JPH0546461A - Memory card device - Google Patents

Memory card device

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JPH0546461A
JPH0546461A JP20031191A JP20031191A JPH0546461A JP H0546461 A JPH0546461 A JP H0546461A JP 20031191 A JP20031191 A JP 20031191A JP 20031191 A JP20031191 A JP 20031191A JP H0546461 A JPH0546461 A JP H0546461A
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JP
Japan
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eeprom
written
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packet
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JP20031191A
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Kazuo Konishi
和夫 小西
Takaaki Suyama
高彰 須山
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Toshiba AVE Co Ltd
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Toshiba Corp
Toshiba AVE Co Ltd
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Abstract

PURPOSE:To rewrite stored contents of an EEPROM with one page as the unit even in the case that they can be erased only with one block as the unit. CONSTITUTION:The memory card device provided with an EEPROM 17 where packet data and packet header data with one page as the unit as management information of this packet data are written with one block as the unit and data can be written with one page as the unit and can be erased with one block as the unit is provided with a control means 13 which retrieves an idle storage area, where packet header data and packet data managing this packet header data can be written, at the time of request of rewrite of packet header data and writes new packet header data in this idle storage area with one page as the unit and successively copies packet data with one page as the unit.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
EEPROM(エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ)を使
用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の
光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに
記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するも
のに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a memory card device using an EEPROM (Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory) as a semiconductor memory, and more particularly to a digital image of an optical image of a photographed subject. The present invention relates to a device suitable for use in an electronic still camera device or the like that converts data and records it in a semiconductor memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】周知のように、撮影した被写体の光学像
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。
2. Description of the Related Art As is well known, an electronic still which converts an optical image of a photographed object into an electric image signal by using a solid-state image pickup device, converts the image signal into digital image data, and records the digital image data in a semiconductor memory. Camera devices have been developed.
In this type of electronic still camera device, a memory card in which a semiconductor memory is built in a card-shaped case is configured to be detachable from the camera body so that it can be used as a film in a normal camera. Equivalent handling can be done.

【0003】ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカ
ードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばSR
AM(スタティック・ランダム・アクセス・メモリ),
マスクROM及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なEEPROM等が考えられており、SRAMを用い
たメモリカードは既に商品化されている。
The memory card of the electronic still camera device is currently being standardized, and the built-in semiconductor memory is required to have a large storage capacity for recording a plurality of digital image data. For example, SR
AM (Static Random Access Memory),
A mask ROM and an EEPROM capable of electrically writing and erasing data have been considered, and a memory card using an SRAM has already been commercialized.

【0004】ところで、SRAMを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、SR
AM自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。
By the way, the memory card using the SRAM has an advantage that it can correspond to a data structure of any format and has a high data writing speed and a high data reading speed, but holds the written data. Since it is necessary to store a backup battery in the memory card for this purpose, the storage capacity is reduced by the amount of the battery storage space and SR
There is a problem that the cost of AM itself is high and causes an economic disadvantage.

【0005】そこで、現在では、SRAMの持つ問題点
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてEEPROMが注目されている。このEEP
ROMは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を
浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電
池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くす
ることができる等、SRAMの持たない特有な利点を有
することから、メモリカード用として使用するための開
発が盛んに行なわれている。
Therefore, in order to solve the problems of the SRAM, the EEPROM is now attracting attention as a semiconductor memory used for a memory card. This EEP
The ROM has been attracting attention as a recording medium that replaces the magnetic disk, and it does not require a backup battery for holding data and can reduce the cost of the chip itself, which is a unique advantage that SRAM does not have. Therefore, development for use as a memory card has been actively carried out.

【0006】ここで、図3は、SRAMを用いたメモリ
カード(SRAMカード)とEEPROMを用いたメモ
リカード(EEPROMカード)との長短を比較して示
している。まず、比較項目1,2のバックアップ電池及
びコストについては、既に前述したように、SRAMカ
ードはバックアップ電池が必要でありコストも高いとい
う問題があるのに対し、EEPROMカードはバックア
ップ電池が不要でコストも低くすることができるという
利点を有している。
Here, FIG. 3 shows the lengths of a memory card using an SRAM (SRAM card) and a memory card using an EEPROM (EEPROM card) in comparison. First, regarding the backup battery and the cost of the comparison items 1 and 2, the SRAM card needs the backup battery and the cost is high as described above, while the EEPROM card does not need the backup battery and the cost is high. Also has the advantage that it can be lowered.

【0007】次に、比較項目3,4の書き込みスピード
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、SRAMとEEPROMとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
(数百バイト)でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、EEPROMに特有のページモードとに分けて考
えられる。
Regarding the write speed and read speed of comparison items 3 and 4, random access common to SRAM and EEPROM is performed for writing and reading data to or from a byte or bit arbitrarily designated by an address. A mode and a page mode peculiar to the EEPROM, in which data is written and read collectively in page units by designating a page made up of a plurality of consecutive bytes (several hundred bytes), can be considered.

【0008】そして、ランダムアクセスモードおいて、
SRAMは書き込みスピード及び読み出しスピードが共
に速く、EEPROMは書き込みスピード及び読み出し
スピードが共に遅くなっている。また、EEPROM
は、ページモードにおいて、1ページ分の大量のデータ
を一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダム
アクセスモードに比してデータの書き込みスピード及び
読み出しスピードは速くなっている。
In the random access mode,
The SRAM has a high writing speed and a high reading speed, and the EEPROM has a low writing speed and a low reading speed. In addition, EEPROM
In the page mode, since a large amount of data for one page is written and read all at once, the data write speed and the data read speed are faster than in the random access mode.

【0009】さらに、比較項目5のイレース(消去)モ
ードは、EEPROMに特有のモードであり、SRAM
には存在しないモードである。すなわち、EEPROM
は、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータ
を書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イ
レースしないと新たなデータを書き込むことができない
ため、データの書き込みを行なうに際して、このイレー
スモードが実行されるようになっている。そして、この
イレースモードには、EEPROMの全ての記憶内容を
一括して消去するチップイレースと、複数のページでな
るブロック(数Kバイト)単位で記憶内容を消去するブ
ロックイレースとがある。
Further, the erase (erase) mode of the comparison item 5 is a mode peculiar to the EEPROM, which is the SRAM.
Is a mode that does not exist in. That is, the EEPROM
When writing new data to the area where data has already been written, new data cannot be written unless the previously written data is erased. Therefore, when writing data, this erase mode Is to be executed. The erase mode includes a chip erase for collectively erasing all the stored contents of the EEPROM and a block erase for erasing the stored contents in units of blocks (several Kbytes) made up of a plurality of pages.

【0010】また、比較項目6の書き込みベリファイ
も、EEPROMに特有のモードであり、SRAMには
存在しないモードである。すなわち、EEPROMは、
データ書き込みを行なう場合、通常1回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、EEP
ROMに対して1回の書き込み動作を行なう毎にEEP
ROMの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要があり、これが書き込み
ベリファイである。
Further, the write verify of the comparison item 6 is also a mode peculiar to the EEPROM and is not present in the SRAM. That is, the EEPROM is
When writing data, complete writing is not normally performed in one writing operation. Therefore, EEP
EEP every time one write operation is performed to ROM
It is necessary to read the written contents of the ROM and check whether or not they are correctly written, and this is the write verify.

【0011】具体的には、EEPROMに書き込むべき
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからEEPROMにデータを転送して書き込んだ後、
EEPROMの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致(エラ
ー)と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をEEPROMに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。
Specifically, the data to be written in the EEPROM is recorded in the buffer memory, the data is transferred from the buffer memory to the EEPROM and written, and then,
The contents written in the EEPROM are read out and compared with the contents in the buffer memory to determine whether they match. Then, when it is determined as a result of the write verify that there is a mismatch (error), the operation of writing the contents of the buffer memory to the EEPROM again is repeated.

【0012】以上の比較結果から明らかなように、EE
PROMには、バックアップ電池が不要でありコストが
安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出し
が可能である等の、SRAMに見られない特有な利点が
備えられている反面、ランダムアクセスモードにおける
データの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅い
とともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のよ
うなSRAMにはないモードを必要とするという不都合
もある。
As is clear from the above comparison results, EE
The PROM does not require a backup battery, is low in cost, and is capable of writing and reading data in page units. It has unique advantages not found in SRAM, but on the other hand, it does not store data in the random access mode. There is also a disadvantage that the writing speed and the reading speed are slow and that a mode such as an erase mode and a write verify which is not in the SRAM is required.

【0013】そこで、メモリカードに使用する半導体メ
モリとして、現在使用されているSRAMに代えてEE
PROMを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、SRAMを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりSRAMカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。
Therefore, as the semiconductor memory used for the memory card, the EE is used instead of the currently used SRAM.
Considering the use of PROM, the problems of data write speed and read speed, the problem of needing erase mode and write verify, etc. can be solved, and it can be handled in the same manner as a memory card with built-in SRAM. As described above, that is, it is important to make various improvements in detail so that it can be used in an SRAM card-like manner.

【0014】この場合、特に問題となることは、EEP
ROMに対してデータの書き替えを行なう場合には、必
ずイレースを行なう必要があるということと、EEPR
OMのデータ書き込みの最小単位が数百バイトのページ
であり、イレースの最小単位がページよりも大きい数K
バイトのブロック単位であるということである。すなわ
ち、電子スチルカメラ装置のメモリカードに用いられる
EEPROMには、主としてデジタル画像(音声を含
む)データが記録されることになるが、このようなデー
タは、パケットデータと称され、図4に示すように、E
EPROMの記憶領域中にブロック単位で書き込まれ
る。
In this case, the EEP is particularly problematic.
When data is rewritten to the ROM, it is necessary to erase it.
The minimum unit of OM data writing is a page of several hundred bytes, and the minimum unit of erase is a number K that is larger than the page.
That is, it is a block unit of bytes. That is, digital image (including audio) data is mainly recorded in the EEPROM used for the memory card of the electronic still camera device, and such data is called packet data and is shown in FIG. Like E
It is written in block units in the storage area of the EPROM.

【0015】そして、各パケットデータには、そのパケ
ットデータ特有の管理情報(日付けやタイトル等)であ
る1ページのパケットヘッダデータが付加されるように
なっている。このため、例えばパケットのタイトルを変
えたい場合、パケットヘッダデータを一旦イレースして
新たなデータに書き替えることになるが、イレースの最
小単位がブロックであることから、パケットヘッダデー
タをイレースしようとすると、パケットヘッダデータだ
けでなく必要とするパケットデータまでもイレースされ
てしまうため、パケットヘッダデータのみの書き替えが
できないという問題が生じている。
Then, one page of packet header data which is management information (date, title, etc.) peculiar to the packet data is added to each packet data. For this reason, for example, when changing the title of a packet, the packet header data is once erased and rewritten to new data. However, since the minimum unit of erase is a block, when trying to erase the packet header data Since not only the packet header data but also the required packet data is erased, there is a problem that only the packet header data cannot be rewritten.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】以上のように、EEP
ROMを内蔵した従来のメモリカードでは、イレースの
最小単位がブロックであることから、ブロックよりも小
さいページ単位でのデータの書き替えを行なうことがで
きないという問題を有している。
DISCLOSURE OF THE INVENTION Problems to be Solved by the Invention
A conventional memory card having a built-in ROM has a problem that it is impossible to rewrite data in page units smaller than a block because the minimum erase unit is a block.

【0017】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、ブロック単位のイレースしかできなくて
も、EEPROMの記憶内容をページ単位で書き替える
ことができる極めて良好なメモリカード装置を提供する
ことを目的とする。
Therefore, the present invention has been made in consideration of the above circumstances, and provides an extremely good memory card device capable of rewriting the stored contents of the EEPROM in page units even if only erase in block units can be performed. The purpose is to do.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、パケットデータとこのパケットデータの管
理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとがブ
ロック単位で書き込まれ、ページ単位でのデータの書き
込み及びブロック単位でのデータの消去が可能なEEP
ROMを備えたものを対象としている。そして、パケッ
トヘッダデータの書き替えが要求された状態で、パケッ
トヘッダデータと該パケットヘッダデータが管理するパ
ケットデータとを書き込み可能な空き記憶領域を検索
し、この空き記憶領域に新たなパケットヘッダデータを
ページ単位で書き込むとともに、パケットデータをペー
ジ単位で順次書き移す制御手段を備えるようにしたもの
である。
In a memory card device according to the present invention, packet data and packet header data in page units, which is management information of the packet data, are written in block units, and data is written in page units. And EEP that can erase data in block units
It is intended for those with a ROM. Then, in a state in which the rewriting of the packet header data is requested, a free storage area in which the packet header data and the packet data managed by the packet header data can be written is searched for, and new packet header data is written in this free storage area. Is written in page units, and a control means for sequentially writing packet data in page units is provided.

【0019】[0019]

【作用】上記のような構成によれば、パケットヘッダデ
ータの書き替えが要求された状態で、EEPROMのパ
ケットヘッダデータ書替用記憶領域中から空き領域を検
索し、この空き領域に新たなパケットヘッダデータをペ
ージ単位で書き込むとともに、元のパケットデータを先
に書き込んだ新パケットヘッダデータに続けてページ単
位で書き移すようにしたので、EEPROMがブロック
単位のイレースしかできなくても、ページ単位のパケッ
トヘッダデータを書き替えることが可能となる。
According to the above-mentioned structure, when the rewriting of the packet header data is requested, a free area is searched from the storage area for rewriting the packet header data of the EEPROM, and a new packet is written in this free area. Since the header data is written in page units and the original packet data is transferred in page units following the previously written new packet header data, even if the EEPROM can only erase in block units, It is possible to rewrite the packet header data.

【0020】[0020]

【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。図1において、11はメモリカード本体で、そ
の一端部に設置されたコネクタ12を介して、図示しな
い電子スチルカメラ本体に接続されるようになされてい
る。このコネクタ12には、電子スチルカメラ本体側か
ら、メモリカード本体11に書き込むべきデジタルデー
タDAと、その書き込み場所を示すアドレスデータAD
とが供給される。これらデジタルデータDA及びアドレ
スデータADは、バスラインD0〜D7を介してデータ
入出力制御回路13に供給されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment in which the present invention is applied to an electronic still camera device will be described in detail below with reference to the drawings. In FIG. 1, 11 is a memory card main body, which is connected to an electronic still camera main body (not shown) via a connector 12 installed at one end thereof. The connector 12 is provided with digital data DA to be written in the memory card body 11 from the electronic still camera body side and address data AD indicating the writing location.
And are supplied. The digital data DA and the address data AD are supplied to the data input / output control circuit 13 via the bus lines D0 to D7.

【0021】また、電子スチルカメラ本体からは、コネ
クタ12に対して、メモリカード本体11を選択したと
きH(ハイ)レベルとなるカードイネーブル信号CE
と、バスラインD0〜D7に供給されたデータがアドレ
スデータADのときL(ロー)レベルとなりデジタルデ
ータDAのときHレベルとなるアドレス/データ切替信
号A/Dと、後述するEEPROMに対するデータ書き
込み要求のときLレベルとなりデータ読み出し要求のと
きHレベルとなるリード/ライト切替信号R/Wと、ア
ドレスデータADに同期したバスクロックBCKとが、
供給されるようになっている。
Further, from the electronic still camera main body, to the connector 12, a card enable signal CE which becomes H (high) level when the memory card main body 11 is selected.
And an address / data switching signal A / D which becomes L (low) level when the data supplied to the bus lines D0 to D7 is address data AD and becomes H level when the data is digital data DA, and a data write request to an EEPROM described later. The read / write switching signal R / W which becomes L level at the time of and becomes H level at the time of data read request, and the bus clock BCK synchronized with the address data AD
It is being supplied.

【0022】これらカードイネーブル信号CE,アドレ
ス/データ切替信号A/D,リード/ライト切替信号R
/W及びバスクロックBCKも、データ入出力制御回路
13に供給されている。また、電子スチルカメラ本体か
らは、コネクタ12を介してEEPROMに対するデー
タのイレースを要求する命令も、データ入出力制御回路
13に供給されるようになっている。また、このデータ
入出力制御回路13からは、電子スチルカメラ本体から
のデジタルデータDAの入力許可時にHレベルとなり、
入力拒否時にLレベルとなるレディ/ビジィ切替信号R
DY/BSYが発生されるようになっている。
These card enable signal CE, address / data switching signal A / D, read / write switching signal R
/ W and the bus clock BCK are also supplied to the data input / output control circuit 13. Further, from the electronic still camera body, a command for requesting data erase to the EEPROM is also supplied to the data input / output control circuit 13 via the connector 12. Further, from the data input / output control circuit 13, when the input of the digital data DA from the electronic still camera main body is permitted, it becomes H level,
Ready / busy switching signal R which becomes L level when input is rejected
DY / BSY is generated.

【0023】ここで、概略的な動作について説明する
と、上記コネクタ12に供給されたデジタルデータDA
は、データ入出力制御回路13の制御により、一旦バッ
ファメモリ14に取り込まれ記録される。このときのバ
ッファメモリ14のデジタルデータDAの取り込みタイ
ミングは、アドレス発生回路15から出力されるアドレ
スデータによってコントロールされる。また、このアド
レス発生回路15は、セレクタ16によって選択された
クロックCKをカウントして、バッファメモリ14への
アドレスデータを生成している。このセレクタ16に
は、上記バスクロックBCKとデータ入出力制御回路1
3から出力されるクロックYCKとが供給されるように
なっている。
Here, a schematic operation will be described. The digital data DA supplied to the connector 12 is described.
Under the control of the data input / output control circuit 13, is temporarily stored in the buffer memory 14 and recorded. At this time, the fetch timing of the digital data DA of the buffer memory 14 is controlled by the address data output from the address generation circuit 15. The address generation circuit 15 also counts the clock CK selected by the selector 16 to generate address data for the buffer memory 14. The selector 16 includes the bus clock BCK and the data input / output control circuit 1
The clock YCK output from the circuit 3 is supplied.

【0024】そして、バッファメモリ14のデジタルデ
ータDAの取り込み時には、セレクタ16が、データ入
出力制御回路13から出力されるセレクト信号SELに
よってバスクロックBCKを選択し、クロックCKとし
てアドレス発生回路15に導出している。このため、電
子スチルカメラ本体からコネクタ12に送出されたデジ
タルデータDAは、バスクロックBCKに基づいて生成
されるアドレスデータにしたがって、バッファメモリ1
4に書き込まれることになる。
Then, when the digital data DA of the buffer memory 14 is fetched, the selector 16 selects the bus clock BCK by the select signal SEL output from the data input / output control circuit 13 and outputs it to the address generation circuit 15 as the clock CK. is doing. Therefore, the digital data DA sent from the electronic still camera body to the connector 12 is stored in the buffer memory 1 according to the address data generated based on the bus clock BCK.
4 will be written.

【0025】その後、データ入出力制御回路13は、バ
ッファメモリ14に対するデジタルデータDAの書き込
みが終了すると、セレクト信号SELを制御して、自己
の生成するクロックYCKが、アドレス発生回路15に
導出されるようにセレクタ16を切り替える。このた
め、クロックYCKに基づいてアドレス発生回路15で
生成されるアドレスデータによって、バッファメモリ1
4からデジタルデータDAが読み出される。
After that, when the writing of the digital data DA into the buffer memory 14 is completed, the data input / output control circuit 13 controls the select signal SEL so that the clock YCK generated by itself is led to the address generation circuit 15. The selector 16 is switched as follows. Therefore, the buffer memory 1 is generated by the address data generated by the address generation circuit 15 based on the clock YCK.
The digital data DA is read from 4.

【0026】このとき、データ入出力制御回路13は、
EEPROM17に対してチップイネーブル信号CEN
及びライトイネーブル信号WEを出力するとともに、ア
ドレスデータADを出力し、バッファメモリ14から読
み出されたデジタルデータDAを、EEPROM17に
ページ単位で書き込むように制御する。そして、EEP
ROM17にデジタルデータDAが書き込まれた状態
で、データ入出力制御回路13は、EEPROM17に
対して、アウトイネーブルデータOE及び先にデータの
書き込みを指定したアドレスデータADを出力して、E
EPROM17から書き込んだデジタルデータDAを読
み出させ、バッファメモリ14に記録されたデジタルデ
ータDAと一致しているか否かを判別する、書き込みベ
リファイを実行する。
At this time, the data input / output control circuit 13 is
Chip enable signal CEN for EEPROM 17
Also, the write enable signal WE is output, the address data AD is output, and the digital data DA read from the buffer memory 14 is controlled to be written in the EEPROM 17 page by page. And EEP
With the digital data DA written in the ROM 17, the data input / output control circuit 13 outputs to the EEPROM 17 the out enable data OE and the address data AD that previously specifies the writing of data, and E
The write verify is executed to read the written digital data DA from the EPROM 17 and determine whether the digital data DA matches the digital data DA recorded in the buffer memory 14.

【0027】そして、EEPROM17から読み出した
デジタルデータDAと、バッファメモリ14に記録され
たデジタルデータDAとが一致していないと、データ入
出力制御回路13は、再度、バッファメモリ14からE
EPROM17にデジタルデータDAを転送して書き込
みを行ない、この動作が、EEPROM17から読み出
したデジタルデータDAと、バッファメモリ14に記録
されたデジタルデータDAとが完全に一致するまで繰り
返され、ここにデジタルデータDAのEEPROM17
への書き込みが行なわれる。
If the digital data DA read from the EEPROM 17 and the digital data DA recorded in the buffer memory 14 do not match, the data input / output control circuit 13 again reads from the buffer memory 14 E.
The digital data DA is transferred to and written in the EPROM 17, and this operation is repeated until the digital data DA read from the EEPROM 17 and the digital data DA recorded in the buffer memory 14 completely match. DA EEPROM 17
Is written to.

【0028】また、電子スチルカメラ本体からEEPR
OM17に記録されたデータをイレースする命令が発生
されると、データ入出力制御回路13は、その消去命令
に基づいて消去回路18を駆動する。この消去回路18
は、データ入出力制御回路13の制御に基づいて、EE
PROM17のアドレスライン及びデータラインに消去
用の信号を出力することにより、EEPROM17を電
気的にチップイレースまたはブロックイレースする。
In addition, from the electronic still camera body to the EEPR
When an instruction to erase the data recorded in the OM 17 is generated, the data input / output control circuit 13 drives the erasing circuit 18 based on the erasing instruction. This erase circuit 18
On the basis of the control of the data input / output control circuit 13,
The EEPROM 17 is electrically chip-erased or block-erased by outputting an erasing signal to the address line and the data line of the PROM 17.

【0029】次に、EEPROM17から、デジタルデ
ータDAをメモリカード本体11の外部に読み出す動作
について説明する。まず、電子スチルカメラ本体側から
コネクタ12を介して読み出し要求と読み出すべきデー
タの記録されたアドレスが指定される。すると、データ
入出力制御回路13は、EEPROM17に対してチッ
プイネーブル信号CEN,アウトイネーブルデータOE
及びアドレスデータADを出力し、EEPROM17か
らページ単位でデジタルデータDAを読み出すととも
に、自己の生成するクロックYCKがアドレス発生回路
15に導出されるようにセレクタ16を切り替え、バッ
ファメモリ13に書き込ませる。
Next, the operation of reading the digital data DA from the EEPROM 17 to the outside of the memory card body 11 will be described. First, a read request and a recorded address of data to be read are specified from the electronic still camera body side via the connector 12. Then, the data input / output control circuit 13 sends the chip enable signal CEN and the out enable data OE to the EEPROM 17.
Also, the address data AD is output, the digital data DA is read from the EEPROM 17 in page units, and the selector 16 is switched so that the clock YCK generated by itself is derived to the address generation circuit 15 and written in the buffer memory 13.

【0030】その後、データ入出力制御回路13は、コ
ネクタ12を介して電子スチルカメラ本体側から供給さ
れるバスクロックBCKが、アドレス発生回路15に導
出されるようにセレクタ16を切り替え、バスクロック
BCKに基づいてアドレス発生回路15で発生されるア
ドレスデータで、バッファメモリ14からデータを読み
出し、コネクタ12を介して電子スチルカメラ本体に導
出させ、ここにデジタルデータDAの読み出しが行なわ
れる。
Thereafter, the data input / output control circuit 13 switches the selector 16 so that the bus clock BCK supplied from the electronic still camera main body side via the connector 12 is led to the address generation circuit 15, and the bus clock BCK. Based on the address data generated by the address generation circuit 15, the data is read from the buffer memory 14 and led out to the electronic still camera body through the connector 12, and the digital data DA is read there.

【0031】したがって、上記のような構成によれば、
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体11との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリ14を介して
行なわれるので、データの書き込みスピード及び読み出
しスピードも向上し、SRAMカードライクに使用する
ことができるようになる。また、EEPROM17に特
有の書き込みベリファイも、メモリカード本体11の内
部に設けられたバッファメモリ14を用いて行なうよう
にしているので、メモリカード本体11の取り扱いとし
ては、全くSRAMカードライクに使用することができ
る。
Therefore, according to the above configuration,
Since the data transfer between the electronic still camera body and the memory card body 11 is always performed via the buffer memory 14, the data writing speed and the data reading speed are improved so that the data can be used in an SRAM card-like manner. Become. Further, since the write verify peculiar to the EEPROM 17 is also carried out by using the buffer memory 14 provided inside the memory card body 11, the memory card body 11 should be used just like an SRAM card. You can

【0032】ここで、図2に示すように、EEPROM
17は、複数(図示の場合は2つ)のチップ17a,1
7bから構成されており、EEPROMチップ17bに
パケットヘッダデータ書替用記憶領域が設定されてい
る。そして、今、EEPROMチップ17aの所定のパ
ケットに対してそのパケットヘッダデータの書き替えが
要求されると、まず、データ入出力制御回路13は、E
EPROMチップ17bのパケットヘッダデータ書替用
記憶領域中から、1ブロック分の空き領域を検索する。
Here, as shown in FIG.
17 is a plurality (two in the illustrated case) of chips 17a, 1
7b, and a storage area for rewriting packet header data is set in the EEPROM chip 17b. Then, when it is requested to rewrite the packet header data of a predetermined packet of the EEPROM chip 17a, the data input / output control circuit 13 first causes the data
A free area for one block is searched from the storage area for rewriting packet header data of the EPROM chip 17b.

【0033】そして、データ入出力制御回路13は、E
EPROMチップ17bの検索した空き領域に、電子ス
チルカメラ本体から出力される新たなパケットヘッダデ
ータをページ単位で書き込み、この新パケットヘッダデ
ータの書き込み終了後、EEPROMチップ17aのパ
ケットデータをEEPROMチップ17bに先に書き込
んだ新パケットヘッダデータに続けてページ単位で書き
移すように動作する。その後、EEPROMチップ17
aの書き移されたパケットは、データ入出力制御回路1
3の制御によってブロックイレースされ、新たなパケッ
トヘッダデータ書替用記憶領域として保存される。
Then, the data input / output control circuit 13 outputs E
In the empty area searched by the EPROM chip 17b, new packet header data output from the electronic still camera main body is written in page units, and after the writing of the new packet header data is completed, the packet data of the EEPROM chip 17a is written in the EEPROM chip 17b. The new packet header data written previously is transferred in page units. After that, the EEPROM chip 17
The transferred packet of a is the data input / output control circuit 1
The block is erased under the control of No. 3 and stored as a new storage area for rewriting packet header data.

【0034】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、パケットヘッダデータの書き替えが要求された状
態で、EEPROMチップ17bのパケットヘッダデー
タ書替用記憶領域中から1ブロック分の空き領域を検索
し、この空き領域に新たなパケットヘッダデータをペー
ジ単位で書き込んだ後、EEPROMチップ17aのパ
ケットデータをEEPROMチップ17bに先に書き込
んだ新パケットヘッダデータに続けてページ単位で書き
移すようにしたので、EEPROM17がブロック単位
のイレースしかできなくても、ページ単位のパケットヘ
ッダデータを書き替えるとが可能となる。なお、この発
明は上記実施例に限定されるものではなく、この外その
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。
Therefore, according to the configuration of the above-described embodiment, in the state where the rewriting of the packet header data is requested, the empty area for one block is emptied from the packet header data rewriting storage area of the EEPROM chip 17b. After retrieving and writing new packet header data in this empty area in page units, the packet data of the EEPROM chip 17a is transferred in page units subsequent to the new packet header data previously written in the EEPROM chip 17b. Therefore, even if the EEPROM 17 can only erase in block units, the packet header data in page units can be rewritten. The present invention is not limited to the above-described embodiments, but can be variously modified and implemented without departing from the scope of the invention.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
ブロック単位のイレースしかできなくても、EEPRO
Mの記憶内容をページ単位で書き替えることができる極
めて良好なメモリカード装置を提供することができる。
As described in detail above, according to the present invention,
Even if you can only erase blocks, EEPRO
It is possible to provide a very good memory card device capable of rewriting the stored contents of M in page units.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of a memory card device according to the present invention.

【図2】同実施例の動作を説明するために示す図。FIG. 2 is a diagram shown for explaining the operation of the embodiment.

【図3】SRAMとEEPROMとの長短を比較して示
す図。
FIG. 3 is a diagram showing the lengths of an SRAM and an EEPROM in comparison with each other.

【図4】EEPROM上における記録フォーマットを説
明するために示す図。
FIG. 4 is a diagram for explaining a recording format on an EEPROM.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…メモリカード本体、12…コネクタ、13…デー
タ入出力制御回路、14…バッファメモリ、15…アド
レス発生回路、16…セレクタ、17…EEPROM、
18…消去回路。
11 ... Memory card main body, 12 ... Connector, 13 ... Data input / output control circuit, 14 ... Buffer memory, 15 ... Address generation circuit, 16 ... Selector, 17 ... EEPROM,
18 ... Erase circuit.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 G11C 7/00 315 7323−5L 16/06 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI technical display location G11C 7/00 315 7323-5L 16/06

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 パケットデータとこのパケットデータの
管理情報であるページ単位のパケットヘッダデータとが
ブロック単位で書き込まれ、ページ単位でのデータの書
き込み及びブロック単位でのデータの消去が可能なEE
PROMを備えたメモリカード装置において、前記パケ
ットヘッダデータの書き替えが要求された状態で、パケ
ットヘッダデータと該パケットヘッダデータが管理する
パケットデータとを書き込み可能な空き記憶領域を検索
し、この空き記憶領域に新たなパケットヘッダデータを
ページ単位で書き込むとともに、前記パケットデータを
ページ単位で順次書き移す制御手段を具備してなること
を特徴とするメモリカード装置。
1. An EE in which packet data and packet header data in page units, which is management information of the packet data, are written in block units, and data can be written in page units and erased in block units.
In a memory card device equipped with a PROM, a search is made for a free storage area in which the packet header data and the packet data managed by the packet header data can be written while the rewriting of the packet header data is requested. A memory card device comprising: control means for writing new packet header data in page units into a storage area and sequentially transferring the packet data in page units.
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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001043143A (en) * 1997-09-30 2001-02-16 Sony Corp Storage device, data processing system, and writing and reading method for data
WO2004021191A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for writing data into flash memory
US6721819B2 (en) 1998-03-02 2004-04-13 Lexar Media, Inc. Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system
US6772274B1 (en) 2000-09-13 2004-08-03 Lexar Media, Inc. Flash memory system and method implementing LBA to PBA correlation within flash memory array
JP2011258071A (en) * 2010-06-10 2011-12-22 Sony Corp Communication device and communication method
US10078449B2 (en) 2000-08-25 2018-09-18 Micron Technology, Inc. Flash memory architecture with separate storage of overhead and user data

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001043143A (en) * 1997-09-30 2001-02-16 Sony Corp Storage device, data processing system, and writing and reading method for data
US6721819B2 (en) 1998-03-02 2004-04-13 Lexar Media, Inc. Flash memory card with enhanced operating mode detection and user-friendly interfacing system
US10078449B2 (en) 2000-08-25 2018-09-18 Micron Technology, Inc. Flash memory architecture with separate storage of overhead and user data
US6772274B1 (en) 2000-09-13 2004-08-03 Lexar Media, Inc. Flash memory system and method implementing LBA to PBA correlation within flash memory array
WO2004021191A1 (en) * 2002-08-29 2004-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor memory device and method for writing data into flash memory
CN100347685C (en) * 2002-08-29 2007-11-07 松下电器产业株式会社 Semiconductor memory device and method for writing data into flash memory
KR100944054B1 (en) * 2002-08-29 2010-02-24 파나소닉 주식회사 Semiconductor memory device and method for writing data into flash memory
USRE42648E1 (en) 2002-08-29 2011-08-23 Panasonic Corporation Semiconductor memory apparatus and method for writing data into the flash memory device
JP2011258071A (en) * 2010-06-10 2011-12-22 Sony Corp Communication device and communication method

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