JPH05205898A - Plasma processing device - Google Patents
Plasma processing deviceInfo
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- JPH05205898A JPH05205898A JP4198376A JP19837692A JPH05205898A JP H05205898 A JPH05205898 A JP H05205898A JP 4198376 A JP4198376 A JP 4198376A JP 19837692 A JP19837692 A JP 19837692A JP H05205898 A JPH05205898 A JP H05205898A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、エッチング装置等のプ
ラズマ処理装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a plasma processing apparatus such as an etching apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来から、半導体デバイスの製造工程に
おいて半導体デバイスの微細な回路パターンの形成等
に、いわゆるドライエッチングによりエッチング処理を
施すエッチング装置（プラズマエッチング装置）が利用
されている。このようなエッチング装置では、例えば処
理チャンバ内に、上下に対向する如く上部電極と下部電
極とが設けられており、処理チャンバ内に所定のエッチ
ングガスを導入するとともに、上部電極と下部電極との
間に高周波電源から高周波電力を供給することによりエ
ッチングガスを活性化（プラズマ化）し、例えば下部電
極上に載置した半導体ウエハに作用させてエッチング処
理を実施する。2. Description of the Related Art Conventionally, an etching apparatus (plasma etching apparatus) for performing an etching process by so-called dry etching has been used for forming a fine circuit pattern of a semiconductor device in a semiconductor device manufacturing process. In such an etching apparatus, for example, an upper electrode and a lower electrode are provided in a processing chamber so as to face each other in the vertical direction, and a predetermined etching gas is introduced into the processing chamber, and the upper electrode and the lower electrode are connected to each other. The etching gas is activated (converted into plasma) by supplying high-frequency power from a high-frequency power supply in the meantime, and the etching gas is caused to act on the semiconductor wafer mounted on the lower electrode to perform the etching process.
【０００３】ところで、この種のプラズマ処理装置で
は、処理チャンバ内の電極に印加する高周波電力の値は
処理チャンバ内に発生するプラズマの安定化に重要なフ
ァクタとなっている。By the way, in this type of plasma processing apparatus, the value of the high frequency power applied to the electrodes in the processing chamber is an important factor for stabilizing the plasma generated in the processing chamber.
【０００４】また、例えば米国特許第4871421 号では、
高周波電源と、上部電極および下部電極との間に、二次
側コイルのセンタータップを接地したトランスを設け、
高周波電源からの高周波電力を位相が180 度異なる50：
50の電力に分配し、上部電極と下部電極に供給するよう
構成したエッチング装置が開示されている。このような
エッチング装置では、上部電極と下部電極との電位差
を、これらの電極と処理チャンバ側壁との電位差よりも
大きくすることができる。このため、プラズマ中の電子
がチャンバ側壁に向かって飛ぶことに起因した不所望な
異常放電が生じることを防止することができ、例えば近
時要請される傾向にある低圧プラズマプロセス等におい
ても安定したプラズマを形成することができる。Further, for example, in US Pat. No. 4,871,421,
A transformer with the center tap of the secondary coil grounded is provided between the high-frequency power supply and the upper and lower electrodes.
High-frequency power from the high-frequency power supply is 180 degrees out of phase with 50:
An etching device is disclosed which is configured to distribute 50 power and supply it to the upper and lower electrodes. In such an etching apparatus, the potential difference between the upper electrode and the lower electrode can be made larger than the potential difference between these electrodes and the side wall of the processing chamber. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of an undesired abnormal discharge due to the electrons in the plasma flying toward the side wall of the chamber, and it is stable even in the low-pressure plasma process which is required recently. A plasma can be formed.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、本発明
者等が詳査したところ、上述した従来のエッチング装置
では、例えば温度変化による各部材の電気的特性の変化
等の要因により、各電極に供給される実際の電力が変動
する場合があり、高周波電源によって設定した電力値
と、実際に各電極に供給される電力とが異なってしまう
ことにより、発生するプラズマの安定化が損なわれる結
果、エッチング処理の精度を低下させる一因となってい
ることが判明した。However, as a result of a detailed investigation by the present inventors, in the above-described conventional etching apparatus, the electric power is supplied to each electrode due to a factor such as a change in electrical characteristics of each member due to a temperature change. The actual power that is generated may fluctuate, and because the power value set by the high-frequency power supply and the power that is actually supplied to each electrode differ, stabilization of the generated plasma is impaired, resulting in etching. It has been found that this is one of the causes of lowering the processing accuracy.
【０００６】また、本発明者等の詳査によると、たと
え、高周波電源からの出力電力が一定であったとして
も、処理チャンバまでの経路で消費される損失電力が装
置ごとに異なっているので、処理チャンバ内の電極に印
加される実際の高周波電力が必ずしも一定にならないこ
とが判明した。すなわち、通常、高周波電力は、図６に
示すように高周波は電源６０→第１のケーブル６１→整
合器６２→第２のケーブル６３→処理チャンバ内の電極
６４という経路で印加されるが、高周波電源６０から例
えば500 Ｗで出力されたとしても第１および第２のケー
ブル６１、６３での電力損失が2 Ｗ前後であると共に、
整合器６２での電力損失が5 Ｗ前後であるので、実際に
チャンバ内の電極に印加される高周波電力は 491 Ｗ前
後である。つまり、高周波電力は、処理チャンバまでの
経路で10Ｗ前後の電力損失があって、この値はケーブル
長さや周囲の環境条件によって変化する。Further, according to a detailed study by the present inventors, even if the output power from the high frequency power supply is constant, the power loss consumed in the path to the processing chamber differs from device to device. It has been found that the actual high frequency power applied to the electrodes in the processing chamber is not always constant. That is, normally, the high frequency power is applied through the route of power supply 60 → first cable 61 → matching device 62 → second cable 63 → electrode 64 in the processing chamber as shown in FIG. Even if it is output from the power source 60 at, for example, 500 W, the power loss in the first and second cables 61 and 63 is about 2 W, and
Since the power loss in the matching unit 62 is about 5 W, the high frequency power actually applied to the electrodes in the chamber is about 491 W. That is, the high frequency power has a power loss of about 10 W in the path to the processing chamber, and this value changes depending on the cable length and the surrounding environmental conditions.
【０００７】これは複数のエッチング装置を想定した場
合に、各チャンバ内の電極に印加される実際の高周波電
力値が異なっていることを意味し、各装置ごとのプラズ
マ安定化に装置間差異が生じ、エッチング処理の精度に
ばらつきを招き易いという問題につながる。This means that when a plurality of etching apparatuses are assumed, the actual high frequency power value applied to the electrodes in each chamber is different, and there is a difference between the apparatuses in plasma stabilization of each apparatus. This causes a problem that the accuracy of the etching process is likely to vary.
【０００８】本発明は、かかる従来の事情に対処してな
されたもので、各電極に実際に供給されている電力に基
づいてプロセスを制御することができ、プラズマの安定
化を図って従来に較べて高精度なプラズマ処理を行うこ
とのできるプラズマ処理装置を提供しようとするもので
ある。The present invention has been made in response to such a conventional situation, and the process can be controlled based on the electric power actually supplied to each electrode, and the plasma can be stabilized to achieve the conventional method. An object of the present invention is to provide a plasma processing apparatus capable of performing highly accurate plasma processing.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
プラズマ処理装置は、処理チャンバと、前記処理チャン
バ内に対設される一対の電極とを有するプラズマ処理手
段と、前記電極のうち少なくとも一方の電極に印加する
高周波電力を出力する高周波電源と、前記電極に印加さ
れる前記高周波電力の実際の値を検出する電力検出手段
と、前記電力検出手段によって検出される前記高周波電
力の実際の値に従って、前記高周波電源から出力される
前記高周波電力を所定の値に制御する制御手段とを具備
したことを特徴とする。A plasma processing apparatus according to the present invention as set forth in claim 1, wherein a plasma processing means having a processing chamber and a pair of electrodes opposed to each other in the processing chamber; A high-frequency power source that outputs a high-frequency power applied to at least one electrode, a power detection unit that detects an actual value of the high-frequency power applied to the electrode, and an actual high-frequency power that is detected by the power detection unit. Control means for controlling the high-frequency power output from the high-frequency power source to a predetermined value in accordance with the above value.
【００１０】請求項２記載の本発明のプラズマ処理装置
は、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に対設される
第１の電極および第２の電極とを有するプラズマ処理手
段と、前記第１の電極に印加する第１の高周波電力を出
力する第１の高周波電源と、前記第２の電極に印加する
第２の高周波電力を出力する第２の高周波電源と、前記
第１の電極に印加される前記第１の高周波電力の実際の
値を検出する第１の電力検出手段と、前記第２の電極に
印加される前記第２の高周波電力の実際の値を検出する
第２の電力検出手段と、前記第１および第２の電力検出
手段によって検出される前記第１および第２の高周波電
力の実際の値に従って、前記第１および第２の高周波電
源から出力される前記第１および第２の高周波電力を所
定の値に制御する制御手段とを具備したことを特徴とす
る。According to another aspect of the plasma processing apparatus of the present invention, there is provided a processing chamber, a plasma processing means having a first electrode and a second electrode opposite to each other in the processing chamber, and the first plasma processing means. A first high frequency power source for outputting a first high frequency power applied to the electrode, a second high frequency power source for outputting a second high frequency power applied to the second electrode, and a first high frequency power source applied to the first electrode First power detecting means for detecting an actual value of the first high frequency power and second power detecting means for detecting an actual value of the second high frequency power applied to the second electrode. And the first and second high-frequency power supplies output from the first and second high-frequency power supplies according to actual values of the first and second high-frequency powers detected by the first and second power detection means. Control the high frequency power of Characterized by comprising a control means.
【００１１】請求項３記載の本発明のプラズマ処理装置
は、処理チャンバと、前記処理チャンバ内に対設される
第１の電極および第２の電極とを有するプラズマ処理手
段と、所定の高周波電力を出力する高周波電源と、前記
高周波電源からの前記所定の高周波電力を、互いに所定
の位相差を有する第１および第２の高周波電力に分割し
てそれぞれ前記第１および第２の電極に印加する電力分
割手段と、前記第１の電極に印加される前記第１の高周
波電力の実際の値を検出する第１の電力検出手段と、前
記第２の電極に印加される前記第２の高周波電力の実際
の値を検出する第２の電力検出手段と、前記第１および
第２の電力検出手段によって検出される前記第１および
第２の高周波電力の実際の値に従って、前記高周波電源
から出力される前記高周波電力を所定の値に制御する制
御手段とを具備したことを特徴とする。According to a third aspect of the present invention, there is provided a plasma processing apparatus, which includes a processing chamber, a plasma processing means having a first electrode and a second electrode opposite to each other in the processing chamber, and a predetermined high frequency power. And a predetermined high-frequency power from the high-frequency power supply are divided into first and second high-frequency powers having a predetermined phase difference and applied to the first and second electrodes, respectively. Power dividing means, first power detecting means for detecting an actual value of the first high frequency power applied to the first electrode, and the second high frequency power applied to the second electrode Output from the high frequency power source according to a second power detecting means for detecting an actual value of the high frequency power and an actual value of the first and second high frequency power detected by the first and second power detecting means. Before Characterized by comprising a control means for controlling the high frequency power to a predetermined value.
【００１２】請求項４記載の本発明のエッチング装置
は、少なくとも一対の電極を有し、これらの電極間に電
力を供給してエッチングガスを活性化し、被処理物のエ
ッチングを行うエッチング装置において、それぞれの前
記電極に供給されている電力を測定する測定手段と、こ
の測定手段によって測定された電力値を表示する表示手
段とを具備したことを特徴とする。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided an etching apparatus having at least a pair of electrodes, wherein electric power is supplied between the electrodes to activate an etching gas to etch an object to be processed. It is characterized by comprising a measuring means for measuring the electric power supplied to each of the electrodes and a display means for displaying the electric power value measured by the measuring means.
【００１３】[0013]
【作用】上記構成の本発明のプラズマ処理装置では、各
電極に実際に供給されている電力に基づいてプロセスを
制御することができる。このため、プラズマの安定化を
図って従来に較べて高精度なプラズマ処理を行うことが
できる。In the plasma processing apparatus of the present invention having the above structure, the process can be controlled based on the electric power actually supplied to each electrode. Therefore, it is possible to stabilize the plasma and perform the plasma processing with higher accuracy than the conventional one.
【００１４】[0014]
【実施例】以下、本発明の実施例を図面を参照して説明
する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００１５】まず、本発明をプラズマエッチング装置に
適用した第１実施例について説明する。First, a first embodiment in which the present invention is applied to a plasma etching apparatus will be described.
【００１６】図１に示すように、エッチング装置には、
材質例えばアルマイト処理を施したアルミニウムからな
り、内部を気密に閉塞可能に構成された処理チャンバ２
が設けられている。この処理チャンバ２は、例えば電気
的にアースされており、その内部には、処理チャンバ２
の内壁と一方が電気的に接続され、かつ、他方が電気的
に絶縁された状態で、一対の平行平板電極である上部電
極３と下部電極４が対向する如く設けられている。As shown in FIG. 1, the etching apparatus includes
A processing chamber 2 made of a material such as alumite-treated aluminum and capable of hermetically closing the inside
Is provided. The processing chamber 2 is, for example, electrically grounded, and the processing chamber 2 is provided inside thereof.
The upper electrode 3 and the lower electrode 4, which are a pair of parallel plate electrodes, are provided so as to face each other, with one of them being electrically connected to the inner wall and the other being electrically insulated.
【００１７】この下部電極４は、上面に被処理物である
半導体ウエハ５を載置可能に構成されている。一方、上
部電極３は、多数の細孔３ａから下部電極４上に載置さ
れた半導体ウエハ５に向けて、供給管ＳＴを介して導入
される所定のエッチングガスを供給することができるよ
う構成されている。The lower electrode 4 is constructed so that a semiconductor wafer 5, which is an object to be processed, can be placed on the upper surface thereof. On the other hand, the upper electrode 3 is configured to be able to supply a predetermined etching gas introduced through the supply pipe ST from a large number of pores 3a toward the semiconductor wafer 5 mounted on the lower electrode 4. Has been done.
【００１８】上記半導体ウエハ５は、未処理半導体ウエ
ハ５のカセットエレベータＣＥ１から搬入用のロードロ
ック機構ＬＬ１を介して処理チャンバ２内の下部電極４
上に載置可能に構成されている。The semiconductor wafer 5 has a lower electrode 4 in the processing chamber 2 via a load lock mechanism LL1 for loading from the cassette elevator CE1 of the unprocessed semiconductor wafer 5.
It is configured to be placed on top.
【００１９】なお、処理済の半導体ウエハ５は、排出用
のロードロック機構ＬＬ２を介して処理チャンバ２内か
ら処理済の半導体ウエハ５のカセットエレベータＣＥ２
に排出可能に構成されている。The processed semiconductor wafer 5 is transferred from the inside of the processing chamber 2 through the discharge load lock mechanism LL2 to the cassette elevator CE2 of the processed semiconductor wafer 5.
It is configured to be discharged to.
【００２０】高周波電源１００は、所定周波数の高周波
電力を、第１のケーブル１０４を介してインピーダンス
整合器１０１に、さらには第２のケーブル１０５を介し
て下部電極４に印加可能に接続されている。上記第２の
ケーブル１０５の終端部すなわち処理チャンバ２内の下
部電極４の近傍位置には、電力検出部１０２が配設され
ている。The high frequency power supply 100 is connected to the impedance matching box 101 via the first cable 104 and the lower electrode 4 via the second cable 105 so that high frequency power of a predetermined frequency can be applied. .. A power detection unit 102 is provided at the terminal end of the second cable 105, that is, in the vicinity of the lower electrode 4 in the processing chamber 2.
【００２１】なお、上記インピーダンス整合器１０１
は、周知のように高周波電源１００からの高周波電力
を、処理チャンバ２内の下部電極４に効率よく印加する
ために必要となるもので、例えば特開昭59-73900号に開
示されたプラズマ発生器用インピーダンス自動整合装置
や、特開昭63-258110 号に開示された高周波プラズマ発
生装置のインピーダンス整合器等を用いることができ
る。これは後述する第２、第３の実施例においても同様
である。The impedance matching device 101 is used.
Is necessary for efficiently applying the high frequency power from the high frequency power supply 100 to the lower electrode 4 in the processing chamber 2, for example, plasma generation disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 59-73900. A device impedance automatic matching device, an impedance matching device of the high frequency plasma generator disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 63-258110, and the like can be used. This also applies to the second and third embodiments described later.
【００２２】上記電力検出部１０２の具体例については
後述するが、チャンバ２内の下部電極４に印加される実
際の高周波電力値を検出可能であり、その検出出力に従
ってＣＰＵ等を含むコントローラ１０３を介して検出さ
れた高周波電力を表示部１０６に表示すると共に高周波
電源１００からの出力電力値を所定値にフィードバック
制御可能に構成されている。Although a specific example of the power detection unit 102 will be described later, the actual high frequency power value applied to the lower electrode 4 in the chamber 2 can be detected, and the controller 103 including a CPU and the like can be detected according to the detected output. The high frequency power detected through the display is displayed on the display unit 106, and the output power value from the high frequency power supply 100 can be feedback-controlled to a predetermined value.
【００２３】なお、図１中の符号ＤＴは排気管である。Reference numeral DT in FIG. 1 is an exhaust pipe.
【００２４】上記構成の本実施例のエッチング装置で
は、ロードロック機構ＬＬ１から処理チャンバ２内に半
導体ウエハ５を搬入し、下部電極４に載置する。そして
排気管ＤＴを介して真空排気を実施することにより、処
理チャンバ２内を所定の真空度（例えば百ミリTorr）に
保持しつつ、上部電極３の多数の細孔３ａから半導体ウ
エハ５に向けて所定のエッチングガス（例えばＣＨ
Ｆ3 ）を供給するとともに、高周波電源１００からイン
ピーダンス整合器１０１を介して下部電極４に所定高周
波数、例えば13.56 ＭＨｚあるいは380 ＫＨｚ等の高周
波電力を供給する。すると、高周波電力によりエッチン
グガスがプラズマ化され、このプラズマの作用により半
導体ウエハ５のエッチング処理が行われる。In the etching apparatus of this embodiment having the above structure, the semiconductor wafer 5 is loaded into the processing chamber 2 from the load lock mechanism LL1 and placed on the lower electrode 4. Then, by performing vacuum exhaust through the exhaust pipe DT, the inside of the processing chamber 2 is maintained at a predetermined vacuum degree (for example, 100 milliTorr) and is directed toward the semiconductor wafer 5 from the large number of pores 3a of the upper electrode 3. Specified etching gas (eg CH
In addition to supplying F 3 ), a high frequency power of a predetermined high frequency, for example, 13.56 MHz or 380 KHz is supplied from the high frequency power supply 100 to the lower electrode 4 through the impedance matching device 101. Then, the etching gas is turned into plasma by the high frequency power, and the semiconductor wafer 5 is etched by the action of the plasma.
【００２５】ところで、本実施例のプラズマエッチング
装置では、上述したように実際にチャンバ２内の下部電
極４に印加される高周波電力値が電力検出部１０２によ
って検出されており、コントローラ１０３は、その検出
値に従って、この検出値が所定値となるように、高周波
電源１００からの出力のフィードバック制御を行ってい
る。By the way, in the plasma etching apparatus of this embodiment, the high-frequency power value actually applied to the lower electrode 4 in the chamber 2 is detected by the power detection unit 102 as described above, and the controller 103 causes the high-frequency power value to be detected. According to the detected value, feedback control of the output from the high frequency power supply 100 is performed so that the detected value becomes a predetermined value.
【００２６】図２にこのフィードバック制御の形態を示
す。当初、高周波電源１００から例えば500 Ｗの高周波
電力が出力されたとし、第１および第２のケーブル１０
４、１０５での電力損失がそれぞれ2 Ｗで、かつ、イン
ピーダンス整合器１０１での電力損失が5 Ｗであったと
すると、処理チャンバ２内の下部電極４には491 Ｗの高
周波電力が印加されていることになる。FIG. 2 shows the form of this feedback control. Initially, it is assumed that the high frequency power of 100 W is output from the high frequency power supply 100, and the first and second cables 10 are
Assuming that the power loss at 4 and 105 is 2 W and the power loss at the impedance matching device 101 is 5 W, a high frequency power of 491 W is applied to the lower electrode 4 in the processing chamber 2. Will be there.
【００２７】しかるに、電力検出部１０２において、上
記処理チャンバ２内の下部電極４に実際に印加される高
周波電力が491 Ｗであることが検出されるので、この検
出出力がフィードバックされるコントローラ１０３は処
理チャンバ２までの経路における電力損失分を補償する
ために、高周波電源１００に対し当初の500 Ｗに9 Ｗを
加えた509 Ｗの高周波電力を出力するような制御指令を
与える。However, since the power detection unit 102 detects that the high frequency power actually applied to the lower electrode 4 in the processing chamber 2 is 491 W, the controller 103 to which this detection output is fed back is In order to compensate for the power loss in the path to the processing chamber 2, a control command is output to the high frequency power supply 100 to output high frequency power of 509 W, which is 9 W added to the initial 500 W.
【００２８】この結果、処理チャンバ２内の下部電極４
には安定なプラズマ発生に必要な500 Ｗの高周波電力が
常時印加される。このようなフィードバック制御はケー
ブル長の長短や周囲の環境条件の変動に応じてなされ
る。従って、従来のようにこのようなフィードバック制
御を行わないエッチング装置に比して、本実施例のエッ
チング装置は、高周波電力値の変動によるプラズマ発生
の不安定原因が除去されるので、エッチング精度を常時
高精度に維持することができる。As a result, the lower electrode 4 in the processing chamber 2
The high frequency power of 500 W necessary for stable plasma generation is constantly applied to this. Such feedback control is performed in accordance with the length of the cable and changes in the surrounding environmental conditions. Therefore, as compared with the conventional etching apparatus that does not perform such feedback control, the etching apparatus of the present embodiment eliminates the cause of instability of plasma generation due to fluctuations in the high frequency power value. High accuracy can be maintained at all times.
【００２９】しかも、複数のエッチング装置を想定した
場合であっても、本実施例によると、各チャンバ内の電
極に印加される実際の高周波電力値に基づいてそれが所
定値になるように制御されるので、従来のように各装置
ごとにプラズマ安定化に装置間差異が生じるようなこと
がない。この結果、各装置ごとのエッチング処理の精度
にばらつきを生じることがなく、いずれの装置でも均一
なエッチング精度が得られる。Moreover, even when a plurality of etching apparatuses are assumed, according to the present embodiment, it is controlled so that it becomes a predetermined value based on the actual high frequency power value applied to the electrode in each chamber. Therefore, there is no difference between devices in plasma stabilization between devices as in the conventional case. As a result, there is no variation in the accuracy of the etching process for each device, and uniform etching accuracy can be obtained in any device.
【００３０】次に、本発明の第２実施例を図面を参照し
て説明する。Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
【００３１】図３に示すように、エッチング装置１に
は、材質例えばアルマイト処理を施したアルミニウムか
らなり、内部を気密に閉塞可能に構成された処理チャン
バ２が設けられている。この処理チャンバ２は、例えば
電気的にアースされており、その内部には、処理チャン
バ２の内壁と電気的に絶縁された一対の平行平板電極で
ある上部電極３と下部電極４が対向する如く設けられて
いる。As shown in FIG. 3, the etching apparatus 1 is provided with a processing chamber 2 which is made of a material such as aluminized aluminum and which can hermetically close the inside thereof. The processing chamber 2 is electrically grounded, for example, and inside thereof, an upper electrode 3 and a lower electrode 4 which are a pair of parallel plate electrodes electrically insulated from the inner wall of the processing chamber 2 face each other. It is provided.
【００３２】この下部電極４は、上面に被処理物である
半導体ウエハ５を載置可能に構成されている。一方、上
部電極３は、例えば図示しない多数の細孔から下部電極
４上に載置された半導体ウエハ５に向けて、所定のエッ
チングガスを供給することができるよう構成されてい
る。The lower electrode 4 is constructed so that a semiconductor wafer 5 as an object to be processed can be placed on the upper surface thereof. On the other hand, the upper electrode 3 is configured to be able to supply a predetermined etching gas toward the semiconductor wafer 5 mounted on the lower electrode 4 from a large number of pores (not shown), for example.
【００３３】上述した上部電極３には、インピーダンス
整合器６を介して高周波電源７が接続されている。ま
た、下部電極４には、インピーダンス整合器８を介して
高周波電源９が接続されている。さらに、これらの高周
波電源７、９には、発信器を供えた位相制御装置１０が
接続されている。そして、この位相制御装置１０によっ
て、インピーダンス整合器６、８の出力の位相をモニタ
しつつ、後述するコントローラ１８により高周波電源
７、９から出力される各高周波電力の位相を所定範囲、
例えば±180 度の範囲で任意に設定し、制御することが
できるよう構成されている。A high frequency power source 7 is connected to the above-mentioned upper electrode 3 via an impedance matching device 6. A high frequency power source 9 is connected to the lower electrode 4 via an impedance matching device 8. Further, a phase control device 10 having an oscillator is connected to the high frequency power supplies 7 and 9. Then, the phase control device 10 monitors the phases of the outputs of the impedance matching devices 6 and 8, while the phase of each high frequency power output from the high frequency power supplies 7 and 9 by the controller 18 described later is set to a predetermined range,
For example, it is configured so that it can be arbitrarily set and controlled within a range of ± 180 degrees.
【００３４】また、インピーダンス整合器６と上部電極
３とを接続する高周波ケーブル１１およびインピーダン
ス整合器８と下部電極４とを接続する高周波ケーブル１
２には、それぞれ電力検出部１３、１４が設けられてい
る。これらの電力検出部１３、１４は、図４に示すよう
に、電流検出部３０および電圧検出部３１とを備えてい
る。電力検出部１３、１４からの出力を演算する演算部
１６、１７はそれぞれこれらの電流検出部３０と電圧検
出部３１の検出結果を乗算する乗算部３２と、この乗算
部３２の乗算結果から所定タイミング（例えば100 ミリ
秒毎）で実効値を算出し、出力する実効値演算部３３と
から構成されている。A high frequency cable 11 connecting the impedance matching device 6 and the upper electrode 3 and a high frequency cable 1 connecting the impedance matching device 8 and the lower electrode 4 are connected.
2 are provided with power detection units 13 and 14, respectively. As shown in FIG. 4, these power detection units 13 and 14 include a current detection unit 30 and a voltage detection unit 31. The calculation units 16 and 17 for calculating the outputs from the power detection units 13 and 14 multiply the detection results of the current detection unit 30 and the voltage detection unit 31, respectively, and a predetermined result from the multiplication result of the multiplication unit 32. It is composed of an effective value calculation unit 33 which calculates and outputs an effective value at a timing (for example, every 100 milliseconds).
【００３５】上記電流検出部３０は、上記高周波ケーブ
ル１１、１２に結合された変流器Ｔ１と、この変流器Ｔ
１に結合された変圧器Ｔ２と、この変圧器Ｔ２の２次側
一端とアース間に接続された抵抗Ｒ３とを含み、この抵
抗Ｒ３の両端から上記高周波ケーブル１１、１２に流れ
る高周波電流に対応した出力成分を得る。The current detector 30 includes a current transformer T1 coupled to the high frequency cables 11 and 12, and a current transformer T1.
1 includes a transformer T2 and a resistor R3 connected between one end of the secondary side of the transformer T2 and the ground, and supports a high frequency current flowing from the both ends of the resistor R3 to the high frequency cables 11 and 12. To obtain the output component.
【００３６】上記電圧検出部３１は上記高周波ケーブル
に１１、１２とアース間に直列に接続されたコンデンサ
Ｃ１と抵抗Ｒ１、Ｒ２とを含み、この抵抗Ｒ１，Ｒ２の
接続中点から上記高周波ケーブル１１、１２にかかる高
周波電圧に対応した出力成分を得る。The voltage detector 31 includes capacitors C1 and resistors R1 and R2 connected in series between the high frequency cables 11 and 12 and the ground, and the high frequency cable 11 is connected from the connection midpoint of the resistors R1 and R2. , 12 to obtain the output component corresponding to the high frequency voltage.
【００３７】そして、上記構成の演算部１６、１７の実
効値演算部３３の出力は、Ａ／Ｄ変換器を内蔵する表示
装置１５に入力され、上部電極３および下部電極４に供
給されている実際の電力値として、それぞれ表示装置１
５にデジタル表示さるよう構成されている。なお表示装
置１５には、演算部１６、１７によって演算された電流
値、電圧値あるいは上部電極３と下部電極４の電力値の
比率等を表示するように構成することができる。The output of the effective value calculator 33 of the calculators 16 and 17 having the above-described configuration is input to the display device 15 having an A / D converter built therein and supplied to the upper electrode 3 and the lower electrode 4. As the actual power value, the display device 1 is used.
5 is configured to be digitally displayed. The display device 15 may be configured to display the current value, the voltage value, the ratio of the electric power values of the upper electrode 3 and the lower electrode 4, or the like calculated by the arithmetic units 16 and 17.
【００３８】なお、第１実施例で用いる電力検出部１０
２としても図４に示すような電力検出部の具体例でよ
い。また、第１実施例では図４の演算部に相当する部分
はコントローラ１０３内に含まれているものとする。The power detector 10 used in the first embodiment.
The specific example of the power detection unit as shown in FIG. Further, in the first embodiment, a portion corresponding to the calculation unit in FIG. 4 is included in the controller 103.
【００３９】図３に戻ると、演算部１６、１７の各出力
は、それぞれＣＰＵ算を含むコントローラ１８を介して
位相制御装置１０および高周波電源７、９にフィードバ
ックされる。Returning to FIG. 3, the outputs of the arithmetic units 16 and 17 are fed back to the phase controller 10 and the high frequency power supplies 7 and 9 via the controller 18 including the CPU arithmetic.
【００４０】なお、コントローラ１８には上記表示装置
１５と同様の表示を含む所望の表示を行うための表示部
１９が接続されている。The controller 18 is connected to a display section 19 for performing a desired display including the same display as the display device 15.
【００４１】上記構成の本実施例のエッチング装置１で
は、図示しない搬入搬出口から処理チャンバ２内に半導
体ウエハ５を搬入し、下部電極４上に載置する。そし
て、真空排気を実施することにより、処理チャンバ２内
を所定の真空度（例えば百ミリTorr）に保持しつつ、上
部電極３の図示しない多数の細孔から半導体ウエハ５に
向けて所定のエッチングガス（例えばＣＨＦ3 ）を供給
するとともに、高周波電源７、９から整合器６、８を介
して上部電極３および下部電極４に所定周波数例えば1
3.56 ＭＨｚあるいは380 ＫＨｚ等の高周波電力を供給
する。すると、高周波電力によりエッチングガスがプラ
ズマ化され、このプラズマの作用により半導体ウエハ５
のエッチング処理が行われる。In the etching apparatus 1 of the present embodiment having the above-mentioned structure, the semiconductor wafer 5 is loaded into the processing chamber 2 through the loading / unloading port (not shown) and placed on the lower electrode 4. Then, by performing vacuum evacuation, a predetermined degree of etching is performed toward the semiconductor wafer 5 from a large number of pores (not shown) of the upper electrode 3 while maintaining the inside of the processing chamber 2 at a predetermined degree of vacuum (for example, 100 mmTorr). A gas (for example, CHF 3 ) is supplied and a predetermined frequency, for example, 1
Supply high frequency power such as 3.56 MHz or 380 KHz. Then, the etching gas is turned into plasma by the high frequency power, and the action of this plasma causes the semiconductor wafer 5
Etching process is performed.
【００４２】ところで、本実施例では、処理チャンバ２
内の上部電極３および下部電極４に2 台の高周波電源
７、９からインピーダンス整合器６、８を介して互いに
所定の位相差を有する高周波電力を各別に印加している
が、これらの実際に印加される各高周波電力値は電力検
出部１３、１４によって各別に検出されると共に、演算
部１６、１７によって実効値電力として各別に演算され
ている。これらの各算出された電力実効値はそれぞれコ
ントローラ１８を介して2 台の高周波電源７、９にフィ
ードバックされて、2 台の高周波電源７、９から出力さ
れる各高周波電力がそれぞれ所定値になるように制御す
るのに供される。このときのフィードバック制御の形態
およびそれによる効果は前述した第１実施例のそれと同
様である。なお、この時、コントローラ１８は位相制御
装置１０によって、高周波電源７、９から出力される各
高周波電力の位相を例えば180 度ずらすよう制御する。
また、コントローラ１８は上部電極３と下部電極４との
高周波電力の比率を、高周波電源７、９の出力設定を変
えることにより例えば50：50、90：10、80：20等に設定
する。本実施例では、2 台の高周波電源７、９を用いて
いるので、このような上部電極３と下部電極４との高周
波電力の比率を連続的に任意の値に設定することができ
る。また、このような制御をコントローラ１８に含まれ
るＣＰＵのソフトウエアによって行うことができ、例え
ばエッチングプロセス中に上部電極３と下部電極４との
高周波電力の比率を、変更するよう制御することもでき
る。By the way, in this embodiment, the processing chamber 2
High frequency powers having a predetermined phase difference from each other are separately applied to the upper electrode 3 and the lower electrode 4 inside from two high frequency power sources 7 and 9 through impedance matching devices 6 and 8, respectively. The applied high frequency power values are individually detected by the power detection units 13 and 14, and are also individually calculated as effective value power by the calculation units 16 and 17. The calculated effective power values are fed back to the two high-frequency power supplies 7 and 9 via the controller 18, and the high-frequency powers output from the two high-frequency power supplies 7 and 9 have predetermined values. Served to control. The form of the feedback control at this time and the effect thereof are similar to those of the first embodiment described above. At this time, the controller 18 controls the phase controller 10 to shift the phases of the high frequency powers output from the high frequency power supplies 7 and 9 by 180 degrees, for example.
Further, the controller 18 sets the ratio of the high frequency power between the upper electrode 3 and the lower electrode 4 to, for example, 50:50, 90:10, 80:20 by changing the output setting of the high frequency power supplies 7 and 9. In this embodiment, since two high frequency power supplies 7 and 9 are used, the ratio of the high frequency power of the upper electrode 3 and the lower electrode 4 can be continuously set to an arbitrary value. Further, such control can be performed by the software of the CPU included in the controller 18, and for example, the ratio of the high frequency power between the upper electrode 3 and the lower electrode 4 can be controlled to be changed during the etching process. ..
【００４３】また、上部電極３、下部電極４に実際に供
給されている電力は、電力検出部１３、１４によって測
定されると共に演算部１６、１７によって算出された実
効値電力がそれぞれ表示装置１５にデジタル表示され
る。したがって、例えばオペレータは、このデジタル表
示を見ながら上部電極３、下部電極４に実際に供給され
ている電力値が所定値に保持されているか否かをモニタ
することができ、予期しない高周波電力の変動に対して
も即座に対処することもできるので、従来に較べて高精
度なエッチング処理を行うことができる。Further, the electric power actually supplied to the upper electrode 3 and the lower electrode 4 is measured by the electric power detection units 13 and 14, and the effective value electric power calculated by the arithmetic units 16 and 17 is the display device 15, respectively. Is displayed digitally. Therefore, for example, the operator can monitor whether or not the power value actually supplied to the upper electrode 3 and the lower electrode 4 is maintained at a predetermined value while observing the digital display, and an unexpected high frequency power Since it is possible to immediately deal with fluctuations, it is possible to perform etching processing with higher accuracy than in the past.
【００４４】図５は、本発明の第３実施例によるエッチ
ング装置４０の構成を示すもので、図３に示した第２実
施例のエッチング装置１と同一部分には同一符号を付し
て重複した説明は省略する。FIG. 5 shows the structure of an etching apparatus 40 according to the third embodiment of the present invention. The same parts as those of the etching apparatus 1 of the second embodiment shown in FIG. The description is omitted.
【００４５】この実施例のエッチング装置４０では、1
台の高周波電源４１からの高周波電力をインピーダンス
整合器４５を介してトランス４２によって分配し、上部
電極３および下部電極４に位相が180 度異なる高周波電
力を供給するよう構成されている。また、本実施例で
は、トランス４２の温度を検出するための温度センサ４
３と、温度検出回路４４が設けられており、トランス４
２の温度が上昇し、トランス４２の焼損が発生する恐れ
が生じた場合は、温度検出回路４４からインターロック
信号を発生して、コントローラ１８を介して高周波電源
４１からの電力供給を停止するよう構成されている。な
お、インターロック信号は、例えばトランス４２の温度
が80℃異常に上昇した場合に発生するよう構成されてい
る。In the etching apparatus 40 of this embodiment, 1
High-frequency power from the high-frequency power source 41 of the table is distributed by the transformer 42 via the impedance matching device 45, and high-frequency power having a phase difference of 180 degrees is supplied to the upper electrode 3 and the lower electrode 4. Further, in this embodiment, the temperature sensor 4 for detecting the temperature of the transformer 42 is used.
3 and a temperature detection circuit 44 are provided, and the transformer 4
When the temperature of No. 2 rises and the transformer 42 may be burned out, an interlock signal is generated from the temperature detection circuit 44 to stop the power supply from the high frequency power supply 41 via the controller 18. It is configured. The interlock signal is configured to be generated when the temperature of the transformer 42 rises abnormally by 80 ° C., for example.
【００４６】このようなエッチング装置４０では、例え
ば温度上昇等によってトランス４２のコア材の透磁率が
低下し、トランス４２の効率が劣化して所定の電力の伝
送ができなくなることがある。このような場合でも、上
部電極３、下部電極４に実際に供給されている電力が、
電力検出部１３、１４によって測定されると共に、演算
部１６、１７によって算出された実効値電力がそれぞれ
表示装置１５にデジタル表示される。従ってオペレータ
はデジタル表示を見ながら上部電極３、下部電極４に実
際に供給されている電力値が所定値に保持されているか
否かをモニタすることができ、予期しない高周波電力の
変動に対しても即座に対処し得るので、従来に較べて高
精度なエッチング処理を行うことができる。また、トラ
ンス４２の温度上昇による焼損等も防止することがで
き、従来に較べて安全性の向上を図ることができる。In such an etching apparatus 40, the magnetic permeability of the core material of the transformer 42 may be lowered due to, for example, a temperature rise, and the efficiency of the transformer 42 may be deteriorated so that predetermined power cannot be transmitted. Even in such a case, the electric power actually supplied to the upper electrode 3 and the lower electrode 4 is
The effective value powers measured by the power detection units 13 and 14 and calculated by the calculation units 16 and 17 are digitally displayed on the display device 15, respectively. Therefore, the operator can monitor whether or not the power value actually supplied to the upper electrode 3 and the lower electrode 4 is kept at a predetermined value while observing the digital display, and against unexpected fluctuation of high frequency power. Since it can be dealt with immediately, it is possible to perform etching processing with higher accuracy than in the conventional case. In addition, it is possible to prevent burning and the like due to the temperature rise of the transformer 42, and it is possible to improve safety as compared with the conventional case.
【００４７】以上説明したように、本発明のプラズマ処
理装置によれば処理チャンバ内の電極に実際に供給され
ている高周波電力値をプラズマ発生の安定化に寄与する
ように制御することができ、従来に較べて高精度なプラ
ズマ処理を行うことができると同時に装置間差異のない
プロセスを容易に確立することができる。As described above, according to the plasma processing apparatus of the present invention, the high frequency power value actually supplied to the electrode in the processing chamber can be controlled so as to contribute to the stabilization of plasma generation. It is possible to perform plasma processing with higher accuracy than before, and at the same time, it is possible to easily establish a process with no difference between apparatuses.
【００４８】[0048]
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
処理装置によれば、各電極に実際に供給されている電力
に基づいてプロセスを制御することができ、プラズマの
安定化を図って従来に較べて高精度なプラズマ処理を行
うことができる。As described above, according to the plasma processing apparatus of the present invention, the process can be controlled based on the electric power actually supplied to each electrode, and the plasma can be stabilized in the conventional method. It is possible to perform plasma processing with higher accuracy than
【図１】本発明の第１実施例のエッチング装置の構成を
示す図。FIG. 1 is a diagram showing a configuration of an etching apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１のエッチング装置のフィードバック制御形
態を説明するための図。FIG. 2 is a view for explaining a feedback control mode of the etching apparatus of FIG.
【図３】本発明の第２実施例のエッチング装置の構成を
示す図。FIG. 3 is a diagram showing a configuration of an etching apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】図３の電力検出部および演算部の具体例を示す
図FIG. 4 is a diagram showing a specific example of a power detection unit and a calculation unit in FIG.
【図５】本発明の第３実施例のエッチング装置の構成を
示す図。FIG. 5 is a diagram showing a configuration of an etching apparatus according to a third embodiment of the present invention.
【図６】従来のプラズマ処理装置の欠点を説明するため
の図。FIG. 6 is a diagram for explaining a defect of a conventional plasma processing apparatus.
２ 処理チャンバ ３ 上部電極 ４ 下部電極 ５ 半導体ウエハ １００ 高周波電源 １０１ インピーダンス整合器 １０２ 電力検出部 １０３ コントローラ １０４，１０５ 高周波ケーブル １０６ 表示部 2 processing chamber 3 upper electrode 4 lower electrode 5 semiconductor wafer 100 high frequency power supply 101 impedance matching unit 102 power detection unit 103 controller 104, 105 high frequency cable 106 display unit
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 栄一 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 (72)発明者 大嶋 弘一 山梨県韮崎市藤井町北下条2381番地の１ 東京エレクトロン山梨株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Eiichi Nishimura Eiichi Nishimura 1238-1 Kitashitajo, Fujii-cho, Nirasaki-shi, Yamanashi Tokyo Electron Yamanashi Co., Ltd. (72) Inventor Koichi Oshima 2381 Kita-Shimojo, Fujii-cho, Nirasaki-shi, Yamanashi 1 Tokyo Electron Yamanashi Co., Ltd.
Claims (4)
対設される一対の電極とを有するプラズマ処理手段と、 前記電極のうち少なくとも一方の電極に印加する高周波
電力を出力する高周波電源と、 前記電極に印加される前記高周波電力の実際の値を検出
する電力検出手段と、 前記電力検出手段によって検出される前記高周波電力の
実際の値に従って、前記高周波電源から出力される前記
高周波電力を所定の値に制御する制御手段とを具備した
ことを特徴とするプラズマ処理装置。1. A plasma processing unit having a processing chamber, a pair of electrodes oppositely disposed in the processing chamber, a high frequency power source for outputting high frequency power applied to at least one of the electrodes, and Power detection means for detecting an actual value of the high frequency power applied to the electrode, and a predetermined value of the high frequency power output from the high frequency power source according to the actual value of the high frequency power detected by the power detection means. A plasma processing apparatus comprising: a control unit for controlling the value.
対設される第１の電極および第２の電極とを有するプラ
ズマ処理手段と、 前記第１の電極に印加する第１の高周波電力を出力する
第１の高周波電源と、 前記第２の電極に印加する第２の高周波電力を出力する
第２の高周波電源と、 前記第１の電極に印加される前記第１の高周波電力の実
際の値を検出する第１の電力検出手段と、 前記第２の電極に印加される前記第２の高周波電力の実
際の値を検出する第２の電力検出手段と、 前記第１および第２の電力検出手段によって検出される
前記第１および第２の高周波電力の実際の値に従って、
前記第１および第２の高周波電源から出力される前記第
１および第２の高周波電力を所定の値に制御する制御手
段とを具備したことを特徴とするプラズマ処理装置。2. A plasma processing means having a processing chamber, a first electrode and a second electrode opposite to each other in the processing chamber, and outputting a first high frequency power applied to the first electrode. A first high frequency power source, a second high frequency power source that outputs a second high frequency power applied to the second electrode, and an actual value of the first high frequency power applied to the first electrode. A first power detecting means for detecting a current level, a second power detecting means for detecting an actual value of the second high frequency power applied to the second electrode, and the first and second power detecting means. According to the actual value of said first and second high frequency power detected by the means,
A plasma processing apparatus comprising: a control unit that controls the first and second high-frequency powers output from the first and second high-frequency power supplies to predetermined values.
対設される第１の電極および第２の電極とを有するプラ
ズマ処理手段と、 所定の高周波電力を出力する高周波電源と、 前記高周波電源からの前記所定の高周波電力を、互いに
所定の位相差を有する第１および第２の高周波電力に分
割してそれぞれ前記第１および第２の電極に印加する電
力分割手段と、 前記第１の電極に印加される前記第１の高周波電力の実
際の値を検出する第１の電力検出手段と、 前記第２の電極に印加される前記第２の高周波電力の実
際の値を検出する第２の電力検出手段と、 前記第１および第２の電力検出手段によって検出される
前記第１および第２の高周波電力の実際の値に従って、
前記高周波電源から出力される前記高周波電力を所定の
値に制御する制御手段とを具備したことを特徴とするプ
ラズマ処理装置。3. A plasma processing means having a processing chamber, a first electrode and a second electrode opposite to each other in the processing chamber, a high frequency power source for outputting a predetermined high frequency power, and a high frequency power source from the high frequency power source. Power dividing means for dividing the predetermined high frequency power into first and second high frequency powers having a predetermined phase difference and applying the first and second high frequency powers to the first and second electrodes, respectively. First power detection means for detecting an actual value of the first high-frequency power applied, and second power for detecting an actual value of the second high-frequency power applied to the second electrode Detecting means and according to the actual values of the first and second high frequency power detected by the first and second power detecting means,
A plasma processing apparatus comprising: a control unit that controls the high frequency power output from the high frequency power supply to a predetermined value.
電極間に電力を供給してエッチングガスを活性化し、被
処理物のエッチングを行うエッチング装置において、 それぞれの前記電極に供給されている電力を測定する測
定手段と、この測定手段によって測定された電力値を表
示する表示手段とを具備したことを特徴とするエッチン
グ装置。4. An etching apparatus having at least a pair of electrodes, wherein electric power is supplied between these electrodes to activate an etching gas to etch an object to be processed, and electric power supplied to each of the electrodes. An etching apparatus comprising: a measuring unit that measures the electric power and a display unit that displays the electric power value measured by the measuring unit.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4198376A JPH05205898A (en) | 1991-07-24 | 1992-07-24 | Plasma processing device |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18480491 | 1991-07-24 | ||
| JP3-184804 | 1991-07-24 | ||
| JP4198376A JPH05205898A (en) | 1991-07-24 | 1992-07-24 | Plasma processing device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05205898A true JPH05205898A (en) | 1993-08-13 |
Family
ID=26502728
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4198376A Withdrawn JPH05205898A (en) | 1991-07-24 | 1992-07-24 | Plasma processing device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05205898A (en) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002100622A (en) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus, method for estimating its performance and maintaining it, and system for managing and confirming its performance |
| JP2002151294A (en) * | 2000-11-06 | 2002-05-24 | Alps Electric Co Ltd | Performance evaluation method, maintenance method, performance management system, and performance confirmation system of plasma treatment device or plasma treatment system, and plasma treatment device |
| JP2002151296A (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Alps Electric Co Ltd | Performance evalution method, maintenance method, performance management system, and performance confirmation system of plasma treatment device, and plasma treatment device |
| KR100450100B1 (en) * | 2000-08-11 | 2004-09-24 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | Plasma processing apparatus and plasma processing system |
| US6858446B2 (en) | 1998-07-10 | 2005-02-22 | Seiko Epson Corporation | Plasma monitoring method and semiconductor production apparatus |
| KR100502522B1 (en) * | 2000-10-16 | 2005-07-20 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | Plasma processing apparatus |
| US7225754B2 (en) | 2000-11-08 | 2007-06-05 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus including a plurality of plasma processing units having reduced variation |
| JP2008117777A (en) * | 2006-11-04 | 2008-05-22 | Huettinger Elektronik Gmbh & Co Kg | Drive control method of at least two high-frequency power generators, high-frequency power generator drive control device, and high-frequency plasma excitation device |
| EP1976347A2 (en) | 2007-03-30 | 2008-10-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, radio frequency generator and correction method therefor |
| JP2008235579A (en) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Hitachi High-Technologies Corp | Plasma processing equipment and method for processing plasma |
| KR101020564B1 (en) * | 2008-12-02 | 2011-03-09 | 주식회사 에피솔루션 | Power monitoring apparatus for remote plasma system |
| US7981306B2 (en) | 2005-08-13 | 2011-07-19 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Supplying RF power to a plasma process |
| US8073646B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-12-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, radio frequency generator and correction method therefor |
| JP4865948B2 (en) * | 1999-04-14 | 2012-02-01 | サーフィス テクノロジー システムズ ピーエルシー | Method and apparatus for stabilizing plasma |
| US11908662B2 (en) | 2018-11-21 | 2024-02-20 | Applied Materials, Inc. | Device and method for tuning plasma distribution using phase control |
-
1992
- 1992-07-24 JP JP4198376A patent/JPH05205898A/en not_active Withdrawn
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6858446B2 (en) | 1998-07-10 | 2005-02-22 | Seiko Epson Corporation | Plasma monitoring method and semiconductor production apparatus |
| JP4865948B2 (en) * | 1999-04-14 | 2012-02-01 | サーフィス テクノロジー システムズ ピーエルシー | Method and apparatus for stabilizing plasma |
| KR100450100B1 (en) * | 2000-08-11 | 2004-09-24 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | Plasma processing apparatus and plasma processing system |
| JP2002100622A (en) * | 2000-09-22 | 2002-04-05 | Alps Electric Co Ltd | Plasma processing apparatus, method for estimating its performance and maintaining it, and system for managing and confirming its performance |
| KR100502522B1 (en) * | 2000-10-16 | 2005-07-20 | 알프스 덴키 가부시키가이샤 | Plasma processing apparatus |
| JP2002151294A (en) * | 2000-11-06 | 2002-05-24 | Alps Electric Co Ltd | Performance evaluation method, maintenance method, performance management system, and performance confirmation system of plasma treatment device or plasma treatment system, and plasma treatment device |
| US7225754B2 (en) | 2000-11-08 | 2007-06-05 | Alps Electric Co., Ltd. | Plasma processing apparatus including a plurality of plasma processing units having reduced variation |
| JP2002151296A (en) * | 2000-11-14 | 2002-05-24 | Alps Electric Co Ltd | Performance evalution method, maintenance method, performance management system, and performance confirmation system of plasma treatment device, and plasma treatment device |
| US7981306B2 (en) | 2005-08-13 | 2011-07-19 | Huettinger Elektronik Gmbh + Co. Kg | Supplying RF power to a plasma process |
| JP2008117777A (en) * | 2006-11-04 | 2008-05-22 | Huettinger Elektronik Gmbh & Co Kg | Drive control method of at least two high-frequency power generators, high-frequency power generator drive control device, and high-frequency plasma excitation device |
| US8884523B2 (en) | 2006-11-04 | 2014-11-11 | Trumpf Huettinger Gmbh + Co. Kg | Driving at least two high frequency-power generators |
| JP2008235579A (en) * | 2007-03-20 | 2008-10-02 | Hitachi High-Technologies Corp | Plasma processing equipment and method for processing plasma |
| EP1976347A2 (en) | 2007-03-30 | 2008-10-01 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, radio frequency generator and correction method therefor |
| US8073646B2 (en) | 2007-03-30 | 2011-12-06 | Tokyo Electron Limited | Plasma processing apparatus, radio frequency generator and correction method therefor |
| KR101020564B1 (en) * | 2008-12-02 | 2011-03-09 | 주식회사 에피솔루션 | Power monitoring apparatus for remote plasma system |
| US11908662B2 (en) | 2018-11-21 | 2024-02-20 | Applied Materials, Inc. | Device and method for tuning plasma distribution using phase control |
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