JPH02103964A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPH02103964A JPH02103964A JP25771688A JP25771688A JPH02103964A JP H02103964 A JPH02103964 A JP H02103964A JP 25771688 A JP25771688 A JP 25771688A JP 25771688 A JP25771688 A JP 25771688A JP H02103964 A JPH02103964 A JP H02103964A
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- Japan
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- gate electrode
- electrode layer
- layer
- substrate
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- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 5
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 6
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 6
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置、特に化合物半導体を基板とする
半導体装置の改良に関するものである。
半導体装置の改良に関するものである。
従来のこの種半導体装置の概略構成を第２図に示す。同
図（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＩＩＢ−ＩＩＩＩ
線からの断面図、（Ｃ）は同じ＜（Ａ）のｍｃ−ｍｃ線
からの断面図である。
図（Ａ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＩＩＢ−ＩＩＩＩ
線からの断面図、（Ｃ）は同じ＜（Ａ）のｍｃ−ｍｃ線
からの断面図である。
これらの図において（１）は化合物半導体、例えばガリ
ウムヒ素（ＧａＡｓ）からなる基板で、その主面に周知
のトランジスタ素子（図示せず）が形成されるものであ
る。（２１は上述のトランジスタ素子に接続されたゲー
ト電極ボンディングパッド、（３）は同じくソース電極
ボンディングパッドである。
ウムヒ素（ＧａＡｓ）からなる基板で、その主面に周知
のトランジスタ素子（図示せず）が形成されるものであ
る。（２１は上述のトランジスタ素子に接続されたゲー
ト電極ボンディングパッド、（３）は同じくソース電極
ボンディングパッドである。
ドレイン電極のボンディングパッドは図示されていない
、（４）は上記ゲート電極ボンディングパッド上に設け
られるショットキー接合のゲート電極層で、多層構造と
され、例えば下層がらチタン／モリブデン／チタン／ア
ルミニウムのように構成されている。（５１は上記ソー
ス電極ボンディングパッド上に設けられるオーミック電
極層で、例えば下層から金／ゲルマニウム／ニッケル／
金のように構成されている。（６）は上記ゲート電極層
及びオーミック電極層の上面に夫々設けられるボンディ
ングメタル層で、例えば下層からチタン／モリブデン／
チタン／金のように構成されている。なお、図示してい
ないドレイン電極のボンディングパッドについては上記
ソース電極のボンディングパッドと同様に構成されてい
るものである。
、（４）は上記ゲート電極ボンディングパッド上に設け
られるショットキー接合のゲート電極層で、多層構造と
され、例えば下層がらチタン／モリブデン／チタン／ア
ルミニウムのように構成されている。（５１は上記ソー
ス電極ボンディングパッド上に設けられるオーミック電
極層で、例えば下層から金／ゲルマニウム／ニッケル／
金のように構成されている。（６）は上記ゲート電極層
及びオーミック電極層の上面に夫々設けられるボンディ
ングメタル層で、例えば下層からチタン／モリブデン／
チタン／金のように構成されている。なお、図示してい
ないドレイン電極のボンディングパッドについては上記
ソース電極のボンディングパッドと同様に構成されてい
るものである。
以上の構成によりショットキー接合型電界効果トランジ
スタが形成されている。
スタが形成されている。
従来の半導体装置は以上のように構成され、ゲート電極
ボンディングパッド上にゲート電極層が設けられている
が、その最下層に位置するチタンは基板を構成する化合
物半導体との付着強度が弱いため、ゲート電極層の上部
に設けられているボンディングメタル層（６）に金等の
ワイヤ（図示せず）をボンディングする際にゲート電極
層（イ）のチタンが基板（１）から剥離するという問題
があった。
ボンディングパッド上にゲート電極層が設けられている
が、その最下層に位置するチタンは基板を構成する化合
物半導体との付着強度が弱いため、ゲート電極層の上部
に設けられているボンディングメタル層（６）に金等の
ワイヤ（図示せず）をボンディングする際にゲート電極
層（イ）のチタンが基板（１）から剥離するという問題
があった。
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、ゲート電極ボンディングパッドと、これに設け
られる電極層とを強力に付着させ、半導体装置の組立性
と信頼性を向」ニさせることを目ｎ勺とするものである
。
もので、ゲート電極ボンディングパッドと、これに設け
られる電極層とを強力に付着させ、半導体装置の組立性
と信頼性を向」ニさせることを目ｎ勺とするものである
。
この発明に係る半導体装置は、ゲート電極層に接続され
たボンディングメタル層を、ゲート電極層とは異なった
位置でゲート電極ボンディングパッドに設けるようにし
たものである。
たボンディングメタル層を、ゲート電極層とは異なった
位置でゲート電極ボンディングパッドに設けるようにし
たものである。
この発明によれば、ゲート電極層を、ゲート電極ボンデ
ィングパッドの中央部にまで延在しない状態で止めると
共に、このゲート電極層に接続されたボンディングメタ
ル層がゲート電極層を介することなくゲート電極ボンデ
ィングパッドに設けられているため、ボンディングメタ
ル層はゲート電極ボンディングパッドに対して強力に付
着するものである。
ィングパッドの中央部にまで延在しない状態で止めると
共に、このゲート電極層に接続されたボンディングメタ
ル層がゲート電極層を介することなくゲート電極ボンデ
ィングパッドに設けられているため、ボンディングメタ
ル層はゲート電極ボンディングパッドに対して強力に付
着するものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は実施例の構成を示すものであり、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＩＢ−ＩＢ線からの断面図、（Ｃ）は
同じ＜（Ａ）のＩＣ−ＩＣ線からの断面図である。
図は実施例の構成を示すものであり、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＩＢ−ＩＢ線からの断面図、（Ｃ）は
同じ＜（Ａ）のＩＣ−ＩＣ線からの断面図である。
これらの図において（４）はゲート電極層で、基板（１
）上に設けられるが、第１図（Ｃ）に示すように、終端
（４１）がゲート電極ボンディングパッド（２）の中央
部にまでは延在しないようにされている。σ）は１記ゲ
一ト電極層に接続されるボンディングメタル層で、上述
した従来装置において使用されているボンディングメタ
ル層（６）と同構成のものであり、第１図（Ｃ）に示す
ように、ゲート電極層（４）の終端（旧）の上面を覆う
メタル層（７１）と、ゲート電極ボンディングパッド（
２１にゲート電極層（４）を介することなく設けられる
メタル層（７２）とを結合する形で構成されているもの
である。つまり、ゲート電極ボンディングパッド（２１
に設けられるボンディングメタル層（７２）は、ゲート
電極層（４）とは異なった位置で、即ちゲート電ｆ！層
（４）とは重合しない部分でゲート電極ボンディングパ
ッド（２）に接合されている。なお、上記ボンディング
メタルＮ（７）は、基板（１）上にオーミック電極１！
１（５１を形成し、次いでゲート電極層（イ）を形成し
た後、他のボンディングメタル層（６）と共に形成され
るものである。その他の構成は従来装置と同様であるた
め説明を省略する。
）上に設けられるが、第１図（Ｃ）に示すように、終端
（４１）がゲート電極ボンディングパッド（２）の中央
部にまでは延在しないようにされている。σ）は１記ゲ
一ト電極層に接続されるボンディングメタル層で、上述
した従来装置において使用されているボンディングメタ
ル層（６）と同構成のものであり、第１図（Ｃ）に示す
ように、ゲート電極層（４）の終端（旧）の上面を覆う
メタル層（７１）と、ゲート電極ボンディングパッド（
２１にゲート電極層（４）を介することなく設けられる
メタル層（７２）とを結合する形で構成されているもの
である。つまり、ゲート電極ボンディングパッド（２１
に設けられるボンディングメタル層（７２）は、ゲート
電極層（４）とは異なった位置で、即ちゲート電ｆ！層
（４）とは重合しない部分でゲート電極ボンディングパ
ッド（２）に接合されている。なお、上記ボンディング
メタルＮ（７）は、基板（１）上にオーミック電極１！
１（５１を形成し、次いでゲート電極層（イ）を形成し
た後、他のボンディングメタル層（６）と共に形成され
るものである。その他の構成は従来装置と同様であるた
め説明を省略する。
この発明は以上のように構成され、ゲート電極層に接続
されたボンディングメタル層を、ゲート電極層とは異な
った位置でゲート電極ボンディングパッドに設けるよう
にしたため、ボンディングメタル層の基板に対する付着
強度が増大し、半導体装置の組立性と信頼性を向上する
ことができるものである。
されたボンディングメタル層を、ゲート電極層とは異な
った位置でゲート電極ボンディングパッドに設けるよう
にしたため、ボンディングメタル層の基板に対する付着
強度が増大し、半導体装置の組立性と信頼性を向上する
ことができるものである。
第１図はこの発明の一実施例を示す概略構成図で、（Ａ
）は平面図、（１３）は（Ａ、）のＩ ｎ−Ｉ １３線
からの断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＩＣ−ｒｃ線からの断
面図である。第２図は従来の半導体装置を示す概略構成
図で、（Ａ）は平面図、（Ｂｌは（ＡｌのＪＩＢ−［８
線からの断面図、（Ｃ）は（Ａ）のｌＩＣ−ＩＣ線から
の断面図である。 図において（１）は基板、（２）はゲート電極ボンディ
ングパッド、（３）はソース電極ボンディングパッド、
（４）はゲート電極層、（（５）はオーミック電極層、
（６）（刀（７１＞ ＜７２＞はボンディングメタル層
である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 第１図 （Ｂ） （Ｃ） １事件の表示 昭和６３年特許願第２５７７１６号 ２発明の名称 半導体装置 ３補正をする者 事件との関係 住 所 名 称（６０１） ４代理人 住 所
）は平面図、（１３）は（Ａ、）のＩ ｎ−Ｉ １３線
からの断面図、（Ｃ）は（Ａ）のＩＣ−ｒｃ線からの断
面図である。第２図は従来の半導体装置を示す概略構成
図で、（Ａ）は平面図、（Ｂｌは（ＡｌのＪＩＢ−［８
線からの断面図、（Ｃ）は（Ａ）のｌＩＣ−ＩＣ線から
の断面図である。 図において（１）は基板、（２）はゲート電極ボンディ
ングパッド、（３）はソース電極ボンディングパッド、
（４）はゲート電極層、（（５）はオーミック電極層、
（６）（刀（７１＞ ＜７２＞はボンディングメタル層
である。 なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。 代理人 弁理士 大 岩 増 雄 第１図 （Ｂ） （Ｃ） １事件の表示 昭和６３年特許願第２５７７１６号 ２発明の名称 半導体装置 ３補正をする者 事件との関係 住 所 名 称（６０１） ４代理人 住 所
Claims (1)
- 化合物半導体からなる基板上にショットキー接合のゲー
ト電極層と、ゲート電極ボンディングパッドとを設けた
ものにおいて、上記ゲート電極層に接続されたボンディ
ングメタル層を、上記ゲート電極層とは異なった位置で
上記ゲート電極ボンディングパッドに設けたことを特徴
とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25771688A JPH02103964A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25771688A JPH02103964A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103964A true JPH02103964A (ja) | 1990-04-17 |
Family
ID=17310113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25771688A Pending JPH02103964A (ja) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02103964A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010512694A (ja) * | 2006-12-07 | 2010-04-22 | スターレント ネットワークス コーポレイション | パケット・フローへの動的変化供与 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54144181A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-10 | Nec Corp | Integrated inverter circuit |
| JPS5790978A (en) * | 1980-11-26 | 1982-06-05 | Nec Corp | Field effect type transistor |
| JPS57211784A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Nec Corp | Field effect transistor |
| JPS609150A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25771688A patent/JPH02103964A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54144181A (en) * | 1978-04-28 | 1979-11-10 | Nec Corp | Integrated inverter circuit |
| JPS5790978A (en) * | 1980-11-26 | 1982-06-05 | Nec Corp | Field effect type transistor |
| JPS57211784A (en) * | 1981-06-23 | 1982-12-25 | Nec Corp | Field effect transistor |
| JPS609150A (ja) * | 1983-06-29 | 1985-01-18 | Fujitsu Ltd | 半導体装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010512694A (ja) * | 2006-12-07 | 2010-04-22 | スターレント ネットワークス コーポレイション | パケット・フローへの動的変化供与 |
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