JP7476574B2 - Resin composition, carrier-attached resin film, prepreg, laminate, printed wiring board, and semiconductor device using the same - Google Patents

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Description

本発明は、樹脂組成物、それを用いたキャリア付樹脂膜、プリプレグ、積層板、プリント配線基板および半導体装置に関する。 The present invention relates to a resin composition, a resin film with a carrier, a prepreg, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device that use the resin composition.

これまで回路基板に用いる樹脂組成物において様々な開発がなされてきた。この種の技術として、例えば、特許文献1に記載の技術が知られている。特許文献1には、優れた誘電特性を得る観点から、ポリフェニレンエーテル、エポキシ樹脂、無機充填材を用いた樹脂組成物が開示されている。 Various developments have been made in resin compositions for use in circuit boards. One such technology is described in Patent Document 1. Patent Document 1 discloses a resin composition that uses polyphenylene ether, epoxy resin, and inorganic filler in order to obtain excellent dielectric properties.

特開2014-240474号公報JP 2014-240474 A

しかしながら、本発明者が検討した結果、上記特許文献1に記載の樹脂組成物において、低誘電正接と良好なレーザー加工性という特性において改善の余地があることが判明した。 However, as a result of the inventor's investigations, it was found that there is room for improvement in the resin composition described in Patent Document 1 in terms of the properties of low dielectric tangent and good laser processability.

本発明者はさらに検討したところ、変性ポリフェニレンエーテルと、マレイミド化合物と、インデン樹脂という新たな組み合わせを含む樹脂組成物とすることで、意外にもその樹脂組成物からなる樹脂膜(硬化物)の誘電正接が低減されつつ、当該樹脂膜のレーザー加工性を良好にできることを見出し、本発明を完成するに至った。 After further investigation, the inventors unexpectedly discovered that by creating a resin composition containing a new combination of modified polyphenylene ether, a maleimide compound, and an indene resin, it was possible to reduce the dielectric tangent of a resin film (cured product) made from the resin composition while improving the laser processability of the resin film, and thus completed the present invention.

本発明によれば、以下の成分(A)~(C)を含む、樹脂組成物が提供される。
(A)当該樹脂組成物の樹脂固形分100重量部に対して、1重量部以上30重量部以下の量で含まれる、ポリフェニレンエーテルの分子末端のフェノール性水酸基を炭素-炭素不飽和二重結合を有する化合物により変性された変性ポリフェニレンエーテル
(B)当該樹脂組成物の樹脂固形分100重量部に対して、5重量部以上40重量部以下の量で含まれるマレイミド化合物
(C)当該樹脂組成物の樹脂固形分100重量部に対して、1重量部以上20重量部以下の量で含まれるインデン樹脂
According to the present invention, there is provided a resin composition comprising the following components (A) to (C):
(A) a modified polyphenylene ether in which a phenolic hydroxyl group at a molecular end of a polyphenylene ether is modified with a compound having a carbon-carbon unsaturated double bond, the modified polyphenylene ether being contained in an amount of 1 part by weight or more and 30 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of the resin solid content of the resin composition; (B) a maleimide compound being contained in an amount of 5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of the resin solid content of the resin composition; (C) an indene resin being contained in an amount of 1 part by weight or more and 20 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of the resin solid content of the resin composition.

また本発明によれば、上記の樹脂組成物の硬化物が提供される。 The present invention also provides a cured product of the above resin composition.

また本発明によれば、上記樹脂組成物中に繊維基材を含むプリプレグが提供される。 The present invention also provides a prepreg containing a fiber base material in the resin composition.

また本発明によれば、上記プリプレグの少なくとも一方の面上に金属層を配置してなる積層板が提供される。 The present invention also provides a laminate having a metal layer disposed on at least one surface of the prepreg.

また本発明によれば、キャリア基材と、上記キャリア基材上に設けられた、上記の樹脂組成物からなる樹脂膜と、を備える、キャリア付樹脂膜が提供される。 The present invention also provides a resin film with a carrier, comprising a carrier substrate and a resin film made of the resin composition provided on the carrier substrate.

また本発明によれば、上記樹脂組成物の硬化物で構成された絶縁層を備える、プリント配線基板が提供される。 The present invention also provides a printed wiring board having an insulating layer made of the cured product of the above-mentioned resin composition.

また本発明によれば、
上記プリント配線基板と、
前記プリント配線基板の回路層上に搭載された、または前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置が提供される。
Further, according to the present invention,
The printed wiring board;
and a semiconductor element mounted on a circuit layer of the printed wiring board or embedded in the printed wiring board.

本発明によれば、低誘電正接および良好なレーザー加工性を両立した樹脂組成物、それを用いたキャリア付樹脂膜、プリプレグ、積層板、プリント配線基板および半導体装置が提供される。 The present invention provides a resin composition that combines low dielectric tangent and good laser processability, and a resin film with a carrier, a prepreg, a laminate, a printed wiring board, and a semiconductor device that use the resin composition.

本実施形態に係る基材付き樹脂シートの構成の一例を模式的に示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a configuration of a substrate-attached resin sheet according to an embodiment of the present invention. 本実施形態に係る半導体装置の製造プロセスの一例を示す工程断面図である。1A to 1C are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process for the semiconductor device according to the embodiment.

以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。また、図は概略図であり、実際の寸法比率とは一致していない。また、本明細書中、「~」は、特に明示しない限り、上限値と下限値を含むことを表す。 The following describes an embodiment of the present invention with reference to the drawings. In all drawings, similar components are given similar reference symbols and descriptions are omitted where appropriate. The drawings are schematic and do not correspond to the actual dimensional ratios. In this specification, "~" indicates that the upper and lower limits are included unless otherwise specified.

<樹脂組成物>
本実施形態の樹脂組成物は、以下の成分(A)~(C)を含む。
(A)変性ポリフェニレンエーテル
(B)マレイミド化合物
(C)インデン樹脂
<Resin Composition>
The resin composition of the present embodiment contains the following components (A) to (C).
(A) Modified polyphenylene ether (B) Maleimide compound (C) Indene resin

本発明者の知見によれば、成分(A)~(C)の組み合わせにより、低誘電正接および良好なレーザー加工性を両立できる。 According to the inventors' findings, the combination of components (A) to (C) can achieve both a low dielectric tangent and good laser processability.

また、本実施形態の樹脂組成物の硬化物の10GHzにおける誘電正接が、好ましくは0.006以下であり、より好ましくは0.005以下であり、さらに好ましくは0.004以下である。上記誘電正接の下限値は、特に限定されないが、例えば、1.0×10-3以上としてもよい。
なお、硬化物とは、本実施形態の樹脂組成物を225℃、2時間で加熱硬化させたものを意図する。
The dielectric loss tangent at 10 GHz of the cured product of the resin composition of this embodiment is preferably 0.006 or less, more preferably 0.005 or less, and even more preferably 0.004 or less. The lower limit of the dielectric loss tangent is not particularly limited, but may be, for example, 1.0×10 −3 or more.
The term "cured product" refers to a product obtained by heating and curing the resin composition of the present embodiment at 225°C for two hours.

上記の誘電正接は、たとえば樹脂組成物中に含まれる各成分の種類や配合量、樹脂組成物の調製方法等を適切に選択することにより、制御することが可能である。 The dielectric tangent can be controlled by, for example, appropriately selecting the type and amount of each component contained in the resin composition, the method for preparing the resin composition, etc.

以下、本実施形態の樹脂組成物に含まれる各成分について詳述する。 The components contained in the resin composition of this embodiment are described in detail below.

(A)変性ポリフェニレンエーテル
本実施形態の(A)変性ポリフェニレンエーテルは、ポリフェニレンエーテルを変性したものであり、例えば、国際公開第2014/203511号の段落0018~0061に記載のものを用いることができる。より具体的には、以下のとおりである。
(A) Modified polyphenylene ether The (A) modified polyphenylene ether of the present embodiment is a modified polyphenylene ether, and for example, those described in paragraphs 0018 to 0061 of WO 2014/203511 can be used. More specifically, they are as follows.

本実施形態に係る(A)変性ポリフェニレンエーテルは特に限定されないが、炭素-炭素不飽和結合を有する置換基により末端変性された変性ポリフェニレンエーテルであることが好ましい。
炭素-炭素不飽和結合を有する置換基としては、特に限定はされないが、例えば、下記式(1)で示される置換基が挙げられる。
The modified polyphenylene ether (A) according to this embodiment is not particularly limited, but is preferably a modified polyphenylene ether whose terminals are modified with a substituent having a carbon-carbon unsaturated bond.
The substituent having a carbon-carbon unsaturated bond is not particularly limited, but examples thereof include the substituents represented by the following formula (1).

Figure 0007476574000001
Figure 0007476574000001

上記式(1)中、nは0~10の整数を示し、Zはアリーレン基を示し、R1~R3は独立して水素原子またはアルキル基を示す。 In the above formula (1), n is an integer from 0 to 10, Z is an arylene group, and R1 to R3 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group.

上記式(1)においてn=0の場合は、Zがポリフェニレンエーテルの末端に直接結合しているものを示す。また、Zのアリーレン基としては、例えば、フェニレン基等の単環芳香族基やナフタレン環等の多環芳香族基が挙げられ、芳香族環に結合する水素原子がアルケニル基、アルキニル基、ホルミル基、アルキルカルボニル基、アルケニルカルボニル基、又はアルキニルカルボニル基等の官能基で置換された誘導体も含む。 In the above formula (1), when n = 0, Z is directly bonded to the end of the polyphenylene ether. In addition, examples of the arylene group of Z include monocyclic aromatic groups such as a phenylene group and polycyclic aromatic groups such as a naphthalene ring, and also include derivatives in which the hydrogen atom bonded to the aromatic ring is replaced with a functional group such as an alkenyl group, an alkynyl group, a formyl group, an alkylcarbonyl group, an alkenylcarbonyl group, or an alkynylcarbonyl group.

上記式(1)に示す官能基としては、例えば、ビニルベンジル基を含む官能基が挙げられる。より具体的には、下記式(2)または式(3)から選択される少なくとも1つの置換基等が挙げられる。 The functional group shown in the above formula (1) may be, for example, a functional group containing a vinylbenzyl group. More specifically, it may be at least one substituent selected from the following formula (2) or formula (3).

Figure 0007476574000002
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Figure 0007476574000003
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また、ポリフェニレンエーテルの末端に直接結合している炭素-炭素不飽和結合を有する他の置換基としては、例えば、下記式(4)で示される(メタ)アクリレート基が挙げられる。 Another example of a substituent having a carbon-carbon unsaturated bond directly bonded to the end of the polyphenylene ether is a (meth)acrylate group represented by the following formula (4).

Figure 0007476574000004

上記式(4)中、R4は水素原子またはアルキル基を示す。
Figure 0007476574000004

In the above formula (4), R4 represents a hydrogen atom or an alkyl group.

本実施形態の変性ポリフェニレンエーテルは、低誘電特性および良好なレーザー加工性を両立する観点から、両末端がヒドロキシ基またはメタアクリル基を有することが好ましい。 In order to achieve both low dielectric properties and good laser processability, it is preferable that the modified polyphenylene ether of this embodiment has hydroxyl groups or methacrylic groups at both ends.

また、本実施形態の変性ポリフェニレンエーテルにおけるポリフェニレンエーテルは、ポリフェニレンエーテル鎖を分子中に有しており、例えば、下記式(5)で表される繰り返し単位を分子中に有していることが好ましい。 In addition, the polyphenylene ether in the modified polyphenylene ether of this embodiment has a polyphenylene ether chain in the molecule, and preferably has, for example, a repeating unit represented by the following formula (5) in the molecule.

Figure 0007476574000005
Figure 0007476574000005

上記式(5)において、mは1~50を示す。また、R5、R6、R7及びR8は、それぞれ独立し、それぞれ同一の基であっても、異なる基であってもよい。また、R5、R6、R7及びR8は、水素原子、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、ホルミル基、アルキルカルボニル基、アルケニルカルボニル基、又はアルキニルカルボニル基を示す。これらの中でも、水素原子及びアルキル基が好ましい。 In the above formula (5), m represents 1 to 50. R5, R6, R7, and R8 are each independent and may be the same group or different groups. R5, R6, R7, and R8 represent a hydrogen atom, an alkyl group, an alkenyl group, an alkynyl group, a formyl group, an alkylcarbonyl group, an alkenylcarbonyl group, or an alkynylcarbonyl group. Among these, a hydrogen atom and an alkyl group are preferred.

上記アルキル基は特に限定されないが、例えば、炭素数1~18のアルキル基が好ましく、炭素数1~10のアルキル基がより好ましい。より具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ヘキシル基、及びデシル基等が挙げられる。
アルケニル基は特に限定されないが、例えば、炭素数2~18のアルケニル基が好ましく、炭素数2~10のアルケニル基がより好ましい。より具体的には、ビニル基、アリル基、及び3-ブテニル基等が挙げられる。
アルキニル基は特に限定されないが、例えば、炭素数2~18のアルキニル基が好ましく、炭素数2~10のアルキニル基がより好ましい。より具体的には、エチニル基、及びプロパ-2-イン-1-イル基(プロパルギル基)等が挙げられる。
The alkyl group is not particularly limited, but is preferably an alkyl group having 1 to 18 carbon atoms, and more preferably an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms. More specific examples include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, a hexyl group, and a decyl group.
The alkenyl group is not particularly limited, but for example, an alkenyl group having 2 to 18 carbon atoms is preferable, and an alkenyl group having 2 to 10 carbon atoms is more preferable. More specific examples include a vinyl group, an allyl group, and a 3-butenyl group.
The alkynyl group is not particularly limited, but for example, an alkynyl group having 2 to 18 carbon atoms is preferable, and an alkynyl group having 2 to 10 carbon atoms is more preferable. More specific examples include an ethynyl group, a prop-2-yn-1-yl group (propargyl group), and the like.

アルキルカルボニル基はアルキル基で置換されたカルボニル基であれば特に限定されないが、例えば、炭素数2~18のアルキルカルボニル基が好ましく、炭素数2~10のアルキルカルボニル基がより好ましい。より具体的には、アセチル基、プロピオニル基、ブチリル基、イソブチリル基、ピバロイル基、ヘキサノイル基、オクタノイル基、及びシクロヘキシルカルボニル基等が挙げられる。
アルケニルカルボニル基はアルケニル基で置換されたカルボニル基であれば特に限定されないが、例えば、炭素数3~18のアルケニルカルボニル基が好ましく、炭素数3~10のアルケニルカルボニル基がより好ましい。より具体的には、アクリロイル基、メタクリロイル基、及びクロトノイル基等が挙げられる。
アルキニルカルボニル基はアルキニル基で置換されたカルボニル基であれば特に限定されないが、例えば、炭素数3~18のアルキニルカルボニル基が好ましく、炭素数3~10のアルキニルカルボニル基がより好ましい。より具体的には、プロピオロイル基等が挙げられる。
The alkylcarbonyl group is not particularly limited as long as it is a carbonyl group substituted with an alkyl group, but for example, an alkylcarbonyl group having 2 to 18 carbon atoms is preferable, and an alkylcarbonyl group having 2 to 10 carbon atoms is more preferable. More specific examples include an acetyl group, a propionyl group, a butyryl group, an isobutyryl group, a pivaloyl group, a hexanoyl group, an octanoyl group, and a cyclohexylcarbonyl group.
The alkenylcarbonyl group is not particularly limited as long as it is a carbonyl group substituted with an alkenyl group, but for example, an alkenylcarbonyl group having 3 to 18 carbon atoms is preferable, and an alkenylcarbonyl group having 3 to 10 carbon atoms is more preferable. More specific examples include an acryloyl group, a methacryloyl group, and a crotonoyl group.
The alkynylcarbonyl group is not particularly limited as long as it is a carbonyl group substituted with an alkynyl group, but for example, an alkynylcarbonyl group having 3 to 18 carbon atoms is preferable, and an alkynylcarbonyl group having 3 to 10 carbon atoms is more preferable. More specific examples include a propioloyl group.

本実施形態に係る変性ポリフェニレンエーテルの合成方法は、炭素-炭素不飽和結合を有する置換基により末端変性された変性ポリフェニレンエーテルを合成することができれば特に限定されない。例えば、末端のフェノール性水酸基の水素原子をナトリウムやカリウム等のアルカリ金属原子で置換したポリフェニレンエーテルと、下記式(6)で示されるような化合物とを反応させる方法等が挙げられる。 The method for synthesizing the modified polyphenylene ether according to this embodiment is not particularly limited as long as it is possible to synthesize a modified polyphenylene ether whose terminals are modified with a substituent having a carbon-carbon unsaturated bond. For example, a method of reacting a polyphenylene ether in which the hydrogen atoms of the terminal phenolic hydroxyl groups are replaced with alkali metal atoms such as sodium or potassium with a compound represented by the following formula (6) can be mentioned.

Figure 0007476574000006
Figure 0007476574000006

上記式(6)中、上記式(1)と同様に、nは0~10の整数を示し、Zはアリーレン基を示し、R1~R3は独立して水素原子またはアルキル基を示す。また、Xは、ハロゲン原子を示し、具体的には、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、及びフッ素原子等が挙げられる。この中でも、塩素原子が好ましい。 In the above formula (6), as in the above formula (1), n represents an integer of 0 to 10, Z represents an arylene group, and R1 to R3 each independently represent a hydrogen atom or an alkyl group. Furthermore, X represents a halogen atom, specific examples of which include a chlorine atom, a bromine atom, an iodine atom, and a fluorine atom. Among these, a chlorine atom is preferred.

また、上記式(6)で表される化合物は、特に限定されないが、例えば、p-クロロメチルスチレンやm-クロロメチルスチレンが好ましい。 The compound represented by the above formula (6) is not particularly limited, but is preferably, for example, p-chloromethylstyrene or m-chloromethylstyrene.

また、上記式(6)で表される化合物は、上記例示したものを単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。 In addition, the compounds represented by formula (6) may be used alone or in combination of two or more of the above-mentioned examples.

原料であるポリフェニレンエーテルは、最終的に、所定の変性ポリフェニレンエーテルを合成することができるものであれば、特に限定されない。具体的には、2,6-ジメチルフェノールと2官能フェノール及び3官能フェノールの少なくともいずれか一方とからなるポリアリーレンエーテル共重合体やポリ(2,6-ジメチル-1,4-フェニレンオキサイド)等のポリフェニレンエーテルを主成分とするもの等が挙げられる。このようなポリフェニレンエーテルは、より具体的には、例えば、下記式(7)に示す構造を有するポリフェニレンエーテル等が挙げられる。 The raw material polyphenylene ether is not particularly limited as long as it can ultimately synthesize a desired modified polyphenylene ether. Specific examples include polyarylene ether copolymers consisting of 2,6-dimethylphenol and at least one of a difunctional phenol and a trifunctional phenol, and those mainly composed of polyphenylene ether such as poly(2,6-dimethyl-1,4-phenylene oxide). More specific examples of such polyphenylene ethers include polyphenylene ethers having the structure shown in the following formula (7).

Figure 0007476574000007
Figure 0007476574000007

上記式(7)中、s、tは、例えば、sとtとの合計値が、1~30であることが好ましい。また、sが、0~20であることが好ましく、tが、0~20であることが好ましい。すなわち、sは、0~20を示し、tは、0~20を示し、sとtとの合計は、1~30を示すことが好ましい。 In the above formula (7), it is preferable that the sum of s and t is, for example, 1 to 30. It is also preferable that s is 0 to 20, and t is 0 to 20. In other words, it is preferable that s is 0 to 20, t is 0 to 20, and the sum of s and t is 1 to 30.

上記式(7)のポリフェニレンエーテルの末端水酸基をメタクリル基で変性した変性ポリフェニレンエーテルの市販品としては、SABICイノベーティブプラスチックス社製の「SA9000」等がある。 Commercially available modified polyphenylene ethers in which the terminal hydroxyl groups of the polyphenylene ether of formula (7) above have been modified with methacrylic groups include "SA9000" manufactured by SABIC Innovative Plastics.

成分(A)の重量平均分子量は、好ましくは500以上5,000以下であり、より好ましくは800以上4,000以下であり、さらに好ましくは1,000以上3,000以下である。なお、重量平均分子量は、一般的な分子量測定方法で測定したものであればよく、具体的には、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ(GPC)を用いて測定した値等が挙げられる。 The weight average molecular weight of component (A) is preferably 500 or more and 5,000 or less, more preferably 800 or more and 4,000 or less, and even more preferably 1,000 or more and 3,000 or less. The weight average molecular weight may be measured by a general molecular weight measurement method, and specifically, a value measured using gel permeation chromatography (GPC) may be mentioned.

成分(A)の重量平均分子量が上記下限値以上とすることにより、ポリフェニレンエーテルが有する優れた誘電特性を発揮し、その硬化物において、さらに、密着性及び耐熱性によく優れた樹脂組成物が得られる。本実施形態の成分(A)は、変性されているため、末端の反応性基、なかでも末端に不飽和二重結合を有するため、低誘電性を保持しつつ、硬化物のガラス転移温度を向上し、良好なレーザー加工性が得られるとともに、耐熱性、密着性が充分に高いものになると考えられる。
一方、成分(A)の重量平均分子量が上記上限値以下とすることにより、成形性、溶剤溶解性や保存安定性が良好となる。
By making the weight average molecular weight of component (A) equal to or greater than the lower limit, the excellent dielectric properties of polyphenylene ether are exhibited, and the cured product thereof further exhibits excellent adhesion and heat resistance. Since component (A) of this embodiment is modified and has terminal reactive groups, particularly terminal unsaturated double bonds, it is believed that the cured product has an improved glass transition temperature while maintaining low dielectric properties, good laser processability, and sufficiently high heat resistance and adhesion.
On the other hand, by adjusting the weight average molecular weight of component (A) to be equal to or less than the above upper limit, the moldability, solvent solubility and storage stability become good.

成分(A)の含有量は、樹脂固形分100重量部に対して、好ましくは、1重量部以上30重量部以下である。樹脂固形分100重量部に対して、1重量部以上とすることにより、成分(A)による低誘電正接を得ることができ、30重量部以下とすることにより、樹脂残渣を抑制でき、良好なレーザー加工性が得られる。成分(A)の含有量は、樹脂固形分100重量部に対して、3重量部以上であることがより好ましく、5重量部以上であることがさらに好ましく、一方、25重量部以下であることがより好ましく、20重量部以下であることがさらに好ましい。
なお、樹脂固形分とは、ワニスにおける充填材及び溶媒を除いた樹脂成分のことである。
The content of component (A) is preferably 1 part by weight or more and 30 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of resin solids. By making it 1 part by weight or more relative to 100 parts by weight of resin solids, a low dielectric tangent due to component (A) can be obtained, and by making it 30 parts by weight or less, resin residue can be suppressed and good laser processability can be obtained. The content of component (A) is more preferably 3 parts by weight or more, and even more preferably 5 parts by weight or more, and more preferably 25 parts by weight or less, and even more preferably 20 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of resin solids.
The resin solid content refers to the resin components in the varnish excluding the filler and the solvent.

(B)マレイミド化合物
マレイミド化合物のマレイミド基は、5員環の平面構造を有し、マレイミド基の二重結合が分子間で相互作用しやすく極性が高いため、マレイミド基、ベンゼン環、その他の平面構造を有する化合物等と強い分子間相互作用を示し、分子運動を抑制することができる。そのため、本実施形態の樹脂組成物は、マレイミド化合物を含むことにより、得られる絶縁層の線膨張係数を下げ、ガラス転移温度を向上させることができ、さらに、耐熱性を向上させることができる。
(B) Maleimide Compound The maleimide group of the maleimide compound has a planar structure of a five-membered ring, and the double bond of the maleimide group is highly polar and easily interacts with molecules, so that it exhibits strong intermolecular interactions with the maleimide group, benzene ring, other compounds having a planar structure, etc., and can suppress molecular motion. Therefore, by including the maleimide compound in the resin composition of the present embodiment, the linear expansion coefficient of the obtained insulating layer can be reduced, the glass transition temperature can be improved, and further, the heat resistance can be improved.

マレイミド化合物としては、分子内に少なくとも2つのマレイミド基を有するマレイミド化合物が好ましい。
分子内に少なくとも2つのマレイミド基を有するマレイミド化合物としては、例えば、4,4'-ジフェニルメタンビスマレイミド、m-フェニレンビスマレイミド、p-フェニレンビスマレイミド、2,2-ビス[4-(4-マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス-(3-エチル-5-メチル-4-マレイミドフェニル)メタン、4-メチル-1,3-フェニレンビスマレイミド、N,N'-エチレンジマレイミド、N,N'-ヘキサメチレンジマレイミド、ビス(4-マレイミドフェニル)エーテル、ビス(4-マレイミドフェニル)スルホン、3,3-ジメチル-5,5-ジエチル-4,4-ジフェニルメタンビスマレイミド、ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミド等の分子内に2つのマレイミド基を有する化合物、ポリフェニルメタンマレイミド等の分子内に3つ以上のマレイミド基を有する化合物等が挙げられる。
これらの中の1種類を単独で用いることもできるし、2種類以上を併用することもできる。これらのマレイミド化合物の中でも、低吸水率である点等から、4,4'-ジフェニルメタンビスマレイミド、2,2-ビス[4-(4-マレイミドフェノキシ)フェニル]プロパン、ビス-(3-エチル-5-メチル-4-マレイミドフェニル)メタン、ポリフェニルメタンマレイミド、ビスフェノールAジフェニルエーテルビスマレイミドが好ましい。
The maleimide compound is preferably a maleimide compound having at least two maleimide groups in the molecule.
Examples of maleimide compounds having at least two maleimide groups in the molecule include compounds having two maleimide groups in the molecule, such as 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, m-phenylene bismaleimide, p-phenylene bismaleimide, 2,2-bis[4-(4-maleimidophenoxy)phenyl]propane, bis-(3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl)methane, 4-methyl-1,3-phenylene bismaleimide, N,N'-ethylene dimaleimide, N,N'-hexamethylene dimaleimide, bis(4-maleimidophenyl)ether, bis(4-maleimidophenyl)sulfone, 3,3-dimethyl-5,5-diethyl-4,4-diphenylmethane bismaleimide, and bisphenol A diphenyl ether bismaleimide; and compounds having three or more maleimide groups in the molecule, such as polyphenylmethane maleimide.
Among these, one type may be used alone, or two or more types may be used in combination. Among these maleimide compounds, 4,4'-diphenylmethane bismaleimide, 2,2-bis[4-(4-maleimidophenoxy)phenyl]propane, bis-(3-ethyl-5-methyl-4-maleimidophenyl)methane, polyphenylmethane maleimide, and bisphenol A diphenyl ether bismaleimide are preferred because of their low water absorption.

成分(B)の含有量は、樹脂固形分100重量部に対して、5重量部以上40重量部以下が好ましく、8重量部以上35重量部以下がより好ましく、10重量部以上30重量部以下がさらに好ましい。
成分(B)の含有量を、上記下限値以上とすることにより、良好な誘電正接およびレーザー加工性を得つつ、線膨張係数を下げ、ガラス転移温度を向上させ、耐熱性を向上させることができる。一方、成分(B)の含有量を、上記上限値以下とすることにより、良好な誘電正接およびレーザー加工性のバランスを向上できる。
The content of component (B) is preferably 5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less, more preferably 8 parts by weight or more and 35 parts by weight or less, and even more preferably 10 parts by weight or more and 30 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the resin solid content.
By making the content of component (B) equal to or greater than the lower limit, it is possible to obtain good dielectric tangent and laser processability while lowering the linear expansion coefficient, increasing the glass transition temperature, and improving heat resistance. On the other hand, by making the content of component (B) equal to or less than the upper limit, it is possible to improve the balance between good dielectric tangent and laser processability.

(C)インデン樹脂
本実施形態のインデン樹脂とは、その骨格構造にインデン残基を含む平均重合度4~8の(共)重合体のことを示し、インデン(C)と、クマロン(1-ベンゾフラン)、スチレン(C)、α-メチルスチレン、メチルインデン及びビニル卜ルエンとの共重合体であってもよい。なかでも、インデン-クマロン共重合体、インデン-スチレン共重合体、インデン-クマロン-スチレン共重合体であることが好ましい。
(C) Indene Resin In this embodiment, the indene resin refers to a (co)polymer containing an indene residue in its skeletal structure and having an average degree of polymerization of 4 to 8, and may be a copolymer of indene (C 9 H 8 ) with coumarone (1-benzofuran), styrene (C 8 H 8 ), α-methylstyrene, methylindene, and vinyltoluene. Among these, an indene-coumarone copolymer, an indene-styrene copolymer, or an indene-coumarone-styrene copolymer is preferable.

すなわち、インデン樹脂は、インデン系モノマー由来の構造単位Aを含むものであり、他のモノマー由来の構造単位を有していてもよい。他のモノマー由来の構造単位としては、例えば、クマロン系モノマー由来の構造単位B、スチレン系モノマー由来の構造単位Cが挙げられる。インデン樹脂は、具体的には、インデン系モノマー由来の構造単位A、クマロン系モノマー由来の構造単位Bおよびスチレン系モノマー由来の構造単位Cを有するものであってもよく、インデン系モノマー由来の構造単位Aおよびクマロン系モノマー由来の構造単位Bを有するものであってもよく、インデン系モノマー由来の構造単位Aおよびスチレン系モノマー由来の構造単位Cを有するものであってもよい。これらの構造単位の繰り返し構造を有することができる。 That is, the indene resin contains a structural unit A derived from an indene monomer, and may have structural units derived from other monomers. Examples of structural units derived from other monomers include a structural unit B derived from a coumarone monomer and a structural unit C derived from a styrene monomer. Specifically, the indene resin may have a structural unit A derived from an indene monomer, a structural unit B derived from a coumarone monomer, and a structural unit C derived from a styrene monomer, a structural unit A derived from an indene monomer and a structural unit B derived from a coumarone monomer, or a structural unit A derived from an indene monomer and a structural unit C derived from a styrene monomer. The indene resin may have a repeating structure of these structural units.

上記インデン系モノマーに由来する構造単位Aは、例えば、下記一般式(M1)で表されるものが挙げられる。 The structural unit A derived from the indene monomer is, for example, one represented by the following general formula (M1):

Figure 0007476574000008
Figure 0007476574000008

(一般式(M1)中、RからRは、それぞれ独立して水素または炭素数1以上3以下の有機基である。) (In general formula (M1), R 1 to R 7 are each independently a hydrogen atom or an organic group having 1 to 3 carbon atoms.)

上記クマロン系モノマーに由来する構造単位Bは、例えば、下記一般式(M2)で表されるものが挙げられる。 The structural unit B derived from the coumarone monomer is, for example, one represented by the following general formula (M2):

Figure 0007476574000009
Figure 0007476574000009

(一般式(M2)中、Rは、水素または炭素数1以上3以下の有機基である。Rは互いに同一でもよく、互いに異なっていてもよい。) (In general formula (M2), R C represents a hydrogen atom or an organic group having 1 to 3 carbon atoms. R C may be the same as or different from each other.)

上記スチレン系モノマーに由来する構造単位Cは、例えば、下記一般式(M3)で表されるものが挙げられる。

Figure 0007476574000010
Examples of the structural unit C derived from the styrene-based monomer include those represented by the following general formula (M3).
Figure 0007476574000010

(一般式(M3)中、Rは、水素または炭素数1以上3以下の有機基である。Rは互いに同一でもよく、互いに異なっていてもよい。) (In general formula (M3), R 1 S is a hydrogen atom or an organic group having 1 to 3 carbon atoms. R 1 S may be the same as or different from each other.)

上記一般式(M1)~(M3)において、R1からR7、RC及びRSは、例えば、有機基の構造に水素及び炭素以外の原子を含んでもよい。
水素及び炭素以外の原子としては、具体的には、酸素原子、窒素原子、硫黄原子、リン原子、ケイ素原子、フッ素原子、塩素原子などが挙げられる。水素及び炭素以外の原子としては、上記具体例のうち、1種または2種以上を含むことができる。
In the above general formulas (M1) to (M3), R1 to R7, R C and R S may contain atoms other than hydrogen and carbon in the structure of the organic group, for example.
Specific examples of the atoms other than hydrogen and carbon include oxygen atoms, nitrogen atoms, sulfur atoms, phosphorus atoms, silicon atoms, fluorine atoms, chlorine atoms, etc. The atoms other than hydrogen and carbon may include one or more of the above specific examples.

上記一般式(M1)~(M3)において、R1からR7、RC及びRSは、それぞれ独立して、例えば、水素又は炭素数1以上3の有機基であり、水素または炭素数1の有機基であることが好ましく、水素であることが更に好ましい。 In the above general formulas (M1) to (M3), R1 to R7, RC, and RS are each independently, for example, hydrogen or an organic group having 1 to 3 carbon atoms, preferably hydrogen or an organic group having 1 carbon atom, and more preferably hydrogen.

上記一般式(M1)~(M3)において、上記R1からR7、RC及びRSを構成する有機基としては、具体的には、メチル基、エチル基、n-プロピル基などのアルキル基;アリル基、ビニル基などのアルケニル基;エチニル基などのアルキニル基;メチリデン基、エチリデン基などのアルキリデン基;シクロプロピル基などのシクロアルキル基;エポキシ基、オキセタニル基などのヘテロ環基などが挙げられる。 In the above general formulas (M1) to (M3), examples of the organic groups constituting R1 to R7, RC, and RS include alkyl groups such as methyl, ethyl, and n-propyl groups; alkenyl groups such as allyl and vinyl groups; alkynyl groups such as ethynyl groups; alkylidene groups such as methylidene and ethylidene groups; cycloalkyl groups such as cyclopropyl groups; and heterocyclic groups such as epoxy and oxetanyl groups.

上記インデン樹脂は、この中でも、インデン、クマロンおよびスチレンの共重合体、インデンとスチレンの共重合体を含むことができる。これにより、低誘電特性を向上させることができる。 The above-mentioned indene resin may contain, among others, a copolymer of indene, coumarone and styrene, or a copolymer of indene and styrene. This can improve the low dielectric properties.

また、上記インデン樹脂は、分子内に、エポキシ樹脂のエポキシ基と反応する反応性基を備えることができる。これにより、低誘電特性を向上させることができる。
上記反応性基としては、OH基、COOH基などが挙げられる。
また、上記インデン樹脂は、内部または末端にフェノール性水酸基を有する芳香族構造を有していてもよい。
Furthermore, the indene resin can have a reactive group in the molecule that reacts with the epoxy group of the epoxy resin, thereby improving the low dielectric properties.
Examples of the reactive group include an OH group and a COOH group.
The indene resin may have an aromatic structure having a phenolic hydroxyl group inside or at a terminal thereof.

上記インデン樹脂の重量平均分子量Mwの上限値は、例えば、4000以下であることが好ましく、2000以下であることがより好ましく、1500以下であることが更に好ましく、1200以下であることが一層好ましい。これにより、インデン樹脂とエポキシ樹脂との相溶性を高め、適切にインデン樹脂を分散できる。一方、インデン樹脂の重量平均分子量Mwの下限値は、例えば、400以上であることが好ましく、500以上であることがより好ましく、550以上であることが更に好ましく、600以上であることが一層好ましい。これにより、樹脂組成物の中にインデン樹脂が適切に分散できる。 The upper limit of the weight average molecular weight Mw of the indene resin is, for example, preferably 4000 or less, more preferably 2000 or less, even more preferably 1500 or less, and even more preferably 1200 or less. This improves the compatibility between the indene resin and the epoxy resin, and allows the indene resin to be properly dispersed. On the other hand, the lower limit of the weight average molecular weight Mw of the indene resin is, for example, preferably 400 or more, more preferably 500 or more, even more preferably 550 or more, and even more preferably 600 or more. This allows the indene resin to be properly dispersed in the resin composition.

上記インデン樹脂の含有量の下限値は、樹脂固形分100重量部に対して、例えば、1重量部以上、好ましくは3重量部以上、より好ましくは5重量部以上である。これにより、低誘電特性とレーザー加工性の良好なバランスを得つつ、低吸水特性を向上できる。一方、上記インデン樹脂の含有量の上限値は、本実施形態の樹脂組成物全体に対して、例えば、20重量部以下、好ましくは15重量部以下、より好ましくは12重量部以下である。これにより、成形性、耐熱性などの他の物性とのバランスを図ることができる。 The lower limit of the content of the indene resin is, for example, 1 part by weight or more, preferably 3 parts by weight or more, and more preferably 5 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of the resin solid content. This makes it possible to improve the low water absorption property while obtaining a good balance between low dielectric properties and laser processability. On the other hand, the upper limit of the content of the indene resin is, for example, 20 parts by weight or less, preferably 15 parts by weight or less, and more preferably 12 parts by weight or less, based on the entire resin composition of this embodiment. This makes it possible to achieve a balance with other physical properties such as moldability and heat resistance.

インデン樹脂の融点は、40℃~120℃であることが好ましく、分子量、重合度により融点を制御することができる。 The melting point of indene resin is preferably 40°C to 120°C, and the melting point can be controlled by the molecular weight and degree of polymerization.

成分(C)の含有量は、樹脂固形分100重量部に対して、0.1重量部以上20重量部以下が好ましく、0.5重量部以上15重量部以下がより好ましく、1重量部以上12重量部以下がさらに好ましい。 The content of component (C) is preferably 0.1 parts by weight or more and 20 parts by weight or less, more preferably 0.5 parts by weight or more and 15 parts by weight or less, and even more preferably 1 part by weight or more and 12 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the resin solids.

本実施形態の樹脂組成物は、さらに以下の成分を含むことより、低誘電特性および良好なレーザー加工性を安定的に得るとともに、他の物性を向上することができる。 The resin composition of this embodiment further contains the following components, which allows it to stably obtain low dielectric properties and good laser processability while improving other physical properties.

(D)ポリブタジエン系エラストマー
本実施形態において、ポリブタジエン系エラストマーは、ブタジエン化合物をモノマー成分として用いた単独重合体または共重合体である。本実施形態において、耐熱性を向上させる観点からは、官能基を有しているポリブタジエン系エラストマーを用いることがより好ましい。官能基としては、ビニル基、エポキシ基、カルボキシ基、水酸基、またはマレイン酸基などが挙げられる。なかでも、相溶性と密着性を向上させる観点から、側鎖にビニル基を有するポリブタジエンであることが好ましい。
また、共重合体としては、樹脂中にブタジエンから重合してなるセグメント骨格を有するものであり、例えば、スチレン-ブタジエン共重合体、アクリロニトリル-ブタジエン共重合体、アクリレ-トブタジエン共重合体、ビニルピリジンブタジエン共重合体、アクリロニトリル-スチレン-ブタジエン共重合体、カルボキシル化ブタジエン共重合体、エポキシ化ブタジエン共重合体等が挙げられる。なかでも、分散性と耐熱性を向上させる観点から、ブタジエンホモポリマーおよびスチレン-ブタジエン共重合体であることが好ましい。
(D) Polybutadiene-based elastomer In this embodiment, the polybutadiene-based elastomer is a homopolymer or copolymer using a butadiene compound as a monomer component. In this embodiment, from the viewpoint of improving heat resistance, it is more preferable to use a polybutadiene-based elastomer having a functional group. Examples of the functional group include a vinyl group, an epoxy group, a carboxy group, a hydroxyl group, and a maleic acid group. Among them, from the viewpoint of improving compatibility and adhesion, a polybutadiene having a vinyl group in a side chain is preferable.
The copolymer has a segment skeleton formed by polymerization of butadiene in the resin, and examples thereof include styrene-butadiene copolymer, acrylonitrile-butadiene copolymer, acrylate butadiene copolymer, vinylpyridine butadiene copolymer, acrylonitrile-styrene-butadiene copolymer, carboxylated butadiene copolymer, epoxidized butadiene copolymer, etc. Among them, butadiene homopolymer and styrene-butadiene copolymer are preferable from the viewpoint of improving dispersibility and heat resistance.

成分(B)と成分(D)の重量比(B/D)は、好ましくは0.5~8であり、より好ましくは2~6である。重量比(B/D)をかかる範囲とすることにより、耐熱性を向上できる。 The weight ratio (B/D) of component (B) to component (D) is preferably 0.5 to 8, and more preferably 2 to 6. By keeping the weight ratio (B/D) in this range, heat resistance can be improved.

成分(D)の含有量は、樹脂固形分100重量部に対して、0.1重量部以上20重量部以下が好ましく、0.2重量部以上15重量部以下がより好ましく、0.5重量部以上12重量部以下がさらに好ましい。 The content of component (D) is preferably 0.1 parts by weight or more and 20 parts by weight or less, more preferably 0.2 parts by weight or more and 15 parts by weight or less, and even more preferably 0.5 parts by weight or more and 12 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the resin solids.

(E)不飽和二重結合を有するフェノール
本実施形態において、不飽和二重結合を有するフェノールは、誘電特性およびレーザー加工性を良好にしつつ、他の物性とのバランスを保持する観点から、主に用いられる。不飽和二重結合を有するフェノールとは、フェノール骨格を有し、ベンゼン環の置換基に不飽和二重結合を有するものをいう。
本実施形態において、不飽和二重結合を有するフェノールとしては、アリルフェノール(o-,m-またはp-)、ビニルフェノール(o-,m-またはp-)、アリルレゾルシノール、ジアリルレゾルシノール、アリルカテコール、ジアリルカテコール、アリルヒドロキノン、ジアリルヒドロキノン、アリルピロガロール、トリアリルフェノール、トリビニルフェノール、トリアリルレゾルシノール、トリビニルレゾルシノール等が挙げられる。なかでも、密着を向上させる観点から、ビニルフェノール(特にp-ビニルフェノール;4-エテニルフェノール)、2,2'-ジアリルビスフェノールA、o-アリルフェノール(2-アリルフェノール)、アリルフェノールレゾルシノール型ノボラック樹脂であることが好ましい。
(E) Phenol having an unsaturated double bond In this embodiment, phenol having an unsaturated double bond is mainly used from the viewpoint of maintaining a balance between other physical properties while improving dielectric properties and laser processability. Phenol having an unsaturated double bond refers to a phenol having a phenol skeleton and having an unsaturated double bond in a substituent of a benzene ring.
In this embodiment, examples of the phenol having an unsaturated double bond include allylphenol (o-, m- or p-), vinylphenol (o-, m- or p-), allyl resorcinol, diallyl resorcinol, allyl catechol, diallyl catechol, allyl hydroquinone, diallyl hydroquinone, allyl pyrogallol, triallyl phenol, trivinyl phenol, triallyl resorcinol, trivinyl resorcinol, etc. Among these, from the viewpoint of improving adhesion, vinylphenol (particularly p-vinylphenol; 4-ethenylphenol), 2,2'-diallyl bisphenol A, o-allyl phenol (2-allyl phenol), and allyl phenol resorcinol type novolak resin are preferred.

成分(E)の含有量は、樹脂固形分100重量部に対して、1重量部以上30重量部以下が好ましく、5重量部以上25重量部以下がより好ましく、7重量部以上22重量部以下がさらに好ましい。 The content of component (E) is preferably 1 part by weight or more and 30 parts by weight or less, more preferably 5 parts by weight or more and 25 parts by weight or less, and even more preferably 7 parts by weight or more and 22 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the resin solids.

(F)多官能性ビニル化合物
本実施形態において、(F)多官能性ビニル化合物とは、分子中に2以上の重合性不飽和結合を有する化合物をいう。
多官能性ビニル化合物としては、例えば、ジビニルベンゼン、ジビニルトルエン等の2官能性芳香族ビニル化合物;1,6-ヘキサンジオールジアクリレート、1,6-ヘキサンのジオールジメタクリレート、エチレングリコールジアクリレート、エチレングリコールジメタクリレート、ネオペンチルグリコールアクリレート、アクリル酸アリル、ネオペンチルグリコールジメタクリレート、トリエチレングリコールジアクリレート、トリエチレングリコールジメタクリレート、3-メチルペンタンジオールジアクリレート、メタクリル酸アリル等の2官能性(メタ)アクリル酸エステル;トリメチロールプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパントリメタクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラメタクリレート、ペンタエリスリトールペンタアクリレート、ペンタエリスリトールペンタメタクリレート、ジペンタエリスリトールへキサアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサメタクリレート等の3官能性以上の(メタ)アクリル酸エステル;(ポリ)エチレングリコールジメタクリレート等の多価アルコールの(メタ)アクリル酸エステル;ジアリルマレート、ジアリルフマレート、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアネート、ジアリルフタレート、ビスフェノールAのビス(アクリロイロキシエチル)エーテル等が挙げられ、これらは単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。
中でも、(ポリ)エチレングリコールジメタクリレート等の多価アルコールの(メタ)アクリル酸エステル;ジアリルマレート、ジアリルフマレート、トリアリルシアヌレート、トリアリルイソシアネート、ジアリルフタレート、ビスフェノールAのビス(アクリロイロキシエチル)エーテルが好ましく、トリアリルイソシアネートがより好ましい。
(F) Polyfunctional Vinyl Compound In the present embodiment, (F) polyfunctional vinyl compound refers to a compound having two or more polymerizable unsaturated bonds in the molecule.
Examples of polyfunctional vinyl compounds include bifunctional aromatic vinyl compounds such as divinylbenzene and divinyltoluene; bifunctional (meth)acrylic acid esters such as 1,6-hexanediol diacrylate, 1,6-hexanediol dimethacrylate, ethylene glycol diacrylate, ethylene glycol dimethacrylate, neopentyl glycol acrylate, allyl acrylate, neopentyl glycol dimethacrylate, triethylene glycol diacrylate, triethylene glycol dimethacrylate, 3-methylpentanediol diacrylate, and allyl methacrylate; trimethylolpropane triacrylate, trimethylolpropane trimethacrylate, pentaerythritol triacrylate, and the like. Examples of the (meth)acrylic acid esters include trifunctional or higher functional (meth)acrylic acid esters such as acrylate, pentaerythritol tetraacrylate, pentaerythritol tetramethacrylate, pentaerythritol pentaacrylate, pentaerythritol pentamethacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, and dipentaerythritol hexamethacrylate; (meth)acrylic acid esters of polyhydric alcohols such as (poly)ethylene glycol dimethacrylate; diallyl maleate, diallyl fumarate, triallyl cyanurate, triallyl isocyanate, diallyl phthalate, and bis(acryloyloxyethyl) ether of bisphenol A, which may be used alone or in combination of two or more.
Of these, (meth)acrylic acid esters of polyhydric alcohols such as (poly)ethylene glycol dimethacrylate; diallyl maleate, diallyl fumarate, triallyl cyanurate, triallyl isocyanate, diallyl phthalate, and bis(acryloyloxyethyl) ether of bisphenol A are preferred, with triallyl isocyanate being more preferred.

成分(F)の含有量は、樹脂固形分100重量部に対して、0.5重量部以上30重量部以下が好ましく、1重量部以上20重量部以下がより好ましく、4重量部以上15重量部以下がさらに好ましい。 The content of component (F) is preferably 0.5 parts by weight or more and 30 parts by weight or less, more preferably 1 part by weight or more and 20 parts by weight or less, and even more preferably 4 parts by weight or more and 15 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the resin solids.

(G)無機充填材
本実施形態において、(G)無機充填材としては、例えば、タルク、焼成クレー、未焼成クレー、マイカ、ガラス等のケイ酸塩;酸化チタン、アルミナ、ベーマイト、シリカ、溶融シリカ等の酸化物;炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ハイドロタルサイト等の炭酸塩;水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム等の水酸化物;硫酸バリウム、硫酸カルシウム、亜硫酸カルシウム等の硫酸塩または亜硫酸塩;ホウ酸亜鉛、メタホウ酸バリウム、ホウ酸アルミニウム、ホウ酸カルシウム、ホウ酸ナトリウム等のホウ酸塩;窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、窒化炭素等の窒化物;チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム等のチタン酸塩等を挙げることができる。
これらの中でも、タルク、アルミナ、ガラス、シリカ、マイカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウムが好ましく、シリカが特に好ましい。無機充填材としては、これらの中の1種類を単独で用いてもよく、2種類以上を併用してもよい。
(G) Inorganic Filler In this embodiment, examples of the inorganic filler (G) include silicates such as talc, calcined clay, uncalcined clay, mica, and glass; oxides such as titanium oxide, alumina, boehmite, silica, and fused silica; carbonates such as calcium carbonate, magnesium carbonate, and hydrotalcite; hydroxides such as aluminum hydroxide, magnesium hydroxide, and calcium hydroxide; sulfates or sulfites such as barium sulfate, calcium sulfate, and calcium sulfite; borates such as zinc borate, barium metaborate, aluminum borate, calcium borate, and sodium borate; nitrides such as aluminum nitride, boron nitride, silicon nitride, and carbon nitride; and titanates such as strontium titanate and barium titanate.
Among these, talc, alumina, glass, silica, mica, aluminum hydroxide, and magnesium hydroxide are preferred, and silica is particularly preferred. As the inorganic filler, one of these may be used alone, or two or more of them may be used in combination.

上記無機充填材の平均粒子径の下限値は、特に限定されないが、例えば、0.01μm以上としてもよく、0.05μm以上としてもよい。これにより、上記熱硬化性樹脂のワニスの粘度が高くなるのを抑制でき、絶縁層作製時の作業性を向上させることができる。また、無機充填材の平均粒子径の上限値は、特に限定されないが、例えば、5.0μm以下が好ましく、2.0μm以下がより好ましく、1.0μm以下がさらに好ましい。これにより、上記熱硬化性樹脂のワニス中における無機充填材の沈降等の現象を抑制でき、より均一な樹脂膜を得ることができる。また、プリント配線基板の回路寸法L/Sが20μm/20μmを下回る際には、配線間の絶縁性への影響を抑制することができる。 The lower limit of the average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but may be, for example, 0.01 μm or more, or 0.05 μm or more. This can prevent the viscosity of the thermosetting resin varnish from increasing, and improve the workability when preparing the insulating layer. In addition, the upper limit of the average particle diameter of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably, for example, 5.0 μm or less, more preferably 2.0 μm or less, and even more preferably 1.0 μm or less. This can prevent the phenomenon of settling of the inorganic filler in the thermosetting resin varnish, and a more uniform resin film can be obtained. In addition, when the circuit dimension L/S of the printed wiring board is less than 20 μm/20 μm, the effect on the insulation between the wiring can be suppressed.

本実施形態において、無機充填材の平均粒子径は、例えば、レーザー回折式粒度分布測定装置(HORIBA社製、LA-500)により、粒子の粒度分布を体積基準で測定し、そのメディアン径(D50)を平均粒子径とすることができる。 In this embodiment, the average particle diameter of the inorganic filler can be determined by measuring the particle size distribution of the particles on a volume basis using, for example, a laser diffraction particle size distribution measuring device (LA-500, manufactured by HORIBA), and taking the median diameter (D50) as the average particle diameter.

また、無機充填材は、特に限定されないが、平均粒子径が単分散の無機充填材を用いてもよいし、平均粒子径が多分散の無機充填材を用いてもよい。さらに平均粒子径が単分散および/または多分散の無機充填材を1種類または2種類以上で併用してもよい。 The inorganic filler is not particularly limited, but may be an inorganic filler having a monodisperse average particle size, or an inorganic filler having a polydisperse average particle size. Furthermore, one or more types of inorganic fillers having monodisperse and/or polydisperse average particle sizes may be used in combination.

上記無機充填材はシリカ粒子を含むことが好ましい。シリカ粒子は球状であってもよい。上記シリカ粒子の平均粒子径は、特に限定されないが、例えば、5.0μm以下としてもよく、0.1μm以上4.0μm以下としてもよく、0.2μm以上2.0μm以下としてもよい。これにより、無機充填材の充填性をさらに向上させることができる。 The inorganic filler preferably contains silica particles. The silica particles may be spherical. The average particle size of the silica particles is not particularly limited, but may be, for example, 5.0 μm or less, 0.1 μm or more and 4.0 μm or less, or 0.2 μm or more and 2.0 μm or less. This can further improve the filling property of the inorganic filler.

無機充填材の含有量の下限値は、樹脂組成物の全固形分100質量部に対して、特に限定されないが、例えば、40質量部以上が好ましく、45質量部以上がより好ましく、50質量部以上がさらに好ましい。これにより、樹脂膜の硬化物を特に低熱膨張、低吸水とすることができる。また、半導体パッケージの反りを抑制することができる。一方で、無機充填材の含有量の上限値は、樹脂組成物の全固形分100質量部に対して、特に限定されないが、例えば、85質量部以下としてもよく、80質量部以下としてもよく、75質量部以下としてもよい。これにより、ハンドリング性が向上し、樹脂膜を形成するのが容易となる。 The lower limit of the content of the inorganic filler is not particularly limited, but is preferably 40 parts by mass or more, more preferably 45 parts by mass or more, and even more preferably 50 parts by mass or more, based on 100 parts by mass of the total solid content of the resin composition. This allows the cured resin film to have particularly low thermal expansion and low water absorption. In addition, warping of the semiconductor package can be suppressed. On the other hand, the upper limit of the content of the inorganic filler is not particularly limited, but may be, for example, 85 parts by mass or less, 80 parts by mass or less, or 75 parts by mass or less, based on 100 parts by mass of the total solid content of the resin composition. This improves handling properties and makes it easier to form the resin film.

(H)難燃剤
本実施形態において、(H)難燃剤としては、例えば、臭素系難燃剤等のハロゲン系難燃剤やリン系難燃剤等が挙げられる。ハロゲン系難燃剤の具体例としては、例えば、ペンタブロモジフェニルエーテル、オクタブロモジフェニルエーテル、デカブロモジフェニルエーテル、テトラブロモビスフェノールA、ヘキサブロモシクロドデカン等の臭素系難燃剤や、塩素化パラフィン等の塩素系難燃剤等が挙げられる。また、リン系難燃剤の具体例としては、例えば、縮合リン酸エステル、環状リン酸エステル等のリン酸エステル、環状ホスファゼン化合物等のホスファゼン化合物、ジアルキルホスフィン酸アルミニウム塩等のホスフィン酸金属塩等のホスフィン酸塩系難燃剤、リン酸メラミン、及びポリリン酸メラミン等のメラミン系難燃剤等が挙げられる。難燃剤としては、例示した各難燃剤を単独で用いてもよいし、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
なかでも、リン系難燃剤であることが好ましい。
(H) Flame Retardant In this embodiment, examples of the (H) flame retardant include halogen-based flame retardants such as bromine-based flame retardants and phosphorus-based flame retardants. Specific examples of the halogen-based flame retardants include bromine-based flame retardants such as pentabromodiphenyl ether, octabromodiphenyl ether, decabromodiphenyl ether, tetrabromobisphenol A, and hexabromocyclododecane, and chlorine-based flame retardants such as chlorinated paraffin. Specific examples of the phosphorus-based flame retardants include phosphate esters such as condensed phosphate esters and cyclic phosphate esters, phosphazene compounds such as cyclic phosphazene compounds, phosphinate-based flame retardants such as phosphinic acid metal salts such as dialkylphosphinic acid aluminum salts, melamine phosphate, and melamine polyphosphate. As the flame retardant, each of the exemplified flame retardants may be used alone or in combination of two or more.
Among these, phosphorus-based flame retardants are preferred.

成分(H)の含有量は、樹脂固形分100重量部に対して、0.1重量部以上15重量部以下が好ましく、0.5重量部以上10重量部以下がより好ましく、1重量部以上5重量部以下がさらに好ましい。 The content of component (H) is preferably 0.1 parts by weight or more and 15 parts by weight or less, more preferably 0.5 parts by weight or more and 10 parts by weight or less, and even more preferably 1 part by weight or more and 5 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the resin solids.

(重合開始剤)
本実施形態の樹脂組成物は、重合開始剤を含有してもよい。これにより、成分(A)がプロセス条件によらず、安定的に硬化進行される。重合開始剤としては、変性ポリフェニレンエーテルと熱硬化型硬化剤との硬化反応を促進することができるものであれば、特に限定されないが、例えば、α,α'-ビス(t-ブチルパーオキシ-m-イソプロピル)ベンゼン、2,5-ジメチル-2,5-ジ(t-ブチルパーオキシ)-3-ヘキシン,過酸化ベンゾイル、3,3',5,5'-テトラメチル-1,4-ジフェノキノン、クロラニル、2,4,6-トリ-t-ブチルフェノキシル、t-ブチルペルオキシイソプロピルモノカーボネート、アゾビスイソブチロニトリル等の酸化剤が挙げられる。これらは、単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。また、硬化反応を一層促進させる観点から、さらにカルボン酸金属塩等を併用してもよい。
なかでも、α,α'-ビス(t-ブチルパーオキシ-m-イソプロピル)ベンゼンが好ましく用いられる。α,α'-ビス(t-ブチルパーオキシ-m-イソプロピル)ベンゼンは、反応開始温度が比較的に高いため、プリプレグ乾燥時等の硬化する必要がない時点での硬化反応の促進を抑制することができ、本実施形態の樹脂組成物の保存性の低下を抑制することができる。さらに、α,α'-ビス(t-ブチルパーオキシ-m-イソプロピル)ベンゼンは、揮発性が低いため、プリプレグ乾燥時や保存時に揮発せず、良好な安定性が得られる。
(Polymerization initiator)
The resin composition of the present embodiment may contain a polymerization initiator. This allows the component (A) to stably cure regardless of the process conditions. The polymerization initiator is not particularly limited as long as it can accelerate the curing reaction between the modified polyphenylene ether and the thermosetting curing agent, and examples thereof include oxidizing agents such as α,α'-bis(t-butylperoxy-m-isopropyl)benzene, 2,5-dimethyl-2,5-di(t-butylperoxy)-3-hexyne, benzoyl peroxide, 3,3',5,5'-tetramethyl-1,4-diphenoquinone, chloranil, 2,4,6-tri-t-butylphenoxyl, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, and azobisisobutyronitrile. These may be used alone or in combination of two or more. In addition, from the viewpoint of further accelerating the curing reaction, a metal carboxylate or the like may be used in combination.
Among these, α,α'-bis(t-butylperoxy-m-isopropyl)benzene is preferably used. α,α'-bis(t-butylperoxy-m-isopropyl)benzene has a relatively high reaction initiation temperature, and therefore can suppress the promotion of the curing reaction at a time when curing is not required, such as when drying the prepreg, and can suppress a decrease in the storage stability of the resin composition of this embodiment. Furthermore, α,α'-bis(t-butylperoxy-m-isopropyl)benzene has low volatility, so it does not volatilize during drying or storage of the prepreg, and good stability can be obtained.

(カップリング剤)
本実施形態の樹脂組成物は、カップリング剤を含んでもよい。カップリング剤は樹脂組成物の調製時に直接添加してもよいし、無機充填材にあらかじめ添加しておいてもよい。カップリング剤の使用により無機充填材と各樹脂との界面の濡れ性を向上させることができる。したがって、カップリング剤を使用することは好ましく、樹脂膜の硬化物の耐熱性を改良することができる。また、カップリング剤を用いることにより、銅箔との密着性を向上させることができる。さらに、吸湿耐性を向上できるので、湿度環境下においても、銅箔との密着性を維持することができる。
(Coupling Agent)
The resin composition of the present embodiment may contain a coupling agent. The coupling agent may be added directly when preparing the resin composition, or may be added to the inorganic filler in advance. The use of the coupling agent can improve the wettability of the interface between the inorganic filler and each resin. Therefore, it is preferable to use a coupling agent, and the heat resistance of the cured resin film can be improved. In addition, the use of the coupling agent can improve the adhesion to the copper foil. Furthermore, since the moisture absorption resistance can be improved, the adhesion to the copper foil can be maintained even in a humid environment.

上記カップリング剤としては、例えば、ビニル系シランカップリング剤、エポキシシランカップリング剤、カチオニックシランカップリング剤、アミノシランカップリング剤等のシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤およびシリコーンオイル型カップリング剤等が挙げられる。カップリング剤は一種類を単独で用いてもよいし、二種類以上を併用してもよい。本実施形態において、カップリング剤はシランカップリング剤を含有してもよい。
これにより、無機充填材と各樹脂との界面の濡れ性を高くすることができ、樹脂膜の硬化物の耐熱性をより向上させることができる。
The above-mentioned coupling agent may be, for example, a silane coupling agent such as a vinyl-based silane coupling agent, an epoxy silane coupling agent, a cationic silane coupling agent, or an amino silane coupling agent, a titanate-based coupling agent, or a silicone oil-type coupling agent. The coupling agent may be used alone or in combination of two or more kinds. In this embodiment, the coupling agent may contain a silane coupling agent.
This makes it possible to increase the wettability at the interface between the inorganic filler and each resin, and further improve the heat resistance of the cured resin film.

上記シランカップリング剤としては、各種のものを用いることができるが、例えば、エポキシシラン、アミノシラン、アルキルシラン、ウレイドシラン、メルカプトシラン、ビニルシラン等が挙げられる。 Various types of silane coupling agents can be used, including, for example, epoxy silane, amino silane, alkyl silane, ureido silane, mercapto silane, vinyl silane, etc.

具体的な化合物としては、例えば、γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N-フェニルγ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-フェニルγ-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-β(アミノエチル)γ-アミノプロピルトリエトキシシラン、N-6-(アミノヘキシル)3-アミノプロピルトリメトキシシラン、N-(3-(トリメトキシシリルプロピル)-1,3-ベンゼンジメタナン、γ-グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ-グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、β-(3,4-エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、γ-メルカプトプロピルトリメトキシシラン、メチルトリメトキシシラン、γ-ウレイドプロピルトリエトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等が挙げられ、これらのうちの一種または二種以上を組み合せて用いることができる。これらのうちビニルシラン、エポキシシラン、メルカプトシラン、アミノシランが好ましく、アミノシランとしては、1級アミノシラン又はアニリノシランがより好ましい。 Specific compounds include, for example, γ-aminopropyltriethoxysilane, γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-phenylγ-aminopropyltriethoxysilane, N-phenylγ-aminopropyltrimethoxysilane, N-β(aminoethyl)γ-aminopropyltriethoxysilane, N-6-(aminohexyl)3-aminopropyltrimethoxysilane, N-(3-(trimethoxysilylpropyl)-1,3-benzenedimethanane, γ-glycidoxypropanol, Examples of the silane include vinyltriethoxysilane, γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, γ-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, β-(3,4-epoxycyclohexyl)ethyltrimethoxysilane, γ-mercaptopropyltrimethoxysilane, methyltrimethoxysilane, γ-ureidopropyltriethoxysilane, vinyltriethoxysilane, etc., and one or more of these can be used in combination. Among these, vinylsilane, epoxysilane, mercaptosilane, and aminosilane are preferred, and as the aminosilane, primary aminosilane or anilinosilane is more preferred.

上記カップリング剤の含有量は、無機充填材の比表面積に対して適切に調整することができる。このようなカップリング剤の含有量の下限値は、例えば、樹脂組成物の全固形分100重量部に対して、0.01重量部以上としてもよく、好ましくは0.05重量部以上としてもよい。カップリング剤の含有量が上記下限値以上であると、無機充填材を十分に被覆することができ、樹脂膜の硬化物の耐熱性を向上させることができる。一方、上記カップリング剤の含有量の上限値は、例えば、樹脂組成物の全固形分100重量部に対して、3重量部以下としてもよく、好ましくは1.5重量部以下としてもよい。カップリング剤の含有量が上記上限値以下であると、反応に影響を与えるのを抑制でき、樹脂膜の硬化物の曲げ強度等の低下を抑制することができる。 The content of the coupling agent can be appropriately adjusted based on the specific surface area of the inorganic filler. The lower limit of the content of such a coupling agent may be, for example, 0.01 parts by weight or more, preferably 0.05 parts by weight or more, based on 100 parts by weight of the total solid content of the resin composition. When the content of the coupling agent is equal to or more than the lower limit, the inorganic filler can be sufficiently coated, and the heat resistance of the cured resin film can be improved. On the other hand, the upper limit of the content of the coupling agent may be, for example, 3 parts by weight or less, preferably 1.5 parts by weight or less, based on 100 parts by weight of the total solid content of the resin composition. When the content of the coupling agent is equal to or less than the upper limit, the effect on the reaction can be suppressed, and the decrease in the bending strength of the cured resin film can be suppressed.

(その他、添加剤)
なお、本実施形態の樹脂組成物は、本発明の目的を損なわない範囲で、上記以外の樹脂、緑、赤、青、黄、および黒等の染料、黒色顔料等の顔料、色素からなる群から選択される一種以上を含む着色剤、低応力剤、消泡剤、レベリング剤、紫外線吸収剤、発泡剤、酸化防止剤、イオン捕捉剤、ゴム成分等の上記の成分以外の添加剤を含んでもよい。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
上記以外の樹脂としては例えば、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂などの熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂、フェノキシ樹脂、シアネート樹脂が挙げられる。
(Others, additives)
The resin composition of the present embodiment may contain additives other than the above-mentioned components, such as resins other than those mentioned above, dyes such as green, red, blue, yellow, and black, pigments such as black pigments, colorants including one or more selected from the group consisting of dyes, stress reducing agents, antifoaming agents, leveling agents, ultraviolet absorbing agents, foaming agents, antioxidants, ion trapping agents, rubber components, etc., within the scope of the present invention. These may be used alone or in combination of two or more.
Examples of resins other than those mentioned above include thermosetting resins such as epoxy resins and benzocyclobutene resins, thermoplastic resins, phenoxy resins, and cyanate resins.

(ワニス)
本実施形態において、ワニス状の樹脂組成物は、溶剤を含むことができる。
上記溶剤としては、たとえばアセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、酢酸エチル、シクロヘキサン、ヘプタン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、エチレングリコール、セルソルブ系、カルビトール系、アニソール、およびN-メチルピロリドン等の有機溶剤が挙げられる。これらを単独で用いても2種以上を組み合わせて用いてもよい。
(varnish)
In this embodiment, the varnish-like resin composition may contain a solvent.
Examples of the solvent include organic solvents such as acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, toluene, ethyl acetate, cyclohexane, heptane, cyclohexane, cyclohexanone, tetrahydrofuran, dimethylformamide, dimethylacetamide, dimethylsulfoxide, ethylene glycol, cellosolve-based solvents, carbitol-based solvents, anisole, and N-methylpyrrolidone. These may be used alone or in combination of two or more kinds.

樹脂組成物がワニス状である場合において、樹脂組成物の固形分含有量は、たとえば30質量%以上80質量%以下としてもよく、より好ましくは40質量%以上70質量%以下としてもよい。これにより、作業性や成膜性に非常に優れた樹脂組成物が得られる。 When the resin composition is in the form of a varnish, the solid content of the resin composition may be, for example, 30% by mass or more and 80% by mass or less, and more preferably 40% by mass or more and 70% by mass or less. This results in a resin composition with excellent workability and film-forming properties.

ワニス状の樹脂組成物は、上述の各成分を、たとえば、超音波分散方式、高圧衝突式分散方式、高速回転分散方式、ビーズミル方式、高速せん断分散方式、および自転公転式分散方式などの各種混合機を用いて溶剤中に溶解、混合、撹拌することにより調製することができる。 The varnish-like resin composition can be prepared by dissolving, mixing, and stirring the above-mentioned components in a solvent using various mixers, such as those using ultrasonic dispersion, high-pressure collision dispersion, high-speed rotation dispersion, bead mill, high-speed shear dispersion, and rotation-revolution dispersion.

<樹脂膜>
次いで、本実施形態の樹脂膜について説明する。
本実施形態の樹脂膜は、ワニス状である上記樹脂組成物をフィルム化することにより得ることができる。例えば、本実施形態の樹脂膜は、ワニス状の樹脂組成物を塗布して得られた塗布膜に対して、溶剤を除去することにより得ることができる。このような樹脂膜においては、溶剤含有率が樹脂膜全体に対して5質量%以下とすることができる。本実施形態において、たとえば100℃~150℃、1分~5分の条件で溶剤を除去する工程を実施してもよい。これにより、熱硬化性樹脂を含む樹脂膜の硬化が進行することを抑制しつつ、十分に溶剤を除去することが可能となる。
<Resin film>
Next, the resin film of this embodiment will be described.
The resin film of this embodiment can be obtained by forming the above-mentioned resin composition in a varnish state into a film. For example, the resin film of this embodiment can be obtained by removing the solvent from a coating film obtained by applying the resin composition in a varnish state. In such a resin film, the solvent content can be 5 mass% or less with respect to the entire resin film. In this embodiment, for example, a step of removing the solvent may be performed under conditions of 100°C to 150°C and 1 minute to 5 minutes. This makes it possible to sufficiently remove the solvent while suppressing the progress of curing of the resin film containing a thermosetting resin.

本実施形態の樹脂膜は、樹脂膜単独で構成されてもよく、繊維基材を内部に含むように構成されてもよい。 The resin film of this embodiment may be composed of a resin film alone, or may be composed to include a fiber substrate inside.

<プリプレグ>
本実施形態のプリプレグは、樹脂組成物中に繊維基材を含むように構成される。プリプレグは、上記樹脂組成物を繊維基材に含浸してなるものである。
例えば、プリプレグは、樹脂組成物を繊維基材に含浸させ、その後、半硬化させて得られるシート状の材料として利用できる。このような構造のシート状材料は、誘電特性、高温多湿下での機械的、電気的接続信頼性等の各種特性に優れ、プリント配線基板の絶縁層の製造に適している。
<Prepreg>
The prepreg of the present embodiment is configured to contain a fibrous base material in a resin composition. The prepreg is obtained by impregnating a fibrous base material with the resin composition.
For example, prepreg can be used as a sheet-like material obtained by impregnating a fiber substrate with a resin composition and then semi-curing the same. A sheet-like material having such a structure has excellent properties such as dielectric properties and mechanical and electrical connection reliability under high temperature and humidity, and is suitable for producing an insulating layer for a printed wiring board.

本実施形態において、樹脂組成物を繊維基材に含浸させる方法としては、特に限定されないが、例えば、樹脂組成物を溶剤に溶かして樹脂ワニスを調製し、繊維基材を上記樹脂ワニスに浸漬する方法、各種コーターにより上記樹脂ワニスを繊維基材に塗布する方法、スプレーにより上記樹脂ワニスを繊維基材に吹き付ける方法、樹脂組成物からなる上記樹脂膜で繊維基材の両面をラミネートする方法等が挙げられる。 In this embodiment, the method of impregnating the fiber substrate with the resin composition is not particularly limited, but examples include a method of dissolving the resin composition in a solvent to prepare a resin varnish and immersing the fiber substrate in the resin varnish, a method of applying the resin varnish to the fiber substrate using various coaters, a method of spraying the resin varnish onto the fiber substrate using a sprayer, and a method of laminating both sides of the fiber substrate with the resin film made of the resin composition.

上記繊維基材としては、例えば、ガラス繊布、ガラス不繊布等のガラス繊維基材、あるいはガラス以外の無機化合物を成分とする繊布又は不繊布等の無機繊維基材、芳香族ポリアミドイミド樹脂、ポリアミド樹脂、芳香族ポリエステル樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、フッ素樹脂等の有機繊維で構成される有機繊維基材等が挙げられる。これら基材の中でも強度の点でガラス織布に代表されるガラス繊維基材を用いると、プリント配線基板の機械的強度、耐熱性を良好なものとすることができる。 Examples of the fiber substrate include glass fiber substrates such as woven glass cloth and nonwoven glass cloth, inorganic fiber substrates such as woven or nonwoven cloth containing inorganic compounds other than glass, and organic fiber substrates made of organic fibers such as aromatic polyamideimide resin, polyamide resin, aromatic polyester resin, polyester resin, polyimide resin, and fluororesin. Among these substrates, the use of glass fiber substrates such as woven glass cloth, which is representative of the strength of these substrates, can improve the mechanical strength and heat resistance of the printed wiring board.

繊維基材の厚みは、とくに限定されないが、好ましくは5μm以上150μm以下であり、より好ましくは10μm以上100μm以下であり、さらに好ましくは12μm以上90μm以下である。このような厚みを有する繊維基材を用いることにより、プリプレグ製造時のハンドリング性がさらに向上できる。
繊維基材の厚みが上記上限値以下であると、繊維基材中の樹脂組成物の含浸性が向上し、ストランドボイドや絶縁信頼性の低下の発生を抑制することができる。また炭酸ガス、UV、エキシマ等のレーザーによるスルーホールの形成を容易にすることができる。また、繊維基材の厚みが上記下限値以上であると、繊維基材やプリプレグの強度を向上させることができる。その結果、ハンドリング性が向上できたり、プリプレグの作製が容易となったり、樹脂基板の反りを抑制できたりする。
The thickness of the fiber base material is not particularly limited, but is preferably 5 μm to 150 μm, more preferably 10 μm to 100 μm, and even more preferably 12 μm to 90 μm. By using a fiber base material having such a thickness, the handleability during prepreg production can be further improved.
When the thickness of the fiber substrate is equal to or less than the upper limit, the impregnation of the resin composition in the fiber substrate is improved, and the occurrence of strand voids and deterioration of insulation reliability can be suppressed. In addition, the formation of through holes by carbon dioxide, UV, excimer, or other lasers can be facilitated. In addition, when the thickness of the fiber substrate is equal to or more than the lower limit, the strength of the fiber substrate and prepreg can be improved. As a result, the handling property can be improved, the preparation of prepreg can be facilitated, and the warping of the resin substrate can be suppressed.

上記ガラス繊維基材として、例えば、Eガラス、Sガラス、Dガラス、Tガラス、NEガラス、UTガラス、Lガラス、HPガラスおよび石英ガラスから選ばれる一種または二種以上のガラスにより形成されたガラス繊維基材が好適に用いられる。 As the glass fiber substrate, for example, a glass fiber substrate formed from one or more types of glass selected from E glass, S glass, D glass, T glass, NE glass, UT glass, L glass, HP glass, and quartz glass is preferably used.

本実施形態において、プリプレグは、例えば、プリント配線基板におけるビルドアップ層中の絶縁層やコア層中の絶縁層を形成するために用いることができる。プリプレグをプリント配線基板におけるコア層中の絶縁層を形成するために用いる場合は、例えば、2枚以上のプリプレグを重ね、得られた積層体を加熱硬化することによりコア層用の絶縁層とすることもできる。 In this embodiment, the prepreg can be used, for example, to form an insulating layer in a build-up layer or an insulating layer in a core layer in a printed wiring board. When the prepreg is used to form an insulating layer in a core layer in a printed wiring board, for example, two or more prepregs can be stacked and the resulting laminate can be heat-cured to form an insulating layer for the core layer.

<金属張積層板>
本実施形態の積層板は、上記プリプレグの硬化物の少なくとも一方の面に金属層が配置された金属張積層板である。
<Metal-clad laminate>
The laminate of the present embodiment is a metal-clad laminate in which a metal layer is disposed on at least one surface of the cured product of the prepreg.

また、プリプレグを用いた金属張積層板製造方法は、例えば以下の通りである。
プリプレグまたはプリプレグを2枚以上重ね合わせた積層体の外側の上下両面または片面に金属箔を重ね、ラミネーター装置やベクレル装置を用いて高真空条件下でこれらを接合する、あるいはそのままプリプレグの外側の上下両面または片面に金属箔を重ねる。また、プリプレグを2枚以上積層するときは、積層したプリプレグの最も外側の上下両面もしくは片面に金属箔を重ねる。次いで、プリプレグと金属箔とを重ねた積層体を加熱加圧成形することで金属張積層板を得ることができる。ここで、加熱加圧成形時に、冷却終了時まで加圧を継続することが好ましい。
A method for producing a metal-clad laminate using a prepreg is, for example, as follows.
A metal foil is placed on both the upper and lower sides or one side of the outer side of a prepreg or a laminate of two or more prepregs, and these are bonded under high vacuum conditions using a laminator or Becquerel device, or a metal foil is placed on both the upper and lower sides or one side of the outer side of the prepreg as is. When two or more prepregs are laminated, a metal foil is placed on both the upper and lower sides or one side of the outermost side of the laminated prepreg. Next, a metal-clad laminate can be obtained by hot-press molding the laminate of the prepreg and the metal foil. Here, it is preferable to continue pressing until the end of cooling during hot-press molding.

上記金属箔を構成する金属としては、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、亜鉛、亜鉛系合金、ニッケル、ニッケル系合金、錫、錫系合金、鉄、鉄系合金、コバール(商標名)、42アロイ、インバー、スーパーインバー等のFe-Ni系の合金、W、Mo等が挙げられる。これらの中でも、金属箔105を構成する金属としては、導電性に優れ、エッチングによる回路形成が容易であり、また安価であることから銅または銅合金が好ましい。すなわち、金属箔105としては、銅箔が好ましい。
また、金属箔としては、キャリア付金属箔等も使用することができる。
金属箔の厚みは、好ましくは0.5μm以上20μm以下であり、より好ましくは1.5μm以上18μm以下である。
Examples of metals constituting the metal foil include copper, copper-based alloys, aluminum, aluminum-based alloys, silver, silver-based alloys, gold, gold-based alloys, zinc, zinc-based alloys, nickel, nickel-based alloys, tin, tin-based alloys, iron, iron-based alloys, Fe-Ni-based alloys such as Kovar (trade name), 42 alloy, Invar, and Super Invar, W, and Mo. Among these, the metal constituting the metal foil 105 is preferably copper or a copper alloy because it has excellent conductivity, is easy to form a circuit by etching, and is inexpensive. That is, the metal foil 105 is preferably copper foil.
As the metal foil, a metal foil with a carrier or the like can also be used.
The thickness of the metal foil is preferably 0.5 μm or more and 20 μm or less, and more preferably 1.5 μm or more and 18 μm or less.

<キャリア付き樹脂膜>
次いで、本実施形態のキャリア付樹脂膜について説明する。
図1は、キャリア付樹脂膜10の構成の一例を示す図である。
<Resin film with carrier>
Next, the resin film with a carrier of this embodiment will be described.
FIG. 1 is a diagram showing an example of the configuration of a resin film 10 with a carrier.

上記キャリア付樹脂膜10の一例は、キャリア基材30と、キャリア基材30上に設けられた、樹脂組成物からなる樹脂膜20)とを備えるものである。 An example of the above-mentioned carrier-attached resin film 10 includes a carrier substrate 30 and a resin film 20 made of a resin composition provided on the carrier substrate 30.

キャリア付樹脂膜10は、図1(a)に示すような巻き取り可能なロール状でもよいし、矩形形状の枚葉状であってもよい。 The resin film 10 with a carrier may be in the form of a roll that can be wound up as shown in FIG. 1(a), or in the form of rectangular sheets.

上記キャリア基材30としては、例えば、高分子フィルムや金属箔などを用いることができる。当該高分子フィルムとしては、特に限定されないが、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレートなどのポリエステル、ポリカーボネート、シリコーンシート等の離型紙、フッ素系樹脂、ポリイミド樹脂などの耐熱性を有した熱可塑性樹脂シート等が挙げられる。当該金属箔としては、特に限定されないが、例えば、銅および/または銅系合金、アルミおよび/またはアルミ系合金、鉄および/または鉄系合金、銀および/または銀系合金、金および金系合金、亜鉛および亜鉛系合金、ニッケルおよびニッケル系合金、錫および錫系合金などが挙げられる。これらの中でも、ポリエチレンテレフタレートで構成されるシートが安価および剥離強度の調節が簡便なため最も好ましい。これにより、上記キャリア付樹脂膜10から、適度な強度で剥離することが容易となる。 As the carrier substrate 30, for example, a polymer film or a metal foil can be used. The polymer film is not particularly limited, but examples thereof include polyolefins such as polyethylene and polypropylene, polyesters such as polyethylene terephthalate and polybutylene terephthalate, polycarbonate, release paper such as silicone sheets, and heat-resistant thermoplastic resin sheets such as fluorine-based resins and polyimide resins. The metal foil is not particularly limited, but examples thereof include copper and/or copper-based alloys, aluminum and/or aluminum-based alloys, iron and/or iron-based alloys, silver and/or silver-based alloys, gold and gold-based alloys, zinc and zinc-based alloys, nickel and nickel-based alloys, and tin and tin-based alloys. Among these, a sheet made of polyethylene terephthalate is most preferable because it is inexpensive and the peel strength can be easily adjusted. This makes it easy to peel off the resin film 10 with the carrier with an appropriate strength.

また、キャリア付樹脂膜10の表面は、例えば、露出していてもよく、保護フィルム(カバーフィルム50)で覆われていてもよい。保護フィルムとしては、公知の保護機能を有するフィルムを用いることができるが、例えば、PETフィルムを使用してもよい。図1(b)に示すように、樹脂膜20がキャリア基材30とカバーフィルム50との間に形成されていてもよい。これにより、樹脂膜20のハンドリング性が向上する。 The surface of the carrier-attached resin film 10 may be exposed or may be covered with a protective film (cover film 50), for example. As the protective film, a film having a known protective function may be used, for example, a PET film. As shown in FIG. 1(b), the resin film 20 may be formed between the carrier substrate 30 and the cover film 50. This improves the handleability of the resin film 20.

本実施形態のキャリア付樹脂膜10の樹脂膜20は、単層でも多層でもよく、1種または2種以上の膜で構成されていてもよい。当該樹脂シートが多層の場合、同種で構成されてもよく、異種で構成されてもよい。 The resin film 20 of the carrier-attached resin film 10 of this embodiment may be a single layer or a multilayer, and may be composed of one or more types of films. When the resin sheet is multilayered, it may be composed of the same type or different types.

上記樹脂膜20の膜厚の下限値は、例えば、5μm以上であり、好ましくは10μm以上である。これにより、絶縁信頼性を向上させることができる。一方、上記樹脂膜20の膜厚の上限値は、例えば、50μm以下であり、好ましくは40μm以下である。これにより、プリント配線基板の薄層化を実現できる。また、樹脂膜20の膜厚を上記範囲内とすることにより、プリント配線基板を製造する際に、内層回路の凹凸を充填して成形することができるとともに、好適なビルドアップ層の絶縁樹脂層厚みを確保することができる。 The lower limit of the thickness of the resin film 20 is, for example, 5 μm or more, and preferably 10 μm or more. This can improve the insulation reliability. On the other hand, the upper limit of the thickness of the resin film 20 is, for example, 50 μm or less, and preferably 40 μm or less. This can realize a thinner printed wiring board. In addition, by setting the thickness of the resin film 20 within the above range, when manufacturing the printed wiring board, it is possible to fill and mold the unevenness of the inner layer circuit, and it is possible to ensure a suitable thickness of the insulating resin layer of the build-up layer.

キャリア基材30の厚みは、特に限定されないが、例えば、10~100μmとしてもよく、10~70μmとしてもよい。これにより、キャリア付樹脂膜10を製造する際の取り扱い性が良好となり好ましい。 The thickness of the carrier substrate 30 is not particularly limited, but may be, for example, 10 to 100 μm, or 10 to 70 μm. This is preferable because it improves the handleability when manufacturing the carrier-attached resin film 10.

<プリント配線基板>
本実施形態のプリント配線基板は、上記の樹脂膜の硬化物(樹脂組成物の硬化物)で構成された絶縁層を備えるものである。
本実施形態において、樹脂膜の硬化物は、例えば、通常のプリント配線基板のビルドアップ層、コア層を有しないプリント配線基板におけるビルドアップ層、PLPに用いられるコアレス基板のビルドアップ層、MIS基板のビルドアップ層等に用いることができる。このようなビルドアップ層を構成する絶縁層は、複数の半導体パッケージを一括して作成するために利用させる大面積のプリント配線基板において、当該プリント配線基板を構成するビルドアップ層にも好適に用いることができる。
<Printed wiring board>
The printed wiring board of this embodiment includes an insulating layer made of the cured product of the above-mentioned resin film (cured product of the resin composition).
In this embodiment, the cured resin film can be used, for example, as a build-up layer of a normal printed wiring board, a build-up layer in a printed wiring board having no core layer, a build-up layer of a coreless substrate used in PLP, a build-up layer of an MIS substrate, etc. The insulating layer constituting such a build-up layer can also be suitably used as a build-up layer constituting a large-area printed wiring board used to collectively produce a plurality of semiconductor packages.

また、本実施形態において、絶縁膜形成用の樹脂組成物からなる樹脂膜において、ガラス繊維を含浸する構成とすることができる。このような樹脂膜をビルドアップ層に用いた半導体パッケージにおいても、樹脂膜の硬化物の線膨張係数を低くすることができるので、パッケージ反りを十分に抑制することができる。 In addition, in this embodiment, the resin film made of the resin composition for forming the insulating film can be configured to be impregnated with glass fibers. Even in a semiconductor package using such a resin film in the build-up layer, the linear expansion coefficient of the cured resin film can be reduced, so package warpage can be sufficiently suppressed.

<半導体パッケージ>
図2は、本実施形態の半導体パッケージ200の製造工程の一例を示す工程断面図である。
本実施形態の半導体装置(半導体パッケージ200)は、プリント配線基板と、プリント配線基板の回路層上に搭載された、またはプリント配線基板に内蔵された半導体素子240と、を備えることができる。
<Semiconductor package>
2A to 2C are cross-sectional views showing an example of a manufacturing process for the semiconductor package 200 of this embodiment.
The semiconductor device (semiconductor package 200) of this embodiment can include a printed wiring board and a semiconductor element 240 mounted on a circuit layer of the printed wiring board or embedded in the printed wiring board.

以下、本実施形態の半導体パッケージ200の製造工程の概要について説明する。
まず、図2(a)に示すように、絶縁層102、ビアホール104および金属層108を備えるコア層100を準備する。絶縁層102にはビアホール104が形成されている。ビアホール104には、金属層(ビア)が埋設されている。当該金属層は、無電解金属めっき膜106で覆われていてもよい。絶縁層102の表面に形成された金属層108(所定の回路パターンを有する回路層)は、ビアホール104に形成されたビアと電気的に接続する。図2(a)には、金属層108は、コア層100の一面上に形成されているが、両面に形成されていてもよい。
An outline of the manufacturing process for the semiconductor package 200 of this embodiment will be described below.
First, as shown in FIG. 2(a), a core layer 100 including an insulating layer 102, a via hole 104, and a metal layer 108 is prepared. A via hole 104 is formed in the insulating layer 102. A metal layer (via) is embedded in the via hole 104. The metal layer may be covered with an electroless metal plating film 106. The metal layer 108 (a circuit layer having a predetermined circuit pattern) formed on the surface of the insulating layer 102 is electrically connected to the via formed in the via hole 104. In FIG. 2(a), the metal layer 108 is formed on one surface of the core layer 100, but it may be formed on both surfaces.

続いて、コア層100の一面上に金属層108を埋め込むように、上記樹脂組成物からなる樹脂膜20を形成する。例えば、キャリア付樹脂膜10からカバーフィルム50を剥離し、その樹脂膜20(絶縁膜)をコア層100の回路形成面上に配置してもよい。この樹脂膜20の表面にはキャリア基材30が設けられている。キャリア基材30は、この時点で樹脂膜20から分離してもよいが、マスクとして使用してもよい。
なお、樹脂膜20は、絶縁膜単層でもよく、絶縁膜およびプライマー層の複数層で構成されてもよい。
Next, a resin film 20 made of the above resin composition is formed on one surface of the core layer 100 so as to embed the metal layer 108. For example, the cover film 50 may be peeled off from the carrier-attached resin film 10, and the resin film 20 (insulating film) may be placed on the circuit-forming surface of the core layer 100. A carrier base material 30 is provided on the surface of this resin film 20. The carrier base material 30 may be separated from the resin film 20 at this point, or may be used as a mask.
The resin film 20 may be a single insulating layer, or may be made up of multiple layers including an insulating layer and a primer layer.

続いて、上記樹脂膜20に、キャリア基材30を介して、不図示の開口部を形成する。開口部は、金属層108を露出させるように形成することができる。開口部の形成方法としては、特に限定されず、例えば、レーザー加工法、露光現像法またはブラスト工法、などの方法を用いることができる。 Next, an opening (not shown) is formed in the resin film 20 via the carrier substrate 30. The opening can be formed so as to expose the metal layer 108. The method for forming the opening is not particularly limited, and can be, for example, a laser processing method, an exposure and development method, or a blasting method.

本実施形態において、このような開口部を形成した後、樹脂膜20を熱硬化させてもよい。その後、キャリア基材30を剥離する。 In this embodiment, after forming such openings, the resin film 20 may be thermally cured. Then, the carrier substrate 30 is peeled off.

また、必要に応じて、デスミア処理を行うことができる。デスミア処理では、開口部の内部に生じたスミアを除去するとともに、上記樹脂膜20の表面を粗化できる。 If necessary, a desmear process can be performed. The desmear process removes smears that have formed inside the openings and roughens the surface of the resin film 20.

上記デスミア処理の方法は特に限定されないが、たとえば、以下のように行うことができる。まず、樹脂膜20を積層したコア層100を、有機溶剤を含む膨潤液に浸漬し、次いでアルカリ性過マンガン酸塩水溶液に浸漬し、中和して粗化処理することができる。有機溶剤としては、ジエチレングリコールモノブチルエーテルやエチレングリコール等を用いる事ができる。このような膨潤液として、例えば、アトテックジャパン社製の「スウェリングディップ セキュリガント P」が挙げられる。過マンガン酸塩としては、たとえば過マンガン酸カリウム、過マンガン酸ナトリウム等を用いることができる。膨潤液や過マンガン酸塩水溶液の液温としては、例えば、50℃以上でもよく、100℃以下でもよい。また、膨潤液や過マンガン酸塩水溶液への浸漬時間は、例えば、1分間以上でもよく、30分間以下でもよい。 The method of the desmearing process is not particularly limited, but can be performed, for example, as follows. First, the core layer 100 on which the resin film 20 is laminated is immersed in a swelling liquid containing an organic solvent, and then immersed in an alkaline permanganate aqueous solution to neutralize and roughen the layer. As the organic solvent, diethylene glycol monobutyl ether, ethylene glycol, etc. can be used. As such a swelling liquid, for example, "Swelling Dip Securigant P" manufactured by Atotech Japan can be used. As the permanganate, for example, potassium permanganate, sodium permanganate, etc. can be used. The liquid temperature of the swelling liquid or the permanganate aqueous solution may be, for example, 50°C or higher and 100°C or lower. The immersion time in the swelling liquid or the permanganate aqueous solution may be, for example, 1 minute or more and 30 minutes or less.

デスミア処理する工程では、上記の湿式のデスミア処理のみを行うことができるが、デスミア処理に加えてプラズマ照射を行っても良い。 In the desmear process, only the wet desmear process described above can be performed, but plasma irradiation may also be performed in addition to the desmear process.

続いて、樹脂膜20、あるいは樹脂膜20上に形成されたプライマー層(不図示)上に、無電解金属めっき膜202を形成する。無電解めっき法の例を説明する。例えば、下地層の表面上に触媒核を付与する。この触媒核としては、特に限定されないが、例えば、貴金属イオンやパラジウムコロイドを用いることができる。引き続き、この触媒核を核として、無電解めっき処理により、無電解金属めっき膜202を形成する。無電解めっきには、例えば、硫酸銅、ホルマリン、錯化剤、水酸化ナトリウム等を含むものを用いることができる。なお、無電解めっき後に、100~250℃の加熱処理を施し、めっき被膜を安定化させることができる。 Next, an electroless metal plating film 202 is formed on the resin film 20 or on a primer layer (not shown) formed on the resin film 20. An example of an electroless plating method will be described. For example, catalytic nuclei are applied to the surface of the base layer. The catalytic nuclei are not particularly limited, but for example, precious metal ions or palladium colloids can be used. Then, using the catalytic nuclei as nuclei, an electroless plating process is performed to form an electroless metal plating film 202. For electroless plating, for example, a solution containing copper sulfate, formalin, a complexing agent, sodium hydroxide, etc. can be used. After electroless plating, a heat treatment at 100 to 250°C can be performed to stabilize the plating film.

続いて、図2(b)に示すように、無電解金属めっき膜202上に所定の開口パターン(開口部206)を有するレジスト204を形成してもよい。この開口パターンは、例えば回路パターンに相当する。レジスト204としては、特に限定されず、公知の材料を用いることができるが、液状およびドライフィルムを用いることができる。微細配線形成の場合には、レジスト204としては、感光性ドライフィルム等を用いることができる。感光性ドライフィルムを用いた一例を説明する。例えば、無電解金属めっき膜202上に感光性ドライフィルムを積層し、非回路形成領域を露光して光硬化させ、未露光部を現像液で溶解、除去する。硬化した感光性ドライフィルムを残存させることにより、レジスト204を形成する。 Next, as shown in FIG. 2B, a resist 204 having a predetermined opening pattern (openings 206) may be formed on the electroless metal plating film 202. This opening pattern corresponds to, for example, a circuit pattern. The resist 204 is not particularly limited and may be any known material, but may be liquid or dry film. In the case of forming fine wiring, the resist 204 may be a photosensitive dry film or the like. An example using a photosensitive dry film will be described. For example, a photosensitive dry film is laminated on the electroless metal plating film 202, the non-circuit formation area is exposed to light to harden, and the unexposed area is dissolved and removed with a developer. The hardened photosensitive dry film is left behind to form the resist 204.

続いて、図2(c)に示すように、少なくともレジスト204の開口パターン内部かつ無電解金属めっき膜202上に、電気めっき処理により、電解金属めっき層208を形成する。電気めっきとしては、特に限定されないが、通常のプリント配線基板で用いられる公知の方法を使用することができ、例えば、硫酸銅等のめっき液中に浸漬させた状態で、めっき液に電流を流す等の方法を使用することができる。電解金属めっき層208は単層でもよく多層構造を有していてもよい。電解金属めっき層208の材料としては、特に限定されないが、例えば、銅、銅合金、42合金、ニッケル、鉄、クロム、タングステン、金、半田のいずれか1種以上を用いることができる。 Next, as shown in FIG. 2(c), an electrolytic metal plating layer 208 is formed by electroplating at least inside the opening pattern of the resist 204 and on the electroless metal plating film 202. Although there is no particular limitation on the electroplating, a known method used in ordinary printed wiring boards can be used, for example, a method of passing an electric current through a plating solution such as copper sulfate while immersed in the plating solution can be used. The electrolytic metal plating layer 208 may be a single layer or may have a multi-layer structure. Although there is no particular limitation on the material of the electrolytic metal plating layer 208, for example, one or more of copper, copper alloy, 42 alloy, nickel, iron, chromium, tungsten, gold, and solder can be used.

続いて、図2(d)に示すように、アルカリ性剥離液や硫酸または市販のレジスト剥離液等を用いて、レジスト204を除去する。 Next, as shown in FIG. 2(d), the resist 204 is removed using an alkaline stripping solution, sulfuric acid, or a commercially available resist stripping solution.

続いて、図2(e)に示すように、電解金属めっき層208が形成されている領域以外領域(開口部210)における無電解金属めっき膜202を除去する。すなわち、電解金属めっき層208をマスクとして、下層の無電解金属めっき膜202を選択的に除去する。例えば、ソフトエッチング(フラッシュエッチング)等を用いることにより、無電解金属めっき膜202を除去することができる。ここで、ソフトエッチング処理は、例えば、硫酸および過酸化水素を含むエッチング液を用いたエッチングにより行うことができる。これにより、所定のパターンを有する金属層220を形成することができる。このように、セミアディティブプロセス(SAP)によって、本実施形態の樹脂膜の硬化物からなる絶縁層上に、無電解金属めっき膜202および電解金属めっき層208で構成される金属層220を形成することができる。 Next, as shown in FIG. 2(e), the electroless metal plating film 202 is removed from the area (opening 210) other than the area where the electrolytic metal plating layer 208 is formed. That is, the electroless metal plating film 202 of the lower layer is selectively removed using the electrolytic metal plating layer 208 as a mask. For example, the electroless metal plating film 202 can be removed by using soft etching (flash etching) or the like. Here, the soft etching process can be performed by etching using an etching solution containing, for example, sulfuric acid and hydrogen peroxide. This allows the metal layer 220 having a predetermined pattern to be formed. In this way, the metal layer 220 composed of the electroless metal plating film 202 and the electrolytic metal plating layer 208 can be formed on the insulating layer made of the cured product of the resin film of this embodiment by the semi-additive process (SAP).

さらに、コア層100および上記ビルドアップ層で構成されるプリント配線基板上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返すことにより、多層にすることができる。
以上により、本実施形態のプリント配線基板が得られる。
Furthermore, a multi-layer structure can be formed by stacking build-up layers as necessary on a printed wiring board composed of the core layer 100 and the above-mentioned build-up layers, and repeating the process of forming interlayer connections and circuits by a semi-additive process.
In this manner, the printed wiring board of the present embodiment is obtained.

続いて、図2(f)に示すように、得られたプリント配線基板上に、必要に応じてビルドアップ層を積層して、セミアディティブプロセスにより層間接続および回路形成する工程を繰り返す。そして、必要に応じて、ソルダーレジスト層230をプリント配線基板の両面又は片面に積層する。 Next, as shown in FIG. 2(f), build-up layers are laminated on the obtained printed wiring board as necessary, and the process of forming interlayer connections and circuits by a semi-additive process is repeated. Then, as necessary, a solder resist layer 230 is laminated on both sides or one side of the printed wiring board.

ソルダーレジスト層230の形成方法は、特に限定されないが、例えば、ドライフィルムタイプのソルダーレジストをラミネートし、露光、および現像により形成する方法、または液状レジストを印刷したものを露光、および現像することにより形成する方法によりなされる。 The method for forming the solder resist layer 230 is not particularly limited, but may be, for example, a method in which a dry film type solder resist is laminated, exposed to light, and developed, or a method in which a liquid resist is printed and then exposed to light and developed.

続いて、リフロー処理を行なうことによって、半導体素子240を配線パターンの一部である接続端子上に、半田バンプ250を介して固着させる。その後、半導体素子240、および半田バンプ250等を封止材層260で覆うように封止する。
以上により、図2(f)に示す、半導体パッケージ200が得られる。
Next, a reflow process is performed to fix the semiconductor element 240 onto the connection terminals, which are part of the wiring pattern, via the solder bumps 250. Thereafter, the semiconductor element 240, the solder bumps 250, etc. are covered with a sealing material layer 260 for sealing.
As a result of the above, a semiconductor package 200 shown in FIG.

以上、本発明の実施形態について述べたが、これらは本発明の例示であり、上記以外の様々な構成を採用することができる。また、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれる。 The above describes the embodiments of the present invention, but these are merely examples of the present invention, and various configurations other than those described above can be adopted. Furthermore, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and modifications and improvements within the scope of the present invention are included in the present invention.

以下、本発明について実施例を参照して詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例の記載に何ら限定されるものではない。 The present invention will be described in detail below with reference to examples, but the present invention is not limited to the description of these examples.

(樹脂組成物の調製)
表1に示す固形分割合で各成分を溶解または分散させ、メチルエチルケトンで不揮発分70質量%となるように調整し、高速撹拌装置を用い撹拌して、ワニス状の樹脂組成物(樹脂ワニスP)を調製した。
なお、表1における各成分の配合割合を示す数値は、樹脂組成物の固形分全体に対する各成分の配合割合(質量%)を示している。
(Preparation of Resin Composition)
Each component was dissolved or dispersed in the solid content ratio shown in Table 1, adjusted with methyl ethyl ketone so that the non-volatile content was 70 mass %, and stirred using a high-speed stirrer to prepare a varnish-like resin composition (resin varnish P).
The numerical values showing the blending ratio of each component in Table 1 indicate the blending ratio (mass %) of each component relative to the total solid content of the resin composition.

表1における各成分の原料の詳細は下記のとおりである。
(A)変性ポリフェニレンエーテル:末端メタクリル基変性ポリフェニレンエーテル、「SA9000」SABICイノベーティブプラスチックス社製
(B)マレイミド化合物:ビフェニルアラルキル型マレイミド化合物、「MIR-3000-70MT」日本化薬社製
(C)インデン樹脂:末端にフェノール基を含むインデン・クマロン・スチレン共重合体(日塗化学社製、V-120S、重量平均分子量:950、水酸基価:30mg KOH/g)
(D)ポリブタジエン系エラストマー:ポリブタジエン、「B-1000」日本曹達社製
(E)不飽和二重結合を有するフェノール:アリルフェノール、「FATC-809」群栄化学社製
(F)多官能性ビニル化合物:トリアリルイソシアネート、架橋剤、「TAIC」三菱ケミカル社製
(G)無機充填材:シリカ粒子、「SC4050」、アドマテックス社製、(均粒径1.1μm、表面がアミノフェノキシシラン処理されたもの)
(H)難燃剤:縮合型リン酸エステル「PX-200」大八化学工業社製
(その他)
・重合開始剤:1,4-ビス[(t-ブチルパーオキシ)イソプロピル]ベンゼン「パーブチルP」日油社製
Details of the raw materials for each component in Table 1 are as follows.
(A) Modified polyphenylene ether: polyphenylene ether modified with a terminal methacrylic group, "SA9000" manufactured by SABIC Innovative Plastics (B) Maleimide compound: biphenylaralkyl-type maleimide compound, "MIR-3000-70MT" manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd. (C) Indene resin: indene-coumarone-styrene copolymer containing a phenol group at the end (manufactured by Nippon Paint Chemical Co., Ltd., V-120S, weight average molecular weight: 950, hydroxyl value: 30 mg KOH/g)
(D) Polybutadiene-based elastomer: polybutadiene, "B-1000" manufactured by Nippon Soda Co., Ltd. (E) Phenol having an unsaturated double bond: allylphenol, "FATC-809" manufactured by Gun-ei Chemical Co., Ltd. (F) Multifunctional vinyl compound: triallyl isocyanate, crosslinking agent, "TAIC" manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation (G) Inorganic filler: silica particles, "SC4050" manufactured by Admatechs Co., Ltd. (average particle size 1.1 μm, surface treated with aminophenoxysilane)
(H) Flame retardant: Condensed phosphate ester "PX-200" manufactured by Daihachi Chemical Industry Co., Ltd. (others)
Polymerization initiator: 1,4-bis[(t-butylperoxy)isopropyl]benzene "Perbutyl P" manufactured by NOF Corporation

各実施例および各比較例において、得られた樹脂ワニスP(樹脂組成物)を用い、次のようにして、プリプレグ、金属箔付き樹脂基板、プリント配線板を作成した。 In each of the examples and comparative examples, the obtained resin varnish P (resin composition) was used to prepare a prepreg, a resin substrate with metal foil, and a printed wiring board as follows.

(プリプレグおよび金属箔付き積層板の作製)
得られた樹脂ワニスを、ガラス織布(クロスタイプ♯1078、NEガラス、坪量44g/m)に塗布装置で含浸させ、140℃の熱風乾燥装置で10分間乾燥して、厚さ70μmのプリプレグを得た。
プリプレグの両面に極薄銅箔(三井金属鉱業社製、マイクロシンFL、1.5μm)を重ね合わせ、圧力3MPa、温度225℃で2時間加熱加圧成形することにより、金属箔付き積層板を得た。得られた金属箔付き積層板のコア層(樹脂基板からなる部分)の厚みは、0.070mmであった。
(Preparation of prepregs and laminates with metal foil)
The obtained resin varnish was impregnated into a glass woven fabric (cloth type #1078, NE glass, basis weight 44 g/m 2 ) using a coating device, and dried for 10 minutes in a hot air dryer at 140° C. to obtain a prepreg with a thickness of 70 μm.
Ultra-thin copper foil (Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., Microthin FL, 1.5 μm) was laminated on both sides of the prepreg, and the laminate was heated and pressurized for 2 hours at a pressure of 3 MPa and a temperature of 225° C. to obtain a laminate with metal foil. The thickness of the core layer (portion made of resin substrate) of the obtained laminate with metal foil was 0.070 mm.

(プリント配線板の作製)
得られた金属箔付き積層板を用いて、ドリル機で所定のところを開孔して、無電解めっきにより、導通を図り、銅箔をエッチングして回路形成面を有する残銅60%のコア層を作製した。次いで、コア層の両面にプリプレグ1を配置して、極薄銅箔(三井金属鉱業社製、マイクロシンFL、1.5μm)を重ね合わせ、圧力3MPa、温度225℃で2時間加熱加圧成形した。つぎに、得られた積層板に炭酸レーザーによりビア孔を形成した。ビア内を60℃の膨潤液(アトテックジャパン社製、スウェリングディップ セキュリガント P)に5分間浸漬し、さらに80℃の過マンガン酸カリウム水溶液(アトテックジャパン社製、コンセントレート コンパクト CP:過マンガン酸ナトリウム濃度60g/l、NaOH濃度45g/l)に15分浸漬後、中和して粗化処理をおこなった。
これを脱脂、触媒付与、活性化の工程を経た後、無電解銅めっき皮膜を約0.5μm形成し、レジストを形成し、無電解銅めっき皮膜を給電層としてパターン電気めっき銅20μm形成させ、回路加工を施した。つぎに、熱風乾燥装置にて200℃で60分間アニール処理を行った後、フラッシュエッチングで給電層を除去した。次いで、ソルダーレジスト層を形成し、半導体素子搭載パッドなどが露出するように開口部を形成した。最後に、ソルダーレジスト層から露出した回路層上へ、無電解ニッケルめっき層3μmと、さらにその上へ、無電解金めっき層0.1μmとからなるめっき層を形成し、得られた基板を50mm×50mmサイズに切断し、プリント配線板を得た。
(Fabrication of printed wiring boards)
Using the obtained laminate with metal foil, a drill was used to open a predetermined portion, and the conductive layer was formed by electroless plating. The copper foil was etched to produce a core layer with a circuit formation surface and a remaining copper of 60%. Next, prepreg 1 was placed on both sides of the core layer, and ultra-thin copper foil (Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd., Microsyn FL, 1.5 μm) was superimposed, and the laminate was heated and pressurized for 2 hours at a pressure of 3 MPa and a temperature of 225 ° C. Next, via holes were formed in the obtained laminate by a carbon dioxide laser. The inside of the via was immersed in a swelling liquid (Atotech Japan, Swelling Dip Securigant P) at 60 ° C. for 5 minutes, and further immersed in an aqueous potassium permanganate solution (Atotech Japan, Concentrate Compact CP: sodium permanganate concentration 60 g / l, NaOH concentration 45 g / l) at 80 ° C. for 15 minutes, and then neutralized and roughened.
After the process of degreasing, catalyst application, and activation, an electroless copper plating film of about 0.5 μm was formed, a resist was formed, and a pattern of electroplated copper of 20 μm was formed using the electroless copper plating film as a power supply layer, and a circuit was processed. Next, an annealing treatment was performed for 60 minutes at 200 ° C. in a hot air drying device, and then the power supply layer was removed by flash etching. Next, a solder resist layer was formed, and an opening was formed so that the semiconductor element mounting pad and the like were exposed. Finally, a plating layer consisting of an electroless nickel plating layer of 3 μm and an electroless gold plating layer of 0.1 μm was formed on the circuit layer exposed from the solder resist layer, and the obtained board was cut into a size of 50 mm × 50 mm to obtain a printed wiring board.

上記樹脂ワニスP(樹脂組成物)を用いて得られた、プリプレグ、金属箔付き積層板、プリント配線板について、以下の評価項目に基づいて評価を行い、表2に示す判定基準に従い評価を行った。結果を表1に示した。なお、表2中、数値範囲を示す「~」は、下限値以上上限値未満、または、下限値超上限値以下を示す。 The prepregs, metal foil laminates, and printed wiring boards obtained using the above resin varnish P (resin composition) were evaluated based on the following evaluation items and in accordance with the criteria shown in Table 2. The results are shown in Table 1. In Table 2, the range of values "-" indicates a range between the lower limit and the upper limit, or between the lower limit and the upper limit.

1)ピール強度
ピール強度測定は、JISC6481に準拠して行った。尚、サンプルは金属箔付き樹脂基板を電気めっき銅30μmとしたものを用いた
1) Peel strength The peel strength was measured in accordance with JIS C 6481. The sample used was a resin substrate with metal foil and electroplated copper of 30 μm.

2)めっき銅のHAST後ピール強度
得られた金属箔付き積層板を用いて、JISC-6481:1996に準拠して、上述の粗化処理後の23℃におけるめっき銅のピール強度を測定した。なお、前処理として温度130℃、湿度85%、時間100時間の吸湿処理を行った。
2) Peel strength of plated copper after HAST Using the obtained laminate with metal foil, the peel strength of the plated copper after the above-mentioned roughening treatment was measured at 23°C in accordance with JIS C-6481: 1996. Note that as a pretreatment, a moisture absorption treatment was performed at a temperature of 130°C, a humidity of 85%, and for 100 hours.

3)ガラス転移温度
動的粘弾性装置を用いて、JISC-6481(DMA法)に準拠しておこなった。なお、サンプルは金属箔付き積層板をエッチングして銅を除去したものを用いた。
3) Glass transition temperature: The glass transition temperature was measured using a dynamic viscoelasticity device in accordance with JIS C-6481 (DMA method). The sample used was a laminate with a metal foil from which copper had been removed by etching.

4)熱膨張係数
熱膨張係数は、TMA(熱機械的分析)装置(TAインスツルメント社製、Q400)を用いて、4mm×20mmの試験片を作製し、温度範囲30~300℃、10℃/分、荷重5gの条件で2サイクル目の50~100℃における線膨張係数(CTE)を測定した。なお、サンプルは金属箔付き積層板をエッチングして銅を除去したものを用いた
4) Thermal expansion coefficient The thermal expansion coefficient was measured by preparing a 4 mm x 20 mm test piece using a TMA (thermomechanical analysis) device (Q400, manufactured by TA Instruments) and measuring the linear expansion coefficient (CTE) at 50 to 100°C in the second cycle under the conditions of a temperature range of 30 to 300°C, 10°C/min, and a load of 5 g. The sample used was a laminate with metal foil that had been etched to remove the copper.

5,6)誘電正接
金属箔付き積層板をエッチングして銅を除去したものを10GHzの空洞共振器を用いて測定した。
5, 6) Dielectric loss tangent The laminate with metal foil was etched to remove the copper, and the dielectric loss tangent was measured using a 10 GHz cavity resonator.

7)成形性
成形性は、上記のプリント配線板の外層銅箔を全面エッチング後に内層パターンへの埋め込み性を目視、および断面観察を実施し評価した。
7) Moldability The moldability was evaluated by visually inspecting the embeddability of the outer copper foil of the printed wiring board in the inner layer pattern and by observing the cross section after etching the entire surface of the outer copper foil.

8)吸湿半田耐熱
50mm×50mm角のサンプルの片面の半分以外の、金属箔付き積層板の全銅箔をエッチング除去し、プレシッヤークッカー試験機(エスペック社製)で121℃、2気圧で所定時間処理後、260℃の半田槽に60秒間フロートさせて、外観変化の異常の有無を目視にて観察した。
8) Moisture absorption solder heat resistance All of the copper foil of a metal foil-attached laminate was removed by etching except for half of one side of a 50 mm × 50 mm square sample, and the sample was treated for a predetermined time at 121°C and 2 atm in a pressure cooker tester (manufactured by Espec Corp.), and then floated in a solder bath at 260°C for 60 seconds, and the presence or absence of abnormal changes in appearance was visually observed.

9)レーザー加工性
上記のプリント配線板のビアホール底部の周囲を走査電子顕微鏡(SEM)にて観察し、得られた画像からビアホール底部の壁面からの最大スミア長を測定した。スミア除去性は、以下の基準に従って評価した。
9) Laser processability The periphery of the bottom of the via hole of the printed wiring board was observed with a scanning electron microscope (SEM), and the maximum smear length from the wall surface of the bottom of the via hole was measured from the obtained image. The smear removability was evaluated according to the following criteria.

10)絶縁性
スルーホール絶縁信頼性は、上記のプリント配線板のスルーホール壁間を0.1mmで、印加電圧5.5V、温度130℃湿度85%の条件で、連続測定で評価した。なお、絶縁抵抗値が106Ω未満となる時点で終了とした。
10) Insulation The through-hole insulation reliability was evaluated by continuous measurement at a through-hole wall distance of 0.1 mm in the printed wiring board, under conditions of an applied voltage of 5.5 V, a temperature of 130° C., and a humidity of 85%. The measurement was terminated when the insulation resistance value became less than 106Ω.

11)燃焼性
上記で説明した金属箔付き積層板の製造工程において、上記プリプレグを5枚重ね、その両面に12μmの銅箔を重ねて、圧力3MPa、温度225℃で2時間加熱加圧成形し、厚さ0.35mmの両面銅張積層板を得た。上記で得られた両面銅張積層板の銅箔をエッチングし、UL-94規格に従い垂直法により測定した。
11) Flammability In the manufacturing process of the metal foil-attached laminate described above, five of the prepregs were stacked, and 12 μm copper foil was stacked on both sides of the stack, followed by heat-pressure molding at a pressure of 3 MPa and a temperature of 225° C. for 2 hours to obtain a double-sided copper-clad laminate having a thickness of 0.35 mm. The copper foil of the double-sided copper-clad laminate obtained above was etched, and the flammability was measured by the vertical method according to the UL-94 standard.

Figure 0007476574000011
Figure 0007476574000011

Figure 0007476574000012
Figure 0007476574000012

10 キャリア付樹脂膜
20 樹脂膜
30 キャリア基材
50 カバーフィルム
100 コア層
102 絶縁層
104 ビアホール
106 無電解金属めっき膜
108 金属層
200 半導体パッケージ
202 無電解金属めっき膜
204 レジスト
206 開口部
208 電解金属めっき層
210 開口部
220 金属層
230 ソルダーレジスト層
240 半導体素子
250 半田バンプ
260 封止材層
10 Resin film with carrier 20 Resin film 30 Carrier base material 50 Cover film 100 Core layer 102 Insulating layer 104 Via hole 106 Electroless metal plating film 108 Metal layer 200 Semiconductor package 202 Electroless metal plating film 204 Resist 206 Opening 208 Electrolytic metal plating layer 210 Opening 220 Metal layer 230 Solder resist layer 240 Semiconductor element 250 Solder bump 260 Sealing material layer

Claims (16)

以下の成分(A)~(C)を含む、樹脂組成物。
(A)当該樹脂組成物の樹脂固形分100重量部に対して、1重量部以上30重量部以下の量で含まれる、ポリフェニレンエーテルの分子末端のフェノール性水酸基を炭素-炭素不飽和二重結合を有する化合物により変性された変性ポリフェニレンエーテル
(B)当該樹脂組成物の樹脂固形分100重量部に対して、5重量部以上40重量部以下の量で含まれるマレイミド化合物
(C)当該樹脂組成物の樹脂固形分100重量部に対して、1重量部以上20重量部以下の量で含まれるインデン樹脂
A resin composition comprising the following components (A) to (C):
(A) a modified polyphenylene ether in which a phenolic hydroxyl group at a molecular end of a polyphenylene ether is modified with a compound having a carbon-carbon unsaturated double bond, the modified polyphenylene ether being contained in an amount of 1 part by weight or more and 30 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of the resin solid content of the resin composition; (B) a maleimide compound being contained in an amount of 5 parts by weight or more and 40 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of the resin solid content of the resin composition; (C) an indene resin being contained in an amount of 1 part by weight or more and 20 parts by weight or less relative to 100 parts by weight of the resin solid content of the resin composition.
前記樹脂組成物の硬化物の10GHzにおける誘電正接が、0.006以下である、請求項1に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1, wherein the dielectric tangent of the cured product of the resin composition at 10 GHz is 0.006 or less. さらに、以下の成分(D)を含む、請求項1または2に記載の樹脂組成物。
(D)ポリブタジエン系エラストマー
The resin composition according to claim 1 or 2, further comprising the following component (D):
(D) Polybutadiene-based elastomer
成分(B)と成分(D)の重量比(B/D)が、0.5~8である、請求項3に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 3, wherein the weight ratio (B/D) of component (B) to component (D) is 0.5 to 8. 成分(A)の重量平均分子量が500以上5,000以下である、請求項1乃至いずれか一項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 1 , wherein the weight average molecular weight of the component (A) is 500 or more and 5,000 or less. さらに、以下の成分(E)を含む、請求項1乃至いずれか一項に記載の樹脂組成物。
(E)不飽和二重結合を有するフェノール
The resin composition according to claim 1 , further comprising the following component (E):
(E) Phenol having an unsaturated double bond
さらに、以下の成分(F)を含む、請求項1乃至いずれか一項に記載の樹脂組成物。
(F)多官能性ビニル化合物
The resin composition according to claim 1 , further comprising the following component (F):
(F) Polyfunctional vinyl compound
さらに、以下の成分(G)を含む、請求項1乃至いずれか一項に記載の樹脂組成物。
(G)無機充填材
The resin composition according to claim 1 , further comprising the following component (G):
(G) Inorganic filler
成分(G)の含有量が、樹脂固形分100重量部に対して、50重量部以上80重量部以下である、請求項に記載の樹脂組成物。 The resin composition according to claim 8 , wherein the content of the component (G) is 50 parts by weight or more and 80 parts by weight or less per 100 parts by weight of the resin solid content. さらに、以下の成分(H)を含む、請求項1乃至いずれか一項に記載の樹脂組成物。
(H)難燃剤
The resin composition according to claim 1 , further comprising the following component (H):
(H) Flame retardants
請求項1乃至10いずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物。 A cured product of the resin composition according to any one of claims 1 to 10 . 請求項1乃至10いずれか一項に記載の樹脂組成物中に繊維基材を含むプリプレグ。 A prepreg comprising a fiber base material in the resin composition according to any one of claims 1 to 10 . 請求項12に記載のプリプレグの少なくとも一方の面上に金属層を配置してなる積層板。 A laminate comprising the prepreg according to claim 12 and a metal layer disposed on at least one surface of the prepreg. キャリア基材と、
前記キャリア基材上に設けられた、請求項1乃至10いずれか一項に記載の樹脂組成物からなる樹脂膜と、
を備える、キャリア付樹脂膜。
A carrier substrate;
A resin film formed on the carrier substrate and made of the resin composition according to claim 1 ;
A resin film with a carrier.
請求項1乃至10いずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物で構成された絶縁層を備える、プリント配線基板。 A printed wiring board comprising an insulating layer made of a cured product of the resin composition according to claim 1 . 請求項15に記載のプリント配線基板と、
前記プリント配線基板の回路層上に搭載された、または前記プリント配線基板に内蔵された半導体素子と、を備える、半導体装置。
The printed wiring board according to claim 15 ;
a semiconductor element mounted on a circuit layer of the printed wiring board or embedded in the printed wiring board.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003115219A (en) 2001-10-04 2003-04-18 Sumitomo Chem Co Ltd Resin composition for covering wire or cable
JP2004131638A (en) 2002-10-11 2004-04-30 Nippon Steel Chem Co Ltd Curable resin composition
WO2005073264A1 (en) 2004-01-30 2005-08-11 Nippon Steel Chemical Co., Ltd. Curable resin composition
JP2019194307A (en) 2018-04-27 2019-11-07 パナソニックIpマネジメント株式会社 Resin composition, prepreg, film with resin, metal foil with resin, metal-clad laminate, and wiring board
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