JPH0554203B2 - - Google Patents

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JPH0554203B2
JPH0554203B2 JP14365387A JP14365387A JPH0554203B2 JP H0554203 B2 JPH0554203 B2 JP H0554203B2 JP 14365387 A JP14365387 A JP 14365387A JP 14365387 A JP14365387 A JP 14365387A JP H0554203 B2 JPH0554203 B2 JP H0554203B2
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Japan
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semiconductive
weight
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tape
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Takashi Maeda
Kenji Nagai
Susumu Takahashi
Toshio Niwa
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Fujikura Ltd
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Fujikura Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

[産業上の利用分野] この発明は、電力ケーブル、およびその接続な
どの際に用いられる半導電性混和物に関する。 [従来の技術] 電力ケーブル、得に高圧用電力ケーブルでは、
その導体の直上ならびに絶縁被覆の外側に半導電
性混和物で被覆したものが使用されている。 従来より、このような目的に使用される半導電
性混和物として、ゴムあるいはエチレン−酢酸ビ
ニル共重合体(EVA)等の樹脂に、導電性カー
ボンブラツクを配合した半導電性混和物が使用さ
れている。また、上記ケーブルを接続する際、こ
の接続部に半導電性被覆を形成するためには、上
記半導電性混和物からなる半導電性テープあるい
は半導電性チユーブも多用されている。 この従来の半導電性テープは、上記EVA等か
らなる樹脂に導電性カーボンブラツクと架橋剤を
配合してなる半導電性混和物をテープ状に押出成
型したもので、ケーブルの導線接続部の直上い絶
縁被覆の外側などの所定部分に、この反導電性テ
ープを巻き付け、可燃することにより半導電性被
覆を形成するようになつている。 また、半導電性チユーブは、上記半導電性混和
物をチユーブ状に押出成型したもの、もしくは上
記半導電性テープを円形芯金に多重に巻き付け所
望の厚さにした後、半導電性混和物の融点以上に
加熱してテープを溶融一体化し、冷却して芯金を
取り除いてチユーブ状としたもので、ケーブルの
導電接続部の直上や絶縁被覆の外側などの所定部
分に半導体性被覆を形成するようになつている。 ここで、この半導電性被覆を形成する半導電性
混和物としては、架橋ポリエチレンとの接着性が
十分であることの他に、上述のようなテープ状あ
るいはチユーブ状への成型加工性が優れているこ
と、また、半導電性被覆を形成した際に、良好な
電気的、機械的特性が得られることなどの性質が
要求される。 [発明が解決しようとする問題点] 電力ケーブルを接続する際、この接続部に半導
電性被覆を形成するには、CVケーブルの絶縁材
料に使用されている架橋ポリエチレンの軟化温
度、ならびに半導電性被覆を形成する半導電性混
和物の融点等の制約から、この接続部の加熱温度
を130〜160℃程度にしておくことが望ましい。そ
のため、この温度範囲での加熱によつて、半導電
性混和物中に混入された架橋剤がその効果を発揮
し、電気的、機械的に良好な特性を持つ半導電性
被覆を形成するためには、樹脂に配合する架橋剤
が120〜150℃と比較的低い分解温度(半減期が1
時間を示す温度)を持つものに限定される。 ところが、従来の半導電性混和物においては、
このような限られた架橋剤を配合した場合、その
テープ状あるいはチユーブ状に成形する加工段階
で、既に架橋反応が進行することによつて押出性
が不良となり、半導電性部材を作成することが困
難となるといつた問題があつた。また、半導電性
部材の作成が可能であつても、半導電性被覆の電
気的、機械的特性が良好でないといつた問題があ
つた。 得に、従来のEVA樹脂をベースにした半導電
性混和物においては、上記の問題以外にも、
CVAケーブルの絶縁材料に使用されている架橋
ポリエチレンとの接着性が悪く、ポリエチレン絶
縁体と半導電性被覆とが緊密に接着できないとい
う大きな問題があつた。 [問題点を解決するための手段] この発明では、エチルアクリレート含有量が15
〜25%であり、かつMFRが3〜15であるエチレ
ン−エチルアクリレート共重合体50〜90重量部
と、MFRが2〜10の直鎖状低密度ポリエチレン
50〜10重量部とからなる混合樹脂100重量部に、
導電性カーボンブラツクを40〜70重量部と、半減
期が1時間を示す温度が120〜150℃である有機過
酸化物系の架橋剤0.2〜5重量部を配合とするこ
とを、その解決手段とする。 以下、この発明の半導電性混和物について、詳
細に説明する。 この発明の半導電性混和物に用いられるエチレ
ン−エチルアクリレート共重合体(以下、EEA
と記す)は、EEA中のエチルアクリレート含有
量が15〜25重量%であり、かつMFRが3〜15の
ものである。エチルアクリレート含有量が15%未
満のものは、半導電性混和物の伸びが不足し、ま
たエチルアクリレート含有量が25%を越えるもの
は、半導電性混和物の強度が不足する。また、
EEAのMFRが3未満のものは、半導電性混和物
の加工性が悪化し、15を越えるものは、半導電性
混和物の伸び、強度がともに不足する。 半導電性混和物に用いられる直鎖状低密度ポリ
エチレン(以下、L−LDPEと記す)は、MFR
が2〜10のものである。MFRGF2未満のものは、
半導電性混和物の加工性が悪化し、10を越えるも
のは、半導電性混和物の伸び、強度がともに不足
する。 上記EEAとL−LDPEとは、EEAが50〜90重
量部、L−LDPEが50〜10重量部とを混合して用
いられる。この混合樹脂中のL−LDPEが50重量
部を越えるものは、半導電性混和物の伸びが不足
するとともに、柔軟性が悪化する。また、L−
LDPEが10重量部未満のものでは、半導電性混和
物の体積抵抗率が高くなつてしまう。 また、半導電性混和物に用いられる導電性カー
ボンブラツク(以下、カーボンと略記する)は、
アセチレンブラツク、フアーネス系ブラツク等の
市販品で良く、例示すると、デンカブラツク(電
気化学工業社製)、バルカンXC−72(キヤボツト
社製)等が好適に使用される。このカーボンは、
上記EEAとL−LDPEとの混合樹脂100重量部に、
40〜70重量部を配合する。このカーボン配合量が
40重量部未満であると、半導電性混和物の導電性
が不足する。また、カーボン配合量が70重量部を
越えると、半導電性混和物の伸びが不足するとと
もに、加工性が悪化してしまう。 次に、上記の半導電性混和物に配合される架橋
剤は、その半減期が1時間になる温度120〜150℃
程度の有機過酸化物系のものである。この温度が
120℃未満のものは、分解反応が速く、半導電性
混和物の押出加工性を悪化させる。また、この温
度が150℃を越えると、分解反応が遅く、半導電
性混和物の押し出し加工性は良好になるが、半導
電性被覆の架橋が困難となり、十分な伸び、強度
を持つ半導電性被覆が得られない。この条件を満
足する架橋剤として例示すると、ジクミルパーオ
キサイド(以下、DCPと略記する)や、1,3
−ビス−(t−ブチルパーオキシ−イソプロピル)
ベンゼンが好適に使用される。この架橋剤は、上
記EEAとL−LDPEとの混合樹脂100重量部に、
0.2〜5重量部配合する。架橋剤の種類によつて、
好適な配合量は異なるが、一般的には、0.2重量
部未満では半導電性被覆の架橋が十分でなく、満
足する伸び、強度等の物性が得られない。また、
この配合量が5重量部を越えると、半導電性混和
物の押出加工性が低下してしまう。 この半導電性混和物は、上記した各成分が各々
の配合率に従つて配合されていれば良く、上記各
成分の他、例えば老化防止剤、加工助剤等の他の
成分を配合しても良い。 この半導電性混和物は、従来の半導電性混和物
に比べ、樹脂配合時に適当な架橋剤を混入してお
くことにより、その半導電性被覆を形成する際
に、半導電性被覆層として優秀な性能を発揮す
る。すなわち、半導電性混和物をテープ状あるい
はチユーブ状に成形する際、架橋して押出加工性
が低下するといつた不都合なく、良好な半導電性
テープが得られる。また、従来の半導電性混和物
のように、シート状あるいはテープ状に加工した
後、電子線照射等の方法により架橋する必要がな
く、半導電性被覆形成の際の加熱により、被覆と
同時に架橋反応が十分に進行し、十分な電気的、
機械的物性を持つ半導電性被覆を得ることができ
る。その上、従来の半導電性混和物に比べ、架橋
ポリエチレンとの接着性の点からも優れている。 このような半導電性混和物は、押出被覆法によ
り電力ケーブルの内部または外部半導電層とされ
る他、これをテープ状やチユーブ状に形成した半
導電性部材としても使用される。 この半導電性テープは、例えば押出機によりテ
ープ状に押出加工することによつて得られ、これ
をケーブル、管路、棒などの目的物の外側に多重
に巻き付け、このテープを加熱することによつて
この半導電性テープを架橋しながら、ケーブル等
の目的物を被覆するようにしたものである。 また、第1図は、この半導電性チユーブの一例
を示すものである。この図に示されているチユー
ブ1は、上述の半導電性混和物を用いて、円筒状
に成形したものである。このチユーブ1は、ケー
ブル、管路、棒などの目的物に嵌挿し、チユーブ
1をバーナーなどで加熱することによつて、この
半導電性チユーブ1をケーブル等の目的物に被覆
できるようにしたものである。 また、この半導電性テープおよび半導電性チユ
ーブは、延伸などの方法により拡大して、加熱し
た際に収縮性を持つ半導電性テープあるいは半導
電性チユーブとすることもできる。 [実施例] この発明の実施例(4例)並びに比較例(4
例)の各々の半導電性混和物を、第1表に示す配
合量に従つて製造した。
[Industrial Application Field] The present invention relates to a power cable and a semiconductive mixture used for connection thereof. [Conventional technology] Power cables, especially high-voltage power cables,
A material coated with a semiconductive mixture directly above the conductor and outside the insulating coating is used. Traditionally, semiconductive mixtures used for such purposes include conductive carbon black mixed with rubber or resins such as ethylene-vinyl acetate copolymer (EVA). ing. Further, when connecting the above-mentioned cables, a semi-conductive tape or a semi-conductive tube made of the above-mentioned semi-conductive mixture is often used in order to form a semi-conductive coating on the connecting portion. This conventional semiconductive tape is made by extrusion molding a semiconductive mixture made of a resin such as EVA, conductive carbon black, and a crosslinking agent into a tape shape, and is placed directly above the conductor connection part of the cable. This anti-conductive tape is wrapped around a predetermined portion, such as the outside of the semi-conductive insulation coating, and is combustible to form a semi-conductive coating. The semi-conductive tube is formed by extruding the above-mentioned semi-conductive mixture into a tube shape, or by wrapping the above-mentioned semi-conductive tape around a circular core bar multiple times to obtain a desired thickness, and then forming the semi-conductive mixture into a tube shape. The tape is heated above the melting point of the cable to melt it into one piece, then cooled and the core bar is removed to form a tube. A semiconducting coating is formed on designated areas such as directly above the conductive connection of the cable and outside the insulation coating. I'm starting to do that. Here, the semiconductive mixture that forms this semiconductive coating should not only have sufficient adhesion with the crosslinked polyethylene but also have excellent moldability into tape or tube shapes as described above. It is also required to have properties such as good electrical and mechanical properties when a semiconductive coating is formed. [Problems to be Solved by the Invention] When connecting power cables, in order to form a semiconductive coating on the connection part, it is necessary to Due to constraints such as the melting point of the semiconductive mixture forming the conductive coating, it is desirable to keep the heating temperature of this connection part at about 130 to 160°C. Therefore, by heating in this temperature range, the crosslinking agent mixed in the semiconductive mixture exhibits its effect and forms a semiconductive coating with good electrical and mechanical properties. The crosslinking agent added to the resin has a relatively low decomposition temperature of 120 to 150℃ (half-life is 1
Temperature that indicates time). However, in conventional semiconducting mixtures,
If such a limited amount of crosslinking agent is blended, the crosslinking reaction will already proceed during the process of forming the material into a tape or tube shape, resulting in poor extrudability, resulting in the creation of a semiconductive member. A problem arose that made it difficult. Further, even if it is possible to create a semiconductive member, there is a problem that the electrical and mechanical properties of the semiconductive coating are not good. In particular, in addition to the above-mentioned problems, semiconductive mixtures based on conventional EVA resins also have
There was a major problem in that the adhesion to the crosslinked polyethylene used as the insulating material for CVA cables was poor, and the polyethylene insulator and semiconductive coating could not be tightly bonded. [Means for solving the problem] In this invention, the ethyl acrylate content is 15
~25% and 50 to 90 parts by weight of ethylene-ethyl acrylate copolymer having an MFR of 3 to 15, and linear low density polyethylene having an MFR of 2 to 10.
100 parts by weight of a mixed resin consisting of 50 to 10 parts by weight,
The solution is to mix 40 to 70 parts by weight of conductive carbon black and 0.2 to 5 parts by weight of an organic peroxide-based crosslinking agent whose half-life is 1 hour at a temperature of 120 to 150°C. shall be. Hereinafter, the semiconductive mixture of the present invention will be explained in detail. Ethylene-ethyl acrylate copolymer (hereinafter referred to as EEA) used in the semiconductive mixture of this invention
) has an ethyl acrylate content of 15 to 25% by weight in EEA and an MFR of 3 to 15. If the ethyl acrylate content is less than 15%, the elongation of the semiconductive mixture will be insufficient, and if the ethyl acrylate content exceeds 25%, the strength of the semiconductive mixture will be insufficient. Also,
If the EEA MFR is less than 3, the processability of the semiconductive mixture deteriorates, and if it exceeds 15, the elongation and strength of the semiconductive mixture are insufficient. Linear low-density polyethylene (hereinafter referred to as L-LDPE) used for semiconductive mixtures is MFR
is between 2 and 10. Those less than MFRGF2 are
The processability of the semiconductive mixture deteriorates, and if it exceeds 10, the elongation and strength of the semiconductive mixture are insufficient. The above EEA and L-LDPE are used by mixing 50 to 90 parts by weight of EEA and 50 to 10 parts by weight of L-LDPE. If the mixed resin contains more than 50 parts by weight of L-LDPE, the semiconductive mixture will not have sufficient elongation and will have poor flexibility. Also, L-
If the LDPE is less than 10 parts by weight, the volume resistivity of the semiconductive mixture will be high. In addition, conductive carbon black (hereinafter abbreviated as carbon) used in semiconductive mixtures is
Commercially available products such as acetylene black and furnace black may be used. For example, Denka Black (manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.) and Vulcan XC-72 (manufactured by Kabot Corporation) are preferably used. This carbon is
To 100 parts by weight of the mixed resin of the above EEA and L-LDPE,
Add 40 to 70 parts by weight. This carbon content is
If the amount is less than 40 parts by weight, the conductivity of the semiconductive mixture will be insufficient. Furthermore, if the carbon content exceeds 70 parts by weight, the elongation of the semiconductive mixture will be insufficient and workability will deteriorate. Next, the crosslinking agent added to the above semiconductive mixture is heated at a temperature of 120 to 150°C, at which its half-life is 1 hour.
It is an organic peroxide type product. This temperature
If the temperature is lower than 120°C, the decomposition reaction is rapid and the extrusion processability of the semiconductive mixture is deteriorated. If this temperature exceeds 150°C, the decomposition reaction will be slow and the extrusion processability of the semiconductive mixture will be good, but it will be difficult to crosslink the semiconductive coating, and the semiconductive mixture will have sufficient elongation and strength. No coverage is obtained. Examples of crosslinking agents that satisfy this condition include dicumyl peroxide (hereinafter abbreviated as DCP), 1,3
-bis-(t-butylperoxy-isopropyl)
Benzene is preferably used. This crosslinking agent was added to 100 parts by weight of the mixed resin of EEA and L-LDPE.
Add 0.2 to 5 parts by weight. Depending on the type of crosslinking agent,
Although the preferred amount varies, in general, if the amount is less than 0.2 parts by weight, crosslinking of the semiconductive coating will not be sufficient and satisfactory physical properties such as elongation and strength will not be obtained. Also,
If this amount exceeds 5 parts by weight, the extrusion processability of the semiconductive mixture will deteriorate. This semiconductive mixture may contain the above-mentioned components according to their respective compounding ratios, and may also contain other components such as anti-aging agents and processing aids in addition to the above-mentioned components. Also good. Compared to conventional semiconductive mixtures, this semiconductive mixture can be used as a semiconductive coating layer when forming the semiconductive coating by mixing an appropriate crosslinking agent when compounding the resin. Demonstrates excellent performance. That is, when a semiconductive mixture is formed into a tape or tube shape, a good semiconductive tape can be obtained without the disadvantages such as deterioration of extrusion processability due to crosslinking. In addition, unlike conventional semiconducting mixtures, there is no need to process it into a sheet or tape shape and then crosslink it using methods such as electron beam irradiation. The cross-linking reaction has progressed sufficiently, and there is sufficient electrical
A semiconducting coating with mechanical properties can be obtained. Moreover, it is superior to conventional semiconductive mixtures in terms of adhesion to crosslinked polyethylene. Such a semiconductive mixture is used as an internal or external semiconductive layer of a power cable by an extrusion coating method, and is also used as a semiconductive member formed into a tape or tube shape. This semiconductive tape is obtained by extruding it into a tape shape using an extruder, for example, and by wrapping it multiple times around the outside of an object such as a cable, conduit, or rod, and then heating the tape. Therefore, this semiconductive tape is used to cover objects such as cables while being crosslinked. Moreover, FIG. 1 shows an example of this semiconductive tube. The tube 1 shown in this figure is formed into a cylindrical shape using the above-mentioned semiconductive mixture. This tube 1 is inserted into an object such as a cable, conduit, or rod, and by heating the tube 1 with a burner or the like, the semiconductive tube 1 can be coated on the object such as a cable. It is something. Further, the semiconductive tape and semiconductive tube can be expanded by a method such as stretching to form a semiconductive tape or semiconductive tube that has shrinkability when heated. [Example] Examples (4 examples) and comparative examples (4 examples) of this invention
Each of the semiconducting mixtures in Example) was prepared according to the blending amounts shown in Table 1.

【表】【table】

【表】 上記各配合成分は、EEAが日石レクスロン
EEA A−1100(エチルアクリレート含有量10%、
MFR0.4)、EEAが日石レクスロンEEA A−
4200(エチルアクリレート含有量20%、MFR5)、
EEAが日石レクスロンEEA A−6170(エチル
アクリレート含有量17%、MFR20、以上の各
EEAはいずれも日本石油化学社製)、L−LDPE
がウルトゼツクス3010F(MFR1.3)、L−
LDPEがウルトゼツクス2020L(MFR2.1)、L
−LDPEがウルトゼツクス20100J(MFR8)、L
−LDPEがウルトゼツクス20200J(MFR18、以
上の各L−LDPEはいずれも三井石油化学社製)、
EVAがエバフレツクス260(三井、デユポン、ポ
リケミカル社製)、カーボンがデンカブラツク
(電気化学工業社製)、老化防止剤がノクラツク
300(大内新興社)、加工助剤がステアリン酸亜鉛、
架橋剤がジクミルパーオキサイド(パークミル
D、DCP、日本石油脂社製)を用いた。 各半導電性混和物は、上記の各成分をミキシン
グロールにより加熱下に根練りして製造し、これ
によつて得られた各々の半導電性混和物を用い
て、次の各試験を行つた。 まず、これらの半導電性混和物をプレスして、
1mm厚のシートを作製した。この際のプレス条件
は、温度160℃、時間40分である。ここで得られ
た各々のシートの、60℃における体積抵抗率と、
JISK7113−1981による伸び(引張破壊伸び)お
よび強度(引張破壊強さ)を測定した。 次に、上記の半導電性混和物から、50mmの押出
機により、幅150mmのTダイを用いて、幅150mm、
厚さ0.2mmのテープを作製し、この押出操作の難
易性から押出性を調べた。すなわち、連続的に安
定して押出すことができたものを押出性「良」と
し、Tダイ内でスコーチをおこし連続的に押出す
ことのできなかつたものを押出性「不良」とし
た。 次いで、上述の押出成型によりテープ状物が得
られたもののみについて、その各半導電性テープ
のCVケーブル(6.6KV、200mm2)の架橋ポリエチ
レン絶縁体上に巻き付け、150℃で90分加熱した。
加熱後、このテープを剥離することにより半導電
性テープの接着性を調べた。すなわち、テープが
十分に接着して剥離し難かつたものを接着性
「良」とし、容易にテープが剥離したものを接着
「不良」とした。 以上の各試験の結果を第2表に示す。
[Table] The EEA of each of the above ingredients is Nisseki Rexron.
EEA A-1100 (ethyl acrylate content 10%,
MFR0.4), EEA is Nisseki Rexron EEA A-
4200 (20% ethyl acrylate content, MFR5),
EEA is Nisseki Rexron EEA A-6170 (ethyl acrylate content 17%, MFR20, each of the above
EEA is manufactured by Nippon Petrochemical Co., Ltd.), L-LDPE
is Urtozex 3010F (MFR1.3), L-
LDPE is Ultxex 2020L (MFR2.1), L
-LDPE is Ultxex 20100J (MFR8), L
-LDPE is Ultzex 20200J (MFR18, each of the above L-LDPEs are manufactured by Mitsui Petrochemicals),
EVA is Evaflex 260 (manufactured by Mitsui, Dupont, Polychemical Co., Ltd.), carbon is Denka Black (manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co., Ltd.), and anti-aging agent is Nokuratsu.
300 (Ouchi Shinkosha), processing aid is zinc stearate,
Dicumyl peroxide (Percumil D, DCP, manufactured by Nippon Oil & Gas Co., Ltd.) was used as a crosslinking agent. Each semiconductive mixture was manufactured by kneading the above-mentioned components under heating using a mixing roll, and the following tests were conducted using each of the semiconductive mixtures thus obtained. Ivy. First, these semiconducting mixtures are pressed,
A sheet with a thickness of 1 mm was produced. The pressing conditions at this time were a temperature of 160°C and a time of 40 minutes. The volume resistivity at 60°C of each sheet obtained here,
Elongation (tensile elongation at break) and strength (tensile break strength) were measured according to JISK7113-1981. Next, from the above semiconducting mixture, a width of 150 mm,
A tape with a thickness of 0.2 mm was prepared, and its extrudability was examined based on the difficulty of extrusion. That is, those that could be continuously and stably extruded were classified as having "good" extrudability, and those that caused scorch in the T-die and could not be continuously extruded were classified as "poor" in extrudability. Next, for only those tape-shaped products obtained by the above-mentioned extrusion molding, each of the semiconductive tapes was wrapped around a cross-linked polyethylene insulator of a CV cable (6.6 KV, 200 mm 2 ) and heated at 150°C for 90 minutes. .
After heating, the adhesiveness of the semiconductive tape was examined by peeling the tape. That is, when the tape adhered sufficiently and was difficult to peel off, the adhesion was rated as "good", and when the tape was easily peeled off, the adhesion was rated as "poor". The results of each of the above tests are shown in Table 2.

【表】 第2表からも明らかのように、この発明の半導
電性混和物は、従来の半導電性混和物を意図して
作成した比較例CおよびDに比べ、いずれも押出
性が良く、また半導電性テープとしたときの接着
性も十分で、伸びや強度の機械的性質、および電
気的性質も良好であつた。 これに体して、従来のEVA系の半導電性混和
物を意図して作成した比較例Cでは、従来問題と
されてきたとおり、ポリエチレンとの接着性が悪
く、また体積抵抗率が高すぎるなど電気的な特性
も不良であつた。 また、比較例Dは、比較例Cの電気的特性を改
良するべく導電性カーボンブラツクの配合量を変
えた混和物であるが、この混和物は伸び、強度等
の機械的性質が不足している上に、押出性も悪
く、半導電性テープを得ることができなかつた。 これに対し、比較例Aは、この発明に記した
EEAとL−LDPEとからなる系であるが、その
EEA中のエチルアクリレート含有量が15%未満
であり、かつL−LDPEのMFRが2未満のもの
を配合した場合の例である。この場合、押出性が
悪く、半導電性テープを得ることはできなかつ
た。 また、比較例Bは、EEAのMFRが15以上、か
つL−LDPEのMFRが10以上のものを配合した
場合の例を示すものであるが、押出性、接着性は
良いものの、伸び、強度等の機械的性質が不足し
ており、良好な半導電性テープが得られなかつ
た。 [発明の効果] 以上説明したように、この発明の半導電性混和
物は、エチルアクリレート含有量が15〜25%であ
り、かつMFRが3〜15であるエチレン−エチル
アクリレート共重合体50〜90重量部とMFRが2
〜10の直鎖状低密度ポリエチレン50〜10重量部と
からなる混合樹脂100重量部に、導電性カーボン
ブラツクを40〜70重量部と、半減期が1時間を示
す温度が120〜150℃である有機過酸化物系の架橋
剤を所定量配合したものであるので、この半導電
性混和物を押出成形する際、従来例のように、押
出過程での架橋のため押出性が低下するといつた
不都合なく、所望の部材を得ることができる。ま
た、半導電性被覆形成の際、被覆と同じ加熱条件
で、同時に架橋も行うことができ、そのため、容
易に良好な電気的、機械的性質を持つ半導電性被
覆を得ることができる。
[Table] As is clear from Table 2, the semiconductive mixture of the present invention has better extrudability than Comparative Examples C and D, which were prepared with the intention of making a conventional semiconductive mixture. Furthermore, when made into a semiconductive tape, the adhesiveness was sufficient, and the mechanical properties such as elongation and strength, and the electrical properties were also good. In light of this, Comparative Example C, which was created with the intention of making a conventional EVA-based semiconductive mixture, had poor adhesion to polyethylene and a too high volume resistivity, as had been a problem in the past. The electrical characteristics were also poor. Comparative Example D is a mixture in which the amount of conductive carbon black is changed in order to improve the electrical properties of Comparative Example C, but this mixture lacks mechanical properties such as elongation and strength. Moreover, the extrudability was also poor, making it impossible to obtain a semiconductive tape. On the other hand, Comparative Example A is
It is a system consisting of EEA and L-LDPE.
This is an example in which the ethyl acrylate content in EEA is less than 15% and the MFR of L-LDPE is less than 2. In this case, the extrudability was poor and it was not possible to obtain a semiconductive tape. Comparative Example B shows an example in which EEA has an MFR of 15 or more and L-LDPE has an MFR of 10 or more. Although extrudability and adhesiveness are good, elongation and strength are poor. It was not possible to obtain a good semiconductive tape because of the lack of mechanical properties such as. [Effects of the Invention] As explained above, the semiconductive mixture of the present invention is an ethylene-ethyl acrylate copolymer having an ethyl acrylate content of 15 to 25% and an MFR of 3 to 15. 90 parts by weight and MFR 2
100 parts by weight of a mixed resin consisting of 50 to 10 parts by weight of linear low-density polyethylene of ~10 and 40 to 70 parts by weight of conductive carbon black at a temperature of 120 to 150°C with a half-life of 1 hour. Since this product contains a certain amount of an organic peroxide-based crosslinking agent, when extruding this semiconductive mixture, it is difficult to prevent extrudability from decreasing due to crosslinking during the extrusion process, as in conventional methods. A desired member can be obtained without any inconvenience. Further, when forming a semiconductive coating, crosslinking can be performed simultaneously under the same heating conditions as the coating, and therefore a semiconductive coating with good electrical and mechanical properties can be easily obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

図面は、この発明の半導電性混和物からなる半
導電性チユーブの一例を示す斜視図である。 1……チユーブ(半導電性チユーブ)。
The drawing is a perspective view showing an example of a semiconducting tube made of the semiconducting mixture of the present invention. 1...Tube (semi-conductive tube).

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 エチルアクリレート含有量が15〜25%であ
り、かつMFRが3〜15であるエチレン−エチル
アクリレート共重合体50〜90重量部と、MFRが
2〜10の直鎖状低密度ポリエチレン50〜10重量部
とからなる混合樹脂100重量部に、導電性カーボ
ンブラツクを40〜70重量部と、半減期が1時間を
示す温度が120〜150℃である有機過酸化物系の架
橋剤0.2〜5重量部を配合したことを特徴とする
半導電性混和物。
1 50 to 90 parts by weight of an ethylene-ethyl acrylate copolymer having an ethyl acrylate content of 15 to 25% and an MFR of 3 to 15, and 50 to 10 parts by weight of linear low density polyethylene having an MFR of 2 to 10. 100 parts by weight of a mixed resin consisting of 40 to 70 parts by weight of conductive carbon black, and 0.2 to 5 parts by weight of an organic peroxide-based crosslinking agent whose half-life is 1 hour at a temperature of 120 to 150°C. A semiconductive mixture characterized by containing parts by weight.
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