave filter is designed to reduce its passage loss.
It is desirable to perform impedance matching as close to the surface acoustic wave element SAW as possible. In this embodiment, the impedance matching coils L1, L2, L3, and L4 are realized by patterning and forming planar spiral wiring on the multilayer substrate 10.

【0059】本実施例の具体的実装構造を、図3(b)
および(c)に示す。本実施例は、弾性表面波素子等を
実装した多層基板10と、キャップ40とを有する。
A concrete mounting structure of this embodiment is shown in FIG.
And (c). The present embodiment has a multilayer substrate 10 on which a surface acoustic wave element or the like is mounted, and a cap 40.

【0060】本実施例で用いられる多層基板10は、第
1実施例のものと同様に、第1の絶縁層10aおよび第
2の絶縁層10bとを有する。第1の絶縁層10aに
は、第1の金属膜21a,21bと、コイルL1、L
2、L3、L4と、内部接続電極22aと、ビア25と
が設けられる。また、第2の絶縁層10bには、配線導
体24と、第2の金属膜20とが設けられる。本実施例
では、第1の金属膜21a,21bと、コイルL1、L
2、L3、L4とが、第1の絶縁層10aの上面に埋め
込まれて形成されている。また、配線導体24と、第2
の金属膜20とは、第2の絶縁層10bの上に、めっき
膜等をパターニングして設けられている。なお、配線導
体24と、第2の金属膜20とは、第1の絶縁膜10a
の仮面が湾埋め込まれる状態で形成される構成としても
よい。なお、このような構造は、他の実施例において
も、採用することができる。
The multi-layer substrate 10 used in this embodiment has a first insulating layer 10a and a second insulating layer 10b as in the first embodiment. The first insulating layer 10a includes the first metal films 21a and 21b and the coils L1 and L.
2, L3, L4, the internal connection electrode 22a, and the via 25 are provided. Further, the wiring conductor 24 and the second metal film 20 are provided on the second insulating layer 10b. In the present embodiment, the first metal films 21a and 21b and the coils L1 and L
2, L3, L4 are formed by being embedded in the upper surface of the first insulating layer 10a. In addition, the wiring conductor 24 and the second
The metal film 20 is formed by patterning a plating film or the like on the second insulating layer 10b. Note that the wiring conductor 24 and the second metal film 20 are the same as the first insulating film 10a.
The mask may be formed so as to be embedded in the bay. Note that such a structure can also be adopted in other embodiments.

【0061】また、多層基板10の側面には、外部接続
電極22bが設けられる。この外部接続電極22bは、
多層基板10の側面部の一部を半円筒状に切欠き、この
部分に、同等の金属膜をめっき等により成膜して設けら
れる。なお、この部分は、多層基板10を、より大きな
基板に多数個設けて、これを切断して形成する場合に
は、ビアとして設けることもできる。
An external connection electrode 22b is provided on the side surface of the multilayer substrate 10. The external connection electrode 22b is
A part of the side surface of the multilayer substrate 10 is cut out in a semi-cylindrical shape, and an equivalent metal film is formed in this part by plating or the like. It should be noted that this portion can be provided as a via when a plurality of multi-layer substrates 10 are provided on a larger substrate and are cut and formed.

【0062】また、上記第1の金属膜21a,21b
は、コイルL1、L2、L3、L4部分および外部接続
電極22を除いて、多層基板10の上面のほぼ全面を覆
うように設けられる。また、同様に、第2の金属膜20
は、第2の絶縁基板10bの下面のほぼ全面を覆うよう
に設けられる。この場合、外部接続電極22bと接触し
ないように、その部分を避けて設けられる。さらに、図
3(b)に示すように、多層基板10の側面に、金属膜
23が設けられている。この金属膜23は、上記した第
1の金属膜21aおよび第2の金属膜20と接続されて
いる。これにより、本実施例の高周波モジュールは、多
層基板10のほぼ全面が金属膜で覆われることとなり、
電磁シールドおよび耐湿性が向上する。
Further, the first metal films 21a and 21b are also provided.
Is provided so as to cover almost the entire upper surface of the multilayer substrate 10, except for the coils L1, L2, L3, L4 and the external connection electrode 22. Similarly, the second metal film 20
Is provided so as to cover almost the entire lower surface of the second insulating substrate 10b. In this case, the portion is provided so as not to contact the external connection electrode 22b. Further, as shown in FIG. 3B, a metal film 23 is provided on the side surface of the multilayer substrate 10. The metal film 23 is connected to the first metal film 21a and the second metal film 20 described above. As a result, in the high frequency module of this embodiment, almost the entire surface of the multilayer substrate 10 is covered with the metal film,
The electromagnetic shield and moisture resistance are improved.

【0063】また、配線導体24は、ストリップライン
を構成するため、高周波信号の歪を極力抑えることがで
きる。
Further, since the wiring conductor 24 constitutes a strip line, the distortion of the high frequency signal can be suppressed as much as possible.

【0064】次に、本発明の第4の実施例について、図
10を参照して説明する。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

【0065】本実施例は、上記第3実施例の高周波モジ
ュールに、さらに防水処理を施したものである。ここで
は、その点についてのみ説明する。
In this embodiment, the high frequency module of the third embodiment is further waterproofed. Here, only that point will be described.

【0066】すなわち、図10に示すように、本実施例
では、第1の絶縁層10aの上面の素子搭載領域DAに
おいて、金属で覆われていない部分を、防水性樹脂20
0で覆う。この部分は、第10図では、コイル11が設
けられている部分である。このようにすれば、SAWが
搭載されてい空間は、第1の金属膜21a,21b、コ
イル11の金属膜と、防水性樹脂200と、キャップ4
0とで囲まれて、水分の浸入の防止がより確実になる。
That is, as shown in FIG. 10, in this embodiment, in the element mounting area DA on the upper surface of the first insulating layer 10a, the portion not covered with metal is covered with the waterproof resin 20.
Cover with 0. This portion is the portion where the coil 11 is provided in FIG. With this configuration, in the space where the SAW is mounted, the first metal films 21a and 21b, the metal film of the coil 11, the waterproof resin 200, and the cap 4 are provided.
Surrounded by 0 and 0, the prevention of water intrusion becomes more reliable.

【0067】なお、この防水性樹脂による防水処理は、
キャップ40で覆われる部分に限らず、多層基板におけ
る金属膜で覆われない部分について、広く行なうことが
できる。また、この防水処理は、図10に示す実施例の
構造を有する高周波モジュールに限らず、図1、図2に
示す高周波モジュール、以下に述べる応用モジュール等
にも広く適用することができることはいうまでもない。
The waterproof treatment with this waterproof resin is
Not only the portion covered with the cap 40, but also the portion not covered with the metal film in the multilayer substrate can be widely performed. Further, it goes without saying that this waterproofing treatment can be widely applied not only to the high frequency module having the structure of the embodiment shown in FIG. 10 but also to the high frequency module shown in FIGS. 1 and 2 and the application module described below. Nor.

【0068】次に、本発明の高周波モジュールの構成概
念を用いて、各種応用モジュールの実施例について、説
明する。
Next, examples of various application modules will be described using the configuration concept of the high frequency module of the present invention.

【0069】図4は、上記した本発明の高周波モジュー
ルの構成概念を分波器モジュールに適用した実施例であ
る。
FIG. 4 shows an embodiment in which the above-described concept of the high frequency module of the present invention is applied to a duplexer module.

【0070】図4(a)は、本実施例の分波器モジュー
ルの回路例である。分波器モジュールは、上記した整合
回路内蔵弾性表面波フィルタ2組と略1/4電気長の遅
延線D2組から構成されている。図4(b)は、その実
装構造を模式的に示す断面図である。
FIG. 4A is a circuit example of the duplexer module of this embodiment. The duplexer module is composed of two sets of the surface acoustic wave filters with a matching circuit and two sets of delay lines D having an electric length of about 1/4. FIG. 4B is a sectional view schematically showing the mounting structure.

【0071】モジュール構成は、上記した整合回路内蔵
弾性表面波フィルタとほぼ同じであるが、比較的配線面
積が必要な遅延線D2組をストリップラインとして中間
層に配置でき、分波器モジュールを小形に形成すること
ができる。多層基板10の構成は、基本的には、これま
で述べた実施例と同様である。
The module structure is almost the same as that of the surface acoustic wave filter with a built-in matching circuit, but the delay line D2 set, which requires a relatively large wiring area, can be arranged in the intermediate layer as a strip line, and the duplexer module is small. Can be formed. The structure of the multilayer substrate 10 is basically the same as that of the above-described embodiments.

【0072】図5は、上記した本発明の高周波モジュー
ルの構成概念を、無線機などのフロントエンドモジュー
ルに適用した実施例である。
FIG. 5 shows an embodiment in which the above-described concept of the high frequency module of the present invention is applied to a front end module such as a radio device.

【0073】図5(a)は、フロントエンドモジュール
の回路例である。フロントエンドモジュールは、上記し
た分波器モジュールと整合回路内蔵弾性表面波フィルタ
Fに、高周波トランジスタTおよび複数のカップリング
コンデンサ12、バイパスコンデンサ15、コイル11
からなる低雑音増幅器を付加した構成である。
FIG. 5A shows an example of the circuit of the front end module. The front-end module includes the above-mentioned duplexer module, a surface acoustic wave filter F with a matching circuit, a high-frequency transistor T, a plurality of coupling capacitors 12, a bypass capacitor 15, and a coil 11.
This is a configuration in which a low noise amplifier composed of is added.

【0074】図5(b)は、その実装構造を模式的に示
す断面図である。モジュール構成は、上記した分波器モ
ジュールとほぼ同じであるが、モジュール基板サイズを
拡大し、低雑音増幅器のための高周波トランジスタTお
よび複数のカップリングコンデンサ12、バイパスコン
デンサ15、コイル11および整合回路内蔵弾性表面波
フィルタFをも同一多層基板10に実装する。このよう
なモジュール構成をとることにより、個々の機能モジュ
ールをそれぞれパッケージするより、小形かつ安価なフ
ロントエンドモジュールが得られえる。多層基板10の
構成は、上記各実施例と基本的には同じである。従っ
て、同様の効果が得られる。
FIG. 5B is a sectional view schematically showing the mounting structure. The module configuration is almost the same as that of the demultiplexer module described above, but the module substrate size is expanded, and a high frequency transistor T and a plurality of coupling capacitors 12, a bypass capacitor 15, a coil 11 and a matching circuit for a low noise amplifier are provided. The built-in surface acoustic wave filter F is also mounted on the same multilayer substrate 10. By adopting such a module configuration, it is possible to obtain a small-sized and inexpensive front-end module rather than packaging each individual functional module. The structure of the multilayer substrate 10 is basically the same as that of each of the above-mentioned embodiments. Therefore, the same effect can be obtained.

【0075】図6は、本発明の実施例において用いられ
る、多層基板10に形成するコイルについての実施例で
ある。
FIG. 6 shows an example of a coil formed on the multilayer substrate 10 used in the example of the present invention.

【0076】図6(a)は、基板最上層に螺旋配線をパ
ターニングし、これをコイル11とするものである。コ
イル11は、ビア25により、ストリップラインを構成
する配線導体24を経て、外部接続電極22bなどから
電気的に他の回路に接続される。この構成からなるコイ
ル11は、コイル11の上半分の空間を比誘電率が略1
の気体で満たすことができ、寄生容量を小さくできる。
よって、コイル11の自己共振周波数を高くすることが
可能となる。
In FIG. 6A, the spiral wiring is patterned on the uppermost layer of the substrate and used as the coil 11. The coil 11 is electrically connected to another circuit from the external connection electrode 22b or the like via the wiring conductor 24 forming the strip line by the via 25. The coil 11 having this configuration has a relative dielectric constant of about 1 in the upper half space of the coil 11.
Can be filled with the gas, and the parasitic capacitance can be reduced.
Therefore, the self-resonant frequency of the coil 11 can be increased.

【0077】図6(b)は、中間層に螺旋配線をパター
ニングし、これをコイル11とするものである。コイル
11の中心は、ビア25を経て、多層基板10上面に引
き出される。ビア25の端部25aは、多層基板10に
載置される図示していない弾性表面波素子SAWなどの
高周波素子30と、ワイヤボンディングなどで接続され
る。この構成によれば、水分の侵入経路100を長くで
き、かつ、ビア25部分の開口面積を小さくできるた
め、気密性の優れた基板構成となる。
In FIG. 6B, a spiral wiring is patterned on the intermediate layer and used as the coil 11. The center of the coil 11 is drawn out to the upper surface of the multilayer substrate 10 via the via 25. The end 25a of the via 25 is connected to a high frequency element 30 such as a surface acoustic wave element SAW (not shown) mounted on the multilayer substrate 10 by wire bonding or the like. According to this configuration, the moisture intrusion route 100 can be lengthened and the opening area of the via 25 portion can be reduced, so that the substrate configuration is excellent in airtightness.

【0078】図6(c)は、基板最上層と中間層に平面
螺旋配線をパターニングし、これらをコイル11とする
ものである。コイル11は、中央をビア25にて電気的
に接続することにより、コイルの巻数を増加させ、小さ
なコイル占有面積で、大きなインダクタンスを得ること
ができる。また、基板最上層と中間層間の絶縁層厚さt
1を薄くすることで、両層に形成したコイルの結合係数
が高くでき、結果的に小さなコイル占有面積で大きなイ
ンダクタンスを得ることができる。このことは、同じイ
ンダクタンスを得るのにコイル11の配線長を短くで
き、コイル11の抵抗を低くすることができ、Q値を高
くすることが可能となる。
In FIG. 6C, the plane spiral wiring is patterned on the uppermost layer and the intermediate layer of the substrate, and these are used as the coil 11. By electrically connecting the center of the coil 11 with the via 25, the number of turns of the coil can be increased, and a large inductance can be obtained with a small area occupied by the coil. In addition, the insulating layer thickness t between the uppermost layer of the substrate and the intermediate layer
By making 1 thin, the coupling coefficient of the coils formed on both layers can be increased, and as a result, a large inductance can be obtained with a small coil occupation area. This means that the wiring length of the coil 11 can be shortened to obtain the same inductance, the resistance of the coil 11 can be lowered, and the Q value can be increased.

【0079】さらに、図6(a)、(b)、(c)のい
ずれに対しても、中間層と接地層間の絶縁層厚さt2を
厚くすれば、接地層20とコイル11の接近によるイン
ダクタンスおよびQ値の低下を少なくすることができ
る。
Further, in any of FIGS. 6A, 6B, and 6C, if the insulating layer thickness t2 between the intermediate layer and the ground layer is increased, the ground layer 20 and the coil 11 approach each other. It is possible to reduce the decrease in the inductance and the Q value.

【0080】次に、本発明の回路素子モジュールの製造
方法について、図面を参照して説明する。
Next, a method of manufacturing the circuit element module of the present invention will be described with reference to the drawings.

【0081】図7は、図3で述べたモジュール構成にお
いて、多層基板10の基板端面23のめっき方法を示す
工程概念図である。図7は、多数個取り基板10’(本
図では4基板を図示)を上方から見た正面図である。
FIG. 7 is a process conceptual diagram showing a method of plating the substrate end face 23 of the multilayer substrate 10 in the module configuration described in FIG. FIG. 7 is a front view of a multi-piece substrate 10 '(four substrates are shown in this figure) as seen from above.

【0082】多数個取り基板10’に、外部接続電極2
2の位置に貫通ビア用の孔を設けるとともに、これより
絶縁距離を隔てた位置に略基板周辺をルータ等で切断加
工をして、両者を同時にめっきして、側面に第3の金属
膜23を形成する。多層基板10の切離しは、一点鎖線
に沿って最後の工程で切断する。このように、基板端面
23のめっきを、貫通ビア、すなわち外部接続電極22
のめっき工程で同時に行うことにより、安価に高周波モ
ジュールが生産できる。なお、この時、第1、第2の金
属膜についても、同時にめっきする構成としてもよい。
The external connection electrode 2 is formed on the multi-piece substrate 10 '.
A hole for a through via is provided at the position of 2, and a peripheral portion of the substrate is cut by a router or the like at a position spaced from the insulating distance by this, and both are plated at the same time, and the third metal film 23 is formed on the side surface. To form. The separation of the multilayer substrate 10 is performed in the last step along the one-dot chain line. In this way, the plating of the substrate end face 23 is performed by using the through via, that is, the external connection electrode 22.
The high frequency module can be produced at low cost by performing the plating process simultaneously. At this time, the first and second metal films may be plated at the same time.

【0083】図8は、整合回路内蔵弾性表面波フィル
タ、分波器モジュールおよびフロントエンドモジュール
など高周波モジュールMの気密性、特に、その耐水性を
さらに向上させるための実装方法についての説明図であ
る。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a mounting method for further improving the airtightness of the high frequency module M such as the surface acoustic wave filter with a matching circuit, the duplexer module and the front end module, especially the water resistance thereof. .

【0084】高周波モジュールMを携帯無線端末などの
セット基板Sに、はんだ接続42した後、基板端面、特
に、金属膜で覆われていない基板端面を防水性の樹脂2
00で覆うことにより、高周波モジュールの耐水性が向
上できる。これにより、セットとしての信頼性を向上さ
せることができる。
After the high-frequency module M is soldered to the set board S such as a portable wireless terminal 42, the board end surface, particularly the board end surface not covered with the metal film, is covered with the waterproof resin 2.
By covering with 00, the water resistance of the high frequency module can be improved. As a result, the reliability of the set can be improved.

【0085】図9は、高周波モジュールの金属キャップ
40による封止工程における封止方法についての説明図
である。
FIG. 9 is an explanatory view of the sealing method in the sealing step with the metal cap 40 of the high frequency module.

【0086】図9(a)の実施例によれば、開口部40
aに、はんだ41をプリコートしたキャップ40を,パ
ルスヒータHにて瞬間的に加熱圧着することにより、フ
ラックスレスではんだ封止が可能となる。このことは、
フラックスによるモジュール内部の汚染の防止に寄与
し、信頼性の向上につながる。また、瞬間加熱方式の採
用は、弾性表面波素子SAWを高温にすることなく封止
できるため、封止工程での素子劣化を防止することがで
きる。
According to the embodiment of FIG. 9A, the opening 40
The cap 40 pre-coated with the solder 41 on a is momentarily thermocompression-bonded by the pulse heater H, so that solder sealing can be performed without flux. This is
It contributes to the prevention of contamination inside the module due to the flux and leads to the improvement of reliability. In addition, when the instantaneous heating method is adopted, the surface acoustic wave element SAW can be sealed without raising the temperature to high temperature, so that element deterioration in the sealing step can be prevented.

【0087】また、図9(b)の実施例によれば、キャ
ップ40へのはんだプリコートに替え、プリホームされ
たはんだ41を用いてもフラックスレスではんだ封止が
可能となり、上記したと同様の効果が得られる。
Further, according to the embodiment of FIG. 9B, flux-less solder sealing can be performed even if the pre-soldered solder 41 is used instead of the solder pre-coating on the cap 40. The effect of is obtained.

【0088】以上に述べたように、本発明の各実施例に
よれば、整合回路内蔵弾性表面波フィルタ、分波器モジ
ュールおよびフロントエンドモジュールなどの高周波モ
ジュールは、複数の機能を複合化したにもかかわらず、
小形に形成することができる。しかも、小形化に際し、
高周波特性を損なうことなく、とくに、表面弾性波素子
のように表面汚染に敏感な素子の気密性確保にも、低価
格で対応できるようになる。また、有機材料を用いてい
るため、絶縁層の表面が滑らかとなり、目的の特性のコ
イル等の素子を容易に形成できる上記各実施例では、高
周波モジュールの例を示したが、本発明は、これに限定
されない。
As described above, according to each embodiment of the present invention, the high frequency module such as the surface acoustic wave filter with built-in matching circuit, the duplexer module and the front end module has a plurality of functions combined. Nevertheless,
It can be formed into a small size. Moreover, in miniaturization,
In particular, it becomes possible to deal with airtightness of an element sensitive to surface contamination such as a surface acoustic wave element at a low price without impairing high frequency characteristics. In addition, since the organic material is used, the surface of the insulating layer is smooth, and in each of the above-described examples in which elements such as coils having desired characteristics can be easily formed, an example of a high-frequency module is shown. It is not limited to this.

【0089】[0089]

【発明の効果】上記したように、本発明によれば、表面
弾性波素子等を含む機能ユニットを、小形、軽量かつ低
価格に実装することができる。
As described above, according to the present invention, a functional unit including a surface acoustic wave element or the like can be mounted in a small size, a light weight and a low cost.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の高周波モジュールの第1の実施例の構
成を模式的に示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing the configuration of a first embodiment of a high frequency module of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施例の構成を模式的に示す断
面図。
FIG. 2 is a sectional view schematically showing the configuration of the second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施例の構成を示し、(a)は
その回路図、(b)は構造を示す斜視図、(c)は第3
の実施例の構成を模式的に示す断面図。
3A and 3B show a configuration of a third embodiment of the present invention, in which FIG. 3A is a circuit diagram thereof, FIG. 3B is a perspective view showing the structure, and FIG.
Sectional drawing which shows the structure of the Example of FIG.

【図4】本発明を分波器モジュールに適用した実施例を
示し、(a)はその回路図、(b)は実施例の構成を模
式的に示す断面図。
4A and 4B show an embodiment in which the present invention is applied to a duplexer module, FIG. 4A is a circuit diagram thereof, and FIG. 4B is a sectional view schematically showing the configuration of the embodiment.

【図5】本発明をフロントエンドモジュールに適用した
実施例を示し、(a)はその回路図、(b)は実施例の
構成を模式的に示す断面図。
5A and 5B show an embodiment in which the present invention is applied to a front-end module, FIG. 5A is a circuit diagram thereof, and FIG. 5B is a sectional view schematically showing a configuration of the embodiment.

【図6】本発明で用いることができるコイルについての
実施例を模式的に示す断面図。
FIG. 6 is a sectional view schematically showing an embodiment of a coil that can be used in the present invention.

【図7】複数個取りの基板から本発明のモジュールの切
りだしおよび外部電極の製造方法を示す工程概念図。
FIG. 7 is a process conceptual diagram showing a method of cutting out a module of the present invention and a method of manufacturing external electrodes from a plurality of substrates.

【図8】耐水性を向上させるため、本発明にさらに適用
することができる実装方法についての説明図。
FIG. 8 is an explanatory diagram of a mounting method that can be further applied to the present invention in order to improve water resistance.

【図9】本発明における封止方法についての説明図。FIG. 9 is an explanatory diagram of a sealing method according to the present invention.

【図10】本発明の第4の実施例の構成を模式的に示す
断面図。
FIG. 10 is a sectional view schematically showing the configuration of a fourth embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…多層基板 10’…多数個取り基
板(母基板) 11…コイル 12…コンデンサ 13…抵抗 14…チップ部品 15…バイパスコンデンサ 20…第2の金属膜 21a,21b…第1の金属膜 22…外部接続電極 23…第3の金属膜 24…配線導体 25…ビア 30…高周波素子 40…キャップ 41…はんだ 100…水の侵入経路 200…防水性樹脂 SAW…弾性表面波素子 D…遅延線 T…高周波トランジスタ S…セット基板 L1、L2、L3、L4…インピーダンス整合用コイル F…整合回路内蔵弾性表面波フィルタ t1、t2…絶縁層厚さ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Multilayer substrate 10 '... Multi-piece substrate (mother substrate) 11 ... Coil 12 ... Capacitor 13 ... Resistor 14 ... Chip component 15 ... Bypass capacitor 20 ... Second metal film 21a, 21b ... First metal film 22 ... External connection electrode 23 ... Third metal film 24 ... Wiring conductor 25 ... Via 30 ... High frequency element 40 ... Cap 41 ... Solder 100 ... Water entry path 200 ... Waterproof resin SAW ... Surface acoustic wave element D ... Delay line T ... High frequency transistor S ... Set substrate L1, L2, L3, L4 ... Impedance matching coil F ... Matching circuit built-in surface acoustic wave filter t1, t2 ... Insulating layer thickness

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1、第2の主面を有し、第1の主面が素
子搭載領域となる基板と、第1の主面の素子搭載領域に
配置された少なくとも1の素子と、この基板の素子搭載
領域を少なくとも覆う、導電性のキャップとを有する回
路素子モジュールにおいて、 上記基板は、 有機材料で構成され、かつ、 その第1の主面に設けられ、少なくとも上記素子搭載領
域を囲む第1の金属膜と、 その第2の主面に設けられ、上記素子搭載領域に対向す
る領域を少なくとも覆う第2の金属膜とを有し、 さらに、上記基板は、 素子搭載領域に配置されて、素子との接続を行なうため
の内部接続電極と、 上記キャップには覆われず、かつ、第1の金属膜および
第2の金属膜と接触しない位置に配置されて、外部との
接続を行なうための外部接続電極と、 一端が上記内部接続電極と接続されるビアと、 その一部が対応する上記ビアと接続されると共に、一端
が上記外部接続電極と接続される配線導体とを有し、 上記キャップは、覆うべき素子搭載領域を内側に含み得
る大きさの開口部を有し、該開口部が電気的に導通する
状態で上記第1の金属膜に密着されることを特徴とする
回路素子モジュール。
1. A substrate having first and second main surfaces, the first main surface serving as an element mounting region, and at least one element arranged in the element mounting region of the first main surface, In a circuit element module having a conductive cap that covers at least the element mounting area of the substrate, the substrate is made of an organic material, and is provided on a first main surface thereof, and at least the element mounting area is provided. It has a first metal film that surrounds it, and a second metal film that is provided on a second main surface of the second metal film and covers at least a region facing the element mounting region. Further, the substrate is arranged in the element mounting region. The internal connection electrode for connecting to the element and the external connection are arranged at a position not covered by the cap and not in contact with the first metal film and the second metal film. External connection electrode for performing The device has a via connected to the internal connection electrode and a wiring conductor having a part connected to the corresponding via and one end connected to the external connection electrode. A circuit element module comprising an opening having a size capable of including a region inside, and being closely attached to the first metal film in a state where the opening is electrically conductive.
【請求項2】請求項1において、上記基板は、上記ビア
が設けられる第1の絶縁層と、その下層側に配置され
て、上記配線導体が設けられる第2の絶縁層とを少なく
とも有し、これらが積層されて構成されるものである回
路素子モジュール。
2. The substrate according to claim 1, wherein the substrate has at least a first insulating layer provided with the via and a second insulating layer provided below the first insulating layer and provided with the wiring conductor. , A circuit element module configured by stacking these.
【請求項3】請求項2において、上記第1の絶縁層の上
面が、上記第1の主面であり、かつ、第1の金属膜は、
上記素子搭載領域にも配置されるものである回路素子モ
ジュール。
3. The method according to claim 2, wherein the upper surface of the first insulating layer is the first main surface, and the first metal film is
A circuit element module which is also arranged in the element mounting area.
【請求項4】請求項3において、上記素子搭載領域内の
第1の金属膜上に、少なくとも1の素子が搭載される回
路素子モジュール。
4. The circuit element module according to claim 3, wherein at least one element is mounted on the first metal film in the element mounting region.
【請求項5】請求項4において、上記第1の金属膜上に
搭載される素子が、水分に敏感な素子である回路素子モ
ジュール。
5. The circuit element module according to claim 4, wherein the element mounted on the first metal film is an element sensitive to moisture.
【請求項6】請求項4において、第1の金属膜上に搭載
される素子が、弾性表面波素子である回路素子モジュー
ル。
6. The circuit element module according to claim 4, wherein the element mounted on the first metal film is a surface acoustic wave element.
【請求項7】請求項6において、上記素子搭載領域に配
置される平面コイルをさらに有する回路素子モジュー
ル。
7. The circuit element module according to claim 6, further comprising a planar coil arranged in the element mounting area.
【請求項8】請求項7において、上記平面コイルは、平
面螺旋構造を有する配線で構成され、螺旋の中央に、内
部接続電極と、ビアとを有するものである回路素子モジ
ュール。
8. The circuit element module according to claim 7, wherein the planar coil is composed of wiring having a planar spiral structure, and has an internal connection electrode and a via in the center of the spiral.
【請求項9】請求項8において、上記平面コイルが複数
形成され、該複数の平面コイルと上記弾性表面波素子と
が接続されて構成される、整合回路内蔵型の弾性表面波
フィルタを機能ユニットとして搭載する回路素子モジュ
ール。
9. A functional unit of a surface acoustic wave filter with a built-in matching circuit, comprising a plurality of the plane coils, wherein the plurality of plane coils are connected to the surface acoustic wave element. Circuit element module to be installed as.
【請求項10】請求項9において、上記素子搭載領域
は、上記平面コイルが配置される部分を除いて、上記第
1の金属膜で覆われる回路素子モジュール。
10. The circuit element module according to claim 9, wherein the element mounting region is covered with the first metal film except a portion where the planar coil is arranged.
【請求項11】請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9または10において、 上記外部接続用電極は、多層基板の側面に設けられ、 上記多層基板は、その側面の、上記外部接続用電極が配
置されている部分以外の領域を覆う第3の金属膜をさら
に有する回路素子モジュール。
11. Claims 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
In 8, 9, or 10, the external connection electrode is provided on a side surface of the multilayer substrate, and the multilayer substrate covers a third side surface of the multilayer substrate except a portion where the external connection electrode is arranged. A circuit element module further having a metal film.
【請求項12】請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9または10において、 上記外部接続用電極は、多層基板の側面に設けられ、 上記多層基板は、その側面の、上記外部接続用電極が配
置されている部分以外の領域を覆う第3の金属膜と、上
記素子搭載領域の、金属膜で覆われない部分を覆う防水
性樹脂とをさらに有する回路素子モジュール。
12. A method according to claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
In 8, 9, or 10, the external connection electrode is provided on a side surface of the multilayer substrate, and the multilayer substrate covers a third side surface of the multilayer substrate except a portion where the external connection electrode is arranged. A circuit element module further comprising a metal film and a waterproof resin that covers a portion of the element mounting region that is not covered with the metal film.
【請求項13】請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9または10において、上記多層基板は、上記素子
搭載領域の、金属膜で覆われない部分を覆う防水性樹脂
をさらに有する回路素子モジュール。
13. The method according to claim 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
8. The circuit element module according to 8, 9, or 10, wherein the multilayer substrate further includes a waterproof resin that covers a portion of the element mounting region that is not covered with a metal film.
【請求項14】請求項1、2、3、4、5、6、7、
8、9または10において、ガラスエポキシ樹脂、BT
レジン(ビスマレイミド・トリアジン樹脂)およびポリ
テトラフルオロエチレンのうちいずれか1の有機材料を
基板材料とする回路素子モジュール。
14. Claims 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7,
Glass epoxy resin, BT at 8, 9 or 10
A circuit element module using a substrate (bismaleimide / triazine resin) or polytetrafluoroethylene as an substrate material.
【請求項15】請求項9記載の整合回路内蔵弾性表面波
フィルタ2組と、多層基板の中間層に形成した実質的に
1/4電気長の配線導体2組とを有する分波器モジュー
ルを機能ユニットとして備える回路素子モジュール。
15. A duplexer module having two sets of surface acoustic wave filters with a built-in matching circuit according to claim 9 and two sets of wiring conductors of substantially 1/4 electric length formed in an intermediate layer of a multilayer substrate. A circuit element module provided as a functional unit.
【請求項16】請求項15記載の回路素子モジュール
に、高周波トランジスタ、コイル、容量、および抵抗を
さらに有する無線機用フロントエンドモジュール機能ユ
ニットとして備える回路素子モジュール。
16. A circuit element module comprising the circuit element module according to claim 15 as a front-end module functional unit for a wireless device, which further has a high-frequency transistor, a coil, a capacitor, and a resistor.
【請求項17】請求項1において、コイル、容量および
抵抗を、多層基板に内蔵させたことを特徴とする回路素
子モジュール。
17. A circuit element module according to claim 1, wherein the coil, the capacitor and the resistor are incorporated in a multilayer substrate.
【請求項18】母基板から切断されて形成され、基板の
側面に、基板の厚さ方向に延びる溝状の電極部を有する
回路素子モジュール用基板の製造方法において、 上記基板を複数個取りできる母基板に、各基板の上記電
極部となる位置に、貫通孔を設け、 次に、母基板を切断して、複数個の上記基板に分離し、 さらに、各基板について、該基板の側面と、上記電極部
とを、それらの境界部を除いて、金属膜を成膜すること
を特徴とする、回路素子モジュール用基板の製造方法。
18. A method for manufacturing a circuit element module substrate, which is formed by cutting from a mother substrate and has groove-shaped electrode portions extending in the thickness direction of the substrate on the side surface of the substrate, wherein a plurality of the substrates can be taken. Through-holes are provided in the mother substrate at positions that will be the electrode portions of the respective substrates, and then the mother substrate is cut into a plurality of the above-mentioned substrates. A method for manufacturing a circuit element module substrate, characterized in that a metal film is formed on the electrode portion excluding a boundary portion thereof.
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