JPH06214266A - 超高速光ソリトンパルス発生装置 - Google Patents
超高速光ソリトンパルス発生装置Info
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- JPH06214266A JPH06214266A JP740793A JP740793A JPH06214266A JP H06214266 A JPH06214266 A JP H06214266A JP 740793 A JP740793 A JP 740793A JP 740793 A JP740793 A JP 740793A JP H06214266 A JPH06214266 A JP H06214266A
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- soliton pulse
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 超高速通信に用いる光ソリトンパルスを発生
する超高速光ソリトンパルス発生装置に関し、繰り返し
周波数を可変でき、かつ安定した超高速の光ソリトンパ
ルスを発生することを目的とする。 【構成】 少なくとも一方に発振周波数制御手段を含
み、それぞれ周波数の異なるレーザ光を発生する２台の
半導体レーザと、各レーザ光を合波してビート信号光を
発生するレーザ光結合手段と、ビート信号光に対してソ
リトン化を行い、得られた超高速光ソリトンパルスを出
力する異常分散媒質と、その一部を入力してその繰り返
し周波数と基準発振器で得られる基準周波数とを比較
し、その誤差に応じて半導体レーザの少なくとも一方の
発振周波数を制御することにより超高速光ソリトンパル
スの繰り返し周波数を基準周波数に引き込み、かつ基準
周波数の設定に応じて繰り返し周波数を可変させる繰り
返し周波数制御手段とを備える。
する超高速光ソリトンパルス発生装置に関し、繰り返し
周波数を可変でき、かつ安定した超高速の光ソリトンパ
ルスを発生することを目的とする。 【構成】 少なくとも一方に発振周波数制御手段を含
み、それぞれ周波数の異なるレーザ光を発生する２台の
半導体レーザと、各レーザ光を合波してビート信号光を
発生するレーザ光結合手段と、ビート信号光に対してソ
リトン化を行い、得られた超高速光ソリトンパルスを出
力する異常分散媒質と、その一部を入力してその繰り返
し周波数と基準発振器で得られる基準周波数とを比較
し、その誤差に応じて半導体レーザの少なくとも一方の
発振周波数を制御することにより超高速光ソリトンパル
スの繰り返し周波数を基準周波数に引き込み、かつ基準
周波数の設定に応じて繰り返し周波数を可変させる繰り
返し周波数制御手段とを備える。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、超高速通信に用いる光
ソリトンパルスを発生する超高速光ソリトンパルス発生
装置に関する。
ソリトンパルスを発生する超高速光ソリトンパルス発生
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】短光パルスを発生する従来の主な方法に
は、分布帰還型半導体レーザ（以下「ＤＦＢ−ＬＤ」と
いう。）のゲインスイッチ法あるいは半導体レーザのモ
ード同期法がある。
は、分布帰還型半導体レーザ（以下「ＤＦＢ−ＬＤ」と
いう。）のゲインスイッチ法あるいは半導体レーザのモ
ード同期法がある。
【０００３】ゲインスイッチ法により発生する光パルス
は、キャリア周波数のチャーピングのためにトランスフ
ォームリミテッドパルス（以下「ＴＬパルス」とい
う。）に比べて時間帯域幅積が大きい。したがって、Ｔ
Ｌパルス化のためには、パルス圧縮やスペクトルフィル
タを用いた波形整形が必要となるが、完全なＴＬパルス
を得ることはできない。また、この方法では発生する光
パルスの繰り返し周波数が可変できるものの、発生可能
な繰り返し周波数に限界があった(約10ＧHz以下)。
は、キャリア周波数のチャーピングのためにトランスフ
ォームリミテッドパルス（以下「ＴＬパルス」とい
う。）に比べて時間帯域幅積が大きい。したがって、Ｔ
Ｌパルス化のためには、パルス圧縮やスペクトルフィル
タを用いた波形整形が必要となるが、完全なＴＬパルス
を得ることはできない。また、この方法では発生する光
パルスの繰り返し周波数が可変できるものの、発生可能
な繰り返し周波数に限界があった(約10ＧHz以下)。
【０００４】このようにゲインスイッチ法は、完全なＴ
Ｌパルスが得られないばかりでなく、発生する光パルス
の繰り返し周波数に限界があり、超高速光ソリトンパル
スの発生に用いる光源としては不向きであった。
Ｌパルスが得られないばかりでなく、発生する光パルス
の繰り返し周波数に限界があり、超高速光ソリトンパル
スの発生に用いる光源としては不向きであった。
【０００５】一方、モード同期法では一般にＴＬパルス
が得やすいが、発生する光パルスの繰り返し周波数が固
定であった。したがって、他の系との同期がとりにく
く、システム構成上の柔軟性に欠けていた。
が得やすいが、発生する光パルスの繰り返し周波数が固
定であった。したがって、他の系との同期がとりにく
く、システム構成上の柔軟性に欠けていた。
【０００６】この問題を解決する方法として、周波数の
異なるレーザ光を合波して得られたビート信号光を異常
分散媒質に入射して超高速光ソリトンパルスを得る発生
装置を構成し、各レーザ光の相対的な周波数を変化させ
ることにより、超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波
数を制御できることが知られている。
異なるレーザ光を合波して得られたビート信号光を異常
分散媒質に入射して超高速光ソリトンパルスを得る発生
装置を構成し、各レーザ光の相対的な周波数を変化させ
ることにより、超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波
数を制御できることが知られている。
【０００７】図５は、従来の超高速光ソリトンパルス発
生装置の構成例を示すブロック図である。図において、
発振周波数の異なる２つのＤＦＢ−ＬＤ１１ａ，１１ｂ
から出力されるレーザ光を光カップラ１２で合波し、そ
のビート信号光を光増幅器１３に入力する。光増幅器１
３の出力光は分布増幅型光ファイバ１４に入力され、超
高速光ソリトンパルスとなって出力される。この超高速
光ソリトンパルスの繰り返し周波数は、例えばＤＦＢ−
ＬＤ１１ｂの発振周波数を制御することにより設定され
る。
生装置の構成例を示すブロック図である。図において、
発振周波数の異なる２つのＤＦＢ−ＬＤ１１ａ，１１ｂ
から出力されるレーザ光を光カップラ１２で合波し、そ
のビート信号光を光増幅器１３に入力する。光増幅器１
３の出力光は分布増幅型光ファイバ１４に入力され、超
高速光ソリトンパルスとなって出力される。この超高速
光ソリトンパルスの繰り返し周波数は、例えばＤＦＢ−
ＬＤ１１ｂの発振周波数を制御することにより設定され
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】分布増幅型光ファイバ
１４から出力される超高速光ソリトンパルスの繰り返し
周波数は、２つのＤＦＢ−ＬＤ１１ａ，１１ｂの各発振
周波数に応じて設定され、かつ少なくとも一方の発振周
波数を変化させることにより可変させることができる。
なお、その発振周波数は温度あるいは注入電流の制御に
よって設定することができるが、設定誤差やドリフトが
大きいために、そのままでは超高速光ソリトンパルスの
繰り返し周波数は不安定になりやすい。
１４から出力される超高速光ソリトンパルスの繰り返し
周波数は、２つのＤＦＢ−ＬＤ１１ａ，１１ｂの各発振
周波数に応じて設定され、かつ少なくとも一方の発振周
波数を変化させることにより可変させることができる。
なお、その発振周波数は温度あるいは注入電流の制御に
よって設定することができるが、設定誤差やドリフトが
大きいために、そのままでは超高速光ソリトンパルスの
繰り返し周波数は不安定になりやすい。
【０００９】本発明は、繰り返し周波数を可変でき、か
つ安定した超高速の光ソリトンパルスを発生させること
ができる超高速光ソリトンパルス発生装置を提供するこ
とを目的とする。
つ安定した超高速の光ソリトンパルスを発生させること
ができる超高速光ソリトンパルス発生装置を提供するこ
とを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、少なくとも一方に発振周波数制御手段を含み、それ
ぞれ周波数の異なるレーザ光を発生する２台の半導体レ
ーザと、前記各レーザ光を合波してビート信号光を発生
するレーザ光結合手段と、前記ビート信号光に対してソ
リトン化を行い、得られた超高速光ソリトンパルスを出
力する異常分散媒質と、前記超高速光ソリトンパルスの
一部を入力してその繰り返し周波数と基準発振器で得ら
れる基準周波数とを比較し、その誤差に応じて前記半導
体レーザの少なくとも一方の発振周波数を制御すること
により前記超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波数を
基準周波数に引き込み、かつ基準周波数の設定に応じて
繰り返し周波数を可変させる繰り返し周波数制御手段と
を備える。
は、少なくとも一方に発振周波数制御手段を含み、それ
ぞれ周波数の異なるレーザ光を発生する２台の半導体レ
ーザと、前記各レーザ光を合波してビート信号光を発生
するレーザ光結合手段と、前記ビート信号光に対してソ
リトン化を行い、得られた超高速光ソリトンパルスを出
力する異常分散媒質と、前記超高速光ソリトンパルスの
一部を入力してその繰り返し周波数と基準発振器で得ら
れる基準周波数とを比較し、その誤差に応じて前記半導
体レーザの少なくとも一方の発振周波数を制御すること
により前記超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波数を
基準周波数に引き込み、かつ基準周波数の設定に応じて
繰り返し周波数を可変させる繰り返し周波数制御手段と
を備える。
【００１１】請求項２に記載の発明は、少なくとも一方
に発振周波数制御手段を含み、それぞれ周波数の異なる
レーザ光を発生する２台の半導体レーザと、前記各レー
ザ光を合波してビート信号光を発生するレーザ光結合手
段と、前記ビート信号光に対してソリトン化を行い、得
られた超高速光ソリトンパルスを出力する異常分散媒質
と、前記超高速光ソリトンパルスの一部を入力してその
繰り返し周波数を所定の分周比で分周し、分周された繰
り返し周波数と基準発振器で得られる基準周波数とを比
較し、その誤差に応じて前記半導体レーザの少なくとも
一方の発振周波数を制御することにより超高速光ソリト
ンパルスの分周繰り返し周波数を基準周波数に引き込
み、かつ基準周波数あるいは分周比の設定に応じて繰り
返し周波数を可変させる繰り返し周波数制御手段とを備
える。
に発振周波数制御手段を含み、それぞれ周波数の異なる
レーザ光を発生する２台の半導体レーザと、前記各レー
ザ光を合波してビート信号光を発生するレーザ光結合手
段と、前記ビート信号光に対してソリトン化を行い、得
られた超高速光ソリトンパルスを出力する異常分散媒質
と、前記超高速光ソリトンパルスの一部を入力してその
繰り返し周波数を所定の分周比で分周し、分周された繰
り返し周波数と基準発振器で得られる基準周波数とを比
較し、その誤差に応じて前記半導体レーザの少なくとも
一方の発振周波数を制御することにより超高速光ソリト
ンパルスの分周繰り返し周波数を基準周波数に引き込
み、かつ基準周波数あるいは分周比の設定に応じて繰り
返し周波数を可変させる繰り返し周波数制御手段とを備
える。
【００１２】
【作用】周波数の異なるレーザ光を合波して得られたビ
ート信号光を異常分散媒質に入射することにより、超高
速光ソリトンパルスを得ることができる。また、合波す
るレーザ光の相対的な周波数を変化させることにより、
超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波数を制御でき
る。
ート信号光を異常分散媒質に入射することにより、超高
速光ソリトンパルスを得ることができる。また、合波す
るレーザ光の相対的な周波数を変化させることにより、
超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波数を制御でき
る。
【００１３】本発明は、超高速光ソリトンパルスの繰り
返し周波数あるいはその分周繰り返し周波数を基準周波
数に引き込むように、レーザ光の少なくとも一方の周波
数を制御する構成をとることにより、繰り返し周波数の
安定化を実現することができる。また、この繰り返し周
波数は、基準周波数あるいは繰り返し周波数の分周比を
設定し、それに合わせてレーザ光の少なくとも一方の周
波数を制御することにより可変させることができる。
返し周波数あるいはその分周繰り返し周波数を基準周波
数に引き込むように、レーザ光の少なくとも一方の周波
数を制御する構成をとることにより、繰り返し周波数の
安定化を実現することができる。また、この繰り返し周
波数は、基準周波数あるいは繰り返し周波数の分周比を
設定し、それに合わせてレーザ光の少なくとも一方の周
波数を制御することにより可変させることができる。
【００１４】
【実施例】図１は、請求項１に記載の発明の実施例構成
を示すブロック図である。図において、発振周波数の異
なる２つのＤＦＢ−ＬＤ１１ａ，１１ｂから出力される
レーザ光は光カップラ１２で合波され、そのビート信号
光が光増幅器１３に入力される。光増幅器１３の出力光
は分布増幅型光ファイバ１４に入力され、超高速光ソリ
トンパルスとなって出力される。この超高速光ソリトン
パルスは、光カップラ１５で伝送路に送出される信号光
パルスと参照光パルスとに分けられる。参照光パルス
は、ＰＩＮホトダイオード（以下「ＰＩＮ」という。）
１６に受光され、電気信号に変換される。この電気信号
と基準発振器１７から出力される基準周波数信号は、位
相比較器１８に入力されて位相比較が行われ、その誤差
信号がＤＦＢ−ＬＤ１１ｂの発振周波数制御端子に入力
される。
を示すブロック図である。図において、発振周波数の異
なる２つのＤＦＢ−ＬＤ１１ａ，１１ｂから出力される
レーザ光は光カップラ１２で合波され、そのビート信号
光が光増幅器１３に入力される。光増幅器１３の出力光
は分布増幅型光ファイバ１４に入力され、超高速光ソリ
トンパルスとなって出力される。この超高速光ソリトン
パルスは、光カップラ１５で伝送路に送出される信号光
パルスと参照光パルスとに分けられる。参照光パルス
は、ＰＩＮホトダイオード（以下「ＰＩＮ」という。）
１６に受光され、電気信号に変換される。この電気信号
と基準発振器１７から出力される基準周波数信号は、位
相比較器１８に入力されて位相比較が行われ、その誤差
信号がＤＦＢ−ＬＤ１１ｂの発振周波数制御端子に入力
される。
【００１５】なお、本実施例では２つのＤＦＢ−ＬＤ１
１ａ，１１ｂの一方の発振周波数を制御する例を示す
が、両方の発振周波数を相対的に制御する構成をとるこ
とも可能である。
１ａ，１１ｂの一方の発振周波数を制御する例を示す
が、両方の発振周波数を相対的に制御する構成をとるこ
とも可能である。
【００１６】以下、本実施例各部の機能および動作につ
いて説明する。２つのＤＦＢ−ＬＤ１１ａ，１１ｂから
出力されるレーザ光の周波数をνおよび（ν＋Δν）と
すると、その合波によって周波数Δνのビート信号光が
得られる。このビート信号光のパワーＩは、図２(a) に
示す電界Ｅの和が形成する包絡線の２乗で与えられ、図
２(b) に示すように周波数Δνで正弦波状に変化する。
なお、そのキャリア位相は、ビート信号光の周期ごとに
πだけ変化している。
いて説明する。２つのＤＦＢ−ＬＤ１１ａ，１１ｂから
出力されるレーザ光の周波数をνおよび（ν＋Δν）と
すると、その合波によって周波数Δνのビート信号光が
得られる。このビート信号光のパワーＩは、図２(a) に
示す電界Ｅの和が形成する包絡線の２乗で与えられ、図
２(b) に示すように周波数Δνで正弦波状に変化する。
なお、そのキャリア位相は、ビート信号光の周期ごとに
πだけ変化している。
【００１７】光増幅器１３は、例えばエルビウム添加光
ファイバと励起光注入機構によって構成され、ソリトン
化するのに必要なエネルギーをビート信号光に与える。
分布増幅型光ファイバ１４は異常分散特性を有するが、
その利得係数をα〔ＮＰ／ｍ〕、ソリトン長をＺ
0 〔ｍ〕としたときに、 ｜αＺ0 ｜＜＜１ となる断熱条件の下で、ビート信号光をその伝搬長にわ
たってゆっくりと増幅すれば、光ソリトン条件を保った
まま光波形を断熱的に圧縮変化させることができる。こ
の光ソリトン条件は、パルスエネルギーをε、パルス幅
をΔτ、分散値をＤとすると、 ε∝Ｄ／Δτ で与えられる。ここで、分散値Ｄを一定とすれば、分布
増幅型光ファイバ１４によるパルスエネルギーεの増加
に応じて、パルス幅Δτが圧縮される光ソリトン断熱圧
縮が生じ、短光パルス化してさらにソリトン化が進行す
る。
ファイバと励起光注入機構によって構成され、ソリトン
化するのに必要なエネルギーをビート信号光に与える。
分布増幅型光ファイバ１４は異常分散特性を有するが、
その利得係数をα〔ＮＰ／ｍ〕、ソリトン長をＺ
0 〔ｍ〕としたときに、 ｜αＺ0 ｜＜＜１ となる断熱条件の下で、ビート信号光をその伝搬長にわ
たってゆっくりと増幅すれば、光ソリトン条件を保った
まま光波形を断熱的に圧縮変化させることができる。こ
の光ソリトン条件は、パルスエネルギーをε、パルス幅
をΔτ、分散値をＤとすると、 ε∝Ｄ／Δτ で与えられる。ここで、分散値Ｄを一定とすれば、分布
増幅型光ファイバ１４によるパルスエネルギーεの増加
に応じて、パルス幅Δτが圧縮される光ソリトン断熱圧
縮が生じ、短光パルス化してさらにソリトン化が進行す
る。
【００１８】図３はその光ソリトン断熱圧縮による光ソ
リトン化の様子を示す。(a) は、パルスエネルギー
ε0 、パルス幅Δτ0 、ピークパワーＰ0 の入射パルス
を示し、(b) は断熱圧縮された出力パルスを示す。出力
パルスのパルスエネルギーε、パルス幅Δτ、ピークパ
ワーＰは、それぞれ ε＝ε0 exp(αＺ0) Δτ＝Δτ0 exp(−αＺ0) Ｐ＝Ｐ0 exp(２αＺ0) となる。
リトン化の様子を示す。(a) は、パルスエネルギー
ε0 、パルス幅Δτ0 、ピークパワーＰ0 の入射パルス
を示し、(b) は断熱圧縮された出力パルスを示す。出力
パルスのパルスエネルギーε、パルス幅Δτ、ピークパ
ワーＰは、それぞれ ε＝ε0 exp(αＺ0) Δτ＝Δτ0 exp(−αＺ0) Ｐ＝Ｐ0 exp(２αＺ0) となる。
【００１９】なお、分布増幅型光ファイバ１４に入射す
るビート信号光のキャリア位相は１周期ごとにπだけ変
化しているので、断熱圧縮過程において、隣接するビー
ト信号光は非線形相互作用により斥力を及ぼし合って効
率的に圧縮される（Pavel V.Mamyshev et al: IEEE J.Q
uantum Electron.,vol.27,No.10,p.2347,1991)。
るビート信号光のキャリア位相は１周期ごとにπだけ変
化しているので、断熱圧縮過程において、隣接するビー
ト信号光は非線形相互作用により斥力を及ぼし合って効
率的に圧縮される（Pavel V.Mamyshev et al: IEEE J.Q
uantum Electron.,vol.27,No.10,p.2347,1991)。
【００２０】また、分布増幅型光ファイバ１４を用いて
断熱圧縮する代わりに、ソリトン条件からも明らかなよ
うに、分散値Ｄが長手方向に徐々に減少するような分散
シフト光ファイバを用いることも可能である。あるい
は、光増幅器１３と光ファイバを一組として多段接続
し、一組ごとに光ファイバの分散値を順次減少させ、等
価的に分散値Ｄを長手方向に徐々に減少させても同様で
ある。
断熱圧縮する代わりに、ソリトン条件からも明らかなよ
うに、分散値Ｄが長手方向に徐々に減少するような分散
シフト光ファイバを用いることも可能である。あるい
は、光増幅器１３と光ファイバを一組として多段接続
し、一組ごとに光ファイバの分散値を順次減少させ、等
価的に分散値Ｄを長手方向に徐々に減少させても同様で
ある。
【００２１】このようにして分布増幅型光ファイバ１４
から出力される超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波
数は、２つのＤＦＢ−ＬＤ１１ａ，１１ｂの各発振周波
数に応じて設定され、かつその相対周波数を変化させる
ことにより可変させることができる。
から出力される超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波
数は、２つのＤＦＢ−ＬＤ１１ａ，１１ｂの各発振周波
数に応じて設定され、かつその相対周波数を変化させる
ことにより可変させることができる。
【００２２】本実施例では、さらにＰＩＮ１６，基準発
振器１７および位相比較器１８を含むＰＬＬ（位相同期
ループ）回路を構成し、位相比較器１８における誤差信
号が零となる方向にＤＦＢ−ＬＤ１１ｂの発振周波数を
制御し、超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波数を基
準発振器１７の基準周波数に引き込む。このＰＬＬ回路
により、超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波数を安
定化させることができる。
振器１７および位相比較器１８を含むＰＬＬ（位相同期
ループ）回路を構成し、位相比較器１８における誤差信
号が零となる方向にＤＦＢ−ＬＤ１１ｂの発振周波数を
制御し、超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波数を基
準発振器１７の基準周波数に引き込む。このＰＬＬ回路
により、超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波数を安
定化させることができる。
【００２３】また、この繰り返し周波数は基準発振器１
７の基準周波数によって設定されることになるので、そ
の基準周波数を変えることにより繰り返し周波数を可変
させることができる。すなわち、基準発振器１７によっ
て繰り返し周波数が制御できる超高速光ソリトンパルス
を得ることができる。
７の基準周波数によって設定されることになるので、そ
の基準周波数を変えることにより繰り返し周波数を可変
させることができる。すなわち、基準発振器１７によっ
て繰り返し周波数が制御できる超高速光ソリトンパルス
を得ることができる。
【００２４】図４は、請求項２に記載の発明の実施例構
成を示すブロック図である。本実施例は、超高速光ソリ
トンパルスの繰り返し周波数ｆ1 が基準周波数ｆ0より
も高速な場合に対応するものである。基本構成は、図１
に示す実施例と同じである。本実施例では、さらにＰＩ
Ｎ１６と位相比較器１８との間に分周器（分周比Ｎ（あ
るいは２n ））１９を挿入する。
成を示すブロック図である。本実施例は、超高速光ソリ
トンパルスの繰り返し周波数ｆ1 が基準周波数ｆ0より
も高速な場合に対応するものである。基本構成は、図１
に示す実施例と同じである。本実施例では、さらにＰＩ
Ｎ１６と位相比較器１８との間に分周器（分周比Ｎ（あ
るいは２n ））１９を挿入する。
【００２５】この分周器１９により、超高速光ソリトン
パルスの繰り返し周波数ｆ1 はｆ1／Ｎに分周され、位
相比較器１８で基準周波数ｆ0 と位相比較される。した
がって、超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波数ｆ1
は、ｆ1 ＝Ｎ・ｆ0 の関係に基づいて設定することがで
きる。これは、基準周波数ｆ0 を変化させるか、分周比
Ｎを変化させることにより、繰り返し周波数ｆ1 を可変
できることを示している。すなわち、基準発振器１７あ
るいは分周器４１によって繰り返し周波数が制御できる
超高速光ソリトンパルスを得ることができる。
パルスの繰り返し周波数ｆ1 はｆ1／Ｎに分周され、位
相比較器１８で基準周波数ｆ0 と位相比較される。した
がって、超高速光ソリトンパルスの繰り返し周波数ｆ1
は、ｆ1 ＝Ｎ・ｆ0 の関係に基づいて設定することがで
きる。これは、基準周波数ｆ0 を変化させるか、分周比
Ｎを変化させることにより、繰り返し周波数ｆ1 を可変
できることを示している。すなわち、基準発振器１７あ
るいは分周器４１によって繰り返し周波数が制御できる
超高速光ソリトンパルスを得ることができる。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、繰り返し
周波数が可変で、かつ安定した超高速光ソリトンパルス
を発生させることができる。また、本発明により得られ
る超高速光ソリトンパルスは sech2形であるので、理想
的な光ソリトンパルス伝送を実現することができる。
周波数が可変で、かつ安定した超高速光ソリトンパルス
を発生させることができる。また、本発明により得られ
る超高速光ソリトンパルスは sech2形であるので、理想
的な光ソリトンパルス伝送を実現することができる。
【図１】請求項１に記載の発明の実施例構成を示すブロ
ック図。
ック図。
【図２】ビート信号光の電界とパワーの関係を示す図。
【図３】光ソリトン断熱圧縮による光ソリトン化の様子
を示す図。
を示す図。
【図４】請求項２に記載の発明の実施例構成を示すブロ
ック図。
ック図。
【図５】従来の超高速光ソリトンパルス発生装置の構成
例を示すブロック図。
例を示すブロック図。
１１ 分布帰還型半導体レーザ（ＤＦＢ−ＬＤ） １２，１５ 光カップラ １３ 光増幅器 １４ 分布増幅型光ファイバ １６ ＰＩＮホトダイオード（ＰＩＮ） １７ 基準発振器 １８ 位相比較器 １９ 分周器
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西 成人 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内 (72)発明者 猿渡 正俊 東京都千代田区内幸町１丁目１番６号 日 本電信電話株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 少なくとも一方に発振周波数制御手段を
含み、それぞれ周波数の異なるレーザ光を発生する２台
の半導体レーザと、 前記各レーザ光を合波してビート信号光を発生するレー
ザ光結合手段と、 前記ビート信号光に対してソリトン化を行い、得られた
超高速光ソリトンパルスを出力する異常分散媒質と、 前記超高速光ソリトンパルスの一部を入力してその繰り
返し周波数と基準発振器で得られる基準周波数とを比較
し、その誤差に応じて前記半導体レーザの発振周波数の
少なくとも一方を制御することにより前記超高速光ソリ
トンパルスの繰り返し周波数を基準周波数に引き込み、
かつ基準周波数の設定に応じて繰り返し周波数を可変さ
せる繰り返し周波数制御手段とを備えたことを特徴とす
る超高速光ソリトンパルス発生装置。 - 【請求項２】 少なくとも一方に発振周波数制御手段を
含み、それぞれ周波数の異なるレーザ光を発生する２台
の半導体レーザと、 前記各レーザ光を合波してビート信号光を発生するレー
ザ光結合手段と、 前記ビート信号光に対してソリトン化を行い、得られた
超高速光ソリトンパルスを出力する異常分散媒質と、 前記超高速光ソリトンパルスの一部を入力してその繰り
返し周波数を所定の分周比で分周し、分周された繰り返
し周波数と基準発振器で得られる基準周波数とを比較
し、その誤差に応じて前記半導体レーザの少なくとも一
方の発振周波数を制御することにより超高速光ソリトン
パルスの分周繰り返し周波数を基準周波数に引き込み、
かつ基準周波数あるいは分周比の設定に応じて繰り返し
周波数を可変させる繰り返し周波数制御手段とを備えた
ことを特徴とする超高速光ソリトンパルス発生装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP740793A JPH06214266A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 超高速光ソリトンパルス発生装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP740793A JPH06214266A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 超高速光ソリトンパルス発生装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06214266A true JPH06214266A (ja) | 1994-08-05 |
Family
ID=11665022
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP740793A Pending JPH06214266A (ja) | 1993-01-20 | 1993-01-20 | 超高速光ソリトンパルス発生装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06214266A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007219323A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Fujitsu Ltd | 光パルス列発生装置 |
| CN106451056A (zh) * | 2016-12-14 | 2017-02-22 | 上海理工大学 | 一种有源放大的光参量振荡反馈系统 |
| WO2021010128A1 (ja) * | 2019-07-18 | 2021-01-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ装置及びレーザ光生成方法 |
-
1993
- 1993-01-20 JP JP740793A patent/JPH06214266A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007219323A (ja) * | 2006-02-17 | 2007-08-30 | Fujitsu Ltd | 光パルス列発生装置 |
| CN106451056A (zh) * | 2016-12-14 | 2017-02-22 | 上海理工大学 | 一种有源放大的光参量振荡反馈系统 |
| WO2021010128A1 (ja) * | 2019-07-18 | 2021-01-21 | 浜松ホトニクス株式会社 | レーザ装置及びレーザ光生成方法 |
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