JPH03155691A - レーザ光の安定化方法及びレーザ装置 - Google Patents
レーザ光の安定化方法及びレーザ装置Info
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- JPH03155691A JPH03155691A JP2204526A JP20452690A JPH03155691A JP H03155691 A JPH03155691 A JP H03155691A JP 2204526 A JP2204526 A JP 2204526A JP 20452690 A JP20452690 A JP 20452690A JP H03155691 A JPH03155691 A JP H03155691A
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- BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N bis(2-ethylhexyl) phthalate Chemical compound CCCCC(CC)COC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCC(CC)CCCC BJQHLKABXJIVAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
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- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/136—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling devices placed within the cavity
-
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-
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- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/14—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
- H01S3/22—Gases
- H01S3/223—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms
- H01S3/225—Gases the active gas being polyatomic, i.e. containing two or more atoms comprising an excimer or exciplex
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発１１１１． レーザ光の安定化方法及びレーザ装
置に係り、特１：、そのレーザ光の波長安定化制御に関
するものである。
置に係り、特１：、そのレーザ光の波長安定化制御に関
するものである。
［従来の技術］
従東 特定の出力波長に限った狭帯域化レーザは、その
非常に高い波長純度のため、高分解能原子・分子分光ス
同位体分能 半導体材料研究などの分野で利用されて
いる。
非常に高い波長純度のため、高分解能原子・分子分光ス
同位体分能 半導体材料研究などの分野で利用されて
いる。
最近、その産業への応用として半導体製造プロセスのリ
ングラフィ用露光光源に狭帯域化されたエキシマレーザ
を利用する試みがなされている。
ングラフィ用露光光源に狭帯域化されたエキシマレーザ
を利用する試みがなされている。
レーザ装置から出力される発振光はその媒質の利得の波
長分布によって決定される。利得のある波長帯はレーザ
媒質の性質にもよろカー 一般にかなり狭い波長域に限
定される。しかし分光学やリングラフィ用の光源として
使用される場合は更にこれを狭帯域化する必要がある。
長分布によって決定される。利得のある波長帯はレーザ
媒質の性質にもよろカー 一般にかなり狭い波長域に限
定される。しかし分光学やリングラフィ用の光源として
使用される場合は更にこれを狭帯域化する必要がある。
これを実現化するためく グレーティング、エタロン、
複屈折フィルタまたはプリズムなどの波長選択素子をレ
ーザ共振器内に設ける方法が考案されている。これらの
波長選択素子は共振器内で損失として作用狐レーザ媒質
の利得範囲を極端に狭い波長域に限定する。これらの波
長選択素子の光学的特性は周囲環境の影響を受は易い。
複屈折フィルタまたはプリズムなどの波長選択素子をレ
ーザ共振器内に設ける方法が考案されている。これらの
波長選択素子は共振器内で損失として作用狐レーザ媒質
の利得範囲を極端に狭い波長域に限定する。これらの波
長選択素子の光学的特性は周囲環境の影響を受は易い。
すなわち、機械的振動による位置ズレ、温度・気圧の変
化により、その光学的特性は敏感に変化する。その結果
として、レーザ媒体に状態変化や劣化が生じなくても、
発振出力や発振波長に変動が起ころ場合がある。
化により、その光学的特性は敏感に変化する。その結果
として、レーザ媒体に状態変化や劣化が生じなくても、
発振出力や発振波長に変動が起ころ場合がある。
上述したような用途に用いられる狭帯域化レーザに１転
その発振出力と発振波長に定常的な安定性が要求され
る。この安定性を実現するために発振出力や発振波長に
対してフィードバック制御を行うレーザ装置がある。こ
れは、出力されるｌ／ −ザ発振光の一部を分光測定系
（例えばエタロン分光器）と光強度検出器に導入狐 発
振波長と発振出力の測定を行い、これらの変動が最小に
なるように発振条件の変更や狭帯域化素子の微調をフィ
ードバック制御している。
その発振出力と発振波長に定常的な安定性が要求され
る。この安定性を実現するために発振出力や発振波長に
対してフィードバック制御を行うレーザ装置がある。こ
れは、出力されるｌ／ −ザ発振光の一部を分光測定系
（例えばエタロン分光器）と光強度検出器に導入狐 発
振波長と発振出力の測定を行い、これらの変動が最小に
なるように発振条件の変更や狭帯域化素子の微調をフィ
ードバック制御している。
以上のような制御機構を持つ狭帯域化レーザは実用化さ
れ市販されている。しか獣 信号処理系などの装置の複
雑さ、制御における時間遅へ オーバーシュートの発生
など問題点は多く、安定な制御を行うことは非常に困難
である。
れ市販されている。しか獣 信号処理系などの装置の複
雑さ、制御における時間遅へ オーバーシュートの発生
など問題点は多く、安定な制御を行うことは非常に困難
である。
本発明は、光学素子、特に狭帯域化光学素子の状態を最
適化するような制御を行うことによりレーザ装置の発振
出力・発振波長の安定性を確保することを目的としてい
る。
適化するような制御を行うことによりレーザ装置の発振
出力・発振波長の安定性を確保することを目的としてい
る。
上記目的を達成するなめＡ 本発明の方法ｉｔレーザ装
置本体の出力レーザ光とは異なる波長のプローブ・レー
ザ光を前記レーザ装置本体の光学素子に導入して、光学
素子を経たプローブ・レーザ光の変化を打ち消す方向に
前記レーザ装置本体の光学素子を調整するようにしｆ。
置本体の出力レーザ光とは異なる波長のプローブ・レー
ザ光を前記レーザ装置本体の光学素子に導入して、光学
素子を経たプローブ・レーザ光の変化を打ち消す方向に
前記レーザ装置本体の光学素子を調整するようにしｆ。
本発明で凰 発振波長や発振出力の安定化を計るのに好
適である。すなわち、レーザ装置本体の出力レーザ光と
は異なる波長のプローブ・レーザ光を前記レーザ装置本
体の光学素子に導入して、レーザ装置本体の出力レーザ
光の波長変動あるいは出力変動の原因となる光学素子の
変化分を、光学素子を経たプローブ・レーザ光の変化と
して検知し そのプローブ・レーザ光の変化を打ち消す
方向に前記レーザ装置本体の光学素子を調整することで
レーザ装置本体の出力レーザ光の波長安定（Ｌ 出力
安定化を計るようにする。
適である。すなわち、レーザ装置本体の出力レーザ光と
は異なる波長のプローブ・レーザ光を前記レーザ装置本
体の光学素子に導入して、レーザ装置本体の出力レーザ
光の波長変動あるいは出力変動の原因となる光学素子の
変化分を、光学素子を経たプローブ・レーザ光の変化と
して検知し そのプローブ・レーザ光の変化を打ち消す
方向に前記レーザ装置本体の光学素子を調整することで
レーザ装置本体の出力レーザ光の波長安定（Ｌ 出力
安定化を計るようにする。
本発明にかかるレーザ装置１戴 レーザ装置本体と、こ
のレーザ装置本体の出力レーザ光とは異なる波長のプロ
ーブ・レーザ光を前記レーザ装置本体の光学素子に導入
するプローブ・レーザ装置と、前記レーザ装置本体の光
学素子を通過をしたプローブ・レーザ光を検出する検出
装置と、この検出装置で検出したプローブ・レーザ光の
変化を打ち消す方向に前記レーザ装置本体の光学素子を
調整制御する制御装置とを備えている。
のレーザ装置本体の出力レーザ光とは異なる波長のプロ
ーブ・レーザ光を前記レーザ装置本体の光学素子に導入
するプローブ・レーザ装置と、前記レーザ装置本体の光
学素子を通過をしたプローブ・レーザ光を検出する検出
装置と、この検出装置で検出したプローブ・レーザ光の
変化を打ち消す方向に前記レーザ装置本体の光学素子を
調整制御する制御装置とを備えている。
本発明では、 レーザ装置本体の光学素子の状凰とり
わけ狭帯域化された発振光を出力するレーザ装置本体に
あってｌ戴 狭帯域化素子の状態を検知するためプロ
ーブ・レーザ装置でレーザ装置本体の光学素子にプロー
ブ・レーザ光を当てる。そして、このプローブ・レーザ
光を前記光学素子、例えば狭帯域化素子に入射させた時
に得られる反射光または透過光を前記検出装置で検出す
る。
わけ狭帯域化された発振光を出力するレーザ装置本体に
あってｌ戴 狭帯域化素子の状態を検知するためプロ
ーブ・レーザ装置でレーザ装置本体の光学素子にプロー
ブ・レーザ光を当てる。そして、このプローブ・レーザ
光を前記光学素子、例えば狭帯域化素子に入射させた時
に得られる反射光または透過光を前記検出装置で検出す
る。
レーザ装置本体の光学素子１戯 例えく 狭帯域化光学
素子であるグレーティング、エタロン、複屈折フィルタ
またはプリズム等を備えるととも１共振器光学系である
半透過の出力ミラ、全反射ミラ等を備えたものを例示で
きる。
素子であるグレーティング、エタロン、複屈折フィルタ
またはプリズム等を備えるととも１共振器光学系である
半透過の出力ミラ、全反射ミラ等を備えたものを例示で
きる。
これら光学素子はレーザ装置本体からのレーザ光の発振
波長とプローブ・レーザ光の波長の二つの波長域で使用
するためく 反射風 または反射防止膜で二重もしくは
多重にコーティングしであるとよい。
波長とプローブ・レーザ光の波長の二つの波長域で使用
するためく 反射風 または反射防止膜で二重もしくは
多重にコーティングしであるとよい。
レーザ装置本体の運転中の機械的振動や温度・気圧の変
化により、レーザ光の発振出力・波長が変動するカー
この変動とプローブ・レーザ光の検出された反射光また
は透過光の変動との間の相関関係を用い、制御装置で光
学素子どくに狭帯域化素子の位置・傾角の最適化をはか
る。
化により、レーザ光の発振出力・波長が変動するカー
この変動とプローブ・レーザ光の検出された反射光また
は透過光の変動との間の相関関係を用い、制御装置で光
学素子どくに狭帯域化素子の位置・傾角の最適化をはか
る。
レーザ装置本体として１転 エキシマレーザ、色素レー
ザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ−サファイアレー
ザ等の各種レーザを用いろことができる。
ザ、アレキサンドライトレーザ、Ｔｉ−サファイアレー
ザ等の各種レーザを用いろことができる。
前記プローブ・レーザ装置は、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ
−Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、
ＹＡＧＳＨＧｃｗレーザなどの連続発振レーザが好適で
、これをレーザ装置本体の光学素子、例えばその狭帯域
化素子に導入するプローブ光学系を備えるのがよい。
−Ｃｄレーザ、Ａｒイオンレーザ、Ｋｒイオンレーザ、
ＹＡＧＳＨＧｃｗレーザなどの連続発振レーザが好適で
、これをレーザ装置本体の光学素子、例えばその狭帯域
化素子に導入するプローブ光学系を備えるのがよい。
ローブ光学系を備えるのがよい。
また、検出装置として１戴 ビームスプリフタやレンズ
などの光学系と、フォトディテクタや一次元フオドディ
テクタアレイ等の光検出器によって構成されるのが好ま
しい。
などの光学系と、フォトディテクタや一次元フオドディ
テクタアレイ等の光検出器によって構成されるのが好ま
しい。
制御装置ＦＬ 前記レーザ装置本体の光学素子におけ
るグレーティング、エタロン、プリズム、複屈折フィル
ター 出力ミラもしくは全反射ミラのいずれかあるいは
その組合せの各々の位置または傾角を制御するのが好ま
しい。
るグレーティング、エタロン、プリズム、複屈折フィル
ター 出力ミラもしくは全反射ミラのいずれかあるいは
その組合せの各々の位置または傾角を制御するのが好ま
しい。
本発明のレーザ装置において（戯 レーザ装置本体の光
学素子に入射された後、反射あるいは透過してぐるプロ
ーブ・レーザ光を検出することによって前記光学素子と
くに狭帯域化光学素子の状態変化を検知している。これ
（飄 レーザ装置本体からのレーザ光出力・波長の変動
を検出して、フィードバック制御で修正するという従来
の方法と異な吟、出力光の特性の変動の原因を直接検出
するので、発振状態の劣化を未然に検出し 修正するこ
とが可能となる。
学素子に入射された後、反射あるいは透過してぐるプロ
ーブ・レーザ光を検出することによって前記光学素子と
くに狭帯域化光学素子の状態変化を検知している。これ
（飄 レーザ装置本体からのレーザ光出力・波長の変動
を検出して、フィードバック制御で修正するという従来
の方法と異な吟、出力光の特性の変動の原因を直接検出
するので、発振状態の劣化を未然に検出し 修正するこ
とが可能となる。
素子とくに狭帯域化素子の位置・傾角を最適化医良好な
効率を有する狭帯域化レーザ発振を実現することができ
る。
効率を有する狭帯域化レーザ発振を実現することができ
る。
以下図面を用いて本発明の詳細な説明する。
〈実施例１〉
第１図に示したよう番チ レーザ装置本体Ａｉ４反射
率が１００％未満の出力ミラｌと反射率が１００％の全
反射ミラ５との間Ｈ，レーザ媒質２と、２枚の狭帯域化
素子３．４とを配置したもので、狭帯域化素子３．４は
いずれもエタロンで、このエタロン３．４は狭帯域化が
行えるような自由スペクトル範囲とフイ木スを持つてい
る。そして、発生した光が出力ミラ１と全反射ミラ５と
の間を往復反射して、その間レーザ媒質で増幅さｔＬ、
−定波長の定在波としてレーザ光が生じる。レーザ光は
ｌの波長のものが発振するのではなく、いくつかの波長
のものが同時発振することが多いカー本実施例で毫 狭
帯域化素子３．４の存在により特定の波長でのみレーザ
光が発振する。
率が１００％未満の出力ミラｌと反射率が１００％の全
反射ミラ５との間Ｈ，レーザ媒質２と、２枚の狭帯域化
素子３．４とを配置したもので、狭帯域化素子３．４は
いずれもエタロンで、このエタロン３．４は狭帯域化が
行えるような自由スペクトル範囲とフイ木スを持つてい
る。そして、発生した光が出力ミラ１と全反射ミラ５と
の間を往復反射して、その間レーザ媒質で増幅さｔＬ、
−定波長の定在波としてレーザ光が生じる。レーザ光は
ｌの波長のものが発振するのではなく、いくつかの波長
のものが同時発振することが多いカー本実施例で毫 狭
帯域化素子３．４の存在により特定の波長でのみレーザ
光が発振する。
一方、このレーザ装置本体Ａの全反射ミラ５の背後に設
けたプローブ光学系６．７を介して、前記レーザ装置本
体Ａで発生するレーザ光とは異なる波長のプローブ・レ
ーザ光をレーザ装置本体Ａ内に送るプローブ・レーザ装
置８が設けられている。このようく レーザ装置本体Ａ
内で、プローブ・レーザ光も狭帯域化素子３，４を通過
する。
けたプローブ光学系６．７を介して、前記レーザ装置本
体Ａで発生するレーザ光とは異なる波長のプローブ・レ
ーザ光をレーザ装置本体Ａ内に送るプローブ・レーザ装
置８が設けられている。このようく レーザ装置本体Ａ
内で、プローブ・レーザ光も狭帯域化素子３，４を通過
する。
すなわち、狭帯域化素子３． ４は、 ２重の反射コー
ティングによりレーザ装置本体Ａの１７−ザ光とプロー
ブ・レーザ光の発振波長の２波長でエタロンとして機能
する。
ティングによりレーザ装置本体Ａの１７−ザ光とプロー
ブ・レーザ光の発振波長の２波長でエタロンとして機能
する。
レーザ装置本体Ａで発生したレーザ光 及び、レーザ装
置本体Ａを通過したプローブ・レーザ光１礼 出力ミラ
ｌを通過して出力される。
置本体Ａを通過したプローブ・レーザ光１礼 出力ミラ
ｌを通過して出力される。
そして、レーザ装置本体Ａの出力ミラ１の前方く プロ
ーブ・レーザ光を分岐採取するビームスプリッタ９が設
置されている。このビームスプリッタ９は、プローブ・
レーザ光を１００％反射獣レーザ装置本体Ａのレーザ光
を１００％透過するようなコーティングを持っているの
が好ましい。
ーブ・レーザ光を分岐採取するビームスプリッタ９が設
置されている。このビームスプリッタ９は、プローブ・
レーザ光を１００％反射獣レーザ装置本体Ａのレーザ光
を１００％透過するようなコーティングを持っているの
が好ましい。
そして、ビームスプリッタ９で採取されたプローブ・レ
ーザ光を検出する光検出器１０が設けら蜆 この光検出
器と前記ビームスプリッタ９とで光検出装置Ｂが構成さ
れている。
ーザ光を検出する光検出器１０が設けら蜆 この光検出
器と前記ビームスプリッタ９とで光検出装置Ｂが構成さ
れている。
光検出器ｌＯはプローブ・レーザ光の強度を電圧の変化
として出力するものである。
として出力するものである。
一方、この光検出器１０からの出力を受ける制御装置１
１が設けら枳 この制御装置１１によって駆動されるア
クチュエータ１２．１３が前記狭帯域化素子３．４に設
けられている。
１が設けら枳 この制御装置１１によって駆動されるア
クチュエータ１２．１３が前記狭帯域化素子３．４に設
けられている。
以下、本実施例の動作例を説明する。
まず、レーザ装置本体Ａから出力されるレーザ光が最適
な状態の時におけるプローブ・レーザ光の強度を基準電
圧として設定しておく（制御装置の校正）。
な状態の時におけるプローブ・レーザ光の強度を基準電
圧として設定しておく（制御装置の校正）。
レーザ装置本体Ａのレーザ発振中にエタロン３゜４のズ
レや温度・気圧の変動により２つのエタロン３．４の整
合状態が壊枳 レーザ光の発振波長・出力が変化する。
レや温度・気圧の変動により２つのエタロン３．４の整
合状態が壊枳 レーザ光の発振波長・出力が変化する。
このエタロン３．４の不整合はプローブ・レーザ光のエ
タロン透過光量にも変化を与える。
タロン透過光量にも変化を与える。
従って、光検出器工０で捉えたプローブ・レーザ光の強
度も変動する。制御装置１１で（飄 この変動を打ち消
す方向にエタロン３．４を制御するためアクチュエータ
１２．１３を駆動し微調を行う。
度も変動する。制御装置１１で（飄 この変動を打ち消
す方向にエタロン３．４を制御するためアクチュエータ
１２．１３を駆動し微調を行う。
〈実施例２〉
次＆ミ 第２図に基づいて本発明の他の実施例を説明す
る。
る。
この実施例でｌ戴 プローブ・レーザ装置８からのプ
ローブ・レーザ光をプローブ光学系６，７を介して出力
ミラｌ側からレーザ装置本体Ａに導入し 全反射ミラ５
を通過したプローブ・レーザ光をビームスプリッタ９を
介して光検出器ＩＯで受け、制御装置１１でアクチュエ
ータ１２．１３を駆動してエタロン３．４を制御するも
のである。
ローブ・レーザ光をプローブ光学系６，７を介して出力
ミラｌ側からレーザ装置本体Ａに導入し 全反射ミラ５
を通過したプローブ・レーザ光をビームスプリッタ９を
介して光検出器ＩＯで受け、制御装置１１でアクチュエ
ータ１２．１３を駆動してエタロン３．４を制御するも
のである。
全反射ミラ５（戯 レーザ装置本体Ａのレーザ光は全反
射するカー プローブ・レーザ光は通過させるように！
、である。他の横風 動作は実施例１と同一である。
射するカー プローブ・レーザ光は通過させるように！
、である。他の横風 動作は実施例１と同一である。
以上のよう％−本発明でＩＬ 狭帯域化レーザの発振
出力・波長の変動に対獣 それら変動要素である、光学
素子例えば狭帯域化光学素子の状態変化を、その光学素
子を経たプローブ・レーザ光の変化で直接検知狐 その
変化を打ち消す方向に光学素子を制御するようにしたの
で、光学素子に起因するレーザ発振状態の変動をｌＩｉ
′ｌｌ１ｌｔ−レーザ装置本体のレーザ光を最適な状態
に制御し安定化することができる。
出力・波長の変動に対獣 それら変動要素である、光学
素子例えば狭帯域化光学素子の状態変化を、その光学素
子を経たプローブ・レーザ光の変化で直接検知狐 その
変化を打ち消す方向に光学素子を制御するようにしたの
で、光学素子に起因するレーザ発振状態の変動をｌＩｉ
′ｌｌ１ｌｔ−レーザ装置本体のレーザ光を最適な状態
に制御し安定化することができる。
第１図は本発明の一実施例を示した概略は 第２図は他
の例を示した概略図である。 Ａ・・・レーザ装置本体 Ｂ・・・検出装置、 ｌ・・・出力ミラ、 ２・・・レーザ媒質、 ３．４・・・挟帯域化素子（エタロン）、５・・・全反
射ミラ、 ５・・・全反射ミラ、 ６．７・・・プローブ光学泉 ８・・・プローブ・レーザ装置、 ９・・ビームスプリッタ、 １０・・・光検出法 １１・・・制御装置、 １２、１３・・・アクチュエータ。
の例を示した概略図である。 Ａ・・・レーザ装置本体 Ｂ・・・検出装置、 ｌ・・・出力ミラ、 ２・・・レーザ媒質、 ３．４・・・挟帯域化素子（エタロン）、５・・・全反
射ミラ、 ５・・・全反射ミラ、 ６．７・・・プローブ光学泉 ８・・・プローブ・レーザ装置、 ９・・ビームスプリッタ、 １０・・・光検出法 １１・・・制御装置、 １２、１３・・・アクチュエータ。
Claims (9)
- （１）レーザ装置本体の出力レーザ光とは異なる波長の
プローブ・レーザ光を前記レーザ装置本体の光学素子に
導入して、光学素子を経たプローブ・レーザ光の変化を
打ち消す方向に前記レーザ装置本体の光学素子を調整す
るレーザ光の安定化方法。 - （２）レーザ装置本体の出力レーザ光とは異なる波長の
プローブ・レーザ光を前記レーザ装置本体の光学素子に
導入して、レーザ装置本体の出力レーザ光の波長変動ま
たは出力変動の原因となる光学素子の変化分を、光学素
子を経たプローブ・レーザ光の変化として検知し、その
プローブ・レーザ光の変化を打ち消す方向に前記レーザ
装置本体の光学素子を調整することでレーザ装置本体の
出力レーザ光の波長安定化または出力安定化を計る、請
求項１記載のレーザ光の安定化方法。 - （３）前記レーザ装置本体の出力レーザ光は狭帯域化さ
れたレーザ光である請求項１記載のレーザ光の安定化方
法。 - （４）前記レーザ装置本体の光学素子は、狭帯域化光学
素子であるグレーティング、エタロン、複屈折フィルタ
またはプリズムの内、少なくともいずれかと、共振器光
学系である半透過の出力ミラ、全反射ミラである請求項
１記載のレーザ光の安定化方法。 - （５）レーザ装置本体と、このレーザ装置本体の出力レ
ーザ光とは異なる波長のプローブ・レーザ光を前記レー
ザ装置本体の光学素子に導入するプローブ・レーザ装置
と、前記レーザ装置本体の光学素子を経たプローブ・レ
ーザ光を検出する検出装置と、この検出装置で検出した
プローブ・レーザ光の変化を打ち消す方向に前記レーザ
装置本体の光学素子を調整制御する制御装置とを備えた
レーザ装置。 - （６）前記レーザ装置本体は、狭帯域化された発振光を
出力するレーザである請求項５記載のレーザ装置。 - （７）前記プローブ・レーザ装置は、連続発振レーザを
プローブ・レーザ光源とし、該プローブ・レーザからの
レーザ光を導入するプローブ光学系を備え、前記検出装
置は前記レーザ装置本体の光学素子を経たプローブ・レ
ーザ光を検出するための光学系と、この光学系を経たプ
ローブ・レーザ光を検出するための光検出器と備えた請
求項５記載のレーザ装置。 - （８）前記レーザ装置本体の光学素子は、狭帯域化光学
素子であるグレーティング、エタロン、複屈折フィルタ
またはプリズムの内、少なくともいずれかと、共振器光
学系である半透過の出力ミラ、全反射ミラとを備え、プ
ローブ・レーザ光が通過すべきこれら光学素子はレーザ
装置本体からのレーザ光の発振波長とプローブ・レーザ
光の波長の二つの波長域で使用するために、反射膜、ま
たは反射防止膜で二重もしくは多重にコーティングして
ある請求項５記載のレーザ装置。 - （９）前記レーザ装置本体の光学素子は、狭帯域化光学
素子であるグレーティング、エタロン、複屈折フィルタ
またはプリズムの内少なくともいずれかと、共振器光学
系である半透過の出力ミラ、全反射ミラとを備え、前記
制御装置は前記グレーティング、エタロン、複屈折フィ
ルタ、プリズム、出力ミラ、全反射ミラの内、いずれか
あるいはそれらの２以上の位置・傾角を制御するもので
ある請求項５記載のレーザ装置。
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|---|---|---|---|
| JP20252889 | 1989-08-04 | ||
| JP1-202528 | 1989-08-04 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03155691A true JPH03155691A (ja) | 1991-07-03 |
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|---|---|---|---|
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| CA (1) | CA2022672A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN111880319A (zh) * | 2020-08-18 | 2020-11-03 | 董述萍 | 一种带有原子陷波滤波器的汤姆逊散射诊断系统 |
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-
1990
- 1990-08-01 JP JP2204526A patent/JPH03155691A/ja active Pending
- 1990-08-01 US US07/561,732 patent/US5084884A/en not_active Expired - Fee Related
- 1990-08-02 EP EP19900114867 patent/EP0411635A3/en not_active Withdrawn
- 1990-08-03 CA CA002022672A patent/CA2022672A1/en not_active Abandoned
- 1990-08-03 KR KR1019900011920A patent/KR910005530A/ko not_active Application Discontinuation
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| KR910005530A (ko) | 1991-03-30 |
| EP0411635A3 (en) | 1992-01-08 |
| CA2022672A1 (en) | 1991-02-05 |
| US5084884A (en) | 1992-01-28 |
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