JPH02103963A - Semiconductor device - Google Patents
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- JPH02103963A JPH02103963A JP25771588A JP25771588A JPH02103963A JP H02103963 A JPH02103963 A JP H02103963A JP 25771588 A JP25771588 A JP 25771588A JP 25771588 A JP25771588 A JP 25771588A JP H02103963 A JPH02103963 A JP H02103963A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は半導体装置、特に化合物半導体を基板とする
半導体装置の改良に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to improvements in semiconductor devices, particularly semiconductor devices using a compound semiconductor as a substrate.
従来のこの種半導体装置の概略構成を第２図に示す。同
図（Δ）は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のｎｏ−ｎｏ線から
の断面図、（Ｃ，）は同じ＜ｍｃ−ｍｃ線からの断面図
である。FIG. 2 shows a schematic configuration of a conventional semiconductor device of this type. The same figure (Δ) is a plan view, (B) is a cross-sectional view taken from the no-no line of (A), and (C,) is a cross-sectional view taken from the same <mc-mc line.
これらの図において（１）は化合物半導体、例えばガリ
ウムヒ素（ＧａＡｓ ）からなる基板で、その主面に周
知のトランジスタ素子（図示せず）が形成されるもので
ある。（２１は上述のトランジスタ素子に接続されたゲ
ート電極ボンディングパッド、（３）は同じくソース電
極ボンディングパッドである。In these figures, (1) is a substrate made of a compound semiconductor, for example gallium arsenide (GaAs), on the main surface of which a well-known transistor element (not shown) is formed. (21 is a gate electrode bonding pad connected to the above-mentioned transistor element, and (3) is also a source electrode bonding pad.
ドレイン電極のボンディングパッドは図示されていない
、（４Ｊは上記ゲート電極ボンディングパッド上に設け
られるショットキー電極層で、多層構造とされ、例えば
下層からチタン／モリブデン／チタン／アルミニウムの
ように構成されている。（５１は上記ソース電極ボンデ
ィングパッド上に設けられるオーミック電極層で、例え
ば下層から金／ゲルマニウム／ニッケル／金のように構
成されている。（６）は上記ショットキー電極層及びオ
ーミック電極層の上面に夫々設けられるボンディングメ
タル層で、例えば下層からチタン／モリブデン／チタン
／金のように構成されている。なお、図示していないド
レイン電極のボンディングパッドについては上記ソース
電極のボンディングパッドと同様に構成されているもの
である。The bonding pad of the drain electrode is not shown. (4J is a Schottky electrode layer provided on the gate electrode bonding pad, and has a multilayer structure, for example, made of titanium/molybdenum/titanium/aluminum from the bottom layer. (51 is an ohmic electrode layer provided on the source electrode bonding pad, and is composed of, for example, gold/germanium/nickel/gold from the bottom layer. (6) is the ohmic electrode layer provided on the source electrode bonding pad. These are bonding metal layers provided on the upper surface, and are composed of, for example, titanium/molybdenum/titanium/gold from the bottom layer.The drain electrode bonding pad (not shown) is the same as the source electrode bonding pad. It is composed of
以上の構成によりショットキー接合型電界効果トランジ
スタが形成されている。With the above configuration, a Schottky junction field effect transistor is formed.
従来の半導体装置は以上のように構成され、ゲート電極
ボンディングパッド上にショットキー電極層が設けられ
ているが、その最下層に位置するチタンは基板を構成す
る化合物半導体との付着強度が弱いため１、ショットキ
ー電極層の上部に設けられているボンディングメタル層
（６）に金等のワイヤ（図示せず）をボンディングする
際にショットキー電極層（４）のチタンが基板（１）か
ら剥離するという問題があった。Conventional semiconductor devices are constructed as described above, and a Schottky electrode layer is provided on the gate electrode bonding pad, but titanium located at the bottom layer has weak adhesion strength to the compound semiconductor that makes up the substrate. 1. When bonding a wire such as gold (not shown) to the bonding metal layer (6) provided on the top of the Schottky electrode layer, the titanium of the Schottky electrode layer (4) peels off from the substrate (1). There was a problem.
この発明はこのような問題点を解消するためになされた
もので、ショットキー電極層をゲート電極ボンディング
パッドに強力に付着させ、半導体装置の組立性と信頼性
を向上させることを目的とするものである。This invention was made to solve these problems, and its purpose is to strongly adhere a Schottky electrode layer to a gate electrode bonding pad, thereby improving the assemblability and reliability of a semiconductor device. It is.
この発明に係る半導体装置は、ゲート電極ボンディング
パッドと、ショットキー電極層との間にオーミック電極
層を設けるようにしたものである。A semiconductor device according to the present invention includes an ohmic electrode layer between a gate electrode bonding pad and a Schottky electrode layer.
この発明によれば、ショットキー電極層とオーミック電
極層とが強力に付着し、又、オーミック電極層とゲート
電極ボンディングパッドとが強力に付着するため、ショ
ットキー電極はゲート電極ボンディングパッドに対して
強力に付着するものである。According to this invention, the Schottky electrode layer and the ohmic electrode layer strongly adhere to each other, and the ohmic electrode layer and the gate electrode bonding pad also strongly adhere to each other, so that the Schottky electrode is attached to the gate electrode bonding pad. It adheres strongly.
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第１
図は実施例の構成を示すものであり、（Ａ）は平面図、
（Ｂ）は（Ａ）のＩ １１− Ｉ Ｂ線からの断面図、
（Ｃ）は同じ＜（Ａ）の■ｃ−Ｉｃ線からの断面図であ
る。An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1st
The figures show the configuration of the embodiment, and (A) is a plan view;
(B) is a cross-sectional view taken from the I11-IB line in (A),
(C) is a sectional view taken along the line ■c-Ic of the same <(A).
これらの図において（刀はゲート電極ボンディングパッ
ド（２）とショットキー電極ＮＩ（４）との間に設けら
れたオーミック電極層で、上述した従来装置において使
用されているオーミック電極層（句と同構成のものであ
り、第１図（Ｃ）に示すように、第１図（Ａ）のゲート
電極ボンディングパッド（２の部分にオーミック電極ｊ
ｌ（’７１を設け、その後、その上部に設けられるシヨ
・ントキー電ｆ！ｆｆ＜４１）と、それに隣接して基板
（１）に直接設けられるショットキー電極層（４２）と
を結合する形で構成されているものである。なお、上記
オーミック電極層（７）は、ソース電極ボンディングパ
ッド上に設けられるオーミック環［７層（（５）を形成
する際、同時に形成されることになる。その他の構成は
従来装置と同様であるため説明を省略する。In these figures, the sword is the ohmic electrode layer provided between the gate electrode bonding pad (2) and the Schottky electrode NI (4), and is the ohmic electrode layer (same as the phrase) used in the conventional device described above. As shown in FIG. 1(C), an ohmic electrode is placed on the gate electrode bonding pad (2) in FIG. 1(A).
l ('71 is provided, and then a Schottky electrode f!ff<41) provided above it and a Schottky electrode layer (42) provided directly on the substrate (1) adjacent thereto are combined. It is made up of. The ohmic electrode layer (7) is formed simultaneously when forming the ohmic ring [7 layer (5)] provided on the source electrode bonding pad.Other configurations are the same as the conventional device. Therefore, the explanation will be omitted.
この発明は以上のように構成され、ゲート電極ボンディ
ングパッドとショットキー電極層との間にオーミック電
極層を設けるようにしたため、ボンディングメタル層の
基板に対する付着強度が増大し、半導体装置の組立性と
信頼性を向上することができるものである。This invention is constructed as described above, and since the ohmic electrode layer is provided between the gate electrode bonding pad and the Schottky electrode layer, the adhesion strength of the bonding metal layer to the substrate is increased, and the assemblability of the semiconductor device is improved. This makes it possible to improve reliability.
第１図はこの発明の一実施例を示す概略構成図で、（Ａ
＞は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＩ Ｂ−Ｉ Ｂ線からの
断面図、（Ｃ）は＜Ａ）のＩ Ｃ−Ｉ Ｃ線からの断面
図である。第２図は従来の半導体装置を示す概略構成図
で、（Ａ＞は平面図、（Ｂ）は（Ａ）のＩＩＢ−■Ｂ線
からの断面図、（Ｃ１は＜Ａ）のｎｃ−ｎｃ線からの断
面図である。
図において（１）は基板、（ａはゲート電極ボンディン
グパッド、（３）はソース電極ボンディングパッド、（
４１（４１） （４２）はショットキー電極層、（５１
（７）はオーミック電極層、（６）はボンディングメタ
ル層である。
なお、図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。
代理人 弁理士 大 岩 増 雄
（Ｂ）
第２図
手続補正書（自発）
平成FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the present invention.
＞ is a plan view, (B) is a cross-sectional view taken along line I B-I B of (A), and (C) is a cross-sectional view taken along line I C-IC of <A). FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing a conventional semiconductor device, where (A> is a plan view, (B) is a sectional view taken from line IIB-■B in (A), and (C1 is <A) nc-nc It is a sectional view taken from the line. In the figure, (1) is the substrate, (a is the gate electrode bonding pad, (3) is the source electrode bonding pad, (
41 (41) (42) is a Schottky electrode layer, (51
(7) is an ohmic electrode layer, and (6) is a bonding metal layer. In addition, in the figures, the same reference numerals indicate the same or corresponding parts. Agent: Patent attorney Masuo Oiwa (B) Diagram 2 procedural amendment (voluntary) Heisei
Claims (1)
ンディングパッドに、ショットキー電極層を設けたもの
において、上記ショットキー電極層とゲート電極ボンデ
ィングパッドとの間にオーミック電極層を設けるように
したことを特徴とする半導体装置。In a device in which a Schottky electrode layer is provided on a gate electrode bonding pad formed on a substrate made of a compound semiconductor, an ohmic electrode layer is provided between the Schottky electrode layer and the gate electrode bonding pad. Characteristic semiconductor devices.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25771588A JPH02103963A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25771588A JPH02103963A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Semiconductor device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02103963A true JPH02103963A (en) | 1990-04-17 |
Family
ID=17310100
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25771588A Pending JPH02103963A (en) | 1988-10-13 | 1988-10-13 | Semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02103963A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012059887A (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
| US8384137B2 (en) | 2010-02-23 | 2013-02-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62150869A (en) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Ltd | Compound semiconductor device |
-
1988
- 1988-10-13 JP JP25771588A patent/JPH02103963A/en active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62150869A (en) * | 1985-12-25 | 1987-07-04 | Hitachi Ltd | Compound semiconductor device |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8384137B2 (en) | 2010-02-23 | 2013-02-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Semiconductor device |
| JP2012059887A (en) * | 2010-09-08 | 2012-03-22 | Toshiba Corp | Semiconductor device |
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