JP7453238B2 - ３－ｄ ｉｃ用途用レーザー離型性接着材料 - Google Patents

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本願は、２０１９年１月２２日提出の、ＬＡＳＥＲ－ＲＥＬＡＳＥＡＢＬＥ ＢＯＮＤＩＮＧ ＭＡＴＥＲＩＡＬＳ ＦＯＲ ３－Ｄ ＩＣ ＡＰＰＬＩＣＡＴＩＯＮＳ（３－Ｄ ＩＣ用途用レーザー離型性接着材料）と題した米国特許仮出願第６２／７９５，０９２号の優先権の利益を主張するものであり、その全体を参照して本明細書に援用する。
発明の分野
本発明は、一時ウェーハ接着プロセスにおいて使用するための、または再配線層を形成する際のビルドアップ層として使用するためのレーザー離型性組成物に関する。
先行技術の説明
一時ウェーハ接着（「ＴＷＢ」）は、通常、重合性接着材料によってデバイスウェーハまたはマイクロエレクトロニクス基板をキャリアウェーハまたは基板に取り付けるプロセスを意味している。接着後、デバイスウェーハは、一般的には５０μｍ未満まで薄膜化されてもよく、さらに／あるいは、その裏側上にシリコン貫通電極（「ＴＳＶ」）、再配線層、接着パッド、およびその他の回路形態を作製する処理が行われてもよい。キャリアウェーハは、周囲温度と高温（＞２５０℃）との間で繰り返されるサイクル、ウェーハ取扱いおよび搬送工程による機械的衝撃、およびデバイスウェーハを薄膜化するために用いられるウェーハ裏面研削処理の際に押し付けられるような強い機械力を必然的に伴い得る裏面処理の間、脆弱なデバイスウェーハを支持する。この処理の全てが完了した際、デバイスウェーハはたいていフィルムフレームに取り付けられ、続いてキャリアウェーハから分離され（即ち、剥離され）、その後の操作が行われる前に洗浄される。
ほとんどのＴＷＢプロセスは、デバイス基板とキャリア基板との間の１または２層を使用する。ＴＷＢプロセスに応じて、デバイスおよびキャリア基板は、化学剥離、熱スライド剥離、機械剥離、あるいはレーザー剥離など様々な分離方法によって分離することができ、後者が好ましい剥離方法となる。１層のレーザー剥離システムの場合、接着層はレーザーまたはその他の光源からの照射に応じて層自体の分解を引き起こし、構造内で接着の完全性が失われ、機械力を加えることなく崩壊させる。２層のレーザー剥離システムの場合、第２の重合性接着材料層が利用され、通常、デバイス表面に隣接している。第２の層は、レーザー感受性層の後処理破壊および接着したウェーハ対の分離後、デバイスウェーハ表面から取り除きやすい。
レーザーで誘導される離型材料は、紫外線（例えば、２４８ｎｍ、３０８ｎｍおよび３５５ｎｍ）から近赤外線（例えば、１０６４ｎｍ）の波長の範囲のレーザー波長での動作に利用可能である。レーザー離型技術は、大型パネルであっても、離型プロセスの際の高い処理力および低いストレス、有効な薄型基板の取り扱い、および適用の容易さを提供する。一時接着、ファンアウトウェーハレベルパッケージング、ラミネーション、シリコン貫通電極（ＴＳＶ）を使用する２．５Ｄ／３Ｄ集積、システムインパッケージング（「ＳｉＰ」）、パッケージオンパッケージ（「ＰｏＰ」）、およびその他の異種インテグレーションインフラストラクチャなどのパッケージ領域において異なる用途で利用できるレーザー離型技術が必要とされる。この技術は、高い感度を有し、したがってより低いエネルギー付与、より短い剥離時間、および剥離後のより少ない残屑を可能にするレーザー離型材料を必要とする。
本発明は、広く、
背面および前面を有する第１基板と、
前面に隣接する接着層と、
第１面を有する第２基板と、
第１面および接着層の間の離型層であり、ポリケタニルを含む離型層と、を含むスタックを用意することを含む一時接着方法を含む。離型層は、第１および第２基板の分離を容易にするために、レーザーエネルギーに曝される。
本発明は、また、
背面および前面を有する第１基板と、
前面に隣接する接着層と、
第１面を有する第２基板と、
第１面および接着層の間の離型層であり、ポリケタニルを含む離型層と、を含むマイクロエレクトロニクス構造を提供する。
別の実施形態において、本発明は、また、離型層を形成する方法を提供する。方法は、ガラスまたは他の透明材料を含む基板表面に組成物を塗布することを含む。組成物は、溶媒系中に溶解または分散させたポリケタニルを含む。組成物を約６０℃～約３５０℃の温度で加熱して離型層を形成する。
さらに別の実施形態において、本発明の方法は、基板の表面上にビルドアップ層を形成することを含む。ビルドアップ層は、ポリケタニルを含み、基板の表面から遠く離れた上面を有する。第１再配線層は、上面上に形成され、任意的に１つまたは複数の追加の再配線層が第１再配線層上に形成される。
さらに別の実施形態において、マイクロエレクトロニクス構造は、表面を有する基板を含む。ビルドアップ層は、基板表面上にあり、ポリケタニルを含み、基板表面から遠く離れた上面を有する。上面上には、第１再配線層が存在する。
本発明の別の実施形態は、以下の繰り返しモノマーを含む重合体を提供する。
Ｒ１～Ｒ４のそれぞれは、同一でも異なっていてもよく、
独立して、水素、アルキル、アルコキシ、水酸基、およびポリエチレングリコール鎖からなる群から選択される。
図１は、本発明の一実施形態による一時接着プロセスの概略図の断面図である。 図２は、本発明の別の実施形態による再配線層形成を示す概略図である。 図３は、実施例３で求めたｎおよびｋ値のスペクトルを示すグラフである。
詳細な説明
本発明は、新規なレーザー離型性組成物、またはビルドアップ組成物、ならびにそれらの組成物を使用する方法に関する。
レーザー離型性またはビルドアップポリマーおよび組成物
１．ポリケタニル
本発明で使用される組成物は、ポリケチミンと称されることもあるポリケタニルを含む。ケタニル結合は、ケトン基およびアミン基の間で形成される結合である。この結合は、好ましくは窒素原子と二重結合した炭素原子を含む。二重結合の一部である炭素原子は、好ましくは他の２つの炭素原子（その一方または両方が好ましくは芳香族構造の一部である）と結合し、それと同時に、二重結合の一部である窒素原子は、好ましくは、芳香族構造の一部である他の炭素原子と結合している。上記芳香族構造は好ましくはフェニル基である。フェニル基の環員は非置換でもよく、あるいは置換されていてもよい（例えば、－ＮＨ２で置換）。
好ましい実施形態において、本発明で用いられるポリケタニルはアミン官能基およびケトン官能基を有するモノマーから重合される。また、モノマーは芳香族部分を含み、アミン官能基およびケトン官能基のどちらも芳香族部分と結合している。このモノマーの好ましい構造は、以下の通りであり、
Ｒ１～Ｒ４のそれぞれは、同一または異なっていてもよく、
Ｒ１～Ｒ４のそれぞれは、水素、アルキル（好ましくはＣ１～Ｃ１０、より好ましくはＣ１～Ｃ６)、アルコキシ（好ましくはＣ１～Ｃ１０、より好ましくはＣ１～Ｃ６)、水酸基およびポリエチレングリコール鎖（好ましくはＣ１～Ｃ１０、より好ましくはＣ１～Ｃ６)からなる群から選択される。
いくつかの実施形態では、多すぎる又は非常に多い置換基はポリケタニル形成反応を妨げる可能性のある立体障害を生じ得るので、Ｒ１～Ｒ４の１つまたは複数が水素であることが好ましい。上記構造による特に好ましいモノマーは、４’－アミノアセトフェノン（即ち、Ｒ１～Ｒ４のそれぞれが水素）である。
本発明で用いられる好ましいポリケタニルはポリマーまたはオリゴマーであってもよいが、ポリマー化またはオリゴマー化されると、モノマーは約１００ｎｍ～約５００ｎｍ、より好ましくは約３００ｎｍ～約４００ｎｍの波長の光を吸収し、したがってポリケタニルに光吸収性を与える。有利なことには、ポリケタニル構造から形成されるイミン構造が中程度から高度の共役を作り出し、ＵＶ波長で強力なレーザー吸収をもたらす。好ましいポリケタニルは以下の構造を有し、
Ｒ１～Ｒ４のそれぞれは、同一または異なっていてもよく、
Ｒ１～Ｒ４のそれぞれは、水素、アルキル（好ましくはＣ１～Ｃ１０、より好ましくはＣ１～Ｃ６)、アルコキシ（好ましくはＣ１～Ｃ１０、より好ましくはＣ１～Ｃ６)、水酸基およびポリエチレングリコール鎖（好ましくはＣ１～Ｃ１０、より好ましくはＣ１～Ｃ６)からなる群から選択される。
重ねて、上記ポリマー化された構造では、Ｒ１～Ｒ４のそれぞれが水素であることが特に好ましい。
上記ポリケタニルはシッフ塩基反応を用いて合成されてもよい。上述の通り、ポリケタニルは一般的にアミンおよびケトンの間の反応によって形成され、ポリケタニルの繰り返し構造にケタニル結合を形成する。この反応は高温、好ましくは約１８０℃を上回る温度で、酸触媒の存在下で行われる。反応を進行させ、反応が逆戻りする力を低減するために、反応から水を取り除くべきである。
重合時に用いる好適な触媒として、硫酸、ｐ－トルエンスルホン酸（ｐＴＳＡ）、塩酸、その他の強酸およびそれらの混合物からなる群から選択されるものが挙げられる。沸点が高い弱酸や、塩化亜鉛などの金属系ルイス酸も好適である。存在する触媒の量は一般的に、モノマーのモル数に基づいて、モルパーセントで約０．１％～約５％、好ましくはモルパーセントで約０．５％～約１．５％である。
重合系に用いる好適な溶剤としては、ガンマブチロラクトン（ＧＢＬ）、ｎ－メチル－２－ピロリドン（ＮＭＰ）、ジメチルアセトアミド（ＤＭＡｃ）、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）、ベンジルアルコール、その他の高沸点極性溶媒、およびそれらの混合物からなる群から選択されるものが挙げられる。溶剤は、一般的に、反応混合物における組成物の合計重量を１００ｗｔ％とした場合、約２０ｗｔ％～約８０ｗｔ％、好ましくは約３０ｗｔ％～約７０ｗｔ％の溶剤のレベルで重合時に存在し、固形分は残部である。
重合反応は、約１５０℃～約３００℃、より好ましくは約１８０℃～約２００℃の温度で、約１２時間～約６０時間、より好ましくは約２４時間～約４８時間行われる。反応時に生成される水／溶剤混合物は、反応を進行させるために、好ましくは取り除かれる。粗生成物を、好ましくは、アルコール中で沈殿させ、真空下で乾燥させる。
ポリケタニルがどのように形成されるかにかかわらず、好ましくは、ＧＰＣによって測定され、約１，０００ダルトン～約１００，０００ダルトン、好ましくは約１，５００ダルトン～約５０，０００ダルトン、より好ましくは約２，０００ダルトン～約１０，０００ダルトンの重量平均分子量を有する。
２．ポリケタニル組成物
本発明で用いるレーザー離型性またはビルドアップ組成物は、ポリケタニルおよび任意の成分を溶剤系に単に溶解することによって形成される。好適な溶剤としては、乳酸エチル、シクロペンタノン、シクロヘキサノン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）、プロピレングリコールメチルエーテル（ＰＧＭＥ）、ＧＢＬ、ベンジルアルコールおよびそれらの混合物からなる群から選択されるものが挙げられる。好ましくは、撹拌しながら、溶出を約２４時間かけて行って、実質的に均質な溶液とする。溶液は、使用前に濾過されるのが好ましい。
最終的なレーザー離型性またはビルドアップ組成物は、好ましくは、組成物の合計重量を１００ｗｔ％とした場合、約１ｗｔ％～約４０ｗｔ％の固形分、より好ましくは約３ｗｔ％～約２５ｗｔ％の固形分、さらにより好ましくは約５ｗｔ％～約２０ｗｔ％の固形分を含む。これらの固形分は通常、約１００ｗｔ％のポリケタニルであるが、いくつかの例では、組成物中の固形分の合計重量を１００ｗｔ％とした場合、固形分は約２０ｗｔ％～約１００ｗｔ％のポリケタニル、好ましくは約５０ｗｔ％～約１００ｗｔ％のポリケタニル、より好ましくは約７５ｗｔ％～約１００ｗｔ％のポリケタニルであってもよい。
一つの実施形態では、組成物にポリケタニルおよび溶剤系以外に他の成分が含まれない。つまり、組成物は、溶剤系中のポリケタニルから本質的になるか、またはまさしくそれからなる。
別の実施形態では、組成物はポリケタニルおよび、溶媒系（前述した溶剤など）に分散または溶解させたポリケタニルとは異なる重合体（あるいは１以上の重合体）を含む。この実施形態では、固形分および溶剤は前述の通りであるが、組成物は以下を含む。
・ 組成物中の固形分の合計重量を１００ｗｔ％とした場合、０．１ｗｔ％～約９９．９ｗｔ％のポリケタニル、より好ましくは約１０ｗｔ％～約９０ｗｔ％のポリケタニル、さらにより好ましくは約２５ｗｔ％～約７５ｗｔ％のポリケタニル、および
・ 組成物中の固形分の合計重量を１００ｗｔ％とした場合、０．１ｗｔ％～約９９．９ｗｔ％の非ポリケタニル重合体、より好ましくは約１０ｗｔ％～約９０ｗｔ％の非ポリケタニル重合体、さらにより好ましくは約２５ｗｔ％～約７５ｗｔ％の非ポリケタニル重合体。
別の実施形態では、本明細書中に記載されるポリケタニル組成物に市販の組成物を配合し、その市販の組成物の特性を調整することができる。例えば、ユーザの目標波長（例えば、約３００ｎｍ～約４００ｎｍ）で吸収が十分ではない市販の組成物にポリケタニル組成物を配合して、市販の組成物のその波長での吸収を向上させることができる。この例では、固形分、溶剤、ポリケタニル、および非ポリケタニル重合体それぞれの量は、前の段落に記載されたものと同じになる。
一つの実施形態において、組成物は、本質的に架橋剤を含まない。つまり、組成物は、組成物の合計重量を１００ｗｔ％とした場合、約３ｗｔ％未満、好ましくは約１ｗｔ％未満、さらにより好ましくは約０ｗｔ％の架橋剤を含む。この実施形態では、ポリケタニルは上述の通り、唯一の重合体または重合体ブレンドの１つになり得、先に述べた量にできる。
別の実施形態では、組成物は架橋剤を含む。すなわち、組成物は、ポリケタニルおよび他の重合体の合計重量を１００ｗｔ％とした場合、約０．１ｗｔ％～約２０ｗｔ％の架橋剤、より好ましくは約０．５ｗｔ％～約１０ｗｔ％の架橋剤、さらにより好ましくは約１ｗｔ％～約５ｗｔ％の架橋剤を含む。この実施形態では、ポリケタニルは上述の通り、唯一の重合体または重合体ブレンドの１つになり得、先に述べた量にできる。
別の実施形態では、組成物は１以上のエンキャッピング剤を含む。エンキャッピング剤は、モノマーのアミン官能基またはケトン官能基と反応して、重合反応を遅くする、または止めることができる官能基を含む。好適なエンキャップ剤として、環状無水物（例えば、無水マレイン酸、無水フタル酸およびナフタル酸無水物）、単官能性アルデヒド（例えば、ベンズアルデヒド、ｔｒａｎｓ２－ペンテナールおよび桂皮アルデヒド）、単官能性ケトン（例えば、アセトフェノン、ラズベリーケトンおよび２－アセチルチオフェン）、単官能性１級アミン（例えば、アニリン、ｐ－アニシジンおよび３－アミノ－４－メチルフェノール）、および単官能性カルボン酸（例えば、安息香酸、ｐ－トルイル酸および１－ナフトエ酸）が挙げられる。
正確な処方にかかわらず、組成物は、以下に記載されるプロセスを使用してデバイス基板をキャリア基板に一時的に接着するために、一時接着プロセスにおけるレーザー離型性組成物として使用され得る。さらに、レーザー離型性組成物は、再び以下に記載されるように、再配線層形成プロセスにおけるビルドアップ組成物として使用され得る。
レーザー離型性またはビルドアップ組成物を使用する方法
１．一時接着の実施形態
図１（ａ）（ノンスケール）を参照すると、前駆体構造１０が概略的な断面図で表されている。構造１０は、第１基板１２を含む。基板１２は、前面またはデバイス面１４、背面１６、および最外端１８を有する。基板１２は、どんな形状にもなることができるが、通常は円形状となる。好ましい第１基板１２としては、デバイス面が集積回路と、ＭＥＭＳと、マイクロセンサと、電力半導体と、発光ダイオードと、フォトニック回路と、インターポーザーと、埋め込み型受動デバイスと、シリコンや、シリコン－ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、ヒ化アルミニウムガリウム、リン化アルミニウムインジウム、およびリン化インジウムガリウム等のその他半導体材料上に、またはそれらから製作されるその他マイクロデバイスとからなる群から選択されるデバイスの配列（図示せず）を含むようなデバイスウェーハが挙げられる。これらデバイスの表面は一般に以下の材料の１つまたは複数から形成される構造（これも図示せず）を含む：シリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、（酸）窒化シリコン、金属（例えば、銅、アルミニウム、金、タングステン、タンタル）、低ｋの誘電体、ポリマー誘電体、ならびに種々の金属窒化物と金属珪化物。デバイス面１４は、はんだバンプと、金属ポストと、金属ピラーと、シリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、（酸）窒化シリコン、金属、低ｋの誘電体、ポリマー誘電体、金属窒化物、および金属珪化物からなる群から選択される材料から形成される構造とからなる群から選択される少なくとも１つの構造を含むことができる。
図１（ａ）に示されるように、組成物は第１基板１２に塗布されて、デバイス面１４上に接着層２０を形成する。接着層２０は、第１基板１２から離れた上面２１を有し、好ましくは、接着層２０はデバイス面１４に直接隣接して形成される（すなわち、接着層２０と基板１２との間に中間層が一切ない）。接着層２０は、第１基板１２のデバイス面１４全体を覆うように示されているが、参照して本明細書に援用される米国特許公開第２００９／０２１８５６０号に示されるように、デバイス面１４の部分あるいは「ゾーン」のみに存在してもよいと理解されるだろう。
接着組成物は、ディップコーティング、ローラーコーティング、スロットコーティング、金型コーティング、スクリーン印刷、ドローダウンコーティング、あるいはスプレーコーティングを含む、任意の既知の塗布方法によって塗布することができる。また、被膜は、デバイス基板やキャリア基板表面に塗布される前に自立型フィルムとして形成されてもよい。一つの好ましい方法としては、組成物を約２００ｒｐｍ～約５，０００ｒｐｍ（好ましくは約５００ｒｐｍ～約３，０００ｒｐｍ）のスピードで約５秒間～約１２０秒間（好ましくは約３０秒～約９０秒）、スピンコーティングすることが挙げられる。
組成物を塗布後、約５０℃～約２５０℃、より好ましくは約８０℃～約２２０℃の温度に、約６０秒間～約８分間（好ましくは約９０秒～約６分）加熱するのが好ましい。接着層２０を形成するために使用される組成物に応じて、ベークして架橋反応も開始させ、層２０を硬化することができる。いくつかの実施形態において、使用される組成物に応じて、層に多段階ベーク処理を施すことが好ましい。また、いくつかの例において、上記塗布とベーク処理は組成物のさらなる一定分量で繰り返すことができるので、第１接着層２０は複数の工程において第１基板１２上に「築かれる」。得られた接着層２０は、約１μｍ～約２００μｍ、より好ましくは約１０μｍ～約１５０μｍ、さらにより好ましくは約２０μｍ～約１２０μｍの平均厚さ（５箇所の測定で得た平均）を有するはずである。
接着層２０が作られる材料は、第１基板１２と強力な接着接合を形成することが可能なはずである。ＡＳＴＭ Ｄ４５４１／Ｄ７２３４で測定される付着強度が、約５０ｐｓｉｇ超、好ましくは約８０ｐｓｉｇ～約２５０ｐｓｉｇ、より好ましくは約１００ｐｓｉｇ～約１５０ｐｓｉｇであるものはいずれも、接着層としての使用に望ましいだろう。
有利なことに、接着層２０の形成に使用される組成物は、上記付着特性を有する層を形成可能であって、熱および／または溶剤で除去可能な市販の接着組成物から選択することができる。その典型的な組成物は、有機性で、溶剤系に溶解または分散される重合体またはオリゴマーを含むことになる。重合体またはオリゴマーは一般的に、環状オレフィン、エポキシ、アクリル、シリコン、スチレン、ハロゲン化ビニル、ビニルエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、環状オレフィン、ポリオレフィンゴム、ポリウレタン、エチレンープロピレンゴム、ポリアミドエステル、ポリイミドエステル、ポリアセタール、ポリビニルブチラール、およびそれらの混合物の重合体およびオリゴマーからなる群から選択される。典型的な溶剤系は、重合体またはオリゴマーの選択に依存するだろう。接着組成物の典型的な固形分量は、組成物の合計重量を１００ｗｔ％とした場合、約１ｗｔ％～約６０ｗｔ％、好ましくは約３ｗｔ％～約４０ｗｔ％の範囲である。いくつかの好適な組成物は、参照して本明細書に援用される米国特許公開第２００７／０１８５３１０号、第２００８／０１７３９７０号、第２００９／００３８７５０号および第２０１０／０１１２３０５号に記載されている。
第２の前駆体構造２２も、図１（ａ）において概略的な断面図で表わされている。第２の前駆体構造２２は、第２基板２４を含む。この実施形態において、第２基板２４はキャリアウェーハである。つまり第２基板２４は、前面またはキャリア面２６、背面２８、および最外端３０を有している。第２基板２４はどんな形状にもなることができるが、通常円形状で、第１基板１２と同様の大きさとなる。好ましい第２基板２４としては、透明なウェーハ、もしくはレーザーエネルギーに、ガラス、コーニングのゴリラガラス、およびサファイヤを含む、しかしこれらに限定されない、キャリア基板の通過を可能にさせるその他の（レーザーエネルギーに対して）透明な基板が挙げられる。特に好ましい１つのガラスキャリアウェーハはコーニングのＥＡＧＬＥ ＸＧガラスウェーハである。
図１（ａ）に示されるように、上述のポリケタニル組成物は第２基板２４に塗布されて、キャリア面２６上にレーザー離型層３２を形成する。あるいは、構造２２が既に形成されて提供されていてもよい。離型層３２は、第２基板２４から遠く離れた上面３３と、第２基板２４に隣接する下面３６とを有する。好ましくは、離型層３２はキャリア面２６に直接隣接して形成される（すなわち、第２接着層３２と第２基板２４との間に中間層が一切ない）。
レーザー離型性組成物は、任意の従来の方法によって塗布することができ、１つの好ましい方法としては、約５００ｒｐｍ～約３，０００ｒｐｍ（好ましくは約１，０００ｒｐｍ～約２，０００ｒｐｍ）の速度で、約１０秒間～約１２０秒間（好ましくは約３０秒間～約９０秒間）組成物をスピンコートすることである。組成物を塗布後、約６０℃～約３５０℃、より好ましくは約１４０℃～約２５０℃の温度に、約３０秒間～約２０分間、好ましくは約１分～約１５分加熱するのが好ましい。その後、離型層３２は、約２５０℃～約３５０℃、より好ましくは約２８０℃～約３２０℃の温度で、好ましくは約２分間～約６０分間、より好ましくは約１０分、高温最終ベークに供される。
一つの実施形態において、この最終ベークは、レーザー離型性層３２中に存在する２以上のポリケタニル鎖の間で鎖伸長反応を起こさせて、重合反応を完了に向かわせる。したがって、これらの例において、加熱後に存在するポリケタニル鎖は、加熱前に存在する鎖より分子量が高い。架橋剤を含むいくつかの実施形態において、一方または両方の加熱段階が架橋を起こさせ、これにより、離型層３２において架橋ポリケタニルとなる。
いくつかの実施形態において、使用される組成物に応じて離型層３２に多段階ベーク処理を施すことが好ましい。また、いくつかの例において、上記塗布とベーク処理は組成物のさらなる一定分量で繰り返すことができるので、レーザー離型層は複数の工程において第２基板上に「築かれる」。
実施形態にかかわらず、加熱後、離型層３２の平均厚さは、好ましくは約１０ｎｍ～約５，０００ｎｍ、より好ましくは約１００ｎｍ～約１，０００ｎｍ、さらにより好ましくは約１５０ｎｍ～約７５０ｎｍである。本明細書で用いられる厚さは、任意の膜厚測定ツールを使用して測定することができ、１つの好ましいツールとしては、ＳＵＳＳ Ｍｉｃｒｏｔｅｃ社またはＦｏｏｔｈｉｌｌ社によって販売されているものなどの赤外線干渉計が挙げられる。
さらなる実施形態において、本発明によるポリケタニル組成物は、流動性組成物として適用されるのではなく、予備成形されたドライフィルムに形成され得る。この場合、組成物は、支持されていないにもかかわらず（力またはエネルギーの付与なしに）崩壊または形状変化しない、支持されていない自立型フィルムに形成される。次に、このフィルムを第２基板に付着させて、離型層３２を形成することができる。
レーザー離型層３２は、望ましい波長（すなわち、接着層２０を剥離または分解する波長）において、少なくとも約０．1、好ましくは少なくとも約０．２、より好ましくは少なくとも約０．２４、さらにより好ましくは約０．２４～約０．５のｋ値を有するだろう。レーザー離型層３２は、少なくとも約１．４、好ましくは少なくとも約１．５、より好ましくは少なくとも約１．６、さらにより好ましくは約１．７～約２のｎ値を有するだろう。
図１（ａ）の構造２２を再び参照すると、離型層３２は第２基板２４の全面２６を覆うように示されているが、接着層２０で述べたのと同様に、キャリア面２６の部分あるいは「ゾーン」のみに存在してもよいと理解されるだろう。
次に、構造１０および２２は、対面した関係で一緒にプレスされるため、接着層２０の上面２１は離型層３２の上面３３と接触する（図１（ｂ））。プレスの間、２つの構造１０および２２を合わせて接着を引き起こして、接着したスタック３４を形成するように、十分な圧力と熱が十分な時間加えられる。接着のパラメータは、接着層２０を形成する組成物に依って変化するが、この工程中の通常の温度は、約２５℃～約２５０℃、好ましくは約１５０℃～約２２０℃の範囲であり、通常の圧力は約１，０００Ｎ～約２５，０００Ｎ、好ましくは約３，０００Ｎ～約１０，０００Ｎで、時間は約３０秒間～約２０分間、好ましくは約３分間～約１０分間である。
代替の実施形態においては、接着層２０は、第１基板１２の面１４に塗布されるのではなく、前述した塗布処理を用いて、離型層３２の上面３３に塗布されてもよいと理解されるだろう。この例において、第１基板１２は次に、上記接着処理に供されて、第１基板１２の面１４を、離型層３２の上面３３上に先に形成されていた接着層２０に接着する。
接着したスタックは、接着したスタックの合計平均厚さの約１０％未満、好ましくは合計平均厚さの約５％未満（スタックにわたって５箇所で測定）、さらにより好ましくは合計平均厚さの約３％未満のＴＴＶを有するはずである。すなわち、接着したスタックが１００μｍの平均厚さを有する場合、約１０％未満のＴＴＶは、約１０μｍ以下であるだろう。
接着したスタック３４を形成するためにどの実施形態が用いられたかにかかわらず、第１基板１２はこれで、安全に取り扱うことができ、第２基板２４に接着されていなければ、第１基板１２に損傷を与えたかもしれないその後の処理を受けることができる。よって、その構造には、裏面研削、化学機械研磨（「ＣＭＰ」）、エッチング、金属蒸着（すなわち、メタライゼーション）、誘電堆積、パターニング（例えば、エッチングを介した、フォトリソグラフィ）、不動態化、アニーリング、およびそれらの組み合わせ等の裏面処理を、基板１２および２４の分離を起こすことなく、これらの続いて起こる処理工程の間に発生する何らかの化学物質が侵入することなく、安全に施すことができる。接着層２０および離型層３２がこれらの処理に耐えられるだけでなく、約３００℃以下、好ましくは約１５０℃～約２８０℃、より好ましくは約１８０℃～約２５０℃の処理温度にも、少なくとも約６０分、好ましくは約９０分～約１５時間耐えることができる。
いったん処理が完了すると、基板１２および２４は、レーザーを用いてレーザー離型層３２の全てまたは一部を分解またはアブレーションすることによって、分離することができる。適切なレーザー波長としては、約２００ｎｍ～約４００ｎｍ、好ましくは約３００ｎｍ～約３６０ｎｍの波長が挙げられる。レーザー離型層３２を剥離するために、レーザーは、ウェーハ全体を曝すために、スタンドアンドリピート法またはラインスキャン法で基板２４の表面にわたって走査される。例示的なレーザー剥離ツールとしてＳＵＳＳ Ｍｉｃｒｏｔｅｃ社のＬａｍｂｄａ ＳＴＥＥＬ ２０００レーザー剥離機およびＫｉｎｇｙｏｕｐ社のレーザー剥離機が挙げられる。基板２４は、フィールドサイズ約４０×４０μｍ～約１２．５×４ｍｍでレーザースポットによって走査されるのが好ましい。基板１２、２４の剥離に適したフルエンスは、約１００ｍＪ／ｃｍ２～約４００ｍＪ／ｃｍ２、好ましくは約１５０ｍＪ／ｃｍ２～約３５０ｍＪ／ｃｍ２である。基板１２、２４の剥離に適した出力は、約０．５Ｗ～約６Ｗ、好ましくは約１Ｗ～約２Ｗである。
レーザー露光後、基板１２および２４は容易に分離するだろう。分離後、残っている接着層２０のいずれも、プラズマエッチング、または接着層２０を溶解することが可能な溶剤で除去することができる。
プラズマ洗浄には、Ｏ２プラズマを単独で、あるいはＯ２プラズマとフッ化ガスとを約１：１～約１０：１で組み合わせて、１００Ｗ以上の出力で用いてもよい。
槽またはスピン洗浄処理によって、溶剤洗浄を行ってもよい。適切な溶剤としては非極性接着材料が挙げられ、ｄ－リモネン、メシチレン、Ｉ－ジデセンおよびそれらの組み合わせを含むが、それらに限定されない。極性接着材料の洗浄に好適な溶剤として、ＧＢＬ、シクロペンタノン、ベンジルアルコール、ＤＭＳＯ、シクロヘキサノン、ＰＧＭＥ、ＰＧＭＥＡ、ＮＭＰ、１－３ジオキソランおよびその組み合わせが挙げられる。
スピン洗浄処理を用いる場合、洗浄時間約１分～約１５分行うことが好ましい。スピン洗浄処理において、溶剤は、パドル（溜め）およびソーク（浸し）の組み合わせサイクルでウェーハの中央にスプレーされ、その後、スピンで除去される。パドルおよびソークのサイクルでは、溶剤がウェーハの中央にスプレーされ、約２０ｒｐｍ～約１５０ｒｐｍのスピン速度で溜まりを広げ、溶剤をスプレーしたりウェーハを回転させたりすることなく約３０秒～約９０秒浸す。最終工程において、溶剤は基板の中央に供給され、基板は約７５０ｒｐｍ～約１，５００ｒｐｍのスピン速度でスピンされる。
上記の実施形態において、離型層３２は、キャリアウェーハである第２基板２４上に示され、接着層２０は、デバイスウェーハである第１基板１２上に示される。この基板／層の配置は逆にできることは理解されるだろう。つまり、離型層３２は第１基板１２（デバイスウェーハ）上に形成され、接着層２０は第２基板２４（デバイスウェーハ）上に形成されることができる。レーザーエネルギーが第２基板２４を通過した後に接着層２０を通過することができ、したがってレーザーエネルギーを離型層３２と接触させる接着層２０が選択されることを除いて、上述のものと同じ組成物および処理条件がこの実施形態に適用されるだろう。
加えて、代替の実施形態において、接着層２０および離型層３２は、追加の接着材料、構造的支持層、積層補助層、連結層（初期基板への付着のため）、汚染制御層、および洗浄層と共に、又はそれらとして使用できることは理解されるだろう。好ましい構造および塗布手法は、塗布およびプロセスフローによって必然的に決まるだろう。
２．ビルドアップ層の実施形態
さらなる実施形態において、本明細書に記載されるポリケタニル組成物は、再配線層（「ＲＤＬ」）形成用の、特に、ウェーハまたはパネルレベルプロセスにおけるＲＤＬ－ファースト／チップ－ラストパッケージングにおいて、ビルドアップ層として使用することができ、これはパッケージングの際の既知良品ダイ損失を最小限に抑えるか、または回避するのにも良い。そのようなプロセスの１つの概略を図２に示す。
図２（ａ）に示すように、前述したポリケタニル組成物は、キャリア基板４０の上面３８に塗布されて、キャリア面３８上にレーザー離型性ビルドアップ層４２を形成する。ビルドアップ層４２は、処理条件および結果として得られる特性を含む、上記の一時接着の実施形態に関して記載された方法のいずれかに従って形成される。ビルドアップ層４２は、キャリア基板４０から遠く離れた上面４４を有し、好ましくは、ビルドアップ層４２は、キャリア基板４０の上面３８上に直接形成される（すなわち、ビルドアップ層４２と基板４０との間に中間層が一切ない）。
次に、従来の方法に従って、シード層４６が上面４４上に堆積される（図２（ｂ））。次に、再び公知の方法に従って、シード層４６をフォトレジストでコーティングし、パターニングし、電気めっきして、図２（ｃ）に示す構造を形成することができる。図２（ｄ）を参照すると、フォトレジストが剥離され、金属がエッチングされ、その後、誘電体層がコーティングされ、パターニングされ、硬化される。これにより、図２（ｅ）に示すように、第１ＲＤＬ４８が形成される。図２（ｂ）～図２（ｅ）の工程を、必要に応じて複数回繰り返して、複数のＲＤＬ（図２（ｆ）に示す実施形態において、４８（ａ）～（ｄ）、すなわち４つのＲＤＬ）を作製することができる。
図２（ｇ）を参照すると、所望の数のＲＤＬが形成された後、再び従来の方法に従って、はんだボール５０を、一番上の（最後に形成された）ＲＤＬに取り付ける。ダイ５２は、はんだボール５０に接着され、次いで、従来のエポキシ成形層５４の塗布および研磨が行われて、ファンアウトウェーハレベルパッケージ構造５６が形成される。最後に、レーザー離型性ビルドアップ層４２の全てまたは一部を分解またはアブレーションするように、前述したレーザー分離条件に従って、レーザーエネルギーがキャリア基板４０に付与される。レーザー照射後、キャリア基板４０は、ファンアウトウェーハレベルパッケージ構造５６から離れて分離し（図２（ｈ））、残っているビルドアップ層４２のいずれも、溶剤で除去されるだろう。
ファンアウトウェーハレベルパッケージ構造を形成するための上述のプロセスは、本発明の組成物をビルドアップ層として使用して実施することができるこの種のプロセスの一例に過ぎず、このプロセスの変形はユーザの必要性に応じて行うことができ、また行うことになることに留意されたい。例えば、ＲＤＬ層の数は、はんだボールおよびダイの数および位置決めと同様に、必要に応じて変化させることができる。これらの構成は、当業者によって理解され、カスタマイズされるだろう。
上記から分かるように、本発明は多数の利点を提供する。ポリケタニル（およびそれから形成される層）は、レーザー接着に主として用いられる波長（約３００ｎｍ～約４００ｎｍ）から可視光の範囲までを含む、幅広い各種波長において高い吸収性を提供する。加えて、ポリケタニルの高い吸収性はウェーハ上により薄いフィルムの形成を可能にし、依然としてレーザーエネルギーの大部分から全てを吸収してデバイスの損傷を防ぐ。高い吸収は、ウェーハを剥離するために必要なレーザーエネルギーと時間とを低減する利点も提供する。レーザー剥離の直接的な恩恵と共に、これらの材料はＲＤＬ－ファーストプロセスに用いることもできる。重合体は各種モノマーを利用でき、構造を架橋可能な基や鎖伸長によって不溶性にする。このクラスの重合体は、３００℃以上の熱安定性を提供でき、シリコンならびにガラス基板への良好な付着を提供でき、ポリイミドと同様のエッチング速度でドライエッチング（プラズマエッチング）によって除去され得る。最後に、より薄いフィルムが求められるため、シリコンおよびガラス基板におけるストレスおよび撓みを低減できる。
種々の実施形態の付加的な利点は、本明細書中の開示および以下の実施例を検討すれば、当業者に明らかであろう。本明細書で記載される種々の実施形態は、本明細書で特に別途指示がない限り、必ずしも相互排他的ではないことが理解されるだろう。例えば、一つの実施形態において記載または描写されている特徴は、他の実施形態に含まれてもよいが、必ずしも含まなくてもよい。よって、本発明は、本明細書中に記載される特定の実施形態の種々の組み合わせおよび／または統合を包含する。
上記の組成物または層に含まれる時、「ポリケタニル」は、別途言及が無い限り、１種のポリケタニルならびに２種以上の異なるポリケタニルを含むことを意図する。加えて、本明細書で用いられる「および／または」という表現は、２以上の項目の列挙に用いる場合、列挙された項目のいずれかを単独で使用されることができる、または列挙された項目の２以上の組み合わせのいずれかを使用することができることを意味する。例えば、組成物が、成分Ａ、Ｂおよび／またはＣを、含むまたは除くとして記載されている場合には、その組成物は、Ａのみ、Ｂのみ、Ｃのみ、ＡおよびＢの組み合わせ、ＡおよびＣの組み合わせ、ＢおよびＣの組み合わせ、またはＡ、ＢおよびＣの組み合わせを、含むまたは除くことができる。
本記述はまた、数値範囲を用いて、本発明の種々の実施形態に関する一定のパラメータを定量化する。数値範囲が与えられた場合、そのような範囲は、範囲のうち低い方の値を記載するのみのクレームの限定と、同様に範囲のうち高い値を記載するのみの限定との正確な裏付けを提供すると解釈されるべきであることを理解されたい。例えば、開示された数値範囲の約１０～約１００は、「約１０超」（上限なし）と記載するクレームおよび「約１００未満」（下限なし）と記載するクレームの、正確な裏付けを示す。
以下の実施例は、本発明に従った方法を記載している。しかしながら、これらの実施例は実例として示されており、その中のどれも本発明の全範囲の限定として捉えられるべきではないことは理解されるべきである。
実施例１
ポリケタニルを形成する重合反応
この手順において、１３．０７グラムの４’－アミノアセトフェノン（アルファ・エイサー社、ヘーバリル、メイン州）を、四つ口１L丸底フラスコ中の２０．７６グラムのガンマブチロラクトン（ＧＢＬ、シグマアルドリッチ社、セントルイス、ミズーリ州）に溶解させた。フラスコは、加熱マントル、温度コントローラー、熱プローブ、ディーン・スターク・トラップ、ならびにかくはん棒およびパドルミキサー付きオーバーヘッドかくはん器を備えていた。冷却器がディーン・スターク・トラップに取り付けられた。フラスコへの窒素流入を開始し、反応を１１０℃に加熱した。次に、０．０６グラム（０．１８％）の９６％硫酸（ＫＭＧ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ、フォートワース、テキサス州）を溶液に加え、その後、溶液を１８５℃に加熱した。水とＧＢＬとの混合物をディーン・スターク・トラップに集め（合計溶液重量の７％まで）、系に戻し入れなかった。溶液を４８時間反応させ、その後、室温まで冷却した。得られた溶液はおよそ３５％固形分であり、暗赤色で、わずかに粘性のある溶液だった。冷却された溶液は、さらな使用のためにボトルに入れられた。
実施例２
ポリケタニル組成物の調製
本実施例において、６３４．２０グラムの実施例１の溶液を６６５．８６グラムの乳酸エチル（ＫＭＧ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ、フォートワース、テキサス州）とオーバーヘッドかくはんモーターで混合した。混合物は、全ての固形分が溶液に溶けるまでかくはんされた。その後、得られた溶液を０．２μｍのマイスナーフィルタを用いて濾過した。
実施例３
ポリケタニル組成物のキャラクタリゼーション
１．光学特性
実施例２で調製された材料を１００ｍｍのＳｉウェーハにコーティングした。このコーティングは、１，５００ｒｐｍ／ｓの加速度で６０秒間、１，５００ｒｐｍでスピンコーティングすることによって達成された。次に、キャリアウェーハを１５０℃で２分間、２２０℃で２分間、２５０℃で５分間、および３００℃で１０分間ベークした。コーティングされたウェーハは、その後、ＶＡＳＥ Ｍ２０００エリプソメータにかけられ、未加工光学データを得た。次に、データを厚さおよび光学特性（ｎおよびｋ値）にフィットさせた。関心のある波長は３０８ｎｍ、３４３ｎｍおよび３５５ｎｍだった。結果は表１にまとめられ、全スペクトルは図３に示される。
表１ 光学定数
２．厚さ、分子量および多分散性指標
実施例２で調製された材料を２００ｍｍのガラスウェーハにコーティングした。このコーティングは、１，５００ｒｐｍ／ｓの加速度で６０秒間、１，５００ｒｐｍでスピンコーティングすることによって達成された。次に、キャリアウェーハを１５０℃で２分間、２２０℃で２分間、２５０℃で５分間、および３００℃で１０分間ベークした。コーティングされたウェーハは、その後、１ｘ１ｍｍ分解能点マップスキャンを用いてＦＲＴ Ｍｉｃｒｏｐｒｏｆ（登録商標）で分析され、１％の高低データを除外し、６７３．４８ｎｍの平均厚さ値および３２．８９ｎｍのＴＴＶとなった。
ＮＭＰ、ＴＨＦ、酢酸、および臭化リチウムならびに１ｍｌ／ｍｉｎの移動相流を用いて、Ｗａｔｅｒｓ７１７液体クロマトグラフィーシステムでＧＰＣを行った。Ｗａｔｅｒｓ４１０示差屈折率検出器で検出を達成し、ポリスチレンスタンダードと共に相対キャリブレーションを用いて信号を統合および定量した。表２はこれらの結果を示す。
表２ 平均分子量および多分散性指標（「ＰＤＩ」）
実施例４
実施例２の処方を用いた接着
実施例２で調製された材料を２００ｍｍのキャリアウェーハにコーティングした。このコーティングは、１，５００ｒｐｍ／ｓの加速度で６０秒間、１，５００ｒｐｍでスピンコーティングすることによって達成された。次に、キャリアウェーハを６０℃で２分間、１２０℃で２分間、２５０℃で５分間、および３００℃で１０分間ベークした。シミュレーションされたデバイスウェーハとして、実験的なフェノキシ系熱可塑性接着材料（ブルーワーサイエンス、ローラ、ミズーリ州）を２００ｍｍのシリコンウェーハにコーティングした。このコーティングは、３，０００ｒｐｍ／ｓの加速度で３０秒間、１，５００ｒｐｍでスピンコーティングすることによって達成された。次に、キャリアウェーハを６０℃で５分間、１６０℃で５分間、および２２０℃で５分間ベークした。コーティングされたキャリアウェーハを、ＥＶＧ（商標登録）５１０ボンディングシステム（ＥＶグループ社）において、真空下（＜５ｍｂａｒ）、２００℃、３０００ Ｎで３分間接着することによって、コーティングされたデバイスウェーハに接着した。
実施例５
実施例２の処方を使用したレーザー剥離および洗浄
接着されたウェーハ対は、産業で現在用いられている３つの主要なＵＶレーザー波長を使用することにより、うまく剥離された。各波長に対して異なる剥離装置を用いたが、その装置は、ＳＵＳＳ社のＥＬＤ１２レーザー剥離機（ガーヒング・バイ・ミュンヘン、ドイツ）、ＥＶＧ半自動剥離システム（ザンクト・フロリアン、オーストリア）、およびＫｉｎｇｙｏｕｐ社のＬＤ－Ｓｅｍｉ Ａｕｔｏｍａｔｉｃ ２００／３００（新北市、台湾）であった。ＳＵＳＳ、Ｋｉｎｇｙｏｕｐ、およびＥＶＧ剥離器からのレーザー剥離パラメータおよび結果を表３、４および５に示す。
表３ ＳＵＳＳ剥離器のレーザー剥離パラメータおよび結果
表４ Ｋｉｎｇｙｏｕｐ剥離器からの結果
表５ ＥＶＧ剥離器からの結果
実施例６
ポリケタニルと低吸収材料とのブレンド
本発明の重合体および組成物が、どのように他の重合体組成物とブレンドされてそれらの重合体組成物の特性を向上できるのかを示すために手順が行われた。この場合、他の重合体組成物は、３００～４００ｎｍにおいて吸収性が低い市販のポリイミドの１２ｗｔ％の溶液をＧＢＬ－シクロペンタノン溶媒混合物に含んでいた（「ポリイミド溶液」と言う）。
実施例１で調製された材料の１７．５ｗｔ％の溶液を、シクロペンタノン（富士フイルム社より入手）と１：１の重量比で混合した（「ポリケタニル添加剤」と言う）。ポリケタニル添加剤をポリイミド溶液と異なる比率で、それぞれ表６にまとめられた重量で混合した。
表６ ブレンドされたポリケタニル添加剤およびポリイミド溶液の重量
調製された溶液はスピンコーティングされて、１００ｎｍ～５００ｎｍの厚さの範囲で吸光度（ｋ）を測定するために十分薄いフィルムを得た。このコーティングは、１，５００ｒｐｍ／ｓの加速度で６０秒間、１，５００ｒｐｍでスピンコーティングすることによって達成された。次に、ウェーハを６０℃で２分間、１５０℃で２分間、および２２０℃で５分間ベークした。コーティングされたウェーハは、その後、ＶＡＳＥ Ｍ２０００エリプソメータにかけられ、未加工光学データを得た。次に、データを厚さおよび光学特性（ｎおよびｋ値）にフィットさせた。関心のある波長は３０８ｎｍ、３４３ｎｍおよび３５５ｎｍだった。結果は表７にまとめられている。
表７ 主な波長におけるパーセンテージの異なるポリケタニル添加剤のｋ値の変化

Claims (16)

  1. 背面および前面を有する第１基板と、
    前記前面に隣接する接着層と、
    第１面を有する第２基板と、
    前記第１面および前記接着層の間の離型層であり、ポリケタニルを含む離型層であり、前記ポリケタニルが、アミン官能基、ケトン官能基、および芳香族部分を含むモノマーの重合体であり、前記アミン官能基および前記ケトン官能基が前記芳香族部分に結合している、離型層と、を含むスタックを用意すること、および
    前記第１および第２基板の分離を容易にするために、前記離型層をレーザーエネルギーに曝すことを含む、一時接着方法。
  2. 前記ポリケタニルが架橋している、請求項１に記載の方法。
  3. 前記ポリケタニルが、以下の構造を有する、請求項１に記載の方法。
    Ｒ １ ～Ｒ ４ のそれぞれは、同一または異なっていてもよく、
    Ｒ １ ～Ｒ ４ のそれぞれは、水素、アルキル、アルコキシ、水酸基およびポリエチレングリコール鎖からなる群から選択される。
  4. 前記繰り返しモノマーが４－アミノアセトフェノンである、請求項１に記載の方法。
  5. 前記前面が、集積回路と、ＭＥＭＳと、マイクロセンサと、電力半導体と、発光ダイオードと、フォトニック回路と、インターポーザーと、埋め込み型受動デバイスと、シリコン、シリコン－ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、およびそれらの組み合わせ上に、またはそれらから製作されるマイクロデバイスと、からなる群から選択されるデバイスの配列を含むデバイス面であること、または
    前記第１面が、集積回路と、ＭＥＭＳと、マイクロセンサと、電力半導体と、発光ダイオードと、フォトニック回路と、インターポーザーと、埋め込み型受動デバイスと、シリコン、シリコン－ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、およびそれらの組み合わせ上に、またはそれらから製作されるマイクロデバイスと、からなる群から選択されるデバイスの配列を含むデバイス面であること、の一方または両方をさらに含む、請求項１に記載の方法。
  6. 前記第１基板または第２基板の一方または両方が、ガラスまたは他の透明材料を含む、請求項１に記載の方法。
  7. 前記前面が、はんだバンプと、金属ポストと、金属ピラーと、シリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、（酸）窒化シリコン、金属、低ｋの誘電体、ポリマー誘電体、金属窒化物、金属珪化物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料から形成される構造と、からなる群から選択される少なくとも１つの構造を含むデバイス面であること、または
    前記第１面が、はんだバンプと、金属ポストと、金属ピラーと、シリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、（酸）窒化シリコン、金属、低ｋの誘電体、ポリマー誘電体、金属窒化物、金属珪化物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料から形成される構造と、からなる群から選択される少なくとも１つの構造を含むデバイス面であること、の一方または両方をさらに含む、請求項１に記載の方法。
  8. 前記第１および第２基板を分離する前に、前記第１および第２基板を分離する前に、前記スタックに、裏面研削、化学機械研磨、エッチング、メタライジング、誘電堆積、パターニング、不動態化、アニーリング、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される処理を施すことをさらに含む、請求項１に記載の方法。
  9. 前記用意することが、前記第１および第２基板を接着して前記スタックを得ることを含む、請求項１に記載の方法。
  10. 背面および前面を有する第１基板と、
    前記前面に隣接する接着層と、
    第１面を有する第２基板と、
    前記第１面および前記接着層の間の離型層であり、ポリケタニルを含む離型層であり、前記ポリケタニルが、アミン官能基、ケトン官能基、および芳香族部分を含むモノマーの重合体であり、前記アミン官能基および前記ケトン官能基が前記芳香族部分に結合している、離型層とを含む、マイクロエレクトロニクス構造。
  11. 前記ポリケタニルが架橋している、請求項１０に記載の構造。
  12. 前記ポリケタニルが、以下の構造を有する、請求項１０に記載の構造。
    Ｒ １ ～Ｒ ４ のそれぞれは、同一または異なっていてもよく、
    Ｒ １ ～Ｒ ４ のそれぞれは、水素、アルキル、アルコキシ、水酸基およびポリエチレングリコール鎖からなる群から選択される。
  13. 前記繰り返しモノマーが４－アミノアセトフェノンである、請求項１０に記載の構造。
  14. 前記前面が、集積回路と、ＭＥＭＳと、マイクロセンサと、電力半導体と、発光ダイオードと、フォトニック回路と、インターポーザーと、埋め込み型受動デバイスと、シリコン、シリコン－ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、およびそれらの組み合わせ上に、またはそれらから製作されるマイクロデバイスと、からなる群から選択されるデバイスの配列を含むデバイス面であること、または
    前記第１面が、集積回路と、ＭＥＭＳと、マイクロセンサと、電力半導体と、発光ダイオードと、フォトニック回路と、インターポーザーと、埋め込み型受動デバイスと、シリコン、シリコン－ゲルマニウム、ヒ化ガリウム、窒化ガリウム、およびそれらの組み合わせ上に、またはそれらから製作されるマイクロデバイスと、からなる群から選択されるデバイスの配列を含むデバイス面であること、の一方または両方をさらに含む、請求項１０に記載の構造スタック。
  15. 前記第１基板または第２基板の一方または両方が、ガラスまたは他の透明材料を含む、請求項１０に記載の構造。
  16. 前記前面が、はんだバンプと、金属ポストと、金属ピラーと、シリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、（酸）窒化シリコン、金属、低ｋの誘電体、ポリマー誘電体、金属窒化物、金属珪化物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料から形成される構造と、からなる群から選択される少なくとも１つの構造を含むデバイス面であること、または
    前記第１面が、はんだバンプと、金属ポストと、金属ピラーと、シリコン、ポリシリコン、二酸化シリコン、（酸）窒化シリコン、金属、低ｋの誘電体、ポリマー誘電体、金属窒化物、金属珪化物、およびそれらの組み合わせからなる群から選択される材料から形成される構造と、からなる群から選択される少なくとも１つの構造を含むデバイス面であること、の一方または両方をさらに含む、請求項１０に記載の構造。
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