JPH05206322A - Multi-chip package - Google Patents

Multi-chip package

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Publication number
JPH05206322A
JPH05206322A JP1378592A JP1378592A JPH05206322A JP H05206322 A JPH05206322 A JP H05206322A JP 1378592 A JP1378592 A JP 1378592A JP 1378592 A JP1378592 A JP 1378592A JP H05206322 A JPH05206322 A JP H05206322A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
solder portion
chip package
chip
solder
Prior art date
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Pending
Application number
JP1378592A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Noda
和宏 野田
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide a multi-chip package to permit packaging a plurality of chips. CONSTITUTION:A multi-chip package is composed of a substrate 1, leads 10a which are bonded on the substrate 1 through soldering section and extend toward the external direction from the substrate 1, a mold 3 connecting the leads 10a and the substrate 1, and a plurality of chips P mounted on the substrate 1. The melting point of the soldering section shall be higher than the formation temperatures of the mold 3.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はマルチチップパッケージ
に係り、詳しくは、複数個のチップをパッケージ化する
パッケージの構造に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multi-chip package, and more particularly to a package structure for packaging a plurality of chips.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子部品として、例えばQFPやSOP
のように、モールド体の周囲から外方へリードが延出し
たものがある。このようなパッケージタイプの電子部品
は、一般に、ダイボンダによりリードフレームにチップ
をボンディングした後、ワイヤボンダを用いてチップと
リードフレームのリード部とをワイヤにより接続し、更
にチップの保護のためにモールドプレス装置によりモー
ルド体を成形し、リードフレームを打ち抜いてリードを
フォーミングすることにより製造されている。
2. Description of the Related Art Electronic parts such as QFP and SOP
In some cases, the leads extend outward from the periphery of the mold body. Such a package type electronic component is generally formed by bonding a chip to a lead frame with a die bonder, then connecting the chip and the lead frame lead portion with a wire using a wire bonder, and further using a mold press to protect the chip. It is manufactured by forming a molded body with an apparatus, punching out a lead frame and forming leads.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】ところで、近年電子部
品は益々高集積化が要請されているが、上記従来手段で
は、1個の電子部品には1個のチップしかパッケージで
きないため、高集積化には限界があるという問題点があ
った。
By the way, in recent years, electronic parts are required to be highly integrated. However, in the above conventional means, only one chip can be packaged in one electronic part. Therefore, high integration is achieved. There was a problem that there was a limit.

【0004】そこで本発明は、集積度の高いマルチチッ
プパッケージを得ることができる手段を提供することを
目的とする。
Therefore, an object of the present invention is to provide means for obtaining a multi-chip package having a high degree of integration.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】このために本発明は、基
板と、この基板に半田部を介して接着されてこの基板か
ら外方へ延出するリードと、このリードと基板を結合す
るモールド体と、この基板に搭載された複数個のチップ
とからマルチチップパッケージを構成し、上記半田部の
溶融温度を、上記モールド体の成形温度よりも高くし
た。
To this end, the present invention provides a substrate, leads that are bonded to the substrate via a solder portion and extend outward from the substrate, and a mold that connects the leads and the substrate. A multi-chip package was constructed from the body and a plurality of chips mounted on this substrate, and the melting temperature of the solder portion was set higher than the molding temperature of the mold body.

【0006】[0006]

【作用】上記構成によれば、基板に複数個のチップを搭
載することにより、1個のマルチチップパッケージに複
数個のチップをパッケージできるので、コンパクトでし
かもきわめて集積度の高い電子部品を得ることができ
る。
According to the above construction, since a plurality of chips can be packaged in one multi-chip package by mounting a plurality of chips on the substrate, a compact and highly integrated electronic component can be obtained. You can

【0007】また、基板とリードを接着する半田部の溶
融温度を、モールド体の成形温度よりも高くしたので、
モールド体の成形時に、リードを基板に接着する半田部
が再溶融して空隙を生じ、この空隙からパッケージ内に
湿気が入り込むのを防止できる。
Further, since the melting temperature of the solder portion for bonding the substrate and the lead is set higher than the molding temperature of the mold body,
During molding of the molded body, it is possible to prevent the solder portion for bonding the leads to the substrate from being remelted to form a void and prevent moisture from entering the package through the void.

【0008】[0008]

【実施例】(実施例1)次に、図面を参照しながら本発
明の実施例を説明する。図1は本発明に係るマルチチッ
プパッケージCの斜視図、図2は同断面図である。図
中、1は基板であり、この基板1から外方へリード10
aが延出している。3は基板1の周囲に成形されたモー
ルド体である。このモールド体3は、基板1とリード1
0aが分離しないように両者をしっかり結合するため
に、両者の接合部に枠型に成形されている。Pはチップ
であり、この基板1の上面に複数個搭載されている。4
はチップPの保護手段としての電気絶縁性の樹脂であ
り、チップPおよびワイヤ6を樹脂封止して保護するべ
くモールド体3の内部に塗布されている。5は基板1と
リード10aを接着する半田部、7はこのマルチチップ
パッケージCが後工程で搭載される主基板である。この
マルチチップパッケージCは、主基板7に搭載される。
25はリード10aを主基板7に接着する半田部であ
る。
(Embodiment 1) Next, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a perspective view of a multi-chip package C according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of the same. In the figure, reference numeral 1 is a substrate, and leads 10 are provided outward from the substrate 1.
a is extended. Reference numeral 3 denotes a mold body formed around the substrate 1. The mold body 3 includes a substrate 1 and leads 1
In order to firmly bond the two so that 0a is not separated, a frame shape is formed at the joint between the two. P is a chip, and a plurality of chips are mounted on the upper surface of the substrate 1. Four
Is an electrically insulating resin as a protection means for the chip P, and is applied to the inside of the molded body 3 in order to protect the chip P and the wire 6 by resin sealing. Reference numeral 5 is a solder portion for bonding the substrate 1 and the lead 10a, and reference numeral 7 is a main substrate on which the multi-chip package C is mounted in a later step. The multi-chip package C is mounted on the main board 7.
Reference numeral 25 is a solder portion for bonding the lead 10a to the main board 7.

【0009】このマルチチップパッケージCは上記のよ
うな構成により成り、次にその製造方法を説明する。図
3〜図5は本発明に係るマルチチップパッケージCの製
造工程の説明図であり、一連の動作を示している。ま
ず、図3(a)に示すように、スクリーン印刷機8によ
り、リードフレーム10に半田部5を形成する。具体的
には、スクリーンマスク9の下方にリードフレーム10
を配置し、このスクリーンマスク9上をスキージ11を
摺動させることにより、このスクリーンマスク9に形成
されたパターン孔を介して、クリーム半田5′をリード
フレーム10のリード10a上に塗布し、上記半田部5
を形成する。この半田部5は、錫(Sn)と銀(Ag)
を96.5:3.5の割合で配合した合金であり、溶融
温度は約220℃である。
The multi-chip package C has the above-mentioned structure, and its manufacturing method will be described below. 3 to 5 are explanatory views of the manufacturing process of the multi-chip package C according to the present invention, and show a series of operations. First, as shown in FIG. 3A, the solder portion 5 is formed on the lead frame 10 by the screen printer 8. Specifically, the lead frame 10 is provided below the screen mask 9.
And squeegee 11 is slid on the screen mask 9 to apply the cream solder 5'on the leads 10a of the lead frame 10 through the pattern holes formed in the screen mask 9. Solder part 5
To form. The solder portion 5 is made of tin (Sn) and silver (Ag).
Is an alloy containing 96.5: 3.5 and has a melting temperature of about 220 ° C.

【0010】次いで、図3(b)に示すように、半田部
5上に基板1を搭載する。具体的には、移載ヘッド13
をXY方向に駆動してノズル14に吸着された基板1を
半田部5上に搭載する。次に、図3(c)に示すよう
に、この半田部5をリフロー装置により加熱処理して、
基板1をリードフレーム10に接着し、次いでその表裏
を反転させる(図4(a))。なお半田部5は、半田メ
ッキ、半田レベラなどの他の手段によって形成してもよ
い。次いで、図4(b)に示すように、基板1とリード
10aの接合部をしっかり結合するために、基板1の周
囲にモールドプレス装置により枠型のモールド体3を成
形する。このときのモールド体3の成形温度は、半田部
5の溶融温度(220℃)より低い約190℃である。
Next, as shown in FIG. 3B, the substrate 1 is mounted on the solder portion 5. Specifically, the transfer head 13
Are driven in the XY directions to mount the substrate 1 adsorbed by the nozzles 14 on the solder portion 5. Next, as shown in FIG. 3C, the solder portion 5 is heat-treated by a reflow device,
The substrate 1 is adhered to the lead frame 10 and then the front and back are inverted (FIG. 4A). The solder portion 5 may be formed by other means such as solder plating or solder leveler. Next, as shown in FIG. 4B, in order to firmly bond the joint between the substrate 1 and the lead 10a, a frame-shaped mold body 3 is molded around the substrate 1 by a mold pressing device. The molding temperature of the molded body 3 at this time is about 190 ° C., which is lower than the melting temperature (220 ° C.) of the solder portion 5.

【0011】次に、図4(c)に示すように、移載ヘッ
ド15により、ノズル16に吸着されたチップPをこの
基板1上に複数個搭載する。次いで、図5(a)に示す
ように、ワイヤボンダ18によりチップPの電極と基板
1の電極をワイヤ6により接続する。具体的には、ホー
ン19を上下方向に揺動させながら、キャピラリツール
20に挿通されたワイヤ6により、チップPと基板1の
電極を接続する。なお、このようなチップPのほかに、
フリップチップやTABチップ等を基板1の電極に直接
搭載してもよく、この場合はワイヤボンディングは不要
となる。
Next, as shown in FIG. 4C, a plurality of chips P sucked by the nozzles 16 are mounted on the substrate 1 by the transfer head 15. Next, as shown in FIG. 5A, the electrode of the chip P and the electrode of the substrate 1 are connected by the wire 6 by the wire bonder 18. Specifically, while swinging the horn 19 in the vertical direction, the chip P and the electrode of the substrate 1 are connected by the wire 6 inserted into the capillary tool 20. In addition to such a chip P,
A flip chip, a TAB chip, or the like may be directly mounted on the electrode of the substrate 1, and in this case, wire bonding is unnecessary.

【0012】次に図5(b)に示すように、チップPお
よびワイヤ6の保護のために、ディスペンサ17によ
り、このモールド体3の内部に絶縁性の樹脂4を塗布し
て、搭載されたチップPを樹脂封止する。この樹脂4と
しては、例えばUV樹脂、熱硬化性樹脂などが使用でき
る。次いで、この樹脂4がUV樹脂の場合には、紫外線
照射により、また熱硬化性樹脂の場合には加熱処理をし
て、この樹脂4を硬化させる。なおこの場合、樹脂4は
モールド体3の内部に充填するよう多量に塗布しても良
く、あるいはチップPの搭載箇所のみに局所的に塗布し
てもよい。次に、図5(c)に示すように、切断装置3
1により、リードフレーム10のリード10aを打ち抜
いてフォーミングをすることにより、図1に示すマルチ
チップパッケージCが完成する。このようにして製造さ
れたマルチチップパッケージCは、複数個のチップPが
パッケージされているため、きわめて集積度が高いもの
となる。
Next, as shown in FIG. 5B, in order to protect the chip P and the wire 6, an insulating resin 4 is applied to the inside of the molded body 3 by a dispenser 17 and mounted. The chip P is resin-sealed. As the resin 4, for example, UV resin, thermosetting resin or the like can be used. Next, when the resin 4 is a UV resin, it is irradiated with ultraviolet rays, and when it is a thermosetting resin, heat treatment is performed to cure the resin 4. In this case, the resin 4 may be applied in a large amount so as to fill the inside of the mold body 3, or may be locally applied only to the mounting position of the chip P. Next, as shown in FIG. 5C, the cutting device 3
1, the leads 10a of the lead frame 10 are punched out and formed to complete the multi-chip package C shown in FIG. Since the plurality of chips P are packaged in the multi-chip package C manufactured in this manner, the degree of integration is extremely high.

【0013】この完成したマルチチップパッケージC
は、図2に示すように主基板7に搭載される。この搭載
は、図6に示すように、主基板7の電極26に形成され
た半田部25上にリード10aを搭載し、次いでこの半
田部25をリフロー装置により加熱処理することにより
行われる。この半田部25は、鉛(Pb)と錫(Sn)
を6:4の割合で配合した合金であり、溶融温度は18
3℃である。なお、この半田部25は、レーザ光の局部
照射により加熱溶融させてもよい。
This completed multi-chip package C
Are mounted on the main board 7 as shown in FIG. As shown in FIG. 6, this mounting is performed by mounting the lead 10a on the solder portion 25 formed on the electrode 26 of the main substrate 7, and then heat-treating the solder portion 25 with a reflow device. The solder portion 25 is made of lead (Pb) and tin (Sn).
Alloy having a ratio of 6: 4 and a melting temperature of 18
It is 3 ° C. The solder portion 25 may be heated and melted by local irradiation of laser light.

【0014】上述したように、モールド体3の成形温度
は190℃であり、半田部25の溶融温度は183℃で
あり、半田部5の溶融温度は220℃である。このよう
に、半田部5の溶融温度を、モールド体3の成形温度1
90℃および半田部25の溶融温度183℃よりも高い
220℃としたので、モールド体3の成形時や半田部2
5の加熱処理時に、半田部5が再溶融するのを防止でき
る。すなわち、半田部5が220℃以上に再加熱されて
再溶融すると、再固化した際に空隙が生じやすく、図6
の破線矢印に示すように、外部の湿気Eがこの空隙から
パッケージ内に入り込み、短絡などを生じる虞れがある
が、本手段では半田部5の溶融温度を、モールド体3の
成形温度や半田部25の溶融温度より高く設定している
ので、モールト体3の成形時や半田部25の加熱処理時
に半田部5が再溶融して空隙が生じるようなことはな
い。
As described above, the molding temperature of the mold body 3 is 190 ° C., the melting temperature of the solder portion 25 is 183 ° C., and the melting temperature of the solder portion 5 is 220 ° C. In this way, the melting temperature of the solder portion 5 is set to the molding temperature 1 of the mold body 3.
Since the temperature is set to 90 ° C. and 220 ° C., which is higher than the melting temperature 183 ° C. of the solder portion 25, when the mold body 3 is formed and the solder portion 2 is formed.
It is possible to prevent the solder portion 5 from being remelted during the heat treatment of 5. That is, when the solder portion 5 is reheated to 220 ° C. or higher and remelted, voids are likely to be generated when the solder portion 5 is solidified again.
As shown by the broken line arrow, external moisture E may enter into the package through this gap and cause a short circuit or the like. In this means, the melting temperature of the solder portion 5 is set to the molding temperature of the mold body 3 or the solder. Since the temperature is set higher than the melting temperature of the portion 25, there is no possibility that the solder portion 5 will be re-melted and voids will be formed during molding of the molding body 3 or during heat treatment of the solder portion 25.

【0015】(実施例2)図7は本発明の他の実施例の
マルチチップパッケージの断面図である。モールド体3
0は基板1の全面を被覆するように成形されている。こ
のものも実施例1と同様に半田部5の溶融温度をモール
ド体30の成形温度や半田25の溶融温度よりも高くす
ることにより、同様の効果を得ることができる。
(Embodiment 2) FIG. 7 is a sectional view of a multi-chip package of another embodiment of the present invention. Mold body 3
0 is molded so as to cover the entire surface of the substrate 1. Similar to the first embodiment, this one can also obtain the same effect by making the melting temperature of the solder portion 5 higher than the molding temperature of the mold body 30 and the melting temperature of the solder 25.

【0016】本発明は上記実施例に限定されないのであ
って、例えば半田部5は錫と銀を96.5:3.5の割
合で配合したものを例にとって説明したが、要はその溶
融温度をモールド体3の成形温度よりも高く設定できる
ものであればよいものであり、その素材や配合比は自由
に設定できる。
The present invention is not limited to the above embodiment, and the solder portion 5 has been described by taking as an example a mixture of tin and silver in a ratio of 96.5: 3.5. Any material can be set as long as it can be set higher than the molding temperature of the molded body 3, and its material and compounding ratio can be freely set.

【0017】[0017]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、基板と、
この基板に半田部を介して接着されて、この基板から外
方へ延出するリードと、このリードと基板を結合するモ
ールド体と、この基板に搭載された複数個のチップとか
らマルチチップパッケージを構成し、上記半田部の溶融
温度を、上記モールド体の成形温度よりも高くしたの
で、基板に複数個のチップを搭載することにより、複数
個のチップをパッケージして、きわめて集積度の高い電
子部品を得ることができ、しかもモールド体の成形時
に、リードを基板に接着する半田部が再溶融して、パッ
ケージ内への湿気侵入の原因となる空隙が生じるのを解
消できる。
As described above, the present invention includes a substrate,
A multi-chip package including a lead that is bonded to the substrate via a solder portion and extends outward from the substrate, a mold body that joins the lead and the substrate, and a plurality of chips mounted on the substrate. Since the melting temperature of the solder portion is set higher than the molding temperature of the mold body, a plurality of chips can be packaged by mounting a plurality of chips on the substrate, and the degree of integration is extremely high. It is possible to obtain an electronic component, and it is possible to eliminate the occurrence of voids that cause moisture to enter the package due to remelting of the solder portion that bonds the leads to the substrate during molding of the molded body.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係るマルチチップパッケージの斜視図FIG. 1 is a perspective view of a multi-chip package according to the present invention.

【図2】同断面図FIG. 2 is a sectional view of the same.

【図3】本発明に係るマルチチップパッケージの製造工
程の説明図
FIG. 3 is an explanatory diagram of a manufacturing process of a multi-chip package according to the present invention.

【図4】本発明に係るマルチチップパッケージの製造工
程の説明図
FIG. 4 is an explanatory diagram of a manufacturing process of a multi-chip package according to the present invention.

【図5】本発明に係るマルチチップパッケージの製造工
程の説明図
FIG. 5 is an explanatory diagram of a manufacturing process of a multi-chip package according to the present invention.

【図6】本発明に係るマルチチップパッケージの要部断
面図
FIG. 6 is a sectional view of a main part of a multi-chip package according to the present invention.

【図7】本発明の他の実施例に係るマルチチップパッケ
ージの断面図
FIG. 7 is a sectional view of a multi-chip package according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 3 モールド体 5 半田部 10a リード 30 モールド体 C マルチチップパッケージ P チップ 1 Substrate 3 Mold 5 Solder 10a Lead 30 Mold C Multi-chip package P Chip

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】基板と、この基板に半田部を介して接着さ
れて、この基板から外方へ延出するリードと、このリー
ドと基板を結合するモールド体と、この基板に搭載され
た複数個のチップとから成り、上記半田部の溶融温度
を、上記モールド体の成形温度よりも高くしたことを特
徴とするマルチチップパッケージ。
1. A substrate, a lead which is adhered to the substrate via a solder portion and extends outward from the substrate, a mold body for connecting the lead and the substrate, and a plurality of members mounted on the substrate. A multi-chip package comprising individual chips, the melting temperature of the solder portion being higher than the molding temperature of the mold body.
JP1378592A 1992-01-29 1992-01-29 Multi-chip package Pending JPH05206322A (en)

Priority Applications (1)

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JP1378592A JPH05206322A (en) 1992-01-29 1992-01-29 Multi-chip package

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100522838B1 (en) * 2000-10-23 2005-10-19 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사 Semiconductor package and method for manufacturing the same

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