JPH04136742U - memory device - Google Patents

memory device

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Publication number
JPH04136742U
JPH04136742U JP4361991U JP4361991U JPH04136742U JP H04136742 U JPH04136742 U JP H04136742U JP 4361991 U JP4361991 U JP 4361991U JP 4361991 U JP4361991 U JP 4361991U JP H04136742 U JPH04136742 U JP H04136742U
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory cells
memory cell
data transfer
data
ram
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP4361991U
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
三知 中山
Original Assignee
日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社 filed Critical 日本電気アイシーマイコンシステム株式会社
Priority to JP4361991U priority Critical patent/JPH04136742U/en
Publication of JPH04136742U publication Critical patent/JPH04136742U/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】 【目的】 ROMからRAMに対するデータ転送時間を
短縮するメモリ装置を実現する。 【構成】 列アドレス選択回路1を介して、読み書き可
能なメモリ・セル3を選択する列アドレス線101を全
て有効とし、行アドレス選択回路2を介して、読み書き
可能なメモリ・セル3の行アドレス線102を全て有効
とし、制御線103を介して所定の起動信号が入力され
ると、各不揮発性メモリ・セル4から、それぞれ対応す
る読み書き可能のメモリ・セル3に対して、所定のデー
タが転送される。このデータ転送により、予め、不揮発
性メモリ・セル4に設定されていたデータが、一挙に読
み書き可能なメモリ・セル3に書込まれる。即ち、本考
案においては、不揮発性メモリ・セルにより形成される
ROMの各不揮発性メモリ・セルに対して、1対1の関
係において対応する読み書き可能のメモリ・セルにより
形成されるRAMを配置することにより、前記ROMか
ら前記RAMに対するデータ転送が一挙に行われ、デー
タ転送の所要時間が短縮される。
(57) [Summary] [Purpose] To realize a memory device that reduces data transfer time from ROM to RAM. [Structure] Through the column address selection circuit 1, all column address lines 101 that select readable/writable memory cells 3 are enabled, and through the row address selection circuit 2, the row address of the readable/writable memory cells 3 is enabled. When all lines 102 are enabled and a predetermined activation signal is input via the control line 103, predetermined data is transmitted from each nonvolatile memory cell 4 to the corresponding read/write memory cell 3. be transferred. By this data transfer, the data previously set in the nonvolatile memory cells 4 is written into the readable/writable memory cells 3 all at once. That is, in the present invention, for each nonvolatile memory cell of a ROM formed by nonvolatile memory cells, a RAM formed by a corresponding read/write memory cell is arranged in a one-to-one relationship. As a result, data transfer from the ROM to the RAM is performed at once, and the time required for data transfer is shortened.

Description

【考案の詳細な説明】[Detailed explanation of the idea]

【0001】0001

【産業上の利用分野】[Industrial application field]

本考案はメモリ装置に関し、特に、マイクロコンピュータ・システムにおいて 用いられる、読み書き可能で、初期化可能な1チップのメモリ装置に関する。 The present invention relates to memory devices, particularly in microcomputer systems. The present invention relates to a one-chip memory device that is readable/writable and initializable.

【0002】0002

【従来の技術】[Conventional technology]

従来の、この種のメモリ装置においては、マイクロコンピュータ・システムに おけるレジスタを含むRAMをイニシャライズする時に、1回の転送により転送 されるデータ量が、当該マイクロコンピュータ・システム内のデータ・バス幅分 のデータ量に制約されているのが一般である。 Traditionally, this type of memory device is used in microcomputer systems. Transfer by one transfer when initializing RAM including registers in The amount of data being processed is equal to the width of the data bus within the microcomputer system. Generally, the amount of data is limited.

【0003】0003

【考案が解決しようとする課題】[Problem that the idea aims to solve]

上述した従来のメモリ装置においては、CPU等によりソフトウェア的にRO MからRAMにデータを転送すると、1回の転送により転送されるデータ量がデ ータ・バス幅分のデータ量に限定されるために、当該データの転送に多大の時間 を要するという欠点がある。 In the conventional memory device described above, the RO is controlled by software by the CPU, etc. When data is transferred from M to RAM, the amount of data transferred in one transfer is Since the amount of data is limited to the width of the data bus, it takes a lot of time to transfer the data. The disadvantage is that it requires

【0004】0004

【課題を解決するための手段】[Means to solve the problem]

本考案のメモリ装置は、マイクロコンピュータ・システムにおいて使用される メモリ装置において、少なくとも、不揮発性のメモリ・セルにより形成されるR OMと、前記不揮発性のメモリ・セルに対して、1対1の関係にて対応する読み 書き可能なメモリ・セルにより形成されるRAMと、を備えて構成される。 The memory device of the present invention is used in a microcomputer system. In a memory device, at least R formed by non-volatile memory cells OM and a corresponding reading for the non-volatile memory cell in a one-to-one relationship. A RAM formed by writable memory cells.

【0005】[0005]

【実施例】【Example】

次に、本考案について図面を参照して説明する。 Next, the present invention will be explained with reference to the drawings.

【0006】 図1は本考案の一実施例を示すブロック図である。図1に示されるように、本 実施例は、例えば、m行n列のメモリ装置の場合には、n列の列アドレス線10 1、m行の行アドレス線102、m系列の制御線103およびn系列のデータ転 送線104に対応して、列アドレス選択回路1と、行アドレス選択回路2と、m n個の読み書き可能なメモリ・セル3と、mn個の不揮発性メモリ・セル4とを 備えて構成される。[0006] FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention. As shown in Figure 1, the book For example, in the case of a memory device with m rows and n columns, the column address line 10 of n columns 1, row address line 102 of m rows, control line 103 of m series, and data transfer of n series Corresponding to the transmission line 104, a column address selection circuit 1, a row address selection circuit 2, and m n number of read/write memory cells 3 and mn number of non-volatile memory cells 4. Prepared and configured.

【0007】 図1において、列アドレス選択回路1を介して、読み書き可能なメモリ・セル 3を選択する列アドレス線101を全て有効とし、また、行アドレス選択回路2 を介して、読み書き可能なメモリ・セル3の行アドレス線102を全て有効とし た上で、制御線103を介して所定の起動信号が入力されると、各不揮発性メモ リ・セル4から読み書き可能のメモリ・セル3に対して、データ転送線104を 経由して、所定のデータが転送される。このデータ転送により、予め、不揮発性 メモリ・セル4に設定されていたデータが読み書き可能なメモリ・セル3に書込 まれる。即ち、本考案においては、不揮発性メモリ・セルにより形成されるRO Mの各不揮発性メモリ・セルに対して、1対1の関係において対応する読み書き 可能のメモリ・セルにより形成されるRAMを配置することにより、前記ROM から前記RAMに対するデータ転送が一挙に行われ、データ転送の所要時間が短 縮される。[0007] In FIG. 1, a memory cell that can be read and written via a column address selection circuit 1 All the column address lines 101 for selecting 3 are enabled, and the row address selection circuit 2 All row address lines 102 of readable/writable memory cell 3 are enabled through Then, when a predetermined activation signal is input via the control line 103, each nonvolatile memory A data transfer line 104 is connected from the memory cell 4 to the memory cell 3 which can be read and written. Predetermined data is transferred via. This data transfer makes the data non-volatile in advance. The data set in memory cell 4 is written to memory cell 3, which can be read and written. be caught. That is, in the present invention, the RO formed by non-volatile memory cells For each non-volatile memory cell in M, a corresponding read/write in a one-to-one relationship By arranging a RAM formed by possible memory cells, the ROM Data transfer from to the RAM is performed all at once, reducing the time required for data transfer. Shrunk.

【0008】[0008]

【考案の効果】[Effect of the idea]

以上説明したように、本考案は、不揮発性メモリ・セルにより形成されるRO Mから、読み書き可能のメモリ・セルにより形成されるRAMに対するデータ転 送の所要時間が著しく短縮されるという効果がある。 As explained above, the present invention provides an RO formed by non-volatile memory cells. Data transfer from M to RAM formed by read/write memory cells. This has the effect of significantly shortening the time required for transport.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

【図1】本考案の一実施例を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram showing one embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 列アドレス選択回路 2 行アドレス選択回路 3 読み書き可能なメモリ・セル 4 不揮発性メモリ・セル 101 列アドレス線 102 行アドレス線 103 制御線 104 データ転送線 1 Column address selection circuit 2 Row address selection circuit 3 Readable and writable memory cells 4 Non-volatile memory cell 101 Column address line 102 row address line 103 Control line 104 Data transfer line

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】[Scope of utility model registration request] 【請求項1】 マイクロコンピュータ・システムにおい
て使用されるメモリ装置において、少なくとも、不揮発
性のメモリ・セルにより形成されるROMと、前記不揮
発性のメモリ・セルに対して、1対1の関係にて対応す
る読み書き可能なメモリ・セルにより形成されるRAM
と、を備えることを特徴とするメモリ装置。
1. In a memory device used in a microcomputer system, at least a ROM formed of non-volatile memory cells and a ROM formed of non-volatile memory cells are provided in a one-to-one relationship with respect to the non-volatile memory cells. RAM formed by corresponding read/write memory cells
A memory device comprising:
JP4361991U 1991-06-12 1991-06-12 memory device Pending JPH04136742U (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4361991U JPH04136742U (en) 1991-06-12 1991-06-12 memory device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP4361991U JPH04136742U (en) 1991-06-12 1991-06-12 memory device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH04136742U true JPH04136742U (en) 1992-12-18

Family

ID=31923928

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4361991U Pending JPH04136742U (en) 1991-06-12 1991-06-12 memory device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH04136742U (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011519460A (en) * 2008-05-01 2011-07-07 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. Saving checkpoint data to non-volatile memory

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011519460A (en) * 2008-05-01 2011-07-07 ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー. Saving checkpoint data to non-volatile memory

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