JPH06210287A - Treatment using dielectric barrier-electric discharge lamp - Google Patents

Treatment using dielectric barrier-electric discharge lamp

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JPH06210287A
JPH06210287A JP2353493A JP2353493A JPH06210287A JP H06210287 A JPH06210287 A JP H06210287A JP 2353493 A JP2353493 A JP 2353493A JP 2353493 A JP2353493 A JP 2353493A JP H06210287 A JPH06210287 A JP H06210287A
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dielectric barrier
barrier discharge
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ultraviolet ray
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博光 松野
Ryushi Igarashi
龍志 五十嵐
Tatsumi Hiramoto
立躬 平本
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Ushio Denki KK
Ushio Inc
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Ushio Denki KK
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Abstract

PURPOSE:To make it possible to perform a variety of treatments maintaining high quality at high efficiency and adequate speed by ensuring that either of a material to be treated or a fluid for treatment receives an ultraviolet beam irradiation at least twice from a dielectric barrier-electric discharge lamp and a first chemical reaction is different from a second and following chemical reactions. CONSTITUTION:If air 1 for treatment is supplied to a reactor 5, ozone is generated from oxygen in the air 1 in a reaction space area 8 by irradiation of an ultraviolet beam from a first dielectric barrier-electric discharge lamp 6. Then the ozone moves to the reaction space area where it is subjected to the irradiation of an ultraviolet beam from a second dielectric barrier-electric discharge lamp 7, and is decomposed into active oxygen atom and oxygen molecule. Further, the active oxygen atom, the oxygen molecule and water 3 to be treated are mixed and this mixture is irradiation with an ultraviolet beam from the first and the second dielectric barrier-electric discharge lamp 7, 6. Consequently, impurities contained in the water are decomposed into harmless carbon dioxide and water, and the treated water is discharged from an outlet 12 with the air for treatment.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光化学反応を利用した
処理方法、例えば、フロンガス、各種の廃ガスの処理、
あるいは上水、下水、各種の工場廃水の処理、あるいは
洗浄、または太陽電池などに使用される水素化アモルフ
ァスシリコン薄膜等を製造する成膜方法などに関する。
特に、光化学反応用の光源として誘電体バリヤ放電ラン
プを使用した処理方法の改良に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a treatment method utilizing a photochemical reaction, for example, treatment of CFC gas and various waste gases,
Alternatively, the present invention relates to a method for treating water such as clean water, sewage, and various industrial wastewater, or cleaning, or a film forming method for producing a hydrogenated amorphous silicon thin film used for a solar cell or the like.
In particular, it relates to improvements in processing methods using a dielectric barrier discharge lamp as a light source for photochemical reactions.

【0002】[0002]

【従来の技術】本発明に関連した技術としては、例え
ば、日本国公開特許公報平3−211283号には、誘
電体バリヤ放電(別名オゾナイザ放電。電気学会発行改
定新版「放電ハンドブック」平成1年6月再版7刷発行
第263ページ参照)を使用したランプから放射される
紫外線を利用したCVD法による薄膜の製造装置につい
て記載されている。また、日本国公開特許公報平3−1
22287号には、誘電体バリヤ放電を使用したランプ
から放射される紫外線を利用した基板の金属化方法につ
いて記載されている。上記のような誘電体バリヤ放電ラ
ンプを利用した処理方法は、誘電体バリヤ放電ランプが
従来の低圧水銀放電ランプや高圧アーク放電ランプには
無い種々の特長を有しているため特長ある処理が得られ
るため、有用である。例えば、誘電体バリヤ放電ランプ
を利用した薄膜の製造方法は、太陽電池、各種半導体素
子用の薄膜を高品質で作成出来るため有用である。
2. Description of the Related Art As a technique related to the present invention, for example, Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 3-211283 discloses a dielectric barrier discharge (also called ozonizer discharge. Revised new edition "Discharge Handbook" published by The Institute of Electrical Engineers, 1991. June Reprint, 7th issue, page 263), a thin film manufacturing apparatus by a CVD method using ultraviolet rays emitted from a lamp is described. In addition, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 3-1
No. 22287 describes a method of metallizing a substrate using ultraviolet light emitted from a lamp using a dielectric barrier discharge. The treatment method using the dielectric barrier discharge lamp as described above can obtain a characteristic treatment because the dielectric barrier discharge lamp has various features that conventional low pressure mercury discharge lamps and high pressure arc discharge lamps do not have. Therefore, it is useful. For example, a method of manufacturing a thin film using a dielectric barrier discharge lamp is useful because a thin film for solar cells and various semiconductor elements can be formed with high quality.

【0003】上記した従来の処理方法は、処理用流体あ
るいは被処理物又は前記両者に1種類の紫外線を1回だ
け照射する方法を採用していた。例えば、誘電体バリヤ
放電ランプを利用した薄膜の製造方法においては、処理
用流体である複数のプロセスガスと被処理物である基板
を1個の反応室内に収納し、1種類の誘電体バリヤ放電
ランプから放射される1種類の紫外線を1回だけプロセ
スガスに照射してプロセスガスを分解、活性化する方法
によって、基板上に成膜していた。なおこの時、基板に
も、プロセスガスによって吸収されなかった紫外線が照
射される。上記した従来の処理方法において、紫外線の
照射を2回以上繰り返したとしても、プロセスガスおよ
び基板上に発生する化学反応の種類は1回目の紫外線を
照射した時と同一であり、単に、1回目の紫外線の照射
時間を長くしたことに相当するだけである。
The above-mentioned conventional treatment method employs a method of irradiating the treatment fluid, the object to be treated, or both of them with one kind of ultraviolet ray only once. For example, in a method of manufacturing a thin film using a dielectric barrier discharge lamp, a plurality of process gases that are processing fluids and a substrate that is an object to be processed are housed in one reaction chamber and one type of dielectric barrier discharge is used. The film was formed on the substrate by a method of irradiating the process gas with one type of ultraviolet light emitted from the lamp only once to decompose and activate the process gas. At this time, the substrate is also irradiated with ultraviolet rays that have not been absorbed by the process gas. In the above-mentioned conventional processing method, even if the irradiation of ultraviolet rays is repeated twice or more, the kind of chemical reaction generated on the process gas and the substrate is the same as that of the first irradiation of ultraviolet rays, and only the first time. It only corresponds to the longer irradiation time of the ultraviolet rays.

【0004】一般的に、ある物質を光化学反応によって
活性化、分解、イオン化あるいは合成するのに最適な条
件、すなわち照射する紫外線の波長と強度、物質の温度
などは、物質の種類によって異なる。従って、被処理物
と処理用流体を接触させて該被処理物を処理する方法に
おいて、被処理物あるいは処理用流体の少なくとも一方
に誘電体バリヤ放電ランプからの1種の紫外線照射を1
回だけ照射して処理する方法は、処理が不完全であった
り、あるいは処理の速度あるいは処理効率が必ずしも十
分ではないという問題があった。
Generally, the optimum conditions for activating, decomposing, ionizing or synthesizing a substance by a photochemical reaction, that is, the wavelength and intensity of ultraviolet rays to be irradiated, the temperature of the substance, etc., differ depending on the type of substance. Therefore, in the method of treating an object to be treated by bringing the object to be treated into contact with the treating fluid, at least one of the object to be treated and the treating fluid is irradiated with one kind of ultraviolet ray from the dielectric barrier discharge lamp.
The method of irradiating only once has a problem that the treatment is incomplete, or the treatment speed or treatment efficiency is not always sufficient.

【0005】[0005]

【本発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、各
種の処理を高品位で行い、かつ、高速度であるいは高効
率で行うことが出来る誘電体バリヤ放電ランプを利用し
た処理方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a processing method using a dielectric barrier discharge lamp capable of performing various kinds of processing with high quality and at high speed or with high efficiency. It is to be.

【0006】[0006]

【問題を解決するための手段】上記本発明の目的は、少
なくとも被処理物と処理用流体を接触させて該処理物を
処理する方法において、被処理物あるいは処理用流体の
一方が誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線照射を少な
くとも2回以上受け、その時、被処理物あるいは処理用
流体において第1回の照射と第2回以後の照射の少なく
とも1回に生ずる化学反応が異なることを特徴とする被
処理物の処理方法を使用することによって達成される。
The above object of the present invention is to provide a method of treating at least an object to be treated by bringing the object to be treated into contact with a treating fluid, wherein one of the object to be treated and the treating fluid is a dielectric barrier. It is characterized in that it receives UV irradiation from a discharge lamp at least twice, and at that time, a chemical reaction occurring in at least one of the first irradiation and the irradiation after the second irradiation is different in an object to be processed or a processing fluid. This is achieved by using a method of treating an object.

【0007】特に、流体の処理においては、被処理物に
第1の誘電体バリヤ放電ランプから放射される第1の紫
外線を照射する第1の工程、該第1の工程後、該被処理
物と処理用流体を接触せしめ、第2の誘電体バリヤ放電
ランプから放射される第2の紫外線を照射する第2の工
程を含むことを特徴とした処理方法や、あるいは、処理
用流体に第1の誘電体バリヤ放電ランプから放射される
第1の紫外線を照射する第1の工程、該第1の工程後、
該被処理物と処理用流体を接触せしめ、第2の誘電体バ
リヤ放電ランプから放射される第2の紫外線を照射する
第2の工程を含むことを特徴とした処理方法、または、
被処理物と処理用流体を接触せしめ、第1の誘電体バリ
ヤ放電ランプから放射される第1の紫外線を照射する第
1の工程、該第1の工程によって処理された該被処理物
と該処理用流体に第2の誘電体バリヤ放電ランプから放
射される第2の紫外線を照射する第2の工程を含むこと
を特徴とした処理方法を使用することによって、本発明
の目的はより一層達成される。
Particularly, in the treatment of a fluid, the first step of irradiating the object to be treated with the first ultraviolet ray emitted from the first dielectric barrier discharge lamp, and the object to be treated after the first step And a processing fluid are brought into contact with each other, and a second step of irradiating a second ultraviolet ray radiated from a second dielectric barrier discharge lamp is included, or the processing fluid has a first step. First step of irradiating a first ultraviolet ray radiated from the dielectric barrier discharge lamp of, and after the first step,
A treatment method comprising a second step of bringing the object to be treated into contact with a treatment fluid and irradiating a second ultraviolet ray emitted from a second dielectric barrier discharge lamp, or
A first step of bringing the object to be processed into contact with a processing fluid, and irradiating a first ultraviolet ray emitted from a first dielectric barrier discharge lamp; the object to be processed by the first step; The object of the present invention is further achieved by using a treatment method characterized in that it comprises a second step of irradiating the treatment fluid with a second ultraviolet light emitted from a second dielectric barrier discharge lamp. To be done.

【0008】また、特に、固体あるいは液体の処理にお
いては、所定の雰囲気下に配置された被処理物に第1の
誘電体バリヤ放電ランプから放射される第1の紫外線を
照射する第1の工程、該第1の工程後、該被処理物を処
理用流体下に配置し、第2の誘電体バリヤ放電ランプか
ら放射される第2の紫外線を照射する第2の工程を含む
ことを特徴とした処理方法、あるいは、所定の処理用流
体下に配置された被処理物に第1の誘電体バリヤ放電ラ
ンプから放射される第1の紫外線を照射する第1の工
程、該第1の工程後、該被処理物を所定の雰囲気下に配
置し、第2の誘電体バリヤ放電ランプから放射される第
2の紫外線を照射する第2の工程を含むことを特徴とし
た処理方法を採用することによって、本発明の目的はよ
りいっそう達成される。
Further, particularly in the treatment of solid or liquid, the first step of irradiating the object to be treated arranged in a predetermined atmosphere with the first ultraviolet ray emitted from the first dielectric barrier discharge lamp. After the first step, the method further comprises a second step of arranging the object to be treated under a processing fluid and irradiating a second ultraviolet ray emitted from a second dielectric barrier discharge lamp. Or a first step of irradiating an object to be processed placed under a predetermined processing fluid with a first ultraviolet ray emitted from a first dielectric barrier discharge lamp, after the first step And adopting a treatment method characterized by including a second step of arranging the object to be treated in a predetermined atmosphere and irradiating a second ultraviolet ray emitted from a second dielectric barrier discharge lamp. The object of the present invention is further achieved by .

【0009】[0009]

【前記手段の有する作用】少なくとも紫外線による光化
学反応を利用し、かつ、被処理物と処理用流体を接触さ
せて該被処理物を処理する方法において、紫外線の光源
として誘電体バリヤ放電ランプを使用すると、誘電体バ
リヤ放電ランプは、従来の低圧水銀放電ランプや高圧ア
ーク放電ランプに比較し、特定の紫外線を高効率で発生
できる、ほぼ単色光である、ランプの温度が低い、形状
の自由度が大きいなどの特長があるので、小型の装置で
高効率、高速の処理が可能になる。被処理物あるいは処
理用流体の一方が誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線
照射を少なくとも2回以上受け、その時、被処理物ある
いは処理用流体において第1回の照射と第2回以後の照
射の少なくとも1回に生ずる化学反応が異なることを特
徴とする被処理物の処理方法にすることにより、被処理
物あるいは処理用流体に対する1回目の紫外線照射、お
よび被処理物あるいは処理用流体または両者に対する2
回目の紫外線照射を最適な条件で行うことが可能にな
り、したがって、活性化、分解、イオン化および合成が
最適に行われ、その結果、小型の装置で高効率、高速の
処理が可能になる。
[Measures of the above means] In a method of treating an object to be treated by contacting the object to be treated with a processing fluid, at least using a photochemical reaction by ultraviolet rays, a dielectric barrier discharge lamp is used as a light source of ultraviolet rays. Then, the dielectric barrier discharge lamp is a nearly monochromatic light that can generate specific ultraviolet rays with high efficiency compared to the conventional low pressure mercury discharge lamp and high pressure arc discharge lamp, the temperature of the lamp is low, and the degree of freedom of shape is high. Because of its large size, high efficiency and high speed processing is possible with a small device. One of the object to be processed and the processing fluid receives ultraviolet irradiation from the dielectric barrier discharge lamp at least twice, and at that time, at least the first irradiation and the irradiation after the second irradiation in the object to be processed or the processing fluid. By adopting a method for treating an object to be treated characterized in that chemical reactions that occur at one time are different, it is possible to irradiate the object to be treated or the object to be treated with ultraviolet rays for the first time, and
The second irradiation of ultraviolet rays can be performed under optimum conditions, and thus activation, decomposition, ionization and synthesis are optimally performed, and as a result, high efficiency and high speed processing can be performed with a small device.

【0010】被処理物に第1の誘電体バリヤ放電ランプ
から放射される第1の紫外線を照射する第1の工程、該
第1の工程後、該被処理物と処理用流体を接触せしめ、
第2の誘電体バリヤ放電ランプから放射される第2の紫
外線を照射する第2の工程を含むことを特徴とした処理
方法にすると、紫外線の波長および速度、被処理物と処
理用流体の温度などを、第1の工程および第2の工程に
おいてそれぞれ独立に、該誘電体バリヤ放電ランプの種
類や反応室の温度等の選択によって最適に調整すること
が可能になり、従って高効率、高速の処理が可能にな
る。該被処理物、該処理用流体および両者の少なくとも
1つの温度を調整する手段を設け、温度調節を行うこと
により、第1の工程および該第2の工程の化学反応を最
適に行うことが出来、従って高効率の処理が可能にな
る。
A first step of irradiating the object to be processed with a first ultraviolet ray emitted from a first dielectric barrier discharge lamp, and after the first step, bringing the object to be processed into contact with a processing fluid,
According to the treatment method including the second step of irradiating the second ultraviolet ray radiated from the second dielectric barrier discharge lamp, the wavelength and speed of the ultraviolet ray, the temperature of the object to be treated and the temperature of the treatment fluid are increased. Etc. can be optimally adjusted in the first step and the second step independently by selecting the type of the dielectric barrier discharge lamp, the temperature of the reaction chamber, etc. Therefore, high efficiency and high speed can be achieved. Processing becomes possible. By providing a means for adjusting the temperature of at least one of the object to be processed, the processing fluid and both, and adjusting the temperature, the chemical reaction in the first step and the second step can be optimally carried out. Therefore, highly efficient processing is possible.

【0011】さらに、所定の雰囲気下に配置された被処
理物に第1の誘電体バリヤ放電ランプから放射される第
1の紫外線を照射する第1の工程、該第1の工程後、該
被処理物を処理用流体下に配置し、第2の誘電体バリヤ
放電ランプから放射される第2の紫外線を照射する第2
の工程を含むことを特徴とした処理方法にすると、例え
ば、被処理物を固体、第1の工程における雰囲気を真空
雰囲気とすると、第1の紫外線の照射によって被処理物
から発生したガスが急速に取り除かれるため、該発生し
たガスによる紫外線の吸収が生じないので、高効率の処
理が可能になる。
Further, the first step of irradiating the object to be processed placed in a predetermined atmosphere with the first ultraviolet rays emitted from the first dielectric barrier discharge lamp, and after the first step, the object to be processed A second object for arranging an object to be processed under a processing fluid and irradiating a second ultraviolet ray emitted from a second dielectric barrier discharge lamp;
When the processing method is characterized by including the step of, for example, when the object to be processed is a solid and the atmosphere in the first step is a vacuum atmosphere, the gas generated from the object to be processed by the irradiation of the first ultraviolet light is rapidly generated. Since it is removed, the ultraviolet rays are not absorbed by the generated gas, so that highly efficient processing becomes possible.

【0012】場合によっては、処理用流体の種類および
被処理物と処理用流体の温度等を調整することにより、
該第1の紫外線と該第2の紫外線の波長が実質的に同一
であることを特徴とした処理方法も可能である。この場
合には第1と第2の誘電体バリヤ放電ランプを同一種類
とする事が出来、従って保守が容易になる。該第1の紫
外線と該第2の紫外線の波長が実質的に同一である場合
には、該第1の誘電体バリヤ放電ランプと該第2の誘電
体バリヤ放電ランプを1個の誘電体バリヤ放電ランプで
兼任する事が可能になり、従って、装置の小型化、高効
率化が達成される。
In some cases, by adjusting the type of processing fluid and the temperature of the object to be processed and the processing fluid,
A treatment method is also possible in which the wavelengths of the first ultraviolet light and the second ultraviolet light are substantially the same. In this case, the first and second dielectric barrier discharge lamps can be of the same type, thus facilitating maintenance. When the wavelengths of the first ultraviolet light and the second ultraviolet light are substantially the same, the first dielectric barrier discharge lamp and the second dielectric barrier discharge lamp are combined into a single dielectric barrier. The discharge lamp can also serve as the dual-purpose, so that the size and efficiency of the device can be reduced.

【0013】該誘電体バリヤ放電ランプが、気密な放電
空間を有し、紫外線を透過する光取り出し窓部材を通し
て紫外線を放射する場合には、nm単位で表した波長範
囲180から200、165から190、240から2
55、200から240、120から190、および3
00から320の波長範囲の紫外線を放射させる事によ
り、高効率、高品位の処理方法が達成される。なぜな
ら、上記の波長範囲の紫外線は、少なくとも、それぞれ
主たる発光用ガスとして、アルゴンとフッ素、アルゴン
と塩素、クリプトンとフッ素、クリプトンと塩素、キセ
ノンおよびキセノンと塩素の混合ガスを使用することに
より、それぞれの混合ガスのエキシマ分子によって発光
可能であるが、これらのガスを使用することにより、発
光用ガスの劣化が少なく、かつ光取り出し窓部材の劣化
が少ない状態を実現できるからである。
When the dielectric barrier discharge lamp has an airtight discharge space and radiates ultraviolet rays through a light extraction window member that transmits ultraviolet rays, the wavelength ranges 180 to 200 and 165 to 190 are expressed in nm. , 240 to 2
55, 200 to 240, 120 to 190, and 3
By emitting ultraviolet rays in the wavelength range of 00 to 320, a highly efficient and high-quality treatment method can be achieved. Because, the ultraviolet rays in the above wavelength range, at least, by using a mixed gas of argon and fluorine, argon and chlorine, krypton and fluorine, krypton and chlorine, xenon and xenon and chlorine, respectively, as the main light emitting gas, respectively. This is because light can be emitted by the excimer molecules of the mixed gas of 1., but by using these gases, it is possible to realize a state in which the light emitting gas is less deteriorated and the light extraction window member is less deteriorated.

【0014】該誘電体バリヤ放電ランプが、放電空間と
被処理物あるいは処理用流体の間に固体のランプ構成材
を有さない、すなわち光取り出し窓部材を持たない場合
には、107から165、および140から160の波
長範囲の紫外線を放射させる事により、高効率、高品位
の処理方法が達成される。なぜなら、光取り出し窓部材
を持たない場合には、発光用ガスが被処理物に接触して
被処理物を汚染する事があるが、少なくとも、主たる発
光用ガスとしてクリプトンおよびアルゴンを使用するこ
とにより、それぞれのガスのエキシマ分子によって上記
の波長範囲の紫外線を放射することが可能であり、これ
らのガスは被処理物を汚染することが無いからである。
107 to 165 when the dielectric barrier discharge lamp does not have a solid lamp constituent material between the discharge space and the object to be processed or the processing fluid, that is, does not have a light extraction window member. By emitting ultraviolet rays in the wavelength range of 140 to 160, a highly efficient and high-quality processing method can be achieved. Because without the light extraction window member, the light emitting gas may contact the object to be processed and contaminate the object to be processed, but at least by using krypton and argon as the main light emitting gas. This is because the excimer molecules of each gas can emit ultraviolet rays in the above wavelength range, and these gases do not contaminate the object to be treated.

【0015】[0015]

【実施例】本発明の第1の実施例である水処理方法の概
略図を図1に示す。箱形の反応容器5は、両面に紫外線
を放射する構造の平板上の2個の誘電体バリヤ放電ラン
プ6,7によって実質的に2箇の反応空間領域を有して
いる。誘電体バリヤ放電ランプの概略図を図2に示す。
紫外線を透過する平板上の誘電体20,21と側板22
によって放電空間23が形成されており、該放電空間2
3内に発光ガスが充填されている。誘電体20,21の
表面に設けられた金属網からなる透明電極24,25に
交流電源26によって電圧を印加すると、放電空間23
内にいわゆる誘電体バリヤ放電、別名オゾナイザ放電あ
るいは無声放電が発生して、誘電体20,21,透明電
極24,25を通して、高効率で紫外線が放射される。
図には示していないが、必要に応じて、透明電極24,
25の表面を紫外線透過性の樹脂、ガラスなどで覆い電
気的に絶縁する。
EXAMPLE FIG. 1 shows a schematic view of a water treatment method which is a first example of the present invention. The box-shaped reaction vessel 5 has substantially two reaction space regions by two dielectric barrier discharge lamps 6 and 7 on a flat plate having a structure that radiates ultraviolet rays on both sides. A schematic diagram of a dielectric barrier discharge lamp is shown in FIG.
Flat dielectrics 20 and 21 and side plates 22 that transmit ultraviolet rays
The discharge space 23 is formed by the discharge space 2
Luminescent gas is filled in 3. When a voltage is applied to the transparent electrodes 24 and 25 made of a metal net provided on the surfaces of the dielectrics 20 and 21 by the AC power supply 26, the discharge space 23
A so-called dielectric barrier discharge, which is also called an ozonizer discharge or a silent discharge, is generated therein, and ultraviolet rays are radiated with high efficiency through the dielectrics 20 and 21 and the transparent electrodes 24 and 25.
Although not shown in the drawing, if necessary, the transparent electrode 24,
The surface of 25 is covered with an ultraviolet-transparent resin, glass or the like to be electrically insulated.

【0016】第1の誘電体バリヤ放電ランプ6は、発光
ガスの主成分としてキセノンガスが封入されており、1
72nm付近で最大値を有する120から190nmの
波長範囲の紫外線を放出する。また、第2の誘電体バリ
ヤ放電ランプ7は、発光ガスの主成分としてクリプトン
と塩素の混合ガスが封入されており、222nm付近で
最大値を有する200から240nmの波長範囲の紫外
線を放出する。処理用流体である空気1が処理用流体供
給口2から反応容器5に供給されると、第1の誘電体バ
リヤ放電ランプ6から放射される172nm付近で最大
値を有する120から190nmの範囲の紫外線によっ
て空気1中の酸素から反応空間領域8においてオゾンが
生成される。該オゾンは、反応空間領域9に移動して、
第2の誘電体バリヤ放電ランプ7から放射される222
nm付近で最大値を有する200から240nmの波長
範囲の紫外線を照射され、活性酸素原子と酸素分子に分
解される。該活性酸素原子と酸素分子と、被処理物供給
口4から反応容器5に供給された被処理物である水3が
混合され、反応空間領域10,11における該混合流体
に第2および第1の誘電体バリヤ放電ランプ7および6
からの紫外線が照射される。
The first dielectric barrier discharge lamp 6 is filled with xenon gas as a main component of luminescent gas.
It emits UV light in the wavelength range of 120 to 190 nm, which has a maximum near 72 nm. Further, the second dielectric barrier discharge lamp 7 is filled with a mixed gas of krypton and chlorine as a main component of luminescent gas, and emits ultraviolet rays in the wavelength range of 200 to 240 nm having a maximum value near 222 nm. When air 1, which is a processing fluid, is supplied to the reaction vessel 5 from the processing fluid supply port 2, it has a maximum value near 172 nm emitted from the first dielectric barrier discharge lamp 6 and has a maximum value in the range of 120 to 190 nm. Ozone produces ozone in the reaction space region 8 from the oxygen in the air 1 by the ultraviolet rays. The ozone moves to the reaction space region 9,
222 emitted from the second dielectric barrier discharge lamp 7
It is decomposed into active oxygen atoms and oxygen molecules by being irradiated with ultraviolet rays in the wavelength range of 200 to 240 nm having a maximum value in the vicinity of nm. The active oxygen atoms and oxygen molecules are mixed with water 3, which is the object to be processed supplied from the object supply port 4 to the reaction vessel 5, and the mixed fluid in the reaction space regions 10 and 11 is mixed with the second and first fluids. Dielectric barrier discharge lamps 7 and 6 of
Is irradiated with ultraviolet rays from.

【0017】その結果、水に不純物として含まれている
メタノール、イソプロピルアルコール、メチルエチルケ
トン、トリクロルエチレン、ドデシルベンゼンスルフォ
ン酸、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、
トリメチルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロ
オキサイド等が分解され、無害な炭酸ガス、水等に変換
される。処理された水は、処理用空気とともに、出口1
2から排出される。
As a result, methanol, isopropyl alcohol, methyl ethyl ketone, trichloroethylene, dodecylbenzene sulfonic acid, polyoxyethylene octyl phenyl ether, which are contained in water as impurities,
Trimethylamine, tetramethylammonium hydroxide, etc. are decomposed and converted into harmless carbon dioxide gas, water, etc. Treated water, together with the treating air, exit 1
Emitted from 2.

【0018】本実施例の利点として、第1に、オゾンの
生成とオゾンの分解用のランプを別の種類に構成したの
で、それぞれの化学反応が最適になるように紫外線の波
長および強度を調節でき、従って高効率の処理が可能に
なり、第2に被処理物と前処理された処理用流体の混合
物に、第2の誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線に加
えて、第1の誘電体バリヤ放電ランプによって従来の低
圧水銀放電ランプや高圧アークランプでは発生できない
短波長の紫外線を高効率で照射することが出来るので、
従来の方法では分解が困難であったトリメチルアミン、
テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド等が分解
可能になり、第3に第1および第2の誘電体バリヤ放電
ランプの光出力特性が周囲温度によって変化しないの
で、比較的低温度でしかも温度の一定化には多大のエネ
ルギーが必要である水の処理を安定に行うことが出来、
第4に第1および第2の誘電体バリヤ放電ランプの形状
の変更に大きな自由度があるので、第1の工程と第2の
工程およびそれに続く工程を直近して行うことが可能に
なり、従って高効率の処理が出来る等が生じる。
As an advantage of this embodiment, firstly, since the lamps for ozone generation and ozone decomposition are constructed in different types, the wavelength and intensity of ultraviolet rays are adjusted so that each chemical reaction is optimized. Second, a highly efficient treatment is possible, and secondly, in addition to the ultraviolet rays from the second dielectric barrier discharge lamp, the first dielectric is added to the mixture of the object to be treated and the pretreated processing fluid. With the barrier discharge lamp, it is possible to irradiate highly efficient short wavelength ultraviolet rays that cannot be generated by conventional low pressure mercury discharge lamps and high pressure arc lamps.
Trimethylamine, which was difficult to decompose by conventional methods,
Tetramethylammonium hydroxide, etc. can be decomposed, and thirdly, the light output characteristics of the first and second dielectric barrier discharge lamps do not change with the ambient temperature. Stable treatment of water, which requires a lot of energy,
Fourthly, since there is a great degree of freedom in changing the shapes of the first and second dielectric barrier discharge lamps, it becomes possible to perform the first step, the second step and the subsequent steps in the immediate vicinity, Therefore, high efficiency processing can be performed.

【0019】本発明の第2の実施例は、第1の実施例に
おいて、被処理物供給口4を閉じてしまい、被処理物3
と処理用流体1の混合物を処理用流体供給口2から混合
供給する方法である。この方法は装置が簡単になる利点
がある。
The second embodiment of the present invention is the same as the first embodiment except that the object supply port 4 is closed and the object 3 is processed.
And a processing fluid 1 is mixed and supplied from the processing fluid supply port 2. This method has the advantage of simplifying the device.

【0020】本発明の第3の実施例は、第1の実施例に
おいて第2の誘電体バリヤ放電ランプの発光物質を第1
の誘電体バリヤ放電ランプと同一にするか、あるいは第
1、第2の誘電体バリヤ放電ランプの放電空間を同一に
して、すなわち1個の誘電体バリヤ放電ランプにした構
成を特徴とする。この実施例では、反応空間領域8,9
において主にオゾンを生成し、被処理物とオゾンの混合
ガスに対して反応空間領域10,11において紫外線を
照射して、被処理物の処理を行うものである。この実施
例の方法では、装置が簡単になるという利点が生じる。
In the third embodiment of the present invention, the first dielectric material of the second dielectric barrier discharge lamp in the first embodiment is used.
Of the dielectric barrier discharge lamp, or the discharge spaces of the first and second dielectric barrier discharge lamps are the same, that is, one dielectric barrier discharge lamp. In this embodiment, the reaction space regions 8, 9
In this case, ozone is mainly generated and the mixed gas of the object to be processed and ozone is irradiated with ultraviolet rays in the reaction space regions 10 and 11 to process the object to be processed. The method of this embodiment has the advantage that the device is simple.

【0021】本発明の第4の実施例は、第1あるいは第
2の実施例において、処理用流体として過酸化水素を使
用したものである。過酸化水素は、過酸化水素水として
供給される。供給された過酸化水素水は、反応空間領域
8,9において紫外線の照射によってヒドロキシラジカ
ルを生成する。被処理物と該前処理された過酸化水素水
の混合物に、反応空間領域10,11において紫外線が
照射され、被処理物が処理される。
The fourth embodiment of the present invention uses hydrogen peroxide as the processing fluid in the first or second embodiment. Hydrogen peroxide is supplied as hydrogen peroxide solution. The supplied hydrogen peroxide water produces hydroxy radicals in the reaction space regions 8 and 9 by irradiation with ultraviolet rays. The mixture of the object to be treated and the pretreated hydrogen peroxide solution is irradiated with ultraviolet rays in the reaction space regions 10 and 11 to treat the object to be treated.

【0022】本発明の第5の実施例は、第1から第3の
実施例において、被処理物を工業廃水や、下水としたも
のである。この実施例においても、被処理物に含まれて
いる固形物の分離などの前処理工程が必要になる場合が
あるが、第1から第3の実施例と同様の機構で被処理物
が処理される。第1から第5までの実施例は被処理物が
液体であったが、第6の実施例は第1から第5の実施例
における被処理物を、ガスに置き換えたものである。例
えば、被処理物を成層圏オゾン層を破壊するCFC−1
1,CFC−12,CFC−114およびCFC−11
2等のフロンガスとし、処理用流体として酸素を使用す
ると、炭素、塩素、フッ素の化合物であるフロンを、該
処理方法によって無害な低級フッ素樹脂、炭酸ガス、或
いは塩化水素に変換する事が可能になる。なお、塩化水
素ガスは、別工程でナトリウム化合物等にして処理す
る。四塩化炭素やメチルクロロホルムなどを含む工業廃
ガスなど各種の廃ガスも第6の実施例の方法で処理する
ことが出来る。
The fifth embodiment of the present invention is the same as the first to third embodiments, except that the material to be treated is industrial wastewater or sewage. In this embodiment as well, a pretreatment step such as separation of solid matter contained in the object to be treated may be required, but the object to be treated is treated by the same mechanism as in the first to third embodiments. To be done. In the first to fifth examples, the object to be processed was a liquid, but in the sixth example, the object to be processed in the first to fifth examples was replaced with gas. For example, CFC-1 that destroys the ozone layer in the stratosphere
1, CFC-12, CFC-114 and CFC-11
When CFCs such as 2 are used and oxygen is used as a treatment fluid, CFCs, which are compounds of carbon, chlorine, and fluorine, can be converted into harmless lower fluororesin, carbon dioxide, or hydrogen chloride by the treatment method. Become. The hydrogen chloride gas is treated as a sodium compound or the like in a separate process. Various waste gases such as industrial waste gases containing carbon tetrachloride and methyl chloroform can be treated by the method of the sixth embodiment.

【0023】第7の実施例である湿式洗浄方法の概略図
を図3に示す。箱形の洗浄槽30内に、両面に紫外線を
放射する構造の平板状の2個の誘電体バリヤ放電ランプ
6,7が設置されている。誘電体バリヤ放電ランプの構
造は、図2に示すものと実質的に同一である。第1の誘
電体バリヤ放電ランプ6は、発光ガスの主成分としてキ
セノンガスが封入されており、172nm付近で最大値
を有する120から190nmの波長範囲の紫外線を放
出する。また、第2の誘電体バリヤ放電ランプ7は、発
光ガスの主成分としてクリプトンとフッ素の混合ガスが
封入されており、249nm付近で最大値を有する24
0から255nmの波長範囲の紫外線を放出する。処理
用流体である空気1が処理用流体供給口2から供給され
ると、第1の誘電体バリヤ放電ランプ6から放出される
172nm付近で最大値を有する120から190nm
の範囲の紫外線によって空気1中の酸素から反応空間領
域8においてオゾンが生成される。該オゾンは、反応空
間領域9に移動して、第2の誘電体バリヤ放電ランプ7
から放射される249nm付近で最大値を有する240
から255nmの波長範囲の紫外線を照射され、活性酸
素原子と酸素分子に分解される。該活性酸素原子と酸素
分子は、洗浄槽30の底に設けられた泡立て器31を通
して洗浄槽30内の水32のなかに混入される。
FIG. 3 shows a schematic view of a wet cleaning method according to the seventh embodiment. In the box-shaped cleaning tank 30, two flat plate-shaped dielectric barrier discharge lamps 6 and 7 having a structure that radiates ultraviolet rays on both sides are installed. The structure of the dielectric barrier discharge lamp is substantially the same as that shown in FIG. The first dielectric barrier discharge lamp 6 is filled with xenon gas as a main component of luminescent gas and emits ultraviolet rays in a wavelength range of 120 to 190 nm having a maximum value near 172 nm. Further, the second dielectric barrier discharge lamp 7 is filled with a mixed gas of krypton and fluorine as a main component of luminescent gas and has a maximum value near 249 nm.
It emits ultraviolet light in the wavelength range of 0 to 255 nm. When air 1, which is a processing fluid, is supplied from the processing fluid supply port 2, the maximum value around 172 nm emitted from the first dielectric barrier discharge lamp 6 is 120 to 190 nm.
Ozone in the reaction space region 8 is generated from oxygen in the air 1 by the ultraviolet rays in the range. The ozone moves to the reaction space region 9 and the second dielectric barrier discharge lamp 7
Emitted from 240 with a maximum near 249 nm
Is irradiated with ultraviolet rays in the wavelength range of ˜255 nm to decompose into active oxygen atoms and oxygen molecules. The active oxygen atoms and oxygen molecules are mixed into the water 32 in the cleaning tank 30 through the whisk 31 provided at the bottom of the cleaning tank 30.

【0024】被処理物、例えばプラスチッックの瓶33
は、支持具34によってオゾンの混入した水32に沈め
られ、第1および第2の誘電体バリヤ放電ランプからの
紫外線の照射によって外表面が洗浄される。該洗浄によ
って、瓶33の外表面への印刷などが高品位で行えるよ
うになる。支持具34を回転させることにより被処理物
であるプラスチックの瓶33を回転させる方法や、第
1、第2の誘電体バリヤ放電ランプに対向して第3,4
の誘電体バリヤ放電ランプを瓶33を挟むように設ける
ことにより、処理速度を大きくすることが出来る。
An object to be processed, for example, a plastic bottle 33
Is submerged in the ozone-mixed water 32 by the support 34, and the outer surface is cleaned by irradiation with ultraviolet rays from the first and second dielectric barrier discharge lamps. By the cleaning, printing on the outer surface of the bottle 33 can be performed with high quality. A method of rotating the plastic bottle 33 that is the object to be processed by rotating the support tool 34, or a method of rotating the support tool 34 facing the first and second dielectric barrier discharge lamps.
The processing speed can be increased by disposing the dielectric barrier discharge lamp (1) so as to sandwich the bottle 33.

【0025】第8の実施例であるフォトレジストの灰化
方法の概略図を図4に示す。灰化ダクト40内に注入さ
れた処理用流体酸素1は、灰化ダクト40内に設けられ
た第1の誘電体バリヤ放電ランプ群41から放射される
紫外線によってオゾンに変換される。第1の誘電体バリ
ヤ放電ランプ群41は、図5に示したような中空同軸円
筒形の誘電体バリヤ放電ランプ41aを台座44に複数
束ねたもので、各誘電体バリヤ放電ランプ41aの構造
は、内側誘電体51の内側に紫外線の反射板と電極を兼
ねたアルミニウム箔52が設けてあり、該内側誘電体5
1と同軸に設けられてた外側誘電体53の外側には紫外
線を透過する電極54が設けられた構造である。該内側
誘電体51と外側誘電体53によって形成された中空円
筒部55に、発光用ガスが充填されている。電極52,
54間に電源26によって電圧を印加すると、中空円筒
部55にオゾナイザ放電が発生し、外側誘電体54から
紫外線が放射される。
FIG. 4 shows a schematic view of the ashing method of the photoresist which is the eighth embodiment. The processing fluid oxygen 1 injected into the ashing duct 40 is converted into ozone by the ultraviolet rays emitted from the first dielectric barrier discharge lamp group 41 provided in the ashing duct 40. The first dielectric barrier discharge lamp group 41 is formed by bundling a plurality of hollow coaxial cylindrical dielectric barrier discharge lamps 41a as shown in FIG. 5 on a pedestal 44. The structure of each dielectric barrier discharge lamp 41a is as follows. Inside the inner dielectric 51, there is provided an aluminum foil 52 which also serves as an ultraviolet reflector and an electrode.
1 has a structure in which an electrode 54 that transmits ultraviolet rays is provided outside the outer dielectric 53 that is provided coaxially with 1. The hollow cylindrical portion 55 formed by the inner dielectric 51 and the outer dielectric 53 is filled with a gas for light emission. Electrode 52,
When a voltage is applied between 54 by the power supply 26, ozonizer discharge is generated in the hollow cylindrical portion 55, and ultraviolet rays are emitted from the outer dielectric 54.

【0026】第1の誘電体バリヤ放電ランプ群41から
放射される紫外線によって生成されたオゾンは第2の誘
電体バリヤ放電ランプからの紫外線によって活性化酸素
原子に変換される。被処理物である半導体基板43に塗
布されたフォトレジストは、第2の誘電体バリヤ放電ラ
ンプ群42からの紫外線の照射のもとに活性化酸素原子
と反応し、灰化する。個々の放電ランプ42aの構造
は、放電ランプ41aと同一であって、かつ台座44に
取り付けられている。2箇の台座44の位置調節をすれ
ば、ランプ群41とランプ群42の距離は調節できる。
Ozone generated by the ultraviolet rays emitted from the first dielectric barrier discharge lamp group 41 is converted into activated oxygen atoms by the ultraviolet rays emitted from the second dielectric barrier discharge lamp. The photoresist applied to the semiconductor substrate 43, which is the object to be processed, reacts with the activated oxygen atoms under the irradiation of the ultraviolet rays from the second dielectric barrier discharge lamp group 42 to be ashed. The structure of each discharge lamp 42a is the same as that of the discharge lamp 41a, and is attached to the pedestal 44. The distance between the lamp group 41 and the lamp group 42 can be adjusted by adjusting the positions of the two pedestals 44.

【0027】第2の誘電体バリヤ放電ランプ群42が、
比較的波長の長い240から255nm,200から2
40nm,300から320nmの範囲の紫外線を放射
するように発光物質を選択すると、基板43に照射され
る光子のエネルギーが小さいので、基板43を損傷する
ことが少ない。また、第2の誘電体バリヤ放電ランプ群
42が、比較的波長の短い180から200nm,16
0から190nm,120から190nmの範囲の紫外
線を放射するように発光物質を選択すると、該紫外線
は、酸素分子の吸収断面積が大きいので基板表面近くに
おいて化学活性の高い酸素原子の密度を極めて高く生成
することが出来ることになり、かつ、基板43に照射さ
れる光子のエネルギーが大きいので、イオンが注入され
て灰化しにくくなったフォトレジストも灰化することが
出来る。
The second dielectric barrier discharge lamp group 42 is
Relatively long wavelength 240 to 255 nm, 200 to 2
When the luminescent material is selected so as to emit ultraviolet rays in the range of 40 nm and 300 to 320 nm, the substrate 43 is less likely to be damaged because the energy of photons with which the substrate 43 is irradiated is small. In addition, the second dielectric barrier discharge lamp group 42 has a relatively short wavelength range of 180 to 200 nm, 16
When a luminescent substance is selected so as to emit ultraviolet rays in the range of 0 to 190 nm and 120 to 190 nm, the ultraviolet rays have a large absorption cross-section of oxygen molecules, so that the density of highly active oxygen atoms near the substrate surface is extremely high. Since the photons that can be generated and the energy of the photons with which the substrate 43 is irradiated are large, it is possible to ash the photoresist that is hard to be ashed by the ion implantation.

【0028】第9の実施例である表面改質方法の概略図
を図6に示す。被処理物であるプラスチック60は、上
部から供給された窒素62の雰囲気で満たされた第1の
処理ダクト61に設置され、第1の誘電体バリヤ放電ラ
ンプ群63からの120から190nmの波長範囲の紫
外線の照射をうけ、表面に存在する分子の結合が切断さ
れる。しかるのちに、プラスチック60は、搬送装置6
4によって第2の処理ダクト65に運ばれ、処理用流体
供給口2から供給された酸素もしくは空気1の雰囲気中
で第2の誘電体バリヤ放電ランプ群66からの紫外線の
照射を受け、表面に−C00H基、−OH基が生成され
る。上記のような処理によって、プラスチック表面への
印刷、接着などが高品位で出来るようになる。この実施
例では被処理物は大気圧以上の雰囲気にあるので、被処
理物の移動が簡単であるという利点が生じる。また、窒
素62の代わりにアルゴンガスを使用し、第1の誘電体
バリヤ放電ランプ群63として窓無しランプ(特開平3
−211283に開示されている)を使用すると、第1
の誘電体バリヤ放電ランプ群63からはアルゴンのエキ
シマ分子から放射される107から165nmの波長範
囲の紫外線が放射され、フッ素樹脂のような非常に安定
な樹脂の表面の改質を行うことが出来るようになる。
FIG. 6 shows a schematic view of the surface modification method of the ninth embodiment. The plastic 60 as the object to be processed is installed in the first processing duct 61 filled with the atmosphere of nitrogen 62 supplied from above, and the wavelength range of 120 to 190 nm from the first dielectric barrier discharge lamp group 63. Is exposed to the ultraviolet rays of, the bonds of molecules existing on the surface are broken. Then, the plastic 60 is transferred to the carrier device 6
4 is carried to the second processing duct 65 and is irradiated with ultraviolet rays from the second dielectric barrier discharge lamp group 66 in the atmosphere of oxygen or air 1 supplied from the processing fluid supply port 2, and its surface is exposed. A -C00H group and a -OH group are generated. By the above-mentioned treatment, printing and adhesion to the plastic surface can be performed with high quality. In this embodiment, since the object to be processed is in the atmosphere of atmospheric pressure or higher, there is an advantage that the object to be processed can be easily moved. Further, an argon gas is used instead of the nitrogen 62, and a windowless lamp is used as the first dielectric barrier discharge lamp group 63 (Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 3 (1999) -58).
No. 2-11283), the first
From the dielectric barrier discharge lamp group 63, the ultraviolet rays in the wavelength range of 107 to 165 nm emitted from the excimer molecules of argon are radiated, and the surface of a very stable resin such as a fluororesin can be modified. Like

【0029】第10の実施例である成膜方法の概略図を
図7に示す。反応容器70の上部に設けられた発光用ガ
ス供給口75に近接して、窓部材を有さない第1の誘電
体バリヤ放電ランプ群63が設けられている。発光用ガ
ス供給口75から発光用ガスアルゴン74が供給される
と、第1の誘電体バリヤ放電ランプ群63からアルゴン
のエキシマ分子から放射される107から165nmの
波長範囲の紫外線が放射される。処理用流体供給口2か
ら供給された処理用流体モノシランガスとメタンガスの
混合ガス1は第1の誘電体バリヤ放電ランプ群63から
放射される107から165nmの波長範囲の紫外線に
よって分解、活性化され、被処理物である基板71の表
面において第2の誘電体バリヤ放電ランプ群66からの
紫外線によって再活性化され水素化アモルファス炭化シ
リコンの薄膜を形成する。第2の誘電体バリヤ放電ラン
プ群66として比較的長い波長の紫外線を放射するラン
プを採用すると、膜に照射される光子のエネルギーが小
さいので、膜を損傷することが少なく、高品質の膜が得
られる。処理用流体を第1の誘電体バリヤ放電ランプの
紫外線で分解、活性化し、さらに成膜時に第2の紫外線
を照射することにより、良質な膜の形成が可能になっ
た。被処理物の支持装置72に被処理物の温度を調整す
る機構を組み込み被処理物の温度を調整したり、支持具
73によって被処理物と第1の誘電体バリヤ放電ランプ
群63との距離を調整することにより、さらに良質の膜
を形成することが可能になる。尚、76は放電用ガスや
処理用ガスの排出口である。
FIG. 7 shows a schematic view of the film forming method of the tenth embodiment. A first dielectric barrier discharge lamp group 63 having no window member is provided in the vicinity of the light emission gas supply port 75 provided on the upper part of the reaction vessel 70. When the emission gas argon 74 is supplied from the emission gas supply port 75, ultraviolet rays in the wavelength range of 107 to 165 nm emitted from the excimer molecules of argon are emitted from the first dielectric barrier discharge lamp group 63. The mixed gas 1 of the processing fluid monosilane gas and methane gas supplied from the processing fluid supply port 2 is decomposed and activated by the ultraviolet rays in the wavelength range of 107 to 165 nm emitted from the first dielectric barrier discharge lamp group 63, A thin film of hydrogenated amorphous silicon carbide is formed on the surface of the substrate 71, which is the object to be processed, by being reactivated by the ultraviolet rays from the second dielectric barrier discharge lamp group 66. When a lamp that emits an ultraviolet ray having a relatively long wavelength is adopted as the second dielectric barrier discharge lamp group 66, the energy of photons applied to the film is small, so that the film is not damaged and a high quality film is obtained. can get. By decomposing and activating the processing fluid with the ultraviolet rays of the first dielectric barrier discharge lamp and irradiating it with the second ultraviolet rays during the film formation, it becomes possible to form a high-quality film. A mechanism for adjusting the temperature of the object to be processed is installed in the object support device 72 to adjust the temperature of the object to be processed, and the distance between the object to be processed and the first dielectric barrier discharge lamp group 63 is increased by the support tool 73. By adjusting, it becomes possible to form a film of higher quality. Reference numeral 76 is a discharge port for the discharge gas and the processing gas.

【0030】第11の実施例である殺菌方法の概略図を
図8に示す。誘電体バリヤ放電ランプは、図8に示した
ように、3本の管状の誘電体を同軸的に配置してなるも
のであって、内側誘電体51、中間誘電体88および外
側誘電体53を同軸に配置して独立した内側放電室87
と外側放電室86を形成し、中間誘電体88内に埋め込
まれた中間電極89と内側誘電体51の内面に設けられ
た透明電極82および外側誘電体53の外面に設けられ
た透明外側電極54の間にそれぞれ交流電源26aおよ
び26bによって電圧を印加して、内側放電室87と外
側放電室86で誘電体バリヤ放電を行う方式のランプで
ある。内側放電室87の発光用ガスとしてキセノンガス
を使用して120から190nmの波長範囲の紫外線を
放射させ、外側放電室86の発光用ガスとしてクリプト
ンとフッ素の混合ガスを使用し、240から255nm
の波長範囲の紫外線を放射させる。
FIG. 8 shows a schematic view of the sterilization method of the 11th embodiment. As shown in FIG. 8, the dielectric barrier discharge lamp is formed by coaxially arranging three tubular dielectrics, and includes an inner dielectric 51, an intermediate dielectric 88 and an outer dielectric 53. Inner discharge chamber 87 arranged coaxially and independently
And an outer discharge chamber 86, and an intermediate electrode 89 embedded in the intermediate dielectric 88, a transparent electrode 82 provided on the inner surface of the inner dielectric 51, and a transparent outer electrode 54 provided on the outer surface of the outer dielectric 53. In this lamp, a voltage is applied by the AC power supplies 26a and 26b, respectively, to perform dielectric barrier discharge in the inner discharge chamber 87 and the outer discharge chamber 86. Xenon gas is used as the light emitting gas in the inner discharge chamber 87 to radiate ultraviolet rays in the wavelength range of 120 to 190 nm, and a mixed gas of krypton and fluorine is used as the light emitting gas in the outer discharge chamber 86.
It emits ultraviolet rays in the wavelength range of.

【0031】処理用流体である酸素ガス1を管状の内側
誘電体51の一端81から流し込み、第1の反応空間8
3内で内側放電室87から放射された120から190
nmの波長範囲の紫外線によって生成したオゾンを内側
誘電体51の他の一端84から噴出させる。該オゾンは
反応空間85内で外側放電室86から放射された240
から255nmの波長範囲の紫外線によって分解され、
活性な酸素原子を生成し、活性な酸素原子が被処理物で
ある食品用カップ90の内面を殺菌する。さらに、食品
用カップ90の内面を照射した外側放電室86から放射
された240から255nmの波長範囲の紫外線は、こ
の波長領域の紫外線は殺菌作用が最適であるため食品用
カップ90の内面を直接殺菌し、従って、短時間で殺
菌、消毒を行うことが出来る。
Oxygen gas 1 which is a processing fluid is poured from one end 81 of the tubular inner dielectric 51, and the first reaction space 8
120 to 190 radiated from the inner discharge chamber 87 in
Ozone generated by ultraviolet rays in the wavelength range of nm is ejected from the other end 84 of the inner dielectric body 51. The ozone was emitted from the outer discharge chamber 86 in the reaction space 85 240
Is decomposed by UV light in the wavelength range from
Active oxygen atoms are generated, and the active oxygen atoms sterilize the inner surface of the food cup 90 that is the object to be treated. Further, the ultraviolet rays in the wavelength range of 240 to 255 nm radiated from the outer discharge chamber 86 that irradiates the inner surface of the food cup 90 directly contact the inner surface of the food cup 90 because the ultraviolet light in this wavelength range has the optimum bactericidal action. Sterilization, and therefore, sterilization and disinfection can be performed in a short time.

【0032】第12の実施例であるエッチング方法の概
略図を図9に示す。処理ダクト40内に注入された処理
用流体である塩素ガス1は、処理用ダクト40内に設け
られた誘電体バリヤ放電ランプ群41のランプの間を通
過する間に誘電体バリヤ放電ランプ群41から放射され
た紫外線によって、活性塩素原子に変換される。この活
性塩素原子は、酸化シリコン91でマスクされたシリコ
ン基板92に吹きつけられ、誘電体バリヤ放電ランプ群
41からの紫外線照射のもとにシリコン基板と反応して
塩化シリコンを生成し、シリコン基板をエッチングす
る。誘電体バリヤ放電ランプ群41が、比較的波長の長
い240から255nm,300から320nmの範囲
の紫外線を放射するように発光物質を選択すると、基板
92に照射される光子のエネルギーが小さいので、基板
92を損傷することが少ない。
FIG. 9 shows a schematic view of the etching method of the twelfth embodiment. The chlorine gas 1, which is the processing fluid injected into the processing duct 40, passes between the lamps of the dielectric barrier discharge lamp group 41 provided in the processing duct 40 while the dielectric barrier discharge lamp group 41 is provided. It is converted into active chlorine atoms by the ultraviolet rays emitted from the. The active chlorine atoms are sprayed onto the silicon substrate 92 masked with silicon oxide 91, react with the silicon substrate under the irradiation of ultraviolet rays from the dielectric barrier discharge lamp group 41 to generate silicon chloride, and the silicon substrate To etch. If the dielectric barrier discharge lamp group 41 selects a light-emitting substance so as to emit ultraviolet rays having relatively long wavelengths in the range of 240 to 255 nm and 300 to 320 nm, the photon energy with which the substrate 92 is irradiated is small. Less likely to damage 92.

【0033】第13の実施例である乾式の洗浄方法の概
略図を図10に示す。誘電体バリヤ放電ランプは、図5
に示したような中空同軸二重管形であるが、内側電極8
2は図5の場合と異なって透明電極である。すなわち、
内側にも紫外線が放射される。発光ガスとしてキセノン
ガスを使用して120から190nmの波長範囲の紫外
線を放射させ、処理用流体1として酸素を使用する。反
応空間83内において、該酸素1はオゾンに変換され、
出口84から噴射される。該オゾンは被処理物である瓶
101と該誘電体バリヤ放電ランプによって形成された
第2の反応空間85において、該紫外線の照射によって
さらに活性な酸素に分解される。この活性な酸素によっ
て瓶の内面に付着した有機物を短時間で分解、除去する
ことが出来る。
FIG. 10 shows a schematic diagram of the dry cleaning method of the thirteenth embodiment. Figure 5 shows the dielectric barrier discharge lamp.
Although it is a hollow coaxial double tube type as shown in FIG.
2 is a transparent electrode unlike the case of FIG. That is,
Ultraviolet rays are also emitted inside. Xenon gas is used as the luminescent gas to emit ultraviolet rays in the wavelength range of 120 to 190 nm, and oxygen is used as the processing fluid 1. In the reaction space 83, the oxygen 1 is converted into ozone,
It is injected from the outlet 84. The ozone is further decomposed into active oxygen by irradiation of the ultraviolet rays in the second reaction space 85 formed by the bottle 101 as the object to be treated and the dielectric barrier discharge lamp. This active oxygen can decompose and remove the organic substances attached to the inner surface of the bottle in a short time.

【0034】[0034]

【発明の効果】上記したように、本発明によれば、各種
の処理を高品質で、高効率で、十分な速度で行うことが
できる処理方法を提供できる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a processing method capable of performing various kinds of processing with high quality, high efficiency and at a sufficient speed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明を使用した水処理方法の説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram of a water treatment method using the present invention.

【図2】誘電体バリヤ放電ランプの概略図である。FIG. 2 is a schematic diagram of a dielectric barrier discharge lamp.

【図3】本発明を使用した湿式洗浄方法の説明図であ
る。
FIG. 3 is an explanatory diagram of a wet cleaning method using the present invention.

【図4】本発明を使用したフォトレジストの灰化方法の
説明図である。
FIG. 4 is an explanatory diagram of a method for ashing a photoresist using the present invention.

【図5】他の構造の誘電体バリヤ放電ランプの概略図で
ある。
FIG. 5 is a schematic view of a dielectric barrier discharge lamp having another structure.

【図6】本発明を使用したプラスチックの表面改質方法
の説明図である。
FIG. 6 is an explanatory diagram of a plastic surface modification method using the present invention.

【図7】本発明を使用した成膜方法の説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram of a film forming method using the present invention.

【図8】本発明を使用した殺菌方法の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of a sterilization method using the present invention.

【図9】本発明を使用したシリコン基板のエッチング方
法の説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram of a silicon substrate etching method using the present invention.

【図10】本発明を使用した乾式洗浄方法の説明図であ
る。
FIG. 10 is an explanatory diagram of a dry cleaning method using the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 処理用流体 3 被処理物 6,7 誘電体バリヤ放電ランプ 8,9,10,11 反応空間領域 20,21 誘電体 23 放電空
間 24,25 透明電極 26 交流電
1 Processing Fluid 3 Processing Object 6,7 Dielectric Barrier Discharge Lamp 8, 9, 10, 11 Reaction Space Area 20,21 Dielectric 23 Discharge Space 24,25 Transparent Electrode 26 AC Power Supply

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理物と処理用流体を接触させて該被
処理物を処理する方法において、被処理物あるいは処理
用流体の一方が誘電体バリヤ放電ランプからの紫外線照
射を少なくとも2回以上受け、その時、被処理物あるい
は処理用流体において第1回の照射と第2回以後の照射
の少なくとも1回に生ずる化学反応が異なることを特徴
とする被処理物の処理方法。
1. A method for treating an object to be treated by contacting the object to be treated with a treating fluid, wherein one of the object to be treated and the treating fluid is irradiated with ultraviolet rays from a dielectric barrier discharge lamp at least twice or more. A method for treating an object to be treated, characterized in that, at that time, a chemical reaction occurring in at least one of the first irradiation and the second and subsequent irradiation in the object or the processing fluid is different.
【請求項2】 被処理物に第1の誘電体バリヤ放電ラン
プから放射される第1の紫外線を照射する第1の工程、
該第1の工程後、該被処理物と処理用流体を接触せし
め、第2の誘電体バリヤ放電ランプから放射される第2
の紫外線を照射する第2の工程を含むことを特徴とした
請求項第1に記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用した
処理方法。
2. A first step of irradiating an object to be processed with a first ultraviolet ray emitted from a first dielectric barrier discharge lamp,
After the first step, the object to be processed and the processing fluid are brought into contact with each other, and the second dielectric barrier discharge lamp emits a second beam.
2. The method for treating using a dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, further comprising a second step of irradiating the ultraviolet ray.
【請求項3】 処理用流体に第1の誘電体バリヤ放電ラ
ンプから放射される第1の紫外線を照射する第1の工
程、該第1の工程後、該被処理物と処理用流体を接触せ
しめ、第2の誘電体バリヤ放電ランプから放射される第
2の紫外線を照射する第2の工程を含むことを特徴とし
た請求項1に記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用した
処理方法。
3. A first step of irradiating the processing fluid with a first ultraviolet ray emitted from a first dielectric barrier discharge lamp, and after the first step, contacting the object to be processed with the processing fluid. 4. The method of treating a dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, further comprising a second step of irradiating a second ultraviolet ray emitted from the second dielectric barrier discharge lamp.
【請求項4】 被処理物と処理用流体を接触せしめ、第
1の誘電体バリヤ放電ランプから放射される第1の紫外
線を照射する第1の工程、該第1の工程によって処理さ
れた該被処理物と該処理用流体に第2の誘電体バリヤ放
電ランプから放射される第2の紫外線を照射する第2の
工程を含むことを特徴とした請求項1に記載の誘電体バ
リヤ放電ランプを使用した処理方法。
4. A first step of bringing an object to be processed into contact with a processing fluid and irradiating a first ultraviolet ray radiated from a first dielectric barrier discharge lamp, and the step treated by the first step. The dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, further comprising a second step of irradiating the object to be processed and the processing fluid with a second ultraviolet ray emitted from the second dielectric barrier discharge lamp. Processing method using.
【請求項5】 所定の雰囲気下に配置された被処理物に
第1の誘電体バリヤ放電ランプから放射される第1の紫
外線を照射する第1の工程、該第1の工程後、該被処理
物を処理用流体下に配置し、第2の誘電体バリヤ放電ラ
ンプから放射される第2の紫外線を照射する第2の工程
を含むことを特徴とした請求項1に記載の誘電体バリヤ
放電ランプを使用した処理方法。
5. A first step of irradiating an object to be processed arranged in a predetermined atmosphere with a first ultraviolet ray emitted from a first dielectric barrier discharge lamp, and after the first step, the object to be processed is irradiated. 2. The dielectric barrier according to claim 1, further comprising a second step of arranging the object to be processed under a processing fluid and irradiating a second ultraviolet ray emitted from a second dielectric barrier discharge lamp. Treatment method using a discharge lamp.
【請求項6】 所定の処理用流体下に配置された被処理
物に第1の誘電体バリヤ放電ランプから放射される第1
の紫外線を照射する第1の工程、該第1の工程後、該被
処理物を所定の雰囲気下に配置し、第2の誘電体バリヤ
放電ランプから放射される第2の紫外線を照射する第2
の工程を含むことを特徴とした請求項1に記載の誘電体
バリヤ放電ランプを使用した処理方法。
6. A first dielectric barrier discharge lamp radiating from a first dielectric barrier discharge lamp to an object to be processed arranged under a predetermined processing fluid.
The first step of irradiating the second ultraviolet ray, and the second step of irradiating the second ultraviolet ray emitted from the second dielectric barrier discharge lamp after arranging the object to be treated in a predetermined atmosphere after the first step. Two
The processing method using a dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, further comprising:
【請求項7】 該第1の紫外線と該第2の紫外線の波長
が実質的に同一であることを特徴とした請求項1から請
求項6に記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理
方法。
7. The treatment method using a dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, wherein the wavelengths of the first ultraviolet ray and the second ultraviolet ray are substantially the same. .
【請求項8】 該第1の誘電体バリヤ放電ランプと該第
2の誘電体バリヤ放電ランプを1個の誘電体バリヤ放電
ランプが兼任していることを特徴とした請求項7に記載
の誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理方法。
8. The dielectric according to claim 7, wherein one dielectric barrier discharge lamp also serves as the first dielectric barrier discharge lamp and the second dielectric barrier discharge lamp. Treatment method using body barrier discharge lamp.
【請求項9】 該第1の誘電体バリヤ放電ランプと該第
2の誘電体バリヤ放電ランプの少なくとも1個の誘電体
バリヤ放電ランプが、放電空間と被処理物あるいは処理
用流体の間に固体のランプ構成材を有さないことを特徴
とした請求項1から請求項8に記載の誘電体バリヤ放電
ランプを使用した処理方法。
9. At least one dielectric barrier discharge lamp of the first dielectric barrier discharge lamp and the second dielectric barrier discharge lamp is a solid between the discharge space and the object to be processed or the processing fluid. 9. The processing method using the dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, wherein the lamp constituent material is not included.
【請求項10】 該誘電体バリヤ放電ランプが、nm単
位で表した波長範囲180から200、165から19
0、240から255、200から240、120から
190、および300から320の少なくとも1つの波
長範囲に放射光を有する事を特徴とした請求項1から請
求項8に記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理
方法。
10. The dielectric barrier discharge lamp has a wavelength range of 180 to 200, 165 to 19 in nm units.
9. The dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, wherein the dielectric barrier discharge lamp has radiated light in at least one wavelength range of 0, 240 to 255, 200 to 240, 120 to 190, and 300 to 320. The processing method used.
【請求項11】 該誘電体バリヤ放電ランプが、nm単
位で表した波長範囲107から165、および140か
ら160の少なくとも1つの波長範囲に放射光を有する
事を特徴とした請求項9に記載の誘電体バリヤ放電ラン
プを使用した処理方法。
11. The dielectric barrier discharge lamp of claim 9, wherein the dielectric barrier discharge lamp has radiation in at least one of wavelength ranges 107 to 165 and 140 to 160 expressed in nm. Treatment method using a dielectric barrier discharge lamp.
【請求項12】 該被処理物あるいは該処理用流体の温
度を可変する手段を設けたことを特徴とした請求項1か
ら11に記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用した処理
方法。
12. The processing method using a dielectric barrier discharge lamp according to claim 1, further comprising means for varying the temperature of the object to be processed or the processing fluid.
【請求項13】 請求項1から8と、請求項10と、請
求項12とに記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用した
処理方法を使用した事を特徴とする水処理方法。
13. A water treatment method using the treatment method using the dielectric barrier discharge lamp according to any one of claims 1 to 8, claim 10, and claim 12.
【請求項14】 請求項1から8と、請求項10と、請
求項12とに記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用した
処理方法を使用した事を特徴とする廃液処理方法。
14. A waste liquid treatment method using the treatment method using the dielectric barrier discharge lamp according to any one of claims 1 to 8, claim 10, and claim 12.
【請求項15】 請求項1から12に記載の誘電体バリ
ヤ放電ランプを使用した処理方法を使用した事を特徴と
する廃ガス処理方法。
15. A waste gas treatment method using the treatment method using the dielectric barrier discharge lamp according to claim 1. Description:
【請求項16】 請求項1から8と、請求項10と、請
求項12とに記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用した
処理方法を使用した事を特徴とする湿式洗浄方法。
16. A wet cleaning method characterized by using the processing method using the dielectric barrier discharge lamp according to any one of claims 1 to 8, claim 10 and claim 12.
【請求項17】 請求項1から12に記載の誘電体バリ
ヤ放電ランプを使用した処理方法を使用した事を特徴と
する乾式洗浄方法。
17. A dry cleaning method using the processing method using the dielectric barrier discharge lamp according to claim 1. Description:
【請求項18】 請求項1から12に記載の誘電体バリ
ヤ放電ランプを使用した処理方法を使用した事を特徴と
する灰化方法。
18. An ashing method characterized by using the processing method using the dielectric barrier discharge lamp according to claim 1. Description:
【請求項19】 請求項1から12に記載の誘電体バリ
ヤ放電ランプを使用した処理方法を使用した事を特徴と
する表面改質方法。
19. A surface reforming method, characterized by using the treatment method using the dielectric barrier discharge lamp according to claim 1. Description:
【請求項20】 請求項1から12に記載の誘電体バリ
ヤ放電ランプを使用した処理方法を使用した事を特徴と
する成膜方法。
20. A film forming method using the processing method using the dielectric barrier discharge lamp according to claim 1. Description:
【請求項21】 請求項1から8と、請求項10と、請
求項12とに記載の誘電体バリヤ放電ランプを使用した
処理方法を使用した事を特徴とする殺菌方法。
21. A sterilization method using the processing method using the dielectric barrier discharge lamp according to any one of claims 1 to 8, claim 10 and claim 12.
【請求項22】 請求項1から12に記載の誘電体バリ
ヤ放電ランプを使用した処理方法を使用した事を特徴と
するエッチング方法。
22. An etching method using the processing method using the dielectric barrier discharge lamp according to claim 1. Description:
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