JPH06160655A - 同調可能な光フアイバ - Google Patents

同調可能な光フアイバ

Info

Publication number
JPH06160655A
JPH06160655A JP5201504A JP20150493A JPH06160655A JP H06160655 A JPH06160655 A JP H06160655A JP 5201504 A JP5201504 A JP 5201504A JP 20150493 A JP20150493 A JP 20150493A JP H06160655 A JPH06160655 A JP H06160655A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
optical fiber
tunable
tunable optical
reflective diffraction
waveguide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5201504A
Other languages
English (en)
Inventor
Jean-Pierre Weber
− ピエール ウェーバー ジャン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Original Assignee
Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB filed Critical Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB
Publication of JPH06160655A publication Critical patent/JPH06160655A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/015—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction
    • G02F1/025—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on semiconductor elements with at least one potential jump barrier, e.g. PN, PIN junction in an optical waveguide structure
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/011—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  in optical waveguides, not otherwise provided for in this subclass
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/0147—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on thermo-optic effects
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
    • G02F2201/30—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 grating
    • G02F2201/307—Reflective grating, i.e. Bragg grating
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2203/00—Function characteristic
    • G02F2203/05—Function characteristic wavelength dependent
    • G02F2203/055—Function characteristic wavelength dependent wavelength filtering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/10—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region
    • H01S5/12—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers
    • H01S5/1206—Construction or shape of the optical resonator, e.g. extended or external cavity, coupled cavities, bent-guide, varying width, thickness or composition of the active region the resonator having a periodic structure, e.g. in distributed feedback [DFB] lasers having a non constant or multiplicity of periods
    • H01S5/1215—Multiplicity of periods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
    • H01S5/5045—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement having a frequency filtering function

Abstract

(57)【要約】 【目的】 波長分割多重化装置に用いられる同調可能な
光フイルタを提供する。 【構成】 本発明の光フイルタは複数個の同調可能な反
射形回折格子を有し、これらの回折格子は入射光波の中
のすべてのチヤンネルを阻止する。前記反射形回折格子
に同調を行わせるために、前記反射形回折格子のおのお
のに電極または加熱素子が備えられ、それにより、それ
らの反射帯域を１個または複数個の要求されたチヤンネ
ルに一致しないようにすることができ、そして、１個ま
たは複数個の要求された前記チヤンネルが前記フイルタ
を透過することができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光フアイバ装置に関す
る。さらに詳細にいえば、本発明は、波長分割多重化光
信号から光信号の予め定められた１個または複数個の波
長が選定される、同調可能な光フアイバ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術およびその問題点】高密度に集積されたイ
ンコヒーレント波長分割多重化（ＷＤＭ）光通信装置
は、コヒーレント（ヘテロダイン）通信装置よりも、魅
力のある通信装置である。その理由は、インコヒーレン
ト装置は、通信装置の異なるチヤンネルに異なる波長を
割り当て、光フアイバで利用可能な大きな波長（周波
数）領域を使用するからである。インコヒーレントＷＤ
Ｍ光通信装置の主要な部品は、光信号のフイルタ作用
と、増幅作用と、検出作用とを備えた、光波受信機であ
る。もしコヒーレント検出の代わりに直接検出が用いら
れるならば、同調可能な光フアイバは、伝送と最終の検
出との両方の目的のために、異なる多重化波長（チヤン
ネル）を分離することが必要であるであろう。直接光検
出を用いたＷＤＭ受信機は、必要な１個または複数個の
チヤンネルのみを直接光検出器に透過するために、多重
周波数ＷＤＭ信号に対し光学的にフイルタ作用を行わな
ければならない。したがって、同調可能な光フアイバ
は、多重化された複数個の光信号から予め定められた波
長の光信号を選定する機能を有する。したがって、同調
可能な光フアイバの目的は、与えられた入射波長多重化
光信号の中の１個のチヤンネル（または複数個のチヤン
ネル）を選定し、そして、その他のチヤンネルがこのフ
イルタを透過することを阻止することである。
【０００３】いくつかの異なる光フイルタが開発されて
いる。機械的同調作用、すなわち、ピゾ電気素子による
同調作用、を備えたファブリ・ペロー・フイルタが開発
されている。けれども、機械的に動作するフイルタは、
いくつかの欠点を有する。第１の欠点は、運動する部品
を備えた光フイルタは、典型的には、その容積が大きく
なり、および、その製造の費用が高くなる。さらに、運
動する部品を備えた光フイルタは、電気的に制御される
光フイルタに比べて、その信頼性が低く、および、スイ
ッチング速度が遅い。
【０００４】音響・光学効果によるＴＥ／ＴＭモード変
換に基づく光フイルタおよび導波器が、また開発されて
いる。けれども、これらのフイルタは、必要な音響波を
発生するために、比較的複雑な回路を必要とする。さら
に、これらのフイルタは、その長さが１センチメートル
ないし２センチメートルの程度であり、比較的大型であ
る。半導体分布形フィードバック（ＤＦＢ）レーザ・ダ
イオードと多重区分ファブリ・ペロー・レーザ・ダイオ
ードとに基づく光フイルタが、また開発されている。こ
のような分布形半導体レーザ構造体は、レーザ作用に対
する閾値電流以下に設定されたバイアス電流で動作す
る。これらの装置は利得を有するという利点を有する
が、またいくつかの欠点をも有する。第１の欠点は、こ
れらの分布形フイードバック半導体レーザ装置の同調範
囲は、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ装置に対し１．５マイク
ロメートルの波長において、２ナノメートルより小さい
ことである。さらに、これらの装置は、その利得のため
に非常に狭い帯域幅を有し、および、もし入射信号のエ
ネルギが大き過ぎると、これらの装置は飽和効果を受け
やすい。
【０００５】分布形ブラッグ反射（ＤＢＲ）レーザ構造
体に基づく光フイルタが、また開発されている。分布形
ブラッグ反射レーザ構造体は、光通信装置の中の集積化
された受信機として用いられる。ＤＢＲレーザ構造体
は、レーザ作用閾値以下に電気的にバイアスされ、それ
により、受信された光信号の共振増幅およびフイルタ作
用の集積化された動作を実行することにより、多重機能
素子として動作する。ＤＢＲレーザ構造体のブラッグ部
分を電気的にバイアスすることにより、フイルタを同調
させることが可能であり、要求された波長を選定するこ
とが可能である。ＤＢＲレーザ構造体は１５ナノメート
ルまでの大きな同調領域を有し、この同調領域はＤＦＢ
レーザ・ダイオードのものよりも大きい。ＤＢＲレーザ
構造体は、フイルタから利得部分が除かれているので、
入力信号の大きさに対して敏感過ぎることはない。けれ
ども、ＤＢＲレーザ構造体は反射を利用して動作するの
で、その場合には、出力信号は入力信号を通して入力導
波器の中で反射されて戻り、その結果、信号が分離され
る時、損失という欠点を生ずる。
【０００６】
【問題点を解決するための手段】本発明は、波長分割多
重化装置に用いられる同調可能な光フイルタを開示す
る。この光フイルタは、複数個の同調可能な反射形回折
格子を有する。これらの同調可能な反射形回折格子は、
入射光波のすべてのチヤンネルを阻止する。これらの同
調可能な反射形回折格子は、それらの反射帯域が要求さ
れた１個または複数個のチヤンネルと一致しないよう
に、同調させることが可能であり、それにより、この要
求された１個または複数個のチヤンネルが、このフイル
タを透過することが可能になる。
【０００７】本発明の１つの実施例では、同調可能な光
フイルタは第１半導体基板を有し、そして、この第１半
導体基板はその１つの表面の上に電極を有する。光波を
伝送するために、基板の表面の中におよび基板の表面の
中に横方向に限定された、導波器が作成される。この導
波器の上の半導体の第２表面の上に、複数個の同調可能
な反射形回折格子が備えられる。導波器の両側に、絶縁
体基板が備えられる。複数個の電極が同調可能な反射形
回折格子を制御し、それにより、回折格子の下の導波器
部分の実効屈折率を変えることができる。
【０００８】
【実施例】本発明の前記特徴およびその他の特徴は、添
付図面を参照しての下記説明により、当業者には容易に
理解されるであろう。
【０００９】図１は、本発明の１つの実施例による同調
可能な光フイルタの図面である。図１は、４チヤンネル
装置のための光フイルタの１つの実施例を示す。この図
面の実施例は単に例示のためのものであって、本発明が
この実施例に限定されることを意味するものではないこ
とは、当業者にはすぐに理解されるであろう。この実施
例の同調可能な光フイルタは、ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ
半導体材料で作成される。この同調可能な光フイルタの
層状構造体は、Ｎ形ＩｎＰ材料の基板１４と、Ｐ形Ｉｎ
Ｐ材料の層１２とを有する。層１２と基板１４との間
に、導波器２２が作成される。導波器２２は、真正形材
料で作成される。導波器２２と層１２との間に、回折格
子層２０が作成される。この実施例では、この装置は４
チヤンネル装置であるので、導波器２２は４個の部分に
分割される。分割された部分のおのおのは、反射形回折
格子の周期が異なっている。異なる回折格子部分の間に
は、電気的な絶縁を行う必要がある。これらの電気的絶
縁体は図１には示されていない。電気的絶縁体は、回折
格子部分の間にイオン注入を行うことにより、または、
Ｎ形ＩｎＰ材料を半絶縁体（鉄不純物が添加された）Ｉ
ｎＰ材料で置き換えることにより、作成することができ
る。４個の導波器部分の屈折率を制御するために、層１
２の上に４個の電極２４、２６、２８および３０が作成
される。さらに、別の電極１６が基板１４の下に作成さ
れる。最後に、図２に示されているように、層１２を基
板１４から分離するために、導波器２２の両側に半絶縁
体ＩｎＰ層が作成される。光導波器２２はＩｎＧａＡｓ
Ｐのコアを有して構成される。ＩｎＧａＡｓＰのバンド
ギャップは通過する光の波長のエネルギよりも大きく、
したがって、光が吸収されることが避けられる。導波器
２２はＩｎＰ材料で取り囲まれており、したがって、そ
れは埋め込み形ヘテロ構造体になっている。ＩｎＧａＡ
ｓＰ材料とＩｎＰ材料とを用いて、層２０の中にブラッ
グ回折格子が作成される。このことは、直接の電子ビー
ム書き込み、エッチング、および、再成長のような、Ｄ
ＦＢレーザに用いられる方法により、実行することがで
きる。
【００１０】導波器２２は真正形材料で構成され、およ
び、２個の基板１２および１４は、それぞれ、Ｐ形Ｉｎ
Ｐ材料およびＮ形ＩｎＰ材料で構成されるから、得られ
る構造体はＰ−Ｉ−Ｎダイオード構造体になり、したが
って、真正形導波器２２の中への電子およびホールの注
入が可能になる。導波器２２の両側に半絶縁体ＩｎＰ層
１８を用いることにより、電流が真正形導波器に限定さ
れる。注入されたキャリアは導波器の屈折率を変え、そ
れにより、対応する回折格子の反射帯域の波長の同調が
可能になる。４個の回折格子部分が独立に同調を行うこ
とができるように、Ｐ形ＩｎＰ層の上に４個の電極が備
えられる。
【００１１】前記の装置の典型的な寸法は下記の通りで
ある。導波器２２の厚さは０．２マイクロメートルと
０．６マイクロメートルとの間にあり、そして、導波器
２２の幅は約１マイクロメートルである。層１２の厚さ
は１マイクロメートルと３マイクロメートルとの間にあ
り、そして、回折格子部分のおのおのの長さは２００マ
イクロメートルと５００マイクロメートルとの間にあ
る。回折格子部分の間にある電気的絶縁体の長さは１０
マイクロメートルと５０マイクロメートルとの間にあ
る。したがって、この４チヤンネル装置の実施例の全長
は、１ミリメートルと２ミリメートルとの間にあるであ
ろう。
【００１２】同調可能な波長フイルタの前記構造体によ
り、伝送される波長が制御される原理は下記のように説
明されるであろう。
【００１３】光がこのフイルタを透過して伝送される特
性は、光の波長の関数として図３に示されている。異な
る周期を有するブラッグ回折格子は、異なる波長の光が
フイルタのその部分を透過するのを阻止する。その結
果、これらの回折格子に対し４個の異なる周期を選定す
ることにより、図３に示されているように、フイルタに
入射する４個の異なる波長帯域の光はこのフイルタを透
過することはできないであろう。通信装置のチヤンネ
ル、すなわち、λ1 、λ2 、λ3 およびλ4 を、このフ
イルタを透過することはできない波長に一致するように
選定することにより、この光フイルタはこのフイルタを
透過する波長信号を制御することができる。この実施例
では、電流が電極２４、２６、２８および３０に供給さ
れない時、これらの回折格子はこれらのチヤンネルを閉
じるように設計される。図４に示されているように、電
流が例えば電極２８に供給される時、この電極の下にあ
って第３チヤンネルを閉じていた導波器部分の実効屈折
率が変わり、それにより、第３チヤンネルに対応する波
長はもはや阻止されなく、このフイルタを透過すること
ができる。その結果、導波器の内側の屈折率を変える適
切な電圧を適切な電極に加えることにより、任意のチヤ
ンネルを選定することができる。
【００１４】回折格子の同調作用は、実効屈折率の変化
に基づいている。この変化は、いくつかの方法で実行す
ることができる。第１の方法は、導波器の中に自由キャ
リアを注入する方法である。自由キャリア注入の方法で
は、Ｐ−Ｉ−Ｎダイオード構造体に順方向バイアスを加
え、導波器の中にキャリアが注入される。この方法は、
Ｔ．コックおよびＵ．コーレン名の論文「コヒーレント
光フアイバ通信のための半導体レーザ」、ジャーナル・
オブ・ライトウエーブ・テクノロジィ、第８巻、第３
号、１９９０年３月、２７４頁−２９３頁、に開示され
ているように、同調可能なＤＢＲレーザに用いられる。
導波器の中の自由キャリアの欠乏もまた、実効屈折率を
変えるのに用いることができる。この場合には、導波器
２２のために用いられるＩｎＧａＡｓＰ材料に不純物添
加が行われなければならない。自由キャリア欠乏法は、
逆バイアスを加えてキャリアを導波器から追い出し、そ
れにより、実効屈折率を変える方法である。実効屈折率
はまた、電気・光学効果を用いて変えることもできる。
電気・光学効果を用いた同調では、逆バイアスされたＰ
−Ｉ−Ｎ構造体に電界を加えることにより、導波器の屈
折率が変えられる。このことは一定の体積を有する材料
の場合に実行することができるが、十分な大きさの屈折
率変化を得るためには、量子ウエルを用いることが多分
可能であるであろう。同調を得るための前記方法は、前
記以外の方法では同調を得ることができないことを意味
するものではない。他の方法もまた可能であるであろ
う。例えば、もしフイルタが、下記で説明されるよう
に、Ｓｉ基板の上のＳｉＯ2 のような誘電体材料で作成
されるならば、Ｐ−Ｉ−Ｎ構造体の全体は、導波器に接
触した単純な加熱用抵抗器で置き換えることができ、そ
れにより、熱・電気効果によって実効屈折率を変えるこ
とができる。
【００１５】この実施例では、反射形回折格子が通信装
置のチヤンネルのおのおのに対して備えられる。電流が
電極２４、２６、２８および３０に供給されていない
時、回折格子はチヤンネルのおのおのを阻止するように
設計される。すべての回折格子を精密に製作することは
困難であるから、すなわち、回折格子の波長位置決めに
小さな誤差があるから、回折格子は阻止することが予定
されているチヤンネルを阻止しないことが起こり得る。
したがって、前記で開示された方法のいずれかの方法に
より、回折格子を調整して同調を行わせることにより、
フイルタを補償することができる。さらに、もしチヤン
ネルの間隔が十分に大きく、ずれた反射帯域が隣接する
チヤンネルを阻止しないならば、フイルタはただ１つの
チヤンネルの代わりに複数個のチヤンネルを透過するこ
とが可能になる。このことが図５に示されている。図５
では、チヤンネル２およびチヤンネル３に対応する回折
格子はこのフイルタによりこれらのチヤンネルに同調し
たままであり、一方、チヤンネル１およびチヤンネル４
は阻止されたままである。このことは、このフイルタが
波長に依存したルート決定を実行する装置に用いられる
時、利点である。
【００１６】本発明の別の実施例が、図６および図７に
示されている。これらの図面に示された装置は誘電体材
料で構成された４チヤンネル・フイルタ６０であり、こ
れらの実施例は単に例示のためのものである。この実施
例は、シリカを基本とする導波器を有する。この導波器
では、ＳｉＯ2 −ＧｅＯ2 コアが、Ｓｉ基板６４の上の
ＳｉＯ2 クラッド層６２の中に埋め込まれている。同調
可能な反射形回折格子７０は、コア６６の上側表面をエ
ッチングすることにより、コア６６の上側表面に作成さ
れる。その後、コア６６の上にＳｉＯ2 クラッド層６２
が再び成長により作成される。この実施例の装置は４チ
ヤンネル装置であるので、この実施例では、導波器が４
個の部分に分割される。分割された部分のおのおのの反
射形回折格子の周期は異なる。これらの反射形回折格子
７０の同調は、熱・光学効果を利用して行われる。すな
わち、これらの回折格子の下の導波器部分の実効屈折率
が、それらの温度を変えることにより、変えられる。反
射形回折格子のおのおのの下の導波器部分の上に、加熱
用抵抗器が沈着により作成される。したがって、反射形
回折格子のおのおのの実効屈折率を、独立に制御するこ
とができる。当業者にはすぐに分かるように、Ｓｉ3 Ｎ
4 のような他の誘電体材料を用いることもできる。熱的
作用を利用した同調であるので、この実施例は、ＩｎＧ
ａＡｓＰ／ＩｎＰに比べて、多分、スイッチング時間は
長く、および、寸法が大きくなるであろう。けれども、
熱・光学効果による同調機能を備えた誘電体フイルタ
は、その製造コストが安いので、応用によってはなお用
いることが可能である。
【００１７】本発明の別の実施例では、チヤンネルのお
のおのに対し１個の回折格子を有する代わりに、部分的
に重なった反射帯域を有する多数個の回折格子と、それ
に対応した数の電極とが、光フアイバの中に用いられ
る。これらの回折格子は、入力波長帯域よりは大きい波
長帯域を完全に阻止するように設計される。使用される
帯域よりは大きい波長帯域を完全に阻止するように回折
格子を設計することにより、このフイルタは、フイルタ
の製造のさいの不完全さの対しある程度の許容度をもつ
ことになる。そこで、電極を用いて導波器部分の実効屈
折率を変え、それにより、１個または複数個のチヤンネ
ルがこのフイルタを透過することを可能にすることがで
きる。この構造体はいくつかの利点を有する。第１の利
点は、これらの回折格子は、装置の中の増幅器が原因で
生ずる、これらのチヤンネルの外側での自然放射雑音を
阻止することである。その結果、より平静な信号がフイ
ルタから出力される。さらに、もし装置のチヤンネル構
成が変更されるならば、このフイルタの再構成を電気的
に行うことができる。
【００１８】本発明のフイルタの材料および組成は、例
えばＡｌＧａＡｓ／ＧａＡｓ系材料のような他の半導体
材料で、または、例えばＴｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 などのよ
うな誘電体ざ材料で、置き換えることができる。さら
に、光導波器構造体は、平面構造体または埋め込み構造
体に限定されるわけではない。
【００１９】本発明の範囲内にあるけれどもなお前記以
外の特定の方式で、本発明を実施することが可能である
ことは、当業者にはすぐに理解されるであろう。したが
って、前記において開示された実施例はすべて例示のた
めのものであって、本発明がこれらの実施例に限定され
ることを意味するものではない。本発明は、このような
変更実施例をすべて包含するものと理解しなければなら
ない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の１つの実施例の光フイルタの縦断面
図。
【図２】図１に示された光フイルタの横断面図。
【図３】電流が装置に供給されない時、フイルタを通過
する光の透過スペクトルの１つの例を示した図。
【図４】１つのチヤンネルがフイルタを透過することが
できるように波長がずれた透過スペクトルの１つの例を
示した図。
【図５】複数個のチヤンネルがフイルタを透過すること
ができるように波長がずれた透過スペクトルの１つの例
を示した図。
【図６】本発明の別の実施例の光フイルタの縦断面図。
【図７】図６に示された光フイルタの横断面図。
【符号の説明】
１４、６４ 第１半導体基板 ２２ 導波器装置 ２０、７０ 同調可能な反射形回折格子装置 １２、１８ 絶縁体基板装置 ２４、２６、２８、３０ 電極

Claims (24)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１表面の上に備えられた第１電極装置
    を有する第１半導体基板と、 光波を伝送するために前記基板の表面の中に作成されか
    つ前記基板の表面の中で横方向に限定されている導波器
    と、 前記導波器の上の前記半導体基板の第２表面の上に備え
    られた複数個の同調可能な反射形回折格子装置と、 前記導波器の両側に備えられた絶縁体基板装置と、 前記回折格子の下の前記導波器部分の実効屈折率を変え
    るために前記同調可能な反射形回折格子のおのおのが１
    個ずつを有する複数個の電極装置と、を有する、同調可
    能な光フアイバ。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の同調可能な光フアイバに
    おいて、前記同調可能な反射形回折格子のおのおのが異
    なる周期を有する、前記同調可能な光フアイバ。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の同調可能な光フアイバに
    おいて、入射光波のチヤンネルのおのおのが複数個の前
    記同調可能反射形回折格子の中の１つの前記同調可能反
    射形回折格子により阻止される、前記同調可能な光フア
    イバ。
  4. 【請求項４】 請求項１記載の同調可能な光フアイバに
    おいて、前記実効屈折率が前記導波器の中に自由キャリ
    アを注入することにより変えられる、前記同調可能な光
    フアイバ。
  5. 【請求項５】 請求項１記載の同調可能な光フアイバに
    おいて、前記実効屈折率が前記導波器の中に自由キャリ
    アの欠乏を作成することにより変えられる、前記同調可
    能な光フアイバ。
  6. 【請求項６】 請求項１記載の同調可能な光フアイバに
    おいて、前記実効屈折率が電気・光学効果による同調作
    用により変えられる、前記同調可能な光フアイバ。
  7. 【請求項７】 請求項１記載の同調可能な光フアイバに
    おいて、電流が対応する電極に供給されない時、すべて
    のチヤンネルが阻止されるように前記回折格子が作成さ
    れる、前記同調可能な光フアイバ。
  8. 【請求項８】 請求項１記載の同調可能な光フアイバに
    おいて、前記実効屈折率が熱・光学効果による同調作用
    により変えられる、前記同調可能な光フアイバ。
  9. 【請求項９】 請求項１記載の同調可能な光フアイバに
    おいて、前記複数個の同調可能な反射形回折格子が入力
    信号の全波長領域を阻止する、前記同調可能な光フアイ
    バ。
  10. 【請求項１０】 請求項１記載の同調可能な光フアイバ
    において、前記複数個の同調可能反射形回折格子が入力
    信号の全波長領域を阻止するために部分的に重なった反
    射帯域を有する、前記同調可能な光フアイバ。
  11. 【請求項１１】 請求項１記載の同調可能な光フアイバ
    において、前記反射形回折格子が複数個のチヤンネルを
    阻止して光波が前記フイルタを透過することができな
    い、前記同調可能な光フアイバ。
  12. 【請求項１２】 第１表面の上に備えられた第１電極装
    置を有する第１半導体基板と、 光波を伝送するために前記基板の表面の中に作成されか
    つ前記基板の表面の中で横方向に限定されている導波器
    と、 前記導波器の上の前記半導体基板の第２表面の上に備え
    られ、かつ、それらのおののが通信装置の特定のチヤン
    ネルを阻止する、複数個の同調可能な反射形回折格子装
    置と、 前記導波器の両側に備えられた絶縁体基板装置と、 前記回折格子の下の前記導波器部分の実効屈折率を変え
    るための複数個の電極装置と、を有する、複数個のチヤ
    ンネルを備えた通信装置のための同調可能な光フアイ
    バ。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、前記実効屈折率が前記導波器の中に自由キ
    ャリアを注入することにより変えられる、前記同調可能
    な光フアイバ。
  14. 【請求項１４】 請求項１２記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、前記実効屈折率が前記導波器の中に自由キ
    ャリアの欠乏を作成することにより変えられる、前記同
    調可能な光フアイバ。
  15. 【請求項１５】 請求項１２記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、前記実効屈折率が電気・光学効果による同
    調作用により変えられる、前記同調可能な光フアイバ。
  16. 【請求項１６】 請求項１２記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、電流が前記電極に供給されない時、前記回
    折格子がすべてのチヤンネルが阻止する、前記同調可能
    な光フアイバ。
  17. 【請求項１７】 請求項１２記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、前記実効屈折率が熱・光学効果による同調
    作用により変えられる、前記同調可能な光フアイバ。
  18. 【請求項１８】 基板と、 前記基板の上に備えられた誘電体クラッド層と、 前記クラッド層の表面の中に作成され、かつ、前記クラ
    ッド層の表面の中で横方向に限定されている、導波器装
    置と、 前記導波器の上に備えられた複数個の同調可能な反射形
    回折格子装置と、 前記クラッド層の上に配置され、かつ、前記回折格子の
    下の前記導波器の実効屈折率を変えるために前記同調可
    能な反射形回折格子のおのおのに備えられた、複数個の
    加熱装置と、を有する、同調可能な光フアイバ。
  19. 【請求項１９】 請求項１８記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、同調可能な反射形回折格子のおのおのが異
    なる周期を有する、前記同調可能な光フアイバ。
  20. 【請求項２０】 請求項１８記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、入射光波のチヤンネルのおのおのが複数個
    の前記同調可能な反射形回折格子の中の１つの前記同調
    可能な反射形回折格子により阻止される、前記同調可能
    な光フアイバ。
  21. 【請求項２１】 請求項１８記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、前記実効屈折率が熱・光学効果による同調
    作用により変えられる、前記同調可能な光フアイバ。
  22. 【請求項２２】 請求項１８記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、前記複数個の同調可能な反射形回折格子が
    入力信号の全波長領域を阻止する、前記同調可能な光フ
    アイバ。
  23. 【請求項２３】 請求項１８記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、前記複数個の同調可能な反射形回折格子が
    入力信号の全波長領域を阻止するために部分的に重なっ
    た反射帯域を有する、前記同調可能な光フアイバ。
  24. 【請求項２４】 請求項１８記載の同調可能な光フアイ
    バにおいて、前記複数個の同調可能な反射形回折格子が
    複数個のチヤンネルを阻止して光波が前記フイルタを透
    過することができない、前記同調可能な光フアイバ。
JP5201504A 1992-08-14 1993-08-13 同調可能な光フアイバ Pending JPH06160655A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US92944892A 1992-08-14 1992-08-14
US929448 1992-08-14

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH06160655A true JPH06160655A (ja) 1994-06-07

Family

ID=25457877

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5201504A Pending JPH06160655A (ja) 1992-08-14 1993-08-13 同調可能な光フアイバ

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5459799A (ja)
JP (1) JPH06160655A (ja)
CA (1) CA2101411C (ja)
DE (1) DE4327102A1 (ja)
FR (1) FR2694816B1 (ja)
GB (1) GB2269679B (ja)
SE (1) SE510040C2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002510065A (ja) * 1998-03-30 2002-04-02 コーニング・インコーポレーテッド 可変光ファイバ・ブラッグ・長周期グレーティング
KR100472712B1 (ko) * 2002-10-30 2005-03-11 한국과학기술연구원 광섬유 격자, 그 격자의 유효굴절률 제어방법 및 이를이용한 광섬유 소자

Families Citing this family (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE470454B (sv) * 1992-08-26 1994-04-11 Ericsson Telefon Ab L M Optisk filteranordning
FR2725527B1 (fr) * 1994-10-10 1996-12-20 Talneau Anne Filtre optique pour plusieurs longueurs d'ondes guidees
US5671307A (en) * 1995-04-10 1997-09-23 Universite Laval Use of a temperature gradient to impose a chirp on a fibre bragg grating
FR2737942B1 (fr) * 1995-08-18 1997-11-07 Delorme Franck Composant d'emission laser accordable en longueur d'onde par variation d'absorption
US5699378A (en) * 1995-10-06 1997-12-16 British Telecommunications Public Limited Company Optical comb filters used with waveguide, laser and manufacturing method of same
US6198863B1 (en) 1995-10-06 2001-03-06 British Telecommunications Public Limited Company Optical filters
IL119006A (en) 1996-08-04 2001-04-30 B G Negev Technologies And App Optical filters with adjustable stay line
GB9616839D0 (en) * 1996-08-10 1996-09-25 Northern Telecom Ltd Optical waveguide bragg reflection gratings
US6078709A (en) * 1997-11-12 2000-06-20 Lucent Technologies Inc. Method and apparatus for monitoring multi-wavelength optical systems
US6256428B1 (en) 1999-02-19 2001-07-03 Corning Incorporated Cascading of tunable optical filter elements
US6389199B1 (en) * 1999-02-19 2002-05-14 Corning Incorporated Tunable optical add/drop multiplexer
DE69924707T2 (de) * 1998-02-20 2006-03-02 E.I. Du Pont De Nemours And Co., Wilmington Abstimmbarer optischer einfüge-/ausblendmultiplexer
GB2344657A (en) * 1998-11-06 2000-06-14 Univ Heriot Watt Wavelength selective optical filter
US6208773B1 (en) * 1999-02-18 2001-03-27 Trw Inc. Addressable, semiconductor adaptable Bragg gratings (ASABG)
AUPP930799A0 (en) * 1999-03-18 1999-04-15 University Of Sydney, The Optical planar waveguide device and method of its fabrication
US6400855B1 (en) 1999-04-16 2002-06-04 Radiant Photonics, Inc. N × N optical switching array device and system
JP3038383B1 (ja) * 1999-06-08 2000-05-08 東京大学長 光デバイス
US6411746B1 (en) 2000-01-18 2002-06-25 Corning Incorporated Thermally tunable optical devices
US6486999B1 (en) * 2000-03-15 2002-11-26 Agere Systems Inc. Using crystalline materials to control the thermo-optic behavior of an optical path
GB2362720A (en) * 2000-05-25 2001-11-28 Roke Manor Research Improvements in or relating to optical switching
US6888863B1 (en) 2000-06-30 2005-05-03 Lucent Technologies Inc. System comprising optical semiconductor waveguide device
GB2365994B (en) * 2000-08-18 2002-10-30 Marconi Comm Ltd Tunable optical filter
GB0101343D0 (en) * 2001-01-19 2001-03-07 Secr Defence Electro-optic waveguide device
WO2002065180A1 (de) * 2001-02-15 2002-08-22 Infineon Technologies Ag Anordnung zum multiplexen und/oder demultiplexen der signale einer mehrzahl optischer datenkanäle und verfahren zur herstellung der anordnung
GB0111049D0 (en) * 2001-05-04 2001-06-27 Bookham Technology Plc Optic device and method of operating the same
US6947615B2 (en) 2001-05-17 2005-09-20 Sioptical, Inc. Optical lens apparatus and associated method
US6658173B2 (en) 2001-05-17 2003-12-02 Optronx, Inc. Interferometer and method of making same
US6912330B2 (en) * 2001-05-17 2005-06-28 Sioptical Inc. Integrated optical/electronic circuits and associated methods of simultaneous generation thereof
US6898352B2 (en) * 2001-05-17 2005-05-24 Sioptical, Inc. Optical waveguide circuit including passive optical waveguide device combined with active optical waveguide device, and method for making same
US6625348B2 (en) * 2001-05-17 2003-09-23 Optron X, Inc. Programmable delay generator apparatus and associated method
US6690844B2 (en) * 2001-05-17 2004-02-10 Optronx, Inc. Optical fiber apparatus and associated method
US6608945B2 (en) 2001-05-17 2003-08-19 Optronx, Inc. Self-aligning modulator method and associated apparatus
US6654511B2 (en) * 2001-05-17 2003-11-25 Sioptical, Inc. Optical modulator apparatus and associated method
US6891985B2 (en) * 2001-05-17 2005-05-10 Sioptical, Inc. Polyloaded optical waveguide devices and methods for making same
US6646747B2 (en) 2001-05-17 2003-11-11 Sioptical, Inc. Interferometer apparatus and associated method
US6760498B2 (en) * 2001-05-17 2004-07-06 Sioptical, Inc. Arrayed waveguide grating, and method of making same
US6891685B2 (en) * 2001-05-17 2005-05-10 Sioptical, Inc. Anisotropic etching of optical components
US6603889B2 (en) * 2001-05-17 2003-08-05 Optronx, Inc. Optical deflector apparatus and associated method
US6738546B2 (en) * 2001-05-17 2004-05-18 Sioptical, Inc. Optical waveguide circuit including multiple passive optical waveguide devices, and method of making same
US6842546B2 (en) * 2001-05-17 2005-01-11 Sioptical, Inc. Polyloaded optical waveguide device in combination with optical coupler, and method for making same
US6748125B2 (en) 2001-05-17 2004-06-08 Sioptical, Inc. Electronic semiconductor control of light in optical waveguide
US6690863B2 (en) 2001-05-17 2004-02-10 Si Optical, Inc. Waveguide coupler and method for making same
US6546167B1 (en) 2001-12-11 2003-04-08 Corning Incorporated Tunable grating optical device
JP2003195234A (ja) * 2001-12-27 2003-07-09 Mitsubishi Electric Corp 可変分散補償装置及び可変分散補償装置用の基板
JP3938498B2 (ja) * 2001-12-28 2007-06-27 富士通株式会社 光波長フィルタ
FI114945B (fi) * 2002-09-19 2005-01-31 Nokia Corp Sähköisesti säädettävä diffraktiivinen hilaelementti
WO2004044644A2 (en) * 2002-11-13 2004-05-27 Infoturn, Inc. Method and apparatus for a dynamically reconfigurable waveguide in an ingrated circuit
FR2848679B1 (fr) * 2002-12-16 2005-04-08 Teem Photonics Composant de filtrage en optique integree comprenant une gaine optique ainsi que son procede de realisation
US8792531B2 (en) 2003-02-25 2014-07-29 Finisar Corporation Optical beam steering for tunable laser applications
US8509582B2 (en) * 2005-08-30 2013-08-13 Rambus Delaware Llc Reducing light leakage and improving contrast ratio performance in FTIR display devices
WO2008080171A1 (en) 2006-12-22 2008-07-03 Finisar Corporation Optical transmitter having a widely tunable directly modulated laser and periodic optical spectrum reshaping element
US7941057B2 (en) 2006-12-28 2011-05-10 Finisar Corporation Integral phase rule for reducing dispersion errors in an adiabatically chirped amplitude modulated signal
US8131157B2 (en) 2007-01-22 2012-03-06 Finisar Corporation Method and apparatus for generating signals with increased dispersion tolerance using a directly modulated laser transmitter
WO2008097928A1 (en) 2007-02-02 2008-08-14 Finisar Corporation Temperature stabilizing packaging for optoelectronic components in a transmitter module
US8027593B2 (en) 2007-02-08 2011-09-27 Finisar Corporation Slow chirp compensation for enhanced signal bandwidth and transmission performances in directly modulated lasers
US7991291B2 (en) 2007-02-08 2011-08-02 Finisar Corporation WDM PON based on DML
US8204386B2 (en) 2007-04-06 2012-06-19 Finisar Corporation Chirped laser with passive filter element for differential phase shift keying generation
US7991297B2 (en) 2007-04-06 2011-08-02 Finisar Corporation Chirped laser with passive filter element for differential phase shift keying generation
US7760777B2 (en) * 2007-04-13 2010-07-20 Finisar Corporation DBR laser with improved thermal tuning efficiency
US7778295B2 (en) * 2007-05-14 2010-08-17 Finisar Corporation DBR laser with improved thermal tuning efficiency
US8160455B2 (en) * 2008-01-22 2012-04-17 Finisar Corporation Method and apparatus for generating signals with increased dispersion tolerance using a directly modulated laser transmitter
US8260150B2 (en) 2008-04-25 2012-09-04 Finisar Corporation Passive wave division multiplexed transmitter having a directly modulated laser array
US8199785B2 (en) 2009-06-30 2012-06-12 Finisar Corporation Thermal chirp compensation in a chirp managed laser
US9172211B2 (en) * 2011-11-09 2015-10-27 Thorlabs Quantum Electronics, Inc. Heating elements for multi-wavelength DBR laser
US8873963B2 (en) 2012-07-25 2014-10-28 Doron Handelman Apparatus and methods for generating and receiving optical signals at substantially 100Gb/s and beyond
US10727640B2 (en) * 2018-12-27 2020-07-28 Intel Corporation Multi-wavelength laser

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4278327A (en) * 1979-11-26 1981-07-14 Sperry Corporation Liquid crystal matrices
GB8502013D0 (en) * 1985-01-26 1985-02-27 Plessey Co Plc Integrated optical device
JPS61255085A (ja) * 1985-05-08 1986-11-12 Mitsubishi Electric Corp 半導体レ−ザ装置
US4750801A (en) * 1985-09-30 1988-06-14 American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories Optical waveguide resonator filters
US4830448A (en) * 1985-10-11 1989-05-16 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light modulator and wave guide device
JPS62260120A (ja) * 1986-05-07 1987-11-12 Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> 半導体外部光変調器
JP2825508B2 (ja) * 1987-10-09 1998-11-18 株式会社日立製作所 半導体レーザ装置および光通信システム
JPH01186918A (ja) * 1988-01-20 1989-07-26 Nec Corp 光分波器
NL8801561A (nl) * 1988-06-17 1990-01-16 Imec Inter Uni Micro Electr Inrichting voor optische signaalverwerking met transistorwerking.
US4930117A (en) * 1988-06-24 1990-05-29 The Boeing Company Wavelength division multiplexing system using optical switch
JPH0262501A (ja) * 1988-08-29 1990-03-02 Nec Corp 半導体可変波長フィルタ
US4923264A (en) * 1989-01-18 1990-05-08 University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education Resonance coupled optical coupler with semiconductor waveguide layer comprising a multi-quantum-well structure
EP0391334B1 (en) * 1989-04-04 1994-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and wavelength selective fitter, and methods of driving the same
FR2655433B1 (fr) * 1989-12-01 1992-06-26 France Etat Procede et dispositif de modulation electro-optique, utilisant la transition oblique a basse energie d'un super-reseau tres couple.
US5022730A (en) * 1989-12-12 1991-06-11 At&T Bell Laboratories Wavelength tunable optical filter
US5048907A (en) * 1990-02-23 1991-09-17 Amoco Corporation Electric field induced quantum well waveguides
DE69220585T2 (de) * 1991-01-22 1998-02-05 Canon Kk Lichtdetektor-Vorrichtungen für mehrere Wellenlängen mit reihenweise angeordneten Gitter-Richtkopplern

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002510065A (ja) * 1998-03-30 2002-04-02 コーニング・インコーポレーテッド 可変光ファイバ・ブラッグ・長周期グレーティング
KR100472712B1 (ko) * 2002-10-30 2005-03-11 한국과학기술연구원 광섬유 격자, 그 격자의 유효굴절률 제어방법 및 이를이용한 광섬유 소자

Also Published As

Publication number Publication date
SE9302543D0 (sv) 1993-08-02
CA2101411C (en) 2003-06-10
GB9315730D0 (en) 1993-09-15
FR2694816A1 (fr) 1994-02-18
FR2694816B1 (fr) 1995-11-17
US5459799A (en) 1995-10-17
GB2269679B (en) 1996-05-22
SE510040C2 (sv) 1999-04-12
SE9302543L (sv) 1994-02-15
DE4327102A1 (de) 1994-02-17
CA2101411A1 (en) 1994-02-15
GB2269679A (en) 1994-02-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH06160655A (ja) 同調可能な光フアイバ
JP3323725B2 (ja) 偏波変調レーザ、その駆動方法及びそれを用いた光通信システム
US4885753A (en) Semiconductor laser device of variable wavelength type
JP3067880B2 (ja) 回折格子を有する光検出装置
KR100411871B1 (ko) 발광 장치
EP1159774B1 (en) A tunable laser source with an integrated wavelength monitor and method of operating same
US5606573A (en) Method and apparatus for control of lasing wavelength in distributed feedback lasers
EP1218988A1 (en) Integrated wavelength tunable single and two-stage all-optical wavelength converter
JP2019008179A (ja) 半導体光素子
US7065300B1 (en) Optical transmitter including a linear semiconductor optical amplifier
US4976513A (en) Tunable wavelength filter
JP3630977B2 (ja) 位相調整領域を有するレーザ及びその使用法
US5440581A (en) Semiconductor optical filter and an optical communication system using the same
JP3246703B2 (ja) 偏波変調可能な半導体レーザおよびこれを用いた光通信方式
US7310363B1 (en) Integrated wavelength tunable single and two-stage all-optical wavelength converter
CA2267018C (en) Optical wavelength converter with active waveguide
JP2655600B2 (ja) 光フィルタ素子
Numai Semiconductor wavelength tunable optical filters
Numai 1.5 mu m two-section Fabry-Perot wavelength tunable optical filter
Alibert et al. A new tunable laser using a single electroabsorption tuning super structure grating for subnanosecond switching applications
JPH0667126A (ja) 半導体波長フィルタ及び半導体レーザ
JP3303653B2 (ja) 半導体レーザ装置、その駆動方法及びそれを用いた光通信システム
JPH05175586A (ja) 半導体波長可変素子
JPH01244431A (ja) 可変波長フィルタ
JP2747615B2 (ja) 波長可変フィルター

Legal Events

Date Code Title Description
A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20050418

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20050421

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050711