JPH06258233A - Defect detecting device - Google Patents

Defect detecting device

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JPH06258233A
JPH06258233A JP4242493A JP4242493A JPH06258233A JP H06258233 A JPH06258233 A JP H06258233A JP 4242493 A JP4242493 A JP 4242493A JP 4242493 A JP4242493 A JP 4242493A JP H06258233 A JPH06258233 A JP H06258233A
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JP
Japan
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light
light beam
foreign matter
pellicle
wavelength
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP4242493A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumitomo Hayano
史倫 早野
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Withdrawn legal-status Critical Current

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  • Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE:To reduce the probability of error detection, which is due to stray light, of a foreign matter and to detect a foreign matter having a small gap in high probability. CONSTITUTION:A light beam from a light source 7 is converted into a sheet light beam L2 via lens systems 8, 9 and the light beam L2 slantly irradiates an area 10 on a pellicle 1, while a light beam from a light source 11 is converted into a sheet light beam L4 via lens systems 12. 13 and the light beam L4 vertically irradiates the area 10 on the pellicle 1. Scattered light from a defect such as a foreign matter in the area 10 is condensed by a light receiving lens 14, and an image of the defect is formed on an image pickup face of a one dimensional image pickup element 15 by the condensed light. A foreign matter having a small gap is detected by scattered light of the light beam L4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、例えば半導体素子等を
フォトリソグラフィ工程で製造する際に原版として使用
されるレチクル若しくはフォトマスク、又はこれら原版
の防塵膜(ペリクル)の表面上に付着した異物等の欠陥
を検査する場合に適用して好適な欠陥検査装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reticle or a photomask used as an original plate when manufacturing a semiconductor device or the like in a photolithography process, or a foreign substance adhered to the surface of a dustproof film (pellicle) of these original plates. The present invention relates to a defect inspection apparatus suitable for application when inspecting defects such as.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体素子又は液晶表示素子等をフォト
リソグラフィ工程で製造する際に、原版としてのレチク
ル又はフォトマスク(以下、「レチクル」と総称する)
に形成されたパターンを投影光学系を介して感光基板上
に転写する露光装置が使用されている。そのレチクルの
パターン形成面に所定の規格より大きい異物が付着して
いるか、又はそのパターン形成面のパターンに欠陥が存
在すると、感光基板上に形成されるパターンに不良が生
じるため、レチクルを露光装置に装着する前に、異物を
含む欠陥の有無、欠陥の位置及び欠陥の大きさ等を検査
する必要がある。また、レチクルのパターン形成面に直
接異物が付着するのを防止するため、レチクルの両面
(又は片面)にはペリクルと呼ばれる防塵膜が張設され
ていることがあるが、このようにペリクルが張設された
レチクルについては、ペリクルの表面の異物を含む欠陥
の有無、欠陥の位置及び欠陥の大きさ等を検査する必要
がある。
2. Description of the Related Art A reticle or photomask as an original plate (hereinafter referred to as a "reticle") when a semiconductor device, a liquid crystal display device, or the like is manufactured by a photolithography process.
There is used an exposure device that transfers the pattern formed on the photosensitive substrate through a projection optical system. If a foreign substance larger than a predetermined standard adheres to the pattern forming surface of the reticle or if there is a defect in the pattern on the pattern forming surface, the pattern formed on the photosensitive substrate becomes defective. It is necessary to inspect the presence / absence of a defect including a foreign substance, the position of the defect, the size of the defect, etc. before mounting the device on the. Also, in order to prevent foreign matter from directly adhering to the pattern forming surface of the reticle, a dustproof film called a pellicle may be stretched on both sides (or one side) of the reticle. For the reticle provided, it is necessary to inspect the surface of the pellicle for defects including foreign matter, the position of the defect, and the size of the defect.

【0003】図7は、従来の欠陥検査装置の一例を示
し、この図7において、光透過性の薄膜よりなるペリク
ル1は、矩形の枠状のペリクルフレーム2を介してレチ
クル3上にこのレチクル3と平行に張設されている。レ
チクル3は載物台4上に載置され、載置台4は駆動装置
5によりY方向に移動できるように構成され、載物台4
のY方向への移動量は、リニアエンコーダ等の測長装置
6により測長されている。そして、レーザ光源等の光源
7から射出された光ビームL1は、シリンドリカルレン
ズ8及び集光レンズ9により一方向のみに拡大されてシ
ート状の光ビームL2となり、この光ビームL2がペリ
クル1の表面上のY方向に垂直なX方向に延びたスリッ
ト状の照射領域10に斜めに入射する。
FIG. 7 shows an example of a conventional defect inspection apparatus. In FIG. 7, a pellicle 1 made of a light-transmitting thin film is placed on a reticle 3 via a pellicle frame 2 having a rectangular frame shape. It is stretched in parallel with 3. The reticle 3 is placed on the stage 4, and the stage 4 is configured to be movable in the Y direction by the drive device 5.
The amount of movement in the Y direction is measured by a length measuring device 6 such as a linear encoder. Then, the light beam L1 emitted from the light source 7 such as a laser light source is expanded in only one direction by the cylindrical lens 8 and the condenser lens 9 to become a sheet-shaped light beam L2, which is the surface of the pellicle 1. The light is obliquely incident on the slit-shaped irradiation region 10 extending in the X direction perpendicular to the upper Y direction.

【0004】仮にペリクル1の表面上に異物30が存在
しているときは、この異物30から散乱光L12が発生
し、この散乱光L12が受光レンズ14により集光さ
れ、このように集光された光により1次元CCD等の1
次元撮像素子15上にスリット状の照射領域10内の異
物30の像が結像される。この場合、1次元撮像素子1
5の一列の受光画素はペリクル1上のX方向と共役な方
向に配列されており、ペリクル1上の異物30のX方向
の付着位置は、1次元撮像素子15上の何番目の受光画
素から信号が得られたかにより分かる。また、そのとき
の測長装置6の計測信号から、その異物30のY方向の
位置が分かる。更に、1次元撮像素子15の受光画素か
ら得られる画素出力信号の大小によって、異物30の大
きさの程度が分かる。なぜならば、大きい異物から発生
する散乱光量は大きく、小さい異物から発生する散乱光
量は小さいからである。
If the foreign matter 30 is present on the surface of the pellicle 1, scattered light L12 is generated from the foreign matter 30, and the scattered light L12 is collected by the light receiving lens 14, and thus collected. 1 by one-dimensional CCD etc.
An image of the foreign matter 30 in the slit-shaped irradiation region 10 is formed on the three-dimensional image pickup device 15. In this case, the one-dimensional image sensor 1
The light receiving pixels in one row 5 are arranged in a direction conjugate with the X direction on the pellicle 1, and the adhesion position in the X direction of the foreign matter 30 on the pellicle 1 is determined from the number of the light receiving pixel on the one-dimensional image sensor 15. It depends on whether the signal was obtained. Further, the position of the foreign matter 30 in the Y direction can be known from the measurement signal of the length measuring device 6 at that time. Further, the size of the foreign matter 30 can be known from the magnitude of the pixel output signal obtained from the light receiving pixel of the one-dimensional image pickup device 15. This is because the amount of scattered light generated by a large foreign substance is large and the amount of scattered light generated by a small foreign substance is small.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記の如き従来の技術
においては、光ビームL2がペリクル1を透過してペリ
クルフレーム2の内面に照射され、異物からの散乱光と
は無関係な散乱光(以下、「迷光」と称する)が発生
し、この迷光による像を誤って異物として検出してしま
うという不都合があった。その様子を図8を参照して説
明する。
In the prior art as described above, the light beam L2 is transmitted through the pellicle 1 and irradiated on the inner surface of the pellicle frame 2, and scattered light (hereinafter referred to as scattered light) unrelated to scattered light from foreign matter (hereinafter referred to as "scattered light"). , "Stray light") and the image due to this stray light is erroneously detected as a foreign matter. This will be described with reference to FIG.

【0006】図8は、図7をY方向(受光レンズ14の
方向)から見た斜視図であり、この図8において、シー
ト状の光ビームL2の一部の光ビームは、ペリクル1を
透過してペリクルフレーム2の内壁2aの領域SA部に
入射する。これにより領域SAからは略々あらゆる方向
に散乱光が発生し、その一部は更に内壁2aの別の斜線
を施した領域SBに達する。そのため、内壁2aの領域
SA及び領域SBからの散乱光が、迷光として受光レン
ズ14により集光され、その迷光が異物からの散乱光と
全く同様に1次元撮像素子15により受光されてしま
う。このような迷光の量は、光ビームL2のペリクル1
に対する入射角によって変わり、後述するように、光ビ
ームL2の入射角を大きくすれば迷光に対応する画素出
力信号は小さく抑えられる。
FIG. 8 is a perspective view of FIG. 7 viewed from the Y direction (direction of the light receiving lens 14). In FIG. 8, a part of the sheet-shaped light beam L2 passes through the pellicle 1. Then, the light enters the area SA portion of the inner wall 2a of the pellicle frame 2. As a result, scattered light is generated from the area SA in almost all directions, and a part of the scattered light reaches a further shaded area SB of the inner wall 2a. Therefore, the scattered light from the area SA and the area SB of the inner wall 2a is condensed by the light receiving lens 14 as stray light, and the stray light is received by the one-dimensional image sensor 15 just like the scattered light from the foreign matter. The amount of such stray light depends on the pellicle 1 of the light beam L2.
The pixel output signal corresponding to stray light can be suppressed small by increasing the incident angle of the light beam L2, as will be described later.

【0007】しかしながら、このとき新たに高さの低い
異物(以下、「低段差異物」という)に対する検出能力
が低下するという不都合が生じることが、本発明者によ
り明らかとなった。即ち、図9(a)に示すように、ペ
リクル1上の通常の高い異物31に大きな入射角の光ビ
ームL2が照射されても、その異物3からは十分検出で
きるだけの散乱光L13が発生する。これに対して、図
9(b)に示すように、ペリクル1上の低段差異物32
に大きな入射角の光ビームL2が照射されると、その異
物の背が低いためにその異物の極めて僅かな部分にしか
光ビームL2が照射されず、発生する散乱光L14の光
量が著しく小さくなってしまうのである。
However, the present inventor has found that at this time, there arises a disadvantage that the detection capability for a foreign substance having a low height (hereinafter referred to as "low step foreign substance") is newly reduced. That is, as shown in FIG. 9A, even if the normal high foreign matter 31 on the pellicle 1 is irradiated with the light beam L2 having a large incident angle, scattered light L13 that can be sufficiently detected is generated from the foreign matter 3. . On the other hand, as shown in FIG. 9B, the low step foreign matter 32 on the pellicle 1
When the light beam L2 having a large incident angle is irradiated onto the object, the light beam L2 is applied only to a very small portion of the foreign material because the foreign material is short, and the amount of the scattered light L14 generated becomes extremely small. It will end up.

【0008】本発明は斯かる点に鑑み、被検物の表面の
異物等の欠陥を検査する際に、迷光により誤って異物を
検出する確率を小さくできると共に、高さの低い低段差
異物でも確実に検出できる欠陥検査装置を提供すること
を目的とする。
In view of the above, the present invention can reduce the probability of erroneously detecting a foreign substance due to stray light when inspecting for defects such as a foreign substance on the surface of an object to be inspected, and can also reduce the height of a foreign substance having a low step height. An object of the present invention is to provide a defect inspection device that can reliably detect.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明による欠陥検査装
置は、例えば図1に示す如く、光透過性基板(1)の表
面の欠陥を検査する装置において、光透過性基板(1)
に第1の光ビーム(L2)を斜めに照射する第1の光照
射手段(7〜9)と、光透過性基板(1)に第2の光ビ
ーム(L4)をほぼ垂直に照射する第2の光照射手段
(11〜13)と、それら第1の光ビーム及び第2の光
ビームによるその欠陥からの散乱光を光電変換する受光
手段(14,15)と、この受光手段からの光電変換信
号の内の第1の光ビーム(L2)に対応する第1の信号
と、その光電変換信号の内の第2の光ビーム(L4)に
対応する第2の信号とより、その欠陥の種類及び大きさ
を判別する信号処理手段とを有するものである。
A defect inspection apparatus according to the present invention is, for example, as shown in FIG. 1, an apparatus for inspecting defects on the surface of a light transmissive substrate (1).
A first light irradiation means (7-9) for obliquely irradiating the first light beam (L2), and a second light beam (L4) for substantially vertically irradiating the light transmissive substrate (1). Two light irradiation means (11 to 13), a light receiving means (14, 15) for photoelectrically converting scattered light from the defect due to the first light beam and the second light beam, and a photoelectric light from the light receiving means. From the first signal corresponding to the first light beam (L2) of the converted signal and the second signal corresponding to the second light beam (L4) of the photoelectric conversion signal, the defect And a signal processing means for discriminating the type and the size.

【0010】この場合、それら第1及び第2の光照射手
段は光透過性基板(1)に対して時分割的に光ビームを
照射し、その信号処理手段はそれら第1及び第2の光照
射手段の発光のタイミングに基づいてその受光手段から
の光電変換信号からそれら第1及び第2の信号を抽出す
るものであっても良い。また、第1の光ビーム(L2)
の波長と第2の光ビーム(L4)の波長とが異なり、そ
の受光手段は、例えば図6に示すように、その欠陥から
の散乱光を波長弁別してそれら第1及び第2の光ビーム
に対応する散乱光を得る波長弁別手段(25)と、波長
弁別手段(25)により分離されたその第1の光ビーム
に対応する散乱光を光電変換する第1の光電変換手段
(26A)と、波長弁別手段(25)により分離された
その第2の光ビームに対応する散乱光を光電変換する第
2の光電変換手段(26B)とを有するものであっても
良い。
In this case, the first and second light irradiating means irradiate the light transmitting substrate (1) with a light beam in a time division manner, and the signal processing means thereof emits the first and second light irradiating means. The first and second signals may be extracted from the photoelectric conversion signal from the light receiving means based on the light emission timing of the irradiation means. Also, the first light beam (L2)
Is different from the wavelength of the second light beam (L4), and the light receiving means discriminates the scattered light from the defect into the first and second light beams as shown in FIG. Wavelength discriminating means (25) for obtaining the corresponding scattered light, first photoelectric conversion means (26A) for photoelectrically converting the scattered light corresponding to the first light beam separated by the wavelength discriminating means (25), It may have a second photoelectric conversion means (26B) for photoelectrically converting scattered light corresponding to the second light beam separated by the wavelength discrimination means (25).

【0011】[0011]

【作用】斯かる本発明の原理につき図3を参照して説明
する。図3は図1の要部を示し、この図3において、第
1の光照射手段から発生された第1の光ビーム(L2)
は、光透過性基板(1)に対して角度αで斜めに入射す
る。また、受光手段(14,15)の受光光軸(AX
1)と光透過性基板(1)の表面とは角度βで交差して
いる。例えば、光透過性基板(1)がペリクルであると
すると、光透過性基板(1)に照射される光ビームの入
射角が85゜以上であれば、光透過性基板(1)でのそ
の光ビームの透過率はかなり小さくなる。仮に、光透過
性基板(1)としてのペリクルの種類を限定すれば、或
る特定の波長の第1の光ビーム(L1)に対して、光透
過性基板(1)の透過率を数%以下に抑えることも可能
である。
The principle of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 shows the main part of FIG. 1, and in this FIG. 3, the first light beam (L2) generated from the first light irradiation means.
Is obliquely incident on the light transmissive substrate (1) at an angle α. Further, the light receiving optical axis of the light receiving means (14, 15) (AX
1) and the surface of the light transmissive substrate (1) intersect at an angle β. For example, if the light transmissive substrate (1) is a pellicle, if the incident angle of the light beam with which the light transmissive substrate (1) is irradiated is 85 ° or more, the The light beam transmittance is considerably reduced. If the type of pellicle as the light transmissive substrate (1) is limited, the transmissivity of the light transmissive substrate (1) is several% for the first light beam (L1) having a certain specific wavelength. It is also possible to keep it below.

【0012】従って、例えば光透過性基板(1)がペリ
クルである場合には、角度α及び角度βを共に5゜以下
とすれば、第1の光ビーム(L2)の光透過性基板
(1)での透過光(L2a)の光量は第1の光ビーム
(L2)の光量の数%に抑えられる。従って、透過光
(L2a)により光透過性基板(1)の支持枠(2)の
内壁で発生する散乱光(L5)の光量も抑えられるだけ
でなく、散乱光(L2a)の一部が再び光透過性基板
(1)を透過して受光手段(14,15)に達するとき
にも、光透過性基板(1)の透過率に対応してその散乱
光(L2a)の数%しか透過してこないので、その散乱
光(L2a)が迷光として問題となることはなくなる。
Therefore, for example, when the light transmissive substrate (1) is a pellicle, the light transmissive substrate (1) for the first light beam (L2) is set by setting both the angles α and β to 5 ° or less. ), The amount of the transmitted light (L2a) is suppressed to a few% of the amount of the first light beam (L2). Therefore, not only the amount of scattered light (L5) generated on the inner wall of the support frame (2) of the light transmissive substrate (1) is suppressed by the transmitted light (L2a), but also a part of the scattered light (L2a) is generated again. Even when the light-transmitting substrate (1) is transmitted to reach the light receiving means (14, 15), only a few percent of the scattered light (L2a) is transmitted corresponding to the transmittance of the light-transmitting substrate (1). Since it does not come, the scattered light (L2a) does not pose a problem as stray light.

【0013】しかし、第1の光ビーム(L2)だけを用
いた欠陥検査装置においては、例えば図4(a)及び
(b)で示すように、光透過性基板(1)上に付着した
高さのある異物(22)と高さのない低段差異物(2
3)とでは、光透過性基板(1)の上方から見た大きさ
は同程度であっても、それぞれから発生する散乱光(L
7)及び(L8)とを比較すると、低段差異物(23)
の散乱光(L8)の光量が著しく小さくなる。従って、
散乱光量に応じて異物の大きさを判定する従来の散乱光
受光方式の欠陥検査装置においては、上方から見た大き
さの大きい低段差異物(23)を小さい異物としてその
大きさを誤まって判定してしまう。これに対して、例え
ば図4(c)及び(d)に示すように、仮に光透過性基
板(1)に対してほぼ垂直な方向から光ビーム(L4)
を照射すれば、散乱光(L9,L10)の光量は異物
(22,23)の高さにあまり依存しない。
However, in the defect inspection apparatus using only the first light beam (L2), as shown in, for example, FIGS. Foreign matter with a height (22) and foreign matter with a low step height (2
3), even if the size of the light transmissive substrate (1) viewed from above is about the same, the scattered light (L
7) and (L8) are compared, low step foreign matter (23)
The light amount of the scattered light (L8) becomes extremely small. Therefore,
In the conventional scattered light receiving type defect inspection apparatus that determines the size of a foreign substance according to the amount of scattered light, the size of the low step foreign substance (23) having a large size when viewed from above is regarded as a small foreign substance and the size is mistaken. I will judge. On the other hand, for example, as shown in FIGS. 4 (c) and 4 (d), the light beam (L4) is assumed to be from a direction substantially perpendicular to the light transmissive substrate (1).
Is irradiated, the amount of scattered light (L9, L10) does not depend much on the height of the foreign matter (22, 23).

【0014】そこで、本発明においては、図3に示すよ
うに、光透過性基板(1)に対してほぼ垂直に第2の光
ビーム(L4)を照射している。例えば、光透過性基板
(1)がペリクルである場合、ほぼ垂直に光ビームを照
射したときのペリクルの透過率は80〜100%程度な
ので、その第2の光ビーム(L4)の透過光(L4a)
の光量は、第2の光ビーム(L4)の光量とほとんど同
じである。そして、その透過光(L4a)は、例えば光
透過性基板(1)の裏面の基板(3)上の回路パターン
(21)に達し、この回路パターン(21)から回折光
(L6)が発生する。しかし、この回折光(L6)は受
光手段(14,15)に達するまでに光透過性基板
(1)を通過する。そこで、仮に第2の光ビーム(L
4)と第1の光ビーム(L2)とが同じ波長であり、角
度βが第2の光ビーム(L4)の波長に対しても光透過
性基板(1)での透過率が小さくなるような場合には、
受光手段(14,15)に入ってくる回折光(L6)の
光量は小さくなり、回折光(L6)は迷光として問題と
なるレベルには至らない。但し、第1の光ビーム(L
2)を照射することなく、第2の光ビーム(L4)のみ
を照射して異物検査を行う場合には、小さい異物に対す
る検出能力が劣る。
Therefore, in the present invention, as shown in FIG. 3, the second light beam (L4) is irradiated substantially perpendicularly to the light transmissive substrate (1). For example, when the light-transmissive substrate (1) is a pellicle, the pellicle has a transmittance of about 80 to 100% when a light beam is applied almost vertically, and therefore the transmitted light (second light) of the second light beam (L4) ( L4a)
Is almost the same as that of the second light beam (L4). Then, the transmitted light (L4a) reaches, for example, the circuit pattern (21) on the substrate (3) on the back surface of the light transmissive substrate (1), and diffracted light (L6) is generated from this circuit pattern (21). . However, the diffracted light (L6) passes through the light transmissive substrate (1) before reaching the light receiving means (14, 15). Therefore, if the second light beam (L
4) and the first light beam (L2) have the same wavelength, and the angle β is set so that the transmittance of the light transmissive substrate (1) becomes small even with respect to the wavelength of the second light beam (L4). In that case,
The light quantity of the diffracted light (L6) entering the light receiving means (14, 15) becomes small, and the diffracted light (L6) does not reach the level of being a problem as stray light. However, the first light beam (L
When the foreign matter inspection is performed by irradiating only the second light beam (L4) without irradiating 2), the detection ability for small foreign matter is inferior.

【0015】本発明者の実験によれば、第1の光ビーム
(L2)を用いた検査では10μm以上の大きさの一般
的異物は確実に検出できるが、金属から剥離したメッキ
のように、薄いが大きい(例えば径100μm程度で厚
さ数μm程度)異物は散乱光量が小さく検出できない場
合もある。これに対して、第2の光ビーム(L4)を用
いると、そのような薄いが大きい異物(低段差異物)は
確実に検出できるが、逆に数10μm程度の大きさの異
物は検出できないということが判明している。従って、
本発明においては、2つの光ビームを用いて互いの検出
方式の短所を補い合うような構成とした。
According to the experiments by the present inventor, a general foreign matter having a size of 10 μm or more can be surely detected by the inspection using the first light beam (L2), but like the plating separated from the metal, A foreign matter that is thin but large (for example, a diameter of about 100 μm and a thickness of about several μm) has a small amount of scattered light and may not be detected. On the other hand, when the second light beam (L4) is used, such a thin and large foreign matter (low step foreign matter) can be reliably detected, but conversely, a foreign matter having a size of several tens of μm cannot be detected. It turns out. Therefore,
In the present invention, two light beams are used to compliment the disadvantages of the detection methods of each other.

【0016】また、それら第1及び第2の光照射手段が
光透過性基板(1)に対して時分割的に光ビームを照射
し、信号処理手段がそれら第1及び第2の光照射手段の
発光のタイミングに基づいてその受光手段からの光電変
換信号からそれら第1及び第2の信号を抽出する場合に
は、それら第1の信号及び第2の信号を高いSN比で分
離できる。
The first and second light irradiating means irradiate the light transmitting substrate (1) with a light beam in a time division manner, and the signal processing means irradiates the first and second light irradiating means. When the first and second signals are extracted from the photoelectric conversion signal from the light receiving means based on the light emission timing of, the first signal and the second signal can be separated with a high SN ratio.

【0017】また、第1の光ビーム(L2)の波長と第
2の光ビーム(L4)の波長とを異ならしめて、波長弁
別により第1の光ビームに対応する散乱光と第2の光ビ
ームに対応する散乱光とを分離する場合には、検査時間
を短縮できる。
Further, the wavelength of the first light beam (L2) and the wavelength of the second light beam (L4) are made different from each other, and the scattered light and the second light beam corresponding to the first light beam are discriminated by wavelength discrimination. When the scattered light corresponding to is separated, the inspection time can be shortened.

【0018】[0018]

【実施例】以下、本発明による欠陥検査装置の一実施例
につき図1〜図5を参照して説明する。本例はレチクル
上にペリクルフレームを介して張設されたペリクルの欠
陥検査を行う装置に本発明を適用したものであり、図1
において図7に対応する部分には同一符号を付してその
詳細説明を省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the defect inspection apparatus according to the present invention will be described below with reference to FIGS. In this example, the present invention is applied to an apparatus for inspecting a defect of a pellicle stretched on a reticle via a pellicle frame.
In FIG. 7, parts corresponding to those in FIG. 7 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0019】図1は本実施例の欠陥検査装置の機構部を
示し、この図1において、ペリクル1はペリクルフレー
ム2を介してレチクル3上に張設され、レチクル3は載
物台4に載置され、載物台4は駆動装置5によりY方向
に移動でき、そのY方向の移動量は測長装置6により測
長される。レーザ光源等の第1の光源7から射出された
光ビームL1は、負のシリンドリカルレンズ8及び集光
レンズ9によりシート状の光ビームL2に変換され、光
ビームL2がペリクル1上のX方向に延びたスリット状
の照射領域10に照射される。この際、光ビームL2に
対するペリクル1の透過率が例えば5%以下になるよう
に、ペリクル1の表面と光ビームL2とがなす角度αは
5゜より小さく設定されている。特に、光ビームL2の
波長及び偏光状態の条件は、ペリクル1に対して透過率
が低くなるような条件を選択するのが好ましい。
FIG. 1 shows a mechanical portion of the defect inspection apparatus of this embodiment. In FIG. 1, the pellicle 1 is stretched on a reticle 3 via a pellicle frame 2, and the reticle 3 is placed on a stage 4. The table 4 is placed and can be moved in the Y direction by the driving device 5, and the amount of movement in the Y direction is measured by the length measuring device 6. The light beam L1 emitted from the first light source 7 such as a laser light source is converted into a sheet-shaped light beam L2 by the negative cylindrical lens 8 and the condenser lens 9, and the light beam L2 is moved in the X direction on the pellicle 1. The extended irradiation area 10 having a slit shape is irradiated. At this time, the angle α formed by the surface of the pellicle 1 and the light beam L2 is set to be smaller than 5 ° so that the transmittance of the pellicle 1 with respect to the light beam L2 is, for example, 5% or less. In particular, it is preferable that the wavelength and polarization state of the light beam L2 be selected such that the transmittance of the pellicle 1 is low.

【0020】一方、レーザ光源等の第2の光源11から
射出された光ビームL3は、負のシリンドリカルレンズ
12及び正のシリンドリカルレンズ13によりシート状
の光ビームL4に変換され、この光ビームL4が、ペリ
クル1上で光ビームL2の照射領域と同一のX方向に延
びた照射領域10に照射される。光ビームL4のペリク
ル1に対する入射角はほぼ零に設定され、光ビームL4
はペリクル1に対してほぼ垂直に入射する。
On the other hand, the light beam L3 emitted from the second light source 11 such as a laser light source is converted into a sheet-shaped light beam L4 by the negative cylindrical lens 12 and the positive cylindrical lens 13, and this light beam L4 is formed. The irradiation area 10 extending in the same X direction as the irradiation area of the light beam L2 is irradiated on the pellicle 1. The incident angle of the light beam L4 with respect to the pellicle 1 is set to substantially zero, and the light beam L4
Enters almost perpendicularly to the pellicle 1.

【0021】ペリクル1上の異物等の欠陥からの散乱光
は受光レンズ14により集光され、このように集光され
た光が、1次元撮像素子15上にペリクル1のスリット
状の照射領域10内の異物の像を結像する。ペリクル1
上の異物のX方向の付着位置は、1次元撮像素子17の
何番目の受光画素で受光されたかで分かり、その異物の
Y方向の位置はそのときの測長装置6の測長出力により
分かる。また、受光レンズ14の光軸AX1とペリクル
1の表面とが成す角度(以下、「受光角」という)βは
5゜以下に設定され、光源7から射出される光ビームL
2と同じ波長の光ビームがその受光角βでペリクル1を
透過する際の透過率が低くなるようになっている。この
とき、光源11から射出される光ビームL4の波長の光
ビームに対しても、その受光角βでペリクル1を透過す
る際の透過率が低くなっていることが好ましく、構成を
単純化するためには光源7からの光ビームの波長と光源
11からの光ビームの波長とを同一にするとよい。
Light scattered from a defect such as a foreign substance on the pellicle 1 is condensed by the light receiving lens 14, and the light thus condensed is projected onto the one-dimensional image pickup device 15 in the slit-shaped irradiation area 10 of the pellicle 1. An image of the foreign matter inside is formed. Pellicle 1
The adhered position of the foreign matter in the X direction can be known by the number of the light receiving pixel of the one-dimensional image pickup device 17 that has received the light, and the position of the foreign matter in the Y direction can be known by the length measurement output of the length measuring device 6 at that time. . Further, the angle β formed by the optical axis AX1 of the light receiving lens 14 and the surface of the pellicle 1 (hereinafter referred to as “light receiving angle”) β is set to 5 ° or less, and the light beam L emitted from the light source 7 is set.
The transmittance of the light beam having the same wavelength as that of No. 2 when passing through the pellicle 1 at the light receiving angle β is low. At this time, it is preferable that the light beam having the wavelength of the light beam L4 emitted from the light source 11 also has a low transmittance when passing through the pellicle 1 at the light receiving angle β, which simplifies the configuration. For this purpose, the wavelength of the light beam from the light source 7 and the wavelength of the light beam from the light source 11 may be the same.

【0022】更に、ペリクル1にほぼ垂直に入射する光
ビームL4の偏光状態が、X方向よりY方向に偏光した
直線偏光である方が、ペリクル1の下面のレチクル3上
のパターンからの回折光の光量が小さくなることが、本
発明者により実験的に確認されている。従って、光ビー
ムL4としては、Y方向に偏光した光を用いるとよい。
このような構成により本例においては、図3に示すよう
に、斜め入射する光ビームL2の内で、ペリクル1を透
過する透過光L2aの光量は小さくなり、透過光L2a
がペリクルフレーム2の内壁で散乱されて生ずる散乱光
L5の光量も小さくなり、光ビームL2に起因する迷光
は少なくなっている。
Further, when the polarization state of the light beam L4 which enters the pellicle 1 substantially vertically is linearly polarized light which is polarized in the Y direction rather than the X direction, the diffracted light from the pattern on the reticle 3 on the lower surface of the pellicle 1 It has been experimentally confirmed by the present inventor that the light intensity of the light becomes smaller. Therefore, light polarized in the Y direction may be used as the light beam L4.
With this configuration, in the present example, as shown in FIG. 3, in the obliquely incident light beam L2, the light amount of the transmitted light L2a transmitted through the pellicle 1 is small, and the transmitted light L2a is small.
The amount of scattered light L5 generated by being scattered by the inner wall of the pellicle frame 2 is also small, and the stray light due to the light beam L2 is small.

【0023】また、ほぼ垂直にペリクル1に入射する光
ビームL4の内で、ペリクル1を透過する透過光L4a
の光量は入射光の光量に近く、ペリクル1の裏面のレチ
クル2上の回路パターン21からは比較的強い回折光L
6が発生し得る。しかしながら、受光レンズ14の光軸
AX1の受光角βが小さいので、その回折光L6はほと
んど受光レンズ14には入射しない。
Further, in the light beam L4 incident on the pellicle 1 substantially vertically, the transmitted light L4a which passes through the pellicle 1
Of the diffracted light L from the circuit pattern 21 on the reticle 2 on the back surface of the pellicle 1 is relatively strong.
6 can occur. However, since the light receiving angle β of the light receiving lens 14 on the optical axis AX1 is small, the diffracted light L6 hardly enters the light receiving lens 14.

【0024】図4を参照してそのように斜め入射の光ビ
ームL2及びほぼ垂直入射の光ビームL4を用いること
による利点につき説明する。即ち、斜め入射の光ビーム
L2を使用した場合には、図4(a)に示すように通常
の背の高い異物22からは強い散乱光L7が得られるの
に対して、図4(b)に示すように背の低い低段差異物
23から得られる散乱光L8は弱い。一方、ほぼ垂直入
射の光ビームL4を使用した場合には、図4(c)に示
すように通常の背の高い異物22からは比較的強い散乱
光L9が得られるのと共に、図4(d)に示すように背
の低い低段差異物23から得られる散乱光L10も比較
的強い。従って、ほぼ垂直に入射する光ビームL4を併
用することにより、低段差異物の検出確率を高めること
ができる。
The advantages of using the obliquely incident light beam L2 and the substantially vertically incident light beam L4 will be described with reference to FIG. That is, when the obliquely incident light beam L2 is used, strong scattered light L7 is obtained from a normal tall foreign substance 22 as shown in FIG. 4A, whereas FIG. As shown in (4), the scattered light L8 obtained from the short, low step foreign matter 23 is weak. On the other hand, when the almost vertically incident light beam L4 is used, relatively strong scattered light L9 is obtained from the normal tall foreign matter 22 as shown in FIG. As shown in (), the scattered light L10 obtained from the low-level foreign matter 23 having a short height is also relatively strong. Therefore, by using the light beam L4 that is incident almost vertically, it is possible to increase the detection probability of the low step foreign matter.

【0025】本実施例でペリクル1上の異物を検査する
ための第1の検査方法としては、光ビームL2と光ビー
ムL4とを常に同時にペリクル1上に照射し、光ビーム
L2及び光ビームL4のおのおのに起因して異物から発
生する散乱光を区別せずに1次元撮像素子15で受光す
る方法がある。この方法では、迷光による信号や電気的
ノイズを除去するため、1次元撮像素子15から得られ
る画素出力信号の内から或る値以上の画素出力信号のみ
を異物からの信号として検出する。更に、検出した画素
出力信号を強度に応じて例えば3段階に分ければ、異物
のおおよその大きさを判定することができる。
As a first inspection method for inspecting foreign matter on the pellicle 1 in this embodiment, the light beam L2 and the light beam L4 are always irradiated onto the pellicle 1 at the same time, and the light beam L2 and the light beam L4 are irradiated. There is a method in which the scattered light generated from the foreign matter due to each of them is received by the one-dimensional imaging device 15 without distinguishing it. In this method, in order to remove signals due to stray light and electrical noise, only pixel output signals of a certain value or more among the pixel output signals obtained from the one-dimensional image pickup device 15 are detected as signals from foreign matter. Furthermore, if the detected pixel output signal is divided into, for example, three levels according to the intensity, the approximate size of the foreign matter can be determined.

【0026】本実施例でペリクル1上の異物を検査する
ための第2の検査方法は、光ビームL2と光ビームL4
とを交互に点灯し、光ビームL2と光ビームL4とのお
のおのに起因して異物から発生する散乱光を時分割的に
区別して検出する方法である。図2は時分割処理する場
合の本例の信号処理部の構成の一例を示し、この図2に
おいて、制御部16が光源7及び11を交互に点灯す
る。そして、1次元撮像素子15から出力される画素出
力信号はアナログ/デジタル(A/D)変換器17を介
してデジタル信号に変換され、光源7が点灯されている
ときのA/D変換器17からの出力信号は第1記憶部1
8に記憶され、光源11が点灯されているときのA/D
変換器17からの出力信号は第2記憶部19に記憶され
る。
The second inspection method for inspecting foreign matter on the pellicle 1 in this embodiment is the light beam L2 and the light beam L4.
Are alternately turned on, and the scattered light generated from the foreign matter due to each of the light beam L2 and the light beam L4 is time-divisionally distinguished and detected. FIG. 2 shows an example of the configuration of the signal processing unit of this example in the case of performing time division processing. In FIG. 2, the control unit 16 alternately turns on the light sources 7 and 11. Then, the pixel output signal output from the one-dimensional image sensor 15 is converted into a digital signal via the analog / digital (A / D) converter 17, and the A / D converter 17 when the light source 7 is turned on. The output signal from the first storage unit 1
8 and A / D when the light source 11 is turned on
The output signal from the converter 17 is stored in the second storage unit 19.

【0027】そして、第1記憶部18から出力される出
力信号、即ち斜め入射の光ビームL2に対応する画素出
力信号SHと、第2記憶部19から出力される出力信
号、即ち垂直入射の光ビームL4に対応する画素出力信
号SVとが、演算部20に供給される。演算部20は、
それらの信号SH及びSVを処理して、異物の有無を示
す異物検出信号S1、異物の大きさ(ランク)を示す異
物ランク信号S2及び低段差異物かどうかを示す低段差
異物信号S3を出力する。
Then, the output signal output from the first storage unit 18, that is, the pixel output signal SH corresponding to the obliquely incident light beam L2, and the output signal output from the second storage unit 19, that is, the vertically incident light. The pixel output signal SV corresponding to the beam L4 is supplied to the calculation unit 20. The calculation unit 20
The signals SH and SV are processed to output a foreign matter detection signal S1 indicating the presence or absence of a foreign matter, a foreign matter rank signal S2 indicating the size (rank) of the foreign matter, and a low step foreign matter signal S3 indicating whether or not the foreign matter is a low step. .

【0028】次に、図5のフローチャートを参照して、
時分割的に異物検査を行う際の動作の一例につき説明す
る。先ず図5のステップ101において、斜め入射用の
光源7が点灯され、光ビームL2の照射によりペリクル
1上の異物から散乱される光を1次元撮像素子15で受
光して得られた画素出力信号SHが第1記憶部18に記
憶される(ステップ102)。次に、垂直入射用の光源
11が点灯され(ステップ103)、光ビームL4の照
射によりペリクル1上の異物から散乱される光を1次元
撮像素子15で受光して得られた画素出力信号SVが第
2記憶部19に記憶される(ステップ104)。これ以
後の動作は図2の演算部20の動作である。
Next, referring to the flowchart of FIG.
An example of the operation when performing the foreign matter inspection in a time sharing manner will be described. First, in step 101 of FIG. 5, the light source 7 for oblique incidence is turned on, and the light scattered by the foreign matter on the pellicle 1 by the irradiation of the light beam L2 is received by the one-dimensional image sensor 15 to obtain a pixel output signal. SH is stored in the first storage unit 18 (step 102). Next, the light source 11 for vertical incidence is turned on (step 103), and the light scattered by the foreign matter on the pellicle 1 by the irradiation of the light beam L4 is received by the one-dimensional image sensor 15 to obtain the pixel output signal SV. Is stored in the second storage unit 19 (step 104). The subsequent operation is the operation of the arithmetic unit 20 of FIG.

【0029】その後、ステップ105において、斜め入
射光対応の画素出力信号SHが、検出閾値V1 より大き
いかどうかを判断し、(V1 <SH)ならば異物検出信
号S1をオン(例えばハイレベル“1”)にした後(ス
テップ106)、画素出力信号SHの大小から異物のお
およその大きさを判定する(ステップ107)。この場
合、検出閾値V1 ,V2 ,V3 がそれぞれφ10μm,
φ50μm,φ100μmの大きさの異物(但し、低段
差異物ではない一般的な異物)に相当する信号強度とす
る。従って、(V1 <SH≦V2 )ならば、φ10〜φ
50μmの大きさの異物と判定し、異物ランク信号S2
のレベルをAランクの値に設定する(ステップ10
8)。
Then, in step 105, it is judged whether or not the pixel output signal SH corresponding to the obliquely incident light is larger than the detection threshold V 1, and if (V 1 <SH), the foreign matter detection signal S 1 is turned on (for example, high level). After setting to "1") (step 106), the approximate size of the foreign matter is judged from the magnitude of the pixel output signal SH (step 107). In this case, the detection thresholds V 1 , V 2 , and V 3 are φ10 μm,
The signal intensity is equivalent to a foreign substance having a size of φ50 μm or φ100 μm (however, a general foreign substance that is not a low step foreign substance). Therefore, if (V 1 <SH ≦ V 2 ), φ10 to φ
The foreign matter rank signal S2 is determined by determining that the foreign matter has a size of 50 μm.
Set the level of A to the value of A rank (step 10
8).

【0030】また、(V2 <SH≦V3 )である場合に
は、φ50〜φ100μmの大きさの異物と判定し、異
物ランク信号S2のレベルをBランクの値に設定し(ス
テップ109)、(V3 <SH)ならばφ100μm以
上の大きい異物と判定し、異物ランク信号S2をCラン
クの値に設定する(ステップ110)。これら異物検出
信号S1及び異物ランク信号S2の値は、1次元撮像素
子15の各画素毎又は所定の長さ単位毎に設定される。
ステップ110に続いて、ステップ111において図1
の載物台4を介してY方向にレチクル3を所定量移動さ
せた後、再びステップ101以下の動作が繰り返され
る。
If (V 2 <SH ≦ V 3 ), it is determined that the foreign matter has a size of φ50 to φ100 μm, and the level of the foreign matter rank signal S2 is set to the value of B rank (step 109). , (V 3 <SH), it is determined that the particle is a large particle of φ100 μm or more, and the particle rank signal S2 is set to the value of C rank (step 110). The values of the foreign matter detection signal S1 and the foreign matter rank signal S2 are set for each pixel of the one-dimensional image sensor 15 or for each predetermined length unit.
Following step 110, in step 111 in FIG.
After moving the reticle 3 by a predetermined amount in the Y direction via the mounting table 4, the operations in and after step 101 are repeated.

【0031】また、ステップ108及び109において
は、それぞれ異物の大きさがAランク及びBランクと判
定されているが、誤ってCランクの低段差異物を小さい
異物と判定している虞がある。そこで、ステップ108
及び109からそれぞれステップ112に移行して、垂
直入射対応の画素出力信号SVが所定の検出閾値V4
り大きいかどうかを調べる。この検出閾値V4 は、垂直
入射の光ビームL4がペリクル1上のCランクの異物に
照射されたときに得られる画素出力信号SVに基づいた
値である。従って、(V4 <SV)が成立するときに
は、Cランクの低段差異物が検出されたことを意味する
ので、ステップ113に移行して、低段差異物信号S3
をオン(例えばハイレベル“1”)にすると共に、異物
ランク信号S2をCランクの値に設定する。その後動作
はステップ111に移行する。一方、ステップ112に
おいて、(V4 ≧SV)である場合には、低段差異物で
はないため、動作はそのままステップ111に移行す
る。低段差異物信号S3の値も、1次元撮像素子15の
各画素毎又は所定の長さ単位毎に設定される。
Further, in steps 108 and 109, the size of the foreign matter is determined to be rank A and rank B, respectively. However, there is a possibility that the foreign material having a low level difference of rank C is erroneously determined to be a small foreign matter. Therefore, step 108
And 109, the process proceeds to step 112, and it is checked whether or not the pixel output signal SV corresponding to vertical incidence is larger than a predetermined detection threshold V 4 . The detection threshold value V 4 is a value based on the pixel output signal SV obtained when the vertically incident light beam L 4 is irradiated on the C-rank foreign matter on the pellicle 1. Therefore, when (V 4 <SV) is established, it means that the foreign matter of low step difference of C rank is detected, and therefore the routine proceeds to step 113, where the low step foreign matter signal S3 is detected.
Is turned on (for example, high level “1”), and the foreign matter rank signal S2 is set to a value of C rank. Thereafter, the operation shifts to step 111. On the other hand, if (V 4 ≧ SV) in step 112, the foreign substance is not a low step foreign substance, and therefore the operation directly proceeds to step 111. The value of the low step foreign matter signal S3 is also set for each pixel of the one-dimensional image sensor 15 or for each predetermined length unit.

【0032】また、ステップ105において、(V1
SH)である場合にも、誤ってCランクの低段差異物を
見逃している虞がある。そこで、ステップ105からス
テップ114に移行して、垂直入射対応の画素出力信号
SVが検出閾値V4 より大きいかどうかを調べる。そし
て、(V4 <SV)が成立するときには、Cランクの低
段差異物が検出されたことを意味するので、ステップ1
15に移行して、低段差異物信号S3をオンにすると共
に、異物ランク信号S2をCランクの値に設定する。そ
の後動作はステップ111に移行する。一方、ステップ
114において、(V4 ≧SV)である場合には、低段
差異物でもないため、ステップ116において、異物検
査信号S1をオフ(例えばローレベル“0”)にした
後、ステップ111に移行する。
In step 105, (V 1
Even in the case of SH), there is a possibility that a foreign matter with a low step difference of C rank is mistakenly missed. Therefore, the process proceeds from step 105 to step 114, and it is checked whether or not the pixel output signal SV corresponding to vertical incidence is larger than the detection threshold V 4 . Then, when (V 4 <SV) is satisfied, it means that a foreign matter with a low step of rank C is detected, and therefore step 1
Moving to 15, the low step foreign matter signal S3 is turned on, and the foreign matter rank signal S2 is set to the value of C rank. Thereafter, the operation shifts to step 111. On the other hand, if (V 4 ≧ SV) in step 114, it is not a low step foreign matter, so in step 116, the foreign matter inspection signal S1 is turned off (for example, low level “0”), and then step 111 is performed. Transition.

【0033】図1において、載物台4を介してレチクル
3及びペリクル1をY方向にステップ的に移動させなが
らそれぞれ図5の異物検査動作を繰り返すことにより、
ペリクル1の全面の異物検査が行われる。この検査結果
をペリクルの異物管理基準と照合し、例えばCランクの
異物が1個でも検出されたらそのペリクル1は使用不可
と判定し、Bランク又はAランクの異物が検出された場
合にはそれぞれのランクの異物の検出個数に応じて合否
を判断する。
In FIG. 1, by repeating the foreign substance inspection operation of FIG. 5 while moving the reticle 3 and the pellicle 1 stepwise in the Y direction via the stage 4,
A foreign matter inspection of the entire surface of the pellicle 1 is performed. This inspection result is collated with the foreign matter management standard of the pellicle. For example, if even one foreign matter of C rank is detected, it is determined that the pellicle 1 is unusable, and if foreign matter of B rank or A rank is detected, the foreign matter is detected. The pass / fail judgment is made according to the number of detected foreign matters of rank.

【0034】次に、本発明の他の実施例につき図6を参
照して説明する。本例の機構部の構成は、図1の光源
7,11、受光レンズ14及び1次元撮像素子15を除
いてほぼ同じであるため、図6では受光系のみの構成を
示す。また、本例では図1の光源7及び11として、そ
れぞれ波長λ1 の光ビームL1及び波長λ2 の光ビーム
L3を発生する光源が使用され、波長λ1 と波長λ2
は異なっている。そして、図1の光ビームL2が入射す
る角度α及び受光系の受光角βは、共に波長λ1及び波
長λ2 の光ビームに対してペリクル1の透過率が小さく
なるように設定される。
Next, another embodiment of the present invention will be described with reference to FIG. Since the structure of the mechanical portion of this example is almost the same except for the light sources 7 and 11, the light receiving lens 14 and the one-dimensional image pickup device 15 of FIG. 1, only the light receiving system is shown in FIG. Further, as the light source 7 and 11 of the present embodiment 1, the light source each generating a light beam L1 and the wavelength lambda 2 of the light beam L3 having a wavelength lambda 1 is used, is different from the wavelength lambda 1 and wavelength lambda 2 . The angle α at which the light beam L2 of FIG. 1 is incident and the light receiving angle β of the light receiving system are both set so that the transmittance of the pellicle 1 becomes smaller for the light beams having the wavelength λ 1 and the wavelength λ 2 .

【0035】図1のペリクル1上の異物で散乱されて、
図6の本例の受光レンズ24に入射する散乱光L11に
は、斜め入射の光ビームに対応する波長λ1 の散乱光
と、垂直入射の光ビームに対応する波長λ2 の散乱光と
が含まれている。受光レンズ24の後にダイクロイック
ミラー(波長選択ミラー)25が設けられ、波長λ1
散乱光はダイクロイックミラー25を透過して1次元撮
像素子26A上に異物の像を結像し、波長λ2 の散乱光
はダイクロイックミラー25で反射されて1次元撮像素
子26B上に異物の像を結像する。1次元撮像素子26
A及び26Bからは、それぞれ波長λ1 及び波長λ2
散乱光に対応する画素出力信号が出力される。そして、
波長λ1 の散乱光に対応する画素出力信号は、図2の斜
め入射対応の画素出力信号SHに対応し、波長λ2 の散
乱光に対応する画素出力信号は、図2の垂直入射対応の
画素出力信号SVに対応するため、以後は例えば図5の
ステップ105以下の処理により異物検査を行うことが
できる。
Scattered by foreign matter on the pellicle 1 in FIG. 1,
The scattered light L11 entering the light receiving lens 24 of this example in FIG. 6 includes scattered light of wavelength λ 1 corresponding to the obliquely incident light beam and scattered light of wavelength λ 2 corresponding to the vertically incident light beam. include. A dichroic mirror (wavelength selection mirror) 25 is provided after the light-receiving lens 24, and the scattered light of wavelength λ 1 is transmitted through the dichroic mirror 25 to form an image of a foreign matter on the one-dimensional image pickup device 26A, and the scattered light of wavelength λ 2 is formed. The scattered light is reflected by the dichroic mirror 25 and forms an image of the foreign matter on the one-dimensional image pickup device 26B. One-dimensional image sensor 26
From A and 26B, pixel output signals corresponding to scattered light of wavelength λ 1 and wavelength λ 2 , respectively are output. And
The pixel output signal corresponding to the scattered light of the wavelength λ 1 corresponds to the pixel output signal SH corresponding to the oblique incidence of FIG. 2, and the pixel output signal corresponding to the scattered light of the wavelength λ 2 corresponds to the vertical incidence of FIG. Since it corresponds to the pixel output signal SV, the foreign matter inspection can be performed thereafter by, for example, the processing of step 105 and subsequent steps in FIG.

【0036】上述のように本例でも図1の角度α及び受
光角βが、ペリクル1での光ビームの透過率が小さくな
るように設定されているため、ペリクルフレーム2の内
壁での散乱光やレチクル3のパターンによる回折光に起
因する迷光を低減して高いSH比で異物検査が実行でき
る。また、光源7及び11を同時に点灯して、波長弁別
により両者に対応する画素出力信号を弁別しているの
で、異物検査を高速に行うことができる。
As described above, in this example as well, the angle α and the light receiving angle β in FIG. 1 are set so that the transmittance of the light beam at the pellicle 1 is small, and therefore the scattered light on the inner wall of the pellicle frame 2 is set. Stray light caused by the diffracted light due to the pattern of the reticle 3 and the reticle 3 can be reduced, and the foreign matter inspection can be performed at a high SH ratio. Further, since the light sources 7 and 11 are turned on at the same time and the pixel output signals corresponding to the both are discriminated by the wavelength discrimination, the foreign matter inspection can be performed at high speed.

【0037】なお、上述実施例では、ペリクル上のスリ
ット状の照明領域に光ビームを照射しているが、例えば
ペリクル上にスポット状に光ビームを照射し、この光ビ
ームを振動ミラー等を用いてX方向に走査する方式にも
本発明を同様に適用することができる。このように振動
ミラー等を用いてスポット状の光ビームを走査する方式
の場合には、1次元撮像素子の代わりに単一の受光素子
を使用することができる。
In the above-described embodiment, the light beam is applied to the slit-shaped illumination area on the pellicle. However, for example, the light beam is applied in a spot shape on the pellicle and the light beam is used by a vibrating mirror or the like. The present invention can be similarly applied to a system in which scanning is performed in the X direction. As described above, in the case of the method of scanning the spot-like light beam using the vibrating mirror or the like, a single light receiving element can be used instead of the one-dimensional image pickup element.

【0038】また、上述実施例では、検査対象がレチク
ル上に張設されたペリクルであるが、レチクル自体を検
査対象とする場合にも本発明がそのまま適用できる。即
ち、レチクル自体の表面に付着した異物等の欠陥を検査
する場合にも、レチクルの表面を透過して側面で反射さ
れて受光系に入射する迷光等を低減する必要があると共
に、低段差異物の検出を正確に行う必要があるため、本
発明は有効である。このように、本発明は上述実施例に
限定されず本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成
を取り得る。
Further, in the above embodiment, the inspection object is the pellicle stretched on the reticle, but the present invention can be applied as it is to the case where the reticle itself is the inspection object. That is, even when inspecting for defects such as foreign matter adhering to the surface of the reticle itself, it is necessary to reduce stray light, etc., which passes through the surface of the reticle and is reflected by the side surfaces and enters the light receiving system. The present invention is effective because it is necessary to accurately detect As described above, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various configurations can be taken without departing from the gist of the present invention.

【0039】[0039]

【発明の効果】本発明によれば、通常の異物等の欠陥
は、第1の光照射手段から被検面に斜めに照射される光
ビームを使用することにより、少ない迷光のもとで検査
することができる。また、低段差異物については、第2
の光照射手段から被検面にほぼ垂直に入射する光ビーム
の散乱光が強くなることから、高い確率で正確に検出す
ることができる。
According to the present invention, defects such as ordinary foreign matters are inspected under a small amount of stray light by using the light beam obliquely irradiated to the surface to be inspected from the first light irradiation means. can do. For low step foreign matter,
Since the scattered light of the light beam that enters the surface to be inspected substantially perpendicularly from the light irradiating means becomes strong, it can be accurately detected with a high probability.

【0040】また、第1の光照射手段からの第1の光ビ
ームに対応する信号と、第2の光照射手段からの第2の
光ビームに対応する信号とを時分割的に分離する場合に
は、両者の信号のSN比が高い利点がある。また、第1
の光照射手段からの第1の光ビームに対応する信号と、
第2の光照射手段からの第2の光ビームに対応する信号
とを波長弁別により分離する場合には、検査時間が速い
という利点がある。
When the signal corresponding to the first light beam from the first light irradiation means and the signal corresponding to the second light beam from the second light irradiation means are separated in a time division manner. Has the advantage that the SN ratio of both signals is high. Also, the first
A signal corresponding to the first light beam from the light irradiation means of
When the signal corresponding to the second light beam from the second light irradiation means is separated by wavelength discrimination, there is an advantage that the inspection time is short.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による欠陥検査装置の一実施例の機構部
を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a mechanical portion of an embodiment of a defect inspection apparatus according to the present invention.

【図2】図1の実施例で時分割処理を行う場合の信号処
理部を示す機能ブロック図である。
FIG. 2 is a functional block diagram showing a signal processing unit when performing time division processing in the embodiment of FIG.

【図3】図1の機構部のペリクル近傍の光ビームの様子
を示す斜視図である。
FIG. 3 is a perspective view showing a state of a light beam in the vicinity of a pellicle of the mechanical section of FIG.

【図4】(a)及び(b)はそれぞれ斜め入射の光ビー
ムによる散乱光の様子を示す図、(c)及び(d)はそ
れぞれ垂直入射の光ビームによる散乱光の様子を示す図
である。
4 (a) and 4 (b) are diagrams showing scattered light by obliquely incident light beams, and FIGS. 4 (c) and 4 (d) are diagrams showing scattered light by vertically incident light beams. is there.

【図5】図1の実施例で異物検査を行う場合の動作の一
例を示すフローチャートである。
5 is a flow chart showing an example of an operation when performing a foreign matter inspection in the embodiment of FIG.

【図6】本発明の他の実施例の受光系を示す構成図であ
る。
FIG. 6 is a configuration diagram showing a light receiving system of another embodiment of the present invention.

【図7】従来の欠陥検査装置を示す斜視図である。FIG. 7 is a perspective view showing a conventional defect inspection apparatus.

【図8】図7のペリクルフレームの内壁の様子を示す一
部を切り欠いた斜視図である。
8 is a partially cutaway perspective view showing a state of an inner wall of the pellicle frame of FIG. 7. FIG.

【図9】従来技術の課題の説明に供する図である。FIG. 9 is a diagram for explaining a problem of a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ペリクル 2 ペリクルフレーム 3 レチクル 4 載物台 5 駆動装置 7,11 光源 14,24 受光レンズ 15,26A,26B 1次元撮像素子 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Pellicle 2 Pellicle frame 3 Reticle 4 Mounting stage 5 Driving device 7,11 Light source 14,24 Light receiving lens 15, 26A, 26B One-dimensional imaging device

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // H01L 21/66 J 7630−4M ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location // H01L 21/66 J 7630-4M

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光透過性基板の表面の欠陥を検査する装
置において、 前記光透過性基板に第1の光ビームを斜めに照射する第
1の光照射手段と、 前記光透過性基板に第2の光ビームをほぼ垂直に照射す
る第2の光照射手段と、 前記第1の光ビーム及び前記第2の光ビームによる前記
欠陥からの散乱光を光電変換する受光手段と、 該受光手段からの光電変換信号の内の前記第1の光ビー
ムに対応する第1の信号と、前記光電変換信号の内の前
記第2の光ビームに対応する第2の信号とより、前記欠
陥の種類及び大きさを判別する信号処理手段とを有する
ことを特徴とする欠陥検査装置。
1. An apparatus for inspecting a surface defect of a light transmissive substrate, comprising: first light irradiation means for obliquely irradiating the light transmissive substrate with a first light beam; Second light irradiating means for irradiating the second light beam substantially vertically, light receiving means for photoelectrically converting scattered light from the defect due to the first light beam and the second light beam, and the light receiving means Of the defect type and the second signal of the photoelectric conversion signal corresponding to the first light beam and the second signal of the photoelectric conversion signal of the second light beam. A defect inspection apparatus comprising: a signal processing unit that determines a size.
【請求項2】 前記第1及び第2の光照射手段は前記光
透過性基板に対して時分割的に光ビームを照射し、前記
信号処理手段は前記第1及び第2の光照射手段の発光の
タイミングに基づいて前記受光手段からの光電変換信号
から前記第1及び第2の信号を抽出することを特徴とす
る請求項1記載の欠陥検査装置。
2. The first and second light irradiating means irradiate the light-transmissive substrate with a light beam in a time division manner, and the signal processing means includes the first and second light irradiating means. 2. The defect inspection apparatus according to claim 1, wherein the first and second signals are extracted from the photoelectric conversion signal from the light receiving means based on the timing of light emission.
【請求項3】 前記第1の光ビームの波長と前記第2の
光ビームの波長とが異なり、 前記受光手段は、前記欠陥からの散乱光を波長弁別して
前記第1及び第2の光ビームに対応する散乱光を得る波
長弁別手段と、該波長弁別手段により分離された前記第
1の光ビームに対応する散乱光を光電変換する第1の光
電変換手段と、前記波長弁別手段により分離された前記
第2の光ビームに対応する散乱光を光電変換する第2の
光電変換手段とを有することを特徴とする請求項1記載
の欠陥検査装置。
3. The wavelength of the first light beam is different from the wavelength of the second light beam, and the light receiving means discriminates the wavelength of scattered light from the defect to detect the first and second light beams. A wavelength discriminating means for obtaining scattered light, a first photoelectric conversion means for photoelectrically converting scattered light corresponding to the first light beam separated by the wavelength discriminating means, and a wavelength discriminating means for separating. 2. The defect inspection apparatus according to claim 1, further comprising a second photoelectric conversion unit that photoelectrically converts scattered light corresponding to the second light beam.
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