JP6985031B2

JP6985031B2 - Manufacturing method of LED display panel

Info

Publication number: JP6985031B2
Application number: JP2017099602A
Authority: JP
Inventors: 一馬関家
Original assignee: Disco Corp
Current assignee: Disco Corp
Priority date: 2017-05-19
Filing date: 2017-05-19
Publication date: 2021-12-22
Anticipated expiration: 2037-05-19
Also published as: JP2018194718A; CN108962916B; TW201901255A; TWI776880B; CN108962916A

Description

本発明は、ＬＥＤを用いたＬＥＤディスプレーパネルの製造方法に関する。 The present invention relates to a method for manufacturing an LED display panel using an LED.

サファイア基板、ＳｉＣ基板等のエピタキシー基板の上面にエピタキシャル成長によってバファー層、Ｎ型半導体層、発光層、及びＰ型半導体層等からなるエピタキシャル層と、Ｎ型半導体層、及びＰ型半導体層に配設された電極とによって構成された複数のＬＥＤが分割予定ラインによって区画されて形成されたウエーハは、分割予定ラインがレーザー光線等によってエピタキシー基板と共に切断されて個々のＬＥＤに生成される（例えば、特許文献１を参照。）。 An epitaxial layer composed of a buffer layer, an N-type semiconductor layer, a light emitting layer, a P-type semiconductor layer, etc., and an N-type semiconductor layer and a P-type semiconductor layer are arranged on the upper surface of an epitaxy substrate such as a sapphire substrate or a SiC substrate by epitaxial growth. A wafer formed by partitioning a plurality of LEDs composed of the electrode to be divided by a planned division line is generated in each LED by cutting the planned division line together with an epitaxy substrate by a laser beam or the like (for example, Patent Document). See 1.).

また、エピタキシー基板の裏面からレーザー光線を照射してバッファー層を破壊してエピタキシャル層をエピタキシー基板から剥離する技術も提案されている（例えば、特許文献２を参照。）。 Further, a technique of irradiating a laser beam from the back surface of the epitaxy substrate to destroy the buffer layer and peeling the epitaxial layer from the epitaxy substrate has also been proposed (see, for example, Patent Document 2).

そして、剥離されたＬＥＤは、赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤ、さらにはその他の色を発色するＬＥＤを含め一体にしたモジュールチップとして組み立てられ、モジュールチップの集合体として形成されるモニター等に使用される。 The peeled LED is assembled as an integrated module chip including a red LED, a green LED, a blue LED, and an LED that develops other colors, and is used for a monitor or the like formed as an aggregate of module chips. Will be done.

特開平１０−３０５４２０号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 10-305420 特開２００２−３１４０５３号公報Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-314053

従来知られた構成によれば、個々のＬＥＤをモジュールチップに組み込む場合、まずＬＥＤを構成するエピタキシャル層をエピタキシー基板から剥離して、１つ１つのＬＥＤを個片化し、各個片化されたＬＥＤをモジュールに実装するために一時的に保持するサブストレートに所定の間隔をもって再配置し、その後、該サブストレートに再配置されたＬＥＤを、モジュール側に組み込む等の工程を実行する必要があり、複数種類のＬＥＤを搭載した個々のモジュールチップを得るまでに多くの手間が掛かる。特にマイクロＬＥＤを採用するモニターを生産するためには、大量のモジュールチップを必要としつつ、微小なモジュールチップを集積してＬＥＤディスプレーパネルを組み立てることになるため、効率よくＬＥＤディプレーパネルを製造することは困難であり、ＬＥＤディスプレーパネルの製造に対する更なる高効率化が望まれている。なお、本発明でいう「マイクロＬＥＤ」とは、ＬＥＤの１辺の寸法がμｍオーダー（１０００μｍ未満、例えば１０μｍ×１０μｍ）のＬＥＤを指す。 According to a conventionally known configuration, when incorporating an individual LED into a module chip, first, the epitaxial layer constituting the LED is peeled off from the epitaxy substrate, each LED is individualized, and each individual LED is individualized. In order to mount the LED on the module, it is necessary to rearrange the LEDs temporarily held on the substrate at predetermined intervals, and then install the LED rearranged on the substrate on the module side. It takes a lot of time and effort to obtain individual module chips equipped with multiple types of LEDs. In particular, in order to produce a monitor that uses micro LEDs, a large amount of module chips are required, but minute module chips are integrated to assemble an LED display panel, so LED display panels can be manufactured efficiently. This is difficult, and further improvement in efficiency for manufacturing LED display panels is desired. The term "micro LED" as used in the present invention refers to an LED whose one side dimension is on the order of μm (less than 1000 μm, for example, 10 μm × 10 μm).

本発明は、上記事実に鑑みなされたものであり、その主たる技術課題は、ＬＥＤディスプレーパネルを効率よく製造するＬＥＤディスプレーパネルの製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the above facts, and a main technical object thereof is to provide a method for manufacturing an LED display panel for efficiently manufacturing an LED display panel.

上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、ＬＥＤディスプレーパネルを製造するＬＥＤディスプレーパネルの製造方法であって、
エピタキシー基板の表面に所定の間隔をもって区画されてバッファー層を介して形成された第一のＬＥＤを複数備えた第一のＬＥＤウエーハと、エピタキシー基板の表面に所定の間隔をもって区画されてバッファー層を介して形成された第二のＬＥＤを複数備えた第二のＬＥＤウエーハと、エピタキシー基板の表面に所定の間隔をもって区画されてバッファー層を介して形成された第三のＬＥＤを複数備えた第三のＬＥＤウエーハと、を準備するＬＥＤウエーハ準備工程と、
複数の電極が行と列に配設されたディスプレー基板を準備するディスプレー基板準備工程と、
ディスプレー基板の電極に対応して第一のＬＥＤウエーハ、第二のＬＥＤウエーハ、第三のＬＥＤウエーハのうちのいずれか１つのＬＥＤウエーハを対面させて位置付けるＬＥＤウエーハ位置付け工程と、
該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により対面させられたディスプレー基板又は該ＬＥＤウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して、ＬＥＤの電極と、該ＬＥＤの電極と対応するディスプレー基板の電極とを連結する電極連結工程と、
ディスプレー基板又は該ＬＥＤウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をディスプレー基板に位置付けられたＬＥＤのバッファー層に照射してバッファー層を破壊し該ＬＥＤをエピタキシー基板から剥離して該ＬＥＤウエーハのＬＥＤをディスプレー基板に配設するＬＥＤ配設工程と、を少なくとも含み、
上記のＬＥＤウエーハ位置付け工程によって対面させられなかった他の２つのＬＥＤウエーハについても、上記のＬＥＤウエーハ位置付け工程、電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を実施して、該２つのＬＥＤウエーハのＬＥＤもディスプレー基板に配設するものであって、
該ディスプレー基板は、第一のディスプレー基板、第二のディスプレー基板、第三のディスプレー基板、第四のディスプレー基板を少なくとも備え、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により第一のＬＥＤウエーハの表面を第一のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第一のＬＥＤの電極を該第一のディスプレー基板の電極に位置付けて第一のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と第一のディスプレー基板の該電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを第一のディスプレー基板に配設する第１のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により第二のＬＥＤウエーハの表面を第二のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第二のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第二のＬＥＤの電極を該第二のディスプレー基板の該電極に位置付けて該第二のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と該第二のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを該第二のディスプレー基板に配設する第２のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第２のステップで用いた第二のＬＥＤウエーハの表面を第三のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって該第三のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第二のＬＥＤの電極を該第三のディスプレー基板の該電極に位置付けて該第三のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と該第三のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを該第三のディスプレー基板に配設する第３のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により第三のＬＥＤウエーハの表面を第四のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第四のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第三のＬＥＤの電極を該第四のディスプレー基板の該電極に位置付けて該第四のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該第四のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該第四のディスプレー基板に配設する第４のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第１のステップにおいて、第一のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第一のディスプレー基板の表面に該第３のステップで用いた第二のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する第二のＬＥＤの電極を第一のディスプレー基板の電極に位置付けて該第一のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と第一のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを第一のディスプレー基板に配設する第５のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第２のステップ又は第３のステップにおいて、第二のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第二のディスプレー基板又は第三のディスプレー基板のいずれか一方のディスプレー基板を選択し、選択された一方のディスプレー基板の表面に第４のステップで用いた第三のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該一方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第三のＬＥＤの電極を位置付けて該一方のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該一方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該一方のディスプレー基板に配設する第６のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第６のステップにおいて選択されなかった第二のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された他方のディスプレー基板の表面に第１のステップで用いた第一のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該他方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第一のＬＥＤの電極を位置付けて該他方のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と該他方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを該他方のディスプレー基板に配設する第７のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第４のステップにおいて、第三のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第四のディスプレー基板の表面に該第５のステップで用いた第二のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該第四のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第二のＬＥＤの電極を位置付けて該第四のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と該第四のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを該第四のディスプレー基板に配設する第８のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第５のステップにおいて、第一のＬＥＤと第二のＬＥＤが配設された第一のディスプレー基板に該第６のステップで用いた第三のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第三のＬＥＤの電極を位置付けて該第一のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該第一のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該第一のディスプレー基板に配設する第９のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により第二のＬＥＤと第三のＬＥＤが配設された該第６のステップにおける該一方のディスプレー基板に該第７のステップで用いた第一のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該一方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第一のＬＥＤの電極を位置付けて該一方のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と該一方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを該一方のディスプレー基板に配設する第１０のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第８のステップにおいて、第二のＬＥＤと第三のＬＥＤが配設された該第四のディスプレー基板に該第１０のステップで用いた第一のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該第四のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第一のＬＥＤの電極を位置付けて該第四のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と該第四のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを該第四のディスプレー基板に配設する第１１のステップと、
ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により第二のＬＥＤと第一のＬＥＤが配設された該第７のステップにおける該他方のディスプレー基板に該第９のステップで用いた第三のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該他方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第三のＬＥＤの電極を位置付けて該他方のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該他方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該他方のディスプレー基板に配設する第１２のステップと、を少なくとも含み構成されるＬＥＤディスプレーパネルの製造方法が提供される。 In order to solve the above-mentioned main technical problem, according to the present invention, there is a method for manufacturing an LED display panel for manufacturing an LED display panel.
A first LED wafer having a plurality of first LEDs formed on the surface of the epitaxy substrate at predetermined intervals and formed via a buffer layer, and a buffer layer partitioned on the surface of the epitaxy substrate at predetermined intervals. A third LED wafer having a plurality of second LEDs formed via a plurality of second LEDs and a third LED having a plurality of third LEDs partitioned on the surface of an epitaxy substrate at predetermined intervals and formed via a buffer layer. LED wafer, LED wafer preparation process to prepare,
A display board preparation process that prepares a display board in which multiple electrodes are arranged in rows and columns,
An LED wafer positioning process in which one of the first LED wafer, the second LED wafer, and the third LED wafer is face-to-face and positioned corresponding to the electrodes of the display substrate.
By applying a laser beam having a transmission wavelength to the said LED wafer positioning step display substrate or the LED wafer was allowed to face the coupling and the LED electrodes and an electrode of the display substrate corresponding to the LED electrode Electrode connection process and
The LED of the LED wafer is peeled off from the epitaxy substrate by irradiating the buffer layer of the LED located on the display substrate with a laser beam having a wavelength that is transparent to the display substrate or the LED wafer to destroy the buffer layer. At least includes an LED disposing step of arranging the display substrate.
For the other two LED wafers that were not made to face each other by the above LED wafer positioning step, the above LED wafer positioning step, electrode connecting step, and LED arrangement step were carried out, and the LEDs of the two LED wafers were also subjected to. It is arranged on the display board and is arranged on the display board.
The display board includes at least a first display board, a second display board, a third display board, and a fourth display board.
The surface of the first LED wafer is made to face the surface of the first display substrate by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and corresponds to the electrodes arranged in the rows and columns of the first display substrate at predetermined intervals. The electrode of the first LED is positioned on the electrode of the first display substrate, and the electrode of the first LED and the electrode of the first LED are irradiated with a laser beam having transparency to the first display substrate or the first LED wafer. The first step of connecting the electrode of one display substrate and performing the LED arrangement step to dispose the first LED on the first display substrate.
The surface of the second LED wafer is made to face the surface of the second display substrate by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and corresponds to the electrodes arranged in the rows and columns of the second display substrate at predetermined intervals. The electrode of the second LED is positioned at the electrode of the second display substrate, and the second LED wafer or the second LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to irradiate the electrode of the second LED. And the second step of connecting the LED of the second display substrate and performing the LED arrangement step to arrange the second LED on the second display substrate.
The surface of the second LED wafer used in the second step is made to face the surface of the third display substrate by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and the rows and columns of the third display substrate are spaced apart from each other. The electrode of the second LED corresponding to the electrode arranged in the third display substrate is positioned at the electrode of the third display substrate, and a laser beam having transparency to the third display substrate or the second LED wafer is emitted. A third that irradiates and connects the electrode of the second LED and the electrode of the third display substrate, and also carries out the LED arrangement step to dispose the second LED on the third display substrate. Steps and
The surface of the third LED wafer is made to face the surface of the fourth display substrate by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and corresponds to the electrodes arranged in the rows and columns of the fourth display substrate at predetermined intervals. The electrode of the third LED is positioned at the electrode of the fourth display substrate, and the fourth LED substrate or the third LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to irradiate the electrode of the third LED. And the fourth step of connecting the electrode of the fourth display substrate and performing the LED arrangement step to arrange the third LED on the fourth display substrate.
The second LED wafer used in the third step on the surface of the first display substrate in which the first LEDs are arranged at predetermined intervals in the first step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The electrodes of the second LED corresponding to the electrodes arranged in the rows and columns of the first display substrate so as to face each other at predetermined intervals are positioned as the electrodes of the first display substrate, and the first display substrate or the first display substrate is located. The second LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to connect the second LED electrode and the first display substrate electrode, and the LED arrangement step is carried out to form the second LED. The fifth step, which is arranged on the first display substrate, and
Either the second display board or the third display board in which the second LEDs are arranged at predetermined intervals in the second step or the third step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. A display substrate is selected, the surface of one of the selected display substrates is faced with the third LED wafer used in the fourth step, and electrodes arranged in rows and columns of the one display substrate at predetermined intervals. The third LED electrode is positioned on the third LED and the third LED wafer or the third LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to connect the third LED electrode and the one display substrate electrode. The sixth step of disposing the third LED on the one display substrate by carrying out the LED disposing step.
The first LED used in the first step on the surface of the other display substrate in which the second LED not selected in the sixth step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step is arranged at a predetermined interval. The electrodes of the first LED are positioned on the electrodes arranged in rows and columns of the other display substrate with the wafers facing each other at predetermined intervals to provide transparency to the other display substrate or the first LED wafer. A second LED is irradiated with a laser beam to connect the electrode of the first LED and the electrode of the other display substrate, and the LED arrangement step is performed to dispose the first LED on the other display substrate. 7 steps and
The second LED wafer used in the fifth step on the surface of the fourth display substrate in which the third LED is arranged at a predetermined interval in the fourth step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The electrodes of the second LED are positioned on the electrodes arranged in rows and columns of the fourth display substrate at predetermined intervals so as to be transparent to the fourth display substrate or the second LED wafer. The electrode of the second LED and the electrode of the fourth display substrate are connected by irradiating the laser beam having the above, and the LED arrangement step is carried out to dispose the second LED on the fourth display substrate. The 8th step to set up and
The third LED wafer used in the sixth step is mounted on the first display substrate on which the first LED and the second LED are arranged in the fifth step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The electrodes of the third LED are positioned on the electrodes arranged in rows and columns of the first display substrate so as to face each other at predetermined intervals to provide transparency to the first display substrate or the third LED wafer. The electrode of the third LED and the electrode of the first display substrate are connected by irradiating the laser beam having the LED beam, and the LED arrangement step is carried out to dispose the third LED on the first display substrate. 9th step to do and
The first LED wafer used in the seventh step is faced with the one display substrate in the sixth step in which the second LED and the third LED are arranged by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The electrodes of the first LED are positioned on the electrodes arranged in the rows and columns of the one display substrate at predetermined intervals, and a laser beam having transparency to the one display substrate or the first LED wafer is emitted. A tenth step of irradiating to connect the electrode of the first LED and the electrode of the one display substrate, and carrying out the LED arrangement step to dispose the first LED on the one display substrate. When,
The first LED wafer used in the tenth step on the fourth display substrate on which the second LED and the third LED are arranged in the eighth step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The electrodes of the first LED are positioned on the electrodes arranged in rows and columns of the fourth display substrate at predetermined intervals so as to be transparent to the fourth display substrate or the first LED wafer. The electrode of the first LED and the electrode of the fourth display substrate are connected by irradiating the laser beam having the above, and the LED arrangement step is carried out to dispose the first LED on the fourth display substrate. The eleventh step to set up and
The third LED wai used in the ninth step is faced with the other display substrate in the seventh step in which the second LED and the first LED are arranged by the LED waiha positioning step and the electrode connecting step. The third LED electrode is positioned on the electrodes arranged in the rows and columns of the other display substrate at predetermined intervals, and a laser beam having transparency to the other display substrate or the third LED wafer is emitted. A twelfth step of irradiating to connect the electrode of the third LED and the electrode of the other display substrate, and performing the LED arrangement step to dispose the third LED on the other display substrate. And, at least, a method of manufacturing an LED display panel configured to include.

該ディスプレー基板は、第一のディスプレー基板、第二のディスプレー基板、を少なくとも備え、該電極連結工程において、第一のＬＥＤウエーハの表面を第一のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第一のＬＥＤの電極を該第一のディスプレー基板の電極に位置付けて第一のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と第一のディスプレー基板の該電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを第一のディスプレー基板に配設するＡステップと、第二のＬＥＤウエーハの表面を第二のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第二のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第二のＬＥＤの電極を該第二のディスプレー基板の該電極に位置付けて第二のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と第二のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを第二のディスプレー基板に配設するＢステップと、該Ａステップにおいて第一のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第一のディスプレー基板の表面に該Ｂステップで用いた第二のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する第二のＬＥＤの電極を第一のディスプレー基板の該電極に位置付けて第一のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と第一のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを第一のディスプレー基板に配設するＣステップと、該Ｂステップにおいて第二のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第二のディスプレー基板の表面に該Ａステップで用いた第一のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって第二のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する第一のＬＥＤの電極を第二のディスプレー基板の電極に位置付けて第二のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と第二のディスプレー基板の電極とを連結させると共に該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを第二のディスプレー基板に配設するＤステップと、を少なくとも含み構成されることが好ましい。 The display substrate includes at least a first display substrate and a second display substrate, and in the electrode connecting step, the surface of the first LED wafer is made to face the surface of the first display substrate, and at predetermined intervals. The electrodes of the first LED corresponding to the electrodes arranged in the rows and columns of the first display substrate are positioned at the electrodes of the first display substrate with respect to the first display substrate or the first LED wafer. By irradiating a transparent laser beam to connect the electrode of the first LED and the electrode of the first display substrate, the LED arrangement step is carried out to connect the first LED to the first display substrate. The A step and the surface of the second LED wafer facing the surface of the second display substrate, and corresponding to the electrodes arranged in the rows and columns of the second display substrate at predetermined intervals. The electrode of the second LED is positioned at the electrode of the second display substrate, and the second LED substrate or the second LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to form the electrode of the second LED and the second LED wafer. In step B, in which the electrodes of the second display substrate are connected and the LED arrangement step is performed to dispose the second LED on the second display substrate, and in the step A, the first LED is predetermined. The second LED wafer used in the B step is faced to the surface of the first display substrate arranged at intervals, and corresponds to the electrodes arranged in the rows and columns of the first display substrate at predetermined intervals. The electrode of the second LED is positioned at the electrode of the first display substrate, and the first display substrate or the second LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to form the electrode of the second LED and the first. Step C in which the electrodes of the display substrate are connected and the LED arrangement step is performed to arrange the second LED on the first display substrate, and in the step B, the second LED is spaced at a predetermined interval. The first LED wafer used in the A step is faced with the surface of the second display substrate arranged with the above, and the first LED wafer corresponding to the electrodes arranged in the rows and columns of the second display substrate at predetermined intervals. The electrode of the first LED is positioned on the electrode of the second display substrate, and the electrode of the first LED and the second display are irradiated with a laser beam having transparency to the second display substrate or the first LED wafer. The LED placement process is carried out while connecting to the electrodes on the substrate. It is preferable to include at least a D step for arranging the first LED on the second display substrate.

また、該ディスプレー基板は、第一のディスプレー基板、第二のディスプレー基板、第三のディスプレー基板、第四のディスプレー基板を少なくとも備え、該電極連結工程において、第一のＬＥＤウエーハの表面を第一のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第一のＬＥＤの電極を該第一のディスプレー基板の電極に位置付けて第一のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と第一のディスプレー基板の該電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを第一のディスプレー基板に配設する第１のステップと、第二のＬＥＤウエーハの表面を第二のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第二のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第二のＬＥＤの電極を該第二のディスプレー基板の該電極に位置付けて該第二のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と該第二のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを該第二のディスプレー基板に配設する第２のステップと、該第２のステップで用いた第二のＬＥＤウエーハの表面を第三のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって該第三のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第二のＬＥＤの電極を該第三のディスプレー基板の該電極に位置付けて該第三のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と該第三のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを該第三のディスプレー基板に配設する第３のステップと、第三のＬＥＤウエーハの表面を第四のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第四のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第三のＬＥＤの電極を該第四のディスプレー基板の該電極に位置付けて該第四のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該第四のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該第四のディスプレー基板に配設する第４のステップと、該第１のステップにおいて、第一のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第一のディスプレー基板の表面に該第３のステップで用いた第二のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する第二のＬＥＤの電極を第一のディスプレー基板の電極に位置付けて該第一のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と第一のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを第一のディスプレー基板に配設する第５のステップと、該第２のステップ又は第３のステップにおいて、第二のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第二のディスプレー基板又は第三のディスプレー基板のいずれか一方のディスプレー基板を選択し、選択された一方のディスプレー基板の表面に第４のステップで用いた第三のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該一方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第三のＬＥＤの電極を位置付けて該一方のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該一方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該一方のディスプレー基板に配設する第６のステップと、
該第６のステップにおいて選択されなかった第二のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された他方のディスプレー基板の表面に第１のステップで用いた第一のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該他方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第一のＬＥＤの電極を位置付けて該他方のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と該他方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを該他方のディスプレー基板に配設する第７のステップと、該第４のステップにおいて、第三のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第四のディスプレー基板の表面に該第５のステップで用いた第二のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該第四のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第二のＬＥＤの電極を位置付けて該第四のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と該第四のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを該第四のディスプレー基板に配設する第８のステップと、該第５のステップにおいて、第一のＬＥＤと第二のＬＥＤが配設された第一のディスプレー基板に該第６のステップで用いた第三のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第三のＬＥＤの電極を位置付けて該第一のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該第一のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該第一のディスプレー基板に配設する第９のステップと、
第二のＬＥＤと第三のＬＥＤが配設された該第６のステップにおける該一方のディスプレー基板に該第７のステップで用いた第一のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該一方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第一のＬＥＤの電極を位置付けて該一方のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と該一方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該一方のディスプレー基板に配設する第１０のステップと、該第８のステップにおいて、第二のＬＥＤと第三のＬＥＤが配設された該第四のディスプレー基板に該第１０のステップで用いた第一のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該第四のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第一のＬＥＤの電極を位置付けて該第四のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と該第四のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを該第四のディスプレー基板に配設する第１１のステップと、第二のＬＥＤと第一のＬＥＤが配設された該第７のステップにおける該他方のディスプレー基板に該第９のステップで用いた第三のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該他方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第三のＬＥＤの電極を位置付けて該他方のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該他方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該他方のディスプレー基板に配設する第１２のステップと、を少なくとも含み構成されていてもよい。 Further, the display substrate includes at least a first display substrate, a second display substrate, a third display substrate, and a fourth display substrate, and in the electrode connecting step, the surface of the first LED wafer is first. The electrodes of the first LED corresponding to the electrodes arranged in the rows and columns of the first display board at predetermined intervals facing the surface of the display board of the first display board are positioned as the electrodes of the first display board. By irradiating the first display substrate or the first LED wafer with a transparent laser beam to connect the electrode of the first LED and the electrode of the first display substrate, the LED arrangement step is performed. The first step of performing and disposing the first LED on the first display board, and the surface of the second LED wafer facing the surface of the second display board, and the second display at predetermined intervals. The electrodes of the second LED corresponding to the electrodes arranged in rows and columns of the substrate are positioned at the electrodes of the second display substrate and transmitted to the second display substrate or the second LED waiver. The electrode of the second LED and the electrode of the second display substrate are connected by irradiating with a laser beam having a property, and the LED arrangement step is carried out to attach the second LED to the second display substrate. The second step to be arranged and the surface of the second LED wafer used in the second step are made to face the surface of the third display substrate, and the rows and columns of the third display substrate are spaced apart from each other. The electrode of the second LED corresponding to the electrode arranged in the third display substrate is positioned at the electrode of the third display substrate, and a laser beam having transparency to the third display substrate or the second LED wafer is emitted. A third that irradiates and connects the electrode of the second LED and the electrode of the third display substrate, and also carries out the LED arrangement step to dispose the second LED on the third display substrate. And the third LED corresponding to the electrodes arranged in rows and columns of the fourth display board with the surface of the third LED wafer facing the surface of the fourth display board at predetermined intervals. Is positioned at the electrode of the fourth display substrate and is irradiated with a laser beam having transparency to the fourth display substrate or the third LED waiver to irradiate the electrode of the third LED and the fourth LED. While connecting to the electrodes of the display substrate, the LED arrangement step is carried out to connect the third LED to the fourth display. A fourth step of disposing on the spray substrate, and a second used in the third step on the surface of the first display substrate in which the first LEDs are disposed at predetermined intervals in the first step. The second LED electrodes corresponding to the electrodes arranged in the rows and columns of the first display board with the LED wafers facing each other at predetermined intervals are positioned as the electrodes of the first display board, and the first display is used. By irradiating the substrate or the second LED wafer with a transparent laser beam to connect the electrode of the second LED and the electrode of the first display substrate, the LED arrangement step is carried out and the second In the fifth step of arranging the LEDs on the first display board and the second step or the third step, the second display board or the second display board in which the second LEDs are arranged at predetermined intervals. One of the three display boards is selected, and the surface of the selected display board is faced with the third LED wafer used in the fourth step, and the display board of the one is placed at a predetermined interval. The third LED electrode is positioned on the electrodes arranged in rows and columns, and the third LED electrode and the third LED electrode are irradiated with a transparent laser beam to the one display substrate or the third LED wafer. A sixth step of connecting the electrodes of one display substrate and performing the LED arrangement step to dispose the third LED on the one display substrate.
The first LED wafer used in the first step is faced with the surface of the other display substrate on which the second LED not selected in the sixth step is arranged at a predetermined interval, and the second LED is faced at a predetermined interval. The first LED electrode is positioned on the electrodes arranged in the rows and columns of the other display substrate, and the other display substrate or the first LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to irradiate the first LED. A seventh step of connecting the LED electrode and the electrode of the other display substrate and performing the LED arrangement step to dispose the first LED on the other display substrate, and the fourth step. In the step, the second LED wafer used in the fifth step is made to face the surface of the fourth display substrate in which the third LED is arranged at a predetermined interval, and the fourth display substrate is arranged at a predetermined interval. The second LED electrode is positioned on the electrodes arranged in the rows and columns of the above, and the second LED electrode is irradiated with a transparent laser beam to the fourth display substrate or the second LED wafer. The eighth step of connecting the LED to the electrode of the fourth display substrate and performing the LED arrangement step to arrange the second LED on the fourth display substrate, and the fifth step. In the first display board in which the first LED and the second LED are arranged, the third LED wafer used in the sixth step is made to face each other, and the rows of the first display board are arranged at predetermined intervals. The third LED electrode is positioned on the electrodes arranged in the row and the third LED electrode and the third LED electrode are irradiated with a transparent laser beam to the first display substrate or the third LED wafer. A ninth step of connecting the electrodes of the first display substrate and performing the LED arrangement step to arrange the third LED on the first display substrate.
The first LED wafer used in the seventh step is faced with the one display substrate in the sixth step in which the second LED and the third LED are arranged, and the one display is spaced at a predetermined interval. The first LED electrode is positioned on the electrodes arranged in the rows and columns of the substrate, and the first LED electrode is irradiated with a transparent laser beam to the one display substrate or the first LED wafer. In the tenth step of connecting the LED and the electrode of the one display substrate and performing the LED arrangement step to dispose the third LED on the one display substrate, and in the eighth step. The first LED wafer used in the tenth step is faced with the fourth display board on which the second LED and the third LED are arranged, and the row of the fourth display board is spaced at a predetermined interval. The first LED electrode is positioned on the electrodes arranged in the row, and the first LED electrode and the first LED electrode are irradiated with a transparent laser beam to the fourth display substrate or the first LED wafer. The eleventh step of connecting the electrodes of the four display boards and carrying out the LED disposing step to dispose the first LED on the fourth display board, and the second LED and the first. The third LED wafer used in the ninth step is faced with the other display substrate in the seventh step in which the LEDs are arranged, and arranged in rows and columns of the other display substrate at predetermined intervals. The electrode of the third LED is positioned on the electrode, and the other display substrate or the third LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to irradiate the electrode of the third LED and the electrode of the other display substrate. It may be configured to include at least a twelfth step of arranging the LED arrangement step and arranging the third LED on the other display substrate.

また、第一のＬＥＤは赤を発し、第二のＬＥＤは緑を発し、第三のＬＥＤは青を発するものを選択するようにしてもよい。 In addition, the first LED emits red, the second LED emits a green, third LED may be due Unishi you select the one that emits blue.

本発明は、ＬＥＤディスプレーパネルを製造するＬＥＤディスプレーパネルの製造方法であって、エピタキシー基板の表面に所定の間隔をもって区画されてバッファー層を介して形成された第一のＬＥＤを複数備えた第一のＬＥＤウエーハと、エピタキシー基板の表面に所定の間隔をもって区画されてバッファー層を介して形成された第二のＬＥＤを複数備えた第二のＬＥＤウエーハと、エピタキシー基板の表面に所定の間隔をもって区画されてバッファー層を介して形成された第三のＬＥＤを複数備えた第三のＬＥＤウエーハと、を準備するＬＥＤウエーハ準備工程と、複数の電極が行と列に配設されたディスプレー基板を準備するディスプレー基板準備工程と、ディスプレー基板の電極に対応して第一のＬＥＤウエーハ、第二のＬＥＤウエーハ、第三のＬＥＤウエーハのうちのいずれか１つのＬＥＤウエーハを対面させて位置付けるＬＥＤウエーハ位置付け工程と、該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により対面させられたディスプレー基板又は該ＬＥＤウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射して、ＬＥＤの電極と、該ＬＥＤの電極と対応するディスプレー基板の電極とを連結する電極連結工程と、ディスプレー基板又は該ＬＥＤウエーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をディスプレー基板に位置付けられたＬＥＤのバッファー層に照射してバッファー層を破壊し該ＬＥＤをエピタキシー基板から剥離して該ＬＥＤウエーハのＬＥＤをディスプレー基板に配設するＬＥＤ配設工程と、を少なくとも含み、上記のＬＥＤウエーハ位置付け工程によって対面させられなかった他の２つのＬＥＤウエーハについても、上記のＬＥＤウエーハ位置付け工程、電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を実施して、該２つのＬＥＤウエーハのＬＥＤもディスプレー基板に配設するものであって、該ディスプレー基板は、第一のディスプレー基板、第二のディスプレー基板、第三のディスプレー基板、第四のディスプレー基板を少なくとも備え、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により第一のＬＥＤウエーハの表面を第一のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第一のＬＥＤの電極を該第一のディスプレー基板の電極に位置付けて第一のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と第一のディスプレー基板の該電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを第一のディスプレー基板に配設する第１のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により第二のＬＥＤウエーハの表面を第二のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第二のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第二のＬＥＤの電極を該第二のディスプレー基板の該電極に位置付けて該第二のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と該第二のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを該第二のディスプレー基板に配設する第２のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第２のステップで用いた第二のＬＥＤウエーハの表面を第三のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって該第三のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第二のＬＥＤの電極を該第三のディスプレー基板の該電極に位置付けて該第三のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と該第三のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを該第三のディスプレー基板に配設する第３のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により第三のＬＥＤウエーハの表面を第四のディスプレー基板の表面に対面させ、所定の間隔をもって第四のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する該第三のＬＥＤの電極を該第四のディスプレー基板の該電極に位置付けて該第四のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該第四のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該第四のディスプレー基板に配設する第４のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第１のステップにおいて、第一のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第一のディスプレー基板の表面に該第３のステップで用いた第二のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に対応する第二のＬＥＤの電極を第一のディスプレー基板の電極に位置付けて該第一のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と第一のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを第一のディスプレー基板に配設する第５のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第２のステップ又は第３のステップにおいて、第二のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第二のディスプレー基板又は第三のディスプレー基板のいずれか一方のディスプレー基板を選択し、選択された一方のディスプレー基板の表面に第４のステップで用いた第三のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該一方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第三のＬＥＤの電極を位置付けて該一方のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該一方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該一方のディスプレー基板に配設する第６のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第６のステップにおいて選択されなかった第二のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された他方のディスプレー基板の表面に第１のステップで用いた第一のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該他方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第一のＬＥＤの電極を位置付けて該他方のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と該他方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを該他方のディスプレー基板に配設する第７のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第４のステップにおいて、第三のＬＥＤが所定の間隔をもって配設された第四のディスプレー基板の表面に該第５のステップで用いた第二のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該第四のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第二のＬＥＤの電極を位置付けて該第四のディスプレー基板又は第二のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第二のＬＥＤの電極と該第四のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第二のＬＥＤを該第四のディスプレー基板に配設する第８のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第５のステップにおいて、第一のＬＥＤと第二のＬＥＤが配設された第一のディスプレー基板に該第６のステップで用いた第三のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該第一のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第三のＬＥＤの電極を位置付けて該第一のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該第一のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該第一のディスプレー基板に配設する第９のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により第二のＬＥＤと第三のＬＥＤが配設された該第６のステップにおける該一方のディスプレー基板に該第７のステップで用いた第一のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該一方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第一のＬＥＤの電極を位置付けて該一方のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と該一方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを該一方のディスプレー基板に配設する第１０のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により該第８のステップにおいて、第二のＬＥＤと第三のＬＥＤが配設された該第四のディスプレー基板に該第１０のステップで用いた第一のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該第四のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第一のＬＥＤの電極を位置付けて該第四のディスプレー基板又は第一のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第一のＬＥＤの電極と該第四のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第一のＬＥＤを該第四のディスプレー基板に配設する第１１のステップと、ＬＥＤウエーハ位置付け工程及び電極連結工程により第二のＬＥＤと第一のＬＥＤが配設された該第７のステップにおける該他方のディスプレー基板に該第９のステップで用いた第三のＬＥＤウエーハを対面させ所定の間隔をもって該他方のディスプレー基板の行と列に配設された電極に第三のＬＥＤの電極を位置付けて該他方のディスプレー基板又は第三のＬＥＤウエーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射して第三のＬＥＤの電極と該他方のディスプレー基板の電極とを連結させると共に、該ＬＥＤ配設工程を実施して第三のＬＥＤを該他方のディスプレー基板に配設する第１２のステップと、を少なくとも含み構成されるので、直接ディスプレーパネルにＬＥＤを配設することが可能となり、従来に比して格段に効率よくＬＥＤディスプレーパネルを製造することが可能になる。 The present invention is a method for manufacturing an LED display panel for manufacturing an LED display panel, wherein the first LED is partitioned on the surface of an epitaxy substrate at predetermined intervals and formed via a buffer layer. A second LED wafer having a plurality of second LEDs formed via a buffer layer partitioned on the surface of the epitaxy substrate at predetermined intervals, and a second LED wafer partitioned on the surface of the epitaxy substrate at predetermined intervals. A third LED wafer having a plurality of third LEDs formed via a buffer layer, an LED wafer preparation step for preparing, and a display substrate in which a plurality of electrodes are arranged in rows and columns are prepared. The display board preparation process and the LED waha positioning process in which one of the first LED waha, the second LED waha, and the third LED waha are faced to each other and positioned corresponding to the electrodes of the display board. If, by applying a laser beam having a transmission wavelength to the said LED wafer positioning step display substrate or the LED wafer was allowed to face a result, the LED electrode, and the electrode of the display substrate corresponding to the LED electrode And the electrode connecting step of connecting the LEDs, and irradiating the buffer layer of the LED located on the display substrate with a laser beam having a wavelength that is transparent to the display substrate or the LED wafer to destroy the buffer layer and destroy the LED from the epitaxy substrate. The above-mentioned LED waher also includes at least the LED arranging step of peeling off and arranging the LED of the LED waher on the display substrate, and the other two LED wahas which were not made to face each other by the above-mentioned LED waiha positioning step. The positioning step, the electrode connecting step, and the LED disposing step are carried out, and the LEDs of the two LED wafers are also disposed on the display substrate, and the display substrate is the first display substrate and the second. A display substrate, a third display substrate, and a fourth display substrate are provided at least, and the surface of the first LED wafer is made to face the surface of the first display substrate by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and at predetermined intervals. The electrodes of the first LED corresponding to the electrodes arranged in the rows and columns of the first display board are positioned at the electrodes of the first display board with respect to the first display board or the first LED wafer. Transparent LED The electrode of the first LED and the electrode of the first display substrate are connected by irradiating the light beam, and the LED arrangement step is carried out to dispose the first LED on the first display substrate. The surface of the second LED wafer is made to face the surface of the second display substrate by the first step, the LED wafer positioning step, and the electrode connecting step, and arranged in rows and columns of the second display substrate at predetermined intervals. The electrode of the second LED corresponding to the electrode is positioned at the electrode of the second display substrate, and the second display substrate or the second LED wafer is irradiated with a transparent laser beam. With the second step of connecting the electrode of the second LED and the electrode of the second display substrate and performing the LED arrangement step to dispose the second LED on the second display substrate. The surface of the second LED wafer used in the second step is made to face the surface of the third display substrate by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and the row of the third display substrate is separated from the surface of the third display substrate at predetermined intervals. A laser beam that positions the electrode of the second LED corresponding to the electrodes arranged in the row to the electrode of the third display substrate and has transparency to the third display substrate or the second LED wafer. Is irradiated to connect the electrode of the second LED and the electrode of the third display substrate, and the LED arrangement step is carried out to dispose the second LED on the third display substrate. The surface of the third LED wafer is made to face the surface of the fourth display substrate by the step 3 and the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and are arranged in the rows and columns of the fourth display substrate at predetermined intervals. The electrode of the third LED corresponding to the electrode is positioned at the electrode of the fourth display substrate, and the fourth display substrate or the third LED wafer is irradiated with a transparent laser beam. A fourth step of connecting the electrodes of the three LEDs and the electrodes of the fourth display substrate and performing the LED arrangement step to dispose the third LED on the fourth display substrate. The second LED wai used in the third step on the surface of the first display substrate in which the first LEDs are arranged at predetermined intervals in the first step by the LED waiha positioning step and the electrode connecting step. Are arranged in rows and columns of the first display substrate at predetermined intervals so that they face each other. The electrode of the second LED corresponding to the electrode is positioned on the electrode of the first display substrate, and the first display substrate or the second LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to irradiate the second LED. The fifth step of connecting the electrode of the above and the electrode of the first display substrate and performing the LED arrangement step to arrange the second LED on the first display substrate, the LED wafer positioning step, and the LED wafer positioning step. In the second step or the third step, the display substrate of either the second display substrate or the third display substrate in which the second LEDs are arranged at predetermined intervals is selected by the electrode connecting step. , The third LED wafer used in the fourth step is faced to the surface of one of the selected display substrates, and the third LED is placed on the electrodes arranged in rows and columns of the one display substrate at predetermined intervals. The electrode of the third LED is positioned and irradiated with a laser beam having transparency to the one display substrate or the third LED wafer to connect the electrode of the third LED and the electrode of the one display substrate, and the LED is connected. A sixth step of performing an arrangement step and arranging the third LED on the one display substrate, and a second LED not selected in the sixth step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The first LED wafer used in the first step is faced to the surface of the other display substrate arranged at a predetermined interval, and the electrodes arranged in rows and columns of the other display substrate at a predetermined interval. The electrode of the first LED is positioned on the other display substrate or the first LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to connect the electrode of the first LED and the electrode of the other display substrate. In the seventh step of disposing the first LED on the other display substrate by carrying out the LED disposing step, and in the fourth step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, the third step is performed. The second LED wafer used in the fifth step is faced to the surface of the fourth display substrate in which the LEDs are arranged at predetermined intervals, and the rows and columns of the fourth display substrate are arranged at predetermined intervals. The second LED electrode is positioned on the arranged electrode and the second LED electrode and the fourth LED are irradiated with a transparent laser beam to the fourth display substrate or the second LED wafer. Of the display board The fifth step is the eighth step of connecting the electrodes and carrying out the LED disposing step to dispose the second LED on the fourth display substrate, and the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. In the step, the third LED wafer used in the sixth step is made to face the first display board on which the first LED and the second LED are arranged, and the first display board is provided with a predetermined interval. The third LED electrode is positioned on the electrodes arranged in rows and columns, and the first display substrate or the third LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to form the third LED electrode. A ninth step of connecting the electrode of the first display substrate and performing the LED arrangement step to dispose the third LED on the first display substrate, an LED wafer positioning step, and an electrode. The first LED wafer used in the seventh step is faced with the one display substrate in the sixth step in which the second LED and the third LED are arranged by the connecting step, and the first LED wafer used in the seventh step is faced with the display substrate at a predetermined interval. The first LED electrode is positioned on the electrodes arranged in the rows and columns of one display substrate, and the one display substrate or the first LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to irradiate the first LED. The tenth step of connecting the LED electrode and the electrode of the one display substrate, and performing the LED arrangement step to dispose the first LED on the one display substrate, and the LED wafer positioning step. And, in the eighth step by the electrode connecting step, the first LED wafer used in the tenth step is faced with the fourth display substrate on which the second LED and the third LED are arranged. The electrodes of the first LED are positioned on the electrodes arranged in the rows and columns of the fourth display board at intervals of, and a laser beam having transparency to the fourth display board or the first LED wafer is emitted. Eleventh to irradiate and connect the electrode of the first LED and the electrode of the fourth display substrate, and to carry out the LED arrangement step to dispose the first LED on the fourth display substrate. The third step used in the ninth step on the other display substrate in the seventh step in which the second LED and the first LED are arranged by the step of the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The LED wafers face each other and are placed in rows and columns of the other display board at predetermined intervals. The third LED electrode is positioned on the arranged electrode, and the other display substrate or the third LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to irradiate the third LED electrode and the other display substrate. The LED is directly attached to the display panel because it includes at least a twelfth step of connecting the electrodes of the above and carrying out the LED arrangement step to arrange the third LED on the other display substrate. It becomes possible to dispose of the LED display panel, and it becomes possible to manufacture the LED display panel much more efficiently than in the conventional case.

本発明に基づいて構成されるＬＥＤディスプレーパネル製造方法を実施するためのレーザー加工装置を示す斜視図である。It is a perspective view which shows the laser processing apparatus for carrying out the LED display panel manufacturing method configured based on this invention. 図１に記載されたレーザー加工装置の保持手段とその作動を説明するための一部斜視図である。It is a partial perspective view for demonstrating the holding means of the laser processing apparatus shown in FIG. 1 and its operation. 本発明のＬＥＤディスプレーパネル製造方法に適用されるＬＥＤウエーハの斜視図である。It is a perspective view of the LED wafer applied to the LED display panel manufacturing method of this invention. 本発明のＬＥＤディスプレーパネル製造方法に適用されるディスプレー基板の斜視図である。It is a perspective view of the display substrate applied to the LED display panel manufacturing method of this invention. 本発明のＬＥＤウエーハ位置付け工程を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the LED wafer positioning process of this invention. 本発明の第１のステップ（Ａステップ）を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the first step (step A) of this invention. 図６に示す第１のステップを実施することによって獲得されるディスプレー基板の一部を拡大した斜視図である。FIG. 6 is an enlarged perspective view of a part of a display substrate obtained by carrying out the first step shown in FIG. 本発明の第２ステップ（Ｂステップ）を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the 2nd step (B step) of this invention. 本発明の第３ステップを説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the 3rd step of this invention. 本発明の第４ステップを説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the 4th step of this invention. 本発明の第５ステップ（Ｃステップ）を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the 5th step (C step) of this invention. 本発明の第６ステップを説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the sixth step of this invention. 本発明の第７ステップ（Ｄステップ）を説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the 7th step (D step) of this invention. 本発明の第８ステップを説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the 8th step of this invention. 本発明の第９ステップを説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the 9th step of this invention. 本発明の第１０ステップを説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the tenth step of this invention. 本発明の第１１ステップを説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the eleventh step of this invention. 本発明の第１２ステップを説明するための概念図である。It is a conceptual diagram for demonstrating the twelfth step of this invention. 本発明の第１〜１２ステップを実施することにより獲得されるディスプレー基板の一部を拡大した斜視図である。FIG. 3 is an enlarged perspective view of a part of a display substrate obtained by carrying out the first to twelfth steps of the present invention.

以下、本発明によるＬＥＤディスプレーパネルの製造方法について、添付図面を参照しながら詳細に説明する。 Hereinafter, the method for manufacturing the LED display panel according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

まず、本発明のＬＥＤディスプレーパネルの製造方法の実施に好適なレーザー加工装置の一実施形態について説明する。 First, an embodiment of a laser processing apparatus suitable for carrying out the method for manufacturing an LED display panel of the present invention will be described.

図１には、レーザー加工装置４０が示されている。図に示すレーザー加工装置４０は、基台４１と、被加工物となるディスプレー基板を保持する保持手段４２と、保持手段４２を移動させる移動手段４３と、レーザー光線を照射するレーザー光線照射手段４４と、基台４１の上面から上方に延び、次いで実質上水平に延びるレーザー光線照射手段４４が内蔵された枠体４５と、コンピュータにより構成される図示しない制御手段と、を備え、該制御手段により各手段が制御されるように構成されている。また、水平に延びる枠体４５の先端部の下面には、レーザー光線照射手段４４を構成するｆθレンズを含む集光器４４ａと、集光器４４ａに対して図中矢印Ｘで示す方向に並び隣接して配設された、ＬＥＤウエーハを保持するＬＥＤウエーハ保持手段５０と、被加工物の加工領域を撮像するための撮像手段４８が配設されている。 FIG. 1 shows a laser processing apparatus 40. The laser processing apparatus 40 shown in the figure includes a base 41, a holding means 42 for holding a display substrate to be a workpiece, a moving means 43 for moving the holding means 42, and a laser beam irradiating means 44 for irradiating a laser beam. A frame body 45 having a built-in laser beam irradiating means 44 extending upward from the upper surface of the base 41 and then extending substantially horizontally, and a control means (not shown) configured by a computer are provided, and each means is provided by the control means. It is configured to be controlled. Further, on the lower surface of the tip portion of the horizontally extending frame 45, a condenser 44a including an fθ lens constituting the laser beam irradiating means 44 and the condenser 44a are arranged and adjacent to the condenser 44a in the direction indicated by the arrow X in the figure. The LED wafer holding means 50 for holding the LED wafer and the imaging means 48 for imaging the processed area of the workpiece are arranged.

保持手段４２は、図中に矢印Ｘで示すＸ方向において移動自在に基台４１に搭載された矩形状のＸ方向可動板６０と、図中に矢印Ｙで示すＹ方向において移動自在にＸ方向可動板６０に搭載された矩形状のＹ方向可動板６１と、Ｙ方向可動板６１の上面に固定された円筒状の支柱６２と、支柱６２の上端に固定された矩形状の保持テーブル６３とを含む。該保持テーブル６３上の中央部には、矩形状の枠体から構成される保持フレーム６４が配設され、保持フレーム６４は、被加工物である第一のディスプレー基板の外周を吸引保持するように構成されている。支柱６２の内部には、上記したレーザー光線照射手段４４と同様にｆθレンズを含む集光器等の構成を有する図示しないレーザー光線照射手段が備えられており（図示は省略する。）、保持フレーム６４上に吸引保持される被加工物に向けてレーザー光線を照射することが可能に構成されている。なお、本実施形態でいうＸ方向とは図１に矢印Ｘで示す方向であり、Ｙ方向は図１に矢印Ｙで示す方向であってＸ方向に直交する方向である。Ｘ方向、Ｙ方向で規定される平面は実質上水平である。 The holding means 42 has a rectangular X-direction movable plate 60 mounted on the base 41 so as to be movable in the X direction indicated by the arrow X in the drawing, and the holding means 42 to be movable in the X direction indicated by the arrow Y in the drawing. A rectangular Y-direction movable plate 61 mounted on the movable plate 60, a cylindrical support column 62 fixed to the upper surface of the Y-direction movable plate 61, and a rectangular holding table 63 fixed to the upper end of the support column 62. including. A holding frame 64 composed of a rectangular frame is disposed in the central portion on the holding table 63, and the holding frame 64 sucks and holds the outer periphery of the first display substrate which is a workpiece. It is configured in. A laser beam irradiating means (not shown) having a configuration such as a condenser including an fθ lens is provided inside the support column 62 as in the laser beam irradiating means 44 described above (not shown), and is provided on the holding frame 64. It is configured to be able to irradiate a laser beam toward the workpiece to be attracted and held. The X direction in the present embodiment is the direction indicated by the arrow X in FIG. 1, and the Y direction is the direction indicated by the arrow Y in FIG. 1 and is orthogonal to the X direction. The planes defined in the X and Y directions are substantially horizontal.

移動手段４３は、Ｘ方向移動手段８０と、Ｙ方向移動手段８２と、を含む。Ｘ方向移動手段８０は、Ｘ方向移動手段８０は、モータの回転運動を直線運動に変換してＸ方向可動板６０に伝達し、基台４１上の案内レールに沿ってＸ方向可動板６０をＸ方向において進退させる。Ｙ方向移動手段８２は、モータの回転運動を直線運動に変換し、Ｙ方向可動板６１に伝達し、Ｘ方向可動板６０上の案内レールに沿ってＹ方向可動板６１をＹ方向において進退させる。なお、図示は省略するが、Ｘ方向移動手段８０、Ｙ方向移動手段８２には、それぞれ位置検出手段が配設されており、保持テーブルのＸ方向の位置、Ｙ方向の位置、周方向の回転位置が正確に検出され、後述する制御手段から指示される信号に基づいてＸ方向移動手段８０、Ｙ方向移動手段８２が駆動され、任意の位置および角度に上記保持テーブルを正確に位置付けることが可能になっている。 The moving means 43 includes an X-direction moving means 80 and a Y-direction moving means 82. In the X-direction moving means 80, the X-direction moving means 80 converts the rotational motion of the motor into a linear motion and transmits it to the X-direction movable plate 60, and causes the X-direction movable plate 60 along the guide rail on the base 41. Move forward and backward in the X direction. The Y-direction moving means 82 converts the rotational motion of the motor into a linear motion, transmits it to the Y-direction movable plate 61, and advances and retreats the Y-direction movable plate 61 in the Y direction along the guide rail on the X-direction movable plate 60. .. Although not shown, the X-direction moving means 80 and the Y-direction moving means 82 are respectively provided with position detecting means, and the position in the X direction, the position in the Y direction, and the rotation in the circumferential direction of the holding table. The position is accurately detected, and the X-direction moving means 80 and the Y-direction moving means 82 are driven based on the signals instructed by the control means described later, and the holding table can be accurately positioned at any position and angle. It has become.

該撮像手段４８は、顕微鏡を構成する光学系と撮像素子（ＣＣＤ）を備えており、撮像した画像信号を該制御手段に送り、図示しない表示手段に表示することが可能に構成されている。なお、撮像手段４８は、必要に応じて赤外光照射手段と、赤外光を撮像可能な撮像素子を備えていてもよい。該制御手段は、コンピュータにより構成され、制御プログラムに従って演算処理する中央演算処理装置（ＣＰＵ）と、制御プログラム等を格納するリードオンリメモリ（ＲＯＭ）と、検出した検出値、演算結果等を一時的に格納するための読み書き可能なランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）と、入力インターフェース、及び出力インターフェースとを備えている（詳細についての図示は省略する。）。 The image pickup means 48 includes an optical system constituting a microscope and an image pickup element (CCD), and is configured to be able to send an image pickup image signal to the control means and display it on a display means (not shown). The image pickup means 48 may include an infrared light irradiation means and an image pickup element capable of taking an image of infrared light, if necessary. The control means is configured by a computer and temporarily stores a central processing unit (CPU) that performs arithmetic processing according to a control program, a read-only memory (ROM) that stores a control program and the like, detected detection values, arithmetic results, and the like. It is provided with a readable and writable random access memory (RAM) for storing in, an input interface, and an output interface (details are not shown).

ＬＥＤウエーハ保持手段５０について、図２を参照しながら詳細に説明する。図２（ａ）に示すように、三色のＬＥＤウエーハ、すなわち赤色ＬＥＤウエーハ２０、緑色ＬＥＤウエーハ２２、青色ＬＥＤウエーハ２４を保持するＬＥＤウエーハ保持手段５０は、ウエーハ保持リング５２と、ウエーハ保持リング５２を支持する保持アーム５４とから構成されており、保持アーム５４は、水平に延びる枠体４５の先端部の下面に配設された保持基体５６に、保持基体５６の開口孔５６ａを介して保持基体５６に内蔵された駆動手段（図示は省略する。）に連結されている。ウエーハ保持リング５２は、ＬＥＤウエーハの寸法に合わせて形成された環状の開口部５８を有しており、内側には、ＬＥＤウエーハが載置される環状の段差部５２ａがウエーハ保持リング５２の内側に沿って配設されている。段差部５２ａの上面には、載置されるＬＥＤウエーハを吸引保持するための吸引孔５２ｂが周方向に所定の間隔をおいて複数配設されており、ＬＥＤウエーハを保持する場合には、例えば、図２（ｂ）に示すように、開口部５８に対してＬＥＤウエーハ２０の表面２０ａを上方に向けて位置付け、段差部５２ａ上に載置する。この際、ウエーハ保持リング５２に形成された直線部５２ｃに、ＬＥＤウエーハ２０のオリエンテーションフラットＯＦを対向させて位置付けて載置することで、基板保持手段５２に保持されるＬＥＤウエーハ２０の方向を正確に規定することが可能である。吸引孔５２ｂは、ウエーハ保持リング５２、及び保持アーム５４の内部に形成された吸引通路を介して図示しない吸引手段に連結されており、該吸引手段を作動させることにより、ＬＥＤウエーハ２０を吸引保持する。 The LED wafer holding means 50 will be described in detail with reference to FIG. As shown in FIG. 2A, the LED wafer holding means 50 for holding the three-color LED wafers, that is, the red LED wafer 20, the green LED wafer 22, and the blue LED wafer 24 is a wafer holding ring 52 and a wafer holding ring. The holding arm 54 is composed of a holding arm 54 that supports the 52, and the holding arm 54 is provided in a holding base 56 disposed on the lower surface of the tip end portion of a horizontally extending frame 45 via an opening hole 56a of the holding base 56. It is connected to a drive means (not shown) built in the holding substrate 56. The wafer holding ring 52 has an annular opening 58 formed according to the dimensions of the LED wafer, and inside, an annular step portion 52a on which the LED wafer is placed is inside the wafer holding ring 52. It is arranged along. A plurality of suction holes 52b for sucking and holding the LED wafer to be mounted are arranged on the upper surface of the step portion 52a at predetermined intervals in the circumferential direction, and when holding the LED wafer, for example, , As shown in FIG. 2B, the surface 20a of the LED wafer 20 is positioned upward with respect to the opening 58, and is placed on the step portion 52a. At this time, the orientation flat OF of the LED wafer 20 is positioned and placed on the straight line portion 52c formed on the wafer retaining ring 52 so as to face each other, so that the direction of the LED wafer 20 held by the substrate holding means 52 can be accurately determined. It is possible to specify in. The suction hole 52b is connected to a suction means (not shown) via a suction passage formed inside the wafer holding ring 52 and the holding arm 54, and by operating the suction means, the LED wafer 20 is sucked and held. do.

ＬＥＤウエーハ２０を保持したウエーハ保持リング５２は、保持アーム５４を該保持基体５６に配設された該駆動手段により、図２（ｃ）の矢印５４ａで示す方向に回転させることが可能になっており、ＬＥＤウエーハ２０の表面２０ａ、裏面２０ｂのいずれをも上方に向けることができる。さらに、ウエーハ保持リング５２は、上記制御手段の指令により、矢印５４ｂで示す上下方向に移動させることが可能に構成され、所望の高さ位置に正確に制御することが可能になっている。 The wafer holding ring 52 holding the LED wafer 20 can rotate the holding arm 54 in the direction indicated by the arrow 54a in FIG. 2C by the driving means arranged on the holding base 56. Both the front surface 20a and the back surface 20b of the LED wafer 20 can be directed upward. Further, the wafer holding ring 52 is configured to be movable in the vertical direction indicated by the arrow 54b by the command of the control means, and can be accurately controlled to a desired height position.

レーザー加工装置４０は、概ね上記したような構成を備えており、レーザー加工装置４０を使用して実行される、本発明のＬＥＤディスプレーパネル製造方法について、以下に説明する。 The laser processing apparatus 40 has a configuration as described above, and the LED display panel manufacturing method of the present invention, which is executed by using the laser processing apparatus 40, will be described below.

まず、第一のＬＥＤ（以下「赤色ＬＥＤ」という。）を複数備えた第一のＬＥＤウエーハ（以下「赤色ＬＥＤウエーハ」という。）と、第二のＬＥＤ（以下「緑色ＬＥＤ」という。）を複数備えた第二のＬＥＤウエーハ（以下「緑色ＬＥＤウエーハ」という。）と、第三のＬＥＤ（以下「青色ＬＥＤ」という。）を複数備えた第三のＬＥＤウエーハ（以下「青色ＬＥＤウエーハ」と、を準備するＬＥＤウエーハ準備工程を実施する。 First, a first LED wafer (hereinafter referred to as "red LED wafer") provided with a plurality of first LEDs (hereinafter referred to as "red LED") and a second LED (hereinafter referred to as "green LED") are referred to. A second LED wafer equipped with a plurality of LEDs (hereinafter referred to as "green LED wafer") and a third LED wafer equipped with a plurality of third LEDs (hereinafter referred to as "blue LED") (hereinafter referred to as "blue LED wafer"). , To carry out the LED wafer preparation process.

図３（ａ）には、本発明のＬＥＤウエーハ準備工程で準備される赤色ＬＥＤ２１が形成される赤色ＬＥＤウエーハ２０が示され、図３（ｂ）には、緑色ＬＥＤ２３が形成される緑色ＬＥＤウエーハ２２、図３（ｃ）には、青色ＬＥＤ２５が形成されるＬＥＤウエーハ２４が示され、それぞれの一部拡大断面図Ａ−Ａ、Ｂ−Ｂ、Ｃ−Ｃも合わせて示されている。各ＬＥＤウエーハは図に示すように、略円板状をなし、直径４インチ≒１００ｍｍのサイズで構成されている。各ＬＥＤウエーハは、いずれもサファイア基板、又はＳｉＣ基板等のエピタキシー基板２０１、２２１、２４１の上面に、Ｇａ化合物（例えば、窒化ガリウム：ＧａＮ）からなるバッファー層ＢＦを介して赤色に発光をする赤色ＬＥＤ２１、緑色に発光をする緑色ＬＥＤ２３、青色に発光する青色ＬＥＤ２５を構成するＬＥＤ層が形成されている。該赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３、青色ＬＥＤ２５は、Ｎ型半導体層、発光層、Ｐ型半導体層からなるエピタキシャル層と、該エピタキシャル層の上面に配設されるＰ型半導体、Ｎ型半導体からなる電極とによって構成される（図示は省略する。）。各ＬＥＤウエーハにおいては隣接するＬＥＤが、所定の間隔２０２、２２２、２４２をもって区画されて形成されており、各ＬＥＤが１つ配設される領域の寸法は、平面視で１０μｍ×１０μｍとなるように設定されている。各ＬＥＤ間を構成する所定の間隔２０２、２２２、２４２が形成されている領域は、エピタキシー基板２０１、２２１、２４１が露出した状態となっている。 FIG. 3 (a) shows a red LED waiha 20 on which the red LED 21 prepared in the LED waiha preparation step of the present invention is formed, and FIG. 3 (b) shows a green LED waiha on which the green LED 23 is formed. 22; FIG. 3C shows an LED wafer 24 on which a blue LED 25 is formed, and partially enlarged cross-sectional views AA, BB, and CC, respectively, are also shown. As shown in the figure, each LED wafer has a substantially disk shape and has a diameter of 4 inches ≈100 mm. Each LED wafer emits red light on the upper surface of an epitaxy substrate 201, 221 or 241 such as a sapphire substrate or a SiC substrate via a buffer layer BF made of a Ga compound (for example, gallium nitride: GaN). An LED layer constituting the LED 21, the green LED 23 that emits green light, and the blue LED 25 that emits blue light is formed. The red LED 21, green LED 23, and blue LED 25 include an epitaxial layer composed of an N-type semiconductor layer, a light emitting layer, and a P-type semiconductor layer, and an electrode composed of a P-type semiconductor and an N-type semiconductor disposed on the upper surface of the epitaxial layer. (The illustration is omitted). In each LED wafer, adjacent LEDs are partitioned and formed with a predetermined interval 202, 222, 242, and the dimension of the area where one LED is arranged is 10 μm × 10 μm in a plan view. Is set to. In the region where the predetermined intervals 202, 222, 242 forming between the LEDs are formed, the epitaxy substrates 201, 221 and 241 are exposed.

各ＬＥＤウエーハの外周には、結晶方位を示す直線部分、所謂オリエンテーションフラットＯＦが形成されており、各ＬＥＤウエーハの上面に形成される赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３、青色ＬＥＤ２５は、該結晶方位を基準にして所定の方向に配列される。赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３、青色ＬＥＤ２５における赤色、緑色、青色の発光は、発光層を構成する材料を変更することにより得ることが知られており、例えば、赤色ＬＥＤ２１はアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）、緑色ＬＥＤ２３はリン化ガリウム（ＧａＰ）、青色ＬＥＤ２５は窒化ガリウム（ＧａＮ）が使用される。なお、本発明の赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３、青色ＬＥＤ２５を形成する材料はこれに限定されず、各色を発光させるための公知の材料を採用することができ、他の材料を用いて各色を発光させることも可能である。さらにいえば、本発明は上記した三色に限定されるわけではなく、他の色のＬＥＤ、例えば黄色ＬＥＤ等を使用するものでもよい。また、本実施形態では、図３（ａ）〜（ｃ）に示すように、赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３、青色ＬＥＤ２５を表面に備えたＬＥＤウエーハ２０、２２、２４は、同数のＬＥＤデバイスが同様の配列で配設されている。 A straight line portion indicating the crystal orientation, a so-called orientation flat OF, is formed on the outer periphery of each LED wafer, and the red LED21, the green LED23, and the blue LED25 formed on the upper surface of each LED wafer are based on the crystal orientation. Are arranged in a predetermined direction. It is known that the red, green, and blue emission in the red LED 21, the green LED 23, and the blue LED 25 can be obtained by changing the material constituting the light emitting layer. For example, the red LED 21 is an aluminum gallium phosphide (AlGaAs), green. Gallium phosphide (GaP) is used for the LED 23, and gallium nitride (GaN) is used for the blue LED 25. The material forming the red LED 21, the green LED 23, and the blue LED 25 of the present invention is not limited to this, and a known material for emitting light of each color can be adopted, and each color is emitted by using another material. It is also possible. Furthermore, the present invention is not limited to the above-mentioned three colors, and LEDs of other colors, such as yellow LEDs, may be used. Further, in the present embodiment, as shown in FIGS. 3A to 3C, the LED wafers 20, 22, and 24 having the red LED 21, the green LED 23, and the blue LED 25 on the surface have the same number of LED devices. They are arranged in an array.

上記したＬＥＤウエーハ準備工程と合わせ、複数の電極が行と列に配設されたディスプレー基板を準備するディスプレー基板準備工程を実施する。本実施形態では、例えば、ガラス板から構成される４インチサイズ（横４．９８ｃｍ、縦８．８４ｃｍ）で同一の構成を備えたディスプレー基板を４枚（第一〜第四のディスプレー基板１０Ａ〜１０Ｄ）準備するものとし、図４には、該ディスプレー基板準備工程によって準備される第一のディスプレー基板１０Ａが示されている。本実施形態の各ディスプレー基板の上面には、ディスプレー基板の一部を拡大して示す拡大部１１ａから理解されるように、行方向に並んだ２つの電極１２４が列方向、行方向に複数配設されており、各ＬＥＤを配設する際には各ＬＥＤのアノード電極、カソード電極が行方向に並んだ２つの電極１２４それぞれに連結される。該２つの電極１２４は、列方向に３組（１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ）約１０μｍの間隔で配設され、それぞれに赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３、青色ＬＥＤ２５が配設される。各ディスプレー基板上には該３組の電極１２４が複数組配設され、それぞれの間には３つのＬＥＤが同じ間隔で収まる程度の間隔が設定される。なお、上記ＬＥＤウエーハ準備工程、ディスプレー基板準備工程は、いずれを先に実施してもよい。 In addition to the LED wafer preparation step described above, a display substrate preparation step for preparing a display substrate in which a plurality of electrodes are arranged in rows and columns is performed. In the present embodiment, for example, four display substrates (first to fourth display substrates 10A to 4) having the same configuration in a 4-inch size (width 4.98 cm, length 8.84 cm) composed of glass plates are provided. 10D) Prepared, FIG. 4 shows the first display substrate 10A prepared by the display substrate preparation step. As can be understood from the enlarged portion 11a showing a part of the display substrate on the upper surface of each display substrate of the present embodiment, a plurality of two electrodes 124 arranged in the row direction are arranged in the column direction and the row direction. When arranging each LED, the anode electrode and the cathode electrode of each LED are connected to each of the two electrodes 124 arranged in the row direction. The two electrodes 124 are arranged in three sets (124a, 124b, 124c) in the row direction at intervals of about 10 μm, and a red LED 21, a green LED 23, and a blue LED 25 are arranged in each. A plurality of sets of the three sets of electrodes 124 are arranged on each display substrate, and an interval is set between them so that the three LEDs can be accommodated at the same interval. Either of the LED wafer preparation step and the display substrate preparation step may be performed first.

図に基づいて、上記ＬＥＤウエーハ準備工程、ディスプレー基板準備工程に続く工程について説明する。上記ＬＥＤウエーハ準備工程、ディスプレー基板準備工程を実施したならば、図１に示すレーザー加工装置４０を使用して、ＬＥＤウエーハをディスプレー基板に位置付けて、ディスプレー基板の電極１２４に対応してＬＥＤウエーハを対面させて位置付けるＬＥＤウエーハ位置付け工程を実施する。 The steps following the LED wafer preparation step and the display substrate preparation step will be described with reference to the drawings. After performing the LED wafer preparation step and the display substrate preparation step, the LED wafer is positioned on the display substrate by using the laser processing device 40 shown in FIG. 1, and the LED wafer is provided corresponding to the electrode 124 of the display substrate. The LED wafer positioning process for face-to-face positioning is carried out.

より具体的には、まず、図１に示すレーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図中手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、図４に示すように、保持テーブル６３の上面の保持フレーム６４の段差部６４ａ上に、第一のディスプレー基板１０Ａの電極１２４が形成された表面１０Ａａを上方にして載置し、図示しない吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。第一のディスプレー基板１０Ａを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持し第一のディスプレー基板１０Ａを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第一のディスプレー基板１０Ａの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 More specifically, first, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 shown in FIG. 1 is moved to the substrate mounting area on the front side in the drawing by operating the moving means 43. When the holding table 63 is moved to the position shown in FIG. 1, as shown in FIG. 4, the electrode 124 of the first display substrate 10A is formed on the stepped portion 64a of the holding frame 64 on the upper surface of the holding table 63. The surface 10Aa is placed facing upward, and a suction means (not shown) is operated to apply a suction force to the suction holes 64b to hold the suction holes 64b. When the first display substrate 10A is suction-held on the holding frame 64, the first display substrate 10A is sucked and held on the holding frame 64, and the first display substrate 10A is imaged by using the above-mentioned imaging means 48, and the collection of the laser beam irradiation means 44 is performed. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the first display substrate 10A.

該アライメントを実行して両者の位置合わせが完了したならば、図示しない制御手段の指令によりＬＥＤウエーハ保持手段５０を図２（ａ）で示す状態とし、赤色ＬＥＤウエーハ２０をウエーハ保持リング５２の段差部５２ａに載置する。なお、上述したように、赤色ＬＥＤウエーハ２０をウエーハ保持リング５２に保持する際には、上述したように赤色ＬＥＤウエーハ２０のオリエンテーションフラットＯＦを、ウエーハ保持リング５２の直線部５２ｃに位置付けて載置することによりウエーハ保持リング５２に対して所望の方向に正確に位置付けることができる（図２（ｂ）を参照。）。 When the alignment is executed and the alignment of the two is completed, the LED wafer holding means 50 is set to the state shown in FIG. 2A by a command of a control means (not shown), and the red LED wafer 20 is set to the step of the wafer holding ring 52. It is placed on the portion 52a. As described above, when the red LED wafer 20 is held on the wafer holding ring 52, the orientation flat OF of the red LED wafer 20 is positioned and placed on the straight portion 52c of the wafer holding ring 52 as described above. By doing so, the wafer holding ring 52 can be accurately positioned in a desired direction (see FIG. 2 (b)).

該段差部５２ａに赤色ＬＥＤウエーハ２０を載置したならば、図示しない吸引手段を作動させて吸引孔５２ｂから吸引し赤色ＬＥＤウエーハ２０を吸引保持状態とする。赤色ＬＥＤウエーハ２０をウエーハ保持リング５２に吸引保持したならば、保持基体５６の駆動手段を作動させてウエーハ保持リング５２を図２（ｃ）に示すように図中矢印５４ａの方向に１８０°回転させて赤色ＬＥＤウエーハ２０の裏面２０ｂ側を上方に露出させ、赤色ＬＥＤ２１が形成された表面２０ａが下方を向くように方向を転換する。赤色ＬＥＤウエーハ２０をこのように回転させたならば、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第一のディスプレー基板１０Ａを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第一のディスプレー基板１０Ａがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第一のディスプレー基板１０Ａの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる（図５を参照）。なお、図５では、第一のディスプレー基板１０Ａの一部１１ａを拡大した図も合わせて示している。このとき、赤色ＬＥＤウエーハ２０と第一のディスプレー基板１０Ａとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図６（ａ）から理解されるように、赤色ＬＥＤウエーハ２０を第一のディスプレー基板１０Ａの表面１０Ａａに向けて下降させることにより、赤色ＬＥＤウエーハ２０の赤色ＬＥＤ２１側の電極が、第一のディスプレー基板１０Ａの表面１０Ａａにおいて対応する電極１２４ａと対面する位置に位置付けられる。そして、この状態からＬＥＤウエーハ保持手段５０を作動させて下降させて、赤色ＬＥＤ２１側の電極が、第一のディスプレー基板１０Ａの表面１０Ａａにおいて対応する電極１２４ａと当接させられる。これが本発明の位置付け工程となる。なお、図６では該ＬＥＤウエーハを保持するウエーハ保持リング５２、及び第一のディスプレー基板１０Ａを保持する保持フレーム６４は説明の都合上省略されている。 When the red LED wafer 20 is placed on the step portion 52a, a suction means (not shown) is operated to suck the red LED wafer 20 from the suction hole 52b and put the red LED wafer 20 in the suction holding state. When the red LED wafer 20 is sucked and held by the wafer holding ring 52, the driving means of the holding base 56 is operated to rotate the wafer holding ring 52 by 180 ° in the direction of the arrow 54a in the figure as shown in FIG. 2 (c). The back surface 20b side of the red LED wafer 20 is exposed upward, and the direction is changed so that the front surface 20a on which the red LED 21 is formed faces downward. When the red LED wafer 20 is rotated in this way, the moving means 43 is operated based on the position information obtained by performing the alignment to obtain the first display substrate 10A held by the holding frame 64. It is positioned directly under the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Then, if the first display board 10A is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the first display board 10A by a predetermined amount is moved. Lower (see Figure 5). Note that FIG. 5 also shows an enlarged view of a part 11a of the first display substrate 10A. At this time, as can be understood from FIG. 6A, which specifically shows the positional relationship between the red LED wafer 20 and the first display substrate 10A as viewed from the side in the row direction, the red LED wafer 20 is first. By lowering the red LED wafer 20 toward the surface 10Aa of the display substrate 10A, the electrode on the red LED21 side of the red LED wafer 20 is positioned at a position facing the corresponding electrode 124a on the surface 10Aa of the first display substrate 10A. Then, from this state, the LED wafer holding means 50 is operated and lowered, and the electrode on the red LED 21 side is brought into contact with the corresponding electrode 124a on the surface 10Aa of the first display substrate 10A. This is the positioning process of the present invention. In FIG. 6, the wafer holding ring 52 for holding the LED wafer and the holding frame 64 for holding the first display substrate 10A are omitted for convenience of explanation.

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第一のディスプレー基板１０Ａの電極１２４ａに、赤色ＬＥＤウエーハ２０の赤色ＬＥＤ２１が位置付けられて、赤色ＬＥＤ２１側のアノード電極、カソード電極が第一のディスプレー基板１０Ａの２つの電極１２４ａに当接させられたならば、電極連結工程が実施される。より具体的には、該制御手段からの指令により支柱６２に内蔵された図示しないレーザー光線照射手段のレーザー発振器、及びガルバノミラーの位置を制御して、ｆθレンズに対するレーザー光線の入射位置を調整し、図６（ｃ）に示すように、第一のディスプレー基板１０Ａの裏面１０Ａｂ側から、第一のディスプレー基板１０Ａに対しては透過性を有し、該電極１２４に対しては吸収性を有する波長（例えば、１０３０ｎｍ）のレーザー光線ＬＢ１を、集光点が該電極１２４ａの位置近傍になるように調整して照射する。なお、上述したように、各ＬＥＤには電極が２つあるため、レーザー光線ＬＢ１の照射位置は、列方向に調整されて２回照射される。これにより、ターゲットとなる赤色ＬＥＤ２１の電極と、第一のディスプレー基板１０Ａの電極１２４ａ同士が溶融して連結される。なお、本実施形態では、第一のディスプレー基板１０Ａ側の列方向に等間隔で配設される電極１２４ａの間隔は、赤色ＬＥＤウエーハ２０上に等間隔で配設される赤色ＬＥＤ２１がその間にちょうど５つ収まるように設定されており、列方向に複数並ぶ赤色ＬＥＤ２１は、６個毎に該電極１２４ａと対面するように設定されている。よって、図中最も左側の赤色ＬＥＤ２１の電極と第一のディスプレー基板１０Ａ側の電極１２４ａとを上述した方法で電気的に連結したならば、次に、ｆθレンズに対するレーザー光線ＬＢ１の入射位置を調整して、列方向で見て６つ隣の赤色ＬＥＤ２１にレーザー光線ＬＢ１を照射し、次の赤色ＬＥＤ２１の電極を、対面している電極１２４ａに連結する。このようにして、第一のディスプレー基板１０Ａの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ａに対応する赤色ＬＥＤ２１に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、赤色ＬＥＤ２１の電極が第一のディスプレー基板１０Ａの全ての電極１２４ａに連結されて該電極連結工程が完了する。 By the LED wafer positioning step, the red LED 21 of the red LED wafer 20 is positioned on the electrode 124a of the first display substrate 10A, and the anode electrode and the cathode electrode on the red LED 21 side are the two electrodes of the first display substrate 10A. If it is brought into contact with 124a, the electrode connecting step is carried out. More specifically, the positions of the laser oscillator of the laser beam irradiation means (not shown) and the galvano mirror built in the support column 62 are controlled by a command from the control means to adjust the incident position of the laser beam with respect to the fθ lens. As shown in 6 (c), from the back surface 10Ab side of the first display substrate 10A, the wavelength having transparency to the first display substrate 10A and absorption to the electrode 124 ( For example, a laser beam LB1 having a wavelength of 1030 nm) is adjusted and irradiated so that the focusing point is close to the position of the electrode 124a. As described above, since each LED has two electrodes, the irradiation position of the laser beam LB1 is adjusted in the row direction and is irradiated twice. As a result, the electrode of the target red LED 21 and the electrode 124a of the first display substrate 10A are melted and connected to each other. In the present embodiment, the electrodes 124a arranged at equal intervals in the row direction on the first display substrate 10A side are spaced apart by the red LEDs 21 arranged at equal intervals on the red LED wafer 20. Five red LEDs 21 are set so as to fit in the row, and a plurality of red LEDs 21 arranged in a row direction are set to face the electrodes 124a every six. Therefore, if the electrode of the red LED 21 on the leftmost side in the figure and the electrode 124a on the first display substrate 10A side are electrically connected by the above method, then the incident position of the laser beam LB1 with respect to the fθ lens is adjusted. Then, the red LED 21 six adjacent to each other in the row direction is irradiated with the laser beam LB1, and the electrode of the next red LED 21 is connected to the facing electrode 124a. In this way, the red LED 21 corresponding to all the electrodes 124a arranged in the column direction and the row direction of the first display substrate 10A is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the red LED 21 are the electrodes of the first display substrate 10A. It is connected to all the electrodes 124a and the electrode connecting step is completed.

該電極連結工程が完了したならば、次に、赤色ＬＥＤウエーハ２０のエピタキシー基板２０１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第一のディスプレー基板１０Ａ上の電極連結工程が施された赤色ＬＥＤ２１のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し該赤色ＬＥＤ２１をエピタキシー基板２０１から剥離して第一のディスプレー基板１０Ａに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。 After the electrode connecting step is completed, the first display is a laser beam LB2 having a wavelength that is transparent to the epitaxy substrate 201 of the red LED wafer 20 and is absorbent to the buffer layer BF. An LED arrangement that irradiates the buffer layer BF of the red LED 21 that has undergone the electrode connecting step on the substrate 10A to destroy the buffer layer BF, peels the red LED 21 from the epitaxy substrate 201, and arranges the red LED 21 on the first display substrate 10A. The installation process is carried out.

該ＬＥＤ配設工程について、より具体的に説明する。該制御手段からの指令により、レーザー光線照射手段４４の図示しないレーザー発振器に指令が送られる。さらに、ガルバノミラーを制御して、ｆθレンズに対する入射位置を調整し、赤色ＬＥＤウエーハ２０の裏面２０ｂ側から、エピタキシー基板２０１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対しては吸収性を有する波長（例えば、１０３０ｎｍ）のレーザー光線ＬＢ２が、上記した電極連結工程によって電極が第一のディスプレー基板１０Ａの電極１２４ａに連結された赤色ＬＥＤ２１の裏面に位置するバッファー層ＢＦに向けて照射される（図６（ｄ）を参照。）。これにより、バッファー層ＢＦが破壊されて、エピタキシー基板２０１と、赤色ＬＥＤ２１との境界面にガス層が形成され、該赤色ＬＥＤ２１がエピタキシー基板２０１から剥離され、赤色ＬＥＤ２１が赤色ＬＥＤ２０と完全に分離され、第一のディスプレー基板１０Ａ側に固定された状態となる。なお、該レーザー光線ＬＢ２のスポット径は適宜調整が可能であり、例えば、該赤色ＬＥＤ２１のバッファー層ＢＦが形成された裏面側の略全面を覆うスポット径（例えば、８〜９μｍ）であれば１回のパルスレーザー光線によって剥離させることが可能であり、また、それよりも小さいスポット径（例えば、４μｍ）のパルスレーザー光線であれば、赤色ＬＥＤ２１の裏面にあるバッファー層ＢＦの全面を破壊するようにｆθレンズに入射されるレーザー光線の入射位置を変えて、４回程度のパルスレーザー光線ＬＢ２を照射するによって、赤色ＬＥＤ２１を赤色ウエーハ２２０から剥離することができる。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第一のディスプレー基板１０Ａ側の電極１２４ａに対して連結された全ての赤色ＬＥＤ２１に対して実施し、ウエーハ保持リング５２を上昇させ（図６（ｅ）を参照。）、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第一のディスプレー基板１０Ａの一部（１１ａ）を拡大して示す図７に示されているように、第一のディスプレー基板１０Ａ上の各電極１２４ａに赤色ＬＥＤ２１が配設された状態となる。上記した第一のディスプレー基板１０Ａに対して赤色ＬＥＤ２１を配設するための電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第１のステップ」とする。 The LED arrangement process will be described more specifically. By the command from the control means, the command is sent to the laser oscillator (not shown) of the laser beam irradiation means 44. Further, the galvano mirror is controlled to adjust the incident position with respect to the fθ lens, and the red LED wafer 20 has transparency from the back surface 20b side to the epitaxy substrate 201 and absorbency to the buffer layer BF. A laser beam LB2 having a wavelength (for example, 1030 nm) is irradiated toward the buffer layer BF located on the back surface of the red LED 21 whose electrode is connected to the electrode 124a of the first display substrate 10A by the above-mentioned electrode connecting step. (See FIG. 6 (d).). As a result, the buffer layer BF is destroyed, a gas layer is formed on the boundary surface between the epitaxy substrate 201 and the red LED 21, the red LED 21 is peeled off from the epitaxy substrate 201, and the red LED 21 is completely separated from the red LED 20. , It is in a state of being fixed to the first display substrate 10A side. The spot diameter of the laser beam LB2 can be adjusted as appropriate. For example, if the spot diameter covers substantially the entire back surface of the red LED 21 on which the buffer layer BF is formed (for example, 8 to 9 μm), the spot diameter is once. The fθ lens can be peeled off by the pulsed laser beam of the above, and if the pulsed laser beam has a spot diameter smaller than that (for example, 4 μm), the entire surface of the buffer layer BF on the back surface of the red LED 21 is destroyed. The red LED 21 can be separated from the red waha 220 by irradiating the pulsed laser beam LB2 about four times by changing the incident position of the laser beam incident on the red LED 21. Such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the red LEDs 21 connected to the electrode 124a on the first display substrate 10A side to raise the wafer retaining ring 52 (see FIG. 6 (e)). ), Each electrode 124a on the first display substrate 10A is completed and as shown in FIG. 7, which is an enlarged view of a part (11a) of the first display substrate 10A after the LED arrangement step is completed. The red LED 21 is arranged in the area. The electrode connecting step for arranging the red LED 21 with respect to the first display substrate 10A described above and the LED arranging step are referred to as a "first step".

上述した実施形態では、電極連結工程において使用したレーザー光線ＬＢ１は、第一のディスプレー基板１０Ａの裏面側（図中下方側）から、バッファー層ＬＥＤ配設工程において使用したレーザー光線ＬＢ２は、赤色ＬＥＤウエーハ２０の裏面側（図中上方側）から照射するものとした。しかし、本発明はこれに限定されるものではなく、枠体４５内に配設したレーザー光線照射手段４４を使用して、電極連結工程においても上方側から赤色ＬＥＤウエーハ２０の上方側からレーザー光線ＬＢ１を照射することもできる。その場合には、レーザー光線発振器により発振されるレーザー光線をＬＢ１、ＬＢ２とで切り替えることができる構成とし、使用されるレーザー光線ＬＢ１の波長は、赤色ＬＥＤウエーハ２０のエピタキシー基板２０１に対して透過性を有し、電極を溶融させることができる波長が選択される。同様に、支柱６２内に配置したレーザー光線照射手段を用いて、レーザー光線ＬＢ１、ＬＢ２のいずれをも照射できる構成とし、保持フレーム６４の下方から電極連結工程、ＬＥＤ配設工程を実施するようにしてもよい。これは、以下に説明する第２のステップ以降においても同様であり、レーザー光線が照射される方向については、特に限定されるものではない。ただし、ＬＥＤへの影響を考慮すると、電極連結工程を実施する場合のレーザー光線は、保持フレーム６４に保持されたディスプレー基板の下方側から照射するようにすることが好ましく、バッファー層ＢＦを破壊するためのレーザー光線は、ＬＥＤウエーハの上方側から照射することが好ましい。 In the above-described embodiment, the laser beam LB1 used in the electrode connecting step is from the back surface side (lower side in the figure) of the first display substrate 10A, and the laser beam LB2 used in the buffer layer LED arrangement step is the red LED wafer 20. It was assumed that the irradiation was performed from the back surface side (upper side in the figure). However, the present invention is not limited to this, and the laser beam LB1 is radiated from the upper side of the red LED wafer 20 from the upper side even in the electrode connecting step by using the laser beam irradiating means 44 arranged in the frame body 45. It can also be irradiated. In that case, the laser beam oscillated by the laser beam oscillator can be switched between LB1 and LB2, and the wavelength of the laser beam LB1 used has transparency with respect to the epitaxy substrate 201 of the red LED wafer 20. , The wavelength at which the electrode can be melted is selected. Similarly, the laser beam irradiating means arranged in the support column 62 can be used to irradiate both the laser beams LB1 and LB2, and the electrode connecting step and the LED arranging step can be performed from below the holding frame 64. good. This also applies to the second and subsequent steps described below, and the direction in which the laser beam is irradiated is not particularly limited. However, considering the influence on the LED, it is preferable that the laser beam when carrying out the electrode connecting step is irradiated from the lower side of the display substrate held by the holding frame 64, because the buffer layer BF is destroyed. It is preferable to irradiate the laser beam of the above from the upper side of the LED wafer.

該第１のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図中手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、第１のステップで使用した第一のディスプレー基板１０Ａを取り外し、該保持フレーム６４の段差部６４ａ上に、ＬＥＤが何も配設されていない第二のディスプレー基板１０Ｂの電極１２４が形成された側を上方にして載置し、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。第二のディスプレー基板１０Ｂを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持した第二のディスプレー基板１０Ｂを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第二のディスプレー基板１０Ｂの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 When the first step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side in the drawing by operating the moving means 43. After moving the holding table 63 to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, the first display substrate 10A used in the first step is removed, and the holding frame 64 is removed. The second display substrate 10B on which no LED is arranged is placed on the stepped portion 64a with the side where the electrode 124 is formed facing upward, and suction force is applied to the suction hole 64b to hold the suction. do. After the second display substrate 10B is sucked and held by the holding frame 64, the second display board 10B sucked and held on the holding frame 64 is imaged by using the above-mentioned imaging means 48, and the collection of the laser beam irradiating means 44. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the second display substrate 10B.

該アライメントを実行して両者の位置合わせが完了したならば、図示しない制御手段の指令によりウエーハ保持リング５２を上方に移動してさらに図２（ｃ）に矢印５４ａで示す方向に回転させることで、ＬＥＤウエーハ保持手段５０を図２（ｂ）で示す状態とし、該ウエーハ保持リング５２に作用している吸引手段を停止して第１のステップで保持されていた赤色ＬＥＤウエーハ２０を取り出し、緑色ＬＥＤウエーハ２２をウエーハ保持リング５２の段差部５２ａに載置する。なお、上述したように、緑色ＬＥＤウエーハ２２をウエーハ保持リング５２に保持する際には、上述したように緑色ＬＥＤウエーハ２２のオリエンテーションフラットＯＦを、ウエーハ保持リング５２の直線部５２ｃに位置付けて載置することによりウエーハ保持リング５２に対して所望の方向に正確に位置付けることができる。 When the alignment is executed and the alignment of the two is completed, the wafer holding ring 52 is moved upward by a command of a control means (not shown) and further rotated in the direction indicated by the arrow 54a in FIG. 2 (c). , The LED wafer holding means 50 is in the state shown in FIG. 2B, the suction means acting on the wafer holding ring 52 is stopped, the red LED wafer 20 held in the first step is taken out, and the green color is obtained. The LED wafer 22 is placed on the step portion 52a of the wafer holding ring 52. As described above, when the green LED wafer 22 is held on the wafer holding ring 52, the orientation flat OF of the green LED wafer 22 is positioned and placed on the straight portion 52c of the wafer holding ring 52 as described above. By doing so, the wafer holding ring 52 can be accurately positioned in a desired direction.

該段差部５２ａに緑色ＬＥＤウエーハ２２を載置したならば、図示しない吸引手段を作動させて緑色ＬＥＤウエーハ２２を吸引保持状態とする。緑色ＬＥＤウエーハ２２をウエーハ保持リング５２に吸引保持したならば、保持基体５６の駆動手段を作動させてウエーハ保持リング５２を図２（ｃ）に示すように図中矢印５４ａの方向に１８０°回転させて緑色ＬＥＤウエーハ２２の裏面２２ｂ側を上方に露出させ、緑色ＬＥＤ２３が形成された表面２２ａが下方を向くように方向を転換する。緑色ＬＥＤウエーハ２２をこのように回転させたならば、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第二のディスプレー基板１０Ｂを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第二のディスプレー基板１０Ｂがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第二のディスプレー基板１０Ｂの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる。このとき、緑色ＬＥＤウエーハ２２と第二のディスプレー基板１０Ｂとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図８（ａ）から理解されるように、緑色ＬＥＤウエーハ２２を第二のディスプレー基板１０Ｂの表面１０Ｂａに向けて下降させることにより、緑色ＬＥＤウエーハ２０の緑色ＬＥＤ２３側の電極が、第二のディスプレー基板１０Ｂの表面１０Ｂａにおいて対応する電極１２４ｂと対面し当接した状態に位置付けられる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 When the green LED wafer 22 is placed on the step portion 52a, a suction means (not shown) is operated to put the green LED wafer 22 in the suction holding state. When the green LED wafer 22 is sucked and held by the wafer holding ring 52, the driving means of the holding base 56 is activated to rotate the wafer holding ring 52 by 180 ° in the direction of the arrow 54a in the figure as shown in FIG. 2 (c). The back surface 22b side of the green LED wafer 22 is exposed upward, and the direction is changed so that the front surface 22a on which the green LED 23 is formed faces downward. When the green LED wafer 22 is rotated in this way, the moving means 43 is operated based on the position information obtained by performing the alignment, and the second display substrate 10B held by the holding frame 64 is moved. It is positioned directly under the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Then, if the second display board 10B is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the second display board 10B by a predetermined amount is moved. Lower. At this time, as can be understood from FIG. 8A, which specifically shows the positional relationship between the green LED wafer 22 and the second display substrate 10B as viewed from the side in the row direction, the green LED wafer 22 is seconded. By lowering the green LED wafer 20 toward the surface 10Ba of the display substrate 10B, the electrode on the green LED23 side of the green LED wafer 20 is positioned so as to face and contact the corresponding electrode 124b on the surface 10Ba of the second display substrate 10B. (LED wafer positioning process).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第二のディスプレー基板１０Ｂの電極１２４ｂに、緑色ＬＥＤウエーハ２２の緑色ＬＥＤ２３が位置付けられて、緑色ＬＥＤ２３側のアノード電極、カソード電極が第二のディスプレー基板１０Ｂの２つの電極１２４ｂに当接させられたならば、上記第１のステップと同様に電極連結工程が実施される（図８（ｃ）を参照。）。なお、上記第１のステップに対し、電極が連結されるＬＥＤが緑色ＬＥＤ２３であること、緑色ＬＥＤ２３の電極が連結される第二のディスプレー基板１０Ｂ側の電極が電極１２４ｂであること以外は第１のステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第二のディスプレー基板１０Ｂの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ｂに対応する緑色ＬＥＤ２３に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、緑色ＬＥＤ２３の電極が第二のディスプレー基板１０Ｂの全ての電極１２４ｂに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the green LED23 of the green LED wafer 22 is positioned on the electrode 124b of the second display substrate 10B, and the anode electrode and the cathode electrode on the green LED23 side are the two electrodes of the second display substrate 10B. If it is brought into contact with 124b, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in the first step (see FIG. 8C). In addition, with respect to the first step, the first is except that the LED to which the electrode is connected is the green LED23 and the electrode on the second display substrate 10B side to which the electrode of the green LED23 is connected is the electrode 124b. Since it is the same as the electrode connecting step in the above step, a specific description thereof will be omitted. In this way, the green LED 23 corresponding to all the electrodes 124b arranged in the column direction and the row direction of the second display substrate 10B is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the green LED 23 are the electrodes of the second display substrate 10B. It is connected to all the electrodes 124b (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図８（ｄ）に示すように、緑色ＬＥＤウエーハ２２のエピタキシー基板２２１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第二のディスプレー基板１０Ｂに位置付けられた緑色ＬＥＤ２３のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し、該緑色ＬＥＤ２３をエピタキシー基板２２１から剥離して第二のディスプレー基板１０Ｂに配設するＬＥＤ配設工程を実施する。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、対象となるＬＥＤが緑色ＬＥＤ２３であること以外は、第１のステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、電極１２４ｂに対して電極が連結された全ての緑色ＬＥＤ２３に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図８（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第二のディスプレー基板１０Ｂ上の各電極１２４ｂに緑色ＬＥＤ２３が配設された状態となる。上記した第二のディスプレー基板１０Ｂに対して緑色ＬＥＤ２３を配設するための電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第２のステップ」とする。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 8D, the wavelength of the wavelength is transparent to the epitaxy substrate 221 of the green LED wafer 22 and is absorbent to the buffer layer BF. The laser beam LB2 is irradiated to the buffer layer BF of the green LED23 positioned on the second display substrate 10B to destroy the buffer layer BF, and the green LED23 is peeled off from the epitaxy substrate 221 and arranged on the second display substrate 10B. The LED arrangement step is carried out. The LED arrangement step is the same as the first step except that the target LED is the green LED 23, and therefore a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the green LEDs 23 to which the electrodes are connected to the electrodes 124b, the wafer retaining ring 52 is raised (see FIG. 8E). As a result, the LED arrangement step is completed, and the green LED 23 is arranged on each electrode 124b on the second display substrate 10B. The electrode connecting step for arranging the green LED 23 with respect to the second display substrate 10B described above and the LED arranging step are referred to as a "second step".

該第２のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図中手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、緑色ＬＥＤ２３が配設された第二のディスプレー基板１０Ｂを取り出し、該保持フレーム６４の段差部６４ａ上に、ＬＥＤが何も配設されていない第三のディスプレー基板１０Ｃの電極１２４が形成された側を上方にして載置し、図示しない吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。第三のディスプレー基板１０Ｃを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持した第三のディスプレー基板１０Ｃを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第三のディスプレー基板１０Ｃの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 When the second step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side in the drawing by operating the moving means 43. When the holding table 63 is moved to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, the second display substrate 10B on which the green LED 23 is arranged is taken out, and the holding frame 64 is taken out. The third display substrate 10C on which no LED is arranged is placed on the stepped portion 64a with the side where the electrode 124 is formed facing upward, and a suction means (not shown) is operated to activate the suction hole 64b. Suction and hold by applying suction force to the. After the third display substrate 10C is sucked and held by the holding frame 64, the third display board 10C sucked and held on the holding frame 64 is imaged by using the above-mentioned image pickup means 48, and the collection of the laser beam irradiation means 44. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the third display substrate 10C.

ここで、本ステップでは、第２のステップで保持リング５２に保持された緑色ＬＥＤウエーハ２２をそのまま用いるため、図８（ｅ）で示す状態に維持されている。つまり、緑色ＬＥＤウエーハ２２の裏面２２ｂ側が上方に露出され、緑色ＬＥＤ２３が形成された表面２２ａが下方を向いた状態で維持されている。この状態で、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第三のディスプレー基板１０Ｃを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第三のディスプレー基板１０Ｃがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第三のディスプレー基板１０Ｃの高さ位置よりも所定量高い位置に維持されているウエーハ保持リング５２を下降させる（図９（ａ）、（ｂ）を参照）。このときの緑色ＬＥＤウエーハ２２と第三のディスプレー基板１０Ｃとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図９（ａ）から理解されるように、緑色ＬＥＤウエーハ２２の緑色ＬＥＤ２３は、６つおきに第二のディスプレー基板１０Ｂに対して既に配設した後であり、第三のディスプレー基板１０Ｃの表面１０Ｃａに向けて下降させることによって、緑色ＬＥＤウエーハ２２に残っている緑色ＬＥＤ２３のうち図中最も左側の緑色ＬＥＤ２３の電極が、第三のディスプレー基板１０Ｃの表面１０Ｂａにおいて対応する最も左側の電極１２４ｂと対面し当接した状態に位置付けられる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 Here, in this step, since the green LED wafer 22 held by the holding ring 52 in the second step is used as it is, it is maintained in the state shown in FIG. 8 (e). That is, the back surface 22b side of the green LED wafer 22 is exposed upward, and the surface 22a on which the green LED 23 is formed is maintained in a state of facing downward. In this state, based on the position information obtained by executing the alignment, the moving means 43 is operated to transfer the third display substrate 10C held by the holding frame 64 to the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Positioned directly under. Then, when the third display board 10C is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 maintained at a position higher than the height position of the third display board 10C by a predetermined amount is lowered. (See FIGS. 9 (a) and 9 (b)). As can be understood from FIG. 9A, which specifically shows the positional relationship between the green LED wafer 22 and the third display substrate 10C at this time as viewed from the side in the row direction, the green LED 23 of the green LED wafer 22 Is already arranged every six times with respect to the second display substrate 10B, and by lowering the third display substrate 10C toward the surface 10Ca, the green LED 23 remaining on the green LED wafer 22 Of these, the leftmost green LED 23 electrode in the figure is positioned in a state of facing and abutting the corresponding leftmost electrode 124b on the surface 10Ba of the third display substrate 10C (LED wafer positioning step).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第三のディスプレー基板１０Ｃの電極１２４ｂに、緑色ＬＥＤウエーハ２２の緑色ＬＥＤ２３が位置付けられて、緑色ＬＥＤ２３側のアノード電極、カソード電極が第三のディスプレー基板１０Ｃの２つの電極１２４ｂに当接させられたならば、第２のステップと同様に電極連結工程が実施される（図９（ｃ）を参照。）。なお、上記第２のステップに対し、電極が連結される緑色ＬＥＤ２３の位置が異なること以外は第２のステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第三のディスプレー基板１０Ｃの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ｂに対応する緑色ＬＥＤ２３に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、緑色ＬＥＤ２３の電極が第三のディスプレー基板１０Ｃの全ての電極１２４ｂに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the green LED23 of the green LED wafer 22 is positioned on the electrode 124b of the third display substrate 10C, and the anode electrode and the cathode electrode on the green LED23 side are the two electrodes of the third display substrate 10C. When abutted on 124b, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in the second step (see FIG. 9 (c)). Since the same as the electrode connecting step of the second step except that the position of the green LED 23 to which the electrodes are connected is different from that of the second step, a specific description thereof will be omitted. In this way, the green LED 23 corresponding to all the electrodes 124b arranged in the column direction and the row direction of the third display substrate 10C is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the green LED 23 are the electrodes of the third display substrate 10C. It is connected to all the electrodes 124b (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図９（ｄ）に示すように、緑色ＬＥＤウエーハ２２のエピタキシー基板２２１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第二のディスプレー基板１０Ｂに位置付けられた緑色ＬＥＤ２３のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し該緑色ＬＥＤ２３をエピタキシー基板２２１から剥離して第三のディスプレー基板１０Ｃに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、対象となる緑色ＬＥＤ２３の位置が異なること以外は、第２のステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第三のディスプレー基板１０Ｃ側の電極１２４ｂに対して電極が連結された全ての緑色ＬＥＤ２３に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図９（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第三のディスプレー基板１０Ｃ上の各電極１２４ｂに緑色ＬＥＤ２３が配設された状態となる。上記した第三のディスプレー基板１０Ｃに対して緑色ＬＥＤ２３を配設するための上記電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第３のステップ」とする。なお、この時点では、上記した第２のステップにより得られる第二のディスプレー基板１０Ｂと、本第３のステップにより得られる第三のディスプレー基板１０Ｃは、全く同一の構成となっている。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 9D, the wavelength of the wavelength is transparent to the epitaxy substrate 221 of the green LED wafer 22 and is absorbent to the buffer layer BF. The laser beam LB2 is irradiated to the buffer layer BF of the green LED23 positioned on the second display substrate 10B to destroy the buffer layer BF, and the green LED23 is peeled off from the epitaxy substrate 221 and arranged on the third display substrate 10C. The LED arrangement step is carried out. The LED arrangement step is the same as the second step except that the position of the target green LED 23 is different, and therefore a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the green LEDs 23 to which the electrodes are connected to the electrodes 124b on the third display substrate 10C side, the wafer retaining ring 52 is raised (FIG. 9 (FIG. 9). See e).). As a result, the LED arrangement step is completed, and the green LED 23 is arranged on each electrode 124b on the third display substrate 10C. The electrode connecting step for arranging the green LED 23 with respect to the third display substrate 10C and the LED arranging step are referred to as a "third step". At this point, the second display substrate 10B obtained by the second step described above and the third display substrate 10C obtained by the third step have exactly the same configuration.

該第３のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図１の手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、第三のディスプレー基板１０Ｃを取り外し、該保持フレーム６４の段差部６４ａ上に、ＬＥＤが何も配設されていない第四のディスプレー基板１０Ｄの電極１２４が形成された側を上方にして載置し、図示しない吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。第四のディスプレー基板１０Ｄを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持した第四のディスプレー基板１０Ｄを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第四のディスプレー基板１０Ｄの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 When the third step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side of FIG. 1 by operating the moving means 43. When the holding table 63 is moved to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, the third display substrate 10C is removed, and the holding frame 64 is placed on the step portion 64a. The fourth display substrate 10D on which no LED is arranged is placed with the side where the electrode 124 is formed facing upward, and a suction means (not shown) is operated to apply a suction force to the suction hole 64b. Hold by suction. After the fourth display substrate 10D is sucked and held by the holding frame 64, the fourth display board 10D sucked and held on the holding frame 64 is imaged by using the above-mentioned image pickup means 48, and the collection of the laser beam irradiation means 44 is performed. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the fourth display substrate 10D.

該アライメントを実行して両者の位置合わせが完了したならば、図示しない制御手段の指令によりウエーハ保持リング５２を上方に移動してさらに図２（ｃ）に矢印５４ａで示す方向に回転させることで、ＬＥＤウエーハ保持手段５０を図２（ｂ）で示す状態とし、該ウエーハ保持リング５２に作用している吸引手段を停止して第３のステップを実行している際に保持されていた緑色ＬＥＤウエーハ２２を取り出し、青色ＬＥＤウエーハ２４を載置する。 When the alignment is executed and the alignment of the two is completed, the wafer holding ring 52 is moved upward by a command of a control means (not shown) and further rotated in the direction indicated by the arrow 54a in FIG. 2 (c). , The LED wafer holding means 50 is in the state shown in FIG. 2B, and the green LED held when the suction means acting on the wafer holding ring 52 is stopped and the third step is executed. The wafer 22 is taken out and the blue LED wafer 24 is placed on it.

該段差部５２ａに青色ＬＥＤウエーハ２４を載置したならば、図示しない吸引手段を作動させて吸引孔５２ｂから吸引し青色ＬＥＤウエーハ２４を吸引保持する。青色ＬＥＤウエーハ２４をウエーハ保持リング５２に吸引保持したならば、保持基体５６の駆動手段を作動させてウエーハ保持リング５２を図２（ｃ）に示すように図中矢印５４ａの方向に１８０°回転させて青色ＬＥＤウエーハ２４の裏面２４ｂ側を上方に露出させ、青色ＬＥＤ２４が形成された表面２４ａが下方を向くように方向を転換する。青色ＬＥＤウエーハ２４をこのように回転させたならば、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第四のディスプレー基板１０Ｄを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第四のディスプレー基板１０Ｄがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第四のディスプレー基板１０Ｄの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる。このとき、青色ＬＥＤウエーハ２４と第四のディスプレー基板１０Ｄとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図１０（ａ）、（ｂ）から理解されるように、青色ＬＥＤウエーハ２４を第四のディスプレー基板１０Ｄの表面１０Ｄａに向けて下降させることにより、青色ＬＥＤウエーハ２４の各青色ＬＥＤ２５側の電極が、第四のディスプレー基板１０Ｄの表面１０Ｄａにおいて対応する電極１２４ｃと対面し当接した状態に位置付けられる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 When the blue LED wafer 24 is placed on the step portion 52a, a suction means (not shown) is operated to suck the blue LED wafer 24 from the suction hole 52b and hold the blue LED wafer 24 by suction. After the blue LED wafer 24 is sucked and held by the wafer holding ring 52, the driving means of the holding base 56 is operated to rotate the wafer holding ring 52 by 180 ° in the direction of the arrow 54a in the figure as shown in FIG. 2 (c). The back surface 24b side of the blue LED wafer 24 is exposed upward, and the direction is changed so that the front surface 24a on which the blue LED 24 is formed faces downward. When the blue LED wafer 24 is rotated in this way, the moving means 43 is operated based on the position information obtained by performing the alignment, and the fourth display substrate 10D held by the holding frame 64 is used. It is positioned directly under the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Then, if the fourth display board 10D is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the fourth display board 10D by a predetermined amount is moved. Lower. At this time, as can be understood from FIGS. 10A and 10B, which specifically show the positional relationship between the blue LED wafer 24 and the fourth display substrate 10D as viewed from the side in the row direction, the blue LED wafer is used. By lowering 24 toward the surface 10Da of the fourth display substrate 10D, the electrodes on each blue LED 25 side of the blue LED wafer 24 face the corresponding electrodes 124c on the surface 10Da of the fourth display substrate 10D. It is positioned in contact (LED wafer positioning process).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第四のディスプレー基板１０Ｄの電極１２４ｃに、青色ＬＥＤウエーハ２４の青色ＬＥＤ２５が位置付けられて、青色ＬＥＤ２５側のアノード電極、カソード電極が第四のディスプレー基板１０Ｄの２つの電極１２４ｃに当接させられたならば、上記の各ステップと同様に電極連結工程が実施される（図１０（ｃ）を参照。）。なお、上記の各ステップに対しては、電極が連結されるＬＥＤが青色ＬＥＤ２５であること、青色ＬＥＤ２５の電極が連結される第四のディスプレー基板１０Ｄ側の電極が電極１２４ｃであること以外は上記各ステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第四のディスプレー基板１０Ｄの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ｃに対応する青色ＬＥＤ２５に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、青色ＬＥＤ２５の電極が第四のディスプレー基板１０Ｄの全ての電極１２４ｃに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the blue LED 25 of the blue LED wafer 24 is positioned on the electrode 124c of the fourth display substrate 10D, and the anode electrode and the cathode electrode on the blue LED 25 side are the two electrodes of the fourth display substrate 10D. When brought into contact with 124c, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in each of the above steps (see FIG. 10 (c)). For each of the above steps, except that the LED to which the electrode is connected is the blue LED25 and the electrode on the fourth display substrate 10D side to which the electrode of the blue LED25 is connected is the electrode 124c. Since it is the same as the electrode connecting step of each step, a specific description thereof will be omitted. In this way, the blue LED 25 corresponding to all the electrodes 124c arranged in the column direction and the row direction of the fourth display substrate 10D is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the blue LED 25 are the electrodes of the fourth display substrate 10D. It is connected to all the electrodes 124c (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図１０（ｄ）に示すように、青色ＬＥＤウエーハ２４のエピタキシー基板２４１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第四のディスプレー基板１０Ｄに位置付けられた青色ＬＥＤ２５のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し該青色ＬＥＤ２５をエピタキシー基板２４１から剥離して第四のディスプレー基板１０Ｄに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、対象となるＬＥＤが青色ＬＥＤ２５であること以外は、上記の各ステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第四のディスプレー基板１０Ｄ側の電極１２４ｃに対して電極が連結された全ての青色ＬＥＤ２５に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図１０（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第四のディスプレー基板１０Ｄ上の全ての電極１２４ｃに青色ＬＥＤ２５が配設された状態となる。上記した第四のディスプレー基板１０Ｄに対して青色ＬＥＤ２５を配設するための電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第４のステップ」とする。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 10D, the wavelength has a wavelength that is transparent to the epitaxy substrate 241 of the blue LED wafer 24 and is absorbent to the buffer layer BF. The laser beam LB2 is irradiated to the buffer layer BF of the blue LED 25 positioned on the fourth display substrate 10D to destroy the buffer layer BF, and the blue LED 25 is peeled off from the epitaxy substrate 241 and arranged on the fourth display substrate 10D. The LED arrangement step is carried out. The LED arrangement step is the same as each of the above steps except that the target LED is the blue LED 25, and therefore a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the blue LEDs 25 to which the electrodes are connected to the electrodes 124c on the fourth display substrate 10D side, the wafer retaining ring 52 is raised (FIG. 10 (FIG. 10). See e).). As a result, the LED arrangement step is completed, and the blue LED 25 is arranged on all the electrodes 124c on the fourth display substrate 10D. The electrode connecting step for arranging the blue LED 25 with respect to the fourth display substrate 10D described above and the LED arranging step are referred to as a "fourth step".

該第４のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図１の手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、第四のディスプレー基板１０Ｄを取り外し、該保持フレーム６４の段差部６４ａ上に、第１のステップによって赤色ＬＥＤ２１が配設された第一のディスプレー基板１０Ａを載置し、図示しない吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。第一のディスプレー基板１０Ａを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持した第一のディスプレー基板１０Ａを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第一のディスプレー基板１０Ａの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 When the fourth step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side of FIG. 1 by operating the moving means 43. When the holding table 63 is moved to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, the fourth display substrate 10D is removed, and the holding frame 64 is placed on the step portion 64a. The first display substrate 10A on which the red LED 21 is arranged is placed by the first step, and a suction means (not shown) is operated to apply a suction force to the suction holes 64b to hold the suction holes 64b. After the first display substrate 10A is sucked and held by the holding frame 64, the first display board 10A sucked and held on the holding frame 64 is imaged by using the above-mentioned imaging means 48, and the collection of the laser beam irradiating means 44. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the first display substrate 10A.

該アライメントを実行して両者の位置合わせが完了したならば、図示しない制御手段の指令によりウエーハ保持リング５２を上方に移動して、さらに図２（ｃ）に矢印５４ａで示す方向に回転させることで、ＬＥＤウエーハ保持手段５０を図２（ｂ）で示す状態とし、該ウエーハ保持リング５２に作用している吸引手段を停止して第４のステップを実行している際に保持されていた青色ＬＥＤウエーハ２４を取り出し、第２、及び３のステップにおいて緑色ＬＥＤ２３が移設された緑色ＬＥＤウエーハ２２をウエーハ保持リング５２の段差部５２ａに載置する。 When the alignment is executed and the alignment of the two is completed, the wafer holding ring 52 is moved upward by a command of a control means (not shown), and further rotated in the direction indicated by the arrow 54a in FIG. 2 (c). Then, the LED wafer holding means 50 is in the state shown in FIG. 2B, and the blue color held when the suction means acting on the wafer holding ring 52 is stopped and the fourth step is executed. The LED wafer 24 is taken out, and the green LED wafer 22 to which the green LED 23 is transferred in the second and third steps is placed on the step portion 52a of the wafer holding ring 52.

該段差部５２ａに緑色ＬＥＤウエーハ２２を載置したならば、図示しない吸引手段を作動させて吸引孔５２ｂから吸引し緑色ＬＥＤウエーハ２２を吸引保持状態とする。緑色ＬＥＤウエーハ２２をウエーハ保持リング５２に吸引保持したならば、保持基体５６の駆動手段を作動させてウエーハ保持リング５２を図２（ｃ）に示すように図中矢印５４ａの方向に１８０°回転させて緑色ＬＥＤウエーハ２２の裏面２２ｂ側を上方に露出させ、緑色ＬＥＤ２２が形成された表面２２ａが下方を向くように方向を転換する。緑色ＬＥＤウエーハ２２をこのように回転させたならば、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第一のディスプレー基板１０Ａを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第一のディスプレー基板１０Ａがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第一のディスプレー基板１０Ａの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる。このとき、緑色ＬＥＤウエーハ２２と第一のディスプレー基板１０Ａとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図１１（ａ）及び（ｂ）から理解されるように、緑色ＬＥＤウエーハ２２は、左から２列の緑色ＬＥＤ２３、及びそこから列方向でみて４列置きに２列の緑色ＬＥＤ２３が既に上記ディスプレー基板に移設されている。そこで、残っている４列の緑色ＬＥＤ２３のうち左側の緑色ＬＥＤ２３の電極が、第一のディスプレー基板１０Ａの表面１０Ａａの電極１２４ｂに当接するように位置付けて下降させることにより、緑色ＬＥＤウエーハ２２の緑色ＬＥＤ２３側の電極が、第一のディスプレー基板１０Ａの表面１０Ａａにおいて対応する電極１２４ｂと対面し当接した状態に位置付けられる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 When the green LED wafer 22 is placed on the step portion 52a, a suction means (not shown) is operated to suck the green LED wafer 22 from the suction hole 52b to bring the green LED wafer 22 into the suction holding state. When the green LED wafer 22 is sucked and held by the wafer holding ring 52, the driving means of the holding base 56 is activated to rotate the wafer holding ring 52 by 180 ° in the direction of the arrow 54a in the figure as shown in FIG. 2 (c). The back surface 22b side of the green LED wafer 22 is exposed upward, and the direction is changed so that the front surface 22a on which the green LED 22 is formed faces downward. When the green LED wafer 22 is rotated in this way, the moving means 43 is operated based on the position information obtained by performing the alignment, and the first display substrate 10A held by the holding frame 64 is used. It is positioned directly under the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Then, if the first display board 10A is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the first display board 10A by a predetermined amount is moved. Lower. At this time, as can be understood from FIGS. 11A and 11B, which specifically show the positional relationship between the green LED wafer 22 and the first display substrate 10A as viewed from the side in the column direction, the green LED wafer is used. In 22, the green LEDs 23 in two rows from the left and the green LEDs 23 in two rows every four rows when viewed from there in the row direction have already been moved to the display substrate. Therefore, among the remaining four rows of green LEDs 23, the electrode of the green LED 23 on the left side is positioned so as to be in contact with the electrode 124b of the surface 10Aa of the first display substrate 10A, and the green LED wafer 22 is green. The electrode on the LED23 side is positioned so as to face and contact the corresponding electrode 124b on the surface 10Aa of the first display substrate 10A (LED wafer positioning step).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第一のディスプレー基板１０Ａの電極１２４ｂに、緑色ＬＥＤウエーハ２２の緑色ＬＥＤ２３が位置付けられて、緑色ＬＥＤ２３側のアノード電極、カソード電極が第一のディスプレー基板１０Ａの２つの電極１２４ｂに当接させられたならば、上記の各ステップと同様に電極連結工程が実施される（図１１（ｃ）を参照。）。なお電極連結工程の具体的手順は、上記各ステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第一のディスプレー基板１０Ａの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ｂに対応する緑色ＬＥＤ２３に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、緑色ＬＥＤ２３の電極が第一のディスプレー基板１０Ａの全ての電極１２４ｂに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the green LED23 of the green LED wafer 22 is positioned on the electrode 124b of the first display substrate 10A, and the anode electrode and the cathode electrode on the green LED23 side are the two electrodes of the first display substrate 10A. When brought into contact with 124b, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in each of the above steps (see FIG. 11 (c)). Since the specific procedure of the electrode connecting step is the same as the electrode connecting step of each step, the specific description will be omitted. In this way, the laser beam LB1 is irradiated to the green LEDs 23 corresponding to all the electrodes 124b arranged in the column direction and the row direction of the first display substrate 10A, and the electrodes of the green LED 23 are the electrodes of the first display substrate 10A. It is connected to all the electrodes 124b (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図１１（ｄ）に示すように、緑色ＬＥＤウエーハ２３のエピタキシー基板２２１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第一のディスプレー基板１０Ａに位置付けられた緑色ＬＥＤ２３のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し該緑色ＬＥＤ２３をエピタキシー基板２２１から剥離して第一のディスプレー基板１０Ａに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、上記の各ステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第一のディスプレー基板１０Ａ側の電極１２４ｂに対して電極が連結された全ての緑色ＬＥＤ２３に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図１１（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第一のディスプレー基板１０Ａ上の全ての電極１２４ｂに緑色ＬＥＤ２３が配設され、その結果、第一のディスプレー基板１０Ａには、赤色ＬＥＤ２１、及び緑色ＬＥＤ２３が配設された状態となる。上記した第一のディスプレー基板１０Ａに対して緑色ＬＥＤ２３を配設するための上記電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第５のステップ」とする。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 11D, the wavelength has a wavelength that is transparent to the epitaxy substrate 221 of the green LED wafer 23 and is absorbent to the buffer layer BF. The laser beam LB2 is irradiated to the buffer layer BF of the green LED23 positioned on the first display substrate 10A to destroy the buffer layer BF, and the green LED23 is peeled off from the epitaxy substrate 221 and arranged on the first display substrate 10A. The LED arrangement step is carried out. Since the LED arrangement step is the same as each step described above, a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the green LEDs 23 to which the electrodes are connected to the electrodes 124b on the first display substrate 10A side, the wafer retaining ring 52 is raised (FIG. 11 (FIG. 11). See e).). As a result, the LED arrangement step is completed, and the green LEDs 23 are arranged on all the electrodes 124b on the first display substrate 10A. As a result, the red LED 21 and the green LED 23 are arranged on the first display substrate 10A. Is arranged. The electrode connecting step for arranging the green LED 23 with respect to the first display substrate 10A and the LED arranging step are referred to as a "fifth step".

該第５のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図１の手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、第一のディスプレー基板１０Ａを取り外す。ここで、次に該保持フレーム６４の段差部６４ａ上に搭載されるディスプレー基板は、上記した第２のステップ、又は第３のステップによって緑色ＬＥＤ２３が配設された第二のディスプレー基板１０Ｂ、又は第三のディスプレー基板１０Ｃのいずれか一方から選択し、その一方のディスプレー基板を載置する。上記したように、第２のステップ、及び第３のステップによって得られる第二、第三のディスプレー基板１０Ｂ、１０Ｃは、同一の構成を備えているため、いずれを選んでも変わりはない。よって、本実施形態では、第二のディスプレー基板１０Ｂを「一方のディスプレー基板」として選択し、保持フレーム６４に載置し、吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。第二のディスプレー基板１０Ｂを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持した第二のディスプレー基板１０Ｂを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第二のディスプレー基板１０Ｂの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 When the fifth step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side of FIG. 1 by operating the moving means 43. When the holding table 63 is moved to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, and the first display substrate 10A is removed. Here, the display board mounted on the step portion 64a of the holding frame 64 is the second display board 10B or the second display board 10B on which the green LED 23 is arranged by the second step or the third step described above. Select from one of the third display substrates 10C, and place the display substrate on the other. As described above, since the second and third display substrates 10B and 10C obtained by the second step and the third step have the same configuration, there is no difference regardless of which one is selected. Therefore, in the present embodiment, the second display substrate 10B is selected as "one display substrate", placed on the holding frame 64, the suction means is operated, and the suction force is applied to the suction holes 64b for suction. Hold. After the second display substrate 10B is sucked and held by the holding frame 64, the second display board 10B sucked and held on the holding frame 64 is imaged by using the above-mentioned imaging means 48, and the collection of the laser beam irradiating means 44. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the second display substrate 10B.

該アライメントを実行して両者の位置合わせが完了したならば、図示しない制御手段の指令によりウエーハ保持リング５２を上方に移動してさらに図２（ｃ）に矢印５４ａで示す方向に回転させることで、ＬＥＤウエーハ保持手段５０を図２（ｂ）で示す状態とし、該ウエーハ保持リング５２に作用している吸引手段を停止して第５のステップにおいて使用されていた緑色ＬＥＤウエーハ２２を取り出し、第４のステップを実行している際に保持されていた青色ＬＥＤウエーハ２４をウエーハ保持リング５２の段差部５２ａに載置する。 When the alignment is executed and the alignment of the two is completed, the wafer holding ring 52 is moved upward by a command of a control means (not shown) and further rotated in the direction indicated by the arrow 54a in FIG. 2 (c). , The LED wafer holding means 50 is in the state shown in FIG. 2B, the suction means acting on the wafer holding ring 52 is stopped, and the green LED wafer 22 used in the fifth step is taken out. The blue LED wafer 24 held during the execution of step 4 is placed on the step portion 52a of the wafer holding ring 52.

該段差部５２ａに青色ＬＥＤウエーハ２４を載置したならば、図示しない吸引手段を作動させて吸引孔５２ｂから吸引し青色ＬＥＤウエーハ２４を吸引保持状態とする。青色ＬＥＤウエーハ２４をウエーハ保持リング５２に吸引保持したならば、保持基体５６の駆動手段を作動させてウエーハ保持リング５２を図２（ｃ）に示すように図中矢印５４ａの方向に１８０°回転させて青色ＬＥＤウエーハ２４の裏面２４ｂ側を上方に露出させ、青色ＬＥＤ２５が形成された表面２４ａが下方を向くように方向を転換する。青色ＬＥＤウエーハ２４をこのように回転させたならば、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第二のディスプレー基板１０Ｂを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第二のディスプレー基板１０Ｂがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第二のディスプレー基板１０Ｂの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる。このとき、青色ＬＥＤウエーハ２４と第二のディスプレー基板１０Ｂとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図１２（ａ）、（ｃ）から理解されるように、青色ＬＥＤウエーハ２４の青色ＬＥＤ２５は、第４のステップにおいて６つおきに第四のディスプレー基板１０Ｄに対して既に配設した後であり、第二のディスプレー基板１０Ｂの表面１０Ｂａに向けて下降させることによって、青色ＬＥＤウエーハ２４に残っている青色ＬＥＤ２５のうち図中最も左側の青色ＬＥＤ２５の電極が、第二のディスプレー基板１０Ｂの表面１０Ｂａにおいて対応する最も左側の電極１２４ｃと対面し当接した状態に位置付けられる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 When the blue LED wafer 24 is placed on the step portion 52a, a suction means (not shown) is operated to suck the blue LED wafer 24 from the suction hole 52b to bring the blue LED wafer 24 into the suction holding state. When the blue LED wafer 24 is sucked and held by the wafer holding ring 52, the driving means of the holding base 56 is activated to rotate the wafer holding ring 52 by 180 ° in the direction of the arrow 54a in the figure as shown in FIG. 2 (c). The back surface 24b side of the blue LED wafer 24 is exposed upward, and the direction is changed so that the front surface 24a on which the blue LED 25 is formed faces downward. When the blue LED wafer 24 is rotated in this way, the moving means 43 is operated based on the position information obtained by performing the alignment, and the second display substrate 10B held by the holding frame 64 is moved. It is positioned directly under the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Then, if the second display board 10B is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the second display board 10B by a predetermined amount is moved. Lower. At this time, as can be understood from FIGS. 12 (a) and 12 (c), which specifically show the positional relationship between the blue LED wafer 24 and the second display substrate 10B as viewed from the side in the row direction, the blue LED wafer The blue LEDs 25 of the 24 are already arranged every six in the fourth step with respect to the fourth display substrate 10D, and are blue by lowering toward the surface 10Ba of the second display substrate 10B. Of the blue LEDs 25 remaining on the LED wafer 24, the leftmost blue LED 25 electrode in the figure is positioned so as to face and abut on the corresponding leftmost electrode 124c on the surface 10Ba of the second display substrate 10B (). LED wafer positioning process).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第二のディスプレー基板１０Ｂの電極１２４ｃに、青色ＬＥＤウエーハ２４の青色ＬＥＤ２５が位置付けられて、青色ＬＥＤ２５側のアノード電極、カソード電極が第二のディスプレー基板１０Ｂの２つの電極１２４ｃに当接させられたならば、上記の各ステップと同様に電極連結工程が実施される（図１２（ｃ）を参照。）。なお電極連結工程の具体的手順は、上記各ステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第二のディスプレー基板１０Ｂの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ｃに対応する青色ＬＥＤ２５に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、青色ＬＥＤ２５の電極が第二のディスプレー基板１０Ｂの全ての電極１２４ｃに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the blue LED 25 of the blue LED wafer 24 is positioned on the electrode 124c of the second display substrate 10B, and the anode electrode and the cathode electrode on the blue LED 25 side are the two electrodes of the second display substrate 10B. When brought into contact with 124c, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in each of the above steps (see FIG. 12 (c)). Since the specific procedure of the electrode connecting step is the same as the electrode connecting step of each step, the specific description will be omitted. In this way, the blue LED 25 corresponding to all the electrodes 124c arranged in the column direction and the row direction of the second display substrate 10B is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the blue LED 25 are the electrodes of the second display substrate 10B. It is connected to all the electrodes 124c (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図１２（ｄ）に示すように、青色ＬＥＤウエーハ２４のエピタキシー基板２４１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第二のディスプレー基板１０Ｂに位置付けられた青色ＬＥＤ２５のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し該青色ＬＥＤ２５をエピタキシー基板２４１から剥離して第二のディスプレー基板１０Ｂに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、上記の各ステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第二のディスプレー基板１０Ｂ側の電極１２４ｃに対して電極が連結された全ての青色ＬＥＤ２５に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図１２（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第二のディスプレー基板１０Ｂ上の全ての電極１２４ｃに青色ＬＥＤ２５が配設され、その結果、第二のディスプレー基板１０Ｂには、緑色ＬＥＤ２３、及び青色ＬＥＤ２５が配設された状態となる。上記した第二のディスプレー基板１０Ｂに対して青色ＬＥＤ２５を配設するための上記電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第６のステップ」とする。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 12 (d), the wavelength of the wavelength is transparent to the epitaxy substrate 241 of the blue LED wafer 24 and is absorbent to the buffer layer BF. The laser beam LB2 is irradiated to the buffer layer BF of the blue LED 25 positioned on the second display substrate 10B to destroy the buffer layer BF, and the blue LED 25 is peeled off from the epitaxy substrate 241 and arranged on the second display substrate 10B. The LED arrangement step is carried out. Since the LED arrangement step is the same as each step described above, a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the blue LEDs 25 to which the electrodes are connected to the electrodes 124c on the second display substrate 10B side, the wafer retaining ring 52 is raised (FIG. 12 (FIG. 12). See e).). As a result, the LED arrangement step is completed, and the blue LED 25 is arranged on all the electrodes 124c on the second display substrate 10B. As a result, the green LED 23 and the blue LED 25 are arranged on the second display substrate 10B. Is arranged. The electrode connecting step for arranging the blue LED 25 with respect to the second display substrate 10B and the LED arranging step are referred to as a “sixth step”.

該第６のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図１の手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、載置されている第二のディスプレー基板１０Ａを取り外す。ここで、次に該保持フレーム６４の段差部６４ａ上に搭載されるディスプレー基板は、上記した第６のステップにおいて、第二のディスプレー基板１０Ｂ、第三のディスプレー基板１０Ｃのうち選択されなかった第三のディスプレー基板１０Ｃを「他方のディスプレー基板」として選択し、該第三のディスプレー基板１０Ｃを載置する。第三のディスプレー基板１０Ｃを保持フレーム６４に載置したならば、吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。なお、上記した第６のステップにおいて、第二のディスプレー基板１０Ｂではなく、第三のディスプレー基板１０Ｃが選択されていた場合は、本ステップにおいて、第二のディスプレー基板１０Ｂが他方のディスプレー基板として選択される。 When the sixth step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side of FIG. 1 by operating the moving means 43. When the holding table 63 is moved to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, and the second display board 10A on which the holding table 63 is placed is removed. Here, the display substrate mounted on the stepped portion 64a of the holding frame 64 is not selected from the second display substrate 10B and the third display substrate 10C in the above-mentioned sixth step. The third display substrate 10C is selected as the "other display substrate" and the third display substrate 10C is placed therein. When the third display substrate 10C is placed on the holding frame 64, the suction means is operated to apply a suction force to the suction holes 64b to hold the suction holes 64b. If the third display board 10C is selected instead of the second display board 10B in the sixth step described above, the second display board 10B is selected as the other display board in this step. Will be done.

第三のディスプレー基板１０Ｃを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持した第三のディスプレー基板１０Ｂを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第二のディスプレー基板１０Ｂの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 When the third display substrate 10C is sucked and held by the holding frame 64, the third display board 10B sucked and held on the holding frame 64 is imaged by using the above-mentioned image pickup means 48, and the collection of the laser beam irradiation means 44. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the second display substrate 10B.

該アライメントを実行して両者の位置合わせが完了したならば、図示しない制御手段の指令によりウエーハ保持リング５２を上方に移動してさらに図２（ｃ）に矢印５４ａで示す方向に回転させることで、ＬＥＤウエーハ保持手段５０を図２（ｂ）で示す状態とし、該ウエーハ保持リング５２に作用している吸引手段を停止して第６のステップにおいて使用されていた青色ＬＥＤウエーハ２４を取り出し、第１のステップを実行している際に保持されていた赤色ＬＥＤウエーハ２０をウエーハ保持リング５２の段差部５２ａに載置する。 When the alignment is executed and the alignment of the two is completed, the wafer holding ring 52 is moved upward by a command of a control means (not shown) and further rotated in the direction indicated by the arrow 54a in FIG. 2 (c). , The LED wafer holding means 50 is in the state shown in FIG. 2B, the suction means acting on the wafer holding ring 52 is stopped, and the blue LED wafer 24 used in the sixth step is taken out. The red LED wafer 20 held during the execution of step 1 is placed on the step portion 52a of the wafer holding ring 52.

該段差部５２ａに赤色ＬＥＤウエーハ２０を載置したならば、図示しない吸引手段を作動させて吸引孔５２ｂから吸引し赤色ＬＥＤウエーハ２０を吸引保持状態とする。赤色ＬＥＤウエーハ２０をウエーハ保持リング５２に吸引保持したならば、保持基体５６の駆動手段を作動させてウエーハ保持リング５２を図２（ｃ）に示すように図中矢印５４ａの方向に１８０°回転させて赤色ＬＥＤウエーハ２０の裏面２０ｂ側を上方に露出させ、赤色ＬＥＤ２１が形成された表面２０ａが下方を向くように方向を転換する。赤色ＬＥＤウエーハ２０をこのように回転させたならば、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第三のディスプレー基板１０Ｃを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第三のディスプレー基板１０Ｃがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第三のディスプレー基板１０Ｃの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる。このとき、赤色ＬＥＤウエーハ２０と第三のディスプレー基板１０Ｃとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図１３（ａ）から理解されるように、赤色ＬＥＤウエーハ２０の赤色ＬＥＤ２１は、第１のステップにおいて６つおきに第一のディスプレー基板１０Ａに対して既に配設した後である。すなわち、赤色ＬＥＤウエーハ２０上には、１列を飛ばして、５列ずつ赤色ＬＥＤ２１が残っている。ここで、第三のディスプレー基板１０Ｃの表面１０Ｂａには、既に電極１２４ｂに対応して緑色ＬＥＤ２３が配設されているため、赤色ＬＥＤウエーハ２０の最も左側の赤色ＬＥＤ２１は、第三のディスプレー基板１０Ｃの最も左側の電極１２４ａに位置付けることはできない。そこで、赤色ＬＥＤウエーハ２０に残っている最も左側の５列の赤色ＬＥＤ２１のうち右側の赤色ＬＥＤ２１を、図１３（ａ）に示すように、第三のディスプレー基板１０Ｃの最も左側の電極１２４ａに位置付ける。このような状態でウエーハ保持リング５２を下降させることによって、赤色ＬＥＤウエーハ２０に残っている赤色ＬＥＤ２１が、第三のディスプレー基板１０Ｃに既に配設されている緑色ＬＥＤ２３と重ならず表面１０Ａａにおいて対応する各電極１２４ａと対面し当接した状態に位置付けられる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 When the red LED wafer 20 is placed on the step portion 52a, a suction means (not shown) is operated to suck the red LED wafer 20 from the suction hole 52b and put the red LED wafer 20 in the suction holding state. When the red LED wafer 20 is sucked and held by the wafer holding ring 52, the driving means of the holding base 56 is operated to rotate the wafer holding ring 52 by 180 ° in the direction of the arrow 54a in the figure as shown in FIG. 2 (c). The back surface 20b side of the red LED wafer 20 is exposed upward, and the direction is changed so that the front surface 20a on which the red LED 21 is formed faces downward. When the red LED wafer 20 is rotated in this way, the moving means 43 is operated based on the position information obtained by performing the alignment, and the third display substrate 10C held by the holding frame 64 is operated. It is positioned directly under the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Then, if the third display board 10C is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the third display board 10C by a predetermined amount is moved. Lower. At this time, as can be understood from FIG. 13A, which specifically shows the positional relationship between the red LED wafer 20 and the third display substrate 10C as viewed from the side in the row direction, the red LED 21 of the red LED wafer 20 Is already disposed with respect to the first display substrate 10A every six in the first step. That is, on the red LED wafer 20, one row is skipped, and five rows of red LEDs 21 remain. Here, since the green LED 23 is already arranged on the surface 10Ba of the third display substrate 10C corresponding to the electrode 124b, the red LED 21 on the leftmost side of the red LED wafer 20 is the third display substrate 10C. It cannot be positioned on the leftmost electrode 124a of. Therefore, the red LED 21 on the right side of the five rows of red LEDs 21 on the leftmost side remaining in the red LED wafer 20 is positioned on the leftmost electrode 124a of the third display substrate 10C as shown in FIG. 13 (a). .. By lowering the wafer holding ring 52 in such a state, the red LED 21 remaining on the red LED wafer 20 does not overlap with the green LED 23 already arranged on the third display substrate 10C and corresponds to the surface 10Aa. It is positioned in a state of facing and abutting each of the electrodes 124a (LED wafer positioning step).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第三のディスプレー基板１０Ｃの電極１２４ａに、赤色ＬＥＤウエーハ２０の赤色ＬＥＤ２１が位置付けられて、赤色ＬＥＤ２１側のアノード電極、カソード電極が第三のディスプレー基板１０Ｃの２つの電極１２４ａに当接させられたならば、上記の各ステップと同様に電極連結工程が実施される（図１３（ｃ）を参照。）。なお電極連結工程の具体的手順は、上記各ステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第三のディスプレー基板１０Ｃの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ａに対応する赤色ＬＥＤ２１に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、赤色ＬＥＤ２１の電極が第三のディスプレー基板１０Ｃの全ての電極１２４ａに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the red LED 21 of the red LED wafer 20 is positioned on the electrode 124a of the third display substrate 10C, and the anode electrode and the cathode electrode on the red LED 21 side are the two electrodes of the third display substrate 10C. When brought into contact with 124a, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in each of the above steps (see FIG. 13 (c)). Since the specific procedure of the electrode connecting step is the same as the electrode connecting step of each step, the specific description will be omitted. In this way, the red LED 21 corresponding to all the electrodes 124a arranged in the column direction and the row direction of the third display substrate 10C is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the red LED 21 are the third display substrate 10C. It is connected to all the electrodes 124a (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図１３（ｄ）に示すように、赤色ＬＥＤウエーハ２０のエピタキシー基板２０１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第三のディスプレー基板１０Ｃに位置付けられた赤色ＬＥＤ２１のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し赤色ＬＥＤ２１をエピタキシー基板２０１から剥離して第三のディスプレー基板１０Ｃに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、上記の各ステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第三のディスプレー基板１０Ｃ側の電極１２４ａに対して電極が連結された全ての赤色ＬＥＤ２１に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図１３（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第三のディスプレー基板１０Ｃ上の全ての電極１２４ａに赤色ＬＥＤ２１が配設され、その結果、第三のディスプレー基板１０Ｃには、赤色ＬＥＤ２１及び緑色ＬＥＤ２３が配設された状態となる。上記した第三のディスプレー基板１０Ｃに対して赤色ＬＥＤ２１を配設するための電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第７のステップ」とする。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 13D, the wavelength of the wavelength is transparent to the epitaxy substrate 201 of the red LED wafer 20 and is absorbent to the buffer layer BF. An LED that irradiates the buffer layer BF of the red LED 21 positioned on the third display substrate 10C with the laser beam LB2 to destroy the buffer layer BF, peels the red LED 21 from the epitaxy substrate 201, and arranges the red LED 21 on the third display substrate 10C. The disposition step is carried out. Since the LED arrangement step is the same as each step described above, a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the red LEDs 21 to which the electrodes are connected to the electrodes 124a on the third display substrate 10C side, the wafer retaining ring 52 is raised (FIG. 13 (FIG. 13). See e).). As a result, the LED arrangement step is completed, and the red LEDs 21 are arranged on all the electrodes 124a on the third display substrate 10C. As a result, the red LED 21 and the green LED 23 are arranged on the third display substrate 10C. It will be in the arranged state. The electrode connecting step for arranging the red LED 21 with respect to the third display substrate 10C described above and the LED arranging step are referred to as a "seventh step".

該第７のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図１の手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、載置されている第三のディスプレー基板１０Ｃを取り外す。第三のディスプレー基板１０Ｃを取り外したならば、第４のステップにて使用された第四のディスプレー基板１０Ｄを載置する。上記したように、第四のディスプレー基板１０Ｄの電極１２４ｃには、既に青色ＬＥＤ２５が配設されている。第四のディスプレー基板１０Ｄを保持フレーム６４に載置し、吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。 When the seventh step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side of FIG. 1 by operating the moving means 43. When the holding table 63 is moved to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, and the third display board 10C on which the holding table 63 is placed is removed. After removing the third display board 10C, the fourth display board 10D used in the fourth step is placed. As described above, the blue LED 25 is already disposed on the electrode 124c of the fourth display substrate 10D. The fourth display substrate 10D is placed on the holding frame 64, the suction means is operated, and the suction force is applied to the suction holes 64b to hold the suction holes 64b.

第四のディスプレー基板１０Ｄを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持した第四のディスプレー基板１０Ｄを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第四のディスプレー基板１０Ｄの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 After the fourth display substrate 10D is sucked and held by the holding frame 64, the fourth display board 10D sucked and held on the holding frame 64 is imaged by using the above-mentioned image pickup means 48, and the collection of the laser beam irradiation means 44. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the fourth display substrate 10D.

該アライメントを実行して両者の位置合わせが完了したならば、図示しない制御手段の指令によりウエーハ保持リング５２を上方に移動してさらに図２（ｃ）に矢印５４ａで示す方向に回転させることで、ＬＥＤウエーハ保持手段５０を図２（ｂ）で示す状態とし、該ウエーハ保持リング５２に作用している吸引手段を停止して第７のステップにおいて使用されていた赤色ＬＥＤウエーハ２１を取り出し、第５のステップにて使用された緑色ＬＥＤウエーハ２２をウエーハ保持リング５２の段差部５２ａに載置する。 When the alignment is executed and the alignment of the two is completed, the wafer holding ring 52 is moved upward by a command of a control means (not shown) and further rotated in the direction indicated by the arrow 54a in FIG. 2 (c). , The LED wafer holding means 50 is in the state shown in FIG. 2B, the suction means acting on the wafer holding ring 52 is stopped, and the red LED wafer 21 used in the seventh step is taken out. The green LED wafer 22 used in step 5 is placed on the step portion 52a of the wafer holding ring 52.

該段差部５２ａに緑色ＬＥＤウエーハ２２を載置したならば、図示しない吸引手段を作動させて吸引孔５２ｂから吸引し緑色ＬＥＤウエーハ２２を吸引保持状態とする。緑色ＬＥＤウエーハ２２をウエーハ保持リング５２に吸引保持したならば、保持基体５６の駆動手段を作動させてウエーハ保持リング５２を図２（ｃ）に示すように図中矢印５４ａの方向に１８０°回転させて緑色ＬＥＤウエーハ２２の裏面２２ｂ側を上方に露出させ、緑色ＬＥＤ２３が形成された表面２２ａが下方を向くように方向を転換する。緑色ＬＥＤウエーハ２２をこのように回転させたならば、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第四のディスプレー基板１０Ｄを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第四のディスプレー基板１０Ｄがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第四のディスプレー基板１０Ｄの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる。このとき、緑色ＬＥＤウエーハ２２と第四のディスプレー基板１０Ｄとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図１４（ａ）から理解されるように、緑色ＬＥＤウエーハ２２の緑色ＬＥＤ２３は、第２、３、５のステップにおいて第一〜三のディスプレー基板１０Ａ〜１０Ｃに対して既に配設した後である。すなわち、緑色ＬＥＤウエーハ２２上には、３列を飛ばして、３列ずつ緑色ＬＥＤ２３が残っている。ここで、第四のディスプレー基板１０Ｄの表面１０Ｄａには、既に電極１２４ｃに対応して青色ＬＥＤ２５が配設されているため、該３列に並んだ緑色ＬＥＤウエーハ２３の最も左側の緑色ＬＥＤ２３を、第四のディスプレー基板１０Ｄの最も左側の電極１２４ｂにそのまま位置付けることはできない。そこで、緑色ＬＥＤウエーハ２２に残っている最も左側の３列の緑色ＬＥＤ２３のうち右側の緑色ＬＥＤ２３を、図１４（ａ）に示すように、第四のディスプレー基板１０Ｄの最も左側の電極１２４ｂの上方に位置付ける。このような状態でウエーハ保持リング５２を下降させる（図１４（ｂ）を参照。）ことによって、緑色ＬＥＤウエーハ２２に残っている緑色ＬＥＤ２３を、第四のディスプレー基板１０Ｄの表面１０Ｄａにおいて対応する各電極１２４ｂと対面し当接した状態に位置付けることができる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 When the green LED wafer 22 is placed on the step portion 52a, a suction means (not shown) is operated to suck the green LED wafer 22 from the suction hole 52b to bring the green LED wafer 22 into the suction holding state. When the green LED wafer 22 is sucked and held by the wafer holding ring 52, the driving means of the holding base 56 is activated to rotate the wafer holding ring 52 by 180 ° in the direction of the arrow 54a in the figure as shown in FIG. 2 (c). The back surface 22b side of the green LED wafer 22 is exposed upward, and the direction is changed so that the front surface 22a on which the green LED 23 is formed faces downward. When the green LED wafer 22 is rotated in this way, the moving means 43 is operated based on the position information obtained by performing the alignment, and the fourth display substrate 10D held by the holding frame 64 is operated. It is positioned directly under the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Then, if the fourth display board 10D is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the fourth display board 10D by a predetermined amount is moved. Lower. At this time, as can be understood from FIG. 14A, which specifically shows the positional relationship between the green LED wafer 22 and the fourth display substrate 10D as viewed from the side in the row direction, the green LED 23 of the green LED wafer 22 Is already disposed with respect to the first to third display substrates 10A to 10C in the second, third, and fifth steps. That is, on the green LED wafer 22, three rows are skipped, and three rows of green LEDs 23 remain. Here, since the blue LED 25 is already arranged on the surface 10Da of the fourth display substrate 10D corresponding to the electrode 124c, the green LED 23 on the leftmost side of the green LED wafers 23 arranged in the three rows is used. It cannot be directly positioned on the leftmost electrode 124b of the fourth display substrate 10D. Therefore, of the leftmost three rows of green LEDs 23 remaining in the green LED wafer 22, the right green LED 23 is above the leftmost electrode 124b of the fourth display substrate 10D, as shown in FIG. 14 (a). Positioned in. By lowering the wafer holding ring 52 in such a state (see FIG. 14B), the green LED 23 remaining on the green LED wafer 22 is placed on the surface 10 Da of the fourth display substrate 10D. It can be positioned in a state of facing and abutting the electrode 124b (LED wafer positioning step).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第四のディスプレー基板１０Ｄの電極１２４ｂに、緑色ＬＥＤウエーハ２２の緑色ＬＥＤ２３が位置付けられて、緑色ＬＥＤ２３側のアノード電極、カソード電極が第四のディスプレー基板１０Ｄの２つの電極１２４ｂに当接させられたならば、上記の各ステップと同様に電極連結工程が実施される（図１４（ｃ）を参照。）。なお電極連結工程の具体的手順は、上記各ステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第四のディスプレー基板１０Ｄの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ｂに対応する緑色ＬＥＤ２３に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、緑色ＬＥＤ２３の電極が第四のディスプレー基板１０Ｄの全ての電極１２４ｂに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the green LED23 of the green LED wafer 22 is positioned on the electrode 124b of the fourth display substrate 10D, and the anode electrode and the cathode electrode on the green LED23 side are the two electrodes of the fourth display substrate 10D. When brought into contact with 124b, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in each of the above steps (see FIG. 14 (c)). Since the specific procedure of the electrode connecting step is the same as the electrode connecting step of each step, the specific description will be omitted. In this way, the green LED 23 corresponding to all the electrodes 124b arranged in the column direction and the row direction of the fourth display substrate 10D is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the green LED 23 are the electrodes of the fourth display substrate 10D. It is connected to all the electrodes 124b (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図１４（ｄ）に示すように、緑色ＬＥＤウエーハ２２のエピタキシー基板２２１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第四のディスプレー基板１０Ｄに位置付けられた緑色ＬＥＤ２３のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し緑色ＬＥＤ２３をエピタキシー基板２２１から剥離して第四のディスプレー基板１０Ｄに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、上記の各ステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第四のディスプレー基板１０Ｄ側の電極１２４ｂに対して電極が連結された全ての緑色ＬＥＤ２３に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図１４（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第四のディスプレー基板１０Ｄ上の全ての電極１２４ｂに緑色ＬＥＤ２３が配設され、その結果、第四のディスプレー基板１０Ｄには、緑色ＬＥＤ２３及び青色ＬＥＤ２５が配設された状態となる。上記した第四のディスプレー基板１０Ｄに対して緑色ＬＥＤ２３を配設するための電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第８のステップ」とする。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 14 (d), the wavelength having a wavelength that is transparent to the epitaxy substrate 221 of the green LED wafer 22 and is absorbent to the buffer layer BF. An LED that irradiates the buffer layer BF of the green LED23 located on the fourth display substrate 10D with the laser beam LB2 to destroy the buffer layer BF, peels the green LED23 from the epitaxy substrate 221 and arranges it on the fourth display substrate 10D. The disposition step is carried out. Since the LED arrangement step is the same as each step described above, a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the green LEDs 23 to which the electrodes are connected to the electrodes 124b on the fourth display substrate 10D side, the wafer retaining ring 52 is raised (FIG. 14 (FIG. 14). See e).). As a result, the LED arrangement step is completed, and the green LEDs 23 are arranged on all the electrodes 124b on the fourth display substrate 10D, and as a result, the green LED 23 and the blue LED 25 are arranged on the fourth display substrate 10D. It will be in the arranged state. The electrode connecting step for arranging the green LED 23 with respect to the fourth display substrate 10D described above and the LED arranging step are referred to as an "eighth step".

該第８のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図１の手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、載置されている第四のディスプレー基板１０Ｄを取り外す。第四のディスプレー基板１０Ｄを取り外したならば、第５のステップにて使用された第一のディスプレー基板１０Ａを載置する。上記したように、第一のディスプレー基板１０Ａの電極１２４ａ、１２４ｂには、既に赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３が配設されている。第一のディスプレー基板１０Ａを保持フレーム６４に載置し、吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。 When the eighth step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side of FIG. 1 by operating the moving means 43. After moving the holding table 63 to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, and the fourth display board 10D on which the holding table 63 is placed is removed. After removing the fourth display board 10D, the first display board 10A used in the fifth step is placed. As described above, the red LED 21 and the green LED 23 are already arranged on the electrodes 124a and 124b of the first display substrate 10A. The first display substrate 10A is placed on the holding frame 64, the suction means is operated, and the suction force is applied to the suction holes 64b to hold the suction holes 64b.

第一のディスプレー基板１０Ａを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持した第一のディスプレー基板１０Ａを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第一のディスプレー基板１０Ａの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 When the first display substrate 10A is sucked and held by the holding frame 64, the first display board 10A sucked and held on the holding frame 64 is imaged by using the above-mentioned imaging means 48, and the collection of the laser beam irradiating means 44. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the first display substrate 10A.

該アライメントを実行して両者の位置合わせが完了したならば、図示しない制御手段の指令によりウエーハ保持リング５２を上方に移動してさらに図２（ｃ）に矢印５４ａで示す方向に回転させることで、ＬＥＤウエーハ保持手段５０を図２（ｂ）で示す状態とし、該ウエーハ保持リング５２に作用している吸引手段を停止して第８のステップにおいて使用されていた緑色ＬＥＤウエーハ２２を取り出し、第６のステップで使用された青色ＬＥＤウエーハ２４をウエーハ保持リング５２の段差部５２ａに載置する。 When the alignment is executed and the alignment of the two is completed, the wafer holding ring 52 is moved upward by a command of a control means (not shown) and further rotated in the direction indicated by the arrow 54a in FIG. 2 (c). , The LED wafer holding means 50 is in the state shown in FIG. 2B, the suction means acting on the wafer holding ring 52 is stopped, and the green LED wafer 22 used in the eighth step is taken out. The blue LED wafer 24 used in step 6 is placed on the step portion 52a of the wafer holding ring 52.

該段差部５２ａに青色ＬＥＤウエーハ２４を載置したならば、図示しない吸引手段を作動させて吸引孔５２ｂから吸引し青色ＬＥＤウエーハ２４を吸引保持状態とする。青色ＬＥＤウエーハ２４をウエーハ保持リング５２に吸引保持したならば、保持基体５６の駆動手段を作動させてウエーハ保持リング５２を図２（ｃ）に示すように図中矢印５４ａの方向に１８０°回転させて青色ＬＥＤウエーハ２４の裏面２４ｂ側を上方に露出させ、青色ＬＥＤ２５が形成された表面２４ａが下方を向くように方向を転換する。青色ＬＥＤウエーハ２４をこのように回転させたならば、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第一のディスプレー基板１０Ａを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第一のディスプレー基板１０Ａがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第一のディスプレー基板１０Ａの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる。このとき、青色ＬＥＤウエーハ２４と第一のディスプレー基板１０Ａとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図１５（ａ）から理解されるように、青色ＬＥＤウエーハ２４の青色ＬＥＤ２５は、第４、６のステップにおいて第二、四のディスプレー基板１０Ｂ、１０Ｄに対して既に配設した後である。すなわち、青色ＬＥＤウエーハ２４上には、２列を飛ばして、４列ずつ青色ＬＥＤ２５が残っている。ここで、第一のディスプレー基板１０Ａの表面１０Ａａには、既に電極１２４ａ、１２４ｂに対応して赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３が配設されている。そこで、青色ＬＥＤウエーハ２４に残っている最も左側の４列の青色ＬＥＤ２５のうち左側の青色ＬＥＤ２５を、図１５（ａ）に示すように、第一のディスプレー基板１０Ａの最も左側の電極１２４ｃの上方に位置付ける。このような状態でウエーハ保持リング５２を下降させることによって、青色ＬＥＤウエーハ２４に残っている青色ＬＥＤ２５が、第一のディスプレー基板１０Ａの表面１０Ａａにおいて対応する各電極１２４ｃと対面し当接した状態に位置付けることができる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 When the blue LED wafer 24 is placed on the step portion 52a, a suction means (not shown) is operated to suck the blue LED wafer 24 from the suction hole 52b to bring the blue LED wafer 24 into the suction holding state. When the blue LED wafer 24 is sucked and held by the wafer holding ring 52, the driving means of the holding base 56 is activated to rotate the wafer holding ring 52 by 180 ° in the direction of the arrow 54a in the figure as shown in FIG. 2 (c). The back surface 24b side of the blue LED wafer 24 is exposed upward, and the direction is changed so that the front surface 24a on which the blue LED 25 is formed faces downward. When the blue LED wafer 24 is rotated in this way, the moving means 43 is operated based on the position information obtained by performing the alignment, and the first display substrate 10A held by the holding frame 64 is used. It is positioned directly under the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Then, if the first display substrate 10A is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the first display substrate 10A by a predetermined amount is moved. Lower. At this time, as can be understood from FIG. 15A, which specifically shows the positional relationship between the blue LED wafer 24 and the first display substrate 10A as viewed from the side in the row direction, the blue LED 25 of the blue LED wafer 24 Is already disposed with respect to the second and fourth display substrates 10B and 10D in the fourth and sixth steps. That is, on the blue LED wafer 24, two rows are skipped and four rows of blue LEDs 25 remain. Here, the red LED 21 and the green LED 23 are already arranged on the surface 10Aa of the first display substrate 10A corresponding to the electrodes 124a and 124b. Therefore, of the leftmost four rows of blue LEDs 25 remaining in the blue LED wafer 24, the left blue LED 25 is above the leftmost electrode 124c of the first display substrate 10A, as shown in FIG. 15 (a). Positioned in. By lowering the wafer holding ring 52 in such a state, the blue LED 25 remaining on the blue LED wafer 24 faces the corresponding electrodes 124c on the surface 10Aa of the first display substrate 10A and comes into contact with each other. It can be positioned (LED wafer positioning process).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第一のディスプレー基板１０Ａの電極１２４ｃに、青色ＬＥＤウエーハ２４の青色ＬＥＤ２５が位置付けられて、青色ＬＥＤ２５側のアノード電極、カソード電極が第一のディスプレー基板１０Ａの２つの電極１２４ｃに当接させられたならば、上記の各ステップと同様に電極連結工程が実施される（図１５（ｃ）を参照。）。なお電極連結工程の具体的手順は、上記各ステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第一のディスプレー基板１０Ａの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ｃに対応する青色ＬＥＤ２５に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、青色ＬＥＤ２５の電極が第一のディスプレー基板１０Ａの全ての電極１２４ｃに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the blue LED 25 of the blue LED wafer 24 is positioned on the electrode 124c of the first display substrate 10A, and the anode electrode and the cathode electrode on the blue LED 25 side are the two electrodes of the first display substrate 10A. When brought into contact with 124c, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in each of the above steps (see FIG. 15 (c)). Since the specific procedure of the electrode connecting step is the same as the electrode connecting step of each step, the specific description will be omitted. In this way, the blue LED 25 corresponding to all the electrodes 124c arranged in the column direction and the row direction of the first display substrate 10A is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the blue LED 25 are the electrodes of the first display substrate 10A. It is connected to all the electrodes 124c (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図１５（ｄ）に示すように、青色ＬＥＤウエーハ２４のエピタキシー基板２４１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第一のディスプレー基板１０Ａに位置付けられた青色ＬＥＤ２５のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し青色ＬＥＤ２５をエピタキシー基板２４１から剥離して第一のディスプレー基板１０Ａに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、上記の各ステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第一のディスプレー基板１０Ａ側の電極１２４ｃに対して電極が連結された全ての青色ＬＥＤ２５に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図１５（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第一のディスプレー基板１０Ａ上の全ての電極１２４ｃに青色ＬＥＤ２５が配設され、その結果、第一のディスプレー基板１０Ａには、赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３、及び青色ＬＥＤ２５が配設された状態となる。すなわち、第一のディスプレー基板１０Ａの一部１１ａを拡大して示す図１９から明らかなように、第一のディスプレー基板１０Ａの電極１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃの全てに所定のＬＥＤが配設され、第一のディスプレー基板１０Ａが三色のＬＥＤ光源を有するディスプレーパネルとして完成した状態となる。上記した第一のディスプレー基板１０Ａに対して青色ＬＥＤ２５を配設するための電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第９のステップ」とする。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 15D, the wavelength of the wavelength is transparent to the epitaxy substrate 241 of the blue LED wafer 24 and is absorbent to the buffer layer BF. An LED that irradiates the buffer layer BF of the blue LED 25 positioned on the first display substrate 10A with a laser beam LB2 to destroy the buffer layer BF, peels the blue LED 25 from the epitaxy substrate 241 and arranges it on the first display substrate 10A. The disposition step is carried out. Since the LED arrangement step is the same as each step described above, a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the blue LEDs 25 to which the electrodes are connected to the electrodes 124c on the first display substrate 10A side, the wafer retaining ring 52 is raised (FIG. 15 (FIG. 15). See e).). As a result, the LED arrangement step is completed, and the blue LED 25 is arranged on all the electrodes 124c on the first display substrate 10A. As a result, the red LED 21, the green LED 23, and the green LED 23 are arranged on the first display substrate 10A. And the blue LED 25 is arranged. That is, as is clear from FIG. 19 in which a part 11a of the first display substrate 10A is enlarged and shown, predetermined LEDs are arranged on all of the electrodes 124a, 124b, 124c of the first display substrate 10A, and the first display substrate 10A has a predetermined LED. One display board 10A is completed as a display panel having a three-color LED light source. The electrode connecting step for arranging the blue LED 25 with respect to the first display substrate 10A described above and the LED arranging step are referred to as a "nineth step".

該第９のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図１の手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、載置されている第一のディスプレー基板１０Ａを取り外す。第一のディスプレー基板１０Ａを取り外したならば、第６のステップにて使用された第二のディスプレー基板１０Ｂを載置する。上記したように、第二のディスプレー基板１０Ｂの電極１２４ｂ、１２４ｃには、既に緑色ＬＥＤ２３、青色ＬＥＤ２５が配設されている。第二のディスプレー基板１０Ｂを保持フレーム６４に載置し、吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。 When the ninth step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side of FIG. 1 by operating the moving means 43. When the holding table 63 is moved to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, and the first display substrate 10A on which the holding table 63 is placed is removed. After removing the first display board 10A, the second display board 10B used in the sixth step is placed. As described above, the green LED 23 and the blue LED 25 are already arranged on the electrodes 124b and 124c of the second display substrate 10B. The second display substrate 10B is placed on the holding frame 64, the suction means is operated, and the suction force is applied to the suction holes 64b to suck and hold the second display substrate 10B.

第二のディスプレー基板１０Ｂを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持した第二のディスプレー基板１０Ｂを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第二のディスプレー基板１０Ｂの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 After the second display substrate 10B is sucked and held by the holding frame 64, the second display board 10B sucked and held on the holding frame 64 is imaged by using the above-mentioned imaging means 48, and the collection of the laser beam irradiating means 44. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the second display substrate 10B.

該アライメントを実行して両者の位置合わせが完了したならば、図示しない制御手段の指令によりウエーハ保持リング５２を上方に移動してさらに図２（ｃ）に矢印５４ａで示す方向に回転させることで、ＬＥＤウエーハ保持手段５０を図２（ｂ）で示す状態とし、該ウエーハ保持リング５２に作用している吸引手段を停止して第９のステップにおいて使用されていた青色ＬＥＤウエーハ２４を取り出し、第７のステップで使用された赤色ＬＥＤウエーハ２０をウエーハ保持リング５２の段差部５２ａに載置する。 When the alignment is executed and the alignment of the two is completed, the wafer holding ring 52 is moved upward by a command of a control means (not shown) and further rotated in the direction indicated by the arrow 54a in FIG. 2 (c). , The LED wafer holding means 50 is in the state shown in FIG. 2B, the suction means acting on the wafer holding ring 52 is stopped, and the blue LED wafer 24 used in the ninth step is taken out. The red LED wafer 20 used in step 7 is placed on the step portion 52a of the wafer holding ring 52.

該段差部５２ａに赤色ＬＥＤウエーハ２０を載置したならば、図示しない吸引手段を作動させて吸引孔５２ｂから吸引し赤色ＬＥＤウエーハ２０を吸引保持状態とする。赤色ＬＥＤウエーハ２０をウエーハ保持リング５２に吸引保持したならば、保持基体５６の駆動手段を作動させてウエーハ保持リング５２を図２（ｃ）に示すように図中矢印５４ａの方向に１８０°回転させて赤色ＬＥＤウエーハ２０の裏面２０ｂ側を上方に露出させ、赤色ＬＥＤ２１が形成された表面２０ａが下方を向くように方向を転換する。赤色ＬＥＤウエーハ２０をこのように回転させたならば、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第二のディスプレー基板１０Ｂを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第二のディスプレー基板１０Ｂがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第二のディスプレー基板１０Ｂの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる。このとき、赤色ＬＥＤウエーハ２０と第二のディスプレー基板１０Ｂとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図１６（ａ）から理解されるように、赤色ＬＥＤウエーハ２０の赤色ＬＥＤ２１は、第１、７のステップにおいて第一、三のディスプレー基板１０Ａ、１０Ｃに対して既に配設した後である。すなわち、赤色ＬＥＤウエーハ２０上には、２列を飛ばして４列ずつ赤色ＬＥＤ２１が残っている。ここで、第二のディスプレー基板１０Ｂの表面１０Ｂａには、既に電極１２４ｂ、１２４ｃに対応して緑色ＬＥＤ２３、青色ＬＥＤ２５が配設されているため、該４列に並んだ赤色ＬＥＤウエーハ２０の最も左側の赤色ＬＥＤ２１は、第二のディスプレー基板１０Ｂの最も左側の電極１２４ａに位置付けることはできない。そこで、赤色ＬＥＤウエーハ２０に残っている最も左側の４列の赤色ＬＥＤ２１のうち右側の赤色ＬＥＤ２１を、図１６（ａ）に示すように、第二のディスプレー基板１０Ｂの最も左側の電極１２４ａの上方に位置付ける。このような状態でウエーハ保持リング５２を下降させることによって、赤色ＬＥＤウエーハ２０に残っている赤色ＬＥＤ２１が、第二のディスプレー基板１０Ｂの表面１０Ｂａにおいて対応する各電極１２４ａと対面し当接した状態に位置付けることができる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 When the red LED wafer 20 is placed on the step portion 52a, a suction means (not shown) is operated to suck the red LED wafer 20 from the suction hole 52b and put the red LED wafer 20 in the suction holding state. When the red LED wafer 20 is sucked and held by the wafer holding ring 52, the driving means of the holding base 56 is operated to rotate the wafer holding ring 52 by 180 ° in the direction of the arrow 54a in the figure as shown in FIG. 2 (c). The back surface 20b side of the red LED wafer 20 is exposed upward, and the direction is changed so that the front surface 20a on which the red LED 21 is formed faces downward. When the red LED wafer 20 is rotated in this way, the moving means 43 is operated based on the position information obtained by performing the alignment, and the second display substrate 10B held by the holding frame 64 is operated. It is positioned directly under the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Then, if the second display board 10B is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the second display board 10B by a predetermined amount is moved. Lower. At this time, as can be understood from FIG. 16A, which specifically shows the positional relationship between the red LED wafer 20 and the second display substrate 10B as viewed from the side in the row direction, the red LED 21 of the red LED wafer 20 Is already disposed with respect to the first and third display substrates 10A and 10C in the first and seventh steps. That is, on the red LED wafer 20, two rows are skipped and four rows of red LEDs 21 remain. Here, since the green LED 23 and the blue LED 25 are already arranged on the surface 10Ba of the second display substrate 10B corresponding to the electrodes 124b and 124c, the leftmost side of the red LED wafers 20 arranged in the four rows is leftmost. The red LED 21 cannot be positioned on the leftmost electrode 124a of the second display substrate 10B. Therefore, the red LED 21 on the right side of the four rows of red LEDs 21 on the leftmost side remaining in the red LED wafer 20 is above the leftmost electrode 124a of the second display substrate 10B as shown in FIG. 16A. Positioned in. By lowering the wafer holding ring 52 in such a state, the red LED 21 remaining on the red LED wafer 20 is brought into a state of facing and contacting each of the corresponding electrodes 124a on the surface 10Ba of the second display substrate 10B. It can be positioned (LED wafer positioning process).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第二のディスプレー基板１０Ｂの電極１２４ａに、赤色ＬＥＤウエーハ２０の赤色ＬＥＤ２が位置付けられて、赤色ＬＥＤ２１側のアノード電極、カソード電極が第二のディスプレー基板１０Ｂの２つの電極１２４ａに当接させられたならば、上記の各ステップと同様に電極連結工程が実施される（図１６（ｃ）を参照。）。なお電極連結工程の具体的手順は、上記各ステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第二のディスプレー基板１０Ｂの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ａに対応する赤色ＬＥＤ２１に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、赤色ＬＥＤ２１の電極が第二のディスプレー基板１０Ｂの全ての電極１２４ａに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the red LED 2 of the red LED wafer 20 is positioned on the electrode 124a of the second display substrate 10B, and the anode electrode and the cathode electrode on the red LED 21 side are the two electrodes of the second display substrate 10B. When brought into contact with 124a, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in each of the above steps (see FIG. 16 (c)). Since the specific procedure of the electrode connecting step is the same as the electrode connecting step of each step, the specific description will be omitted. In this way, the red LED 21 corresponding to all the electrodes 124a arranged in the column direction and the row direction of the second display substrate 10B is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the red LED 21 are the electrodes of the second display substrate 10B. It is connected to all the electrodes 124a (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図１６（ｄ）に示すように、赤色ＬＥＤウエーハ２０のエピタキシー基板２０１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第二のディスプレー基板１０Ｂに位置付けられた赤色ＬＥＤ２１のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し赤色ＬＥＤ２１をエピタキシー基板２０１から剥離して第二のディスプレー基板１０Ｂに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、上記の各ステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第二のディスプレー基板１０Ｂ側の電極１２４ａに対して電極が連結された全ての赤色ＬＥＤ２１に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図１６（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第二のディスプレー基板１０Ｂ上の全ての電極１２４ａに赤色ＬＥＤ２１が配設され、その結果、第二のディスプレー基板１０Ｂには、赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３、及び青色ＬＥＤ２５が配設された状態となる。すなわち、第二のディスプレー基板１０Ｂの電極１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃの全てに三色のＬＥＤが配設され、第二のディスプレー基板１０Ｂが三色のＬＥＤ光源を有するディスプレーパネルとして完成した状態となる（図１９を参照。）。上記した第二のディスプレー基板１０Ｂに対して赤色ＬＥＤ２５を配設するための電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第１０のステップ」とする。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 16D, the wavelength of the wavelength is transparent to the epitaxy substrate 201 of the red LED wafer 20 and is absorbent to the buffer layer BF. An LED that irradiates the buffer layer BF of the red LED 21 positioned on the second display substrate 10B with the laser beam LB2 to destroy the buffer layer BF, peels the red LED 21 from the epitaxy substrate 201, and arranges the red LED 21 on the second display substrate 10B. The disposition step is carried out. Since the LED arrangement step is the same as each step described above, a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the red LEDs 21 to which the electrodes are connected to the electrodes 124a on the second display substrate 10B side, the wafer retaining ring 52 is raised (FIG. 16 (FIG. 16). See e).). As a result, the LED arrangement step is completed, and the red LEDs 21 are arranged on all the electrodes 124a on the second display substrate 10B. As a result, the red LED 21, the green LED 23, and the red LED 21 are arranged on the second display substrate 10B. And the blue LED 25 is arranged. That is, three-color LEDs are arranged on all of the electrodes 124a, 124b, and 124c of the second display board 10B, and the second display board 10B is completed as a display panel having a three-color LED light source (). See FIG. 19). The electrode connecting step for arranging the red LED 25 with respect to the second display substrate 10B described above and the LED arranging step are referred to as a "tenth step".

該第１０のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図１の手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、載置されている第二のディスプレー基板１０Ｂを取り外す。第二のディスプレー基板１０Ｂを取り外したならば、第８のステップにて使用された第四のディスプレー基板１０Ｄを載置する。上記したように、第四のディスプレー基板１０Ｄの電極１２４ｂ、１２４ｃには、既に緑色ＬＥＤ２３、青色ＬＥＤ２５が配設されている。第四のディスプレー基板１０Ｄを保持フレーム６４に載置し、吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。 When the tenth step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side of FIG. 1 by operating the moving means 43. After moving the holding table 63 to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, and the second display board 10B on which the holding table 63 is placed is removed. After removing the second display board 10B, the fourth display board 10D used in the eighth step is placed. As described above, the green LED 23 and the blue LED 25 are already arranged on the electrodes 124b and 124c of the fourth display substrate 10D. The fourth display substrate 10D is placed on the holding frame 64, the suction means is operated, and the suction force is applied to the suction holes 64b to hold the suction holes 64b.

ここで、本ステップでは、第１０のステップで保持リング５２に保持された赤色ＬＥＤウエーハ２０をそのまま用いるため、赤色ＬＥＤウエーハ２０を保持リング５２から取り出すことなく、図１６（ｅ）で示す状態に維持されている。つまり、赤色ＬＥＤウエーハ２０の裏面２０ｂ側が上方に露出され、赤色ＬＥＤ２１が形成された表面２０ａが下方を向いた状態で維持されている。この状態で、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第四のディスプレー基板１０Ｄを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。 Here, in this step, since the red LED wafer 20 held by the holding ring 52 in the tenth step is used as it is, the red LED wafer 20 is not taken out from the holding ring 52 and is in the state shown in FIG. 16 (e). It is maintained. That is, the back surface 20b side of the red LED wafer 20 is exposed upward, and the surface surface 20a on which the red LED 21 is formed is maintained in a state of facing downward. In this state, based on the position information obtained by executing the alignment, the moving means 43 is operated to transfer the fourth display substrate 10D held by the holding frame 64 to the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Positioned directly under.

第四のディスプレー基板１０Ｄがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第四のディスプレー基板１０Ｄの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる。このとき、赤色ＬＥＤウエーハ２０と第四のディスプレー基板１０Ｄとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図１７（ａ）から理解されるように、赤色ＬＥＤウエーハ２０の赤色ＬＥＤ２１は、第１、７、１０のステップにおいて第一〜三のディスプレー基板１０Ａ〜１０Ｃに対して既に配設した後である。すなわち、赤色ＬＥＤウエーハ２０上には、３列を飛ばして、３列ずつ赤色ＬＥＤ２１が残っている。ここで、第四のディスプレー基板１０Ｄの表面１０Ｄａには、既に電極１２４ｂ、１２４ｃに対応して緑色ＬＥＤ２３、青色ＬＥＤ２５が配設されているため、該３列に並んだ赤色ＬＥＤウエーハ２０の最も左側の赤色ＬＥＤ２１は、第四のディスプレー基板１０Ｄの最も左側の電極１２４ａに位置付けることはできない。そこで、赤色ＬＥＤウエーハ２０に残っている最も左側の３列の赤色ＬＥＤ２１のうち右側の赤色ＬＥＤ２１を、図１７（ａ）に示すように、第四のディスプレー基板１０Ｄの最も左側の電極１２４ａの上方に位置付ける。このような状態でウエーハ保持リング５２を下降させることによって（図１７（ｂ）を参照。）、赤色ＬＥＤウエーハ２０に残っている赤色ＬＥＤ２１が、第四のディスプレー基板１０Ｄの表面１０Ｂａにおいて対応する各電極１２４ａと対面し、既に配設されたＬＥＤと重なることなく当接した状態に位置付けることができる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 When the fourth display board 10D is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the fourth display board 10D by a predetermined amount is lowered. .. At this time, as can be understood from FIG. 17A, which specifically shows the positional relationship between the red LED wafer 20 and the fourth display substrate 10D as viewed from the side in the row direction, the red LED 21 of the red LED wafer 20 Is already disposed with respect to the first to third display substrates 10A to 10C in the first, seventh, and tenth steps. That is, on the red LED wafer 20, three rows are skipped, and three rows of red LEDs 21 remain. Here, since the green LED 23 and the blue LED 25 are already arranged on the surface 10 Da of the fourth display substrate 10D corresponding to the electrodes 124b and 124c, the leftmost side of the red LED wafers 20 arranged in the three rows is leftmost. The red LED 21 cannot be positioned on the leftmost electrode 124a of the fourth display substrate 10D. Therefore, the red LED 21 on the right side of the three rows of red LEDs 21 on the leftmost side remaining in the red LED wafer 20 is above the leftmost electrode 124a of the fourth display substrate 10D as shown in FIG. 17 (a). Positioned in. By lowering the wafer holding ring 52 in such a state (see FIG. 17B), the red LED 21 remaining in the red LED wafer 20 corresponds to each of the corresponding surfaces 10Ba of the fourth display substrate 10D. It can be positioned in a state where it faces the electrode 124a and is in contact with the already arranged LED without overlapping (LED wafer positioning step).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第四のディスプレー基板１０Ｄの電極１２４ａに、赤色ＬＥＤウエーハ２０の赤色ＬＥＤ２１が位置付けられて、赤色ＬＥＤ２１側のアノード電極、カソード電極が第四のディスプレー基板１０Ｄの２つの電極１２４ａに当接させられたならば、上記の各ステップと同様に電極連結工程が実施される（図１７（ｃ）を参照。）。なお電極連結工程の具体的手順は、上記各ステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第四のディスプレー基板１０Ｄの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ａに対応する赤色ＬＥＤ２１に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、赤色ＬＥＤ２１の電極が第四のディスプレー基板１０Ｄの全ての電極１２４ａに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the red LED 21 of the red LED wafer 20 is positioned on the electrode 124a of the fourth display substrate 10D, and the anode electrode and the cathode electrode on the red LED 21 side are the two electrodes of the fourth display substrate 10D. When abutted against 124a, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in each of the above steps (see FIG. 17 (c)). Since the specific procedure of the electrode connecting step is the same as the electrode connecting step of each step, the specific description will be omitted. In this way, the red LED 21 corresponding to all the electrodes 124a arranged in the column direction and the row direction of the fourth display substrate 10D is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the red LED 21 are the electrodes of the fourth display substrate 10D. It is connected to all the electrodes 124a (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図１７（ｄ）に示すように、赤色ＬＥＤウエーハ２０のエピタキシー基板２０１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第四のディスプレー基板１０Ｄに位置付けられた赤色ＬＥＤ２１のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し赤色ＬＥＤ２１をエピタキシー基板２０１から剥離して第四のディスプレー基板１０Ｄに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、上記の各ステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第四のディスプレー基板１０Ｄ側の電極１２４ａに対して電極が連結された全ての赤色ＬＥＤ２１に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図１７（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第四のディスプレー基板１０Ｄ上の全ての電極１２４ａに赤色ＬＥＤ２１が配設され、その結果、第四のディスプレー基板１０Ｄには、赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３、及び青色ＬＥＤ２５が配設された状態となる。すなわち、第四のディスプレー基板１０Ｄの電極１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃの全てに三色のＬＥＤが配設され、第四のディスプレー基板１０Ｄが三色のＬＥＤ光源を有するディスプレーパネルとして完成した状態となる（図１９を参照。）。上記した第四のディスプレー基板１０Ｄに対して赤色ＬＥＤ２１を配設するための電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第１１のステップ」とする。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 17D, the wavelength of the wavelength is transparent to the epitaxy substrate 201 of the red LED wafer 20 and is absorbent to the buffer layer BF. An LED that irradiates the buffer layer BF of the red LED 21 positioned on the fourth display substrate 10D with the laser beam LB2 to destroy the buffer layer BF, peels the red LED 21 from the epitaxy substrate 201, and arranges the red LED 21 on the fourth display substrate 10D. The disposition step is carried out. Since the LED arrangement step is the same as each step described above, a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the red LEDs 21 to which the electrodes are connected to the electrodes 124a on the fourth display substrate 10D side, the wafer retaining ring 52 is raised (FIG. 17 (FIG. 17). See e).). As a result, the LED arrangement step is completed, and the red LEDs 21 are arranged on all the electrodes 124a on the fourth display substrate 10D. As a result, the red LED 21, the green LED 23, and the red LED 21 are arranged on the fourth display substrate 10D. And the blue LED 25 is arranged. That is, three-color LEDs are arranged on all of the electrodes 124a, 124b, and 124c of the fourth display board 10D, and the fourth display board 10D is completed as a display panel having a three-color LED light source (). See FIG. 19). The electrode connecting step for arranging the red LED 21 with respect to the fourth display substrate 10D described above and the LED arranging step are referred to as an "11th step".

該第１１のステップが実施されたならば、レーザー加工装置４０における保持テーブル６３を、移動手段４３を作動することにより、図１の手前側の基板搭載領域に移動させた状態とする。保持テーブル６３を図１で示す位置に移動させたならば、保持フレーム６４に作用している吸引手段を停止し、載置されている第四のディスプレー基板１０Ｄを取り外す。第四のディスプレー基板１０Ｄを取り外したならば、第７のステップにて使用された第三のディスプレー基板１０Ｃを載置する。上記したように、第三のディスプレー基板１０Ｃの電極１２４ａ、１２４ｂには、既に赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３が配設されている。第三のディスプレー基板１０Ｃを保持フレーム６４に載置し、吸引手段を作動させて、吸引孔６４ｂに吸引力を作用させて吸引保持する。 When the eleventh step is carried out, the holding table 63 in the laser processing apparatus 40 is moved to the substrate mounting area on the front side of FIG. 1 by operating the moving means 43. After moving the holding table 63 to the position shown in FIG. 1, the suction means acting on the holding frame 64 is stopped, and the fourth display board 10D on which the holding table 63 is placed is removed. After removing the fourth display board 10D, the third display board 10C used in the seventh step is placed. As described above, the red LED 21 and the green LED 23 are already arranged on the electrodes 124a and 124b of the third display substrate 10C. The third display substrate 10C is placed on the holding frame 64, the suction means is operated, and the suction force is applied to the suction holes 64b to hold the suction holes 64b.

第三のディスプレー基板１０Ｃを保持フレーム６４に吸引保持したならば、保持フレーム６４上に吸引保持した第三のディスプレー基板１０Ｃを、上記した撮像手段４８を用いて撮像し、レーザー光線照射手段４４の集光器４４ａと、第三のディスプレー基板１０Ｃの加工位置との位置合わせを行うアライメントを実行する。 After the third display substrate 10C is sucked and held by the holding frame 64, the third display board 10C sucked and held on the holding frame 64 is imaged by using the above-mentioned image pickup means 48, and the collection of the laser beam irradiation means 44. Alignment is performed to align the optical device 44a with the processing position of the third display substrate 10C.

該アライメントを実行して両者の位置合わせが完了したならば、図示しない制御手段の指令によりウエーハ保持リング５２を上方に移動してさらに図２（ｃ）に矢印５４ａで示す方向に回転させることで、ＬＥＤウエーハ保持手段５０を図２（ｂ）で示す状態とし、該ウエーハ保持リング５２に作用している吸引手段を停止して第１１のステップにおいて使用されていた赤色ＬＥＤウエーハ２０を取り出し、第９のステップで使用された青色ＬＥＤウエーハ２４をウエーハ保持リング５２の段差部５２ａに載置する。 When the alignment is executed and the alignment of the two is completed, the wafer holding ring 52 is moved upward by a command of a control means (not shown) and further rotated in the direction indicated by the arrow 54a in FIG. 2 (c). , The LED wafer holding means 50 is in the state shown in FIG. 2B, the suction means acting on the wafer holding ring 52 is stopped, and the red LED wafer 20 used in the eleventh step is taken out. The blue LED wafer 24 used in step 9 is placed on the step portion 52a of the wafer holding ring 52.

該段差部５２ａに青色ＬＥＤウエーハ２４を載置したならば、図示しない吸引手段を作動させて吸引孔５２ｂから吸引し青色ＬＥＤウエーハ２４を吸引保持状態とする。青色ＬＥＤウエーハ２４をウエーハ保持リング５２に吸引保持したならば、保持基体５６の駆動手段を作動させてウエーハ保持リング５２を図２（ｃ）に示すように図中矢印５４ａの方向に１８０°回転させて青色ＬＥＤウエーハ２４の裏面２０ｂ側を上方に露出させ、青色ＬＥＤ２５が形成された表面２４ａが下方を向くように方向を転換する。青色ＬＥＤウエーハ２４をこのように回転させたならば、該アライメントを実行したことによって得た位置情報に基づき、移動手段４３を作動して、保持フレーム６４に保持された第三のディスプレー基板１０Ｃを集光器４４ａ、及びウエーハ保持リング５２の直下に位置付ける。そして、第三のディスプレー基板１０Ｃがウエーハ保持リング５２の直下に移動させられたならば、第三のディスプレー基板１０Ｃの高さ位置よりも所定量高い位置に移動させられているウエーハ保持リング５２を下降させる。このとき、青色ＬＥＤウエーハ２４と第三のディスプレー基板１０Ｃとを列方向の側方から見た位置関係を具体的に示す図１８（ａ）から理解されるように、青色ＬＥＤウエーハ２４の青色ＬＥＤ２５は、第４、６、９のステップにおいて第一、二、四のディスプレー基板１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｄに対して既に配設した後である。すなわち、青色ＬＥＤウエーハ２４上には、３列を飛ばして、３列ずつ青色ＬＥＤ２５が残っている。ここで、第三のディスプレー基板１０Ｃの表面１０Ｃａには、既に電極１２４ａ、１２４ｂに対応して赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３が配設されており、該３列に並んだ青色ＬＥＤウエーハ２４の最も左側の青色ＬＥＤ２５を、第三のディスプレー基板１０Ｃの最も左側の電極１２４ａに位置付けることができる。そこで、青色ＬＥＤウエーハ２４に残っている３列の青色ＬＥＤ２５のうち左側の青色ＬＥＤ２５を、図１８（ａ）に示すように、第三のディスプレー基板１０Ｃの最も左側の電極１２４ａの上方に位置付ける。このような状態でウエーハ保持リング５２を下降させることによって（図１８（ｂ）を参照。）、青色ＬＥＤウエーハ２４に残っている青色ＬＥＤ２５が、第三のディスプレー基板１０Ｃの表面１０Ｃａにおいて対応する各電極１２４ｃと対面し既に配設されたＬＥＤと重なることなく当接した状態に位置付けることができる（ＬＥＤウエーハ位置付け工程）。 When the blue LED wafer 24 is placed on the step portion 52a, a suction means (not shown) is operated to suck the blue LED wafer 24 from the suction hole 52b to bring the blue LED wafer 24 into the suction holding state. When the blue LED wafer 24 is sucked and held by the wafer holding ring 52, the driving means of the holding base 56 is activated to rotate the wafer holding ring 52 by 180 ° in the direction of the arrow 54a in the figure as shown in FIG. 2 (c). The back surface 20b side of the blue LED wafer 24 is exposed upward, and the direction is changed so that the front surface 24a on which the blue LED 25 is formed faces downward. When the blue LED wafer 24 is rotated in this way, the moving means 43 is operated based on the position information obtained by performing the alignment, and the third display substrate 10C held by the holding frame 64 is operated. It is positioned directly under the condenser 44a and the wafer holding ring 52. Then, if the third display board 10C is moved directly under the wafer holding ring 52, the wafer holding ring 52 moved to a position higher than the height position of the third display board 10C by a predetermined amount is moved. Lower. At this time, as can be understood from FIG. 18A, which specifically shows the positional relationship between the blue LED wafer 24 and the third display substrate 10C as viewed from the side in the row direction, the blue LED 25 of the blue LED wafer 24 Is already disposed with respect to the first, second, and fourth display substrates 10A, 10B, and 10D in the fourth, sixth, and ninth steps. That is, on the blue LED wafer 24, three rows are skipped and three rows of blue LEDs 25 remain. Here, the red LED 21 and the green LED 23 are already arranged on the surface 10Ca of the third display substrate 10C corresponding to the electrodes 124a and 124b, and the leftmost side of the blue LED wafers 24 arranged in the three rows is leftmost. The blue LED 25 can be positioned on the leftmost electrode 124a of the third display substrate 10C. Therefore, the blue LED 25 on the left side of the three rows of blue LEDs 25 remaining on the blue LED wafer 24 is positioned above the leftmost electrode 124a of the third display substrate 10C, as shown in FIG. 18A. By lowering the wafer holding ring 52 in such a state (see FIG. 18B), the blue LED 25 remaining on the blue LED wafer 24 corresponds to each of the corresponding surfaces 10Ca on the third display substrate 10C. It can be positioned in a state where it faces the electrode 124c and is in contact with the already arranged LED without overlapping (LED wafer positioning step).

該ＬＥＤウエーハ位置付け工程により、第三のディスプレー基板１０Ｃの電極１２４ｃに、青色ＬＥＤウエーハ２４の青色ＬＥＤ２５が位置付けられて、青色ＬＥＤ２５側のアノード電極、カソード電極が第三のディスプレー基板１０Ｃの２つの電極１２４ｃに当接させられたならば、上記の各ステップと同様に電極連結工程が実施される（図１８（ｃ）を参照。）。なお電極連結工程の具体的手順は、上記各ステップの電極連結工程と同様であるため、具体的な説明については省略する。このようにして、第三のディスプレー基板１０Ｃの列方向、行方向に複数並ぶ全ての電極１２４ｃに対応する青色ＬＥＤ２５に対してレーザー光線ＬＢ１を照射し、青色ＬＥＤ２５の電極が第三のディスプレー基板１０Ｃの全ての電極１２４ｃに連結される（電極連結工程）。 By the LED wafer positioning step, the blue LED 25 of the blue LED wafer 24 is positioned on the electrode 124c of the third display substrate 10C, and the anode electrode and the cathode electrode on the blue LED 25 side are the two electrodes of the third display substrate 10C. When brought into contact with 124c, the electrode connecting step is carried out in the same manner as in each of the above steps (see FIG. 18C). Since the specific procedure of the electrode connecting step is the same as the electrode connecting step of each step, the specific description will be omitted. In this way, the blue LED 25 corresponding to all the electrodes 124c arranged in the column direction and the row direction of the third display substrate 10C is irradiated with the laser beam LB1, and the electrodes of the blue LED 25 are the electrodes of the third display substrate 10C. It is connected to all the electrodes 124c (electrode connecting step).

該電極連結工程が完了したならば、図１８（ｄ）に示すように、青色ＬＥＤウエーハ２４のエピタキシー基板２４１に対しては透過性を有し、バッファー層ＢＦに対して吸収性を有する波長のレーザー光線ＬＢ２を第三のディスプレー基板１０Ｃに位置付けられた青色ＬＥＤ２５のバッファー層ＢＦに照射してバッファー層ＢＦを破壊し青色ＬＥＤ２５をエピタキシー基板２４１から剥離して第三のディスプレー基板１０Ｃに配設するＬＥＤ配設工程が実施される。なお、該ＬＥＤ配設工程についても、上記の各ステップと同様であるため具体的な説明については省略する。このようなレーザー光線ＬＢ２の照射を、第三のディスプレー基板１０Ｃ側の電極１２４ｃに対して電極が連結された全ての青色ＬＥＤ２５に対して実施したならば、ウエーハ保持リング５２を上昇させる（図１８（ｅ）を参照。）。これにより、該ＬＥＤ配設工程が完了し、第三のディスプレー基板１０Ｃ上の全ての電極１２４ｃに青色ＬＥＤ２５が配設され、その結果、第三のディスプレー基板１０Ｃには、赤色ＬＥＤ２１、緑色ＬＥＤ２３、及び青色ＬＥＤ２５が配設された状態となる。すなわち、第三のディスプレー基板１０Ｃの電極１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃの全てに三色のＬＥＤが配設され、第三のディスプレー基板１０Ｃが三色のＬＥＤ光源を有するディスプレーパネルとして完成した状態となる（図１９を参照。）。上記した第三のディスプレー基板１０Ｃに対して青色ＬＥＤ２５を配設するための電極連結工程、及びＬＥＤ配設工程を「第１２のステップ」とする。 When the electrode connecting step is completed, as shown in FIG. 18D, the wavelength of the wavelength is transparent to the epitaxy substrate 241 of the blue LED wafer 24 and is absorbent to the buffer layer BF. An LED that irradiates the buffer layer BF of the blue LED 25 positioned on the third display substrate 10C with the laser beam LB2 to destroy the buffer layer BF, peels the blue LED 25 from the epitaxy substrate 241 and arranges it on the third display substrate 10C. The disposition step is carried out. Since the LED arrangement step is the same as each step described above, a specific description thereof will be omitted. If such irradiation of the laser beam LB2 is performed on all the blue LEDs 25 to which the electrodes are connected to the electrodes 124c on the third display substrate 10C side, the wafer retaining ring 52 is raised (FIG. 18 (FIG. 18). See e).). As a result, the LED arrangement step is completed, and the blue LEDs 25 are arranged on all the electrodes 124c on the third display substrate 10C. As a result, the red LED 21, the green LED 23, and the like are arranged on the third display substrate 10C. And the blue LED 25 is arranged. That is, three-color LEDs are arranged on all of the electrodes 124a, 124b, and 124c of the third display board 10C, and the third display board 10C is completed as a display panel having a three-color LED light source (). See FIG. 19). The electrode connecting step for arranging the blue LED 25 with respect to the third display substrate 10C described above and the LED arranging step are referred to as a "twelfth step".

上記した実施形態によって、上記の第１〜第１２のステップを順次実行することにより、三色のＬＥＤ光源を有する４枚のディスプレーパネルを効率よく製造することできる。さらに、赤色ＬＥＤウエーハ２０、緑色ＬＥＤウエーハ２２、青色ＬＥＤウエーハ２４上には、２列ずつ各色のＬＥＤが残っているが、これらを別途のディスプレーパネルの製造に使用することもできる。 According to the above-described embodiment, by sequentially executing the above-mentioned first to twelfth steps, four display panels having a three-color LED light source can be efficiently manufactured. Further, although two rows of LEDs of each color remain on the red LED wafer 20, the green LED wafer 22, and the blue LED wafer 24, these can be used for manufacturing a separate display panel.

本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に含まれるかぎり、種々の変形例を想定することができる。 The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications can be assumed as long as it is included in the technical scope of the present invention.

上記した実施形態では、三色のＬＥＤ光源を有するディスプレーパネルを製造する例を示したが、本発明はこれに限定されず、四色以上のＬＥＤ光源を備えたディスプレーパネルを製造する方法であってもよい。 In the above-described embodiment, an example of manufacturing a display panel having LED light sources of three colors has been shown, but the present invention is not limited to this, and is a method of manufacturing a display panel having LED light sources of four or more colors. You may.

上記した実施形態では、第一のＬＥＤを赤色ＬＥＤ、第二のＬＥＤを緑色ＬＥＤ、第三のＬＥＤを青色ＬＥＤとしたが、本発明はこれに限定されず、第一〜第三のＬＥＤに対していずれの発色ＬＥＤ光源を割り当ててもよい。 In the above-described embodiment, the first LED is a red LED, the second LED is a green LED, and the third LED is a blue LED, but the present invention is not limited to this, and the first to third LEDs are used. On the other hand, any color-developing LED light source may be assigned.

上記した実施形態では、ディスプレー基板上に赤色ＬＥＤ、緑色ＬＥＤ、青色ＬＥＤを配設する３組の電極１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｄを複数設定し、隣り合う該３組の電極の間の寸法は、ちょうど該３つのＬＥＤに対応する電極が収まる寸法に設定したが、本発明はそれに限定されるわけではなく、該間隔は任意に設定することができる。なお、その場合でも、隣り合う３組の電極間の寸法は、１つのＬＥＤが配設される場合の寸法の整数倍であることが好ましい。また、ディスプレー基板側にＬＥＤが配設される間隔と、ＬＥＤウエーハ側にＬＥＤが配設される間隔を一致させておけば、ＬＥＤ位置付け工程によってディスプレー基板にＬＥＤウエーハを当接させた際に、ディスプレー基板側の電極に対応するＬＥＤ側の電極を全て同時に当接させることができる。 In the above-described embodiment, a plurality of sets of electrodes 124a, 124b, 124d in which red LEDs, green LEDs, and blue LEDs are arranged on the display substrate are set, and the dimensions between the three sets of adjacent electrodes are exactly the same. Although the size is set so that the electrodes corresponding to the three LEDs can be accommodated, the present invention is not limited to this, and the interval can be set arbitrarily. Even in that case, the dimension between the three adjacent sets of electrodes is preferably an integral multiple of the dimension when one LED is arranged. Further, if the interval at which the LEDs are arranged on the display board side and the interval at which the LEDs are arranged on the LED wafer side are matched, when the LED wafer is brought into contact with the display substrate by the LED positioning process, the LED wafer is brought into contact with the display substrate. All the electrodes on the LED side corresponding to the electrodes on the display substrate side can be brought into contact with each other at the same time.

上記した実施形態では、電極連結工程を実施した後に、ＬＥＤ配設工程を実施するようにしたが、本発明は、必ずしもこれに限定されるわけではなく、両者を同時に、或いは、前後して実施することを除外するものではない。 In the above-described embodiment, the LED arrangement step is carried out after the electrode connecting step is carried out, but the present invention is not necessarily limited to this, and both are carried out simultaneously or before and after. It does not exclude doing.

上記した実施形態では、ウエーハ保持リング５２において保持できるＬＥＤウエーハは一つであり、保持テーブル６３で保持できるディプレー基板も一つであったため、各ステップごとに、必要に応じてＬＥＤウエーハとディスプレー基板の載せ替えを必要としたが、例えば、保持テーブル６３上に、４枚のディスプレー基板を保持できるように４つの保持フレームを設置し、ＬＥＤウエーハ保持手段５０において３つのウエーハを同時に保持できるように、ウエーハ保持リング５２を３つ用意して自動的に切り替えられるようにすれば、各ステップにおいて必要となっていた載せ替えを省略することが可能となる。 In the above-described embodiment, the LED wafer that can be held by the wafer holding ring 52 is one, and the display substrate that can be held by the holding table 63 is also one. Therefore, the LED wafer and the display substrate are required for each step. However, for example, four holding frames are installed on the holding table 63 so as to hold four display substrates so that the LED wafer holding means 50 can hold three wafers at the same time. If three wafer holding rings 52 are prepared and automatically switched, it is possible to omit the remounting required in each step.

１０Ａ：第一のディスプレー基板
１０Ｂ：第二のディスプレー基板
１０Ｃ：第三のディスプレー基板
１０Ｄ：第四のディスプレー基板
２０：赤色ＬＥＤウエーハ
２１：赤色ＬＥＤ
２２：緑色ＬＥＤウエーハ
２３：緑色ＬＥＤ
２４：青色ＬＥＤウエーハ
２５：青色ＬＥＤ
４０：レーザー加工装置
４２：保持手段
４３：移動手段
４４：レーザー光線照射手段
４５：枠体
４８：撮像手段
５０：ＬＥＤウエーハ保持手段
５２：ウエーハ保持リング
５２ａ：段差部
５２ｂ：吸引孔
５４：保持アーム
５６：保持基体
５８：開口部
６３：保持テーブル
６４：保持フレーム
８０：Ｘ方向移動手段
８２：Ｙ方向移動手段
１２４ａ、１２４ｂ、１２４ｃ：電極 10A: First display board 10B: Second display board 10C: Third display board 10D: Fourth display board 20: Red LED wafer 21: Red LED
22: Green LED wafer 23: Green LED
24: Blue LED wafer 25: Blue LED
40: Laser processing device 42: Retaining means 43: Moving means 44: Laser beam irradiating means 45: Frame 48: Imaging means 50: LED wafer holding means 52: Wafer holding ring 52a: Step portion 52b: Suction hole 54: Holding arm 56 : Retaining base 58: Opening 63: Retaining table 64: Retaining frame 80: X-direction moving means 82: Y-direction moving means 124a, 124b, 124c: Electrodes

Claims

A method for manufacturing an LED display panel for manufacturing an LED display panel.
A first LED wafer having a plurality of first LEDs formed on the surface of the epitaxy substrate at predetermined intervals and formed via a buffer layer, and a buffer layer partitioned on the surface of the epitaxy substrate at predetermined intervals. A third LED wafer having a plurality of second LEDs formed via a plurality of second LEDs and a third LED having a plurality of third LEDs partitioned on the surface of an epitaxy substrate at predetermined intervals and formed via a buffer layer. LED wafer, at least the LED wafer preparation process to prepare,
A display board preparation process that prepares a display board in which multiple electrodes are arranged in rows and columns,
An LED wafer positioning process in which one of the first LED wafer, the second LED wafer, and the third LED wafer is face-to-face and positioned corresponding to the electrodes of the display substrate.
The LED electrode is connected to the LED electrode and the corresponding display substrate electrode by irradiating the display substrate or the LED wafer faced by the LED wafer positioning step with a laser beam having a transmissive wavelength. Electrode connection process and
The LED buffer layer of the LED located on the display substrate is irradiated with a laser beam having a wavelength that is transparent to the display substrate or the LED wafer to destroy the buffer layer, and the LED is peeled off from the epitaxy substrate to remove the LED of the LED wafer. Including at least the LED disposing step of disposing on the display substrate,
For the other two LED wafers that were not made to face each other by the above LED wafer positioning step, the above LED wafer positioning step, electrode connecting step, and LED arrangement step were carried out, and the LEDs of the two LED wafers were also subjected to. It is arranged on the display board and is arranged on the display board.
The display board includes at least a first display board, a second display board, a third display board, and a fourth display board.
The surface of the first LED wafer is made to face the surface of the first display substrate by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and corresponds to the electrodes arranged in the rows and columns of the first display substrate at predetermined intervals. The electrode of the first LED is positioned on the electrode of the first display substrate, and the electrode of the first LED and the electrode of the first LED are irradiated with a laser beam having transparency to the first display substrate or the first LED wafer. The first step of connecting the electrode of one display substrate and performing the LED arrangement step to dispose the first LED on the first display substrate.
The surface of the second LED wafer is made to face the surface of the second display substrate by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and corresponds to the electrodes arranged in the rows and columns of the second display substrate at predetermined intervals. The electrode of the second LED is positioned at the electrode of the second display substrate, and the second LED wafer or the second LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to irradiate the electrode of the second LED. And the second step of connecting the LED of the second display substrate and performing the LED arrangement step to arrange the second LED on the second display substrate.
The surface of the second LED wafer used in the second step is made to face the surface of the third display substrate by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and the rows and columns of the third display substrate are spaced apart from each other. The electrode of the second LED corresponding to the electrode arranged in the third display substrate is positioned at the electrode of the third display substrate, and a laser beam having transparency to the third display substrate or the second LED wafer is emitted. A third that irradiates and connects the electrode of the second LED and the electrode of the third display substrate, and also carries out the LED arrangement step to dispose the second LED on the third display substrate. Steps and
The surface of the third LED wafer is made to face the surface of the fourth display substrate by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step, and corresponds to the electrodes arranged in the rows and columns of the fourth display substrate at predetermined intervals. The electrode of the third LED is positioned at the electrode of the fourth display substrate, and the fourth LED substrate or the third LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to irradiate the electrode of the third LED. And the fourth step of connecting the electrode of the fourth display substrate and performing the LED arrangement step to arrange the third LED on the fourth display substrate.
The second LED wafer used in the third step on the surface of the first display substrate in which the first LEDs are arranged at predetermined intervals in the first step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The electrodes of the second LED corresponding to the electrodes arranged in the rows and columns of the first display substrate so as to face each other at predetermined intervals are positioned as the electrodes of the first display substrate, and the first display substrate or the first display substrate is located. The second LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to connect the second LED electrode and the first display substrate electrode, and the LED arrangement step is carried out to form the second LED. The fifth step, which is arranged on the first display substrate, and
Either the second display board or the third display board in which the second LEDs are arranged at predetermined intervals in the second step or the third step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. A display substrate is selected, the surface of one of the selected display substrates is faced with the third LED wafer used in the fourth step, and electrodes arranged in rows and columns of the one display substrate at predetermined intervals. The third LED electrode is positioned on the third LED and the third LED wafer or the third LED wafer is irradiated with a transparent laser beam to connect the third LED electrode and the one display substrate electrode. The sixth step of disposing the third LED on the one display substrate by carrying out the LED disposing step.
The first LED used in the first step on the surface of the other display substrate in which the second LED not selected in the sixth step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step is arranged at a predetermined interval. The electrodes of the first LED are positioned on the electrodes arranged in rows and columns of the other display substrate with the wafers facing each other at predetermined intervals to provide transparency to the other display substrate or the first LED wafer. A second LED is irradiated with a laser beam to connect the electrode of the first LED and the electrode of the other display substrate, and the LED arrangement step is performed to dispose the first LED on the other display substrate. 7 steps and
The second LED wafer used in the fifth step on the surface of the fourth display substrate in which the third LED is arranged at a predetermined interval in the fourth step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The electrodes of the second LED are positioned on the electrodes arranged in rows and columns of the fourth display substrate at predetermined intervals so as to be transparent to the fourth display substrate or the second LED wafer. The electrode of the second LED and the electrode of the fourth display substrate are connected by irradiating the laser beam having the above, and the LED arrangement step is carried out to dispose the second LED on the fourth display substrate. The 8th step to set up and
The third LED wafer used in the sixth step is mounted on the first display substrate on which the first LED and the second LED are arranged in the fifth step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The electrodes of the third LED are positioned on the electrodes arranged in rows and columns of the first display substrate so as to face each other at predetermined intervals to provide transparency to the first display substrate or the third LED wafer. The electrode of the third LED and the electrode of the first display substrate are connected by irradiating the laser beam having the LED beam, and the LED arrangement step is carried out to dispose the third LED on the first display substrate. 9th step to do and
The first LED wafer used in the seventh step is faced with the one display substrate in the sixth step in which the second LED and the third LED are arranged by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The electrodes of the first LED are positioned on the electrodes arranged in the rows and columns of the one display substrate at predetermined intervals, and a laser beam having transparency to the one display substrate or the first LED wafer is emitted. A tenth step of irradiating to connect the electrode of the first LED and the electrode of the one display substrate, and carrying out the LED arrangement step to dispose the first LED on the one display substrate. When,
The first LED wafer used in the tenth step on the fourth display substrate on which the second LED and the third LED are arranged in the eighth step by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The electrodes of the first LED are positioned on the electrodes arranged in rows and columns of the fourth display substrate at predetermined intervals so as to be transparent to the fourth display substrate or the first LED wafer. The electrode of the first LED and the electrode of the fourth display substrate are connected by irradiating the laser beam having the above, and the LED arrangement step is carried out to dispose the first LED on the fourth display substrate. The eleventh step to set up and
The third LED wafer used in the ninth step is faced with the other display substrate in the seventh step in which the second LED and the first LED are arranged by the LED wafer positioning step and the electrode connecting step. The third LED electrode is positioned on the electrodes arranged in the rows and columns of the other display substrate at predetermined intervals, and a laser beam having transparency to the other display substrate or the third LED wafer is emitted. A twelfth step of irradiating to connect the electrode of the third LED and the electrode of the other display substrate, and performing the LED arrangement step to dispose the third LED on the other display substrate. When,
A method of manufacturing an LED display panel comprising at least.

The method for manufacturing an LED display panel according to claim 1, wherein the first LED emits red, the second LED emits green, and the third LED emits blue.