JPH01277781A - Testing apparatus for integrated circuit - Google Patents

Testing apparatus for integrated circuit

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JPH01277781A
JPH01277781A JP63107940A JP10794088A JPH01277781A JP H01277781 A JPH01277781 A JP H01277781A JP 63107940 A JP63107940 A JP 63107940A JP 10794088 A JP10794088 A JP 10794088A JP H01277781 A JPH01277781 A JP H01277781A
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failure
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Abstract

PURPOSE:To give guidelines regarding a fault tracing direction, by a method wherein the theoretical depth and the direction of signal propagation of a designed wiring pattern corresponding to a pattern appearing in an image of a difference between an article to be tested and a good article are given to the designed wiring pattern and displayed. CONSTITUTION:An observation image of a sample of an integrated circuit 3 to be tested, which is obtained from an electron beam test apparatus 1, and a normal operation state image for reference which is stored beforehand in a memory circuit 5 for an image for reference are subjected to a difference processing in a fault image forming circuit 6, and a fault image is formed and displayed in a fault image display element 7. A fault search map is prepared and displayed in the following procedure. First a fault pattern discriminating circuit 70 discriminates the length of the fault pattern, the coordinates of end points thereof, etc., on an observed fault image, as form parameters. Based on the fault pattern, the result of recognition by a design wiring recognizing element 80 is stored in a memory 2. A logical depth recognizing circuit 10 reads the logical depth of a circuit network and the terminal position of a logic cell and stores them in a memory 3. The data in the memories are displayed by a display element 12.

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、集積回路の故障診断を高速且つ詳細に行う電
子ビーム試験装置に関するものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Industrial Application] The present invention relates to an electron beam testing device that performs fault diagnosis of integrated circuits at high speed and in detail.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

電子ビーム試験装置を用いた集積回路の試験法の一つに
、故障像を利用する方法がある。故障像とは、電子ビー
ム試験装置により被試験集積回路試料から得られた画像
データと、別途用意したあらかじめ正常とわかっている
画像データとの間の差分の結果得られる像である。この
像の上では故障の状態が一目で観察できるため、その状
態の時間的変化を追跡することで、筒便且つ手軽に故障
箇所が特定できる。
One of the methods for testing integrated circuits using electron beam testing equipment is a method that uses failure images. The failure image is an image obtained as a result of the difference between image data obtained from an integrated circuit sample under test by an electron beam tester and separately prepared image data known to be normal. Since the state of the failure can be observed at a glance on this image, the location of the failure can be conveniently and easily identified by tracking changes in the state over time.

このようなテスト方法には、大きくわけてダイナミツク
フォールト像(DFI:たとえばT、C,May et
 al、、”Dynamic Fault Imagi
ng of VLSI Random Logic D
ecices’、19841EEE/TRPS pp、
95−10Ft)を用いる方法と、フォールトコントラ
スト像(FClたとえば八fan R,5tivers
 at al、、”Fault C。
These test methods are broadly divided into dynamic fault images (DFI: for example, T, C, May et al.
al,,”Dynamic Fault Imagi
ng of VLSI Random Logic D
ecices', 19841EEE/TRPS pp,
95-10 Ft) and a method using fault contrast images (FCl e.g. 8 fan R, 5 tivers
at al,,”Fault C.

ntrast:^New Voltage Contr
、ast Vl、Sr DiagnosisTechn
ique’、1986 rEEE#RPs pp、10
9−114)を用いる方法の二つがあり、その概要を第
5図(a)。
ntrast: ^New Voltage Contr
, ast Vl, Sr Diagnosis Techn.
ique', 1986 rEEE#RPs pp, 10
There are two methods using 9-114), the outline of which is shown in Figure 5(a).

(b)に示す。第5図(a)はダイナミックフォールト
像の生成、第5図(b)はフォールトコントラスト像の
生成を示す。前者では被試験デバイスとしての被試験集
積回路51と良品デバイスとしての良品集積回路52の
二つを用意しておき、同一の動作条件下で両者から画像
データを取り込み、その差分をとることで故障像が得ら
れる。53は同一テストパラメータ、54.55は観測
像、56は差分回路、57はダイナミックフォールト像
、58はフォールトキューブを示す。
Shown in (b). FIG. 5(a) shows the generation of a dynamic fault image, and FIG. 5(b) shows the generation of a fault contrast image. In the former method, two devices are prepared: an integrated circuit under test 51 as a device under test and a non-defective integrated circuit 52 as a non-defective device, image data is captured from both under the same operating conditions, and the difference is taken to detect a failure. An image is obtained. 53 is the same test parameter, 54 and 55 are observation images, 56 is a differential circuit, 57 is a dynamic fault image, and 58 is a fault cube.

一方後者は、特定の試験パラメータ条件下では正常動作
することが確かめられているデバイスに対して適用され
るもので、同一デバイスの被試験集積回路511から一
つは正常動作条件下のたとえば512のテストパラメー
タ1で、もう一つは正常動作しない条件下の513のテ
ストパラメータ2で観測像514,515を得て、差分
回路516により差分をとり、故障像としてフォールト
コントラスト像517を得る。この方法は、故障モード
がマージン性のもののみに限定されるが、画像の差分処
理に際して、画像同士の位置合わせや歪補正が不要であ
るという利点がある。
On the other hand, the latter is applied to devices that are confirmed to operate normally under specific test parameter conditions; Observation images 514 and 515 are obtained with test parameter 1 and the other with test parameter 2 of 513 under conditions that do not operate normally, and a difference is taken by a difference circuit 516 to obtain a fault contrast image 517 as a failure image. Although this method is limited to failure modes of margin nature, it has the advantage that alignment of images and distortion correction are not required when performing image difference processing.

DPIを用いた故障追跡の方法には、第5図(a)に示
すようなフォールトキューブ58を利用する方法がある
。フォールトキューブとは、故障像を時間方向に並べて
三次元像表示したもので、故障パタンか時間と共に拡大
する様子を目視観測し、その起点を見付けだすことで故
障の発生箇所が特定される。
As a fault tracing method using DPI, there is a method using a fault cube 58 as shown in FIG. 5(a). A fault cube is a three-dimensional display of failure images lined up in the time direction, and the location of the failure can be identified by visually observing how the failure pattern expands over time and finding its starting point.

FCTの場合の故障追跡方法を第6図(a)。Figure 6(a) shows the fault tracing method in the case of FCT.

(b)に示す。60は集積回路チップで、故障が出力バ
ッド61を通して検出されると、そのタイミング(t=
n)で故障像の観測ゾーン62を移動しながら集積回路
試料上の故障パタン63を追跡していく (第6図(a
))。故障パタン伝搬の起点に到達したならば、一つ前
のテストパタンタイミングでテストパクンを止め(t=
n−1)、再度試料上を人手で追跡し、故障伝播の起点
を探す(第6図(b))。こうして、故障パタンの発生
しなくなるタイミングに到達したとき、最後に到達した
故障の起点を真の故障部分であると判定する。DFTの
場合でも最終的にはこの方法をとることが多い。という
のは、故障パタンの拡散は必ずしも直怒的にわかる程−
点からきれいに拡散する保証はなく、画像データをとる
タイミングにも依存するが、むしろ発生点から明らかに
ならないような変化をするケースが一般的だからである
Shown in (b). 60 is an integrated circuit chip, and when a failure is detected through the output pad 61, the timing (t=
n), the failure pattern 63 on the integrated circuit sample is traced while moving through the observation zone 62 of the failure image (Fig. 6(a)
)). When the starting point of fault pattern propagation is reached, the test break is stopped at the previous test pattern timing (t=
n-1), manually trace the sample again to find the origin of fault propagation (Fig. 6(b)). In this way, when the timing at which the failure pattern no longer occurs is reached, the starting point of the failure reached last is determined to be the true failure part. Even in the case of DFT, this method is often adopted in the end. This is because the spread of failure patterns is not necessarily immediately obvious.
There is no guarantee that the light will diffuse neatly from the point, and it depends on the timing at which the image data is taken, but it is rather common for the change to occur in a way that is not obvious from the point of occurrence.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problem to be solved by the invention]

第6図に示す追跡方法では、配線パタンを認識できる精
度で画像を取り込む必要があるため、画素数の制限から
集積回路試料全体を覆う程観測ゾーンを大きくすること
は難しい。そのため、例えば1mmX 1mmの局所的
なゾーンで故障像を取り込み、故障パタンを追跡してい
(ことにより、故障像を取り込むたびに、故障配線パタ
ン上の信号伝搬方向や故障配線パタン間の信号の伝1般
順序を確認する必要が生じる。しかしながら、従来から
ある方法では、単に故障像の観測手段が提供されている
にすぎず、これらの追跡に必要とされる作業は、全て人
手によらざるを得なかった。具体的な作業としては、故
障配線パタンと設計配線パタンの対応・配線パタンと回
路図との対応・回路図の構造追跡といったものがあるが
、これらは設計上の知識に加え、巨大なマスクパタン図
の追跡と観測像との比較といった膨大な時間・労力を要
する作業を必要とし、これらが本手法の大規模集積回路
への適用を困難にする大きな要因となっていた。
In the tracking method shown in FIG. 6, it is necessary to capture an image with such precision that the wiring pattern can be recognized, so it is difficult to make the observation zone large enough to cover the entire integrated circuit sample due to the limited number of pixels. Therefore, a fault image is captured in a local zone of, for example, 1 mm x 1 mm, and the fault pattern is tracked. It becomes necessary to check the general order.However, conventional methods merely provide a means of observing failure images, and all the work required for tracking them must be done manually. Specific tasks include correspondence between faulty wiring patterns and designed wiring patterns, correspondence between wiring patterns and circuit diagrams, and tracing of circuit diagram structures, but in addition to design knowledge, these tasks require This method requires a huge amount of time and effort, such as tracking a huge mask pattern diagram and comparing it with observed images, which is a major factor that makes it difficult to apply this method to large-scale integrated circuits.

このような問題を解決するためには、何等かの形で設計
データの利用をはかることが必要であることは従来から
指摘されている。しかしながら、J常の設計データでは
、配線パタンと回路図の間に、相互に相手を参照するた
めのリンクが設けられていないため、追跡のための地図
をつくることができず、追跡の容易化は不可能であった
It has been pointed out that in order to solve such problems, it is necessary to utilize design data in some way. However, in conventional design data, there is no link between the wiring pattern and the circuit diagram to refer to each other, so it is not possible to create a map for tracking, which makes tracking easier. was impossible.

本発明は、従来の試験装置が故障追跡方向に関する指針
を与える手段を持たないという問題を解決しようとする
ものであって、その目的は故障追跡の高速化、高能率化
を図ることにある。
The present invention aims to solve the problem that conventional test equipment does not have a means for providing guidelines regarding the direction of fault tracing, and its purpose is to speed up fault tracing and improve efficiency.

〔課題を解説するための手段〕[Means for explaining the issue]

本発明の集積回路試験装置は、上記の目的を達成するた
め、動作状態に置かれた集積回路試料上の一定領域を電
子ビームにより走査し、一つまたは一つ以上のタイミン
グで二次電子像を取り出し、前記取り出した二次電子像
と、良品試料又は正常動作条件下の同一試料又は設計デ
ータから得た像との間での差分像を得て故障を認識する
集積回路試験装置において、前記差分像の中に現れたパ
タンに対抗する設計配線パタンを認識する手段と、前記
認識した設計配線パタンの論理的深さを認識する手段と
、前記認、識した設計配線パタンの信号伝搬の起点を認
識する手段と、前記論理的深さおよび信号伝搬の方向を
前記設計配線パタンに付与し表示する手段とを備えてな
ることを特徴とする集積回路試験装置である。
In order to achieve the above object, the integrated circuit testing apparatus of the present invention scans a certain area on an integrated circuit sample placed in an operating state with an electron beam, and images secondary electron images at one or more timings. In the integrated circuit testing apparatus, a failure is recognized by obtaining a difference image between the taken-out secondary electron image and an image obtained from a non-defective sample or the same sample under normal operating conditions or design data. means for recognizing a designed wiring pattern that opposes the pattern appearing in the difference image; means for recognizing the logical depth of the recognized designed wiring pattern; and a starting point of signal propagation of the recognized designed wiring pattern. The integrated circuit testing apparatus is characterized by comprising: means for recognizing the logical depth and the direction of signal propagation; and means for assigning and displaying the logical depth and the direction of signal propagation to the designed wiring pattern.

〔作 用〕[For production]

本発明にかかる装置は、故障像(DllやFC■)を単
に観測表示するだけの従来装置と異なり、追跡すべき方
向を決めるための手掛りとなる情報も、故障像に対応し
て表示できるよう構成したことを特長とすることから、
本発明に係る装置では、論理深度・信号の伝搬方向とい
う形の探索地図を常に参照しながら、最も効率的な故障
追跡手順を決められる。以下図面にもとづき実施例につ
いて説明する。
Unlike conventional devices that simply observe and display failure images (Dll and FC■), the device according to the present invention can also display information that can be used as clues for determining the direction of tracking in accordance with the failure image. Because it is characterized by
In the device according to the present invention, the most efficient fault tracing procedure can be determined while always referring to a search map in the form of logic depth and signal propagation direction. Examples will be described below based on the drawings.

〔実施例〕〔Example〕

第1図に本発明の実施例を示す。電子ビーム試験装置1
のXYステージ2上には、被試験集積回路3が載ってい
る。この上に電子ビーム4が照射され、表面から発生す
る二次電子信号が画像の形で取り出される。観測ゾーン
の移動は、ステージ位置情報2XYを示すXYステージ
2の移動によってなされる。電子ビーム試験装W1から
得られろ被試験集積回路3の試料の観測像と、予め参照
用画像メモリ回路5に蓄えられている参照用の正常動作
状態像とは、故障像生成回路6にて差分処 3理がなさ
れ、故障像が故障像表示部7に生成表示される。
FIG. 1 shows an embodiment of the present invention. Electron beam test device 1
An integrated circuit under test 3 is placed on the XY stage 2 of the device. An electron beam 4 is irradiated onto this surface, and a secondary electron signal generated from the surface is extracted in the form of an image. The observation zone is moved by moving the XY stage 2 indicating stage position information 2XY. The observation image of the sample of the integrated circuit under test 3 obtained from the electron beam tester W1 and the normal operating state image for reference stored in the reference image memory circuit 5 in advance are generated by the failure image generation circuit 6. Three differential processes are performed, and a fault image is generated and displayed on the fault image display section 7.

一方、これに対応する故障探索地図は、以下の手順で生
成され表示される。
On the other hand, a corresponding failure search map is generated and displayed using the following procedure.

■) 故障パタン識別回路70は、観測故障像上の 4
故障パタンの長さ・端点の座標等を形状パラメータとし
て識別する。             52) 設計
データとして回路データ81、設計配線パタンとしての
データ82及び両者の対応を示すクロスレファレンス8
3が8のメモリ回路1に格納されている。該クロスレフ
ァレンス83は、回路図と配線パタンの両者の間に互に
相手を参照できるようなリンクが存在するような仕組を
もつ設計データベースを利用することで、容易に生成で
きる(たとえばN、にuji et al、、“FIN
DER: A CAD System−based E
lectron Beam TeeSter for 
Fault Diagnosis of VLSI C
1rcuits”、IEIEE  Trans、  C
AD、八pril  1986.  Vol  CAD
−5,Number 2.pp−313−319)。
■) The failure pattern identification circuit 70 detects 4 on the observed failure image.
The length of the failure pattern, the coordinates of the end points, etc. are identified as shape parameters. 52) Circuit data 81 as design data, data 82 as designed wiring pattern, and cross reference 8 showing the correspondence between the two.
3 is stored in the memory circuit 1 of 8. The cross-reference 83 can be easily generated by using a design database that has a mechanism in which there is a link between the circuit diagram and the wiring pattern so that they can refer to each other (for example, uji et al., “FIN
DER: A CAD System-based E
lectron Beam TeeSter for
Fault Diagnosis of VLSI C
1rcuits”, IEEE Trans, C
AD, 8pril 1986. Vol CAD
-5, Number 2. pp-313-319).

)1)で得られた故障パタンの形状パラメータに基づき
、対応する設計配線パタンの配線データを8のメモリ回
路1の中より選択的に続出、設計配線認識部80による
認識結果を9のメモリ回路2の中に蓄積する。
) Based on the shape parameters of the failure pattern obtained in step 1), the wiring data of the corresponding design wiring pattern is selectively output from among the 8 memory circuits 1, and the recognition result by the design wiring recognition unit 80 is transferred to the 9 memory circuits. Accumulate in 2.

) この配線に対応する回路ネットはクロスファレンス
83を参照することで求められる。
) The circuit net corresponding to this wiring is found by referring to the cross reference 83.

) 論理深度認識回路10は、4)で得た回路ネットの
“論理深度”及びこのネットに対する論理セルの出力端
子の位置をS売出し、11のメモリ回路3の論理深度出
力端子座標に蓄積する。“論理深度”とは、回路図上の
所定のイ星路を想定したとき、全体回路または回路ブロ
ックの−次入力端子からその回路ネットに到達するとき
に経由する回路ネットの段数である。
) The logic depth recognition circuit 10 stores the "logic depth" of the circuit net obtained in 4) and the position of the output terminal of the logic cell with respect to this net in the logic depth output terminal coordinates of the memory circuit 3 of 11. "Logic depth" is the number of stages of circuit nets that are passed through when reaching the circuit net from the -next input terminal of the entire circuit or circuit block, assuming a predetermined star path on the circuit diagram.

6)9のメモリ回路2及び11のメモリ回路3の中から
論理深度・配線データ・出力端子座標を読出し、探索地
図を探索地図表示部12に表示する。
6) The logic depth, wiring data, and output terminal coordinates are read out from the memory circuit 2 of 9 and the memory circuit 3 of 11, and the search map is displayed on the search map display section 12.

第2図(a)乃至(c)に故障パタンに対応する設計配
線の認識を行った実施例を示す。第2図(a)は故障像
200の例で、20は観測された故障配線パタンである
。故障配線パタン20は適当な闇値でに二値化され、そ
のパタンの端点21の位置・線長などが特長パラメータ
として求められる。この配線上の一点の対応する設計座
標上の位置は、XYステージの座標を読み取ることで求
められ、その点を中心に探索範囲を決め、中に含まれる
配線パタンを見付けだす。もしこの探索範囲がXYステ
ージの位置決め精度より大きければ、対応する配線パタ
ンにはこの中に含まれているはずである。第2図(b)
は、こうして配線パタンの探索範囲22に得られた対応
設計配線パタン201である。これらの設計配線パタン
201の中のいずれが故障パタンに対応するかは、故障
パタンの特長パラメータをもとに決めることができる。
FIGS. 2(a) to 2(c) show an embodiment in which designed wiring corresponding to a failure pattern is recognized. FIG. 2(a) is an example of a failure image 200, and 20 is an observed failure wiring pattern. The faulty wiring pattern 20 is binarized using an appropriate darkness value, and the position and line length of the end point 21 of the pattern are determined as feature parameters. The corresponding design coordinate position of one point on the wiring is determined by reading the coordinates of the XY stage, a search range is determined around this point, and the wiring pattern contained therein is found. If this search range is greater than the positioning accuracy of the XY stage, the corresponding wiring pattern should be included within this range. Figure 2(b)
is the corresponding designed wiring pattern 201 obtained in the wiring pattern search range 22 in this way. Which of these designed wiring patterns 201 corresponds to a failure pattern can be determined based on the feature parameters of the failure pattern.

その結果第2図(c)のように選択された対応設計配線
202として、選択される。
As a result, the corresponding designed wiring 202 is selected as shown in FIG. 2(c).

第3図(aL  (b)は、探索地図の実施例を示すも
のである。第3図(a)は回路図上に求めた論理深度の
例300を示すものであって、論理深度は一次入力から
数えた回路ネットの段数に対応させて求められ、各回路
ノードにたとえば31゜32.33.34の番号の形で
付与されている。
Figure 3 (aL (b) shows an example of the search map. Figure 3 (a) shows an example 300 of the logical depth found on the circuit diagram, where the logical depth It is determined in correspondence with the number of stages of the circuit net counted from the input, and is assigned to each circuit node in the form of a number, for example, 31°, 32.33.34.

一方、第3図(b)は探索地図の表示例301であって
、各配線の矢印311は配線パタン312の信号の伝搬
方向、番号31.32.33.34は配線に対応する回
路ネットの論理深度を表わし、数字が小さいほど真の故
障点に近いことを示す。
On the other hand, FIG. 3(b) is a display example 301 of a search map, in which arrows 311 of each wiring are the signal propagation directions of the wiring pattern 312, and numbers 31, 32, 33, and 34 are the circuit nets corresponding to the wiring. It represents the logic depth, and the smaller the number, the closer it is to the true failure point.

313は論理セル、314は信号出力起点を示す。313 is a logic cell, and 314 is a signal output starting point.

第4図(a)、  (b)は、以上の探索地図表示をも
とに、本発明に係る装置を用いて行なった試験手順の実
施例を示している。第4図(a)は被試験回路の回路図
を示すものであって、数字41゜42.43,44.4
5は論理深度である。第4図(b)は故障の追跡過程T
、  II、  III、 IVを表わしており、左に
探索地図400、右に集積回路試料上の故障像401を
示す。402は故障像観測ゾーン、403は故障パタン
、411は信号出力端子、412は設計配線パタン、4
13は観測ゾーンである。左の探索地図400を参照し
ながら右の故障像の探索方向を決め、真の故障点にむか
って追跡を進める。通常、外部端子につながるパッドか
ら観測を始め、内部回路へと追跡を進める。
FIGS. 4(a) and 4(b) show an example of a test procedure performed using the apparatus according to the present invention based on the above search map display. Figure 4(a) shows a circuit diagram of the circuit under test, with numbers 41°, 42.43, 44.4.
5 is the logical depth. Figure 4(b) shows the failure tracing process T.
, II, III, and IV, a search map 400 is shown on the left, and a failure image 401 on the integrated circuit sample is shown on the right. 402 is a failure image observation zone, 403 is a failure pattern, 411 is a signal output terminal, 412 is a designed wiring pattern, 4
13 is an observation zone. While referring to the search map 400 on the left, the search direction for the failure image on the right is determined, and tracking proceeds toward the true failure point. Normally, observations start from the pads connected to external terminals and progress to the internal circuitry.

観測を始めたテストパタンのタイミングをt’=n(過
程1)とする。最初の故障像上の故障パタンに対応する
設計配線パタンは、第2図に示す方法で自動的に識別さ
れる。これらの識別に必要な情報は人間が判断して対話
式に入力してもよいし、画像処理技術により自動的に抽
出してもよい。探索地図上で識別された対応配線には、
配線上の矢印で示す信号伝搬方向と配線間の論理深度を
表わす数字が表示される。この巾から最も論理的深度を
表わす数字が小さいものを選び、信号の伝搬方向を遡る
ような方向に探索方向を決め、観測ゾーン413を移動
すればよい。このような平面的な故障パタンの追跡は、
論理深度がこれ以上小さいものが現われなくなった時点
で終了する(過程■)。このような追跡は、観測ゾーン
のフィールドサイズとしlmmX1mmあれば十分容易
に行える。次にテストパタンのタイミングを所定パタン
数だけ遡った状態、タイミングt=n−1(過程■)に
設定し、同様に故障パタンの探索を行う。
The timing of the test pattern at which observation started is assumed to be t'=n (process 1). The designed wiring pattern corresponding to the failure pattern on the first failure image is automatically identified by the method shown in FIG. The information necessary for these identifications may be determined and input interactively by a human, or may be automatically extracted using image processing technology. The corresponding wiring identified on the search map includes
The direction of signal propagation indicated by the arrow on the wiring and the number representing the logical depth between the wirings are displayed. From these widths, the one with the smallest number representing the logical depth is selected, the search direction is determined in a direction that traces back the signal propagation direction, and the observation zone 413 is moved. Tracking such a planar failure pattern is
The process ends when nothing with a smaller logical depth appears (process ■). Such tracking can be easily performed if the field size of the observation zone is 1 mm x 1 mm. Next, the timing of the test pattern is set to go back a predetermined number of patterns, timing t=n-1 (process 2), and a failure pattern is searched for in the same manner.

論理深度の最小となる故障パタンを求めて追跡を行い、
このタイミングt=n−1における故障の起点を探す(
過程■)。更にテストパタンのタイミングを遡って同様
の過程を繰返し、故障パタンか故障像−トに出なくなっ
たとき、タイミング方向の探索を終了し、その直前に求
められた故障の起点が真の故障発生点として求められる
Tracking is performed to find the fault pattern that minimizes the logic depth.
Find the origin of the failure at this timing t=n-1 (
Process ■). Further, the timing of the test pattern is traced back and the same process is repeated, and when the failure pattern no longer appears in the failure image, the search in the timing direction is completed, and the origin of the failure found just before is the true failure occurrence point. It is required as.

以上説明したように、いわば手探りで故障追跡を行う従
来装置に比べて、本発明に係る装置では、論理深度・信
号の伝搬方向という形の探索地図を常に参曜しながら、
最も効率的な故障追跡手順を決められるという、壱で大
きな改善があった。
As explained above, compared to conventional devices that perform fault tracing by groping, the device according to the present invention constantly searches for a search map in the form of logic depth and signal propagation direction.
One major improvement was being able to determine the most efficient fault tracing procedure.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

以上説明したように、本発明は設計データに基づく探索
手順を明示する手段を備えることにより、故障像の故障
追跡に際して、次の効果がある・1) マスクパタン、
回路図、及び両者の関係を人手で参照する必要がなく、
追跡に伴う労力が大幅に軽減される。
As explained above, the present invention has the following effects when tracing failure images by providing a means for specifying a search procedure based on design data: 1) mask pattern;
There is no need to manually refer to the circuit diagram and the relationship between the two.
The effort involved in tracking is significantly reduced.

2) 追跡手順が最適化されるため、画像データを処理
する回数が最小化され、試験に要する時間が大幅に削減
される。
2) Since the tracking procedure is optimized, the number of times image data is processed is minimized, significantly reducing the time required for testing.

3)追跡手順が明示されるため、試験手順がルーチン化
され、被試験集積回路の設計上の知識を持たない人でも
短時間でテストが可能である。
3) Since the tracing procedure is clearly specified, the test procedure can be made routine, and even a person without knowledge of the design of the integrated circuit under test can perform the test in a short time.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明装置を説明する図、第2図(a)乃至(
C)は故障パタンに対応する設計配線パタンの認識の実
施例を説明する図、第3図(a)。 (b)は探索地図表示の実施例を説明する図、第4図(
a)、  (b)は本発明装置における試験手順の実施
例を説明する図、第5図(a)、  (b)尚ヂ は従来の技術を説明する図、第6   オールドコント
ラスト像による故障の追跡方法を説明する同である。 1・・・電子ビーム試験装置、2・・・XYステージ、
3・・・被試験集積回路、4・・・電子ビーム、5・・
・参照用画像メモリ回路、6・・・故障像生成回路、7
・・・故障像表示部、70・・・故障パタン識別回路、
8・・・メモリ回路1.81・・・設計回路データ、8
2・・・設計配線パタンデータ、83・・・クロスレフ
ァレンス、80・・・設計配線認識部、9・・・メモリ
回路2.10・・・論理深度認識回路、11・・・メモ
リ回路3.12・・・探索地図表示部、200・・・故
障像、201・・・設計配線パタン、202・・・選択
された対応設計配線、20・・・故障配線パタン、21
・・・端点、22・・・配線パタンの探索範囲、300
・・・論理深度の例、301・・・探索地図の表示例、
31〜34.41〜45・・・論理深度、311・・・
信号伝搬方向、312・・・配線パタン、313・・・
論理セル、314・・・信号出力起点、400・・・探
索図、401・・・集積回路試料上の故障像、402・
・・故障像観測ゾーン、403・・・故障パターン、4
11・・・信号出力端子、412・・・設計配線パタン
、413・・・観測ゾーン、5I、511・・・被試験
集積回路、52・・・良品集積回路、53・・・同一テ
ストパラメータ、54.55・・・観測像、56.51
6・・・差分回路、57・・・ダイナミックフォールト
像、58・・・フォールトキューブ、512・・・テス
トパラメータ1.513・・・テストパラメータ2.5
14,515・・・観測像、517・・・フォトコント
ラスト像、60・・・集積回路チップ、61・・・出力
パッド、62・・・故障像観測ゾーン、63・・・故障
パタン 特許出廓人  日本電信電話株式会社 代理人 弁理士 玉 蟲 久五部 (外2名) JQ’?− −−,1
FIG. 1 is a diagram explaining the device of the present invention, and FIGS. 2(a) to (
C) is a diagram illustrating an example of recognition of a designed wiring pattern corresponding to a failure pattern, and FIG. 3(a). (b) is a diagram illustrating an example of displaying a search map, and FIG.
Figures a) and (b) are diagrams explaining an example of the test procedure in the device of the present invention, Figures 5 (a) and (b) are diagrams explaining the conventional technique, and Figure 6 is a diagram illustrating failures caused by old contrast images. The same describes the tracking method. 1... Electron beam test device, 2... XY stage,
3... Integrated circuit under test, 4... Electron beam, 5...
・Reference image memory circuit, 6... Failure image generation circuit, 7
... Failure image display section, 70 ... Failure pattern identification circuit,
8...Memory circuit 1.81...Design circuit data, 8
2... Design wiring pattern data, 83... Cross reference, 80... Design wiring recognition section, 9... Memory circuit 2.10... Logic depth recognition circuit, 11... Memory circuit 3. 12... Search map display section, 200... Fault image, 201... Design wiring pattern, 202... Selected corresponding designed wiring, 20... Fault wiring pattern, 21
...End point, 22...Wiring pattern search range, 300
...Example of logical depth, 301...Example of display of search map,
31-34.41-45...Logic depth, 311...
Signal propagation direction, 312... Wiring pattern, 313...
Logic cell, 314... Signal output starting point, 400... Search diagram, 401... Fault image on integrated circuit sample, 402...
...Failure image observation zone, 403...Failure pattern, 4
11... Signal output terminal, 412... Design wiring pattern, 413... Observation zone, 5I, 511... Integrated circuit under test, 52... Good integrated circuit, 53... Same test parameters, 54.55...Observation image, 56.51
6... Differential circuit, 57... Dynamic fault image, 58... Fault cube, 512... Test parameter 1.513... Test parameter 2.5
14,515...Observation image, 517...Photocontrast image, 60...Integrated circuit chip, 61...Output pad, 62...Failure image observation zone, 63...Failure pattern patent factory Person Nippon Telegraph and Telephone Corporation Representative Patent Attorney Tama Mushi Kugobe (2 others) JQ'? − --, 1

Claims (1)

【特許請求の範囲】  動作状態に置かれた集積回路試料上の一定領域を電子
ビームにより走査し、一つまたは一つ以上のタイミング
で二次電子像を取り出し、前記取り出した二次電子像と
、良品試料又は正常動作条件下の同一試料又は設計デー
タから得た像との間での差分像を得て故障を認識する集
積回路試験装置において、 前記差分像の中に現れたパタンに対応する設計配線パタ
ンを認識する手段と、 前記認識した設計配線パタンの論理的深さを認識する手
段と、 前記認識した設計配線パタンの信号伝搬の起点を認識す
る手段と、 前記論理的深さおよび信号伝搬の方向を前記設計配置パ
タンに付与し表示する手段とを備えてなる ことを特徴とする集積回路試験装置。
[Claims] A fixed area on an integrated circuit sample placed in an operating state is scanned by an electron beam, a secondary electron image is taken out at one or more timings, and the secondary electron image is combined with the taken out secondary electron image. , an integrated circuit testing device that recognizes a failure by obtaining a difference image between a good sample or an image obtained from the same sample or design data under normal operating conditions, and a pattern corresponding to the pattern appearing in the difference image. means for recognizing a designed wiring pattern; means for recognizing a logical depth of the recognized designed wiring pattern; means for recognizing a starting point of signal propagation of the recognized designed wiring pattern; and the logical depth and the signal. An integrated circuit testing device comprising means for assigning and displaying the direction of propagation to the designed layout pattern.
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