JPH04212935A - Display cell - Google Patents

Display cell

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JPH04212935A
JPH04212935A JP2324145A JP32414590A JPH04212935A JP H04212935 A JPH04212935 A JP H04212935A JP 2324145 A JP2324145 A JP 2324145A JP 32414590 A JP32414590 A JP 32414590A JP H04212935 A JPH04212935 A JP H04212935A
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JP
Japan
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substrate
display
active
elements
active elements
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JP2324145A
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Tadanobu Kato
加藤 忠信
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Abstract

PURPOSE:To manufacture a display device of large picture plane in a good yield rate inexpensively by forming an active element by a specific method, in the case of a display cell for which the active element is used. CONSTITUTION:A transistor use base layer 2 is laminated respectively independently further closely on a polyimide film 1 by using a mask in a size necessary for each picture element. Next, a semiconductor layer 3 is formed while masking on this base layer 2 to dope P, S or the like, and an active switching element 4 is formed. Electric connection parts 5a to 5c are laminated on the respective active elements 14. Next, the polyimide film 1, in which many of these active elements 4 are closely formed, is immersed in etching liquid to separate the active element 4 by removing a polyimide part. This element 4 is rearranged as matched with a pattern on a display drive substrate, overlapped previously with a picture element electrode and the display driving substrate, formed with a lead wire, and transferred onto the substrate.

Description

【発明の詳細な説明】 「産業上の利用分野」 本発明は液晶やEC等を用いた平面表示装置の実現に関
するもので、より大型のスクリーンを実現する表示装置
の為の表示セルである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION "Field of Industrial Application" The present invention relates to the realization of a flat display device using liquid crystal, EC, etc., and is a display cell for a display device that realizes a larger screen.

「発明の概要」 本発明はアクティブ素子を用いた表示セルにおいて、ア
クティブ素子の形成を新しい方法により実現し、大画面
の表示装置を歩留まり良く、安価に供給可能とした表示
セルである。
``Summary of the Invention'' The present invention is a display cell using an active element, in which the formation of the active element is realized by a new method, and a large screen display device can be provided at a high yield and at low cost.

「従来の技術及び問題点」 従来、液晶等の表示装置の駆動方式にはアクティブ方式
とパッシブ方式があり、画質の良さ、応答性等、表示特
性は圧倒的にアクティブ方式が優っている。しかしこれ
までその製造が非常に困難なため大画面の表示装置を実
際には市場に供給出来なかった。アクティブ素子を用い
て駆動をおこなう表示方式のセルの作成は、シャープ、
日立、等多くのメーカーによって’70年代から半導体
製造技術を基にさかんに開発されてきた。
"Prior Art and Problems" Conventionally, there are active methods and passive methods for driving display devices such as liquid crystals, and the active method is overwhelmingly superior in display characteristics such as good image quality and responsiveness. However, until now, it has been difficult to manufacture large-screen display devices, so it has not been possible to actually supply large-screen display devices to the market. The creation of cells with a display system that uses active elements to drive is done by Sharp,
It has been actively developed by Hitachi and many other manufacturers since the 1970s based on semiconductor manufacturing technology.

それらの表示セルは第7図に示したようにガラス基板1
2上に、一面にa−Si等の半導体を積層し、次に各画
素15を駆動するTrやダイオード等のアクティブスイ
ッチング素子7を各画素を制御するための走査線14、
信号線13に交差できる位置にのみ形成しそれ以外の位
置の半導体層はエッチング等で除去し個々の画素を表示
駆動する表示駆動基板を作成しセルに用いる方式である
These display cells are arranged on a glass substrate 1 as shown in FIG.
2, a semiconductor such as a-Si is laminated on one side, and then an active switching element 7 such as a transistor or diode that drives each pixel 15 is connected to a scanning line 14 for controlling each pixel.
This is a method in which the semiconductor layer is formed only at positions where it can intersect with the signal line 13, and the semiconductor layer at other positions is removed by etching or the like to create a display drive substrate for display driving each pixel and use it as a cell.

このプロセスはフォトリソやエッチング、プラズマCV
Dなど半導体の製造に使用される技術を用いて行われる
。この従来の方法では、ガラス基板上での全てのパター
ンの形成は最終的に用いる表示駆動基板の作成そのもの
なのでそのピッチで透明画素電極、配線、アクティブ素
子が形成されるため、大面積の表示装置を製造しようと
すると、アクティブ素子を大面積のガラス上に、非常に
疎に形成することになる。そのため均一な特性のアクテ
ィブ素子を欠陥なく大面積にわたつて形成しなければな
らず、これが製造歩留まり向上の大きな阻害要因となり
、今日に至るまで大型の平面表示パネルを商業レベルで
提供できなかった理由である。
This process includes photolithography, etching, and plasma CV.
This is done using techniques used in the manufacture of semiconductors such as D. In this conventional method, the formation of all patterns on the glass substrate is the creation of the display drive substrate that will ultimately be used, so transparent pixel electrodes, wiring, and active elements are formed at that pitch, so it is possible to create large-area display devices. To manufacture this, active elements would have to be formed very sparsely on a large area of glass. Therefore, active elements with uniform characteristics must be formed over a large area without defects, and this is a major impediment to improving manufacturing yields, which is why large flat display panels have not been able to be provided at a commercial level to this day. It is.

上記のように従来の問題点は、アクティブ素子を大面積
の中に非常に疎な密度で作成しようとしているため、そ
の歩留まりが悪くなり、しかも大面積に対処出来る半導
体プロセスが求められ製造装置は非常に高くなり、表示
基板も非常に高くなつて実用的でなかった。
As mentioned above, the problem with the conventional method is that the active elements are manufactured in a very sparse density within a large area, resulting in poor yields.Moreover, a semiconductor process that can handle large areas is required, and manufacturing equipment is required. It became very expensive, and the display substrate also became very expensive, making it impractical.

「問題点を解決する為の手段と作用」 上記のような問題点を解決するために、本発明はアクテ
ィブ素子を最終的に表示セルに使用する表示駆動基板と
異なった別の基板上に、通常の半導体素子のように非常
に密に形成し、それをエッチング等により個々に分離し
、それを表示駆動基板上のパターンに合うように再配列
させ、それを最終的に表示駆動用基板上に転移させ、必
要な電気的接続を行い大面積の表示駆動基板とする。
"Means and operations for solving the problems" In order to solve the above problems, the present invention provides active elements on a substrate different from the display driving substrate that will ultimately be used in the display cell. They are formed very densely like normal semiconductor elements, separated into individual parts by etching, etc., rearranged to match the pattern on the display drive substrate, and finally placed on the display drive substrate. Then, the necessary electrical connections are made to create a large-area display driving substrate.

アクティブ素子を密に多数形成し、それを分離して最終
基板に対応する位置関係に配列し最終基板上に電気的に
接続して表示セルを実現したのが本発明である。
The present invention realizes a display cell by forming a large number of active elements densely, separating them, arranging them in a positional relationship corresponding to the final substrate, and electrically connecting them to the final substrate.

従来、a−SiのTrを形成するには、平坦なガラス基
板上に、IC製造に用いられる半導体プロセスをそのま
ま用いて、かなり高温のプラズマCVD等でシラン等か
らa−Siを形成し、それにP、S等をドープしていた
。しかし今日ではa−Siの形成は400℃以下の低温
プロセスで可能となり、一方高分子の方もポリイミドの
ように高耐熱でしかも表面の均一なものが出来るように
なってきた。そこでこれらを有効に利用すると高密度に
形成したTrを分離させて、大面積な基板に転移し大面
積の表示基板を作成することが可能になつてきた。
Conventionally, in order to form an a-Si transistor, a-Si is formed from silane or the like on a flat glass substrate by plasma CVD at a fairly high temperature using the same semiconductor process used for IC manufacturing, and then It was doped with P, S, etc. However, today it has become possible to form a-Si using a low-temperature process of 400° C. or lower, and polymers such as polyimide, which are highly heat resistant and have uniform surfaces, have become possible. Therefore, by effectively utilizing these, it has become possible to separate the transistors formed at high density and transfer them to a large-area substrate, thereby creating a large-area display substrate.

第1図は本発明に用いる基板形成の説明図である。Aか
ら順にEへプロセスは進む。
FIG. 1 is an explanatory diagram of the formation of a substrate used in the present invention. The process proceeds from A to E in order.

まず高耐熱のポリイミドをフィルム状1に形成し、その
上にTrを形成するのに必要なSiO2等のベース層2
を各画素のTrに必要な大きさにマスクを用いて個々独
立に、しかし密にパターニングし低温プロセスで積層す
る。
First, a highly heat-resistant polyimide is formed into a film 1, and a base layer 2 such as SiO2 necessary for forming the Tr is formed on it.
are individually but densely patterned using a mask to the size required for the Tr of each pixel, and then laminated using a low-temperature process.

次に、前記個々独立のベース層上にマスクしながら低温
プラズマCVD等でa−Si3等を形成し、P、S等を
ドープしFETトランジスタやダイオード等、アクティ
ブなスイッチング素子をフオトリソ技術を用いて形成す
る。個々のアクティブ素子4には三端子なら三端子分の
電気的接続用の接続部5a、5b、5cをAl、Au等
で積層する。二端子なら二端子分の接続部を設ける。
Next, a-Si3 or the like is formed by low-temperature plasma CVD or the like while being masked on the individual base layers, doped with P, S, etc., and formed into active switching elements such as FET transistors or diodes using photolithography technology. Form. If each active element 4 has three terminals, connection portions 5a, 5b, and 5c for electrical connection of three terminals are laminated with Al, Au, or the like. If there are two terminals, provide a connection for two terminals.

第2図はアクティブ素子が多数、密に形成されたポリイ
ミドフィルムの部分平面図である。
FIG. 2 is a partial plan view of a polyimide film in which a large number of active elements are densely formed.

次にこの多数のアクティブ素子(以下アクティブ素子と
電気接続部を含んだものをスイッチング素子と称す)が
密に形成されたポリイミドフィルムをポリイミドのエッ
チング液に浸積してポリイミド部を除去する。この時個
々のスイッチング素子は分離独立される。第3図はエッ
チングによりポリイミドフィルムから分離されたスイッ
チング素子群の断面図である。スイッチング素子はベー
ス層2上にアクティブ素子部、接合部を含んで1個の単
位として分離される。
Next, the polyimide film in which a large number of active elements (hereinafter, active elements and electrical connection parts are referred to as switching elements) are densely formed is immersed in a polyimide etching solution to remove the polyimide parts. At this time, the individual switching elements are separated and independent. FIG. 3 is a cross-sectional view of a switching element group separated from a polyimide film by etching. The switching element is separated into one unit on the base layer 2, including an active element part and a junction part.

このスイッチング素子を最終的に表示駆動基板上のスイ
ッチング素子のピッチに合うように再配列しなければな
らない。
These switching elements must finally be rearranged to match the pitch of the switching elements on the display driving substrate.

第4図は個々のスイッチング素子を再配列する再配列盤
使用時の断面図である。
FIG. 4 is a sectional view when a rearrangement board is used to rearrange individual switching elements.

最終の表示駆動基板上のスイッチング素子のパターンピ
ッチと1−1に対応する再配列盤9を用意し、その上に
スイッチング素子よりも比重の大きなグリコールや水銀
の様な拡散支持体8を浸し、次に多数のスイッチング素
子7をその上に一括投入し、一定の振動等で分散させ、
この拡散支持液を再配列盤の下の穴10からゆつくりと
ぬき、スイッチング素子を再配列板上の配列位置に位置
合わせする。この為にスイッチング素子の形状の一部を
合わせ易いようにしておく。この後、再配列盤9を再配
列盤ガイド11に対して上昇させる。
A rearrangement board 9 corresponding to the pattern pitch 1-1 of the switching elements on the final display drive board is prepared, and a diffusion support 8 such as glycol or mercury having a higher specific gravity than the switching elements is soaked thereon. Next, a large number of switching elements 7 are placed on top of it all at once, dispersed by constant vibration, etc.
This diffusion support liquid is slowly removed from the hole 10 under the rearrangement board, and the switching elements are aligned at the array positions on the rearrangement board. For this purpose, the shapes of the switching elements are made so that they can be partially matched. Thereafter, the rearrangement board 9 is raised relative to the rearrangement board guide 11.

第5図は再配列盤上に再配列されたスイッチング素子群
の平面図である。
FIG. 5 is a plan view of the switching element group rearranged on the rearrangement board.

このようにしてパターン、ピッチ合わせをされたスイッ
チング素子を予め画素電極15やリード線が形成された
表示駆動用基板31と重ね合わせ、スイッチング素子を
前記基板上へ転移させる。この時スイッチング素子と予
め形成されているリード線等の接続はレーザー照射や加
熱によって確実にする。
The switching elements whose patterns and pitches have been adjusted in this way are superimposed on the display driving substrate 31 on which the pixel electrodes 15 and lead wires have been formed in advance, and the switching elements are transferred onto the substrate. At this time, the connection between the switching element and the pre-formed lead wires is ensured by laser irradiation or heating.

第6図は表示駆動用基板の部分平面図で、この上にスイ
ッチング素子群が転移され、電気的に接続されると表示
駆動基板となる。
FIG. 6 is a partial plan view of the display driving substrate, and when a switching element group is transferred onto this and electrically connected, it becomes a display driving substrate.

このようにこのスイッチング素子の転移操作を一定の面
積を単位として行うことにより表示基板とその駆動系が
完成される。
In this manner, the display substrate and its drive system are completed by carrying out the transfer operation of the switching elements in units of a certain area.

このプロセスを繰り返すことにより大面積(4以上)の
表示パネルの製造コストは飛躍的に下がるとともに、い
くらでも大きな面積の表示パネルを作成することが可能
となる。
By repeating this process, the manufacturing cost of large-area (4 or more) display panels can be dramatically reduced, and display panels with as large an area as desired can be created.

「実施例」 第1図は本発明の表示セルを形成する基本要素である表
示基板の形成ステップを示すプロセス説明図である。
"Example" FIG. 1 is a process explanatory diagram showing the steps of forming a display substrate, which is a basic element forming a display cell of the present invention.

ポリイミドフィルム1の上にフオトリソによつて個々の
Tr用ベース層SiO2を3000オームストロングの
厚みで、70um角に個々の間隔を20um程度に決め
て多数形成する。この場合、低温プラズマCVDにより
SiO2を直接フィルム上に積層したが、この下にさら
にフィルムとベース層との密着性を高めるためのコート
層を設けても良い。形成されたベース層2を通常のパネ
ル形成時のガラス基板だと捉えて、以下のプロセスを進
める。ベース層の上に形成する半導体はa−Siだけで
なくPoli−Siでも他の化合物半導体でもよい。
On the polyimide film 1, a large number of individual SiO2 base layers for transistors with a thickness of 3000 ohms are formed on a 70 um square with a spacing of about 20 um by photolithography. In this case, SiO2 was directly laminated on the film by low-temperature plasma CVD, but a coating layer may be further provided below this to improve the adhesion between the film and the base layer. The formed base layer 2 is regarded as a glass substrate used in normal panel formation, and the following process is carried out. The semiconductor formed on the base layer may be not only a-Si but also Poli-Si or other compound semiconductors.

但し、基板がポリミドであるために低温プロセスで形成
出来るものでなければならない。上記形成された半導体
部にアクティブなスイッチング素子を作り込むために、
P、S等を順次ドープしてFETやダイオード4を形成
する。
However, since the substrate is made of polyimide, it must be able to be formed by a low-temperature process. In order to create an active switching element in the semiconductor part formed above,
FETs and diodes 4 are formed by sequentially doping with P, S, etc.

このアクティブ素子と信号線、走査線、画素電極との電
気的な接続用に、接合部5a、5b、5c等がAuまた
はAlで形成される。ここまで形成されたスイッチング
素子部を次に個々に分離、独立させる。これには高分子
フィルムをエッチング液に浸して除去し、個々のスイッ
チング素子のみを取り出す。この場合はポリイミドのエ
ッチャントを用い、分離、独立させたスイッチング素子
を最終的に表示を行う表示駆動用基板31上に転移付加
して表示駆動基板32としなければならない。
Bonding portions 5a, 5b, 5c, etc. are formed of Au or Al for electrical connection between the active element and the signal line, scanning line, and pixel electrode. Next, the switching element sections formed up to this point are individually separated and made independent. To do this, the polymer film is soaked in an etching solution and removed, and only the individual switching elements are taken out. In this case, a polyimide etchant must be used to transfer and add separate and independent switching elements onto the display driving substrate 31 that will ultimately perform the display to form the display driving substrate 32.

このためには、スイッチング素子よりも比重の大きい液
体でしかも流動性の良い水銀を拡散支持体とし、この上
に個々に分離されたTrを一括して投入し、一定の振動
を加えて分離拡散しながら、120umピッチのTrパ
ターン形成用の再配列盤9の下穴10からゆつくりと上
記、拡散支持体を抜くことによって、再配列盤9上に一
定の間隔で収める。このようにして最終の表示駆動基板
32上のスイッチング素子のピッチと同じピッチに再配
列されたTrは、予め配線や画素電極が形成されている
基板31に転移する。
For this purpose, mercury, which is a liquid with a higher specific gravity than the switching element and has good fluidity, is used as a diffusion support, onto which the individually separated Tr is placed all at once, and constant vibration is applied to separate and diffuse the mercury. At the same time, the diffusion supports are slowly pulled out from the prepared holes 10 of the rearrangement plate 9 for forming a 120 um pitch Tr pattern, and are placed on the rearrangement plate 9 at regular intervals. The Tr's thus rearranged at the same pitch as the switching elements on the final display drive substrate 32 are transferred to the substrate 31 on which wiring and pixel electrodes have been formed in advance.

第6図は表示駆動用基板の部分平面図である。FIG. 6 is a partial plan view of the display driving substrate.

13は信号線、14は走査線、15は画素電極である。13 is a signal line, 14 is a scanning line, and 15 is a pixel electrode.

この時、各Trと配線との電気的接続はYAGレーザー
による加熱によつて行った。さらにこのTrを固定剤1
6で固定することによつて表示駆動基板は出来上がる。
At this time, electrical connection between each Tr and the wiring was performed by heating with a YAG laser. Furthermore, this Tr was added to the fixative 1
By fixing with 6, the display driving board is completed.

パネルの面積が大きいときには、この転移の作業を繰り
返す事によって、十分大きなパネルも製造可能となる。
When the area of the panel is large, by repeating this transfer operation, a sufficiently large panel can be manufactured.

この様にして形成された表示駆動基板32と、対向電極
19及びカラーフィルターの形成された対向基板18の
間に液晶を封じて表示セルが出来上がる。
A display cell is completed by sealing liquid crystal between the display drive substrate 32 formed in this manner and the counter substrate 18 on which the counter electrode 19 and color filter are formed.

第8図は本発明の表示セルの断面図である。FIG. 8 is a sectional view of the display cell of the present invention.

第9図は本発明を用いた表示装置の平面図である。外部
との接続はフレキ、TABなどで電気的に接続し、ドラ
イバーIC21、コントロールIC24、信号線等に接
続して表示装置とする。
FIG. 9 is a plan view of a display device using the present invention. External connections are made electrically using flexible cables, TAB, etc., and connected to the driver IC 21, control IC 24, signal lines, etc. to form a display device.

上記の説明ではフィルム基板をポリイミドとしてきたが
、他の高耐熱高分子フィルムでも良い。
In the above description, the film substrate is made of polyimide, but other highly heat-resistant polymer films may be used.

また拡散支持体は流動性が良く、比重または表面張力が
大きなしかも電気的に悪い作用をしないものなら外のも
のでも良い。
Further, the diffusion support may be any other material as long as it has good fluidity, high specific gravity or surface tension, and does not have any adverse electrical effects.

「発明の効果」 上記のようにして表示セルを製作することにより従来不
可能であった対角20″以上の大面積平面表示装置を容
易にしかも安価に作成することが可能となり、文化的、
経済的意義は非常に大きい。
"Effects of the Invention" By manufacturing the display cell as described above, it becomes possible to easily and inexpensively create a large-area flat display device with a diagonal of 20" or more, which was previously impossible.
The economic significance is huge.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の表示セル形成の主要プロセス説明図で
あり、 第2図はアクティブ素子を密に形成した基板の部分平面
図であり、 第3図は分離されたスイッチング素子群の断面図であり
、 第4図は再配列盤の使用断面図であり、第5図は再配列
盤上のスイッチング素子再配列時の平面図であり、 第6図は表示駆動用基板の部分平面図であり、第7図は
表示駆動基板の平面図であり、第8図は本発明の表示セ
ルの断面図であり、第9図は表示装置の平面図である。 1 高分子フィルム 2 ベース層 3 半導体層 4 アクティブ素子部 7 スイッチング素子部 8 拡散支持体 12 ガラス基板 13 信号線 14 走査線 15 画素電極 以上
FIG. 1 is an explanatory diagram of the main process of forming a display cell according to the present invention, FIG. 2 is a partial plan view of a substrate on which active elements are densely formed, and FIG. 3 is a cross-sectional view of a group of separated switching elements. Fig. 4 is a cross-sectional view of the re-arranging board in use, Fig. 5 is a plan view of the switching elements on the re-arranging board when they are being rearranged, and Fig. 6 is a partial plan view of the display driving board. 7 is a plan view of the display driving substrate, FIG. 8 is a sectional view of the display cell of the present invention, and FIG. 9 is a plan view of the display device. 1 Polymer film 2 Base layer 3 Semiconductor layer 4 Active element section 7 Switching element section 8 Diffusion support 12 Glass substrate 13 Signal line 14 Scanning line 15 Pixel electrode or higher

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】液晶、EC等、光の透過、屈折、吸収等の
特性を電気的に制御出来る物質を対向する電極間に封じ
、該基板の一方はトランジスタ、ダイオード等のアクテ
イブ素子を各画素に形成し、各画素を電気的に駆動する
表示駆動基板を用いて表示を行う表示セルにおいて、 前記アクテイブ素子を、 予め表示信号、制御信号用の配線や、各画素透明電極の
形成されている表示駆動用基板とは別の基板上に密に形
成し、 該基板から前記アクティブ素子を個々に分離独立させ、 前記表示駆動用基板上の各画素用アクティブ素子の位置
に転移し、 各画素に該アクティブ素子を電気的に接続付加して表示
駆動基板とした表示セル。
Claim 1: A substance such as liquid crystal or EC that can electrically control properties such as light transmission, refraction, and absorption is sealed between opposing electrodes, and one side of the substrate is equipped with active elements such as transistors and diodes for each pixel. In a display cell that performs display using a display drive board that electrically drives each pixel, the active elements are formed in advance with wiring for display signals and control signals, and transparent electrodes for each pixel. The active elements are formed densely on a substrate different from the display driving substrate, the active elements are individually separated from the substrate, and the active elements are transferred to the positions of the active elements for each pixel on the display driving substrate. A display cell with the active element electrically connected and used as a display driving substrate.
【請求項2】前記アクティブ素子はポリイミド等の高耐
熱性高分子基板上に、プラズマCVD等の低温プロセス
を用いて、SiO2等のベース層を、個々のアクティブ
素子に必要な面積単位に密に形成し、該ベース層の上に
、a−Si等の半導体層を積層し、 該半導体層にP、S等を注入し、FET、ダイオード等
のアクティブ素子を形成し、 さらに該素子と信号線、走査線、透明画素電極等と電気
的に接続するためのAl、Au等を用いた接続部を形成
しスイッチング素子とし、該、密に形成されたスイッチ
ング素子を形成されている基板からエッチング等によっ
て分離、独立させ、 表示駆動用基板上のスイッチング素子を必要とする位置
に転移するように、 拡散支持体を介して、スイッチング素子を再配列する配
列盤上で再配列し、 前記、表示駆動用基板上に、該スイッチング素子を転移
させ、信号線、走査線、透明画素電極等と電気的に接続
し、表示駆動基板にしたことを特色とする特許請求の範
囲第一項記載の表示セル。
2. The active element is formed by densely forming a base layer such as SiO2 on a high heat resistant polymer substrate such as polyimide using a low temperature process such as plasma CVD in an area unit required for each active element. A semiconductor layer such as a-Si is laminated on the base layer, P, S, etc. are injected into the semiconductor layer, active elements such as FETs and diodes are formed, and furthermore, the elements and signal lines are formed. , a switching element is formed by forming a connection part using Al, Au, etc. for electrical connection with a scanning line, a transparent pixel electrode, etc., and etching, etc. is performed from the substrate on which the densely formed switching element is formed. The switching elements are separated and made independent by the display driving substrate, and the switching elements are rearranged on the array board through the diffusion support so that the switching elements are transferred to the required position. The display cell according to claim 1, characterized in that the switching element is transferred onto a display driving substrate and electrically connected to a signal line, a scanning line, a transparent pixel electrode, etc., and used as a display driving substrate. .
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019179814A (en) * 2018-03-30 2019-10-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 Dividing method and dividing device of inorganic film lamination resin substrate

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2019179814A (en) * 2018-03-30 2019-10-17 三星ダイヤモンド工業株式会社 Dividing method and dividing device of inorganic film lamination resin substrate

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